JPH10326856A - Lead frame and production of semiconductor device using the same - Google Patents

Lead frame and production of semiconductor device using the same

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JPH10326856A
JPH10326856A JP10061175A JP6117598A JPH10326856A JP H10326856 A JPH10326856 A JP H10326856A JP 10061175 A JP10061175 A JP 10061175A JP 6117598 A JP6117598 A JP 6117598A JP H10326856 A JPH10326856 A JP H10326856A
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JP
Japan
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island
leads
lead
semiconductor chip
lead frame
Prior art date
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Application number
JP10061175A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Suzuki
慎一 鈴木
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame and a method for producing a semiconductor device by which a small semiconductor device that has many leads and is hard to be short circuited during fixation to a substrate can be produced easily and efficiently. SOLUTION: In a lead frame provided with a plurality of leads 10, an island 14 for mounting a semiconductor chip and a tie bar 13 for connecting the leads 10, a bending part c is provided midway of the lead 10 to make an arrangement pitch of the lead 10 larger on the far-side compared to that on the near-side to the island 14. The semiconductor chip mounted on the island 14 and its periphery are packaged by resin molding, and then the tie bar 13 among the leads 10 is cut off in parallel along the peripheral edge of the lead 10 and removed thereafter. Projections 14a and 14b are formed on the side of the island 14, and they are pressed down to a stage during wire bonding.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップを載置
するためのリードフレーム、およびこれを用いた半導体
装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame for mounting a semiconductor chip and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】トランジスタ、ダイオード、集積回路
(IC)等の種々の回路を内部に形成された半導体チッ
プは、一般に、製造の最終段階で必要な数のリードを取
り付けられ、保護のために樹脂でモールドされて、完成
品である半導体装置とされる。この工程では、リードの
原形と半導体チップ取り付け用の部位とを有する金属製
のリードフレームが用いられる。半導体チップ取り付け
用の部位はアイランドと呼ばれ、1本のリードの先端部
に形成される。他のリードは先端部がアイランド近傍に
位置するように形成される。
2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor chip in which various circuits such as a transistor, a diode, and an integrated circuit (IC) are formed is provided with a necessary number of leads in a final stage of manufacturing, and a resin for protection. To form a completed semiconductor device. In this step, a metal lead frame having an original lead shape and a portion for attaching a semiconductor chip is used. The part for attaching a semiconductor chip is called an island and is formed at the tip of one lead. Other leads are formed such that the tips are located near the island.

【0003】半導体チップの上面には、入力または出力
のために、内部の回路に接続された複数のボンディング
パッドが設けられる。半導体チップは接着剤によりアイ
ランドに固着された後、ワイヤボンディングによってリ
ードの先端部と接続される。内部に形成される回路によ
っては、例えば入出力用の端子、電源用端子等を下面か
ら導出させた構成の半導体チップもあり、このような半
導体チップは、導電性の接着剤によりアイランドに固定
され、固定と同時に1本のリードに電気的に接続され
る。下面に露出した端子をもたない半導体チップの場
合、1つのボンディングパッドとアイランドの周辺部と
をワイヤで接続する場合もある。
A plurality of bonding pads connected to internal circuits are provided on the upper surface of a semiconductor chip for input or output. After the semiconductor chip is fixed to the island with an adhesive, it is connected to the tip of the lead by wire bonding. Depending on the circuit formed inside, there is also a semiconductor chip having a configuration in which, for example, input / output terminals, power supply terminals, etc. are led out from the lower surface, and such a semiconductor chip is fixed to the island by a conductive adhesive. , And at the same time, it is electrically connected to one lead. In the case of a semiconductor chip having no terminals exposed on the lower surface, one bonding pad may be connected to the periphery of the island by a wire.

【0004】樹脂モールドは、半導体チップ、アイラン
ドおよびリードの先端部を内包するように形成される。
リードのうち、樹脂モールドの内部に存在する部位はイ
ンナーリード、樹脂モールドの外部に存在する部位はア
ウターリードと呼ばれる。
[0004] The resin mold is formed so as to enclose the tip of the semiconductor chip, the island and the lead.
Of the leads, a portion existing inside the resin mold is called an inner lead, and a portion existing outside the resin mold is called an outer lead.

【0005】量産性を高めるためには、半導体チップの
アイランドへの固着、半導体チップとリードの接続、お
よび樹脂モールドの形成の工程を半導体チップごとに個
別に行うのではなく、1つの工程を多くの半導体チップ
について連続してあるいは並行して行うことが望まし
い。このため、1つのリードフレームには、アイランド
とリードから成る組が多数、並列して規則正しく形成さ
れる。全てのリードは、基端部で連結されるとともに、
リードフレームの撓みとリード間の間隔の変動を防止す
るために、基端部と先端部の中間部でも連結される。こ
の中間部を連結する部位はタイバーと呼ばれる。
In order to improve mass productivity, the steps of fixing a semiconductor chip to an island, connecting a semiconductor chip to a lead, and forming a resin mold are not performed individually for each semiconductor chip, but one step is often performed. It is desirable to perform the processing continuously or in parallel for the semiconductor chips. Therefore, a large number of pairs of islands and leads are regularly formed in parallel on one lead frame. All leads are connected at the proximal end,
In order to prevent the bending of the lead frame and the fluctuation of the interval between the leads, the connection is also made at an intermediate portion between the base end and the tip. The part connecting the intermediate parts is called a tie bar.

【0006】樹脂モールドを形成した状態の従来のリー
ドフレームを図5に示す。図5において、27は樹脂モ
ールド、21aおよび21bは1本のリード20のアウ
ターリード21、23はタイバーである。インナーリー
ドは樹脂モールド27に埋没しており、図には現れてい
ない。また、ここではリードフレームの一部のみを示し
ており、左右に連なる部位およびリード20の基端部は
省略している。この例では、1つの半導体装置は3本の
リード20を有する。
FIG. 5 shows a conventional lead frame with a resin mold formed. In FIG. 5, 27 is a resin mold, 21a and 21b are outer leads 21 and 23 of one lead 20 and tie bars. The inner leads are buried in the resin mold 27 and are not shown in the drawing. Also, only a part of the lead frame is shown here, and a portion connected to the left and right and a base end of the lead 20 are omitted. In this example, one semiconductor device has three leads 20.

【0007】リード20を連結するタイバー23を切除
し、アウターリード21を基端部側で切断することによ
り、個々の半導体装置が分離される。分離された半導体
装置のアウターリード21は、必要に応じて、樹脂モー
ルド27の外面に沿うように折曲げられる。完成品であ
る半導体装置は、他の部品とともに、基板に取り付けら
れる。基板への取り付けは、基板に形成されている配線
パターンとアウターリード21を接続し、かつ半導体装
置を強固に固定するために半田が使用される。
[0007] The tie bars 23 connecting the leads 20 are cut off, and the outer leads 21 are cut off at the base end side, whereby individual semiconductor devices are separated. The outer lead 21 of the separated semiconductor device is bent along the outer surface of the resin mold 27 as necessary. The completed semiconductor device is mounted on a substrate together with other components. For attachment to the board, solder is used to connect the wiring pattern formed on the board to the outer leads 21 and to firmly fix the semiconductor device.

【0008】半導体チップは小さく、また半導体装置は
小さいことが望ましく、インナーリードの配列ピッチ
(図5のA)は小さく設定される。一方、基板への取り
付けに際しては半田を用いることから、短絡を防止する
ために、アウターリード21のアイランドから遠い部位
21bの配列ピッチ(図5のB)は広く設定する必要が
ある。したがって、全てのリード20を直線状に形成す
るのではなく、少なくとも外側に位置するリードは屈曲
部を有するように形成される。
It is desirable that the semiconductor chip is small and the semiconductor device is small, and the arrangement pitch of the inner leads (A in FIG. 5) is set small. On the other hand, since solder is used for mounting to the board, the arrangement pitch (B in FIG. 5) of the portion 21b of the outer lead 21 far from the island needs to be set wide in order to prevent a short circuit. Therefore, not all the leads 20 are formed in a straight line, but at least the leads located outside are formed so as to have a bent portion.

【0009】リードフレームは金属板を所望の形状に打
ち抜くことにより形成されるが、従来は、図5に示した
ように、リード20を連結するタイバー23の一部をリ
ード20の屈曲部21cとして兼用することにより、構
成を簡素化している。その結果、アウターリード21の
配列ピッチはタイバー23を境として変化し、部位21
aではインナーリードのピッチAに等しく、部位21b
ではより大きなピッチBとなっている。タイバー23を
切除した後のリード20を拡大して図6に示す。タイバ
ー23のうち、隣合うリードを連結している部位のみが
切除され、一部は外側の2本のリードの屈曲部21cと
して残存している。
A lead frame is formed by punching a metal plate into a desired shape. Conventionally, as shown in FIG. 5, a part of a tie bar 23 connecting the leads 20 is formed as a bent portion 21c of the lead 20. The dual use simplifies the configuration. As a result, the arrangement pitch of the outer leads 21 changes with the tie bar 23 as a boundary,
a is equal to the pitch A of the inner lead,
Has a larger pitch B. FIG. 6 is an enlarged view of the lead 20 after the tie bar 23 has been cut off. Only the portion of the tie bar 23 that connects the adjacent leads is cut away, and a portion remains as the bent portion 21c of the two outer leads.

【0010】半導体チップに取り付けるリードが3本程
度と少ない場合、リードを屈曲させても、隣合うリード
間でピッチの大きい部位21bとピッチの小さい部位2
1aが接近することはない。したがって、タイバー23
をリード20の辺縁に平行に切断して、切除部位のリー
ド間の間隔を広く保つことができる。
When the number of leads to be attached to the semiconductor chip is as small as about three, even if the leads are bent, a portion 21b having a large pitch and a portion 2 having a small pitch between adjacent leads.
1a will not approach. Therefore, the tie bar 23
Can be cut parallel to the edge of the lead 20 to keep the space between the leads at the resection site wide.

【0011】ところが、半導体チップに取り付けるリー
ドが多くなると、リードを屈曲させることにより、1本
のリードのピッチの大きい部位が、隣のリードのピッチ
の小さい部位に接近する。4本のリードを取り付ける場
合のリードフレームを図7に示し、そのタイバー23を
切除した後のリード20を拡大して図8に示す。この場
合、外側の2本のリードのみならず、内側の2本のリー
ドも屈曲部21cを有しており、内側の2本のリードの
部位21bは外側の2本のリードの部位21aに接近し
ている。したがって、タイバー23を切除した後のリー
ドの間隔をできるだけ広くするためには、図8に示した
如く、タイバー23をリード20の辺縁に平行ではなく
斜めに切断しなければならない。
However, when the number of leads to be attached to the semiconductor chip increases, by bending the leads, a portion having a large pitch of one lead approaches a portion having a small pitch of an adjacent lead. FIG. 7 shows a lead frame when four leads are attached, and FIG. 8 shows an enlarged view of the lead 20 after the tie bar 23 has been cut off. In this case, not only the outer two leads but also the inner two leads have the bent portions 21c, and the inner two lead portions 21b are close to the outer two lead portions 21a. doing. Therefore, in order to increase the interval between the leads after the tie bar 23 is cut off, the tie bar 23 must be cut obliquely, not parallel to the edge of the lead 20, as shown in FIG.

【0012】しかしながら、斜めに切断してもタイバー
切除部のリードの間隔を広くするには限界がある。しか
も、斜めに切断するためには厳密な位置合わせが必要で
あり、位置合わせが正確になされないとリード間の間隔
が一様でなくなって、所定の間隔に達しない個所が生じ
る。リード間の間隔が狭いと、基板への取り付けに際
し、半田が盛り上がって隣合うリードが接触し、短絡す
るという不都合が生じ易い。
[0012] However, there is a limit to widening the interval between the leads of the tie bar excision portion even if the oblique cutting is performed. In addition, strict alignment is required to cut diagonally, and if the alignment is not accurate, the intervals between the leads will not be uniform, and there will be places where the predetermined intervals are not reached. If the spacing between the leads is small, the solder may swell and the adjacent leads may come into contact with each other upon mounting to the substrate, which may cause a short circuit.

【0013】このリード間の短絡を防止するために、タ
イバーを切除した部位のリードの表面に電気絶縁性の樹
脂を塗着して、絶縁コートを形成することが行われてい
る。図8の例では破線で囲った部位に絶縁コートが形成
される。
In order to prevent the short circuit between the leads, an electrically insulating resin is applied to the surface of the lead where the tie bar has been cut to form an insulating coat. In the example of FIG. 8, an insulating coat is formed in a portion surrounded by a broken line.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】タイバー切除部に絶縁
コートを形成する方法は、リード間の絶縁を確保するの
に有用である。しかしながら、絶縁コートの形成はタイ
バーを切除した後に行わなければならず、換言すれば、
半導体装置ごとに個別に行わなければならない。このた
め、単なる工程数の増加にとどまらず、半導体装置の製
造効率の大きな低下が避けられない。しかも、発光ダイ
オード、受光IC、フォトインタラプタ等の光−電気変
換素子を使用した半導体装置の場合には、絶縁コートの
樹脂がはみ出して光の出入口を塞ぐ恐れもある。
The method of forming an insulating coat on a cut portion of a tie bar is useful for securing insulation between leads. However, the formation of the insulating coat must be performed after the tie bar has been cut, in other words,
This must be performed individually for each semiconductor device. For this reason, the manufacturing efficiency of the semiconductor device is inevitably reduced not only by simply increasing the number of steps. In addition, in the case of a semiconductor device using a light-to-electric conversion element such as a light emitting diode, a light receiving IC, and a photo interrupter, there is a possibility that the resin of the insulating coat may protrude and block the light entrance and exit.

【0015】さらに、タイバーを斜めに切断するために
厳密な位置合わせをする必要があり、これを可能にする
ためにリードフレームの加工精度を高くする必要もあ
る。このような理由により、従来のリードフレームの構
造は、半導体装置製造のコストの低減や歩留まりの向上
の障害の要因となっている。
Further, it is necessary to perform strict alignment for cutting the tie bar obliquely, and it is necessary to increase the processing accuracy of the lead frame to enable this. For these reasons, the structure of the conventional lead frame is an obstacle to reducing the cost of manufacturing the semiconductor device and improving the yield.

【0016】半導体チップのアイランドへの固着やワイ
ヤボンディングは、リードフレームを平坦なステージに
載置し、インナーリードのタイバー側をピンで上方から
押し付けて行われる。ワイヤボンディングを行うときの
アイランドを側方から見た様子を図9に示す。図9にお
いて、31はアイランド、32はインナーリード、33
は半導体チップ、34はボンディングパッド、35はワ
イヤ、36はステージ、37はキャピラリツール、38
は押し付け用のピンである。通常の場合、アイランド3
1、リード32はともにステージ36の上面に密接し、
半導体チップ33もアイランド31の上面に密接する。
The bonding of the semiconductor chip to the island and the wire bonding are performed by placing the lead frame on a flat stage and pressing the tie bar side of the inner lead from above with a pin. FIG. 9 shows an island viewed from the side when wire bonding is performed. In FIG. 9, 31 is an island, 32 is an inner lead, 33
Is a semiconductor chip, 34 is a bonding pad, 35 is a wire, 36 is a stage, 37 is a capillary tool, 38
Is a pin for pressing. Normally, Island 3
1. Both the leads 32 are in close contact with the upper surface of the stage 36,
The semiconductor chip 33 is also in close contact with the upper surface of the island 31.

【0017】この状態で、キャピラリツール37を降下
させて、その先端から突出するワイヤ35を、半導体チ
ップ33を損傷しない程度の力で、ボンディングパッド
34に押し当てる。そしてキャピラリツール37よりワ
イヤ35の先端に超音波を作用させて、ワイヤ35をボ
ンディングパッド34に固定する。次いで、キャピラリ
ツール37を移動させてリード32上に降下させ、同様
に力と超音波を加えてワイヤ35をリード32に固定
し、切断する。
In this state, the capillary tool 37 is lowered, and the wire 35 protruding from the tip is pressed against the bonding pad 34 with a force that does not damage the semiconductor chip 33. Then, an ultrasonic wave is applied to the tip of the wire 35 from the capillary tool 37 to fix the wire 35 to the bonding pad 34. Next, the capillary tool 37 is moved and lowered onto the lead 32, and similarly, force and ultrasonic waves are applied to fix the wire 35 to the lead 32 and cut it.

【0018】ところが、アイランドは他のどのリードの
先端部よりもタイバーから遠い位置にあるため、アイラ
ンドの先端は浮き上がり易くステージの上面から離間し
易い。アイランド31の先端がステージ36から離間し
た状態を図9に鎖線で示す。この状態で半導体チップ3
3をアイランド31に固着しても両者が密接せず、強固
な固定をすることはできない。
However, since the island is located farther from the tie bar than the tip of any other lead, the tip of the island is easily lifted and separated from the upper surface of the stage. The state in which the tip of the island 31 is separated from the stage 36 is shown by a chain line in FIG. In this state, the semiconductor chip 3
Even if 3 is fixed to the island 31, they do not come into close contact with each other and cannot be firmly fixed.

【0019】また、アイランド31の先端がステージ3
6から離間した状態でワイヤボンディングを行うと、ア
イランド31が撓むため、十分な力がワイヤ35に加わ
らなくなり、超音波も散逸してしまう。したがって、ボ
ンディングパッド34とワイヤ35を良好に接続するこ
とはできなくなる。アイランド31の周辺部にワイヤ3
5を接続する場合も同様に、アイランド31とワイヤ3
5を良好に接続することはできない。
The tip of the island 31 is the stage 3
If wire bonding is performed in a state separated from 6, the island 31 bends, so that a sufficient force is not applied to the wire 35 and ultrasonic waves are also dissipated. Therefore, the bonding pad 34 and the wire 35 cannot be connected well. Wire 3 around the island 31
5 is connected to the island 31 and the wire 3
5 cannot be connected well.

【0020】浮き上がりを防止するために、半導体チッ
プのアイランドへの固着やワイヤボンディングに際して
は、アイランドの先端部を別のピンによって上方から押
さえ付けることが行われている。図9において39がそ
のピンであり、アイランド31の先端部をステージ36
に押さえ付ける。このため、アイランド31の面積は、
半導体チップを載置するのに必要な面積より大きく設定
されており、その分樹脂モールドが大きくなって、完成
品である半導体装置も大型化している。
In order to prevent the semiconductor chip from floating, when the semiconductor chip is fixed to the island or wire-bonded, the tip of the island is pressed from above by another pin. In FIG. 9, reference numeral 39 denotes the pin.
Press down on. Therefore, the area of the island 31 is
The area required for mounting the semiconductor chip is set to be larger than that of the semiconductor chip, and the resin mold is increased accordingly, and the semiconductor device as a finished product is also becoming larger.

【0021】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、リードが多くしかも基板への取り付けに際してリ
ード間が短絡し難い小型の半導体装置を、容易にかつ効
率よく製造することが可能なリードフレームおよび半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and can easily and efficiently manufacture a small-sized semiconductor device having a large number of leads and in which the leads are hardly short-circuited when mounted on a substrate. It is an object to provide a method for manufacturing a lead frame and a semiconductor device.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、半導体チップを載置するためのアイラ
ンド、アイランドに連なりまたはアイランドに接近した
端部を有し、アイランドに近い第1の領域では第1のピ
ッチで互いに略平行に、第1の領域に隣接しアイランド
から遠い第2の領域では第1のピッチよりも大きい第2
のピッチで互いに略平行に配列された複数のリード、お
よび複数のリードを連結する直線状のタイバーより成る
リードフレームにおいて、タイバーは第1の領域で複数
のリードを連結しているものとする。
In order to achieve the above object, the present invention provides an island for mounting a semiconductor chip, an end connected to or close to the island, and a first island close to the island. In the second area, which is substantially parallel to each other at the first pitch, and in the second area adjacent to the first area and remote from the island, the second area larger than the first pitch
In a lead frame including a plurality of leads arranged substantially in parallel with each other at a pitch of and a linear tie bar connecting the plurality of leads, the tie bar connects the plurality of leads in the first region.

【0023】複数のリードのうち少なくとも1本はアイ
ランドに連なり、他は端部がアイランドの近傍に位置す
る。これらのリードは略平行に配列されており、その配
列ピッチは途中で変化し、アイランドから遠い側の方が
アイランドに近い側よりも大きい。タイバーは、リード
の配列ピッチの小さい部位、すなわちピッチが変化する
部位よりもアイランドに近い部位でリードを連結する。
したがって、隣合うリード間に存在するタイバーの部位
の長さは、リードの配列ピッチの変化の仕方がどのよう
なものであっても、アイランドに近い部位でのリードの
ピッチのみによって定まることになる。
At least one of the leads is connected to the island, and the other end is located near the island. These leads are arranged substantially in parallel, and the arrangement pitch changes on the way, and the side farther from the island is larger than the side closer to the island. The tie bar connects the leads at a portion where the arrangement pitch of the leads is small, that is, a portion closer to the island than a portion where the pitch changes.
Therefore, the length of the portion of the tie bar existing between the adjacent leads is determined only by the pitch of the lead at the portion near the island, regardless of how the arrangement pitch of the leads changes. .

【0024】リードの辺縁に対して平行にタイバーを切
断することで、リード間に存在するタイバーの略全体が
容易に除去される。これにより、隣合うリードのタイバ
ーによって連結されていた部位の間隔は、連結されてい
なかった部位の間隔と同程度になり、外力によってリー
ドが多少動いたとしても、隣合うリードが接触し難い。
By cutting the tie bar parallel to the edge of the lead, substantially the entire tie bar existing between the leads is easily removed. As a result, the interval between the portions connected by the tie bars of the adjacent leads is substantially equal to the interval between the portions that are not connected, and even if the leads slightly move due to an external force, the adjacent leads hardly come into contact with each other.

【0025】上記構成のリードフレームにおいて、第1
の領域と第2の領域の境界を複数のリードに対して略垂
直とし、複数のリードをその境界上で屈曲させてもよ
い。リードは配列ピッチに変化をもたらすための屈曲部
を有することになる。各リードの屈曲部は、アイランド
から略等しい距離に位置し、直線上に存在する。このた
め、隣合うリードの屈曲部の間隔は狭くなるが、タイバ
ーは屈曲部以外の部位でリードを連結しているから、タ
イバー切除後に屈曲部の間隔がさらに狭くなることはな
い。また、屈曲部がタイバーの切除に際して障害となる
こともない。しかも、アイランドからの距離が異なる位
置でリードを屈曲させる場合に比べて、リードの長さを
短くすることができる。
In the lead frame having the above structure, the first
May be substantially perpendicular to the plurality of leads, and the plurality of leads may be bent on the boundary. The lead will have a bend to effect a change in the array pitch. The bent portion of each lead is located at a substantially equal distance from the island and exists on a straight line. For this reason, the interval between the bent portions of the adjacent leads becomes narrower, but since the tie bar connects the leads at portions other than the bent portion, the interval between the bent portions after the tie bar is cut does not become narrower. Further, the bent portion does not hinder the cutting of the tie bar. In addition, the length of the lead can be reduced as compared with the case where the lead is bent at a position at a different distance from the island.

【0026】複数のリードを、タイバーよりもアイラン
ドに近い部分を除き、アイランドを通る直線に関して対
称に形成してもよい。リードの配列ピッチに変化をもた
らすための屈曲部の長さが対称となり、隣合うリードの
屈曲部の間隔が狭くなることを最小限に抑えることがで
きる。
The plurality of leads may be formed symmetrically with respect to a straight line passing through the island, except for a portion closer to the island than the tie bar. The length of the bent portion for causing a change in the arrangement pitch of the leads becomes symmetrical, and it is possible to minimize the narrowing of the interval between the bent portions of the adjacent leads.

【0027】アイランドおよび複数のリードから成りタ
イバーによって連結された組をリードフレームに複数設
けるとよい。一度に多数の半導体装置を製造することが
できる。
It is preferable to provide a lead frame with a plurality of sets each composed of an island and a plurality of leads and connected by tie bars. Many semiconductor devices can be manufactured at one time.

【0028】本発明ではまた、上記のリードフレームを
用い、ボンディングパッドを有する半導体チップをアイ
ランドに固着し、複数のリードのうちアイランドに連な
らないものの端部とボンディングパッドをワイヤで接続
し、半導体チップとアイランドと複数のリードの端部を
樹脂モールドで封止した後、複数のリードの間に存在す
るタイバーの部位を複数のリードの辺縁に平行に切断し
て除去することにより半導体装置を製造する。タイバー
をリードの辺縁に対して平行に切断することで、リード
間に存在するタイバーの部位を略完全に除去し得るか
ら、半導体装置のリードの間隔を広く保つことができ
る。また、タイバーの切除も容易である。
According to the present invention, a semiconductor chip having a bonding pad is fixed to an island by using the above-mentioned lead frame, and an end of a plurality of leads not connected to the island is connected to the bonding pad by a wire. The semiconductor device is manufactured by sealing the ends of the lead and the island and the leads with a resin mold, and cutting and removing the tie bar portions existing between the leads in parallel with the edges of the leads. I do. By cutting the tie bar in parallel with the edge of the lead, the portion of the tie bar existing between the leads can be almost completely removed, so that the interval between the leads of the semiconductor device can be kept wide. Also, the tie bar can be easily removed.

【0029】前記目的を達成するために、本発明ではさ
らに、半導体チップを載置するための略矩形のアイラン
ド、アイランドの第1の辺縁に連なりこの第1の辺縁に
対して略垂直な方向に延びる第1のリード、およびアイ
ランドに接近した端部を有し第1のリードと略同じ方向
に延びる複数の第2のリードより成るリードフレームに
おいて、アイランドは第1のリードに略平行な第2の辺
縁に突起部を有するものとする。
In order to achieve the above object, the present invention further provides a substantially rectangular island for mounting a semiconductor chip, and is connected to a first edge of the island and substantially perpendicular to the first edge. In a lead frame comprising a first lead extending in a direction and a plurality of second leads having ends proximate to the island and extending in substantially the same direction as the first lead, the island is substantially parallel to the first lead. It is assumed that the second edge has a protrusion.

【0030】突起部は、半導体チップのアイランドへの
固着またはワイヤボンディングに際して、アイランドの
浮き上がりを防止するためにピンで押さえ付ける部位と
して利用することができる。また、ワイヤと接続する部
位としても利用可能である。したがって、突起部を除く
アイランドを、半導体チップを載置するに足る最小限の
大きさとすることができる。
The protruding portion can be used as a portion to be held down by a pin in order to prevent the island from floating when the semiconductor chip is fixed to the island or wire-bonded. Also, it can be used as a part to be connected to a wire. Therefore, the size of the island excluding the protrusions can be reduced to a minimum size for mounting the semiconductor chip.

【0031】通常の場合、第2のリードの一部はアイラ
ンドの第2の辺縁に沿うように設けられるから、突起部
を含むアイランドの幅すなわち第1の辺縁方向の長さ
を、外側の2つの第2のリードの距離以下とすることが
できる。したがって、アイランドの第2の辺縁に突起部
を設けることは樹脂モールドの大きさに影響を及ぼさ
ず、半導体装置の大型化を招くことがない。
In a normal case, a part of the second lead is provided along the second edge of the island, so that the width of the island including the protrusion, that is, the length in the first edge direction is set to the outside. The distance may be equal to or less than the distance between the two second leads. Therefore, providing the protrusion on the second edge of the island does not affect the size of the resin mold, and does not increase the size of the semiconductor device.

【0032】本発明ではまた、上記のリードフレームを
用い、上面に入力または出力のためのボンディングパッ
ドを有する半導体チップをアイランドに固着し、アイラ
ンドおよび第2のリードの端部をステージに載置して突
起部を上方から押さえて、ボンディングパッドと第2の
リードの端部または突起部とをワイヤで接続することに
より半導体装置を製造する。ボンディングパッドとリー
ドとのワイヤボンディングまたはアイランドと半導体チ
ップとの接続を確実に行うことができるから、信頼性の
高い半導体装置を製造することができる上、アイランド
が小さいため、得られる半導体装置が小型になる。
In the present invention, a semiconductor chip having a bonding pad for input or output on an upper surface is fixed to an island using the above-mentioned lead frame, and the end of the island and the second lead are placed on a stage. The semiconductor device is manufactured by pressing the protrusion from above and connecting the bonding pad and the end or protrusion of the second lead with a wire. Since the wire bonding between the bonding pad and the lead or the connection between the island and the semiconductor chip can be reliably performed, a highly reliable semiconductor device can be manufactured. Further, since the island is small, the obtained semiconductor device is small. become.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図1に、本発明の一実
施形態であるリードフレーム1に樹脂モールド7を形成
した状態を示す。リードフレーム1は、電気導電性の金
属板から不必要な部位をパンチングまたはエッチング処
理により除去して形成されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a state in which a resin mold 7 is formed on a lead frame 1 according to one embodiment of the present invention. The lead frame 1 is formed by removing unnecessary portions from an electrically conductive metal plate by punching or etching.

【0034】このリードフレーム1は、多数の半導体チ
ップの各々に4本のリードを取り付けるためのものであ
り、4本で1群の帯状のリード10を多数有している。
全てのリード10は同じ方向に向けて配列されており、
基端部においてこれらと直交する幅広の連結部15によ
り連結されている。全てのリード群は一定のピッチで規
則正しく配列されており、連結部15には各群の位置を
示すための貫通孔15aが上記一定のピッチで形成され
ている。
The lead frame 1 is for attaching four leads to each of a large number of semiconductor chips, and has a large number of band-shaped leads 10 in four groups.
All leads 10 are arranged in the same direction,
At the base end, they are connected by a wide connecting portion 15 orthogonal to these. All the lead groups are regularly arranged at a constant pitch. Through holes 15a for indicating the positions of the groups are formed in the connecting portion 15 at the constant pitch.

【0035】リード10の先端部は樹脂モールド7に埋
没しており、全てのリード10は、先端部と基端部の中
間部において、それらと直交する直線状のタイバー13
によって連結されている。タイバー13は、連結部15
によるリード10の連結を補強して、リードフレーム1
の撓みとリード10の間隔の変動を防止するためのもの
である。タイバー13は、リード10の一部を成すもの
ではなく、後に切除される。
The tip of the lead 10 is buried in the resin mold 7, and all the leads 10 have a straight tie bar 13 perpendicular to them at an intermediate portion between the tip and the base.
Are linked by The tie bar 13 is connected to the connecting portion 15.
Of the lead 10 by the lead frame 1
This is to prevent the bending of the lead 10 and the fluctuation of the interval between the leads 10. The tie bar 13 does not form a part of the lead 10 and is cut off later.

【0036】リードフレーム1のうち1つの半導体装置
となる一部分を拡大して図2に示し、これに樹脂モール
ド7を形成した後の状態を図3に示す。図2に示したよ
うに、4本のリード10のうちの1本の先端部は半導体
チップを載置するためのアイランド14として大きく形
成されている。4本のリード10のうちの他の先端部
は、いずれもアイランド14の近傍に位置する。各リー
ド10のうち、図2の破線より上方に位置する部位12
が図3の樹脂モールド7に覆われるインナーリード、破
線よりも下方の部位11が樹脂モールド7の外部に位置
するアウターリードとなる。
FIG. 2 is an enlarged view of a part of the lead frame 1 which will be one semiconductor device, and FIG. 3 shows a state after the resin mold 7 is formed thereon. As shown in FIG. 2, the tip of one of the four leads 10 is formed large as an island 14 for mounting a semiconductor chip. The other ends of the four leads 10 are located near the island 14. A portion 12 of each lead 10 located above the broken line in FIG.
Are the inner leads covered by the resin mold 7 in FIG. 3, and the portion 11 below the broken line is the outer lead located outside the resin mold 7.

【0037】図示しないが、アイランド14に載置され
る半導体チップは入出力端子を含む4つの端子を有して
おり、そのうちの1つは下面として露出し、残りの3つ
は上面に形成された3つのボンディングパッドに接続さ
れている。半導体チップは導電性の接着剤によりアイラ
ンド14に固着され、ボンディングパッドとインナーリ
ード12が例えば金製のワイヤによって接続される。こ
れにより、4つの端子がそれぞれ異なるリード10に電
気的に接続される。
Although not shown, the semiconductor chip mounted on the island 14 has four terminals including input / output terminals, one of which is exposed as a lower surface, and the other three are formed on an upper surface. Connected to the three bonding pads. The semiconductor chip is fixed to the island 14 by a conductive adhesive, and the bonding pad and the inner lead 12 are connected by, for example, a gold wire. Thus, the four terminals are electrically connected to the different leads 10, respectively.

【0038】4本のリード10のどの先端部にアイラン
ド14を形成するかは任意であり、ワイヤとインナーリ
ード12のどの部位を接続するかも任意である。これら
は、ワイヤボンディングを容易に行い得るように、半導
体チップのボンディングパッドの位置に応じて定めると
よい。特に、インナーリード12の接続部位は、樹脂モ
ールド形成時にワイヤを損傷することなく樹脂を注入す
ることができるように、樹脂の注入方向を考慮して定め
るのが好ましい。
The tip of the four leads 10 at which the island 14 is formed is optional, and the connection between the wire and the inner lead 12 is also optional. These may be determined according to the positions of the bonding pads of the semiconductor chip so that wire bonding can be easily performed. In particular, it is preferable that the connection portion of the inner lead 12 is determined in consideration of the resin injection direction so that the resin can be injected without damaging the wire during the formation of the resin mold.

【0039】なお、リードフレーム1は、3つの端子の
みを有し各端子が上面に形成されたボンディングパッド
に連なっている半導体チップ、すなわち下面をリード1
0と接続する必要のない半導体チップにも適用可能であ
る。その場合、アイランド14に連なるリードは、樹脂
モールド7を形成するまでアイランド14を固定するた
めの単なる支持部材として機能することになる。したが
って、導電性の接着剤ではなく絶縁性の接着剤で半導体
チップをアイランドに固着してもよく、アイランド14
に連なるリードのアウターリード11は切断して除去す
る。
The lead frame 1 has only three terminals, and each terminal is connected to a bonding pad formed on the upper surface.
The present invention is also applicable to a semiconductor chip that does not need to be connected to 0. In this case, the lead connected to the island 14 functions as a mere support member for fixing the island 14 until the resin mold 7 is formed. Therefore, the semiconductor chip may be fixed to the island with an insulating adhesive instead of a conductive adhesive.
The outer leads 11 of the leads connected to are cut and removed.

【0040】リードフレーム1は、また、上面に4つの
ボンディングパッドを有し、4つの端子の全てがボンデ
ィングパッドに接続されている半導体チップにも適用す
ることができる。この場合、導電性または絶縁性の接着
剤で半導体チップをアイランド14に固着し、ボンディ
ングパッドの1つをアイランド14に連なるリードにワ
イヤで接続する。このリードは、当然、樹脂モールド7
を形成した後も保存する。
The lead frame 1 can also be applied to a semiconductor chip having four bonding pads on the upper surface and all four terminals connected to the bonding pads. In this case, the semiconductor chip is fixed to the island 14 with a conductive or insulating adhesive, and one of the bonding pads is connected to a lead connected to the island 14 by a wire. This lead is, of course, a resin mold 7
Store after forming.

【0041】アイランド14は略矩形であり、インナー
リード12に平行な2つの辺縁には突起部14a、14
bが形成されている。突起部14a、14bを除くアイ
ランド14の大きさは、半導体チップを載置するために
必要な最小限の大きさに設定されている。突起部14
a、14bはリードに連なる辺縁に対向する辺縁の近傍
に設けられている。
The island 14 is substantially rectangular, and the protrusions 14a, 14a
b is formed. The size of the island 14 excluding the protrusions 14a and 14b is set to the minimum size required for mounting the semiconductor chip. Projection 14
a and 14b are provided near the edge facing the edge connected to the lead.

【0042】一方の突起部14aは真っ直ぐで、その辺
縁はアイランド14の辺縁に連続している。他方の突起
部14bはリード10から遠ざかる方向に向かって屈曲
している。突起部14bの先端部および突起部14aは
半導体チップをアイランド14に固着する際および/ま
たはワイヤボンディングを行う際に、ピンで押し付ける
部位として利用される。突起部14bの基端部はワイヤ
と接続するための部位としても使用することができる。
One of the protrusions 14a is straight, and its edge is continuous with the edge of the island 14. The other protrusion 14 b is bent in a direction away from the lead 10. The tip of the projection 14b and the projection 14a are used as a part pressed by a pin when the semiconductor chip is fixed to the island 14 and / or when wire bonding is performed. The base end of the projection 14b can also be used as a part for connecting to a wire.

【0043】4本のインナーリード12のうち外側の2
本は、突起部14aまたは14bの近傍にまで達してお
り、突起部14a、14bを形成したアイランド14の
辺縁に沿っている。このように、インナーリード12を
アイランド14に沿わせると、ワイヤと接続する部位を
自由に選択することができる。したがって、ボンディン
グパッドの位置が異なる種々の半導体チップにリードフ
レーム1を用いることが可能になり、また、樹脂モール
ド形成時の樹脂の注入方向を考慮してワイヤとの接続部
位の位置を決定することができる。
Outer two of the four inner leads 12
The book reaches the vicinity of the protrusion 14a or 14b, and is along the edge of the island 14 on which the protrusions 14a and 14b are formed. As described above, when the inner lead 12 is arranged along the island 14, a portion to be connected to the wire can be freely selected. Therefore, the lead frame 1 can be used for various semiconductor chips having different positions of the bonding pads, and the position of the connection portion with the wire is determined in consideration of the resin injection direction at the time of forming the resin mold. Can be.

【0044】インナーリード12は等しいピッチAで互
いに平行に形成されている。このピッチAは、リード1
0の先端部がアイランド14の近傍に位置するように、
小さく設定されている。これにより、樹脂モールド7を
半導体チップとリード10の先端部の保護に必要な最小
の大きさに形成することが可能になっている。アウター
リード11のうち樹脂モールド7に近い部位11a(以
下、近部位という)はインナーリード12の延長上に形
成されており、インナーリード12と同じピッチAを有
する。
The inner leads 12 are formed at the same pitch A and in parallel with each other. This pitch A corresponds to lead 1
0 is located near the island 14,
It is set small. This makes it possible to form the resin mold 7 to the minimum size necessary to protect the semiconductor chip and the tip of the lead 10. A portion 11a of the outer lead 11 that is closer to the resin mold 7 (hereinafter, referred to as a near portion) is formed on an extension of the inner lead 12, and has the same pitch A as the inner lead 12.

【0045】一方、アウターリード11のうち樹脂モー
ルド7から遠い部位11b(以下、遠部位という)は、
基板への取り付けを容易にするとともにその際の半田に
よる短絡を防止するために、インナーリード12のピッ
チAよりも大きいピッチBにする必要がある。このた
め、アウターリード11には途中に屈曲部11cが形成
されている。屈曲部11cによるアウターリード11の
近部位11aと遠部位11bの位置のずれは、外側の2
本の方が内側の2本よりも大きい。4本のアウターリー
ド11は左右対称に設定されており、このように対称関
係をもたせることで、内側の2本のリードの遠部位11
bを外側にずらす量を等しくして最小にすることができ
る。
On the other hand, a portion 11b of the outer lead 11 far from the resin mold 7 (hereinafter referred to as a far portion)
The pitch B of the inner leads 12 needs to be larger than the pitch A of the inner leads 12 in order to facilitate attachment to the substrate and to prevent a short circuit due to solder at that time. Therefore, a bent portion 11c is formed in the outer lead 11 in the middle. The displacement between the near portion 11a and the far portion 11b of the outer lead 11 due to the bent portion 11c is equal to the outer two positions.
The book is larger than the two inner ones. The four outer leads 11 are set to be symmetrical left and right, and by providing such a symmetrical relationship, the distant portions 11 of the two inner leads are provided.
The amount by which b is shifted outward can be equalized and minimized.

【0046】全てのリード10の屈曲部11cはアイラ
ンド14から等距離に形成されており、したがって、隣
合うリードの間隔は屈曲部11c近傍で他のどの部位よ
りも小さくなる。ただし、相互の間隔が最も狭くなる屈
曲部11cは、基板への取り付けに際し半田が盛り上が
ったとしても互いに接触することがないように、十分な
大きさに設計されている。具体的には、間隔の減少を最
小限に抑えるために、屈曲部11cの向かい合う辺縁
を、他の部位の辺縁に対して斜めにして、互いに略平行
になるように設定している。リードフレーム1はパンチ
ングまたはエッチングによって一度に全体が形成される
から、リード10の間隔にばらつきが生じることはな
く、屈曲部11cの間隔も設計どおりとなる。
The bent portions 11c of all the leads 10 are formed at the same distance from the island 14, so that the distance between adjacent leads is smaller in the vicinity of the bent portion 11c than in any other portion. However, the bent portions 11c having the narrowest interval are designed to have a sufficient size so as not to come into contact with each other even when the solder is raised when the solder is mounted on the board. Specifically, in order to minimize the decrease in the interval, the opposing edges of the bent portion 11c are set to be oblique with respect to the edges of the other portions so as to be substantially parallel to each other. Since the entire lead frame 1 is formed at a time by punching or etching, there is no variation in the interval between the leads 10, and the interval between the bent portions 11c is as designed.

【0047】タイバー13は、アウターリード11のう
ちアイランド14と屈曲部11cの間、すなわちインナ
ーリード12とピッチが等しい近部位11aを連結する
ように形成されている。タイバー13は樹脂モールドを
形成した後に切除する。切除されるタイバー13の領域
を図3に斜線で示す。タイバー13は、アウターリード
11の近部位11aの辺縁に平行に、かつその辺縁に近
い位置で切断することが可能であり、そのように切断す
る。タイバー13切除後の近部位11aには僅かに幅広
の部位11dが形成されることになるが、隣合う部位1
1dの間隔は、隣合う屈曲部11cの間隔と同程度また
はそれ以上になる。
The tie bar 13 is formed so as to connect the outer lead 11 between the island 14 and the bent portion 11c, that is, the near portion 11a having the same pitch as the inner lead 12. The tie bar 13 is cut off after forming the resin mold. The region of the tie bar 13 to be cut is shown by hatching in FIG. The tie bar 13 can be cut at a position parallel to the edge of the near portion 11a of the outer lead 11 and at a position close to the edge, and cuts as such. A slightly wider portion 11d will be formed in the near portion 11a after the tie bar 13 is resected.
The interval of 1d is equal to or greater than the interval of the adjacent bent portion 11c.

【0048】基板への取り付けに際し半田が盛り上がっ
た場合でも、タイバー切除後の部位11dは、屈曲部1
1cと同様に、相互に接触することがなく、基板上での
リード10の短絡は防止される。
Even if the solder swells when mounting on the substrate, the portion 11d after the tie bar is cut off is not bent.
Like 1c, they do not contact each other, and short-circuiting of the leads 10 on the substrate is prevented.

【0049】タイバー13をリード10の辺縁に対して
平行に切断することで、切断用の装置の刃先とリードフ
レーム1をあまり厳密に位置合わせする必要がなくな
る。例えば、リード10に沿う方向(図3の上下方向)
に多少の位置ずれがあったとしても、タイバー13の切
断される位置はその影響を全く受けず、切除されるタイ
バー13の長さすなわち部位11d間の間隔は設計どお
りとなる。また、リード10に垂直な方向(図3の左右
方向)に多少の位置ずれがあったとしても、そのずれは
タイバーの両方の切断位置に等しく影響するから、その
場合も、切除されるタイバー13の長さすなわち部位1
1d間の間隔は設計どおりとなる。
By cutting the tie bar 13 in parallel with the edge of the lead 10, it is not necessary to align the cutting edge of the cutting device with the lead frame 1 very strictly. For example, the direction along the lead 10 (the vertical direction in FIG. 3)
Even if there is some displacement, the position where the tie bar 13 is cut is not affected at all, and the length of the cut tie bar 13, that is, the interval between the portions 11 d is as designed. Also, even if there is a slight displacement in the direction perpendicular to the lead 10 (the left-right direction in FIG. 3), the displacement equally affects both cutting positions of the tie bar. Length, ie, part 1
The interval between 1d is as designed.

【0050】位置合わせが簡略化されると、タイバー1
3の切除に要する時間が短縮されて、半導体装置の製造
効率が向上する。また、リードフレーム1を特に高い加
工精度で形成する必要がなくなり、リードフレームの製
造自体も容易になる。
When the alignment is simplified, the tie bar 1
The time required for cutting 3 is reduced, and the manufacturing efficiency of the semiconductor device is improved. Further, it is not necessary to form the lead frame 1 with particularly high processing accuracy, and the manufacture of the lead frame itself becomes easy.

【0051】なお、タイバー13は、切除に際し切断用
装置の刃先が樹脂モールド7や屈曲部11cに触れるの
を避けるために、アウターリード11の近部位11aの
中央付近に形成するのが好ましい。近部位11aを長く
形成するときは、樹脂モールド7と屈曲部11cの双方
からある程度離れていれば、タイバー13を近部位11
aの何処に形成してもよい。
The tie bar 13 is preferably formed near the center of the near portion 11a of the outer lead 11 in order to prevent the cutting edge of the cutting device from touching the resin mold 7 and the bent portion 11c during cutting. When forming the near portion 11a long, if the tie bar 13 is separated from both the resin mold 7 and the bent portion 11c to some extent, the tie bar 13 is moved to the near portion 11a.
It may be formed anywhere in a.

【0052】全てのアイランド14への半導体チップの
固着、各半導体チップとリード10とのワイヤボンディ
ング、全ての半導体チップの樹脂モールド7による封止
をこの順に行った後、上述のようにタイバー13を切除
し、アウターリード11を樹脂モールド7から適切な距
離で切断して、一度に多数の半導体装置を得る。必要に
応じてアウターリード11を樹脂モールド7の下面に沿
うように折曲げて、半導体装置を完成させる。
After fixing the semiconductor chips to all the islands 14, wire bonding each semiconductor chip to the leads 10, and sealing all the semiconductor chips with the resin mold 7, in this order, the tie bars 13 are removed as described above. The outer leads 11 are cut off at an appropriate distance from the resin mold 7 to obtain a large number of semiconductor devices at once. If necessary, the outer lead 11 is bent along the lower surface of the resin mold 7 to complete the semiconductor device.

【0053】半導体チップの固着および/またはワイヤ
ボンディングを行う際には、リードフレーム1を載置し
たステージに突起部14a、14bをピンによって押し
付けることで、アイランド14の先端の浮き上がりを防
止する。したがって、半導体チップはアイランド14に
強固に固定され、半導体チップとリード10のワイヤボ
ンディングも確実になされる。
When the semiconductor chip is fixed and / or wire-bonded, the protrusions 14a and 14b are pressed by pins against the stage on which the lead frame 1 is mounted, thereby preventing the tip of the island 14 from rising. Therefore, the semiconductor chip is firmly fixed to the island 14, and the wire bonding between the semiconductor chip and the lead 10 is reliably performed.

【0054】こうして製造した半導体装置は、リードの
数が多いにもかかわらずアウターリードが相互に十分な
間隔で離間し、タイバーを切除した部位や屈曲部に絶縁
コートを形成しなくても、基板に固定する際にリード同
士が接触して短絡するという不都合が防止される。基板
への固定および基板上に形成した配線パターンへの接続
には、手作業による半田付けのみならず、ディプソルダ
リング、フローソルダリング等の能率の良い半田付けの
方法も採用することができる。
In the semiconductor device manufactured as described above, the outer leads are spaced apart from each other at a sufficient interval despite the large number of leads, and even if the insulating coat is not formed on the cut portion or the bent portion of the tie bar, the substrate can be formed. This prevents the leads from coming into contact with each other and causing a short circuit when they are fixed. For fixing to the substrate and connecting to the wiring pattern formed on the substrate, not only manual soldering but also an efficient soldering method such as dip soldering or flow soldering can be adopted.

【0055】図2に示したように、突起部14a、14
bを含むアイランド14の横幅すなわちインナーリード
12に垂直な方向(図2の左右方向)の長さは、最も外
側の2つインナーリード12の間隔と略同じに設定され
ており、また、アイランド14のインナーリード12に
沿う方向(図2の上下方向)の長さは、半導体チップを
載置するに足る最小限に抑えられている。したがって、
樹脂モールド7を小さく形成することができ、半導体装
置も必要最小限の大きさとなる。
As shown in FIG. 2, the protrusions 14a, 14a
b, ie, the length in the direction perpendicular to the inner leads 12 (the left-right direction in FIG. 2) is set substantially equal to the interval between the two outermost inner leads 12. The length (in the vertical direction in FIG. 2) along the inner lead 12 is minimized to the extent that the semiconductor chip is mounted. Therefore,
The resin mold 7 can be formed small, and the size of the semiconductor device also becomes the minimum required.

【0056】形状を一部変更したアイランド14’に半
導体チップ8を取り付けた状態を図4に示す。このアイ
ランド14’を有するリードフレームの他の部位は上記
のリードフレーム1の対応各部と同じであり、重複する
説明は省略する。アイランド14’は、リードフレーム
1のアイランド14の突起部14bに代えて、突起部1
4cを備えている。突起部14はインナーリード12に
近づく方向に向かって屈曲しており、その基端部の辺縁
はアイランド14’の辺縁14dの延長上にあり辺縁1
4dに連続している。
FIG. 4 shows a state in which the semiconductor chip 8 is attached to the island 14 ′ whose shape has been partially changed. The other parts of the lead frame having the islands 14 'are the same as the corresponding parts of the lead frame 1 described above, and redundant description will be omitted. The island 14 ′ is replaced with the protrusion 1 b instead of the protrusion 14 b of the island 14 of the lead frame 1.
4c. The protrusion 14 is bent in a direction approaching the inner lead 12, and the edge of the base end is on the extension of the edge 14 d of the island 14 ′ and the edge 1
4d.

【0057】8aは半導体チップ8の上面に形成された
ボンディングパッドであり、9はボンディングパッド8
aとインナーリード12や突起部14cの先端部とを接
続するワイヤである。例えばこの半導体チップ8は4つ
の端子を有するフォトICであり、全ての端子は上面の
ボンディングパッド8aに接続されている。4つのボン
ディングパッド8aのうち、1つは突起部14cの先端
部に接続されており、他の3つはそれぞれ異なるインナ
ーリード12に接続されている。
Reference numeral 8a denotes a bonding pad formed on the upper surface of the semiconductor chip 8, and 9 denotes a bonding pad.
This is a wire that connects a to the tip of the inner lead 12 or the protrusion 14c. For example, the semiconductor chip 8 is a photo IC having four terminals, and all terminals are connected to bonding pads 8a on the upper surface. One of the four bonding pads 8a is connected to the tip of the protrusion 14c, and the other three are connected to different inner leads 12, respectively.

【0058】斜線を付した部位は半導体チップ8の固着
やワイヤボンディングの際に、ピンによって押さえられ
る部位である。このように、突起部14cの基端部をア
イランド14’の先端に連続させると、アイランド1
4’に対するピンの横方向(図4の左右方向)の相対的
な位置をあまり厳密に合わせる必要がなくなり、それだ
け半導体チップの固着やワイヤボンディングが容易にな
る。
The shaded portion is a portion which is held down by pins when the semiconductor chip 8 is fixed or wire-bonded. As described above, when the base end of the projection 14c is continued to the tip of the island 14 ', the island 1
There is no need to adjust the relative position of the pin in the lateral direction (the left-right direction in FIG. 4) with respect to 4 ′, so that the fixing of the semiconductor chip and the wire bonding become easier.

【0059】突起部14cの先端部を半導体チップ8の
上面のボンディングパッド8aとワイヤで接続する場合
には、アイランドの浮きが生じるとワイヤボンディング
の不良が生じる危険性が格段に高くなるが、本発明のよ
うに突起部14a、14cを押さえてワイヤボンディン
グすることにより、超音波を良好に作用させて確実なワ
イヤボンディングを実現し得る。
When the tip of the projection 14c is connected to the bonding pad 8a on the upper surface of the semiconductor chip 8 by a wire, the risk of wire bonding failure is greatly increased when the island is lifted. By performing the wire bonding while pressing the protruding portions 14a and 14c as in the present invention, it is possible to make the ultrasonic wave act satisfactorily and realize the reliable wire bonding.

【0060】なお、ここでは、半導体チップに4本のリ
ードを取り付けるためのリードフレームの例について説
明したが、本発明は、より多くのリードを取り付ける場
合にも適用することができる。切除されるタイバーの長
さはインナーリードの間隔によって定まり、屈曲部の間
隔には依存しないから、リードが多くなっても本発明の
リードフレームによる短絡防止の効果は減殺されること
がない。前述のように、アウターリードは左右対称に形
成することが望ましく、奇数本のリードを半導体チップ
に取り付けるときは、中央のリードには屈曲部を設けず
直線とするのがよい。
Although an example of a lead frame for attaching four leads to a semiconductor chip has been described here, the present invention can be applied to a case where more leads are attached. The length of the tie bar to be cut is determined by the interval between the inner leads and does not depend on the interval between the bent portions. Therefore, even if the number of leads is increased, the effect of the lead frame of the present invention for preventing short circuit is not diminished. As described above, the outer leads are desirably formed symmetrically. When attaching an odd number of leads to the semiconductor chip, it is preferable that the center lead be straight without a bent portion.

【0061】上記実施形態では、全てのリードの屈曲部
をアイランドから略等しい距離に形成したが、これはア
ウターリードが過度に長くなるのを回避するためであ
る。アウターリードを長くしてもかまわないときは、ア
イランドからの距離が異なる位置に屈曲部を形成するこ
とができる。その場合、隣合うリードの屈曲部間の距離
が長くなって、多数のリードを有する半導体装置を製造
する場合でも、短絡が確実に防止される。しかも、アイ
ランドとタイバーとの距離は一定であり、タイバーの切
断は、リードが少ない場合と同様に容易である。
In the above embodiment, the bent portions of all the leads are formed at substantially the same distance from the island, but this is to prevent the outer leads from becoming excessively long. When the outer lead can be made longer, the bent portion can be formed at a position different in distance from the island. In this case, the distance between the bent portions of the adjacent leads increases, and even when a semiconductor device having a large number of leads is manufactured, a short circuit is reliably prevented. In addition, the distance between the island and the tie bar is constant, and cutting of the tie bar is as easy as when the number of leads is small.

【0062】アウターリードのアイランドから遠い部位
の配列ピッチは、基板に形成する配線パターンの間隔を
一定にするために一定にすることが望ましいが、基板の
配線パターンの間隔に応じて変えるようにしても構わな
い。インナーリードおよびその延長であるアウターリー
ドのアイランドに近い部位の配列ピッチは一定にする必
要がなく、半導体チップに形成されているボンディング
パッドの位置に応じて、リード間で異なるように設定す
ることができる。ただし、これらの部位は、タイバーの
切除を容易にするために、相互に平行または平行に近く
形成すべきである。
It is desirable that the arrangement pitch of the portion of the outer lead far from the island is constant in order to keep the distance between the wiring patterns formed on the substrate constant. However, the arrangement pitch is changed according to the distance between the wiring patterns on the substrate. No problem. The arrangement pitch of the inner lead and the extension of the outer lead, which is close to the island, does not need to be constant, and can be set differently between the leads according to the position of the bonding pad formed on the semiconductor chip. it can. However, these sites should be formed parallel or nearly parallel to each other to facilitate tie bar resection.

【0063】また、上記の説明ではアイランドのリード
に平行な2つの辺縁のそれぞれに1つの突起部、すなわ
ち2つの突起部を設けた例を示したが、突起部は少なく
とも全体として1つあればよい。ただし、上記のように
2つの突起部を設ける方が、アイランドの浮きをより確
実に防止することができる。
In the above description, an example is shown in which one protruding portion, that is, two protruding portions is provided on each of two edges parallel to the lead of the island, but at least one protruding portion is provided as a whole. I just need. However, the provision of the two protrusions as described above can more reliably prevent the island from floating.

【0064】[0064]

【発明の効果】請求項1のリードフレームによるとき
は、リードの辺縁に対して平行にタイバー切断すること
が可能であり、リードの切除が容易である。しかも、リ
ード間に存在するタイバーの略全体を除去することがで
きるから、リード間の間隔がほとんど狭くならず、外力
によってリードが多少動いた場合でも、隣合うリードが
接触し難い。したがって、完成後の半導体装置を基板に
固定する際に短絡が発生する恐れが小さくなる。このリ
ードフレームは多数のリードを有する半導体装置の製造
に適する。
According to the lead frame of the first aspect, the tie bar can be cut parallel to the edge of the lead, and the lead can be easily cut off. Moreover, since almost the entirety of the tie bar existing between the leads can be removed, the interval between the leads is hardly reduced, and even if the leads slightly move due to an external force, the adjacent leads hardly come into contact with each other. Therefore, when the completed semiconductor device is fixed to the substrate, a short circuit is less likely to occur. This lead frame is suitable for manufacturing a semiconductor device having many leads.

【0065】請求項2のリードフレームでは、リードが
必要以上に長くなることがない上、隣合うリードの接触
も防止される。
In the lead frame according to the second aspect, the leads do not become unnecessarily long, and contact between adjacent leads is also prevented.

【0066】請求項3のリードフレームでは、隣合うリ
ードの屈曲部の間隔が狭くなることが最小限に抑えら
れ、隣合うリードが接触する可能性が一層低くなる。
In the lead frame according to the third aspect, the narrowing of the interval between the bent portions of the adjacent leads is minimized, and the possibility that the adjacent leads come into contact with each other is further reduced.

【0067】請求項4のリードフレームでは、一度に多
数の半導体装置を製造することができて、製造効率が高
い。
According to the lead frame of the fourth aspect, a large number of semiconductor devices can be manufactured at one time, and the manufacturing efficiency is high.

【0068】請求項5の半導体装置の製造方法によると
きは、リードが接触し難い半導体装置を容易にかつ効率
よく製造することができる。特に、多数のリードを有す
る半導体の製造に適した方法である。
According to the method of manufacturing a semiconductor device of the fifth aspect, a semiconductor device in which leads are hard to contact can be easily and efficiently manufactured. In particular, the method is suitable for manufacturing a semiconductor having many leads.

【0069】請求項6のリードフレームによるときは、
突起部を押さえてアイランドをステージに密接させるこ
とができるから、半導体チップのアイランドへの固着お
よび/またはワイヤボンディングが確実になる。したが
って、接続不良のない半導体装置が得られる。しかも、
アイランドを半導体チップ載置のために必要最小限の大
きさにすることができるから、得られる半導体装置も小
型化される。
According to the lead frame of claim 6,
Since the island can be brought into close contact with the stage by pressing the projection, the semiconductor chip can be securely fixed to the island and / or wire-bonded. Therefore, a semiconductor device free from poor connection can be obtained. Moreover,
Since the size of the island can be reduced to the minimum necessary for mounting the semiconductor chip, the size of the obtained semiconductor device is also reduced.

【0070】請求項7の半導体装置は、内部に接続不良
のない小型の半導体装置となる。
The semiconductor device according to claim 7 is a small-sized semiconductor device having no connection failure inside.

【0071】請求項8の半導体装置の製造方法では、内
部に接続不良がなくしかも小型の半導体装置が容易に得
られる。
According to the method of manufacturing a semiconductor device of the eighth aspect, a small-sized semiconductor device having no internal connection failure can be easily obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施形態のリードフレームに樹脂
モールドを形成した状態を示す図。
FIG. 1 is a view showing a state in which a resin mold is formed on a lead frame according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1のリードフレームの1つの半導体装置と
なる一部分を示す図。
FIG. 2 is a view showing a part of one semiconductor device of the lead frame of FIG. 1;

【図3】 図2のリードフレームのアイランドとその周
囲に樹脂モールドを形成した状態を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a state in which a resin mold is formed around the island of the lead frame of FIG. 2 and its periphery.

【図4】 アイランドの一部の形状を変更したリードフ
レームの一部分を示す図。
FIG. 4 is a view showing a part of a lead frame in which the shape of a part of an island is changed.

【図5】 従来のリードフレームに樹脂モールドを形成
した状態を示す図。
FIG. 5 is a view showing a state in which a resin mold is formed on a conventional lead frame.

【図6】 図5のリードフレームのタイバー切除後のリ
ードを示す図。
FIG. 6 is a view showing the lead after the tie bar is cut off from the lead frame of FIG. 5;

【図7】 従来の他のリードフレームに樹脂モールドを
形成した状態を示す図。
FIG. 7 is a view showing a state in which a resin mold is formed on another conventional lead frame.

【図8】 図7のリードフレームのタイバー切除後のリ
ードを示す図。
FIG. 8 is a view showing the lead after the tie bar is cut off from the lead frame of FIG. 7;

【図9】 ワイヤボンディングを行うときのアイランド
を側方から見た様子を示す図。
FIG. 9 is a diagram showing an island viewed from the side when performing wire bonding.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム 7 樹脂モールド 10 リード 11 アウターリード 11a アウターリード近部位 11b アウターリード遠部位 11c 屈曲部 12 インナーリード 13 タイバー 14 アイランド 14’ アイランド 14a 突起部 14b 突起部 14c 突起部 15 連結部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 7 Resin mold 10 Lead 11 Outer lead 11a Outer lead near part 11b Outer lead far part 11c Bent part 12 Inner lead 13 Tie bar 14 Island 14 'Island 14a Projection part 14b Projection part 14c Projection part 15 Connection part

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成10年3月31日[Submission date] March 31, 1998

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0029[Correction target item name] 0029

【補正方法】削除[Correction method] Deleted

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0030[Correction target item name] 0030

【補正方法】削除[Correction method] Deleted

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0031[Correction target item name] 0031

【補正方法】削除[Correction method] Deleted

【手続補正5】[Procedure amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0032[Correction target item name] 0032

【補正方法】削除[Correction method] Deleted

【手続補正6】[Procedure amendment 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0069[Correction target item name] 0069

【補正方法】削除[Correction method] Deleted

【手続補正7】[Procedure amendment 7]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0070[Correction target item name] 0070

【補正方法】削除[Correction method] Deleted

【手続補正8】[Procedure amendment 8]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0071[Correction target item name] 0071

【補正方法】削除[Correction method] Deleted

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップを載置するためのアイラン
ド、前記アイランドに連なりまたは前記アイランドに接
近した端部を有し、前記アイランドに近い第1の領域で
は第1のピッチで互いに略平行に、前記第1の領域に隣
接し前記アイランドから遠い第2の領域では前記第1の
ピッチよりも大きい第2のピッチで互いに略平行に配列
された複数のリード、および前記複数のリードを連結す
る直線状のタイバーより成るリードフレームにおいて、 前記タイバーは前記第1の領域で前記複数のリードを連
結していることを特徴とするリードフレーム。
1. An island for mounting a semiconductor chip, an end continuous with or close to the island, and in a first region near the island, substantially parallel to each other at a first pitch, In a second region adjacent to the first region and far from the island, a plurality of leads arranged substantially in parallel with each other at a second pitch larger than the first pitch, and a straight line connecting the plurality of leads A lead frame comprising a tie bar in a shape of a circle, wherein the tie bar connects the plurality of leads in the first region.
【請求項2】 前記第1の領域と前記第2の領域の境界
は前記複数のリードに対して略垂直であり、前記複数の
リードは前記境界上で屈曲していることを特徴とする請
求項1に記載のリードフレーム。
2. The method according to claim 1, wherein a boundary between the first region and the second region is substantially perpendicular to the plurality of leads, and the plurality of leads are bent on the boundary. Item 2. The lead frame according to Item 1.
【請求項3】 前記複数のリードは、前記タイバーより
も前記アイランドに近い部分を除き、前記アイランドを
通る直線に関して対称であることを特徴とする請求項2
に記載のリードフレーム。
3. The plurality of leads are symmetrical with respect to a straight line passing through the island except for a portion closer to the island than the tie bar.
The lead frame according to 1.
【請求項4】 前記アイランドおよび前記複数のリード
から成り前記タイバーによって連結された組を複数有す
ることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
4. The lead frame according to claim 1, wherein a plurality of sets each including the island and the plurality of leads and connected by the tie bar are provided.
【請求項5】 上面に入力または出力のためのボンディ
ングパッドを有する半導体チップを前記アイランドに固
着し、前記複数のリードのうち前記アイランドに連なら
ないものの端部と前記ボンディングパッドをワイヤで接
続し、前記半導体チップと前記アイランドと前記複数の
リードの端部を樹脂モールドで封止した後、前記複数の
リードの間に存在する前記タイバーの部位を前記複数の
リードの辺縁に平行に切断して除去することを特徴とす
る請求項1に記載のリードフレームを用いた半導体装置
の製造方法。
5. A semiconductor chip having a bonding pad for input or output on an upper surface thereof is fixed to the island, and an end of one of the plurality of leads not connected to the island is connected to the bonding pad by a wire. After sealing the semiconductor chip, the island, and the end of the plurality of leads with a resin mold, cut a portion of the tie bar existing between the plurality of leads in parallel to an edge of the plurality of leads. The method for manufacturing a semiconductor device using a lead frame according to claim 1, wherein the semiconductor device is removed.
【請求項6】 半導体チップを載置するための略矩形の
アイランド、前記アイランドの第1の辺縁に連なり該第
1の辺縁に対して略垂直な方向に延びる第1のリード、
および前記アイランドに接近した端部を有し前記第1の
リードと略同じ方向に延びる複数の第2のリードより成
るリードフレームにおいて、 前記アイランドは前記第1のリードに略平行な第2の辺
縁に突起部を有することを特徴とするリードフレーム。
6. A substantially rectangular island for mounting a semiconductor chip, a first lead connected to a first edge of the island and extending in a direction substantially perpendicular to the first edge,
And a plurality of second leads having an end close to the island and extending in the same direction as the first lead, wherein the island has a second side substantially parallel to the first lead. A lead frame having a protrusion on an edge.
【請求項7】 上面に入力または出力のためのボンディ
ングパッドを有し前記アイランドに載置された半導体チ
ップ、前記ボンディングパッドと前記第2のリードまた
は前記突起部を接続するワイヤ、ならびに前記半導体チ
ップ、前記アイランドおよび前記第2のリードの端部を
封止する樹脂モールドより成ることを特徴とする請求項
6に記載のリードフレームを用いた半導体装置。
7. A semiconductor chip having a bonding pad for input or output on an upper surface, mounted on the island, a wire connecting the bonding pad to the second lead or the protrusion, and the semiconductor chip 7. A semiconductor device using a lead frame according to claim 6, comprising a resin mold for sealing an end of said island and said second lead.
【請求項8】 上面に入力または出力のためのボンディ
ングパッドを有する半導体チップを前記アイランドに固
着し、前記アイランドおよび前記第2のリードの端部を
ステージに載置して前記突起部を上方から押さえて、前
記ボンディングパッドと前記第2のリードの端部または
前記突起部とをワイヤで接続することを特徴とする請求
項6に記載のリードフレームを用いた半導体装置の製造
方法。
8. A semiconductor chip having a bonding pad for input or output on an upper surface is fixed to the island, and the end of the island and the second lead is placed on a stage, and the projection is raised from above. 7. The method of manufacturing a semiconductor device using a lead frame according to claim 6, wherein the bonding pad is connected to an end of the second lead or the protrusion by a wire.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011029402A (en) * 2009-07-24 2011-02-10 Daishinku Corp Lead type electronic component and lead frame
JP2012023204A (en) * 2010-07-14 2012-02-02 On Semiconductor Trading Ltd Semiconductor device, and method of manufacturing the same
JP2017188903A (en) * 2009-11-05 2017-10-12 ローム株式会社 Signal transmission circuit device, semiconductor device and inspection method and device for the semiconductor device, signal transmission device, and motor driving device including the signal transmission device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011029402A (en) * 2009-07-24 2011-02-10 Daishinku Corp Lead type electronic component and lead frame
JP2017188903A (en) * 2009-11-05 2017-10-12 ローム株式会社 Signal transmission circuit device, semiconductor device and inspection method and device for the semiconductor device, signal transmission device, and motor driving device including the signal transmission device
US10382035B2 (en) 2009-11-05 2019-08-13 Rohm Co., Ltd. Signal transmission circuit device, semiconductor device, method and apparatus for inspecting semiconductor device, signal transmission device, and motor drive apparatus using signal transmission device
US11115020B2 (en) 2009-11-05 2021-09-07 Rohm Co., Ltd. Signal transmission circuit device, semiconductor device, method and apparatus for inspecting semiconductor device, signal transmission device, and motor drive apparatus using signal transmission device
US11658659B2 (en) 2009-11-05 2023-05-23 Rohm Co., Ltd. Signal transmission circuit device, semiconductor device, method and apparatus for inspecting semiconductor device, signal transmission device, and motor drive apparatus using signal transmission device
JP2012023204A (en) * 2010-07-14 2012-02-02 On Semiconductor Trading Ltd Semiconductor device, and method of manufacturing the same

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