JPH11251684A - 窒化物半導体素子 - Google Patents
窒化物半導体素子Info
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- JPH11251684A JPH11251684A JP4566598A JP4566598A JPH11251684A JP H11251684 A JPH11251684 A JP H11251684A JP 4566598 A JP4566598 A JP 4566598A JP 4566598 A JP4566598 A JP 4566598A JP H11251684 A JPH11251684 A JP H11251684A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振閾値を低下させて、高出力でも長寿命な
レーザ素子を実現する。 【構成】 ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層と
の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記
ｎ型およびｐ型窒化物半導体層の内の少なくとも一方
に、Ａｌを含む第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物
半導体層と組成の異なる第２の窒化物半導体層とが積層
された超格子層が設けられ、前記第１の窒化物半導体層
は活性層に接近するにつれて、Ａｌの組成が少なくなる
ようにされており、さらに、その超格子層に含まれる導
電型を決定する不純物が、活性層に接近するにつれて、
少なくなるように調整されている。超格子よりなるＧＲ
ＩＮ構造とすることにより光が活性層に集中するように
なるため、閾値が下がる。
レーザ素子を実現する。 【構成】 ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層と
の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記
ｎ型およびｐ型窒化物半導体層の内の少なくとも一方
に、Ａｌを含む第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物
半導体層と組成の異なる第２の窒化物半導体層とが積層
された超格子層が設けられ、前記第１の窒化物半導体層
は活性層に接近するにつれて、Ａｌの組成が少なくなる
ようにされており、さらに、その超格子層に含まれる導
電型を決定する不純物が、活性層に接近するにつれて、
少なくなるように調整されている。超格子よりなるＧＲ
ＩＮ構造とすることにより光が活性層に集中するように
なるため、閾値が下がる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＥＤ（発光ダイオー
ド）、ＳＬＤ（スーパールミネッセントダイオード）、
ＬＤ（レーザダイオード）等の発光素子、太陽電池、光
センサー等の受光素子、あるいはトランジスタ、パワー
デバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体
（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）
素子に関する。
ド）、ＳＬＤ（スーパールミネッセントダイオード）、
ＬＤ（レーザダイオード）等の発光素子、太陽電池、光
センサー等の受光素子、あるいはトランジスタ、パワー
デバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体
（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】我々は窒化物半導体基板の上に、活性層
を含む窒化物半導体レーザ素子を作製して、世界で初め
て室温での連続発振１万時間以上を達成したことを発表
した（ICNS'97 予稿集,October 27-31,1997,P444-446、
及びJpn.J.Appl.Phys.Vol.36(1997）pp.L1568-1571,Par
t2,No.12A,1 December 1997）。基本的な構造としては
サファイア基板上に、部分的に形成されたＳｉＯ2膜を
介して選択成長されたｎ−ＧａＮよりなる窒化物半導体
基板の上に、レーザ素子構造となる窒化物半導体層が複
数積層されてなる。（詳細はJpn.J.Appl.Phys.Vol.36参
照）
を含む窒化物半導体レーザ素子を作製して、世界で初め
て室温での連続発振１万時間以上を達成したことを発表
した（ICNS'97 予稿集,October 27-31,1997,P444-446、
及びJpn.J.Appl.Phys.Vol.36(1997）pp.L1568-1571,Par
t2,No.12A,1 December 1997）。基本的な構造としては
サファイア基板上に、部分的に形成されたＳｉＯ2膜を
介して選択成長されたｎ−ＧａＮよりなる窒化物半導体
基板の上に、レーザ素子構造となる窒化物半導体層が複
数積層されてなる。（詳細はJpn.J.Appl.Phys.Vol.36参
照）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１万時
間以上の連続発振が推定されたのは、出力で２ｍＷであ
る。２ｍＷでは読み取り用光源としては若干もの足り
ず、書き込み用光源ではこの１０倍以上の出力が必要で
あり、さらなるレーザ素子の出力向上と長寿命化が望ま
れている。
間以上の連続発振が推定されたのは、出力で２ｍＷであ
る。２ｍＷでは読み取り用光源としては若干もの足り
ず、書き込み用光源ではこの１０倍以上の出力が必要で
あり、さらなるレーザ素子の出力向上と長寿命化が望ま
れている。
【０００４】レーザ素子の発振閾値が低下すれば、レー
ザ素子の発熱量が小さくなるので、電流値を多くして出
力を上げることができる。さらに、閾値が低下すると言
うことは、レーザ素子だけでなくＬＥＤ、ＳＬＤ等、他
の窒化物半導体素子にも適用でき、高効率で信頼性の高
い素子を提供できる。従って本発明の目的とするところ
は、主としてレーザ素子の出力を向上させて、長寿命と
するため、まず発振閾値を低下させることにある。
ザ素子の発熱量が小さくなるので、電流値を多くして出
力を上げることができる。さらに、閾値が低下すると言
うことは、レーザ素子だけでなくＬＥＤ、ＳＬＤ等、他
の窒化物半導体素子にも適用でき、高効率で信頼性の高
い素子を提供できる。従って本発明の目的とするところ
は、主としてレーザ素子の出力を向上させて、長寿命と
するため、まず発振閾値を低下させることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体素
子の態様は主として３つの態様からなり、その第１の態
様は、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間
に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記ｎ型
およびｐ型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、Ａ
ｌを含む第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体
層と組成の異なる第２の窒化物半導体層とが積層された
超格子層が設けられ、前記第１の窒化物半導体層は活性
層に接近するにつれて、Ａｌの含有量が少なくなるよう
にされていることを特徴とする。
子の態様は主として３つの態様からなり、その第１の態
様は、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間
に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記ｎ型
およびｐ型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、Ａ
ｌを含む第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体
層と組成の異なる第２の窒化物半導体層とが積層された
超格子層が設けられ、前記第１の窒化物半導体層は活性
層に接近するにつれて、Ａｌの含有量が少なくなるよう
にされていることを特徴とする。
【０００６】第２の態様は、同様の構造の窒化物半導体
素子において、ｎ型およびｐ型窒化物半導体層の内の少
なくとも一方に、Ａｌを含む第１の窒化物半導体層と、
第１の窒化物半導体層と組成の異なる第２の窒化物半導
体層とが積層された超格子層が設けられ、その超格子層
に含まれる導電型を決定する不純物が、活性層に接近す
るにつれて、少なくなるように調整されていることを特
徴とする。
素子において、ｎ型およびｐ型窒化物半導体層の内の少
なくとも一方に、Ａｌを含む第１の窒化物半導体層と、
第１の窒化物半導体層と組成の異なる第２の窒化物半導
体層とが積層された超格子層が設けられ、その超格子層
に含まれる導電型を決定する不純物が、活性層に接近す
るにつれて、少なくなるように調整されていることを特
徴とする。
【０００７】第３の態様は、最も好ましい状態であっ
て、第１の態様と第２の態様とを組み合わせたものであ
り、同様の構造の発光素子において、前記ｎ型およびｐ
型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、Ａｌを含む
第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層と組成
の異なる第２の窒化物半導体層とが積層された超格子層
が設けられ、前記第１の窒化物半導体層は活性層に接近
するにつれて、Ａｌの組成が少なくなるようにされてお
り、さらに、その超格子層に含まれる導電型を決定する
不純物が、活性層に接近するにつれて、少なくなるよう
に調整されていることを特徴とする。
て、第１の態様と第２の態様とを組み合わせたものであ
り、同様の構造の発光素子において、前記ｎ型およびｐ
型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、Ａｌを含む
第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層と組成
の異なる第２の窒化物半導体層とが積層された超格子層
が設けられ、前記第１の窒化物半導体層は活性層に接近
するにつれて、Ａｌの組成が少なくなるようにされてお
り、さらに、その超格子層に含まれる導電型を決定する
不純物が、活性層に接近するにつれて、少なくなるよう
に調整されていることを特徴とする。
【０００８】本発明の全ての態様において、前記超格子
層はｎ型窒化物半導体層、およびｐ型窒化物半導体層両
方に設けられており、ｎ側の第１の窒化物半導体層に
は、ｐ側の第１の窒化物半導体層よりもＡｌ混晶比の大
きい窒化物半導体層を有することを特徴とする。
層はｎ型窒化物半導体層、およびｐ型窒化物半導体層両
方に設けられており、ｎ側の第１の窒化物半導体層に
は、ｐ側の第１の窒化物半導体層よりもＡｌ混晶比の大
きい窒化物半導体層を有することを特徴とする。
【０００９】さらに、全ての前記超格子層はｎ型窒化物
半導体層、およびｐ型窒化物半導体層両方に設けられて
おり、ｎ側にある超格子層全体の膜厚よりも、ｐ側にあ
る超格子層全体の膜厚が薄いことを特徴とする。
半導体層、およびｐ型窒化物半導体層両方に設けられて
おり、ｎ側にある超格子層全体の膜厚よりも、ｐ側にあ
る超格子層全体の膜厚が薄いことを特徴とする。
【００１０】全て前記超格子層には導電型を決定する不
純物が含まれており、その不純物が第１の窒化物半導体
層、または第２の窒化物半導体層の内のいずれか一方に
含まれることを特徴とする。導電型を決定する不純物と
は、例えばｎ型窒化物半導体であれば、Ｓｉ、Ｓｅ、
Ｏ、Ｓｎ、Ｓ等のIV族元素であり、ｐ型窒化物半導体で
あれば、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃａ等のII族元素を
指す。（以下、ｎ型窒化物半導体に含まれる不純物をド
ナー、ｐ型窒化物半導体に含まれる不純物をアクセプタ
ーという。）
純物が含まれており、その不純物が第１の窒化物半導体
層、または第２の窒化物半導体層の内のいずれか一方に
含まれることを特徴とする。導電型を決定する不純物と
は、例えばｎ型窒化物半導体であれば、Ｓｉ、Ｓｅ、
Ｏ、Ｓｎ、Ｓ等のIV族元素であり、ｐ型窒化物半導体で
あれば、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃａ等のII族元素を
指す。（以下、ｎ型窒化物半導体に含まれる不純物をド
ナー、ｐ型窒化物半導体に含まれる不純物をアクセプタ
ーという。）
【００１１】前記超格子層の活性層に接近した側にある
膜厚０．３μｍ以下の層は、不純物がドープされていな
いアンドープ層であることを特徴とする。この超格子層
におけるアンドープの領域の膜厚は好ましくは０．２μ
ｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以下に調整する。
下限は特に限定しないが、第１の窒化物半導体層若しく
は第２の窒化物半導体層分の膜厚以上とすることが望ま
しい。このアンドープの超格子からなる領域は、ｎ、ｐ
窒化物半導体層の少なくとも一方にあればよいが、好ま
しくは活性層を挟んで両方に形成する。なお、本請求項
において、アンドープとは、意図的に不純物をドープし
ていない窒化物半導体を指し、例えば隣接する窒化物半
導体から不純物が拡散して入ってくるものも、本発明で
はアンドープと定義する。この場合、アンドープの窒化
物半導体層の不純物濃度は、不純物が含まれる窒化物半
導体層と接している側から徐々に少なくなっているよう
な、勾配がついている場合が多い。
膜厚０．３μｍ以下の層は、不純物がドープされていな
いアンドープ層であることを特徴とする。この超格子層
におけるアンドープの領域の膜厚は好ましくは０．２μ
ｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以下に調整する。
下限は特に限定しないが、第１の窒化物半導体層若しく
は第２の窒化物半導体層分の膜厚以上とすることが望ま
しい。このアンドープの超格子からなる領域は、ｎ、ｐ
窒化物半導体層の少なくとも一方にあればよいが、好ま
しくは活性層を挟んで両方に形成する。なお、本請求項
において、アンドープとは、意図的に不純物をドープし
ていない窒化物半導体を指し、例えば隣接する窒化物半
導体から不純物が拡散して入ってくるものも、本発明で
はアンドープと定義する。この場合、アンドープの窒化
物半導体層の不純物濃度は、不純物が含まれる窒化物半
導体層と接している側から徐々に少なくなっているよう
な、勾配がついている場合が多い。
【００１２】また前記超格子層が活性層に接して形成さ
れていることを特徴とする。このように超格子層の少な
くとも一方を活性層に接して形成すると、例えばレーザ
素子を作製した場合には、この超格子層が活性層の導波
路となる光ガイド層と、光閉じ込め層であるクラッド層
とを兼ねることができる。
れていることを特徴とする。このように超格子層の少な
くとも一方を活性層に接して形成すると、例えばレーザ
素子を作製した場合には、この超格子層が活性層の導波
路となる光ガイド層と、光閉じ込め層であるクラッド層
とを兼ねることができる。
【００１３】さらにまた、前記第１の窒化物半導体層が
ＡｌXＧａ1-XＮ（０＜X＜１）よりなり、前記第２の窒
化物半導体層がＧａＮよりなることを特徴とする。Ａｌ
ＧａＮとＧａＮとの組み合わせにすると、Ａｌ組成比を
次第に変えていく際に、一方のみのガス流量のみを調整
するよいので、生産技術上非常に都合がよい。またＡｌ
ＧａＮに比べて結晶性の良いＧａＮ層がバッファ層とな
るので、その上に成長するＡｌＧａＮ層の結晶性も良く
なる傾向にあり、全体として結晶性の良い超格子層を形
成できる。
ＡｌXＧａ1-XＮ（０＜X＜１）よりなり、前記第２の窒
化物半導体層がＧａＮよりなることを特徴とする。Ａｌ
ＧａＮとＧａＮとの組み合わせにすると、Ａｌ組成比を
次第に変えていく際に、一方のみのガス流量のみを調整
するよいので、生産技術上非常に都合がよい。またＡｌ
ＧａＮに比べて結晶性の良いＧａＮ層がバッファ層とな
るので、その上に成長するＡｌＧａＮ層の結晶性も良く
なる傾向にあり、全体として結晶性の良い超格子層を形
成できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の窒化物半導体素子
の具体的な構造を示す模式断面図であり、具体的にはレ
ーザ素子の構造を示しており、８が活性層、７が超格子
層よりなるｎ側クラッド層、１０が超格子層よりなるｐ
側クラッド層である。レーザ素子の場合、これら超格子
層７、１０はｎ、ｐ両側の窒化物半導体層に存在させる
ことが望ましいが、例えばＬＥＤ、受光素子のような簡
単な構造の窒化物半導体素子では、必ずしも両側にある
必要はなく、いずれか一方の導電型の窒化物半導体層の
中に存在させればよい。
の具体的な構造を示す模式断面図であり、具体的にはレ
ーザ素子の構造を示しており、８が活性層、７が超格子
層よりなるｎ側クラッド層、１０が超格子層よりなるｐ
側クラッド層である。レーザ素子の場合、これら超格子
層７、１０はｎ、ｐ両側の窒化物半導体層に存在させる
ことが望ましいが、例えばＬＥＤ、受光素子のような簡
単な構造の窒化物半導体素子では、必ずしも両側にある
必要はなく、いずれか一方の導電型の窒化物半導体層の
中に存在させればよい。
【００１５】超格子を構成する第１の窒化物半導体層
は、Ａｌを含む窒化物半導体、好ましくは三元混晶のＡ
ｌXＧａ1-XＮ（０＜X＜１）とすると結晶性の良いもの
が得られやすい。また第２の窒化物半導体層は、第１の
窒化物半導体と組成が異なればどのようなものでもよい
が、好ましくは第１の窒化物半導体よりもバンドギャッ
プエネルギーが小さい窒化物半導体として、ＩｎYＧａ
1-YＮ（０≦Y≦１）を選択する。その中でもＧａＮとす
ると最も結晶性が良くなる。即ち、超格子層はＡｌＧａ
ＮとＧａＮとで構成すると、結晶性の良いＧａＮがバッ
ファ層のような作用をして、ＡｌＧａＮを結晶性良く成
長できる。また単一膜厚が１００オングストローム以
下、さらに好ましくは７０オングストローム以下、最も
好ましくは５０オングストローム以下の窒化物半導体層
を成長、積層させることにより、窒化物半導体が弾性臨
界膜厚以下となるために、ＡｌＧａＮのような結晶中に
クラックの入りやすい結晶でも、クラックが入ることな
く膜質良く成長できる。
は、Ａｌを含む窒化物半導体、好ましくは三元混晶のＡ
ｌXＧａ1-XＮ（０＜X＜１）とすると結晶性の良いもの
が得られやすい。また第２の窒化物半導体層は、第１の
窒化物半導体と組成が異なればどのようなものでもよい
が、好ましくは第１の窒化物半導体よりもバンドギャッ
プエネルギーが小さい窒化物半導体として、ＩｎYＧａ
1-YＮ（０≦Y≦１）を選択する。その中でもＧａＮとす
ると最も結晶性が良くなる。即ち、超格子層はＡｌＧａ
ＮとＧａＮとで構成すると、結晶性の良いＧａＮがバッ
ファ層のような作用をして、ＡｌＧａＮを結晶性良く成
長できる。また単一膜厚が１００オングストローム以
下、さらに好ましくは７０オングストローム以下、最も
好ましくは５０オングストローム以下の窒化物半導体層
を成長、積層させることにより、窒化物半導体が弾性臨
界膜厚以下となるために、ＡｌＧａＮのような結晶中に
クラックの入りやすい結晶でも、クラックが入ることな
く膜質良く成長できる。
【００１６】本発明の第１の態様では、超格子層よりな
るｎ側クラッド層７、ｐ側クラッド層の第１の窒化物半
導体層のＡｌ組成を活性層に接近するに従って小さくな
るように調整している。このようにｎ、ｐ両クラッド層
を超格子としてＧＲＩＮ（gradient index waveguide）
構造とすると、活性層の発光はＡｌ組成の少ない領域で
導波されて、縦モードが単一モードになりやすくなって
閾値が低下する。図２に、図１のｎ型クラッド層７から
ｐ側クラッド層１０までのエネルギーバンド図を示す。
図２のようにｎ側クラッド層７、およびｐ側クラッド層
１０から活性層７に至るまでに、第１の窒化物半導体の
Ａｌ組成を小さくすることにより、連続的にバンドギャ
ップエネルギーを小さくして、ＧＲＩＮ構造を作製する
ことにより、閾値が低下する傾向にある。なお活性層は
多重量子井戸構造である場合を示している。
るｎ側クラッド層７、ｐ側クラッド層の第１の窒化物半
導体層のＡｌ組成を活性層に接近するに従って小さくな
るように調整している。このようにｎ、ｐ両クラッド層
を超格子としてＧＲＩＮ（gradient index waveguide）
構造とすると、活性層の発光はＡｌ組成の少ない領域で
導波されて、縦モードが単一モードになりやすくなって
閾値が低下する。図２に、図１のｎ型クラッド層７から
ｐ側クラッド層１０までのエネルギーバンド図を示す。
図２のようにｎ側クラッド層７、およびｐ側クラッド層
１０から活性層７に至るまでに、第１の窒化物半導体の
Ａｌ組成を小さくすることにより、連続的にバンドギャ
ップエネルギーを小さくして、ＧＲＩＮ構造を作製する
ことにより、閾値が低下する傾向にある。なお活性層は
多重量子井戸構造である場合を示している。
【００１７】一般にダブルへテロ構造のクラッド層は、
活性層よりもバンドギャップエネルギーを大きくする必
要があるので、窒化物半導体素子のクラッド層には、例
えばＡｌＧａＮのような、Ａｌを含有する窒化物半導体
が用いられる。ＡｌＧａＮの場合、活性層との屈折率
差、およびバンドギャップエネルギー差を設けるため
に、Ａｌ混晶比を多くすればよいのは理論的に解ってい
るのであるが、ＡｌXＧａ1 -XＮはX値が大きくなるに従
って、結晶中にクラックが入りやすくなる傾向にある。
そのため、クラッド層にＡｌ混晶比の大きいＡｌＧａＮ
を成長させることは難しい。例えば、たとえ超格子とい
えども、Ａｌ混晶比Xが例えば０．５以上のＡｌXＧａ
1-XＮを、光閉じ込めのためのクラッド層として必要と
する膜厚まで成長させることは難しい傾向にある。とこ
ろが、本発明のように、ＧＲＩＮ構造とすると、Ａｌ混
晶比の大きい層は最外層、つまり活性層から最も離れた
層だけで良く、活性層に接近するに従って、Ａｌ混晶比
が小さくなっているため、最外層にＡｌ混晶比の大きい
層を形成しやすくなる。そのため、クラッド層と活性層
との屈折率差を大きくできるので、光閉じ込め効果が大
きくなって、閾値が低下する。また屈折率が中心（活性
層）から外側に向かって徐々に小さくなっているＧＲＩ
Ｎ構造では、光が中心に集まりやすくなるため閾値が低
下する。
活性層よりもバンドギャップエネルギーを大きくする必
要があるので、窒化物半導体素子のクラッド層には、例
えばＡｌＧａＮのような、Ａｌを含有する窒化物半導体
が用いられる。ＡｌＧａＮの場合、活性層との屈折率
差、およびバンドギャップエネルギー差を設けるため
に、Ａｌ混晶比を多くすればよいのは理論的に解ってい
るのであるが、ＡｌXＧａ1 -XＮはX値が大きくなるに従
って、結晶中にクラックが入りやすくなる傾向にある。
そのため、クラッド層にＡｌ混晶比の大きいＡｌＧａＮ
を成長させることは難しい。例えば、たとえ超格子とい
えども、Ａｌ混晶比Xが例えば０．５以上のＡｌXＧａ
1-XＮを、光閉じ込めのためのクラッド層として必要と
する膜厚まで成長させることは難しい傾向にある。とこ
ろが、本発明のように、ＧＲＩＮ構造とすると、Ａｌ混
晶比の大きい層は最外層、つまり活性層から最も離れた
層だけで良く、活性層に接近するに従って、Ａｌ混晶比
が小さくなっているため、最外層にＡｌ混晶比の大きい
層を形成しやすくなる。そのため、クラッド層と活性層
との屈折率差を大きくできるので、光閉じ込め効果が大
きくなって、閾値が低下する。また屈折率が中心（活性
層）から外側に向かって徐々に小さくなっているＧＲＩ
Ｎ構造では、光が中心に集まりやすくなるため閾値が低
下する。
【００１８】また本発明の第２の態様では、超格子層よ
りなるｎ側クラッド層７、ｐ側クラッド層に含まれるド
ナー、アクセプターの濃度が活性層に接近するに従っ
て、少なくなるように調整されている。ｎ側クラッド層
のドナーとしては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、Ｏが用いら
れ、一般的にはＳｉ、Ｓｎが用いられる。ｐ型クラッド
層のアクセプターとしてはＭｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａが用
いられ、一般的にはＭｇが用いられる。このようにｎ、
ｐクラッド層を超格子として、その超格子に含まれるド
ナー、アクセプター濃度を次第に小さくすると、クラッ
ド層による活性層近傍の光吸収が少なくなるので、光損
失が低下して閾値が低下する。さらに不純物濃度の少な
い窒化物半導体、不純物濃度の大きい窒化物半導体に比
較して結晶性がよい。そのため不純物濃度の少ない結晶
性の良いｎ、ｐ両クラッド層で活性層を挟んだ構造とす
ると、結晶欠陥の少ない活性層が成長できるために、素
子の寿命も長くなり、信頼性が向上すると共に、素子の
耐圧も高くなる。
りなるｎ側クラッド層７、ｐ側クラッド層に含まれるド
ナー、アクセプターの濃度が活性層に接近するに従っ
て、少なくなるように調整されている。ｎ側クラッド層
のドナーとしては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、Ｏが用いら
れ、一般的にはＳｉ、Ｓｎが用いられる。ｐ型クラッド
層のアクセプターとしてはＭｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａが用
いられ、一般的にはＭｇが用いられる。このようにｎ、
ｐクラッド層を超格子として、その超格子に含まれるド
ナー、アクセプター濃度を次第に小さくすると、クラッ
ド層による活性層近傍の光吸収が少なくなるので、光損
失が低下して閾値が低下する。さらに不純物濃度の少な
い窒化物半導体、不純物濃度の大きい窒化物半導体に比
較して結晶性がよい。そのため不純物濃度の少ない結晶
性の良いｎ、ｐ両クラッド層で活性層を挟んだ構造とす
ると、結晶欠陥の少ない活性層が成長できるために、素
子の寿命も長くなり、信頼性が向上すると共に、素子の
耐圧も高くなる。
【００１９】不純物はＡｌを含む第１の窒化物半導体
層、第２の窒化物半導体層に両方ドープしても良いが、
好ましくはいずれか一方にドープすることが望ましい。
これは変調ドープと呼ばれるもので、超格子層のいずれ
か一方の層に不純物をドープすることにより、超格子層
全体の結晶性が良くなり、これも信頼性の高い素子を実
現するのに効果的である。つまり、不純物をドープしな
い結晶性の良い層の上に不純物をドープした層を成長さ
せると、不純物をドープした層の結晶性が向上するた
め、超格子層全体としての結晶性が良くなることによ
る。
層、第２の窒化物半導体層に両方ドープしても良いが、
好ましくはいずれか一方にドープすることが望ましい。
これは変調ドープと呼ばれるもので、超格子層のいずれ
か一方の層に不純物をドープすることにより、超格子層
全体の結晶性が良くなり、これも信頼性の高い素子を実
現するのに効果的である。つまり、不純物をドープしな
い結晶性の良い層の上に不純物をドープした層を成長さ
せると、不純物をドープした層の結晶性が向上するた
め、超格子層全体としての結晶性が良くなることによ
る。
【００２０】不純物濃度としてはドナーの場合、ｎ側ク
ラッド層の最外層で１×１０17〜５×１０20／cm3、好
ましくは５×１０17〜１×１０20／cm3の範囲に調整す
る。また活性層近傍、例えば超格子層の低不純部濃度領
域０．３μｍ以下では、１×１０19／cm3以下、さらに
好ましくは５×１０18／cm3以下に調整する。なおドナ
ーとしてＳｉを用いた場合、ＧａＮマトリックスで現在
のＳＩＭＳによる検出限界はおよそ５×１０16／cm3程
度である。一方、アクセプターの場合、ｐ側クラッド層
の第２の態様の場合、最外層で１×１０17〜５×１０21
／cm3、好ましくは５×１０17〜１×１０21／cm3の範囲
に調整する。また活性層近傍、例えば超格子層の低不純
部濃度領域０．３μｍ以下では、１×１０19／cm3以
下、さらに好ましくは５×１０18／cm3以下に調整す
る。第２の態様の場合、最外層の不純物濃度よりもむし
ろ、低不純物濃度層の方が重要であり、活性層に接近し
た側の不純物濃度が１×１０19／cm3よりも多いと、光
吸収が多くなり、閾値が低下しにくくなる傾向にある。
また、不純物濃度を多くしたことによる結晶性の低下に
より、寿命が短くなる傾向にある。最も好ましくは不純
物を意図的にドープしない状態、即ちアンドープとす
る。なおアクセプターしてＭｇを用いた場合、ＧａＮマ
トリックスで現在のＳＩＭＳによる検出限界はおよそ５
×１０16／cm3程度である。
ラッド層の最外層で１×１０17〜５×１０20／cm3、好
ましくは５×１０17〜１×１０20／cm3の範囲に調整す
る。また活性層近傍、例えば超格子層の低不純部濃度領
域０．３μｍ以下では、１×１０19／cm3以下、さらに
好ましくは５×１０18／cm3以下に調整する。なおドナ
ーとしてＳｉを用いた場合、ＧａＮマトリックスで現在
のＳＩＭＳによる検出限界はおよそ５×１０16／cm3程
度である。一方、アクセプターの場合、ｐ側クラッド層
の第２の態様の場合、最外層で１×１０17〜５×１０21
／cm3、好ましくは５×１０17〜１×１０21／cm3の範囲
に調整する。また活性層近傍、例えば超格子層の低不純
部濃度領域０．３μｍ以下では、１×１０19／cm3以
下、さらに好ましくは５×１０18／cm3以下に調整す
る。第２の態様の場合、最外層の不純物濃度よりもむし
ろ、低不純物濃度層の方が重要であり、活性層に接近し
た側の不純物濃度が１×１０19／cm3よりも多いと、光
吸収が多くなり、閾値が低下しにくくなる傾向にある。
また、不純物濃度を多くしたことによる結晶性の低下に
より、寿命が短くなる傾向にある。最も好ましくは不純
物を意図的にドープしない状態、即ちアンドープとす
る。なおアクセプターしてＭｇを用いた場合、ＧａＮマ
トリックスで現在のＳＩＭＳによる検出限界はおよそ５
×１０16／cm3程度である。
【００２１】第３の態様は、本発明の最も好ましい態様
を示し、第１の態様と、第２の態様とを結合させたもの
であり、超格子層の作用は同じであるので省略する。
を示し、第１の態様と、第２の態様とを結合させたもの
であり、超格子層の作用は同じであるので省略する。
【００２２】本発明の素子の大きな特徴として、全ての
態様において、前記超格子層をｎ型窒化物半導体層、お
よびｐ型窒化物半導体層両方に設けた場合、ｎ側の第１
の窒化物半導体層には、ｐ側の第１の窒化物半導体層よ
りもＡｌ混晶比の大きい窒化物半導体層を有しているこ
とが望ましい。好ましくは活性層から最も離れた側にあ
るＡｌを含む第１の窒化物半導体層のＡｌ混晶比を、ｐ
側よりもｎ側の方を大きくする。これは光閉じ込めに関
係する。窒化物半導体の場合、ｎ側には窒化物半導体基
板、ｎ側コンタクト層等の、クラッド層よりも屈折率が
大きい透明な材料がクラッド層の外側に存在する。これ
らの材料はクラッド層から光が漏れるとその内部で光が
導波して、レーザ素子ではレーザ光のＦＦＰの形状を乱
す。また横モードがマルチとなって閾値を上昇させる原
因ともなる。そのため、ｎ側の方に光が漏れないように
するために、Ａｌ混晶比の大きい第１の窒化物半導体層
を含む超格子をｎ側の方に存在させるのである。一方、
ｐ側の方はＦＦＰの形状を乱すようなものがｐ側クラッ
ド層の外側にはほとんどないか、あったとしても膜厚が
非常に薄いので導波しにくい。そのためｐ側にはＡｌ混
晶比の大きい第１の窒化物半導体層を、ｎ側のように設
けなくてもよい。またＡｌ混晶比の大きい窒化物半導体
層は少ないものに比較して抵抗率が高いため、ｐ層側に
存在させると、Ｖｆが上昇しやすい傾向にある。
態様において、前記超格子層をｎ型窒化物半導体層、お
よびｐ型窒化物半導体層両方に設けた場合、ｎ側の第１
の窒化物半導体層には、ｐ側の第１の窒化物半導体層よ
りもＡｌ混晶比の大きい窒化物半導体層を有しているこ
とが望ましい。好ましくは活性層から最も離れた側にあ
るＡｌを含む第１の窒化物半導体層のＡｌ混晶比を、ｐ
側よりもｎ側の方を大きくする。これは光閉じ込めに関
係する。窒化物半導体の場合、ｎ側には窒化物半導体基
板、ｎ側コンタクト層等の、クラッド層よりも屈折率が
大きい透明な材料がクラッド層の外側に存在する。これ
らの材料はクラッド層から光が漏れるとその内部で光が
導波して、レーザ素子ではレーザ光のＦＦＰの形状を乱
す。また横モードがマルチとなって閾値を上昇させる原
因ともなる。そのため、ｎ側の方に光が漏れないように
するために、Ａｌ混晶比の大きい第１の窒化物半導体層
を含む超格子をｎ側の方に存在させるのである。一方、
ｐ側の方はＦＦＰの形状を乱すようなものがｐ側クラッ
ド層の外側にはほとんどないか、あったとしても膜厚が
非常に薄いので導波しにくい。そのためｐ側にはＡｌ混
晶比の大きい第１の窒化物半導体層を、ｎ側のように設
けなくてもよい。またＡｌ混晶比の大きい窒化物半導体
層は少ないものに比較して抵抗率が高いため、ｐ層側に
存在させると、Ｖｆが上昇しやすい傾向にある。
【００２３】さらに、本発明の次なる特徴として、全て
の態様において、前記超格子層をｎ型窒化物半導体層、
およびｐ型窒化物半導体層両方に設けた場合、ｎ側にあ
る超格子層全体の膜厚よりも、ｐ側にある超格子層全体
の膜厚を薄くすることが望ましい。これは、ｎ、ｐの窒
化物半導体の抵抗率による。窒化物半導体を超格子とし
た場合、ｎ型よりもｐ型の方が抵抗率が高い傾向にあ
る。しかもＡｌを含む窒化物半導体はＡｌを含まないも
のよりも抵抗率が大きい。ｐ層側を厚くするとＶｆが高
くなって、素子の発熱量が大きくなる傾向にある。その
ため、本発明のようにｎ層側よりも、ｐ層側を薄くする
ことにより、Ｖｆの上昇を抑えた信頼性の高い素子を作
製することができる。具体的な膜厚として、ｎ側を１０
０オングストローム以上、５μｍ以下、ｐ層側は５０オ
ングストローム以上、２μｍ以下にすることが望まし
い。
の態様において、前記超格子層をｎ型窒化物半導体層、
およびｐ型窒化物半導体層両方に設けた場合、ｎ側にあ
る超格子層全体の膜厚よりも、ｐ側にある超格子層全体
の膜厚を薄くすることが望ましい。これは、ｎ、ｐの窒
化物半導体の抵抗率による。窒化物半導体を超格子とし
た場合、ｎ型よりもｐ型の方が抵抗率が高い傾向にあ
る。しかもＡｌを含む窒化物半導体はＡｌを含まないも
のよりも抵抗率が大きい。ｐ層側を厚くするとＶｆが高
くなって、素子の発熱量が大きくなる傾向にある。その
ため、本発明のようにｎ層側よりも、ｐ層側を薄くする
ことにより、Ｖｆの上昇を抑えた信頼性の高い素子を作
製することができる。具体的な膜厚として、ｎ側を１０
０オングストローム以上、５μｍ以下、ｐ層側は５０オ
ングストローム以上、２μｍ以下にすることが望まし
い。
【００２４】本発明の素子においてｎ側、ｐ側にある超
格子層には、少なくとも導電型を決定する不純物が含ま
れているが、前記のように不純物を変調ドープすると超
格子層の結晶性が良くなり閾値が低下する。このような
変調ドープの手法は、本発明の第２、第３の態様だけで
はなく、第１の態様に適用することもできる。ただし第
１の態様において、不純物の濃度を必ずしも活性層に接
近するに従って、小さくなるようにする必要はない。
格子層には、少なくとも導電型を決定する不純物が含ま
れているが、前記のように不純物を変調ドープすると超
格子層の結晶性が良くなり閾値が低下する。このような
変調ドープの手法は、本発明の第２、第３の態様だけで
はなく、第１の態様に適用することもできる。ただし第
１の態様において、不純物の濃度を必ずしも活性層に接
近するに従って、小さくなるようにする必要はない。
【００２５】本発明の全ての態様において、超格子層の
活性層に接近した側にある膜厚０．３μｍ以下の領域
は、不純物がドープされていないアンドープ層であるこ
とが望ましいことは先に述べたが、さらに好ましくは
０．２μｍ以下、最も好ましくは０．１μｍ以下とす
る。０．３μｍよりもアンドープの領域が多いと、アン
ドープ領域の抵抗率が大きくなるので、閾値が上昇して
素子が発熱しやすい傾向にある。特にその傾向はｐ層側
に強く、ｐ層側のアンドープ領域はｎ層側よりも薄くす
ることが望ましい。但し、Ｍｇのようなアクセプターは
ドナーよりも拡散しやすい傾向にあり、ｐ層側のアンド
ープ層は、外側のＭｇをドープした層からＭｇが拡散さ
れて完全なアンドープとなっておらず、ｐ−の状態とな
っていることが多い。
活性層に接近した側にある膜厚０．３μｍ以下の領域
は、不純物がドープされていないアンドープ層であるこ
とが望ましいことは先に述べたが、さらに好ましくは
０．２μｍ以下、最も好ましくは０．１μｍ以下とす
る。０．３μｍよりもアンドープの領域が多いと、アン
ドープ領域の抵抗率が大きくなるので、閾値が上昇して
素子が発熱しやすい傾向にある。特にその傾向はｐ層側
に強く、ｐ層側のアンドープ領域はｎ層側よりも薄くす
ることが望ましい。但し、Ｍｇのようなアクセプターは
ドナーよりも拡散しやすい傾向にあり、ｐ層側のアンド
ープ層は、外側のＭｇをドープした層からＭｇが拡散さ
れて完全なアンドープとなっておらず、ｐ−の状態とな
っていることが多い。
【００２６】次に、超格子層よりなるｎ側クラッド層
７、ｐ側クラッド層１０は活性層８に接して形成する
と、クラッド層の活性層に接近した領域が、光ガイド層
となって導波路領域を形成し、閾値が低下することは前
にも述べたが、クラッド層と活性層との間に、他の窒化
物半導体よりなる層を形成することもできる。例えばｎ
側、ｐ側クラッド層の活性層の最も接近した側にある窒
化物半導体層と同一組成で、活性層の光ガイド層となる
層を形成することもできる。また光ガイド層を本発明の
第１の態様、第２の態様および第３の態様とすることも
できる。
７、ｐ側クラッド層１０は活性層８に接して形成する
と、クラッド層の活性層に接近した領域が、光ガイド層
となって導波路領域を形成し、閾値が低下することは前
にも述べたが、クラッド層と活性層との間に、他の窒化
物半導体よりなる層を形成することもできる。例えばｎ
側、ｐ側クラッド層の活性層の最も接近した側にある窒
化物半導体層と同一組成で、活性層の光ガイド層となる
層を形成することもできる。また光ガイド層を本発明の
第１の態様、第２の態様および第３の態様とすることも
できる。
【００２７】さらに、活性層は少なくとも一つの井戸層
を有する量子井戸構造よりなる場合、図２のバンド図に
示すように、ｐ側の超格子層とその活性層との間に、井
戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きくＡｌを含
む窒化物半導体よりなるキャップ層を０．１μｍ以下の
膜厚で形成すると、レーザ素子、ＬＥＤ素子のような発
光素子ではさらに高出力となる。好ましい膜厚としては
８００オングストローム以下、さらに好ましくは５００
オングストローム以下にする。０．１μｍよりも厚いと
キャリアがこのエネルギーバリアのあるキャップ層をト
ンネル効果により通過できなくなり、出力の向上が少な
い。なおこのキャップ層は活性層に接してｎ側にも設け
ることができる。
を有する量子井戸構造よりなる場合、図２のバンド図に
示すように、ｐ側の超格子層とその活性層との間に、井
戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きくＡｌを含
む窒化物半導体よりなるキャップ層を０．１μｍ以下の
膜厚で形成すると、レーザ素子、ＬＥＤ素子のような発
光素子ではさらに高出力となる。好ましい膜厚としては
８００オングストローム以下、さらに好ましくは５００
オングストローム以下にする。０．１μｍよりも厚いと
キャリアがこのエネルギーバリアのあるキャップ層をト
ンネル効果により通過できなくなり、出力の向上が少な
い。なおこのキャップ層は活性層に接してｎ側にも設け
ることができる。
【００２８】
［実施例１］（第３の態様） 図１は本発明の一実施例に係るレーザ素子の形状を示す
模式的な断面図でありリッジストライプに垂直な方向で
切断した際の図を示すものである。以下、この図を元に
本発明の素子を説明する。
模式的な断面図でありリッジストライプに垂直な方向で
切断した際の図を示すものである。以下、この図を元に
本発明の素子を説明する。
【００２９】（下地層）サファイアよりなる異種基板１
の上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて５００℃前後の低温でＧ
ａＮよりなるバッファ層（図示せず）を２００オングス
トロームの膜厚で成長させ、そのバッファ層の上に９０
０℃以上で、アンドープＧａＮよりなる下地層２を４μ
ｍの膜厚で成長させる。この下地層は保護膜を部分的に
表面に形成して、次に窒化物半導体基板の選択成長を行
うための下地層として作用する。そのため次の層を結晶
性良く成長させるためアンドープとすることが最も好ま
しい。下地層の膜厚はバッファ層よりも厚い膜厚で成長
させて、１０μｍ以下の膜厚に調整することが望まし
い。基板はサファイアの他、ＳｉＣ、ＺｎＯ、スピネ
ル、ＧａＡｓ等、窒化物半導体を成長させるために知ら
れている、窒化物半導体と異なる材料よりなる基板を用
いることができる。なおこの下地層は結晶欠陥が例えば
１０9個／cm2以上と多く、窒化物半導体基板とはならな
い。
の上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて５００℃前後の低温でＧ
ａＮよりなるバッファ層（図示せず）を２００オングス
トロームの膜厚で成長させ、そのバッファ層の上に９０
０℃以上で、アンドープＧａＮよりなる下地層２を４μ
ｍの膜厚で成長させる。この下地層は保護膜を部分的に
表面に形成して、次に窒化物半導体基板の選択成長を行
うための下地層として作用する。そのため次の層を結晶
性良く成長させるためアンドープとすることが最も好ま
しい。下地層の膜厚はバッファ層よりも厚い膜厚で成長
させて、１０μｍ以下の膜厚に調整することが望まし
い。基板はサファイアの他、ＳｉＣ、ＺｎＯ、スピネ
ル、ＧａＡｓ等、窒化物半導体を成長させるために知ら
れている、窒化物半導体と異なる材料よりなる基板を用
いることができる。なおこの下地層は結晶欠陥が例えば
１０9個／cm2以上と多く、窒化物半導体基板とはならな
い。
【００３０】（保護膜３）下地層成長後、下地層２の表
面に、ストライプ状のフォトマスクを形成し、ＣＶＤ装
置によりストライプ幅１０μｍ、ストライプ間隔（窓
部）２μｍのＳｉＯ 2よりなる保護膜３を１μｍの膜厚
で形成する。保護膜の形状としてはストライプ状、ドッ
ト状、碁盤目状等どのような形状でも良いが、窓部より
も保護膜の面積を大きくする方が、次に成長させる結晶
欠陥の少ない窒化物半導体基板が得られる。保護膜の材
料としては、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯX）、窒化ケイ
素（ＳｉXＮY）、酸化チタン（ＴｉＯX）、酸化ジルコ
ニウム（ＺｒＯX）等の酸化物、窒化物、またこれらの
多層膜の他、１２００℃以上の融点を有する金属等を用
いることができる。
面に、ストライプ状のフォトマスクを形成し、ＣＶＤ装
置によりストライプ幅１０μｍ、ストライプ間隔（窓
部）２μｍのＳｉＯ 2よりなる保護膜３を１μｍの膜厚
で形成する。保護膜の形状としてはストライプ状、ドッ
ト状、碁盤目状等どのような形状でも良いが、窓部より
も保護膜の面積を大きくする方が、次に成長させる結晶
欠陥の少ない窒化物半導体基板が得られる。保護膜の材
料としては、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯX）、窒化ケイ
素（ＳｉXＮY）、酸化チタン（ＴｉＯX）、酸化ジルコ
ニウム（ＺｒＯX）等の酸化物、窒化物、またこれらの
多層膜の他、１２００℃以上の融点を有する金属等を用
いることができる。
【００３１】（窒化物半導体基板４）保護膜３形成後、
ＭＯＶＰＥ法を用い、アンドープＧａＮよりなる窒化物
半導体基板４を１０μｍの膜厚で成長させる。成長後の
窒化物半導体基板４は、表面に現れる結晶欠陥が下地層
２よりも少なく、例えば１０7個／cm2以下しかなく、結
晶性の良い窒化物半導体を成長させるのに十分な窒化物
半導体基板として使用できる。
ＭＯＶＰＥ法を用い、アンドープＧａＮよりなる窒化物
半導体基板４を１０μｍの膜厚で成長させる。成長後の
窒化物半導体基板４は、表面に現れる結晶欠陥が下地層
２よりも少なく、例えば１０7個／cm2以下しかなく、結
晶性の良い窒化物半導体を成長させるのに十分な窒化物
半導体基板として使用できる。
【００３２】（ｎ側コンタクト層５）次に、窒化物半導
体基板４の上に、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたＧ
ａＮよりなるｎ側コンタクト層５を４μｍの膜厚で成長
させる。
体基板４の上に、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたＧ
ａＮよりなるｎ側コンタクト層５を４μｍの膜厚で成長
させる。
【００３３】（クラック防止層６）次に、Ｓｉを５×１
０18／cm3ドープしたＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎよりなるクラ
ック防止層６を０．１５μｍの膜厚で成長させる。な
お、このクラック防止層は省略可能である。
０18／cm3ドープしたＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎよりなるクラ
ック防止層６を０．１５μｍの膜厚で成長させる。な
お、このクラック防止層は省略可能である。
【００３４】（ｎ側クラッド層７＝超格子層）次に１回
目にＳｉを５×１０18／cm3ドープしたＧａＮ層を２５
オングストローム成長させ、続いてアンドープＡｌ0.30
Ｇａ0.70Ｎ層を２５オングストロームの膜厚で成長させ
る。そして２回目に、Ｓｉ含有ガスの量を若干少なくし
てＧａＮ層を２５オングストローム成長させ、続いてＡ
ｌ含有ガスの量を若干少なくして、アンドープで、およ
そＡｌ0.29Ｇａ0.71Ｎ層を２５オングストロームの膜厚
で成長させる。なお、Ａｌ0.29Ｇａ0.71Ｎの混晶比は正
確な値ではない。３回目以降は、ＧａＮ層の先に成長さ
せたＧａＮよりもＳｉガス量をさらに少なくして、Ｓｉ
ドープＧａＮ層を成長させて、続いて先に成長させたＡ
ｌＧａＮよりもＡｌ含有量がさらに少ないアンドープＡ
ｌＧａＮ層を成長させる。このようにして、Ｓｉの含有
量が活性層に接近するに従って、徐々に少なくなって行
くＳｉドープＧａＮ層と、アンドープＡｌXＧａ1-XＮ層
とを合わせて１．２μｍ（２４０ペア）成長させた後、
Ｓｉ含有ガスを止め、アンドープＧａＮ層を２５オング
ストローム、先に成長させたＡｌＧａＮよりもさらにＡ
ｌ含有量が少ないアンドープＡｌＧａＮを２５オングス
トローム成長させる。そしてＡｌＧａＮの組成のみを変
化させながら、０．１μｍ（２０ペア）の膜厚で最後が
アンドープＧａＮと、アンドープＧａＮとになるように
成長させることにより、Ａｌ含有量が次第に少なくなっ
て行くＡｌＧａＮと、Ｓｉ含有量が次第に少なくなって
行くＧａＮとからなる超格子構造のｎ側クラッド層７を
１．３μｍの膜厚で成長させる。
目にＳｉを５×１０18／cm3ドープしたＧａＮ層を２５
オングストローム成長させ、続いてアンドープＡｌ0.30
Ｇａ0.70Ｎ層を２５オングストロームの膜厚で成長させ
る。そして２回目に、Ｓｉ含有ガスの量を若干少なくし
てＧａＮ層を２５オングストローム成長させ、続いてＡ
ｌ含有ガスの量を若干少なくして、アンドープで、およ
そＡｌ0.29Ｇａ0.71Ｎ層を２５オングストロームの膜厚
で成長させる。なお、Ａｌ0.29Ｇａ0.71Ｎの混晶比は正
確な値ではない。３回目以降は、ＧａＮ層の先に成長さ
せたＧａＮよりもＳｉガス量をさらに少なくして、Ｓｉ
ドープＧａＮ層を成長させて、続いて先に成長させたＡ
ｌＧａＮよりもＡｌ含有量がさらに少ないアンドープＡ
ｌＧａＮ層を成長させる。このようにして、Ｓｉの含有
量が活性層に接近するに従って、徐々に少なくなって行
くＳｉドープＧａＮ層と、アンドープＡｌXＧａ1-XＮ層
とを合わせて１．２μｍ（２４０ペア）成長させた後、
Ｓｉ含有ガスを止め、アンドープＧａＮ層を２５オング
ストローム、先に成長させたＡｌＧａＮよりもさらにＡ
ｌ含有量が少ないアンドープＡｌＧａＮを２５オングス
トローム成長させる。そしてＡｌＧａＮの組成のみを変
化させながら、０．１μｍ（２０ペア）の膜厚で最後が
アンドープＧａＮと、アンドープＧａＮとになるように
成長させることにより、Ａｌ含有量が次第に少なくなっ
て行くＡｌＧａＮと、Ｓｉ含有量が次第に少なくなって
行くＧａＮとからなる超格子構造のｎ側クラッド層７を
１．３μｍの膜厚で成長させる。
【００３５】（活性層８）次にアンドープＩｎ0.01Ｇａ
0.95Ｎよりなる障壁層を１００オングストロームの膜厚
で成長させ、続いてアンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりな
る井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。
障壁＋井戸＋障壁＋井戸＋障壁の順で、総膜厚３６０オ
ングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層
８を成長させる。活性層は本実施例のようにアンドープ
でもよいし、またドナー及び／又はアクセプターをドー
プしても良い。ドナー、アクセプターは井戸層、障壁層
両方にドープしても良く、いずれか一方にドープしても
よい。
0.95Ｎよりなる障壁層を１００オングストロームの膜厚
で成長させ、続いてアンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりな
る井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。
障壁＋井戸＋障壁＋井戸＋障壁の順で、総膜厚３６０オ
ングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層
８を成長させる。活性層は本実施例のようにアンドープ
でもよいし、またドナー及び／又はアクセプターをドー
プしても良い。ドナー、アクセプターは井戸層、障壁層
両方にドープしても良く、いずれか一方にドープしても
よい。
【００３６】（ｐ側キャップ層９）次に、Ｍｇを１×１
０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ
側キャップ層９を３００オングストロームの膜厚で成長
させる。このｐ型キャップ層は０．１μｍ以下の膜厚で
形成することにより素子の出力が向上する傾向にある。
膜厚の下限は特に限定しないが、１０オングストローム
以上の膜厚で形成することが望ましい。このキャップ層
も省略可能である。
０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ
側キャップ層９を３００オングストロームの膜厚で成長
させる。このｐ型キャップ層は０．１μｍ以下の膜厚で
形成することにより素子の出力が向上する傾向にある。
膜厚の下限は特に限定しないが、１０オングストローム
以上の膜厚で形成することが望ましい。このキャップ層
も省略可能である。
【００３７】（ｐ側クラッド層１０）次に１回目にアン
ドープＧａＮ層を２５オングストローム成長させ、続い
てＡｌ含有ガスをわずかに流してＡｌを極微量含有した
ＡｌＧａＮ層を２５オングストロームの膜厚で成長させ
る。そして２回目に、同じくアンドープＧａＮを２５オ
ングストローム成長させ、続いてＡｌ含有ガスの量を若
干多くしてＡｌＧａＮを２５オングストローム成長させ
る。３回目以降は、先に成長させたＡｌＧａＮよりもＡ
ｌ含有量が若干多いアンドープＡｌＧａＮ層を成長させ
る。このようにして、アンドープＧａＮ層２５オングス
トロームと、Ａｌ含有量が若干ではあるが次第に多くな
って行くアンドープＡｌＧａＮ層２５オングストローム
とを交互に積層し、５００オングストローム（１０ペ
ア）成長させる。１０ペア成長後、続いて、Ｍｇ含有ガ
スをわずかに流して、Ｍｇを極微量ドープしたＭｇドー
プＧａＮ層を２５オングストローム成長させ、続いて先
に成長させたアンドープＡｌＧａＮ層よりもＡｌ含有量
が多いＡｌＧａＮ層を２５オングストロームの膜厚で成
長させる。次に、活性層から離れるに従って、Ｍｇの量
が徐々に多くなって行くＭｇドープＧａＮ層２５オング
ストロームと、同じく活性層から離れるに従ってＡｌの
量が次第に多くなって行くアンドープＡｌXＧａ1-XＮ層
２５オングストロームとを交互に積層して、最後にＭｇ
を８×１０19／cm3ドープしたＧａＮ層を成長させ、そ
の次にアンドープＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層を成長させ、合計
で０．７５μｍ（１５０ペア）成長させる。このように
して、活性層から離れるに従って、Ｍｇ含有量が次第に
多くなって行くＧａＮ層と、Ａｌ含有量が次第に多くな
って行くＡｌＧａＮ層とからなる超格子構造のｐ側クラ
ッド層１０を０．８μｍの膜厚で成長させる。
ドープＧａＮ層を２５オングストローム成長させ、続い
てＡｌ含有ガスをわずかに流してＡｌを極微量含有した
ＡｌＧａＮ層を２５オングストロームの膜厚で成長させ
る。そして２回目に、同じくアンドープＧａＮを２５オ
ングストローム成長させ、続いてＡｌ含有ガスの量を若
干多くしてＡｌＧａＮを２５オングストローム成長させ
る。３回目以降は、先に成長させたＡｌＧａＮよりもＡ
ｌ含有量が若干多いアンドープＡｌＧａＮ層を成長させ
る。このようにして、アンドープＧａＮ層２５オングス
トロームと、Ａｌ含有量が若干ではあるが次第に多くな
って行くアンドープＡｌＧａＮ層２５オングストローム
とを交互に積層し、５００オングストローム（１０ペ
ア）成長させる。１０ペア成長後、続いて、Ｍｇ含有ガ
スをわずかに流して、Ｍｇを極微量ドープしたＭｇドー
プＧａＮ層を２５オングストローム成長させ、続いて先
に成長させたアンドープＡｌＧａＮ層よりもＡｌ含有量
が多いＡｌＧａＮ層を２５オングストロームの膜厚で成
長させる。次に、活性層から離れるに従って、Ｍｇの量
が徐々に多くなって行くＭｇドープＧａＮ層２５オング
ストロームと、同じく活性層から離れるに従ってＡｌの
量が次第に多くなって行くアンドープＡｌXＧａ1-XＮ層
２５オングストロームとを交互に積層して、最後にＭｇ
を８×１０19／cm3ドープしたＧａＮ層を成長させ、そ
の次にアンドープＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層を成長させ、合計
で０．７５μｍ（１５０ペア）成長させる。このように
して、活性層から離れるに従って、Ｍｇ含有量が次第に
多くなって行くＧａＮ層と、Ａｌ含有量が次第に多くな
って行くＡｌＧａＮ層とからなる超格子構造のｐ側クラ
ッド層１０を０．８μｍの膜厚で成長させる。
【００３８】このように超格子層よりなるｎ側クラッド
層７を１．３μｍ、（バンドギャップエネルギーが最大
でＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ）、ｐ側クラッド層１０を０．８μ
ｍ（バンドギャップエネルギーが最大でＡｌ0.2Ｇａ0.8
Ｎ）とを成長させることにより、活性層の発光が導波路
領域で閉じ込められやすくなり、閾値の低下したレーザ
素子を実現できる。
層７を１．３μｍ、（バンドギャップエネルギーが最大
でＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ）、ｐ側クラッド層１０を０．８μ
ｍ（バンドギャップエネルギーが最大でＡｌ0.2Ｇａ0.8
Ｎ）とを成長させることにより、活性層の発光が導波路
領域で閉じ込められやすくなり、閾値の低下したレーザ
素子を実現できる。
【００３９】（ｐ側コンタクト層１１）最後に、ｐ側ク
ラッド層１０の上に、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープし
たｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層１１を１５０オ
ングストロームの膜厚で成長させる。
ラッド層１０の上に、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープし
たｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層１１を１５０オ
ングストロームの膜厚で成長させる。
【００４０】以上のようにして窒化物半導体を成長させ
たウェーハを反応容器内において、窒素雰囲気中７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型不純物をドープした層を
さらに低抵抗化させた後、ＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング装置）により、ｎ側コンタクト層５の表面を露出さ
せる。
たウェーハを反応容器内において、窒素雰囲気中７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型不純物をドープした層を
さらに低抵抗化させた後、ＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング装置）により、ｎ側コンタクト層５の表面を露出さ
せる。
【００４１】次に、図１に示すようにｐ側コンタクト層
１１と、ｐ側クラッド層１０とをエッチングして、４μ
ｍのストライプ幅を有するリッジ形状とする。さらにリ
ッジの側面にＺｒＯ2よりなる絶縁膜２２を形成した
後、その絶縁膜を介して、ＮｉとＡｕよりなるｐ電極２
０を形成し、一方、ＴｉとＡｌよりなるｎ電極２２を先
ほど露出させたｎ側コンタクト層５の表面にストライプ
状に形成する。
１１と、ｐ側クラッド層１０とをエッチングして、４μ
ｍのストライプ幅を有するリッジ形状とする。さらにリ
ッジの側面にＺｒＯ2よりなる絶縁膜２２を形成した
後、その絶縁膜を介して、ＮｉとＡｕよりなるｐ電極２
０を形成し、一方、ＴｉとＡｌよりなるｎ電極２２を先
ほど露出させたｎ側コンタクト層５の表面にストライプ
状に形成する。
【００４２】以上のようにして、ｎ電極とｐ電極とを形
成したウェーハのサファイア基板を研磨して７０μｍと
した後、ストライプ状の電極に垂直な方向で、基板側か
らバー状に劈開し、劈開面（１１−００面）に共振器を
作製する。共振器面にＳｉＯ 2とＴｉＯ2よりなる誘電体
多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを
切断してレーザ素子とする。
成したウェーハのサファイア基板を研磨して７０μｍと
した後、ストライプ状の電極に垂直な方向で、基板側か
らバー状に劈開し、劈開面（１１−００面）に共振器を
作製する。共振器面にＳｉＯ 2とＴｉＯ2よりなる誘電体
多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを
切断してレーザ素子とする。
【００４３】このレーザ素子の異種基板１の裏面側をヒ
ートシンクに設置し、それぞれの電極をワイヤーボンデ
ィングして、室温でレーザ発振を試みたところ、室温で
レーザ発振を示し、我々がJpn.J.Appl.Phys.Vol.36(199
7）に発表したものに比較して、閾値が５０％以上低下
し、２０ｍＷの出力において、３０００時間以上の連続
発振を示し、しかもレーザ光の形状は上下左右対称な楕
円形を有し単一モードであった。
ートシンクに設置し、それぞれの電極をワイヤーボンデ
ィングして、室温でレーザ発振を試みたところ、室温で
レーザ発振を示し、我々がJpn.J.Appl.Phys.Vol.36(199
7）に発表したものに比較して、閾値が５０％以上低下
し、２０ｍＷの出力において、３０００時間以上の連続
発振を示し、しかもレーザ光の形状は上下左右対称な楕
円形を有し単一モードであった。
【００４４】［実施例２］（第１の態様） 実施例１において、ｎ側クラッド層７を成長させる際
に、ＧａＮ層にドープするＳｉの量を１×１０18／cm3
と一定にし、ＡｌＧａＮ層のみ活性層に接近するに従っ
て、Ａｌ混晶比を小さくする他は同様にして超格子層を
成長させる。但し、活性層に接近した側にある０．１μ
ｍの膜厚のＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とを積層した領域は
同様にしてアンドープとする。
に、ＧａＮ層にドープするＳｉの量を１×１０18／cm3
と一定にし、ＡｌＧａＮ層のみ活性層に接近するに従っ
て、Ａｌ混晶比を小さくする他は同様にして超格子層を
成長させる。但し、活性層に接近した側にある０．１μ
ｍの膜厚のＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とを積層した領域は
同様にしてアンドープとする。
【００４５】またｐ側クラッド層１０を成長させる際
に、ＧａＮにドープするＭｇの量を５×１０19／cm3と
一定にし、ＡｌＧａＮ層のみ活性層から離れるに従っ
て、Ａｌ混晶比を大きくする他は同様にして超格子層を
成長させる。但し、活性層に接近した側にある８００オ
ングストロームの膜厚のＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とを積
層した領域は、同様にしてアンドープとする。
に、ＧａＮにドープするＭｇの量を５×１０19／cm3と
一定にし、ＡｌＧａＮ層のみ活性層から離れるに従っ
て、Ａｌ混晶比を大きくする他は同様にして超格子層を
成長させる。但し、活性層に接近した側にある８００オ
ングストロームの膜厚のＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とを積
層した領域は、同様にしてアンドープとする。
【００４６】その他は全て実施例１と同様にしてレーザ
素子を作製したところ、このレーザ素子は実施例１に比
較して若干閾値は上昇したが、２０ｍＷの出力におい
て、２０００時間以上の単一モードの連続発振を示し
た。
素子を作製したところ、このレーザ素子は実施例１に比
較して若干閾値は上昇したが、２０ｍＷの出力におい
て、２０００時間以上の単一モードの連続発振を示し
た。
【００４７】［実施例３］（第２の態様） 実施例１において、ｎ側クラッド層７を成長させる際
に、ＡｌＧａＮ層のＡｌ混晶比をＡｌ0.20Ｇａ0.80Ｎと
一定にして、ＧａＮにドープするＳｉの量を活性層に接
近するに従って少なくする他は同様にして超格子層を成
長させる。但し、活性層に接近した側にある０．１μｍ
の膜厚のＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とを積層した領域は同
様にしてアンドープとする。
に、ＡｌＧａＮ層のＡｌ混晶比をＡｌ0.20Ｇａ0.80Ｎと
一定にして、ＧａＮにドープするＳｉの量を活性層に接
近するに従って少なくする他は同様にして超格子層を成
長させる。但し、活性層に接近した側にある０．１μｍ
の膜厚のＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とを積層した領域は同
様にしてアンドープとする。
【００４８】またｐ側クラッド層１０を成長させる際
に、ＡｌＧａＮのＡｌ混晶比をＡｌ0. 15Ｇａ0.85Ｎと一
定にして、ＧａＮにドープするＭｇの量を活性層から離
れるに従って大きくする他は同様にして超格子層を成長
させる。但し、活性層に接近した側にある８００オング
ストロームの膜厚のＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とを積層し
た領域は、同様にしてアンドープとする。
に、ＡｌＧａＮのＡｌ混晶比をＡｌ0. 15Ｇａ0.85Ｎと一
定にして、ＧａＮにドープするＭｇの量を活性層から離
れるに従って大きくする他は同様にして超格子層を成長
させる。但し、活性層に接近した側にある８００オング
ストロームの膜厚のＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とを積層し
た領域は、同様にしてアンドープとする。
【００４９】その他は全て実施例１と同様にしてレーザ
素子を作製したところ、このレーザ素子も実施例１に比
較して若干閾値は上昇したが、２０ｍＷの出力におい
て、１０００時間以上の単一モードの連続発振を示し
た。
素子を作製したところ、このレーザ素子も実施例１に比
較して若干閾値は上昇したが、２０ｍＷの出力におい
て、１０００時間以上の単一モードの連続発振を示し
た。
【００５０】［実施例４］実施例１においてｐ側キャッ
プ層９を成長させない他は、実施例１と同様にしてレー
ザ素子を作製したところ、同一電流値での出力は実施例
１のものに比較して、若干低下したが、２０ｍＷでの出
力において、寿命は２５００時間以上を示した。
プ層９を成長させない他は、実施例１と同様にしてレー
ザ素子を作製したところ、同一電流値での出力は実施例
１のものに比較して、若干低下したが、２０ｍＷでの出
力において、寿命は２５００時間以上を示した。
【００５１】［実施例５］図３は本発明の他の実施例に
係るレーザ素子の構造を示す模式断面図である。図１と
同一符号は同一部材を示しているものとする。以下この
図を元に説明する。
係るレーザ素子の構造を示す模式断面図である。図１と
同一符号は同一部材を示しているものとする。以下この
図を元に説明する。
【００５２】実施例１と同様にして、サファイアよりな
る異種基板１の上に、ＭＯＶＰＥ法を用いてアンドープ
ＧａＮよりなる下地層２を４μｍの膜厚で成長させた
後、ストライプ状の保護膜３を形成する。
る異種基板１の上に、ＭＯＶＰＥ法を用いてアンドープ
ＧａＮよりなる下地層２を４μｍの膜厚で成長させた
後、ストライプ状の保護膜３を形成する。
【００５３】（窒化物半導体基板４４）保護膜形成後、
ＭＯＶＰＥ法を用い、ＳｉドープＧａＮよりなる窒化物
半導体層を１０μｍの膜厚で成長させ、保護膜３上部を
ＧａＮで覆った後、ＨＶＰＥ装置に移送し、Ｇａメタ
ル、ＨＣｌガス、ＮＨ3、シランガスを用いて、Ｓｉを
５×１０17／cm3ドープしたＧａＮよりなる窒化物半導
体基板４４を５００μｍの膜厚で成長させる。成長後、
サファイア基板１、保護膜３、およびアンドープＧａＮ
層領域を研磨除去し、窒化物半導体基板４４を作製す
る。
ＭＯＶＰＥ法を用い、ＳｉドープＧａＮよりなる窒化物
半導体層を１０μｍの膜厚で成長させ、保護膜３上部を
ＧａＮで覆った後、ＨＶＰＥ装置に移送し、Ｇａメタ
ル、ＨＣｌガス、ＮＨ3、シランガスを用いて、Ｓｉを
５×１０17／cm3ドープしたＧａＮよりなる窒化物半導
体基板４４を５００μｍの膜厚で成長させる。成長後、
サファイア基板１、保護膜３、およびアンドープＧａＮ
層領域を研磨除去し、窒化物半導体基板４４を作製す
る。
【００５４】その後、ＭＯＶＰＥ装置を用いて、窒化物
半導体基板４４（研磨側でない方）の上に、クラック防
止層６から上の層を積層させる。成長後、研磨面の窒化
物半導体基板にＳｉを高濃度にドープしたＳｉ高濃度領
域を形成し、ｎ電極形成層４４’とする。
半導体基板４４（研磨側でない方）の上に、クラック防
止層６から上の層を積層させる。成長後、研磨面の窒化
物半導体基板にＳｉを高濃度にドープしたＳｉ高濃度領
域を形成し、ｎ電極形成層４４’とする。
【００５５】その後図３に示すようにリッジを形成し、
ｎ電極２１を電極形成層４４のほぼ全面に形成する以外
は、実施例１と同様にしてレーザ素子を作製する。図３
に示すレーザ素子はＳｉをドープしたＧａＮを基板とし
ているため、基板側から電極を取ることが可能となる。
このレーザ素子も実施例１のレーザ素子とほぼ同等の特
性を有する素子が得られた。
ｎ電極２１を電極形成層４４のほぼ全面に形成する以外
は、実施例１と同様にしてレーザ素子を作製する。図３
に示すレーザ素子はＳｉをドープしたＧａＮを基板とし
ているため、基板側から電極を取ることが可能となる。
このレーザ素子も実施例１のレーザ素子とほぼ同等の特
性を有する素子が得られた。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の素子では
活性層に接近するに従って、Ａｌ組成が少なくなるか、
および／または不純物濃度が少なくなるクラッド層を有
していることにより、ほとんどの光が導波路内に閉じ込
められ、レーザ光が単一モードとなり、閾値が低下す
る。そのためレーザ素子が高出力において、長寿命にで
きるようになったので、本発明を用いることにより、レ
ーザを書き込み用光源として実用化させるのに非常に重
要である。また本明細書では、最も過酷な条件で使用さ
れるレーザ素子について説明したが、本発明はレーザ素
子だけでなく、ＬＥＤ、受光素子のように窒化物半導体
を用いた他のあらゆる電子デバイスに適用可能である。
活性層に接近するに従って、Ａｌ組成が少なくなるか、
および／または不純物濃度が少なくなるクラッド層を有
していることにより、ほとんどの光が導波路内に閉じ込
められ、レーザ光が単一モードとなり、閾値が低下す
る。そのためレーザ素子が高出力において、長寿命にで
きるようになったので、本発明を用いることにより、レ
ーザを書き込み用光源として実用化させるのに非常に重
要である。また本明細書では、最も過酷な条件で使用さ
れるレーザ素子について説明したが、本発明はレーザ素
子だけでなく、ＬＥＤ、受光素子のように窒化物半導体
を用いた他のあらゆる電子デバイスに適用可能である。
【図１】 本発明の一実施例に係るレーザ素子の構造を
示す模式断面図。
示す模式断面図。
【図２】 図１のｎ型クラッド層７からｐ側クラッド層
１０までのエネルギーバンドを示す図
１０までのエネルギーバンドを示す図
【図３】 本発明の他の実施例に係るレーザ素子の構造
を示す模式断面図。
を示す模式断面図。
１・・・・異種基板 ２・・・・下地層 ３・・・・保護膜 ４、４４・・・・窒化物半導体基板 ５・・・・ｎ側コンタクト層 ６・・・・クラック防止層 ７・・・・ｎ側クラッド層 ８・・・・活性層 ９・・・・ｐ側キャップ層 １０・・・・ｐ側クラッド層 １１・・・・ｐ側コンタクト層 ２０・・・・ｐ電極 ２１・・・・ｎ電極 ２２・・・・絶縁膜 ４４’・・・ｎ電極形成層
Claims (9)
- 【請求項１】 ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体
層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
前記ｎ型およびｐ型窒化物半導体層の内の少なくとも一
方に、Ａｌを含む第１の窒化物半導体層と、第１の窒化
物半導体層と組成の異なる第２の窒化物半導体層とが積
層された超格子層が設けられ、前記第１の窒化物半導体
層は活性層に接近するにつれて、Ａｌの含有量が少なく
なるようにされていることを特徴とする窒化物半導体素
子。 - 【請求項２】 ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体
層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
前記ｎ型およびｐ型窒化物半導体層の内の少なくとも一
方に、Ａｌを含む第１の窒化物半導体層と、第１の窒化
物半導体層と組成の異なる第２の窒化物半導体層とが積
層された超格子層が設けられ、その超格子層に含まれる
導電型を決定する不純物が、活性層に接近するにつれ
て、少なくなるように調整されていることを特徴とする
窒化物半導体素子。 - 【請求項３】 ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体
層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
前記ｎ型およびｐ型窒化物半導体層の内の少なくとも一
方に、Ａｌを含む第１の窒化物半導体層と、第１の窒化
物半導体層と組成の異なる第２の窒化物半導体層とが積
層された超格子層が設けられ、前記第１の窒化物半導体
層は活性層に接近するにつれて、Ａｌの組成が少なくな
るようにされており、さらに、その超格子層に含まれる
導電型を決定する不純物が、活性層に接近するにつれ
て、少なくなるように調整されていることを特徴とする
窒化物半導体素子。 - 【請求項４】 前記超格子層はｎ型窒化物半導体層、お
よびｐ型窒化物半導体層両方に設けられており、ｎ側の
第１の窒化物半導体層には、ｐ側の第１の窒化物半導体
層よりもＡｌ混晶比の大きい窒化物半導体層を有するこ
とを特徴とする請求項１乃至３の内のいずれか１項に記
載の窒化物半導体素子。 - 【請求項５】 前記超格子層はｎ型窒化物半導体層、お
よびｐ型窒化物半導体層両方に設けられており、ｎ側に
ある超格子層全体の膜厚よりも、ｐ側にある超格子層全
体の膜厚が薄いことを特徴とする請求項１乃至４の内の
いずれか１項に記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項６】 前記超格子層には導電型を決定する不純
物が含まれ、その不純物が、前記第１の窒化物半導体
層、または前記第２の窒化物半導体層の内のいずれか一
方に含まれることを特徴とする請求項１乃至５の内のい
ずれか１項に記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項７】 前記超格子層の活性層に接近した側にあ
る膜厚０．３μｍ以下の層は、不純物がドープされてい
ないアンドープ層であることを特徴とする請求項１乃至
６の内のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項８】 前記超格子層が活性層に接して形成され
ていることを特徴とする請求項１乃至７の内のいずれか
１項に記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項９】 前記第１の窒化物半導体層がＡｌXＧａ
1-XＮ（０＜X＜１）よりなり、前記第２の窒化物半導体
層がＧａＮよりなることを特徴とする請求項１乃至８の
内のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04566598A JP3468082B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 窒化物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04566598A JP3468082B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 窒化物半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251684A true JPH11251684A (ja) | 1999-09-17 |
| JP3468082B2 JP3468082B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=12725693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04566598A Expired - Lifetime JP3468082B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 窒化物半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3468082B2 (ja) |
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003103062A1 (fr) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Nitride Semiconductors Co.,Ltd. | Dispositif semi-conducteur a base de nitrure de gallium et son procede de fabrication |
| US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| US7125732B2 (en) | 2002-01-24 | 2006-10-24 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| DE102006046227A1 (de) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiter-Schichtstruktur mit Übergitter |
| DE102006046237A1 (de) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiter-Schichtstruktur mit Übergitter |
| JP2008034851A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 超格子を有する半導体層構造 |
| US7462884B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-12-09 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| WO2009067983A1 (de) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Led mit stromaufweitungsschicht |
| US7692182B2 (en) | 2001-05-30 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure |
| US7700940B2 (en) | 2002-07-16 | 2010-04-20 | Nitride Semiconductor Co., Ltd. | Gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US7822089B2 (en) | 2006-07-27 | 2010-10-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor layer structure with superlattice |
| US8022392B2 (en) | 2006-07-27 | 2011-09-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor layer structure with superlattice |
| JP2012256952A (ja) * | 1999-12-02 | 2012-12-27 | Cree Inc | 分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ |
| US8344398B2 (en) | 2007-01-19 | 2013-01-01 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
| US8519437B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-08-27 | Cree, Inc. | Polarization doping in nitride based diodes |
| US20140054633A1 (en) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Dong Ha Kim | Light emitting device |
| US8679876B2 (en) | 2006-11-15 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Laser diode and method for fabricating same |
| JP2014518451A (ja) * | 2011-08-02 | 2014-07-28 | 株式会社東芝 | 発光装置およびその製造方法 |
| US8847279B2 (en) | 2006-09-07 | 2014-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
| US8860160B2 (en) | 2006-09-27 | 2014-10-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
| US8878243B2 (en) | 2006-03-24 | 2014-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
| US8981427B2 (en) | 2008-07-15 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
| US8987028B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-03-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
| US8994070B2 (en) | 2008-07-01 | 2015-03-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
| US9012937B2 (en) | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
| JP2015079844A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体積層体及びそれを用いた発光素子 |
| US9029908B2 (en) | 2009-01-09 | 2015-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
| US9040331B2 (en) | 2007-04-09 | 2015-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
| US9105549B2 (en) | 2008-09-24 | 2015-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
| US9299562B2 (en) | 2009-04-02 | 2016-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same |
| US9365949B2 (en) | 2008-06-03 | 2016-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
| US9508890B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaics on silicon |
| US9780190B2 (en) | 2007-06-15 | 2017-10-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
| JP2017220586A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | 国立大学法人 東京大学 | 半導体発光素子 |
| US9853176B2 (en) | 2007-04-09 | 2017-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
| US9859381B2 (en) | 2005-05-17 | 2018-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
| US9934967B2 (en) | 2008-09-19 | 2018-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Formation of devices by epitaxial layer overgrowth |
| US9984872B2 (en) | 2008-09-19 | 2018-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fabrication and structures of crystalline material |
| US10002981B2 (en) | 2007-09-07 | 2018-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-junction solar cells |
| US10468551B2 (en) | 2006-10-19 | 2019-11-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100898586B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2009-05-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP04566598A patent/JP3468082B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (75)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012256952A (ja) * | 1999-12-02 | 2012-12-27 | Cree Inc | 分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ |
| US7312474B2 (en) | 2001-05-30 | 2007-12-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based superlattice structures |
| US7692182B2 (en) | 2001-05-30 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure |
| US8044384B2 (en) | 2001-05-30 | 2011-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure |
| US8227268B2 (en) | 2001-05-30 | 2012-07-24 | Cree, Inc. | Methods of fabricating group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| US9054253B2 (en) | 2001-05-30 | 2015-06-09 | Cree, Inc. | Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure |
| US9112083B2 (en) | 2001-05-30 | 2015-08-18 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| EP2237334B1 (en) * | 2001-05-30 | 2019-11-06 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode |
| US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| US7125732B2 (en) | 2002-01-24 | 2006-10-24 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| US7372066B2 (en) | 2002-06-04 | 2008-05-13 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | Gallium nitride compound semiconductor device and manufacturing method |
| WO2003103062A1 (fr) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Nitride Semiconductors Co.,Ltd. | Dispositif semi-conducteur a base de nitrure de gallium et son procede de fabrication |
| CN100359704C (zh) * | 2002-06-04 | 2008-01-02 | 氮化物半导体株式会社 | 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法 |
| KR101025797B1 (ko) | 2002-06-04 | 2011-04-04 | 나이트라이드 세마이컨덕터스 코포레이션, 리미티드 | 질화 갈륨계 화합물 반도체 장치 및 제조방법 |
| US7700940B2 (en) | 2002-07-16 | 2010-04-20 | Nitride Semiconductor Co., Ltd. | Gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US11251272B2 (en) | 2005-05-17 | 2022-02-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
| US9219112B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
| US9431243B2 (en) | 2005-05-17 | 2016-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
| US10522629B2 (en) | 2005-05-17 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
| US8987028B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-03-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
| US9859381B2 (en) | 2005-05-17 | 2018-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
| US7462884B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-12-09 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| US10074536B2 (en) | 2006-03-24 | 2018-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
| US8878243B2 (en) | 2006-03-24 | 2014-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
| US8471240B2 (en) | 2006-07-27 | 2013-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor layer structure with superlattice |
| DE102006046237A1 (de) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiter-Schichtstruktur mit Übergitter |
| US7893424B2 (en) | 2006-07-27 | 2011-02-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor layer structure with superlattice |
| DE102006046227A1 (de) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiter-Schichtstruktur mit Übergitter |
| US7822089B2 (en) | 2006-07-27 | 2010-10-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor layer structure with superlattice |
| JP2008034851A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 超格子を有する半導体層構造 |
| US8022392B2 (en) | 2006-07-27 | 2011-09-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor layer structure with superlattice |
| US9818819B2 (en) | 2006-09-07 | 2017-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
| US9318325B2 (en) | 2006-09-07 | 2016-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
| US8847279B2 (en) | 2006-09-07 | 2014-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
| US9559712B2 (en) | 2006-09-27 | 2017-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
| US8860160B2 (en) | 2006-09-27 | 2014-10-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
| US9105522B2 (en) | 2006-09-27 | 2015-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
| US10468551B2 (en) | 2006-10-19 | 2019-11-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
| US8679876B2 (en) | 2006-11-15 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Laser diode and method for fabricating same |
| US8344398B2 (en) | 2007-01-19 | 2013-01-01 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
| US9041139B2 (en) | 2007-01-19 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
| US9040331B2 (en) | 2007-04-09 | 2015-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
| US9449868B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacutring Company, Ltd. | Methods of forming semiconductor diodes by aspect ratio trapping with coalesced films |
| US9231073B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-01-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
| US9543472B2 (en) | 2007-04-09 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
| US9508890B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaics on silicon |
| US10680126B2 (en) | 2007-04-09 | 2020-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaics on silicon |
| US9853118B2 (en) | 2007-04-09 | 2017-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
| US9853176B2 (en) | 2007-04-09 | 2017-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
| US9780190B2 (en) | 2007-06-15 | 2017-10-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
| US10002981B2 (en) | 2007-09-07 | 2018-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-junction solar cells |
| US8519437B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-08-27 | Cree, Inc. | Polarization doping in nitride based diodes |
| US9012937B2 (en) | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
| US8330174B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-12-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED having current spreading layer |
| WO2009067983A1 (de) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Led mit stromaufweitungsschicht |
| US10961639B2 (en) | 2008-06-03 | 2021-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
| US9365949B2 (en) | 2008-06-03 | 2016-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
| US9640395B2 (en) | 2008-07-01 | 2017-05-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
| US9356103B2 (en) | 2008-07-01 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
| US8994070B2 (en) | 2008-07-01 | 2015-03-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
| US9607846B2 (en) | 2008-07-15 | 2017-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
| US9287128B2 (en) | 2008-07-15 | 2016-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
| US8981427B2 (en) | 2008-07-15 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
| US9934967B2 (en) | 2008-09-19 | 2018-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Formation of devices by epitaxial layer overgrowth |
| US9984872B2 (en) | 2008-09-19 | 2018-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fabrication and structures of crystalline material |
| US9105549B2 (en) | 2008-09-24 | 2015-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
| US9455299B2 (en) | 2008-09-24 | 2016-09-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
| US9029908B2 (en) | 2009-01-09 | 2015-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
| US9576951B2 (en) | 2009-04-02 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same |
| US9299562B2 (en) | 2009-04-02 | 2016-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same |
| JP2014518451A (ja) * | 2011-08-02 | 2014-07-28 | 株式会社東芝 | 発光装置およびその製造方法 |
| US20140054633A1 (en) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Dong Ha Kim | Light emitting device |
| US9478718B2 (en) * | 2012-08-24 | 2016-10-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2015079844A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体積層体及びそれを用いた発光素子 |
| JP2017220586A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | 国立大学法人 東京大学 | 半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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