JPH11128741A - 触媒、触媒の使用方法、排ガス処理設備、排ガス処理方法 - Google Patents
触媒、触媒の使用方法、排ガス処理設備、排ガス処理方法Info
- Publication number
- JPH11128741A JPH11128741A JP9300247A JP30024797A JPH11128741A JP H11128741 A JPH11128741 A JP H11128741A JP 9300247 A JP9300247 A JP 9300247A JP 30024797 A JP30024797 A JP 30024797A JP H11128741 A JPH11128741 A JP H11128741A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイオキシンなどを効果的に分解除去し得る
ようにする。 【解決手段】 酸化チタンと酸化ケイ素の少くとも一方
を担体として、酸化バナジウムと酸化タングステンの少
くとも一方を１％〜２０％担持し、ダイオキシンの再合
成が起こりにくい１００℃〜１５０℃の低温下でダイオ
キシンおよびその他の有機塩素化合物に対する分解活性
を有する触媒７を設けるようにしている。
ようにする。 【解決手段】 酸化チタンと酸化ケイ素の少くとも一方
を担体として、酸化バナジウムと酸化タングステンの少
くとも一方を１％〜２０％担持し、ダイオキシンの再合
成が起こりにくい１００℃〜１５０℃の低温下でダイオ
キシンおよびその他の有機塩素化合物に対する分解活性
を有する触媒７を設けるようにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、触媒、触媒の使用
方法、排ガス処理設備、排ガス処理方法に関するもので
ある。
方法、排ガス処理設備、排ガス処理方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、都市ゴミ焼却炉などには排ガス
処理設備が設けられており、該排ガス処理設備は、図３
に示すようなものである。
処理設備が設けられており、該排ガス処理設備は、図３
に示すようなものである。
【０００３】すなわち、都市ゴミその他の廃棄物を燃焼
させる焼却炉１のガス出口部に、焼却炉１から発生され
た温度が８００℃以上の排ガス２を２００℃〜３００℃
程度の温度にまで急激に低下させる排熱回収ボイラやガ
ス冷却塔などの排ガス降温化装置３を設け、排ガス降温
化装置３の下流側に排ガス２に含まれる細かい塵芥分を
除去するバグフィルタなどの集塵装置４を設け、集塵装
置４の下流側に排ガス２を大気へ放出させる煙突５を設
けるようにしたものである。
させる焼却炉１のガス出口部に、焼却炉１から発生され
た温度が８００℃以上の排ガス２を２００℃〜３００℃
程度の温度にまで急激に低下させる排熱回収ボイラやガ
ス冷却塔などの排ガス降温化装置３を設け、排ガス降温
化装置３の下流側に排ガス２に含まれる細かい塵芥分を
除去するバグフィルタなどの集塵装置４を設け、集塵装
置４の下流側に排ガス２を大気へ放出させる煙突５を設
けるようにしたものである。
【０００４】かかる構成によれば、都市ゴミその他の廃
棄物を焼却炉１で燃焼させ、燃焼によって発生した温度
が８００℃以上の排ガス２を排熱回収ボイラやガス冷却
塔などの排ガス降温化装置３へ導いて温度を２００℃〜
３００℃程度にまで急激に低下させ、つぎに、排ガス降
温化装置３で温度を２００℃〜３００℃程度に低下され
た排ガス２をバグフィルタなどの集塵装置４へ導いて排
ガス２に含まれる細かい塵芥分を除去し、最終的に煙突
５から大気へ放出させるようにする。
棄物を焼却炉１で燃焼させ、燃焼によって発生した温度
が８００℃以上の排ガス２を排熱回収ボイラやガス冷却
塔などの排ガス降温化装置３へ導いて温度を２００℃〜
３００℃程度にまで急激に低下させ、つぎに、排ガス降
温化装置３で温度を２００℃〜３００℃程度に低下され
た排ガス２をバグフィルタなどの集塵装置４へ導いて排
ガス２に含まれる細かい塵芥分を除去し、最終的に煙突
５から大気へ放出させるようにする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の排ガス処理設備には、以下のような問題があった。
来の排ガス処理設備には、以下のような問題があった。
【０００６】すなわち、排ガス降温化装置３や集塵装置
４は、ダイオキシンの前駆体となるクロロフェノールや
クロロベンゼンなどの有機塩素化合物からダイオキシン
が合成または再合成され易いとされる６００℃〜２００
℃の温度域で運転されているので、排ガス降温化装置３
や集塵装置４の内部でクロロフェノールやクロロベンゼ
ンなどのダイオキシン前駆体からダイオキシンが合成ま
たは再合成されてしまう可能性があり、煙突５から大気
へ放出される排ガス２中のダイオキシンの量を減らすこ
とが難しかった。
４は、ダイオキシンの前駆体となるクロロフェノールや
クロロベンゼンなどの有機塩素化合物からダイオキシン
が合成または再合成され易いとされる６００℃〜２００
℃の温度域で運転されているので、排ガス降温化装置３
や集塵装置４の内部でクロロフェノールやクロロベンゼ
ンなどのダイオキシン前駆体からダイオキシンが合成ま
たは再合成されてしまう可能性があり、煙突５から大気
へ放出される排ガス２中のダイオキシンの量を減らすこ
とが難しかった。
【０００７】本発明は、上述の実情に鑑み、ダイオキシ
ンなどを効果的に分解除去し得るようにした触媒、触媒
の使用方法、排ガス処理設備、排ガス処理方法を提供す
ることを目的とするものである。
ンなどを効果的に分解除去し得るようにした触媒、触媒
の使用方法、排ガス処理設備、排ガス処理方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化チタンと
酸化ケイ素の少くとも一方を担体として、酸化バナジウ
ムと酸化タングステンの少くとも一方を１％〜２０％担
持し、ダイオキシンの再合成が起こりにくい１００℃〜
１５０℃の低温下でダイオキシンおよびその他の有機塩
素化合物に対する分解活性を有するよう構成されたこと
を特徴とする触媒にかかるものである。
酸化ケイ素の少くとも一方を担体として、酸化バナジウ
ムと酸化タングステンの少くとも一方を１％〜２０％担
持し、ダイオキシンの再合成が起こりにくい１００℃〜
１５０℃の低温下でダイオキシンおよびその他の有機塩
素化合物に対する分解活性を有するよう構成されたこと
を特徴とする触媒にかかるものである。
【０００９】また、本発明は、酸化チタンと酸化ケイ素
の少くとも一方を担体として、酸化バナジウムと酸化タ
ングステンの少くとも一方を１％〜２０％担持した触媒
を用いて、ダイオキシンの再合成が起こりにくい１００
℃〜１５０℃の温度に降温化された排ガスからダイオキ
シンおよびその他の有機塩素化合物を分解除去すること
を特徴とする触媒の使用方法にかかるものである。
の少くとも一方を担体として、酸化バナジウムと酸化タ
ングステンの少くとも一方を１％〜２０％担持した触媒
を用いて、ダイオキシンの再合成が起こりにくい１００
℃〜１５０℃の温度に降温化された排ガスからダイオキ
シンおよびその他の有機塩素化合物を分解除去すること
を特徴とする触媒の使用方法にかかるものである。
【００１０】また、本発明は、高温の排ガスをダイオキ
シンの再合成が起こりにくい１００℃〜１５０℃程度の
温度にまで急激に低下させる排ガス降温化装置と、排ガ
ス降温化装置で降温化された排ガスに含まれる細かい塵
芥分を除去する集塵装置と、集塵装置で塵芥分を除去さ
れた１００℃〜１５０℃の排ガスに含まれるダイオキシ
ンおよびその他の有機塩素化合物を分解除去可能な請求
項１の触媒とを備えたことを特徴とする排ガス処理設備
にかかるものである。
シンの再合成が起こりにくい１００℃〜１５０℃程度の
温度にまで急激に低下させる排ガス降温化装置と、排ガ
ス降温化装置で降温化された排ガスに含まれる細かい塵
芥分を除去する集塵装置と、集塵装置で塵芥分を除去さ
れた１００℃〜１５０℃の排ガスに含まれるダイオキシ
ンおよびその他の有機塩素化合物を分解除去可能な請求
項１の触媒とを備えたことを特徴とする排ガス処理設備
にかかるものである。
【００１１】さらに、本発明は、高温の排ガスを排ガス
降温化装置で、ダイオキシンの再合成が起こりにくい１
００℃〜１５０℃程度の温度にまで急激に低下させ、排
ガス降温化装置で降温化された排ガスに含まれる細かい
塵芥分を集塵装置で除去し、集塵装置で塵芥分を除去さ
れた１００℃〜１５０℃の排ガスに含まれるダイオキシ
ンおよびその他の有機塩素化合物を請求項１の触媒で分
解除去させることを特徴とする排ガス処理方法にかかる
ものである。
降温化装置で、ダイオキシンの再合成が起こりにくい１
００℃〜１５０℃程度の温度にまで急激に低下させ、排
ガス降温化装置で降温化された排ガスに含まれる細かい
塵芥分を集塵装置で除去し、集塵装置で塵芥分を除去さ
れた１００℃〜１５０℃の排ガスに含まれるダイオキシ
ンおよびその他の有機塩素化合物を請求項１の触媒で分
解除去させることを特徴とする排ガス処理方法にかかる
ものである。
【００１２】上記手段によれば、以下のような作用が得
られる。
られる。
【００１３】ダイオキシンの再合成が起こりにくい１０
０℃〜１５０℃の温度でダイオキシンなどに対する分解
活性を有する触媒を使用することにより、低温化させた
排ガス中のダイオキシンを効率的に分解することが可能
となる。
０℃〜１５０℃の温度でダイオキシンなどに対する分解
活性を有する触媒を使用することにより、低温化させた
排ガス中のダイオキシンを効率的に分解することが可能
となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
示例とともに説明する。
示例とともに説明する。
【００１５】図１は、本発明の実施の形態の一例であ
る。
る。
【００１６】排ガス処理設備の基本的な構成について
は、図３と同様であるため、同一の部分については同一
の符号を付すことにより説明を省略する。
は、図３と同様であるため、同一の部分については同一
の符号を付すことにより説明を省略する。
【００１７】本発明では、排熱回収ボイラやガス冷却塔
などの排ガス降温化装置６を、焼却炉１から８００℃以
上の温度で入ってくる排ガス２を１００℃以上１５０℃
未満、好ましくは、１４５℃〜１０５℃程度の低い温度
にまで急激に降温化させ得るようなものとする。
などの排ガス降温化装置６を、焼却炉１から８００℃以
上の温度で入ってくる排ガス２を１００℃以上１５０℃
未満、好ましくは、１４５℃〜１０５℃程度の低い温度
にまで急激に降温化させ得るようなものとする。
【００１８】そして、排ガス降温化装置６の下流側、た
とえば、バグフィルタなどの集塵装置４の出側に、１０
０℃以上１５０℃未満、好ましくは１４５℃〜１０５℃
の温度でダイオキシンおよびその他の有機塩素化合物に
対する分解活性を有する触媒７を設ける。
とえば、バグフィルタなどの集塵装置４の出側に、１０
０℃以上１５０℃未満、好ましくは１４５℃〜１０５℃
の温度でダイオキシンおよびその他の有機塩素化合物に
対する分解活性を有する触媒７を設ける。
【００１９】触媒７は、たとえば、酸化チタンと酸化ケ
イ素の少くとも一方を担体として、酸化バナジウム（Ｖ
2Ｏ5）と酸化タングステン（ＷＯ3）の少くとも一方を
１％〜２０％担持する金属酸化物触媒を使用する。
イ素の少くとも一方を担体として、酸化バナジウム（Ｖ
2Ｏ5）と酸化タングステン（ＷＯ3）の少くとも一方を
１％〜２０％担持する金属酸化物触媒を使用する。
【００２０】つぎに、作動について説明する。
【００２１】都市ゴミその他の廃棄物を焼却炉１で燃焼
させることによって発生した、温度が８００℃以上の排
ガス２を、排熱回収ボイラやガス冷却塔などの排ガス降
温化装置６へ導いて温度を１００℃以上１５０℃未満、
好ましくは、１４５℃〜１０５℃程度の低い温度にまで
急激に降温化させた後、バグフィルタなどの集塵装置４
で排ガス２に含まれる細かい塵芥分を除去し、その後、
１００℃以上１５０℃未満、好ましくは１４５℃〜１０
５℃以上の温度でダイオキシンに対する分解活性を有す
る触媒７へ通し、最終的に煙突５から大気へ放出させる
ようにする。
させることによって発生した、温度が８００℃以上の排
ガス２を、排熱回収ボイラやガス冷却塔などの排ガス降
温化装置６へ導いて温度を１００℃以上１５０℃未満、
好ましくは、１４５℃〜１０５℃程度の低い温度にまで
急激に降温化させた後、バグフィルタなどの集塵装置４
で排ガス２に含まれる細かい塵芥分を除去し、その後、
１００℃以上１５０℃未満、好ましくは１４５℃〜１０
５℃以上の温度でダイオキシンに対する分解活性を有す
る触媒７へ通し、最終的に煙突５から大気へ放出させる
ようにする。
【００２２】この際、触媒７として、たとえば、酸化チ
タンと酸化ケイ素の少くとも一方を担体として、酸化バ
ナジウム（Ｖ2Ｏ5）と酸化タングステン（ＷＯ3）の少
くとも一方を１％〜２０％担持する金属酸化物触媒を使
用する。
タンと酸化ケイ素の少くとも一方を担体として、酸化バ
ナジウム（Ｖ2Ｏ5）と酸化タングステン（ＷＯ3）の少
くとも一方を１％〜２０％担持する金属酸化物触媒を使
用する。
【００２３】このように、本発明によれば、排ガス降温
化装置６によって排ガス２を、ダイオキシンの前駆体と
なるクロロフェノールやクロロベンゼンなどからダイオ
キシンが合成または再合成され易い６００℃〜２００℃
の温度域よりも低い温度である１００℃以上１５０℃未
満、好ましくは、１４５℃〜１０５℃程度の低い温度に
まで急激に降温化させるようにしているので、排ガス処
理設備内でダイオキシンが合成または再合成されること
を防止することができ、その分、ダイオキシンの発生量
および大気への放出量を低減することが可能となる。
化装置６によって排ガス２を、ダイオキシンの前駆体と
なるクロロフェノールやクロロベンゼンなどからダイオ
キシンが合成または再合成され易い６００℃〜２００℃
の温度域よりも低い温度である１００℃以上１５０℃未
満、好ましくは、１４５℃〜１０５℃程度の低い温度に
まで急激に降温化させるようにしているので、排ガス処
理設備内でダイオキシンが合成または再合成されること
を防止することができ、その分、ダイオキシンの発生量
および大気への放出量を低減することが可能となる。
【００２４】さらに、排ガス降温化装置６の下流側、た
とえば、バグフィルタなどの集塵装置４の出側に、１５
０℃〜１００℃以上の低温でダイオキシンおよびその他
の有機塩素化合物に対する分解活性を有する触媒７を設
けているので、焼却炉１内で発生し、排ガス２とともに
排ガス処理設備へ送られてきたダイオキシンや、排ガス
降温化装置６の下流側で僅かに合成または再合成された
低温の排ガス２中のダイオキシンなどを効率的に分解す
ることが可能となる。
とえば、バグフィルタなどの集塵装置４の出側に、１５
０℃〜１００℃以上の低温でダイオキシンおよびその他
の有機塩素化合物に対する分解活性を有する触媒７を設
けているので、焼却炉１内で発生し、排ガス２とともに
排ガス処理設備へ送られてきたダイオキシンや、排ガス
降温化装置６の下流側で僅かに合成または再合成された
低温の排ガス２中のダイオキシンなどを効率的に分解す
ることが可能となる。
【００２５】以上によって、ダイオキシンの発生や大気
への放出の少ない焼却施設を達成することが可能とな
る。
への放出の少ない焼却施設を達成することが可能とな
る。
【００２６】
【実施例】上記触媒７の性能を調べるために、以下の実
験を行った。
験を行った。
【００２７】すなわち、触媒７に、酸化チタンを担体と
して６％の酸化バナジウムと１３％の酸化タングステン
を担持させた金属酸化物触媒を用意し、焼却炉１の排ガ
ス２を排ガス降温化装置６で１４０℃に降温化し、降温
化された排ガス２を、触媒７へ通してダイオキシンの分
解実験を行い、この時の、触媒７入口におけるダイオキ
シンなどの濃度（総和濃度）と、触媒７出口におけるダ
イオキシンなどの濃度（総和濃度）を測定した。
して６％の酸化バナジウムと１３％の酸化タングステン
を担持させた金属酸化物触媒を用意し、焼却炉１の排ガ
ス２を排ガス降温化装置６で１４０℃に降温化し、降温
化された排ガス２を、触媒７へ通してダイオキシンの分
解実験を行い、この時の、触媒７入口におけるダイオキ
シンなどの濃度（総和濃度）と、触媒７出口におけるダ
イオキシンなどの濃度（総和濃度）を測定した。
【００２８】上記実験によって以下の表に示すような結
果が得られた。
果が得られた。
【００２９】なお、表中、ＰＣＤＤｓはポリクロロジベ
ンゾダイオキシン、ＰＣＤＦｓはポリクロロジベンゾフ
ランの略称であり、両者をダイオキシンという。また、
ＣＰｓはクロロフェノール、ＣＢｚはクロロベンゼンの
略称であり、両者はダイオキシン前駆体である。そし
て、いずれの化合物も有機塩素化合物に含まれる。
ンゾダイオキシン、ＰＣＤＦｓはポリクロロジベンゾフ
ランの略称であり、両者をダイオキシンという。また、
ＣＰｓはクロロフェノール、ＣＢｚはクロロベンゼンの
略称であり、両者はダイオキシン前駆体である。そし
て、いずれの化合物も有機塩素化合物に含まれる。
【００３０】
【表１】
【００３１】上記表によれば、ポリクロロジベンゾダイ
オキシンやポリクロロジベンゾフランなどのダイオキシ
ンや、クロロフェノールなどのダイオキシン前駆体が大
幅に低減しており、低温でダイオキシンを分解する効果
があることが実際に確認された。
オキシンやポリクロロジベンゾフランなどのダイオキシ
ンや、クロロフェノールなどのダイオキシン前駆体が大
幅に低減しており、低温でダイオキシンを分解する効果
があることが実際に確認された。
【００３２】そして、排ガス２の温度を変えて上記実験
を行い、各温度についてダイオキシン分解率を求めたと
ころ、図２に示すような結果が得られ、温度が１００℃
以上１５０℃未満で１０５℃〜１４５℃の時に、触媒７
が８０％以上の高いダイオキシン分解活性を発揮するこ
とが確認された。
を行い、各温度についてダイオキシン分解率を求めたと
ころ、図２に示すような結果が得られ、温度が１００℃
以上１５０℃未満で１０５℃〜１４５℃の時に、触媒７
が８０％以上の高いダイオキシン分解活性を発揮するこ
とが確認された。
【００３３】ここで、ダイオキシン分解率は、（触媒入
口ダイオキシン濃度−触媒出口ダイオキシン濃度）／触
媒入口ダイオキシン濃度＊１００（％）という式によっ
て求めている。
口ダイオキシン濃度−触媒出口ダイオキシン濃度）／触
媒入口ダイオキシン濃度＊１００（％）という式によっ
て求めている。
【００３４】なお、本発明は、上述の実施の形態にのみ
限定されるものではなく、ゴミ焼却炉以外の燃焼施設に
適用してもよいこと、その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であ
る。
限定されるものではなく、ゴミ焼却炉以外の燃焼施設に
適用してもよいこと、その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であ
る。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイオキシンを効率的に分解除去することが可能となる
という優れた効果を奏し得る。
ダイオキシンを効率的に分解除去することが可能となる
という優れた効果を奏し得る。
【図１】本発明の実施の形態の一例の概略系統図であ
る。
る。
【図２】ダイオキシン分解率と温度との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図３】従来例の概略系統図である。
２ 排ガス ４ 集塵装置 ６ 排ガス降温化装置 ７ 触媒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｆ２３Ｊ 15/00 Ｋ (72)発明者 安部 重毅 東京都江東区豊洲二丁目１番１号 石川島 播磨重工業株式会社東京第一工場内 (72)発明者 浅井 稔 東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川島 播磨重工業株式会社技術研究所内 (72)発明者 近藤 武一 神奈川県横浜市磯子区新中原町１番地 石 川島播磨重工業株式会社技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 酸化チタンと酸化ケイ素の少くとも一方
を担体として、酸化バナジウムと酸化タングステンの少
くとも一方を１％〜２０％担持し、ダイオキシンの再合
成が起こりにくい１００℃〜１５０℃の低温下でダイオ
キシンおよびその他の有機塩素化合物に対する分解活性
を有するよう構成されたことを特徴とする触媒。 - 【請求項２】 酸化チタンと酸化ケイ素の少くとも一方
を担体として、酸化バナジウムと酸化タングステンの少
くとも一方を１％〜２０％担持した触媒を用いて、ダイ
オキシンの再合成が起こりにくい１００℃〜１５０℃の
温度に降温化された排ガスからダイオキシンおよびその
他の有機塩素化合物を分解除去することを特徴とする触
媒の使用方法。 - 【請求項３】 高温の排ガスをダイオキシンの再合成が
起こりにくい１００℃〜１５０℃程度の温度にまで急激
に低下させる排ガス降温化装置と、排ガス降温化装置で
降温化された排ガスに含まれる細かい塵芥分を除去する
集塵装置と、集塵装置で塵芥分を除去された１００℃〜
１５０℃の排ガスに含まれるダイオキシンおよびその他
の有機塩素化合物を分解除去可能な請求項１の触媒とを
備えたことを特徴とする排ガス処理設備。 - 【請求項４】 高温の排ガスを排ガス降温化装置で、ダ
イオキシンの再合成が起こりにくい１００℃〜１５０℃
程度の温度にまで急激に低下させ、排ガス降温化装置で
降温化された排ガスに含まれる細かい塵芥分を集塵装置
で除去し、集塵装置で塵芥分を除去された１００℃〜１
５０℃の排ガスに含まれるダイオキシンおよびその他の
有機塩素化合物を請求項１の触媒で分解除去させること
を特徴とする排ガス処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9300247A JPH11128741A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 触媒、触媒の使用方法、排ガス処理設備、排ガス処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9300247A JPH11128741A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 触媒、触媒の使用方法、排ガス処理設備、排ガス処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11128741A true JPH11128741A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=17882490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9300247A Pending JPH11128741A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 触媒、触媒の使用方法、排ガス処理設備、排ガス処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11128741A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100332224B1 (ko) * | 2000-01-31 | 2002-04-12 | 조성종 | 배가스내 다이옥신 배출 제어용 산화촉매, 이의 제조방법및 용도 |
| KR100382050B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-05-09 | 한국전력기술 주식회사 | 배가스 내의 다이옥신 및 질소산화물 제거용 저온 촉매 및이를 이용한 연소배가스의 처리방법 |
| KR100515907B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2005-09-20 | 재단법인 한국환경기술진흥원 | 다이옥신 및/또는 질소산화물 제거용 촉매 및 이의 제조방법 |
| KR100549777B1 (ko) * | 2002-03-28 | 2006-02-06 | 한국전력기술 주식회사 | 넓은 활성온도 대역을 갖는 질소산화물 및/또는 다이옥신제거용 삼산화 바나듐을 포함한 바나듐/티타니아계 촉매 |
| KR100565940B1 (ko) | 2004-12-02 | 2006-03-30 | 한국과학기술연구원 | 바나디아-티타니아 에어로젤 촉매, 그 제조 방법 및 상기촉매를 이용한 염소계 방향족 화합물의 산화분해방법 |
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1997
- 1997-10-31 JP JP9300247A patent/JPH11128741A/ja active Pending
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