JPH11163208A - 多層プリント配線板 - Google Patents
多層プリント配線板Info
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- JPH11163208A JPH11163208A JP33020397A JP33020397A JPH11163208A JP H11163208 A JPH11163208 A JP H11163208A JP 33020397 A JP33020397 A JP 33020397A JP 33020397 A JP33020397 A JP 33020397A JP H11163208 A JPH11163208 A JP H11163208A
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- Japan
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- wiring board
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性のある新規な半導体パッケージ用の多
層プリント配線板を得る。 【解決手段】 プラスチック半導体パッケージ用多層プ
リント配線板であって、２段以上のワイヤボンディング
用端子が多層プリント配線板表面に形成されている構造
であり、半導体のダイボンディング面と最外層のワイヤ
ボンディング面が同一高さに位置することを特徴とする
多層プリント配線板。 【効果】 ワイヤボンディング用端子が２段以上形成さ
れているプラスチック半導体パッケージ用多層プリント
配線板は、新規なものであり、製造も比較的容易にでき
るものであり、また得られた多層プリント配線板は優れ
た信頼性を有しており、半導体パッケージ用として非常
に有用である。
層プリント配線板を得る。 【解決手段】 プラスチック半導体パッケージ用多層プ
リント配線板であって、２段以上のワイヤボンディング
用端子が多層プリント配線板表面に形成されている構造
であり、半導体のダイボンディング面と最外層のワイヤ
ボンディング面が同一高さに位置することを特徴とする
多層プリント配線板。 【効果】 ワイヤボンディング用端子が２段以上形成さ
れているプラスチック半導体パッケージ用多層プリント
配線板は、新規なものであり、製造も比較的容易にでき
るものであり、また得られた多層プリント配線板は優れ
た信頼性を有しており、半導体パッケージ用として非常
に有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤボンディング用
端子が２段以上形成されているプラスチック半導体パッ
ケージ用多層プリント配線板に関し、得られた多層プリ
ント配線板は耐熱性、電気的特性、物理的特性、耐湿性
等に優れたものであり、非常に高密度の半導体搭載用と
して使用できるものである。
端子が２段以上形成されているプラスチック半導体パッ
ケージ用多層プリント配線板に関し、得られた多層プリ
ント配線板は耐熱性、電気的特性、物理的特性、耐湿性
等に優れたものであり、非常に高密度の半導体搭載用と
して使用できるものである。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】従来、ワイヤボンディング
用端子が２段以上形成されているプラスチック半導体パ
ッケージは、半導体をダイボンディングする面が内層と
同一面、或いは裏面にヒートシンクとして貼りつけた金
属の面であった。このパッケージは、内外層のプリント
配線板をそれぞれ作成し、外層の半導体を搭載する部分
をルーター、或いはパンチング等で穴をあけ、ノーフロ
ーシートを使用して貼りつける方法（方法１）、予め内
外層を作成し、これをＢステージのプリプレグで積層成
形した後、ルーターで内層の端子までザグル方法（方法
２）等があった。
用端子が２段以上形成されているプラスチック半導体パ
ッケージは、半導体をダイボンディングする面が内層と
同一面、或いは裏面にヒートシンクとして貼りつけた金
属の面であった。このパッケージは、内外層のプリント
配線板をそれぞれ作成し、外層の半導体を搭載する部分
をルーター、或いはパンチング等で穴をあけ、ノーフロ
ーシートを使用して貼りつける方法（方法１）、予め内
外層を作成し、これをＢステージのプリプレグで積層成
形した後、ルーターで内層の端子までザグル方法（方法
２）等があった。
【０００３】しかしながら、方法１はノーフローシート
の流動性が極めて小さく、成形時にボイドとなるものが
多くて不良率が高く、またノーフローとするために樹脂
成分にゴム成分等を入れるため、得られた樹脂組成物は
耐湿性、耐熱性、電気特性等に劣るものであった。方法
２においては、ザグリの精度が±100 μｍ程度と今一歩
であり、高多層になると内層の端子切れ等が生じる、ザ
グリに時間を要する等の問題点があった。また、セラミ
ックパッケージもあるが、誘電率が高い、細密パターン
ができにくい、価格が高い等の問題点があった。
の流動性が極めて小さく、成形時にボイドとなるものが
多くて不良率が高く、またノーフローとするために樹脂
成分にゴム成分等を入れるため、得られた樹脂組成物は
耐湿性、耐熱性、電気特性等に劣るものであった。方法
２においては、ザグリの精度が±100 μｍ程度と今一歩
であり、高多層になると内層の端子切れ等が生じる、ザ
グリに時間を要する等の問題点があった。また、セラミ
ックパッケージもあるが、誘電率が高い、細密パターン
ができにくい、価格が高い等の問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した欠
点を解消したプラスチック半導体パッケージ用プリント
配線板を提供するものである。
点を解消したプラスチック半導体パッケージ用プリント
配線板を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するべ
く鋭意検討を重ねた結果、基材として液晶ポリエステル
不織布を用い、これに熱硬化性樹脂成分として、多官能
性シアン酸エステル、該シアン酸エステルプレポリマー
を必須成分とするものを含浸、乾燥して得られたＢステ
ージのプリプレグを使用して、２段以上のワイヤボンデ
ィング用端子が多層のプリント配線板の表面に形成さ
れ、半導体のダイボンディング面と最外層のワイヤボン
ディング面が同一高さにある多層板を作成し、その内層
のワイヤボンディング用端子をレーザーで加工して露出
させて得られたプラスチック半導体パッケージ用多層プ
リント配線板は、ボイドもなく、作業性効率も良く、内
層端子切れもなく、且つ耐熱性、電気的特性、耐湿性等
に優れたものを得ることができた。
く鋭意検討を重ねた結果、基材として液晶ポリエステル
不織布を用い、これに熱硬化性樹脂成分として、多官能
性シアン酸エステル、該シアン酸エステルプレポリマー
を必須成分とするものを含浸、乾燥して得られたＢステ
ージのプリプレグを使用して、２段以上のワイヤボンデ
ィング用端子が多層のプリント配線板の表面に形成さ
れ、半導体のダイボンディング面と最外層のワイヤボン
ディング面が同一高さにある多層板を作成し、その内層
のワイヤボンディング用端子をレーザーで加工して露出
させて得られたプラスチック半導体パッケージ用多層プ
リント配線板は、ボイドもなく、作業性効率も良く、内
層端子切れもなく、且つ耐熱性、電気的特性、耐湿性等
に優れたものを得ることができた。
【０００６】本発明で使用される熱硬化性樹脂として
は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸
エステル、多官能性シアン酸エステル−マレイミド樹脂
等、一般に公知の熱硬化性樹脂の組成物が使用され得
る。耐熱性、電気的特性、耐湿性等の点から、好適には
多官能性シアン酸エステル樹脂組成物が使用される。
は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸
エステル、多官能性シアン酸エステル−マレイミド樹脂
等、一般に公知の熱硬化性樹脂の組成物が使用され得
る。耐熱性、電気的特性、耐湿性等の点から、好適には
多官能性シアン酸エステル樹脂組成物が使用される。
【０００７】本発明の好適な熱硬化性樹脂成分である多
官能性シアン酸エステルとは、分子内にシアナト基（−
Ｏ−Ｃ≡Ｎ）を２個以上含有する化合物である。具体的
に例示すると、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,
5-トリシアナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,
6-又は2,7-ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナト
ナフタレン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス（4-ジシ
アナトフェニル）メタン、2,2-ビス（4-シアナトフェニ
ル）プロパン、2,2-ビス（3,5-ジブロモ-4- シアナトフ
ェニル）プロパン、ビス（4-シアナトフェニル）エーテ
ル、ビス（4-シアナトフェニル）チオエーテル、ビス
（4-シアナトフェニル）スルホン、トリス（4-シアナト
フェニル）ホスファイト、トリス（4-シアナトフェニ
ル）ホスフェート、およびノボラックとハロゲン化シア
ンとの反応により得られるシアネート類などである。
官能性シアン酸エステルとは、分子内にシアナト基（−
Ｏ−Ｃ≡Ｎ）を２個以上含有する化合物である。具体的
に例示すると、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,
5-トリシアナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,
6-又は2,7-ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナト
ナフタレン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス（4-ジシ
アナトフェニル）メタン、2,2-ビス（4-シアナトフェニ
ル）プロパン、2,2-ビス（3,5-ジブロモ-4- シアナトフ
ェニル）プロパン、ビス（4-シアナトフェニル）エーテ
ル、ビス（4-シアナトフェニル）チオエーテル、ビス
（4-シアナトフェニル）スルホン、トリス（4-シアナト
フェニル）ホスファイト、トリス（4-シアナトフェニ
ル）ホスフェート、およびノボラックとハロゲン化シア
ンとの反応により得られるシアネート類などである。
【０００８】これらのほかに特公昭41-1928 、同43-184
68、同44-4791 、同45-11712、同46-1112 、同47-26853
及び特開昭51-63149等に記載の多官能性シアン酸エステ
ル化合物類も用いられ得る。これらは単独或いは２種以
上組み合わせて使用される。これらの成分中には加水分
解性Ｃｌ、Ｎａ等の不純物含有量が極めて少なく、本発
明の１成分として配合することによって全体の不純物量
が少なくなり、半導体周辺材料としては最適である。ま
た、これら多官能性シアン酸エステル化合物のシアナト
基の三量化によって形成されるトリアジン環を有する分
子量200 〜6,000 のプレポリマーが使用される。このプ
レポリマーは、上記の多官能性シアン酸エステルモノマ
ーを、例えば鉱酸、ルイス酸等の酸類；ナトリウムアル
コラート、第三級アミン類等の塩基；炭酸ナトリウム等
の塩類等を触媒として重合させることにより得られる。
このプレポリマー中には一部モノマーが含まれており、
モノマーとプレポリマーとの混合物の形態をしており、
このような原料は本発明の用途に好適に使用される。
68、同44-4791 、同45-11712、同46-1112 、同47-26853
及び特開昭51-63149等に記載の多官能性シアン酸エステ
ル化合物類も用いられ得る。これらは単独或いは２種以
上組み合わせて使用される。これらの成分中には加水分
解性Ｃｌ、Ｎａ等の不純物含有量が極めて少なく、本発
明の１成分として配合することによって全体の不純物量
が少なくなり、半導体周辺材料としては最適である。ま
た、これら多官能性シアン酸エステル化合物のシアナト
基の三量化によって形成されるトリアジン環を有する分
子量200 〜6,000 のプレポリマーが使用される。このプ
レポリマーは、上記の多官能性シアン酸エステルモノマ
ーを、例えば鉱酸、ルイス酸等の酸類；ナトリウムアル
コラート、第三級アミン類等の塩基；炭酸ナトリウム等
の塩類等を触媒として重合させることにより得られる。
このプレポリマー中には一部モノマーが含まれており、
モノマーとプレポリマーとの混合物の形態をしており、
このような原料は本発明の用途に好適に使用される。
【０００９】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂；ブ
タジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシ
クロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポ
リエポキシ化合物類；ポリオール、水酸基含有シリコン
樹脂等とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポ
リグリシジル化合物類等が挙げられる。これらは１種或
いは２種類以上が組み合わせて使用される。
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂；ブ
タジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシ
クロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポ
リエポキシ化合物類；ポリオール、水酸基含有シリコン
樹脂等とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポ
リグリシジル化合物類等が挙げられる。これらは１種或
いは２種類以上が組み合わせて使用される。
【００１０】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミンとの反応物、特公昭57-005406 に記載の末
端三重結合のポリイミド類等が挙げられる。これらの熱
硬化性樹脂組成物は、単独でも使用できるが、特性のバ
ランスを取るために適宜組み合わせて使用するのが良
い。
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミンとの反応物、特公昭57-005406 に記載の末
端三重結合のポリイミド類等が挙げられる。これらの熱
硬化性樹脂組成物は、単独でも使用できるが、特性のバ
ランスを取るために適宜組み合わせて使用するのが良
い。
【００１１】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー及びそのプレポリマー類；ジアリルフタレートなどの
ポリアリル化合物類；N-ビニル-2- ピロリドン、ジビニ
ルベンゼン、1,4-シクロヘキサンジメタノルジビニルベ
ンゼンなどのビニル化合物類；天然または合成の樹脂類
としてロジン、シェラック、コーパル、油変性ロジンな
どの天然物；ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタ
ール、ポリビニルブチラールなどの樹脂類；無水マレイ
ン酸、無水フタル酸、無水ラウリル酸、無水ピロメリッ
ト酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル
酸、ヘキサヒドロ無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無
水ピロメリット酸などの酸無水物類；アルキッド樹脂；
石油樹脂；ポリブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブ
タジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレ
ン、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリイソプレン、
ブチルゴム、フッ素ゴム、天然ゴムなどの低分子量液状
〜高分子量のｅｌａｓｔｉｃなゴム類；ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリブテン、ポリ-4- メチルペンテ
ン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹
脂、ポリエチレン−プロピレン共重合体、4-フッ化エチ
レン-6- フッ化エチレン共重合体類；ポリカーボネー
ト、ポリフェニレンエーテル、及びその末端二重結合導
入樹脂、ポリスルホン、ポリエステル、ナイロン、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリフェニレンサ
ルファイドなどの高分子量ポリマー及びそれらの低分子
量プレポリマーもしくはオリゴマー；ポリウレタン等が
例示される。
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー及びそのプレポリマー類；ジアリルフタレートなどの
ポリアリル化合物類；N-ビニル-2- ピロリドン、ジビニ
ルベンゼン、1,4-シクロヘキサンジメタノルジビニルベ
ンゼンなどのビニル化合物類；天然または合成の樹脂類
としてロジン、シェラック、コーパル、油変性ロジンな
どの天然物；ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタ
ール、ポリビニルブチラールなどの樹脂類；無水マレイ
ン酸、無水フタル酸、無水ラウリル酸、無水ピロメリッ
ト酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル
酸、ヘキサヒドロ無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無
水ピロメリット酸などの酸無水物類；アルキッド樹脂；
石油樹脂；ポリブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブ
タジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレ
ン、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリイソプレン、
ブチルゴム、フッ素ゴム、天然ゴムなどの低分子量液状
〜高分子量のｅｌａｓｔｉｃなゴム類；ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリブテン、ポリ-4- メチルペンテ
ン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹
脂、ポリエチレン−プロピレン共重合体、4-フッ化エチ
レン-6- フッ化エチレン共重合体類；ポリカーボネー
ト、ポリフェニレンエーテル、及びその末端二重結合導
入樹脂、ポリスルホン、ポリエステル、ナイロン、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリフェニレンサ
ルファイドなどの高分子量ポリマー及びそれらの低分子
量プレポリマーもしくはオリゴマー；ポリウレタン等が
例示される。
【００１２】また、その他、公知の無機及び有機の充填
剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、カップリング
剤、光増感剤、難燃剤、チキソ性付与剤等の各種添加剤
が、所望に応じて適宜組み合わせて用いられる。必要に
より反応基を有する化合物は硬化剤、触媒が適宜配合で
きる。
剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、カップリング
剤、光増感剤、難燃剤、チキソ性付与剤等の各種添加剤
が、所望に応じて適宜組み合わせて用いられる。必要に
より反応基を有する化合物は硬化剤、触媒が適宜配合で
きる。
【００１３】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
加熱により硬化するが、硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため、使用した熱硬化性樹脂に対して公知の
熱硬化触媒を用い得る。具体的に例示すると、2-メチル
イミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデ
シルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-エチル
-4- メチルイミダゾール、1-ベンジル-2- メチルイミダ
ゾール、1-プロピル−2-メチルイミダゾール、1-シアノ
エチル-2- メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2- エ
チルイミダゾール、1-シアノエチル-2- ウンデシルイミ
ダゾール、1-シアノエチル-2- フェニルイミダゾール、
1-シアノエチル-2- エチル-4- メチルイミダゾール、1-
(2- シアノエチル)-2-エチル-4- メチルイミダゾール、
1-グアナミノエチル-2- メチルイミダゾール、さらには
これらのイミダゾール類へのカルボン酸もしくはその酸
無水物類の付加体；ジメチルヒダントイン、ジエチルア
ミン、ジ-2- エチルヘキシルアミン、ジアリルアミン等
の第２級アミン類；N,N-ジメチルベンジルアミン、N,N-
ジメチルアニリン、N,N-ジメチルトルイジン、N,N-ジメ
チル-P- アニシジン、P-ハロゲノ-N,N- ジメチルアニリ
ン、2-N-エチルアニリノエタノール、トリ-n- ブチルア
ミン、ピリジン、キノリン、N-メチルメルホリン、トリ
エタノールアミン、トリエチレンジアミン、N,N,N',N'-
テトラメチルブタンジアミン、N-メチルピペリジン等の
第３級アミン類；フェノール、キシレノール、クレゾー
ル、レゾルシン、カテコール、フロログリシン等のフェ
ノール類；ナフテン酸鉛、ステアリン酸鉛、ナフテン酸
亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸亜鉛、オレイン
酸亜鉛、ジブチル錫マレート、アセチルアセトン鉄等の
有機金属塩類；過酸化ベンゾイル、ラウロイルパーオキ
サイド、カプリルパーオキサイド、アセチルパーオキサ
イド、ジ-tert-ブチル−ジ−パーフタレート等の過酸化
物類等が挙げられる。これら触媒の添加量は、10wt% 以
下の量で使用され、目的とする硬化速度にあわせて触媒
の量、種類が適宜選択される。
加熱により硬化するが、硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため、使用した熱硬化性樹脂に対して公知の
熱硬化触媒を用い得る。具体的に例示すると、2-メチル
イミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデ
シルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-エチル
-4- メチルイミダゾール、1-ベンジル-2- メチルイミダ
ゾール、1-プロピル−2-メチルイミダゾール、1-シアノ
エチル-2- メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2- エ
チルイミダゾール、1-シアノエチル-2- ウンデシルイミ
ダゾール、1-シアノエチル-2- フェニルイミダゾール、
1-シアノエチル-2- エチル-4- メチルイミダゾール、1-
(2- シアノエチル)-2-エチル-4- メチルイミダゾール、
1-グアナミノエチル-2- メチルイミダゾール、さらには
これらのイミダゾール類へのカルボン酸もしくはその酸
無水物類の付加体；ジメチルヒダントイン、ジエチルア
ミン、ジ-2- エチルヘキシルアミン、ジアリルアミン等
の第２級アミン類；N,N-ジメチルベンジルアミン、N,N-
ジメチルアニリン、N,N-ジメチルトルイジン、N,N-ジメ
チル-P- アニシジン、P-ハロゲノ-N,N- ジメチルアニリ
ン、2-N-エチルアニリノエタノール、トリ-n- ブチルア
ミン、ピリジン、キノリン、N-メチルメルホリン、トリ
エタノールアミン、トリエチレンジアミン、N,N,N',N'-
テトラメチルブタンジアミン、N-メチルピペリジン等の
第３級アミン類；フェノール、キシレノール、クレゾー
ル、レゾルシン、カテコール、フロログリシン等のフェ
ノール類；ナフテン酸鉛、ステアリン酸鉛、ナフテン酸
亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸亜鉛、オレイン
酸亜鉛、ジブチル錫マレート、アセチルアセトン鉄等の
有機金属塩類；過酸化ベンゾイル、ラウロイルパーオキ
サイド、カプリルパーオキサイド、アセチルパーオキサ
イド、ジ-tert-ブチル−ジ−パーフタレート等の過酸化
物類等が挙げられる。これら触媒の添加量は、10wt% 以
下の量で使用され、目的とする硬化速度にあわせて触媒
の量、種類が適宜選択される。
【００１４】本発明の積層材料には、種々のものが使用
できる。具体的には、銅箔に熱硬化性樹脂を塗布、乾燥
してＢステージ化した樹脂付き銅箔、Ｂステージ樹脂シ
ート、塗料を塗布してＢステージとしたもの、全芳香族
ポリアミド繊維織布、不織布、或いは液晶ポリエステル
織布、不織布等の有機繊維を補強基材にしたものに熱硬
化性樹脂組成物を含浸、乾燥してＢステージ化したも
の、ガラス繊維織布、不織布に熱硬化性樹脂組成物を含
浸、乾燥してＢステージ化したもの等、一般に公知のも
のが使用できる。炭酸ガスレーザーで加工するためには
全てが有機物であることが好ましく、貫通スルーホール
を金属のドリルであける場合、有機の織布よりも不織布
の方が、スルーホールのケバ発生等の点から好ましい。
また、全芳香族ポリアミド繊維織布よりも耐湿性の点か
ら液晶ポリエステル布が好ましい。
できる。具体的には、銅箔に熱硬化性樹脂を塗布、乾燥
してＢステージ化した樹脂付き銅箔、Ｂステージ樹脂シ
ート、塗料を塗布してＢステージとしたもの、全芳香族
ポリアミド繊維織布、不織布、或いは液晶ポリエステル
織布、不織布等の有機繊維を補強基材にしたものに熱硬
化性樹脂組成物を含浸、乾燥してＢステージ化したも
の、ガラス繊維織布、不織布に熱硬化性樹脂組成物を含
浸、乾燥してＢステージ化したもの等、一般に公知のも
のが使用できる。炭酸ガスレーザーで加工するためには
全てが有機物であることが好ましく、貫通スルーホール
を金属のドリルであける場合、有機の織布よりも不織布
の方が、スルーホールのケバ発生等の点から好ましい。
また、全芳香族ポリアミド繊維織布よりも耐湿性の点か
ら液晶ポリエステル布が好ましい。
【００１５】樹脂をＢステージ化する条件として、乾燥
は100 〜200 ℃、好ましくは130 〜180 ℃の温度で行
う。時間は触媒量によっても異なるが、一般には10〜60
分である。
は100 〜200 ℃、好ましくは130 〜180 ℃の温度で行
う。時間は触媒量によっても異なるが、一般には10〜60
分である。
【００１６】これらのＢステージ化された積層材料を使
用し、必要により銅箔と組み合わせて、加圧、加熱下に
積層成形し、多層板とする。積層成形条件は使用する樹
脂によって異なるが、温度は通常100 〜250 ℃、好まし
くは120 〜230 ℃である。また時間は30分〜３時間、好
適には45分〜２時間である。ボイドの発生を避ける目的
からも、真空下に行うのが好ましい。
用し、必要により銅箔と組み合わせて、加圧、加熱下に
積層成形し、多層板とする。積層成形条件は使用する樹
脂によって異なるが、温度は通常100 〜250 ℃、好まし
くは120 〜230 ℃である。また時間は30分〜３時間、好
適には45分〜２時間である。ボイドの発生を避ける目的
からも、真空下に行うのが好ましい。
【００１７】本発明の多層プリント配線板は、半導体を
搭載するプラスチックパッケージであり、２段以上のワ
イヤボンディング用端子を多層プリント配線板表面に有
する構造であり、半導体のダイボンディング面と最外層
のワイヤボンディング面が同一高さに位置する。一般の
パッケージは、半導体ダイボンディング部が、最外層の
ワイヤボンディング部より低い位置に有る。
搭載するプラスチックパッケージであり、２段以上のワ
イヤボンディング用端子を多層プリント配線板表面に有
する構造であり、半導体のダイボンディング面と最外層
のワイヤボンディング面が同一高さに位置する。一般の
パッケージは、半導体ダイボンディング部が、最外層の
ワイヤボンディング部より低い位置に有る。
【００１８】本発明で加工に使用する機械について説明
する。多層板の内層端子までのザグリは、ルーター、炭
酸ガスレーザー、プラズマ、サンドブラスト等いずれで
も良いが、内層の銅箔の損傷、加工速度等を考えると、
炭酸ガスレーザーが最も好ましい。本発明の多層プリン
ト配線板を製造する方法は、一般に公知の方法が使用さ
れる。例えば内層プリント配線板の上下に積層用の材料
を配置し、その外側に銅箔を置いて、ステンレス板に挟
み、加圧、加熱、真空下に積層成形した後、スルーホー
ル、マイクロビアをあけ、デスミア処理後に銅メッキを
行い、その後表層のパターンを作成してから、その上に
レーザーでザグル部分をくりぬいた金属マスクを当て、
内層までザグリを行い、内層銅箔を露出させてから、デ
スミア処理を施し、その後ニッケルメッキ、金メッキを
行って、多段のパッケージ用プリント配線板を作成す
る。
する。多層板の内層端子までのザグリは、ルーター、炭
酸ガスレーザー、プラズマ、サンドブラスト等いずれで
も良いが、内層の銅箔の損傷、加工速度等を考えると、
炭酸ガスレーザーが最も好ましい。本発明の多層プリン
ト配線板を製造する方法は、一般に公知の方法が使用さ
れる。例えば内層プリント配線板の上下に積層用の材料
を配置し、その外側に銅箔を置いて、ステンレス板に挟
み、加圧、加熱、真空下に積層成形した後、スルーホー
ル、マイクロビアをあけ、デスミア処理後に銅メッキを
行い、その後表層のパターンを作成してから、その上に
レーザーでザグル部分をくりぬいた金属マスクを当て、
内層までザグリを行い、内層銅箔を露出させてから、デ
スミア処理を施し、その後ニッケルメッキ、金メッキを
行って、多段のパッケージ用プリント配線板を作成す
る。
【００１９】スルーホールをあけるには、ドリル、ＵＶ
レーザー等を使用する。外層と内層との導通を取るに
は、無電解、電解銅メッキが使用できる。また、導電性
ペーストを使用する方法もある。信頼性の点からは前者
が好ましい。
レーザー等を使用する。外層と内層との導通を取るに
は、無電解、電解銅メッキが使用できる。また、導電性
ペーストを使用する方法もある。信頼性の点からは前者
が好ましい。
【００２０】
【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、『部』は特に断らない限り重量部を表す。 実施例１ 2,2-ビス(4- シアナトフェニル）プロパン1,000 部を16
0 ℃で熔融させ、撹拌しながら５時間反応させ、プレポ
リマーを得、これをメチルエチルケトンに溶解し、溶液
とした。これにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品
名：エピコート1001、油化シェルエポキシ＜株＞製）35
0 部、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：
DEN438、ダウ・ケミカル＜株＞製）250 部、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ESCN220F、住友化
学工業＜株＞製）400 部を加え、均一に溶解混合した。
さらに触媒としてオクチル酸亜鉛0.4 部を加え均一に混
合した。このワニスを厚さ0.08mmの液晶ポリエステル不
織布（商品名：VECRUS、クラレ＜株＞製）に含浸させ、
150 ℃で５分間乾燥させ、Ｂステージのプリプレグ（積
層材料Ａとする）を得た。
明する。尚、『部』は特に断らない限り重量部を表す。 実施例１ 2,2-ビス(4- シアナトフェニル）プロパン1,000 部を16
0 ℃で熔融させ、撹拌しながら５時間反応させ、プレポ
リマーを得、これをメチルエチルケトンに溶解し、溶液
とした。これにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品
名：エピコート1001、油化シェルエポキシ＜株＞製）35
0 部、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：
DEN438、ダウ・ケミカル＜株＞製）250 部、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ESCN220F、住友化
学工業＜株＞製）400 部を加え、均一に溶解混合した。
さらに触媒としてオクチル酸亜鉛0.4 部を加え均一に混
合した。このワニスを厚さ0.08mmの液晶ポリエステル不
織布（商品名：VECRUS、クラレ＜株＞製）に含浸させ、
150 ℃で５分間乾燥させ、Ｂステージのプリプレグ（積
層材料Ａとする）を得た。
【００２１】一方、内層プリント配線板として、BTレジ
ン銅張積層板（商品名：CCL-HL8300.2mm 、12μm 両面
銅箔、三菱ガス化学＜株＞製）を使用し、パターン形成
後に銅箔表面にブラックオキサイド処理を施した。この
内層プリント配線板の上下に積層材料Ａを配置し、さら
にその外側に12μm の電解銅箔を置いて20kgf/cm2 の加
圧下で190 ℃にて90分間積層成形し、４層の多層板を得
た。この所定位置の銅箔に100 μm の穴をエッチングに
よってあけ、炭酸ガスレーザーで樹脂部分を加工した。
さらに150 μm のドリルでスルーホールをあけ、デスミ
ア処理後、銅メッキを10μm 施した。次にこの表面にパ
ターンを作成し、この上に内層端子部のエリアだけ穴の
あいた金属マスクを被せ、この上から炭酸ガスレーザー
を照射して内層の端子まで加工し、それからデスミア処
理を施した。レジストを塗布、乾燥し、UVで選択的に硬
化し、現像してから熱で後硬化し、端子部にニッケルメ
ッキ、金メッキを施した。工程を図１に示した。得られ
た多層板のボイド、多層プリント配線板の信頼性試験等
を測定した。結果を表１に示す。
ン銅張積層板（商品名：CCL-HL8300.2mm 、12μm 両面
銅箔、三菱ガス化学＜株＞製）を使用し、パターン形成
後に銅箔表面にブラックオキサイド処理を施した。この
内層プリント配線板の上下に積層材料Ａを配置し、さら
にその外側に12μm の電解銅箔を置いて20kgf/cm2 の加
圧下で190 ℃にて90分間積層成形し、４層の多層板を得
た。この所定位置の銅箔に100 μm の穴をエッチングに
よってあけ、炭酸ガスレーザーで樹脂部分を加工した。
さらに150 μm のドリルでスルーホールをあけ、デスミ
ア処理後、銅メッキを10μm 施した。次にこの表面にパ
ターンを作成し、この上に内層端子部のエリアだけ穴の
あいた金属マスクを被せ、この上から炭酸ガスレーザー
を照射して内層の端子まで加工し、それからデスミア処
理を施した。レジストを塗布、乾燥し、UVで選択的に硬
化し、現像してから熱で後硬化し、端子部にニッケルメ
ッキ、金メッキを施した。工程を図１に示した。得られ
た多層板のボイド、多層プリント配線板の信頼性試験等
を測定した。結果を表１に示す。
【００２２】実施例２ 熱硬化性樹脂として、ビス（4-マレイミドフェニル）メ
タンとポリアミンとの反応物であるポリイミド樹脂（Ke
rimide601 、ローヌプーラン社製）700 部をジメチルホ
ルムアミドに溶解した。これにビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂（エピコート1001）150 部、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂（ESCN220F）100 部を配合して溶解
混合した。さらにアクリロニトリル−ブタジエンゴム
（商品名：N220S 、日本合成ゴム＜株＞製）50部のメチ
ルエチルケトン溶液を加え、これに熱硬化触媒として2-
エチルイミダゾール１部、ラウロイルパーオキサイド１
部を加え、均一に溶解混合した。このワニスを厚さ12μ
m の電解銅箔の上に50μm となるように塗布し、150 ℃
で加熱乾燥してＢステージの樹脂付き銅箔（積層材料Ｂ
とする）を得た。
タンとポリアミンとの反応物であるポリイミド樹脂（Ke
rimide601 、ローヌプーラン社製）700 部をジメチルホ
ルムアミドに溶解した。これにビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂（エピコート1001）150 部、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂（ESCN220F）100 部を配合して溶解
混合した。さらにアクリロニトリル−ブタジエンゴム
（商品名：N220S 、日本合成ゴム＜株＞製）50部のメチ
ルエチルケトン溶液を加え、これに熱硬化触媒として2-
エチルイミダゾール１部、ラウロイルパーオキサイド１
部を加え、均一に溶解混合した。このワニスを厚さ12μ
m の電解銅箔の上に50μm となるように塗布し、150 ℃
で加熱乾燥してＢステージの樹脂付き銅箔（積層材料Ｂ
とする）を得た。
【００２３】内層プリント配線板は実施例１と同様に作
成した。この内層プリント配線板の上下に積層材料Ｂを
配置し、20kgf/cm2 の加圧下で200 ℃にて100 分間積層
成形し、４層の多層板を得た。その他は実施例１と同様
にして多層プリント配線板を得た。得られた多層板のボ
イド、多層プリント配線板の信頼性試験等を測定した。
結果を表１に示す。
成した。この内層プリント配線板の上下に積層材料Ｂを
配置し、20kgf/cm2 の加圧下で200 ℃にて100 分間積層
成形し、４層の多層板を得た。その他は実施例１と同様
にして多層プリント配線板を得た。得られた多層板のボ
イド、多層プリント配線板の信頼性試験等を測定した。
結果を表１に示す。
【００２４】比較例１ 実施例１において、レーザーを使用する代わりにルータ
ーで内層の端子までザグった。すべていずれかの場所の
パターン切れが生じていた。 比較例２ 実施例１の積層材料の代わりに接着シート（商品名：ニ
カフレックス50、ニッカン工業＜株＞製）を用い、他は
同様にして積層成形した。また、同様にプリント配線板
を作成したが、一部ボイドが見られた。ボイドの発生し
ていない部分を用いて信頼性試験を行った。結果を表１
に示す。
ーで内層の端子までザグった。すべていずれかの場所の
パターン切れが生じていた。 比較例２ 実施例１の積層材料の代わりに接着シート（商品名：ニ
カフレックス50、ニッカン工業＜株＞製）を用い、他は
同様にして積層成形した。また、同様にプリント配線板
を作成したが、一部ボイドが見られた。ボイドの発生し
ていない部分を用いて信頼性試験を行った。結果を表１
に示す。
【００２５】
【表１】 実施例１ 実施例２ 比較例１ 比較例２ ボイド 無し 無し 無し 有り 内層パターン切れ 無し 無し 有り 無し 誘電率 (at 1MHz) 3.3 3.7 − 3.8 誘電正接 (at 1MHz) 0.0157 0.0460 − 0.0400 ＰＣＴ後の絶 常態 2×1012 4×1012 − 2×1012 縁性 （Ω） 200hrs後 5×1011 1×1011 − ＜108 500 〃 3×1010 2×1010 − − 耐マイグレー 常態 1×1012 2×1012 − 1×1012 ション性（Ω） 200hrs後 3×1011 2×1011 − 7×109 500 〃 1×1011 9×109 − ＜108 温度サイクル試験 100サイクル後 ＋1.3 −2.0 − ＞+10 （抵抗変化率％） 300 〃 −2.2 ＋2.7 − −
【００２６】測定方法は、下記によった。 ボイド：銅箔をエッチングし、表面を目視にて観察し
た。 内層パターン切れ：拡大鏡にて目視で観察した。 誘電率、誘電正接：積層材料Ａ単独、及び積層材料Ｂの
樹脂を重ね塗りして両面だけ銅箔とした、厚さ0.5mm の
両面銅張積層板を使用して測定用パターンを作成し、JI
S 法に準拠して測定した。
た。 内層パターン切れ：拡大鏡にて目視で観察した。 誘電率、誘電正接：積層材料Ａ単独、及び積層材料Ｂの
樹脂を重ね塗りして両面だけ銅箔とした、厚さ0.5mm の
両面銅張積層板を使用して測定用パターンを作成し、JI
S 法に準拠して測定した。
【００２７】信頼性試験 １）PCT 後の絶縁性 得られた多層プリント配線板の内層端子のライン／スペ
ース＝70/70 μm のところの電気絶縁性を、プレッシャ
ークッカーテスト（PCT)条件 121℃、２気圧で所定時間
行った後、25℃、65%RH の雰囲気中で２時間放置し、50
0VDC印加60秒後に測定した。 ２）耐マイグレーション性 上記１）で用いた内層端子を用い、85℃、85%RH 、50VD
C 印加して絶縁抵抗値を測定した。 ３）温度サイクル試験 得られた多層プリント配線板の炭酸ガスレーザーで穴あ
けしたビア部を100 個接続したものを、［室温→-65 ℃
・30分→室温・10分→+150℃・30分→室温・10分］を１
サイクルで300 サイクルまで、自動的に抵抗値を測定
し、その変化率を見た。これは炭酸ガスレーザーで穴あ
けした内層銅箔と外層銅箔の接続、特に内層銅箔表面と
銅メッキが十分に接着しているか、積層材料が適性か等
を見る。
ース＝70/70 μm のところの電気絶縁性を、プレッシャ
ークッカーテスト（PCT)条件 121℃、２気圧で所定時間
行った後、25℃、65%RH の雰囲気中で２時間放置し、50
0VDC印加60秒後に測定した。 ２）耐マイグレーション性 上記１）で用いた内層端子を用い、85℃、85%RH 、50VD
C 印加して絶縁抵抗値を測定した。 ３）温度サイクル試験 得られた多層プリント配線板の炭酸ガスレーザーで穴あ
けしたビア部を100 個接続したものを、［室温→-65 ℃
・30分→室温・10分→+150℃・30分→室温・10分］を１
サイクルで300 サイクルまで、自動的に抵抗値を測定
し、その変化率を見た。これは炭酸ガスレーザーで穴あ
けした内層銅箔と外層銅箔の接続、特に内層銅箔表面と
銅メッキが十分に接着しているか、積層材料が適性か等
を見る。
【００２８】
【発明の効果】本発明で得られる２段以上のワイヤボン
ディング端子を有する多層プリント配線板は、従来の多
層プリント配線板に比べ、新規なものであり、製造も比
較的容易にできるものであり、また得られた多層プリン
ト配線板は優れた信頼性を有しており、半導体パッケー
ジ用として非常に有用なことが明白である。
ディング端子を有する多層プリント配線板は、従来の多
層プリント配線板に比べ、新規なものであり、製造も比
較的容易にできるものであり、また得られた多層プリン
ト配線板は優れた信頼性を有しており、半導体パッケー
ジ用として非常に有用なことが明白である。
【図１】実施例１，２の本発明の多段のボンディング端
子を有する多層プリント配線板を製造する工程である。
子を有する多層プリント配線板を製造する工程である。
ａ：銅箔、 ｂ：積層材料Ａ、 ｃ：内層プリント配線
板、ｄ：レーザービア、 ｅ：スルーホール、 ｆ：金
属マスク、ｇ：レジスト
板、ｄ：レーザービア、 ｅ：スルーホール、 ｆ：金
属マスク、ｇ：レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ
Claims (4)
- 【請求項１】 プラスチック半導体パッケージ用多層プ
リント配線板であって、２段以上のワイヤボンディング
用端子が多層プリント配線板表面に形成されている構造
であり、半導体のダイボンディング面と最外層のワイヤ
ボンディング面が同一高さに位置することを特徴とする
多層プリント配線板。 - 【請求項２】 該多層プリント配線板の、内層以外の積
層用材料が液晶ポリエステル不織布基材熱硬化性樹脂組
成物である請求項１に記載の多層プリント配線板。 - 【請求項３】 該多層プリント配線板に使用する熱硬化
性樹脂組成物が、多官能性シアン酸エステル、該シアン
酸エステルプレポリマーを必須成分とする熱硬化性樹脂
組成物である請求項１または２に記載の多層プリント配
線板。 - 【請求項４】 該多層プリント配線板の内層のワイヤボ
ンディング用端子をレーザーで加工露出させることを特
徴とする請求項１、２または３に記載の多層プリント配
線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33020397A JPH11163208A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 多層プリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33020397A JPH11163208A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 多層プリント配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163208A true JPH11163208A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18230001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33020397A Pending JPH11163208A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 多層プリント配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163208A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353583A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂付き金属箔及び多層プリント配線板 |
| US7285856B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-10-23 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Package for semiconductor devices |
-
1997
- 1997-12-01 JP JP33020397A patent/JPH11163208A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353583A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂付き金属箔及び多層プリント配線板 |
| US7285856B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-10-23 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Package for semiconductor devices |
| US7696617B2 (en) | 2003-05-30 | 2010-04-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Package for semiconductor devices |
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