JPH11186325A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

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JPH11186325A
JPH11186325A JP9353959A JP35395997A JPH11186325A JP H11186325 A JPH11186325 A JP H11186325A JP 9353959 A JP9353959 A JP 9353959A JP 35395997 A JP35395997 A JP 35395997A JP H11186325 A JPH11186325 A JP H11186325A
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JP
Japan
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printed circuit
circuit board
electrode
processing step
bare chip
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JP9353959A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuhide Senkawa
康秀 千川
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PFU Ltd
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PFU Ltd
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To ensure high reliability and productivity when a printed board showing low glass transition temperature or low elastic modulus is used, by recessing a board electrode by pressing a bear chip component to the printed board, and heat-curing the applied adhesive during pressing. SOLUTION: The part of a board electrode 6 which corresponds to a chip electrode 3 is made to have a form recessed inside a printed board 2. A protruding electrode 4 to be fixed by pressure to the recessed part is formed on a chip electrode 3. Adhesive agent 7 is applied on the bare chip mounting part of the printed board 2. While the protruding electrode 4 is aligned with a board electrode 6, a bare chip component 1 is mounted on the printed board 2 coated with the adhesive agent 7. The bare chip component 1 is pressed against the printed board 2, until the board electrode 6 is recessed. While pressing, the spread adhesive agent 7 is thermoset. Thereby an adequate recess of the board electrode can be obtained when a printed board showing low glass transposition temperature or low elastic modulus is used.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LSIのベアチッ
プ部品とプリント基板とで構成される半導体装置を製造
するときにあって、プリント基板として低ガラス転移温
度を示すものや、低弾性係数を示すものが用いられると
きに、高い信頼性と高い生産性を持つ半導体装置を製造
できるようにする半導体装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device comprising a bare chip part of an LSI and a printed circuit board, wherein the printed circuit board has a low glass transition temperature and a low elastic modulus. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device that enables a semiconductor device having high reliability and high productivity to be manufactured when the semiconductor device is used.

【0002】電子機器メーカは、半導体メーカからLS
Iを購入し、それをプリント基板に実装していくことで
電子機器を製造していくことになる。最近、電子機器に
対する小型化の要求が一層強くなってきており、これか
ら、電子機器メーカは、半導体メーカから、パッケージ
されていないLSIのベアチップ部品(電極のみがシリ
コン基板上に形成されている裸のLSI部品)を購入し
て、それをプリント基板上に実装していくようにしてい
る。
[0002] Electronic equipment manufacturers are
By purchasing I and mounting it on a printed circuit board, electronic devices will be manufactured. Recently, there has been an increasing demand for miniaturization of electronic devices. From now on, electronic device manufacturers have been instructed by semiconductor manufacturers to supply bare chip components of unpackaged LSIs (a bare chip in which only electrodes are formed on a silicon substrate). (LSI parts) are purchased and mounted on printed circuit boards.

【0003】このベアチップ部品の実装方法として、ベ
アチップ部品を、その電極がプリント基板の電極と同一
方向を向く姿勢でプリント基板に固着する構成を採っ
て、ワイヤボンディングによりベアチップ部品の電極と
プリント基板の電極とを電気接続することでプリント基
板に実装するという方法と、ベアチップ部品の電極とプ
リント基板の電極とを接合しつつ、ベアチップ部品をプ
リント基板に固着することでプリント基板に実装すると
いう方法とがある。
[0003] As a method of mounting the bare chip component, a configuration is adopted in which the bare chip component is fixed to the printed circuit board in such a manner that its electrodes face the same direction as the electrodes of the printed circuit board. The method of mounting on a printed circuit board by electrically connecting the electrodes to the printed circuit board, and the method of mounting the bare chip component on the printed circuit board by fixing the bare chip component to the printed circuit board while joining the electrodes of the bare chip component and the electrodes of the printed circuit board There is.

【0004】この後者の実装方法はフェイスダウンマウ
ントと呼ばれ、前者の実装方法に比べて、ベアチップ部
品を高密度に実装できるという利点があるものの、信頼
性や生産性が低いという欠点がある。
The latter mounting method is called face-down mounting, and has the advantage that bare chip components can be mounted at a higher density than the former mounting method, but has the drawback that reliability and productivity are low.

【0005】これから、電子機器の一層の小型化を図る
ためにも、このフェイスダウンマウントの欠点の解決を
図ることで、高密度実装を実現するとともに、高い信頼
性と生産性を実現するベアチップ部品の実装方法を確立
していく必要がある。
[0005] In order to further reduce the size of electronic equipment, bare chip components that achieve high density mounting and high reliability and productivity by solving the drawbacks of the face-down mounting. It is necessary to establish an implementation method for.

【0006】[0006]

【従来の技術】図15に、フェイスダウンマウントに従
って実装されるLSIのベアチップ部品1とプリント基
板2とで構成される半導体装置の構造の一例を図示す
る。
2. Description of the Related Art FIG. 15 shows an example of the structure of a semiconductor device composed of an LSI bare chip component 1 and a printed circuit board 2 mounted according to face-down mounting.

【0007】この図に示すように、フェイスダウンマウ
ントに従って実装されるベアチップ部品1とプリント基
板2とで構成される半導体装置では、ベアチップ部品1
のチップ電極3にバンプと呼ばれる突出電極4を設け、
その突出電極4に導電ペースト5を付着させ、その導電
ペースト5の付着させた突出電極4をプリント基板2の
基板電極6に当接させた状態で、ベアチップ部品1とプ
リント基板2とを接着剤7で固着する構成を採ってい
る。
As shown in FIG. 1, in a semiconductor device composed of a bare chip component 1 mounted according to face-down mounting and a printed circuit board 2, the bare chip component 1
The protruding electrode 4 called a bump is provided on the chip electrode 3 of
A conductive paste 5 is adhered to the protruding electrode 4, and the bare chip component 1 and the printed board 2 are bonded to each other with the protruding electrode 4 having the conductive paste 5 adhered to the board electrode 6 of the printed board 2. 7 is adopted.

【0008】ちなみに、ベアチップ部品1は、例えば、
大きさが10mm×10mm程度で、厚さが0.4mm程
度のシリコン基板で構成されて、その外周に、大きさが
100μm×100μm程度で、高さが1μm程度のア
ルミ等で構成されるチップ電極3を200〜300個配
置している。なお、ベアチップ部品1とプリント基板2
との間の隙間は80μm程度、突出電極4の高さは50
μm程度、基板電極6の高さは25μm程度である。
[0008] Incidentally, the bare chip component 1 is, for example,
A chip composed of a silicon substrate having a size of about 10 mm × 10 mm and a thickness of about 0.4 mm, and an outer periphery thereof made of aluminum or the like having a size of about 100 μm × 100 μm and a height of about 1 μm. 200 to 300 electrodes 3 are arranged. The bare chip component 1 and the printed circuit board 2
Is about 80 μm, and the height of the protruding electrode 4 is 50 μm.
μm, and the height of the substrate electrode 6 is about 25 μm.

【0009】このような半導体装置は、従来では、図1
6に示すような製造方法により製造されていた。すなわ
ち、先ず最初に、ベアチップバンプ形成工程で、ワイヤ
ボンディング方式により、キャピラリの先端に突出させ
た金線の先端を放電によって溶融させてボールを形成し
て、それを超音波振動を使ってベアチップ部品1のチッ
プ電極3に接合させてから、ボールのネック部で金線を
切断することで、ベアチップ部品1のチップ電極3の上
に、大きさが60μm程度のボール状の突出電極4を形
成する。
Conventionally, such a semiconductor device is shown in FIG.
6 was manufactured by the manufacturing method shown in FIG. That is, first, in a bare chip bump forming step, the tip of a gold wire protruding from the tip of a capillary is melted by electric discharge to form a ball by a wire bonding method, and the ball is formed using ultrasonic vibration. After bonding to one chip electrode 3, a gold wire is cut at the neck of the ball to form a ball-shaped protruding electrode 4 having a size of about 60 μm on the chip electrode 3 of the bare chip component 1. .

【0010】続いて、バンプレベリング工程で、ベアチ
ップ部品1を平滑なガラス基板に軽く押し当てること
で、突出電極4の切断部分の高さのバラツキを除去して
突出電極4の高さを揃える。
Subsequently, in a bump leveling step, the bare chip component 1 is lightly pressed against a smooth glass substrate, thereby removing the variation in the height of the cut portion of the protruding electrode 4 and making the height of the protruding electrode 4 uniform.

【0011】続いて、導電ペースト転写工程で、ガラス
基板の上に、導電ペースト(接着剤に金属片の混入した
もので構成される)を15μm程度の厚さで塗布し、ベ
アチップ部品1を、その導電ペーストの塗布されたガラ
ス基板に当接させることで、突出電極4の端面に導電ペ
ースト5を転写し、その後でベアチップ部品1をある程
度の時間加熱することで、突出電極4に付着させた導電
ペースト5を半硬化させる。なお、導電ペースト5がU
V硬化特性を示す場合には、紫外線を照射することで半
硬化させることになる。
Subsequently, in a conductive paste transfer step, a conductive paste (constituted by mixing a metal piece into an adhesive) is applied to a thickness of about 15 μm on a glass substrate, and the bare chip component 1 is The conductive paste 5 was transferred to the end surface of the protruding electrode 4 by making contact with the glass substrate to which the conductive paste was applied, and thereafter, the bare chip component 1 was heated for a certain period of time to be attached to the protruding electrode 4. The conductive paste 5 is semi-cured. The conductive paste 5 is made of U
In the case of exhibiting V-curing characteristics, the composition is semi-cured by irradiating ultraviolet rays.

【0012】続いて、マウント工程で、ベアチップ部品
1を、接着剤塗布工程により接着剤7の塗布されたプリ
ント基板2に位置決めしてから、その状態を保持しつ
つ、所定時間加熱することで、ベアチップ部品1とプリ
ント基板2との間の接着剤7を硬化させるとともに、導
電ペースト5を完全に硬化させることで、半導体装置を
完成させることになる。なお、導電ペースト5や接着剤
7がUV硬化特性を示す場合には、紫外線を照射するこ
とで硬化させることになる。
Subsequently, in a mounting step, the bare chip component 1 is positioned on the printed circuit board 2 to which the adhesive 7 has been applied in the adhesive applying step, and then heated for a predetermined time while maintaining the state. The semiconductor device is completed by hardening the adhesive 7 between the bare chip component 1 and the printed circuit board 2 and completely hardening the conductive paste 5. When the conductive paste 5 and the adhesive 7 show UV curing properties, they are cured by irradiating ultraviolet rays.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来で
は、ベアチップ部品1のチップ電極3に突出電極4を形
成して、それをプリント基板2の基板電極6に当接させ
つつ、ベアチップ部品1とプリント基板2とを接着剤7
で固着する構成を採るときにあって、導電ペースト5を
使って、突出電極4と基板電極6との間の電気接続の信
頼性を確保するという構成を採っていた。
As described above, conventionally, the protruding electrode 4 is formed on the chip electrode 3 of the bare chip component 1, and the protruding electrode 4 is brought into contact with the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2. Adhesive 7 with the printed circuit board 2
When adopting the configuration in which the conductive paste 5 is used, the configuration in which the reliability of the electrical connection between the protruding electrode 4 and the substrate electrode 6 is ensured by using the conductive paste 5 is adopted.

【0014】しかしながら、このように導電ペースト5
を使う構成を採っていると、導電ペースト転写工程とマ
ウント工程とでそれぞれ加熱処理を行わなくてはならな
いことから、半導体装置の生産性が悪いという問題点が
あった。
However, the conductive paste 5
In the case of adopting the configuration using the method, heat treatment must be performed in each of the conductive paste transferring step and the mounting step, and thus there is a problem that the productivity of the semiconductor device is poor.

【0015】そして、導電ペースト転写工程で、ガラス
基板に導電ペースト5を塗布し、それを突出電極4に転
写しなくてはならないことから、半導体装置の生産性が
悪いという問題点があった。しかも、この導電ペースト
5の塗布は、薄くかつ均一に行わなければならないが、
導電ペースト5に混入されている金属片が均一塗布の邪
魔をしたり、導電ペースト5の塗布量が多いと、隣接す
るチップ電極3と電気的に接触してしまうなど、この塗
布の制御は極めて難しい作業の1つとなっている。
[0015] In the conductive paste transfer step, the conductive paste 5 must be applied to the glass substrate and transferred to the protruding electrode 4, resulting in a problem that the productivity of the semiconductor device is poor. Moreover, the application of the conductive paste 5 must be performed thinly and uniformly.
If the metal pieces mixed in the conductive paste 5 hinder uniform application, or if the conductive paste 5 is applied in a large amount, the conductive paste 5 may be in electrical contact with the adjacent chip electrode 3. It is one of the difficult tasks.

【0016】更に、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂で構成
されるプリント基板2の熱膨張率は、シリコンで構成さ
れるベアチップ部品1の熱膨張率に比べて数倍も大き
く、これから、温度変化に伴って、導電ペースト5と基
板電極6との接合を引き剥がす力が発生し、接着剤7で
固定していてもその力を吸収できないことで、電気接続
の断線や半断線を起こすことがあるという問題点があっ
た。
Further, the thermal expansion coefficient of the printed circuit board 2 made of a resin such as a glass epoxy resin is several times larger than the thermal expansion coefficient of the bare chip part 1 made of silicon. As a result, a force for peeling off the joint between the conductive paste 5 and the substrate electrode 6 is generated, and the force cannot be absorbed even when the adhesive is fixed with the adhesive 7, which may cause a disconnection or a partial disconnection of the electrical connection. There was a problem.

【0017】このようなことを背景にして、本出願人
は、先に出願の特願平8-181832 号で、ベアチップ部品
1のチップ電極3に突出電極4を形成する第1の処理過
程と、プリント基板2のベアチップ部品載置位置に接着
剤7を塗布する第2の処理過程と、第1の処理過程で形
成された突出電極4とプリント基板2の基板電極6との
位置を合わせつつ、ベアチップ部品1を接着剤7の塗布
されたプリント基板2に載置する第3の処理過程と、第
3の処理過程で載置したベアチップ部品1に荷重をかけ
ることでプリント基板2の基板電極6が凹むまでプリン
ト基板2に押圧するとともに、その押圧中に、第2の処
理過程で塗布した接着剤7を硬化させる第4の処理過程
とを備える半導体装置の製造方法の発明を開示した。
[0017] Against this background, the present applicant has previously filed Japanese Patent Application No. 8-181832, which describes a first processing step of forming a protruding electrode 4 on a chip electrode 3 of a bare chip component 1. A second processing step of applying the adhesive 7 to the bare chip component mounting position of the printed circuit board 2 and a position of the projecting electrode 4 formed in the first processing step and the position of the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2 are adjusted. A third process in which the bare chip component 1 is placed on the printed circuit board 2 coated with the adhesive 7, and applying a load to the bare chip component 1 placed in the third process to form a substrate electrode of the printed circuit board 2. The invention has been disclosed for a method of manufacturing a semiconductor device comprising: a fourth processing step of pressing the printed circuit board 2 until the substrate 6 is depressed, and curing the adhesive 7 applied in the second processing step during the pressing.

【0018】この半導体装置の製造方法の発明によれ
ば、ベアチップ部品1とプリント基板2とをフェイスダ
ウンで接合する構成を採るときにあって、導電ペースト
5を使用することなく製造できることから、高い生産性
で製造できるようになるとともに、ベアチップ部品1と
プリント基板2との間の電気的接続を確実なものにでき
ることから、高い信頼性を実現できるようになる。
According to the invention of the method of manufacturing a semiconductor device, the bare chip component 1 and the printed board 2 can be manufactured without using the conductive paste 5 when the configuration is adopted in which the bare chip component 1 and the printed board 2 are joined face down. Since it can be manufactured with productivity and the electrical connection between the bare chip component 1 and the printed circuit board 2 can be ensured, high reliability can be realized.

【0019】この半導体装置の製造方法の発明は、突出
電極4と基板電極6とのかみあわせ効果を利用して、チ
ップ電極3と基板電極6との間の電気的接続の確保を実
現する構成を採っている。これから、接着剤7として加
熱硬化型のものを用いる場合、プリント基板2として、
ガラス転移温度の高い材料を用いるときには有効であ
る。すなわち、ガラス転移温度が高い場合には、接着剤
7を加熱硬化させる高温になった状態で必要な凹み量が
発生するからである。
The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention utilizes the effect of engagement between the protruding electrode 4 and the substrate electrode 6 to secure electrical connection between the chip electrode 3 and the substrate electrode 6. Has been adopted. From this, when a heat-curable adhesive is used as the adhesive 7,
This is effective when a material having a high glass transition temperature is used. That is, when the glass transition temperature is high, a necessary amount of dent is generated at a high temperature at which the adhesive 7 is heated and cured.

【0020】しかしながら、プリント基板2として、ガ
ラス転移温度の低いものを用いるときには、不都合なこ
とが起こる。すなわち、ガラス転移温度が低い場合に
は、接着剤7を加熱硬化させる高温になる前に凹みが発
生してしまい、大きな荷重を加えると凹みが大きくなり
過ぎてしまって、チップ電極3がプリント基板2にぶつ
かってしまうことから、第4の処理過程で大きな荷重を
かけることができない。
However, when a printed circuit board 2 having a low glass transition temperature is used, inconvenience occurs. That is, when the glass transition temperature is low, a dent is generated before the adhesive 7 is heated to a high temperature to be cured, and when a large load is applied, the dent becomes too large, and the chip electrode 3 is printed on the printed circuit board. Therefore, a large load cannot be applied in the fourth process.

【0021】これから、チップ電極3と基板電極6との
間の接触面積が大きくできないことで、チップ電極3と
基板電極6との間の十分な電気的接続の確保を実現でき
なくなる。
Since the contact area between the chip electrode 3 and the substrate electrode 6 cannot be increased, sufficient electrical connection between the chip electrode 3 and the substrate electrode 6 cannot be ensured.

【0022】そうかといって、荷重を大きくすると、凹
みが大きくなり、これにより、チップ電極3とプリント
基板2とが接触したり、接着剤7の必要な厚みが確保で
きなくなる。
On the other hand, when the load is increased, the dent becomes large, so that the chip electrode 3 and the printed circuit board 2 come into contact with each other and the required thickness of the adhesive 7 cannot be secured.

【0023】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、LSIのベアチップ部品1とプリント基板2
とで構成される半導体装置を製造するときにあって、プ
リント基板2として低ガラス転移温度を示すものや、低
弾性係数を示すものが用いられるときに、高い信頼性と
高い生産性を持つ半導体装置を製造できるようにする新
たな半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and is directed to a bare chip component 1 of an LSI and a printed circuit board 2.
When manufacturing a semiconductor device composed of the following, when a substrate having a low glass transition temperature or a substrate having a low elastic modulus is used as the printed circuit board 2, a semiconductor having high reliability and high productivity is used. It is an object of the present invention to provide a new method for manufacturing a semiconductor device which enables the manufacture of a device.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明では、ベアチップ部品1のチップ電極3に突
出電極4を形成する第1の処理過程と、プリント基板2
のベアチップ部品載置位置に接着剤7を塗布する第2の
処理過程と、第1の処理過程で形成された突出電極4と
プリント基板2の基板電極6との位置を合わせつつ、ベ
アチップ部品1を接着剤7の塗布されたプリント基板2
に載置する第3の処理過程と、最初は高荷重を使い次に
低荷重を使って、第3の処理過程で載置したベアチップ
部品1をプリント基板2に押圧することで、プリント基
板2の基板電極6を凹ませるとともに、その押圧中に、
第2の処理過程で塗布した接着剤7を加熱硬化させる第
4の処理過程とを備えるように構成する。
In order to achieve this object, according to the present invention, a first process for forming projecting electrodes 4 on chip electrodes 3 of a bare chip component 1 and a printed circuit board 2 are described.
The second processing step of applying the adhesive 7 to the bare chip component mounting position of FIG. 1 and the position of the projecting electrode 4 formed in the first processing step and the position of the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2 are adjusted. Printed circuit board 2 coated with adhesive 7
The bare chip component 1 placed in the third processing step is pressed against the printed circuit board 2 by first using a high load and then using a low load. While the substrate electrode 6 is depressed,
A fourth processing step of heating and curing the adhesive 7 applied in the second processing step.

【0025】この構成を採るときに、第4の処理過程
で、加熱を開始するときに低荷重に切り替えたり、温度
が規定値に到達するときに低荷重に切り替えたり、基板
電極6の凹みの発生する温度に到達するときに低荷重に
切り替えるというように、加熱の状態に応じて低荷重に
切り替えたり、基板電極6の凹みの発生が開始するとき
に低荷重に切り替えたり、基板電極6の凹み量が規定値
に到達するときに低荷重に切り替えるというように、基
板電極6の凹みに応じて低荷重に切り替えることがあ
る。また、第4の処理過程で、高荷重を印加するときに
荷重を順次大きくしていったり、低荷重を印加するとき
に荷重を順次小さくしていくことがある。
When employing this configuration, in the fourth processing step, the load is switched to a low load when heating is started, or the load is switched to a low load when the temperature reaches a specified value. The load is switched to a low load according to the state of heating, such as switching to a low load when the temperature at which the substrate electrode 6 is reached is reached. The load may be switched to a low load in accordance with the depression of the substrate electrode 6, such as switching to a low load when the amount of the depression reaches a specified value. In the fourth process, the load may be gradually increased when a high load is applied, or the load may be gradually reduced when a low load is applied.

【0026】このようにして、この本発明では、接着剤
7を加熱することでプリント基板2の温度が上昇し、こ
れにより、プリント基板2の弾性率が低下することを考
慮して、プリント基板2の温度が低いときには、高荷重
を使って、ベアチップ部品1をプリント基板2に押圧す
ることで、必要となるプリント基板2の基板電極6の凹
みを得るとともに、プリント基板2の温度が高くなると
きには、低荷重を使って、ベアチップ部品1をプリント
基板2に押圧することで、その凹みが必要以上に大きく
ならないように制御する。
As described above, in the present invention, it is considered that the temperature of the printed circuit board 2 is increased by heating the adhesive 7 and the elastic modulus of the printed circuit board 2 is thereby reduced. When the temperature of the printed circuit board 2 is low, the bare chip component 1 is pressed against the printed circuit board 2 by using a high load, thereby obtaining a necessary recess of the board electrode 6 of the printed circuit board 2 and increasing the temperature of the printed circuit board 2. In some cases, the bare chip component 1 is pressed against the printed circuit board 2 using a low load, so that the dent is controlled so as not to become larger than necessary.

【0027】また、この目的を達成するために、本発明
では、ベアチップ部品1のチップ電極3に突出電極4を
形成する第1の処理過程と、プリント基板2のベアチッ
プ部品載置位置に接着剤7を塗布する第2の処理過程
と、第1の処理過程で形成された突出電極4とプリント
基板2の基板電極6との位置を合わせつつ、ベアチップ
部品1を接着剤7の塗布されたプリント基板2に載置す
る第3の処理過程と、プリント基板2の基板電極6の凹
み量が規定値になるまで、第3の処理過程で載置したベ
アチップ部品1をプリント基板2に押圧することで、プ
リント基板2の基板電極6を凹ませるとともに、その押
圧中に、第2の処理過程で塗布した接着剤7を加熱硬化
させ、更に、プリント基板2の基板電極6の凹み量が規
定値になるときに、押圧用ヘッドの移動を停止させる第
4の処理過程とを備えるように構成する。
In order to achieve this object, according to the present invention, in the first processing step of forming the protruding electrode 4 on the chip electrode 3 of the bare chip component 1, an adhesive is provided at the position where the bare chip component is placed on the printed circuit board 2. 7, the bare chip part 1 is printed while the adhesive 7 is applied thereto, while aligning the positions of the protruding electrodes 4 formed in the first processing step with the substrate electrodes 6 of the printed circuit board 2. The third processing step of mounting on the substrate 2 and the pressing of the bare chip component 1 mounted in the third processing step onto the printed circuit board 2 until the amount of depression of the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2 reaches a specified value. Then, the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2 is depressed, and the adhesive 7 applied in the second process is cured by heating during the pressing, and the depression amount of the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2 is reduced to a specified value. When Configured to and a fourth processing step of stopping the movement of the pressure head.

【0028】この構成を採るときに、第4の処理過程
で、最初は、一定の高荷重を使ったり、荷重を順次大き
くすることで押圧用ヘッドを制御し、次に、基板電極6
の凹みに応じて押圧用ヘッドを制御することがある。ま
た、第4の処理過程で、加熱を開始するときに低荷重に
切り替えたり、温度が規定値に到達するときに低荷重に
切り替えたり、基板電極6の凹みの発生する温度に到達
するときに低荷重に切り替えるというように、加熱の状
態に応じて低荷重に切り替えたり、基板電極6の凹みの
発生が開始するときに低荷重に切り替えたり、基板電極
6の凹み量が規定値に到達するときに低荷重に切り替え
るというように、基板電極6の凹みに応じて低荷重に切
り替えることがある。
When this configuration is adopted, in the fourth process, the pressing head is first controlled by using a constant high load or by sequentially increasing the load.
The pressing head may be controlled in accordance with the depression of the pressing head. Further, in the fourth process, when the heating is started, the load is switched to a low load, when the temperature reaches a specified value, the load is switched to a low load, or when the temperature reaches a temperature at which the dent of the substrate electrode 6 occurs. Switching to a low load, such as switching to a low load, depending on the state of heating, switching to a low load when the occurrence of dents in the substrate electrode 6 starts, or a dent amount of the substrate electrode 6 reaching a specified value Sometimes, the load is switched to a low load in accordance with the depression of the substrate electrode 6, such as switching to a low load.

【0029】このようにして、この本発明では、接着剤
7を加熱することでプリント基板2の温度が上昇し、こ
れにより、プリント基板2の弾性率が低下することを考
慮して、ベアチップ部品1をプリント基板2に押圧する
ことで必要となるプリント基板2の基板電極6の凹みを
得ると、それ以降、押圧用ヘッドの移動を停止させるこ
とで、その凹みが必要以上に大きくならないように制御
する。
As described above, according to the present invention, taking into consideration that the temperature of the printed circuit board 2 is increased by heating the adhesive 7 and thereby the elastic modulus of the printed circuit board 2 is reduced, 1 is pressed against the printed circuit board 2 to obtain the necessary recess of the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2. Thereafter, the movement of the pressing head is stopped so that the recess does not become unnecessarily large. Control.

【0030】また、この目的を達成するために、本発明
では、ベアチップ部品1のチップ電極3に突出電極4を
形成する第1の処理過程と、プリント基板2のベアチッ
プ部品載置位置に接着剤7を塗布する第2の処理過程
と、第1の処理過程で形成された突出電極4とプリント
基板2の基板電極6との位置を合わせつつ、ベアチップ
部品1を接着剤7の塗布されたプリント基板2に載置す
る第3の処理過程と、プリント基板2の基板電極6の凹
み量が規定値になるまで、第3の処理過程で載置したベ
アチップ部品1をプリント基板2に押圧することで、プ
リント基板2の基板電極6を凹ませるとともに、その押
圧中に、第2の処理過程で塗布した接着剤7を加熱硬化
させ、更に、プリント基板2の基板電極6の凹み量が規
定値になるときに、それ以降、プリント基板2の熱膨張
に応じて押圧用ヘッドを移動(上昇又は降下)させる第
4の処理過程とを備えるように構成する。
In order to achieve this object, according to the present invention, a first processing step of forming the protruding electrode 4 on the chip electrode 3 of the bare chip component 1 and an adhesive at the bare chip component mounting position of the printed circuit board 2 are performed. 7, the bare chip part 1 is printed while the adhesive 7 is applied thereto, while aligning the positions of the protruding electrodes 4 formed in the first processing step with the substrate electrodes 6 of the printed circuit board 2. The third processing step of mounting on the substrate 2 and the pressing of the bare chip component 1 mounted in the third processing step onto the printed circuit board 2 until the amount of depression of the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2 reaches a specified value. Then, the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2 is depressed, and the adhesive 7 applied in the second process is cured by heating during the pressing, and the depression amount of the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2 is reduced to a specified value. When Is later, and configured with a fourth process of moving the pressing head (rise or fall) in accordance with the thermal expansion of the printed circuit board 2.

【0031】この構成を採るときに、第4の処理過程
で、最初は、一定の高荷重を使ったり、荷重を順次大き
くすることで押圧用ヘッドを制御し、次に、基板電極6
の凹みに応じて押圧用ヘッドを制御することがある。ま
た、第4の処理過程で、加熱を開始するときに低荷重に
切り替えたり、温度が規定値に到達するときに低荷重に
切り替えたり、基板電極6の凹みの発生する温度に到達
するときに低荷重に切り替えるというように、加熱の状
態に応じて低荷重に切り替えたり、基板電極6の凹みの
発生が開始するときに低荷重に切り替えたり、基板電極
6の凹み量が規定値に到達するときに低荷重に切り替え
るというように、基板電極6の凹みに応じて低荷重に切
り替えることがある。
When employing this configuration, in the fourth process, the pressing head is first controlled by using a constant high load or by sequentially increasing the load.
The pressing head may be controlled in accordance with the depression of the pressing head. Further, in the fourth process, when the heating is started, the load is switched to a low load, when the temperature reaches a specified value, the load is switched to a low load, or when the temperature reaches a temperature at which the dent of the substrate electrode 6 occurs. Switching to a low load, such as switching to a low load, depending on the state of heating, switching to a low load when the occurrence of dents in the substrate electrode 6 starts, or a dent amount of the substrate electrode 6 reaching a specified value Sometimes, the load is switched to a low load in accordance with the depression of the substrate electrode 6, such as switching to a low load.

【0032】このようにして、この本発明では、接着剤
7を加熱することでプリント基板2の温度が上昇し、こ
れにより、プリント基板2の弾性率が低下することを考
慮して、ベアチップ部品1をプリント基板2に押圧する
ことで必要となるプリント基板2の基板電極6の凹みを
得ると、それ以降、プリント基板2の熱膨張に応じて押
圧用ヘッドを移動(上昇又は降下)させることで、その
凹みが必要以上に大きくならないように制御する。
As described above, in the present invention, taking into consideration that the temperature of the printed circuit board 2 is increased by heating the adhesive 7 and thereby the elastic modulus of the printed circuit board 2 is reduced, the bare chip component is taken into consideration. 1 is pressed onto the printed circuit board 2 to obtain the necessary depression of the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2. Thereafter, the pressing head is moved (up or down) in accordance with the thermal expansion of the printed circuit board 2. Is controlled so that the dent does not become larger than necessary.

【0033】このように、本発明によれば、ベアチップ
部品1に荷重をかけることでプリント基板2の基板電極
6が凹むまでプリント基板2に押圧するとともに、その
押圧中に、塗布した接着剤7を硬化させることで、ベア
チップ部品1とプリント基板2とで構成されるフェイス
ダウンマウントの半導体装置を製造するときにあって、
プリント基板2として低ガラス転移温度を示すものや、
低弾性係数を示すものが用いられるときに、プリント基
板2の基板電極6の凹みとして、大き過ぎず小さ過ぎな
い適切なものを確保でき、かつ、高荷重により接触面積
を大きなものに確保できるようになることから、プリン
ト基板2として低ガラス転移温度を示すものや、低弾性
係数を示すものが用いられるときにも、高い信頼性と高
い生産性を持つ半導体装置を製造できるようになる。
As described above, according to the present invention, a load is applied to the bare chip component 1 to press the printed circuit board 2 until the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2 is depressed. When manufacturing a face-down mounted semiconductor device composed of the bare chip part 1 and the printed circuit board 2 by curing
A printed circuit board 2 having a low glass transition temperature,
When a material exhibiting a low elastic modulus is used, it is possible to secure an appropriate one that is not too large or too small as a recess of the substrate electrode 6 of the printed circuit board 2 and also ensure a large contact area due to a high load. Therefore, even when a printed circuit board 2 having a low glass transition temperature or a low elastic modulus is used, a semiconductor device having high reliability and high productivity can be manufactured.

【0034】[0034]

【発明の実施の形態】以下、実施の形態に従って本発明
を詳細に説明する。図1に、本発明により製造される半
導体装置10の構成を図示する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail according to embodiments. FIG. 1 illustrates a configuration of a semiconductor device 10 manufactured according to the present invention.

【0035】この図に示すように、本発明により製造さ
れる半導体装置10は、基板電極6のチップ電極3に対
応する部分が、プリント基板2の内部に凹む形状を示す
とともに、チップ電極3に、その凹形状に圧着する突出
電極4を配設する構成を採っている。
As shown in this figure, in the semiconductor device 10 manufactured according to the present invention, the portion of the substrate electrode 6 corresponding to the chip electrode 3 shows a shape recessed inside the printed circuit board 2 and the chip electrode 3 , A protruding electrode 4 to be pressed into the concave shape is provided.

【0036】この構成に従い、本発明により製造される
半導体装置10は、ベアチップ部品1の熱膨張率とプリ
ント基板2の熱膨張率との違いにより、ベアチップ部品
1とプリント基板2との間に横ずれが生じたとしても、
基板電極6の凹形状部分が突出電極4の動きを抑制する
ように作用するので、温度が変化しても、チップ電極3
と基板電極6との間の電気的接続が確実に確保されると
いう特徴を持つ。
According to this configuration, the semiconductor device 10 manufactured according to the present invention can be laterally shifted between the bare chip part 1 and the printed board 2 due to the difference between the thermal expansion coefficient of the bare chip part 1 and the thermal expansion coefficient of the printed board 2. Even if
Since the concave portion of the substrate electrode 6 acts to suppress the movement of the protruding electrode 4, even if the temperature changes, the chip electrode 3
It is characterized in that the electrical connection between the substrate electrode 6 and the substrate electrode 6 is reliably ensured.

【0037】更に、この特徴に加えて、突出電極4と基
板電極6との間の接触面積が増大することから、チップ
電極3と基板電極6との間の電気的接続が確実に確保さ
れるという特徴を持つ。
Further, in addition to this feature, the contact area between the protruding electrode 4 and the substrate electrode 6 is increased, so that the electrical connection between the chip electrode 3 and the substrate electrode 6 is reliably ensured. It has the characteristic.

【0038】この半導体装置10は、特願平8-181832
号で開示したように、チップ電極3に突出電極4を形成
し、プリント基板2のベアチップ部品載置位置に接着剤
7を塗布し、突出電極4と基板電極6との位置を合わせ
つつ、ベアチップ部品1を接着剤7の塗布されたプリン
ト基板2に載置し、その載置したベアチップ部品1を基
板電極6が凹むまでプリント基板2に押圧するととも
に、その押圧中に、塗布した接着剤7を硬化させること
で製造できるものである。
This semiconductor device 10 is disclosed in Japanese Patent Application No. Hei.
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-260, the protruding electrode 4 is formed on the chip electrode 3, the adhesive 7 is applied to the bare chip component mounting position of the printed circuit board 2, and the bare chip is The component 1 is placed on the printed board 2 on which the adhesive 7 is applied, and the placed bare chip component 1 is pressed against the printed board 2 until the board electrode 6 is depressed. It can be manufactured by curing.

【0039】図2に、本発明を実現する半導体装置10
の製造ラインの一例を図示する。この図に示すように、
本発明を実現する半導体装置10の製造ラインは、バン
プボンダー装置20と、ディスペンサ装置21と、遠心
真空脱泡装置22と、チップボンダー装置23とで構成
される。
FIG. 2 shows a semiconductor device 10 for realizing the present invention.
An example of the production line is illustrated. As shown in this figure,
The manufacturing line of the semiconductor device 10 for realizing the present invention includes a bump bonder device 20, a dispenser device 21, a centrifugal vacuum defoaming device 22, and a chip bonder device 23.

【0040】バンプボンダー装置20は、搬送ラインか
らベアチップ部品1を受け取ると、そのベアチップ部品
1のチップ電極3にバンプと呼ばれる突出電極4を形成
するものである。
The bump bonder 20, when receiving the bare chip component 1 from the transport line, forms a projecting electrode 4 called a bump on the chip electrode 3 of the bare chip component 1.

【0041】このバンプボンダー装置20は、図3に示
すように、ベアチップ部品1を固定するXYステージ2
00と、突出電極4の材料となる金線を収納する金線収
納箱201と、金線収納箱201から供給される金線を
ベアチップ部品1のチップ電極3の位置にガイドするキ
ャピラリー202と、キャピラリー202に供給される
金線を引っ張り上げることでキャピラリー202に供給
される金線にテンションを加えるテンションクランパ2
03と、ベアチップ部品1のチップ電極3に融着した金
線を引っ張り上げることで金線を切断するカットクラン
パ204と、ベアチップ部品1のチッブ電極3の位置を
検出するCCDカメラ205とを備えるとともに、図示
しないトーチユニットと超音波発振器とを備える。
As shown in FIG. 3, the bump bonder 20 includes an XY stage 2 for fixing the bare chip component 1.
00, a gold wire storage box 201 for storing a gold wire serving as a material of the protruding electrode 4, a capillary 202 for guiding the gold wire supplied from the gold wire storage box 201 to the position of the chip electrode 3 of the bare chip component 1, A tension clamper 2 that pulls up a gold wire supplied to the capillary 202 to apply tension to the gold wire supplied to the capillary 202.
03, a cut clamper 204 that cuts the gold wire by pulling up the gold wire fused to the chip electrode 3 of the bare chip component 1, and a CCD camera 205 that detects the position of the chip electrode 3 of the bare chip component 1. , An unillustrated torch unit and an ultrasonic oscillator.

【0042】ここで、金線収納箱201/キャピラリー
202/テンションクランパ203/カットクランパ2
04/CCDカメラ205/トーチユニットは、一体的
なボンディングヘッドを構成して、図示しない機構によ
りXY方向に移動可能となるように構成されている。
Here, the wire storage box 201 / capillary 202 / tension clamper 203 / cut clamper 2
The 04 / CCD camera 205 / torch unit constitutes an integrated bonding head and is configured to be movable in the XY directions by a mechanism (not shown).

【0043】このように構成されるバンプボンダー装置
20では、ベアチップ部品1のチップ電極3の位置決め
が完了すると、図示しないトーチユニットを金線の先端
に移動させて放電を行うことで金線の先端にボールを形
成し、続いて、そのボールをキャピラリー202でもっ
てチップ電極3に当接させてから、超音波発振器を使っ
てキャピラリー202を超音波振動させることで、その
ボールをチップ電極3に融着し、続いて、カットクラン
パ204を使って金線を引っ張り上げてボールと金線と
を切断することで、ベアチップ部品1のチップ電極3の
上に、大きさが60μm程度のボール状の突出電極4を
形成するのである。
In the bump bonder device 20 configured as described above, when the positioning of the chip electrode 3 of the bare chip component 1 is completed, the torch unit (not shown) is moved to the tip of the gold wire to perform discharge, thereby causing the tip of the gold wire to discharge. A ball is formed on the chip electrode 3 by using a capillary 202 and then the ball is brought into contact with the chip electrode 3 and then the capillary 202 is ultrasonically oscillated using an ultrasonic oscillator to melt the ball on the chip electrode 3. Then, the gold wire is pulled up using the cut clamper 204 to cut the ball and the gold wire, so that a ball-shaped protrusion having a size of about 60 μm is formed on the chip electrode 3 of the bare chip component 1. The electrode 4 is formed.

【0044】また、ディスペンサ装置21は、搬送ライ
ンからプリント基板2を受け取ると、そのプリント基板
2の上に接着剤7を塗布するものである。このディスペ
ンサ装置21は、図4に示すように、プリント基板2を
固定してそれをXY方向に移動するXYテーブル210
と、接着剤7の充填されたシリンジ211を保持するホ
ルダ212と、シリンジ211に充填された接着剤7を
プリント基板2に微量吐出する吐出針213と、シリン
ジ211を上下に移動させるヘッド214とを備えると
ともに、図示しない押圧機構を備える。
When the dispenser device 21 receives the printed circuit board 2 from the transport line, the dispenser device 21 applies the adhesive 7 on the printed circuit board 2. As shown in FIG. 4, the dispenser device 21 includes an XY table 210 for fixing the printed circuit board 2 and moving the same in the XY directions.
A holder 212 for holding the syringe 211 filled with the adhesive 7, an ejection needle 213 for ejecting a small amount of the adhesive 7 filled in the syringe 211 to the printed circuit board 2, and a head 214 for moving the syringe 211 up and down. And a pressing mechanism (not shown).

【0045】このように構成されるディスペンサ装置2
1では、プリント基板2の位置決めが完了すると、図示
しない押圧機構を使ってシリンジ211に充填された接
着剤7を押し出すことで、プリント基板2に接着剤7を
塗布するのである。
The dispenser device 2 configured as described above
In 1, when the positioning of the printed board 2 is completed, the adhesive 7 filled in the syringe 211 is pushed out by using a pressing mechanism (not shown), so that the adhesive 7 is applied to the printed board 2.

【0046】また、遠心真空脱泡装置22は、搬送ライ
ンからシリンジ211に充填(僅かな隙間を介して外部
と連通している)された接着剤7を受け取ると、接着剤
7の中に含まれる気泡を除去して、ディスペンサ装置2
1に供給するものである。
When the centrifugal vacuum defoaming device 22 receives the adhesive 7 filled in the syringe 211 (communicated with the outside through a small gap) from the transport line, the centrifugal vacuum defoaming device 22 includes the adhesive 7 in the adhesive 7. To remove the air bubbles, and dispenser device 2
1.

【0047】この遠心真空脱泡装置22は、図5に示す
ように、接着剤7の充填された2つのシリンジ211を
固定する回転体220と、回転体220に固定されるシ
リンジ211を接続する開口221を持つ中空部材22
2と、回転体220を回転させるモータ223と、回転
体220を気密性を保ちつつ収納する減圧チャンバ22
4と、減圧チャンバ224を開く蓋体225と、減圧チ
ャンバ224を吸引することで減圧チャンバ224の内
部圧力を減圧する減圧源226とを備える。
As shown in FIG. 5, the centrifugal vacuum defoaming device 22 connects a rotating body 220 for fixing two syringes 211 filled with the adhesive 7, and a syringe 211 fixed to the rotating body 220. Hollow member 22 having opening 221
2, a motor 223 for rotating the rotating body 220, and a decompression chamber 22 for housing the rotating body 220 while maintaining airtightness.
4, a lid 225 for opening the decompression chamber 224, and a decompression source 226 for reducing the internal pressure of the decompression chamber 224 by sucking the decompression chamber 224.

【0048】このように構成される遠心真空脱泡装置2
2では、接着剤7の充填された2つのシリンジ211が
回転体220に固定され、中空部材222による接続が
完了すると、減圧源226を使って減圧チャンバ224
の内部圧力を減圧するとともに、モータ223を使って
回転体220を回転させる。これにより、シリンジ21
1に充填される接着剤7に含まれる気泡は、遠心分離作
用と減圧作用とに従って、中空部材222の開口221
に向かって移動することで、接着剤7から除去されるこ
とになる。
The thus-configured centrifugal vacuum degassing apparatus 2
In 2, the two syringes 211 filled with the adhesive 7 are fixed to the rotating body 220, and when the connection by the hollow member 222 is completed, the decompression chamber 224 is
Is reduced, and the rotating body 220 is rotated using the motor 223. Thereby, the syringe 21
The air bubbles contained in the adhesive 7 filled in the first member 1 are separated from the openings 221 of the hollow member 222 by the centrifugal action and the pressure reducing action.
Is removed from the adhesive 7.

【0049】また、チップボンダー装置23は、搬送ラ
インを介してバンプボンダー装置20からベアチップ部
品1を受け取るとともに、搬送ラインを介してディスペ
ンサ装置21から接着剤7の塗布されたプリント基板2
を受け取ると、ベアチップ部品1とプリント基板2とを
接合することで本発明の半導体装置10を製造するもの
である。
The chip bonder device 23 receives the bare chip component 1 from the bump bonder device 20 via the transport line, and also prints the printed circuit board 2 coated with the adhesive 7 from the dispenser device 21 via the transport line.
Then, the semiconductor device 10 of the present invention is manufactured by joining the bare chip component 1 and the printed board 2.

【0050】このチップボンダー装置23は、図6に示
すように、ベアチップ部品1を載置してその傾きを粗く
修正するオリエンター230と、オリエンター230に
ベアチップ部品1をセットするピックアップヘッド23
1と、ベアチップ部品1の回路面の画像や、プリント基
板2の基板面の画像を撮像するオプティカルプローブ2
32と、プリント基板2を固定するステージ233と、
オリエンター230に載置されるベアチップ部品1をピ
ックして、ステージ233に固定されるプリント基板2
に接合するボンディングヘッド234と、ボンディング
ヘッド234の押圧力を測定するロードセル235と、
ボンディングヘッド234の移動量を測定するエンコー
ダ236とを備える。
As shown in FIG. 6, the chip bonder device 23 includes an orienter 230 for placing the bare chip component 1 and correcting the inclination thereof roughly, and a pickup head 23 for setting the bare chip component 1 on the orienter 230.
1 and an optical probe 2 for capturing an image of the circuit surface of the bare chip component 1 and an image of the substrate surface of the printed circuit board 2
32, a stage 233 for fixing the printed circuit board 2,
Pick up the bare chip component 1 placed on the orienter 230 and print the printed circuit board 2 fixed to the stage 233.
A load cell 235 for measuring the pressing force of the bonding head 234;
An encoder 236 for measuring the amount of movement of the bonding head 234.

【0051】ここで、ボンディングヘッド234は、ベ
アチップ部品1を加熱する加熱機構と、この加熱機構に
より温度上昇するプリント基板2の温度を検出するサー
ミスタなどの温度センサとを持つ。そして、ステージ2
33は、プリント基板2を加熱する加熱機構と、この加
熱機構により温度上昇するプリント基板2の温度を検出
するサーミスタなどの温度センサとを持つ。
Here, the bonding head 234 has a heating mechanism for heating the bare chip component 1 and a temperature sensor such as a thermistor for detecting the temperature of the printed circuit board 2 whose temperature is increased by the heating mechanism. And stage 2
Reference numeral 33 has a heating mechanism for heating the printed circuit board 2 and a temperature sensor such as a thermistor for detecting the temperature of the printed circuit board 2 whose temperature is increased by the heating mechanism.

【0052】このように構成されるチップボンダー装置
23では、オリエンター230を使ってベアチップ部品
1の姿勢を規定のものに粗くセットすると、ボンディン
グヘッド234を移動させてベアチップ部品1をピック
させ、そのピックさせたベアチップ部品1をステージ2
33の位置まで移動させてから、ベアチップ部品1とプ
リント基板2との間にオプティカルプローブ232を挿
入して位置合わせを行った後、ベアチップ部品1をプリ
ント基板2に押し付けつつ加熱することで、プリント基
板2に塗布された接着剤7を硬化させて半導体装置10
を製造することになる。
In the chip bonder device 23 configured as described above, when the orientation of the bare chip component 1 is roughly set to a prescribed one using the orienter 230, the bonding head 234 is moved to pick the bare chip component 1, and the bare chip component 1 is picked up. Stage 2 of picked bare chip part 1
After moving to the position 33, the optical probe 232 is inserted between the bare chip component 1 and the printed circuit board 2 to perform alignment, and then the bare chip component 1 is heated while being pressed against the printed circuit board 2 to perform printing. The semiconductor device 10 is cured by curing the adhesive 7 applied to the substrate 2.
Will be manufactured.

【0053】次に、このように構成される製造ラインを
使って実現される本発明の半導体装置10の製造方法に
ついて詳細に説明する。先ず最初に、本発明の基本構成
となる特願平8-181832 号で開示した半導体装置10の
製造方法について簡単に説明する。
Next, a method of manufacturing the semiconductor device 10 of the present invention realized by using the manufacturing line configured as described above will be described in detail. First, a brief description will be given of a method of manufacturing the semiconductor device 10 disclosed in Japanese Patent Application No. 8-181832, which is a basic configuration of the present invention.

【0054】図7に、特願平8-181832 号で開示した半
導体装置10の製造方法を図示する。本発明の基本構成
となる特願平8-181832 号で開示した半導体装置10の
製造方法に従って、図1に図示した半導体装置10を製
造する場合には、図7に示すように、先ず最初に、「バ
ンプ形成工程」に入って、バンプボンダー装置20を使
って、ベアチップ部品1のチップ電極3に突出電極4を
形成する。
FIG. 7 shows a method of manufacturing the semiconductor device 10 disclosed in Japanese Patent Application No. 8-181382. When manufacturing the semiconductor device 10 shown in FIG. 1 according to the manufacturing method of the semiconductor device 10 disclosed in Japanese Patent Application No. Hei 8-181332, which is a basic configuration of the present invention, first, as shown in FIG. In the “bump forming step”, the bump electrodes 4 are formed on the chip electrodes 3 of the bare chip component 1 using the bump bonder 20.

【0055】この突出電極4の形成と並行して、「接着
剤の脱泡工程」に入って、遠心真空脱泡装置22を使っ
て、プリント基板2に塗布する接着剤7に含まれる気泡
を除去した後、「接着剤塗布工程」に入って、ディスペ
ンサ装置21を使って、その気泡を除去した接着剤7を
プリント基板2に塗布する。
In parallel with the formation of the protruding electrodes 4, the process enters the “adhesive defoaming step” and uses the centrifugal vacuum defoaming device 22 to remove bubbles contained in the adhesive 7 applied to the printed circuit board 2. After the removal, the process enters an “adhesive application step”, and the adhesive 7 from which the air bubbles have been removed is applied to the printed circuit board 2 using the dispenser device 21.

【0056】このようにして、ベアチップ部品1のチッ
プ電極3に突出電極4を形成するとともに、プリント基
板2に接着剤7を塗布すると、続いて、「マウント工
程」に入って、チップボンダー装置23を使って、突出
電極4と基板電極6の位置を正確に合わせつつ、ベアチ
ップ部品1をプリント基板2に載置してから、基板電極
6が凹むようになるまで、ベアチップ部品1に荷重を加
えることでベアチップ部品1をプリント基板2に押し付
け、その状態で加熱処理を行うことで、ベアチップ部品
1とプリント基板2との間の接着剤7を硬化させ、その
後、荷重を開放することで図1に図示した半導体装置1
0の製造を完了する。
As described above, when the protruding electrodes 4 are formed on the chip electrodes 3 of the bare chip component 1 and the adhesive 7 is applied to the printed circuit board 2, subsequently, a “mounting process” is entered, and the chip bonding device 23 With the position of the protruding electrode 4 and the substrate electrode 6 accurately adjusted, a load is applied to the bare chip component 1 until the substrate electrode 6 becomes concave after the bare chip component 1 is mounted on the printed circuit board 2. By pressing the bare chip component 1 against the printed circuit board 2 and performing a heat treatment in that state, the adhesive 7 between the bare chip component 1 and the printed circuit board 2 is hardened, and thereafter, the load is released, and FIG. Semiconductor device 1 illustrated in FIG.
0 is completed.

【0057】なお、ここでは、ワイヤボンディング技術
により突出電極4を形成する構成を採ったが、メッキ技
術や転写技術等のような別の技術を用いて突出電極4を
形成する方法を採ることも可能である。また、突出電極
4は、金バンプのような金属バンプに限られものではな
く、樹脂バンプであってもよい。
Although the structure in which the protruding electrode 4 is formed by the wire bonding technique is employed here, a method of forming the protruding electrode 4 by using another technique such as a plating technique or a transfer technique may be employed. It is possible. Further, the protruding electrode 4 is not limited to a metal bump such as a gold bump, but may be a resin bump.

【0058】この製造方法に従って製造される図1に図
示した半導体装置10は、導電ペーストを用いずに製造
できるとともに、突出電極4のレベリングを行わなくて
も製造(行ってもよい)できることから、生産性よく製
造できるようになる。
The semiconductor device 10 shown in FIG. 1 manufactured according to this manufacturing method can be manufactured without using a conductive paste, and can be manufactured (may be performed) without leveling the protruding electrodes 4. It can be manufactured with high productivity.

【0059】そして、ベアチップ部品1の熱膨張率とプ
リント基板2の熱膨張率との違いにより、ベアチップ部
品1とプリント基板2との間に横ずれが生じたとして
も、基板電極6の凹形状部分が突出電極4の動きを抑制
するように作用するので、温度が変化しても、チップ電
極3と基板電極6との間の電気的接続が確実に確保され
ることになる。その結果、導電ペーストを使わなくて
も、チップ電極3と基板電極6との間の電気的接続が確
実に確保されることになる。
Even if the bare chip part 1 and the printed board 2 are displaced laterally due to the difference between the coefficient of thermal expansion of the bare chip part 1 and the coefficient of thermal expansion of the printed board 2, the concave part of the board electrode 6 Acts to suppress the movement of the protruding electrode 4, so that even if the temperature changes, the electrical connection between the chip electrode 3 and the substrate electrode 6 is reliably ensured. As a result, the electrical connection between the chip electrode 3 and the substrate electrode 6 is reliably ensured without using a conductive paste.

【0060】しかも、突出電極4と基板電極6との間の
接触面積が増大することから、チップ電極3と基板電極
6との間の電気的接続が確実に確保されることになる。
図8ないし図13に、プリント基板2として低ガラス転
移温度を示すものや、低弾性係数を示すものが用いられ
るときに、図7の「マウント工程」で実行する本発明の
一実施例を図示する。次に、この実施例に従って、本発
明について詳細に説明する。
In addition, since the contact area between the protruding electrode 4 and the substrate electrode 6 increases, the electrical connection between the chip electrode 3 and the substrate electrode 6 is reliably ensured.
FIGS. 8 to 13 show one embodiment of the present invention which is executed in the “mounting step” of FIG. 7 when a substrate having a low glass transition temperature or a substrate having a low elastic modulus is used as the printed circuit board 2. I do. Next, the present invention will be described in detail according to this embodiment.

【0061】図8の実施例は、チップボンダー装置23
のボンティングヘッド234を使って、ベアチップ部品
1をプリント基板2に押し付けつつ加熱することで、プ
リント基板2に塗布された接着剤7を硬化させて半導体
装置10を製造するときに、最初は、順次荷重を大きく
しながら高荷重で押圧し、所定荷重(突出電極4がつぶ
れ過ぎない荷重以下に設定される)に到達したら、順次
荷重を小さくし、設定される低荷重に到達したら加熱を
開始するという方法を採っている。
The embodiment shown in FIG.
When the semiconductor device 10 is manufactured by curing the adhesive 7 applied to the printed circuit board 2 by heating the bare chip component 1 while pressing the printed circuit board 2 by using the bonding head 234, Pressing with a high load while sequentially increasing the load, and when the load reaches a predetermined load (set below the load at which the protruding electrode 4 is not over-crushed), gradually reduce the load and start heating when the set low load is reached. It is taking the method of doing.

【0062】ここで、図中の点は突出電極4が基板電
極6に接触した時点を示し、点は低荷重に切り替える
高荷重に到達した時点を示し、点は設定される低荷重
に到達した時点を示し、点は基板電極6の沈み込み
(凹み)の開始した時点を示している。
Here, the points in the figure indicate the point in time when the protruding electrode 4 comes into contact with the substrate electrode 6, the points indicate the point in time when the high load for switching to the low load has been reached, and the points have reached the set low load. The time point is shown, and the point indicates the time point when the sinking (recess) of the substrate electrode 6 starts.

【0063】すなわち、この実施例では、最初、マウン
ト荷重を大きく設定することで、必要とされるチップ電
極3と基板電極6との間の接触面積を確保し、その後、
マウント荷重を小さくしてから加熱を開始することで、
基板電極6の凹み量が必要以上大きくならないようにと
制御するのである。プリント基板2の加熱が進むと、プ
リント基板2の温度がガラス転移温度よりも高くなり弾
性係数が大きく低下するので、基板電極6の凹み量が必
要以上大きくならないようにと、加熱の開始前にマウン
ト荷重を小さくするのである。
That is, in this embodiment, the required contact area between the chip electrode 3 and the substrate electrode 6 is secured by first setting the mounting load large.
By starting the heating after reducing the mounting load,
The control is performed so that the recess amount of the substrate electrode 6 does not become larger than necessary. When the heating of the printed circuit board 2 proceeds, the temperature of the printed circuit board 2 becomes higher than the glass transition temperature and the elastic modulus is greatly reduced. Therefore, before the heating is started, the dent amount of the substrate electrode 6 is not increased more than necessary. This reduces the mounting load.

【0064】なお、低荷重制御に移ると同時に加熱を開
始するというように、加熱開始と同時に低荷重制御に移
る構成を採ることも可能である。図9の実施例は、チッ
プボンダー装置23のボンティングヘッド234を使っ
て、ベアチップ部品1をプリント基板2に押し付けつつ
加熱することで、プリント基板2に塗布された接着剤7
を硬化させて半導体装置10を製造するときに、最初
は、一定の高荷重(突出電極4がつぶれ過ぎない荷重以
下に設定される)で押圧し、その押圧中に加熱を開始し
て、プリント基板2の温度が点で示すガラス転移温度
よりも低い規定温度に到達するときに、低荷重に切り替
えるという方法を採っている。
It is also possible to adopt a configuration in which the heating is started at the same time as the shift to the low load control, and the control is shifted to the low load control at the same time as the heating is started. The embodiment shown in FIG. 9 uses the bonding head 234 of the chip bonder device 23 to heat the bare chip component 1 while pressing the bare chip component 1 against the printed circuit board 2 so that the adhesive 7 applied to the printed circuit board 2 is heated.
When the semiconductor device 10 is manufactured by curing the semiconductor device 10, first, it is pressed with a constant high load (set so as not to be excessively crushed by the protruding electrode 4), heating is started during the pressing, and printing is performed. When the temperature of the substrate 2 reaches a specified temperature lower than the glass transition temperature indicated by a point, the load is switched to a low load.

【0065】すなわち、この実施例では、プリント基板
2の温度がガラス転移温度よりも低いときには、マウン
ト荷重を大きく設定することで、必要とされるチップ電
極3と基板電極6との間の接触面積を確保し、加熱が進
んで、プリント基板2の温度がガラス転移温度よりも高
くなるときには、プリント基板2の温度がガラス転移温
度よりも高くなり弾性係数が大きく低下することを考慮
して、マウント荷重を小さく設定することで、基板電極
6の凹み量が必要以上大きくならないようにと制御する
のである。
That is, in this embodiment, when the temperature of the printed circuit board 2 is lower than the glass transition temperature, the mounting load is set large so that the required contact area between the chip electrode 3 and the substrate electrode 6 is increased. When the temperature of the printed circuit board 2 becomes higher than the glass transition temperature due to the progress of heating and the temperature of the printed circuit board 2 becomes higher than the glass transition temperature, the elastic modulus is greatly reduced in consideration of the mounting. By setting the load small, the amount of depression of the substrate electrode 6 is controlled so as not to become larger than necessary.

【0066】図10の実施例は、チップボンダー装置2
3のボンティングヘッド234を使って、ベアチップ部
品1をプリント基板2に押し付けつつ加熱することで、
プリント基板2に塗布された接着剤7を硬化させて半導
体装置10を製造するときに、最初は、一定の高荷重
(突出電極4がつぶれ過ぎない荷重以下に設定される)
で押圧し、その押圧中に加熱を開始して、点で示すZ
軸(ボンティングヘッド234のZ軸)の降下が開始す
るときに、低荷重に切り替えるという方法を採ってい
る。
The embodiment shown in FIG.
By using the bonding head 234 of No. 3 and heating the bare chip component 1 while pressing it against the printed circuit board 2,
When the semiconductor device 10 is manufactured by curing the adhesive 7 applied to the printed circuit board 2, first, a certain high load is set (the load is set to be equal to or less than a load at which the protruding electrode 4 is not over-crushed).
And heating is started during the pressing.
When the descent of the shaft (the Z-axis of the bonding head 234) starts, the method is switched to a low load.

【0067】すなわち、この実施例では、プリント基板
2の温度がほぼガラス転移温度に到達すると、ボンティ
ングヘッド234の降下が開始することから、プリント
基板2の温度がガラス転移温度よりも低いときには、マ
ウント荷重を大きく設定することで、必要とされるチッ
プ電極3と基板電極6との間の接触面積を確保し、加熱
が進んで、ボンティングヘッド234の降下が開始する
ときに低荷重制御に移ることで、基板電極6の凹み量が
必要以上大きくならないようにと制御するのである。
That is, in this embodiment, when the temperature of the printed circuit board 2 almost reaches the glass transition temperature, the lowering of the bonding head 234 starts, so that when the temperature of the printed circuit board 2 is lower than the glass transition temperature, By setting a large mounting load, a necessary contact area between the chip electrode 3 and the substrate electrode 6 is secured, and when the heating proceeds and the descent of the bonding head 234 starts, low load control is performed. By shifting, the amount of depression of the substrate electrode 6 is controlled so as not to become larger than necessary.

【0068】図11の実施例は、チップボンダー装置2
3のボンティングヘッド234を使って、ベアチップ部
品1をプリント基板2に押し付けつつ加熱することで、
プリント基板2に塗布された接着剤7を硬化させて半導
体装置10を製造するときに、最初は、一定の高荷重
(突出電極4がつぶれ過ぎない荷重以下に設定される)
で押圧し、その押圧中に加熱を開始して、点で示す基
板電極6の凹み量が規定値に到達するときに、荷重を管
理せずに、ボンティングヘッド234の降下を停止させ
るという方法を採っている。
The embodiment shown in FIG.
By using the bonding head 234 of No. 3 and heating the bare chip component 1 while pressing it against the printed circuit board 2,
When the semiconductor device 10 is manufactured by curing the adhesive 7 applied to the printed circuit board 2, first, a certain high load is set (the load is set to be equal to or less than a load at which the protruding electrode 4 is not excessively crushed).
And heating is started during the pressing, and when the amount of depression of the substrate electrode 6 indicated by a point reaches a specified value, the descent of the bonding head 234 is stopped without managing the load. Has been adopted.

【0069】すなわち、この実施例では、加熱押圧中に
基板電極6の凹み量を測定して、それが規定値に到達す
るときには、ボンティングヘッド234の降下を停止さ
せることで、基板電極6の凹み量がそれ以上大きくなら
ないようにと制御するのである。
That is, in this embodiment, the amount of depression of the substrate electrode 6 is measured during the heating and pressing, and when it reaches a specified value, the lowering of the bonding head 234 is stopped. The dent amount is controlled so as not to be further increased.

【0070】この基板電極6の凹み量は、チップボンダ
ー装置23のエンコーダ236を使って測定できること
になるが、この基板電極6の凹み量測定の精度を高める
には、突出電極4のつぶれ量を考慮する必要がある。す
なわち、チップボンダー装置23のエンコーダ236で
測定される凹み量には、突出電極4のつぶれ量が含まれ
ているので、基板電極6の凹み量を正確に求めるには、
エンコーダ236で測定される凹み量から突出電極4の
つぶれ量を差し引く必要がある。
The amount of depression of the substrate electrode 6 can be measured using the encoder 236 of the chip bonder 23. To improve the accuracy of the measurement of the amount of depression of the substrate electrode 6, the amount of collapse of the protruding electrode 4 must be reduced. It needs to be considered. That is, the amount of depression measured by the encoder 236 of the chip bonder 23 includes the amount of collapse of the protruding electrode 4.
It is necessary to subtract the crush amount of the protruding electrode 4 from the dent amount measured by the encoder 236.

【0071】これを実現するには、図14に示すよう
に、予め、突出電極4にかかる荷重と、そのときの突出
電極4の高さとの対応関係を入手する構成を採って、ボ
ンディングヘッド234をプリント基板2に向かって押
し下げていくときに、ロードセル235でそのときの荷
重を測定する。そして、ロードセル235が荷重印加を
感知した位置を原点として、更に、ボンディングヘッド
234を押し下げていって、このときにロードセル23
5に加わる荷重fを求め、この求めた荷重fと図14の
対応関係とに従って、突出電極4のつぶれ量α(f)を
求めることで行う。
In order to realize this, as shown in FIG. 14, a configuration is adopted in which the correspondence between the load applied to the projecting electrode 4 and the height of the projecting electrode 4 at that time is obtained in advance, and the bonding head 234 is used. Is pressed down toward the printed circuit board 2, the load at that time is measured by the load cell 235. The bonding head 234 is further depressed with the position at which the load cell 235 detects the application of the load as the origin, and at this time, the load cell 23
The load f applied to the protruding electrode 5 is obtained in accordance with the obtained load f and the correspondence relationship in FIG.

【0072】なお、予め、突出電極4がそれ以上変形し
ない荷重(図14のF)を求めておいて、予め、ベアチ
ップ部品1の突出電極4にこの荷重Fを印加すること
で、突出電極4をそれ以上変形しないようにしてからチ
ップボンダー装置23にセットしていくようにしてもよ
い。このようにすると、エンコーダ236を見るだけ
で、基板電極6の凹み量が所定のものになるように制御
できることになる。
A load (F in FIG. 14) at which the protruding electrode 4 is not further deformed is determined in advance, and the load F is applied to the protruding electrode 4 of the bare chip component 1 in advance to obtain the protruding electrode 4. May be set in the chip bonder device 23 after being further deformed. By doing so, it is possible to control the amount of depression of the substrate electrode 6 to be a predetermined value only by looking at the encoder 236.

【0073】図12の実施例は、チップボンダー装置2
3のボンティングヘッド234を使って、ベアチップ部
品1をプリント基板2に押し付けつつ加熱することで、
プリント基板2に塗布された接着剤7を硬化させて半導
体装置10を製造するときに、最初は、順次荷重を大き
くしながら、高荷重(突出電極4がつぶれ過ぎない荷重
以下に設定される)で押圧し、点で示す基板電極6の
凹み量が規定値に到達するときに、荷重を管理せずに、
ボンティングヘッド234の降下を停止させ、その後に
加熱を開始するという方法を採っている。
The embodiment shown in FIG.
By using the bonding head 234 of No. 3 and heating the bare chip component 1 while pressing it against the printed circuit board 2,
When the semiconductor device 10 is manufactured by curing the adhesive 7 applied to the printed circuit board 2, initially, while increasing the load sequentially, the load is set to be high (set to be equal to or less than the load at which the protruding electrode 4 is not excessively crushed). When the depression amount of the substrate electrode 6 indicated by a point reaches a specified value, without controlling the load,
The descent of the bonding head 234 is stopped, and then the heating is started.

【0074】すなわち、この実施例では、押圧中に基板
電極6の凹み量を測定して、それが規定値に到達すると
きに、ボンティングヘッド234の降下を停止させ、そ
れから加熱を開始することで、基板電極6の凹み量がそ
れ以上大きくならないようにと制御するのである。図1
3の実施例は、チップボンダー装置23のボンティング
ヘッド234を使って、ベアチップ部品1をプリント基
板2に押し付けつつ加熱することで、プリント基板2に
塗布された接着剤7を硬化させて半導体装置10を製造
するときに、最初は、一定の高荷重(突出電極4がつぶ
れ過ぎない荷重以下に設定される)で押圧し、その押圧
中に加熱を開始して、点で示す基板電極6の凹み量が
規定値に到達するときに、荷重を管理せずに、ボンティ
ングヘッド234の降下を停止させ、それ以降、加熱に
よるプリント基板2の熱膨張を考慮して、プリント基板
2の熱膨張分、ボンティングヘッド234を順次上昇
(場合によっては降下)させるという方法を採ってい
る。
That is, in this embodiment, the depression amount of the substrate electrode 6 is measured during pressing, and when the depression amount reaches the specified value, the lowering of the bonding head 234 is stopped, and then heating is started. Thus, control is performed so that the amount of depression of the substrate electrode 6 does not increase any more. FIG.
The third embodiment uses a bonding head 234 of the chip bonder device 23 to heat the bare chip component 1 while pressing the bare chip component 1 against the printed circuit board 2, thereby curing the adhesive 7 applied to the printed circuit board 2. When manufacturing the substrate electrode 10, first, the substrate electrode 6 is pressed with a constant high load (set below the load at which the protruding electrode 4 is not excessively crushed), heating is started during the pressing, and the substrate electrode 6 indicated by a dot is pressed. When the dent amount reaches the specified value, the lowering of the bonding head 234 is stopped without controlling the load, and thereafter, the thermal expansion of the printed circuit board 2 is considered in consideration of the thermal expansion of the printed circuit board 2 due to heating. In this case, the bonding head 234 is sequentially raised (or lowered in some cases).

【0075】すなわち、この実施例では、加熱押圧中に
基板電極6の凹み量を測定して、それが規定値に到達す
るときに、ボンティングヘッド234の降下を停止させ
るとともに、それ以降、プリント基板2の熱膨張に応じ
てボンティングヘッド234を順次上昇(場合によって
は降下)させることで、基板電極6の凹み量がそれ以上
大きくならないようにと制御するのである。
That is, in this embodiment, the depression amount of the substrate electrode 6 is measured during the heating and pressing, and when the depression amount reaches the specified value, the lowering of the bonding head 234 is stopped. By sequentially raising (or lowering in some cases) the bonding head 234 in accordance with the thermal expansion of the substrate 2, the amount of depression of the substrate electrode 6 is controlled so as not to increase further.

【0076】ここで、プリント基板2の熱膨張量は、チ
ップボンダー装置23のステージ233の持つ温度セン
サにより検出されるプリント基板2の温度に基づいて算
出されたり、あるいは、プリント基板2の温度と熱膨張
量との対応関係を管理するテーブルを用意しておいて、
そのテーブルを索引することで求めることになる。
Here, the thermal expansion amount of the printed board 2 is calculated based on the temperature of the printed board 2 detected by the temperature sensor of the stage 233 of the chip bonder 23, Prepare a table to manage the correspondence with the amount of thermal expansion,
It is determined by indexing the table.

【0077】以上に説明した構成を採るときに、接着剤
7の加熱硬化温度を通常よりも高く設定することで、マ
ウントを短時間で終了させる構成を採ると、基板電極6
の凹み量の増加を抑えることができるので有効である。
When the configuration described above is adopted, by setting the heating and curing temperature of the adhesive 7 higher than usual so that the mounting is completed in a short time, the substrate electrode 6
This is effective because an increase in the amount of dents can be suppressed.

【0078】[0078]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ベアチップ部品に荷重をかけることでプリント基板の基
板電極が凹むまでプリント基板に押圧するとともに、そ
の押圧中に、塗布した接着剤を硬化させることで、ベア
チップ部品とプリント基板とで構成されるフェイスダウ
ンマウントの半導体装置を製造するときにあって、プリ
ント基板として低ガラス転移温度を示すものや、低弾性
係数を示すものが用いられるときに、プリント基板の基
板電極の凹みとして、大き過ぎず小さ過ぎない適切なも
のを確保できるようになることから、プリント基板とし
て低ガラス転移温度を示すものや、低弾性係数を示すも
のが用いられるときにも、高い信頼性と高い生産性を持
つ半導体装置を製造できるようになる。
As described above, according to the present invention,
A load is applied to the bare chip components to press them down until the board electrodes on the printed circuit board are depressed, and the applied adhesive is cured during the pressing, so that the face down composed of the bare chip components and the printed circuit board is achieved. When manufacturing a semiconductor device of a mount, when a substrate having a low glass transition temperature or a substrate having a low elastic modulus is used as a printed circuit board, it is not too large or too small as a recess of a substrate electrode of the printed circuit board. It is possible to secure semiconductor devices with high reliability and high productivity even when printed circuit boards with low glass transition temperature or low elastic modulus are used. Be able to manufacture.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明により製造される半導体装置の説明図で
ある。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a semiconductor device manufactured according to the present invention.

【図2】半導体装置の製造ラインの説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a manufacturing line of a semiconductor device.

【図3】バンプボンダー装置の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a bump bonder device.

【図4】ディスペンサ装置の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a dispenser device.

【図5】遠心真空脱泡装置の説明図である。FIG. 5 is an explanatory view of a centrifugal vacuum defoaming apparatus.

【図6】チップボンダー装置の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a chip bonder device.

【図7】先に出願した発明の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of the invention filed earlier.

【図8】本発明の一実施例である。FIG. 8 is an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施例である。FIG. 9 is an embodiment of the present invention.

【図10】本発明の一実施例である。FIG. 10 is an embodiment of the present invention.

【図11】本発明の一実施例である。FIG. 11 is an embodiment of the present invention.

【図12】本発明の一実施例である。FIG. 12 is an embodiment of the present invention.

【図13】本発明の一実施例である。FIG. 13 is an embodiment of the present invention.

【図14】突出電極の高さと荷重との対応関係図であ
る。
FIG. 14 is a diagram illustrating a correspondence relationship between a height of a protruding electrode and a load.

【図15】半導体装置の構造図である。FIG. 15 is a structural diagram of a semiconductor device.

【図16】従来技術の説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram of a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ベアチップ部品 2 プリント基板 3 チップ電極 4 突出電極 6 基板電極 7 接着剤 10 半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bare chip component 2 Printed circuit board 3 Chip electrode 4 Projecting electrode 6 Board electrode 7 Adhesive 10 Semiconductor device

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 LSIのベアチップ部品とプリント基板
とで構成される半導体装置の製造方法において、 ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第1
の処理過程と、 プリント基板のベアチップ部品載置位置に接着剤を塗布
する第2の処理過程と、 第1の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の
基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着
剤の塗布されたプリント基板に載置する第3の処理過程
と、 最初は高荷重を使い次に低荷重を使って、第3の処理過
程で載置したベアチップ部品をプリント基板に押圧する
ことで、プリント基板の基板電極を凹ませるとともに、
その押圧中に、第2の処理過程で塗布した接着剤を加熱
硬化させる第4の処理過程とを備えることを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A method of manufacturing a semiconductor device comprising a bare chip part of an LSI and a printed circuit board, the method comprising: forming a protruding electrode on a chip electrode of the bare chip part;
And a second processing step of applying an adhesive to the bare chip component mounting position of the printed circuit board; and aligning the positions of the protruding electrodes formed in the first processing step with the substrate electrodes of the printed circuit board, A third processing step of placing the bare chip parts on the printed circuit board coated with the adhesive, and first using a high load and then using a low load, and then transferring the bare chip parts placed in the third processing step to the printed circuit board. By pressing the substrate electrode of the printed circuit board,
A fourth processing step of heating and curing the adhesive applied in the second processing step during the pressing.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 第4の処理過程で、加熱の状態に応じて、低荷重に切り
替えるよう処理することを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein in the fourth processing step, a processing is performed to switch to a low load according to a heating state.
【請求項3】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 第4の処理過程で、基板電極の凹みに応じて、低荷重に
切り替えるよう処理することを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein in the fourth processing step, processing is performed to switch to a low load in accordance with a depression of the substrate electrode. .
【請求項4】 請求項1ないし3記載の半導体装置の製
造方法において、 第4の処理過程で、高荷重を印加するときに、荷重を順
次大きくしていくよう処理することを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
4. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein in the fourth processing step, when a high load is applied, processing is performed such that the load is sequentially increased. A method for manufacturing a semiconductor device.
【請求項5】 請求項1ないし3記載の半導体装置の製
造方法において、 第4の処理過程で、低荷重を印加するときに、荷重を順
次小さくしていくよう処理することを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
5. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein in the fourth processing step, when a low load is applied, processing is performed such that the load is gradually reduced. A method for manufacturing a semiconductor device.
【請求項6】 LSIのベアチップ部品とプリント基板
とで構成される半導体装置の製造方法において、 ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第1
の処理過程と、 プリント基板のベアチップ部品載置位置に接着剤を塗布
する第2の処理過程と、 第1の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の
基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着
剤の塗布されたプリント基板に載置する第3の処理過程
と、 プリント基板の基板電極の凹み量が規定値になるまで、
第3の処理過程で載置したベアチップ部品をプリント基
板に押圧することで、プリント基板の基板電極を凹ませ
るとともに、その押圧中に、第2の処理過程で塗布した
接着剤を加熱硬化させ、更に、プリント基板の基板電極
の凹み量が規定値になるときに、押圧用ヘッドの移動を
停止させる第4の処理過程とを備えることを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
6. A method of manufacturing a semiconductor device comprising a bare chip part of an LSI and a printed circuit board, wherein a first electrode is formed on a chip electrode of the bare chip part.
And a second processing step of applying an adhesive to the bare chip component mounting position of the printed circuit board; and aligning the positions of the protruding electrodes formed in the first processing step with the substrate electrodes of the printed circuit board, The third processing step of placing the bare chip component on the printed circuit board coated with the adhesive, and until the amount of dent of the board electrode of the printed circuit board reaches a specified value.
By pressing the bare chip components placed in the third processing step against the printed circuit board, the substrate electrodes of the printed circuit board are depressed, and the adhesive applied in the second processing step is heated and cured during the pressing, And a fourth processing step of stopping the movement of the pressing head when the amount of depression of the substrate electrode of the printed circuit board reaches a specified value.
【請求項7】 LSIのベアチップ部品とプリント基板
とで構成される半導体装置の製造方法において、 ベアチップ部品のチップ電極に突出電極を形成する第1
の処理過程と、 プリント基板のベアチップ部品載置位置に接着剤を塗布
する第2の処理過程と、 第1の処理過程で形成された突出電極とプリント基板の
基板電極との位置を合わせつつ、ベアチップ部品を接着
剤の塗布されたプリント基板に載置する第3の処理過程
と、 プリント基板の基板電極の凹み量が規定値になるまで、
第3の処理過程で載置したベアチップ部品をプリント基
板に押圧することで、プリント基板の基板電極を凹ませ
るとともに、その押圧中に、第2の処理過程で塗布した
接着剤を加熱硬化させ、更に、プリント基板の基板電極
の凹み量が規定値になるときに、それ以降、プリント基
板の熱膨張に応じて押圧用ヘッドを移動させる第4の処
理過程とを備えることを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
7. A method for manufacturing a semiconductor device comprising a bare chip part of an LSI and a printed circuit board, wherein a first electrode is formed on a chip electrode of the bare chip part.
And a second processing step of applying an adhesive to the bare chip component mounting position of the printed circuit board; and aligning the positions of the protruding electrodes formed in the first processing step with the substrate electrodes of the printed circuit board, The third processing step of placing the bare chip component on the printed circuit board coated with the adhesive, and until the amount of dent of the board electrode of the printed circuit board reaches a specified value.
By pressing the bare chip components placed in the third processing step against the printed circuit board, the substrate electrodes of the printed circuit board are depressed, and the adhesive applied in the second processing step is heated and cured during the pressing, And a fourth process of moving the pressing head in accordance with the thermal expansion of the printed circuit board when the amount of depression of the substrate electrode of the printed circuit board reaches a specified value. Device manufacturing method.
【請求項8】 請求項6又は7記載の半導体装置の製造
方法において、 第4の処理過程で、最初は、荷重制御により押圧用ヘッ
ドを制御し、続いて、プリント基板の基板電極の凹みに
応じて押圧用ヘッドを制御するよう処理することを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
8. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein in the fourth processing step, the pressing head is first controlled by load control, and subsequently, the pressing head is controlled by the depression of the substrate electrode of the printed circuit board. A method for controlling the pressing head in accordance with the method.
【請求項9】 請求項8記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 第4の処理過程で、加熱の状態に応じて、制御方法を切
り替えるよう処理することを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
9. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein in the fourth processing step, processing is performed to switch a control method according to a heating state.
【請求項10】 請求項8記載の半導体装置の製造方法
において、 第4の処理過程で、基板電極の凹みに応じて、制御方法
を切り替えるよう処理することを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
10. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein in the fourth processing step, the control method is switched in accordance with a depression of the substrate electrode. .
【請求項11】 請求項1ないし10記載の半導体装置
の製造方法において、 第4の処理過程で、通常の硬化温度よりも高い硬化温度
となるようにと接着剤を加熱することを、 特徴とする半導体装置の製造方法。
11. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the adhesive is heated to a curing temperature higher than a normal curing temperature in the fourth processing step. Semiconductor device manufacturing method.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001230528A (en) * 2000-02-15 2001-08-24 Sony Corp Mounting device and mounting method
JP2002343829A (en) * 2001-05-21 2002-11-29 Nec Corp Method of packaging semiconductor device
US7053479B2 (en) 2001-03-26 2006-05-30 Citizen Watch Co., Ltd. Package of semiconductor device and its manufacturing method
JP2012009676A (en) * 2010-06-25 2012-01-12 Japan Radio Co Ltd Chip mounting method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001230528A (en) * 2000-02-15 2001-08-24 Sony Corp Mounting device and mounting method
US7053479B2 (en) 2001-03-26 2006-05-30 Citizen Watch Co., Ltd. Package of semiconductor device and its manufacturing method
JP2002343829A (en) * 2001-05-21 2002-11-29 Nec Corp Method of packaging semiconductor device
JP4626839B2 (en) * 2001-05-21 2011-02-09 日本電気株式会社 Mounting method of semiconductor device
JP2012009676A (en) * 2010-06-25 2012-01-12 Japan Radio Co Ltd Chip mounting method

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