JPH1042199A - 撮像装置 - Google Patents
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- JPH1042199A JPH1042199A JP8191194A JP19119496A JPH1042199A JP H1042199 A JPH1042199 A JP H1042199A JP 8191194 A JP8191194 A JP 8191194A JP 19119496 A JP19119496 A JP 19119496A JP H1042199 A JPH1042199 A JP H1042199A
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- 238000005375 photometry Methods 0.000 abstract description 42
- 101100115215 Caenorhabditis elegans cul-2 gene Proteins 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡＥのための測光時に、スミアにより固体撮
像素子の画像信号が劣化するのを防止し、被写体像の明
るさを正しく測光して適正な露出で撮影ができるように
する。 【解決手段】 測光時において、受光領域８に設けた測
光領域の信号電荷を水平ＣＣＤ４側の不感光領域９に高
速で転送し、１水平走査毎に１ラインずつ出力される出
力信号を用いて被写体の明るさを検出する。垂直ＣＣＤ
３の垂直転送周波数とスミアとが反比例の関係にあるた
めに、測光領域の信号電荷へのスミアが低減され正確な
測光が可能になる。
像素子の画像信号が劣化するのを防止し、被写体像の明
るさを正しく測光して適正な露出で撮影ができるように
する。 【解決手段】 測光時において、受光領域８に設けた測
光領域の信号電荷を水平ＣＣＤ４側の不感光領域９に高
速で転送し、１水平走査毎に１ラインずつ出力される出
力信号を用いて被写体の明るさを検出する。垂直ＣＣＤ
３の垂直転送周波数とスミアとが反比例の関係にあるた
めに、測光領域の信号電荷へのスミアが低減され正確な
測光が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の出
力信号の一部を用いて被写体像の明るさを検出する測光
機構を備えた撮像装置に関する。
力信号の一部を用いて被写体像の明るさを検出する測光
機構を備えた撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近のスチルカメラやビデオカメラにお
いては、誰もが手軽に適正露出で被写体像を撮れるよう
にするため、被写体の明るさに応じて露光量を自動的に
制御するＡＥ（自動焦露光制御）が広く採用されてい
る。
いては、誰もが手軽に適正露出で被写体像を撮れるよう
にするため、被写体の明るさに応じて露光量を自動的に
制御するＡＥ（自動焦露光制御）が広く採用されてい
る。
【０００３】ＡＥは、被写体像の明るさの情報を何らか
の方法で検出し、検出された情報を基に絞りを変化させ
たり、露光時間を変化させたりすることで、被写体を適
切な露光量で撮影する機構であり、明るさの検出すなわ
ち測光方法の違いにより、幾つかの方法に分類される。
特にビデオカメラ等の電子カメラにおいては、撮像素子
の出力信号を利用した測光方式が現在の主流である。こ
の方式は、完全なＴＴＬ測光方式であり、測光系と撮影
系との調整が不要であること、測光のために特別な光学
系やセンサ等が不要であること等から測光精度に優れて
おり、また装置の小型化及び低価格化に適している。
の方法で検出し、検出された情報を基に絞りを変化させ
たり、露光時間を変化させたりすることで、被写体を適
切な露光量で撮影する機構であり、明るさの検出すなわ
ち測光方法の違いにより、幾つかの方法に分類される。
特にビデオカメラ等の電子カメラにおいては、撮像素子
の出力信号を利用した測光方式が現在の主流である。こ
の方式は、完全なＴＴＬ測光方式であり、測光系と撮影
系との調整が不要であること、測光のために特別な光学
系やセンサ等が不要であること等から測光精度に優れて
おり、また装置の小型化及び低価格化に適している。
【０００４】撮像素子の出力信号を利用した測光方式の
一例として、積分測光方式がある。積分測光方式は、撮
像素子から得られる出力信号のうちの或る定められた範
囲の信号を積分し、その値が或る定められた範囲内の値
になるように露光量を制御して適正露出を得る方式であ
る。
一例として、積分測光方式がある。積分測光方式は、撮
像素子から得られる出力信号のうちの或る定められた範
囲の信号を積分し、その値が或る定められた範囲内の値
になるように露光量を制御して適正露出を得る方式であ
る。
【０００５】電子カメラに用いられる撮像素子は、主に
インターライン型ＣＣＤである。図５に、このインター
ライン型ＣＣＤの概略構成図を示す。インターライン型
ＣＣＤは２次元に配列されたフォトダイオード１と、こ
のフォトダイオード１に蓄積された信号電荷を読み出す
ための読み出しゲート２と、読み出しゲート２を介して
読み出された信号電荷を垂直方向に転送するための垂直
ＣＣＤ３と、垂直方向に転送された信号電荷を水平方向
に転送する水平ＣＣＤ４と、水平方向の転送端に設けら
れた周知のフローティングディフュージョンアンプを用
いた電荷検出部５とを有している。
インターライン型ＣＣＤである。図５に、このインター
ライン型ＣＣＤの概略構成図を示す。インターライン型
ＣＣＤは２次元に配列されたフォトダイオード１と、こ
のフォトダイオード１に蓄積された信号電荷を読み出す
ための読み出しゲート２と、読み出しゲート２を介して
読み出された信号電荷を垂直方向に転送するための垂直
ＣＣＤ３と、垂直方向に転送された信号電荷を水平方向
に転送する水平ＣＣＤ４と、水平方向の転送端に設けら
れた周知のフローティングディフュージョンアンプを用
いた電荷検出部５とを有している。
【０００６】通常、フォトダイオード１以外の部分はア
ルミニウム等により遮光されている。フォトダイオード
１に入射した光は光電変換されて電荷として蓄積され
る。フォトダイオード１に蓄積された信号電荷は、４相
の垂直転送パルスφＶ1 〜φＶ 4 のうちφＶ1 又はφＶ
3 に重畳された信号読み出しパルスにより、読み出しゲ
ート２を介して垂直ＣＣＤ３の対応する電極下に転送さ
れる。垂直ＣＣＤ３に転送された信号電荷は、垂直転送
パルスφＶ1 〜φＶ4 により１水平走査毎に１ラインず
つ水平ＣＣＤ４に転送される。水平ＣＣＤ４に転送され
た信号電荷は２相の水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 によ
り電荷検出部５に順次転送され、電荷検出部５において
信号電荷が信号電圧に変換されて固体撮像素子から外部
に出力される。
ルミニウム等により遮光されている。フォトダイオード
１に入射した光は光電変換されて電荷として蓄積され
る。フォトダイオード１に蓄積された信号電荷は、４相
の垂直転送パルスφＶ1 〜φＶ 4 のうちφＶ1 又はφＶ
3 に重畳された信号読み出しパルスにより、読み出しゲ
ート２を介して垂直ＣＣＤ３の対応する電極下に転送さ
れる。垂直ＣＣＤ３に転送された信号電荷は、垂直転送
パルスφＶ1 〜φＶ4 により１水平走査毎に１ラインず
つ水平ＣＣＤ４に転送される。水平ＣＣＤ４に転送され
た信号電荷は２相の水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 によ
り電荷検出部５に順次転送され、電荷検出部５において
信号電荷が信号電圧に変換されて固体撮像素子から外部
に出力される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図５に示したような固
体撮像素子の画像信号を劣化させる要因の１つにスミア
がある。スミアとは、垂直ＣＣＤ３で電荷を転送してい
るときに、光が直接垂直ＣＣＤ３に漏れ込み電荷が発生
すること、或いは、フォトダイオード１で発生した電荷
が読み出しゲート２を通らずに垂直ＣＣＤ３に漏れ込む
ことにより発生するノイズであり、例えば周囲の暗い場
面でスポット光を撮影すると縦に白いラインが入ってし
まう現象である。このようなスミアが発生すると、従来
の測光方式を行う固体撮像素子を用いた撮像装置では、
本来の被写体像の明るさではなくスミア分をも含めた明
るさを測光してしまうため適正な露出で撮影ができない
という問題が生じていた。
体撮像素子の画像信号を劣化させる要因の１つにスミア
がある。スミアとは、垂直ＣＣＤ３で電荷を転送してい
るときに、光が直接垂直ＣＣＤ３に漏れ込み電荷が発生
すること、或いは、フォトダイオード１で発生した電荷
が読み出しゲート２を通らずに垂直ＣＣＤ３に漏れ込む
ことにより発生するノイズであり、例えば周囲の暗い場
面でスポット光を撮影すると縦に白いラインが入ってし
まう現象である。このようなスミアが発生すると、従来
の測光方式を行う固体撮像素子を用いた撮像装置では、
本来の被写体像の明るさではなくスミア分をも含めた明
るさを測光してしまうため適正な露出で撮影ができない
という問題が生じていた。
【０００８】本発明はこのような問題を解決するために
なされたものであり、被写体像の明るさを正しく検出す
ることができる撮像装置を提供することを目的とする。
なされたものであり、被写体像の明るさを正しく検出す
ることができる撮像装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、垂直ＣＣＤの
垂直転送周波数とスミアとが反比例の関係にあることに
着目し、測光時においては測光領域の信号電荷を垂直Ｃ
ＣＤの水平ＣＣＤ側の不感光領域に高速で転送し、その
後、１水平走査毎に１ラインずつ転送し出力される出力
信号を用いて被写体の明るさを検出することで、測光領
域の信号電荷へのスミアを低減し、被写体の明るさを正
しく検出する。
垂直転送周波数とスミアとが反比例の関係にあることに
着目し、測光時においては測光領域の信号電荷を垂直Ｃ
ＣＤの水平ＣＣＤ側の不感光領域に高速で転送し、その
後、１水平走査毎に１ラインずつ転送し出力される出力
信号を用いて被写体の明るさを検出することで、測光領
域の信号電荷へのスミアを低減し、被写体の明るさを正
しく検出する。
【００１０】本発明の撮像装置は、２次元に配列された
光電変換素子及び前記光電変換素子から読み出された信
号電荷を一方向に転送する垂直転送部を有する受光領域
と、前記垂直転送部からの信号電荷を転送する水平転送
部と、前記水平転送部から転送された信号電荷を検出す
る電荷検出部とを具備する撮像素子を有する撮像装置に
おいて、前記受光領域と前記水平転送部との間には、前
記一方向の画素数がａである不感光領域が設けられてお
り、測光動作時において、前記受光領域の一部であり前
記一方向の画素数ｂがａ以下である測光領域の前記光電
変換素子で発生した信号電荷が、相対的に大きな速度で
前記垂直転送部を経て前記不感光領域に転送されてか
ら、相対的に小さな速度で前記水平転送部を経て前記電
荷検出部に転送され、この電荷検出部から出力される信
号を用いて被写体の明るさを検出するように構成されて
いる。
光電変換素子及び前記光電変換素子から読み出された信
号電荷を一方向に転送する垂直転送部を有する受光領域
と、前記垂直転送部からの信号電荷を転送する水平転送
部と、前記水平転送部から転送された信号電荷を検出す
る電荷検出部とを具備する撮像素子を有する撮像装置に
おいて、前記受光領域と前記水平転送部との間には、前
記一方向の画素数がａである不感光領域が設けられてお
り、測光動作時において、前記受光領域の一部であり前
記一方向の画素数ｂがａ以下である測光領域の前記光電
変換素子で発生した信号電荷が、相対的に大きな速度で
前記垂直転送部を経て前記不感光領域に転送されてか
ら、相対的に小さな速度で前記水平転送部を経て前記電
荷検出部に転送され、この電荷検出部から出力される信
号を用いて被写体の明るさを検出するように構成されて
いる。
【００１１】本発明の撮像装置は、別の観点では、２次
元に配列された光電変換素子及び前記光電変換素子から
読み出された信号電荷を一方向に転送する垂直転送部を
有する受光領域と、前記垂直転送部からの信号電荷を転
送する水平転送部と、前記水平転送部から転送された信
号電荷を検出する電荷検出部とを具備する撮像素子を有
する撮像装置において、前記受光領域と前記水平転送部
との間には、前記一方向の画素数がａである不感光領域
が設けられており、測光動作時において、前記受光領域
の一部であり前記一方向の画素数ｂから１を引いた数が
ａ以下である測光領域の前記光電変換素子で発生した信
号電荷が、相対的に大きな速度で前記垂直転送部を経て
前記不感光領域及び前記水平転送部に転送されてから、
相対的に小さな速度で前記水平転送部を経て前記電荷検
出部に転送され、この電荷検出部から出力される信号を
用いて被写体の明るさを検出するように構成されてい
る。
元に配列された光電変換素子及び前記光電変換素子から
読み出された信号電荷を一方向に転送する垂直転送部を
有する受光領域と、前記垂直転送部からの信号電荷を転
送する水平転送部と、前記水平転送部から転送された信
号電荷を検出する電荷検出部とを具備する撮像素子を有
する撮像装置において、前記受光領域と前記水平転送部
との間には、前記一方向の画素数がａである不感光領域
が設けられており、測光動作時において、前記受光領域
の一部であり前記一方向の画素数ｂから１を引いた数が
ａ以下である測光領域の前記光電変換素子で発生した信
号電荷が、相対的に大きな速度で前記垂直転送部を経て
前記不感光領域及び前記水平転送部に転送されてから、
相対的に小さな速度で前記水平転送部を経て前記電荷検
出部に転送され、この電荷検出部から出力される信号を
用いて被写体の明るさを検出するように構成されてい
る。
【００１２】本発明の一態様においては、前記測光領域
の前記光電変換素子で発生した信号電荷が、相対的に大
きな速度で前記垂直転送部を経て前記不感光領域及び前
記水平転送部に転送されているときに、少なくとも前記
不感光領域の不要電荷を排出するように構成されてい
る。
の前記光電変換素子で発生した信号電荷が、相対的に大
きな速度で前記垂直転送部を経て前記不感光領域及び前
記水平転送部に転送されているときに、少なくとも前記
不感光領域の不要電荷を排出するように構成されてい
る。
【００１３】本発明の一態様においては、前記不要電荷
の排出は、前記水平転送部を駆動し前記電荷検出部に電
荷を転送することにより行われる。
の排出は、前記水平転送部を駆動し前記電荷検出部に電
荷を転送することにより行われる。
【００１４】本発明の一態様においては、前記不要電荷
の排出は、前記水平転送部の前記一方向の延長上に水平
ドレインを形成し、前記水平転送部で電荷が所定量以上
になった場合に前記水平ドレインに電荷を排出すること
により行われる。
の排出は、前記水平転送部の前記一方向の延長上に水平
ドレインを形成し、前記水平転送部で電荷が所定量以上
になった場合に前記水平ドレインに電荷を排出すること
により行われる。
【００１５】本発明の一態様においては、前記不要電荷
の排出は、前記水平転送部の前記一方向の延長上に水平
ドレインゲート及び水平ドレインを形成し、前記水平ド
レインゲートに電圧を印加して前記水平ドレインに電荷
を排出することにより行われる。
の排出は、前記水平転送部の前記一方向の延長上に水平
ドレインゲート及び水平ドレインを形成し、前記水平ド
レインゲートに電圧を印加して前記水平ドレインに電荷
を排出することにより行われる。
【００１６】本発明の一態様においては、前記不感光領
域の前記一方向の画素数ａが、前記受光領域の前記一方
向の画素数の１／１０以下である。
域の前記一方向の画素数ａが、前記受光領域の前記一方
向の画素数の１／１０以下である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について図面を参照して説明する。
について図面を参照して説明する。
【００１８】図１は本発明の第１の実施形態の撮像装置
に用いる固体撮像素子であるインターライン型ＣＣＤの
概略構成を示す図である。このインターライン型ＣＣＤ
は、２次元に配列されてそれぞれが光電変換を行うフォ
トダイオード１と、このフォトダイオード１に蓄積され
た信号電荷を読み出すための読み出しゲート２と、読み
出しゲート２を介して読み出された信号電荷を垂直方向
に転送するための垂直ＣＣＤ３と、垂直方向に転送され
た信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤ４と、水平
方向の転送端に設けられた周知のフローティングディフ
ュージョンアンプを用いた電荷検出部５と、水平ＣＣＤ
４と並列にその延長上に配置された水平ドレインゲート
６と、水平ドレインゲート６と並列にその延長上に配置
された水平ドレイン７とを有している。
に用いる固体撮像素子であるインターライン型ＣＣＤの
概略構成を示す図である。このインターライン型ＣＣＤ
は、２次元に配列されてそれぞれが光電変換を行うフォ
トダイオード１と、このフォトダイオード１に蓄積され
た信号電荷を読み出すための読み出しゲート２と、読み
出しゲート２を介して読み出された信号電荷を垂直方向
に転送するための垂直ＣＣＤ３と、垂直方向に転送され
た信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤ４と、水平
方向の転送端に設けられた周知のフローティングディフ
ュージョンアンプを用いた電荷検出部５と、水平ＣＣＤ
４と並列にその延長上に配置された水平ドレインゲート
６と、水平ドレインゲート６と並列にその延長上に配置
された水平ドレイン７とを有している。
【００１９】図１に示したインターライン型ＣＣＤは、
フォトダイオード１以外の部分がアルミニウム等により
遮光されている。また、フォトダイオード１が形成され
た領域のうちダーク領域９０１は、光が入射しないよう
に上面にアルミニウムまたは黒フィルタ等の遮光層が設
けられている。従って、フォトダイオード１が形成され
た領域のうち実際に光電変換を行うのは受光領域８に存
在するフォトダイオード１だけである。また、ダーク領
域９０１に隣接して設けられたダミー領域９０２にはフ
ォトダイオード１及び読み出しゲート２が形成されてお
らず、このダミー領域９０２は垂直ＣＣＤ３だけで構成
された画素である。これらダーク領域９０１及びダミー
領域９０２で不感光領域９が構成されている。
フォトダイオード１以外の部分がアルミニウム等により
遮光されている。また、フォトダイオード１が形成され
た領域のうちダーク領域９０１は、光が入射しないよう
に上面にアルミニウムまたは黒フィルタ等の遮光層が設
けられている。従って、フォトダイオード１が形成され
た領域のうち実際に光電変換を行うのは受光領域８に存
在するフォトダイオード１だけである。また、ダーク領
域９０１に隣接して設けられたダミー領域９０２にはフ
ォトダイオード１及び読み出しゲート２が形成されてお
らず、このダミー領域９０２は垂直ＣＣＤ３だけで構成
された画素である。これらダーク領域９０１及びダミー
領域９０２で不感光領域９が構成されている。
【００２０】図１のインターライン型ＣＣＤにおいて
は、不感光領域９がダーク領域９０１及びダミー領域９
０２で構成されているが、ダーク領域９０１だけ或いは
ダミー領域９０２だけで不感光領域９が構成されていて
もよい。
は、不感光領域９がダーク領域９０１及びダミー領域９
０２で構成されているが、ダーク領域９０１だけ或いは
ダミー領域９０２だけで不感光領域９が構成されていて
もよい。
【００２１】このようなインターライン型ＣＣＤを有す
る撮像装置で通常の被写体撮影を行う場合には、従来と
同様に、フォトダイオード１に入射して光電変換され蓄
積された信号電荷が、４相の垂直転送パルスφＶ1 〜φ
Ｖ4 のうちφＶ1 又はφＶ3に重畳された信号読み出し
パルスにより、読み出しゲート２を介して垂直ＣＣＤ３
の対応する電極下に転送される。垂直ＣＣＤ３に転送さ
れた信号電荷は、垂直転送パルスφＶ1 〜φＶ4 により
１水平走査毎に１ラインずつ水平ＣＣＤ４に転送され
る。フレーム蓄積読み出し及びフィールド蓄積読み出し
は、信号読み出しパルスと垂直転送パルスとを工夫する
ことで実現できる。水平ＣＣＤ４に転送された信号電荷
は２相の水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 により電荷検出
部５に順次転送され、電荷検出部５において信号電荷が
信号電圧に変換されて固体撮像素子から外部に出力され
る。
る撮像装置で通常の被写体撮影を行う場合には、従来と
同様に、フォトダイオード１に入射して光電変換され蓄
積された信号電荷が、４相の垂直転送パルスφＶ1 〜φ
Ｖ4 のうちφＶ1 又はφＶ3に重畳された信号読み出し
パルスにより、読み出しゲート２を介して垂直ＣＣＤ３
の対応する電極下に転送される。垂直ＣＣＤ３に転送さ
れた信号電荷は、垂直転送パルスφＶ1 〜φＶ4 により
１水平走査毎に１ラインずつ水平ＣＣＤ４に転送され
る。フレーム蓄積読み出し及びフィールド蓄積読み出し
は、信号読み出しパルスと垂直転送パルスとを工夫する
ことで実現できる。水平ＣＣＤ４に転送された信号電荷
は２相の水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 により電荷検出
部５に順次転送され、電荷検出部５において信号電荷が
信号電圧に変換されて固体撮像素子から外部に出力され
る。
【００２２】次に、図１のインターライン型ＣＣＤを有
する撮像装置で測光を行う場合について説明する。図２
に、本実施形態の撮像装置に用いられるインターライン
型ＣＣＤの画像領域の測光時の利用区分を示す。このイ
ンターライン型ＣＣＤは、図１と同様に画像領域が受光
領域８と不感光領域９とから構成されている。本実施形
態では、受光領域８の中央部近傍に水平方向に存在する
垂直方向の画素数ｂの領域（以下、「測光領域８０２」
という）からの出力信号を用いて測光を行う。この測光
領域８０２以外の受光領域８は、測光領域８０２の下方
に隣接する垂直方向の画素数ｃの領域８０１と、測光領
域８０２の上方に隣接する垂直方向の画素数ｄの領域８
０３とに分けられる。また、不感光領域９の垂直方向の
画素数はａである。
する撮像装置で測光を行う場合について説明する。図２
に、本実施形態の撮像装置に用いられるインターライン
型ＣＣＤの画像領域の測光時の利用区分を示す。このイ
ンターライン型ＣＣＤは、図１と同様に画像領域が受光
領域８と不感光領域９とから構成されている。本実施形
態では、受光領域８の中央部近傍に水平方向に存在する
垂直方向の画素数ｂの領域（以下、「測光領域８０２」
という）からの出力信号を用いて測光を行う。この測光
領域８０２以外の受光領域８は、測光領域８０２の下方
に隣接する垂直方向の画素数ｃの領域８０１と、測光領
域８０２の上方に隣接する垂直方向の画素数ｄの領域８
０３とに分けられる。また、不感光領域９の垂直方向の
画素数はａである。
【００２３】本実施形態において、測光領域８０２の垂
直方向の画素数ｂと不感光領域９の垂直方向の画素数ａ
との関係が、ｂ≦ａとなるようにされている。これは、
後述するように、測光領域８０２からの信号電荷が総て
不感光領域９内に転送されるようにするためである。ま
た、不感光領域９の垂直方向の画素数ａは、撮像素子の
面積を縮小する観点から少ないほうが望ましく、コスト
の観点からは受光領域８の１／１０以下とすることが好
ましい。
直方向の画素数ｂと不感光領域９の垂直方向の画素数ａ
との関係が、ｂ≦ａとなるようにされている。これは、
後述するように、測光領域８０２からの信号電荷が総て
不感光領域９内に転送されるようにするためである。ま
た、不感光領域９の垂直方向の画素数ａは、撮像素子の
面積を縮小する観点から少ないほうが望ましく、コスト
の観点からは受光領域８の１／１０以下とすることが好
ましい。
【００２４】図３を用いて測光時の撮像素子の動作タイ
ミングを説明する。まず、時刻ｔ1において、撮像素子
のフォトダイオード１に蓄積された信号電荷が、垂直転
送パルスのφＶ1 及びφＶ3 に重畳された信号読み出し
パルスにより、読み出しゲート２を介して垂直ＣＣＤ３
の対応する電極下に転送される。
ミングを説明する。まず、時刻ｔ1において、撮像素子
のフォトダイオード１に蓄積された信号電荷が、垂直転
送パルスのφＶ1 及びφＶ3 に重畳された信号読み出し
パルスにより、読み出しゲート２を介して垂直ＣＣＤ３
の対応する電極下に転送される。
【００２５】次に、時刻ｔ2 において、水平ドレインゲ
ート６に印加される電圧φＤＧをハイレベルにするとと
もに、垂直転送パルスφＶ1 〜φＶ4 を高い周波数で駆
動する。これにより、信号電荷が水平ＣＣＤ４の方向に
通常の転送よりも高速で転送され、また水平ドレインゲ
ート６のポテンシャルが下がっているために、信号電荷
は水平ＣＣＤ４、水平ドレインゲート６を介して水平ド
レイン７に掃き捨てられる。
ート６に印加される電圧φＤＧをハイレベルにするとと
もに、垂直転送パルスφＶ1 〜φＶ4 を高い周波数で駆
動する。これにより、信号電荷が水平ＣＣＤ４の方向に
通常の転送よりも高速で転送され、また水平ドレインゲ
ート６のポテンシャルが下がっているために、信号電荷
は水平ＣＣＤ４、水平ドレインゲート６を介して水平ド
レイン７に掃き捨てられる。
【００２６】そして、測光領域８０２の下方に隣接する
領域８０１及び不感光領域９の電荷（垂直方向の画素数
ａ＋ｃ分）が水平ＣＣＤ４側に転送された時刻ｔ3 にお
いて、水平ドレインゲート６に印加される電圧φＤＧを
ロウレベルにして水平ドレインゲート６のポテンシャル
を上げるとともに、垂直転送パルスφＶ1 〜φＶ4 の駆
動周波数を通常の転送速度となるように低下させる。な
お、時刻ｔ3 には、ｂ≦ａの関係から、測光領域８０２
に蓄積された信号電荷が総て不感光領域９に転送されて
いる。また、水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 を駆動し、
時刻ｔ4 までに水平ＣＣＤ４内に残留する不要電荷を電
荷検出部５から掃き捨てる。
領域８０１及び不感光領域９の電荷（垂直方向の画素数
ａ＋ｃ分）が水平ＣＣＤ４側に転送された時刻ｔ3 にお
いて、水平ドレインゲート６に印加される電圧φＤＧを
ロウレベルにして水平ドレインゲート６のポテンシャル
を上げるとともに、垂直転送パルスφＶ1 〜φＶ4 の駆
動周波数を通常の転送速度となるように低下させる。な
お、時刻ｔ3 には、ｂ≦ａの関係から、測光領域８０２
に蓄積された信号電荷が総て不感光領域９に転送されて
いる。また、水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 を駆動し、
時刻ｔ4 までに水平ＣＣＤ４内に残留する不要電荷を電
荷検出部５から掃き捨てる。
【００２７】次に、引き続いて垂直転送パルスφＶ1 〜
φＶ4 及び水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 を駆動するこ
とにより、測光領域８０２の信号電荷が１水平走査毎に
１ラインずつ水平ＣＣＤ４に転送され、水平ＣＣＤ４に
転送された信号電荷が水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 に
より順次電荷検出部５に転送され、信号電荷が信号電圧
に変換されて固体撮像素子から外部に出力される。この
ように、時刻ｔ4 から時刻ｔ5 までの時間で、測光領域
８０２の信号電荷が水平ＣＣＤ４を介して電荷検出部５
から出力される。なお、測光領域８０２からの信号電荷
が不感光領域９に転送された後は、不感光領域９に光が
入射しないためにこの部分でスミアが発生することがな
い。
φＶ4 及び水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 を駆動するこ
とにより、測光領域８０２の信号電荷が１水平走査毎に
１ラインずつ水平ＣＣＤ４に転送され、水平ＣＣＤ４に
転送された信号電荷が水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 に
より順次電荷検出部５に転送され、信号電荷が信号電圧
に変換されて固体撮像素子から外部に出力される。この
ように、時刻ｔ4 から時刻ｔ5 までの時間で、測光領域
８０２の信号電荷が水平ＣＣＤ４を介して電荷検出部５
から出力される。なお、測光領域８０２からの信号電荷
が不感光領域９に転送された後は、不感光領域９に光が
入射しないためにこの部分でスミアが発生することがな
い。
【００２８】そして、図示しない積分器等からなる測光
機構において、出力された測光領域８０２の信号が積分
されて被写体の明るさの情報が得られる。得られた明る
さの情報をもとに、カメラの絞りや露出時間等を制御し
て被写体に最適な露光量で撮影が行われる。
機構において、出力された測光領域８０２の信号が積分
されて被写体の明るさの情報が得られる。得られた明る
さの情報をもとに、カメラの絞りや露出時間等を制御し
て被写体に最適な露光量で撮影が行われる。
【００２９】本実施形態の撮像装置においては、受光領
域８に隣接して不感光領域９を設け、測光領域８０２か
らの測光のための信号電荷が垂直ＣＣＤ３を高速で不感
光領域９に転送されるようにしたため、測光時のスミア
が低減されて、被写体像の明るさを正しく検出すること
ができるようになる。
域８に隣接して不感光領域９を設け、測光領域８０２か
らの測光のための信号電荷が垂直ＣＣＤ３を高速で不感
光領域９に転送されるようにしたため、測光時のスミア
が低減されて、被写体像の明るさを正しく検出すること
ができるようになる。
【００３０】なお、本実施形態では、被写体の明るさ検
出に測光領域８０２の画像信号を積分して用いたが、積
分の方式としては、重み付け積分方式若しくはピーク検
出方式又はこれらの方式を組み合わせた方式を用いても
よい。ここで、重み付け積分方式とは、撮像素子から出
力される出力信号のうち、測光領域８０２内の信号に対
して撮像素子の画素毎に予め定められた係数を掛け合わ
せた信号を積分し、被写体の明るさを検出する方式であ
る。また、ピーク検出方式とは、撮像素子から出力され
る出力信号のうち、測光領域８０２内の信号の最大値を
被写体の明るさ情報として用い、その値が所定値になる
ように絞り又は露光時間等を変化させ、被写体に最適な
露光量で撮影を行う方式である。
出に測光領域８０２の画像信号を積分して用いたが、積
分の方式としては、重み付け積分方式若しくはピーク検
出方式又はこれらの方式を組み合わせた方式を用いても
よい。ここで、重み付け積分方式とは、撮像素子から出
力される出力信号のうち、測光領域８０２内の信号に対
して撮像素子の画素毎に予め定められた係数を掛け合わ
せた信号を積分し、被写体の明るさを検出する方式であ
る。また、ピーク検出方式とは、撮像素子から出力され
る出力信号のうち、測光領域８０２内の信号の最大値を
被写体の明るさ情報として用い、その値が所定値になる
ように絞り又は露光時間等を変化させ、被写体に最適な
露光量で撮影を行う方式である。
【００３１】本実施形態では、水平ドレインゲート６に
印加する電圧φＤＧを変化させて水平ドレインゲート６
のポテンシャルを制御することで、測光時の不要電荷を
水平ドレイン７から掃き捨てるようにしているが、水平
ドレインゲート６のポテンシャルを固定にすることも可
能である。この場合には水平ドレインゲート６を駆動す
る回路が不要になる。
印加する電圧φＤＧを変化させて水平ドレインゲート６
のポテンシャルを制御することで、測光時の不要電荷を
水平ドレイン７から掃き捨てるようにしているが、水平
ドレインゲート６のポテンシャルを固定にすることも可
能である。この場合には水平ドレインゲート６を駆動す
る回路が不要になる。
【００３２】また、本実施形態では、水平ドレインゲー
ト６を介して水平ドレイン７から測光時の不要電荷を掃
き捨てるようにしているが、水平ＣＣＤ４を駆動して測
光時の不要電荷を電荷検出部５から掃き捨てることも可
能である。この場合には水平ドレインゲート６、水平ド
レイン７が不要になって撮像素子の構造が簡略化され
る。
ト６を介して水平ドレイン７から測光時の不要電荷を掃
き捨てるようにしているが、水平ＣＣＤ４を駆動して測
光時の不要電荷を電荷検出部５から掃き捨てることも可
能である。この場合には水平ドレインゲート６、水平ド
レイン７が不要になって撮像素子の構造が簡略化され
る。
【００３３】また、本実施形態では、垂直ＣＣＤ３への
信号電荷読み出しが、垂直転送パルスφＶ1 及びφＶ3
に同一フィールド内で信号読み出しパルスが重畳される
ことにより行われ、隣接するフォトダイオード１の信号
電荷が加算されて読み出されるいわゆるフィールド蓄積
読み出しを行うようにしたが、いわゆるフレーム蓄積読
み出しを行うようにしてもよい。
信号電荷読み出しが、垂直転送パルスφＶ1 及びφＶ3
に同一フィールド内で信号読み出しパルスが重畳される
ことにより行われ、隣接するフォトダイオード１の信号
電荷が加算されて読み出されるいわゆるフィールド蓄積
読み出しを行うようにしたが、いわゆるフレーム蓄積読
み出しを行うようにしてもよい。
【００３４】また、本実施形態では、時刻ｔ2 から時刻
ｔ3 までの垂直ＣＣＤ３の高速転送を、不感光領域９及
び領域８０１の電荷が掃き捨てられるまで、即ち垂直方
向の画素数ａ＋ｃ分が垂直ＣＣＤ３を転送されるまで行
い測光動作に要する時間が短くなるようにしたが、必ず
しも画素数ａ＋ｃ分の転送を行う必要はなく、測光領域
８０２の信号電荷が不感光領域９に転送されるまで転送
を行えばよい。
ｔ3 までの垂直ＣＣＤ３の高速転送を、不感光領域９及
び領域８０１の電荷が掃き捨てられるまで、即ち垂直方
向の画素数ａ＋ｃ分が垂直ＣＣＤ３を転送されるまで行
い測光動作に要する時間が短くなるようにしたが、必ず
しも画素数ａ＋ｃ分の転送を行う必要はなく、測光領域
８０２の信号電荷が不感光領域９に転送されるまで転送
を行えばよい。
【００３５】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。
明する。
【００３６】本実施形態の撮像装置に用いる固体撮像素
子は、図１で説明したものと同様のインターライン型Ｃ
ＣＤであり、このインターライン型ＣＣＤの画像領域の
測光時の利用区分は図２で説明したのと同様である。た
だし、本実施形態において、測光領域８０２の垂直方向
の画素数ｂと不感光領域９の垂直方向の画素数ａとの関
係は、ｂ−１≦ａとなるようにされている点で上記第１
の実施形態と異なっている。また、不感光領域９の垂直
方向の画素数ａは、撮像素子の面積を縮小する観点から
少ないほうが望ましく、コストの観点からは受光領域８
の１／１０以下とすることが好ましいのは第１の実施形
態と同じである。
子は、図１で説明したものと同様のインターライン型Ｃ
ＣＤであり、このインターライン型ＣＣＤの画像領域の
測光時の利用区分は図２で説明したのと同様である。た
だし、本実施形態において、測光領域８０２の垂直方向
の画素数ｂと不感光領域９の垂直方向の画素数ａとの関
係は、ｂ−１≦ａとなるようにされている点で上記第１
の実施形態と異なっている。また、不感光領域９の垂直
方向の画素数ａは、撮像素子の面積を縮小する観点から
少ないほうが望ましく、コストの観点からは受光領域８
の１／１０以下とすることが好ましいのは第１の実施形
態と同じである。
【００３７】次に、図４を用いて測光時の撮像素子の動
作タイミングを説明する。まず、時刻ｔ1 において、撮
像素子のフォトダイオード１に蓄積された信号電荷が、
垂直転送パルスのφＶ1 及びφＶ3 に重畳された信号読
み出しパルスにより、読み出しゲート２を介して垂直Ｃ
ＣＤ３の対応する電極下に転送される。
作タイミングを説明する。まず、時刻ｔ1 において、撮
像素子のフォトダイオード１に蓄積された信号電荷が、
垂直転送パルスのφＶ1 及びφＶ3 に重畳された信号読
み出しパルスにより、読み出しゲート２を介して垂直Ｃ
ＣＤ３の対応する電極下に転送される。
【００３８】次に、時刻ｔ2 において、水平ドレインゲ
ート６に印加される電圧φＤＧをハイレベルにするとと
もに、垂直転送パルスφＶ1 〜φＶ4 を高い周波数で駆
動する。これにより、信号電荷が水平ＣＣＤ４の方向に
通常の転送よりも高速で転送され、また水平ドレインゲ
ート６のポテンシャルが下がっているために、信号電荷
は水平ＣＣＤ４、水平ドレインゲート６を介して水平ド
レイン７に掃き捨てられる。
ート６に印加される電圧φＤＧをハイレベルにするとと
もに、垂直転送パルスφＶ1 〜φＶ4 を高い周波数で駆
動する。これにより、信号電荷が水平ＣＣＤ４の方向に
通常の転送よりも高速で転送され、また水平ドレインゲ
ート６のポテンシャルが下がっているために、信号電荷
は水平ＣＣＤ４、水平ドレインゲート６を介して水平ド
レイン７に掃き捨てられる。
【００３９】そして、測光領域８０２の下方に隣接する
領域８０１及び不感光領域９の電荷（垂直方向の画素数
ａ＋ｃ分）が水平ＣＣＤ４側に転送された時刻ｔ3 にお
いて、水平ドレインゲート６に印加される電圧φＤＧを
ロウレベルにして水平ドレインゲート６のポテンシャル
を上げる。その後、垂直ＣＣＤ３を時刻ｔ4 まで１画素
分だけ高速駆動する。これにより、水平ＣＣＤ４には測
光領域８０２の最初の１水平ライン分の信号電荷が転送
される。
領域８０１及び不感光領域９の電荷（垂直方向の画素数
ａ＋ｃ分）が水平ＣＣＤ４側に転送された時刻ｔ3 にお
いて、水平ドレインゲート６に印加される電圧φＤＧを
ロウレベルにして水平ドレインゲート６のポテンシャル
を上げる。その後、垂直ＣＣＤ３を時刻ｔ4 まで１画素
分だけ高速駆動する。これにより、水平ＣＣＤ４には測
光領域８０２の最初の１水平ライン分の信号電荷が転送
される。
【００４０】次に、時刻ｔ4 において、垂直転送パルス
φＶ1 〜φＶ4 の駆動周波数を通常の転送速度となるよ
うに低下させるとともに、水平転送パルスφＨ1 、φＨ
2 を駆動する。これにより、水平ＣＣＤ４にあった測光
領域８０２の最初の１水平ライン分の信号電荷が電荷検
出部５に転送され、また、測光領域８０２の信号電荷が
１水平走査毎に１ラインずつ水平ＣＣＤ４に転送され、
さらに水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 により順次電荷検
出部５に転送され、信号電圧に変換されて固体撮像素子
から外部に出力される。このように、時刻ｔ4 から時刻
ｔ5 までの時間で、測光領域８０２の信号電荷が水平Ｃ
ＣＤ４を介して電荷検出部５から出力される。なお、測
光領域８０２からの信号電荷が不感光領域９及び水平Ｃ
ＣＤ４に転送された後は、不感光領域９及び水平ＣＣＤ
４に光が入射しないためにこの部分でスミアが発生する
ことがない。
φＶ1 〜φＶ4 の駆動周波数を通常の転送速度となるよ
うに低下させるとともに、水平転送パルスφＨ1 、φＨ
2 を駆動する。これにより、水平ＣＣＤ４にあった測光
領域８０２の最初の１水平ライン分の信号電荷が電荷検
出部５に転送され、また、測光領域８０２の信号電荷が
１水平走査毎に１ラインずつ水平ＣＣＤ４に転送され、
さらに水平転送パルスφＨ1 、φＨ2 により順次電荷検
出部５に転送され、信号電圧に変換されて固体撮像素子
から外部に出力される。このように、時刻ｔ4 から時刻
ｔ5 までの時間で、測光領域８０２の信号電荷が水平Ｃ
ＣＤ４を介して電荷検出部５から出力される。なお、測
光領域８０２からの信号電荷が不感光領域９及び水平Ｃ
ＣＤ４に転送された後は、不感光領域９及び水平ＣＣＤ
４に光が入射しないためにこの部分でスミアが発生する
ことがない。
【００４１】そして、第１の実施形態と同様の測光機構
において、出力された測光領域８０２の信号が積分され
て被写体の明るさの情報が得られ、この得られた明るさ
の情報をもとに、カメラの絞りや露出時間等を制御して
被写体に最適な露光量で撮影が行われる。
において、出力された測光領域８０２の信号が積分され
て被写体の明るさの情報が得られ、この得られた明るさ
の情報をもとに、カメラの絞りや露出時間等を制御して
被写体に最適な露光量で撮影が行われる。
【００４２】本実施形態の撮像装置においては、受光領
域８に隣接して不感光領域９を設け、測光領域８０２か
らの測光のための信号電荷が垂直ＣＣＤ３を高速で不感
光領域９に転送されるようにするとともに、測光領域８
０２の最初の１水平ライン分の信号電荷を水平ＣＣＤ４
に転送するようにしたことにより、測光時のスミアが低
減されて、被写体像の明るさを正しく検出することがで
きるようになり、且つ、水平ＣＣＤ４を不感光領域９と
同様に用いることにより不感光領域９を１水平ライン分
少なくすることができる。
域８に隣接して不感光領域９を設け、測光領域８０２か
らの測光のための信号電荷が垂直ＣＣＤ３を高速で不感
光領域９に転送されるようにするとともに、測光領域８
０２の最初の１水平ライン分の信号電荷を水平ＣＣＤ４
に転送するようにしたことにより、測光時のスミアが低
減されて、被写体像の明るさを正しく検出することがで
きるようになり、且つ、水平ＣＣＤ４を不感光領域９と
同様に用いることにより不感光領域９を１水平ライン分
少なくすることができる。
【００４３】本実施形態でも、第１の実施形態と同様
に、フィールド蓄積読み出し及びフレーム蓄積読み出し
のいずれをも行うことができる。また、本実施形態で
は、時刻ｔ2 から時刻ｔ3 までの垂直ＣＣＤ３の高速転
送を、不感光領域９及び領域８０１の電荷が掃き捨てら
れるまで、即ち垂直方向の画素数ａ＋ｃ分が垂直ＣＣＤ
３を転送されるまで行い測光動作に要する時間が短くな
るようにしたが、必ずしも画素数ａ＋ｃ分の転送を行う
必要はなく、測光領域８０２の信号電荷が不感光領域９
に転送されるまで転送を行えばよい。
に、フィールド蓄積読み出し及びフレーム蓄積読み出し
のいずれをも行うことができる。また、本実施形態で
は、時刻ｔ2 から時刻ｔ3 までの垂直ＣＣＤ３の高速転
送を、不感光領域９及び領域８０１の電荷が掃き捨てら
れるまで、即ち垂直方向の画素数ａ＋ｃ分が垂直ＣＣＤ
３を転送されるまで行い測光動作に要する時間が短くな
るようにしたが、必ずしも画素数ａ＋ｃ分の転送を行う
必要はなく、測光領域８０２の信号電荷が不感光領域９
に転送されるまで転送を行えばよい。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
測光動作時において、測光領域の光電変換素子で発生し
た信号電荷が、相対的に大きな速度で垂直転送部を経て
不感光領域に転送されるために、測光領域の信号電荷へ
のスミアを低減でき、被写体の明るさ情報を正しく検出
することができるようになって、適正な露出での撮影が
可能になる。
測光動作時において、測光領域の光電変換素子で発生し
た信号電荷が、相対的に大きな速度で垂直転送部を経て
不感光領域に転送されるために、測光領域の信号電荷へ
のスミアを低減でき、被写体の明るさ情報を正しく検出
することができるようになって、適正な露出での撮影が
可能になる。
【図１】本発明の第１の実施形態の撮像装置で用いる撮
像素子の構成を示す図である。
像素子の構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の撮像装置に用いられ
る撮像素子の画像領域の測光時の利用区分を示す図であ
る。
る撮像素子の画像領域の測光時の利用区分を示す図であ
る。
【図３】本発明の第１の実施形態において、図１の撮像
素子の測光時の駆動タイミングを示す図である。
素子の測光時の駆動タイミングを示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態において、図１の撮像
素子の測光時の駆動タイミングを示す図である。
素子の測光時の駆動タイミングを示す図である。
【図５】インターライン型ＣＣＤの構成を示す図であ
る。
る。
１ フォトダイオード ２ 読み出しゲート ３ 垂直ＣＣＤ ４ 水平ＣＣＤ ５ 電荷検出部 ６ 水平ドレインゲート ７ 水平ドレイン ８ 受光領域 ９ 不感光領域 ８０１、８０３ 受光領域の一部領域 ８０２ 測光領域 ９０１ ダーク領域 ９０２ ダミー領域
Claims (7)
- 【請求項１】 ２次元に配列された光電変換素子及び前
記光電変換素子から読み出された信号電荷を一方向に転
送する垂直転送部を有する受光領域と、前記垂直転送部
からの信号電荷を転送する水平転送部と、前記水平転送
部から転送された信号電荷を検出する電荷検出部とを具
備する撮像素子を有する撮像装置において、 前記受光領域と前記水平転送部との間には、前記一方向
の画素数がａである不感光領域が設けられており、 測光動作時において、前記受光領域の一部であり前記一
方向の画素数ｂがａ以下である測光領域の前記光電変換
素子で発生した信号電荷が、相対的に大きな速度で前記
垂直転送部を経て前記不感光領域に転送されてから、相
対的に小さな速度で前記水平転送部を経て前記電荷検出
部に転送され、この電荷検出部から出力される信号を用
いて被写体の明るさを検出するように構成されているこ
とを特徴とする撮像装置。 - 【請求項２】 ２次元に配列された光電変換素子及び前
記光電変換素子から読み出された信号電荷を一方向に転
送する垂直転送部を有する受光領域と、前記垂直転送部
からの信号電荷を転送する水平転送部と、前記水平転送
部から転送された信号電荷を検出する電荷検出部とを具
備する撮像素子を有する撮像装置において、 前記受光領域と前記水平転送部との間には、前記一方向
の画素数がａである不感光領域が設けられており、 測光動作時において、前記受光領域の一部であり前記一
方向の画素数ｂから１を引いた数がａ以下である測光領
域の前記光電変換素子で発生した信号電荷が、相対的に
大きな速度で前記垂直転送部を経て前記不感光領域及び
前記水平転送部に転送されてから、相対的に小さな速度
で前記水平転送部を経て前記電荷検出部に転送され、こ
の電荷検出部から出力される信号を用いて被写体の明る
さを検出するように構成されていることを特徴とする撮
像装置。 - 【請求項３】 前記測光領域の前記光電変換素子で発生
した信号電荷が、相対的に大きな速度で前記垂直転送部
を経て前記不感光領域及び前記水平転送部に転送されて
いるときに、少なくとも前記不感光領域の不要電荷を排
出するように構成されていることを特徴とする請求項１
又は２に記載の撮像装置。 - 【請求項４】 前記不要電荷の排出は、前記水平転送部
を駆動し前記電荷検出部に電荷を転送することにより行
われるようにしたことを特徴とする請求項１〜３のいず
れか１項に記載の撮像装置。 - 【請求項５】 前記不要電荷の排出は、前記水平転送部
の前記一方向の延長上に水平ドレインを形成し、前記水
平転送部で電荷が所定量以上になった場合に前記水平ド
レインに電荷を排出することにより行われるようにした
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の
撮像装置。 - 【請求項６】 前記不要電荷の排出は、前記水平転送部
の前記一方向の延長上に水平ドレインゲート及び水平ド
レインを形成し、前記水平ドレインゲートに電圧を印加
して前記水平ドレインに電荷を排出することにより行わ
れるようにしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の撮像装置。 - 【請求項７】 前記不感光領域の前記一方向の画素数ａ
が、前記受光領域の前記一方向の画素数の１／１０以下
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
記載の撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8191194A JPH1042199A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8191194A JPH1042199A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1042199A true JPH1042199A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16270476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8191194A Pending JPH1042199A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1042199A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0957634A2 (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-17 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Onboard camera |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP8191194A patent/JPH1042199A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0957634A2 (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-17 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Onboard camera |
| EP0957634A3 (en) * | 1998-05-14 | 2001-12-05 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Onboard camera |
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