JPH11213345A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法及び情報記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法及び情報記録再生装置Info
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- JPH11213345A JPH11213345A JP1099298A JP1099298A JPH11213345A JP H11213345 A JPH11213345 A JP H11213345A JP 1099298 A JP1099298 A JP 1099298A JP 1099298 A JP1099298 A JP 1099298A JP H11213345 A JPH11213345 A JP H11213345A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの再生出力を安定し
て高めるため、高比抵抗で安定して良好な軟磁気特性を
示すソフトバイアス膜を提供する。 【解決手段】磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＭＲセンサー
膜を構成するソフトバイアス膜に、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏの
一種以上から成る合金と、ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｈｆ
Ｏ2，ＴｉＯ2，ＭｇＯ，ＺｒＮ，ＡｌＮ，ＨｆＮ，Ｔｉ
Ｎ，Ｍｇ3Ｎ2の内から選択された一種以上の化合物とか
ら成り、比抵抗ρ、異方性磁界Ｈｋ、磁歪定数λが以下
の値を満足する軟磁性膜を用いる。 ρ≧200μΩ・cm Ｈk≦７ Ｏe −１×10~6≦λ≦×10~6
て高めるため、高比抵抗で安定して良好な軟磁気特性を
示すソフトバイアス膜を提供する。 【解決手段】磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＭＲセンサー
膜を構成するソフトバイアス膜に、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏの
一種以上から成る合金と、ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｈｆ
Ｏ2，ＴｉＯ2，ＭｇＯ，ＺｒＮ，ＡｌＮ，ＨｆＮ，Ｔｉ
Ｎ，Ｍｇ3Ｎ2の内から選択された一種以上の化合物とか
ら成り、比抵抗ρ、異方性磁界Ｈｋ、磁歪定数λが以下
の値を満足する軟磁性膜を用いる。 ρ≧200μΩ・cm Ｈk≦７ Ｏe −１×10~6≦λ≦×10~6
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の情報記録再生装置に関し、特に磁気記録媒体に記録
された信号を磁気抵抗効果を利用して検出する改良型磁
気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法及びこのヘッド
を備えた情報記録再生装置に係る。
等の情報記録再生装置に関し、特に磁気記録媒体に記録
された信号を磁気抵抗効果を利用して検出する改良型磁
気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法及びこのヘッド
を備えた情報記録再生装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘ
ッド）においては、その動作原理から磁気抵抗効果膜
（以下ＭＲ膜）に横バイアス磁界を印加する必要があ
り、その手法の一つとして、ＭＲ膜に隣接してソフトバ
イアス膜（以下ＳＡＬ膜）を配置する構造は、公知であ
る。このＳＡＬ膜はＭＲ膜と磁気的には非磁性膜によっ
て分離されるが、電気的にはＭＲ膜と並列回路を形成す
るので、ＭＲヘッドの再生出力を増大させるためには、
ＳＡＬ膜の電気抵抗をより増大させることが必要不可欠
である。言い替えれば、ＳＡＬ膜自体の比抵抗ρを増大
させるか、または、電気抵抗を増大させるため膜を薄く
しても十分な横バイアス磁界を印加できるよう飽和磁束
密度Ｂｓを増大させる必要がある。つまり、ＳＡＬ膜と
しては、比抵抗ρと飽和磁束密度Ｂｓの積ρ・Ｂｓを増
大させることが望ましい。そこで、この値をＳＡＬ膜の
性能指数と呼ぶ。
ッド）においては、その動作原理から磁気抵抗効果膜
（以下ＭＲ膜）に横バイアス磁界を印加する必要があ
り、その手法の一つとして、ＭＲ膜に隣接してソフトバ
イアス膜（以下ＳＡＬ膜）を配置する構造は、公知であ
る。このＳＡＬ膜はＭＲ膜と磁気的には非磁性膜によっ
て分離されるが、電気的にはＭＲ膜と並列回路を形成す
るので、ＭＲヘッドの再生出力を増大させるためには、
ＳＡＬ膜の電気抵抗をより増大させることが必要不可欠
である。言い替えれば、ＳＡＬ膜自体の比抵抗ρを増大
させるか、または、電気抵抗を増大させるため膜を薄く
しても十分な横バイアス磁界を印加できるよう飽和磁束
密度Ｂｓを増大させる必要がある。つまり、ＳＡＬ膜と
しては、比抵抗ρと飽和磁束密度Ｂｓの積ρ・Ｂｓを増
大させることが望ましい。そこで、この値をＳＡＬ膜の
性能指数と呼ぶ。
【０００３】その他ＳＡＬ膜には、ＭＲ膜に流れる電流
がつくる磁界によって容易に磁化すること、即ち軟磁性
であることが望まれる。言い替えれば、異方性磁界Ｈ
K、磁歪定数λが十分小さいことが必要である。更に、
横バイアス磁界はＭＲヘッドの感度、再生波形の線形性
を決定する重要なパラメーターであることから、ＭＲヘ
ッド製造プロセス中に横バイアス磁界が変動することは
好ましくない。即ち、ＳＡＬ膜の磁気特性はＭＲヘッド
製造プロセス中において変化しないことが必要である。
がつくる磁界によって容易に磁化すること、即ち軟磁性
であることが望まれる。言い替えれば、異方性磁界Ｈ
K、磁歪定数λが十分小さいことが必要である。更に、
横バイアス磁界はＭＲヘッドの感度、再生波形の線形性
を決定する重要なパラメーターであることから、ＭＲヘ
ッド製造プロセス中に横バイアス磁界が変動することは
好ましくない。即ち、ＳＡＬ膜の磁気特性はＭＲヘッド
製造プロセス中において変化しないことが必要である。
【０００４】従来ＳＡＬ膜に関しては、ジャーナル オ
ブ アプライド フィジックス６９巻ページ５６３１〜
５６３３（Ｊ．Ａppl．Ｐhys．６９（１９９１）５６３
１）に開示されるように、Ｎｉ−Ｆｅに第３元素を添加
した合金膜が検討されており、第３元素としてはＮｂ，
Ｚｒ等が適していることが示されている。これらの公知
例ではＳＡＬ膜の性能指数ρ・Ｂｓは、大きいもので高
々６０（μΩ・cm・Ｔ）程度である。
ブ アプライド フィジックス６９巻ページ５６３１〜
５６３３（Ｊ．Ａppl．Ｐhys．６９（１９９１）５６３
１）に開示されるように、Ｎｉ−Ｆｅに第３元素を添加
した合金膜が検討されており、第３元素としてはＮｂ，
Ｚｒ等が適していることが示されている。これらの公知
例ではＳＡＬ膜の性能指数ρ・Ｂｓは、大きいもので高
々６０（μΩ・cm・Ｔ）程度である。
【０００５】また、実開昭６０−１５９５１８号公報に
は、ＳＡＬ膜を非晶質軟磁性膜としたＭＲヘッドが開示
されている。公知のように非晶質膜は比抵抗が大きいの
で、ＭＲヘッドの再生出力の向上が期待される。しか
し、ＳＡＬ膜に非晶質膜を用いると、非晶質状態が本質
的に準安定状態である為、膜の軟磁気特性を安定化する
ことが難しい。非晶質膜の磁気特性は強磁場の印加や温
度の上昇によって変化し易く、ＭＲヘッドの製造プロセ
ス中に磁気特性が変化する場合がある。
は、ＳＡＬ膜を非晶質軟磁性膜としたＭＲヘッドが開示
されている。公知のように非晶質膜は比抵抗が大きいの
で、ＭＲヘッドの再生出力の向上が期待される。しか
し、ＳＡＬ膜に非晶質膜を用いると、非晶質状態が本質
的に準安定状態である為、膜の軟磁気特性を安定化する
ことが難しい。非晶質膜の磁気特性は強磁場の印加や温
度の上昇によって変化し易く、ＭＲヘッドの製造プロセ
ス中に磁気特性が変化する場合がある。
【０００６】更に、特願平０６−０３８０９２号公報に
は、ＳＡＬ膜にＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの一種以上から成る合
金とＺｒＯ2等の化合物から成る軟磁性膜を用いたＭＲ
ヘッドが開示されている。ここで述べられているよう
に、金属中に化合物を添加することによって比抵抗は増
大し、また、その大きさは化合物の添加量にほぼ比例し
て増大する。しかしながら、ＳＡＬ膜を形成する際、通
常のスパッタリング法や蒸着法では、ＳＡＬ膜として良
好な軟磁気特性を示し、熱的に安定な化合物組成範囲で
は、その比抵抗ρは１２０μΩ・cm程度、飽和磁束密度
Ｂｓは０．７Ｔ程度でＳＡＬ膜の性能指数ρ・Ｂｓは８
４（μΩ・cm・Ｔ）程度が限度である。
は、ＳＡＬ膜にＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの一種以上から成る合
金とＺｒＯ2等の化合物から成る軟磁性膜を用いたＭＲ
ヘッドが開示されている。ここで述べられているよう
に、金属中に化合物を添加することによって比抵抗は増
大し、また、その大きさは化合物の添加量にほぼ比例し
て増大する。しかしながら、ＳＡＬ膜を形成する際、通
常のスパッタリング法や蒸着法では、ＳＡＬ膜として良
好な軟磁気特性を示し、熱的に安定な化合物組成範囲で
は、その比抵抗ρは１２０μΩ・cm程度、飽和磁束密度
Ｂｓは０．７Ｔ程度でＳＡＬ膜の性能指数ρ・Ｂｓは８
４（μΩ・cm・Ｔ）程度が限度である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＭＲ
ヘッドのＳＡＬ膜として、製造プロセス中に特性変化を
起こさず、良好な軟磁気特性を示す比抵抗が極めて高い
軟磁性膜の製造方法を提供し、特性変動のない高出力な
ＭＲヘッドを提供することにある。
ヘッドのＳＡＬ膜として、製造プロセス中に特性変化を
起こさず、良好な軟磁気特性を示す比抵抗が極めて高い
軟磁性膜の製造方法を提供し、特性変動のない高出力な
ＭＲヘッドを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した課題
を解決するために、ＳＡＬ膜にＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの一種
以上から成る合金と、ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＨｆＯ2，Ｔ
ｉＯ2，ＭｇＯ，ＺｒＮ，ＡｌＮ，ＨｆＮ，ＴｉＮ，Ｍ
ｇ3Ｎ2の内から選択された一種以上の化合物とから成
り、比抵抗が２００μΩ・cm以上、異方性磁界（以下Ｈ
ｋ）が７０ｅ以下、磁歪定数（以下λ）が１×１０~6以
下を示す軟磁性膜を用い、特性変動のない高出力なＭＲ
ヘッドを実現するものである。また、前述のような良好
な軟磁気特性を示し比抵抗が極めて高いＳＡＬ膜を実現
するためには、ＳＡＬ膜をスパッタリング法により形成
する際、形成しようとする基板に対し、バイアス電位を
印加すればよい。その時のバイアス電位は−５０Ｖより
高く−１０Ｖより低い値であることが望ましい。わずか
なバイアス電位でも膜中に化合物が取り込まれる割合が
増加し、ＳＡＬ膜を高比抵抗化することは可能だが、バ
イアス電位が−１０Ｖより高い値だと、結晶質合金化せ
ず、加熱プロセスにより軟磁気特性が大きく変化するた
め、ＳＡＬ膜としては適さない。逆にバイアス電位が−
５０Ｖより低い値では、スパッタリングガスであるＡｒ
イオンの膜中への取り込み及びミキシングによる磁化の
乱れのため、保持力が増大するといった軟磁気特性の劣
化が顕著となるばかりか、化合物が選択的に逆スパッタ
リングされるという現象が発生し、膜中の化合物組成が
減少、その結果比抵抗が低下する。
を解決するために、ＳＡＬ膜にＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの一種
以上から成る合金と、ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＨｆＯ2，Ｔ
ｉＯ2，ＭｇＯ，ＺｒＮ，ＡｌＮ，ＨｆＮ，ＴｉＮ，Ｍ
ｇ3Ｎ2の内から選択された一種以上の化合物とから成
り、比抵抗が２００μΩ・cm以上、異方性磁界（以下Ｈ
ｋ）が７０ｅ以下、磁歪定数（以下λ）が１×１０~6以
下を示す軟磁性膜を用い、特性変動のない高出力なＭＲ
ヘッドを実現するものである。また、前述のような良好
な軟磁気特性を示し比抵抗が極めて高いＳＡＬ膜を実現
するためには、ＳＡＬ膜をスパッタリング法により形成
する際、形成しようとする基板に対し、バイアス電位を
印加すればよい。その時のバイアス電位は−５０Ｖより
高く−１０Ｖより低い値であることが望ましい。わずか
なバイアス電位でも膜中に化合物が取り込まれる割合が
増加し、ＳＡＬ膜を高比抵抗化することは可能だが、バ
イアス電位が−１０Ｖより高い値だと、結晶質合金化せ
ず、加熱プロセスにより軟磁気特性が大きく変化するた
め、ＳＡＬ膜としては適さない。逆にバイアス電位が−
５０Ｖより低い値では、スパッタリングガスであるＡｒ
イオンの膜中への取り込み及びミキシングによる磁化の
乱れのため、保持力が増大するといった軟磁気特性の劣
化が顕著となるばかりか、化合物が選択的に逆スパッタ
リングされるという現象が発生し、膜中の化合物組成が
減少、その結果比抵抗が低下する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の実施
例を図を用いて説明する。
例を図を用いて説明する。
【００１０】図１、図２は、本実施例のＭＲヘッド素子
を示したものであり、図１は素子部の斜視図、図２は媒
体対向面の素子断面図である。ＡｌＴｉＣからなる基板
８上に下地膜９としてＡｌ2Ｏ3膜、下部磁気シールド膜
１０としてＣｏＮｂＺｒ膜、下部ギャップ膜１１として
Ａｌ2Ｏ3膜を形成し、この上部にＭＲセンサー膜１を形
成するが、このセンサー膜１は後述するように３〜４層
の膜から構成される。次にこのＭＲセンサー膜１を所定
の形状に加工し、磁区制御下地膜５としてＣｒ膜、磁区
制御膜６としてＣｏＣｒＰｔ膜、電極膜７としてＴａ膜
を形成する。更にその上部に上部ギャップ膜１２として
Ａｌ2Ｏ3膜、上部磁気シールド膜１３としてＮｉＦｅを
形成し、続いて記録用の誘導型磁気ヘッド素子であるラ
イトギャップ１４、コイル１５、層間絶縁膜１６、ライ
トコア１７、保護膜１８と順次積層形成する。
を示したものであり、図１は素子部の斜視図、図２は媒
体対向面の素子断面図である。ＡｌＴｉＣからなる基板
８上に下地膜９としてＡｌ2Ｏ3膜、下部磁気シールド膜
１０としてＣｏＮｂＺｒ膜、下部ギャップ膜１１として
Ａｌ2Ｏ3膜を形成し、この上部にＭＲセンサー膜１を形
成するが、このセンサー膜１は後述するように３〜４層
の膜から構成される。次にこのＭＲセンサー膜１を所定
の形状に加工し、磁区制御下地膜５としてＣｒ膜、磁区
制御膜６としてＣｏＣｒＰｔ膜、電極膜７としてＴａ膜
を形成する。更にその上部に上部ギャップ膜１２として
Ａｌ2Ｏ3膜、上部磁気シールド膜１３としてＮｉＦｅを
形成し、続いて記録用の誘導型磁気ヘッド素子であるラ
イトギャップ１４、コイル１５、層間絶縁膜１６、ライ
トコア１７、保護膜１８と順次積層形成する。
【００１１】図３は図２においてＭＲセンサー部を拡大
した断面図である。前述した下部ギャップ膜１１上に形
成されるＭＲセンサー膜１は、ソフトバイアス膜２、磁
気分離膜３、磁気抵抗効果膜４から構成される。ここ
で、ソフトバイアス膜２には１４ｎｍのＮｉＦｅ−Ｚｒ
Ｏ2膜、磁気分離膜３には５ｎｍのＴａ膜、磁気抵抗効
果膜には１５ｎｍのＮｉＦｅ膜を用いた。ソフトバイア
ス膜２は、組成（Ｎｉ81Ｆｅ19）85mol%（ＺｒＯ2）
15mol%のＮｉＦｅ−ＺｒＯ2ターゲットを用い、バイア
ス電位を印加してスパッタリング法により形成した。ス
パッタリングの際のスパッタリングパワーは４００Ｗ、
Ａｒガス圧は０．３ｍＴｏｒｒ、バイアス電位は−３０
Ｖとした。また、基板温度は室温とした。本実施の形態
ではソフトバイアス膜として、Ｎｉ，Ｆｅの合金にＺｒ
Ｏ2を添加したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2を用いたが、これは本
発明の軟磁性膜の代表的なものとして選択したものであ
り、特にこの膜に限定されるものではない。
した断面図である。前述した下部ギャップ膜１１上に形
成されるＭＲセンサー膜１は、ソフトバイアス膜２、磁
気分離膜３、磁気抵抗効果膜４から構成される。ここ
で、ソフトバイアス膜２には１４ｎｍのＮｉＦｅ−Ｚｒ
Ｏ2膜、磁気分離膜３には５ｎｍのＴａ膜、磁気抵抗効
果膜には１５ｎｍのＮｉＦｅ膜を用いた。ソフトバイア
ス膜２は、組成（Ｎｉ81Ｆｅ19）85mol%（ＺｒＯ2）
15mol%のＮｉＦｅ−ＺｒＯ2ターゲットを用い、バイア
ス電位を印加してスパッタリング法により形成した。ス
パッタリングの際のスパッタリングパワーは４００Ｗ、
Ａｒガス圧は０．３ｍＴｏｒｒ、バイアス電位は−３０
Ｖとした。また、基板温度は室温とした。本実施の形態
ではソフトバイアス膜として、Ｎｉ，Ｆｅの合金にＺｒ
Ｏ2を添加したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2を用いたが、これは本
発明の軟磁性膜の代表的なものとして選択したものであ
り、特にこの膜に限定されるものではない。
【００１２】次に本実施例のＭＲヘッドの特性について
述べる。ＭＲヘッドの評価は再生出力で行った。本実施
例のＭＲヘッド並びに比較のために同様な構造でＳＡＬ
膜にＮｉＦｅＮｂ膜（Ｎｂ５％添加）及び通常のスパッ
タリング法によって形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜
（（ＺｒＯ2）１０％添加）を用いたＭＲヘッドの３者
について行った。本実施例のバイアス電位を印加してス
パッタリング法により形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜
は、比抵抗ρが３８０μΩ・cm、飽和磁束密度Ｂｓが約
０．６６Ｔ、ＳＡＬ膜の性能指数ρ・Ｂｓが約２５０
（μΩ・cm・Ｔ）であるのに対し、比較のためのＮｉＦ
ｅＮｂ膜は、比抵抗ρが７０μΩ・cm、飽和磁束密度Ｂ
ｓが約０．６Ｔ、ＳＡＬ膜の性能指数、ρ・Ｂｓは約４
２（μΩ・cm・Ｔ）であり、通常のスパッタリング法に
よって形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜は、比抵抗ρが１
２０μΩ・cm、飽和磁束密度Ｂｓが約０．７Ｔ、ＳＡＬ
膜の性能指数ρ・Ｂｓは約８４（μΩ・cm・Ｔ）であっ
た。ＮｉＦｅＮｂ膜をＳＡＬ膜に用いたＭＲヘッドの再
生出力は約５００μＶ、通常のスパッタリング法によっ
て形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜をＳＡＬ膜に用いたＭ
Ｒヘッドは約６５０μＶであったのに対し、本実施例の
ＭＲヘッドは約２０〜６０％大きい約８００μＶであっ
た。これは、ＮｉＦｅＮｂ膜及び通常のスパッタリング
法によって形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜をＳＡＬ膜に
用いたＭＲヘッドでは、ＳＡＬ膜の電気抵抗が小さいた
め、検出電流がＳＡＬ膜に流れる割合が増加し、即ちＭ
Ｒ膜に流れる検出電流が減少し、読み出される抵抗の変
化が小さくなるためである。ＮｉＦｅＮｂ膜では、添加
するＮｂの量を増加させることによって、比抵抗を高め
ることは可能だが、Ｎｂの添加量を増加させると、飽和
磁束密度が著しく低下するため、横バイアス磁界を適正
化するためには、ＳＡＬ膜の膜厚を極めて厚くしなけれ
ばならない。その結果、ＳＡＬ膜の電気抵抗は、Ｎｂの
添加量を増加させる前より低下してしまうため、Ｎｂの
添加量は５％が限界である。また、通常のスパッタリン
グ法によって形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜でも、添加
するＺｒＯ2量を増加させることによって、比抵抗を高
めることは可能だが、ＺｒＯ2の添加量を増加させると
軟磁気特性が劣化し、バイアス磁界を安定化することが
極めて困難となるので、通常のスパッタリング法ではＺ
ｒＯ2の添加量は１０％が限界である。これに対し、本
発明のＳＡＬ膜では、バイアス電位を印加してスパッタ
リングするため、軟磁気特性を劣化させることなく３０
％程度までＺｒＯ2量を増加させることができる。しか
し、３０％以上では、飽和磁束密度が著しく低下し、軟
磁気特性も劣化するため、ＳＡＬ膜としては適さない。
このようにバイアス電位を印加してスパッタリング法に
より形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜をＳＡＬ膜とした本
実施例のＭＲヘッドでは、ＳＡＬ膜の比抵抗が極めて高
いため、非常に大きな再生出力が得られる。
述べる。ＭＲヘッドの評価は再生出力で行った。本実施
例のＭＲヘッド並びに比較のために同様な構造でＳＡＬ
膜にＮｉＦｅＮｂ膜（Ｎｂ５％添加）及び通常のスパッ
タリング法によって形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜
（（ＺｒＯ2）１０％添加）を用いたＭＲヘッドの３者
について行った。本実施例のバイアス電位を印加してス
パッタリング法により形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜
は、比抵抗ρが３８０μΩ・cm、飽和磁束密度Ｂｓが約
０．６６Ｔ、ＳＡＬ膜の性能指数ρ・Ｂｓが約２５０
（μΩ・cm・Ｔ）であるのに対し、比較のためのＮｉＦ
ｅＮｂ膜は、比抵抗ρが７０μΩ・cm、飽和磁束密度Ｂ
ｓが約０．６Ｔ、ＳＡＬ膜の性能指数、ρ・Ｂｓは約４
２（μΩ・cm・Ｔ）であり、通常のスパッタリング法に
よって形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜は、比抵抗ρが１
２０μΩ・cm、飽和磁束密度Ｂｓが約０．７Ｔ、ＳＡＬ
膜の性能指数ρ・Ｂｓは約８４（μΩ・cm・Ｔ）であっ
た。ＮｉＦｅＮｂ膜をＳＡＬ膜に用いたＭＲヘッドの再
生出力は約５００μＶ、通常のスパッタリング法によっ
て形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜をＳＡＬ膜に用いたＭ
Ｒヘッドは約６５０μＶであったのに対し、本実施例の
ＭＲヘッドは約２０〜６０％大きい約８００μＶであっ
た。これは、ＮｉＦｅＮｂ膜及び通常のスパッタリング
法によって形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜をＳＡＬ膜に
用いたＭＲヘッドでは、ＳＡＬ膜の電気抵抗が小さいた
め、検出電流がＳＡＬ膜に流れる割合が増加し、即ちＭ
Ｒ膜に流れる検出電流が減少し、読み出される抵抗の変
化が小さくなるためである。ＮｉＦｅＮｂ膜では、添加
するＮｂの量を増加させることによって、比抵抗を高め
ることは可能だが、Ｎｂの添加量を増加させると、飽和
磁束密度が著しく低下するため、横バイアス磁界を適正
化するためには、ＳＡＬ膜の膜厚を極めて厚くしなけれ
ばならない。その結果、ＳＡＬ膜の電気抵抗は、Ｎｂの
添加量を増加させる前より低下してしまうため、Ｎｂの
添加量は５％が限界である。また、通常のスパッタリン
グ法によって形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜でも、添加
するＺｒＯ2量を増加させることによって、比抵抗を高
めることは可能だが、ＺｒＯ2の添加量を増加させると
軟磁気特性が劣化し、バイアス磁界を安定化することが
極めて困難となるので、通常のスパッタリング法ではＺ
ｒＯ2の添加量は１０％が限界である。これに対し、本
発明のＳＡＬ膜では、バイアス電位を印加してスパッタ
リングするため、軟磁気特性を劣化させることなく３０
％程度までＺｒＯ2量を増加させることができる。しか
し、３０％以上では、飽和磁束密度が著しく低下し、軟
磁気特性も劣化するため、ＳＡＬ膜としては適さない。
このようにバイアス電位を印加してスパッタリング法に
より形成したＮｉＦｅ−ＺｒＯ2膜をＳＡＬ膜とした本
実施例のＭＲヘッドでは、ＳＡＬ膜の比抵抗が極めて高
いため、非常に大きな再生出力が得られる。
【００１３】次に、本実施例のＭＲヘッドに用いたＮ
ｉ，Ｆｅの合金にＺｒＯ2を添加したＳＡＬ膜におい
て、バイアス電位を変化させた場合の比抵抗及び磁気特
性について述べる。図４〜７はバイアス電位を変化させ
た時のＳＡＬ膜の比抵抗、Ｈｋ、困難軸保持力（以下Ｈ
ｃｈ）及び容易軸保持力（以下Ｈｃｅ）である。バイア
ス電位が−１０Ｖより高い値では、Ｈｃｈが急激に増大
し、ほぼＨｃｅと同等となる。これは、バイアスの掛か
り方が弱いため、ＳＡＬ膜が完全に結晶質合金化しない
ためである。しかし、比抵抗は２５０μΩ・cm程度あ
り、ノンバイアスの膜と比較してかなり高い。これは、
バイアスの印加によってＺｒＯ2組成が増加しているた
めである。バイアス電位が−５０Ｖより低い値では、比
抵抗が急激に低下する。これは、バイアスの掛かり方が
強すぎるため、ＺｒＯ2が選択的に逆スパッタリングさ
れてＺｒＯ2組成が減少するためである。また、Ｈｃ
ｈ，Ｈｃｅ共に増大する傾向にある。これは、スパッタ
リングガスであるＡｒイオンの膜中への取り込みとミキ
シングによる磁化の乱れが原因である。ノンバイアス、
つまりバイアス電位が０Ｖの場合は、比抵抗が１７０μ
Ω・cmとバイアス電位を印加した膜に比べ低い。また、
Ｈｃｈは３０ｅ程度、Ｈｃｅは８０ｅ程度といずれも大
きく、基板面内で異方性分散の大きな膜となる。この
時、５インチφの基板で異方性角度の面内分布幅は２０
°程度である。更に、Ｈｋが１００ｅ程度とバイアス電
位を印加した膜に比べかなり大きい値を示す。Ｈｋが大
きいとＳＡＬ膜の磁化が電流と直交方向に向き難くなる
ため、ＭＲ膜に横バイアスが掛かり難くなる。そのた
め、ＨｋはＭＲ膜のＨｋと同等以下、つまり７０ｅ以下
が望ましい。これに対し、バイアス電位が−５０Ｖより
高く、−１０Ｖより低い値では、比抵抗が２５０μΩ・
cm以上と極めて高く、また、異方性磁界３〜６ Ｏｅ、
困難軸保持力２ Ｏｅ以下、容易軸保持力５〜６ Ｏｅと
良好な軟磁気特性を示し、基板面内での異方性分散も小
さくなる。この時、５インチφの基板で異方性角度の面
内分布幅は５°程度である。尚、これはＮｉ，Ｆｅの合
金にＺｒＯ2を添加したＳＡＬ膜の特性であるが、他の
化合物でも同様な傾向を示すことを確認している。
ｉ，Ｆｅの合金にＺｒＯ2を添加したＳＡＬ膜におい
て、バイアス電位を変化させた場合の比抵抗及び磁気特
性について述べる。図４〜７はバイアス電位を変化させ
た時のＳＡＬ膜の比抵抗、Ｈｋ、困難軸保持力（以下Ｈ
ｃｈ）及び容易軸保持力（以下Ｈｃｅ）である。バイア
ス電位が−１０Ｖより高い値では、Ｈｃｈが急激に増大
し、ほぼＨｃｅと同等となる。これは、バイアスの掛か
り方が弱いため、ＳＡＬ膜が完全に結晶質合金化しない
ためである。しかし、比抵抗は２５０μΩ・cm程度あ
り、ノンバイアスの膜と比較してかなり高い。これは、
バイアスの印加によってＺｒＯ2組成が増加しているた
めである。バイアス電位が−５０Ｖより低い値では、比
抵抗が急激に低下する。これは、バイアスの掛かり方が
強すぎるため、ＺｒＯ2が選択的に逆スパッタリングさ
れてＺｒＯ2組成が減少するためである。また、Ｈｃ
ｈ，Ｈｃｅ共に増大する傾向にある。これは、スパッタ
リングガスであるＡｒイオンの膜中への取り込みとミキ
シングによる磁化の乱れが原因である。ノンバイアス、
つまりバイアス電位が０Ｖの場合は、比抵抗が１７０μ
Ω・cmとバイアス電位を印加した膜に比べ低い。また、
Ｈｃｈは３０ｅ程度、Ｈｃｅは８０ｅ程度といずれも大
きく、基板面内で異方性分散の大きな膜となる。この
時、５インチφの基板で異方性角度の面内分布幅は２０
°程度である。更に、Ｈｋが１００ｅ程度とバイアス電
位を印加した膜に比べかなり大きい値を示す。Ｈｋが大
きいとＳＡＬ膜の磁化が電流と直交方向に向き難くなる
ため、ＭＲ膜に横バイアスが掛かり難くなる。そのた
め、ＨｋはＭＲ膜のＨｋと同等以下、つまり７０ｅ以下
が望ましい。これに対し、バイアス電位が−５０Ｖより
高く、−１０Ｖより低い値では、比抵抗が２５０μΩ・
cm以上と極めて高く、また、異方性磁界３〜６ Ｏｅ、
困難軸保持力２ Ｏｅ以下、容易軸保持力５〜６ Ｏｅと
良好な軟磁気特性を示し、基板面内での異方性分散も小
さくなる。この時、５インチφの基板で異方性角度の面
内分布幅は５°程度である。尚、これはＮｉ，Ｆｅの合
金にＺｒＯ2を添加したＳＡＬ膜の特性であるが、他の
化合物でも同様な傾向を示すことを確認している。
【００１４】尚、前述の実施例に示した本発明の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの特性確認及び装置として特性確認
等は、図８に示すような構成の情報記録再生装置を作製
し確認した。
抗効果型磁気ヘッドの特性確認及び装置として特性確認
等は、図８に示すような構成の情報記録再生装置を作製
し確認した。
【００１５】図８は、本発明による磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを用いた一実施例の情報記録再生装置を示す図で
ある。情報記録再生装置としての磁気ディスク装置に本
発明による磁気ヘッドを適用した概要を示すものであ
る。図示した磁気ディスク装置は、同心円上のトラック
と呼ばれる記録領域にデータを記録するためのディスク
状に形成された記録媒体５０と、本発明による磁気抵抗
効果型素子ヘッドスライダ３０から成り、上記データの
読み取り、書き込みを実行するための磁気抵抗効果型磁
気ヘッド２１と、該磁気抵抗効果型複合磁気ヘッド２１
を支え記録媒体５０上の所定位置に移動させるアクチュ
エータ手段と、磁気抵抗効果型複合磁気ヘッド２１が読
み取り、書き込みするデータの送受信及びアクチュエー
タ手段の移動等を制御する制御手段とを含み構成され
る。
ヘッドを用いた一実施例の情報記録再生装置を示す図で
ある。情報記録再生装置としての磁気ディスク装置に本
発明による磁気ヘッドを適用した概要を示すものであ
る。図示した磁気ディスク装置は、同心円上のトラック
と呼ばれる記録領域にデータを記録するためのディスク
状に形成された記録媒体５０と、本発明による磁気抵抗
効果型素子ヘッドスライダ３０から成り、上記データの
読み取り、書き込みを実行するための磁気抵抗効果型磁
気ヘッド２１と、該磁気抵抗効果型複合磁気ヘッド２１
を支え記録媒体５０上の所定位置に移動させるアクチュ
エータ手段と、磁気抵抗効果型複合磁気ヘッド２１が読
み取り、書き込みするデータの送受信及びアクチュエー
タ手段の移動等を制御する制御手段とを含み構成され
る。
【００１６】さらに、構成と動作について詳説する。少
なくとも一枚の回転可能な記録媒体５０が回転軸１９に
よって支持され、駆動モータ２０によって回転させられ
る。少なくとも一個のヘッドスライダ３０が、記録媒体
５０上に設置され、該ヘッドスライダ３０は、一個以上
設けられ読み取り、書き込みするための磁気抵抗効果型
磁気ヘッド２１を支持している。記録媒体５０が回転す
ると同時に、ヘッドスライダ３０が記録媒体表面を移動
することによって、目的とするデータが記録されている
所定位置へアクセスされる。ヘッドスライダ３０は、ジ
ンバル２２によってアーム２３に取付けられる。ジンバ
ル２２は僅かな弾性力を有し、ヘッドスライダ３０を記
録媒体５０に密着させる。アーム２３は、アクチュエー
タ２４に取付けられる。
なくとも一枚の回転可能な記録媒体５０が回転軸１９に
よって支持され、駆動モータ２０によって回転させられ
る。少なくとも一個のヘッドスライダ３０が、記録媒体
５０上に設置され、該ヘッドスライダ３０は、一個以上
設けられ読み取り、書き込みするための磁気抵抗効果型
磁気ヘッド２１を支持している。記録媒体５０が回転す
ると同時に、ヘッドスライダ３０が記録媒体表面を移動
することによって、目的とするデータが記録されている
所定位置へアクセスされる。ヘッドスライダ３０は、ジ
ンバル２２によってアーム２３に取付けられる。ジンバ
ル２２は僅かな弾性力を有し、ヘッドスライダ３０を記
録媒体５０に密着させる。アーム２３は、アクチュエー
タ２４に取付けられる。
【００１７】図に示すようなアクチュエータ２４として
は、例えばボイスコイルモータ（以下ＶＣＭという）が
ある。ＶＣＭは、固定された磁界中に置かれた移動可能
なコイルからなり、コイルの移動方向及び移動速度等
は、制御手段２５からライン２７を介して与えられる電
気信号によって制御される。従って、本実施例によるア
クチュエータ手段は、例えば、ヘッドスライダ３０とジ
ンバル２２とアーム２３とアクチュエータ２４と、ライ
ン２７とを含み構成される。
は、例えばボイスコイルモータ（以下ＶＣＭという）が
ある。ＶＣＭは、固定された磁界中に置かれた移動可能
なコイルからなり、コイルの移動方向及び移動速度等
は、制御手段２５からライン２７を介して与えられる電
気信号によって制御される。従って、本実施例によるア
クチュエータ手段は、例えば、ヘッドスライダ３０とジ
ンバル２２とアーム２３とアクチュエータ２４と、ライ
ン２７とを含み構成される。
【００１８】磁気ディスク装置の動作中、記録媒体５０
の回転によって、ヘッドスライダ３０と記録媒体表面と
の間に空気流によるエアベアリングが生じ、それがヘッ
ドスライダ３０を記録媒体５０の表面上から浮上させ
る。従って、磁気ディスク装置の動作中、このエアベア
リングは、ジンバル２２の僅かな弾性力とバランスを取
り、ヘッドスライダ３０は記録媒体表面に触れずに、か
つ記録媒体５０と一定の間隔を保って保持する様に維持
される。
の回転によって、ヘッドスライダ３０と記録媒体表面と
の間に空気流によるエアベアリングが生じ、それがヘッ
ドスライダ３０を記録媒体５０の表面上から浮上させ
る。従って、磁気ディスク装置の動作中、このエアベア
リングは、ジンバル２２の僅かな弾性力とバランスを取
り、ヘッドスライダ３０は記録媒体表面に触れずに、か
つ記録媒体５０と一定の間隔を保って保持する様に維持
される。
【００１９】通常、制御手段２５は、ロジック回路、メ
モリ、及びマイクロプロセッサ等から構成される。そし
て、制御手段２５は、各ラインを介して制御信号を送受
信し、磁気ディスク装置の種々の構成手段を制御する。
例えば、モータ２０は、ライン２６を介し伝達されるモ
ータ駆動信号によって制御される。アクチュエータ２４
は、ライン２７を介したヘッド位置制御信号及びシーク
制御信号等によって、その関連する記録媒体５０上の目
的とするデータトラックへ選択されたヘッドスライダ３
０を最適に移動及び位置決めするよう制御される。
モリ、及びマイクロプロセッサ等から構成される。そし
て、制御手段２５は、各ラインを介して制御信号を送受
信し、磁気ディスク装置の種々の構成手段を制御する。
例えば、モータ２０は、ライン２６を介し伝達されるモ
ータ駆動信号によって制御される。アクチュエータ２４
は、ライン２７を介したヘッド位置制御信号及びシーク
制御信号等によって、その関連する記録媒体５０上の目
的とするデータトラックへ選択されたヘッドスライダ３
０を最適に移動及び位置決めするよう制御される。
【００２０】そして、制御手段２５は、磁気抵抗効果型
磁気ヘッド２１が記録媒体５０のデータを読み取り変換
した電気信号を、ライン２８を介して受信し解読する。
また、記録媒体５０にデータとして書き込むための電気
信号を、ライン２８を介して磁気抵抗効果型磁気ヘッド
２１に送信する。即ち、制御手段２５は、磁気抵抗効果
型磁気ヘッド２１が読み取りまたは書き込みする情報
（データ）の送受信を制御している。
磁気ヘッド２１が記録媒体５０のデータを読み取り変換
した電気信号を、ライン２８を介して受信し解読する。
また、記録媒体５０にデータとして書き込むための電気
信号を、ライン２８を介して磁気抵抗効果型磁気ヘッド
２１に送信する。即ち、制御手段２５は、磁気抵抗効果
型磁気ヘッド２１が読み取りまたは書き込みする情報
（データ）の送受信を制御している。
【００２１】尚、上記の読み取り、書き込み信号は、磁
気抵抗効果型磁気ヘッド２１から直接伝達されても可で
ある。また、制御信号としては、例えばアクセス制御信
号及びクロック信号等がある。さらに、磁気ディスク装
置は、複数の記録媒体やアクチュエータ等を有し、該ア
クチュエータが複数の磁気抵抗効果型複合磁気ヘッドを
有しても良いことは言うまでもない。
気抵抗効果型磁気ヘッド２１から直接伝達されても可で
ある。また、制御信号としては、例えばアクセス制御信
号及びクロック信号等がある。さらに、磁気ディスク装
置は、複数の記録媒体やアクチュエータ等を有し、該ア
クチュエータが複数の磁気抵抗効果型複合磁気ヘッドを
有しても良いことは言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】本発明のＳＡＬ膜を用いることにより、
ＭＲ膜の分流比を増大することができ、安定して高出力
なＭＲヘッドを実現できる。また、本発明のようにＳＡ
Ｌ膜形成の際、所定のバイアス電位を印可することによ
って、製造プロセス中に特性変化を起こさず、良好な軟
磁気特性を示し、更に比抵抗が極めて高いＳＡＬ膜を製
造することができ、再生出力の大きなＭＲヘッドを製造
することができる。
ＭＲ膜の分流比を増大することができ、安定して高出力
なＭＲヘッドを実現できる。また、本発明のようにＳＡ
Ｌ膜形成の際、所定のバイアス電位を印可することによ
って、製造プロセス中に特性変化を起こさず、良好な軟
磁気特性を示し、更に比抵抗が極めて高いＳＡＬ膜を製
造することができ、再生出力の大きなＭＲヘッドを製造
することができる。
【図１】本発明のＭＲヘッド素子の構造を示す斜視図。
【図２】本発明のＭＲヘッド素子の構造を示す媒体対向
面の素子断面図。
面の素子断面図。
【図３】図２においてＭＲセンサー部を拡大した断面
図。
図。
【図４】Ｎｉ−Ｆｅ合金にＺｒＯ2を添加したＳＡＬ膜
において、バイアス電位を変化させた時の比抵抗の変化
を示す説明図。
において、バイアス電位を変化させた時の比抵抗の変化
を示す説明図。
【図５】Ｎｉ−Ｆｅ合金にＺｒＯ2を添加したＳＡＬ膜
において、バイアス電位を変化させた時のＨｋの変化を
示す説明図。
において、バイアス電位を変化させた時のＨｋの変化を
示す説明図。
【図６】Ｎｉ−Ｆｅ合金にＺｒＯ2を添加したＳＡＬ膜
において、バイアス電位を変化させた時のＨｃｈの変化
を示す説明図。
において、バイアス電位を変化させた時のＨｃｈの変化
を示す説明図。
【図７】Ｎｉ−Ｆｅ合金にＺｒＯ2を添加したＳＡＬ膜
において、バイアス電位を変化させた時のＨｃｅの変化
を示す説明図。
において、バイアス電位を変化させた時のＨｃｅの変化
を示す説明図。
【図８】本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用い
た一実施例の情報記録再生装置を示す図。
た一実施例の情報記録再生装置を示す図。
１…ＭＲセンサー膜、 ２…ソフトバイア
ス膜（ＳＡＬ膜）、３…磁気分離膜、
４…磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）、５…磁区制御下地
膜、 ６…磁区制御膜、７…電極膜、
８…基板、９…下地膜、
１０…下部磁気シールド膜、１１…下部ギャ
ップ膜、 １２…上部ギャップ膜、１３…上
部磁気シールド膜、 １４…ライトギャップ、１
５…コイル、 １６…層間絶縁膜、
１７…ライトコア、 １８…保護膜、１
９…回転軸、 ２０…駆動モータ、
２１…磁気抵抗効果型磁気ヘッド、 ２２…ジンバル、
２３…アーム、 ２４…アクチュエ
ータ、２５…制御手段、 ２６、２
７、２８…ライン、３０…ヘッドスライダ、
５０…記録媒体。
ス膜（ＳＡＬ膜）、３…磁気分離膜、
４…磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）、５…磁区制御下地
膜、 ６…磁区制御膜、７…電極膜、
８…基板、９…下地膜、
１０…下部磁気シールド膜、１１…下部ギャ
ップ膜、 １２…上部ギャップ膜、１３…上
部磁気シールド膜、 １４…ライトギャップ、１
５…コイル、 １６…層間絶縁膜、
１７…ライトコア、 １８…保護膜、１
９…回転軸、 ２０…駆動モータ、
２１…磁気抵抗効果型磁気ヘッド、 ２２…ジンバル、
２３…アーム、 ２４…アクチュエ
ータ、２５…制御手段、 ２６、２
７、２８…ライン、３０…ヘッドスライダ、
５０…記録媒体。
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に形成された下部磁気シールド膜と
絶縁体よりなる下部磁気ギャップ膜と、絶縁体よりなる
上部磁気ギャップ膜と上部磁気シールド膜と、前記下部
磁気ギャップ膜と上部磁気ギャップ膜の間に配置され
た、磁界によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果膜、
該磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加するためのソ
フトバイアス膜及びソフトバイアス膜と磁気抵抗効果膜
を磁気的に分離するための非磁性分離膜と、前記磁気抵
抗効果膜に信号検出電流を流すための一対の電極導体等
から構成される磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前
記磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加するためのソ
フトバイアス膜がＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの一種以上から成る
合金と、ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＨｆＯ2，ＴｉＯ2，Ｍｇ
Ｏ，ＺｒＮ，ＡｌＮ，ＨｆＮ，ＴｉＮ，Ｍｇ3Ｎ2の内か
ら選択された一種以上の化合物とから成り、比抵抗ρ、
異方性磁界Ｈｋ、磁歪定数λが以下の値を満足すること
を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 ρ≧200μΩ・cm Ｈk≦７ Ｏe −１×10~6≦λ≦×10~6 - 【請求項２】請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
において、磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加する
ためのソフトバイアス膜中の、化合物の酸素あるいは窒
素を除く原子の割合が、酸素及び窒素を除く全原子に対
して１０％から３０％である磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
において、磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加する
ためのソフトバイアス膜を、前記基板にバイアス電位を
印加してスパッタリング方式で形成する工程からなる磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】請求項３記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法において、磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界
を印加するためのソフトバイアス膜をスパッタリング方
式で形成する工程で、前記基板に印加するバイアス電位
ＢＶｄｃが以下の値を満足することを特徴とする磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの製造方法。 −50Ｖ≦ＢＶdc≦−10Ｖ - 【請求項５】情報の記録面を有する回転可能な磁気記録
媒体と、前記磁気記録媒体を高速回転保持する駆動モー
タと、前記駆動モータの回転駆動を制御する制御手段
と、前記記録面上へ情報を書込み又は情報を読み出す電
磁変換器が取付けられて前記磁気記録媒体の記録面上を
移動するスライダを有する磁気ヘッドと、前記磁気ヘッ
ドが情報を読取り又は書込みをするための情報を制御す
る回路手段と、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体上の
所定の位置に高速位置決めさせるアクチュエータ手段
と、前記アクチュエータの移動を制御する制御回路とを
有する情報記録再生装置において、前記請求項１から請
求項２記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの特徴の内少な
くとも一つ以上を備えた情報記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1099298A JPH11213345A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法及び情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1099298A JPH11213345A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法及び情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11213345A true JPH11213345A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11765654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1099298A Pending JPH11213345A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法及び情報記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11213345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995957B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. | Magnetoresistive sensor having a high resistance soft magnetic layer between sensor stack and shield |
| CN100372032C (zh) * | 2006-01-16 | 2008-02-27 | 南开大学 | 反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用 |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP1099298A patent/JPH11213345A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995957B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. | Magnetoresistive sensor having a high resistance soft magnetic layer between sensor stack and shield |
| CN100372032C (zh) * | 2006-01-16 | 2008-02-27 | 南开大学 | 反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20041224 |