JPH11284329A - リフロー装置 - Google Patents

リフロー装置

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JPH11284329A
JPH11284329A JP8410998A JP8410998A JPH11284329A JP H11284329 A JPH11284329 A JP H11284329A JP 8410998 A JP8410998 A JP 8410998A JP 8410998 A JP8410998 A JP 8410998A JP H11284329 A JPH11284329 A JP H11284329A
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reflow apparatus
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Takashi Fujita
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に電子部品を半田付けする際に基板に反
りが生じることを、基板の全面に渡って防止する。 【解決手段】 リフロー装置1の炉1a内には、基板2
が上面に載せられるステージ4と、基板2を加熱させる
ためのヒータ6とが備えられている。基板2の上には、
半田付けによって基板2に実装される電子部品3が搭載
されている。ステージ4には、ステージ4の上面から下
面に貫通された複数の貫通孔4aが全面に設けられてい
る。また、ステージ4の下部にはステージ4の下面を囲
んで閉空間を形成するカバー8が設けられており、さら
に、カバー8の下部には閉空間8a内の空気を吸引して
閉空間8a内を負圧にするブロア5が備えられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を基板に
半田付けして実装するためのリフロー装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のリフロー装置には、ヒータが備え
られた複数の炉を有し、電子部品が半田付けされる基板
を各炉に順に搬送するためのコンベアが備えられている
ものがある。このようなリフロー装置では、基板がコン
ベアによって各炉を順に移動されることにより基板が適
温に加熱され、半田が溶融されて電子部品の半田付けが
行われる。さらに、従来のリフロー装置には、炉内の温
度分布を均一にするために、空気循環用のブロアが各炉
内に設けられている。
【0003】ところで、従来のリフロー装置では、電子
部品が半田付けされる基板のサイズ、材質、層構成、パ
タ−ン配置等の条件によっては、半田付け時の熱によっ
て基板が熱膨張し、反りが生じて変形してしまうことが
あった。そのため、基板をユニットへ実装する際に、ユ
ニット側のコネクタに基板の端子部を挿入することがで
きなかったり、あるいは、挿入できてもユニット側コネ
クタと基板端子部との接続部に接続不良が生じたりする
等、機械的インターフェイスにおける問題が発生してい
た。
【0004】そこで、従来では、基板に反りが発生する
ことを防止するために、サイズや材質等が異なる基板毎
に各炉の設定温度を変更したり、あるいは基板の設計変
更をすることがあった。また、図5に示すように、電子
部品102が実装される基板101の周囲に反り防止治
具103を固定して、基板101の剛性を高めること
で、基板101に反りが発生することを防止していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように反り防止治具を用いて基板の剛性を高めた場合で
も、反り防止治具で固定できるのは基板の周辺のみであ
るため、基板の中央部付近に生じる反りを無くすことは
困難であった。また、この場合には、加熱された基板の
熱が反り防止治具に奪われるため、基板に温度むらが生
じ、反り防止治具の付近で半田付け不良が発生するとい
う問題があった。さらに、基板への半田付け工程の前後
で反り防止治具の着脱を行わなければならず、半田付け
工程に多くの作業工数を要するという問題があった。
【0006】そこで本発明は、基板に電子部品を半田付
けする際に基板に反りが生じることを、基板の全面に渡
って防止することができるリフロー装置を提供すること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のリフロー装置は、半田付けによって実装さ
れる電子部品が搭載された基板が上面に載せられるステ
ージと、前記基板を加熱させるためのヒータとが炉内に
備えられたリフロー装置において、前記ステージには前
記ステージの上面から下面に貫通された複数の吸引孔が
全面に設けられ、さらに前記ステージの下面における前
記吸引孔の開口部から空気を吸引するための吸引手段が
備えられていることを特徴とする。
【0008】上記のように構成されたリフロー装置で
は、吸引手段が稼働されると、ステージの上面に載せら
れた基板とそのステージ上面との間の空気が吸引孔から
吸引され、基板がステージの上面に吸着される。これに
より、基板がステージの上面に拘束保持されるため、電
子部品を基板に半田付けするためのヒータ加熱による基
板の変形が、基板の全面に渡って防止される。
【0009】また、前記吸引手段は、前記ステージの下
面を囲んで閉空間を形成する閉空間形成手段と、前記閉
空間内を大気圧に対して負圧にするための負圧発生手段
とからなる構成とすることにより、負圧発生手段が稼働
されると閉空間が大気圧に対して負圧となり、ステージ
の上面に載せられた基板とそのステージ上面との間の空
気が吸引孔から吸引され、基板が全面に渡ってステージ
の上面に吸着される。さらに、前記ヒータが前記ステー
ジの上面に載せられた前記基板の上方および前記吸引手
段の下方にそれぞれ配置されている構成とすることによ
り、ステージ4に設けられた吸引孔のうち、基板で覆わ
れていない吸引孔では、空気がステージの上面側から下
面側へ通気される。これにより、炉内の空気が循環さ
れ、炉内の温度分布が均一にされるため、基板の過加熱
や加熱不足による半田付け不良の発生が防止される。
【0010】また、前記吸引手段は、前記ステージの下
方を通り両端が前記炉内に開口されたダクトであって、
前記両端の開口部付近の内径よりも前記ステージの下方
を通る部分の内径の方が小さく設けられているととも
に、前記ステージの下方を通る部分に前記吸引孔が連通
されたダクトと、前記ダクト内に空気を送気するための
送気手段とからなる構成とすることにより、送気手段が
稼働されると、空気がダクトの一方の開口部からダクト
内に送気され、他方の開口部からダクトの外部に排出さ
れる。ダクトはステージの下方を通る部分の内径が他の
部分よりも小さく設けられているので、空気がその部分
を通過する際には、空気の流速が他の部分における流速
よりも速くなり、その部分の内部の気圧が低下する。そ
の結果、ステージ上に載せられた基板とそのステージの
上面との間の空気が吸引孔から吸引され、基板が全面に
渡ってステージの上面に吸着される。
【0011】さらに、前記ヒータが前記ダクトの一方の
開口部付近に配設され、前記送気手段が前記ダクトの他
方の開口部付近に配設されている構成とすることによ
り、ヒータを通過して熱せられた空気が炉内を循環し、
炉内の温度分布が均一にされるため、基板の過加熱や加
熱不足による半田付け不良の発生が防止される。
【0012】また、上記のリフロー装置は、前記炉が複
数備えられているとともに、前記基板を前記各炉に順に
搬送するためのコンベアが備えられている構成としても
よい。
【0013】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
【0014】(第1の実施形態)図1は本発明のリフロ
ー装置の第1の実施形態を一部を破断して示す斜視図、
図2は図1に示したリフロー装置のA−A線における断
面図である。
【0015】本実施形態のリフロー装置1は、壁1bで
仕切られ、温度設定が互いに異なる複数の炉1aを有し
ている。ただし、図1には、リフロー装置1における一
つの炉1aのみを示している。また、リフロー装置1に
は、電子部品3が半田付けされる基板2を各炉1aに順
に搬送するためのコンベア7が備えられている。基板2
は、ステージ4の上面に載せられた状態で各炉1aに順
に搬送される。
【0016】さらに、各炉1a内には、コンベア7によ
る基板2の搬送路の上方および下方に、基板2を加熱さ
せるためのヒータ6が一定の間隔をおいて配設されてい
る。なお、基板2の搬送路の上方に配設されている各ヒ
ータ6と、基板2の搬送路の下方に配設されている各ヒ
ータ6とは、互いに対向するように配置されている。
【0017】図2に示すように、ステージ4には、ステ
ージ4の上面から下面に貫通された複数の吸引孔4a
が、ステージ4の全面に網目状に設けられている。ま
た、ステージ4の下部には、ステージ4の下面を囲んで
閉空間8aを形成する閉空間形成手段としてのカバー8
が設けられている。さらに、カバー8の下部にはブロア
5が備えられている。ブロア5は、閉空間8a内の空気
を吸引して閉空間8a内を負圧にする負圧発生手段とし
ての機能とともに、炉1a内の空気を循環させるための
機能も有している。これらのカバー8およびブロア5に
より、ステージ4の吸引孔4aから空気を吸引するため
の吸引手段が構成される。
【0018】次に、上記に説明した本実施形態のリフロ
ー装置1の動作について説明する。上記のように構成さ
れたリフロー装置1では、コンベア7にステージ4が搭
載されるとブロア5の電源が入り、ブロア5のファンが
回転する。すると、閉空間8a内の空気が吸引され、閉
空間8a内が大気圧に対して負圧となる。閉空間8a内
が負圧になると、ステージ4上に載せられた基板2とス
テージ4の上面との間の空気が吸引孔4aから吸引さ
れ、基板2が全面に渡ってステージ4に吸着される。
【0019】この状態で、ヒータ6で加熱された各炉1
a内を基板2がコンベア7によって搬送されると、基板
2が適温に加熱され、半田が溶融されて電子部品3の半
田付けが行われる。基板2は、サイズ、材質、層構成、
パタ−ン配置等の諸条件によって各部の熱膨張率が不均
一であるため、加熱されると反りが生じて変形しようと
する。しかし、基板2は、上記のように全面に渡ってス
テ−ジ4上に吸着されて拘束保持されるため、基板2が
変形することを防止することができる。
【0020】このように、本実施形態のリフロー装置1
によれば、従来技術のように反り防止治具を用いた場合
に比べ、基板2の周囲だけでなく全面に渡って反りによ
る変形の防止を行うことができる。さらに、本実施形態
では反り防止治具を用いないので、加熱された基板の熱
が反り防止治具によって奪われることがなく、基板に温
度むらが生じて半田付け不良が発生することがない。そ
のため、電子部品3が実装された基板2の信頼性を向上
させることができる。加えて、反り防止治具を着脱する
必要がないので、半田付け工程での作業工数を削減する
ことができる。
【0021】また、本実施形態のリフロー装置1では、
ブロア5によって閉空間8a内の空気が吸引されると、
ステージ4の吸引孔4aのうち、基板2で覆われていな
い吸引孔4aでは、空気がステージ4の上面側から下面
側へ通気される。これにより、炉1a内の空気が循環さ
れ、各炉1a内の温度分布を均一にすることができるた
め、基板2の過加熱や加熱不足による半田付け不良の発
生を防止することができる。なお、ブロア5は、上記に
説明したように負圧発生手段としての機能も有している
ので、ステージ4上への基板2の吸着と空気循環とを同
時に行うことができ、それらをそれぞれ別のブロアを用
いて行う場合に比べて、リフロー装置1内における省ス
ペース化および動力源の有効利用を図ることができる。
【0022】(第2の実施形態)図3は本発明のリフロ
ー装置の第2の実施形態を一部を破断して示す斜視図、
図4は図3に示したリフロー装置のB−B線における断
面図である。
【0023】本実施形態のリフロー装置11は、一つの
炉11aによって構成されている。リフロー装置11に
は、電子部品13が半田付けされる基板12を炉11a
内において搬送させるためのコンベア17が備えられて
いる。
【0024】図4に示すように、コンベア17による基
板12の搬送路の下方における所望の位置には、コンベ
ア17で搬送された基板12が載せられるステージ14
が固定されている。ステージ14には、ステージ14の
上面から裏面に貫通された複数の吸引孔14aが、ステ
ージ14の全面に網目状に設けられている。
【0025】また、リフロー装置11には、ステージ1
4の下方を通り、コンベア17の両側に開口部が形成さ
れてリフロー装置11a内に開口されたダクト18が設
けられている。ダクト18は、両開口部付近の内径より
も、ステージ14の下方を通る狭窄部18aの内径の方
が小さく設けられている。なお、ステージ14の吸引孔
14aは、ダクト18の狭窄部18aに連通されてい
る。
【0026】さらに、ダクト18の一方の開口部付近に
は、基板12を加熱させるためのヒータ16が配設さ
れ、ダクト18の他方の開口部付近には、ダクト18内
に空気を送気するための送気手段としてのブロア15が
配設されている。本実施形態のリフロー装置11では、
ダクト18に設けられた狭窄部18aおよびブロア15
により、ステージ14の吸引孔14aから空気を吸引す
るための吸引手段が構成される。
【0027】次に、上記に説明した本実施形態のリフロ
ー装置11の動作について説明する。
【0028】上記のように構成されたリフロー装置11
では、基板12がコンベア17によって搬送されてステ
ージ14の上に載せられる。すると、基板12がステー
ジ14の上に載せられたことが不図示の検知手段によっ
て検知され、ブロア15のファンの回転が開始される。
ブロア15が回転すると、ヒータ16で熱せられた空気
がヒータ16側の開口部からダクト18内に吸引され、
狭窄部18aを通った後に、ブロア15側の開口部から
ダクト18の外部に排出される。ダクト18の外部に排
出された空気は、再びダクト18内に吸引されて炉11
a内を循環し、炉11a内の温度が適切な温度に加熱さ
れる。
【0029】ダクト18は、狭窄部18aの部分で流路
が狭くなっているので、空気がダクト18内を通過する
際には、狭窄部18aにおける空気の流速が他の部分に
おける流速よりも速くなり、狭窄部18a内の気圧が低
下する。その結果、ステージ14上に載せられた基板1
2とステージ14の上面との間の空気が吸引孔14aか
ら吸引され、基板12が全面に渡ってステージ14に吸
着される。
【0030】この状態で、基板12は、ヒータ16で熱
せられた空気によって適温に加熱され、半田が溶融され
て電子部品13の半田付けが行われる。基板12は、サ
イズ、材質、層構成、パタ−ン配置等の諸条件によって
各部の熱膨張率が不均一であるため、加熱されると反り
が生じて変形しようとするが、基板12は全面に渡って
ステ−ジ14上に吸着されて拘束保持されるため、基板
12が変形することを防止することができる。
【0031】電子部品13の半田付け工程が終了する
と、ブロア15のファンの回転が止まり、ステージ14
上に対する基板12の吸着が解除される。その後、再び
コンベア17が稼働され、基板12がリフロー装置11
の外部に搬送される。
【0032】なお、本実施形態のリフロー装置11にお
いても、ブロア15によって炉11a内の空気が循環さ
れて炉11a内の温度分布が均一になり、基板12の過
加熱や加熱不足による半田付け不良の発生を防止するこ
とができる。さらに、ステージ14上への基板12の吸
着と空気循環とをブロア15によって同時に行うことが
できるので、リフロー装置11内における省スペース化
および動力源の有効利用を図ることができる。また、本
実施形態においても反り防止治具を用いないので、基板
に温度むらが生じて半田付け不良が発生することを防止
することができるとともに、半田付け工程での作業工数
を削減することができる。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のリフロー
装置は、基板が載せられるステージにはステージの上面
から下面に貫通された複数の吸引孔が全面に設けられ、
さらにステージの下面における吸引孔の開口部から空気
を吸引するための吸引手段が備えられているので、基板
が全面に渡ってステージの上面に拘束保持され、電子部
品を基板に半田付けするためのヒータ加熱による基板の
変形を、基板の全面に渡って防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のリフロー装置の第1の実施形態を一部
を破断して示す斜視図である。
【図2】図1に示したリフロー装置のA−A線における
断面図である。
【図3】本発明のリフロー装置の第2の実施形態を一部
を破断して示す斜視図である。
【図4】図3に示したリフロー装置のB−B線における
断面図である。
【図5】反り防止治具が周囲に固定された従来技術にお
ける基板を示す斜視図である。
【符号の説明】
1,11 リフロー装置 1a,11a 炉 1b 壁 2,12 基板 3,13 電子部品 4,14 ステージ 4a,14a 吸引孔 5,15 ブロア 6,16 ヒータ 7,17 コンベア 8 カバー 8a 閉空間 18 ダクト 18a 狭窄部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半田付けによって実装される電子部品が
    搭載された基板が上面に載せられるステージと、前記基
    板を加熱させるためのヒータとが炉内に備えられたリフ
    ロー装置において、 前記ステージには前記ステージの上面から下面に貫通さ
    れた複数の吸引孔が全面に設けられ、さらに前記ステー
    ジの下面における前記吸引孔の開口部から空気を吸引す
    るための吸引手段が備えられていることを特徴とするリ
    フロー装置。
  2. 【請求項2】 前記吸引手段は、前記ステージの下面を
    囲んで閉空間を形成する閉空間形成手段と、前記閉空間
    内を大気圧に対して負圧にするための負圧発生手段とか
    らなる請求項1に記載のリフロー装置。
  3. 【請求項3】 前記ヒータが前記ステージの上面に載せ
    られた前記基板の上方および前記吸引手段の下方にそれ
    ぞれ配置されている請求項2に記載のリフロー装置。
  4. 【請求項4】 前記吸引手段は、前記ステージの下方を
    通り両端が前記炉内に開口されたダクトであって、前記
    両端の開口部付近の内径よりも前記ステージの下方を通
    る部分の内径の方が小さく設けられているとともに、前
    記ステージの下方を通る部分に前記吸引孔が連通された
    ダクトと、前記ダクト内に空気を送気するための送気手
    段とからなる請求項1に記載のリフロー装置。
  5. 【請求項5】 前記ヒータが前記ダクトの一方の開口部
    付近に配設され、前記送気手段が前記ダクトの他方の開
    口部付近に配設されている請求項4に記載のリフロー装
    置。
  6. 【請求項6】 前記炉が複数備えられているとともに、
    前記基板を前記各炉に順に搬送するためのコンベアが備
    えられている請求項1から5のいずれか1項に記載のリ
    フロー装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009130269A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Nec Electronics Corp 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2014131003A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 基板処理システム及び基板処理方法

Cited By (2)

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