JPH1075062A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH1075062A JPH1075062A JP22992496A JP22992496A JPH1075062A JP H1075062 A JPH1075062 A JP H1075062A JP 22992496 A JP22992496 A JP 22992496A JP 22992496 A JP22992496 A JP 22992496A JP H1075062 A JPH1075062 A JP H1075062A
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- wiring
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Abstract
(57)【要約】
【課題】有機多層配線基板の製造における工程の簡略化
を図ることのできる多層配線基板の製造方法を提供す
る。 【解決手段】ビアホール２が形成され導体が充填された
絶縁層１の表面に、金属箔上４にレジスト５を施しエッ
チング処理して形成された配線回路６を転写する工程を
具備する多層配線基板の製造方法において、前記レジス
トの内、絶縁層のビアホール２と接続される配線回路６
におけるレジスト５を導電性レジストによって形成する
ことにより、レジストの除去、洗浄を行うこと必要がな
い。
を図ることのできる多層配線基板の製造方法を提供す
る。 【解決手段】ビアホール２が形成され導体が充填された
絶縁層１の表面に、金属箔上４にレジスト５を施しエッ
チング処理して形成された配線回路６を転写する工程を
具備する多層配線基板の製造方法において、前記レジス
トの内、絶縁層のビアホール２と接続される配線回路６
におけるレジスト５を導電性レジストによって形成する
ことにより、レジストの除去、洗浄を行うこと必要がな
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、有機樹脂
を含む絶縁層を具備する多層配線基板の製造方法に関す
るものである。
を含む絶縁層を具備する多層配線基板の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来技術】従来より、高密度多層配線基板、例えば、
半導体素子を収納するパッケージに使用される多層配線
基板として、比較的高密度の配線が可能な多層セラミッ
ク配線基板が多用されている。この多層セラミック配線
基板は、アルミナなどの絶縁基板と、その表面に形成さ
れたＷやＭｏ等の高融点金属からなる配線導体とから構
成されるもので、この絶縁基板の一部にキャビティが形
成され、このキャビティ内に半導体素子が収納され、蓋
体によってキャビティを気密に封止されるものである。
半導体素子を収納するパッケージに使用される多層配線
基板として、比較的高密度の配線が可能な多層セラミッ
ク配線基板が多用されている。この多層セラミック配線
基板は、アルミナなどの絶縁基板と、その表面に形成さ
れたＷやＭｏ等の高融点金属からなる配線導体とから構
成されるもので、この絶縁基板の一部にキャビティが形
成され、このキャビティ内に半導体素子が収納され、蓋
体によってキャビティを気密に封止されるものである。
【０００３】ところが、このようなセラミック多層配線
基板を構成するセラミックスは、その製造工程におい
て、高温での焼成が必要なため製造コストが高いという
問題があった。
基板を構成するセラミックスは、その製造工程におい
て、高温での焼成が必要なため製造コストが高いという
問題があった。
【０００４】そこで、最近では、絶縁基板を有機樹脂を
含む絶縁材料により構成し、配線回路を銅箔などの金属
層によって形成した有機多層配線基板が提案されてい
る。このような多層配線基板は、例えば、図３に示すよ
うに、まず、（ａ）有機樹脂を含む絶縁層３１に対して
層間を電気的に接続するためのビアホール３２をドリル
やレーザー等によって孔明けしてその中に導体を充填す
る。（ｂ）転写シート３３の表面に銅箔３４を接着し、
（ｃ）その銅箔３４の表面に公知のフォトレジストに基
づき、露光、現像により絶縁性レジスト３５を配線パタ
ーン状に形成する。そして（ｄ）レジストを施していな
い部分をエッチング処理して除去する。（ｅ）その後、
レジスト除去液等によりレジストを取り除き、さらに洗
浄を行い転写シート３３表面に配線回路３６を形成す
る。次に（ｆ）先のビアホール３２が形成された絶縁層
３１に対して、配線回路３６が形成された転写シート３
３を重ね合わせた後、（ｇ）転写シート３３を剥離して
ビアホール３２と配線回路３６を具備する配線層３７を
得る。そして、この（ａ）〜（ｇ）の工程によって作製
された配線層３７を複数層作製し、それらを積層し多層
化して作製される。
含む絶縁材料により構成し、配線回路を銅箔などの金属
層によって形成した有機多層配線基板が提案されてい
る。このような多層配線基板は、例えば、図３に示すよ
うに、まず、（ａ）有機樹脂を含む絶縁層３１に対して
層間を電気的に接続するためのビアホール３２をドリル
やレーザー等によって孔明けしてその中に導体を充填す
る。（ｂ）転写シート３３の表面に銅箔３４を接着し、
（ｃ）その銅箔３４の表面に公知のフォトレジストに基
づき、露光、現像により絶縁性レジスト３５を配線パタ
ーン状に形成する。そして（ｄ）レジストを施していな
い部分をエッチング処理して除去する。（ｅ）その後、
レジスト除去液等によりレジストを取り除き、さらに洗
浄を行い転写シート３３表面に配線回路３６を形成す
る。次に（ｆ）先のビアホール３２が形成された絶縁層
３１に対して、配線回路３６が形成された転写シート３
３を重ね合わせた後、（ｇ）転写シート３３を剥離して
ビアホール３２と配線回路３６を具備する配線層３７を
得る。そして、この（ａ）〜（ｇ）の工程によって作製
された配線層３７を複数層作製し、それらを積層し多層
化して作製される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近に
至り、多層配線基板の高密度化、高多層化に伴い、製造
工程が非常に多くなりつつあり、コストが高くなりつつ
あり、工程の簡略化が求められている。
至り、多層配線基板の高密度化、高多層化に伴い、製造
工程が非常に多くなりつつあり、コストが高くなりつつ
あり、工程の簡略化が求められている。
【０００６】従って、本発明は、有機多層配線基板の製
造における工程の簡略化を図ることができる多層配線基
板の製造方法を提供することを目的とするものである。
造における工程の簡略化を図ることができる多層配線基
板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
製造工程における工程の簡略化に対して検討を重ねた結
果、上記レジストの除去工程は、層間の導通を行うため
のビアホールとの接続のためには、不可避的な工程であ
るものの、少なくともビアホールと接続する部分のレジ
ストを導電性レジストによって形成することにより、レ
ジストの除去を行う必要ないことを見いだし、本発明に
至った。
製造工程における工程の簡略化に対して検討を重ねた結
果、上記レジストの除去工程は、層間の導通を行うため
のビアホールとの接続のためには、不可避的な工程であ
るものの、少なくともビアホールと接続する部分のレジ
ストを導電性レジストによって形成することにより、レ
ジストの除去を行う必要ないことを見いだし、本発明に
至った。
【０００８】即ち、本発明の多層基板の製造方法は、ビ
アホールが形成され導体が充填された絶縁層の表面に、
金属箔上にレジストを施しエッチング処理して形成され
た配線回路を転写する工程を具備する多層配線基板の製
造方法において、前記レジストの内、少なくとも前記絶
縁層のビアホールと接続される配線回路におけるレジス
トを導電性レジストによって形成したことを特徴するも
のである。
アホールが形成され導体が充填された絶縁層の表面に、
金属箔上にレジストを施しエッチング処理して形成され
た配線回路を転写する工程を具備する多層配線基板の製
造方法において、前記レジストの内、少なくとも前記絶
縁層のビアホールと接続される配線回路におけるレジス
トを導電性レジストによって形成したことを特徴するも
のである。
【０００９】さらに、第２の態様として、絶縁層の表面
に形成された金属箔上にレジストを施しエッチング処理
して配線回路を形成した第１の配線層に、ビアホールが
形成された導体が充填された第２の絶縁層を積層して多
層化する配線基板の製造方法において、前記レジストの
うち前記第２の絶縁層のビアホールと接続される配線回
路におけるレジストを導電性レジストによって形成した
ことを特徴とするものである。
に形成された金属箔上にレジストを施しエッチング処理
して配線回路を形成した第１の配線層に、ビアホールが
形成された導体が充填された第２の絶縁層を積層して多
層化する配線基板の製造方法において、前記レジストの
うち前記第２の絶縁層のビアホールと接続される配線回
路におけるレジストを導電性レジストによって形成した
ことを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図１、２をもとに
説明する。図１は、本発明の多層配線基板の製造方法の
第１の態様の工程の説明するための図である。図２は、
本発明の多層配線基板の製造方法の第２の態様の工程を
説明するための図である。
説明する。図１は、本発明の多層配線基板の製造方法の
第１の態様の工程の説明するための図である。図２は、
本発明の多層配線基板の製造方法の第２の態様の工程を
説明するための図である。
【００１１】第１の態様によれば、まず、（ａ）に示す
ように、有機樹脂を含む第１の絶縁層１に対して層間を
電気的に接続するためのビアホール２をドリルやレーザ
ー等によって孔明けしてその中に導体を充填する。
ように、有機樹脂を含む第１の絶縁層１に対して層間を
電気的に接続するためのビアホール２をドリルやレーザ
ー等によって孔明けしてその中に導体を充填する。
【００１２】一方、（ｂ）に示すように、転写シート３
の表面に金属箔、この態様では銅箔４を接着し、その銅
箔４の表面にレジスト５を配線パターン状に形成する。
この時、本発明によれば、少なくとも形成する配線回路
のうち、積層時にビアホールと接続されるべき配線回路
に対して、導電性レジストを施す。
の表面に金属箔、この態様では銅箔４を接着し、その銅
箔４の表面にレジスト５を配線パターン状に形成する。
この時、本発明によれば、少なくとも形成する配線回路
のうち、積層時にビアホールと接続されるべき配線回路
に対して、導電性レジストを施す。
【００１３】導電性レジストとしては、半田粉末、銀粉
末、あるいは銀をコーティングした銅粉末やこれらの合
金粉末を混合した樹脂が用いられる。粉末粒子の形状は
球状の他、鱗片状や鱗片状粉末と超微粉との混合物等が
良好に用いられる。また、錫、鉛、半田や銀のメッキも
導電性レジストとして好適に用いられる。
末、あるいは銀をコーティングした銅粉末やこれらの合
金粉末を混合した樹脂が用いられる。粉末粒子の形状は
球状の他、鱗片状や鱗片状粉末と超微粉との混合物等が
良好に用いられる。また、錫、鉛、半田や銀のメッキも
導電性レジストとして好適に用いられる。
【００１４】これらの導電性レジストを形成するには、
銀、銀コート銅の粉末を混合した樹脂等によりレジスト
を形成するには、これらの粉末を混合した樹脂をペース
ト状にしてスクリーン印刷などの方法で回路パターンに
形成し、また、メッキによる場合には、感光性樹脂を銅
箔全面に塗布したのち、露光現像を行って、配線回路形
成部の所望部分に錫、鉛、半田、銀のメッキを行いしか
る後にレジストを除去する方法が用いられる。
銀、銀コート銅の粉末を混合した樹脂等によりレジスト
を形成するには、これらの粉末を混合した樹脂をペース
ト状にしてスクリーン印刷などの方法で回路パターンに
形成し、また、メッキによる場合には、感光性樹脂を銅
箔全面に塗布したのち、露光現像を行って、配線回路形
成部の所望部分に錫、鉛、半田、銀のメッキを行いしか
る後にレジストを除去する方法が用いられる。
【００１５】これらの導電性レジストは、それ自体で配
線回路とビアホールとの電気的接続を妨げないことが必
要であることから、その比抵抗は１×１０-4Ω−ｃｍ以
下であることが必要となる。
線回路とビアホールとの電気的接続を妨げないことが必
要であることから、その比抵抗は１×１０-4Ω−ｃｍ以
下であることが必要となる。
【００１６】次に、（ｃ）に示すように、導電性レジス
トを施していない部分の銅箔をエッチング除去して配線
回路６を形成する。この場合、エッチングによる銅箔の
除去は、銅箔のみを選択的に除去できるような、エッチ
ング液を使用することが必要である。例えば、レジスト
を銀、銀コート銅の粉末によって形成した場合には、エ
ッチング液として、塩化第２鉄，塩化第２銅を用いれば
よく、また、錫、鉛、半田のメッキをレジストに用いた
場合はアンモニア系エッチング液を用いることにより、
上記メッキレジストしていない部分のみをエッチングで
除去する事ができる。
トを施していない部分の銅箔をエッチング除去して配線
回路６を形成する。この場合、エッチングによる銅箔の
除去は、銅箔のみを選択的に除去できるような、エッチ
ング液を使用することが必要である。例えば、レジスト
を銀、銀コート銅の粉末によって形成した場合には、エ
ッチング液として、塩化第２鉄，塩化第２銅を用いれば
よく、また、錫、鉛、半田のメッキをレジストに用いた
場合はアンモニア系エッチング液を用いることにより、
上記メッキレジストしていない部分のみをエッチングで
除去する事ができる。
【００１７】次に、（ｄ）に示すように、上記（ａ）に
てビアホールが形成された絶縁層１に対して、（ｃ）に
よって形成された配線回路６が形成された転写シート３
を重ね合わせて圧着する。
てビアホールが形成された絶縁層１に対して、（ｃ）に
よって形成された配線回路６が形成された転写シート３
を重ね合わせて圧着する。
【００１８】この圧着処理を行う場合、絶縁層１は軟質
であるのが望ましい。例えば、絶縁層中の有機樹脂とし
て熱硬化性樹脂を含む場合には、半硬化状態であるのが
よい。このように軟質であることによって転写シート３
の表面に形成された配線回路６およびレジスト５を絶縁
層１に対して圧入することができ、これにより転写後の
絶縁層１の表面と配線回路６の表面を同一平面に形成す
ることができる。
であるのが望ましい。例えば、絶縁層中の有機樹脂とし
て熱硬化性樹脂を含む場合には、半硬化状態であるのが
よい。このように軟質であることによって転写シート３
の表面に形成された配線回路６およびレジスト５を絶縁
層１に対して圧入することができ、これにより転写後の
絶縁層１の表面と配線回路６の表面を同一平面に形成す
ることができる。
【００１９】そして、（ｅ）に示すように、（ｄ）の積
層物から転写シート３を剥がすことによって、表面に配
線回路６と導電性レジスト５が埋め込まれ、ビアホール
２と接続された配線層７を作製することができる。
層物から転写シート３を剥がすことによって、表面に配
線回路６と導電性レジスト５が埋め込まれ、ビアホール
２と接続された配線層７を作製することができる。
【００２０】その後、上記（ａ）〜（ｅ）の工程により
同様に配線層７を形成し、それらを積層圧着することに
よって、多層配線基板８を作製することができる
（ｆ）。また、絶縁層が熱硬化性樹脂を含み、半硬化状
態の場合には、この後に加熱処理を施し、絶縁層を完全
硬化することができる。
同様に配線層７を形成し、それらを積層圧着することに
よって、多層配線基板８を作製することができる
（ｆ）。また、絶縁層が熱硬化性樹脂を含み、半硬化状
態の場合には、この後に加熱処理を施し、絶縁層を完全
硬化することができる。
【００２１】次に、本発明の第２の態様について図２を
もとに説明する。
もとに説明する。
【００２２】まず、（ａ）に示すように、有機樹脂を含
有する絶縁層１１に対して、銅箔１２を接着する。そし
て、（ｂ）に示すように、銅箔１２の表面に回路パター
ン状にレジスト１３を形成する。本発明によれば、その
レジストのうち、少なくとも絶縁層１１上に積層する配
線層のビアホールと接続される配線回路に対して前記第
１の態様で説明したのと同様にして導電性レジストを形
成する。そして、（ｃ）に示すように、レジストを形成
していない部分をエッチング処理により除去して配線回
路１４を形成した配線層１５を形成する。この時のエッ
チングも前記第１の態様と同様な方法で実施できる。
有する絶縁層１１に対して、銅箔１２を接着する。そし
て、（ｂ）に示すように、銅箔１２の表面に回路パター
ン状にレジスト１３を形成する。本発明によれば、その
レジストのうち、少なくとも絶縁層１１上に積層する配
線層のビアホールと接続される配線回路に対して前記第
１の態様で説明したのと同様にして導電性レジストを形
成する。そして、（ｃ）に示すように、レジストを形成
していない部分をエッチング処理により除去して配線回
路１４を形成した配線層１５を形成する。この時のエッ
チングも前記第１の態様と同様な方法で実施できる。
【００２３】次に、（ｄ）に示すように、配線回路１４
が形成された配線層１５の表面に、少なくともビアホー
ル１６を有する配線層１７を積層圧着して、（ｅ）に示
すような多層配線基板２０を作製することができる。こ
の配線層１７は、例えば、絶縁層１８に対してドリル、
レーザー等によりビアホールを形成しその中に導体を充
填し、さらにその表面に周知の方法によって配線回路１
９を形成したものである。この両配線層１５、１７の積
層圧着によって、ビアホール１６は、導電性レジスト１
３を介して配線回路１４と電気的に接続されることにな
る。
が形成された配線層１５の表面に、少なくともビアホー
ル１６を有する配線層１７を積層圧着して、（ｅ）に示
すような多層配線基板２０を作製することができる。こ
の配線層１７は、例えば、絶縁層１８に対してドリル、
レーザー等によりビアホールを形成しその中に導体を充
填し、さらにその表面に周知の方法によって配線回路１
９を形成したものである。この両配線層１５、１７の積
層圧着によって、ビアホール１６は、導電性レジスト１
３を介して配線回路１４と電気的に接続されることにな
る。
【００２４】この時、配線層１５および配線層１７はい
ずれも軟質であることが望ましい。
ずれも軟質であることが望ましい。
【００２５】それは、両配線層１５、１７を積層圧着す
る際に、圧力の付与によって、配線回路１４と導電性レ
ジスト１３とを絶縁層１８および絶縁層１１内に埋め込
むことができ、配線回路の凹凸による基板表面への影響
をなくすことができる。
る際に、圧力の付与によって、配線回路１４と導電性レ
ジスト１３とを絶縁層１８および絶縁層１１内に埋め込
むことができ、配線回路の凹凸による基板表面への影響
をなくすことができる。
【００２６】なお、上記の態様において、配線層１５上
に積層された配線層１７の上にさらに他のビアホールを
有する配線層を積層する場合には、配線層１７の表面に
形成された配線回路１９をレジストを用いて形成する場
合には、上記と同様に導電性レジストを用いて形成すれ
ばよく、かかる工程を繰り返すことによって任意の多層
配線基板を作製することができる。また、絶縁層が熱硬
化性樹脂を含み、半硬化状態の場合には、この後に加熱
処理を施し、絶縁層を完全硬化することができる。
に積層された配線層１７の上にさらに他のビアホールを
有する配線層を積層する場合には、配線層１７の表面に
形成された配線回路１９をレジストを用いて形成する場
合には、上記と同様に導電性レジストを用いて形成すれ
ばよく、かかる工程を繰り返すことによって任意の多層
配線基板を作製することができる。また、絶縁層が熱硬
化性樹脂を含み、半硬化状態の場合には、この後に加熱
処理を施し、絶縁層を完全硬化することができる。
【００２７】このように、本発明の多層配線基板の製造
方法によれば、上記第１の態様および第２の態様で説明
した通り、レジストを除去し、洗浄する工程を全く必要
とせず、製造工程の簡略化を図ることができるのであ
る。
方法によれば、上記第１の態様および第２の態様で説明
した通り、レジストを除去し、洗浄する工程を全く必要
とせず、製造工程の簡略化を図ることができるのであ
る。
【００２８】なお、本発明の多層配線基板の製造方法に
おいて用いられる絶縁層としては、少なくとも有機樹脂
を含む絶縁材料からなるもので、有機樹脂としては例え
ば、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＢＴレジン
（ビスマレイミドトリアジン）、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂等の樹脂が望ま
しい。また、絶縁層中には、配線基板全体としての強度
を高めるために、有機樹脂に対して無機質フィラーを複
合化させることもできる。有機樹脂と複合化される無機
質フィラーとしては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、
ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、ゼオライト、Ｃ
ａＴｉＯ3 、ほう酸アルミニウム等の公知の材料が使用
できる。フィラーの形状は平均粒径が２０μｍ以下、特
に１０μｍ以下、最適には７μｍ以下の略球形状の粉末
の他、平均アスペクト比が２以上、特に５以上の繊維状
のものや、織布物も使用できる。また、ガラスクロスも
使用できる。ガラスクロスは形成された回路上に重ね、
この上から絶縁性スラリーを浸透させることによって回
路を含んだシートとすることができる。
おいて用いられる絶縁層としては、少なくとも有機樹脂
を含む絶縁材料からなるもので、有機樹脂としては例え
ば、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＢＴレジン
（ビスマレイミドトリアジン）、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂等の樹脂が望ま
しい。また、絶縁層中には、配線基板全体としての強度
を高めるために、有機樹脂に対して無機質フィラーを複
合化させることもできる。有機樹脂と複合化される無機
質フィラーとしては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、
ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、ゼオライト、Ｃ
ａＴｉＯ3 、ほう酸アルミニウム等の公知の材料が使用
できる。フィラーの形状は平均粒径が２０μｍ以下、特
に１０μｍ以下、最適には７μｍ以下の略球形状の粉末
の他、平均アスペクト比が２以上、特に５以上の繊維状
のものや、織布物も使用できる。また、ガラスクロスも
使用できる。ガラスクロスは形成された回路上に重ね、
この上から絶縁性スラリーを浸透させることによって回
路を含んだシートとすることができる。
【００２９】なお、有機樹脂と無機質フィラーとの複合
材料においては、有機樹脂：無機質フィラーとは、体積
比率で１５：８５〜５０：５０の比率で複合化されるの
が適当である。
材料においては、有機樹脂：無機質フィラーとは、体積
比率で１５：８５〜５０：５０の比率で複合化されるの
が適当である。
【００３０】また、配線回路は、前述した態様では、銅
箔によって形成したが、その他にアルミニウム、銅、ア
ルミニウム複合材等の金属箔を用いることも可能であ
る。
箔によって形成したが、その他にアルミニウム、銅、ア
ルミニウム複合材等の金属箔を用いることも可能であ
る。
【００３１】
実施例１ 図１の方法に基づき多層配線基板を作製した。まず、
（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなり、５０℃
で加熱処理して半硬化状態の絶縁層に対してドリルによ
って直径が０．１５ｍｍのビアホールを形成し、その中
に銅ペーストを充填した。
（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなり、５０℃
で加熱処理して半硬化状態の絶縁層に対してドリルによ
って直径が０．１５ｍｍのビアホールを形成し、その中
に銅ペーストを充填した。
【００３２】一方、（ｂ）に示すように、転写シート３
の表面に厚み１２μｍの銅箔を接着し、その銅箔の表面
にポリイミド樹脂と半田粉末からなる導電性レジストを
配線パターン状に印刷した。なお、この導電性レジスト
の比抵抗は、５×１０-5Ω−ｃｍであった。
の表面に厚み１２μｍの銅箔を接着し、その銅箔の表面
にポリイミド樹脂と半田粉末からなる導電性レジストを
配線パターン状に印刷した。なお、この導電性レジスト
の比抵抗は、５×１０-5Ω−ｃｍであった。
【００３３】次に、図１（ｃ）に示すように、導電性レ
ジストを施していない部分の銅箔をエッチング液として
アンモニア系エッチング液を用いて除去して配線回路を
形成した。次に、図１（ｄ）に示すように、上記（ａ）
にてビアホールが形成された絶縁層に対して、（ｃ）に
よって形成された配線回路が形成された転写シートを重
ね合わせて５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を印加した後、転写
シートを剥がしたところ、絶縁層の表面と配線回路の表
面が同一平面となる配線層が形成された。
ジストを施していない部分の銅箔をエッチング液として
アンモニア系エッチング液を用いて除去して配線回路を
形成した。次に、図１（ｄ）に示すように、上記（ａ）
にてビアホールが形成された絶縁層に対して、（ｃ）に
よって形成された配線回路が形成された転写シートを重
ね合わせて５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を印加した後、転写
シートを剥がしたところ、絶縁層の表面と配線回路の表
面が同一平面となる配線層が形成された。
【００３４】上記と同様にして３層の配線層を形成し、
それらを積層し５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を印加して圧着
した後、それらを２００℃で２時間加熱処理して完全に
硬化させて多層配線基板を作製した。
それらを積層し５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を印加して圧着
した後、それらを２００℃で２時間加熱処理して完全に
硬化させて多層配線基板を作製した。
【００３５】得られた多層配線基板に対して、ビアーホ
ールを、経由する配線回路間の抵抗を測定した結果、１
ｍΩ以下と従来の方法で作製した場合と同様な特性を示
し、この方法で製造工程の簡略化を図ることができるこ
とを確認した。
ールを、経由する配線回路間の抵抗を測定した結果、１
ｍΩ以下と従来の方法で作製した場合と同様な特性を示
し、この方法で製造工程の簡略化を図ることができるこ
とを確認した。
【００３６】実施例２ 次に、図２の方法に基づき多層配線基板を作製した。ま
ず、図２（ａ）に示すように、ＢＴレジンとシリカ粉末
からなり、７０℃で加熱処理した半硬化状態の絶縁層に
対して、厚み９μｍの銅箔を接着した。そして、図２
（ｂ）に示すように、銅箔の表面に回路パターン状に半
田メッキからなるレジストを形成した。そして、レジス
トを形成していない部分をアンモニア系エッチング液に
よってエッチング処理により除去して配線回路を形成し
た配線層を形成した。
ず、図２（ａ）に示すように、ＢＴレジンとシリカ粉末
からなり、７０℃で加熱処理した半硬化状態の絶縁層に
対して、厚み９μｍの銅箔を接着した。そして、図２
（ｂ）に示すように、銅箔の表面に回路パターン状に半
田メッキからなるレジストを形成した。そして、レジス
トを形成していない部分をアンモニア系エッチング液に
よってエッチング処理により除去して配線回路を形成し
た配線層を形成した。
【００３７】次に、上記の配線層の表面に、直径０．１
５ｍｍの銅粉末が充填されたビアホールを有する配線層
を位置合わせして積層し８０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を印加
し、さらにそれらを２００℃で１時間加熱処理して完全
に硬化させて多層配線基板を作製した。
５ｍｍの銅粉末が充填されたビアホールを有する配線層
を位置合わせして積層し８０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を印加
し、さらにそれらを２００℃で１時間加熱処理して完全
に硬化させて多層配線基板を作製した。
【００３８】得られた多層配線基板に対して、ビアーホ
ールを、経由する配線回路間の抵抗を測定した結果、１
ｍΩ以下と従来の方法で作製した場合と同様な特性を示
し、この方法で製造工程の簡略化を図ることができるこ
とを確認した。
ールを、経由する配線回路間の抵抗を測定した結果、１
ｍΩ以下と従来の方法で作製した場合と同様な特性を示
し、この方法で製造工程の簡略化を図ることができるこ
とを確認した。
【００３９】
【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明の多層配線
基板の製造方法によれば、ビアホールと接続する配線回
路をレジストを用いて形成する場合、そのレジストを導
電性レジストによって形成することによって、レジスト
を除去、洗浄する必要がなく、多層配線基板の生産性を
向上し生産コストを削減することができる。
基板の製造方法によれば、ビアホールと接続する配線回
路をレジストを用いて形成する場合、そのレジストを導
電性レジストによって形成することによって、レジスト
を除去、洗浄する必要がなく、多層配線基板の生産性を
向上し生産コストを削減することができる。
【図１】本発明の第１の態様を説明するための工程図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第２の態様を説明するための工程図で
ある。
ある。
【図３】従来の多層配線基板の製造方法を説明するため
の工程図である。
の工程図である。
１、１１、１８ 絶縁層 ２、１６ ビアホール ３ 転写シート ４、１２ 金属箔 ５、１３ 導電性レジスト ６、１４、１９ 配線回路 ７、１５、１７ 配線層 ８、２０ 多層配線基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 立野 周一 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】ビアホールが形成され導体が充填された絶
縁層の表面に、金属箔上にレジストを施しエッチング処
理して形成された配線回路を転写する工程を具備する多
層配線基板の製造方法において、前記絶縁層のビアホー
ルと接続される配線回路におけるレジストを導電性レジ
ストによって形成したことを特徴する多層配線基板の製
造方法。 - 【請求項２】絶縁層の表面に形成された金属箔上にレジ
ストを施しエッチング処理して配線回路を形成した第１
の配線層に、ビアホールが形成され導体が充填された第
２の絶縁層を積層して多層化する配線基板の製造方法に
おいて、前記第２の絶縁層のビアホールと接続される配
線回路におけるレジストを導電性レジストによって形成
したことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22992496A JPH1075062A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22992496A JPH1075062A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 多層配線基板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003303713A Division JP3872461B2 (ja) | 2003-08-27 | 2003-08-27 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1075062A true JPH1075062A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16899879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22992496A Pending JPH1075062A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1075062A (ja) |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP22992496A patent/JPH1075062A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040126 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
| A521 | Written amendment |
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040511 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |