JPH1126276A - コンデンサ - Google Patents

コンデンサ

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JPH1126276A
JPH1126276A JP10145286A JP14528698A JPH1126276A JP H1126276 A JPH1126276 A JP H1126276A JP 10145286 A JP10145286 A JP 10145286A JP 14528698 A JP14528698 A JP 14528698A JP H1126276 A JPH1126276 A JP H1126276A
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JP10145286A
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Detlev Dr Hennings
ヘンニング デトレーヴ
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Koninklijke Philips NV
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Koninklijke Philips Electronics NV
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    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 高い操作温度に対するコンデンサを得ること
を目的とする。 【解決手段】 出発物質としてバリウム−カルシウム−
マンガン−ジルコニウム−チタン酸塩を含む誘電体セラ
ミック組成物から主に構成されるコンデンサ、特に卑金
属の内側電極を有する多層コンデンサであって、該出発
物質が、組成： (Ba1-x-s Cax SrS ) a ［Ti1-y-z-w-n Zry Mnz Alw Nb
n ］０3 （式中、０≦ｘ≦0.04, ０≦ｓ≦0.003, 0.995≦ａ≦1.
01, 0.09≦ｙ≦0.15,0.0025≦ｚ≦0.01, ０≦ｗ≦0.005
、および０≦ｎ≦0.005 ）を有し、そして該出発物質
は、量ｂ（ここで、０≦ｂ≦0.0075モル／式単位) の元
素タングステン、イットリウムおよびイッテルビウムの
１種又はそれ以上でドープされており、そして該出発物
質はまた、量ｃ（ここで、０≦ｃ≦0.01モル／単位) の
別の添加剤としてSiO2を含んでなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ、特に
卑金属およびセラミック誘電体の内側電極を含んでなる
多層コンデンサに関し、該誘電体は出発物質としてバリ
ウム−カルシウム−マンガン−ジルコニウム−チタン酸
塩を含んでなる誘電体組成物から主に構成されている。
【０００２】
【従来の技術】多層コンデンサは、プロセッサ特に高性
能マイクロプロセッサの電源を分離しそして緩衝するた
め、特に利用される。高性能範囲内の操作中、これらの
活性電子素子は多量の熱を発生する；たとえ高性能プロ
セッサが強力に冷却されようとも、連続操作中のその温
度は、約７０℃から８０℃に上昇するであろう。８０℃
の操作温度において、規格Ｙ５Ｖの通常の多層コンデン
サには、わすか２０％のそれらの公称静電容量が残って
いる（ΔＣは、ほぼ−８０％に等しい）。従って、マイ
クロプロセッサを製造するため、好ましくは規格Ｘ７Ｒ
のコンデンサの使用がなされる；何故なら、それらは１
２５℃の温度で８５％のそれらの残存する公称静電容量
を未だ有する（ΔＣ＜±１５％）。しかし、Ｘ７Ｒコン
デンサの固有容量は、規格ＹＳＶのコンデンサの固有容
量よりも室温で約５倍小さい；従って、Ｘ７Ｒコンデン
サの寸法はより大きくなければならない；例えば、１μ
Ｆのコンデンサの構造上の寸法は少なくとも" １２０
６" （長さ0.12インチ、幅0.06インチ）に対応すべきで
ある。従って、５μＦ超のコンデンサに対し、今日まで
より高価なタンタルのコンデンサが使用できるのみであ
った。
【０００３】米国特許5,319,517 は、内側電極と誘電体
層を含んでなるセラミック多層チップコンデンサを開示
しており、該コンデンサの誘電材料は、次の組成： ［（Ｂａ1-x-y Ｃａx Ｓｒy ）Ｏ］m （Ｔｉ1-x Ｚ
ｒx ）Ｏ2 （式中、０≦×≦0.025, ０≦ｙ≦0.05, 0.1≦ｚ≦0.
3 および1.000 ≦ｍ≦1.020 ）で表わされる誘電体酸化
物を開示しており、この誘電体酸化物は、酸化物(MnO)
として計算して0.01〜0.5 重量％の酸化マンガンおよび
又は化合物（これは、焼成中に酸化物に転換される）、
酸化物（Y2O3）として計算して0.05〜0.5 重量％の量の
酸化イットリウムおよび／又は化合物（これは焼成中酸
化物に転換される）、酸化物(V2O5)として計算して、0.
005 〜0.3 重量％の量の酸化バナジウムおよび／又は化
合物（これは、焼成中に酸化物に転換される）、酸化物
(MnO) として計算して、0.005 〜0.3 重量％の量の酸化
タングステンおよび／又は化合物（これは、焼成中に酸
化物に転換される）、および内側電極に対する材料とし
て用いられるニッケル又はニッケル合成のいずれかが添
加される。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的はセラミック誘電体および少なくとも２種の電極を含
んでなるコンデンサであって、該セラミック誘電体がバ
リウム−カルシウム−マンガン−ジルコニウム−チタン
酸塩出発物質を含んでなる誘電体セラミック組成物から
主に構成され該出発物質が、組成： (Ba1-x-s Cax SrS ) a ［Ti1-y-z-w-n Zry Mnz Alw Nb
n ］０3 （式中、０≦ｘ≦0.04, ０≦ｓ≦0.003, 0.995≦ａ≦1.
01, 0.09≦ｙ≦0.15,0.0025≦ｚ≦0.01, ０≦ｗ≦0.005
、および０≦ｎ≦0.005 ）を有し、そして該出発物質
は、量ｂ（ここで、０≦ｂ≦0.0075モル／式単位) の元
素タングステン、イットリウムおよびイッテルビウムの
１種又はそれ以上でドープされており、そして該出発物
質はまた、量ｃ（ここで、０≦ｃ≦0.01モル／単位) の
別の添加剤としてSiO2を含んでなる。
【０００５】そのようなコンデンサは、約６０℃（キュ
リー点）でその最高のキャパシタンス値に達する。８０
℃で、キャパシタンスは正常値（ΔＣは、ほぼ−８０％
に等しい）のほぼ８０％にだけ減少した。８０℃で、誘
電損失は、 tanδ＜５％である。６０℃未満の温度で、
誘電体組成物は tanδ＝２０％まで高い散逸損失(dissi
pation losses)を特徴とする。６０℃未満の温度Ｔでの
該高い損失の結果として、もしも操作中プロセッサの熱
によりこの温度までそれがもたらされなければ、本発明
それ自身に係るコンデンサは、その温度を６０℃を超え
る操作温度に上昇せしめる。
【０００６】本発明の範囲内において、バリウム−カリ
ウム−マンガン−ジルコニウム−チタン酸塩は、好まし
くは次の組成： (Ba1-x-s Cax SrS ) a ［Ti1-y-z-w-n Zry Mnz Alw Nb
n ］０3 （式中、０≦ｘ≦0.04, ０≦ｓ≦0.002, 0.995≦ａ≦1.
0, 0.09≦ｙ≦0.15,0.0025≦ｚ≦0.01, ０≦ｗ≦0.00
5, 0.0025 ≦ｎ≦0.005,ｂ＝０およびｃ＝０）を有す
る。
【０００７】以下の内容が好ましい；すなわち、バリウ
ム−カルシウム−マンガン−ジルコニウム−チタン酸塩
が、組成： (Ba1-x-s Cax SrS ) a ［Ti1-y-z-w-n Zry Mnz Alw Nb
n ］０3 （式中、０≦ｘ≦0.04, ｓ＝０, 1.001 ≦ａ≦1.01≦ｙ
≦0.15, 0.0025≦ｚ≦0.01, ｗ＝０、およびｎ＝０）を
有し、そしてそれはタングステン並びに量ｂ（ここで、
0.0025≦ｂ≦0.0075モル／式単位) の元素イットリウム
およびイッテルビウムでドープされており、そしてそれ
は量ｃ（ここで、0.005 ≦ｃ≦0.01モル／式単位) の別
の添加剤としてSiO2を含有する。
【０００８】コンデンサは、ニッケル又はニッケル合金
の内側電極を含んでなる多層コンデンサが特に好まし
い。本発明のこれらのおよび他の面は、如何に記載され
る態様から明らかであり、そしてそれらの態様を参照し
て説明されるであろう。図面中、図１は本発明に係るコ
ンデンサの態様の断面図である。この好ましい態様にお
いて、本発明に係るコンデンサは多層コンデンサであ
る。
【０００９】本発明に係るセラミック多層コンデンサ
は、セラミック誘電体１（これは、最大厚さ５０μを有
する複数の酸化物誘電体層から構成される）、および複
数の内側電極２（これらは、複数の層の形態であり、そ
してこれらの層は、それらが誘電体の２個の対向する端
面に交互に延びるように、誘電体内で他方の上方に一つ
が配設される）を含んでいる。セラミック誘電体の端面
は、外部コンタクトとして役立ちそして対応する金属内
側電極に接続されている金属コンタクト電極３を備えて
いる。
【００１０】多層コンデンサは、セラミックコンデンサ
技術において通常用いられる製造技術に従って製造され
る。所望の形状、寸法、精度および適用分野に応じて多
くの異なる態様の多層コンデンサが製造できる。
【００１１】セラミック誘電体に対して用いられる材料
は、出発物質として低ジルコニウム含有を有するバリウ
ム−カルシウム−マンガン−ジルコニウム−チタン酸塩
を含んでなる誘電体セラミック組成物であり、これは次
の組成： (Ba1-x-s Cax SrS ) a ［Ti1-y-z-w-n Zry Mnz Alw Nb
n ］０3 （式中、０≦ｘ≦0.04, ０≦ｓ≦0.003, 0.995≦ａ≦1.
01, 0.09≦ｙ≦0.15,0.0025≦ｚ≦0.01, ０≦ｗ≦0.005
、および０≦ｎ≦0.005 ）を有し、そして該出発物質
は、量ｃ（ここで、０≦ｃ≦0.01モル／式単位) のSiO2
を別の添加剤として含む。
【００１２】電極に対し使用できる材料は、特定の制限
を受けず、その結果１種の金属又は２種以上の通常用い
られる金属を組み合わせて使用できる。電極は、貴金
属、例えば白金、パラジウム、金又は銀から成ってよ
い。それらは、択一的に、クロム、ジルコニウム、バナ
ジウム、亜鉛、銅、スズ、鉛、マンガン、モリブデン、
タングステン、チタン又はアルミニウムを含んでなる。
それらは、好ましくはニッケル、鉄、コバルトおよびそ
れらの合金から成る群から選ばれる卑金属から成る。
【００１３】誘導体セラミック組成物は、通常の粉末製
造法、例えば、混合酸化物法、共沈殿、噴霧乾燥、ゾル
ゲル法、水熱法、又はアルコキシド法に従って製造でき
る。好ましくは、混合酸化物法が用いられ、この方法に
おいて出発酸化物又は熱分解化合物、例えばカーボネー
ト、水酸化物、オキサレート又はアセテートは混合され
そして粉砕される。引き続き、出発物質を１０００℃〜
１４００℃の範囲内の温度で焼成する。
【００１４】グリーン体(green body)を形成するため、
全ての常法が使用できる。セラミック多層コンデンサの
場合、グリーン体は焼成粉末から懸濁液を先ず製造する
ことによって形成され、この懸濁液は、該粉末に加え
て、次の成分：溶剤、結合剤および必要により、軟化剤
および分散剤を含んでなる。溶剤は、例えば水、アルコ
ール、トルエン、キシレン又はトリクロロエチレンであ
ってよい。結合剤に対し、通常有機ポリマー、例えばポ
リビニルアルコール、ポリビニルブチラール又はポリメ
チルメタクリレートが使用できる。軟化剤に対し、グリ
セリン、ポリエチレングリコール又はフタレートが使用
できる。加えて、分散剤、例えばアルキルアリールポリ
エーテルアルコール、ポリエチレングリコールジエチル
エーテル又はオクチルフェノキシエタノールを懸濁液に
添加できる。
【００１５】好ましい方法に従い、グリーンセラミック
箔が、箔注入成形法(foil-castingprocess)によって懸
濁液から製造される。該箔注入成形法において、懸濁液
を移動支持面上に注ぐ。溶剤の蒸発後、箔を得、これは
結合剤系に応じ、多少軟質であり、この箔は引き続き切
断され、内部電極のパターンに従って金属ペーストが設
けられ、スクリーン印刷法に委ねられ、そして積層され
る。これらの多層コンデンサは、最初に１１００〜１４
００℃の範囲内の温度でわずかに減圧下で焼成され、次
いで引き続きわずかに酸化雰囲気下で６００〜１１００
℃の範囲内の温度に調質する。わずかに減圧下に対して
は、0.5 〜２容量％の水素と混合した水素飽和窒素が使
用でき；わずかに酸化雰囲気に対しては、５ｐｐｍ〜１
００ｐｐｍの酸素を含有する窒素が使用できる。
【００１６】外側電極の製造に対し、例えばニッケルを
含有する金属ペーストが、コンデンサの端面に設けら
れ、そして焼成される。外側電極は、択一的に金属層、
例えば金を蒸着することにより設けることができる。
【００１７】本発明に係るコンデンサを特徴づけるた
め、誘電率をεは２５℃で測定され、そして損失ファク
ターｔｇ δは公知の方法で測定される。有効寿命τ
は、３５０℃でかつ９００Ｖで加速寿命試験（ＡＬＴ）
により測定される。この目的に対しCrNiおよびAu (50ｎ
ｍ）の電極とコンタクトせしめられる、直径５ｍｍおよ
び層厚0.05ｍｍを有する試験ペレットを製造し、350 ℃
に加熱しそして９００Ｖ／ｍｍの電圧を委ねる。電流を
測定し、そしてこの値を用い絶縁抵抗を計算する。試験
開始時は、絶縁抵抗は高い。試験の過程中は、絶縁抵抗
は高レベルで実質的に一定である。特定の特徴的崩壊時
間後にのみ、絶縁抵抗は減少を開始する。漏れ電流は、
耐久まで測定プロセスの耐久に関して短い時間中種々の
桁の大きさに増加する。有効寿命τは、１０倍だけ増加
する時間として定義される。
【００１８】
【実施例】
例１ 各々0.0025モル／式単位の組成 Ba1.01［Ti0.87Zr0.12
Mn0.005 ］Ｏ3 およびタングステンおよびイットリウ
ム、並びに0.01モル／式単位のセラミック誘電体を含ん
でなる多層コンデンサを製造するため、199.33ｇ量のBa
CO3(ｄ50＝1.1 μｍ, ＢＥＴ： 2.1ｍ2/ｇ), 69.91ｇ量
の TiO2(ｄ50＝0.48μｍ, ＢＥＴ：７ｍ2/ｇ), 14.79ｇ
量の ZrO2(ｄ50＝0.12μｍ, ＢＥＴ：21.9ｍ2/ｇ), 0.
57ｇ量のMnCO3, 0.58ｇ量のWO3(ｄ50＝0.15μｍ), 0.
56ｇ量の Y2O3(ｄ50＝0.34μｍ) および0.61ｇ量のSiO2
（コロイド，22ｎｍ）を遊星形ボールミル中で２時間粉
砕し、そして混合した。粉砕液に対し、シクロヘキサン
を使用しそして粉砕ボールに対しめのうを使用する。引
き続き、混合物を２ｍｍ−ＹＴＺボールを用い２４時間
イソプロパノール中で粉砕する。該遊星形ボールミル中
で粉砕後、混合物を空気中で表面蒸発器を用いて乾燥
し、そして引き続き１２５０℃で６時間焼成した。次い
で、粉末物質を、バインダーとしてのポリビニルアルコ
ール、界面活性剤、分散剤および水と混合しスラリーを
形成する。該スラリーを、スキージコーティング装置で
加工し、厚さ２０μｍを有するグリーンセラミック箔を
形成する。
【００１９】グリーン箔を箔カードに切断し、プリント
によって内側電極のパターンに従ってニッケルペースト
を設け、積重ねそして圧縮し、そして個々のコンデンサ
に分散する。コンデンサを、１３００℃の温度で焼成す
る。加熱速度は、１０００℃までは３００℃／時間であ
り、そして１３００℃までは５０℃／時間である。焼成
プロセス中で、９９％のＮ2 と１％のＨ2 を含んでなる
ガス混合物（これは、水蒸気で飽和されている）を、炉
を通す。引き続き、３００℃／時間の冷却が起こる。焼
成操作後、コンデンサは１０００℃の温度で調質炉内で
調質する。焼戻しプロセス中、５０〜１００ｐｐｍの酸
素と窒素を含んでなるガス混合物を、調質炉を通す。外
側電極を、0.15μｍのＡｕ層が塗布される６ｎｍ厚さの
CrNi層を蒸着することによって形成する。 試験結果：Ｔキュリー＝60℃，ε＝19000, 80℃で tan
δ＜0.5 ％, τ＞100時間
【００２０】例２ 組成 Ba1.005［Ti0.87Zr0.12Mn0.005 ］Ｏ3, 0.0025 モ
ル／式単位量のタングステン、0.0025モル／式単位量の
イットリウムおよび0.01モル／式単位量のSiO2のセラミ
ック誘電体を含んでなる多層コンデンサを製造するた
め、198.34ｇ量のBaCO3(ｄ50＝1.1 μｍ, ＢＥＴ：2.1
ｍ2/ｇ), 69.91ｇ量のTiO2 (ｄ50＝0.48μｍ, ＢＥＴ：
７ｍ2/ｇ), 14.79ｇ量のZrO2 (ｄ50＝0.12μｍ, ＢＥ
Ｔ：21.9ｍ2/ｇ), 0.57ｇ量のMnCO3, 0.58ｇ量のWO
3(ｄ50＝0.15μｍ), 0.58量のY2O3( ｄ 50＝0.34μｍ)
および0.61ｇ量のSiO2（コロイド，22ｎｍ）を遊星形ボ
ールミル中で２時間粉砕した。粉砕液に対し、シクロヘ
キサンを使用し、そして粉砕ボールに対しめのうを使用
する。引き続き、混合物を２ｍｍ−ＹＴＺボールを用い
２４時間イソプロパノール中出粉砕する。
【００２１】該遊星形ボールミル中出粉砕後、混合物を
空気中で表面蒸発器を用いて乾燥しそして引き続き１２
５０℃で６時間焼成した。次いで、粉末物質を、バイン
ダーとしてのポリビニルアルコールと混合し、次いで界
面活性剤、分散剤および水と混合し懸濁液を形成する。
該懸濁液を、スキージコーティング装置で加工し、厚さ
２０μｍを有するグリーンセラミック箔を形成する。
【００２２】グリーン箔を箔カードに切断し、プリント
によって内側電極のパターンに従ってニッケルペースト
を設け、積重ねそして圧縮し、そして個々のコンデンサ
に分散する。コンデンサを１３００℃の温度で焼成す
る。加熱速度は、１０００℃まで３００／時間であり、
そして１３００℃までは５０℃／時間である。焼成プロ
セス中で、９９％のＮ2 と１％のＨ2 を含んでなるガス
混合物（これは、水蒸気で飽和されている）を、炉を通
す。引き続き、３００℃／時間の冷却が起こる。焼成操
作後、コンデンサは１０００℃の温度で調質炉内で調質
する。焼戻しプロセス中、１０〜５０ｐｐｍの酸素と窒
素を含んでなるガス混合物を、調質炉を通す。外側電極
を、0.15μｍ厚のＡｕ層が塗布される６ｎｍ厚さのCrNi
層を蒸着することによって形成する。 試験結果：Ｔキュリー＝62℃，ε＝14000, 80℃で tan
δ＜0.5 ％, τ＞250時間
【００２３】例３ 組成 Ba1.005［Ti0.87Zr0.12Mn0.01］Ｏ3 および0.00
5 モル／式単位量のイッテルビウム、0.005 モル／式単
位量のタングステンおよび0.01モル／式単位量のSiO2の
セラミック誘電体を含んでなる多層コンデンサを製造す
るため、198.34ｇ量のBaCO3(ｄ50＝1.1 μｍ, ＢＥＴ：
2.1 ｍ2/ｇ), 69.51ｇ量のTiO2 (ｄ50＝0.48μｍ, ＢＥ
Ｔ：７ｍ2/ｇ), 14.79ｇ量のZrO2 (ｄ50＝0.12μｍ, Ｂ
ＥＴ：21.9ｍ2/ｇ), 1.15ｇ量のMnCO3, 1.16ｇ量のWO
3(ｄ50＝0.15μｍ), 1.97ｇ量のYb2O3(ｄ50＝0.34μ
ｍ) そして0.61ｇ量のSiO2（コロイド，22ｎｍ）を遊星
形ボールミル中で２時間粉砕した。粉砕液に対し、シク
ロヘキサンを使用しそして粉砕ボールに対しめのうを使
用する。引き続き、混合物を２ｍｍ−ＹＴＺボールを用
い２４時間イソプロパノール中で粉砕する。
【００２４】該遊星形ボールミル中で粉砕後、混合物を
空気中で表面蒸発器を用いて乾燥しそして引き続き１２
５０℃で６時間招請した。次いで、粉末物質を、バイン
ダーとしてのイソビニルアルコール、界面活性剤、分散
剤および水と混合しスラリーを形成する。該スラリー
を、スキージコーティング装置で加工し、厚さ２０μｍ
を有するグリーンセラミック箔を形成する。
【００２５】グリーン箔を箔カードに切断し、プリント
によって内側電極のパターンに従ってニッケルペースト
を設け、積重ねそして圧縮し、そして個々のコンデンサ
に分散する。コンデンサを１３００℃の温度で焼成す
る。加熱速度は、１０００℃まで３００／時間であり、
そして１３００℃までは５０℃／時間である。焼成プロ
セス中で、９９％のＮ2 と１％のＨ2 を含んでなるガス
混合物（これは、水蒸気で飽和されている）を、炉を通
す。引き続き、３００℃／時間の冷却が起こる。焼成操
作後、コンデンサは１０００℃の温度で調質炉内で調質
する。焼戻しプロセス中、５０〜１００ｐｐｍの酸素と
窒素を含んでなるガス混合物を、調質炉を通す。外側電
極を、0.15μｍ厚のＡｕ層が塗布される６ｎｍ厚さのCr
Ni層を蒸着することによって形成する。 試験結果：Ｔキュリー＝57℃，ε＝10500, 80℃で tan
δ＜0.5 ％, τ＞250時間
【００２６】例４ 組成 (Ba0.958Ca0.04Sr0.002)1.003［Ti0.868Zr0.12Mn
0.005Al0.002Nb0.005］０3 のセラミック誘電体を含ん
でなる多層コンデンサを製造するため、189.63ｇ量のBa
CO3(ｄ50＝1.1 μｍ, ＢＥＴ：2.1 ｍ2/ｇ），4.00ｇ量
のCaCO3(ｄ50＝0.8 μｍ），0.29ｇ量のSrCO3, 69.35ｇ
量のTiO2 (ｄ50＝0.48μｍ, ＢＥＴ：７ｍ 2/ｇ), 14.79
ｇ量のZrO2 (ｄ50＝0.12μｍ, ＢＥＴ：21.9ｍ2/ｇ),
0.57ｇ量のMnCO3, 0.20ｇ量のAl2O3 および1.33ｇ量の
Nb2O5 を遊星形ボールミル中で２時間粉砕しそして混合
した。粉砕液に対し、シクロヘキサンを使用しそして粉
砕ボールに対しめのうを使用する。引き続き、混合物を
２ｍｍ−ＹＴＺボールを用い２４時間イソプロパノール
中で粉砕する。
【００２７】該遊星形ボールミル中で粉砕後、混合物を
空気中で表面蒸発器を用いて乾燥しそして引き続き１２
５０℃で６時間焼成した。次いで、粉末物質を、バイン
ダーとしてのポリビニルアルコール、界面活性剤、分散
剤および水と混合しスラリーを形成する。該スラリー
を、スキージコーティング装置で加工し、厚さ２０μｍ
を有するグリーンセラミック箔を形成する。
【００２８】グリーン箔を箔カードに切断し、プリント
によって内側電極のパターンに従ってニッケルペースト
を設け、積重ねそして圧縮し、そして個々のコンデンサ
に分散する。コンデンサを１３００℃の温度で焼成す
る。加熱速度は、１０００℃まで３００／時間であり、
そして１３００℃までは５０℃／時間である。焼成プロ
セス中で、９９％のＮ2 と１％のＨ2 を含んでなるガス
混合物（これは、水蒸気で飽和されている）を、炉を通
す。引き続き、３００℃／時間の冷却が起こる。焼成操
作後、コンデンサは１０００℃の温度で調質炉内で調質
する。焼戻しプロセス中、５０〜１００ｐｐｍの酸素と
窒素を含んでなるガス混合物を、調質炉を通す。外側電
極を、0.15μｍ厚のＡｕ層が塗布される６ｎｍ厚さのCr
Ni層を蒸着することによって形成する。 試験結果：Ｔキュリー＝65℃，ε＝14000, 80℃で tan
δ＜ 0.5％, τ＞50時間
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るコンデンサの態様の断面図であ
る。
【符号の説明】
１ セラミック誘電体 ２ 内側電極 ３ 金属コンタクト電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 セラミック誘電体および少なくとも２種
    の電極を含んでなるコンデンサであって、該セラミック
    誘電体がバリウム−カルシウム−マンガン−ジルコニウ
    ム−チタン酸塩出発物質を含んでなる誘電体セラミック
    組成物から主に構成され、該出発物質が、組成： (Ba1-x-s Cax SrS ) a ［Ti1-y-z-w-n Zry Mnz Alw Nb
    n ］０3 （式中、０≦ｘ≦0.04, ０≦ｓ≦0.003, 0.995≦ａ≦1.
    01, 0.09≦ｙ≦0.15,0.0025≦ｚ≦0.01, ０≦ｗ≦0.005
    、および０≦ｎ≦0.005 ）を有し、そして該出発物質
    は、量ｂ（ここで、０≦ｂ≦0.0075モル／式単位) の元
    素タングステン、イットリウムおよびイッテルビウムの
    １種又はそれ以上でドープされており、そして該出発物
    質はまた、量ｃ（ここで、０≦ｃ≦0.01モル／単位) の
    別の添加剤としてSiO2を含んでなる、前記コンデンサ。
  2. 【請求項２】 バリウム−カルシウム−マンガン−ジル
    コニウム−チタン酸塩が、組成： (Ba1-x-s Cax SrS ) a ［Ti1-y-z-w-n Zry Mnz Alw Nb
    n ］０3 （式中、０≦ｘ≦0.04, ０≦ｓ≦0.002, 0.995≦ａ≦1.
    0, 0.09 ≦ｙ≦0.15,0.0025≦ｚ≦0.01, ０≦ｗ≦0.00
    5, 0.0025 ≦ｎ≦0.005,ｂ＝０およびｃ＝０）を有する
    請求項１記載のコンデンサ
  3. 【請求項３】 バリウム−カルシウム−マンガン−ジル
    コニウム−チタン酸塩が、組成： (Ba1-x-s Cax SrS ) a ［Ti1-y-z-w-n Zry Mnz Alw Nb
    n ］０3 （式中、０≦ｘ≦0.04, ｓ＝０, 1.001 ≦ａ≦1.01≦ｙ
    ≦0.15, 0.0025≦ｚ≦0.01, ｗ＝０、およびｎ＝０）を
    有し、そしてそれはタングステン並びに量ｂ（ここで、
    0.0025≦ｂ≦0.0075モル／式単位) の元素イットリウム
    およびイッテルビウムでドープされており、そしてそれ
    は量ｃ（ここで、0.005 ≦ｃ≦0.01モル／式単位) の別
    の添加剤としてSiO2を含有する、請求項１記載のコンデ
    ンサ。
  4. 【請求項４】 コンデンサが、ニッケル又はニッケル合
    金の内側電極を含んでなる多層コンデンサである、請求
    項１記載のコンデンサ。
JP10145286A 1997-05-30 1998-05-27 コンデンサ Pending JPH1126276A (ja)

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