JPH11111818A - Holding device and holder for wafer - Google Patents

Holding device and holder for wafer

Info

Publication number
JPH11111818A
JPH11111818A JP27122297A JP27122297A JPH11111818A JP H11111818 A JPH11111818 A JP H11111818A JP 27122297 A JP27122297 A JP 27122297A JP 27122297 A JP27122297 A JP 27122297A JP H11111818 A JPH11111818 A JP H11111818A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
wafer
substrate
ring
surface
lower electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP27122297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mamoru Yokoyama
守 横山
Original Assignee
Oki Electric Ind Co Ltd
沖電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a holding device and a holder for a wafer with uniform stress thereon.
SOLUTION: A wafer 1 is mounted on a lower electrode 3, and a clamp ring 12 is put thereon in such a way that the boundary edge part of the wafer 1 is put in contact with a tapered face 211 thereof. When the clamp ring 12 is pushed to the lower/electrode side, the wafer 1 is shifted by a force from the tapered face 211, so that the center of the clamp ring 12 moves to coincide with the center of the wafer 1.
COPYRIGHT: (C)1999,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置において半導体基板(ウェハ)を保持するウェハ保持装置及びウェハ保持具に関し、特にウェハの位置決めに特徴を有する。 The present invention relates to relates to a wafer holding apparatus and a wafer holder for holding a semiconductor substrate (wafer) in a semiconductor manufacturing device, in particular characterized by the positioning of the wafer.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来より、半導体装置の製造時においてウェハ(半導体基板)を保持するウェハ保持装置として、リング状のクランプリングが用いられている。 Conventionally, as a wafer holding device for holding a wafer (semiconductor substrate) at the time of manufacturing the semiconductor device, a ring-shaped clamping ring is used. このようなクランプリングを用いてウェハを保持する際には、図2に示すように、ウェハ101を下部電極103 When holding the wafer using such a clamp ring, as shown in FIG. 2, the lower electrode 103 to the wafer 101
上に載置し、この上にクランプリング102を載置する。 Placed above placing the clamping ring 102 thereon. そして、クランプリング102を下部電極103に押圧することにより、クランプリング102の内周に設けられたウェハ押さえ面102aと下部電極103によってウェハ101が挟持されて保持される。 Then, by pressing the clamp ring 102 to the lower electrode 103, the wafer 101 by the wafer holding surface 102a and a lower electrode 103 provided on the inner periphery of the clamp ring 102 is held by being sandwiched.

【0003】また、プロセスの途中における温度上昇を抑えるために、ウェハ101の裏面には、下部電極10 [0003] In order to suppress the temperature rise in the course of the process, on the back surface of the wafer 101, the lower electrode 10
3の周囲に配置された排気リング104との間の排気路104aを介して、熱伝導性のよいガスが圧力制御されて導入される。 3 through an exhaust passage 104a between the exhaust ring 104 disposed around, good thermal conductivity gas is introduced is pressure controlled.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述のようにクランプリング102を用いてウェハ101を保持した場合、クランプリング102の内径がウェハ10 [SUMMARY OF THE INVENTION However, when holding the wafer 101 using a clamp ring 102, as described above, the wafer 10 is the inner diameter of the clamp ring 102
1径より若干(1〜2mm)大きいため、図3中に破線で示すように、ウェハ101の中心とクランプリング1 For some (1 to 2 mm) greater than 1 diameter, as shown by the dashed line in FIG. 3, the center of the wafer 101 and the clamp ring 1
02の中心とがずれ、クランプリング102のウェハ押え面102aとウェハ101上面外周部との接触が不均一となることがある。 02 and the center of displacement, the contact between the wafer holding surface 102a and the wafer 101 the upper surface outer peripheral portion of the clamp ring 102 may become uneven.

【0005】このような状態となると、ウェハ101にかかる応力が不均一となってウェハ101面内の均一性が悪化する。 [0005] When it comes to such a state, the uniformity of the wafer 101 surface is deteriorated becomes nonuniform stress applied to the wafer 101. これにより、最悪の場合は、熱伝導性のよいガスが、ウェハ101表面側に漏れ、冷却能力が低下し、プロセス途中において、比較的熱に弱いレジストパターンが変形してしまうことがある。 Thus, in the worst case, having good thermal conductivity gas leaks on the wafer 101 surface side, the cooling capacity is reduced, in-process, sometimes weak resist pattern relatively heat deformed.

【0006】本発明は、上述のような問題点に鑑みてなされたものであり、ウェハにかかる応力を均一化させることができるウェハ保持装置及びウェハ保持具を提供することを目的とする。 [0006] The present invention has been made in view of the problems as described above, and an object thereof is to provide a wafer holding apparatus and a wafer holder capable of equalizing the stress applied to the wafer.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係るウェハ保持装置は、半導体ウェハを載置するための平面を有する基体と、基体上に載置されたウェハの上に載置してウェハを保持するリング体とを有するウェハ保持装置であって、リング体が、リング体の内壁上部に設けられ、内径がウェハの外形より小さい係止部と、リング体の内壁下端から係止部に向かって徐々に内径が小さくなるテーパー面とを有している。 Means for Solving the Problems The wafer holding apparatus according to the present invention, holding a substrate having a planar surface for mounting a semiconductor wafer, the wafer is placed on a wafer placed on a substrate a wafer holding device having a ring body, the ring body is provided on the upper portion of the inner wall of the ring body, an inner diameter toward the engaging portion and the outer smaller locking portion of the wafer, from the inner wall lower end of the ring body gradually and a tapered surface whose inner diameter becomes smaller.

【0008】係止部は、基体の平面と相対して、載置されたウェハを押さえるウェハ押え面、あるいは、テーパー部より急峻に径小となる径小部から構成してもよい。 [0008] engaging part, and plane relative to the substrate, the wafer pressing surface presses the placed wafer, or may be composed of small diameter portion which steeply a smaller diameter than the tapered portion.
また、テーパー面を鏡面加工してもよい。 Further, the tapered surface may be mirror-finished. さらに、ウェハと基体の表面との摩擦を低減させる摩擦低減手段を設けてもよい。 Further, there may be provided a friction reducing means for reducing the friction between the wafer and the surface of the substrate.

【0009】また、本発明に係るウェハ保持装置は、半導体ウェハを載置するための平面を有する基体上に載置されたウェハの上に載置してウェハを保持するリング状のウェハ保持具であって、リング体の内壁上部に設けられ、内径がウェハの外形より小さい係止部と、リング体の内壁下端から係止部に向かって徐々に内径が小さくなるテーパー面とを有している。 Further, the wafer holding apparatus according to the present invention, a ring-shaped wafer holder for holding the wafer placed on the mounting wafer on a substrate having a planar surface for mounting a semiconductor wafer a is provided on the inner wall top of the ring member, inside diameter has the outer shape smaller than locking portion of the wafer, and a tapered surface which inner diameter gradually toward the engaging portion from the inner wall lower end of the ring body is reduced there.

【0010】 [0010]

【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

第1の実施形態 図1は本発明の第1の実施形態に係るウェハ保持装置の構成を示す断面図である。 First Embodiment FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a wafer holding device according to a first embodiment of the present invention. このウェハ保持装置は、ウェハ1を載置するための下部電極(基体)3と、下部電極3上に載置したウェハ1を保持するクランプリング(リング体)2とを備えている。 The wafer holding device includes a lower electrode (substrate) 3 for placing the wafer 1, and a clamp ring (ring member) 2 for holding the wafer 1 placed on the lower electrode 3.

【0011】このクランプリング2の内壁上部には、図4に示すように、ウェハ1を押圧するウェハ押え面2a [0011] The upper portion of the inner wall of the clamping ring 2, as shown in FIG. 4, the wafer holding surface 2a for pressing the wafer 1
が設けられている。 It is provided. また、リング体の内壁のウェハ押え面2aの下には、リング体の内壁下端からウェハ押え面2aに向かって徐々に内径が小さくなるテーパー面20 Further, tapered surface 20 below the wafer holding surface 2a of the inner wall of the ring body, the inner diameter gradually toward the wafer pressing surface 2a from the inner wall lower end of the ring body decreases
1が形成されている。 1 is formed. このテーパー面201の上部の径はウェハ1径より小さく設定する。 Diameter of the upper portion of the tapered surface 201 is set smaller than the wafer 1 diameter. また、テーパー面2 In addition, the tapered surface 2
01の表面は、ウェハ1との摩擦を低減させるために鏡面加工する。 Surface 01 is mirror-finished to reduce friction with the wafer 1.

【0012】このようなクランプリング2を用いてウェハ1を保持する際には、ウェハ1程度の径の下部電極3 [0012] When holding the wafer 1 by using such a clamp ring 2, a lower electrode 3 having a diameter of approximately wafer 1
上にウェハ1を載置し、この上にウェハ1の外周がテーパー面201に内接するようにクランプリング2を載置する。 The wafer 1 is placed on top, the outer periphery of the wafer 1 on the to mount the clamp ring 2 to be inscribed on the tapered surface 201. この後、均等に押圧力が加わるようにクランプリング2を下部電極3側に押圧すると、テーパー面201 Thereafter, when the uniformly pressing the clamping ring 2 to the lower electrode 3 side as the pressing force is applied, the tapered surface 201
とウェハ1の外周との接触点がテーパー面201に沿ってウェハ押え面2a方向に移動する。 A point of contact with the outer periphery of the wafer 1 is moved to the wafer pressing surface 2a along the tapered surface 201.

【0013】テーパー面201の径はウェハ押え面2a [0013] The diameter of the tapered surface 201 is wafer holding surface 2a
に向かって徐々に小さくなっているため、クランプリングのセンタがずれていればウェハ1に横向きの力が加わる。 Because gradually decreases towards the, lateral force is applied to the wafer 1 if shift the center of the clamp ring. この力は、この図4に示す位置では右向きであるが、クランプリング1の内壁の他端のテーパー面201 This force, in the position shown in FIG. 4 is a right, tapered surface 201 at the other end of the inner wall of the clamping ring 1
では左向きである。 In a leftward. このため、クランプリング2が下部電極3側に近づくに従って、ウェハ1はこれらの力が均衡する位置、すなわち、クランプリング2のセンタに移動される。 Therefore, according to the clamp ring 2 approaches the 3-side lower electrode, the wafer 1 is located where these forces are balanced, i.e., is moved to the center of the clamp ring 2. さらにクランプリング2に押圧力を与え、ウェハ押え面2aがウェハ1の上面周辺部に圧接すると、 Further pressing force is applied to the clamp ring 2, the wafer holding surface 2a is pressed against the upper surface peripheral portion of the wafer 1,
ウェハ1がウェハ押さえ面2aと下部電極3によって挟持されて保持される。 Wafer 1 is held by being sandwiched by the wafer holding surface 2a and the lower electrode 3.

【0014】このように構成されたウェハ保持装置を用いてウェハ1の保持を行なうことにより、最初にウェハ1を載置した位置がクランプリング2のセンタから多少ずれていた場合においても、上述のようにクランプリング2を下部電極3側に押圧する際に移動され、ウェハ1 [0014] By performing the thus constructed wafer holding device holding the wafer 1 by using the first in the case where the position of mounting the wafer 1 is slightly deviated from the center of the clamp ring 2 also, the above-mentioned It is moved when pressing the clamping ring 2 to the lower electrode 3 side as the wafer 1
とクランプリング2のセンタが一致する。 Center of the clamp ring 2 matches. また、ウェハの外周面の形状の変化、ウェハ径のばらつき等があってもテーパー面201によりウェハ1が最適な位置に移動され、ウェハ1とクランプリング2のセンタが一致する。 The change in shape of the outer peripheral surface of the wafer, is moved to the wafer 1 is optimum position by tapered surface 201 even if there is such variation in the wafer diameter, the center of the wafer 1 and the clamp ring 2 is matched. このため、ウェハ1とクランプリング2のセンタがずれないように、クランプリング2の位置を微調整する必要がない。 Therefore, so as not shift the center of the wafer 1 and the clamping ring 2, there is no need to finely adjust the position of the clamp ring 2.

【0015】この第1の実施形態では、クランプリング2の内壁にテーパー面201を設け、最小内径をウェハ1径より小さくしたため、容易にウェハ1のセンタ合わせを行なうことができる。 [0015] In this first embodiment, the tapered surface 201 provided on the inner wall of the clamping ring 2, a minimum inner diameter because of the smaller than the wafer 1 diameter, it is possible to easily perform center alignment of the wafer 1. これにより、従来のように、 As a result, as in the prior art,
ウェハ1の外周の形状あるいはウェハ1径のばらつきに応じてクランプリング2の位置を微調整する必要がない。 There is no need to finely adjust the position of the clamp ring 2 in response to variations in the shape or the wafer 1 diameter of the outer circumference of the wafer 1. また、ウェハ1にかかる応力を均一化させることができ、ウェハ1面内の均一性を向上させることができる。 Further, it is possible to equalize the stress applied to the wafer 1, it is possible to improve the uniformity in one plane wafer. また、テーパー面を鏡面加工することにより、ウェハ1との摩擦を低減させることができ、より滑らかにウェハ1を移動させることができる。 Further, by mirror-finishing the tapered surface, it is possible to reduce the friction between the wafer 1, the smoother can move the wafer 1.

【0016】第2の実施形態 図5は本発明の第2の実施形態に係るウェハ保持装置の要部の構成を示す断面図である。 [0016] Figure 5 is a second embodiment is a sectional view showing a main portion of the wafer holding apparatus according to a second embodiment of the present invention. このウェハ保持装置は、上述の第1の実施形態と同様に、ウェハ1を載置するための下部電極3と、ウェハ1をこの下部電極3に押圧するクランプリング12とを備えている。 The wafer holding device, as in the first embodiment described above, and a lower electrode 3 for mounting the wafer 1, and a clamp ring 12 for pressing the wafer 1 to the lower electrode 3.

【0017】このクランプリング12は、上述の第1の実施形態と同様にリング体からなり、その内壁には、図4中のテーパー面201と同様に、リング体の内壁下端から徐々に内径が小さくなるテーパー面211が形成されている。 [0017] The clamping ring 12, made of a ring member as in the first embodiment described above, the inner wall thereof, like the tapered surface 201 in FIG. 4, the inner diameter gradually from the inner wall lower end of the ring body small tapered surface 211 is formed. また、このクランプリング12には、図4中のウェハ押え面2aの代わりにテーパー面211より急峻に径小となる径小部12aが設けられている。 Furthermore, this clamping ring 12 is provided with a small diameter portion 12a serving as a sharply reduced diameter than the tapered surface 211 in place of the wafer pressing surface 2a in FIG. 径小部12aの最小径はウェハ1の径より小さく設定している。 Minimum diameter of the small diameter portion 12a is set smaller than the diameter of the wafer 1. また、上述の第1の実施形態と同様に、テーパー面211の表面は鏡面加工する。 As in the first embodiment described above, the surface of the tapered surface 211 is mirror-finished.

【0018】このように構成されたウェハ保持装置を用いてウェハ1を保持する際には、上述の第1の実施形態と同様に、下部電極3上にウェハ1を載置し、この上にウェハ1の外周がテーパー面211に内接するようにクランプリング12を載置する。 [0018] When holding the wafer 1 by using the above wafer holding apparatus constructed as above, similarly to the first embodiment described above, the wafer 1 is placed on the lower electrode 3, on the the outer periphery of the wafer 1 is placed on the clamp ring 12 to be inscribed on the tapered surface 211. この後、均等に押圧力が加わるようにクランプリング12を下部電極13側に押圧すると、上述の第1の実施形態と同様に、テーパー面211から受ける横向きの力によって、クランプリング12のセンタに移動される。 Thereafter, when the uniformly pressing the clamping ring 12 to the lower electrode 13 side as the pressing force is applied, as in the first embodiment described above, the lateral force from the tapered surface 211, the center of the clamp ring 12 It is moved. さらにクランプリング2に押圧力を与えると、径小部12aと下部電極3によってウェハ1が挟持されて保持される。 Further give a pressing force to the clamp ring 2, the wafer 1 is held by being sandwiched by the small-diameter portion 12a and the lower electrode 3.

【0019】この第2の実施形態では、クランプリング12の内壁にテーパー面211を設け、最小内径をウェハ1径より小さくしたため、上述の第1の実施形態と同様に、容易にウェハ1のセンタ合わせを行なうことができる。 [0019] In the second embodiment, the tapered surface 211 provided on the inner wall of the clamp ring 12, because of the smaller than the wafer 1 diameter minimum inner diameter, as in the first embodiment described above, readily wafer 1 center suit can be carried out. これにより、ウェハ1にかかる応力を均一化させることができ、ウェハ1面内の均一性を向上させることができる。 Thus, it is possible to equalize the stress applied to the wafer 1, it is possible to improve the uniformity in one plane wafer.

【0020】図2及び図3に示す従来のクランプリングあるいは図1及び図4に示す第1の実施形態では、ウェハ押え面102a、2aと下部電極3で狭持することにより(面接触状態で)ウェハ101、1を保持していた。 [0020] In the first embodiment shown in FIG. 2 and the conventional clamp ring or 1 and 4 shown in FIG. 3, by holding the wafer pressing surface 102a, 2a and the lower electrode 3 (in surface contact ) had been holding the wafer 101,1. これに対し、この第2の実施形態では、径小部12 In contrast, in this second embodiment, the small diameter portion 12
aと下部電極3によってウェハ1を狭持する。 To hold the wafer 1 by a and the lower electrode 3. ウェハ1 Wafer 1
の周縁は一般的にエッチングによって丸みを帯びており、図5に示す断面では、径小部12aの下側と1点、 The peripheral is rounded generally by etching, in the cross section shown in FIG. 5, the lower one point of small diameter portion 12a,
あるいは径小部12aの下側とテーパー部211の2点で接触している。 Or it is in contact with two points of the lower and the tapered portion 211 of the small-diameter portion 12a. すなわち、上述のような構成のクランプリング12を用いることにより、点接触状態でウェハ1を保持することができる。 That is, by using a clamping ring 12 of the above-described configuration, it is possible to hold the wafer 1 in a point contact state.

【0021】面接触によりウェハを保持する場合には、 [0021] When holding the wafer by surface contact,
ウェハ押え面の強度を維持するためにある程度の厚さが必要であるが、この第2の実施形態では点接触でウェハを保持しているため、クランプリングの厚さを薄くすることができる。 Is required a certain degree of thickness in order to maintain the strength of the wafer pressing surface, in this second embodiment for holding the wafer in point contact, it is possible to reduce the thickness of the clamping ring.

【0022】クランプリングの厚さが厚いと、エッチング時に、ウェハ表面のクランプリングに近い部分に、ウェハ近傍で発生するエッチャントが滞留しやすい。 [0022] If the thickness of the clamping ring is thick, during etching, the portion close to the clamp ring of the wafer surface, the etchant is likely to stay that occur in the wafer near. 従って、クランプリングの厚さを薄くすることにより、クランプリングに近い部分に滞留するエッチャントを減少させることができ、ウェハ面内の均一性の向上に寄与することができる。 Therefore, by reducing the thickness of the clamping ring, it is possible to reduce the etchant staying in the portion close to the clamping ring, can contribute to the improvement of the uniformity in the wafer plane.

【0023】第3の実施形態 図6は本発明の第3の実施形態に係るウェハ保持装置の構成を示す断面図である。 [0023] The third embodiment Figure 6 is a sectional view showing a configuration of a wafer holding device according to a third embodiment of the present invention. このウェハ保持装置は、ウェハ1を載置するための下部電極23と、ウェハ1をこの下部電極23に押圧するクランプリング12とを備えている。 The wafer holding device includes a lower electrode 23 for placing the wafer 1, and a clamp ring 12 for pressing the wafer 1 to the lower electrode 23. このクランプリング12は、上述の図5に示す第2の実施形態と同様に構成されている。 The clamp ring 12 is configured similarly to the second embodiment shown in FIG. 5 above.

【0024】また、下部電極23の中心部付近には、図7に示すように、ガス導入孔301が設けられている。 Further, in the vicinity of the center portion of the lower electrode 23, as shown in FIG. 7, the gas introducing hole 301 is provided.
また、排気リング24にはクランプリング12の外周縁と相対する位置に気密保持用の凸部24aが設けられている。 Further, the convex portion 24a for airtightness are provided on the outer peripheral edge and opposite position of the clamp ring 12 to the exhaust ring 24. この凸部の内径はクランプリング12の外径と同じになっており、ガス導入孔301から導入されたガスが漏れるのを防止している。 The inner diameter of the projections is prevented from is the same as the outer diameter of the clamp ring 12, the gas introduced from the gas introducing hole 301 from leaking.

【0025】このように構成されたウェハ保持装置を用いてウェハ1を保持する際には、上述の第2の実施形態と同様に、下部電極23上にウェハ1を載置し、この上にウェハ1の外周がテーパー面211に内接するようにクランプリング12を載置する。 [0025] When holding the wafer 1 by using the above wafer holding apparatus constructed as above, similarly to the second embodiment described above, the wafer 1 is placed on the lower electrode 23, on the the outer periphery of the wafer 1 is placed on the clamp ring 12 to be inscribed on the tapered surface 211. この後、均等に押圧力が加わるようにクランプリング12を下部電極23側に押圧する。 Thereafter, evenly press the clamp ring 12 to the lower electrode 23 side as the pressing force is applied.

【0026】そして、クランプリング12が所定の位置、例えばクランプリング12の下端が下部電極23上面より下となる位置まで下降した後、ガス導入ポート3 [0026] Then, the clamp ring 12 is place, for example, after the lower end of the clamp ring 12 is lowered to a position where a below the lower electrode 23 upper surface, the gas introduction port 3
01を介してウェハ1裏面に冷却用のガスを導入する。 01 for introducing a gas for cooling the wafer backside 1 through.
これにより、ウェハ1がガス圧によって浮上する。 Thus, the wafer 1 is floated by the gas pressure.

【0027】クランプリング12が下降すると、テーパー面211から受ける横向きの力により、ウェハ1は浮上した状態でクランプリング12とウェハ1のセンタが一致する位置に移動される。 [0027] clamping ring 12 is lowered, the lateral force from the tapered surface 211, the wafer 1 is moved to a position where the center of the clamp ring 12 and the wafer 1 coincides while flying. この後、さらに押圧力を加えると、ウェハ1が下部電極23と径小部12aによって狭持されて保持される。 Thereafter, further addition of the pressing force is held wafer 1 is sandwiched by the lower electrode 23 and the small diameter portion 12a.

【0028】この第3の実施形態では、クランプリング12によってウェハ1を保持する際に、冷却用として用いるガスを導入してウェハ1を浮上させることにより、 [0028] In the third embodiment, when holding the wafer 1 by a clamping ring 12, by floating the wafer 1 by introducing gas used for cooling,
クランプリング12の下降に伴ってクランプリング12 Clamp ring with the downward movement of the clamp ring 12 12
が横方向に移動される際の下部電極23とウェハ1の摩擦を低減することができ、センタ合わせをより円滑に行なうことができる。 There it is possible to reduce the friction of the lower electrode 23 and the wafer 1 as it is moved laterally, the center alignment can be performed more smoothly.

【0029】また、この実施形態では、従来からプロセス中のウェハ1の冷却用として用いるガスを使用しているため、クランプリング12を用い、下部電極23にガス導入ポート301を設け、当該ウェハ保持装置を用いる装置側の制御シーケンスのガス導入のタイミングを変更するだけで容易に実現することができる。 Further, in this embodiment, due to the use of gas used for the wafer 1 in the process cooled conventionally using a clamp ring 12, a gas introduction port 301 provided in the lower electrode 23, the wafer holding it can be easily implemented only by changing the timing of the gas introduction control sequence of the apparatus side using the device.

【0030】第4の実施形態 図8は本発明の第4の実施形態に係るウェハ保持装置の要部の構成を示す断面図である。 [0030] Fourth Embodiment FIG 8 is a sectional view showing a main portion of the wafer holding apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. このウェハ保持装置は、ウェハ1を載置するための下部電極33と、ウェハ1をこの下部電極33に押圧するクランプリング12とを備えている。 The wafer holding device includes a lower electrode 33 for placing the wafer 1, and a clamp ring 12 for pressing the wafer 1 to the lower electrode 33. このクランプリング12は、上述の図5 The clamping ring 12, the above-described FIG. 5
に示す第2の実施形態と同様に構成されている。 It is configured similarly to the second embodiment shown in.

【0031】下部電極33の中心部付近には、図9に示すように、孔401が設けられている。 [0031] In the vicinity of the center portion of the lower electrode 33, as shown in FIG. 9, holes 401 are provided. この孔401は上述のガス導入ポート301として用いる孔を用いてもよい。 The holes 401 may be used a hole used as the gas introduction port 301 described above. また、この孔401にはウェハ搬送用ピン402 Further, the wafer transfer pins 402 in the hole 401
が摺動自在に挿入されている。 There has been slidably inserted. このウェハ搬送用ピン4 The wafer transport pin 4
02は、外部の装置が備えるピン駆動系によって駆動される。 02 is driven by a pin drive system in which an external apparatus. また、このウェハ搬送用ピン402の先端(下部電極33から突出する部分)はウェハ1との摩擦を低減するために丸めてある。 Further, (a portion projecting from the lower electrode 33) the tip of the wafer transfer pins 402 are rounded to reduce friction with the wafer 1. さらに、このウェハ搬送用ピン402の先端を鏡面加工すれば、ウェハ1との摩擦を低減させることができる。 Furthermore, the tip of the wafer transfer pins 402 be mirror-finished, it is possible to reduce the friction between the wafer 1.

【0032】このように構成されたウェハ保持装置は、 [0032] Such a wafer holding apparatus constructed as above,
例えばウェハ1を搬送する搬送系、装置全体の制御を行なう制御系、上述のピン駆動系等を備えた半導体製造装置に用いられる。 For example the transport system for transporting the wafer 1, a control system for controlling the entire device, used in a semiconductor manufacturing device having a pin drive system or the like described above.

【0033】このような半導体製造装置においてウェハ1を保持する際に、制御系は、まず、搬送系を制御してウェハ1を下部電極33上に搬送する。 [0033] When holding the wafer 1 in such a semiconductor manufacturing device, the control system first controls the transfer system to transfer the wafer 1 on the lower electrode 33. このとき、制御系は、例えば搬送アーム等からなる上述のピン駆動部を制御してウェハ搬送用ピン402の先端が下部電極33 At this time, the control system, for example by controlling the pin drive unit described above consisting of the transfer arm or the like tip the lower electrode 33 of the wafer transfer pins 402
から突出した状態としておく。 Keep a state of protruding from. このようにウェハ搬送用ピン402の先端が下部電極33から突出した状態となっていると、ウェハ1は、ウェハ搬送ピン402の先端にのみ接触した状態で保持される。 With such the tip of the wafer transfer pins 402 is in the state of protruding from the lower electrode 33, the wafer 1 is held in contact only at the tip of the wafer transfer pins 402.

【0034】次に、制御系は、搬送アームその他の手段を制御してウェハ1の外周がテーパー面211に内接するようにクランプリング12を載置する。 Next, the control system, the outer periphery of the wafer 1 by controlling the transfer arm other means for mounting the clamp ring 12 to be inscribed on the tapered surface 211. この後、搬送アーム等により、均等に押圧力が加わるようにクランプリング12を下部電極33側に押圧する。 Thereafter, the transfer arm or the like, uniformly pressing the clamping ring 12 to the lower electrode 33 side as the pressing force is applied. これと並行して、制御系は、ピン駆動部を制御してウェハ搬送用ピン402を徐々に下降させる。 In parallel with this, the control system controls the pin drive unit gradually lowers the wafer transfer pins 402.

【0035】さらにクランプリング12が下降し、ウェハ搬送用ピン402の先端の高さが下部電極33の上面以下となると、ウェハ1は径小部12aと下部電極33 Furthermore clamp ring 12 is lowered, the height of the tip of the wafer transfer pins 402 is equal to or less than the upper surface of the lower electrode 33, the wafer 1 is small-diameter portion 12a and the lower electrode 33
とで狭持されて保持される。 It is held by being sandwiched between.

【0036】上述のようにクランプリング12に押圧力を加え、クランプリング12とウェハ1の間隔が狭くなるに従って、ウェハ1はクランプリング12のセンタとウェハ1のセンタが一致する位置に移動される。 [0036] The pressing force is applied to the clamping ring 12 as described above, according to the interval of the clamp ring 12 and the wafer 1 is narrowed, the wafer 1 is moved to a position where the center and the center of the wafer 1 of the clamp ring 12 coincides . この間、ウェハ1はウェハ搬送用ピン402の先端に接触した状態で摺動して移動される。 During this time, the wafer 1 is moved to slide in contact with the distal end of the wafer transfer pins 402. 従って、下部電極33の上面に接触した状態で摺動して移動される場合に比較して摩擦を低減させることができ、センタ合わせをより円滑に行なうことができる。 Accordingly, it is possible to it is possible to reduce friction in comparison with the case to be moved by sliding in contact with the upper surface of the lower electrode 33, the center alignment more smoothly.

【0037】また、この実施形態では、従来から搬送時の摩擦を低減させるために用いられていたウェハ搬送用ピン402を用いているため、クランプリング12を用い、ウェハ搬送用ピン402を駆動する制御系のシーケンスを変更するだけで容易に実現することができる。 Further, in this embodiment, the use of the wafer transfer pins 402 which has been used to reduce friction during conveyance conventionally using a clamp ring 12, drives the wafer transfer pins 402 it can be easily implemented only by changing the sequence of the control system.

【0038】また、上述の説明では、クランプ終了時(ウェハ1が径小部12aと下部電極33とで狭持された時)にウェハ搬送ピン402の先端が下部電極33から突出しないように構成していたが、ウェハ搬送ピン4 [0038] In the above description, adapted at the clamping ends tip of the wafer transfer pins 402 (when the wafer 1 is sandwiched between the small diameter portion 12a and the lower electrode 33) does not protrude from the lower electrode 33 It had been, but the wafer transport pin 4
02の先端が所定長、突出した状態でクランプ終了とすることができる。 Tip predetermined length 02 can be a clamping end with protruding state. すなわち、制御系のシーケンスを変更し、クランプ終了時のウェハ搬送ピン402の突出長を制御することにより、ウェハ1とクランプリング12のセンタ合わせの高さを任意に設定することが可能である。 That is, to change the sequence of the control system, by controlling the projecting length of the wafer transfer pins 402 at the clamp ends, it is possible to arbitrarily set the center alignment of the height of the wafer 1 and the clamping ring 12. このようにした場合、ウェハ1の厚さ、ウェハ1の径等に対応させてセンタ合わせの高さを変更すれば、より均一なウェハの保持を実現することができる。 If this is done, it is the thickness of the wafer 1, by changing the height of the center alignment in correspondence with the diameter of the wafer 1, to achieve a more uniform wafer holding.

【0039】第5の実施形態 図10は本発明の第5の実施形態に係るウェハ保持装置の要部の構成を示す断面図である。 [0039] Fifth Embodiment FIG. 10 is a sectional view showing a main portion of the wafer holding apparatus according to a fifth embodiment of the present invention. このウェハ保持装置は、ウェハ1を載置するための下部電極43と、ウェハ1をこの下部電極43に押圧するクランプリング12とを備えている。 The wafer holding device includes a lower electrode 43 for placing the wafer 1, and a clamp ring 12 for pressing the wafer 1 to the lower electrode 43. このクランプリング12は、上述の図5 The clamping ring 12, the above-described FIG. 5
に示す第2の実施形態と同様に構成されている。 It is configured similarly to the second embodiment shown in.

【0040】下部電極43の中心部付近には、図10に示すように、上述の図7と同様のガス導入ポート501 [0040] In the vicinity of the center portion of the lower electrode 43, as shown in FIG. 10, similar to the gas introduction and 7 above port 501
が設けられている。 It is provided. また、下部電極43の中心部付近には、孔502が設けられている。 Further, in the vicinity of the center portion of the lower electrode 43, holes 502 are provided. この孔501には、スプリング503で付勢された球状ベアリング504が挿入されている。 The hole 501, the spherical bearing 504 which is biased is inserted a spring 503. このスプリング503の自然長は、球状ベアリング504の一部が下部電極43から突出する程度に設定されている。 Natural length of the spring 503, a part of the spherical bearing 504 is set enough to protrude from the lower electrode 43. なお、スプリング503の代わりに、弾性部材等の他の付勢手段を用いてもよく、あるいは気圧により球状ベアリング504を下部電極43の上面より突出させてもよい、この場合、ウェハ1と下部電極の間隔が球の直径以下となったときに球状ベアリング504を突出させる。 Instead of the spring 503, may be used other biasing means such as an elastic member, or may be a spherical bearing 504 is projected from the upper surface of the lower electrode 43 by air pressure, in this case, the wafer 1 and the lower electrode spacing is to project the spherical bearing 504 when it becomes less than the diameter of the sphere.

【0041】このように構成されたウェハ保持装置を用いてウェハ1を保持する際には、上述の第2の実施形態と同様に、下部電極43上にウェハ1を載置し、この上にウェハ1の外周がテーパー面211に内接するようにクランプリング12を載置する。 [0041] When holding the wafer 1 by using the above wafer holding apparatus constructed as above, similarly to the second embodiment described above, the wafer 1 is placed on the lower electrode 43, on the the outer periphery of the wafer 1 is placed on the clamp ring 12 to be inscribed on the tapered surface 211. この状態では下部電極43の上面から球状ベアリング504が突出しているため、ウェハ1は球状ベアリング504の上端に接触した状態で保持されている。 Since the spherical bearing 504 protrude from the upper surface of the lower electrode 43 in this state, it is held in a state wafer 1 that is in contact with the upper end of the spherical bearing 504.

【0042】この状態で、クランプリング12に均等に押圧力が加わるようにクランプリング12を下部電極4 [0042] In this state, the lower electrode 4 and the clamp ring 12 as evenly pressing force is exerted on clamp ring 12
3側に押圧すると、上述の各実施形態と同様に、クランプリング12が下降し、ウェハ1はテーパー面211から受ける横向きの力によってクランプリング12とウェハ1のセンタが一致する位置に移動される。 When pressed on the 3 side, as with the above embodiments, and the clamp ring 12 is lowered, the wafer 1 is moved to a position where the center of the clamp ring 12 and the wafer 1 coincides with lateral force applied from the tapered surface 211 . この後、さらに押圧力を加えると、ウェハ1が下部電極43と径小部12aによって狭持されて保持される。 Thereafter, further addition of the pressing force is held wafer 1 is sandwiched by the lower electrode 43 and the small diameter portion 12a.

【0043】この第5の実施形態では、球状ベアリング504を設けたことにより、クランプリング12の下降に伴ってクランプリング12が横方向に移動される際の下部電極43とウェハ1の摩擦を低減することができ、 [0043] In the fifth embodiment, by providing the spherical bearing 504, reduces the friction of the lower electrode 43 and the wafer 1 when the clamp ring 12 is moved laterally with the descent of the clamp ring 12 it is possible to,
センタ合わせをより円滑に行なうことができる。 It can be carried out center alignment more smoothly.

【0044】また、ウェハ1の下降に応じて球状ベアリング504は孔502に没入するため、上述の第3、第4の実施形態のように制御系の制御シーケンス等を変更する必要がなく、下部電極43の設計変更さえ行なえば従来の制御シーケンスのままで対応することができる。 [0044] Further, since the spherical bearing 504 in accordance with the descent of the wafer 1 is immersed into the hole 502, the third described above, it is not necessary to change the control sequence of the control system as in the fourth embodiment, the lower It may correspond to that remain conventional control sequence by performing even design change of the electrode 43.
また、工程の変更等の際に元に戻す場合であっても、下部電極43を交換するだけで対応することができる。 Further, even if the return to the original during the change of steps, can be dealt with only by replacing the lower electrode 43.

【0045】なお、本発明の適用対象は、上述の各実施形態に限定されるものではなく、ウェハの保持をクランプリングを用いて行なう装置であれば本発明を適用することができる。 [0045] Incidentally, the application of the present invention is not intended to be limited to the embodiments described above, it is possible to apply the present invention to any apparatus that performs using a clamp ring retaining the wafer. また、上述の第3〜第5の実施形態では、ウェハ1と下部電極との摩擦を低減させるため手段の例を示しているが、本発明はこれらに限定されるものではなく、他の手段によってウェハ1と下部電極との摩擦を低減させることもできる。 Further, in the third to fifth embodiments, an example is shown of means for reducing the friction between the wafer 1 and the lower electrode, the present invention is not limited to these, other means it is also possible to reduce the friction between the wafer 1 and the lower electrode by. 同様に、第4及び第5の実施形態では、下部電極から突出/没入可能な部材の例を示しているが、本発明はこれらに限定されるものではなく、他の構成とすることもできる。 Similarly, in the fourth and fifth embodiments, an example is shown of a projected / retracted capable member from the lower electrode, the present invention is not limited thereto, it may be other configurations . その他、本発明の技術的思想の範囲内で種々の変更が可能である。 Other various modifications are possible within the scope of the technical idea of ​​the present invention.

【0046】 [0046]

【発明の効果】本発明に係るウェハ保持装置及びウェハ保持具は、リング体を基体側に押圧する際に、テーパー面から受ける力によってウェハが、リング体とウェハの中心が一致する位置に移動される。 Wafer holding apparatus and a wafer holder according to the present invention is moved, when pressing the ring member to the substrate side, the wafer by force from the tapered surface, at a position where the center of the ring body and the wafer matches It is. これにより、ウェハにかかる応力を均一化させることができる。 Thus, it is possible to equalize the stress applied to the wafer.

【0047】また、テーパー面を鏡面加工し、あるいは、ウェハと基体の表面との摩擦を低減させる摩擦低減手段を設けることにより、ウェハの横方向の移動を円滑にすることができる。 Further, a tapered surface is mirror-finished, or, by providing a friction reducing means for reducing the friction between the wafer and the surface of the substrate, it is possible to facilitate the lateral movement of the wafer.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の第1の実施形態に係るウェハ保持装置の構成を示す断面図である。 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a wafer holding device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 従来のウェハ保持装置の構成を示す断面図である。 2 is a sectional view showing the structure of a conventional wafer holding apparatus.

【図3】 従来のウェハ保持装置の使用態様を示す断面図である。 3 is a cross-sectional view showing a usage mode of a conventional wafer holding apparatus.

【図4】 本発明の第1の実施形態に係るウェハ保持装置の要部の構成を示す断面図である。 It is a sectional view showing a main portion of the wafer holding device according to a first embodiment of the present invention; FIG.

【図5】 本発明の第2の実施形態に係るウェハ保持装置の要部の構成を示す断面図である。 5 is a cross-sectional view showing a structure of a main portion of a wafer holding device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第3の実施形態に係るウェハ保持装置の構成を示す断面図である。 6 is a sectional view showing a configuration of a wafer holding device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の第3の実施形態に係るウェハ保持装置の要部の構成を示す断面図である。 7 is a sectional view showing a main portion of the wafer holding apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の第4の実施形態に係るウェハ保持装置の構成を示す断面図である。 8 is a sectional view showing a configuration of a wafer holding device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の第4の実施形態に係るウェハ保持装置の要部の構成を示す断面図である。 9 is a sectional view showing a main portion of the wafer holding apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の第5の実施形態に係るウェハ保持装置の構成を示す断面図である。 It is a sectional view showing a configuration of a wafer holding device according to a fifth embodiment of the present invention; FIG.

【図11】 本発明の第5の実施形態に係るウェハ保持装置の要部の構成を示す断面図である。 11 is a sectional view showing a main portion of the wafer holding apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ウェハ、2、12 クランプリング、2a ウェハ押え面、3、23、33、43 下部電極、12a 径小部、201、211 テーパー面、301、501 1 wafer, 2,12 clamp ring, 2a wafer pressing surface, 3,23,33,43 lower electrode, 12a small diameter portion, 201 and 211 tapered surface, 301, 501
ガス導入ポート、401 孔、402 ウェハ搬送ピン、504 球状ベアリング Gas introduction port, 401 holes, 402 wafer transfer pins 504 spherical bearing

Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 半導体ウェハを載置するための平面を有する基体と、該基体上に載置されたウェハの上に載置してウェハを保持するリング体とを有するウェハ保持装置であって、 前記リング体は、 当該リング体の内壁上部に設けられ、内径が前記ウェハの外形より小さい係止部と、 当該リング体の内壁下端から前記係止部に向かって徐々に内径が小さくなるテーパー面とを有することを特徴とするウェハ保持装置。 And 1. A substrate having a planar surface for mounting a semiconductor wafer, a wafer holding device having a ring body for holding the wafer placed on the wafer mounted on the substrate body the ring body is provided on the inner wall top of the ring body, and the outer shape is smaller than locking portion of an inner diameter of the wafer, inner diameter gradually toward the inner wall lower end of the ring body in the locking portion is small taper wafer holding apparatus characterized by having a surface.
  2. 【請求項2】 前記係止部は、 前記基体の平面と相対して、載置されたウェハを押さえるウェハ押え面からなることを特徴とする請求項1記載のウェハ保持装置。 Wherein the locking portion is to plane relative to the substrate, the wafer holding apparatus according to claim 1, characterized in that it consists of the wafer pressing surface for pressing the mounted wafer.
  3. 【請求項3】 前記係止部は、 前記テーパー部より急峻に径小となる径小部からなることを特徴とする請求項1記載のウェハ保持装置。 Wherein the locking portion includes a wafer holding apparatus according to claim 1, characterized by comprising a small diameter portion which is a more steeply small diameter the tapered portion.
  4. 【請求項4】 前記テーパー面を鏡面加工したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のウェハ保持装置。 4. A wafer holding apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that said tapered surface is mirror-finished.
  5. 【請求項5】 前記ウェハと前記基体の表面との摩擦を低減させる摩擦低減手段を備えることを特徴とする請求項1記載のウェハ保持装置。 5. A wafer holding device according to claim 1, characterized in that it comprises a friction reducing means for reducing the friction between the wafer and the substrate surface.
  6. 【請求項6】 前記摩擦低減手段は、前記基体の平面に設けたガス導入ポートとからなり、 該基体の平面上に載置した前記ウェハ上に前記リング体を載置した後、該リング体を基体側に押圧する際に、当該ガス導入ポートからガスを導入することを特徴とする請求項5記載のウェハ保持装置。 Wherein said friction reducing means comprises a gas inlet port provided in the plane of the substrate, after placing the ring body on the wafer being placed on a plane of said substrate, said ring member to when pressing the substrate side, a wafer holding device according to claim 5, wherein the introduction of gas from the gas inlet port.
  7. 【請求項7】 前記摩擦低減手段は、前記基体の平面から突出/没入可能な部材からなり、 該基体の平面上に載置した前記ウェハ上に前記リング体を載置した後、該リング体を基体側に押圧する際に、当該部材を前記基体の平面から突出させることを特徴とする請求項5記載のウェハ保持装置。 Wherein said friction reducing means comprises projecting / immersive possible members from the plane of the substrate, after placing the ring body on the wafer being placed on a plane of said substrate, said ring member to when pressing the substrate side, a wafer holding device according to claim 5, characterized in that protrude the member from the plane of the substrate.
  8. 【請求項8】 半導体ウェハを載置するための平面を有する基体上に載置されたウェハの上に載置してウェハを保持するリング状のウェハ保持具であって、 当該リング体の内壁上部に設けられ、内径が前記ウェハの外形より小さい係止部と、 当該リング体の内壁下端から該係止部に向かって徐々に内径が小さくなるテーパー面とを有することを特徴とするウェハ保持具。 8. A is placed on the mounting wafer on a substrate having a planar surface for mounting a semiconductor wafer wafer retainer ring that holds the wafer, the inner wall of the ring body provided in the upper portion, the outer shape is smaller than locking portion of an inner diameter of the wafer, the wafer holding the inner diameter gradually from the inner wall lower end toward the locking portion of the ring body and having a tapered surface which becomes smaller ingredients.
JP27122297A 1997-10-03 1997-10-03 Holding device and holder for wafer Withdrawn JPH11111818A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27122297A JPH11111818A (en) 1997-10-03 1997-10-03 Holding device and holder for wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27122297A JPH11111818A (en) 1997-10-03 1997-10-03 Holding device and holder for wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11111818A true true JPH11111818A (en) 1999-04-23

Family

ID=17497060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27122297A Withdrawn JPH11111818A (en) 1997-10-03 1997-10-03 Holding device and holder for wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11111818A (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7381293B2 (en) * 2003-01-09 2008-06-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Convex insert ring for etch chamber
US20090218743A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, plate member, and wall
KR100935754B1 (en) 2007-12-18 2010-01-06 주식회사 동부하이텍 Semiconductor wafer chuck of a process chamber
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7381293B2 (en) * 2003-01-09 2008-06-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Convex insert ring for etch chamber
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR100935754B1 (en) 2007-12-18 2010-01-06 주식회사 동부하이텍 Semiconductor wafer chuck of a process chamber
US20090218743A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, plate member, and wall
WO2009107852A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Nikon Corporation Substrate holding apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5129827A (en) Method for bonding semiconductor substrates
US5374147A (en) Transfer device for transferring a substrate
US5530616A (en) Electrostastic chuck
US20120247671A1 (en) Substrate processing apparatus
US20060144516A1 (en) Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
US7060531B2 (en) Method of cutting semiconductor wafer and protective sheet used in the cutting method
US5443689A (en) Dry etching process utilizing a recessed electrode
US6272989B1 (en) Manufacturing method of liquid crystal display element and manufacturing apparatus of the same
US6156125A (en) Adhesion apparatus
US4607779A (en) Non-impact thermocompression gang bonding method
US20090223932A1 (en) Electrode unit, substrate processing apparatus, and temperature control method for electrode unit
US20090242124A1 (en) Method and apparatus for peeling electronic component
US5697427A (en) Apparatus and method for cooling a substrate
US6343784B1 (en) Device allowing the treatment of a substrate in a machine provided for the treatment of bigger substrates and a system of mounting a substrate in this device
US8282769B2 (en) Shower head and plasma processing apparatus having same
US5511608A (en) Clampless vacuum heat transfer station
US3574923A (en) Compensating base for simultaneously bonding multiple leads
US4634043A (en) Engaging second articles to engaged first articles
US5174021A (en) Device manipulation apparatus and method
US20070128889A1 (en) Substrate heat treatment apparatus
US20010054389A1 (en) Electro-static chucking mechanism and surface processing apparatus
JP2002043404A (en) Tray for vacuum processing equipment and vacuum processing equipment
CN1341958A (en) Chip pickup device and method for manufacturing semiconductor
US5856906A (en) Backside gas quick dump apparatus for a semiconductor wafer processing system
JPH06302550A (en) Semiconductor manufacturing device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20041207