JPH10320991A - Flash memory writing device and method therefor - Google Patents

Flash memory writing device and method therefor

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JPH10320991A
JPH10320991A JP12534397A JP12534397A JPH10320991A JP H10320991 A JPH10320991 A JP H10320991A JP 12534397 A JP12534397 A JP 12534397A JP 12534397 A JP12534397 A JP 12534397A JP H10320991 A JPH10320991 A JP H10320991A
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JP
Japan
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flash memory
chip select
target system
memory
data
Prior art date
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Application number
JP12534397A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazunori Takahashi
一徳 高橋
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flash memory writing device and a method therefor which are low in cost and can be applied to various types of flash memories. SOLUTION: At the time of the renewal (erasing/writing) of a flash memory 12, the content (loader: flash memory erasing/writing program) of an external ROM 2 are transferred to a RAM 14 while the external ROM 2 is connected to a target system 1. When the loader is practiced by a CPU 11 on the RAM 14, the content of the flash memory 12 is renewed while the output signal of a port connected to the flash memory 12 and the chip selection terminal of the external ROM 2 is controlled.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はターゲットシステム
上のフラッシュメモリの書き換えに関するもので、特に
ターゲットシステムの外部のROMを利用して実行する
フラッシュメモリ書き換えに特徴を有する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to rewriting of a flash memory on a target system, and particularly has a feature in rewriting of a flash memory executed using a ROM external to the target system.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、フラッシュメモリ書き換え回路は
特開平5−233478号公報に記載されたものが知ら
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a flash memory rewriting circuit described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-233478 is known.

【0003】図5に従来のフラッシュメモリ書き込みシ
ステムの構成を示しており、1はターゲットシステム、
3はホストシステムであり、12はフラッシュメモリ、
14はRAM、11はターゲットシステム全体を制御す
るCPU、17はホストシステム3との通信を行う外部
通信I/F、18はフラッシュメモリの消去/書き込み
を実行するためのプログラムを格納するローダーRO
M、31はフラッシュメモリ12に書き込むデータを保
持するROMデータ記憶装置、4はターゲットシステム
1とホストシステム3の間で通信を実行する媒体である
通信媒体である。
FIG. 5 shows a configuration of a conventional flash memory writing system, where 1 is a target system,
3 is a host system, 12 is a flash memory,
14 is a RAM, 11 is a CPU that controls the entire target system, 17 is an external communication I / F that communicates with the host system 3, and 18 is a loader RO that stores a program for executing erasing / writing of the flash memory.
M and 31 are ROM data storage devices for holding data to be written to the flash memory 12, and 4 is a communication medium that is a medium for executing communication between the target system 1 and the host system 3.

【0004】図5において、フラッシュメモリ12への
消去/書き込み方法を説明する。 (1)リセットによりターゲットシステムは初期化され
る。 (2)フラッシュメモリ12の内容を更新(ローダーを
実行)するかどうかを判定する。 (3)ローダーを実行しない場合は、通常のプログラム
を実行する。ローダーを実行する場合は以下のルーチン
を実行する。 (4)フラッシュメモリ12のタイプを識別する。具体
的にはフラッシュメモリ12に対してタイプ識別のコマ
ンドを発行(所定のアドレスに対してタイプが出力され
るデータを書き込む)して、タイプを識別する。 (5)(4)により判明したフラッシュメモリ12のタ
イプから、これに対応するローダープログラムのアドレ
ス(ローダーROM18)へ分岐する。 (6)フラッシュメモリ12の内容を消去する。 (7)ホストシステム3と外部通信I/F17を介し
て、ROMデータ記憶装置31の内容を、RAM14に
転送する。 (8)RAM14の内容をフラッシュメモリ12に書き
込む。 (9)このとき、フラッシュメモリ12で書き込みの対
象となる全アドレスに対してデータを書き込み、同時に
その内容をリードして元データ(RAM14の内容)と
比較(ベリファイ処理)して一致していれば書き込みは
完了する。フラッシュメモリ12に書き込むデータの容
量がRAM14の容量よりも大きい場合は上記の(7)
(8)の処理を繰り返し実行することで、フラッシュメ
モリ12の内容を更新することができる。
Referring to FIG. 5, a method of erasing / writing data to / from the flash memory 12 will be described. (1) The target system is initialized by reset. (2) Determine whether to update the contents of the flash memory 12 (execute the loader). (3) When the loader is not executed, a normal program is executed. When executing the loader, execute the following routine. (4) The type of the flash memory 12 is identified. Specifically, a type identification command is issued to the flash memory 12 (data for outputting the type is written to a predetermined address) to identify the type. (5) From the type of the flash memory 12 determined in (4), branch to the address of the loader program (loader ROM 18) corresponding to the type. (6) The contents of the flash memory 12 are erased. (7) The contents of the ROM data storage device 31 are transferred to the RAM 14 via the host system 3 and the external communication I / F 17. (8) Write the contents of the RAM 14 to the flash memory 12. (9) At this time, data is written to all addresses to be written in the flash memory 12, and at the same time, the contents are read and compared with the original data (contents of the RAM 14) (verify processing) to find a match. If the writing is completed. When the capacity of data to be written to the flash memory 12 is larger than the capacity of the RAM 14, the above (7)
The contents of the flash memory 12 can be updated by repeatedly executing the processing of (8).

【0005】以上の操作により、フラッシュメモリ12
の内容を消去して、ROMデータ記憶装置31の内容を
フラッシュメモリ12に書き込むことができる。
[0005] By the above operation, the flash memory 12
Can be erased and the contents of the ROM data storage device 31 can be written to the flash memory 12.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】フラッシュメモリを搭
載する従来のターゲットシステムにおいては、フラッシ
ュメモリの書き換えを実行するプログラムを含むローダ
ーROMが必須である。このため、本来ターゲットシス
テムの動作には不要なローダーROMがターゲットシス
テムに必要となるため、ターゲットシステムの規模とコ
ストが大きくなるという問題があった。
In a conventional target system equipped with a flash memory, a loader ROM including a program for executing rewriting of the flash memory is indispensable. For this reason, a loader ROM that is not required for the operation of the target system is required for the target system, and there is a problem that the scale and cost of the target system increase.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のフラッシュメモリ書き込み装置及びその方
法は、フラッシュメモリに書き込むべきデータとそのフ
ラッシュメモリへの消去及び書き込みを実行するローダ
ープログラムを保持するメモリ部とターゲットシステム
部を備え、ターゲットシステム部はフラッシュメモリと
そのフラッシュメモリに対応した前記メモリ部から供給
されるローダープログラムを記憶するRAMと、前記メ
モリ部をアクティブにする第1のチップセレクト信号と
前記フラッシュメモリをアクティブにする第2のチップ
セレクト信号を選択的に出力するポート回路と前記第
1、第2のチップセレクト信号の制御状態を設定するチ
ップセレクトスイッチ回路を有し、前記ターゲットシス
テム部を制御するCPUが前記チップセレクト信号を制
御して、前記メモリ部のデータを前記フラッシュメモリ
に書き込むことを特徴としたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, a flash memory writing apparatus and method according to the present invention provide a loader program for executing data to be written to a flash memory and erasing and writing to the flash memory. A memory for storing the flash memory and a RAM for storing a loader program supplied from the memory corresponding to the flash memory; and a first chip for activating the memory. A port circuit for selectively outputting a select signal and a second chip select signal for activating the flash memory; and a chip select switch circuit for setting a control state of the first and second chip select signals. C that controls the target system U is by controlling the chip select signal, in which the data of the memory unit to and writes into the flash memory.

【0008】本発明によれば、ターゲットシステム上に
ローダーROMが不要となるため、ターゲットシステム
を低コストで実現できる。
According to the present invention, the loader ROM is not required on the target system, so that the target system can be realized at low cost.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載のフラッ
シュメモリ書き込み装置は、フラッシュメモリに書き込
むべきデータとそのフラッシュメモリへの消去及び書き
込みを実行するローダープログラムを保持するメモリ部
とターゲットシステム部を備え、ターゲットシステム部
はフラッシュメモリとそのフラッシュメモリに対応した
前記メモリ部から供給されるローダープログラムを記憶
するRAMと、前記メモリ部をアクティブにする第1の
チップセレクト信号と前記フラッシュメモリをアクティ
ブにする第2のチップセレクト信号を選択的に出力する
ポート回路と前記第1、第2のチップセレクト信号の制
御状態を設定するチップセレクトスイッチ回路を有し、
前記ターゲットシステム部を制御するCPUが前記チッ
プセレクト信号を制御して、前記メモリ部のデータを前
記フラッシュメモリに書き込むことを特徴としたもので
あり、ターゲットシステムではローダーROMが不要と
なるため、ターゲットシステムの規模とコストを低減す
ることができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A flash memory writing apparatus according to claim 1 of the present invention has a memory section for holding data to be written to a flash memory, a loader program for executing erasing and writing to the flash memory, and a target system. A target system unit that stores a flash memory and a RAM that stores a loader program supplied from the memory unit corresponding to the flash memory, a first chip select signal that activates the memory unit, and the flash memory. A port circuit for selectively outputting a second chip select signal to be activated, and a chip select switch circuit for setting a control state of the first and second chip select signals;
The CPU that controls the target system unit controls the chip select signal to write data in the memory unit to the flash memory. Since the target system does not require a loader ROM, the target system does not require a loader ROM. The size and cost of the system can be reduced.

【0010】本発明の請求項2に記載のフラッシュメモ
リ書き込み方法は、フラッシュメモリに書き込むべきデ
ータとそのフラッシュメモリへの消去及び書き込みを実
行するローダープログラムを保持するメモリ部とターゲ
ットシステム部を備え、ターゲットシステム部はフラッ
シュメモリとそのフラッシュメモリに対応した前記メモ
リ部から供給されるローダープログラムを記憶するRA
Mと、前記メモリ部をアクティブにする第1のチップセ
レクト信号と前記フラッシュメモリをアクティブにする
第2のチップセレクト信号を選択的に出力するポート回
路と前記第1、第2のチップセレクト信号の制御状態を
設定するチップセレクトスイッチ回路を有し、前記チッ
プセレクトスイッチ回路を制御して第1のチップセレク
ト信号により前記メモリ部をアクティブにしてターゲッ
トシステム部の電源をオンし、前記メモリ部からフラッ
シュメモリに対応する所定のローダープログラムをター
ゲットシステム部のRAMに転送し、第1のチップセレ
クト信号を有効、第2のチップセレクト信号を無効にし
て前記メモリ部のフラッシュデータを前記ターゲットシ
ステム部を制御するCPUが読込み、次に第1のチップ
セレクト信号を無効、第2のチップセレクト信号を有効
にして前記読み込まれたフラッシュデータをフラッシュ
メモリに書き込み、第1と第2のチップセレクト信号を
制御してメモリ部のフラッシュデータをフラッシュメモ
リに転送することを特徴としたものであり、ターゲット
システムの規模とコストを低減できる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a flash memory writing method comprising: a memory section for holding data to be written to the flash memory; a loader program for executing erasing and writing to the flash memory; and a target system section. The target system unit stores a flash memory and a loader program supplied from the memory unit corresponding to the flash memory.
M, a port circuit for selectively outputting a first chip select signal for activating the memory section and a second chip select signal for activating the flash memory, and a first and second chip select signals. A chip select switch circuit for setting a control state; controlling the chip select switch circuit to activate the memory unit by a first chip select signal to turn on a power supply of a target system unit; A predetermined loader program corresponding to the memory is transferred to the RAM of the target system unit, the first chip select signal is enabled, and the second chip select signal is disabled, and the flash data of the memory unit is controlled by the target system unit. CPU reads the signal and then turns off the first chip select signal. And enabling the second chip select signal to write the read flash data into the flash memory, and controlling the first and second chip select signals to transfer the flash data in the memory unit to the flash memory. The size and cost of the target system can be reduced.

【0011】(実施の形態1)以下に、本発明の請求項
1に記載された発明の実施の形態について、図1から図
4を用いて説明する。
(Embodiment 1) An embodiment of the present invention described in claim 1 of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0012】図1において、1はターゲットシステム、
11はターゲットシステム全体を制御するCPU、12
はフラッシュメモリ、13は2bit のポートの出力を制
御するポート制御レジスタと2bit のポートの内容を格
納するポートデータレジスタを含むポート回路、14は
RAM、15はPull Up 抵抗かPull Down 抵抗をスイッ
チで切り換えるCSスイッチ、16はCPU11に接続
されるデータバス、21はCPU11のアドレスバス、
151はポート回路13から出力されフラッシュメモリ
12のチップセレクト端子に接続する内部CS信号線、
2はターゲットシステム1の外部に存在する外部RO
M、22はポート回路13から出力され外部ROM2の
チップセレクト端子を制御する外部CS信号線、23は
ターゲットシステム1の外部に存在し外部CS信号線2
2に接続される外部プルダウン抵抗である。
In FIG. 1, 1 is a target system,
11, a CPU for controlling the entire target system;
Is a flash memory, 13 is a port circuit including a port control register for controlling the output of a 2-bit port and a port data register for storing the contents of the 2-bit port, 14 is a RAM, 15 is a pull-up resistor or a pull-down resistor. CS switch for switching, 16 is a data bus connected to the CPU 11, 21 is an address bus of the CPU 11,
151 is an internal CS signal line output from the port circuit 13 and connected to the chip select terminal of the flash memory 12;
2 is an external RO existing outside the target system 1
M and 22 are external CS signal lines output from the port circuit 13 and controlling the chip select terminal of the external ROM 2, and 23 is an external CS signal line 2 existing outside the target system 1.
2 is an external pull-down resistor.

【0013】図2はCSスイッチ15の詳細説明図であ
る。CSスイッチ15内にはスイッチSW、Pull Up 抵
抗RU、Pull Down 抵抗RDが存在し、このスイッチS
Wは外部ROM2の使用の切り替え用であり、外部RO
M2を使用するときは内部CS信号線151はPull Up
抵抗RUに接続し、外部ROM2を使用しないでターゲ
ットシステム1で動作する通常オペレーションの場合に
はPull Down 抵抗RDに接続する。
FIG. 2 is a detailed explanatory diagram of the CS switch 15. A switch SW, a pull-up resistor RU, and a pull-down resistor RD exist in the CS switch 15.
W is for switching the use of the external ROM 2 and the external RO
When using M2, the internal CS signal line 151 is pulled up.
Connected to the resistor RU, and connected to the Pull Down resistor RD in the case of normal operation in which the target system 1 operates without using the external ROM 2.

【0014】図3はポート回路13の詳細説明図であ
る。ポート回路13の中で使用されているドライバーの
論理は、ドライバーの入力信号をIN、制御信号をC、
出力信号をOUTとして、制御信号C=0(LOWレベ
ル)の時、出力信号OUTはハイインピーダンスとな
り、制御信号C=1(HIGHレベル)の時、出力信号
OUT=入力信号INのスルー状態となる。
FIG. 3 is a detailed explanatory diagram of the port circuit 13. The logic of the driver used in the port circuit 13 is such that the input signal of the driver is IN, the control signal is C,
When the output signal is OUT and the control signal C = 0 (LOW level), the output signal OUT has high impedance. When the control signal C = 1 (HIGH level), the output signal OUT = the through state of the input signal IN. .

【0015】ポート制御レジスタ(PCR[1:0])
161およびポートデータレジスタ(PDR[1:
0])162はデータバス16の下位2bit に接続され
ており、CPU11がこれらのレジスタにデータを書き
込むことができる。
Port control register (PCR [1: 0])
161 and the port data register (PDR [1:
0]) 162 is connected to the lower 2 bits of the data bus 16 so that the CPU 11 can write data to these registers.

【0016】電源投入時にポート制御レジスタ161の
内容は00に初期化され、内部CS信号線151および
外部CS信号線22はハイインピーダンス状態になる。
また、これらのレジスタの1ビット目のPCR[1]/
PDR[1]が外部CS信号線22を制御するものであ
り、最下位ビット目のPCR[0]/PDR[0]が内
部CS信号線151を制御するものであるとする。外部
CS信号線22および内部CS信号線151がLOWレ
ベルのときフラッシュメモリ12および外部ROM2が
有効になるもの(チップセレクト端子がLOW Act
ive)である。
When the power is turned on, the contents of the port control register 161 are initialized to 00, and the internal CS signal line 151 and the external CS signal line 22 enter a high impedance state.
Also, the first bit PCR [1] /
It is assumed that PDR [1] controls the external CS signal line 22 and the least significant bit PCR [0] / PDR [0] controls the internal CS signal line 151. When the external CS signal line 22 and the internal CS signal line 151 are at the LOW level, the flash memory 12 and the external ROM 2 become valid (the chip select terminal is set to LOW Act).
ive).

【0017】次に、フラッシュメモリ12の書き込み方
法について図4を用いて説明する。まず、あらかじめ、
外部ROM2に対して、フラッシュメモリ書き込みを実
行するローダープログラムおよび書き込みデータ(フラ
ッシュデータ)を作成し、書き込んでおく。
Next, a writing method of the flash memory 12 will be described with reference to FIG. First,
A loader program for executing flash memory writing and write data (flash data) are created and written to the external ROM 2.

【0018】ステップ(1)において、ターゲットシス
テム1と前記ローダープログラムとフラッシュデータが
書き込まれてある外部ROM2を接続するため、外部プ
ルダウン抵抗23をターゲットシステム1と接続する。
このとき接続されるのは、アドレスバス21、データバ
ス16、外部CS信号線22の信号線と電源/グランド
(図1には示していない)である。接続方法としてはタ
ーゲットシステム1上にテストポートを設けてそこにプ
ローブを接続する方法またはコネクタを用いる方法等が
考えられる。また、接続信号に対して信号線のドライブ
能力に応じてバッファを介在させる場合もある。いずれ
にしても論理的に上記の信号が接続されていればよい。
In step (1), an external pull-down resistor 23 is connected to the target system 1 in order to connect the target system 1 to the external ROM 2 in which the loader program and flash data are written.
Connected at this time are the address bus 21, the data bus 16, the signal line of the external CS signal line 22, and the power / ground (not shown in FIG. 1). As a connection method, a method of providing a test port on the target system 1 and connecting a probe thereto, a method of using a connector, or the like can be considered. In some cases, a buffer is interposed for the connection signal in accordance with the drive capability of the signal line. In any case, it is only necessary that the above signals are logically connected.

【0019】ステップ(2)において、CSスイッチ1
5を外部ROM2使用時の設定(Pull Up 抵抗RUに接
続)に切り替える。
In step (2), the CS switch 1
5 is switched to the setting when the external ROM 2 is used (connected to the Pull Up resistor RU).

【0020】ステップ(3)において、ターゲットシス
テム1の電源をオンする。外部ROM2のチップセレク
ト端子がLOWレベルでフラッシュメモリ12のチップ
セレクト端子がHIGHレベルであるため、電源投入後
CPU11は外部ROM2の内容を読み込んで実行する
ことになる。以降は外部ROM2内部の書き込みプログ
ラムに従って、フラッシュメモリ12にフラッシュデー
タが書き込まれる。
In step (3), the power of the target system 1 is turned on. Since the chip select terminal of the external ROM 2 is at the LOW level and the chip select terminal of the flash memory 12 is at the HIGH level, the CPU 11 reads and executes the contents of the external ROM 2 after the power is turned on. Thereafter, flash data is written to the flash memory 12 in accordance with the write program in the external ROM 2.

【0021】すなわち、ステップ(1)からステップ
(3)においては、外部ROM2を有効にし、フラッシ
ュメモリ12に対応するローダープログラムを外部RO
M2からRAM14に転送し、そのローダープログラム
に従ってフラッシュメモリ12の内容を消去し、外部R
OM2からのフラッシュデータをフラッシュメモリ12
に書き込む。
That is, in steps (1) to (3), the external ROM 2 is enabled and the loader program corresponding to the flash memory 12 is stored in the external RO.
M2 to the RAM 14 and erase the contents of the flash memory 12 according to the loader program.
The flash data from the OM2 is stored in the flash memory 12
Write to.

【0022】ステップ(4)において、ターゲットシス
テム1の電源をオフする。すなわち、外部ROM2内部
のフラッシュデータの転送(外部ROM2からフラッシ
ュメモリ12へ)が全て完了した場合に電源をオフにす
る。
In step (4), the power of the target system 1 is turned off. That is, when the transfer of the flash data in the external ROM 2 (from the external ROM 2 to the flash memory 12) is all completed, the power is turned off.

【0023】ステップ(5)において、ターゲットシス
テム1と外部ROM2の接続解除して、ターゲットシス
テム1と外部ROM2を切り離す。
In step (5), the target system 1 is disconnected from the external ROM 2 to disconnect the target system 1 from the external ROM 2.

【0024】ステップ(6)において、CSスイッチ1
5を通常使用時のためにPull Down抵抗RD側に接続す
る。
In step (6), the CS switch 1
5 is connected to the Pull Down resistor RD for normal use.

【0025】ステップ(7)において、ターゲットシス
テム1は通常動作を実行する。すなわち、ターゲットシ
ステム1において、CPU11はフラッシュメモリ12
からデータをリードして通常の動作を実行する。
In step (7), the target system 1 performs a normal operation. That is, in the target system 1, the CPU 11
And performs normal operation.

【0026】次に、上記ステップ(3)の外部ROM2
内部データの書き込みに関して詳細に説明する。
Next, the external ROM 2 in the above step (3)
The writing of the internal data will be described in detail.

【0027】フラッシュメモリ12の内容を消去し、そ
して、外部ROM2内部のデータをリードしてフラッシ
ュメモリ12の然るべきアドレスにそのデータを書き込
んでいくが、このとき下記のようにしてフラッシュメモ
リ12および外部ROM2のCS信号を制御しながらデ
ータを転送する。 (a)PCR[1:0]='00' (またはPDR[1:0]='01' 、PCR[1:
0]='11' )に設定する。すなわち、外部ROM2が有
効、フラッシュメモリ12が無効となり、外部ROM2
の内容(フラッシュデータ)をCPU11内部にリード
する。 (b)PDR[1:0]='10' 、PCR[1:0]='11' に設定する。す
なわち、外部ROM2が無効、フラッシュメモリ12が
有効となり、前記フラッシュデータをCPU11がフラ
ッシュメモリ12に書き込む。
The contents of the flash memory 12 are erased, the data in the external ROM 2 is read, and the data is written to an appropriate address of the flash memory 12. At this time, the flash memory 12 and the external Data is transferred while controlling the CS signal of the ROM 2. (A) PCR [1: 0] = '00' (or PDR [1: 0] = '01', PCR [1:
0] = '11'). That is, the external ROM 2 is valid, the flash memory 12 is invalid, and the external ROM 2
(Flash data) is read into the CPU 11. (B) Set PDR [1: 0] = '10' and PCR [1: 0] = '11'. That is, the external ROM 2 is disabled, the flash memory 12 is enabled, and the CPU 11 writes the flash data into the flash memory 12.

【0028】すなわち、フラッシュメモリ12を有効に
してフラッシュメモリ12の内容を消去し、次に外部R
OM2を有効にして(その時、フラッシュメモリは無
効)外部ROM2のデータをCPU11が読込み、そし
てフラッシュメモリ12を有効にして(その時、外部R
OM2は無効)データをフラッシュメモリ12に書き込
み、上記(a)、(b)の動作を繰り返すことにより、
所定のデータ転送を行う。
That is, the contents of the flash memory 12 are erased by enabling the flash memory 12 and then the external R
OM2 is enabled (then, the flash memory is disabled), the CPU 11 reads data from the external ROM 2, and the flash memory 12 is enabled (then, the external ROM is disabled).
(OM2 is invalid) By writing data to the flash memory 12 and repeating the above operations (a) and (b),
Perform predetermined data transfer.

【0029】上記のようにポート回路13を制御しなが
ら必要なデータ数だけ繰り返すことによりフラッシュメ
モリ12の内容を消去して、外部ROM2のフラッシュ
データをフラッシュメモリ12に対して書き込みができ
る。
By repeating the required number of data while controlling the port circuit 13 as described above, the contents of the flash memory 12 can be erased, and the flash data in the external ROM 2 can be written to the flash memory 12.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上のように本発明のフラッシュメモリ
書き込み装置及びその方法によれば、ターゲットシステ
ムではローダーROMが不要となり、ターゲットシステ
ムの規模とコストを低減することが出来る。
As described above, according to the flash memory writing apparatus and method of the present invention, a loader ROM is not required in the target system, and the size and cost of the target system can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態におけるフラッシュメモリ
書き込み装置の構成図
FIG. 1 is a configuration diagram of a flash memory writing device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態におけるフラッシュメモリ
書き込み装置のCSスイッチ(15)の詳細説明図
FIG. 2 is a detailed explanatory diagram of a CS switch (15) of the flash memory writing device according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態におけるフラッシュメモリ
書き込み装置のポート回路(13)の詳細説明図
FIG. 3 is a detailed explanatory diagram of a port circuit (13) of the flash memory writing device according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態におけるフラッシュメモリ
書き込み方法のフローチャート
FIG. 4 is a flowchart of a flash memory writing method according to the embodiment of the present invention.

【図5】従来例のフラッシュメモリ書き込み装置の構成
FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional flash memory writing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ターゲットシステム 2 外部ROM 11 CPU 12 フラッシュメモリ 13 ポート回路 14 RAM 15 CSスイッチ回路 16 データバス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Target system 2 External ROM 11 CPU 12 Flash memory 13 Port circuit 14 RAM 15 CS switch circuit 16 Data bus

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フラッシュメモリに書き込むべきデータ
とそのフラッシュメモリへの消去及び書き込みを実行す
るローダープログラムを保持するメモリ部とターゲット
システム部を備え、ターゲットシステム部はフラッシュ
メモリとそのフラッシュメモリに対応した前記メモリ部
から供給されるローダープログラムを記憶するRAM
と、前記メモリ部をアクティブにする第1のチップセレ
クト信号と前記フラッシュメモリをアクティブにする第
2のチップセレクト信号を選択的に出力するポート回路
と前記第1、第2のチップセレクト信号の制御状態を設
定するチップセレクトスイッチ回路を有し、前記ターゲ
ットシステム部を制御するCPUが前記チップセレクト
信号を制御して、前記メモリ部のデータを前記フラッシ
ュメモリに書き込むことを特徴とするフラッシュメモリ
書き込み装置。
1. A flash memory comprising: a memory section for storing data to be written to a flash memory; a loader program for executing erasing and writing to the flash memory; and a target system section, wherein the target system section corresponds to the flash memory and the flash memory. RAM for storing a loader program supplied from the memory unit
A port circuit for selectively outputting a first chip select signal for activating the memory unit and a second chip select signal for activating the flash memory; and control of the first and second chip select signals A flash memory writing device having a chip select switch circuit for setting a state, wherein a CPU controlling the target system unit controls the chip select signal to write data in the memory unit to the flash memory .
【請求項2】 フラッシュメモリに書き込むべきデータ
とそのフラッシュメモリへの消去及び書き込みを実行す
るローダープログラムを保持するメモリ部とターゲット
システム部を備え、ターゲットシステム部はフラッシュ
メモリとそのフラッシュメモリに対応した前記メモリ部
から供給されるローダープログラムを記憶するRAM
と、前記メモリ部をアクティブにする第1のチップセレ
クト信号と前記フラッシュメモリをアクティブにする第
2のチップセレクト信号を選択的に出力するポート回路
と前記第1、第2のチップセレクト信号の制御状態を設
定するチップセレクトスイッチ回路を有し、 前記チップセレクトスイッチ回路を制御して第1のチッ
プセレクト信号により前記メモリ部をアクティブにして
ターゲットシステム部の電源をオンし、前記メモリ部か
らフラッシュメモリに対応する所定のローダープログラ
ムをターゲットシステム部のRAMに転送し、第1のチ
ップセレクト信号を有効、第2のチップセレクト信号を
無効にして前記メモリ部のフラッシュデータを前記ター
ゲットシステム部を制御するCPUが読込み、次に第1
のチップセレクト信号を無効、第2のチップセレクト信
号を有効にして前記読み込まれたフラッシュデータをフ
ラッシュメモリに書き込み、第1と第2のチップセレク
ト信号を制御してメモリ部のフラッシュデータをフラッ
シュメモリに転送することを特徴とするフラッシュメモ
リ書き込み方法。
2. A flash memory comprising: a memory section for holding data to be written to a flash memory; a loader program for erasing and writing to the flash memory; and a target system section, wherein the target system section corresponds to the flash memory and the flash memory. RAM for storing a loader program supplied from the memory unit
A port circuit for selectively outputting a first chip select signal for activating the memory unit and a second chip select signal for activating the flash memory; and control of the first and second chip select signals A chip select switch circuit for setting a state; controlling the chip select switch circuit to activate the memory unit by a first chip select signal to turn on a power supply of a target system unit; Is transferred to the RAM of the target system unit, and the first chip select signal is enabled and the second chip select signal is disabled, and the flash data of the memory unit is controlled by the target system unit. CPU reads, then the first
Invalidate the chip select signal, enable the second chip select signal, write the read flash data into the flash memory, and control the first and second chip select signals to store the flash data in the memory unit in the flash memory. Flash memory writing method.
JP12534397A 1997-05-15 1997-05-15 Flash memory writing device and method therefor Pending JPH10320991A (en)

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