JPH1032305A - Multichip module - Google Patents

Multichip module

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JPH1032305A
JPH1032305A JP8185990A JP18599096A JPH1032305A JP H1032305 A JPH1032305 A JP H1032305A JP 8185990 A JP8185990 A JP 8185990A JP 18599096 A JP18599096 A JP 18599096A JP H1032305 A JPH1032305 A JP H1032305A
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秀樹 草光
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve heat radiation efficiency. SOLUTION: A multichip module 10 is provided with a circuit board 1 with external terminals 1A, multiple semiconductor chips 2 mounted on the circuit board 1 by a flip chip method, and a cap provided on the circuit board 1 which covers the semiconductor chips 2. A heat radiator 4 is provided on the cap 3. Adhesive 5 and 6 which exhibits a high thermal conductivity is sandwiched between the cap 3 and the heat radiator 4 and between each semiconductor 2 and the cap.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マルチチップモジュールに係り、特に、フリップチップ方式により実装された複数の半導体チップを有するマルチチップモジュールに関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a multi-chip module, in particular, to a multi-chip module having a plurality of semiconductor chips mounted by flip chip method.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来例を図7及び図8に基づいて説明する。 BACKGROUND ART will be described with reference to the conventional example in FIGS.

【0003】従来から、半導体チップをフリップチップ方式によって実装した場合、放熱経路をいかにして確保するかが問題であった。 Conventionally, when mounting the semiconductor chip by a flip chip method, or securing by the heat radiation path how has been a problem. 従来のパッケージ構造では半導体チップの装着側と反対側の面(以下、裏面とする)からの放熱経路は半導体チップを搭載しているアイランドを介し外部部材に放熱経路を容易に確保できるのに対し、フリップチップ方式による実装では半導体チップ裏面に放熱経路を確保するために必要な外部部材を、半導体チップそのものに機械的負荷を極力減らしながら実装することが難しく、フリップチップ実装方式における問題点の一つであり、その問題を解決するために様々な手段が提案されている。 Opposite to the surface with the mounting side of the semiconductor chip in the conventional package structure (hereinafter referred to as rear surface) while the heat dissipation path from readily secured heat radiation path to the outside member through the islands are mounted semiconductor chips the outer member necessary for ensuring the heat dissipation path to the semiconductor chip rear surface is mounted by a flip chip method, it is difficult to implement while reducing as much as possible the mechanical load on the semiconductor chip itself, problems in a flip chip mounting method one One, and the various means to solve the problem have been proposed.

【0004】第1の従来例として、特開昭60−241 [0004] As a first conventional example, JP 60-241
240号公報より開示された半導体装置がある。 There is disclosed a semiconductor device from 240 JP. この第1の従来例は、図7に示すように、熱伝導率の高い炭化シリコンの焼結体等からなる基板51の下面側に、シリコン単結晶上にアルミニウムの配線を施してなる多層配線板52を接着し、さらに、この多層配線板52の下面側に半導体チップ53をフリップチップ方式で搭載し、 The first conventional example, as shown in FIG. 7, the lower surface side of the substrate 51 made of thermally conductive high sintering of silicon carbide of rate, etc., the multilayer wiring formed by subjecting the aluminum wiring on a silicon single crystal bonding the plate 52, further, the semiconductor chip 53 is mounted by a flip chip method on the lower surface side of the multilayer wiring board 52,
半導体チップ53の裏面に熱伝導率の高い接着剤54を塗布してそこに熱伝導率の高い材料で作られたキャップ55を被せると共に、その一方で基板51の上面側に外部放熱フィン56を取り付けることによって熱伝導性を確保している。 Together and capped 55 made of a material having high thermal conductivity and high adhesive 54 having thermal conductivity there is applied to the back surface of the semiconductor chip 53, the external radiation fins 56 on the upper surface side of the other hand the substrate 51 It has secured thermally conductive by attaching.

【0005】また、第2の従来例として、特開平5−2 [0005] As a second conventional example, JP-A-5-2
67389号公報により開示された半導体装置がある。 There is disclosed a semiconductor device by 67389 JP.
この第2の従来例は、図8に示すように、回路基板61 The second conventional example, as shown in FIG. 8, the circuit board 61
上にフリップチップ方式により搭載された半導体チップ62の裏面(図における上面側)に金属性のキャップ6 The back surface of the semiconductor chip 62 mounted by a flip chip method on metallic cap (upper side in FIG. 1) 6
3を直接接触状態で載置し、回路基板61の周囲に金属製のリング部材65を接着材66で接着し、リング部材65とキャップ63との間をシールリング64により溶接、封止する構造が採られている。 3 is placed at direct contact, bonding a metal ring member 65 on the periphery of the circuit board 61 with an adhesive 66, by welding the sealing ring 64 between the ring member 65 and the cap 63 to seal the structure It has been taken.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】上記第1の実施形態は、基板51における多層配線板52及び半導体チップ53の装着面と反対側の面に放熱剤を接着し、その上に放熱フィン56を搭載している。 [0005] The first embodiment is adhered to the heat radiation adhesive on the surface opposite to the mounting surface of the multilayer wiring board 52 and the semiconductor chip 53 on the substrate 51, the heat radiation fins 56 on its It is equipped with. 一般に、フリップチップ方式の半導体装置の場合、放熱経路が狭く非効率的な信号ピン側を避けて、半導体チップ裏面から放熱を行う構造が採られる。 In general, when the semiconductor device of the flip-chip method, the heat radiation path so as to avoid the narrow inefficient signal pin side, the structure for performing the heat radiation is taken from the semiconductor chip backside. しかしながら、この第1の従来例は、 However, the first conventional example,
半導体チップ53の裏面から放熱フィン56に至るまでの放熱距離が長く、これにより、放熱効率の低下が生じる恐れがあった。 Radiating the distance from the back surface of the semiconductor chip 53 up to the radiating fins 56 are long and thereby, there is a possibility that reduction of heat dissipation efficiency.

【0007】また、第2の実施形態の場合には、半導体チップ62の裏面に放熱部材である金属製キャップ63 [0007] In the case of the second embodiment, a metal cap 63 which is the heat dissipating member on the back surface of the semiconductor chip 62
を直接押しつけている構造なので、キャップ63の平面度による片当たりや表面粗さによる影響を受け易く、これによって、実際の接触面積が小さくなり,同時に放熱経路が狭くなり放熱効率の低下が生じる恐れがあった。 Since the structure is pressed directly, possibility of easily affected by flatness by uneven contact and surface roughness of the cap 63, thereby, the actual contact area is reduced, resulting a decrease in narrows heat radiation efficiency heat dissipation path at the same time was there.

【0008】さらに、この第2の実施形態による放熱の手法をマルチチップモジュールに採用した場合、金属キャップ63に半導体チップ62の裏面を直接押しつける構造のため、複数の半導体チップ62が同時に搭載された場合、各々の半導体チップ62が同一の実装高さにならないと、高さのバラツキにより金属キャップに有効に当接しない半導体チップ62が生じてかかる半導体チップ62の放熱経路が確保できず放熱効率が低下する恐れがあった。 Furthermore, when employing the technique of heat dissipation according to the second embodiment to a multi-chip module, a structure in which pressing the back surface of the semiconductor chip 62 to the metal cap 63 directly, a plurality of semiconductor chips 62 are mounted at the same time If, when each of the semiconductor chip 62 does not become the same mounting height, the semiconductor chip 62 does not effectively contact the metal cap heat dissipation efficiency can not be secured heat dissipation path of the semiconductor chip 62 Kakaru caused by variation in height there is a possibility to decrease.

【0009】 [0009]

【発明の目的】本発明は、上記従来例の有する不都合を改善し、放熱を効率良く行い得るマルチチップモジュールを提供することを、その目的とする。 THE INVENTION The object of the invention is to improve the disadvantages possessed by the prior art, to provide a multi-chip module capable of performing efficiently radiating, and an object.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、 Means for Solving the Problems The invention according to claim 1,
外部端子を備えた回路基板と、この回路基板上にフリップチップ方式により実装された複数の半導体チップと、 A circuit board having an external terminal, a plurality of semiconductor chips mounted by flip chip method on the circuit board,
これら半導体チップを覆いつつ回路基板上に装備されたキャップとを備えている。 While covering these semiconductor chips and a cap that is provided on the circuit board.

【0011】そして、キャップの上部に放熱部材を装備すると共に、これらキャップと放熱部材との間,及び各半導体チップとキャップとの間に熱伝導率の高い接着剤を介挿するという構成を採っている。 [0011] Then, while equipped with upper heat radiation member of the cap, taken between these caps and the heat radiating member, and the configuration of interposing the adhesive having high thermal conductivity between the semiconductor chip and the cap ing.

【0012】ここで、上述した熱伝導率の高い接着剤には、半田等のように、融解により各接合部を固着させる金属ロウ材を含むものとし、以下、同様とする。 [0012] Here, the high thermal conductivity adhesive described above, as in solder, etc., is intended to include metal brazing material to fix the respective joint by melting, hereinafter the same.

【0013】上記の構成では、各半導体チップから発生した熱は主として半導体チップの上面から接着剤を介してキャップに伝達される。 [0013] In the above structure, heat generated from the semiconductor chip is mainly transmitted to the cap through an adhesive from the upper surface of the semiconductor chip. さらに、キャップに伝達された熱は、接着剤を介して放熱部材に伝達され、放熱が行われる。 Furthermore, heat transferred to the cap is transferred to the heat radiating member via an adhesive, heat radiation is performed.

【0014】請求項2記載の発明は、外部端子を備えた回路基板と、この回路基板上にフリップチップ方式により搭載された複数の半導体チップと、これら半導体チップを覆いつつ回路基板上に装備されたキャップとを備えている。 [0014] According to a second aspect of the invention, a circuit board with an external terminal, and the circuit a plurality of semiconductor chips mounted by a flip chip method on a substrate is mounted on the circuit board while covering these semiconductor chips It was and a cap.

【0015】そして、キャップの上部に放熱部材を装備すると共に、これらキャップと放熱部材との間に熱伝導率の高い接着剤を介挿し、各半導体チップとキャップとの間で、弾性を有する断面形状が波形の放熱板を圧接状態で介挿するという構成を採っている。 [0015] Then, while equipped with upper heat radiation member of the cap, interposed a high thermal conductivity adhesive between these caps and the heat radiating member, between each semiconductor chip and the cap, cross section with an elastic shape is adopted a structure that interposing heatsink waveform pressure contact state.

【0016】かかる構成では、各半導体チップ上に載置された放熱板が、その弾性により半導体チップ及びキャップに対して一定の押圧力が生じる状態で、キャップを回路基板上に固定装備し、これにより、半導体チップと放熱板との間,及び放熱板とキャップとの間を有効に当接させている。 [0016] In such a configuration, the heat radiating plate that is placed on the respective semiconductor chip, with the constant pressing force against the semiconductor chip and the cap by its elasticity occurs, then fixed and mounted to the cap on a circuit board, which by, thereby effectively contact between the semiconductor chip and the heat sink, and the space between the radiator plate and the cap.

【0017】そして、各半導体チップから発生した熱は放熱板に伝達され、この放熱板で放熱しつつ、さらに、 [0017] Then, heat generated from the semiconductor chip is transferred to the heat radiating plate, while the heat radiation by the radiating plate, further,
キャップへと伝達される。 It is transmitted to the cap. そして、キャップに伝達された熱は、接着剤を介して放熱部材に伝達され、放熱が行われる。 Then, the heat transferred to the cap is transferred to the heat radiating member via an adhesive, heat radiation is performed.

【0018】請求項3記載の発明は、外部端子を備えた回路基板と、この回路基板上にフリップチップ方式により搭載された複数の半導体チップと、これら半導体チップを覆いつつ回路基板上に装備されたキャップとを備えると共に、装置筺体内部で当該装置筺体の壁面内側に近接して装備されるマザーボード上に実装される。 [0018] According to a third aspect, a circuit board with an external terminal, and the circuit a plurality of semiconductor chips mounted by a flip chip method on a substrate is mounted on the circuit board while covering these semiconductor chips together and a cap, it is mounted on the motherboard to be mounted inside the apparatus housing in close proximity to the wall surface inside of the device housing.

【0019】そして、各半導体チップとキャップとの間に熱伝導率の高い接着剤を介挿すると共に、キャップの上部に、熱伝導率が高く,弾性を有する当接部材を装備し、当接部材の上部が、装置筺体壁面の内側に当接するという構成を採っている。 [0019] Then, a high thermal conductivity adhesive with interposing between each semiconductor chip and the cap, the top of the cap, high thermal conductivity, equipped with a contact member having an elastic abutment top of the member, adopts a configuration that abuts against the inside of the apparatus housing wall.

【0020】上記の構成では、各半導体チップから発生した熱は主として半導体チップの上面から接着剤を介してキャップに伝達される。 [0020] In the above structure, heat generated from the semiconductor chip is mainly transmitted to the cap through an adhesive from the upper surface of the semiconductor chip. そして、キャップに伝達された熱は、当接部材に伝達され、最終的には、この当接部材から装置筺体に熱が伝達されて装置外部に放熱される。 Then, the heat transferred to the cap is transmitted to the abutting member, in the end, the heat is radiated to the outside of the apparatus is transmitted to the drive housing from the contact member.

【0021】請求項4記載の発明は、当接部材を、弾性を有し,装置筺体の壁面内側とキャップとの双方に圧接する断面形状が波形の放熱伝達板で構成している。 [0021] The invention of claim 4 wherein the the abutment member, elastic, cross-sectional shape which presses on both the wall surface inside the cap of the device housing is constituted by radiating transmission plate waveform.

【0022】上記の構成では、各半導体チップから発生した熱は主として半導体チップの上面から接着剤を介してキャップに伝達される。 [0022] In the above structure, heat generated from the semiconductor chip is mainly transmitted to the cap through an adhesive from the upper surface of the semiconductor chip. そして、キャップに伝達された熱は、放熱伝達板に伝達され、最終的には、この放熱伝達板から放熱が行われつつ、装置筺体に熱が伝達されて装置外部に放熱される。 Then, the heat transferred to the cap is transferred to the heat radiating transfer plate, in the end, while the heat radiation is carried out from the radiator transmitting plate, heat is radiated to the outside of the apparatus is transmitted to the drive housing.

【0023】 [0023]

【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

〔第1の実施形態〕本発明の第1の実施形態を図1及び図2に基づいて説明する。 Will be described with reference to [First Embodiment A first embodiment of the present invention in FIGS.

【0024】この第1の実施形態は、外部端子を備えた回路基板1と、この回路基板1上にフリップチップ方式により実装された複数の半導体チップ2と、これら半導体チップ2を覆いつつ回路基板1上に装備されたキャップ3とを備えるマルチチップモジュール10を示している。 [0024] The first embodiment includes a circuit board 1 with an external terminal, a plurality of semiconductor chips 2 mounted by flip chip method on the circuit board 1, the circuit board while covering these semiconductor chips 2 It shows a multi-chip module 10 and a cap 3 that is provided on the 1.

【0025】そして、キャップ3上部に,熱伝導率の高い接着剤5を介して放熱部材4を装備し、また同時に、 [0025] Then, the cap 3 top, via the high adhesive 5 thermal conductivity equipped with heat radiating member 4, and at the same time,
各半導体チップ2とキャップ3との間に熱伝導率の高い接着剤6を介挿させている。 And thereby interposed high adhesive 6 thermal conductivity between the semiconductor chip 2 and the cap 3.

【0026】上記の回路基板1は、下面側(半導体チップ2の実装面の反対面)にボールグリッドアレイによる複数の外部端子1Aを有しており、これにより、従来からあるリードフレームを採用する必要がなく、回路基板1の平面方向についての小型化を図ることが可能である。 The circuit board 1 described above, the lower surface side (opposite side of the mounting surface of the semiconductor chip 2) has a plurality of external terminals 1A by the ball grid array, thereby, employing a lead frame is conventional it is not necessary, it is possible to reduce the size of the planar direction of the circuit board 1.

【0027】上記の半導体チップ2は、回路基板1との対向面側にバンプ2Aが形成されており、回路基板1の回路の所定位置に接続される。 [0027] The semiconductor chip 2 has bumps 2A is formed on the surface facing the circuit board 1, is connected to a predetermined position of the circuit of the circuit board 1. また、この半導体チップ2は、回路基板1との間が樹脂2Bにより封止されており、これにより、半導体チップ2と回路基板1と膨張係数の違いにより生じる熱応力から各バンプ2Aの保護を図っている。 Also, the semiconductor chip 2 is sealed by the resin 2B between the circuit board 1, by which, the protection of the bumps 2A from thermal stress caused by the difference of the semiconductor chip 2 and the circuit board 1 and the expansion coefficient It is aimed.

【0028】上記のキャップ3は、回路基板1とほぼ等しい大きさの金属製であり、開口部を下とした断面コ字状,即ちキャビティー状に絞り込まれた形状に形成されている。 [0028] The cap 3 is substantially equal size made of metal and the circuit board 1, it is formed an opening under it the U-shaped cross section, i.e. the shape which is narrowed down to the cavity shape. そして、その下方端縁部は鍔状に形成され、回路基板1に接地すると共に絶縁性の接着材3Aで固定されている。 Then, the lower edge portion is formed in a flange shape, and is fixed with an adhesive 3A insulating while grounded to the circuit board 1. この固定時には、キャップ3の内側空間に各半導体チップ2が位置すると共にキャップ3の内面と各半導体チップ2の上面とが近接対向し、これらの隙間には熱伝導率の高い接着剤6が介挿される。 This fixed time is the inner surface of the cap 3 and the upper surface of each semiconductor chip 2 is opposed close with each semiconductor chip 2 to the interior space of the cap 3 is located, high adhesive 6 thermal conductivity through These gaps It is inserted.

【0029】さらに、このキャップ3の上面側には、熱伝導率の高い接着剤5、あるいは半田等の金属ロウ材を用いて放熱部材としての放熱フィン4が取り付けられる。 Furthermore, on the upper surface side of the cap 3, a high adhesive 5 thermal conductivity or heat dissipation fins 4 as a radiator member with a metal brazing material such as solder, is attached. この放熱フィン4は、キャップ3の上面に対向する平板部4Aと,この平板部4Aから上方に向けて植設された無数の薄板部4Bとからなり、これらの構成によりその表面積をより大きなものとして、空冷効果を高めている。 The heat radiating fins 4, and the flat portion 4A opposite to the upper surface of the cap 3, made from the flat portion 4A and the myriad of thin plate portion 4B planted upward, larger one its surface area by these configurations as, to enhance the cooling effect.

【0030】上記の構成では、各半導体チップ2から発生した熱は、主として半導体チップ2の上面から接着剤6を介してキャップ3に伝わる。 [0030] In the above structure, heat generated from the semiconductor chip 2 is transmitted to the cap 3 mainly from the upper surface of the semiconductor chip 2 via an adhesive 6. 半導体チップ2の上面の面積に比べ、金属製のキャップ3の上面の面積は広いので、放散させるべき空間との熱抵抗は低くなり、同じ熱量が発生した場合における発熱部の温度上昇はキャップ3無しと有りではキャップ3有りの方が小さくなる。 Than the area of ​​the upper surface of the semiconductor chip 2, since the area of ​​the upper surface of the metal cap 3 is broad, the thermal resistance of the space to dissipate is low, the temperature rise of the heat generating portion in a case where the same amount of heat is generated cap 3 without the better of the cap 3 there will be less in there.

【0031】さらに、キャップ3に伝達された熱は、熱導伝率の高い接着剤5を介して放熱フィン4に伝達される。 Furthermore, the heat transferred to the cap 3 is transmitted to the heat radiating fins 4 via the high adhesive 5 of thermally Den rate. 前述のようにこの放熱フィン4は、放熱面積を充分に有しているため、伝達された熱が有効に外気に奪われて、放熱される。 The heat radiating fins 4 as described above, since the sufficiently have a heat radiation area, is taken by the outside air enabled transferred heat is dissipated.

【0032】図2は、この第1の実施形態の生産工程を示している。 [0032] FIG. 2 shows a production process of the first embodiment. 以下、これを説明すると、まず、回路基板上1に半導体チップ2が実装される(図2(A))。 Explaining this, first, the semiconductor chip 2 is mounted on the circuit board 1 (FIG. 2 (A)). このとき、各半導体チップのバンプ2Aが回路基板1上の回路の所定位置に位置決めされ、リフローにより取付けが行われる。 In this case, the bump 2A of the semiconductor chip is positioned at a predetermined position of the circuit on the circuit board 1, the mounting is performed by reflow. また、同時に、各半導体チップ2と回路基板1との間は樹脂2Bの封入が行われる。 At the same time, between each semiconductor chip 2 and the circuit board 1 is sealed in the resin 2B is performed.

【0033】実装された各半導体チップ2の上面には、 [0033] On the upper surface of each semiconductor chip 2 mounted,
熱導伝率の高い接着剤6が塗布され(図2(B))、同時に、回路基板1上面におけるキャップ3の鍔状の部分が接地する位置に絶縁性の接着剤3Aが塗布される(図2(C))。 High adhesive 6 of thermally Den rate is applied (FIG. 2 (B)), at the same time, insulating adhesive 3A is applied to a position where the flange-shaped portion of the cap 3 in the circuit board 1 top to ground ( Figure 2 (C)).

【0034】そして、キャップ3が回路基板1に対して位置決めされ(図2(D))、当該キャップ3が回路基板1に装着される(図2(E))。 [0034] Then, the cap 3 is positioned relative to the circuit board 1 (FIG. 2 (D)), the cap 3 is mounted on the circuit board 1 (FIG. 2 (E)). これにより、キャップ3は回路基板1上に固定され、各半導体チップ2の上面に塗布された接着剤6は、当該半導体チップ2のほぼ上面一杯に広げられ、各半導体チップ2とキャップ3との間における隙間の発生を防止し、密着度の向上が図られる。 Thus, the cap 3 is fixed on the circuit board 1, the adhesive 6 applied to the upper surface of each semiconductor chip 2 is spread in a substantially top cup of the semiconductor chip 2, and the semiconductor chip 2 and the cap 3 the occurrence of a gap to prevent during, improve the degree of adhesion is achieved.

【0035】そして、回路基板1の下面側の所定位置にボールグリッドアレイにより複数の外部端子1Aが装備される。 [0035] Then, a plurality of external terminals 1A is equipped with a ball grid array at a predetermined position on the lower surface side of the circuit board 1. また、これと同時に、キャップ3の上面に一様に熱伝導率の高い接着剤5が塗布され(図2(F))、 At the same time, the adhesive 5 uniformly high thermal conductivity on the upper surface of the cap 3 is applied (FIG. 2 (F)),
キャップ3の上面に,接着剤5を介して放熱フィン4を搭載し、当該放熱フィン4の接着が行われる(図2 The upper surface of the cap 3, the heat radiating fins 4 mounted via an adhesive 5, the adhesive of the heat radiating fins 4 is performed (Fig. 2
(G))。 (G)).

【0036】上記の構成からなる第1の実施形態は、各半導体チップ2とキャップ3との間に熱伝導率が高い接着剤6が介在するため、各半導体チップ2の上面の高さを精度良く一様に合わせる必要がなく、各高さにバラつきがあっても、各半導体チップ2からの発生熱は有効にキャップ3に伝達される。 The first embodiment having the above structure, since high adhesive 6 thermal conductivity is interposed between the semiconductor chip 2 and the cap 3, precision the height of the upper surface of each semiconductor chip 2 may uniformly without the need to match, even if there is variation in the height, heat generated from the semiconductor chip 2 is transferred effectively to the cap 3. このため、各半導体チップ2 Thus, each semiconductor chip 2
の取付精度を下げることにより、本マルチチップモジュール10の生産性を向上させることが可能である。 By lowering the mounting accuracy, it is possible to improve the productivity of the multi-chip module 10.

【0037】また、キャップ3と放熱フィン4との間には、熱導伝率の高い接着剤5が介挿されているため、キャップ3及び放熱フィン4の互いの対向面の平面度即ち加工における仕上げ精度を高くしなくとも、一定の熱伝導性を確保することができ、これにより、本マルチチップモジュール10の生産性及び生産コストの低減を図ることが可能である。 Further, between the cap 3 and the heat radiating fins 4, since high adhesive 5 of thermally Den rate is inserted, flatness i.e. processing of mutual facing surface of the cap 3 and the radiating fins 4 without increasing the finishing accuracy in, it is possible to ensure a constant thermal conductivity, which makes it possible to reduce the productivity and production cost of the multi-chip module 10.

【0038】さらに、この第1の実施形態では、各半導体チップ2の放熱が行われる上面部(回路基板との対向面の反対面)から放熱フィン4までの間が、接着剤6, [0038] Further, in this first embodiment, until the radiation fins 4 from the top portion of the heat radiation of the semiconductor chip 2 is performed (the opposite side of the surface facing the circuit board) is an adhesive 6,
キャップ3及び接着剤5を介して直線的且つ短距離で接続されているため、半導体チップ2から発生する熱が有効に放熱フィン4まで伝達され、放熱効率の向上を図ることが可能である。 Because it is connected with a linear and a short distance through the cap 3 and the adhesive 5, the heat generated from the semiconductor chip 2 is transmitted effectively to the heat radiating fins 4, it is possible to improve the heat radiation efficiency.

【0039】〔第2の実施形態〕本発明の第2の実施形態を図3に示す。 [0039] The second embodiment of the Second Embodiment In this invention shown in FIG. この第2の実施形態は、装置筺体Kの内部で当該装置筺体Kの壁面内側に近接して装備されるマザーボードB上に実装されるマルチチップモジュール20を示している。 The second embodiment shows a multi-chip module 20 to be mounted on the motherboard B to be mounted inside the apparatus housing K in proximity to the wall surface inside of the device housing K. このマルチチップモジュール20では、上述したマルチチップモジュール10と同一の構成については同符号を付して、重複する説明は省略するものとする。 In the multi-chip module 20, the same components as the multi-chip module 10 described above are denoted by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.

【0040】このマルチチップモジュール20は、放熱フィン4及び接着剤5に変えて、キャップ3の上面に当接部材21を装着している。 [0040] The multi-chip module 20, in place of the heat radiating fins 4 and the adhesive 5, wearing the contact member 21 on the upper surface of the cap 3. かかる当接部材21は、弾性を有すると共に熱伝導率が高い板状部材から形成されており、マザーボードBが装置筺体Kの内部に装備された場合に、キャップ3と装置筺体Kの壁面とから幾分押圧される厚さに設定されている。 Such contact member 21 is thermal conductivity is formed from a high plate-like member which has elasticity, when the motherboard B is equipped inside the apparatus housing K, and a wall surface of the cap 3 and the apparatus housing K It is set to a thickness that is somewhat pressed. 即ち、これにより当接部材21の当接面と装置筺体Kの壁面内側と間の密着性が高められている。 Namely, thereby the adhesion between the wall surface inside and the abutment surface and the device housing K of the contact member 21 is enhanced.

【0041】かかる構成により、半導体チップ2から生じた熱が、接着剤6,キャップ3及び当接部材21を介して直線的に短距離で装置筺体Kの壁面に伝達されると共に、マルチチップモジュール20よりも熱容量の大きい装置筺体Kで拡散しつつ当該装置筺体Kの外気により冷却されるため、より高効率で放熱を行うことが可能である。 [0041] With this configuration, the heat generated from the semiconductor chip 2 is transmitted to the wall surface of the apparatus housing K at linearly short via an adhesive 6, cap 3 and the contact member 21, a multi-chip module since it is cooled by the outside air of the apparatus housing K while spreading a large device housing K heat capacity than 20, it is possible to perform the heat dissipation more efficient.

【0042】特に、この第2の実施形態では、マザーボードBが装備される装置筺体Kに冷却装置がなく,装置筺体Kの内部において空冷効果が低い場合、或いはマザーボードBと装置筺体Kの壁面とが近接しており,放熱フィン取り付けるスペースを確保することができない場合にも、有効にマルチチップモジュール20の放熱を行うことが可能である。 [0042] Particularly, in the second embodiment, no cooling device to device housing K motherboard B is equipped, when the air-cooling effect low inside the drive housing K, or a wall surface of the mother board B and the apparatus housing K There is close, if it is not possible to secure a heat radiating fin mounting spaces, it is possible to perform heat radiation effectively multi-chip module 20.

【0043】言い替えると、このマルチチップモジュール20を装備することにより、専用の冷却装置を装置筺体Kに装備する必要がなく、また、同時にマザーボードBと装置筺体Kの壁面内側とを近接させることができ、 [0043] In other words, by equipping the multi-chip module 20, it is not necessary to equip a special cooling device to device housing K, also it is possible to close the wall inside the motherboard B and the apparatus housing K at the same time can,
装置筺体Kの小型化を図ることが可能である。 It is possible to reduce the size of the apparatus housing K.

【0044】なお、上記のマルチチップモジュール20 [0044] The above-mentioned multi-chip module 20
では、キャップ3と当接部材21との間,及び当接部材21と装置筺体Kの壁面との間に、それぞれ熱伝導率の高い接着剤を介挿させても良い。 So between the cap 3 and the contact member 21, and between the wall surface of the contact member 21 and the drive housing K, it may be respectively brought interposed highly adhesive heat conductivity. これにより、当接部材21の上下面において、有効に熱伝達が行われ、さらなる放熱効率の向上を図ることが可能である。 Thus, in the upper and lower surfaces of the contact member 21, effectively heat transfer takes place, it is possible to further improve the heat radiation efficiency.

【0045】〔第3の実施形態〕本発明の第3の実施の形態を図4に基づいて説明する。 [0045] will be described with reference to Third Embodiment A third embodiment of the present invention in FIG. この第3の実施形態は、装置筺体Kの内部で当該装置筺体Kの壁面内側に近接して装備されるマザーボードB上に実装されるマルチチップモジュール30を示している。 The third embodiment shows a multi-chip module 30 to be mounted on the motherboard B to be mounted inside the apparatus housing K in proximity to the wall surface inside of the device housing K. このマルチチップモジュール30では、上述したマルチチップモジュール20と同一の構成については同符号を付して、重複する説明は省略するものとする。 In the multi-chip module 30, the same components as the multi-chip module 20 described above are denoted by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.

【0046】このマルチチップモジュール30は、キャップ3の上面に、弾性を有し,装置筺体Kの壁面内側とキャップ3との双方に圧接する当接部材としての断面形状が波形の放熱伝達板31を装備している。 [0046] The multi-chip module 30, the upper surface of the cap 3 has elasticity, device radiator transfer plate 31 of the cross-sectional shape is a waveform of a contact member for pressing to both the wall surface inside the cap 3 of the casing K It is equipped with. かかる放熱伝達板31は、弾性を有すると共に熱伝導率が高い素材から形成されており、マザーボードBが装置筺体Kの内部に装備された場合に、キャップ3と装置筺体Kの壁面とから幾分押圧される厚さに設定されている。 Such radiating transmission plate 31 is somewhat from with are formed thermal conductivity from a high material, if the motherboard B is equipped inside the apparatus housing K, the cap 3 and the wall of the apparatus housing K having elasticity It is set to a thickness that is pressed. 即ち、これにより放熱伝達板31の当接面と装置筺体Kの壁面内側との間で有効に当接が図られている。 That is, effectively contact is achieved between the wall surface inside of the contact surface and the device housing K of the heat radiating transfer plate 31 thereby.

【0047】かかるマルチチップモジュール30では、 [0047] In such a multi-chip module 30,
半導体チップ2から生じた熱が、接着剤6及びキャップ3を介して放熱伝達板31に伝達される。 Heat generated from the semiconductor chip 2 is transmitted to the heat radiation transmission plate 31 via an adhesive 6 and the cap 3. この放熱伝達板31では、その波形形状により装置筺体Kの壁面及びキャップ3との間に生じる隙間から放熱しつつ、装置筺体Kの壁面側に熱を伝達する。 In the heat radiating transfer plate 31, while the heat radiation from the gap formed between the wall and the cap 3 of the waveform shape by the apparatus housing K, transfers heat to the wall surface side of the apparatus housing K. そして、最終的には、その熱をマルチチップモジュール30よりも熱容量の大きい装置筺体Kで拡散しつつ当該装置筺体Kの外気により冷却させる。 Then, finally, it is cooled by the outside air of the apparatus housing K while diffusing the heat at a large device housing K heat capacity than the multi-chip module 30.

【0048】これにより、この第3の実施形態では、第2の実施形態と同様の効果を有すると共に、放熱伝達板31の放熱効果により、さらなる放熱効率の向上を図ることが可能である。 [0048] Thus, in this third embodiment, which has the same effect as in the second embodiment, the heat dissipation effect of the heat radiating transfer plate 31, it is possible to further improve the heat radiation efficiency.

【0049】〔第4の実施形態〕本発明の第4の実施形態を図5及び図6に基づいて説明する。 [0049] will be described with reference to a fourth embodiment of the Fourth Embodiment present invention in FIGS. この第4の実施形態に示すマルチチップモジュール40では、上述したマルチチップモジュール10と同一の構成については同符号を付して、重複する説明は省略するものとする。 In the multi-chip module 40 shown in the fourth embodiment, the same configuration as the multi-chip module 10 described above are denoted by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.

【0050】かかるマルチチップモジュール40は、各半導体チップ2とキャップ3との間において接着剤6に替えて、当該各半導体チップ2毎に、弾性を有する断面形状が波形の放熱板41を圧接状態で介挿している。 [0050] Such multi-chip module 40, instead of the adhesive 6 between the respective semiconductor chips 2 and the cap 3, in the respective semiconductor chips each 2, the pressed state of the heat radiation plate 41 of the cross-sectional shape is a waveform having elasticity in are interposed. この放熱板41は、予め熱処理されて弾性が強化されており、キャップ3が回路基板1に装備されたときに、キャップ3の内面と各半導体チップ2の上面とから幾分押圧される厚さに設定されている。 The radiating plate 41 is enhanced elasticity is heat treated in advance, when the cap 3 is mounted on the circuit board 1, the thickness of which is somewhat pressed from the inner surface and the upper surface of the semiconductor chip 2 of the cap 3 It is set to. 即ち、これにより放熱板41の当接面と各半導体チップ2及びキャップ3との間で有効に当接が図られている。 That is, effectively contact is achieved between the contact surface and the semiconductor chip 2 and the cap 3 of the heat radiating plate 41 thereby.

【0051】キャップ3の上方については、図示が省略されているが、熱伝導率の高い接着剤5を介して放熱フィン4を装備しても良く、また、当接部材21或いは放熱伝達板31を介して装置筺体Kの壁面内側と当接する構成としても良い。 [0051] For the upper cap 3, but are not shown, may be equipped with heat radiation fins 4 via the high adhesive 5 thermal conductivity, also the contact member 21 or the radiator transmission plate 31 it may be a wall surface inside the structure abutting the drive housing K through.

【0052】かかる構成では、半導体チップ2から生じた熱が放熱板41に伝達され、この放熱板41においては、その断面形状により半導体チップ2及びキャップ3 [0052] In such a configuration, heat generated from the semiconductor chip 2 is transmitted to the heat radiating plate 41, the heat radiating plate 41, the semiconductor chip 2 and the cap 3 by the cross-sectional shape
との間に生じる隙間から放熱し、残りの熱がキャップ3 It radiated from the gap formed between the, remaining heat cap 3
に伝達される。 It is transmitted to the. そして、このキャップ3から、当該熱が放熱フィン4等に伝達されて放熱が行われる。 Then, from the cap 3, the heat radiating is performed is transmitted to the heat radiating fins 4 and the like.

【0053】図6は、この第4の実施形態の生産工程を示している。 [0053] Figure 6 shows the production process of the fourth embodiment. 以下、これを説明すると、まず、回路基板上1に半導体チップ2が実装される(図6(A))。 Explaining this, first, the semiconductor chip 2 is mounted on the circuit board 1 (FIG. 6 (A)). このとき、各半導体チップのバンプ2Aが回路基板1上の回路の所定位置に位置決めされ、リフローにより取付けが行われる。 In this case, the bump 2A of the semiconductor chip is positioned at a predetermined position of the circuit on the circuit board 1, the mounting is performed by reflow. また、同時に、各半導体チップ2と回路基板1との間は樹脂2Bの封入が行われる。 At the same time, between each semiconductor chip 2 and the circuit board 1 is sealed in the resin 2B is performed.

【0054】実装された各半導体チップ2の上面には、 [0054] On the upper surface of each semiconductor chip 2 mounted,
それぞれ放熱板41が載置され(図6(B))、同時に、回路基板1上面におけるキャップ3の鍔状の部分が接地する位置に絶縁性且つ熱硬化性の接着剤3Bが塗布される(図6(C))。 Placed each radiator plate 41 (FIG. 6 (B)), at the same time, the flange-shaped portion of the cap 3 in the circuit board 1 upper surface is insulating and thermosetting adhesive 3B to position the ground is applied ( FIG 6 (C)).

【0055】そして、キャップ3が回路基板1に対して位置決めされ(図6(D))、当該キャップ3が回路基板1に向けて押圧・加熱されて装着される(図6 [0055] Then, the cap 3 is positioned relative to the circuit board 1 (FIG. 6 (D)), the cap 3 is mounted by being pressed and heat toward the circuit board 1 (FIG. 6
(E))。 (E)). これにより、キャップ3は回路基板1上に固定され、放熱板4は、キャップ3の下面と各半導体チップ2の上面とから幾分押圧された状態で固定される。 Thus, the cap 3 is fixed on the circuit board 1, the heat sink 4 is fixed in a somewhat pressed state from the lower surface of the cap 3 and the upper surface of the semiconductor chip 2.

【0056】そして、回路基板1の下面側の所定位置にボールグリッドアレイにより複数の外部端子1Aが装備される(図6(F))。 [0056] Then, a plurality of external terminals 1A is equipped with a ball grid array at a predetermined position on the lower surface side of the circuit board 1 (FIG. 6 (F)). この後は、マルチチップモジュール10のように、キャップ3の上面に一様に熱伝導率の高い接着剤5を塗布して放熱フィン4を搭載し、当該放熱フィン4を接着しても良く、また、当接部材21又は放熱伝達板31を介してキャップ3を装置筺体Kの壁面内側に当接させて、マザーボードBにマルチチップモジュール40自体を装備しても良い。 Thereafter, as in the multi-chip module 10, the heat radiating fins 4 mounted by applying a high adhesive 5 thermal conductivity uniformly on the upper surface of the cap 3 may be bonded to the heat radiating fins 4, Further, through the contact member 21 or dissipating transmitting plate 31 is abutted against the cap 3 on the wall inside the drive housing K, it may be equipped with a multi-chip module 40 itself to the motherboard B.

【0057】上述のように、この第4の実施形態では、 [0057] As described above, in the fourth embodiment,
第1,第2又は第3の実施形態と同様の効果を有すると共に、放熱板41の放熱効果により、さらなる放熱効率の向上を図ることが可能である。 First, which has the same effect as the second or third embodiment, the heat dissipation effect of the heat radiating plate 41, it is possible to further improve the heat radiation efficiency.

【0058】なお、上記各実施形態において、キャップ3については、外部に通ずる貫通穴とこの貫通穴に充填装備された防塵用のフィルタ部材(フェルト等)とを装備し、放熱板4から放熱される熱をキャップ3の外部に逃がすように構成しても良い。 [0058] In each of the above embodiments, the cap 3, equipped with a filter member dustproof filled equipped in the through hole and the through-hole leading to the outside (such as felt), is radiated from the heat radiating plate 4 heat may be configured so as to release to the outside of the cap 3 that.

【0059】これにより、特に、第4の実施形態の場合について、半導体チップ2から生じる熱がより高効率で放熱される。 [0059] Thus, in particular, for the case of the fourth embodiment, heat generated from the semiconductor chip 2 is radiated more efficiently.

【0060】 [0060]

【実施例】本発明の第1の実施例について説明する。 EXAMPLES A first embodiment of the present invention will be described. この第1の実施例の構成は、前述した第1の実施形態と同じであり、図1に基づいて同符号を使用して説明し、重複する説明は省略するものとする。 The configuration of the first embodiment is the same as the first embodiment described above, described using the same reference numerals with reference to FIG. 1, redundant description will be omitted.

【0061】ガラスエポキシ、あるいはガラスセラミックを主材料にして形成される回路基板1上にフリップチップ方式で半導体チップ2が複数搭載され、半導体チップ2と回路基板1間が樹脂2Bにより封止され、ボールグリッドアレイによる外部端子1Aを設けたマルチチップモジュール10において、半導体チップ2の上面に熱伝導率の高い接着剤6、例えば、シリコンゴム、シリコンゲルに銀を添加したものを半導体チップ2の上面全体に広がる程度の量を塗布し、さらに回路基板1の周囲に絶縁性のある接着剤3A、例えばエポキシ系接着剤を塗布し、その上にマルチチップモジュール全体を覆う程度の大きさを持ち、キャビティー状に絞り込まれて周囲につばが形成された厚さ0.3mm程度の金属製のキャップ3、例えば銅に [0061] glass epoxy, or the semiconductor chip 2 in a flip-chip method on a circuit board 1 formed of glass ceramics in the primary material is more mounted, between the semiconductor chip 2 and the circuit board 1 is sealed with a resin 2B, in a multi-chip module 10 provided with external terminals 1A by the ball grid array, a high adhesive 6 thermal conductivity on the upper surface of the semiconductor chip 2, e.g., silicone rubber, the upper surface of the semiconductor chip 2 obtained by adding silver to the silicon gel the amount that spread throughout coating, adhesive 3A further surrounding the circuit board 1 insulating property, for example, an epoxy-based adhesive was applied, has a size that covers the entire multi-chip module thereon, cavity shape narrowed with cap metal having a thickness of about 0.3mm which collar is formed around 3, for example, copper ッケルメッキを施したもの又は鉄にニッケルメッキを施したものを載せて、キャップ3と半導体チップ2の上面および回路基板1の周囲を接着する。 Kkerumekki those or iron subjected to put those plated with nickel to bond the periphery of the upper surface and the circuit board 1 the cap 3 and the semiconductor chip 2. 外部端子1Aとなるボールグリッドアレイはその後形成する。 Ball grid array of external terminals 1A is then formed.

【0062】この後、キャップ3の上部に熱伝導率の高い接着剤5、例えばシリコンゴム、あるいは半田等の金属ロウ材を用いて金属製の放熱フィン4、例えば銅にニッケルメッキを施したものや、アルミニウムなどでつくられているものを取り付ける。 [0062] Then, a high adhesive 5 thermal conductivity on top of the cap 3, for example silicone rubber or solder or the like radiation fin 4 made of a metal with a metal brazing material, such as those plated with nickel copper and, attaching what is made of aluminum or the like.

【0063】次に、本発明の第2の実施例について説明する。 Next, a description will be given of a second embodiment of the present invention. この第2の実施例の構成は、前述した第2の実施形態と同じであり、図3に基づいて同符号を使用して説明し、重複する説明は省略するものとする。 The configuration of the second embodiment is the same as the second embodiment described above, described using the same reference numerals with reference to FIG. 3, overlapping descriptions will be omitted.

【0064】この第2の実施例では、キャップ3上部の放熱フィン4の代わりに熱伝導率の高い当接部材としてのラバー材21例えばシリコンにアルミナ粉を混ぜたもの(信越科学株式会社のTCKシリーズのシリコン系ラバー)を介して装置筐体Kに直接接触させて、放熱経路を装置筐体Kに得るものである。 [0064] In the second embodiment, a cap 3 that mixing alumina powder rubber material 21 for example, silicon as an upper high abutment member having thermal conductivity in place of the heat radiating fins 4 of the (Shin-Etsu Scientific Co., TCK in direct contact with the silicon rubber) through the apparatus casing K series, thereby obtaining a heat radiation path to the device housing K.

【0065】次に、本発明の第3の実施例について説明する。 Next, a description will be given of a third embodiment of the present invention. この第3の実施例の構成は、前述した第3の実施形態と同じであり、図4に基づいて同符号を使用して説明し、重複する説明は省略するものとする。 The configuration of the third embodiment is the same as the third embodiment described above, described using the same reference numerals with reference to FIG. 4, overlapping descriptions will be omitted.

【0066】この第3の実施例では、金属製のキャップ3と装置筐体Kとの間に、波状に形成され、熱処理によって弾性を持たせた厚さ0.3mm程度の薄板である放熱伝導板31(例えばベリリウム銅を材料とするもの) [0066] In the third embodiment, between the metal cap 3 and the apparatus casing K, are formed in a wave shape, the heat conducting and dissipating a thin plate having a thickness of about 0.3mm which gave elastic by heat treatment plate 31 (e.g., those that beryllium copper and material)
を加圧接触させ、放熱経路を確保している。 It was pressure contact so as to ensure heat dissipation path.

【0067】次に、本発明の第4の実施例について説明する。 Next, a description will be given of a fourth embodiment of the present invention. この第4の実施例の構成は、前述した第4の実施形態と同じであり、図5及び図6に基づいて同符号を使用して説明し、重複する説明は省略するものとする。 The configuration of the fourth embodiment is the same as in the fourth embodiment described above, it described using the same reference numerals with reference to FIGS. 5 and 6, redundant description will be omitted.

【0068】この第4の実施例では、熱伝導率の高い接着材6の代わりに厚さ0.1mmの銅製の板をプレス形成によって波高0.15mm程度の波状に形成され、熱処理を加えて弾性を増した薄板である放熱板41を半導体チップ2の上面の大きさに合わせて切断し、半導体チップ2と金属製のキャップ3との間に挟み(図6(A) [0068] In this fourth embodiment, the copper plate having a thickness of 0.1mm instead of high adhesion material 6 heat conductivity are formed in a wave of about height 0.15mm by the press forming, in addition to heat treatment the heat radiating plate 41 is a thin plate of increased elasticity is cut according to the size of the upper surface of the semiconductor chip 2 sandwiched between the semiconductor chip 2 and the metal cap 3 (FIG. 6 (a)
及び図6(B))、回路基板1の周囲のキャップ3と接触するところに熱硬化性接着剤としての樹脂3B、例えばハイソール製EH0535シリーズを塗布し(図6 And FIG. 6 (B)), the resin 3B as the thermosetting adhesive at which contact with the cap 3 around the circuit board 1, for example a Haisoru made EH0535 series was applied (FIG. 6
(C))、金属製のキャップ3を250℃に加熱し、5 (C)), the metal cap 3 and heated to 250 ° C., 5
kgf程度の荷重で60秒ほど押しつけ、回路基板1と金属キッャプ3との間を接着すると共に半導体チップ2 Pressing about 60 seconds with a load of about kgf, the semiconductor chip 2 with bonding between the circuit board 1 and the metal Ki'yapu 3
と金属製のキャップ3との間に挟んだ放熱板41を押しつけ(図6(D)及び図6(E))、波形が潰れることにより半導体チップ2と金属製キャップ3との間を接触させることで放熱経路を確保する。 Is to contact between the semiconductor chip 2 and the metallic cap 3 by sandwiching the heat radiation plate 41 pressed (FIG. 6 (D) and FIG. 6 (E)), the waveform collapses between the metal cap 3 and ensuring the heat dissipation paths by.

【0069】 [0069]

【発明の効果】請求項1記載の発明は、各半導体チップとキャップとの間に熱伝導率が高い接着剤が介在するため、各半導体チップの上面の高さを精度良く一様に合わせる必要がなく、各高さにバラつきがあっても、各半導体チップからの発生熱は有効にキャップに伝達される。 Effects of the Invention Claim 1 the described invention, the heat because the conductivity is high adhesive is interposed, necessary to match the height of the upper surface of the semiconductor chip with high accuracy uniformly between the semiconductor chip and the cap without, even if variation in the height, heat generated from the semiconductor chip is transferred effectively to the cap.
このため、各半導体チップの取付に際して高精度が要求されず、従って多数の半導体チップの装備にも容易に対応し、同時に本発明の生産性を向上させることが可能である。 Therefore, high accuracy is not required during mounting of the semiconductor chip, thus also easily correspond to the equipment of a large number of semiconductor chips, it is possible to improve the productivity of the present invention at the same time.

【0070】また、キャップと放熱部材との間には、熱導伝率の高い接着剤が介挿されているため、キャップ及び放熱部材の互いの対向面の平面度即ち加工における仕上げ精度を高くしなくとも、一定の熱伝導性を確保することができ、これにより、本発明の生産性及び生産コストの低減を図ることが可能である。 [0070] Further, between the cap and the heat radiating member, since a high adhesive of thermally Den rate is interposed, higher finishing precision in flatness i.e. processing of mutual facing surface of the cap and the heat radiating member even without, it is possible to ensure a constant thermal conductivity, which makes it possible to reduce the productivity and production cost of the present invention.

【0071】さらに、各半導体チップの放熱が行われる上面部(回路基板との対向面の反対面)から放熱部材までの間が、接着剤,キャップ等を介して直線的且つ短距離(従来と比較して)で接続されているため、半導体チップから発生する熱が有効に放熱部材まで伝達され、放熱効率の向上を図ることが可能である。 [0071] Further, between the upper surface of the heat radiation of the semiconductor chip is performed (the opposite side of the surface facing the circuit board) to the heat radiating member, an adhesive, a straight and short range (conventionally through the cap or the like because it is connected in comparison with) the heat generated from the semiconductor chip is transmitted to effectively heat radiating member, it is possible to improve the heat radiation efficiency.

【0072】請求項2記載の発明は、上記の構成とほぼ同様の効果を有すると共に、断面波状の放熱板を各半導体チップとキャップとの間に有しているため、半導体チップから生じた熱が放熱板に伝達されると、その断面形状により生じる隙間から放熱しつつ、残りの熱がキャップ3に伝達されため、より放熱効率の向上を図ることが可能である。 [0072] According to a second aspect of the invention, which has substantially the same effect as the above configuration, since it has a cross corrugated radiator plate between each semiconductor chip and the cap, originating from the semiconductor chip heat When There is transferred to the heat radiating plate, while the heat radiation from the gap caused by the cross-sectional shape, for the rest of the heat is transferred to the cap 3, it is possible to improve the heat radiation efficiency.

【0073】請求項3記載の発明は、請求項1記載の発明とほぼ同様の効果を有すると共に、半導体チップから生じた熱が、接着剤,キャップ及び当接部材を介して直線的に短距離で装置筺体の壁面に伝達されると共に、熱容量の大きい装置筺体で拡散しつつ当該装置筺体の外気により冷却されるため、より高効率で放熱を行うことが可能である。 [0073] According to a third aspect, which has substantially the same effect as the first aspect of the present invention, heat generated from the semiconductor chip, linearly short through the adhesive, the cap and the contact member in conjunction is transmitted to the wall surface of the device housing, because it is cooled by the outside air of the apparatus housing while spreading a large device housing heat capacity, it is possible to perform heat radiation with a higher efficiency.

【0074】また、マザーボードが装備される装置筺体に冷却装置がなく,装置筺体の内部において空冷効果が低い場合、或いはマザーボードと装置筺体の壁面とが近接しており,放熱部材取り付けるスペースを確保することができない場合にも、有効に放熱を行うことが可能である。 [0074] Further, the motherboard without a cooling device in the apparatus housing to be mounted, when cooling effect is low inside the device housing, or are close to the wall of the device housing is a motherboard, to secure a space for mounting the heat radiating member If it can not be, it is possible to perform effective heat dissipation.

【0075】言い替えると、本発明を装置に装備することにより、専用の冷却装置を装置筺体に装備する必要がなく、また、同時にマザーボードと装置筺体の壁面内側とを近接させることができ、装置筺体の小型化を図ることが可能である。 [0075] In other words, by equipping the present invention to the apparatus, it is not necessary to equip a special cooling device to device housing, also, it is possible to close the wall inside the motherboard with the device housing at the same time, drive housing it is possible to achieve miniaturization.

【0076】請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明とほぼ同様の効果を有すると共に、半導体チップから生じた熱が、キャップから装置筺体の壁面内側に伝達する際に放熱伝達板により、放熱されつつ装置筺体の壁面側に伝達されるため、さらなる放熱効率の向上を図ることが可能である。 [0076] The invention of claim 4, wherein, together with substantially the same effect as the invention described in claim 3, heat generated from the semiconductor chip by radiating transmission plate while transmitting from the cap to the wall surface inside the device housing , since it is transmitted to the wall surface of the heat is radiated while the apparatus housing, it is possible to further improve the heat radiation efficiency.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の第1の実施形態の断面図である。 1 is a cross-sectional view of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施形態の形成工程を示す説明図であり、図2(A)から図2(G)の順で進行する。 [Figure 2] is an explanatory view showing the step of forming the first embodiment of the present invention proceeds in order of FIG. 2 (G) from 2 (A).

【図3】本発明の第2の実施形態の断面図である。 3 is a cross-sectional view of a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施形態の断面図である。 4 is a cross-sectional view of a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4の実施形態の一部省略した断面図である。 5 is a cross-sectional view of a portion omitted the fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第4の実施形態の形成工程を示す説明図であり、図6(A)から図6(F)の順で進行する。 [Figure 6] is an explanatory view showing the step of forming the fourth embodiment of the present invention proceeds in order of FIG. 6 (F) from Fig. 6 (A).

【図7】第1の従来例の断面図である。 7 is a cross-sectional view of a first conventional example.

【図8】第2の従来例の断面図である。 8 is a cross-sectional view of a second conventional example.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 回路基板 1A 外部端子 2 半導体チップ 3 キャップ 4 放熱フィン(放熱部材) 5 接着剤 6 接着剤 10,20,30,40 マルチチップモジュール 21 当接部材 31 放熱伝達板 41 放熱板 B マザーボード K 装置筐体 1 circuit board 1A external terminals 2 semiconductor chip 3 cap 4 radiating fins (heat radiating member) 5 adhesive 6 adhesive 10, 20, 30, 40 multi-chip module 21 abutting member 31 radiating transmission plate 41 radiating plate B motherboard K device housing body

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 外部端子を備えた回路基板と、この回路基板上にフリップチップ方式により実装された複数の半導体チップと、これら半導体チップを覆いつつ前記回路基板上に装備されたキャップとを備えたマルチチップモジュールにおいて、 前記キャップの上部に放熱部材を装備すると共に、これらキャップと放熱部材との間,及び前記各半導体チップとキャップとの間に熱伝導率の高い接着剤を介挿したことを特徴とするマルチチップモジュール。 Comprising 1. A circuit board having an external terminal, a plurality of semiconductor chips mounted by flip chip method to the circuit board, and a cap that is provided on the circuit board while covering these semiconductor chips was in a multi-chip module, as well as equipped with a heat radiation member to the top of the cap, between these caps and the heat radiating member, and that said interposed highly adhesive heat conductivity between the semiconductor chip and the cap multi-chip module according to claim.
  2. 【請求項2】 外部端子を備えた回路基板と、この回路基板上にフリップチップ方式により搭載された複数の半導体チップと、これら半導体チップを覆いつつ前記回路基板上に装備されたキャップとを備えたマルチチップモジュールにおいて、 前記キャップの上部に放熱部材を装備すると共に、これらキャップと放熱部材との間に熱伝導率の高い接着剤を介挿し、 前記各半導体チップとキャップとの間に、弾性を有する断面形状が波形の放熱板を圧接状態で介挿したことを特徴とするマルチチップモジュール。 Comprising: a circuit board having a wherein external terminals, a plurality of semiconductor chips mounted by flip chip method to the circuit board, and a cap that is provided on the circuit board while covering these semiconductor chips was in a multi-chip module, as well as equipped with a heat radiation member to the top of the cap, interposed a high thermal conductivity adhesive between these caps and the heat radiating member, between the respective semiconductor chips and the cap, the elastic multi-chip module, wherein the cross-sectional shape is interposed heatsink waveform pressure contact state with.
  3. 【請求項3】 外部端子を備えた回路基板と、この回路基板上にフリップチップ方式により搭載された複数の半導体チップと、これら半導体チップを覆いつつ前記回路基板上に装備されたキャップとを備えると共に、 装置筺体内部で当該装置筺体の壁面内側に近接して装備されるマザーボード上に実装されるマルチチップモジュールにおいて、 前記各半導体チップとキャップとの間に熱伝導率の高い接着剤を介挿すると共に、前記キャップの上部に、熱伝導率が高く且つ弾性を有する当接部材を装備し、 前記当接部材の上部が、前記装置筺体の壁面内側と当接していることを特徴とするマルチチップモジュール。 Comprising a circuit board 3. A with an external terminal, a plurality of semiconductor chips mounted by flip chip method to the circuit board, and a cap that is provided on the circuit board while covering these semiconductor chips together, in a multi-chip module to be mounted on the mother board to be mounted inside the apparatus housing in close proximity to the wall surface inside of the device housing, wherein the high adhesive thermal conductivity between the semiconductor chip and the cap interposed multi well as, to the top of the cap, equipped with a contact member having a high and elastic thermal conductivity, the top of the abutment member, characterized in that is in contact with the wall surface inside the device housing chip module.
  4. 【請求項4】 前記当接部材が、弾性を有し,前記装置筺体の壁面内側と前記キャップとの双方に圧接する断面形状が波形の放熱伝達板であることを特徴とする請求項3記載のマルチチップモジュール。 Wherein said abutment member has a resilient, according to claim 3, wherein the cross-sectional shape that presses to both the wall surface inside and the cap of the device housing is characterized in that it is a radiator transfer plate waveform multi-chip module.
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