JPH11281411A - 山崩れ予測検知装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 山の崖や土砂が崩れる前兆にあるか否かを廉
価で簡単な構成でもって予測検知する。 【解決手段】 複数の反射板(14)を崖(12)の複数箇所に
配列する。この複数の反射板(14)を走査できる位置に光
検出手段(16)を配置する。光検出手段(16)は、前記反射
板(14)に向けてレーザ光を照射し、該反射板(14)により
反射されたレーザ光を検出する。レーザ光を検出しない
場合は崖(12)に異常が生じているとする。前記光検出手
段(16)は、レーザ光発生手段(18)と、該レーザ光を反射
板（１４）に向けて反射する２次元偏向可能なガルバノ
ミラー(20)と、反射板(14)から反射されたレーザ光を受
光し電気信号に変換する受光手段(22)とを有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、山の土砂崩れおよ
び崖崩れ（以下、山崩れという）の前兆となるわずかな
斜面のずれを検知するようにした土砂崩れ予測検知装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】台風の接近や地震による土砂崩れや崖崩
れなどの山崩れによる事故がたびたび発生している。こ
の事故により犠牲者、家屋の破壊、道路の寸断、または
鉄道におけるレールの寸断が発生し、山崩れによる問題
を提起している。

【０００３】この山崩れを未然に防ぐ必要があるが、従
来においては、山の崖斜面に複数の歪み計を配置して、
斜面表面の歪みを測定することにより、崖崩れが起きる
おそれがあるかどうか判断していた。

【０００４】しかし、歪み計を崖の斜面に配置して地面
の歪みを測定する方法においては、各歪み計への配線が
必要であり、配線システムが複雑となりそのメンテナン
スが面倒であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記点に着目
してなされたものであって、配線などが必要なく、簡単
なシステムで山崩れの前兆となる斜面のわずかなずれを
も検出できるようにした山崩れ予測検知装置を提供する
ことを課題とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、山の崖(12)や土砂が崩れる前兆にあるか否か
を予測するための山崩れ予測検知装置であって、 前記
崖(12)の複数箇所に配列された複数の反射板(14)と；
前記反射板(14)に向けてレーザ光を照射して、該反射板
(14)により反射されたレーザ光を検出するための光検出
手段(16)と；を備えて成り、前記光検出手段(16)が前記
レーザ光を受光した際には前記崖(12)に異常なしとし、
前記レーザ光を受光しない際には前記崖(12)に異常あり
とするようにした山崩れ予測検知装置とした。

【０００７】光検出手段(16)としては、例えば実施の例
によれば、レーザ光を発生するためのレーザ光発生手段
(18)と、該レーザ光発生手段(18)から照射されたレーザ
光を前記反射板(14)に向けて反射するため半導体製造プ
ロセスで製造した２次元偏向可能なガルバノミラー(20)
と、前記反射板(14)から反射されたレーザ光を受光し電
気信号に変換するための受光手段(22)と、から構成され
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施例に
ついて図面に基づき詳細に説明する。図１は、本発明の
山崩れ予測検知装置に関する全体的システムを模式的に
示した図である。

【０００９】図１において、山崩れ予測検知装置１０
は、山の斜面や崖１２の複数箇所に配置された複数の反
射板１４と、該反射板１４に向けてレーザ光を照射して
反射板１４により反射されたレーザ光を検出するための
光検出手段１６とを含んでいる。反射板１４は、ガラス
製の反射ミラーであってもよいが、自然環境に配置され
るため、風雨に腐食されない表面を鏡面状態にした金属
製ミラーが好ましい。複数の反射板１４は、図示の例で
は３つ崖１２に設置され、説明の都合上、最上位に位置
する反射板から最下位に向けて位置する反射板を第１の
反射板、第２の反射板、および第３の反射板と言う。

【００１０】前記光検出手段１６は、反射板１４により
反射されたレーザ光の受光に基づいて、制御手段２４に
よりレーザ光の光軸を制御する。例えば、光検出手段１
６から第１の反射板１４に向けて発射されたレーザビー
ムは第１の反射板１４により反射されて、該反射された
レーザ光を光検出手段１６が受光した場合、この受光信
号に基づいて次の反射板である第２の反射板１４に向け
てレーザビームが照射されるよう制御手段２４は、光検
出手段１６を制御する。

【００１１】前記光検出手段１６は、レーザ光発生手段
１８と、ガルバノミラー２０と、受光手段２２とを備え
ている。レーザ光発生手段１８は、ガルバノミラー２０
に向けてレーザ光を発光する。ガルバノミラー２２は、
前記レーザ光発生手段１８から受けたレーザ光を所定方
向に向けて反射するよう前記制御手段２４によって駆動
制御される。レーザ光発生手段１８から発光されたレー
ザ光は、前記ガルバノミラー２０によって前記反射板１
４に向けて反射される。受光手段２２は、反射板１４に
よって反射されたレーザ光を受光し、電気信号に変換す
る。この受光信号は、制御手段２４に入力される。更
に、受光信号は、例えば電話回線を介して離隔した監視
装置２６に送られる。該監視装置２６は、受光手段２２
からの受光信号があるか否かを監視する。つまり、受光
信号があった場合は、崖１２に設置した反射板１４にず
れがなく崖１２に変化がなかったと判断し、受信信号が
なかった場合は、反射板１４にずれが生じて崖１２に歪
みが生じたと判断し、この状態を監視装置２６はモニタ
ーする。反射板１４にずれが生じたと判断したときは、
監視装置２６は、画面に表示するのみならず、音声によ
って警告するようにしてもよい。

【００１２】図２は、図１に示した山崩れ予測検知装置
１０の概念的構成を示すブロック図である。図２におい
て、制御手段２４は、ガルバノミラー駆動手段２８およ
びレーザ光発生手段１８を制御する。レーザ光発生手段
２４は、可視光レーザビームまたは赤外レーザビームを
発生する。ガルバノミラー駆動手段２８は、受光手段２
２からの受光信号に基づき制御手段２４を介してガルバ
ノミラー２０を水平方向および垂直方向の２次元に偏向
できるように駆動する。本発明に用いられるガルバノミ
ラー２０は、半導体製造プロセスで製造された２次元偏
向可能のミラーである。従って、このガルバノミラー２
０は、図１に示す崖１２に設けられた複数の反射板１４
の配列が縦方向に一列、または横方向に一列のみなら
ず、ランダム状態に配列された各反射板１４に向けてレ
ーザ光を反射することができる。

【００１３】制御手段２４は、最初にレーザ光発生手段
１８から発射されるレーザ光が図１に示す第１の反射板
１４に向けてガルバノミラー２０により反射されるよ
う、ガルバノミラー駆動手段２８を制御する。照射され
たレーザ光は、第１の反射板１４によって反射され、受
光手段２２に受光される。該受光されたレーザ光は、受
光手段２２によって電気信号に変換される。受光手段２
２は該受光信号を制御手段２４に対して出力する。制御
手段２４は、該受光信号に基づいて次にレーザ光を照射
すべき第２の反射板１４に向くようガルバノミラー駆動
手段２８を制御する。該ガルバノミラー駆動手段２８の
駆動により、ガルバノミラー２０はレーザ光発生手段か
ら発射されるレーザ光を第２の反射板１４に向けて反射
するよう駆動される。この第２の反射板１４により反射
されたレーザ光は、受光手段２２に受光される。

【００１４】この第２の反射板１４によって反射された
レーザ光に基づく受光信号により制御手段２４は、前述
した同様に第３の反射板１４に対してガルバノミラー２
０が向くようガルバノミラー駆動手段２８を駆動制御す
る。第３の反射板１４から反射され、受光手段２２によ
り受光されたレーザ光に基づき制御手段２４は、第１の
反射板１４にガルバノミラー２０が向くようガルバノミ
ラー駆動手段２８を駆動制御する。すなわち、ガルバノ
ミラー２０は、複数の反射板１４をそれぞれ走査するよ
う制御される。

【００１５】図３は、道路Ｒの路側が崖１２ａであり、
その反対側が山１２ｂである場合に路側の崖１２ａの崩
れを予測検知するシステムの模式図を示している。

【００１６】図３において、路側の崖崩れを予検するた
めに道路Ｒの路側に複数の反射板１４が配列される（図
では反射板は１つのみ示されている）。この反射板１４
に向けてレーザ光を照射し、該反射板１４により反射さ
れるレーザ光を受光する光検出手段１６は、道路Ｒを走
行する車両によってレーザ光が遮断されないように山１
２ｂの適宜位置に配置される。このように路側の崖１２
ａにずれが生じたときは、反射板１４がずれて、該反射
板１４に向けて照射したレーザ光が光検出手段１６に反
射されず、光検出手段１６は受光検知しない。これによ
り崖１２ａに異常があったと判断する。光検出手段１６
の構成および動作については、図１および図２に示した
実施例の光検出手段１６の構成および動作と同じである
ため、その説明は省略する。

【００１７】次に、本発明に用いられるガルバノミラー
の原理および構造について、説明する。

【００１８】図４および図５は、１次元のみ偏向可能な
基本的なガルバノミラーの構成を示す図である。このガ
ルバノミラーは、検流計（ガルバノメータ）と同じ原理
で回動動作するものである。

【００１９】図４および図５において、ガルバノミラー
２２は、半導体基板であるシリコン基板５２の上下面
に、それぞれ例えばホウケイ酸ガラスなどからなる上ガ
ラス基板５３および下ガラス基板５４を接合した３層構
造となっている。上および下ガラス基板５３，５４は、
平板状の絶縁基板である。上ガラス基板５３は、後述す
る可動板５５の上部分を開放するようシリコン基板５２
の左右端に積層されている。

【００２０】シリコン基板５２には、平板状の可動板５
５と、該可動板５５の中心位置において前記シリコン基
板５２に対して基板上下方向に揺動可能に可動板５５を
軸支するトーションバー５６とが半導体製造プロセスに
おける異方性エッチングにより一体的に形成されてい
る。従って可動板５５とトーションバー５６とは、シリ
コン基板５２と同一材料から成っている。

【００２１】可動板５５の上面周縁部には、銅薄膜から
成る平面コイル５７が絶縁被膜で覆われて設けられてい
る。該平面コイル５７は、可動板５５を駆動するための
駆動電流と、該駆動電流に重畳する変位角検出用の検出
電流とを流す。前記検出用電流は、下ガラス基板５４の
下面に設けられる２つの検出コイル６２ａ，６２ｂとの
相互インダクタンスに基づいて可動板５５の可動変位を
検出するためのものである。

【００２２】前記平面コイル５７は、公知の電解メッキ
による電鋳コイル法によって可動板５５の上面に形成さ
れる。この電鋳コイル法によると、薄膜コイルを低抵抗
で高密度に実装できる特徴があり、マイクロ磁気デバイ
スの小型化および薄型化に有効である。

【００２３】可動板５５の上面中央部には、反射ミラー
５８が公知の手法で形成されている。シリコン基板５２
は、トーションバー５６を介して平面コイル５７と電気
的に接続される一対の電極端子５９，５９を有してい
る。この電極端子５９，５９は、シリコン基板５２に電
鋳コイル法によって前記平面コイル５７と同時に形成さ
れる。

【００２４】上および下ガラス基板５３，５４の左右端
には、前記トーションバー５６の軸方向と平行な平面コ
イル５７部分に磁界を作用させるために、上下において
対をなす円形状の永久磁石６０ａ，６０ｂと６１ａ，６
１ｂが設けられている。一方の３対づつの永久磁石６０
ａ，６０ｂは、図５に示すように下面がＮ極で、上面が
Ｓ極となるよう配置される。他方の３対のづつの永久磁
石６１ａ，６１ｂは、図４に示すように下面がＳ極で、
上面がＮ極となるよう配置されている。

【００２５】一対の検出コイル６２ａ，６２ｂは、平面
コイル５７と電磁結合可能に配置されるよう下ガラス基
板５４の下面にパターンニングにより設けられている。
符号６３，６４は、各コイル６２ａ，６２ｂの電極端子
である。２つの検出コイル６２ａ，６２ｂは、トーショ
ンバー５６を中心として左右対称となるよう配置され、
可動板５５の変位角を検出する。つまり、平面コイル５
７と検出コイル６２ａ，６２ｂとの相互インダンクタン
スが、可動板５５の角度変位により一方が接近すること
により増加し、他方が離間することにより減少するよう
変化するため、前記相互インダクタンスに基づいて出力
される電圧の変化を検出することにより可動板５５の変
位角を検出する。

【００２６】次に動作について説明する。可動板５５の
左右両側では、永久磁石６０ａと６０ｂ、および６１ａ
と６１ｂによって、図６の矢印Ｂで示すように、可動板
５５の平面コイル５７を横切る方向に磁界が形成され
る。この磁界中の平面コイル５７に電流が流れると、平
面コイル５７の電流密度と磁束密度に応じて平面コイル
５７、すなわち可動板５７の両端にフレミング左手の法
則に従った方向にローレンツ力Ｆが作用する。

【００２７】前記ローレンツ力Ｆは、平面コイル５７に
流れる電流をｉとし、上下の永久磁石６０ａ，６０ｂ、
および６１ａ，６１ｂによる磁束密度をＢとすると、
（１）式により求められる。 Ｆ＝ｉ×Ｂ・・・・・（１）

【００２８】実際には、平面コイル５７の巻数ｎと、ロ
ーレンツ力Ｆが働くコイル長さｗ（図５参照）により異
なり、ローレンツ力Ｆは、（２）式のようになる。 Ｆ＝ｎｗ（ｉ×Ｂ）・・・・（２）

【００２９】一方、可動板５５が回動することによりト
ーションバー５６が捩られ、これによって発生するトー
ションバー５６のばね反力Ｆ’と可動板５５の変位角φ
の関係は、（３）式のようになる。 φ＝（Ｍｘ／ＧＩｐ）＝（Ｆ’Ｌ／８．５×１０9 ｒ4）×ｌ1・・・（３）

【００３０】ここで、Ｍｘは捩りモーメント、Ｇは横弾
性係数、Ｉｐは極断面二次モーメントである。Ｌはトー
ションバー５６の中心軸から力点までの距離、ｌ1はト
ーションバー５６の長さ、ｒはトーションバー５６の半
径である。

【００３１】そして、前記ローレンツ力Ｆとばね反力
Ｆ’が釣り合う位置まで可動板５５は回動する。従っ
て、前記（３）式のＦ’に（２）式のＦを代入すること
により、可動板５５の変位角φは、平面コイル５７に流
れる電流ｉに比例することが判る。

【００３２】従って、平面コイル５７に流す電流を制御
することにより、可動板５５の変位角φを制御すること
ができ、反射ミラー５８の光軸方向を自由に制御するこ
とができる。このように反射ミラー５８は、１次元にお
いて偏向可能となりその角度は自由に制御することがで
きる。

【００３３】図７は、反射ミラーの変位角を検出ための
回路図を示している。この変位角検出回路は、検出コイ
ル６２ａ，６２ｂの他に２つの抵抗Ｒ１，Ｒ２を設けて
構成したブリッジ回路に電源Ｅを接続し、検出コイル６
２ａと検出コイル６２ｂとの中点と２つの抵抗Ｒ１，Ｒ
２の中点との電圧を入力とする差動アンプＡＭＰを設け
て構成した回路である。前記両中点の電圧差に応じた差
動アンプＡＭＰの出力を、可動板５５の駆動系にフィー
ドバックし、駆動電流を制御することにより反射ミラー
５８の光軸変位角φを精度良く制御することができる。

【００３４】次に、本発明に用いられる２次元において
偏向可能なガルバノミラー２２について説明する。前述
した１次元にのみ偏向可能なガルバノミラーと同一の要
素については同一の符号を付してその説明を省略する。

【００３５】図８において、ガルバノミラー２２は、図
４および図５で示したガルバノミラーと同様にシリコン
基板５２の上下面に上ガラス基板５３および下ガラス基
板５４を接合した３層構造をしている。上および下ガラ
ス基板５３，５４は、それぞれ中央部に、例えば超音波
加工によって方形状の凹部５３ａ，５４ａが形成されて
いる。この凹部５３ａ，５４ａが向い合うようにシリコ
ン基板５２に接合することにより、反射ミラー５８を有
する可動板５５の揺動空間が形成される。

【００３６】シリコン基板５２は、枠状の外側可動板５
５ａと、該外側可動板５５ａの内側に軸支される内側可
動板５５ｂとから成る平板状の可動板５５を有してい
る。外側可動板５５ａは、一対の第１のトーションバー
５６ａ，５６ａによってシリコン基板５２に軸支されて
いる。内側可動板５５ｂは、第１のトーションバー５６
ａ，５６ａに対して軸方向が直交する一対の第２のトー
ションバー５６ｂ，５６ｂによって前記外側可動板５５
ａの内側に軸支されている。

【００３７】符号５９ａ，５９ａは、シリコン基板５２
上面に形成された一対の外側電極端子である。外側電極
端子５９ａ，５９ａは、外側可動板５５ａに形成された
第１の平面コイル５７ａに電気的に接続されている。符
号５９ｂ，５９ｂは、シリコン基板５２上面に形成され
た一対の内側電極端子である。内側電極端子５９ｂ，５
９ｂは、内側可動板５５ｂに形成された第２の平面コイ
ル５７ｂに電気的に接続されている。反射ミラー５８
は、内側可動板５５ｂの中央部に公知の手法で形成され
る。

【００３８】上および下ガラス基板５３，５４には、２
個づつ対となったそれぞれ８個づつの円板状の永久磁石
６０ａ，６１ａ，６２ａ，６３ａ，６０ｂ，６１ｂ，６
２ｂ，６３ｂが図示のように配置されている。上ガラス
基板５３の互いに向い合う永久磁石６０ａ，６１ａは、
下ガラス基板５４の永久磁石６０ｂ，６１ｂとで第１の
平面コイル５７ａに磁界を作用させて第１の平面コイル
５７ａに流れる電流によって外側可動板５５ａを回動駆
動させる。また、上ガラス基板５３の互いに向い合う永
久磁石６２ａ，６３ａは、下ガラス基板５４の永久磁石
６２ｂ，６３ｂとで第２の平面コイル５７ｂに磁界を作
用させて第２の平面コイル５７ｂに流れる電流によって
内側可動板５５ｂを回動駆動させる。

【００３９】永久磁石６０ａと６１ａとは、上下の極性
が互いに反対、例えば永久磁石６０ａの上面がＳ極のと
きは永久磁石６１ａの上面はＮ極なるように設けられ
（図１１参照）、且つその磁束が可動板５５の平面コイ
ル部分に対して平行に横切るように配置される。その他
の永久磁石６２ａと６３ａ、永久磁石６２ｂと６３ｂ
（図１０参照）、および永久磁石６０ｂと６１ｂ（図１
１参照）も同様である。

【００４０】上下方向において対応する永久磁石６０ａ
と６０ｂとの関係は、上下の極性は同じ、例えば、永久
磁石６０ａの上面がＳ極である場合は、永久磁石６０ｂ
の上面もＳ極となるよう配置する（図１１参照）。その
他の永久磁石６１ａと６１ｂ、永久磁石６２ａと６２
ｂ、および永久磁石６３ａと６３ｂも同様である。これ
により、可動板５５の両端部で互いに相反する方向に力
が作用する。

【００４１】下ガラス基板５４の下面には、第１の平面
コイル５７ａと電磁結合可能に一対の第１の検出コイル
６５ａ，６５ｂが設けられるとともに、第２の平面コイ
ル５７ｂと電磁結合可能に一対の第２の検出コイル６６
ａ，６６ｂが設けられている。一対の第１の検出コイル
６５ａ，６５ｂは、図６および図７のガルバノミラーの
原理で説明したように外側可動板５５ａの変位角を検出
ものである。同様に一対の第２の検出コイル６６ａ，６
６ｂは、内側可動板５５ｂの変位角を検出するものであ
る。

【００４２】図８に示す２次元偏向可能なガルバノミラ
ーの動作について説明する。

【００４３】外側可動板５５ａの第１の平面コイル５７
ａに駆動電流を流せば、第１のトーションバー５６ａ，
５６ａを支点として外側可動板５５ａが電流方向に応じ
て回動する。この際、内側可動板５５ｂも外側可動板５
５ａと一体に回動し、反射ミラー５８は回動する。ま
た、内側可動板５５ｂの第２の平面コイル５７ｂに駆動
電流を流すと、外側可動板５５ａの回動方向と直角方向
に内側可動板５５ｂが第２のトーションバー５６ｂ，５
６ｂを支点として回動する。従って、第１の平面コイル
５７ａの駆動電流を制御して、外側可動板５５ａを回動
操作した後、第２の平面コイル５７ｂの駆動電流を制御
して内側可動板５５ｂを一定角度変位させて、この操作
を周期的に繰返せば反射ミラー５８の光軸を２次元に振
ることができる。すなわち、上記ガルバノミラー２２の
構成によれば、走査が２次元に行え、走査領域を１次元
の場合に比較して増大させることができる。

【００４４】可動板５５の揺動空間を、上下のガラス基
板５３，５４とシリコン基板５２とによって密閉するの
で、該密閉空間を真空状態とすることにより、可動板５
５の回動動作に対する空気抵抗がなくなり、外側および
内側可動板５５ａ，５５ｂの応答性が向上する。

【００４５】更に、第１および第２の平面コイル５７
ａ，５７ｂに流す駆動電流を大きくして外側および内側
可動板５５ａ，５５ｂの変位量を大きく設定する場合に
は、密閉した可動板揺動空間内を真空とせずに、ヘリウ
ム、アルゴン等の不活性ガスを封入するのが望ましく、
特に熱伝動性の良いヘリウムが好ましい。これは、第１
および第２の平面コイル５７ａ，５７ｂに流す電流量を
大きくすると、これら平面コイル５７ａ，５７ｂからの
発熱量が多くなり、外側および内側可動板５５ａ５５ｂ
の周囲が真空状態では可動板からの放熱が悪くなるた
め、不活性ガスを封入することによって外側および内側
可動板５５ａ，５５ｂからの放熱性を真空状態に比較し
て高め、熱影響を低減させることができる。

【００４６】図９〜図１１に示すガルバノミラーは、図
８に示したガルバノミラーの改良形であるが、共に２次
元偏向可能である。

【００４７】改良形のガルバノミラー２２’は、図８に
示したガルバノミラー２２と略々同様の構成をしている
が、改良形のガルバノミラー２２’では、図９〜図１１
で示すように、上下のガラス基板５３，５４が、図８で
示したガルバノミラー２２のものとは異なり、凹部５３
ａ，５４ａのない平板状となっている。そして、上ガラ
ス基板５３には、可動板５５の上方部分に可動板５５の
形状に対応した四角形状の開口部５３ｃが形成され、反
射ミラー５８の上方部分を開放状態として検出光が直接
反射ミラー５８に入射できるようにしてある。シリコン
基板５２は、中間のシリコン基板の上下に別のシリコン
基板を積層した３層構造となっている。その中間層のシ
リコン基板に可動板５５を形成することにより、可動板
５５の回動スペースを確保するようにしている。

【００４８】図９に破線で示すように、下ガラス基板５
４の下面には、外側可動板５５ａの変位角検出用の一対
の第１の検出コイル６５ａ，６５ｂ、および内側可動板
５５ｂの変位角検出用の一対の第２の検出コイル６６
ａ，６６ｂが、対応する第１の平面コイル５７ａ、およ
び第２の平面コイル５７ｂと電磁結合可能な位置にパタ
ーニングされて設けられている。

【００４９】このガルバノミラー２２’の動作は、図８
で示したガルバノミラー２２と同様であり、その説明は
省略する。

【００５０】本願発明に用いられる上述したガルバノミ
ラーについて、本出願人は、例えば、特許第２７２２３
１４号、特許第２６５７７６９号、特開平８−１６６２
８９号、特開平８−１８６９７５号、特開平８−３１３
４５１号、および特開平９−９６８６８号等の提案して
いる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、崖
の複数箇所に反射板を配列させ、ガルバノミラーを用い
た光検出手段により該複数の反射板に向けてレーザ光を
走査させ、各反射板から反射される各レーザ光の有無を
モニターすることにより、崖に異常を生じている否かを
判断するようにしているので、配線などが必要のない簡
単な構成でもって、山崩れの前兆となる土砂や崖などの
斜面のわずかなずれをも検知することができ、あらかじ
め山崩れが生じるのか予測することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る山崩れ予測検知装置の全体的シス
テムを示す模式図である。

【図２】図１に示した装置の概念的構成を示すブロック
図である。

【図３】本発明に係る山崩れ予測検知装置の全体的シス
テムの他の例を示す模式図である。

【図４】１次元のみ偏向可能な基本的なガルバノミラー
の構成を示す平面図である。

【図５】図４におけるＡ−Ａ線による断面図である。

【図６】可動板の斜視図である。

【図７】図４に示したガルバノミラーにおける可動板の
変位角検出の説明図である。

【図８】本発明に用いられる２次元偏向可能なガルバノ
ミラーの分解斜視図である。

【図９】図８に示したガルバノミラーの変形例を示した
平面図である。

【図１０】図９におけるＢ−Ｂ線による断面図である。

【図１１】図９におけるＣ−Ｃ線による断面図である。

【符号の説明】

１０ 山崩れ予測検知装置 １２ 崖 １４ 反射板 １６ 光検出手段 １８ レーザ光発生手段 ２０ ガルバノミラー ２２ 受光手段 ２４ 制御手段

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 山の崖(12)や土砂が崩れる前兆にあるか
   否かを予測するための山崩れ予測検知装置であって、 前記崖(12)の複数箇所に配列された複数の反射板(14)
   と；前記反射板(14)に向けてレーザ光を照射して、該反
   射板(14)により反射されたレーザ光を検出するための光
   検出手段(16)と；を備えて成り、前記光検出手段(16)が
   前記レーザ光を受光した際には前記崖(12)に異常なしと
   し、前記レーザ光を受光しない際には前記崖(12)に異常
   ありとするようにしたことを特徴とする山崩れ予測検知
   装置。
2. 【請求項２】 前記光検出手段(16)は、レーザ光を発生
   するためのレーザ光発生手段(18)と、該レーザ光発生手
   段(18)から照射されたレーザ光を前記反射板(14)に向け
   て反射するため半導体製造プロセスで製造した２次元偏
   向可能なガルバノミラー(20)と、前記反射板(14)から反
   射されたレーザ光を受光し電気信号に変換するための受
   光手段(22)とを備えていることを特徴とする請求項１に
   記載の山崩れ予測検知装置。