JPH1097079A - 半導体製造用の無毒性有機溶剤組成物 - Google Patents
半導体製造用の無毒性有機溶剤組成物Info
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- JPH1097079A JPH1097079A JP9188298A JP18829897A JPH1097079A JP H1097079 A JPH1097079 A JP H1097079A JP 9188298 A JP9188298 A JP 9188298A JP 18829897 A JP18829897 A JP 18829897A JP H1097079 A JPH1097079 A JP H1097079A
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトレジストの溶解性に優れており、低揮
発性、低引火性を有する半導体製造用の無毒性有機溶剤
組成物を提供する。 【解決手段】 乳酸エチル90ないし60重量%とγ−
ブチロラクトン10ないし40重量%とを混合して半導
体製造用の無毒性有機溶剤組成物を調製した。
発性、低引火性を有する半導体製造用の無毒性有機溶剤
組成物を提供する。 【解決手段】 乳酸エチル90ないし60重量%とγ−
ブチロラクトン10ないし40重量%とを混合して半導
体製造用の無毒性有機溶剤組成物を調製した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造工程
での使用に適した有機溶剤組成物に関する。より詳しく
は、本発明は、フォトレジストの溶解性に優れており、
且つ低揮発性、低引火性の半導体製造用の無毒性有機溶
剤組成物に関する。
での使用に適した有機溶剤組成物に関する。より詳しく
は、本発明は、フォトレジストの溶解性に優れており、
且つ低揮発性、低引火性の半導体製造用の無毒性有機溶
剤組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、シンナー(thinner) と呼ばれる
有機溶剤は揮発性が高く、ペイント、エナメル類、フォ
トレジスト類などの有機物を希釈及び溶解させて除去す
る薬品として広く用いられる。その適用用途に応じて、
ラッカー用としては、酢酸エーテルや酢酸ブチルなどの
エステル類、メチルエチルケトン、1−ブタノール、ト
ルエン、キシレンなどの低沸点、中沸点ないし高沸点の
有機溶剤を適当に混合した溶剤が用いられ、油性ペイン
トまたは油性塗料用としては、沸点150℃ないし24
0℃の石油系溶剤が用いられるが、引火性が強く、揮発
性が高く、人体または環境に対して危険性が大きい溶剤
からなっており、容易に大気中に揮発してその蒸気の吸
入時には毒性を現すものとして知られている。
有機溶剤は揮発性が高く、ペイント、エナメル類、フォ
トレジスト類などの有機物を希釈及び溶解させて除去す
る薬品として広く用いられる。その適用用途に応じて、
ラッカー用としては、酢酸エーテルや酢酸ブチルなどの
エステル類、メチルエチルケトン、1−ブタノール、ト
ルエン、キシレンなどの低沸点、中沸点ないし高沸点の
有機溶剤を適当に混合した溶剤が用いられ、油性ペイン
トまたは油性塗料用としては、沸点150℃ないし24
0℃の石油系溶剤が用いられるが、引火性が強く、揮発
性が高く、人体または環境に対して危険性が大きい溶剤
からなっており、容易に大気中に揮発してその蒸気の吸
入時には毒性を現すものとして知られている。
【0003】特に、半導体製造工程中におけるシンナー
としては、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート(ECA;Ethyleneglycol monoethylether Acet
ate)やプロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート(PGMEA;Propylene Glycol monoethylethe
r Acetate )などが通常フォトレジスト除去のために多
量に用いられており、これらもやはり揮発性と引火性が
高く、これらの蒸気を吸入すると白血球減少症や胎児流
産を招くなど、人体に対して毒性を現すものとして知ら
れている。
としては、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート(ECA;Ethyleneglycol monoethylether Acet
ate)やプロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート(PGMEA;Propylene Glycol monoethylethe
r Acetate )などが通常フォトレジスト除去のために多
量に用いられており、これらもやはり揮発性と引火性が
高く、これらの蒸気を吸入すると白血球減少症や胎児流
産を招くなど、人体に対して毒性を現すものとして知ら
れている。
【0004】乳酸エチル(EL;ethyl lactate )を単
独で使用する場合もあるが、乳酸エチルはフォトレジス
トを溶解させる溶解性が著しく低いので、乳酸エチルだ
けでは単純噴射によるフォトレジストの除去、特にウェ
ーハのエッジ近くにおけるリンス作業が殆ど不可能な程
度に溶解速度が低くて、全体的に作業能率を低下させる
という問題があった。
独で使用する場合もあるが、乳酸エチルはフォトレジス
トを溶解させる溶解性が著しく低いので、乳酸エチルだ
けでは単純噴射によるフォトレジストの除去、特にウェ
ーハのエッジ近くにおけるリンス作業が殆ど不可能な程
度に溶解速度が低くて、全体的に作業能率を低下させる
という問題があった。
【0005】従って、一方では溶解及び除去しようとす
る有機物、特にフォトレジストに対する溶解力の増大、
エッジビードリンス(EBR;Edge Bead Rinse)処理特
性の増大、エッジビードリンス処理後のフォトレジスト
の処理断面パターンの改善、揮発量の低減などの点にお
いて改善された半導体製造用のシンナー特性をもち、他
方では人体に対する毒性がほとんど無い安全なシンナー
の開発が積極的に要求されている実状である。
る有機物、特にフォトレジストに対する溶解力の増大、
エッジビードリンス(EBR;Edge Bead Rinse)処理特
性の増大、エッジビードリンス処理後のフォトレジスト
の処理断面パターンの改善、揮発量の低減などの点にお
いて改善された半導体製造用のシンナー特性をもち、他
方では人体に対する毒性がほとんど無い安全なシンナー
の開発が積極的に要求されている実状である。
【0006】尚、有機溶剤は一般に特有の匂いをもつ
が、これは溶剤自体の揮発性に起因する。揮発した溶剤
分子は生産工程などを行う作業場内の大気中に残存し、
作業者の呼吸によって吸入され、特に引火点の低い有機
溶剤は大気中の酸素との混合状態にあって電気的な衝撃
または炎の発生などによって爆発することもある。
が、これは溶剤自体の揮発性に起因する。揮発した溶剤
分子は生産工程などを行う作業場内の大気中に残存し、
作業者の呼吸によって吸入され、特に引火点の低い有機
溶剤は大気中の酸素との混合状態にあって電気的な衝撃
または炎の発生などによって爆発することもある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フォ
トレジストの溶解性に優れており、低揮発性、低引火性
の半導体製造用の無毒性有機溶剤組成物を提供すること
である。
トレジストの溶解性に優れており、低揮発性、低引火性
の半導体製造用の無毒性有機溶剤組成物を提供すること
である。
【0008】また、本発明の他の目的は、フォトレジス
トに対する溶解力の増大、エッジビードリンス処理特性
の増大、エッジビードリンス処理後のフォトレジストの
処理断面パターンの改善、揮発量の減少などの点におい
て改善されたシンナー特性を有する半導体製造用の無毒
性有機溶剤組成物を提供することである。
トに対する溶解力の増大、エッジビードリンス処理特性
の増大、エッジビードリンス処理後のフォトレジストの
処理断面パターンの改善、揮発量の減少などの点におい
て改善されたシンナー特性を有する半導体製造用の無毒
性有機溶剤組成物を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明による半導体製造用の無毒性有機溶剤組成
物は、乳酸エチル90ないし60重量%とγ−ブチロラ
クトン10ないし40重量%とを混合してなることを特
徴とするものである。
めに、本発明による半導体製造用の無毒性有機溶剤組成
物は、乳酸エチル90ないし60重量%とγ−ブチロラ
クトン10ないし40重量%とを混合してなることを特
徴とするものである。
【0010】特に、前記有機溶剤組成物は、乳酸エチル
85ないし75重量%とγ−ブチロラクトン15ないし
25重量%とを混合してなるものであることが望まし
い。
85ないし75重量%とγ−ブチロラクトン15ないし
25重量%とを混合してなるものであることが望まし
い。
【0011】また本発明は、半導体基板上に特定パター
ンを形成するために塗布されたフォトレジストを、乳酸
エチル90ないし60重量%とγ−ブチロラクトン10
ないし40重量%とを混合してなる有機溶剤組成物を使
用して除去する、半導体デバイスの製造方法である。
ンを形成するために塗布されたフォトレジストを、乳酸
エチル90ないし60重量%とγ−ブチロラクトン10
ないし40重量%とを混合してなる有機溶剤組成物を使
用して除去する、半導体デバイスの製造方法である。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体製造用
の無毒性有機溶剤組成物を具体的な実施例により、詳し
く説明する。
の無毒性有機溶剤組成物を具体的な実施例により、詳し
く説明する。
【0013】本発明による半導体製造用の無毒性有機溶
剤組成物は、乳酸エチル(Ethyl Lactate) 90ないし6
0重量%とγ−ブチロラクトン(γ−Butyro lactone)1
0ないし40重量%とを混合してなる。ここで、乳酸エ
チルとγ−ブチロラクトンは全て半導体等級の極めて純
粋なものが選択されて用いられ、VLSI等級では0.
2μm水準に濾過したものが用いられる。
剤組成物は、乳酸エチル(Ethyl Lactate) 90ないし6
0重量%とγ−ブチロラクトン(γ−Butyro lactone)1
0ないし40重量%とを混合してなる。ここで、乳酸エ
チルとγ−ブチロラクトンは全て半導体等級の極めて純
粋なものが選択されて用いられ、VLSI等級では0.
2μm水準に濾過したものが用いられる。
【0014】本発明による半導体製造用の無毒性有機溶
剤組成物としては、乳酸エチル85ないし75重量%と
γ−ブチロラクトン15ないし25重量%を混合してな
るものが特に望ましい。
剤組成物としては、乳酸エチル85ないし75重量%と
γ−ブチロラクトン15ないし25重量%を混合してな
るものが特に望ましい。
【0015】本発明の有機溶剤組成物を構成する2つの
成分のうち、より多量に用いられる前記乳酸エチルは、
米国食品医薬局(FDA)から安全性の認定を受けたも
のであり、現在食品添加剤として用いられているもので
ある。そして、前記乳酸エチルは、人体に対する安全性
が立証され、毒性実験でマウスにおける口腔投与による
50%致死量がLD50(マウス)=2.5g/kgであ
り、酵素活性によって速やかに乳酸とエタノールとに分
解される。前記乳酸エチルの物理的性質は、密度0.9
7g/cm3 、沸点156℃、引火点(クローズドカッ
プ(closed cup)方式で測定して)52℃、粘度(25℃
で)2.7cps(センチポアズ)である。
成分のうち、より多量に用いられる前記乳酸エチルは、
米国食品医薬局(FDA)から安全性の認定を受けたも
のであり、現在食品添加剤として用いられているもので
ある。そして、前記乳酸エチルは、人体に対する安全性
が立証され、毒性実験でマウスにおける口腔投与による
50%致死量がLD50(マウス)=2.5g/kgであ
り、酵素活性によって速やかに乳酸とエタノールとに分
解される。前記乳酸エチルの物理的性質は、密度0.9
7g/cm3 、沸点156℃、引火点(クローズドカッ
プ(closed cup)方式で測定して)52℃、粘度(25℃
で)2.7cps(センチポアズ)である。
【0016】一方、前記γ−ブチロラクトンは合成樹脂
の溶剤として知られており、燃焼点が高く、溶剤として
は比較的安定であり、毒性実験でラットへの口腔投与に
よる50%致死量がLD50(Rat)=1.5g/kg
であり、皮膚接触実験及び3ヶ月間にわたった摂取実験
で人体に中毒症状が現れない程度に安全なものと立証さ
れている。前記γ−ブチロラクトンの物理的性質は、密
度1.128g/cm3 、沸点204℃、引火点(クロ
ーズドカップ(closed cup)方式で測定して)100℃、
粘度(25℃で)1.7cps(センチポアズ)であ
る。
の溶剤として知られており、燃焼点が高く、溶剤として
は比較的安定であり、毒性実験でラットへの口腔投与に
よる50%致死量がLD50(Rat)=1.5g/kg
であり、皮膚接触実験及び3ヶ月間にわたった摂取実験
で人体に中毒症状が現れない程度に安全なものと立証さ
れている。前記γ−ブチロラクトンの物理的性質は、密
度1.128g/cm3 、沸点204℃、引火点(クロ
ーズドカップ(closed cup)方式で測定して)100℃、
粘度(25℃で)1.7cps(センチポアズ)であ
る。
【0017】特に、前記乳酸エチル80重量%とγ−ブ
チロラクトン20重量%の混合液の物理的性質は、密度
1.052g/cm3 、沸点160℃、引火点(クロー
ズドカップ(closed cup)方式で測定して)96ないし9
8℃、粘度(25℃で)2.25cps(センチポア
ズ)と測定され、本発明による有機溶剤組成物を構成す
る2つの成分、即ち乳酸エチルとγ−ブチロラクトンの
中間的な値を示し、使用条件に応じて適切な物理的性質
をもつ有機溶剤組成物の製造が可能である。
チロラクトン20重量%の混合液の物理的性質は、密度
1.052g/cm3 、沸点160℃、引火点(クロー
ズドカップ(closed cup)方式で測定して)96ないし9
8℃、粘度(25℃で)2.25cps(センチポア
ズ)と測定され、本発明による有機溶剤組成物を構成す
る2つの成分、即ち乳酸エチルとγ−ブチロラクトンの
中間的な値を示し、使用条件に応じて適切な物理的性質
をもつ有機溶剤組成物の製造が可能である。
【0018】以下、本発明の実施例及び比較例について
詳述するが、下記の実施例は本発明を例証するためのも
のであって、本発明の範囲を限定するものではない。
詳述するが、下記の実施例は本発明を例証するためのも
のであって、本発明の範囲を限定するものではない。
【0019】〔実施例1〜4〕乳酸エチル(EL)とγ
−ブチロラクトン(GBL)を重量比で90:10(実
施例1),80:20(実施例2),70:30(実施
例3)、及び60:40(実施例4)の割合で均一に混
合して、本発明に従った有機溶剤組成物を得、フォトレ
ジストの溶解速度、揮発量、洗浄液供給装置に対する浸
食性、エッジビードリンス処理後の処理断面パターンな
どを評価した。
−ブチロラクトン(GBL)を重量比で90:10(実
施例1),80:20(実施例2),70:30(実施
例3)、及び60:40(実施例4)の割合で均一に混
合して、本発明に従った有機溶剤組成物を得、フォトレ
ジストの溶解速度、揮発量、洗浄液供給装置に対する浸
食性、エッジビードリンス処理後の処理断面パターンな
どを評価した。
【0020】〔比較例1〜4〕プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート(PGMEA)(比較例
1),エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト(ECA)(比較例2),乳酸エチル(EL)(比較
例3)をそれぞれ単独で用いた場合、及び乳酸エチルと
γ−ブチロラクトンを重量比95:5で混合して使用し
た場合(比較例4)について、前記実施例の場合と同様
の点につき評価を行った。
ノエチルエーテルアセテート(PGMEA)(比較例
1),エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト(ECA)(比較例2),乳酸エチル(EL)(比較
例3)をそれぞれ単独で用いた場合、及び乳酸エチルと
γ−ブチロラクトンを重量比95:5で混合して使用し
た場合(比較例4)について、前記実施例の場合と同様
の点につき評価を行った。
【0021】〔フォトレジストの溶解速度〕一般に販売
され用いることができる各種のフォトレジストのうち、
SS01A9(Sumitomo Chemical Company Ltd.) とM
CPR−i7010N(三菱化学)について、本発明の
有機溶剤組成物を用いたフォトレジストの溶解速度を測
定した。実験条件は、半導体製造用のシリコーンウェー
ハ上に前記フォトレジストSS01A9を厚さ15,0
00Å、またMCPR−i7010Nを厚さ14,00
0Åだけそれぞれ塗布し、150℃で120秒間ソフト
ベーク(soft bake) を行った。測定装置としては、AP
C(日本国LJC社のモデル790)用いた。その結果
を表1に示す。
され用いることができる各種のフォトレジストのうち、
SS01A9(Sumitomo Chemical Company Ltd.) とM
CPR−i7010N(三菱化学)について、本発明の
有機溶剤組成物を用いたフォトレジストの溶解速度を測
定した。実験条件は、半導体製造用のシリコーンウェー
ハ上に前記フォトレジストSS01A9を厚さ15,0
00Å、またMCPR−i7010Nを厚さ14,00
0Åだけそれぞれ塗布し、150℃で120秒間ソフト
ベーク(soft bake) を行った。測定装置としては、AP
C(日本国LJC社のモデル790)用いた。その結果
を表1に示す。
【0022】
【表1】 表1から分かるように、本発明による有機溶剤組成物
は、従来の有機溶剤であるプロピレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート(PGMEA)に比べて著しく
高い溶解性を示し、エチレングリコールモノエチルエー
テルアセテート(ECA)と比較しても高い溶解性を示
している。
は、従来の有機溶剤であるプロピレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート(PGMEA)に比べて著しく
高い溶解性を示し、エチレングリコールモノエチルエー
テルアセテート(ECA)と比較しても高い溶解性を示
している。
【0023】特に、乳酸エチルとγ−ブチロラクトンの
混合物においてその混合比を変えて有機溶剤組成物を調
製し、フォトレジストの溶解速度の変化を測定した。フ
ォトレジストとしては、DSAM−200を用い、1
2,250Å,15,000Å及び20,600Åの厚
さに塗布し、100℃で90秒間ソフトベークを行っ
た。他の条件は前記と同一条件にして溶解速度を測定し
た。その結果を表2に示す。
混合物においてその混合比を変えて有機溶剤組成物を調
製し、フォトレジストの溶解速度の変化を測定した。フ
ォトレジストとしては、DSAM−200を用い、1
2,250Å,15,000Å及び20,600Åの厚
さに塗布し、100℃で90秒間ソフトベークを行っ
た。他の条件は前記と同一条件にして溶解速度を測定し
た。その結果を表2に示す。
【0024】
【表2】 表2から分かるように、本発明による有機溶剤組成物
は、γ−ブチロラクトンの含有量が多いほどフォトレジ
ストの溶解速度は大きく、乳酸エチルを単独で用いた場
合に比べて溶解速度は著しく高いことがわかる。
は、γ−ブチロラクトンの含有量が多いほどフォトレジ
ストの溶解速度は大きく、乳酸エチルを単独で用いた場
合に比べて溶解速度は著しく高いことがわかる。
【0025】〔揮発量の評価〕大気圧及び室温(25
℃)下で、フォトレジストの溶解に用いられる代表的な
溶剤、及び本発明による有機溶剤組成物を構成する各単
独成分について、その蒸発量をそれぞれ測定した。その
結果を表3と図1に示す。なお、表3と図1において
は、蒸発して減少した溶剤の減少量(単位:g)をマイ
ナスの符号を付けて示している。
℃)下で、フォトレジストの溶解に用いられる代表的な
溶剤、及び本発明による有機溶剤組成物を構成する各単
独成分について、その蒸発量をそれぞれ測定した。その
結果を表3と図1に示す。なお、表3と図1において
は、蒸発して減少した溶剤の減少量(単位:g)をマイ
ナスの符号を付けて示している。
【0026】
【表3】 表3から分かるように、蒸発量の多い順に並べると、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート 》
エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート 〉
乳酸エチル 》γ−ブチロラクトンであり、本発明によ
る有機溶剤組成物に用いられる乳酸エチルとγ−ブチロ
ラクトンは、それぞれ単独に存在する場合にも、既存の
有機溶剤として用いたエチレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテートやプロピレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテートに比べて蒸発量が少なく、特にγ−ブ
チロラクトンは他の有機溶剤に比べて蒸発量が著しく少
ない。なお、本実験では、蒸発開始2時間後のGBLの
蒸発量が0.14gであり、蒸発開始6時間後の蒸発量
が0.07gであって、2時間後の方が大きな蒸発量を
示しているが、これは実験誤差であると考えられる。
ロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート 》
エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート 〉
乳酸エチル 》γ−ブチロラクトンであり、本発明によ
る有機溶剤組成物に用いられる乳酸エチルとγ−ブチロ
ラクトンは、それぞれ単独に存在する場合にも、既存の
有機溶剤として用いたエチレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテートやプロピレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテートに比べて蒸発量が少なく、特にγ−ブ
チロラクトンは他の有機溶剤に比べて蒸発量が著しく少
ない。なお、本実験では、蒸発開始2時間後のGBLの
蒸発量が0.14gであり、蒸発開始6時間後の蒸発量
が0.07gであって、2時間後の方が大きな蒸発量を
示しているが、これは実験誤差であると考えられる。
【0027】さらに、本発明による有機溶剤組成物の蒸
発量を組成物の混合比を変えながら測定した。その結果
を表4と図2に示す。なお、表4と図2においては、蒸
発して減少した溶剤の減少量(単位:g)をマイナスの
符号を付けて示している。
発量を組成物の混合比を変えながら測定した。その結果
を表4と図2に示す。なお、表4と図2においては、蒸
発して減少した溶剤の減少量(単位:g)をマイナスの
符号を付けて示している。
【0028】
【表4】 表4から分かるように、乳酸エチルとγ−ブチロラクト
ンの混合によって得られる有機溶剤においては、γ−ブ
チロラクトンの含有量が多いほど蒸発量が小さい。ただ
し、γ−ブチロラクトンの含有量を20重量%以上にし
ても蒸発量の低減効果はあまり期待できない。このよう
な蒸発量の低減は、生産工程などが行われる作業場内の
大気中に残存する揮発した溶剤分子の残存量を減少させ
ることができ、そのため作業者の呼吸による吸入量の減
少はもちろんのこと爆発の危険性なども低減することが
できる。
ンの混合によって得られる有機溶剤においては、γ−ブ
チロラクトンの含有量が多いほど蒸発量が小さい。ただ
し、γ−ブチロラクトンの含有量を20重量%以上にし
ても蒸発量の低減効果はあまり期待できない。このよう
な蒸発量の低減は、生産工程などが行われる作業場内の
大気中に残存する揮発した溶剤分子の残存量を減少させ
ることができ、そのため作業者の呼吸による吸入量の減
少はもちろんのこと爆発の危険性なども低減することが
できる。
【0029】〔供給装置に対する浸食性〕有機溶剤を自
動供給装置などで使用するためには、供給装置の供給管
などを構成する連結管、またはオーリング(O−rin
g)などに対する有機溶剤の化学的安定性を調べてみる
べきである。このために、供給装置において供給管を互
いに連結し流動する有機溶剤を封止するために用いられ
るオーリングを構成する合成樹脂試験片を、乳酸エチル
とγ−ブチロラクトンそれぞれに150時間以上浸けて
おき、時間経過による合成樹脂の膨潤比(体積膨張率)
を測定した。その結果を、乳酸エチルに浸漬した場合に
ついては図3に、γ−ブチロラクトンに浸漬した場合に
ついては図4にそれぞれ示す。
動供給装置などで使用するためには、供給装置の供給管
などを構成する連結管、またはオーリング(O−rin
g)などに対する有機溶剤の化学的安定性を調べてみる
べきである。このために、供給装置において供給管を互
いに連結し流動する有機溶剤を封止するために用いられ
るオーリングを構成する合成樹脂試験片を、乳酸エチル
とγ−ブチロラクトンそれぞれに150時間以上浸けて
おき、時間経過による合成樹脂の膨潤比(体積膨張率)
を測定した。その結果を、乳酸エチルに浸漬した場合に
ついては図3に、γ−ブチロラクトンに浸漬した場合に
ついては図4にそれぞれ示す。
【0030】前記において測定の対象となったバイトン
(vaitone) 、シリコーン樹脂、EPR及びカレット(Kal
etz)などの弾性合成樹脂は、有機化合物の供給管や連結
用のオーリングなどの製造に広く用いられるものであっ
て、当該技術分野で通常の知識をもつ者に容易に理解で
きるのは勿論のこと、これを一般に購入して使用するこ
とができるものである。なお本実験では、前記試験片を
それぞれ2種類ずつ用意して(EPRのみ一種類)膨潤
比の評価を行った。
(vaitone) 、シリコーン樹脂、EPR及びカレット(Kal
etz)などの弾性合成樹脂は、有機化合物の供給管や連結
用のオーリングなどの製造に広く用いられるものであっ
て、当該技術分野で通常の知識をもつ者に容易に理解で
きるのは勿論のこと、これを一般に購入して使用するこ
とができるものである。なお本実験では、前記試験片を
それぞれ2種類ずつ用意して(EPRのみ一種類)膨潤
比の評価を行った。
【0031】図3から分かるように、有機溶剤として乳
酸エチルを用いた場合には、購入出所を問わずバイトン
がかなり膨潤し、他方、その他のシリコーン樹脂、EP
R及びカレット等はほとんど膨潤せず、乳酸エチルに対
して安定的である。
酸エチルを用いた場合には、購入出所を問わずバイトン
がかなり膨潤し、他方、その他のシリコーン樹脂、EP
R及びカレット等はほとんど膨潤せず、乳酸エチルに対
して安定的である。
【0032】また図4から分かるように、有機溶剤とし
てγ−ブチロラクトンを用いた場合にも、購入出所を問
わずバイトンがかなり膨潤し、他方、その他のシリコー
ン樹脂、EPR及びカレットなどはほとんど膨潤せず、
γ−ブチロラクトンに対して安定的である。
てγ−ブチロラクトンを用いた場合にも、購入出所を問
わずバイトンがかなり膨潤し、他方、その他のシリコー
ン樹脂、EPR及びカレットなどはほとんど膨潤せず、
γ−ブチロラクトンに対して安定的である。
【0033】上記の結果から分かるように、シリコーン
樹脂、EPR及びカレットなどは本発明による有機溶剤
組成物によって物性がほとんど変わらず、従って、バイ
トンを除く一般的なシリコーン、EPR及びカレットな
どの弾性合成樹脂及びこれらから製造される有機化合物
の供給管や連結用のオーリングなどに対して、本発明に
よる有機溶剤組成物は安定的に用いられることができ
る。
樹脂、EPR及びカレットなどは本発明による有機溶剤
組成物によって物性がほとんど変わらず、従って、バイ
トンを除く一般的なシリコーン、EPR及びカレットな
どの弾性合成樹脂及びこれらから製造される有機化合物
の供給管や連結用のオーリングなどに対して、本発明に
よる有機溶剤組成物は安定的に用いられることができ
る。
【0034】〔エッジビードリンス処理後の処理断面パ
ターン〕有機溶剤を使用してフォトレジストの塗布され
たウェーハに対するリンス効果、及びエッジビードリン
ス後のウェーハの処理断面パターンの類型についての実
験を行った。
ターン〕有機溶剤を使用してフォトレジストの塗布され
たウェーハに対するリンス効果、及びエッジビードリン
ス後のウェーハの処理断面パターンの類型についての実
験を行った。
【0035】エッジビードリンスは特に半導体製造工程
中でフォトレジストの塗布されたウェーハの縁部や側面
に塗布された不要なフォトレジストをリンスして除去す
る重要な工程であって、有機溶剤のノズルによる噴射に
よってノズルの進行に従って有機溶剤が接する部分のフ
ォトレジストが均一そして完全に除去されなければなら
ない。このようなフォトレジストのリンス特性を調べて
みるために次のような実験を行った。
中でフォトレジストの塗布されたウェーハの縁部や側面
に塗布された不要なフォトレジストをリンスして除去す
る重要な工程であって、有機溶剤のノズルによる噴射に
よってノズルの進行に従って有機溶剤が接する部分のフ
ォトレジストが均一そして完全に除去されなければなら
ない。このようなフォトレジストのリンス特性を調べて
みるために次のような実験を行った。
【0036】エッジビードリンスのリンス特性について
の実験条件は、一般に購入して使用し得る各種のフォト
レジストのうち、SS01A9(Sumitomo Chemical Co
mpany Ltd.) 、TSMR−i500(東京応化工業)及
びMCPRi7010Nを使用し、SS01A9を膜厚
10,500Å、TSMR−i500を膜厚16,30
0Å、MCPRi7010Nを膜厚25,000Åでそ
れぞれ塗布し、107℃で60秒間ソフトベークしたウ
ェーハに対してリンス特性を調べた。すなわち、ウェー
ハを3,000rpmに回転させながら、乳酸エチル8
0gとγ−ブチロラクトン20gを混合した本発明によ
る有機溶剤組成物を噴射圧力0.6kgでノズルを通し
て噴射してリンス特性を調べた。その結果を、SS01
A9については図5Aに、TSMR−i500について
は図5Bに、MCPRi7010Nについては図5C
に、ウェーハ表面を10倍に拡大して撮影した光学顕微
鏡写真を用いて示した。
の実験条件は、一般に購入して使用し得る各種のフォト
レジストのうち、SS01A9(Sumitomo Chemical Co
mpany Ltd.) 、TSMR−i500(東京応化工業)及
びMCPRi7010Nを使用し、SS01A9を膜厚
10,500Å、TSMR−i500を膜厚16,30
0Å、MCPRi7010Nを膜厚25,000Åでそ
れぞれ塗布し、107℃で60秒間ソフトベークしたウ
ェーハに対してリンス特性を調べた。すなわち、ウェー
ハを3,000rpmに回転させながら、乳酸エチル8
0gとγ−ブチロラクトン20gを混合した本発明によ
る有機溶剤組成物を噴射圧力0.6kgでノズルを通し
て噴射してリンス特性を調べた。その結果を、SS01
A9については図5Aに、TSMR−i500について
は図5Bに、MCPRi7010Nについては図5C
に、ウェーハ表面を10倍に拡大して撮影した光学顕微
鏡写真を用いて示した。
【0037】図5Aないし図5Cの光学顕微鏡写真から
分かるように、本発明による有機溶剤組成物を用いてリ
ンス処理を行った場合、処理断面の線形度が極めて優れ
ている。すなわち本発明による有機溶剤組成物は、レジ
ストを塗布したウェーハ表面を高い線形度(high liniar
ity)で完全にリンスする。従って、ウェーハ上のフォト
レジストのリンス用として適している。
分かるように、本発明による有機溶剤組成物を用いてリ
ンス処理を行った場合、処理断面の線形度が極めて優れ
ている。すなわち本発明による有機溶剤組成物は、レジ
ストを塗布したウェーハ表面を高い線形度(high liniar
ity)で完全にリンスする。従って、ウェーハ上のフォト
レジストのリンス用として適している。
【0038】
【発明の効果】実施例1ないし実施例4で具体的に示し
たように、本発明による半導体製造用の無毒性有機溶剤
組成物は、一般に用いられるフォトレジストと同様の高
い溶解性を示しながら、なおかつ、低揮発性、低引火
性、無毒性であるといった特徴を有するものである。
たように、本発明による半導体製造用の無毒性有機溶剤
組成物は、一般に用いられるフォトレジストと同様の高
い溶解性を示しながら、なおかつ、低揮発性、低引火
性、無毒性であるといった特徴を有するものである。
【0039】さらに、本発明による半導体製造用の無毒
性有機溶剤組成物は、一般に用いられるフォトレジスト
に勝る、優れたエッジビードリンス特性をもち、有機化
合物供給管や連結用のオーリング等の製造に広く用いら
れるシリコーン樹脂、EPR及びカレットなどの弾性合
成樹脂を膨潤させたり、物理的または化学的に変形を招
いたりすることがないので、半導体製造工程への適用が
可能であり、優れたフォトレジストリンス効果を提供す
る。
性有機溶剤組成物は、一般に用いられるフォトレジスト
に勝る、優れたエッジビードリンス特性をもち、有機化
合物供給管や連結用のオーリング等の製造に広く用いら
れるシリコーン樹脂、EPR及びカレットなどの弾性合
成樹脂を膨潤させたり、物理的または化学的に変形を招
いたりすることがないので、半導体製造工程への適用が
可能であり、優れたフォトレジストリンス効果を提供す
る。
【図1】本発明による有機溶剤組成物を構成する各単独
成分の時間経過に対する蒸発量を示すグラフである。
成分の時間経過に対する蒸発量を示すグラフである。
【図2】混合比を変えて調製した本発明による有機溶剤
組成物の時間経過に対する蒸発量を示すグラフである。
組成物の時間経過に対する蒸発量を示すグラフである。
【図3】乳酸エチルに対する合成樹脂試験片の膨潤度を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図4】γ−ブチロラクトンに対する合成樹脂試験片の
膨潤度を示すグラフである。
膨潤度を示すグラフである。
【図5】フォトレジストの塗布されたウェーハに対する
エッジビードリンス後のフォトレジスト塗布状態を示す
光学顕微鏡写真(倍率10倍)である。
エッジビードリンス後のフォトレジスト塗布状態を示す
光学顕微鏡写真(倍率10倍)である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 東 鎭 大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里山24番 地
Claims (3)
- 【請求項1】 乳酸エチル90ないし60重量%とγ−
ブチロラクトン10ないし40重量%とを混合してなる
半導体製造用の無毒性有機溶剤組成物。 - 【請求項2】 前記乳酸エチル85ないし75重量%と
前記γ−ブチロラクトン15ないし25重量%とを混合
してなる、請求項1記載の無毒性有機溶剤組成物。 - 【請求項3】 半導体基板上に特定パターンを形成する
ために塗布されたフォトレジストを、乳酸エチル90な
いし60重量%とγ−ブチロラクトン10ないし40重
量%とを混合してなる有機溶剤組成物を使用して除去す
る、半導体デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1996-28398 | 1996-07-13 | ||
KR1019960028398A KR0178680B1 (ko) | 1996-07-13 | 1996-07-13 | 반도체장치 제조용의 포토레지스트 박리조성물 및 그를 이용한 반도체장치의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1097079A true JPH1097079A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=19466276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9188298A Pending JPH1097079A (ja) | 1996-07-13 | 1997-07-14 | 半導体製造用の無毒性有機溶剤組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1097079A (ja) |
KR (1) | KR0178680B1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1006412A1 (en) * | 1998-12-03 | 2000-06-07 | Agfa-Gevaert N.V. | Development of radiation sensitive compositions |
WO2006132008A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Toagosei Co., Ltd. | 有機被膜剥離剤、該剥離剤を用いた有機被膜の除去方法および除去装置 |
US7335319B2 (en) | 2002-02-06 | 2008-02-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Semiconductor stress buffer coating edge bead removal compositions and method for their use |
CN105457860A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-04-06 | 苏斯微技术光刻有限公司 | 涂覆衬底的方法和涂覆设备 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100843984B1 (ko) * | 2002-02-22 | 2008-07-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물을 제거하기 위한 씬너 조성물 |
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