JPH1098071A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH1098071A JPH1098071A JP8251422A JP25142296A JPH1098071A JP H1098071 A JPH1098071 A JP H1098071A JP 8251422 A JP8251422 A JP 8251422A JP 25142296 A JP25142296 A JP 25142296A JP H1098071 A JPH1098071 A JP H1098071A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- wiring
- wiring film
- film
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の半導体装置は、配線基板の両面に設け
られた金属配線パターン間を接続するスルーホールを形
成する必要があり、基板を製造する上でコストの増加を
招くとともに、パッケージの小型化や電極数の増加を行
うのに限界があった。 【解決手段】 絶縁体フィルム１５上に形成された複数
の金属配線１６を有する配線フィルム１３上に載置さ
れ、金属配線１６の一端にそれぞれ接続されている複数
の電極２を一面に形成した半導体素子１の周りと、配線
フィルム１３の半導体素子載置面とを封止樹脂で覆い、
さらに配線フィルム１３を、配線フィルム１３の所定部
分に配置された板材を介在し、金属配線１６を外側にし
て、金属配線１６の他端に設けられたばんだボール１７
が半導体素子１の載置面と反対側に配置されるよう折曲
げたものである。
られた金属配線パターン間を接続するスルーホールを形
成する必要があり、基板を製造する上でコストの増加を
招くとともに、パッケージの小型化や電極数の増加を行
うのに限界があった。 【解決手段】 絶縁体フィルム１５上に形成された複数
の金属配線１６を有する配線フィルム１３上に載置さ
れ、金属配線１６の一端にそれぞれ接続されている複数
の電極２を一面に形成した半導体素子１の周りと、配線
フィルム１３の半導体素子載置面とを封止樹脂で覆い、
さらに配線フィルム１３を、配線フィルム１３の所定部
分に配置された板材を介在し、金属配線１６を外側にし
て、金属配線１６の他端に設けられたばんだボール１７
が半導体素子１の載置面と反対側に配置されるよう折曲
げたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子を収
納する容器、特に半導体素子上の電極から容器外部に達
する電極の引出し方式に関するものである。
納する容器、特に半導体素子上の電極から容器外部に達
する電極の引出し方式に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２１は、従来のこの種の半導体装置を
示す断面図で、１は半導体素子、２は半導体素子１上に
形成された電極、３は半導体素子１が載置される配線基
板、４は配線基板３を構成する絶縁基板、５は絶縁基板
４上に形成された金属配線、６は配線基板３の半導体素
子１を載置した面の金属配線５と、その反対面に形成さ
れた金属配線５との導通をとるためのスルーホールで、
絶縁基板４と金属配線５と共に配線基板３を構成する。
７は電極２と金属配線５とを結線するボンディングワイ
ヤ、８ははんだボールで、配線基板３の半導体素子１搭
載面と反対面に形成された金属配線５の所定位置に配置
され接合されている。９ははんだボール８載置面の金属
配線５上に形成されたソルダーレジスト、１０は半導体
素子１とボンディングワイヤ７とを取り囲むように形成
された封止樹脂である。このように構成された半導体装
置は、封止樹脂１０によって環境から保護されるととも
に、はんだボール８を溶融し他の電子機器などを搭載し
たボードに接合することで、外部よりはんだボール８に
電気的に接続することにより、半導体素子１上の電極２
までの接続が達成され、所定の機能を達成する。
示す断面図で、１は半導体素子、２は半導体素子１上に
形成された電極、３は半導体素子１が載置される配線基
板、４は配線基板３を構成する絶縁基板、５は絶縁基板
４上に形成された金属配線、６は配線基板３の半導体素
子１を載置した面の金属配線５と、その反対面に形成さ
れた金属配線５との導通をとるためのスルーホールで、
絶縁基板４と金属配線５と共に配線基板３を構成する。
７は電極２と金属配線５とを結線するボンディングワイ
ヤ、８ははんだボールで、配線基板３の半導体素子１搭
載面と反対面に形成された金属配線５の所定位置に配置
され接合されている。９ははんだボール８載置面の金属
配線５上に形成されたソルダーレジスト、１０は半導体
素子１とボンディングワイヤ７とを取り囲むように形成
された封止樹脂である。このように構成された半導体装
置は、封止樹脂１０によって環境から保護されるととも
に、はんだボール８を溶融し他の電子機器などを搭載し
たボードに接合することで、外部よりはんだボール８に
電気的に接続することにより、半導体素子１上の電極２
までの接続が達成され、所定の機能を達成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は、
以上のように配線基板３の両面の電気的接続を図るため
に、２層以上の金属配線パターンとこれらを接続するス
ルーホール６を形成しなければならず、基板を製造する
上でコストの増加を招くとともに、スルーホールを機械
加工で穴を開けて形成することから、径の微細化に限界
があり、スルーホール間隔が詰められず、パッケージの
小型化や電極数の増加を行うのに限界があった。
以上のように配線基板３の両面の電気的接続を図るため
に、２層以上の金属配線パターンとこれらを接続するス
ルーホール６を形成しなければならず、基板を製造する
上でコストの増加を招くとともに、スルーホールを機械
加工で穴を開けて形成することから、径の微細化に限界
があり、スルーホール間隔が詰められず、パッケージの
小型化や電極数の増加を行うのに限界があった。
【０００４】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、配線層を１層のみで構成し、スル
ーホールを用いない半導体装置を得ることを第一の目的
としている。また、小型化でき、電極数の多い半導体装
置を得ることを第二の目的としている。また、配線層を
１層のみで構成し、スルーホールを用いない半導体装置
の製造方法を得ることを第三の目的としている。さら
に、小型化でき、電極数の多い半導体装置の製造方法を
得ることを第四の目的としている。
めになされたもので、配線層を１層のみで構成し、スル
ーホールを用いない半導体装置を得ることを第一の目的
としている。また、小型化でき、電極数の多い半導体装
置を得ることを第二の目的としている。また、配線層を
１層のみで構成し、スルーホールを用いない半導体装置
の製造方法を得ることを第三の目的としている。さら
に、小型化でき、電極数の多い半導体装置の製造方法を
得ることを第四の目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる半導体
装置においては、絶縁体フィルム上に形成された複数の
金属配線を有する配線フィルムと、この配線フィルム上
に載置され、金属配線の一端にそれぞれ接続されている
複数の電極を一面に形成した半導体素子を備え、配線フ
ィルムは金属配線を外側にして金属配線の他端が半導体
素子の載置面と反対側に配置されるよう折曲げられてい
るものである。また、配線フィルムの金属配線の他端に
は、はんだボールが設けられているものである。また、
少なくとも半導体素子は、樹脂で封止されているもので
ある。
装置においては、絶縁体フィルム上に形成された複数の
金属配線を有する配線フィルムと、この配線フィルム上
に載置され、金属配線の一端にそれぞれ接続されている
複数の電極を一面に形成した半導体素子を備え、配線フ
ィルムは金属配線を外側にして金属配線の他端が半導体
素子の載置面と反対側に配置されるよう折曲げられてい
るものである。また、配線フィルムの金属配線の他端に
は、はんだボールが設けられているものである。また、
少なくとも半導体素子は、樹脂で封止されているもので
ある。
【０００６】さらに、配線フィルムは、半導体素子の両
側または半導体素子の四辺に沿って折曲げられるもので
ある。また、配線フィルムを構成する絶縁体フィルムの
折曲げ部分には、スリットが設けられているものであ
る。また、配線フィルムと折曲げられた配線フィルムの
間には板材が介在されているものである。さらにまた、
板材は金属部材である。また、板材は、絶縁部材と金属
部材とを有するものである。また、板材を構成する金属
部材は、接地電位または電源電位に接続されているもの
である。加えて、板材には、スリットが設けられてお
り、配線フィルムは、このスリットを通って折曲げられ
ているものである。また、配線フィルムと折曲げられた
配線フィルムの間には樹脂部材が介在されているもので
ある。
側または半導体素子の四辺に沿って折曲げられるもので
ある。また、配線フィルムを構成する絶縁体フィルムの
折曲げ部分には、スリットが設けられているものであ
る。また、配線フィルムと折曲げられた配線フィルムの
間には板材が介在されているものである。さらにまた、
板材は金属部材である。また、板材は、絶縁部材と金属
部材とを有するものである。また、板材を構成する金属
部材は、接地電位または電源電位に接続されているもの
である。加えて、板材には、スリットが設けられてお
り、配線フィルムは、このスリットを通って折曲げられ
ているものである。また、配線フィルムと折曲げられた
配線フィルムの間には樹脂部材が介在されているもので
ある。
【０００７】また、配線フィルムは、金属配線が設けら
れた面の反対側に導体薄膜が形成されているものであ
る。また、配線フィルムの導体薄膜は、特定電位に接続
されているものである。さらに、半導体素子は、電極面
を配線フィルムの金属配線に対向させて載置されている
ものである。また、半導体素子の電極面と反対側は、金
属キャップで覆われているものである。また、金属キャ
ップは、配線フィルムの折曲げ部分の外側まで覆ってい
るものである。さらにまた、配線フィルムを構成する絶
縁体フィルムには、窓が設けられており、半導体素子を
この窓の部分に載置したものである。また、配線フィル
ムと折曲げられた配線フィルムの間には、絶縁体フィル
ムの窓に対応した窓を有する板材が介在されており、半
導体素子はこの板材の窓の部分に載置されているもので
ある。
れた面の反対側に導体薄膜が形成されているものであ
る。また、配線フィルムの導体薄膜は、特定電位に接続
されているものである。さらに、半導体素子は、電極面
を配線フィルムの金属配線に対向させて載置されている
ものである。また、半導体素子の電極面と反対側は、金
属キャップで覆われているものである。また、金属キャ
ップは、配線フィルムの折曲げ部分の外側まで覆ってい
るものである。さらにまた、配線フィルムを構成する絶
縁体フィルムには、窓が設けられており、半導体素子を
この窓の部分に載置したものである。また、配線フィル
ムと折曲げられた配線フィルムの間には、絶縁体フィル
ムの窓に対応した窓を有する板材が介在されており、半
導体素子はこの板材の窓の部分に載置されているもので
ある。
【０００８】また、配線フィルムと折曲げられた配線フ
ィルムの間には、絶縁体フィルムの窓に対応した窪みを
設けた板材が介在されており、半導体素子はこの板材の
窪みの部分に載置されているものである。加えて、この
発明に係わる半導体装置の製造方法においては、配線フ
ィルム上に載置された半導体素子の電極に配線フィルム
の金属配線を接合する工程と、配線フィルムの半導体素
子載置面と反対側の所定部分に板材を配置する工程と、
板材を介して配線フィルムを折曲げ板材の反対側に固定
する工程と、半導体素子を樹脂封止する工程を含むもの
である。また、配線フィルム上に載置された半導体素子
の電極に配線フィルムの金属配線を接合する工程と、半
導体素子の周縁の所定部分と必要に応じて半導体素子表
面及び配線フィルムの半導体素子載置面の反対側の面の
所定部分を封止樹脂で覆う工程と、封止樹脂より露出し
た配線フィルムを封止樹脂を介して折曲げ封止樹脂の反
対側に固定する工程を含むものである。
ィルムの間には、絶縁体フィルムの窓に対応した窪みを
設けた板材が介在されており、半導体素子はこの板材の
窪みの部分に載置されているものである。加えて、この
発明に係わる半導体装置の製造方法においては、配線フ
ィルム上に載置された半導体素子の電極に配線フィルム
の金属配線を接合する工程と、配線フィルムの半導体素
子載置面と反対側の所定部分に板材を配置する工程と、
板材を介して配線フィルムを折曲げ板材の反対側に固定
する工程と、半導体素子を樹脂封止する工程を含むもの
である。また、配線フィルム上に載置された半導体素子
の電極に配線フィルムの金属配線を接合する工程と、半
導体素子の周縁の所定部分と必要に応じて半導体素子表
面及び配線フィルムの半導体素子載置面の反対側の面の
所定部分を封止樹脂で覆う工程と、封止樹脂より露出し
た配線フィルムを封止樹脂を介して折曲げ封止樹脂の反
対側に固定する工程を含むものである。
【０００９】
実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１による
半導体装置を示す断面図である。図において、１、２は
上記従来装置と同一のものであり、その説明を省略す
る。１３は半導体素子１を載置する配線フィルム、１４
は配線フィルム１３を支持する板材、１５は配線フィル
ム１３を構成する柔軟性を有する絶縁体フィルム、１６
は絶縁体フィルム１５上に形成され、その一端を電極２
に接合した金属配線、１７は電極２に一端が接合された
金属配線１６の他端に接合されたはんだボール、１８は
上記接合部を除き、絶縁体フィルム１５と金属配線１６
上に形成されたソルダーレジストであり、絶縁体フィル
ム１５、金属配線１６と共に配線フィルム１３を構成す
る。１９は半導体素子１の周りと、配線フィルム１３の
半導体素子載置面とを覆う封止樹脂である。このように
構成された半導体装置にあっては、一体の配線フィルム
１３を折曲げて半導体素子載置面と反対側まで金属配線
１６を配置したので、スルーホールを設けることなく反
対側までの配線を行うことができる。図２は、この発明
の実施の形態１による半導体装置を示す上面図である。
図において、２０は配線フィルム１３の折曲げ線であ
る。図２は、配線フィルム１３を、半導体素子１の四辺
で折曲げているが、半導体素子１の両側で折曲げること
もでき、以下の実施の形態においても同様である。
半導体装置を示す断面図である。図において、１、２は
上記従来装置と同一のものであり、その説明を省略す
る。１３は半導体素子１を載置する配線フィルム、１４
は配線フィルム１３を支持する板材、１５は配線フィル
ム１３を構成する柔軟性を有する絶縁体フィルム、１６
は絶縁体フィルム１５上に形成され、その一端を電極２
に接合した金属配線、１７は電極２に一端が接合された
金属配線１６の他端に接合されたはんだボール、１８は
上記接合部を除き、絶縁体フィルム１５と金属配線１６
上に形成されたソルダーレジストであり、絶縁体フィル
ム１５、金属配線１６と共に配線フィルム１３を構成す
る。１９は半導体素子１の周りと、配線フィルム１３の
半導体素子載置面とを覆う封止樹脂である。このように
構成された半導体装置にあっては、一体の配線フィルム
１３を折曲げて半導体素子載置面と反対側まで金属配線
１６を配置したので、スルーホールを設けることなく反
対側までの配線を行うことができる。図２は、この発明
の実施の形態１による半導体装置を示す上面図である。
図において、２０は配線フィルム１３の折曲げ線であ
る。図２は、配線フィルム１３を、半導体素子１の四辺
で折曲げているが、半導体素子１の両側で折曲げること
もでき、以下の実施の形態においても同様である。
【００１０】実施の形態２．図３は、実施の形態２によ
る半導体装置の製造方法を示す図である。図３（ａ）
は、半導体素子１の電極２に配線フィルム１３の金属配
線１６の一端を接合する工程、図３（ｂ）は、板材１４
を配線フィルム１３の非配線面の所定位置に接着などの
方法で固定する工程、図３（ｃ）は、板材１４を介在さ
せて配線フィルム１３を板材１４の反対側まで折り曲げ
固定する工程、図３（ｄ）は半導体素子１載置面側に樹
脂封止１９を施す工程、図３（ｅ）は樹脂封止１９面と
反対側にはんだボール１７を形成する工程を示してい
る。これにより、実施の形態１に示す半導体装置を製造
することができる。
る半導体装置の製造方法を示す図である。図３（ａ）
は、半導体素子１の電極２に配線フィルム１３の金属配
線１６の一端を接合する工程、図３（ｂ）は、板材１４
を配線フィルム１３の非配線面の所定位置に接着などの
方法で固定する工程、図３（ｃ）は、板材１４を介在さ
せて配線フィルム１３を板材１４の反対側まで折り曲げ
固定する工程、図３（ｄ）は半導体素子１載置面側に樹
脂封止１９を施す工程、図３（ｅ）は樹脂封止１９面と
反対側にはんだボール１７を形成する工程を示してい
る。これにより、実施の形態１に示す半導体装置を製造
することができる。
【００１１】実施の形態３．図４は、この発明の実施の
形態３による半導体装置の製造方法を示す断面図であ
り、実施の形態１をさらに改良して、折り曲げ部分の絶
縁体フィルム１５に折り曲げ方向に沿ってスリット２３
を設けた（図４（ａ））ものである。図４（ｂ）（ｃ）
（ｄ）に示すように、板材１４を介在させて、スリット
２３により折り曲げが容易になると共に、曲げ角度を小
さくできることで、挟み込む板材１４をより薄くできる
ため、半導体装置のより薄型化（小型化）が可能とな
る。図５は、この発明の実施の形態３による半導体装置
を示す上面図である。図５に示すとおり、スリット２３
は、折曲げ線２０に沿って設けられる。スリット２３の
両端の構造は、一例として、スリット両端には絶縁体フ
ィルム１５を残し、さらに板材１４の角部に切り欠き２
４を設けることで曲げをより容易に行うことができる。
また、折曲げ部分で絶縁体フィルム１５を完全に分離し
た（図５のスリット２３と切り欠き２４を連結した構
造）構造を取ることもできる。
形態３による半導体装置の製造方法を示す断面図であ
り、実施の形態１をさらに改良して、折り曲げ部分の絶
縁体フィルム１５に折り曲げ方向に沿ってスリット２３
を設けた（図４（ａ））ものである。図４（ｂ）（ｃ）
（ｄ）に示すように、板材１４を介在させて、スリット
２３により折り曲げが容易になると共に、曲げ角度を小
さくできることで、挟み込む板材１４をより薄くできる
ため、半導体装置のより薄型化（小型化）が可能とな
る。図５は、この発明の実施の形態３による半導体装置
を示す上面図である。図５に示すとおり、スリット２３
は、折曲げ線２０に沿って設けられる。スリット２３の
両端の構造は、一例として、スリット両端には絶縁体フ
ィルム１５を残し、さらに板材１４の角部に切り欠き２
４を設けることで曲げをより容易に行うことができる。
また、折曲げ部分で絶縁体フィルム１５を完全に分離し
た（図５のスリット２３と切り欠き２４を連結した構
造）構造を取ることもできる。
【００１２】実施の形態４．図６は、この発明の実施の
形態４による半導体装置を示す断面図である。実施の形
態４においては、挟み込む板材を金属板２５とし、金属
配線１６のうち接地電位もしくは電源電位になるものの
一部を、接続部２６をもって、この金属板２５に接続す
るものである。これによりノイズに強く高速な動作が可
能な半導体装置となる。
形態４による半導体装置を示す断面図である。実施の形
態４においては、挟み込む板材を金属板２５とし、金属
配線１６のうち接地電位もしくは電源電位になるものの
一部を、接続部２６をもって、この金属板２５に接続す
るものである。これによりノイズに強く高速な動作が可
能な半導体装置となる。
【００１３】実施の形態５．図７は、この発明の実施の
形態５による半導体装置を示す図で、図７（ａ）は断面
図、図７（ｂ）は要部拡大図である。実施の形態５は、
実施の形態４の変形であり、挟み込む板材として絶縁板
２７の両面に互いに絶縁した金属膜２８を形成したもの
を用い、この両面をそれぞれ金属配線１６の電源電位、
接地電位になるものと接続部２６をもって接続するもの
である。これにより、さらに電気的特性に優れた半導体
装置となる。
形態５による半導体装置を示す図で、図７（ａ）は断面
図、図７（ｂ）は要部拡大図である。実施の形態５は、
実施の形態４の変形であり、挟み込む板材として絶縁板
２７の両面に互いに絶縁した金属膜２８を形成したもの
を用い、この両面をそれぞれ金属配線１６の電源電位、
接地電位になるものと接続部２６をもって接続するもの
である。これにより、さらに電気的特性に優れた半導体
装置となる。
【００１４】実施の形態６．図８は、この発明の実施の
形態６による半導体装置を示す断面図であり、実施の形
態１を変形したものである。半導体素子１の回路形成面
３０と配線フィルム１３の金属配線１６を、電極２を介
して互いに対向するように接合（フェイスダウン接合）
し、半導体素子１の回路形成面３０と反対の面（裏面）
が上方になるようにする。この半導体素子１の裏面に金
属性のキャップ３１を取り付け、このキャップ３１と配
線フィルム１３の間の空間を封止樹脂１９で充填する。
これにより、放熱性と電気的特性がさらに改善する。
形態６による半導体装置を示す断面図であり、実施の形
態１を変形したものである。半導体素子１の回路形成面
３０と配線フィルム１３の金属配線１６を、電極２を介
して互いに対向するように接合（フェイスダウン接合）
し、半導体素子１の回路形成面３０と反対の面（裏面）
が上方になるようにする。この半導体素子１の裏面に金
属性のキャップ３１を取り付け、このキャップ３１と配
線フィルム１３の間の空間を封止樹脂１９で充填する。
これにより、放熱性と電気的特性がさらに改善する。
【００１５】実施の形態７．図９は、この発明の実施の
形態７による半導体装置を示す断面図であり、実施の形
態６の変形である。実施の形態７においては、取り付け
るキャップ３１を板材１４の側面まで覆うように形成
し、折り曲げ部分の金属配線１６を保護する構造を設け
たものである。図９（ａ）は、図８を改良したもの、図
９（ｂ）は、図４（ｄ）にキャップ３１を取付けると共
に板材１４の側面まで覆ったものである。
形態７による半導体装置を示す断面図であり、実施の形
態６の変形である。実施の形態７においては、取り付け
るキャップ３１を板材１４の側面まで覆うように形成
し、折り曲げ部分の金属配線１６を保護する構造を設け
たものである。図９（ａ）は、図８を改良したもの、図
９（ｂ）は、図４（ｄ）にキャップ３１を取付けると共
に板材１４の側面まで覆ったものである。
【００１６】実施の形態８．図１０は、この発明の実施
の形態８による半導体装置を示す断面図である。実施の
形態８は、実施の形態７と同一目的の変形例である。実
施の形態８では、挟み込む板材１４として、一回り大き
いものを用い、これの周縁部にスリット３２を設け、こ
こに配線フィルム１３を９０度折り曲げて差込み（図１
０（ａ））、さらに板材１４の裏側まで折り曲げる（図
１０（ｂ））。このとき板材１４に設けられたスリット
３２の外側部分は、折り曲げ部分の側面周縁部に枠状に
形成されることになり、これにより折り曲げ部分の金属
配線１６を保護する役割を果たす。（図１０（ｃ））。
の形態８による半導体装置を示す断面図である。実施の
形態８は、実施の形態７と同一目的の変形例である。実
施の形態８では、挟み込む板材１４として、一回り大き
いものを用い、これの周縁部にスリット３２を設け、こ
こに配線フィルム１３を９０度折り曲げて差込み（図１
０（ａ））、さらに板材１４の裏側まで折り曲げる（図
１０（ｂ））。このとき板材１４に設けられたスリット
３２の外側部分は、折り曲げ部分の側面周縁部に枠状に
形成されることになり、これにより折り曲げ部分の金属
配線１６を保護する役割を果たす。（図１０（ｃ））。
【００１７】実施の形態９．図１１は、この発明の実施
の形態９による半導体装置を示す断面図である。実施の
形態９は、実施の形態１の変形であり、板材を介在させ
ずに、直接絶縁体フィルム１５の非配線面同士を直接接
着したものである。機能的には、実施の形態１と変わる
ことなく、より部品点数が少なくなることで、更に低コ
スト化できると共に、薄型化が可能となる。
の形態９による半導体装置を示す断面図である。実施の
形態９は、実施の形態１の変形であり、板材を介在させ
ずに、直接絶縁体フィルム１５の非配線面同士を直接接
着したものである。機能的には、実施の形態１と変わる
ことなく、より部品点数が少なくなることで、更に低コ
スト化できると共に、薄型化が可能となる。
【００１８】実施の形態１０．図１２は、この発明の実
施の形態１０による半導体装置を示す断面図である。実
施の形態１０は、実施の形態９を変形しており、絶縁体
フィルム１５の非配線面に導体薄膜３３を形成し（図１
２（ａ））、絶縁体フィルム１５を折り曲げる（図１２
（ｂ））ことで、実施の形態４と同様、電気的な性能を
向上させることができる。図１２（ｃ）は図１２（ｂ）
の要部拡大図である。図１３は、この発明の実施の形態
１０による半導体装置を示す上面図、図１４は、導体薄
膜を示す断面図である。導体薄膜３３は、実施の形態４
と同様、接地電位または電源電位に接続することができ
るほか、図１３、図１４に示すごとく、折曲げた後の絶
縁体フィルム１５の角となる部分に切り欠きを設け、こ
の部分に導体薄膜３３の舌部３４を形成しておく。ボー
ド搭載時に、この張出した舌部３４を折曲げ、ボード上
の特定電位を与えるランド部３５に接続することで、電
位を固定することができる。
施の形態１０による半導体装置を示す断面図である。実
施の形態１０は、実施の形態９を変形しており、絶縁体
フィルム１５の非配線面に導体薄膜３３を形成し（図１
２（ａ））、絶縁体フィルム１５を折り曲げる（図１２
（ｂ））ことで、実施の形態４と同様、電気的な性能を
向上させることができる。図１２（ｃ）は図１２（ｂ）
の要部拡大図である。図１３は、この発明の実施の形態
１０による半導体装置を示す上面図、図１４は、導体薄
膜を示す断面図である。導体薄膜３３は、実施の形態４
と同様、接地電位または電源電位に接続することができ
るほか、図１３、図１４に示すごとく、折曲げた後の絶
縁体フィルム１５の角となる部分に切り欠きを設け、こ
の部分に導体薄膜３３の舌部３４を形成しておく。ボー
ド搭載時に、この張出した舌部３４を折曲げ、ボード上
の特定電位を与えるランド部３５に接続することで、電
位を固定することができる。
【００１９】実施の形態１１．図１５は、この発明の実
施の形態１１による半導体装置の製造方法を示す断面図
である。実施の形態１１は、実施の形態２の変形で、実
施の形態２の製造方法を示す、図３（ａ）の段階で、半
導体素子１及び半導体素子搭載部分の絶縁体フィルム１
５の周囲を、封止樹脂１９でいったん覆った後、封止樹
脂１９より露出した絶縁体フィルム１５を、半導体素子
１の搭載面と反対側に折り曲げ、封止樹脂１９に接着な
どの方法で固定する製造方法である。
施の形態１１による半導体装置の製造方法を示す断面図
である。実施の形態１１は、実施の形態２の変形で、実
施の形態２の製造方法を示す、図３（ａ）の段階で、半
導体素子１及び半導体素子搭載部分の絶縁体フィルム１
５の周囲を、封止樹脂１９でいったん覆った後、封止樹
脂１９より露出した絶縁体フィルム１５を、半導体素子
１の搭載面と反対側に折り曲げ、封止樹脂１９に接着な
どの方法で固定する製造方法である。
【００２０】実施の形態１２．図１６は、この発明の実
施の形態１２による半導体装置を示す断面図である。実
施の形態１２は、実施の形態１１に示す半導体装置の製
造方法によって得られた半導体装置の構造を示してい
る。
施の形態１２による半導体装置を示す断面図である。実
施の形態１２は、実施の形態１１に示す半導体装置の製
造方法によって得られた半導体装置の構造を示してい
る。
【００２１】実施の形態１３．図１７は、この発明の実
施の形態１３による半導体装置を示す断面図である。実
施の形態１３は、実施の形態１２に加え、樹脂封止の
際、半導体素子１の裏面を露出し、露出した部分と半導
体素子搭載面の封止樹脂１９の表面に金属キャップ３１
を貼り付けることで、実施の形態６の放熱効果や実施の
形態７の折曲部分保護効果を同様に持たせることができ
る。
施の形態１３による半導体装置を示す断面図である。実
施の形態１３は、実施の形態１２に加え、樹脂封止の
際、半導体素子１の裏面を露出し、露出した部分と半導
体素子搭載面の封止樹脂１９の表面に金属キャップ３１
を貼り付けることで、実施の形態６の放熱効果や実施の
形態７の折曲部分保護効果を同様に持たせることができ
る。
【００２２】実施の形態１４．図１８は、この発明の実
施の形態１４による半導体装置を示す断面図である。実
施の形態１４は、板材を用いない、実施の形態９の変形
で、絶縁体フィルム１５として、半導体素子１の外周よ
りひとまわり大きい窓、いわゆるデバイスホールを設け
たものを用い、絶縁体フィルム１５の窓内に突出するよ
うに、絶縁体フィルム１５上の金属配線１６の一端を形
成し、この金属配線１６の一端と半導体素子１上の電極
２を、窓を介して接続する。即ち半導体素子１の電極形
成面と絶縁フィルム１５上の金属配線１６形成面が対向
しない状態で、窓を介して、電極２と金属配線１６の一
端を接続し、配線フィルム１３を半導体素子１の裏面に
達するように折り曲げ、半導体素子１の裏面に固定する
ものである。実施の形態１４では、半導体装置を搭載す
る際の専有面積が、上述の実施の形態中最小にでき、半
導体素子１の電極２から、金属配線１６の他の一端に接
続されたはんだボール１７までの電送路を最短にできる
ため、電気的性能も向上する特徴がある。
施の形態１４による半導体装置を示す断面図である。実
施の形態１４は、板材を用いない、実施の形態９の変形
で、絶縁体フィルム１５として、半導体素子１の外周よ
りひとまわり大きい窓、いわゆるデバイスホールを設け
たものを用い、絶縁体フィルム１５の窓内に突出するよ
うに、絶縁体フィルム１５上の金属配線１６の一端を形
成し、この金属配線１６の一端と半導体素子１上の電極
２を、窓を介して接続する。即ち半導体素子１の電極形
成面と絶縁フィルム１５上の金属配線１６形成面が対向
しない状態で、窓を介して、電極２と金属配線１６の一
端を接続し、配線フィルム１３を半導体素子１の裏面に
達するように折り曲げ、半導体素子１の裏面に固定する
ものである。実施の形態１４では、半導体装置を搭載す
る際の専有面積が、上述の実施の形態中最小にでき、半
導体素子１の電極２から、金属配線１６の他の一端に接
続されたはんだボール１７までの電送路を最短にできる
ため、電気的性能も向上する特徴がある。
【００２３】実施の形態１５．図１９は、この発明の実
施の形態１５による半導体装置を示す断面図である。実
施の形態１５は、実施の形態１４の変形で、半導体素子
搭載側の制約あるいは半導体素子裏面の領域のみでは電
極数が足りない場合に有効な方法で、半導体素子１の外
周より一回り大きい窓を持った枠状の板材３６を、配線
フィルム１３の配線形成面の反対側に固定し、この枠状
の板材３６を介在させて配線フィルム１３を折り曲げる
もので、枠状の板材３６の部分により、はんだボール１
７配置領域を広げることができるものである。
施の形態１５による半導体装置を示す断面図である。実
施の形態１５は、実施の形態１４の変形で、半導体素子
搭載側の制約あるいは半導体素子裏面の領域のみでは電
極数が足りない場合に有効な方法で、半導体素子１の外
周より一回り大きい窓を持った枠状の板材３６を、配線
フィルム１３の配線形成面の反対側に固定し、この枠状
の板材３６を介在させて配線フィルム１３を折り曲げる
もので、枠状の板材３６の部分により、はんだボール１
７配置領域を広げることができるものである。
【００２４】実施の形態１６．図２０は、この発明の実
施の形態１６による半導体装置を示す断面図であり、実
施の形態１５をさらに変形させたものである。実施の形
態１６では、枠状の板材の代わりに、相当の領域をもつ
窪み３７を形成した板材３８を用い、実施の形態１５と
同様に配線フィルム１３を窪み３７形成面の裏側に達す
るように折曲げたものである。実施の形態１６では、半
導体素子１上の電極２と、絶縁体フィルム１５上の金属
配線１６との結線前に、半導体素子１と配線フィルム１
３を窪み付き板材３８によって固定できるため、実施の
形態１５のように、半導体素子１上に突起状の電極を設
ける必要が必ずしもなく、絶縁体フィルムの窓より金属
配線を突出させる必要が必ずしもないため、半導体素子
１上の電極２と金属配線１６の接合は、いわゆるワイヤ
ボンディングを用いることができるのが特徴である。な
お、この実施の形態１６の場合でも、実施の形態１５の
ような半導体素子１上の突起電極２と絶縁体フィルム１
５の窓より突出した金属配線１６とを接合する構造を採
れることは明白である。
施の形態１６による半導体装置を示す断面図であり、実
施の形態１５をさらに変形させたものである。実施の形
態１６では、枠状の板材の代わりに、相当の領域をもつ
窪み３７を形成した板材３８を用い、実施の形態１５と
同様に配線フィルム１３を窪み３７形成面の裏側に達す
るように折曲げたものである。実施の形態１６では、半
導体素子１上の電極２と、絶縁体フィルム１５上の金属
配線１６との結線前に、半導体素子１と配線フィルム１
３を窪み付き板材３８によって固定できるため、実施の
形態１５のように、半導体素子１上に突起状の電極を設
ける必要が必ずしもなく、絶縁体フィルムの窓より金属
配線を突出させる必要が必ずしもないため、半導体素子
１上の電極２と金属配線１６の接合は、いわゆるワイヤ
ボンディングを用いることができるのが特徴である。な
お、この実施の形態１６の場合でも、実施の形態１５の
ような半導体素子１上の突起電極２と絶縁体フィルム１
５の窓より突出した金属配線１６とを接合する構造を採
れることは明白である。
【００２５】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。絶縁体
フィルム上に形成された複数の金属配線を有する配線フ
ィルムと、この配線フィルム上に載置され、金属配線の
一端にそれぞれ接続されている複数の電極を一面に形成
した半導体素子を備え、配線フィルムは金属配線を外側
にして金属配線の他端が半導体素子の載置面と反対側に
配置されるよう折曲げられているので、半導体素子搭載
面から反対面に達する配線が形成され、スルーホールを
形成する必要がなく、またスルーホールのための加工し
ろを大きくとる必要がないため、配線密度を高めても小
型化できると共に、スルーホールが必要無くなること
で、安価に製造でき、端子数が多くなるほど顕著にな
る。
れているので、以下に示すような効果を奏する。絶縁体
フィルム上に形成された複数の金属配線を有する配線フ
ィルムと、この配線フィルム上に載置され、金属配線の
一端にそれぞれ接続されている複数の電極を一面に形成
した半導体素子を備え、配線フィルムは金属配線を外側
にして金属配線の他端が半導体素子の載置面と反対側に
配置されるよう折曲げられているので、半導体素子搭載
面から反対面に達する配線が形成され、スルーホールを
形成する必要がなく、またスルーホールのための加工し
ろを大きくとる必要がないため、配線密度を高めても小
型化できると共に、スルーホールが必要無くなること
で、安価に製造でき、端子数が多くなるほど顕著にな
る。
【００２６】さらに、配線フィルムは、半導体素子の両
側で折曲げられるので、両側から配線を行うことができ
る。また、配線フィルムを構成する絶縁体フィルムの折
曲げ部分には、スリットが設けられているので、曲げ角
度を小さくでき、半導体装置の小型化が可能となる。ま
た、配線フィルムと折曲げられた配線フィルムの間に介
在される板材を金属板としたので、ノイズに強く、高速
な動作が可能な半導体装置とすることができる。また、
板材を構成する金属板は、接地電位または電源電位に接
続されているので、一層ノイズに強く、高速な動作が可
能な半導体装置とすることができる。
側で折曲げられるので、両側から配線を行うことができ
る。また、配線フィルムを構成する絶縁体フィルムの折
曲げ部分には、スリットが設けられているので、曲げ角
度を小さくでき、半導体装置の小型化が可能となる。ま
た、配線フィルムと折曲げられた配線フィルムの間に介
在される板材を金属板としたので、ノイズに強く、高速
な動作が可能な半導体装置とすることができる。また、
板材を構成する金属板は、接地電位または電源電位に接
続されているので、一層ノイズに強く、高速な動作が可
能な半導体装置とすることができる。
【００２７】加えて、板材には、スリットが設けられて
おり、配線フィルムは、このスリットを通って折曲げら
れているので、折曲げ部分の金属配線を保護することが
できる。また、配線フィルムは、金属配線が設けられた
面の反対側に導体薄膜が形成されているので、電気的な
性能を向上させることができる。また、配線フィルムの
導体薄膜は、特定電位に接続されているので、電気的な
性能を一層向上させることができる。
おり、配線フィルムは、このスリットを通って折曲げら
れているので、折曲げ部分の金属配線を保護することが
できる。また、配線フィルムは、金属配線が設けられた
面の反対側に導体薄膜が形成されているので、電気的な
性能を向上させることができる。また、配線フィルムの
導体薄膜は、特定電位に接続されているので、電気的な
性能を一層向上させることができる。
【００２８】また、半導体素子の電極面と反対側は、金
属キャップで覆われているので、放熱性と電気的特性が
改善される。また、金属キャップは、配線フィルムの折
曲げ部分の外側まで覆っているので、折曲げ部分の金属
配線を保護することができる。さらにまた、配線フィル
ムを構成する絶縁体フィルムには、窓が設けられてお
り、半導体素子をこの窓の部分に載置したので、金属配
線の電送路を短くすることができる。また、配線フィル
ムと折曲げられた配線フィルムの間には、絶縁体フィル
ムの窓に対応した窓を有する板材が介在されており、半
導体素子はこの板材の窓の部分に載置されているので、
窓を有する板材によって、金属配線に設けられるはんだ
ボールの配置領域を広げることができる。
属キャップで覆われているので、放熱性と電気的特性が
改善される。また、金属キャップは、配線フィルムの折
曲げ部分の外側まで覆っているので、折曲げ部分の金属
配線を保護することができる。さらにまた、配線フィル
ムを構成する絶縁体フィルムには、窓が設けられてお
り、半導体素子をこの窓の部分に載置したので、金属配
線の電送路を短くすることができる。また、配線フィル
ムと折曲げられた配線フィルムの間には、絶縁体フィル
ムの窓に対応した窓を有する板材が介在されており、半
導体素子はこの板材の窓の部分に載置されているので、
窓を有する板材によって、金属配線に設けられるはんだ
ボールの配置領域を広げることができる。
【００２９】また、配線フィルムと折曲げられた配線フ
ィルムの間には、絶縁体フィルムの窓に対応した窪みを
設けた板材が介在されており、半導体素子はこの板材の
窪みの部分に載置されるので、半導体素子の電極と配線
フィルムの金属配線との結線前に窪みに固定できるた
め、半導体素子の電極と金属配線との接続にワイヤボン
ディングを用いることができる。加えて、この発明に係
わる半導体装置の製造方法においては、配線フィルム上
に載置された半導体素子の電極に配線フィルムの金属配
線を接合する工程と、配線フィルムの半導体素子載置面
と反対側の所定部分に板材を配置する工程と、板材を介
して配線フィルムを折曲げ板材の反対側に固定する工程
と、半導体素子を樹脂封止する工程を含むので、簡単に
スルーホールを設ける必要のない半導体装置を製造する
ことができる。
ィルムの間には、絶縁体フィルムの窓に対応した窪みを
設けた板材が介在されており、半導体素子はこの板材の
窪みの部分に載置されるので、半導体素子の電極と配線
フィルムの金属配線との結線前に窪みに固定できるた
め、半導体素子の電極と金属配線との接続にワイヤボン
ディングを用いることができる。加えて、この発明に係
わる半導体装置の製造方法においては、配線フィルム上
に載置された半導体素子の電極に配線フィルムの金属配
線を接合する工程と、配線フィルムの半導体素子載置面
と反対側の所定部分に板材を配置する工程と、板材を介
して配線フィルムを折曲げ板材の反対側に固定する工程
と、半導体素子を樹脂封止する工程を含むので、簡単に
スルーホールを設ける必要のない半導体装置を製造する
ことができる。
【００３０】また、配線フィルム上に載置された半導体
素子の電極に配線フィルムの金属配線を接合する工程
と、半導体素子の周縁の所定部分と必要に応じて半導体
素子表面及び配線フィルムの半導体素子載置面の反対側
の面の所定部分を封止樹脂で覆う工程と、封止樹脂より
露出した配線フィルムを封止樹脂を介して折曲げ封止樹
脂の反対側に固定する工程を含むので、簡単にスルーホ
ールを設ける必要のない半導体装置を製造することがで
きる。
素子の電極に配線フィルムの金属配線を接合する工程
と、半導体素子の周縁の所定部分と必要に応じて半導体
素子表面及び配線フィルムの半導体素子載置面の反対側
の面の所定部分を封止樹脂で覆う工程と、封止樹脂より
露出した配線フィルムを封止樹脂を介して折曲げ封止樹
脂の反対側に固定する工程を含むので、簡単にスルーホ
ールを設ける必要のない半導体装置を製造することがで
きる。
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による半導体装置を
示す上面図である。
示す上面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２による半導体装置の
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態３による半導体装置の
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態３による半導体装置を
示す上面図である。
示す上面図である。
【図６】 この発明の実施の形態４による半導体装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態５による半導体装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態６による半導体装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態７による半導体装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態８による半導体装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１１】 この発明の実施の形態９による半導体装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態１０による半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図１３】 この発明の実施の形態１０による半導体装
置を示す上面図である。
置を示す上面図である。
【図１４】 この発明の実施の形態１０による半導体装
置の導体薄膜を示す断面図である。
置の導体薄膜を示す断面図である。
【図１５】 この発明の実施の形態１１による半導体装
置の製造方法を示す断面図である。
置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】 この発明の実施の形態１２による半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図１７】 この発明の実施の形態１３による半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図１８】 この発明の実施の形態１４による半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図１９】 この発明の実施の形態１５による半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図２０】 この発明の実施の形態１６による半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図２１】 従来の半導体装置を示す断面図である。
１ 半導体素子、２ 電極、１３ 配線フィルム、１４
板材、１５ 絶縁体フィルム、１６ 金属配線、１７
はんだボール、１９ 封止樹脂、２５ 金属板、２８
金属膜、３１ キャップ、３３ 導体薄膜、３７ 窪
み。
板材、１５ 絶縁体フィルム、１６ 金属配線、１７
はんだボール、１９ 封止樹脂、２５ 金属板、２８
金属膜、３１ キャップ、３３ 導体薄膜、３７ 窪
み。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 知明 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 安永 雅俊 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 佐藤 民雄 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内
Claims (21)
- 【請求項１】 絶縁体フィルムとこの絶縁体フィルム上
に形成され、複数の金属配線を有する配線フィルム、こ
の配線フィルム上に載置され、配線フィルムの金属配線
の一端にそれぞれ接続されている複数の電極を一面に形
成した半導体素子を備え、上記配線フィルムは金属配線
を外側にして金属配線の他端が半導体素子の載置面と反
対側に配置されるよう折曲げられていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 配線フィルムの金属配線の他端には、は
んだボールが設けられていることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置。 - 【請求項３】 少なくとも半導体素子は、樹脂で封止さ
れていることを特徴とする請求項１または請求項２記載
の半導体装置。 - 【請求項４】 配線フィルムは、半導体素子の両側で、
または半導体素子の四辺に沿って折曲げられることを特
徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項記載の半
導体装置。 - 【請求項５】 配線フィルムを構成する絶縁体フィルム
の折曲げ部分には、スリットが設けられていることを特
徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項記載の半
導体装置。 - 【請求項６】 配線フィルムと折曲げられた配線フィル
ムの間には板材が介在されていることを特徴とする請求
項１乃至請求項５のいずれか一項記載の半導体装置。 - 【請求項７】 板材は金属部材であることを特徴とする
請求項６記載の半導体装置。 - 【請求項８】 板材は、絶縁部材と金属部材とを有する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。 - 【請求項９】 板材を構成する金属部材は、接地電位ま
たは電源電位に接続されていることを特徴とする請求項
７または請求項８記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 板材には、スリットが設けられてお
り、配線フィルムは、このスリットを通って折曲げられ
ていることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 配線フィルムと折曲げられた配線フィ
ルムの間には樹脂部材が介在されていることを特徴とす
る請求項１乃至請求項５のいずれか一項記載の半導体装
置。 - 【請求項１２】 配線フィルムは、金属配線が設けられ
た面の反対側に導体薄膜が形成されていることを特徴と
する請求項１乃至請求項５のいずれか一項記載の半導体
装置。 - 【請求項１３】 配線フィルムの導体薄膜は、特定電位
に接続されていることを特徴とする請求項１２記載の半
導体装置。 - 【請求項１４】 半導体素子は、電極面を配線フィルム
の金属配線に対向させて載置されていることを特徴とす
る請求項１乃至請求項１３のいずれか一項記載の半導体
装置。 - 【請求項１５】 半導体素子の電極面と反対側は、金属
キャップで覆われていることを特徴とする請求項１４記
載の半導体装置。 - 【請求項１６】 金属キャップは、配線フィルムの折曲
げ部分の外側まで覆っていることを特徴とする請求項１
５記載の半導体装置。 - 【請求項１７】 配線フィルムを構成する絶縁体フィル
ムには、窓が設けられており、半導体素子をこの窓の部
分に載置したことを特徴とする請求項１乃至請求項５の
いずれか一項記載の半導体装置。 - 【請求項１８】 配線フィルムと折曲げられた配線フィ
ルムの間には、絶縁体フィルムの窓に対応した窓を有す
る板材が介在されており、半導体素子はこの板材の窓の
部分に載置されていることを特徴とする請求項１７記載
の半導体装置。 - 【請求項１９】 配線フィルムと折曲げられた配線フィ
ルムの間には、絶縁体フィルムの窓に対応した窪みを設
けた板材が介在されており、半導体素子はこの板材の窪
みの部分に載置されていることを特徴とする請求項１７
記載の半導体装置。 - 【請求項２０】 配線フィルム上に載置された半導体素
子の電極に配線フィルムの金属配線を接合する工程、配
線フィルムの半導体素子載置面と反対側の所定部分に板
材を配置する工程、板材を介して配線フィルムを折曲げ
板材の反対側に固定する工程、半導体素子を樹脂封止す
る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２１】 配線フィルム上に載置された半導体素
子の電極に配線フィルムの金属配線を接合する工程、半
導体素子の周縁の所定部分と必要に応じて半導体素子表
面及び配線フィルムの半導体素子載置面の反対側の面の
所定部分を封止樹脂で覆う工程、封止樹脂より露出した
配線フィルムを封止樹脂を介して折曲げ封止樹脂の反対
側に固定する工程を含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25142296A JP3535317B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25142296A JP3535317B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098071A true JPH1098071A (ja) | 1998-04-14 |
| JP3535317B2 JP3535317B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=17222621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25142296A Expired - Fee Related JP3535317B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3535317B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100345075B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2002-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 칩 사이즈 패키지 |
| US7335970B2 (en) | 1996-12-03 | 2008-02-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a chip-size package |
-
1996
- 1996-09-24 JP JP25142296A patent/JP3535317B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7335970B2 (en) | 1996-12-03 | 2008-02-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a chip-size package |
| US8154124B2 (en) | 1996-12-03 | 2012-04-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a chip-size package |
| KR100345075B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2002-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 칩 사이즈 패키지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3535317B2 (ja) | 2004-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100368698B1 (ko) | 반도체패키지와,그것을이용한반도체장치및그제조방법 | |
| JP3644662B2 (ja) | 半導体モジュール | |
| US6343019B1 (en) | Apparatus and method of stacking die on a substrate | |
| US6218731B1 (en) | Tiny ball grid array package | |
| US6153924A (en) | Multilayered lead frame for semiconductor package | |
| US10643948B2 (en) | Film package and package module including the same | |
| US20040021220A1 (en) | IC package, connection structure, and eletronic device | |
| JP2008091714A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20080013864A (ko) | 하나의 집적 회로를 다른 집적 회로 상에 적층하기 위한구조 | |
| JP2004103843A (ja) | 電子素子およびその電子素子を用いた電子装置 | |
| JP2002135080A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| US6037656A (en) | Semiconductor integrated circuit device having short signal paths to terminals and process of fabrication thereof | |
| JPS6394645A (ja) | 電子装置 | |
| CA2154719A1 (en) | Multi-chip module semiconductor device | |
| JP2973646B2 (ja) | ベアチップｌｓｉの実装構造 | |
| JPH1098071A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0730215A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| US6278190B1 (en) | Semiconductor device | |
| JP2691352B2 (ja) | 電子部品塔載装置 | |
| WO2024004846A1 (ja) | モジュール | |
| JP2630294B2 (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| KR100244090B1 (ko) | 패키지형 집적회로장치와 그 제조방법 | |
| JPH06140535A (ja) | テープキャリアパッケージ型半導体装置 | |
| JP3586867B2 (ja) | 半導体装置、その製造方法及びその実装方法並びにこれを実装した回路基板 | |
| JPH03255655A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031209 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040209 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040309 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040311 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |