JPH11306961A - ガス放電パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フラットディスプレイパネルとしての軽量化
を向上させ、製造上で問題となっているガラスの反り、
割れの問題を軽減させ、取り出し効率改善による表示性
能の向上、加えて、生産性の向上を可能にする。 【解決手段】 内表面上に隔壁４が形成された支持基板
１と、隔壁４を介して対向配置されたフィルム状基板６
とからなり、支持基板１とフィルム状基板６とは隔壁の
最上端に設けられた接合部材１２を介して接合されてい
る。本発明に係わる製造方法は、支持基板１上に形成す
る形成物が厚膜形成技術を用い、フィルム状基板上６に
形成する形成物は薄膜形成技術を用いることを特徴とす
るものであって、支持基板上の形成物は厚膜形成方法の
一貫製造で、フィルム状基板の形成物は薄膜形成方法の
一貫製造で行うものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフラットディスプレ
イパネル、特にガス放電パネル及びその製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型に適したディスプレイ装置と
して注目されているガス放電パネルの構造の一例として
は、図５に示すようなＡＣ型プラズマディスプレイパネ
ル（以下、ＰＤＰという）が知られている。

【０００３】このＰＤＰは、内表面上に複数本の表示電
極７、誘電体層８及び保護層９が形成された上部パネル
基板６ａと表示電極７とは直交する向きに沿って配置さ
れた複数本のデータ電極２及び誘電体層３が内表面上に
形成され、かつ、誘電体層３上の所定位置毎には発光領
域を区画する低融点ガラス製の隔壁４が並列形成された
下部パネル基板１ａとを対向配置した上で外周端縁を低
融点ガラスからなる封止部材１０を用いて封止した構成
の外囲器１１からなっている。

【０００４】そして、隔壁４によって区画された各発光
領域毎の誘電体層３上にはカラー表示を実現するための
蛍光体５が塗布されており、外囲器１１内にはヘリウム
及びキセノンなどの不活性ガスを混合してなる放電ガス
が封入されている。

【０００５】この外囲器１１を構成している上部パネル
基板６ａと下部パネル基板１ａに関しては、放電により
生じた光を表示用として取り出すために少なくともどち
らかの基板は透明性を持った基板が必要である。しか
し、両基板を低融点ガラスからなる封止部材１０を用い
て封止する時のそりの問題や封止後に生じる熱歪みに対
する対策や製造の利便性などから同じ厚みを持つガラス
が用いられている。

【０００６】また、最近では、特願平８−３３５５６３
号に示すように、外囲器内部に封入する放電ガス圧を大
気圧より高めることでパネルの発光輝度を向上させるこ
とを目的に、上部パネル基板６ａと下部パネル基板１ａ
上に形成した隔壁４を介して接合部材で接合するといっ
た方法も用いられている。

【０００７】従来の製造方法の一例としては、まず、上
部パネル基板６ａ上に印刷技術を用いて銀ペーストを印
刷し、６００℃くらいの温度で焼成後、表示電極７を得
る。最近では、感光性の銀ペーストを用い、フォトリソ
グラフィー技術を用いて電極配線パターンを形成する場
合もある。次に、その電極を覆うように絶縁性のガラス
ペーストを用い印刷技術で誘電体層８を形成し、表示電
極７を形成したときの温度よりやや低い５８０℃程度で
焼成する。この誘電体層８は適正の膜厚を得るため、ま
た、特性の向上のため２度以上繰り返すことが多い。

【０００８】そして、最後に誘電体表面に放電空間に接
する面上に薄膜形成技術（例えば、電子ビーム蒸着法）
を用いて酸化マグネシウムの保護層９が形成される。最
近では厚膜形成方法での研究もされるようになったが、
このＭｇＯ膜は放電特性を左右する重要な膜であり、膜
質で特性が決定されてしまうため、真空装置を使った薄
膜形成技術でのみ作製されているのが現状である。

【０００９】表示電極７についても薄膜形成技術を用い
ることができるが、薄膜形成方法と厚膜形成方法とが繰
り返されコスト・生産性の点で不利になるため厚膜形成
技術が主流である。ここで、薄膜形成技術とは、形成し
たい材料を物理的、または、化学的に原子、分子オーダ
ーに分解して所定の場所に数μｍまでの膜形成を行う技
術であり、また、厚膜形成技術とは、形成したい材料を
ガラスフリット、バインダー、溶剤などと混合し、ペー
スト化して、所定の場所に数十μｍまでの膜を塗布し、
数百℃の温度で焼成して膜形成を行う技術である。

【００１０】一方、上部パネル基板６ａと同じ板厚の下
部パネル基板１ａ上には、まず、データ電極２が表示電
極７と同様に、厚膜印刷技術を用いて形成される。さら
に、その上に、電極を覆うように印刷技術を用い誘電体
層３を印刷・焼成する。

【００１１】次に、誘電体層３上に隔壁４を形成する。
この隔壁４は、放電特性を向上させるために放電空間を
広くとる必要がある。このため、アスペクト比の大き
い、すなわち、高さが高く幅の狭い形状が必要であり厚
膜形成技術が必須となる。

【００１２】一般には、印刷技術を用い、フィラーの入
ったガラスペーストを用い印刷回数を重ねることで所望
の膜厚を得ている。最近では、フォトリソ技術を利用し
たリフトオフ法も用いられるようになっている。最後
に、この隔壁の側面、底部に一定の厚みの蛍光体５を作
製する。この方法にも厚膜形成技術が使われる。一般に
は、印刷技術を用い、蛍光体ペーストを印刷するのが主
流であるが、最近では、感光性蛍光体フォトペーストを
用いた厚膜印刷技術も行われている。

【００１３】このように、従来のガス放電パネルの製造
に関しては、基板に使われるガラスの耐熱温度から５０
０〜６００℃の温度で基板上に形成物を作製できる方
法、すなわち、厚膜形成技術がコスト、生産性の面で主
流となっている。上部パネル基板の保護層９等は薄膜形
成技術を用いているものの、上部パネル基板６ａの表示
電極７，誘電体８、下部パネル基板１ａのデータ電極
２，誘電体層３，隔壁４，蛍光体５などは厚膜形成技術
で形成されている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ガス放電パネル、すなわち、外囲器１１では、２〜３ｍ
ｍ厚のガラスを２枚張り合わせているので、フラットデ
ィスプレイとは言え、かなり重い。最近ではフラットパ
ネルの大型化に対する要望が強いため、大型化に対して
は、致命的な問題となっている。

【００１５】また、２枚のガラス基板を張り合わせるた
め、少ない歪みでも張り合わせた後の内部応力が生じて
しまい、外部からの衝撃やパネルの発熱などにより、ガ
ラスに亀裂が生じ、製造歩留まりの低下やパネルの完成
度を著しく損ねてしまうなどの問題が生じる。上部パネ
ル基板６ａも下部パネル基板１ａも厚膜形成技術を使用
しているため、各製造工程で、ペーストを焼成する工程
があり、焼成時の熱によるガラス内部の応力やガラスと
ガラス上に形成する誘電体などの形成物との熱膨張の違
いによるガラスの反りが重要な問題となっているのが現
状である。

【００１６】さらに、フラットディスプレイとしての表
示性能を向上させる必要から、内部での放電により生じ
た光を効率よくガラスの外部に取り出す必要があるが、
ガラスが厚いとガラス内部での光の散乱、表面での反射
などにより、表示性能をさらに向上させることが困難に
なっていた。

【００１７】本発明は、これらの問題を鑑みて創案され
たものであり、フラットディスプレイパネルとしての軽
量化を向上させ、製造上で問題となっているガラスの反
り、割れの問題を軽減させ、取り出し効率改善による表
示性能の向上、加えて、生産性の向上を可能にするガス
放電パネルの構造、及び、製造方法を提供することを目
的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のガス放電パネルは、内表面上に隔壁が形成
された支持基板と、隔壁を介して対向配置されたフィル
ム状基板を備え、支持基板とフィルム状基板とは隔壁の
最上端に設けられた接合部材を介して接合されたガス放
電パネルであり、フィルム状基板は透明であることが好
ましい。

【００１９】また、ここで述べるところのフィルム状基
板は、フィルム厚さが０．０３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下
のガラスが好ましい。また、このフィルム状基板として
は、薄膜形成技術を用いて無機薄膜を全面にわたって形
成した有機フィルムを用いてもよく、有機フィルムと、
無機薄膜とは透明であることが好ましい。

【００２０】また、支持基板とは、パネルを作製した後
にパネルの構造を保持することを目的としており、ガラ
ス、金属、セラミックであることが好ましいが、形状を
保持できる基材であれば、何ら問題は生じない。

【００２１】また、本発明に係わるガス放電パネルの製
造方法は、支持基板上に形成する形成物が厚膜形成技術
を用い、フィルム状基板上に形成する形成物は薄膜形成
技術を用いて形成することを特徴とするものであって、
支持基板上の形成物は厚膜形成方法の一貫製造で、フィ
ルム状基板の形成物は薄膜形成方法の一貫製造で行うも
のである。

【００２２】

【発明の実施の形態】第１の発明（請求項１）は、内表
面上に隔壁が形成された支持基板と、前記隔壁を介して
対向配置されたフィルム状基板を備え、前記支持基板と
前記フィルム状基板とは隔壁の最上端に設けられた接合
部材を介して接合されており、このことから次のような
作用を有する。

【００２３】すなわち、片面の基板をフィルム状基板に
することで基板の厚みを薄くすることができ、パネルの
軽量化が達成できる。また、支持基板と、フィルム状基
板との厚みを変えることで、製造時に生じた基板の歪
み、変形をフィルム状基板が吸収し、パネルの割れ、変
形を軽減することができる。また、フィルム状基板側か
ら、光を取り出すことで、基板の厚みによる光取り出し
効率を改善でき、パネルの表示性能を向上させることが
できる。

【００２４】また、フィルム状基板としては、０．０３
ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが望ましい。また、
透明な基板であることが望ましく、ガラスが適してい
る。さらに支持基板は、ガラスまたは金属またはセラミ
ックスであるこが好ましい。

【００２５】第２の発明（請求項４）は、支持基板と、
前記支持基板上に形成された隔壁と、前記隔壁を介して
対向配置された内表面上に無機薄膜が形成された有機フ
ィルム基板を備え、前記支持基板と前記有機フィルム基
板とが張り合わされるように、前記支持基板と前記有機
フィルム上に形成された無機薄膜の外周端縁同士を封止
しており、このことから、次のような作用を有する。

【００２６】すなわち、片面の基板を無機薄膜が形成さ
れた有機フィルムとすることで、片面の基板厚みを薄く
することができ、パネルの軽量化が達成できる。

【００２７】また、支持基板と、有機フィルム基板との
厚みを変えることで、製造時に生じた基板の歪み、変形
を有機フィルム基板が吸収し、パネルの割れ、変形を軽
減することができる。

【００２８】また、支持基板とは有機フィルム基板上の
無機薄膜とで外周端縁同士を接合するので、放電ガスが
漏れることはない。また、有機フィルム基板はフレキシ
ブル基板であるので、製造時の高生産性も期待できる。
さらに、有機フィルム基板側から光を取り出す構造とす
ることで、基板の厚みによる光取り出し効率を改善で
き、パネルの表示性能を向上させることができる。

【００２９】第３、第４の発明（請求項９、１１）は、
第１または第２の発明のガス放電パネルの製造方法であ
って、支持基板上の電極、誘電体、隔壁などのすべての
形成物が厚膜形成技術を用いて形成され、かつ、フィル
ム状基板、または、有機フィルム基板上の無機誘電体薄
膜、電極、誘電体薄膜などのすべての形成物が薄膜形成
技術を用いて形成されることを特徴としており、このこ
とから、次のような作用を有する。

【００３０】すなわち、フィルム基板上に薄膜形成技術
を用いて形成物を形成することで、厚膜形成技術に用い
られる焼成工程を省くことができ、製造工程での耐熱温
度は大幅に下げることができる。このことで耐熱性の弱
い、有機フィルムの使用を可能にするばかりか、熱歪み
による割れを大幅に改善できる。

【００３１】また、フィルム状基板、有機フィルム基板
上の形成物を減圧下での一貫した薄膜形成技術で形成
し、また、支持基板上の形成物を一貫した厚膜形成技術
を用いて形成することで、生産管理向上、高生産性が可
能となり、さらに、ガス放電特性を左右する保護膜形成
においても減圧下での一貫形成のため非常に優れた製造
方法である。なお、本発明において、有機フィルム基板
上の無機薄膜は事前に基板全体に形成されたものを使用
することでも同じ効果が得られる。

【００３２】以下、本発明に係わる実施の形態を図面を
参照しながら説明する。 （第１の実施の形態のガス放電パネル）図１は本実施の
形態に係わるＰＤＰの要部構成を簡略化して示す断面図
である。

【００３３】本実施の形態に係わるＰＤＰは、図１で示
すように、厚さ３ｍｍ程度のガラス製の支持基板１上に
銀ペーストをパターニング、焼成して得られた複数本の
データ電極２とともに、これらのデータ電極２を覆うよ
うに低融点ガラス製の誘電体層３が内表面上に形成され
ており、さらに、その誘電体層３上の所定位置毎には発
光領域を区画する低融点ガラス製の隔壁４がデータ電極
２に並列形成されており、その隔壁４で区画された隔壁
頂部を除くそれぞれの内表面に蛍光体５が塗布形成され
ている。

【００３４】一方、厚さ０．０５ｍｍのガラス製のフィ
ルム状基板６の内表面上には、複数本の厚さ０．２μｍ
の表示電極７とともに薄膜状の誘電体層８及び酸化マグ
ネシウムからなる薄膜状の保護層９が形成されている。
そして、支持基板１とフィルム状基板６とは支持基板上
のデータ電極２とフィルム状基板上の表示電極７とが互
いに直交する向きに対向配置され、さらに、この両基板
１，６の外周端縁同士を低融点ガラスからなる封止部材
１０でもって封止することで両基板１，６からなる外囲
器１１が構成されている。

【００３５】そして、これら隔壁４の最上端には、融点
が５００〜６００℃の材料からなる隔壁４よりも融点の
低いフリットガラス（融点４５０℃程度）や水ガラスな
どのような低融点ガラスからなる接合部材１２が設けら
れており、支持基板上に形成された隔壁４とフィルム状
基板６とは接合部材１２を介して接合されている。

【００３６】このような構成のパネルにすることによっ
て、パネルの重さは、支持基板１とその上に形成された
形成物がパネル重さのほとんどを占め、従来のガラスを
２枚張り合わせたパネルに比べて大幅に軽量化が達成さ
れる。また、表示光の取り出しがフィルム状基板側から
行われるため、基板の厚みによる光取り出し量の損失を
大幅に改善することができ、パネルの表示性能を大幅に
向上させることができる。

【００３７】なお、支持基板１としてガラスを使用して
いるが、金属・セラミックなど、形状を保持できる厚み
を持ち、かつ、耐熱温度が、６００℃程度のものであれ
ば、何ら支障はない。ただし、金属基板を使用する場合
は、少なくとも電極を形成する前に表面を絶縁性の膜で
覆う必要がある。

【００３８】また、フィルム状基板６は、ガラスとした
が、同程度の厚みを持つ有機フィルムを用いてもよく、
この場合、さらに軽量化が図られる。ただし、有機フィ
ルムを使う場合は、基板どうしを張り合わせる場合に低
融点のガラスで接合することができない、放電空間内に
有機フィルムからの不純物ガスが発生し、放電特性を著
しく低下させる、などの問題が生じるため、有機フィル
ムの少なくとも片面全面に無機薄膜を形成しておくこと
が必要である。

【００３９】さらに、パネルとして放電による表示光を
取り出すのは、支持基板側からも可能であるが、フィル
ム状基板から取り出すのが透過率の関係から好都合であ
る。したがって、フィルム状基板は透明性が良いことが
好ましい。

【００４０】（第１の実施の形態のガス放電パネルの製
造方法）図２は、本実施の形態に係わるＰＤＰの製造工
程を示すフローチャートである。本実施の形態に係わる
ＰＤＰの製造方法を図１，図２を参照しながら説明す
る。

【００４１】図１，図２に示すように、まず、ガラス製
の支持基板１に銀ペーストのスクリーン印刷を行い、所
定のパターンに印刷・乾燥する。これを６００℃で焼成
し、データ電極２を得る（図２−ａ）。同様に、そのデ
ータ電極２を覆うようにスクリーン印刷にて誘電体ガラ
スペーストを印刷・乾燥し、５８０℃で焼成し、誘電体
層３を形成する（図２−ｂ）。

【００４２】次に、誘電体層３上の発光領域を区画する
所定位置毎に、すなわち、データ電極２に並列に形状を
保持するためのフィラーが入ったガラス製の誘電体ペー
ストをスクリーン印刷法で印刷・乾燥し、５６０℃で焼
成し、隔壁４を形成する（図２−ｃ）。このとき、所定
の膜厚を得るために、１０回程度印刷と乾燥を繰り返
す。このように厚膜形成技術法であるスクリーン印刷技
術を用いて支持基板１上に所定の形成物を形成する。

【００４３】ここで、厚膜形成技術にスクリーン印刷法
を用いたが、乾燥性のペーストを利用し、フォトリソグ
ラフィー法を用いる方法でも可能である。または、予め
感光性の材料を塗布し、パターニング後にペーストを埋
め込む埋め込み法でもよく、すなわち、ペースト材料を
使用し、５００〜６００℃で焼成することによって、所
定の厚膜を形成できる方法であればよいことは言うまで
もない。

【００４４】そして、最後に、隔壁４の最上端を除いた
面にスクリーン印刷法により蛍光体ペーストを印刷・乾
燥し、５４０℃で焼成し、蛍光体５を形成する（図２−
ｄ）。

【００４５】一方、支持基板上に厚膜形成物を形成する
と同時に、５０μｍのガラス製のフィルム状基板６上に
真空装置内でクロム−銅−クロムの順にそれぞれ、０．
１μｍ−２μｍ−０．１μｍの厚みで電子ビーム蒸着法
により積層膜を形成する（図２−Ａ）。

【００４６】この積層膜上にレジスト膜（たとえば、シ
プレー製ＲＣ−１００）を形成し、露光・現像してレジ
ストのパターンニングを行った後、エッチング液（例え
ば、硫酸＋チオ尿素水溶液、アンモニア水溶液）で積層
膜をエッチングし、所定のパターンの表示電極７を得る
（図２−Ｂ）。

【００４７】次に、表示電極７を覆うように電子ビーム
蒸着法で５μｍ酸化シリコンの誘電体層８を形成する
（図２−Ｃ）。さらにその上に同じ電子ビーム蒸着法で
０．５μｍの酸化マグネシウムの保護膜９を形成する
（図２−Ｄ）。

【００４８】このようにして、支持基板１上には形成物
のペースト材料を塗布し乾燥させた後、５００〜６００
℃で焼成させる一連の厚膜形成技術で統一した製造工程
で形成物を形成し、フィルム状基板６上には真空装置内
で形成物の真空材料を原子・分子オーダーで蒸発させ成
膜させる薄膜形成技術で統一した製造工程で形成物を形
成するといった工程を並行に進めた後、両基板１，６を
張り合わせる。

【００４９】この張り合わせの前に、支持基板１上の外
周端縁には融点が４５０℃程度のフリットガラスからな
る封止部材１０、支持基板上に形成された隔壁４の最上
端には融点が４００℃程度のフリットガラスからなる接
合部材１２をスクリーン印刷法により所定の場所のみに
形成し、乾燥・仮焼成（たとえば、仮焼成温度３５０
℃）しておく。ここで、封止部材１０と接合部材１２
は、同じ材料であってもよい。そして、両基板を張り合
わせた後、４００℃で封着し外囲器１１を得る（図２−
イ）。その外囲器１１の内部を排気し（図２−ロ）、所
定のガスを封入することによってガス放電パネルを得る
（図２−ハ）。

【００５０】このようにして作製されたパネルは、支持
基板とその上に形成された形成物とでパネル重さのほと
んどを占め、従来のガラスを２枚張り合わせたパネルに
比べて大幅に軽量化が達成される。また、表示光の取り
出しがフィルム状基板側から行われるため、基板の厚み
による光取り出し量の損失を大幅に改善することがで
き、パネルの表示性能を大幅に向上させることができ
る。

【００５１】また、支持基板とフィルム状基板との厚み
を変えることで、製造時に生じた基板の歪み、変形をフ
ィルム状基板が吸収し、パネルの割れ、変形を軽減する
ことができる。更に、支持基板上の形成物は厚膜形成技
術を用いて一括して形成し、フィルム状基板上の形成物
は薄膜形成技術を用いて一括して形成するために、製造
設備上、生産管理上での大幅な利点が生じる。

【００５２】なお、支持基板上の各形成物の厚膜形成方
法、フィルム状基板上の各形成物の薄膜形成方法は、本
実施例で述べた方法に限定されるものではなく、他の厚
膜形成方法、薄膜形成方法であってもかまわない。

【００５３】また、両基板上の形成物の材料は、本発明
の材料に限定されるべきものではないのは言うまでもな
い。

【００５４】また、両基板を張り合わせる時に隔壁最上
端に接合部材を用いたが、パネル外部からパネルを保持
するなどの方法を用いることによって代用することもで
き、従って、この接合部材は省いてもよい。

【００５５】（第２の実施の形態のガス放電パネルとそ
の製造方法）図３は本実施の形態に係わるＰＤＰの要部
構成を簡略化して示す断面図、図４は製造方法を示す工
程図である。

【００５６】本実施例の形態に係わるＰＤＰの製造方法
を図３、図４にそって説明する。図３，図４に示すよう
に、まず、厚さ２乃至３ｍｍ程度のガラス製の支持基板
１に銀ペーストのスクリーン印刷を行い、所定のパター
ンに印刷・乾燥する。これを６００℃で焼成し、データ
電極２を得る（図４−ａ）。同様に、そのデータ電極２
を覆うようにスクリーン印刷にて誘電体ガラスペースト
を印刷・乾燥し、５８０℃で焼成し、誘電体層３を形成
する（図４−ｂ）。

【００５７】次に、誘電体層３上の発光領域を区画する
所定位置毎に、すなわち、データ電極２に並列に形状を
保持するためのフィラーが入ったガラス製の誘電体ペー
ストをスクリーン印刷法で印刷・乾燥し、５６０℃で焼
成し、隔壁４を形成する（図４−ｃ）。このとき、所定
の膜厚を得るために、１０回程度印刷と乾燥を繰り返
す。このように厚膜形成技術法であるスクリーン印刷技
術を用いて支持基板１上に所定の形成物を形成する。

【００５８】ここで、厚膜形成技術にスクリーン印刷法
を用いたが、乾燥性のペーストを利用し、フォトリソグ
ラフィー法を用いる方法でも可能である。または、予め
感光性の材料を塗布し、パターニング後にペーストを埋
め込む埋め込み法でもよく、すなわち、ペースト材料を
使用し、５００〜６００℃で焼成することによって、所
定の厚膜を形成できる方法であればよいことは言うまで
もない。そして、最後に、隔壁４の最上端を除いた面に
スクリーン印刷法により蛍光体ペーストを印刷・乾燥
し、５４０℃で焼成し、蛍光体５を形成する（図４−
ｄ）。

【００５９】一方、支持基板上に厚膜形成物を形成する
と同時に、フィルム状基板として１００μｍのポリフェ
ニレンスルフィドフィルム（ＰＰＳ）の有機フィルム基
板１３上にまず膜厚２μｍの酸化シリコンの無機薄膜１
４を電子ビーム蒸着法で全面に成膜する（図４−Ａ）。
ここで、フィルム状基板として有機フィルム基板上にあ
らかじめ酸化シリコン膜が形成されたものを用いてもよ
い。

【００６０】次に、真空装置内でクロム−銅−クロムの
順にそれぞれ、０．１μｍ−２μｍ−０．１μｍの厚み
で電子ビーム蒸着法により積層膜を形成する。この積層
膜上にレジスト膜（たとえば、シプレー製ＲＣ−１０
０）を形成し、露光・現像してレジストのパターンニン
グを行った後、エッチング液（たとえば、硫酸＋チオ尿
素水溶液、アンモニア水溶液）で積層膜をエッチング
し、所定のパターンの表示電極７を得る（図４−Ｂ）。

【００６１】次に、表示電極７を覆うように、電子ビー
ム蒸着法で５μｍ酸化シリコンの誘電体薄膜８を形成す
る（図４−Ｃ）。さらにその上に、同じ電子ビーム蒸着
法で０．５μｍの酸化マグネシウムの保護膜９（図４−
Ｄ）を形成する。このようにして、誘電体薄膜８と保護
膜９が連続して形成される。

【００６２】このようにして、支持基板１上には形成物
のペースト材料を塗布し乾燥させた後、５００〜６００
℃で焼成させる一連の厚膜形成技術で統一した製造工程
で形成物を形成し、有機フィルム基板１３上には真空装
置内で形成物の真空材料を原子・分子オーダーで蒸発さ
せ成膜させる薄膜形成技術で統一した製造工程で形成物
を形成するといった工程を並行に進めた後、両基板１，
１３を張り合わせる。

【００６３】この張り合わせの前に、支持基板１上の外
周端縁には、封止部材１０、支持基板上に形成された隔
壁４の最上端には接合部材１２として、２５０℃程度の
非常に低融点の水ガラスからなるガラスフリットを印刷
法により所定の場所のみに形成し、乾燥・仮焼成（たと
えば、仮焼成温度２１０℃）しておく。そして、両基板
を張り合わせた後、２２０℃で封着し、外囲器１１を得
る（図４−イ）。このとき、外周端縁箇所は超音波接着
を使うことによって十分な接合が可能となる。そして、
この外囲器１１の内部を排気し（図４−ロ）、所定のガ
スを封入することによってガス放電パネルを得る（図４
−ハ）。

【００６４】このようにして作製されたパネルは、支持
基板とその上に形成された形成物とで外囲器の重さのほ
とんどを占め、従来のガラスを２枚張り合わせたパネル
に比べて大幅に軽量化が達成される。また、表示光の取
り出しが有機フィルム基板側から行われるため、基板の
厚みによる光取り出し量の損失を大幅に改善することが
でき、パネルの表示性能を大幅に向上させることができ
る。

【００６５】また、支持基板と、有機フィルム基板との
厚みが異なることで、製造時に生じた基板の歪み、変形
を有機フィルム基板が吸収し、パネルの割れ、変形を軽
減することができる。さらに、支持基板上の形成物は厚
膜形成技術を用いて一括して形成し、有機フィルム上の
形成物は薄膜形成技術を用いて一括して形成するため
に、製造設備上、生産管理上での大幅な利点が生じる。

【００６６】なお、支持基板上の各形成物の厚膜形成方
法、有機フィルム基板上の各形成物の薄膜形成方法は、
本実施例で述べた方法に限定されるものではなく、他の
厚膜形成方法、薄膜形成方法であってもかまわない。

【００６７】また、両基板上の形成物の材料は、本発明
の材料に限定されるべきものではないのは言うまでもな
い。

【００６８】さらに、表示電極のパターニングに化学エ
ッチングを用いたが、蒸着中にマスクを利用してパター
ン形成することにより、フィルム状基板上の形成物はす
べて真空装置内の一貫した製造ラインになるので、コス
ト的にさらに有利になるのは言うまでもない。

【００６９】また、両基板を張り合わせる時に隔壁最上
端に接合部材を用いたが、パネル外部からパネルを保持
するなどの方法を用いることによって代用することもで
き、従って、この接合部材は省いてもよい。

【００７０】なお、本実施の形態では、支持基板とフィ
ルム状基板で作製された外囲器内の構成をＡＣ型プラス
マディスプレイパネルの構造としたが、この構造に限定
されることはなく、他の両基板で挟まれたガス放電パネ
ルの構成であれば同様の効果が得られるのはもちろんで
ある。

【００７１】また、第１の実施の形態では、フィルム状
基板として０．０３ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下とした
が、フィルム状基板厚みが０．０３ｍｍより薄くなると
その基板上に形成物を成膜する際の基板の取り扱いが非
常に困難になるばかりか、そのような薄い基板はかなり
のコストがかかってしまい、この発明の効果が著しく低
下してしまう。

【００７２】また、基板厚みが０．５ｍｍを越えると従
来のパネルと比べ有効な効果がなくなってしまう。従っ
て、フィルム状基板としての有効な厚みは、０．０３ｍ
ｍ以上、０．５ｍ以下である。

【００７３】同様に、第２の実施の形態では、フィルム
状基板として０．０３ｍｍ以上１ｍｍ以下としたが、有
機フィルム厚みが０．０３ｍｍより薄くなると、その基
板上に形成物を成膜する際に、熱負けによるフィルムの
収縮が生じ表示パネルとしての機能が著しく低下する。
また、基板厚みが１ｍｍを越えると従来のパネルと比べ
有効な効果が著しく低下してしまう。従って、フィルム
状基板としての有効な厚みは、０．０３ｍｍ以上、１ｍ
ｍ以下である。

【００７４】

【発明の効果】以上のように第１の発明のガス放電パネ
ルによれば、内表面上に隔壁が形成された支持基板と、
隔壁を介して対向配置されたフィルム状基板とからな
り、支持基板とフィルム状基板とは隔壁の最上端に設け
られた接合部材を介して接合されていることにより、片
面の基板をフィルム状基板にすることで基板の厚みを薄
くすることができ、パネルの軽量化が達成できる。ま
た、支持基板と、フィルム状基板との厚みを変えること
で、製造時に生じた基板の歪み、変形をフィルム状基板
が吸収し、パネルの割れ、変形を軽減することができ
る。また、フィルム状基板側から、光を取り出すこと
で、基板の厚みによる光取り出し効率を改善でき、パネ
ルの表示性能を向上させることができる。

【００７５】さらに、第２の発明のガス放電パネルによ
れば、支持基板と、前記支持基板上に形成された隔壁
と、前記隔壁を介して対向配置された内表面上に無機薄
膜が形成された有機フィルム基板とからなり、前記パネ
ル基板と前記有機フィルム基板とを張り合わせ、前記パ
ネル基板と前記有機フィルム上に形成された無機薄膜の
外周端縁同士を封止することによって、片面の基板を無
機薄膜が形成された有機フィルムとすることで、片面の
基板厚みを薄くすることができ、パネルの軽量化が達成
できる。また、支持基板と、有機フィルム基板との厚み
を変えることで、製造時に生じた基板の歪み、変形を有
機フィルム基板が吸収し、パネルの割れ、変形を軽減す
ることができる。

【００７６】さらに、本発明の製造方法によれば、支持
基板上の電極、誘電体、隔壁などのすべての形成物が厚
膜形成技術を用いて形成され、かつ、フィルム状基板、
または、有機フィルム基板上の無機誘電体薄膜、電極、
誘電体薄膜などのすべての形成物が薄膜形成技術を用い
て形成されることを特徴としており、このことより、フ
ィルム基板上に薄膜形成技術を用いて形成物を形成する
ことで、厚膜形成技術に用いられる焼成工程を省くこと
ができ、製造工程での耐熱温度は大幅に下げることがで
きる。このことで耐熱性の弱い、有機フィルムの使用を
可能にするばかりか、熱歪みによる割れを大幅に改善で
きる。

【００７７】また、フィルム状基板、有機フィルム基板
上の形成物を減圧下での一貫した薄膜形成技術で形成
し、また、支持基板上の形成物を一貫した厚膜形成技術
を用いて形成することで、生産管理向上、高生産性が可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係わるＰＤＰの要部構
成を簡略化して示す断面図

【図２】本実施の形態１に係わるＰＤＰの製造工程を示
すフローチャート

【図３】本発明の実施の形態２に係わるＰＤＰの要部構
成を簡略化して示す断面図

【図４】本実施の形態２に係わるＰＤＰの製造工程を示
すフローチャート

【図５】ガス放電パネル（ＡＣ型プラズマディスプレイ
パネル）の一例を示す構造図

【符号の説明】

１ 支持基板 ２ データ電極 ３ 誘電体層 ４ 隔壁 ５ 蛍光体 ６ フィルム状基板 ７ 表示電極 ８ 誘電体層 ９ 保護層 １０ 封止部材 １１ 外囲器 １２ 接合部材 １３ 有機フィルム基板 １４ 無機薄膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 博由 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 青木 正樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】内表面上に隔壁が形成された支持基板と、
   前記隔壁を介して対向配置されたフィルム状基板を備
   え、前記支持基板と前記フィルム状基板とは隔壁の最上
   端に設けられた接合部材を介して接合されたガス放電パ
   ネル。
2. 【請求項２】フィルム状基板が０．０３ｍｍ以上０．５
   ｍｍ以下である請求項１記載のガス放電パネル。
3. 【請求項３】フィルム状基板がガラスである請求項２記
   載のガス放電パネル。
4. 【請求項４】支持基板と、前記支持基板上に形成された
   隔壁と、前記隔壁を介して対向配置された内表面上に無
   機薄膜が形成された有機フィルム基板を備え、前記支持
   基板と前記有機フィルム基板とが張り合わされるよう
   に、前記支持基板と有機フィルム上に形成された前記無
   機薄膜の外周端縁同士を封止してなるガス放電パネル。
5. 【請求項５】支持基板と有機フィルム基板上の無機薄膜
   とは隔壁を介して接合されている請求項４記載のガス放
   電パネル。
6. 【請求項６】有機フィルム基板が、透明である請求項４
   または５記載のガス放電パネル。
7. 【請求項７】有機フィルム基板が、０．０３ｍｍ以上１
   ｍｍ以下である請求項４または５記載のガス放電パネ
   ル。
8. 【請求項８】支持基板が、ガラスまたは金属またはセラ
   ミックスである請求項１〜７のいずれかに記載のガス放
   電パネル。
9. 【請求項９】請求項１、２、３または請求項８のいずれ
   かに記載のガス放電パネルの製造方法であって、支持基
   板上の電極、誘電体、隔壁などのすべての形成物が厚膜
   形成技術を用いて形成され、かつ、フィルム状基板上の
   電極、誘電体薄膜などのすべての形成物が薄膜形成技術
   を用いて形成されることを特徴とするガス放電パネルの
   製造方法。
10. 【請求項１０】薄膜形成技術が減圧下で行われる請求項
    ９記載のガス放電パネルの製造方法。
11. 【請求項１１】請求項４〜８のいずれかに記載のガス放
    電パネルの製造方法であって、支持基板上の電極、誘電
    体、隔壁などのすべての形成物が厚膜形成技術を用いて
    形成され、かつ、有機フィルム基板上の無機誘電体薄
    膜、電極、誘電体薄膜などのすべての形成物が薄膜形成
    技術を用いて形成されることを特徴とするガス放電パネ
    ルの製造方法。
12. 【請求項１２】請求項４〜８のいずれかに記載のガス放
    電パネルの製造方法であって、有機フィルム基板上にま
    ず全面に無機薄膜を形成した後、所定の形成物を形成す
    ることを特徴とするガス放電パネルの製造方法。
13. 【請求項１３】薄膜形成技術が減圧下で行われる請求項
    １１または１２記載のガス放電パネルの製造方法。
14. 【請求項１４】支持基板上に厚膜形成方法で複数種類の
    形成体を形成する工程と、フィルム状基板に薄膜形成方
    法で複数種類の形成体を形成する工程とを少なくとも含
    むガス放電パネルの製造方法。
15. 【請求項１５】支持基板上に厚膜形成方法で複数種類の
    形成体を形成する工程と、有機フィルム基板に薄膜形成
    方法で複数種類の形成体を形成する工程とを少なくとも
    含むガス放電パネルの製造方法。
16. 【請求項１６】支持基板上に厚膜形成方法で複数種類の
    形成体を連続して形成する工程と、形成体が形成された
    フィルム状基板と前記支持基板とを封止する工程とを少
    なくとも含むガス放電パネルの製造方法。
17. 【請求項１７】有機フィルム基板に薄膜形成方法で複数
    種類の形成体を連続して形成する工程と、形成体が形成
    された支持基板と前記フィルム状基板とを封止する工程
    を少なくとも含むガス放電パネルの製造方法。