JPH1060645A - アルミニウム層の製造方法 - Google Patents

アルミニウム層の製造方法

Info

Publication number
JPH1060645A
JPH1060645A JP9151584A JP15158497A JPH1060645A JP H1060645 A JPH1060645 A JP H1060645A JP 9151584 A JP9151584 A JP 9151584A JP 15158497 A JP15158497 A JP 15158497A JP H1060645 A JPH1060645 A JP H1060645A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
aluminum layer
layer
temp
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9151584A
Other languages
English (en)
Inventor
Manfred Dr Schneegans
シユネーガンス マンフレート
Stefan Dietrich
デイートリツヒ シユテフアン
Alexander Hirsch
ヒルシユ アレクサンダー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH1060645A publication Critical patent/JPH1060645A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58After-treatment
    • C23C14/5806Thermal treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58After-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C23C16/20Deposition of aluminium only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56After-treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32051Deposition of metallic or metal-silicide layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204Conductive materials
    • H01L23/53209Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53214Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
    • H01L23/53219Aluminium alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/927Electromigration resistant metallization

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子の移動及び/又は応力の移動に極めて安
定な極めて幅の狭い多結晶アルミニウム導体路を形成す
ることのできる、基板上にアルミニウム層を形成する方
法を提供する。 【解決手段】 多結晶アルミニウム層を有する基板を炉
内で目標温度から最終温度に制御下に冷却し、この制御
下の冷却中に瞬時温度が所定の温度分布をたどり、その
際アルミニウム層内の個々のアルミニウム粒子間に直接
エネルギー学上安定名Al2Cu−θ相が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にアルミニ
ウム層を形成する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】アルミニウムは、導体路に課せられた要
件を極めて良好に満たすことができるため、今日まで半
導体技術分野で導体路としてほぼ専用的に使用されてい
る金属である。
【0003】もちろんアルミニウムにもまだ完全には除
去することのできない多くの欠点となる特性を有する。
【0004】特に欠点となる特性の1つはアルミニウム
導体路内の著しい電子の移動がある。電子の移動とは電
流の影響下に導体路内で物質が移動することを意味す
る。その際移動する電子が正に帯電したアルミニウムの
結晶構造の芯と衝突することにより電子の流れ方向に物
質の空乏化が起こる。この物質の空乏化は局部的に導体
路を完全に中断することになり、そのため集積回路の全
損を招く恐れがある。
【0005】更にアルミニウム導体路の場合いわゆる応
力の移動を来す。応力の移動とはアルミニウム原子が高
められた温度で内部の機械的応力の影響下に移動するこ
とを意味する。この応力の移動も結局は導体路を中断す
ることになり、それにより集積回路が全損する恐れがあ
る。応力の移動及び電子の移動に対する対応措置として
アルミニウムに0.5〜5重量%の銅の添加が有効であ
る。
【0006】しかし最大限に集積された回路内にある極
めて幅の狭いアルミニウム導体路(幅≦1μm)の場
合、前述の銅の添加にも拘らず僅かな温度(125℃)
による受動的な熱の滞留で電流の負荷がなくても益々導
体路の亀裂及び中断を頻発することになる。
【0007】上方の金属面内の基台及びSiO2/Si
Xカバー層としてSiO2誘電体を有する多層金属化物
は特に阻害される。その理由はそこに生じる極めて強力
な外因性の引張り応力にある。その原因としては、熱処
理又はポリイミドの網状化の際に冷却相中のアルミニウ
ム導体路に後に形成される亀裂の裂け目にあることが判
明している。プロセス上そこに生じた冷却特性は、冷却
中に面状の銅析出物が時効硬化し、いわゆるギニエ・プ
レストン相を成長したアルミニウム粒子内に来す。従来
の一般的な冷却相の場合銅原子はアルミニウム粒子の内
部から安定なAl2Cu−θ−相に変わるために粒界に
移動する。その際銅原子は空格子面又は転位により強く
乱された格子面を残し、これらの格子面はアルミニウム
原子によって完全に回復されることはできない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、これらの空格子及び転位により強く乱された格子面
をアルミニウム粒子内に形成することを回避したアルミ
ニウム層の製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、基板上にアルミニウム層を以下に記載する工程で製
造することにより解決される。即ち a)基板上に0.5〜5重量%の銅を含んでいる多結晶
のアルミニウム層を析出し、 b)基板を多結晶アルミニウム層と共に炉内に入れ、そ
こで目標温度に加熱し、 c)その後基板を多結晶のアルミニウムと共に炉内で目
標温度から最終温度に制御しながら冷却し、制御下の冷
却中に瞬時温度が所定の温度分布をたどるようにし、そ
の際アルミニウム層中の個々のアルミニウム粒子間に直
接エネルギー学上安定なAl2Cu−θ−相を形成す
る。
【0010】その際本発明は、温度熟成によりエネルギ
ー学的に安定なAl2Cu−θ−相を混合相からギニエ
・プレストン相の中間段階を経ずに直接アルミニウム粒
子間の粒界に形成することができるとの認識に基づく。
それによりアルミニウム粒子の内部からの不安定で大表
面の銅の析出物の拡散が消失し、温度熟成プロセスによ
り亀裂状の空格子面又は転位面は形成されない。
【0011】本発明の製造方法の一実施態様において
は、多結晶アルミニウム層は約450℃の目標温度で熱
処理される。
【0012】本発明による製造方法の別の実施態様で
は、アルミニウム層に施されたイミド層は約360℃の
目標温度で重合化される。
【0013】熱処理又は重合化の終了後制御下に冷却を
行い、その際瞬時温度は320℃〜200℃の温度イン
ターバルで所定の温度経過をたどる。その際6℃/h以
下の温度の時間的な変化が行われる。
【0014】多結晶アルミニウム層の一製造方法として
は、例えば200℃〜400℃の温度でスパッタリング
により基板上にアルミニウム層を析出させることが挙げ
られる。
【0015】別の多結晶アルミニウム層の製造方法で
は、熱的又は誘導的に又は電子ビーム蒸発法により基板
上にアルミニウム層が析出させられる。
【0016】更に多結晶アルミニウム層をいわゆるCV
D法により例えば出発物質としてトリイソブチルアルミ
ニウムと共に基板上に析出させる方法がある。
【0017】
【実施例】本発明を一実施例に基づき以下に詳述する。
【0018】上記の方法のいずれの場合にも、例えば二
酸化シリコンから成る基板上に0.5〜5重量%の銅を
含んでいる多結晶アルミニウム層を析出することを出発
点とする。これは例えばスパッタリングにより行われ
る。
【0019】0.5〜5重量%の銅の添加の他に、更に
金属又は非金属の別の添加物、特にシリコンをアルミニ
ウムに混和してもよい。約1重量%のシリコンの添加
は、同様に電子の移動及び応力の移動を積極的に改善す
るものであることが判明している。更にこのシリコンの
添加は、シリコンが基板からアルミニウムに拡散する
(これは特に接触孔の場合望ましくない)のを阻止する
のに普通行われている。
【0020】スパッタリングは100℃以下の温度で行
ってもよく、これは50〜100nmの粒径を有する極
めて微細なアルミニウムの構造を形成させる。しかし2
00〜400℃の基板温度でアルミニウム層をスパッタ
リングすると、アルミニウム粒子は熱処理後数μmの大
きさを得ることができる。この結果生じるアルミニウム
導体路はいわゆる“竹の構造”を有する。それというの
もアルミニウム粒子の大きさはアルミニウム導体路自体
の幅の寸法範囲にあるからである。
【0021】従来技術によりこの基板をスパッタリング
及び熱処理された多結晶アルミニウム層と共に冷却す
る。
【0022】従来の非制御下に経過した冷却ではその後
いわゆるギニエ・プレストン帯が形成され、冷却中に面
状の銅析出物が時効硬化してギニエ・プレストン相と成
る。その後銅原子はアルミニウム粒子の内部の面から粒
界に移動する。ギニエ・プレストン相は不安定なので、
この相は更に安定なAl2Cu−θ−相に変わる。その
際アルミニウム粒子中に析出された銅原子は空格子面又
は転位により著しく乱された格子面を残し、この格子面
はアルミニウム原子によって回復不可能である。
【0023】集積回路の使用開始時に生じる外因性の強
い引張り応力により最終的に亀裂状の裂け目(いわゆる
スリット欠陥)が個々のアルミニウム粒子内に生じ、ア
ルミニウム導体路全体を亀裂させることがある。
【0024】本発明により熱処理の終了後一定の“合金
熟成プロセス”を経て不安定なギニエ・プレストン相の
形成が回避されると、直接安定なAl2Cu−θ−相が
形成されることになる。これは瞬時温度が320℃〜2
00℃の温度インターバルの所定の温度分布を経過する
制御された冷却により行われる。その際この温度インタ
ーバルでの6℃/h以下の温度の時間的変化が行われ
る。
【0025】完全な合金熟成後最小値を取る特定の導体
路の抵抗を測定することにより合金の熟成度は検出可能
である。本発明方法により寿命は電子の移動及び応力の
移動に対して少なくとも1/3高められる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シユテフアン デイートリツヒ ドイツ連邦共和国 82299 チユルケンフ エルト アンマーゼーシユトラーセ 4 (72)発明者 アレクサンダー ヒルシユ ドイツ連邦共和国 85521 オツトーブル ン ラートハウスシユトラーセ 1

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルミニウム層を基板上に形成する方法
    において、 a)基板上に0.5〜5重量%の銅を含んでいる多結晶
    アルミニウム層を析出し、 b)基板を多結晶アルミニウム層と共に炉内に入れ、そ
    こで目標温度に加熱し、 c)その後基板を多結晶アルミニウム層と共に炉内で目
    標温度から最終温度に制御しながら冷却し、制御下の冷
    却中に瞬時温度が所定の温度分布をたどるようにし、そ
    の際アルミニウム層中の個々のアルミニウム粒子間に直
    接エネルギー学上安定なAl2Cu−θ−相を形成する
    ことを特徴とするアルミニウム層の製造方法。
  2. 【請求項2】 多結晶アルミニウム層を有する基板を目
    標温度で熱処理することを特徴とする請求項1記載の製
    造方法。
  3. 【請求項3】 アルミニウム層上に施されたイミド層を
    目標温度で重合化することを特徴とする請求項1又は2
    記載の製造方法。
  4. 【請求項4】 目標温度が350℃〜450℃であるこ
    とを特徴とする請求項1乃至3の1つに記載の製造方
    法。
  5. 【請求項5】 制御下の冷却中に300℃〜200℃の
    温度インターバルで瞬時温度が所定の温度分布をたどる
    ようにすることを特徴とする請求項4記載の製造方法。
  6. 【請求項6】 冷却が320℃〜200℃の温度インタ
    ーバルで6℃/h以下の温度の時間的変化で行われるこ
    とを特徴とする請求項5記載の方法。
  7. 【請求項7】 多結晶アルミニウム層をスパッタリング
    により200〜400℃の基板温度で析出することを特
    徴とする請求項1乃至6の1つに記載の方法。
  8. 【請求項8】 多結晶アルミニウム層を熱的又は誘導的
    に又は電子ビーム蒸発により析出することを特徴とする
    請求項1乃至6の1つに記載の方法。
  9. 【請求項9】 多結晶アルミニウム層をCVD法により
    析出することを特徴とする請求項1乃至6の1つに記載
    の方法。
  10. 【請求項10】 請求項1乃至9の1つに記載の方法を
    使用して幅≦1μmのアルミニウム導体路を集積回路内
    に形成することを特徴とするアルミニウム層の製造方
    法。
JP9151584A 1996-05-28 1997-05-26 アルミニウム層の製造方法 Pending JPH1060645A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19621400A DE19621400C2 (de) 1996-05-28 1996-05-28 Herstellverfahren für eine Aluminiumschicht oder Aluminiumleiterbahnen
DE19621400.9 1996-05-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1060645A true JPH1060645A (ja) 1998-03-03

Family

ID=7795506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9151584A Pending JPH1060645A (ja) 1996-05-28 1997-05-26 アルミニウム層の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5993908A (ja)
EP (1) EP0810300B1 (ja)
JP (1) JPH1060645A (ja)
KR (1) KR100446021B1 (ja)
AT (1) ATE237005T1 (ja)
DE (2) DE19621400C2 (ja)
TW (1) TW405217B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009147840A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Kasai Seiki Mfg Co Ltd 超音波センサの製造法および多結晶アルミニウム成形体の製造法ならびに超音波センサ

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5565707A (en) * 1994-10-31 1996-10-15 International Business Machines Corporation Interconnect structure using a Al2 Cu for an integrated circuit chip
DE102004036142B4 (de) * 2004-07-26 2009-04-09 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einer Metallisierung mit mehreren durch zumindest eine Barriereschicht getrennten Metallisierungsschichten sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US20060222846A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 General Electric Company Reflective and resistant coatings and methods for applying to composite structures
US7790064B2 (en) * 2005-12-22 2010-09-07 Pioneer Corporation Polycrystalline aluminum thin film and optical recording medium
CN115038245B (zh) * 2022-06-07 2023-08-11 嘉兴学院 一种基于电迁移现象辅助的柔性电子金属电路的修复方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3830657A (en) * 1971-06-30 1974-08-20 Ibm Method for making integrated circuit contact structure
US3848330A (en) * 1972-06-01 1974-11-19 Motorola Inc Electromigration resistant semiconductor contacts and the method of producing same
US4566177A (en) * 1984-05-11 1986-01-28 Signetics Corporation Formation of electromigration resistant aluminum alloy conductors
US5300307A (en) * 1992-09-14 1994-04-05 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Microstructure control of Al-Cu films for improved electromigration resistance
US5565707A (en) * 1994-10-31 1996-10-15 International Business Machines Corporation Interconnect structure using a Al2 Cu for an integrated circuit chip
US5597458A (en) * 1995-07-10 1997-01-28 Advanced Micro Devices Method for producing alloy films using cold sputter deposition process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009147840A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Kasai Seiki Mfg Co Ltd 超音波センサの製造法および多結晶アルミニウム成形体の製造法ならびに超音波センサ

Also Published As

Publication number Publication date
DE19621400C2 (de) 2000-07-06
KR100446021B1 (ko) 2004-11-06
TW405217B (en) 2000-09-11
EP0810300A1 (de) 1997-12-03
ATE237005T1 (de) 2003-04-15
DE19621400A1 (de) 1997-12-04
KR970074968A (ko) 1997-12-10
US5993908A (en) 1999-11-30
EP0810300B1 (de) 2003-04-09
DE59709743D1 (de) 2003-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3975414B2 (ja) スパッタリング用銅ターゲットおよびその製造方法
TWI586821B (zh) A tantalum sputtering target, a method for manufacturing the same, and a barrier film for a semiconductor wiring formed using the target
KR20190034585A (ko) 무방향성 전기 강을 제조하기 위한 강 스트립 및 이러한 강 스트립을 제조하기 위한 방법
JP2021512221A (ja) 微細化形状及び微細構造を有する銅合金スパッタリングターゲットの形成方法
JPH11229130A (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5354906B2 (ja) 立方体集合組織を有するニッケルベースの半製品及びその製造方法
JPH1060645A (ja) アルミニウム層の製造方法
TWI707046B (zh) 鉭濺鍍靶及其製造方法
JPH0610107A (ja) スパッタリング用の金属Tiターゲットの製造方法
JPH09104972A (ja) スパッタリング用チタンターゲットおよびその製造方法
JP2003213339A (ja) 磁気特性に優れた方向性電磁鋼板の製造方法
TWI612157B (zh) 高純度銅鈷合金濺鍍靶
JP4472930B2 (ja) ニッケル−チタン合金スパッタターゲットとその製造法
KR20180004214A (ko) Al 합금 스퍼터링 타겟
JP5236976B2 (ja) Al−Cu合金の導電率向上方法
JP2830662B2 (ja) アルミニウムターゲットおよびその製造方法
JP2003166051A (ja) 高純度ニッケルターゲットの製造方法及び高純度ニッケルターゲット
JP2001077120A (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
JP2000239835A (ja) スパッタリングターゲット
JPH0681141A (ja) スパッタリングターゲット
US11313022B2 (en) Method for manufacturing soft magnetic member
JP2002069626A (ja) スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JPH10172923A (ja) 半導体素子の金属配線形成方法
JPH04272161A (ja) 析出硬化型銅合金材の製造方法
KR100274737B1 (ko) 반도체 제조용 스퍼터링 타겟 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20031120