JPH11121325A - Projection exposure system - Google Patents

Projection exposure system

Info

Publication number
JPH11121325A
JPH11121325A JP25266397A JP25266397A JPH11121325A JP H11121325 A JPH11121325 A JP H11121325A JP 25266397 A JP25266397 A JP 25266397A JP 25266397 A JP25266397 A JP 25266397A JP H11121325 A JPH11121325 A JP H11121325A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
noises
signal
wafer
mark
marks
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25266397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kinya Yamaguchi
欣也 山口
Original Assignee
Canon Inc
キヤノン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize photoelectric detection free from the effect of noises or the like by a method wherein a first and a second slit-like mark which are arranged on a wafer stage position reference board, deviating from each other in positional phase, and a first and a second photosensor corresponding to each mark are provided.
SOLUTION: Position detecting marks on a reticular in the direction of an X axis or a X axis are represented by Rs. In a proper operation state, a wafer reference mark W is divided into wafer reference marks W1 and W2 which are made to deviate from each other in the light transmission of a slit pattern and the period of a light transmission state by a prescribed phase, and two sets of photosensors P1 and P2 arranged under the marks W1 and W2 and a computing element A which outputs a differential signal between the electrical signal outputs of the two sets of the optical sensors are provided. When the differential signals are used, even if noises or the like are detected by the photosensors P1 and P2 to deteriorate signals in quality, the noises are detected as coordinate noises by the photosensors P1 and P2, and a noise signal component can be canceled out by the computing element A.
COPYRIGHT: (C)1999,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路等のデバイスを製造するためにウエハ上にレチクルの回路パターンを焼き付ける時に用いられる投影露光装置における、 The present invention relates to the in the projection exposure apparatus used when printing a circuit pattern of a reticle onto a wafer to produce a device such as an integrated circuit,
投影光学系とアライメント系のベースライン量計測に関するものである。 It relates baseline amount measurement of the projection optical system and the alignment system.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来より、レチクルとウエハの相対的位置合わせを常に正確に行なうために、投影レンズとアライメント用顕微鏡間の相対距離いわゆるベースライン量を正確に求めることが必要であった。 Hitherto, in order to perform the relative positioning of the reticle and the wafer always accurately, it was necessary to accurately determine the relative distance so-called baseline amount between the projection lens and the alignment microscope.

【0003】図6は、投影露光装置において、ベースライン量を計測する従来方法の概略説明図である。 [0003] Figure 6, in a projection exposure apparatus, a schematic illustration of a conventional method of measuring the baseline amount. 同図の装置においては、レチクル2上に位置検出マーク3を設け、ウエハステージ上のウエハ表面とほぼ等しい高さ位置にスリットまたはピンホール状の微小開口部を有するウエハステージ基準マーク11を設け、レチクルの位置検出マーク像を投影レンズ5を介してウエハステージ基準マーク11上に投影する。 In the apparatus of the figure, the provided position detection mark 3 on the reticle 2, the wafer stage reference mark 11 having a fine opening of the slit or pinhole-shaped provided substantially equal height as the wafer surface on the wafer stage, the position detection mark image of the reticle through the projection lens 5 for projecting on the wafer stage reference mark 11. そして前記ウエハステージ基準マーク11の下に設置された光センサ12で位置検出マーク像を光電検出する。 And photoelectrically detected position detection mark image by the optical sensor 12 disposed below the wafer stage reference mark 11. ここで、上記の位置検出マーク3と、ステージ基準マーク11と、光センサ12 Here, the position detection mark 3 above, the stage reference mark 11, the light sensor 12
は、X軸方向の位置検出用とY軸方向の位置検出用としてそれぞれ別個に設けられている。 They are separately provided for the detection of the position of the X-axis direction of the position detection and the Y-axis direction.

【0004】この状態で、ウエハステージをX軸方向に順次微小駆動させると、その移動位置に応じてレチクル2上の位置検出マーク3からの透過光が、前記ウエハステージ基準マーク11を通過する際に光量の変化となって現れ、この光量変化のうち最大光量を捉えることによってレチクル2上の位置検出マーク3の投影像のX軸方向の位置が求まる。 [0004] In this state, when sequentially minutely driving the wafer stage in the X-axis direction, the transmitted light from the position detection mark 3 on the reticle 2 in accordance with the movement position, passes through the wafer stage reference mark 11 appeared as a change in light intensity, it is obtained the position of the X-axis direction of the projection image of the position detection mark 3 on the reticle 2 by capturing the maximum amount of the light amount change. 同様にして、ウエハステージをY軸方向に順次微小駆動させると、Y軸方向の位置が求まる。 Similarly, when the wafer stage sequentially minute drive is in the Y-axis direction, the position of the Y-axis direction is obtained. 以上により、ウエハステージ原点からレチクル位置検出マーク像までの距離A1を求める。 Thus, determining the distance A1 from the wafer stage origin to the reticle position detection mark image.

【0005】次に、ウエハステージを作動させて、前記ウエハステージ基準マーク11をアライメン卜用顕微鏡14の下に移動する。 [0005] Next, the wafer stage is operated to move the wafer stage reference mark 11 below the Alignment Bok microscope 14. そして、アライメント用顕微鏡1 Then, the alignment microscope 1
4に内蔵された画像検出器15で、前記ウエハステージ基準マーク11を認識して、そのX軸方向の位置およびY軸方向の位置を求める。 In the image detector 15 built in 4, wherein the recognizing the wafer stage reference mark 11, obtains the position and Y-axis direction position of the X-axis direction. こうして、ウエハステージ原点からアライメント用顕微鏡14までの距離A2を求める。 Thus, determining the distance A2 from the wafer stage origin to the alignment microscope 14.

【0006】ところで、投影レンズ5とレチクル上の位置検出マーク3の距離Dは、既知の値である。 [0006] The distance D of the position detection mark 3 on the projection lens 5 and the reticle are known values. ここで、 here,
投影レンズの縮小率をMとすると、投影レンズ5と位置検出マーク像の距離は、D/Mである。 When the reduction ratio of the projection lens is M, the distance of the position detection mark image and the projection lens 5 is a D / M. したがって、投影レンズ5とアライメント用顕微鏡14との間の相対距離すなわちベースライン量Pは、 Thus, the relative distance or baseline amount P between the projection lens 5 and the alignment microscope 14,

【0007】 [0007]

【数1】 [Number 1] で求めることができる。 It can be obtained at.

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来の方法では以下のような問題点がある。 [0007] However, the above conventional method has the following problems. すなわち、ウエハステージ基準マークの下に設けられた光センサで検出される光量の変化量は小さい。 That is, the change amount of the light amount detected by the light sensor provided below the wafer stage reference mark is small. そのため、その微小光量の変化を捉え、その最大検出位置からベースライン量を求める際に、ノイズ等の影響によって光電検出信号の品質が悪化すると、正確なべースライン量を求めることができない。 Therefore, capturing the change in the micro light amount, when obtaining the baseline amount from its maximum detected position, the quality of the photoelectric detection signal is degraded due to the influence of noise or the like, it is impossible to obtain an accurate baseline amount.

【0009】本発明は、上述の従来例に置ける問題点に鑑みてなされたもので、前記ベースライン量を正確に計測できる投影露光装置を提供することを目的としている。 [0009] The present invention has been made in view of the put problems in the conventional example described above, and its object is to provide a projection exposure apparatus that can accurately measure the baseline amount.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため本発明では、レチクル上のパターンをウエハステージ上に保持されたウエハ上に投影するための投影光学系と、 In the present invention for achieving the above object, according to an aspect of a projection optical system for projecting a pattern on a reticle onto a wafer held on a wafer stage,
前記レチクルとウエハの相対的位置合わせを実行するアライメント用顕微鏡と、ベースライン量計測用レチクルに形成された位置検出マークの前記投影光学系を介した像と前記ウエハステージ上に載置された基準マークとの相対位置関係および前記アライメント用顕微鏡と該基準マークとの相対位置関係に基づいて前記投影光学系とアライメント用顕微鏡とのベースライン量を求めるベースライン量計測手段とを備える投影露光装置において、前記位置検出マークは複数のスリットパターンを平行に配列してなり、前記基準マークは前記位置検出マークに対応したスリットパターンからなる第1のウエハステージ基準マークと、第1のウエハステージ基準マークとスリットパターンの配列の周期を所定位相だけずらした第2 The reticle and the alignment microscope for performing a relative alignment of the wafer, the baseline amount and the image via the projection optical system of the position detection mark formed on the measurement reticle mounted on said wafer stage reference the projection exposure system and a baseline amount measuring means for determining a baseline amount of the projection optical system and the alignment microscope based on the relative positional relationship between the relative positional relationship and the alignment microscope and the reference mark with the mark , wherein the position detecting mark is made in parallel to arranging a plurality of slit patterns, the reference mark and the first wafer stage reference mark consisting of a slit pattern corresponding to the position detection mark, a first wafer stage reference mark the shifted periodic array of slit patterns by a predetermined phase 2
のウエハステージ基準マークとからなり、前記ベースライン量計測手段は前記第1および第2のウエハステージ基準マークをそれぞれ検出する第1および第2の光センサと、第1および第2の光センサの電気信号出力の差分信号を出力する演算器とを有し、前記第1および第2のウエハステージ基準マークのスリットパターンの中心付近で前記ウエハステージを前記スリットパターンの配列方向に順次微小駆動させて、それぞれの位置に対応して得られた前記差分信号から、前記位置検出マークの像と基準マークとの重ね合わせ位置を計測し、投影光学系とアライメント用顕微鏡とのベースライン量を求めることを特徴とする。 Of consists of a wafer stage reference mark, is the baseline amount measuring means and the first and second optical sensors for detecting respectively the first and second wafer stage reference mark, the first and second optical sensor and a calculator for outputting a difference signal of electric signals output, said wafer stage is successively minute drive in the array direction of the slit pattern in the vicinity of the center of the slit pattern of the first and second wafer stage reference mark , from the difference signals obtained in correspondence with the position, the overlapping position between the image and the reference mark of the position detection mark is measured, the determination of the baseline amount of the projection optical system and the alignment microscope and features.

【0011】 [0011]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態では、レチクル上のパターンをウエハステージ上に保持されたウエハ上に投影するための投影光学系と、前記レチクルとウエハの相対的位置合わせを実行するアライメント用顕微鏡とを備えた投影露光装置において、複数のスリットパターンよりなる位置検出マークを有しているレチクルと、前記ウエハステージ上に載置され、前記位置検出マークに対応したスリットパターンからなる第1のウエハステージ基準マークと、前記第1のウエハステージ基準マークとはスリットパターンの透光および遮光状態の周期を所定位相だけずらした第2のウエハステージ基準マークと、前記第1および第2のウエハステージ基準マークの下にそれぞれ配置した光センサと、前記2組の光センサの電気信 In a preferred embodiment of the embodiment of the present invention, a projection optical system for projecting a pattern on a reticle onto a wafer held on a wafer stage, the relative alignment of the reticle and the wafer in the projection exposure apparatus having an alignment microscope for performing a reticle having a position detecting mark consisting of a plurality of slit patterns, is placed on the wafer stage, the slit pattern corresponding to the position detection mark the first wafer stage reference mark comprising a first wafer stage reference mark and the second wafer stage reference marks a period of permeable light and light shielding state is shifted by a predetermined phase of the slit pattern, the first and second an optical sensor disposed respectively below the second wafer stage reference mark, an electrical signal of the two pairs of photosensors 出力の差分信号を出力する演算器とを、前記位置検出マークのX軸方向の位置検出用とY And a calculator for outputting a differential signal of the output, the position detection in the X-axis direction of the position detection mark Y
軸方向の位置検出用として、1対分備え、前記第1および第2のウエハステージ基準マークのスリットパターンの中心付近で、ウエハステージをX軸方向およびY軸方向に順次微小駆動させて、それぞれの位置に対応して得られた前記差分信号から前記レチクル上の位置検出マーク像の位置を計測し、投影光学系とアライメント用顕微鏡とのベースライン量を求めることを特徴とする。 As for position detection in the axial direction, it comprises a pair minute, the first and near the center of the slit pattern of the second wafer stage reference mark and the wafer stage is successively minute drive in the X-axis and Y-axis directions, respectively and the position from the differential signal obtained in correspondence to the position of the position detection mark image on the reticle measurement, and obtaining the baseline amount of the projection optical system and the alignment microscope.

【0012】また、前記第1および第2のウエハステージ基準マークの各スリットパターンの位置関係をほぼ半周期分ずらして配置したことを特徴とする。 Further, characterized in that a positional relationship between the slit pattern of the first and second wafer stage reference mark is shifted approximately a half cycle.

【0013】 [0013]

【作用】上記の構成による作用を図5a、b、cを使って説明する。 [Action] The Figure 5a the effects of configuration, b, using c will be described. 同図はレチクル上の位置検出マークとウエハ基準マークとの説明図であり、X軸方向、Y軸方向のうち1軸分の説明を示し、他の軸も同様である。 The figure is an explanatory view of the position detection mark and the wafer reference mark on the reticle, X-axis direction, shows one of the axes description of the Y-axis direction, the same applies the other axes. 図5a Figure 5a
はレチクル上の位置検出マークRを示し、図5bは従来のウエハ基準マークWと光センサPを示す。 Represents the position detection marks R on the reticle, Figure 5b shows a conventional wafer reference mark W and the optical sensor P. これに対し、図5cは本発明の一実施の形態に係るウエハ基準マークを示す。 In contrast, FIG. 5c shows a wafer reference mark according to an embodiment of the present invention. 本実施形態では、図5bのウエハ基準マークWおよび光センサPの代わりに、図5cで示すように、ウエハ基準マークWを2分割し、スリットパターンの透光、遮光状態の周期を所定位相だけずらしたウエハ基準マークW1、W2と、各マークの下に配置した2組の光センサP1、P2と、2組の光センサの電気信号出力の差分信号を出力する演算器Aを備える。 In the present embodiment, in place of the wafer reference mark W and the light sensor P in FIG. 5b, as shown in Figure 5c, the wafer reference mark W 2 is divided, light transmission of the slit pattern, the period of the light-shielded state by a predetermined phase comprises a wafer reference marks W1, W2 shifted, and two pairs of optical sensors P1, P2 placed under each mark, the arithmetic unit a which outputs a difference signal of electric signals output two sets of optical sensors.

【0014】そして、従来の図5bの光センサPの光電検出信号の代わりに、差分信号を用いれば、ノイズ等が光センサP1、P2で検出されて信号品質が悪化しても、光センサP1、P2に同相ノイズとして検出されるので、 演算器Aでノイズ信号分を打ち消すことができる。 [0014] Then, instead of the photoelectric detection signal of the photosensor P of the conventional FIG. 5b, the use of the differential signal, also noise and the like is detected by the optical sensor P1, P2 signal quality worse, optical sensors P1 because it is detected as a phase noise P2, it is possible to cancel the noise signal component in the computing unit a.

【0015】 [0015]

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。 EXAMPLES Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 図1は、本発明の一実施例に係る投影露光装置の全体図である。 Figure 1 is an overall view of a projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1において、1は光源、2はレチクル、 In Figure 1, 1 denotes a light source, 2 is a reticle,
3はレチクル2上に配置した位置検出マーク、4は光源1からの光をレチクル2上に均一に照明するための照明光学系、5はレチクルのパターンをウエハ上に投影するための投影レンズ、6はウエハ、7はウエハ6を保持するためのウエハチャック、8はウエハチャック7を上下に駆動可能なウエハZステージ、9はウエハZステージ8を保持してウエハ面に平行なXY方向に駆動可能なウエハXYステージであり、上記7、8、9でウエハステージを構成している。 3 position detection mark arranged on the reticle 2, the illumination optical system for uniformly illuminating the light from the light source 1 onto the reticle 2, a projection lens for projecting a pattern of a reticle onto a wafer 5 4, 6 wafer, 7 wafer chuck for holding the wafer 6, 8 drivable wafer Z stage of the wafer chuck 7 vertically, 9 driven in XY directions parallel to the wafer surface to hold the wafer Z stage 8 a possible wafer XY stage constitutes a wafer stage in the 7,8,9. 10はXYステージを搭載しているステージベースである。 10 is a stage base mounted with the XY stage. 11はウエハZステージ上に固定された、スリットを有するウエハステージ位置基準板、12はウエハステージ位置基準板11上のスリットを通過してきたレチクル2上の位置検出用マーク3の光像からの光量を光検出するための光量検出器、13は減算器、14は投影レンズ5とは別個に設けられたアライメント用顕微鏡、15はアライメント顕微鏡内の画像検出器、16は本投影露光装置全体を制御する制御装置である。 11 was fixed on a wafer Z stage, wafer stage position reference plate having a slit, 12 is the light quantity from the optical image of the position detection mark 3 on the reticle 2 having passed through the slit on the wafer stage position reference plate 11 amount detector for detecting light, and 13 a subtractor, the microscope for alignment provided separately from the projection lens 5 14, 15 image detector in alignment microscope, 16 controls the entire projection exposure apparatus a control device that.

【0016】図2は、レチクル2上の位置検出マーク3 [0016] FIG. 2, the position detection mark 3 on the reticle 2
の詳細図であり、図示のようにX方向、Y方向それぞれに対応して複数のスリットを配列した位置検出マークR Of a detailed view, X-direction as shown, Y-direction position detecting mark which a plurality of slits corresponding to the respective R
X、RYが設けられている。 X, RY is provided.

【0017】また図3は、ウエハステージ位置基準板1 [0019] FIG. 3 is a wafer stage position reference plate 1
1上のマークの詳細図であり、図示のようにX方向、Y A detailed view of a mark on the 1, X-direction as shown, Y
方向それぞれに対応して複数の光通過用のスリットを配列した第1のマークWX1およびWY1と、第1のマークWX1およびWY1と同じ寸法形状でかつ並列した位置にスリット配列の透光部分と遮光部分の位置関係を第1のマークWX1およびWY1の透光部分と遮光部分の位置に対してずらして配置した第2のマークWX2およびWY2が設けられている。 A first mark WX1 and WY1 which corresponds to each direction by arranging a plurality of slits for light passage, shielding and light transmitting portions of the slits arranged in the first mark WX1 and the same dimensions as the WY1 and parallel position second mark WX2 and WY2 is provided of arranging the positional relationship between the partial staggered with respect to the position of the light transmitting portions and shading portions of the first mark WX1 and WY1.

【0018】ここでWX1およびWX2の各マークを構成する個別のスリットの間隔は、マークRXの投影像の結像位置における寸法と同じになっている。 The spacing of the individual slit constituting each mark here WX1 and WX2 are the same as the dimension in the imaging position of the projected image of the mark RX. また個別スリットの長さは、マークRXの投影像の結像位置における寸法の1/2以下の長さである。 The length of the individual slit is less than half of the length of the dimension at the imaging position of the projected image of the mark RX. 同様にマークWYl Similarly mark WYl
およびWY2とマークRYの間隔および長さ関係も上記と同じである。 And spacing and length relationship WY2 and mark RY is the same as above.

【0019】またマークRXの投影像の結像面にマークWX1およびWX2を位置させた場合、マークRXの像の個別スリットに着目すると、その長手方向の範囲内にマークWX1およびWX2が同時に入るようにそれぞれのマークが配置されている。 [0019] If it is positioned to mark WX1 and WX2 the imaging plane of the projection image of the mark RX, when focusing on the individual slits of the image of the mark RX, as marks WX1 and WX2 are simultaneously enter within its longitudinal direction each mark is arranged. 同様にマークWY1およびWY2とマークRYの投影像のマーク配置関係も同じである。 Similarly mark arrangement relationship of the projected image of the mark WY1 and WY2 marked RY are the same.

【0020】次に上記構成による実施例の具体的な動作を説明する。 [0020] Next will be described a specific operation of the embodiment having the above structure. (1)ベストフォーカス位置の検出 まず最初に、マークWX1を使って、レチクルパターン像面のベストフォーカス位置を求める。 (1) the detection First the best focus position, with the mark WX1, obtains the best focus position of the reticle pattern image plane. 光源1によりレチクル2上の位置検出マークRXを透過した光は投影レンズ5を通過してウエハステージ上に投影される。 Light transmitted through the position detection mark RX on the reticle 2 by the light source 1 is projected on the wafer stage through the projection lens 5. 次に、ウエハXYステージ9をXY方向に作動させてウエハステージ位置基準板11を投影レンズ5の下の光軸付近に移動する。 Then, the wafer XY stage 9 is operated in the XY directions to move the wafer stage position reference plate 11 in the vicinity of the optical axis under the projection lens 5. このときレチクル2上の位置検出マークRXの投影レンズ5を介した投影像がウエハステージ位置基準板11上のマークWX1、WX2上に投影される。 The projection image through the projection lens 5 of the position detection mark RX on the reticle 2 is projected onto the mark WX1, WX2 on the wafer stage position reference plate 11. さらにマークWX1、WX2を通過した光が図3で示されるように各マークの下に配置された光センサPX Light sensor PX further mark WX1, WX2 is light passing through the disposed below each mark, as shown in Figure 3
1、PX2に入射されて、この光を受光した各光センサからは入射光量に応じた値の光電検出信号SX1、SX 1, PX2 is incident on the photoelectric detection signal SX1 having a value corresponding to the amount of incident light from each optical sensor receives this light, SX
2が出力される。 2 is output. ここで本実施例においては、マークW Here in this embodiment, the mark W
X1側をべストフォーカス位置の検出、およびベースライン量計測の基準マークにする。 X1 side base detection strike the focus position, and the reference mark of the baseline amount measurement. この状態で、ウエハZ In this state, the wafer Z
ステージ8を微小駆動させて、投影レンズ5の光軸方向にウエハステージ位置基準板11上のマークWX1の位置を移動すると、それぞれの位置に対応してマークWX The stage 8 by fine driving, moving the position of the mark WX1 on the wafer stage position reference plate 11 in the direction of the optical axis of the projection lens 5, the mark corresponding to the respective positions WX
1を通過する光量が変化するために光電検出信号SX1 Photoelectric detection signal to the amount of light passing through the 1 changes SX1
の値が変化する。 Of value changes. このとき、光電検出信号SX1が最大光量を示す位置がベストフォーカス位置となる。 At this time, the photoelectric detection signal SX1 is position is the best focus position indicating the maximum amount of light.

【0021】(2)ベースライン量計測 次に、ベースライン量を求める。 [0021] (2) baseline amount measured Next, determine the baseline amount. 光源1によりレチクル上の位置検出マークRX、RYを透過した光は投影レンズ5を通過してウエハステージ上に投影される。 Position detection mark RX on the reticle by a light source 1, the light transmitted through the RY is projected on the wafer stage through the projection lens 5. ウエハステージ位置基準板11は投影レンズ5の下の光軸付近に位置している。 Wafer stage position reference plate 11 is positioned in the vicinity of the optical axis under the projection lens 5. このときマークRX、RYの投影レンズ5を介した投影像がウエハステージ位置基準板11上のマークWX1、WX2、WY1、WY2上に投影される(図3)。 The time mark RX, the projected image through the projection lens 5 of RY is projected mark on the wafer stage position reference plate 11 WX1, WX2, WY1, on WY2 (Figure 3). さらにマークWX1、WX2、WY1、W In addition mark WX1, WX2, WY1, W
Y2を通過した光がそれぞれ独立に各マークの下に配置された光センサPX1、PX2、PY1、PY2に入射されて、この光を受光した各光センサからは入射光量に応じた値の光電検出信号SX1、SX2、SY1、SY Light sensor PX1 the light passing through the Y2 are arranged under each mark independently, PX2, PY1, PY2 is incident on the photoelectric detection of a value corresponding to the amount of incident light from each optical sensor receives this light signal SX1, SX2, SY1, SY
2が出力される。 2 is output. そして、光電検出信号SX1、SX2 Then, the photoelectric detection signals SX1, SX2
を同時に減算器AXに、光電検出信号SY1、SY2を同時に減算器AYにそれぞれに入力し、その差分信号S To simultaneously subtractor AX, photoelectric detection signal SY1, SY2 simultaneously input to each of the subtracters AY, the difference signal S
XおよびSYを出力する。 Outputs X and SY.

【0022】この状態で以下図4aを用いて動作を説明する。 The following will describe operations with reference to FIG. 4a below in this state. 前記ウエハステージ位置基準板11を投影レンズ5の下の光軸付近に移動する動作はウエハXYステージ9をウエハステージ原点基準で、またはアライメント用顕微鏡14によるマークWX1、WX2およびWY1、 Wherein the wafer XY stage 9 is operation of moving around the optical axis below the wafer stage position reference plate 11 of the projection lens 5 in the wafer stage origin reference or marks by the alignment microscope 14, WX1, WX2 and WY1,
WY2の検出結果に基づいて行なわれており、位置検出マークRXおよびRYの像とマークWX1およびWY1 It is performed based on the detection result of WY2, the image and the mark of the position detection mark RX and RY WX1 and WY1
とはウエハ基準マークの1周期より十分に小さい誤差範囲で重ね合わせされているものとする。 The assumed to be overlaid with a sufficiently small error range than one period of the wafer reference mark.

【0023】ウエハXYステージ9をマークWX1、W [0023] The wafer XY stage 9 mark WX1, W
X2のスリット配列の中心を含んだ前後に1周期の範囲内でX方向に順次微小駆動させて、ウエハステージ位置基準板11上のマークWX1、WX2の位置を移動すると、それぞれの位置に対応してマークWX1またはマークWX2を通過する光量が変化する。 Including the center of X2 of the slit array by sequentially fine driving in the X direction within a range of one period before and after, when moving the position of the mark WX1, WX2 on the wafer stage position reference plate 11, corresponding to the respective positions amount of light passing through the mark WX1 or mark WX2 Te is changed. このため光電検出信号SX1、SX2の値が変化する。 Therefore photoelectric detection signals SX1, the value of SX2 changes. このとき、マークWX1を構成しているスリット配列とマークWX2を構成しているスリット配列の光透過部分と遮光部分の位置関係がずれているために、光電検出信号SX1とSX2 At this time, since the positional relationship between the light transmitting portion and light shielding portion of the slit array constituting the slit arrays and mark WX2 constituting the mark WX1 is displaced, the photoelectric detection signal SX1 and SX2
とは、各スリットのずれ量に相当する分だけ位相がずれる。 And the phase is shifted by an amount corresponding to a shift amount of each slit.

【0024】ここで実際には光センサPX1、PX2に入射する光量変化量は微小である。 The light amount change amount entering the optical sensors PX1, PX2 in fact here is very small. したがって光電検出信号電圧の変化量は数ミリ〜数十ミリVオーダの出力電圧であり、ノイズなどの外乱の影響が光電検出信号SX Thus the amount of change in photoelectric detection signal voltage is the output voltage of several millimeters to several tens millimeters V order, the photoelectric detection signal is affected by disturbances such as noise SX
1、SX2の信号品質に大きな影響を及ぼす。 1, a large influence on the signal quality of the SX2. ところで、本実施例によれば、このノイズは光電検出信号SX Incidentally, according to this embodiment, the noise photoelectric detection signal SX
1、SX2上には同相ノイズNとして現れる。 1 appears as common mode noise N is on SX2. このため減算器AXで差分をとると同相ノイズを打ち消すことができ、差分信号SXはきわめてS/Nの良い信号となる。 Therefore it is possible to cancel the common mode noise when calculating the difference in the subtracter AX, the difference signal SX is a good signal extremely S / N. さらに光電検出信号SX1、SX2は互いに位相が異なっているだけなのでその差分信号SXの出力電圧は必ず0Vを周期的に通過する。 Further photoelectric detection signals SX1, SX2 since only have phases different from each other the output voltage of the difference signal SX always passes through 0V periodically. したがって、従来からの最大光量の位置を計測する代わりに、差分信号SXのスライスレベル電圧値SLを設定して、設定スライスレベル電圧値SLと差分信号SXからウエハXYステージ9 Thus, instead of measuring the position of the maximum amount of light from the prior art, by setting the slice level voltage SL of the difference signal SX, the wafer XY stage from setting the slice level voltage value SL and the difference signal SX 9
の位置の計測を行なう。 Carry out the measurement of the position of. 例えばスライスレベル電圧値S For example the slice level voltage value S
Lを0Vに設定すると、差分信号SXからウエハXYステージ9の位置M1が求まる。 When the L is set to 0V, and the position M1 of the wafer XY stage 9 is obtained from the difference signal SX. ここで、マークWX1とWX2とのずれ量(既知)に相当する位相差Pから、光電検出信号SX1、SX2の交点と図中の0点(最終的に求めたい位置)間の距離Mは、 Here, the distance M between the deviation amount of the mark WX1 and WX2 from the phase difference P corresponding to (known), the photoelectric detection signal SX1, 0 point in the intersection and figure SX2 (finally determined desired position),

【0025】 [0025]

【数2】 [Number 2] なので、計測値M1から基準となる光電検出信号SX1 So, a photoelectric detection signal as a reference from the measured value M1 SX1
の最大光量位置に相当するウエハXYステージ9の位置(0点)を求めることができる。 Position of the wafer XY stage 9 corresponding to the maximum light intensity position of (0 point) can be obtained.

【0026】同様にウエハXYステージ9をY方向に順次微小駆動すれば、マークWY1、WY2を通過した光を受光する光センサPY1,PY2から光電検出信号S [0026] Similarly if the wafer XY stage 9 sequentially fine driving in the Y direction, the mark WY1, light sensor for receiving the light passing through the WY2 PY1, photoelectric from PY2 detection signal S
Y1、SY2が得られる。 Y1, SY2 is obtained. したがって、減算器AYの差分信号SYからウエハXYステージ9のY方向を求めることができる。 Therefore, it is possible from the difference signal SY of the subtracter AY seek Y direction of the wafer XY stage 9.

【0027】次に、ウエハXYステージ9を作動させて基準側のマークWX1をアライメント用顕微鏡14の下に移動する。 Next, the wafer XY stage 9 is operated to move the mark WX1 reference side down the alignment microscope 14. そしてアライメント用顕微鏡14内の画像検出器15でマークWX1を検出する。 And detecting the mark WX1 image detector 15 of the alignment microscope 14. そのときのウエハXYステージ9の位置を求める。 Determining the position of the wafer XY stage 9 at that time. 以上の動作により、 By the above operation,
投影レンズ5とアライメント用顕微鏡14のXY各方向の位置を求めて、投影レンズ5とアライメント顕微鏡1 Seeking XY position of each direction of the projection lens 5 and the alignment microscope 14, the projection lens 5 and the alignment microscope 1
4間のベースライン量を計測する。 Measuring a baseline amount of between 4.

【0028】また、前記ウエハXYステージ9の位置を求めるために、従来の最大光量を検出する方法もとることができる。 Further, in order to determine the position of the wafer XY stage 9 can also take the method of detecting the conventional maximum light. このためには、図4bに示すように、マークWX1を構成しているスリット配列と、マークWX2 For this purpose, as shown in Figure 4b, a slit array constituting the mark WX1, Mark WX2
を構成しているスリット配列の光透過部分と遮光部分の位置関係をほぼ半周期分ずらす。 The positional relationship between a light transmitting portion and light shielding portion of the structure to have a slit arranged shifted approximately a half cycle. これによって、光電検出信号SX1と光電検出信号SX2は、その交流信号成分に着目すると互いに位相が半周期分だけずれた信号になる。 Thereby, the photoelectric detection signals SX1 and the photoelectric detection signals SX2 will signal phase with each other when focusing on the alternating current signal component is shifted by a half period. このため差分信号SXにおいて最大光量S1を求めて、それに対するウエハXYステージのX方向の位置を求める。 Thus for a highest light amount S1 in the differential signal SX, determine the position of the X direction of the wafer XY stage thereto. Y方向の位置も同様にして求める。 Position in the Y direction obtained in the same manner.

【0029】 [0029]

【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した露光装置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。 Example of a device manufacturing method will now be described an embodiment of a device manufacturing method which uses an exposure apparatus or exposure method described above. 図7は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、 Figure 7 is a microdevice (IC or LSI, etc. of the semiconductor chip, a liquid crystal panel, CCD, thin film magnetic head,
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。 Shows the a micromachine etc.). ステップ1 Step 1
(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。 (Circuit design), a device pattern design. ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。 Step 2 is a process for making a mask formed with a pattern design (mask fabrication). 一方、ステップ3(ウエハ製造) On the other hand, Step 3 (wafer manufacture)
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。 In a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、 Step 4 (wafer process) called a pre-process,
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。 Using the mask and wafer that have been prepared, forms actual circuitry on the wafer through lithography. 次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。 The next step 5 (assembly) called a post-process, a semiconductor chip the wafer formed in Step 4 and includes an assembly step (dicing, bonding), packaging step (chip encapsulation) including. ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。 Step 6 (inspection) performs various tests for the semiconductor devices provided by step 5, are carried out, a durability check, and the like. こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。 The semiconductor device is completed through these steps and shipped (Step 7).

【0030】図8は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。 [0030] Figure 8 is a flow chart showing details of the wafer process. ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。 In step 11 (oxidation), the wafer surface is oxidized. ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。 Step 12 forming an insulating film on the wafer surface (CVD). ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。 The electrode is formed by vapor deposition step 13 (electrode formation) on the wafer. ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。 Step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. ステップ15 Step 15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。 Applying a photosensitive agent (resist process), the wafer. ステップ16(露光)では上記説明したアライメント用顕微鏡およびベースライン量計測手段を有する投影露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。 Step 16 (exposure) process for printing, by exposure, the circuit pattern of the mask on the wafer in the projection exposure apparatus having an alignment microscope and baseline quantity measuring means described above. ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。 In step 17 (development) develops the exposed wafer. ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。 In step 18 (etching), portions other than the developed resist image. ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。 In step 19 (resist stripping) removes unused resist after etching. これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。 By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

【0031】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。 By using [0031] the production method of this embodiment, conventionally it is possible to produce the device highly integrated manufacturing is difficult to lower cost.

【0032】 [0032]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウエハステージ位置基準板上にお互いの位置の位相をずらして配置したスリット状の第1、第2のマークと、各マークに対応した第1、第2の光センサを設け、各光センサの光電検出信号から得た差分信号に基づいてベースライン量の計測をするようにしたので、光電検出信号の微小光量変化をとらえる従来の方法に比べて、ノイズ等の影響を受けない光電検出が可能となり、正確なベースライン量を求めることができる効果がある。 According to the present invention as described above, according to the present invention, a first slit-like arranged on the wafer stage position reference board by shifting the phase of the position of each other, and a second mark, corresponding to each mark first, the second optical sensor is provided. Thus the measurement of the baseline amount based on the difference signal obtained from the photoelectric detection signals of the optical sensors, the conventional method to capture the micro light amount change of the photoelectric detection signal compared to enables photoelectric detector which is not affected by noise or the like, there is an effect that it is possible to obtain an accurate baseline amount.

【0033】さらに、差分信号にスライスレベル電圧を設定することによって、光電検出信号の最大光量の位置に対応するウエハXYステージの位置を容易に算出できる効果がある。 Furthermore, by setting the slice level voltage to the differential signal, there is an effect that the position can be easily calculated in the wafer XY stage corresponding to the position of the maximum light amount of the photoelectric detection signal.

【0034】また、第1のマークと第2のマークのずれ量をほぼ半周期分ずらすことによって、従来の方法と同じく最大光量の検出からベースラインの計測を行なうことができる効果がある。 Further, by shifting the first mark and almost a half cycle of the displacement amount of the second mark, an effect that can be detected from the baseline measurement in same maximum light amount to the conventional method.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略的な全体構成図である。 1 is a schematic overall structural view of a projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の装置に用いられるレチクル上の位置検出用マークの詳細図である。 2 is a position detailed view of the detection mark on the reticle to be used in the apparatus of FIG.

【図3】 図1におけるウエハステージ位置基準板上のマークと光検出手段の詳細図である。 3 is a detailed view of the mark and the light detection means on the wafer stage position reference plate in FIG.

【図4】 図1における各部信号波形の説明図であり、 [Figure 4] is an explanatory diagram of signal waveforms in FIG. 1,
aはウエハステージ位置基準板上のマーク1とマーク2 a mark 1 on the wafer stage position reference plate and the mark 2
を通過して得られる光電検出信号と差分信号の説明図、 Illustration of a photoelectric detection signal and the difference signal obtained through the,
bは特にマーク1とマーク2の位置関係を半周期分ずらしたときに得られる光電検出信号と差分信号の説明図である。 b is particularly explanatory view of a photoelectric detection signal and the difference signal obtained when the positional relationship of mark 1 and mark 2 is shifted by a half cycle.

【図5】 aはレチクル上の位置検出マークの図、bは従来のウエハ基準マークと光センサの図、cは本発明のウエハ基準マークと光センサの図である。 [5] a Figure of the position detection mark on the reticle, b is diagram of a conventional wafer reference mark and the light sensor, c is a wafer reference mark and FIG optical sensor of the present invention.

【図6】 従来の投影露光装置のベースライン量計測の概略説明図である。 6 is a schematic illustration of a baseline amount measured in the conventional projection exposure apparatus.

【図7】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。 7 is a diagram showing a flow of manufacturing the microdevice.

【図8】 図7におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。 8 is a diagram showing a detailed flow of the wafer process in Fig.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1:光源、2:レチクル、3:RX,RY位置検出マーク、4:照明光学系、5:投影レンズ、6:ウエハ、 1: light source, 2: reticle, 3: RX, RY position detection marks, 4: the illumination optical system, 5: the projection lens, 6: wafer,
7:ウエハチャック、8:ウエハZステージ、9:ウエハXYステージ、10:ステージベース、11:ウエハステージ位置基準板、12、PX1、2、PY1、2: 7: a wafer chuck, 8: wafer Z stage 9: wafer XY stage, 10: stage base, 11: wafer stage position reference plate, 12, PX1,2, PY1,2:
光電検出器、13、AX、AY:減算器、14:アライメント用顕微鏡、15:画像検出器、16:制御装置、 Photoelectric detector, 13, AX, AY: subtractor, 14: alignment microscope 15: image detector, 16: control device,
WX1、2、WY1、2:ウエハステージ位置基準板上マーク。 WX1,2, WY1,2: wafer stage position reference plate on the mark.

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 レチクル上のパターンをウエハステージ上に保持されたウエハ上に投影するための投影光学系と、前記レチクルとウエハの相対的位置合わせを実行するアライメント用顕微鏡と、ベースライン量計測用レチクルに形成された位置検出マークの前記投影光学系を介した像と前記ウエハステージ上に載置された基準マークとの相対位置関係および前記アライメント用顕微鏡と該基準マークとの相対位置関係に基づいて前記投影光学系とアライメント用顕微鏡とのベースライン量を求めるベースライン量計測手段とを備えた投影露光装置において、 前記位置検出マークは複数のスリットパターンを平行に配列してなり、 前記基準マークは前記位置検出マークに対応したスリットパターンからなる第1のウエハステージ基準マークと、 1. A projection optical system for projecting a pattern on a reticle onto a wafer held on a wafer stage, and the alignment microscope for performing a relative alignment of the reticle and the wafer, the baseline amount measured the relative positional relationship between the image and the relative positional relation and the alignment microscopes and to the reference mark of the placed reference mark on the wafer stage through the projection optical system of the position detection mark formed on use reticle in the projection exposure apparatus and a base line amount measuring means for determining a baseline amount of the projection optical system and the alignment microscope based, the position detecting mark is made in parallel to arranging a plurality of slit patterns, the reference mark a first wafer stage reference mark consisting of a slit pattern corresponding to the position detection mark, 1のウエハステージ基準マークとスリットパターンの配列の周期を所定位相だけずらした第2のウエハステージ基準マークとからなり、 前記ベースライン量計測手段は前記第1および第2のウエハステージ基準マークの光量をそれぞれ検出する第1 The period of the first wafer stage reference mark and the sequence of the slit pattern consists of a second wafer stage reference mark which is shifted by a predetermined phase, the base line amount measuring means said first and second wafer stage reference mark amount of the detecting each 1
    および第2の光センサと、第1および第2の光センサの電気信号出力の差分信号を出力する演算器とを有し、前記第1および第2のウエハステージ基準マークのスリットパターンの中心付近で前記ウエハステージを前記スリットパターンの配列方向に順次微小駆動させて、それぞれの位置に対応して得られた前記差分信号から、前記位置検出マークの像と前記基準マークとの重ね合わせ位置を計測し、投影光学系とアライメント用顕微鏡とのベースライン量を求めることを特徴とする投影露光装置。 And the second and the light sensor, and a first and a second arithmetic unit for outputting a differential signal of the electric signal output of the optical sensor, near the center of the slit pattern of the first and second wafer stage reference mark in said wafer stage is successively minute drive in the array direction of the slit pattern, from said difference signal obtained in correspondence to the respective positions, measure the overlay position of the image and the reference mark of the position detection mark and, a projection exposure apparatus characterized by determining the baseline amount of the projection optical system and the alignment microscope.
  2. 【請求項2】 前記位置検出マーク、第1および第2の基準マーク、第1および第2の光センサならびに演算器をX方向およびY方向のベースライン量計測用に2組有することを特徴とする請求項1記載の投影露光装置。 Wherein said position detecting mark, the first and second reference marks, and characterized by having two pairs for baseline amount measured in the first and second optical sensors and calculator X and Y directions the projection exposure apparatus according to claim 1.
  3. 【請求項3】 前記第1および第2の光センサは、前記第1および第2の基準マークの下に配置され、前記スリットパターンの透光部を通過する光量を検出することを特徴とする請求項1または2記載の投影露光装置。 Wherein said first and second optical sensors, the disposed below the first and second reference marks, and detects the amount of light passing through the transparent portion of the slit pattern projection exposure apparatus according to claim 1 or 2 wherein.
  4. 【請求項4】 前記演算器の差分出力に所定のスライスレベル電圧を設定し、該差分出力とスライスレベル電圧が一致する位置および前記第1のウエハステージ基準マークと第2のウエハステージ基準マークとの位相差に基づいて前記位置検出マークの像と前記第1のウエハステージ基準マークとの重ね合わせ位置を計測することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の投影露光装置。 4. Set the predetermined slice level voltage to the differential output of the arithmetic unit, the position and the first wafer stage reference mark and the second wafer stage reference mark said difference output and the slice level voltage matches the projection exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that to measure the overlay position between the image and the first wafer stage reference mark of the position detection mark based on the phase difference.
  5. 【請求項5】 前記第1の基準マークのスリットパターンと第2の基準マークのスリットパターンの位置関係をほぼ半周期分ずらして配置し、前記演算器の差分出力の最大値を検出することにより前記位置検出マークの像と前記第1のウエハステージ基準マークとの重ね合わせ位置を計測することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の投影露光装置。 5. A staggered substantially half period of the positional relationship between the slit pattern of the slit pattern and a second reference mark of the first reference mark, by detecting the maximum value of the differential output of the arithmetic unit the projection exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4, characterized in that to measure the overlay position between the image and the first wafer stage reference mark of the position detection mark.
  6. 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の投影露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。 6. A device manufacturing method characterized by manufacturing a device using a projection exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5.
JP25266397A 1997-09-03 1997-09-03 Projection exposure system Pending JPH11121325A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25266397A JPH11121325A (en) 1997-09-03 1997-09-03 Projection exposure system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25266397A JPH11121325A (en) 1997-09-03 1997-09-03 Projection exposure system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11121325A true true JPH11121325A (en) 1999-04-30

Family

ID=17240504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25266397A Pending JPH11121325A (en) 1997-09-03 1997-09-03 Projection exposure system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11121325A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002139847A (en) * 2000-10-31 2002-05-17 Nikon Corp Aligner, exposing method and device manufacturing method
JP2015535090A (en) * 2012-10-17 2015-12-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Sensor system for lithography
JP2016027414A (en) * 2006-08-31 2016-02-18 株式会社ニコン Exposure apparatus and exposure method, and method for manufacturing device
JP2016136267A (en) * 2006-09-01 2016-07-28 株式会社ニコン Exposure equipment and exposure method, and device production method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002139847A (en) * 2000-10-31 2002-05-17 Nikon Corp Aligner, exposing method and device manufacturing method
JP2016027414A (en) * 2006-08-31 2016-02-18 株式会社ニコン Exposure apparatus and exposure method, and method for manufacturing device
JP2016128929A (en) * 2006-08-31 2016-07-14 株式会社ニコン Exposure device and exposure method, and method for producing device
JP2016136267A (en) * 2006-09-01 2016-07-28 株式会社ニコン Exposure equipment and exposure method, and device production method
JP2015535090A (en) * 2012-10-17 2015-12-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Sensor system for lithography
US9690207B2 (en) 2012-10-17 2017-06-27 Asml Netherlands B.V. Sensor system for lithography
US9864282B2 (en) 2012-10-17 2018-01-09 Asml Netherlands B.V. Sensor system for lithography

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4908656A (en) Method of dimension measurement for a pattern formed by exposure apparatus, and method for setting exposure conditions and for inspecting exposure precision
US5008702A (en) Exposure method and apparatus
US5783341A (en) Alignment for layer formation through determination of target values for translation, rotation and magnification
US5751404A (en) Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates
US5610715A (en) Displacement detecting system, an expose apparatus, and a device manufacturing method employing a scale whose displacement is detected by a selected detection head
US6498640B1 (en) Method to measure alignment using latent image grating structures
US20030053059A1 (en) Position detection apparatus and method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US4803524A (en) Method of and apparatus for detecting the accuracy of superposition exposure in an exposure apparatus
JPH10214783A (en) Device and method for projection alignment
US5666205A (en) Measuring method and exposure apparatus
US6124922A (en) Exposure device and method for producing a mask for use in the device
US6426508B1 (en) Surface-position detection device, a projection exposure apparatus using the device, and a device manufacturing method using the apparatus
US6714691B2 (en) Exposure method and apparatus, and device manufacturing method using the same
US20040257550A1 (en) Exposure apparatus, device manufacturing method, stage apparatus, and alignment method
US5745242A (en) Position detecting system and exposure apparatus having the same
JPH09223650A (en) Aligner
US20030193655A1 (en) Exposure apparatus and method
US5671057A (en) Alignment method
US20030132401A1 (en) Surface position detecting method
US6538260B1 (en) Position measuring method, and semiconductor device manufacturing method and apparatus using the same
US20070229788A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US20020001083A1 (en) Apparatus and method for measuring pattern alignment error
JP2003197502A (en) Measuring method and exposing method, aligner, and method for manufacturing device
JP2006266864A (en) Sample inspection device and sample inspection method
US20020082801A1 (en) Shape measuring method, shape measuring unit, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method