JPH11214152A - Organic el element - Google Patents

Organic el element

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JPH11214152A
JPH11214152A JP30629898A JP30629898A JPH11214152A JP H11214152 A JPH11214152 A JP H11214152A JP 30629898 A JP30629898 A JP 30629898A JP 30629898 A JP30629898 A JP 30629898A JP H11214152 A JPH11214152 A JP H11214152A
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JP
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el
organic
sealing
substrate
element
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Application number
JP30629898A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Ebisawa
Hiroyuki Endo
Hideo Kato
Osamu Onizuka
Junichi Shimamura
Koji Yasukawa
秀雄 加藤
浩司 安川
淳一 島村
晃 海老沢
広行 遠藤
理 鬼塚
Original Assignee
Tdk Corp
ティーディーケイ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element which can suppress deterioration over aging as much as possible, can maintain the initial performance for a long time, and has a long service life.
SOLUTION: This organic EL element has a substrate 1, an organic EL structural body 2 accumulated on the substrate 1, a sealing plate 3 arranged on the organic EL structural body 2 across a predetermined clearance, and adhesive for sealing 5 which fixes the sealing plate 3 on the substrate 1 and seals the organic EL structural body 2. The adhesive for sealing 5 is photo- curing adhesive, and 25 μg/g or less of propylene carbonate, 15 μg/g or less of propylene glycol, and 20 μg/g or less of toluene are generated by in terms of benzene among gases generated by heating conditions of 85°C for 60 minutes after light hardening.
COPYRIGHT: (C)1999,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用いた有機EL素子に関し、さらに詳細には、基板上に積層された有機EL構造体を保護するための封止板を固定する接着剤の改良に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an organic EL element using an organic compound, more particularly, the adhesive for fixing the sealing plate for protecting the organic EL structure stacked on a substrate improved on.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、有機EL素子が盛んに研究されている。 In recent years, the organic EL element has been actively studied. これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミン(TPD)などのホール輸送材料を蒸着により薄膜とし、さらにアルミキノリノール錯体(Alq 3 )などの蛍光物質を発光層として積層し、さらにMgなどの仕事関数の小さな金属電極(電子注入電極)を形成した基本構成を有する素子で、10V前後の電圧で数100から数10,000cd/m 2ときわめて高い輝度が得られることで注目されている。 This is a thin film by vapor deposition hole transporting materials such as triphenyl diamine (TPD) over the hole injection electrode, and further laminating a fluorescent material such as an aluminum quinolinol complex (Alq 3) as a light emitting layer, further work function such as Mg small by the metal electrode element having a basic structure forming the (electron injection electrode), a very high brightness of several 100 to several 10,000cd / m 2 at 10V before and after voltage is noted by obtained of.

【0003】ところで、有機EL素子は、水分に極めて弱いという問題がある。 [0003] By the way, the organic EL element, there is a problem that extremely vulnerable to moisture. たとえば、水分の影響により、 For example, due to the influence of moisture,
発光層と電極層の間で剥離が生じたり、構成材料が変質してしまったりして、ダークスポットと称する非発光領域が生じたり、発光が維持できなっくなってしまうといった問題が生じている。 Peeling or occur between the light-emitting layer and the electrode layer, and or the material is accidentally altered, non-light-emitting region or caused called dark spot, is a problem emission becomes NACK can be maintained has occurred .

【0004】この問題を解決するための一方法として、 [0004] As one method for solving this problem,
例えば、特開平5−36475号公報、同5−8995 For example, JP-A-5-36475, JP-same 5-8995
9号公報、同7−169567号公報等に記載されているように、有機EL積層構造体部分を被う気密ケース、 9 discloses, as described in the 7-169567 discloses such an airtight case which covers the organic EL laminated structure portion,
封止層等を基板上に密着固定して外部と遮断する技術が知られている。 Technique for blocking the outside and closely fixed a sealing layer or the like on a substrate is known.

【0005】しかし、このような封止層等を設けたとしても、駆動時間の経過に伴い発光輝度が減少したり、ダークスポットが生じたり、これが拡大したりして素子が劣化し、ついには使用不能になってしまうという問題を有していた。 However, even when provided with such a sealing layer, etc., or reduced emission luminance with the passage of driving time, or cause dark spots, which element is degraded by or expanded, finally I had a problem that becomes unavailable.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、経時劣化を極力抑え、初期性能を長期間維持できる長寿命の有機EL素子を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention, minimizing the degradation over time, is to provide an organic EL element having a long lifetime which can long time maintaining the initial performance.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、有機EL The present inventors have SUMMARY OF THE INVENTION The organic EL
素子を劣化させる要因について種々検討した結果、その原因の1つとして、封止用接着剤から生じるガスが有機EL素子の各構造膜と反応し、これにより素子が劣化することを見出し本発明に想到した。 A result of various studies on the degradation factors of the device, as one of the causes, the gas generated from the adhesive sealing react with each structure film of an organic EL element, thereby heading present invention that devices may deteriorate It was conceived.

【0008】すなわち、上記目的は以下の構成により達成される。 Namely, the above-described object can be attained by the following constitution. (1) 基板と、この基板上に積層された有機EL構造体と、この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される封止板と、この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、 (1) a substrate, an organic EL structure stacked on the substrate, a sealing plate disposed at a predetermined gap on the organic EL structure to secure the sealing plate onto the substrate and a sealing adhesive for sealing the organic EL structure with,
前記封止用接着剤は、光硬化型の接着剤であって、光硬化後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスのうち、ベンゼン換算で、 プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、 プロピレングリコール:15μg /g 以下、 トルエン:20μg /g 以下 である有機EL素子。 The sealing adhesive is a photocurable adhesive, 85 ° C. after photocuring, of the gas generated by heating for 60 minutes, benzene conversion, propylene carbonate: 25 [mu] g / g or less, propylene glycol : 15 [mu] g / g or less, toluene: 20 [mu] g / g or less is an organic EL element. (2) 前記ガスは、ヨードベンゼンを1μg /g 以上含有する上記(1)の有機EL素子。 (2) the gas, the organic EL device of (1) containing iodobenzene 1 [mu] g / g or more. (3) 前記接着剤はカチオン重合エポキシUV硬化型接着剤である上記(1)または(2)の有機EL素子。 (3) The organic EL device of the adhesive is a cationic polymerizable epoxy UV curable adhesive (1) or (2). (4) 基板と、この基板上に積層された有機EL構造体と、この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される封止板と、この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、 (4) and the substrate, fixing the organic EL structure stacked on the substrate, a sealing plate disposed at a predetermined gap on the organic EL structure, the sealing plate on the substrate and a sealing adhesive for sealing the organic EL structure with,
前記封止用接着剤は光硬化型の接着剤であって、光硬化後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスのうち、置換されていてもよい低分子の直鎖状脂肪族炭化水素、置換されていてもよい芳香族炭化水素、置換されていてもよい脂環式炭化水素、置換されていてもよい複素環化合物およびシロキサンの総計が、ベンゼン換算で2 The sealing adhesive is a photocurable adhesive, 85 ° C. after photocuring, of the gas generated by heating for 60 minutes, linear aliphatic optionally substituted low-molecular hydrocarbons hydrogen, optionally substituted aromatic hydrocarbons, optionally substituted alicyclic hydrocarbons, total optionally substituted heterocyclic compounds and siloxanes, 2 benzene terms
00μg /g 以下であり、前記発生するガスのうち、ベンゼン換算で、プロピレンカーボネート:25μg /g 00μg / g or less, of the generated gas, benzene conversion, propylene carbonate: 25 [mu] g / g
以下、プロピレングリコール:15μg /g 以下、トルエン:20μg /g 以下である有機EL素子。 Hereinafter, propylene glycol: 15 [mu] g / g or less, toluene: 20 [mu] g / g or less is an organic EL element. (5) 前記ガスは、ヨードベンゼンを1μg /g 以上含有する上記(4)の有機EL素子。 (5) the gas is organic EL element of the above (4) containing iodobenzene 1 [mu] g / g or more. (6) 前記接着剤はカチオン重合エポキシUV硬化型接着剤である上記(4)または(5)の有機EL素子。 (6) The organic EL device of the adhesive is a cationic polymerizable epoxy UV curable adhesive (4) or (5).

【0009】 [0009]

【発明の実施の形態】本発明の有機EL素子は、基板と、この基板上に積層された有機EL構造体と、この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される封止板と、この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL The organic EL device of the present invention DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION, substrate and an organic EL structure stacked on the substrate, a sealing plate which is arranged at a predetermined gap on the organic EL structure When the organic EL together with fixing the sealing plate onto the substrate
構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、前記封止用接着剤は光硬化型の接着剤であって、光硬化後に85℃、 And a sealing adhesive for sealing the structure, the sealing adhesive is a photocurable adhesive, 85 ° C. after photocuring,
60分の加熱条件により発生するガスのうち、ベンゼン換算で、プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、 Of the gas generated by the 60 minutes of heating conditions, benzene conversion, propylene carbonate: 25 [mu] g / g or less,
プロピレングリコール:15μg /g 以下、トルエン: Propylene glycol: 15 [mu] g / g or less, toluene:
20μg /g 以下である。 It is less than or equal to 20μg / g.

【0010】また、これに加えて、置換されていてもよい低分子の直鎖状脂肪族炭化水素、置換されていてもよい芳香族炭化水素、置換されていてもよい脂環式炭化水素、置換されていてもよい複素環化合物およびシロキサンの総計が、ベンゼン換算で200μg /g 以下であることが好ましい。 [0010] In addition to this, a linear aliphatic hydrocarbon of the low molecule may be substituted, an optionally substituted aromatic hydrocarbon, an optionally substituted alicyclic hydrocarbon, total optionally substituted heterocyclic compounds and siloxanes, preferably not more than 200 [mu] g / g in benzene conversion.

【0011】このように封止用接着剤から発生するガス量を所定の値以下に抑えることにより、有機EL構造体がガスに侵され、劣化することを防止できる。 [0011] By suppressing the amount of gas generated in this manner from the sealing adhesive below a predetermined value, it is possible to prevent the organic EL structure is affected by the gas, it deteriorates.

【0012】封止用接着剤から発生するガスとしては、 [0012] As the gas generated from the sealing adhesive,
硬化前と、硬化後に発生するガスに大別されるが、本発明では専ら有機EL素子の劣化に寄与する割合の高い、 Before curing, but is divided into gas generated after curing exclusively high contributing ratio to the deterioration of the organic EL element in the present invention,
硬化後に発生するガスについて問題にする。 To problems with gas produced after curing. 硬化後に発生するガスとしては、使用する樹脂の種類や触媒の種類などにより異なり、特に規制されるものではないが、例えば、プロピレンカーボネート、アセトン、アクロレイン、ジクロロメタン等の低分子の置換基を有していてもよい直鎖状脂肪族炭化水素や、ベンゼン、ヨードベンゼン、ベンズアルデヒド、アセトフェノン、メチルフェニルスルフィド、塩化ベンゾイル等の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素、シクロヘキサノン等の置換基を有していてもよい脂環式炭化水素、γ−ブチロラクトン等の置換基を有していてもよい複素環化合物、環状ジメチルシロキサン等のシロキサンを挙げることができる。 The gas produced after curing, depends on the kind of the resin type and the catalyst used, but not particularly restricted, for example, a propylene carbonate, acetone, acrolein, a substituent of low molecules such as dichloromethane it also and may linear aliphatic hydrocarbon, benzene, iodobenzene, benzaldehyde, acetophenone, methyl phenyl sulfide, an aromatic hydrocarbon which may have a substituent benzoyl chloride, a substituent such as cyclohexanone a alicyclic hydrocarbon, which may have, .gamma.-butyrolactone heterocyclic compound which may have a substituent such as, can be mentioned siloxane and cyclic dimethylsiloxane.
これらのガスは主に重合反応によって生じ、触媒等に由来するものと考えられる。 These gases caused primarily by the polymerization reaction is considered to be originated from the catalyst.

【0013】測定されるガスの量は、試料の単位グラム当たりの測定量として求められる。 The amount of gas to be measured is determined as a measure of the unit per gram of sample. この場合、各種ガスをベンゼン換算で、試料の単位グラム当たりプロピレンカーボネートが25μg /g 以下、好ましくは10μg In this case, the various gases with benzene conversion unit per gram of propylene carbonate sample 25 [mu] g / g or less, preferably 10μg
/g 以下、プロピレングリコールが15μg /g 以下、 / G or less, propylene glycol 15 [mu] g / g or less,
好ましくは8μg /g 以下、トルエン:20μg /g以下、好ましくは10μg /g 以下である接着剤を用いる。 Preferably 8 [mu] g / g or less, toluene: 20 [mu] g / g or less, preferably using an adhesive or less 10 [mu] g / g. これらの下限は、検出限界以下であることが好ましい。 These lower limit is preferably below the detection limit. また、好ましくはこれらのガスにはヨードベンゼンを1μg /g 以上、より好ましくは5〜70μg /g 含有する接着剤であることが好ましい。 Further, preferably iodobenzene 1 [mu] g / g or more in these gases, more preferably an adhesive containing 5~70μg / g. プロピレンカーボネート、プロピレングリコールおよびトルエンが上記範囲を超えると、有機EL素子の各構造膜と反応し、これらを浸食したり、その機能を阻害したりして、ダークスポットを生じる等、素子を劣化させたり、発光特性を劣化させたりする。 Propylene carbonate, the propylene glycol and toluene is more than the above range, they react with each structure film of an organic EL element, or erode them, or by inhibiting its function, such as causing dark spots, to deteriorate the element or, or degrade the emission characteristics. なお、ヨードベンゼンは反応開始剤に由来するものと考えられる。 Incidentally, iodobenzene is considered to be derived from the reaction initiator. また、発生する各ガスのうち、プロピレンカーボネート、プロピレングリコール、 Also, among the gas generated, propylene carbonate, propylene glycol,
トルエン、およびヨードベンゼンのベンゼン換算量が上記範囲であれば上記総量を超えたものであってもよい。 Toluene, and benzene in terms of iodobenzene may be one in which exceeds the total amount within the above range.
特にヨードベンゼンの発生量を加えることにより上記総量を超えても問題はない。 No problem exceed the amount by which particular adding amount of generated iodobenzene.

【0014】また、さらに好ましくは上記ガス成分のうちで、置換されていてもよい低分子の直鎖状脂肪族炭化水素、置換されていてもよい芳香族炭化水素、置換されていてもよい脂環式炭化水素、置換されていてもよい複素環化合物およびシロキサンの総計が、ベンゼン換算とした場合好ましくは200μg /g 以下であり、より好ましくは150μg /g 以下、特に100μg /g 以下である。 Further, more preferably among the above gas components, linear aliphatic hydrocarbon small molecules may be substituted, an optionally substituted aromatic hydrocarbon, an optionally substituted cycloaliphatic cyclic hydrocarbons, total optionally substituted heterocyclic compounds and siloxane, preferably when the benzene conversion at most 200 [mu] g / g, more preferably 150 [mu] g / g or less, or less, especially 100 [mu] g / g. その下限としては特に規制されるものではなく、0μg /g であってもよいが、通常50μg/g 程度である。 Its it is not particularly restricted in a lower limit, but may be 0 Pg / g, usually about 50 [mu] g / g. ここで、ベンゼン換算量とは、定量分析におけるベンゼン換算値、例えば、定量分析において、標準試料として用いたベンゼンの検量線換算により求められる値である。 Here, the benzene equivalent amount, benzene conversion value in quantitative analysis, for example, in the quantitative analysis, a value determined by a calibration curve in terms of benzene used as a standard sample.

【0015】発生したガスを定性、定量する方法としては、特に規制されるものではなく、通常のガスの定性、 [0015] Qualitative gas generated, as a method of quantifying, it is not particularly restricted, normally gaseous qualitative,
定量法を用いればよく、例えばガスクロマトグラフィー等を挙げることができ、特にヘッドスペース・ガスクロマトグラム・質量分析法が好ましい。 May be used to assay, for example, it can be cited gas chromatography, especially the head space gas chromatography-mass spectrometry are preferable. また、発生するガスの加速評価を行うため、本発明では85℃で60分間保持したときに発生したガスの量を測定する。 Further, since the acceleration evaluation of the generated gas, the present invention measures the amount of gas generated when held for 60 minutes at 85 ° C..

【0016】本発明に使用される封止用接着剤としては、光硬化型の接着剤で、各ガスの発生量が上記範囲内であれば特に限定されるものではないが、例えば、エステルアクリレート,ウレタンアクリレート,エポキシアクリレート,メラミンアクリレート,アクリル樹脂アクリレート等の各種アクリレート、ウレタンポリエステル等の樹脂を用いたラジカル系接着剤や、エポキシ、ビニルエーテル等の樹脂を用いたカチオン系接着剤、チオール・エン付加型樹脂系接着剤等が挙げられ、中でも酸素による阻害が無く、光照射後も重合反応が進行するカチオン系接着剤が好ましい。 [0016] As the adhesive for sealing used in the present invention is a light curable adhesive, the occurrence amount of each gas is not limited particularly as long as it is within the above range, for example, acrylates , urethane acrylate, epoxy acrylate, melamine acrylate, various acrylates such as acrylic resin acrylate, a resin and a radical-based adhesive with such as urethane polyesters, epoxy, cationic adhesive using a resin such as vinyl ether, thiol-ene addition type resin adhesive, and among them by oxygen inhibition without cationic adhesive after light irradiation even polymerization reaction proceeds is preferable.

【0017】カチオン系接着剤としては、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤が好ましい。 [0017] As cationic adhesives, ultraviolet-curable epoxy resin adhesives of cation curing type are preferred.
有機EL構造体部分の各有機層構成材料のガラス転移温度は、通常140℃以下、特に80〜100℃程度である。 The glass transition temperature of each organic layer constituent material of the organic EL structure portion is usually 140 ° C. or less, and particularly about 80 to 100 ° C.. 従って、通常の熱硬化型の接着剤を用いると、その硬化温度が140〜180℃程度であるため、その硬化の際に有機EL構造体が軟化してしまい、特性の劣化が生じてしまうという問題がある。 Therefore, the use of conventional thermosetting adhesive, since curing temperature is about 140 to 180 ° C., will be softened organic EL structure upon curing, that deterioration of the characteristics is caused There's a problem. 一方、紫外線硬化型接着剤の場合は、このような有機EL構造体の軟化というような問題は生じないが、現在一般に用いられている紫外線硬化型接着剤はアクリル系であり、その硬化の際にその成分中のアクリルモノマーが揮発し、それが上記有機EL構造体の各構成材料に悪影響を及ぼし、その特性を劣化させるという問題がある。 On the other hand, in the case of UV-curable adhesive it does not cause such a problem as that the softening of the organic EL structure, ultraviolet curable adhesive currently used generally are acrylic, during curing to the acrylic monomer volatilization of the component, it adversely affects the constituent material of the organic EL structure, there is a problem of deteriorating the characteristics thereof. そこで、本発明においては、以上のような問題のない、あるいは極めて少ない接着剤である、上記のカチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を用いることが好ましい。 Therefore, in the present invention, or with no problems as, or very little adhesive, it is preferable to use an ultraviolet-curable epoxy resin adhesives of the above cationic curing type.

【0018】なお、紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤として市販されているものの中には、紫外線加熱硬化併用型のエポキシ樹脂接着剤が含まれる場合があるが、この場合には、ラジカル硬化タイプのアクリル系樹脂と加熱硬化タイプのエポキシ樹脂が混合あるいは変性してある場合が多く、前記のアクリル系樹脂のアクリルモノマーの揮発の問題や熱硬化型エポキシ樹脂の硬化温度の問題が解決しておらず、本発明の有機ELディスプレイに用いる接着剤としては好ましくない。 [0018] Incidentally, in what is commercially available as UV-curable epoxy resin adhesive, there is a case that contains the ultraviolet heat setting type type epoxy resin adhesive, in this case, the radical curable type acrylic If system resin and heat curing type of epoxy resin are mixed and modified many, the acrylic resin of the volatilization of the acrylic monomer problems and thermosetting epoxy resin curing temperature problem is not resolved, It not preferred as an adhesive for use in the organic EL display of the present invention.

【0019】カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤とは、主たる硬化剤として紫外線等の光照射による光分解でルイス酸触媒を放出するルイス酸塩型硬化剤を含み、光照射により発生されたルイス酸が触媒となって主成分であるエポキシ樹脂がカチオン重合型の反応機構により重合し、硬化するタイプの接着剤である。 [0019] The cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive comprises a Lewis acid salt curing agent which releases a Lewis acid catalyst photolysis by light irradiation of ultraviolet rays or the like as a main curing agent, is generated by light irradiation epoxy resin Lewis acid as the main component is a catalyst to polymerize the cationic polymerizable reaction mechanism, an adhesive of the type that cure.

【0020】上記接着剤の主成分たるエポキシ樹脂としては、エポキシ化オレフィン樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。 [0020] as a main component serving epoxy resin of the adhesive, epoxidized olefin resin, alicyclic epoxy resins, and novolac epoxy resins. また、上記硬化剤としては、芳香族ジアゾニウムのルイス酸塩、 Further, as the curing agent, Lewis acid salts of aromatic diazonium,
ジアリルヨードニウムのルイス酸塩、トリアリルスルホニウムのルイス酸塩、トリアリルセレニウムのルイス酸塩等が挙げられる。 Lewis acid salts of diaryliodonium, Lewis acid salts of triarylsulfonium, Lewis acid salts of triallyl selenium and the like. これらのうちでは、ジアリルヨードニウムのルイス酸塩が好ましい。 Of these, Lewis acid salts of diaryliodonium is preferred.

【0021】接着剤の塗布量としては、積層されている有機EL構造体の大きさや有機EL素子で構成されるディスプレイの種類や構造等にもよるが、好ましくは6× [0021] As the coating amount of the adhesive, depending on the type and structure and the like of the formed display in size and organic EL elements of the organic EL structure are stacked, preferably 6 ×
10 -2 〜2×10 -4 g/cm 2 、特に9×10 -3 〜2×1 10 -2 ~2 × 10 -4 g / cm 2, in particular 9 × 10 -3 ~2 × 1
-4 g/cm 2程度が好ましい。 0 -4 g / cm 2 is preferably about. また、接着剤層の厚みとしては、通常封止板の配置位置の高さ、すなわち積層されている有機EL構造体の厚みに、所定の空隙を確保できる厚みとなり、特に規制されるものではないが、通常5×10 5 〜1×10 3 nm、特に2×10 4 〜2×10 The thickness of the adhesive layer, the height of the position of the normal sealing plate, i.e. the thickness of the organic EL structure are stacked, it becomes a thickness capable of ensuring a predetermined gap, but is not specifically restricted but usually 5 × 10 5 ~1 × 10 3 nm, particularly 2 × 10 4 ~2 × 10
3 nm程度である。 It is about 3 nm.

【0022】次に、本発明に用いられる封止用接着剤の評価方法についてより具体的に説明する。 Next, it will be described more specifically evaluation method of sealing adhesive used in the present invention. 本発明では、 In the present invention,
接着剤から発生するガスが有機EL構造体へ影響を与えることを防止するものであり、接着剤の評価方法も、実際に有機ELディスプレイに使用した場合と同一、あるいはこれに近い条件で行うことが好ましい。 Gas generated from the adhesive is intended to prevent the influence to the organic EL structure, the evaluation method of the adhesive is also possible to perform actual same when used in an organic EL display, or in conditions close to It is preferred.

【0023】従って、例えば、基板と封止板に相当するガラス板とを用意し、これの一方に未硬化の接着剤を所定量塗布し、2つのガラス板をすりあわせながら所定の圧力で加圧し、ガラス板間に接着剤の薄層を形成する。 [0023] Thus, for example, to prepare a glass plate corresponding to the substrate and the sealing plate, the uncured adhesive to a predetermined amount applied to one hand, pressurized with a predetermined pressure while Awa sliding two glass plates pressure, to form a thin layer of adhesive to the glass plates.
このとき、有機EL構造体の厚み、および所定の空隙を確保するように所定の大きさのスペーサーを介在させる。 In this case, interposing a predetermined size of the spacer so as to ensure the thickness of the organic EL structure, and a predetermined gap. その後、メタルハライドランプ等の硬化用ランプを用いて、接着剤を硬化させる。 Then, by using the curing lamp such as a metal halide lamp to cure the adhesive. 硬化後、ガラス板同士を剥離して、接着剤を露呈させ、ガラス基板上の接着剤を所定量取りだし、これを正確に秤量した後、分析用バイアル瓶等に入れて測定用試料とし、これから発生するガスを分析すればよい。 After curing, it was peeled off the glass plate together, the adhesive is exposed, the adhesive on the glass substrate was taken out a predetermined amount, after accurately weighing it, placed in analytical vials such as a measurement sample, now the gas generated may be analyzed.

【0024】次に、図を参照しつつ本発明の有機EL素子について説明する。 Next, the organic EL device of the present invention will be described with reference to FIG.

【0025】図1は、本発明の有機EL素子の一構成例を示した概略断面図である。 FIG. 1 is a schematic sectional view showing a configuration example of the organic EL device of the present invention. 図において、本発明の有機EL素子は、基板上1に有機EL構造体2と、この有機EL構造体2の上に所定の空隙を有するように配置される封止板3と、この封止板3の接続部に配置され、封止板3を基板1から所定の距離に維持する粒状、またはファイバー状のスペーサ4と、封止板を固定し、有機EL In the figure, the organic EL device of the present invention, the organic EL structure 2 to substrate 1, a sealing plate 3 which is arranged to have a predetermined gap on the organic EL structure 2, the sealing is disposed at the connection portion of the plate 3, the particulate to maintain the sealing plate 3 from the substrate 1 to a predetermined distance or the fiber-like spacer 4, to secure the sealing plate, the organic EL
構造体を密閉するための封止用接着剤5を有する。 It has an adhesive 5 for sealing for sealing the structure. 図示例のように有機EL素子構造体の上端から封止板の下端面までの距離は、有機EL構造体の高さcに、所定の空隙aをおいた距離となる。 Distance from the top of the organic EL element structure as in the illustrated example to the lower end surface of the sealing plate, the height c of the organic EL structure, the distance at a predetermined gap a.

【0026】次に本発明の有機EL素子を構成する有機EL構造体について説明する。 [0026] Next, the organic EL structure of the organic EL device of the present invention will be described. 本発明の有機EL構造体は、基板上にホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた1種以上の有機層とを有する。 The organic EL structure of the invention has a hole injecting electrode on a substrate, and an electron injection electrode, and at least one organic layer disposed between the electrodes.
有機層は、それぞれ少なくとも1層のホール輸送層および発光層を有し、その上に電子注入電極を有し、さらに最上層として保護電極を設けてもよい。 The organic layer has a hole transporting layer and light emitting layer at least one layer each, an electron injecting electrode thereon, it may be further protected electrode is provided as a top layer. なお、ホール輸送層は省略可能である。 Incidentally, the hole transport layer may be omitted. そして、電子注入電極は、蒸着、スパッタ法等、好ましくはスパッタ法で成膜される仕事関数の小さい金属、化合物または合金で構成される。 Then, an electron injection electrode, evaporation, sputtering method or the like, and preferably a metal having a low work function is formed by sputtering, compound or alloy.

【0027】ホール注入電極としては、通常、基板側から発光した光を取り出す構造であるため、透明な電極が好ましく、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO [0027] As the hole injecting electrode, usually, since a structure in which emitted light is taken out from the substrate side, preferably a transparent electrode, ITO (tin-doped indium oxide), IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO 2 、I (Zinc-doped indium oxide), ZnO, SnO 2, I
23等が挙げられるが、好ましくはITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)が好ましい。 n 2 is O 3 and the like, preferably ITO (tin-doped indium oxide), IZO (zinc-doped indium oxide) are preferred. In 23に対しSnO 2の混合比は、1〜20wt%が好ましく、さらには5〜12wt%が好ましい。 The mixing ratio of SnO 2 with respect to In 2 O 3 is preferably 1 to 20 wt%, more preferably 5~12wt%. In 23に対しZnOの混合比は、1〜2 The mixing ratio of ZnO with respect to In 2 O 3, 1~2
0wt%が好ましく、さらには5〜12wt%、あるいは特に12〜32wt%が好ましい。 Preferably 0 wt%, more 5~12wt%, or particularly 12 to 32 wt% is preferred. その他にSn、Ti、P Other Sn, Ti, P
b等が酸化物の形で、酸化物換算にして1wt%以下含まれていてもよい。 In the form of b such oxide may contain less 1 wt% in the terms of oxide.

【0028】ホール注入電極は蒸着法等によっても形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成することが好ましい。 [0028] Although the hole injecting electrode may be formed by vapor deposition or the like, it preferably formed by sputtering. ITO、IZO電極の形成にスパッタ法を用いる場合、好ましくはIn 23にSnO 2やZnOをドープしたターゲットを用いる。 ITO, the case of using a sputtering method in the formation of the IZO electrode, preferably using a target doped with SnO 2 and ZnO in In 2 O 3. スパッタ法によりIT IT by sputtering
O透明電極を成膜した場合、蒸着により成膜したものより発光輝度の経時変化が少ない。 When depositing the O transparent electrode is less change with time of the emission luminance than that formed by vapor deposition. スパッタ法としてはD D as a sputtering method
Cスパッタが好ましく、その投入電力としては、好ましくは0.1〜10W/cm 2 、特に0.2〜5W/cm 2の範囲である。 C sputtering is preferable. As the input power is preferably 0.1 to 10 / cm 2, particularly from 0.2~5W / cm 2. また、成膜レートは2〜100nm/min 、特に5〜50nm/min の範囲が好ましい。 Further, the deposition rate is 2 to 100 nm / min, in particular in the range of 5 to 50 nm / min is preferred.

【0029】スパッタガスとしては特に限定するものではなく、Ar、He、Ne、Kr、Xe等の不活性ガス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。 [0029] not particularly limited as the sputtering gas, Ar, the He, Ne, Kr, inert gas such as Xe or may be used a mixture of these gases. このようなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、 The pressure during sputtering of such a sputtering gas,
通常0.1〜20Pa程度でよい。 Normal may be about 0.1~20Pa.

【0030】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、通常5〜50 The thickness of the hole injecting electrode may if it has a certain level of thickness that enables sufficient hole injection, usually 5 to 50
0nm、特に10〜300nmの範囲が好ましい。 0 nm, in particular in the range of 10~300nm it is preferred.

【0031】成膜される電子注入電極の構成材料としては、電子注入を効果的に行う低仕事関数の物質が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、Ce、C Examples of the constituent material of the formed are an electron injection electrode, preferably material having a low work function of performing electron injection efficiently, for example, K, Li, Na, Mg, La, Ce, C
a、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn、Z a, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Zn, Z
r、Cs、Er、Eu、Ga、Hf、Nd、Rb、S r, Cs, Er, Eu, Ga, Hf, Nd, Rb, S
c、Sm、Ta、Y、Yb等の金属元素単体、あるいは、BaO、BaS、CaO、HfC、LaB 6 、Mg c, Sm, Ta, Y, a single metal element such as Yb or,, BaO, BaS, CaO, HfC, LaB 6, Mg
O、MoC、NbC、PbS、SrO、TaC、Th O, MoC, NbC, PbS, SrO, TaC, Th
C、ThO 2 、ThS、TiC、TiN、UC、UN、 C, ThO 2, ThS, TiC , TiN, UC, UN,
UO 2 、W 2 C、Y 23 、ZrC、ZrN、ZrO 2等の化合物を用いると良い。 UO 2, W 2 C, Y 2 O 3, ZrC, ZrN, preferably used compounds such as ZrO 2. または安定性を向上させるためには、金属元素を含む2成分、3成分の合金系を用いることが好ましい。 Or to improve the stability, two-component containing a metal element, it is preferable to use an alloy system of the three components. 合金系としては、例えばAgMg(A As an alloy-based, for example, AgMg (A
g:1〜20at%)、Al・Ca(Ca:0.01〜2 g: 1~20at%), Al · Ca (Ca: 0.01~2
0at%、特に5〜20at%)、Al・In(In:1〜 0 atomic%, particularly 5~20at%), Al · In (In: 1~
10at%)、Al・Li(Li:0.1〜20at%未満、特に0.3〜14at%)、Al・R〔RはY,Sc 10at%), Al · Li (Li: less than 0.1~20at%, particularly 0.3~14at%), Al · R [R is Y, Sc
を含む希土類元素を表す〕等のアルミニウム系合金やI Aluminum-based alloy or I,] and the like represents a rare earth element including
n・Mg(Mg:50〜80at%)等が好ましい。 n · Mg (Mg: 50~80at%), and the like are preferable. これらの中でも、特にAl単体やAl・Li(Li:0.4 Among them, Al alone and Al · Li (Li: 0.4
〜6.5(ただし6.5を含まず)at%)または(L 6.5 (but not including 6.5) at%) or (L
i:6.5〜14at%)または(Li:0.01〜12 i: 6.5~14at%) or (Li: 0.01~12
at%)、Al・R(R:0.1〜25、特に0.5〜2 at%), Al · R (R: 0.1~25, especially 0.5 to 2
0at%)等のアルミニウム系合金が圧縮応力が発生しにくく好ましい。 0 atomic%) of aluminum alloy is preferably compressive stress is less likely to occur, such as. したがって、スパッタターゲットとしては、通常このような電子注入電極構成金属、合金を用いる。 Thus, as the sputtering target, usually using such electron injecting electrode constituent metal, alloy. これらの仕事関数は4.5eV以下であり、特に仕事関数が4.0eV以下の金属、合金が好ましい。 These work function no greater than 4.5 eV, particularly a work function less metal 4.0 eV, alloy.

【0032】電子注入電極の成膜にスパッタ法を用いることにより、成膜された電子注入電極膜は、蒸着の場合と比較して、スパッタされる原子や原子団が比較的高い運動エネルギーを有するため、表面マイグレーション効果が働き、有機層界面での密着性が向上する。 [0032] By using the sputtering deposition of the electron injecting electrode, an electron injecting electrode film formed, compared with the case of vapor deposition, atomic or atomic groups to be sputtered have a relatively high kinetic energy Therefore, work surface migration effect, improves the adhesion of the organic layer interface. また、プレスパッタを行うことで、真空中で表面酸化物層を除去したり、逆スパッタにより有機層界面に吸着した水分や酸素を除去できるので、クリーンな電極−有機層界面や電極を形成でき、その結果、高品位で安定した有機EL Further, by performing the pre-sputtering, or removing the surface oxide layer in a vacuum, it is possible to remove moisture and oxygen adsorbed on the organic layer interface by reverse sputtering, clean the electrode - it can form an organic layer interface or electrode As a result, stable organic EL with a high-quality
ディスプレイができる。 Display can be. ターゲットとしては前記組成範囲の合金や、金属単独でも良く、これらに加えて添加成分のターゲットを用いても良い。 As a target, an alloy having the above composition range, the metal alone may be using a target additive components in addition to these. さらに、蒸気圧の大きく異なる材料の混合物をターゲットとして用いても、生成する膜とターゲットとの組成のズレは少なく、蒸着法のように蒸気圧等による使用材料の制限もない。 Furthermore, even with a mixture of very different materials in vapor pressure as a target, deviation of the composition of the resulting film and the target is small, there is no limit of the material used by the steam pressure and the like as a vapor deposition method. また、 Also,
蒸着法に比較して材料を長時間供給する必要がなく、膜厚や膜質の均一性に優れ、生産性の点で有利である。 Long it is not necessary to supply the material as compared to the deposition, excellent uniformity of the film thickness and film quality, which is advantageous in terms of productivity.

【0033】スパッタ法により形成された電子注入電極は緻密な膜なので、粗な蒸着膜に比較して膜中への水分の進入が非常に少なく、化学的安定性が高く、長寿命の有機EL素子が得られる。 [0033] Since the sputtering electron injection electrode formed in a dense film by, very little ingress of moisture into coarse deposited film compared to the film, it has high chemical stability, organic EL long life element can be obtained.

【0034】スパッタ時のスパッタガスの圧力は、好ましくは0.1〜5Paの範囲が好ましく、この範囲でスパッタガスの圧力を調節することにより、前記範囲のLi The pressure of the gas in sputtering is preferably preferably in the range of 0.1 to 5 Pa, by adjusting the pressure of the sputtering gas in this range, Li said range
濃度のAlLi合金を容易に得ることができる。 It can be easily obtained AlLi alloy concentration. また、 Also,
成膜中にスパッタガスの圧力を、前記範囲内で変化させることにより、上記Li濃度勾配を有する電子注入電極を容易に得ることができる。 The pressure of the sputtering gas during deposition, by varying within the range, it is possible to easily obtain the electron injection electrode having the Li concentration gradient.

【0035】スパッタガスは、通常のスパッタ装置に使用される不活性ガスや、反応性スパッタではこれに加えてN 2 、H 2 、O 2 、C 24 、NH 3等の反応性ガスが使用可能である。 The sputtering gas, and the inert gas used in conventional sputtering apparatus, in addition to the reactive sputtering N 2, H 2, O 2 , C 2 H 4, NH 3 reactive gas or the like it is possible to use.

【0036】スパッタ法としてはRF電源を用いた高周波スパッタ法等も可能であるが、成膜レートの制御が容易であり、有機EL構造体へのダメージを少なくするためにはDCスパッタ法を用いることが好ましい。 [0036] As the sputtering method is also possible RF sputtering method using an RF power source, it is easy to control the deposition rate, using a DC sputtering method in order to reduce damage to the organic EL structure it is preferable. DCスパッタ装置の電力としては、好ましくは0.1〜10W The power of the DC sputtering apparatus, preferably 0.1~10W
/cm 2 、特に0.5〜7W/cm 2の範囲である。 / Cm 2, in particular from 0.5~7W / cm 2. また、成膜レートは5〜100nm/min 、特に10〜50nm/mi In addition, the deposition rate is 5~100nm / min, especially 10~50nm / mi
n の範囲が好ましい。 The range of n is preferable.

【0037】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十分行える一定以上の厚さとすれば良く、1nm以上、好ましくは3nm以上とすればよい。 The thickness of the electron injection electrode thin film may be a certain level of thickness that enables sufficient electron injection, 1 nm or more, and preferably at least 3 nm. また、その上限値には特に制限はないが、通常膜厚は3〜500nm程度とすればよい。 No particular limitation is imposed on the upper limit, usually the film thickness may be about 3 to 500 nm.

【0038】本発明の有機EL素子(ディスプレイ) [0038] The organic EL device of the present invention (display)
は、電子注入電極の上、つまり有機層と反対側には保護電極を設けてもよい。 Is on the electron injection electrode, that is, on the side opposite to the organic layer may be a protective electrode. 保護電極を設けることにより、電子注入電極が外気や水分等から保護され、構成薄膜の劣化が防止され、電子注入効率が安定し、素子寿命が飛躍的に向上する。 By providing the protective electrode, which protects the electron injection electrode from the outside air, moisture, and the like, it is prevented deterioration of the component layer is an electron injection efficiency is stabilized, device life is dramatically improved. また、この保護電極は、非常に低抵抗であり、電子注入電極の抵抗が高い場合には配線電極としての機能も有する。 Further, the protective electrode is very low resistance, when the resistance of the electron injection electrode is high also functions as the wiring electrode. この保護電極は、Al、Alおよび遷移金属(ただしTiを除く)、Tiまたは窒化チタン(TiN)のいずれか1種または2種以上を含有し、これらを単独で用いた場合、それぞれ保護電極中に少なくとも、Al:90〜100at%、Ti:90〜100at The protective electrode (but excluding Ti) Al, Al and transition metals, and containing one or two or more either Ti or titanium nitride (TiN), when using these alone, respectively protective electrode in at least, Al: 90~100at%, Ti: 90~100at
%、TiN:90〜100 mol%程度含有されていることが好ましい。 %, TiN: it is preferably contained about 90 to 100 mol%. また、2種以上用いるときの混合比は任意であるが、AlとTiの混合では、Tiの含有量は1 Although the mixing ratio is arbitrary when using two or more, the mixing of the Al and Ti, the Ti content 1
0at%以下が好ましい。 0at% or less is preferable. また、これらを単独で含有する層を積層してもよい。 It may be laminated a layer containing them alone. 特にAl、Alおよび遷移金属は、後述の配線電極として用いた場合、良好な効果が得られ、TiNは耐腐食性が高く、封止膜としての効果が大きい。 In particular Al, Al and transition metals, when used as a wiring electrode described later, a good effect is obtained, TiN has a high corrosion resistance, a large effect as a sealing film. TiNは、その化学量論組成から10%程度偏倚していてもよい。 TiN may deviate by about 10% from its stoichiometric composition. さらに、Alおよび遷移金属の合金は、遷移金属、特にSc,Nb,Zr,Hf,Nd,T Further, an alloy of Al and transition metals, transition metals, in particular Sc, Nb, Zr, Hf, Nd, T
a,Cu,Si,Cr,Mo,Mn,Ni,Pd,Pt a, Cu, Si, Cr, Mo, Mn, Ni, Pd, Pt
およびW等を、好ましくはこれらの総計が10at%以下、特に5at%以下、特に2at%以下含有していてもよい。 The and W and the like, preferably these totals less 10at%, particularly 5at% or less, may contain particularly less 2at%. 遷移金属の含有量は少ないほど、配線材として機能させた場合の薄膜抵抗は下げられる。 Content of the transition metal is as small, thin resistance when made to function as a wiring material is lowered.

【0039】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するため、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以上、さらに100nm以上、特に100〜1000nmの範囲が好ましい。 [0039] The thickness of the protective electrode is to ensure electron injection efficiency and prevent entrance of moisture, oxygen or organic solvents may be above a certain level of thickness, preferably 50nm or more, further 100nm or more, particularly 100 range of ~1000nm is preferred. 保護電極層が薄すぎると、本発明の効果が得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなってしまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。 When the protective electrode layer is too thin, the effect can not be obtained in the present invention, also becomes low step coverage of the protective electrode layer, the connection to the terminal electrode is not sufficient. 一方、保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大きくなるため、ダークスポットの成長速度が高くなってしまう。 On the other hand, when the protective electrode layer is excessively thick, the stress of the protective electrode layer is large, the growth rate of dark spots becomes high. なお、配線電極として機能させる場合の厚さは、 The thickness of the case to function as a wiring electrode,
電子注入電極の膜厚が薄いために膜抵抗が高く、これを補う場合には、通常100〜500nm 程度、その他の配線電極として機能される場合には100〜300nm程度である。 For the thickness of the electron injecting electrode thin high membrane resistance, if compensate, usually about 100 to 500 nm, in the case where the function as the other wiring electrode is about 100 to 300 nm.

【0040】電子注入電極と保護電極とを併せた全体の厚さとしては、特に制限はないが、通常100〜100 [0040] As the whole of the combination of the electron injection electrode and protective electrode thickness is not particularly limited, usually 100 to 100
0nm程度とすればよい。 It may be about 0nm.

【0041】電極成膜後に、前記保護電極に加えて、S [0041] After the electrode film formation, in addition to the protective electrode, S
iO X等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよい。 inorganic materials iO X such as Teflon, a protective film may be formed using an organic material such as fluorocarbon polymers containing chlorine. 保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さは50〜1200nm程度とする。 Protective film may be transparent or opaque, the thickness of the protective layer is about 50 to 1,200 nm. 保護膜は前記した反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法、PECVD法等により形成すればよい。 The protective film other reactive sputtering with the general sputtering method, an evaporation method, may be formed by a PECVD method or the like.

【0042】そして、有機EL構造体の有機層や電極の酸化を防ぐために有機EL構造体上に封止板を配置する。 [0042] Then, placing the sealing plate to the organic EL structure on in order to prevent oxidation of the organic layers and electrodes of the organic EL structure. 封止板は、湿気等の侵入を防ぐために前記の封止用接着材を用いて、ガラス板等の封止板を接着し密封する。 Sealing plate, using the sealing adhesive material in order to prevent the penetration of such moisture, sealed by bonding a sealing plate such as a glass plate. ガラス板以外にも金属板、プラスチック板等を用いることもできる。 Metal plate other than a glass plate, it is also possible to use a plastic plate or the like.

【0043】また、有機EL構造体の厚みと、所定の空隙を確保できるように、接着剤により封止板を固定する際に所定の大きさのスペーサを用いてもよい。 [0043] Further, the thickness of the organic EL structure, so as to ensure a predetermined gap may be used a spacer having a predetermined size when fixing the sealing plate with an adhesive. このようなスペーサーとしては、上記のような接着剤の膜厚に対応したものであればよく、その大きさとしては、好ましくは円換算の直径が、1000〜20000nm、特に1 Such spacers, as long as it corresponds to the thickness of the adhesive as described above, as its size, the diameter of the preferably circular terms, 1000~20000Nm, especially 1
500〜8000nm程度のものが好ましい。 Of about 500~8000nm is preferable. また、その材質としては、好ましくはガラス、ジビニルベンゼン系等の樹脂等を挙げることができる。 As the material thereof, preferably may be mentioned glass, resin divinylbenzene, etc. and the like. 粒状またはファイバー状のスペーサーは、接着剤の層中に、0.01〜30 Granular or fibrous spacer in a layer of the adhesive, 0.01 to 30
wt%、好ましくは0.1〜5wt%程度含有される。 wt%, preferably it contained about 0.1-5 wt%.

【0044】接着剤により密閉される有機EL素子(ディスプレイ)内部には、好ましくは、He、N 2 、Ar [0044] Inside the organic EL element is sealed by the adhesive (display), preferably, the He, N 2, Ar
等の不活性ガスが充填される。 The inert gas is filled and the like. また、この気密空間内の不活性ガスの水分含有量は、100ppm 以下、好ましくは10ppm 以下、特に好ましくは、1ppm 以下であることが望ましい。 The water content of the inert gas in the airtight space, 100 ppm or less, preferably 10ppm or less, particularly preferably, it is desirable that the 1ppm or less. この水分含有量に特に下限値はないが、 There is no particular lower limit to the moisture content,
通常0.1ppm 程度である。 It is usually about 0.1ppm.

【0045】次に、本発明のEL素子(ディスプレイ) Next, EL element of the present invention (display)
に設けられる有機物層について述べる。 Described organic layer provided. 発光層は、ホール(正孔)および電子の注入機能、それらの輸送機能、 The light-emitting layer, holes and electrons, the injection function, their transport function,
ホールと電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する。 It has a function to create excitons recombining holes and electrons. 発光層には比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。 It is preferable to use a relatively electronically neutral compounds in the light emitting layer.

【0046】ホール注入輸送層は、ホール注入電極からのホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送する機能および電子を妨げる機能を有し、電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げる機能を有するものであり、これらの層は、発光層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。 The hole injecting and transporting layer has functions of facilitating injection of holes from the hole injecting electrode has a function of preventing function and the electron transporting them stably hole, the electron injecting and transporting layer, the electron injection electrode functions of facilitating injection of electrons, has a function to stably transport electrons and function blocking holes, these layers increases and confining holes and electrons injected into the light emitting layer, the recombination zone It is optimized to improve light emission efficiency.

【0047】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法によっても異なるが、通常、5〜500nm程度、特に1 The thickness of the light emitting layer, the thickness of the thickness and the electron injecting and transporting layer of the hole injecting and transporting layer is not particularly limited, it varies depending on forming method, usually, about 5 to 500 nm, especially 1
0〜300nmとすることが好ましい。 It is preferable that the 0~300nm.

【0048】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層の厚さと同程度もしくは1/10〜10倍程度とすればよい。 The thickness of the thickness of the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer, depending on the recombination-emission region of the design may be the thickness of the same order or 1 / 10-10 times the light-emitting layer. ホールもしくは電子の、各々の注入層と輸送層を分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上とするのが好ましい。 When the electron or hole to divide each injection layer and transport layer of the injection layer is 1nm or more and the transporting layer is preferably not less than 1nm. このときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で50 Injection layer of this time, the upper limit of the thickness of the transport layer is generally, 500 nm approximately at injection layer, transport layer 50
0nm程度である。 It is about 0nm. このような膜厚については注入輸送層を2層設けるときも同じである。 It is also the same when two injecting and transporting layers are provided for such thickness.

【0049】本発明の有機EL素子(ディスプレイ)の発光層には発光機能を有する化合物である蛍光性物質を含有させる。 [0049] The light emitting layer of the organic EL device (display) of the present invention contains a fluorescent material that is a compound capable of emitting light. このような蛍光性物質としては、例えば、 Examples of such a fluorescent substance, for example,
特開昭63−264692号公報に開示されているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げられる。 Compounds as disclosed in JP-A 63-264692, for example quinacridone, rubrene, at least one can be cited are selected from compounds such as styryl dyes. また、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12− Further, tris (8-quinolinolato) quinoline derivatives of 8-quinolinol or a derivative thereof, such as aluminum and metal complex dyes as ligands, tetraphenyl butadiene, anthracene, perylene, coronene, and 12
フタロペリノン誘導体等が挙げられる。 Phthaloperinone derivatives, and the like. さらには、特開平8−12600号公報(特願平6−110569号) Further, JP-A 8-12600 Patent Publication (Japanese Patent Application No. Hei 6-110569)
に記載のフェニルアントラセン誘導体、特開平8−12 Phenyl anthracene derivative described in, JP-A-8-12
969号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラアリールエテン誘導体等を用いることができる。 It can be used tetraarylethene derivatives described in 969 JP (Japanese Patent Application No. Hei 6-114456).

【0050】また、それ自体で発光が可能なホスト物質と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントとしての使用が好ましい。 [0050] Further, it is preferable to use in combination with light emission by itself, that can host material, used as a dopant is preferable. このような場合の発光層における化合物の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0. Content 0.01-10 wt% of the compound in the light emitting layer in such a case, further 0.
1〜5wt% であることが好ましい。 It is preferable that the 1~5wt%. ホスト物質と組み合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上する。 By using in combination with the host material, it is possible to change the light emission wavelength of the host material, allowing light emission to be shifted to a longer wavelength and improving the luminous efficiency and stability of the device.

【0051】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が好ましく、さらには8−キノリノールないしその誘導体を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。 [0051] As the host material, preferably quinolinolato complexes, and aluminum complexes containing a ligand of 8-quinolinol or a derivative thereof. このようなアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469 Such aluminum complexes, JP 63-26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073 No. 2, JP-A-3-255190, JP-A 5-7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158 No. 3, JP-A-5-258859, JP-A 6-2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。 It may be mentioned those disclosed in 74 No. like.

【0052】具体的には、まず、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、 [0052] Specifically, first, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, tris (8-quinolinolato) indium,
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ− Tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolato tritium, tris (5-chloro -
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8− 8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ− Quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolato aluminum, tris (5,7-dibromo -
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メタン]、等がある。 8-hydroxy-quinolinolato) aluminum, poly [zinc (II) - bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane], and the like.

【0053】また、8−キノリノールないしその誘導体のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であってもよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル− [0053] Furthermore, 8-quinolinol or may be an aluminum complex having other ligands in addition to their derivatives, as such may, bis (2-methyl -
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III) 8-quinolinolato) (phenolato) aluminum (III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト− , Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho -
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル− Kurezorato) aluminum (III), bis (2-methyl -
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム 8-quinolinolato) (Metakurezorato) aluminum
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト) (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para - Kurezorato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho - phenylphenolato)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II Aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (meta - phenylphenolato) aluminum (II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ− I), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para -
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2− Phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト) Methyl-8-quinolinolato) (2,3-dimethyl phenol Ratn) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,6-dimethyl phenol Ratn) aluminum (III), bis (2-methyl - 8-quinolinolato)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、 (3,4-dimethyl phenol Ratn) aluminum (III),
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8 Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethyl phenol Ratn) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-di -tert- butyl phenolate Ratn) aluminum (III ), bis (2-methyl-8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト) - quinolinolato) (2,6-diphenyl-phenol Ratn) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl - 8-quinolinolato)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I (2,3,6-trimethyl phenol Ratn) aluminum (I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2, II), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I 3,5,6-tetramethyl-phenolate Ratn) aluminum (I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナフトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8 II), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (1-Nafutorato) aluminum (III), bis (2-methyl-8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II - quinolinolato) (2-Nafutorato) aluminum (II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト) I), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、 (Ortho - phenylphenolato) aluminum (III),
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ− Bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (para -
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2, Phenylphenolato) aluminum (III), bis (2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8 4-dimethyl-8-quinolinolato) (meta - phenylphenolato) aluminum (III), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethyl phenol Ratn) aluminum (III), bis (2, 4- dimethyl -8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、 - quinolinolato) (3,5-di -tert- butyl phenolate Ratn) aluminum (III), bis (2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolato) (para - Kurezorato) aluminum (III), bis (2-methyl -4-methoxy-8-quinolinolato) (para - phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) (ortho - Kurezorato) aluminum (III),
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等がある。 Bis (2-methyl-6-trifluoromethyl-8-quinolinolato) (2-Nafutorato) is aluminum (III) and the like.

【0054】このほか、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2− [0054] In addition, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III)-.mu.-oxo - bis (2-
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム Methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル− (III)-.mu.-oxo - bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (4-ethyl -
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) − 2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) -
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4 μ- oxo - bis (4-ethyl-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2-methyl-4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト) - methoxy quinolinolato) aluminum (III)-.mu.-oxo - bis (2-methyl-4-methoxy-quinolinolato)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル− Aluminum (III), bis (5-cyano-2-methyl -
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ− 8-quinolinolato) aluminum (III)-.mu.-oxo -
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ Bis (5-cyano-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (8-2-methyl-5-trifluoromethyl-quinolinolato) aluminum (III) - [mu]
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であってもよい。 - oxo - bis (8-2-methyl-5-trifluoromethyl-quinolinolato) may be an aluminum (III) and the like.

【0055】このほかのホスト物質としては、特開平8 [0055] As the other host materials, JP-8
−12600号公報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296 Phenyl anthracene derivative, JP-A according to -12600 Patent Application (Japanese Patent Application No. Hei 6-110569) 8-1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラアリールエテン誘導体なども好ましい。 Such tetraarylethene derivatives described in 9 JP (Japanese Patent Application No. Hei 6-114456) is also preferred.

【0056】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。 The light emitting layer may also serve as an electron injecting and transporting layer, it is preferable this case to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. これらの蛍光性物質を蒸着すればよい。 These fluorescent materials may be evaporated.

【0057】また、必要に応じて発光層は、少なくとも一種以上のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種以上の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、この混合層中にドーパントを含有させることが好ましい。 [0057] The light-emitting layer, if necessary, it is also preferable to mix layers of at least one or more hole injecting and transporting compound and at least one or more electron injecting and transporting compound, a dopant to the mixed layer it is preferably contained. このような混合層における化合物の含有量は、 The content of the dopant compound in the mixed layer,
0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% とすることが好ましい。 0.01 to 20%, more preferably in a 0.1 to 15%.

【0058】混合層では、キャリアのホッピング伝導パスができるため、各キャリアは極性的に優勢な物質中を移動し、逆の極性のキャリア注入は起こり難くなり、有機化合物がダメージを受け難くなり、素子寿命がのびるという利点があるが、前述のドーパントをこのような混合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移行させることができるとともに、発光強度を高め、かつ素子の安定性を向上させることができる。 [0058] In the mixed layer with a hopping conduction path available for carriers, each carrier migrates in polarity to predominant substance, reverse injection of carriers polarity hardly occur, become the organic compound is not easily damaged, there is an advantage that the device life is extended, but by incorporating such a mixed layer of the aforementioned dopant, it is possible to change the emission wavelength the mix layer itself possesses, it shifts the emission wavelength to a longer wavelength it is possible to increase the emission intensity, and it is possible to improve the stability of the device.

【0059】混合層に用いられるホール注入輸送性化合物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物の中から選択すればよい。 The hole injecting and transporting compound used in the mixed layer and the electron injecting and transporting compound, respectively, may be selected from compounds and compounds for the electron injection transport layer for the hole injecting and transporting layer to be described later. なかでも、ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、 Among them, as the compounds for the injection and transportation of holes, amine derivatives having strong fluorescence,
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。 Triphenyl diamine derivative such as hole transport material, further styrylamine derivative is preferable to use amine derivatives having an aromatic fused ring.

【0060】電子注入輸送性の化合物としては、キノリン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq 3 )を用いることが好ましい。 [0060] As the compounds capable of injecting and transporting electrons include quinoline derivatives, more metal complexes having a ligand of 8-quinolinol or a derivative thereof, it is particularly preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3). また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラアリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。 The aforementioned phenylanthracene derivatives, also to use a tetraarylethene derivatives.

【0061】ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。 [0061] As compounds for the hole injecting and transporting layer, use strong fluorescence amine derivative having, for example, triphenyl diamine derivative which is above hole transport material, further styrylamine derivatives, amine derivatives having an aromatic fused ring preference is.

【0062】この場合の混合比は、それぞれのキャリア移動度とキャリア濃度を考慮する事で決定するが、一般的には、ホール注入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化合物の重量比が、1/99〜99/ [0062] The mixing ratio in this case is determined by considering the respective carrier mobility and carrier concentration, in general, the weight ratio of the compound having the compound / electron injection transport function of the hole injecting and transporting compound but, 1 / 99-99 /
1、さらには10/90〜90/10、特には20/8 1, even 10 / 90-90 / 10, in particular 20/8
0〜80/20程度となるようにすることが好ましい。 It is preferable to be about 0-80 / 20.

【0063】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好ましく、具体的には1〜85nmとすることが好ましく、 [0063] The thickness of the mixed layer, the thickness corresponding to more molecular layers, it is preferred that less than the thickness of the organic compound layer, it is preferred that the 1~85nm specifically,
さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすることが好ましい。 Further 5 to 60 nm, particularly it is preferable that the 5 to 50 nm.

【0064】また、混合層の形成方法としては、異なる蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもできる。 [0064] Further, the mixed layer is formed by co-evaporation where the selected compounds are evaporated from different evaporation sources. If the vapor pressure (evaporation temperature) is approximately equal or very close, are mixed in advance in the same evaporation boat leave, it can also be deposited. 混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ましいが、場合によっては、化合物が島状に存在するものであってもよい。 Mixed layer is preferably Write compounds are uniformly mixed together, in some cases, may be one compound is present in an island shape. 発光層は、一般的には、有機蛍光物質を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散させてコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形成する。 Emitting layer is generally either evaporating an organic fluorescent material or by coating a dispersion thereof in a resin binder, forming the light emitting layer to a predetermined thickness.

【0065】また、ホール注入輸送層には、例えば、特開昭63−295695号公報、特開平2−19169 [0065] Further, the hole injecting and transporting layer, for example, JP 63-295695, JP-A No. 2-19169
4号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234 4 JP, Hei 3-792, JP Hei 5-234
681号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−299174号公報、特開平7−126225号公報、特開平7−126226号公報、特開平8−100 681, JP-A No. 5-239455, JP-A No. 5-299174, JP-A No. 7-126225, JP-A No. 7-126226, JP-A No. 8-100
172号公報、EP0650955A1等に記載されている各種有機化合物を用いることができる。 172 JP, can be used various organic compounds described in EP0650955A1, and the like. 例えば、テトラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミンないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。 Examples are tetraarylbenzidine compounds (triaryldiamine or triphenyl-diamine: TPD), aromatic tertiary amines, hydrazone derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, oxadiazole derivatives having an amino group is the polythiophene . これらの化合物は2種以上を併用してもよく、併用するときは別層にして積層したり、混合したりすればよい。 These compounds may be used in combination of two or more, or stacked as separate layers when used in combination, may be or mixed.

【0066】ホール注入輸送層をホール注入層とホール輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いることができる。 [0066] When the hole injecting and transporting layer laminated divided into a hole injecting layer and the hole transport layer may be selected and used in a proper combination from the compounds for the injection and transportation of holes. このとき、ホール注入電極(ITO等)側からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の層の順に積層することが好ましい。 In this case, it is preferable to laminate the hole injecting electrode (ITO, etc.) side in the order of the layer of a compound having a lower ionization potential. またホール注入電極表面には薄膜性の良好な化合物を用いることが好ましい。 Also the hole injecting electrode surface it is preferable to use a compound having good thin film forming ability. このような積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。 This order of lamination holds for the provision of the hole injecting and transporting layers. このような積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことができる。 With such a stacking order, a driving voltage is reduced, it is possible to prevent the development and growth of dark spots of the current leakage. また、素子化する場合、蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い膜も、均一かつピンホールフリーとすることができるため、ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。 In the case of devices, films as thin as about 1~10nm because of the use of vapor deposition, uniform and it is possible to a pinhole-free, small ionization potential in the hole injection layer, so as to have an absorption in the visible portion be used Do compound, it is possible to prevent a decrease in efficiency due tone change and re-absorption of emission color.
ホール注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着することにより形成することができる。 Hole injection transport layer can be formed by depositing the above compound in the same way as the light emitting layer or the like.

【0067】また、必要に応じて設けられる電子注入輸送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq 3 )等の8−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。 [0067] Further, the electron injecting and transporting layer which is provided if necessary, tris (8-quinolinolato) aluminum quinoline of (Alq 3) 8-quinolinol without derivatives iso such as organic metal complexes having a ligand derivatives, oxadiazole derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, can be used nitro-substituted fluorene derivatives. 電子注入輸送層は発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。 Electron injecting and transporting layer may also serve as a light emitting layer, in such a case it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. 電子注入輸送層の形成は発光層と同様に蒸着等によればよい。 Forming the electron injection transport layer may according to the vapor deposition or the like similarly to the light-emitting layer.

【0068】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることができる。 [0068] When the electron injecting and transporting layer is formed separately as an electron injecting layer and the electron transport layer may be selected and used in a proper combination from the compounds for the electron injection transport layer. このとき、電子注入電極側から電子親和力の値の大きい化合物の順に積層することが好ましい。 In this case, it is preferable to laminate an electron injection electrode side in the order of a compound having a greater electron affinity. このような積層順については電子注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。 The same is true when providing the electron injecting and transporting layers are the order of lamination.

【0069】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。 [0069] The color conversion film including a color filter film, fluorescent material substrate or may control the luminescent color by using the dielectric reflective film.

【0070】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、 [0070] The color filter film used herein may be a color filter as used in liquid crystal displays and the like,
有機ELの発光する光に合わせてカラーフィルターの特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すればよい。 In accordance with the light emission of the organic EL adjust the properties of a color filter may be to optimize the extraction efficiency and color purity.

【0071】また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収するような短波長の外光をカットできるカラーフィルターを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向上する。 [0071] Further, EL device materials and fluorescence conversion layer by using the short wavelength color filter capable of cutting off extraneous light of such light absorption is also improved light resistance and display contrast of the device.

【0072】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用いてカラーフィルターの代わりにしても良い。 [0072] may also be used instead of the color filter of the optical thin film such as a dielectric multilayer film.

【0073】蛍光変換フィルター膜は、EL発光の光を吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させることで、発光色の色変換を行うものであるが、組成としては、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成される。 [0073] fluorescent conversion filter film absorbs light of EL emission, by emitting light from the phosphor in the fluorescent conversion film, but performs a color conversion of light emission colors, as the composition, a binder, fluorescent material is formed from three light-absorbing material.

【0074】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いことが望ましい。 [0074] Fluorescent material used may basically have a high fluorescent quantum yield and desirably exhibits strong absorption in an EL light emission wavelength region. 実際には、レーザー色素などが適しており、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロ等も含む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系化合物等を用いればよい。 In practice is a laser dye suitable, rhodamine compounds, perylene compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds (Sabufutaro etc. including also) naphthalimide compounds, fused ring hydrocarbon compounds, fused heterocyclic compounds, styryl compounds, and coumarin compounds may be used.

【0075】バインダーは基本的に蛍光を消光しないような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。 [0075] The binder may be selected from materials which do not cause extinction of basically fluorescent, those materials which can be finely patterned by photolithography, printing or the like are preferable.
また、ITO、IZOの成膜時にダメージを受けないような材料が好ましい。 In addition, ITO, a material that is not damaged during the formation of the IZO preferred.

【0076】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りない場合に用いるが、必要の無い場合は用いなくても良い。 [0076] the light-absorbing material is used when the light absorption of the fluorescent material is short and may be omitted if not needed. また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しないような材料を選べば良い。 The light absorbing material may also be selected from materials which do not cause extinction of fluorescence of the fluorescent material.

【0077】ホール注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真空蒸着法を用いることが好ましい。 [0077] hole injecting and transporting layer, the formation of the light-emitting layer and the electron injecting and transporting layer, it is preferable to use vacuum evaporation because homogeneous thin films are available. 真空蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.2、好ましくは0.1μm 以下の均質な薄膜が得られる。 By utilizing vacuum evaporation, amorphous or has a crystal grain size of 0.2, preferably obtained following homogeneous thin film 0.1 [mu] m. 結晶粒径が0.2μm を超えていると、不均一な発光となり、 When the grain size is more than 0.2 [mu] m, uneven light emission
素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく低下する。 It will have to increase the driving voltage of the device, also significantly reduced injection efficiency of charges.

【0078】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1 [0078] conditions of vacuum deposition is not particularly limited, 1
-4 Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/ 0 -4 and a degree of vacuum below Pa, the deposition rate 0.01 to 1 /
sec 程度とすることが好ましい。 It is preferable that the order of sec. また、真空中で連続して各層を形成することが好ましい。 Further, it is preferable to form the layers continuously in a vacuum. 真空中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるため、高特性が得られる。 Be formed continuously in a vacuum, since the impurities in the interface between the layers can be prevented from being adsorbed, high characteristics are obtained. また、素子の駆動電圧を低くしたり、ダークスポットの成長・発生を抑えたりすることができる。 Moreover, or can suppress or reduce the driving voltage of the device, the growth and occurrence of dark spots.

【0079】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着することが好ましい。 [0079] In the case of using the vacuum evaporation method for the formation of these layers, if to contain two or more compounds in one layer, it is preferable that co-evaporation with each boat containing compound individually temperature controlled.

【0080】本発明の有機ELディスプレイは、通常、 [0080] The organic EL display of the present invention is, usually,
直流駆動型のEL素子として用いられるが、交流駆動またはパルス駆動とすることもできる。 Used as the EL element of the DC drive type, it may be of the AC or pulse drive type. 印加電圧は、通常、2〜30V 、特に2〜20V 程度とされる。 The applied voltage is generally, 2~30V, in particular is approximately 2~20V.

【0081】実施例 次に実験例、実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。 [0081] EXAMPLE then Experimental Examples, Examples, illustrate the invention in more detail. <実験例1>コーニング社製7059ガラス基板上に、 To <Experimental Example 1> Corning 7059 glass substrate,
紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤として市販されているスリーボンド製の30Y296Dを用い、これを未硬化の状態で100mg塗布した。 Using 30Y296D made of Three Bond commercially available ultraviolet curing type epoxy resin adhesive, and 100mg applied in an uncured state this. さらに封止板として、別のコーニング社製7059ガラスを重ねて、基板同士を摺り合わせながら3kg/cm 2の圧力で加圧し、ガラス基板と封止板間に接着剤の薄層を形成した。 Further as a sealing plate, overlaid another Corning 7059 glass, pressurized with a pressure of 3 kg / cm 2 while aligning sliding the boards to form a thin layer of adhesive to the glass substrate and the sealing plate. このとき、接着剤中には7μm のスペーサを1wt%分散させ、接着剤の膜厚が7μm となるようにした。 At this time, in the adhesive 7 [mu] m of the spacer was 1 wt% dispersion, the film thickness of the adhesive was set to be 7 [mu] m. 次いで、ガラス基板越しに接着剤面に対して、メタルハライドランプを用い積算光量が6000mJとなるようにUV光を照射し、接着剤を硬化させた。 Then, with respect to the adhesive surface to the glass substrate over the integrated quantity of light using a metal halide lamp was irradiated with UV light so that the 6000 mJ, to cure the adhesive. 硬化後、ガラス基板から封止板を剥離して接着面を露呈させ、これから50mg程度を目安にして接着剤をかき取った。 After curing, was peeled off the sealing plate from the glass substrate to expose the adhesive surface was scraped adhesive is a guide about 50mg now. 採取した試料を正確に秤量した後、分析用バイアル瓶中に入れこれをヘッドスペースとして恒温槽中に配置すると共に、試料ガスをガスクロマトグラフへ導入するためのチューブを瓶の口に接続した。 After the collected sample was accurately weighed, as well as placed in a constant temperature bath as headspace it placed in analytical vial was connected to a tube for introducing a sample gas into the gas chromatograph to the mouth of the bottle.

【0082】試料をヘッドスペース・ガスクロマトグラフ・質量分析法(HS−GC−MS法)にて分析した。 [0082] Samples were analyzed by headspace gas chromatography-mass spectrometry (HS-GC-MS method).
分析装置にはヒュ−レット・パッカード社製5970B The analyzer fuse - Let Packard 5970B
を用いた。 It was used. 測定条件としては、ヘッドスペースの恒温槽を85℃で60分間保持し、発生したガスを分析した。 The measurement conditions, the thermostat of the headspace was held 60 minutes at 85 ° C., and analyzed the generated gas.
このとき、バイアル瓶からガスクロマトグラフの試料導入口に至るループ温度を150℃とした。 At this time, the loop temperature reaching the sample inlet of a gas chromatograph from the vial bottle was 0.99 ° C.. ガスクロマトグラフのカラムにはHP−WAX:0.2mm×25m を用い、カラムの温度を40〜230℃(10℃/分)となるようにした。 A column of a gas chromatograph HP-WAX: using 0.2 mm × 25 m, was set to be the temperature of the column 40~230 ℃ (10 ℃ / min). キャリアーガスにはヘリウムガス:1 Helium gas in the carrier gas: 1
3psi (0.5ml/min )を用い、試料導入部のインジェクション温度を250℃、試料のスプリットレシオ: Using 3psi (0.5ml / min), 250 ℃ the injection temperature of the sample inlet, the split ratio of the sample:
50として2%導入するようにした。 It was to introduce 2% as 50. また、質量分析の条件として、マスモニタ:M/Z=35〜550とし、 Further, as a condition of mass spectrometry, Masumonita: the M / Z = 35-550,
ディテクタの温度を280℃とした。 The temperature of the detector was 280 ℃.

【0083】TICの保持時間とマススペクトルから定性分析を行い、標準試料であるベンゼンの検量線換算から定量分析を行った。 [0083] performs a qualitative analysis from the retention time and mass spectrum of the TIC, were quantitatively analyzed on a calibration curve converted benzene which is a standard sample. 得られた結果を表1に示す。 The results obtained are shown in Table 1.

【0084】 [0084]

【表1】 [Table 1]

【0085】表1から明らかなように、本発明の接着剤サンプルは、UV硬化後におけるガス発生量がベンゼン換算で総計118μg /g と少ない値になっている。 [0085] As apparent from Table 1, the adhesive samples of the present invention, the gas generation amount is set to a total 118μg / g and less value with benzene conversion after UV curing.

【0086】<実験例2>実験例1において、比較サンプル用接着剤として、反応開始剤をメタロセン系化合物とした接着剤を用意し、その他は実験例1と同様にして試料を分析した。 [0086] In <Experimental Example 2> Experiment 1, as an adhesive for comparative sample, a reaction initiator prepared adhesive as metallocene compounds, others samples were analyzed in the same manner as in Experimental Example 1. その結果、比較接着剤サンプルは、U As a result, compared adhesive samples, U
V硬化後におけるガス発生量がベンゼン換算で総計21 Gas yield after V curing total benzene conversion 21
7μg /g と極めて多い値になった。 It became a very high value as 7μg / g.

【0087】<実施例1>実験例1で用いた本発明のサンプルを用いて有機EL素子を作製した。 [0087] An organic EL device was fabricated using a sample of the present invention used in <Example 1> Experiment 1.

【0088】ガラス基板上に、ITO透明電極(ホール注入電極)を膜厚85nmで64ドット×7ラインの画素(一画素当たり280×280μm )を構成するよう成膜、パターニングした。 [0088] On a glass substrate was deposited, patterned so as to constitute the ITO transparent electrode (hole injecting electrode) film thickness 85nm with 64 dots × 7 lines of pixels (280 × 280 .mu.m per pixel). 次いで、パターニングされたホール注入電極が形成された基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。 Then, the substrate on which the patterned hole injecting electrode is formed, neutral detergent, ultrasonically cleaned with acetone, ethanol, and dried pulled up from boiling ethanol. 次いで、表面をUV/O 3 Then, the surface UV / O 3
洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、 After washing, it was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus,
槽内を1×10 -4 Pa以下まで減圧した。 Which was evacuated to a vacuum of 1 × 10 -4 Pa or less. 4,4',4” 4,4 ', 4 "
−トリス(−N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)を蒸着速度0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホール注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N' -. Tris (-N-(3- methylphenyl) -N- phenylamino) depositing triphenylamine (m-MTDATA) to a thickness of 40nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec, and a hole injection layer, then with the vacuum kept, N, N '
−ジフェニル−N,N'−m−トリル−4,4'−ジアミノ−1,1'−ビフェニル(以下、TPD)を蒸着速度0.2nm/sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とした。 -. Diphenyl -N, N'-m-tolyl-4,4'-diamino-1,1'-biphenyl (hereinafter, TPD) was deposited to a thickness deposition rate 0.2 nm / sec at 35 nm, the hole transport It was a layer. さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq 3 )を蒸着速度0.2nm/sec.で50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層とした。 Further, the vacuum kept, tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter, Alq 3) was deposited to a thickness deposition rate 0.2 nm / sec. At 50nm to form an electron injection transport and emission layer. 次いで減圧を保ったまま、MgA Then the vacuum kept, MgA
gを共蒸着(2元蒸着)で蒸着速度比Mg:Ag=1: Deposition rate ratio g by co-evaporation (binary vapor deposition) Mg: Ag = 1:
10にて200nmの厚さに成膜し、電子注入電極とした。 10 at deposited to a thickness of 200 nm, and an electron injecting electrode. さらに、減圧を保ったまま、このEL素子基板をスパッタ装置に移し、Alターゲットを用いたDCスパッタ法により、スパッタ圧力0.3PaにてAl保護電極を200nmの厚さに成膜した。 Further, the vacuum kept, transferred to the EL element substrate in a sputtering apparatus, by a DC sputtering method using an Al target, Al was formed into a protective electrode to a thickness of 200nm by sputtering pressure 0.3 Pa. この時スパッタガスにはA A At this time the sputtering gas
rを用い、投入電力は500W、ターゲットの大きさは4インチ径、基板とターゲットの距離は90mmとした。 With r, input power was 500 W, the size of the target 4 inch diameter, the distance between the substrate and the target was set to 90 mm.
最後に、本発明の接着剤と直径7μm のスペーサーを用いて、実験例で用いたガラス材を封止板として接着し、 Finally, using a spacer of adhesive and the diameter 7μm of the present invention, bonding the glass material used in Experimental Example as a sealing plate,
密封した。 Sealed.

【0089】得られた有機EL素子に、大気雰囲気中で直流電圧を印加し、10mA/cm 2の定電流密度で駆動し、初期状態ではダークスポットの発生が認められないことを確認した。 [0089] The obtained organic EL device, a DC voltage was applied in the atmosphere, was driven at a constant current density of 10 mA / cm 2, it was confirmed that the generation of dark spots is not observed in the initial state. 次いで、温度60℃、湿度95%の加速条件下で100時間、および500時間保存した後、 Then, the temperature 60 ° C., after storage for 100 hours, and 500 hours under accelerated conditions of 95% humidity,
同一条件で駆動させ、ダークスポットの発生について評価した。 Is driven under the same conditions, we were evaluated for the occurrence of dark spots.

【0090】本発明のサンプルは100時間保存後では、64×7=448画素中、直径50μm 以下のダークスポットは発見されず、500時間保存後に直径10 [0090] In the post-sample storage 100 hours of the invention, in 64 × 7 = 448 pixels, less dark spots the diameter 50μm is not found, the diameter 10 after storage of 500 hours
0μm以下のダークスポットが1〜5個確認された。 0μm following the dark spot was confirmed 1-5.

【0091】<比較例1>実施例1において、接着剤を実験例2で用いた比較用サンプルとした他は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。 [0091] In <Comparative Example 1> Example 1, except that the comparative samples using adhesive in Experimental Example 2 to obtain an organic EL device in the same manner as in Example 1. 得られた有機EL素子について実施例1と同様にして評価したところ、100 The obtained organic EL device was evaluated in the same manner as in Example 1, 100
時間保存後では、直径50μm 以下のダークスポットは発見されず、500時間保存後に直径100μm 以下のダークスポットが10〜15個確認された。 The time after storage, less dark spots the diameter 50μm is not found, the diameter 100μm or less dark spots after storage for 500 hours was observed 10-15.

【0092】<実施例2>実験例1と同様にして紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤として市販されている各サンプル1〜5を評価し、定量分析を行った。 [0092] <Example 2> evaluate each sample 1-5, which is commercially available as an ultraviolet-curable epoxy resin adhesive in the same manner as in Experimental Example 1 was subjected to quantitative analysis. 得られた結果を表2に示す。 The results obtained are shown in Table 2.

【0093】 [0093]

【表2】 [Table 2]

【0094】表2から明らかなように、本発明の接着剤サンプルは、UV硬化後におけるガス発生量がベンゼン換算で、プロピレンカーボネート:30μg /g 以下、 [0094] As is clear from Table 2, the adhesive samples of the present invention, the gas generation amount after UV curing with benzene conversion, propylene carbonate: 30 [mu] g / g or less,
プロピレングリコール:20μg /g 以下、トルエン: Propylene glycol: 20 [mu] g / g or less, toluene:
20μg /g 以下になっている。 20μg / g is equal to or less than.

【0095】ガラス基板上に、ITO透明電極(ホール注入電極)を膜厚85nmで64ドット×7ラインの画素(一画素当たり280×280μm )を構成するよう成膜、パターニングした。 [0095] On a glass substrate was deposited, patterned so as to constitute the ITO transparent electrode (hole injecting electrode) film thickness 85nm with 64 dots × 7 lines of pixels (280 × 280 .mu.m per pixel). 次いで、パターニングされたホール注入電極が形成された基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。 Then, the substrate on which the patterned hole injecting electrode is formed, neutral detergent, ultrasonically cleaned with acetone, ethanol, and dried pulled up from boiling ethanol. 次いで、表面をUV/O 3 Then, the surface UV / O 3
洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、 After washing, it was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus,
槽内を1×10 -4 Pa以下まで減圧した。 Which was evacuated to a vacuum of 1 × 10 -4 Pa or less. 4,4',4” 4,4 ', 4 "
−トリス(−N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)を蒸着速度0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホール注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N' -. Tris (-N-(3- methylphenyl) -N- phenylamino) depositing triphenylamine (m-MTDATA) to a thickness of 40nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec, and a hole injection layer, then with the vacuum kept, N, N '
−ジフェニル−N,N'−m−トリル−4,4'−ジアミノ−1,1'−ビフェニル(以下、TPD)を蒸着速度0.2nm/sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とした。 -. Diphenyl -N, N'-m-tolyl-4,4'-diamino-1,1'-biphenyl (hereinafter, TPD) was deposited to a thickness deposition rate 0.2 nm / sec at 35 nm, the hole transport It was a layer. さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq 3 )を蒸着速度0.2nm/sec.で50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層とした。 Further, the vacuum kept, tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter, Alq 3) was deposited to a thickness deposition rate 0.2 nm / sec. At 50nm to form an electron injection transport and emission layer. 次いで減圧を保ったまま、MgA Then the vacuum kept, MgA
gを共蒸着(2元蒸着)で蒸着速度比Mg:Ag=1: Deposition rate ratio g by co-evaporation (binary vapor deposition) Mg: Ag = 1:
10にて200nmの厚さに成膜し、電子注入電極とした。 10 at deposited to a thickness of 200 nm, and an electron injecting electrode. さらに、減圧を保ったまま、このEL素子基板をスパッタ装置に移し、Alターゲットを用いたDCスパッタ法により、スパッタ圧力0.3PaにてAl保護電極を200nmの厚さに成膜した。 Further, the vacuum kept, transferred to the EL element substrate in a sputtering apparatus, by a DC sputtering method using an Al target, Al was formed into a protective electrode to a thickness of 200nm by sputtering pressure 0.3 Pa. この時スパッタガスにはA A At this time the sputtering gas
rを用い、投入電力は500W、ターゲットの大きさは4インチ径、基板とターゲットの距離は90mmとした。 With r, input power was 500 W, the size of the target 4 inch diameter, the distance between the substrate and the target was set to 90 mm.
最後に、上記各サンプル1〜5の接着剤と直径7μm のスペーサーを用いて、上記と同様なガラス材を封止板として接着し、密封した。 Finally, using a spacer of the adhesive and the diameter 7μm of each sample 1-5 was bonded to the same glass material as a sealing plate and sealed.

【0096】得られた有機ELディスプレイに、大気雰囲気中で直流電圧を印加し、10mA/cm 2の定電流密度で駆動し、初期状態で、85℃1時間の加熱処理を行ったものと、加熱処理を行わないサンプルのダークスポットの発生およびその大きさについて評価した。 [0096] The obtained organic EL display, by applying a DC voltage in the atmosphere, was driven at a constant current density of 10 mA / cm 2, in the initial state, and having been subjected to the heat treatment of 85 ° C. 1 hour, They were evaluated for the occurrence and the magnitude of the dark spots of the sample not heat treatment. 次いで、 Then,
温度60℃、湿度95%の加速条件下で300時間保存した後、同一条件で駆動させ、85℃1時間の加熱処理を行ったものと、加熱処理を行わないサンプルのダークスポットの発生およびその大きさについて評価した。 Temperature 60 ° C., after storage at accelerated conditions of 95% humidity for 300 hours, are driven under the same conditions, and having been subjected to the heat treatment of 85 ° C. 1 hour, generating and dark spots of the sample not heat treatment They were evaluated for size. 結果を表2に示す。 The results are shown in Table 2. なお、ダークスポットは、1素子当り4つの発光面について、最大の径のものを選び出し、これをさらに4素子についての平均にした値で評価した。 Incidentally, dark spots, the four light emitting surface per element, singled out the largest diameter, was evaluated by the value in the average for four more elements it.

【0097】 [0097]

【表3】 [Table 3]

【0098】表3から明らかなように、本発明のサンプルは、初期状態でダークスポットの発生が無く、保存試験後も熱処理をしない場合には発生したダークスポットの径が小さく、許容範囲内であることがわかる。 [0098] As is clear from Table 3, samples of the present invention, without the occurrence of dark spots in the initial state, when after the storage test neither the heat treatment has a small diameter of dark spots that occurred within a tolerance there it can be seen. なお、 It should be noted that,
ダークスポットの径が100μm 以下は許容範囲内である。 Dark diameter spots 100μm or less is acceptable.

【0099】熱処理を行ったサンプルについては、保存試験後のダークスポットの径が大きくなっているが、初期輝度は向上し、輝度の半減期も伸びていることが確認された。 [0099] The samples subjected to heat treatment, although the diameter of dark spots after the storage test is large, the initial brightness is improved, it was confirmed that elongation half-life of luminance. このことから、総合的な特性を考慮して熱処理を行うか否かを決めることが望ましい。 Therefore, it is desirable to decide whether to perform the heat treatment in consideration of the overall characteristics.

【0100】 [0100]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、経時劣化を極力抑え、初期性能を長期間維持できる長寿命の有機EL素子を提供することができる。 According to the present invention as described above, according to the present invention, minimizing the degradation over time, it is possible to provide an organic EL element having a long lifetime which can long time maintaining the initial performance.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の有機EL素子の具体的な構成例を示した概略断面図である。 1 is a schematic sectional view showing a specific configuration example of the organic EL device of the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板 2 有機EL構造体 3 封止板 4 スペーサ 5 封止用接着剤 1 substrate 2 organic EL structure 3 the seal plate 4 spacer 5 encapsulation adhesive

フロントページの続き (72)発明者 島村 淳一 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 鬼塚 理 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 海老沢 晃 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Of the front page Continued (72) inventor Junichi Shimamura Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo chome 13th No. 1 tee Dikei within Co., Ltd. (72) inventor Makoto Onizuka Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo chome 13th No. 1 tee Dikei within Co., Ltd. (72) inventor Akira Ebisawa Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo chome 13th No. 1 tee Dikei within Co., Ltd.

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 基板と、この基板上に積層された有機E 1. A substrate, a laminated organic E on the substrate
    L構造体と、 この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される封止板と、 この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、 前記封止用接着剤は、光硬化型の接着剤であって、光硬化後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスのうち、ベンゼン換算で、 プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、 プロピレングリコール:15μg /g 以下、 トルエン:20μg /g 以下 である有機EL素子。 And L structure, a sealing plate disposed at a predetermined gap on the organic EL structure, the sealing adhesive for sealing the organic EL structure is fixed to the sealing plate onto the substrate has the door, adhesive for the sealing is a photocurable adhesive, 85 ° C. after photocuring, of the gas generated by heating for 60 minutes, benzene conversion, propylene carbonate: 25 [mu] g / g or less, propylene glycol: 15 [mu] g / g or less, toluene: 20 [mu] g / g or less is an organic EL element.
  2. 【請求項2】 前記ガスは、ヨードベンゼンを1μg / Wherein said gas is a iodobenzene 1 [mu] g /
    g 以上含有する請求項1の有機EL素子。 The organic EL device according to claim 1 containing more than g.
  3. 【請求項3】 前記接着剤はカチオン重合エポキシUV Wherein said adhesive is a cationic polymerization epoxy UV
    硬化型接着剤である請求項1または2の有機EL素子。 A curable adhesive according to claim 1 or 2, organic EL elements.
  4. 【請求項4】 基板と、この基板上に積層された有機E 4. A substrate and, stacked organic E on the substrate
    L構造体と、 この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される封止板と、 この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、 前記封止用接着剤は光硬化型の接着剤であって、光硬化後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスのうち、 置換されていてもよい低分子の直鎖状脂肪族炭化水素、 And L structure, a sealing plate disposed at a predetermined gap on the organic EL structure, the sealing adhesive for sealing the organic EL structure is fixed to the sealing plate onto the substrate has the door, the sealing adhesive is a photocurable adhesive, 85 ° C. after photocuring, of the gas generated by heating for 60 minutes, linear low molecules may be substituted chain aliphatic hydrocarbons,
    置換されていてもよい芳香族炭化水素、置換されていてもよい脂環式炭化水素、置換されていてもよい複素環化合物およびシロキサンの総計が、 ベンゼン換算で200μg /g 以下であり、前記発生するガスのうち、ベンゼン換算で、 プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、 プロピレングリコール:15μg /g 以下、 トルエン:20μg /g 以下 である有機EL素子。 Optionally substituted aromatic hydrocarbon, an optionally substituted alicyclic hydrocarbons, total unsubstituted or heterocyclic compound optionally and siloxane, or less 200 [mu] g / g in benzene conversion, the generation of the gases, with benzene conversion, propylene carbonate: 25 [mu] g / g or less, propylene glycol: 15 [mu] g / g or less, toluene: 20 [mu] g / g or less is an organic EL element.
  5. 【請求項5】 前記ガスは、ヨードベンゼンを1μg / Wherein said gas is a iodobenzene 1 [mu] g /
    g 以上含有する請求項4の有機EL素子。 The organic EL device according to claim 4 containing more than g.
  6. 【請求項6】 前記接着剤はカチオン重合エポキシUV Wherein said adhesive is a cationic polymerization epoxy UV
    硬化型接着剤である請求項4または5の有機EL素子。 The organic EL element according to claim 4 or 5, which is a curable adhesive.
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