JPH10288842A - 露光装置及び蛍光面形成方法 - Google Patents
露光装置及び蛍光面形成方法Info
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- JPH10288842A JPH10288842A JP9310572A JP31057297A JPH10288842A JP H10288842 A JPH10288842 A JP H10288842A JP 9310572 A JP9310572 A JP 9310572A JP 31057297 A JP31057297 A JP 31057297A JP H10288842 A JPH10288842 A JP H10288842A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2271—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines by photographic processes
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルの蛍光面形成用
の露光装置であって、少ない露光量で所望の形状の蛍光
面が得られる露光装置を提供する。 【解決手段】 ワーク基板１１上に設けられた障壁２１
の少なくともその間に感光性の蛍光面形成層２２を形成
し、ワーク基板１１とマスク２３のアライメントをして
から、マスク２３を介して露光を行い、現像、焼成して
蛍光面を形成する蛍光面形成工程で使用する露光装置と
して、マスクの上方から発散光或いは拡散光を照射する
光源を配設した構成の露光装置を使用する。マスク２３
の裏側にも光が回り込み、マスク２３の影の部分が発生
しないので、平行光を使用する露光装置に比べて少ない
露光量で所望の形状の蛍光面を形成することができる。
の露光装置であって、少ない露光量で所望の形状の蛍光
面が得られる露光装置を提供する。 【解決手段】 ワーク基板１１上に設けられた障壁２１
の少なくともその間に感光性の蛍光面形成層２２を形成
し、ワーク基板１１とマスク２３のアライメントをして
から、マスク２３を介して露光を行い、現像、焼成して
蛍光面を形成する蛍光面形成工程で使用する露光装置と
して、マスクの上方から発散光或いは拡散光を照射する
光源を配設した構成の露光装置を使用する。マスク２３
の裏側にも光が回り込み、マスク２３の影の部分が発生
しないので、平行光を使用する露光装置に比べて少ない
露光量で所望の形状の蛍光面を形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガス放電を利用し
た自発光形式のフラットディスプレイであるカラー表示
のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）
における蛍光面の形成時に使用する露光装置及びこの装
置を使用した蛍光面の形成方法に関するものである。
た自発光形式のフラットディスプレイであるカラー表示
のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）
における蛍光面の形成時に使用する露光装置及びこの装
置を使用した蛍光面の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＰＤＰは、２枚の対向するガラス
基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、そ
の間にＮｅ，Ｘｅ等を主体とするガスを封入した構造に
なっている。そして、これらの電極間に電圧を印加し、
電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることによ
り、各セルを発光させて表示を行うようにしている。情
報表示をするためには、規則的に並んだセルを選択的に
放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空間に露
出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われている交
流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、双方とも表示機能や
駆動方法の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方式
とメモリー駆動方式とに分類される。
基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、そ
の間にＮｅ，Ｘｅ等を主体とするガスを封入した構造に
なっている。そして、これらの電極間に電圧を印加し、
電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることによ
り、各セルを発光させて表示を行うようにしている。情
報表示をするためには、規則的に並んだセルを選択的に
放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空間に露
出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われている交
流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、双方とも表示機能や
駆動方法の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方式
とメモリー駆動方式とに分類される。
【０００３】図１にＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示す。こ
の図は前面板と背面板を離した状態で示したもので、図
示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平行に且つ
対向して配設されており、両者は背面板となるガラス基
板２上に互いに平行に設けられた障壁３により一定の間
隔に保持されるようになっている。前面板となるガラス
基板１の背面側には透明電極である維持電極４と金属電
極であるバス電極５とで構成される複合電極が互いに平
行に形成され、これを覆って誘電体層６が形成されてお
り、さらにその上に保護層７（ＭｇＯ層）が形成されて
いる。また、背面板となるガラス基板２の前面側には前
記複合電極と直交するように障壁３の間に位置してアド
レス電極８が互いに平行に形成されており、さらに障壁
３の壁面とセル底面を覆うようにして蛍光体層９が設け
られている。このＡＣ型ＰＤＰは面放電型であって、前
面板上の複合電極間に交流電圧を印加し、空間に漏れた
電界で放電させる構造である。この場合、交流をかけて
いるために電界の向きは周波数に対応して変化する。そ
してこの放電により生じる紫外線により蛍光体層９を発
光させ、前面板を透過する光を観察者が視認するように
なっている。
の図は前面板と背面板を離した状態で示したもので、図
示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平行に且つ
対向して配設されており、両者は背面板となるガラス基
板２上に互いに平行に設けられた障壁３により一定の間
隔に保持されるようになっている。前面板となるガラス
基板１の背面側には透明電極である維持電極４と金属電
極であるバス電極５とで構成される複合電極が互いに平
行に形成され、これを覆って誘電体層６が形成されてお
り、さらにその上に保護層７（ＭｇＯ層）が形成されて
いる。また、背面板となるガラス基板２の前面側には前
記複合電極と直交するように障壁３の間に位置してアド
レス電極８が互いに平行に形成されており、さらに障壁
３の壁面とセル底面を覆うようにして蛍光体層９が設け
られている。このＡＣ型ＰＤＰは面放電型であって、前
面板上の複合電極間に交流電圧を印加し、空間に漏れた
電界で放電させる構造である。この場合、交流をかけて
いるために電界の向きは周波数に対応して変化する。そ
してこの放電により生じる紫外線により蛍光体層９を発
光させ、前面板を透過する光を観察者が視認するように
なっている。
【０００４】上記の如きＰＤＰにおける背面板は、ガラ
ス基板２の上にアドレス電極８を形成し、必要に応じて
それを覆うように誘電体層を形成した後、障壁３を形成
してその障壁３の間に蛍光体層９からなる蛍光面を設け
ることで製造される。電極８の形成方法としては、真空
蒸着法、スパッタリング法、メッキ法、厚膜法等によっ
て基板２上に電極材料の膜を形成し、これをフォトリソ
グラフィ法によってパターニングする方法と、厚膜ペー
ストを用いたスクリーン印刷法によりパターニングする
方法とが知られている。また、誘電体層はスクリーン印
刷等により形成され、障壁３はスクリーン印刷による重
ね刷り、或いはサンドブラスト法等によって形成されて
いる。そして、蛍光面はスクリーン印刷により障壁３の
間に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の蛍光体ペー
ストを選択的に充填する方法により形成されている。
ス基板２の上にアドレス電極８を形成し、必要に応じて
それを覆うように誘電体層を形成した後、障壁３を形成
してその障壁３の間に蛍光体層９からなる蛍光面を設け
ることで製造される。電極８の形成方法としては、真空
蒸着法、スパッタリング法、メッキ法、厚膜法等によっ
て基板２上に電極材料の膜を形成し、これをフォトリソ
グラフィ法によってパターニングする方法と、厚膜ペー
ストを用いたスクリーン印刷法によりパターニングする
方法とが知られている。また、誘電体層はスクリーン印
刷等により形成され、障壁３はスクリーン印刷による重
ね刷り、或いはサンドブラスト法等によって形成されて
いる。そして、蛍光面はスクリーン印刷により障壁３の
間に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の蛍光体ペー
ストを選択的に充填する方法により形成されている。
【０００５】上記したように、障壁間に蛍光面を形成す
るには、３色の蛍光体ペーストをスクリーン印刷により
直接障壁間に充填して焼成する方法が採られている。し
かしながら、大型サイズの基板ではスクリーン版の作製
が困難であるとともに寸法のズレを生じるという問題点
があり、また高精細タイプでは精度の確保が難しいとい
う問題点がある。そこで、感光性蛍光体ペースト若しく
は感光性蛍光体フィルムを用いたフォトリソグラフィ法
により蛍光面を形成することが考えられており、このフ
ォトリソグラフィ法では平行光による露光方式が検討さ
れている。
るには、３色の蛍光体ペーストをスクリーン印刷により
直接障壁間に充填して焼成する方法が採られている。し
かしながら、大型サイズの基板ではスクリーン版の作製
が困難であるとともに寸法のズレを生じるという問題点
があり、また高精細タイプでは精度の確保が難しいとい
う問題点がある。そこで、感光性蛍光体ペースト若しく
は感光性蛍光体フィルムを用いたフォトリソグラフィ法
により蛍光面を形成することが考えられており、このフ
ォトリソグラフィ法では平行光による露光方式が検討さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、平行光
による露光方式では、数〜数十μｍ程度のライン＆スペ
ースのパターンを形成する正確な平行光を形成するため
に図２に示すような光学系が必要であり、装置自体が高
価なものになってしまう。すなわち、光源１０から出射
した光をワーク基板１１に直接照射するのではなく、反
射レンズ１２、コリメートレンズ１３を使用すること
で、照射強度がワーク基板１１の面内で均一になるよう
に調整している。
による露光方式では、数〜数十μｍ程度のライン＆スペ
ースのパターンを形成する正確な平行光を形成するため
に図２に示すような光学系が必要であり、装置自体が高
価なものになってしまう。すなわち、光源１０から出射
した光をワーク基板１１に直接照射するのではなく、反
射レンズ１２、コリメートレンズ１３を使用すること
で、照射強度がワーク基板１１の面内で均一になるよう
に調整している。
【０００７】また、平行光では望ましい形状の蛍光面を
形成し難いという問題がある。すなわちフォトリソグラ
フィ法では、まずワーク基板上に形成した障壁の上から
感光性の蛍光体ペーストをベタでコーティングして乾燥
させてから、若しくは、感光性の蛍光体フィルムを障壁
上から加熱圧着することにより障壁間に蛍光面形成層を
形成してから、マスクを介して露光を行い、現像して蛍
光面を形成し、この工程を異なる色の蛍光面形成層につ
いて同様に行って３色の蛍光面を形成し、最後に焼成す
る。この工程において、本来ならば図３に示すように障
壁２１の間にある蛍光面形成層２２を露光するのに障壁
２１の間隔と合致した開口を有するマスク２３を設計す
るのが望ましいが、ワーク基板１１が伸びると図４に示
すように障壁２１の頂部まで露光されたり、片方の壁面
付近が露光されなくなったりする。その結果、図５に示
すように隣接する障壁２１の頂部の上に蛍光面が形成さ
れたり、障壁頂部付近の壁面に蛍光面が形成されずに、
蛍光面の形状が左右非対称になってしまう。そこで、ワ
ーク基板１１の伸びを考慮できないので、図６に示すよ
うに障壁２１の間に突き出す形でマスク設計をしてお
き、マスク２３がずれたとしても障壁２１の頂部の上に
蛍光面が形成されないようにしているが、平行光を使用
している以上、蛍光面の形状は左右非対称になってしま
う。また、このマスク２３で露光するとマスク２３の影
により障壁２１の壁面付近が露光され難くなる。実際は
蛍光体自体が白色であるために散乱されて壁面付近も露
光されはするが、強度が弱いために現像時に剥離してし
まう。したがって現状では、露光量を増加させて対応し
ているが、光源の強度を上げる必要がある。
形成し難いという問題がある。すなわちフォトリソグラ
フィ法では、まずワーク基板上に形成した障壁の上から
感光性の蛍光体ペーストをベタでコーティングして乾燥
させてから、若しくは、感光性の蛍光体フィルムを障壁
上から加熱圧着することにより障壁間に蛍光面形成層を
形成してから、マスクを介して露光を行い、現像して蛍
光面を形成し、この工程を異なる色の蛍光面形成層につ
いて同様に行って３色の蛍光面を形成し、最後に焼成す
る。この工程において、本来ならば図３に示すように障
壁２１の間にある蛍光面形成層２２を露光するのに障壁
２１の間隔と合致した開口を有するマスク２３を設計す
るのが望ましいが、ワーク基板１１が伸びると図４に示
すように障壁２１の頂部まで露光されたり、片方の壁面
付近が露光されなくなったりする。その結果、図５に示
すように隣接する障壁２１の頂部の上に蛍光面が形成さ
れたり、障壁頂部付近の壁面に蛍光面が形成されずに、
蛍光面の形状が左右非対称になってしまう。そこで、ワ
ーク基板１１の伸びを考慮できないので、図６に示すよ
うに障壁２１の間に突き出す形でマスク設計をしてお
き、マスク２３がずれたとしても障壁２１の頂部の上に
蛍光面が形成されないようにしているが、平行光を使用
している以上、蛍光面の形状は左右非対称になってしま
う。また、このマスク２３で露光するとマスク２３の影
により障壁２１の壁面付近が露光され難くなる。実際は
蛍光体自体が白色であるために散乱されて壁面付近も露
光されはするが、強度が弱いために現像時に剥離してし
まう。したがって現状では、露光量を増加させて対応し
ているが、光源の強度を上げる必要がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ため、本発明は、マスクの影の部分が発生しないような
露光光源を使用することとしている。そして、このよう
な露光光源を使用することにより、平行光を使用する場
合に比べて少ない露光量で所望の形状の蛍光面を得るこ
とができる。
ため、本発明は、マスクの影の部分が発生しないような
露光光源を使用することとしている。そして、このよう
な露光光源を使用することにより、平行光を使用する場
合に比べて少ない露光量で所望の形状の蛍光面を得るこ
とができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の露光装置は、ワーク基板
上に設けられた障壁の少なくともその間に感光性の蛍光
面形成層を形成し、ワーク基板とマスクのアライメント
をしてから、マスクを介して露光を行い、現像、焼成し
て蛍光面を形成するＰＤＰの蛍光面形成工程にて使用さ
れる露光装置であって、マスクの上方から発散光或いは
拡散光を照射する露光光源を配設したものである。
上に設けられた障壁の少なくともその間に感光性の蛍光
面形成層を形成し、ワーク基板とマスクのアライメント
をしてから、マスクを介して露光を行い、現像、焼成し
て蛍光面を形成するＰＤＰの蛍光面形成工程にて使用さ
れる露光装置であって、マスクの上方から発散光或いは
拡散光を照射する露光光源を配設したものである。
【００１０】発散光を照射する露光光源は、例えば図７
に示すように、ワーク基板１１に対して同一レベルに配
された多数の光源３０で構成される。このように発散光
は１つの光源３０に対して方向性のある光である。この
光源３０としては例えば超高圧水銀灯ランプが用いられ
る。また、必要に応じて図７に示す如く光源３０に対し
てワーク基板１１と反対側に例えば金属板等からなる反
射表面が鏡面の反射板３１を配設してもよい。
に示すように、ワーク基板１１に対して同一レベルに配
された多数の光源３０で構成される。このように発散光
は１つの光源３０に対して方向性のある光である。この
光源３０としては例えば超高圧水銀灯ランプが用いられ
る。また、必要に応じて図７に示す如く光源３０に対し
てワーク基板１１と反対側に例えば金属板等からなる反
射表面が鏡面の反射板３１を配設してもよい。
【００１１】拡散光を照射する露光光源は、例えば図８
に示すように、多数の光源３０とそれらの光源３０とワ
ーク基板１１との間に配した拡散板３２とで構成され
る。このように拡散光は光源３０を出射してから拡散板
３２を通過して方向性が全くなくなった光である。この
光源３０としては例えば超高圧水銀灯ランプが用いられ
る。必要に応じて図８に示す如く光源３０に対して拡散
板３２と反対側に例えば金属板等からなる表面が鏡面の
反射板３１を配設してもよい。また、このような拡散板
３２を使用するのに代えて、反射表面が凹凸面をした反
射板をワーク基板１１と反対側に配設させることでも拡
散光の露光光源を得ることができる。
に示すように、多数の光源３０とそれらの光源３０とワ
ーク基板１１との間に配した拡散板３２とで構成され
る。このように拡散光は光源３０を出射してから拡散板
３２を通過して方向性が全くなくなった光である。この
光源３０としては例えば超高圧水銀灯ランプが用いられ
る。必要に応じて図８に示す如く光源３０に対して拡散
板３２と反対側に例えば金属板等からなる表面が鏡面の
反射板３１を配設してもよい。また、このような拡散板
３２を使用するのに代えて、反射表面が凹凸面をした反
射板をワーク基板１１と反対側に配設させることでも拡
散光の露光光源を得ることができる。
【００１２】なお、平行光の露光装置では、図２に示し
たように、光源１０から反射レンズ１２を介し、さらに
コリメートレンズ１３により光を９０°の均一な平行光
に変換している。これに対し、発散光或いは拡散光を用
いる本発明の露光装置では光照射強度の面内均一性が低
いため、以下のようにすることが望ましい。すなわち、
アライメントしたマスクとワーク基板に対して露光光源
が揺動する機構か、これとは逆に、アライメントしたマ
スクとワーク基板が露光光源に対して揺動する機構を備
えさせるとよい。或いは、アライメントしたマスクとワ
ーク基板に対して露光光源が移動する機構を備えさせる
か、これとは逆に、アライメントしたマスクとワーク基
板が露光光源の下を通過する機構を備えさせるとよい。
このようにワーク基板若しくは露光光源を動かす場合に
は前記の如き光源３０を１つにすることも可能である。
たように、光源１０から反射レンズ１２を介し、さらに
コリメートレンズ１３により光を９０°の均一な平行光
に変換している。これに対し、発散光或いは拡散光を用
いる本発明の露光装置では光照射強度の面内均一性が低
いため、以下のようにすることが望ましい。すなわち、
アライメントしたマスクとワーク基板に対して露光光源
が揺動する機構か、これとは逆に、アライメントしたマ
スクとワーク基板が露光光源に対して揺動する機構を備
えさせるとよい。或いは、アライメントしたマスクとワ
ーク基板に対して露光光源が移動する機構を備えさせる
か、これとは逆に、アライメントしたマスクとワーク基
板が露光光源の下を通過する機構を備えさせるとよい。
このようにワーク基板若しくは露光光源を動かす場合に
は前記の如き光源３０を１つにすることも可能である。
【００１３】上記のような露光装置によりフォトリソグ
ラフィ法で蛍光面を形成する場合であっても、ＰＤＰの
大型化、高精細化が進むのに伴い、ワーク基板とマスク
のアライメントが難しくなる。そのため、悪くすると隣
接する障壁頂部への蛍光体のかぶりを生じることがあ
る。このようなかぶりがあると、前面板と背面板とを合
わせてパネル化する際に邪魔となる。これを防止するた
め、蛍光面を形成する障壁の間隔より狭い開口幅を持っ
た図６に示した如きマスクを利用するとよい。具体的に
は、図９に示すように障壁の間隔をａとし、マスクの開
口幅をｂとした時に、ａ＞２×ｂの条件を満たすマスク
を使用してコンタクト露光を行うようにするのである。
ラフィ法で蛍光面を形成する場合であっても、ＰＤＰの
大型化、高精細化が進むのに伴い、ワーク基板とマスク
のアライメントが難しくなる。そのため、悪くすると隣
接する障壁頂部への蛍光体のかぶりを生じることがあ
る。このようなかぶりがあると、前面板と背面板とを合
わせてパネル化する際に邪魔となる。これを防止するた
め、蛍光面を形成する障壁の間隔より狭い開口幅を持っ
た図６に示した如きマスクを利用するとよい。具体的に
は、図９に示すように障壁の間隔をａとし、マスクの開
口幅をｂとした時に、ａ＞２×ｂの条件を満たすマスク
を使用してコンタクト露光を行うようにするのである。
【００１４】また、障壁頂部への蛍光体のかぶりを防止
するためには、ワーク基板とマスクを密着させたコンタ
クト露光を行うのが望ましいが、マスクはガラス板にク
ロム膜等でパターンを描いたものであり、実際にはその
パターンに障壁頂部が当たってマスクに傷が付くため、
障壁頂部とマスクに隙間を開けたギャップ露光を行うの
が望ましい。この場合、両者の隙間が大きすぎると隣接
する障壁の頂部の上に蛍光面が形成されるので、図１０
に示すように障壁頂部とマスクのギャップをｃとした時
に、ｃ＜（ａ−ｂ）／２の条件で露光を行うようにする
のが好ましい。なお、この条件でギャップ露光をした場
合、どうしても障壁頂部に光が当たるが、露光量や現像
により調整することでかぶりをなくすようにする。
するためには、ワーク基板とマスクを密着させたコンタ
クト露光を行うのが望ましいが、マスクはガラス板にク
ロム膜等でパターンを描いたものであり、実際にはその
パターンに障壁頂部が当たってマスクに傷が付くため、
障壁頂部とマスクに隙間を開けたギャップ露光を行うの
が望ましい。この場合、両者の隙間が大きすぎると隣接
する障壁の頂部の上に蛍光面が形成されるので、図１０
に示すように障壁頂部とマスクのギャップをｃとした時
に、ｃ＜（ａ−ｂ）／２の条件で露光を行うようにする
のが好ましい。なお、この条件でギャップ露光をした場
合、どうしても障壁頂部に光が当たるが、露光量や現像
により調整することでかぶりをなくすようにする。
【００１５】また、図１０に示すように障壁のピッチを
ｄとした時に、障壁頂部とマスクのギャップｃを上記の
条件から広げて、ｃ＜（ｄ−ｂ）／２までの条件でのギ
ャップ露光を行うことも可能である。しかしながら、こ
の場合、隣接する障壁間には蛍光面が形成されないが、
障壁頂部には蛍光面が形成されるので、３色の蛍光面を
形成した後で障壁頂部を研磨して蛍光体を除去する必要
がある。
ｄとした時に、障壁頂部とマスクのギャップｃを上記の
条件から広げて、ｃ＜（ｄ−ｂ）／２までの条件でのギ
ャップ露光を行うことも可能である。しかしながら、こ
の場合、隣接する障壁間には蛍光面が形成されないが、
障壁頂部には蛍光面が形成されるので、３色の蛍光面を
形成した後で障壁頂部を研磨して蛍光体を除去する必要
がある。
【００１６】
（実施例１）Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ：Ｍｎからなる蛍光体粉５
１０重量部、平均分子量６万のヒドロキシプロピルセル
ロース１００重量部、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート１００重量部、２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オ
ン１０重量部、メチルヒドロキノン０．５重量部、３−
メチル−３−メトキシブタノール３００重量部を３本ロ
ールミルで混練して感光性の蛍光体ペーストを作製し
た。
１０重量部、平均分子量６万のヒドロキシプロピルセル
ロース１００重量部、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート１００重量部、２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オ
ン１０重量部、メチルヒドロキノン０．５重量部、３−
メチル−３−メトキシブタノール３００重量部を３本ロ
ールミルで混練して感光性の蛍光体ペーストを作製し
た。
【００１７】一方、ガラス基板上に電極と障壁を形成し
てあるワーク基板を準備した。障壁は幅が６０μｍ、高
さが１５０μｍ、ピッチが２００μｍである。このワー
ク基板に上記の蛍光体ペーストを全面塗布した。具体的
には、ダイコートにより障壁底部から３０μｍ厚となる
ように充填した。その後、クリーンオーブンにて８０
℃、３０分間の条件で乾燥を行った。この蛍光体ペース
ト充填済みのワーク基板に対し、図７に示すタイプの発
散光の露光光源を有する露光装置を使用して、露光量２
７０ｍＪ／ｃｍ2 のワーク基板とマスクを密着させたコ
ンタクト露光を行った。この時のマスクとしては、障壁
の間隔の１４０μｍに対して開口幅を５０μｍに設定し
たフォトマスクを使用した。続いて、スプレー式現像機
にて圧力１ｋｇ／ｃｍ2 、４．５ｌ／ｍｉｎの条件で現
像を行った後、９０℃、３０分間の条件で乾燥を行っ
た。
てあるワーク基板を準備した。障壁は幅が６０μｍ、高
さが１５０μｍ、ピッチが２００μｍである。このワー
ク基板に上記の蛍光体ペーストを全面塗布した。具体的
には、ダイコートにより障壁底部から３０μｍ厚となる
ように充填した。その後、クリーンオーブンにて８０
℃、３０分間の条件で乾燥を行った。この蛍光体ペース
ト充填済みのワーク基板に対し、図７に示すタイプの発
散光の露光光源を有する露光装置を使用して、露光量２
７０ｍＪ／ｃｍ2 のワーク基板とマスクを密着させたコ
ンタクト露光を行った。この時のマスクとしては、障壁
の間隔の１４０μｍに対して開口幅を５０μｍに設定し
たフォトマスクを使用した。続いて、スプレー式現像機
にて圧力１ｋｇ／ｃｍ2 、４．５ｌ／ｍｉｎの条件で現
像を行った後、９０℃、３０分間の条件で乾燥を行っ
た。
【００１８】（実施例２）前記したのと同様な蛍光体ペ
ースト充填済みのワーク基板を用意し、実施例１と同じ
露光装置を使用して、露光量を５４０ｍＪ／ｃｍ2 とし
たコンタクト露光を行い、同様に現像してから乾燥を行
った。
ースト充填済みのワーク基板を用意し、実施例１と同じ
露光装置を使用して、露光量を５４０ｍＪ／ｃｍ2 とし
たコンタクト露光を行い、同様に現像してから乾燥を行
った。
【００１９】（実施例３）前記したのと同様な蛍光体ペ
ースト充填済みのワーク基板を用意し、実施例１と同じ
露光装置を使用して、露光量を５４０ｍＪ／ｃｍ2 とし
ワーク基板とマスクとのギャップを７０μｍあけたギャ
ップ露光を行い、同様に現像してから乾燥を行った。
ースト充填済みのワーク基板を用意し、実施例１と同じ
露光装置を使用して、露光量を５４０ｍＪ／ｃｍ2 とし
ワーク基板とマスクとのギャップを７０μｍあけたギャ
ップ露光を行い、同様に現像してから乾燥を行った。
【００２０】（実施例４）前記したのと同様な蛍光体ペ
ースト充填済みのワーク基板を用意し、図８に示すタイ
プの拡散光の露光光源を有する露光装置を使用して、露
光量２７０ｍＪ／ｃｍ2 のコンタクト露光を行い、同様
に現像してから乾燥を行った。
ースト充填済みのワーク基板を用意し、図８に示すタイ
プの拡散光の露光光源を有する露光装置を使用して、露
光量２７０ｍＪ／ｃｍ2 のコンタクト露光を行い、同様
に現像してから乾燥を行った。
【００２１】（実施例５）前記したのと同様な蛍光体ペ
ースト充填済みのワーク基板を用意し、実施例４と同じ
露光装置を使用して、露光量を５４０ｍＪ／ｃｍ2 とし
たコンタクト露光を行い、同様に現像してから乾燥を行
った。
ースト充填済みのワーク基板を用意し、実施例４と同じ
露光装置を使用して、露光量を５４０ｍＪ／ｃｍ2 とし
たコンタクト露光を行い、同様に現像してから乾燥を行
った。
【００２２】（実施例６）前記したのと同様な蛍光体ペ
ースト充填済みのワーク基板を用意し、実施例４と同じ
露光装置を使用して、露光量を５４０ｍＪ／ｃｍ2 とし
た７０μｍのギャップ露光を行い、同様に現像してから
乾燥を行った。
ースト充填済みのワーク基板を用意し、実施例４と同じ
露光装置を使用して、露光量を５４０ｍＪ／ｃｍ2 とし
た７０μｍのギャップ露光を行い、同様に現像してから
乾燥を行った。
【００２３】（比較例１）前記したのと同様な蛍光体ペ
ースト充填済みのワーク基板を用意し、通常の平行光光
源を有する露光装置を使用して、露光量４８０ｍＪ／ｃ
ｍ2 のコンタクト露光を行い、同様に現像してから乾燥
を行った。
ースト充填済みのワーク基板を用意し、通常の平行光光
源を有する露光装置を使用して、露光量４８０ｍＪ／ｃ
ｍ2 のコンタクト露光を行い、同様に現像してから乾燥
を行った。
【００２４】（比較例２）前記したのと同様な蛍光体ペ
ースト充填済みのワーク基板を用意し、通常の平行光光
源を有する露光装置を使用して、露光量２４００ｍＪ／
ｃｍ2 のコンタクト露光を行い、同様に現像してから乾
燥を行った。
ースト充填済みのワーク基板を用意し、通常の平行光光
源を有する露光装置を使用して、露光量２４００ｍＪ／
ｃｍ2 のコンタクト露光を行い、同様に現像してから乾
燥を行った。
【００２５】（比較例３）前記したのと同様な蛍光体ペ
ースト充填済みのワーク基板を用意し、通常の平行光光
源を有する露光装置を使用して、露光量７２００ｍＪ／
ｃｍ2 のコンタクト露光を行い、同様に現像してから乾
燥を行った。
ースト充填済みのワーク基板を用意し、通常の平行光光
源を有する露光装置を使用して、露光量７２００ｍＪ／
ｃｍ2 のコンタクト露光を行い、同様に現像してから乾
燥を行った。
【００２６】実施例１〜６、比較例１〜３で形成された
蛍光面の形状を評価した。具体的には、障壁頂部付近の
壁面に蛍光面が形成されているか否か、隣接する障壁間
に蛍光面が形成されているか否かをチェックした。その
評価結果を表１に示す。
蛍光面の形状を評価した。具体的には、障壁頂部付近の
壁面に蛍光面が形成されているか否か、隣接する障壁間
に蛍光面が形成されているか否かをチェックした。その
評価結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】この結果から分かるように、発散光或いは
拡散光を照射する露光光源を使用して露光すると、障壁
頂部付近の壁面に蛍光面を形成するための露光量は２７
０ｍＪ／ｃｍ2 でよく、平行光の場合の７２００ｍＪ／
ｃｍ2 と比較すると約２０分の１以下になった。なお、
フォトマスクとの密着を避ける意味で発散光或いは拡散
光でギャップ露光した時、隣接する障壁間に光が回り込
んでしまい、不必要な部分に蛍光面が形成される懸念が
ある。しかし実験の結果、７０μｍのギャップ露光を行
ったものでも、そのような問題は発生していない。
拡散光を照射する露光光源を使用して露光すると、障壁
頂部付近の壁面に蛍光面を形成するための露光量は２７
０ｍＪ／ｃｍ2 でよく、平行光の場合の７２００ｍＪ／
ｃｍ2 と比較すると約２０分の１以下になった。なお、
フォトマスクとの密着を避ける意味で発散光或いは拡散
光でギャップ露光した時、隣接する障壁間に光が回り込
んでしまい、不必要な部分に蛍光面が形成される懸念が
ある。しかし実験の結果、７０μｍのギャップ露光を行
ったものでも、そのような問題は発生していない。
【００２９】（実施例７）実施例１と同様な蛍光体ペー
スト充填済みのワーク基板（障壁の間隔：１４０μｍ）
を複数用意し、開口幅の異なるマスクを使用してそれぞ
れコンタクト露光を行い、実施例１と同様にそれぞれ現
像してから乾燥を行った。具体的には、それぞれ２０μ
ｍ、３０μｍ、５０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、１００
μｍ、１２０μｍ、１４０μｍの開口幅を持つ８種類の
マスクを使用し、図８に示すタイプの拡散光の露光光源
を有する露光装置を使用した。ここではフィリップ社製
のＵＶランプ「ＴＬ８０Ｗ／１０Ｒ」を２９本と拡散板
を装備した露光装置（有効露光範囲１０００ｍｍ×１４
００ｍｍ）を使用し、露光量５４０ｍＪ／ｃｍ2 のギャ
ップ露光を行った。そして、先に行った評価項目に加
え、障壁頂部の上に蛍光面が形成されているか否かをチ
ェックした。その評価結果を表２に示す。
スト充填済みのワーク基板（障壁の間隔：１４０μｍ）
を複数用意し、開口幅の異なるマスクを使用してそれぞ
れコンタクト露光を行い、実施例１と同様にそれぞれ現
像してから乾燥を行った。具体的には、それぞれ２０μ
ｍ、３０μｍ、５０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、１００
μｍ、１２０μｍ、１４０μｍの開口幅を持つ８種類の
マスクを使用し、図８に示すタイプの拡散光の露光光源
を有する露光装置を使用した。ここではフィリップ社製
のＵＶランプ「ＴＬ８０Ｗ／１０Ｒ」を２９本と拡散板
を装備した露光装置（有効露光範囲１０００ｍｍ×１４
００ｍｍ）を使用し、露光量５４０ｍＪ／ｃｍ2 のギャ
ップ露光を行った。そして、先に行った評価項目に加
え、障壁頂部の上に蛍光面が形成されているか否かをチ
ェックした。その評価結果を表２に示す。
【００３０】
【表２】
【００３１】この結果から分かるように、障壁開口幅の
半分より大きな開口幅を持つマスクでは障壁頂部の上に
蛍光面が形成されたが、それに満たない大きさの開口幅
を持つマスクでは障壁頂部の上に蛍光面が形成されなか
った。
半分より大きな開口幅を持つマスクでは障壁頂部の上に
蛍光面が形成されたが、それに満たない大きさの開口幅
を持つマスクでは障壁頂部の上に蛍光面が形成されなか
った。
【００３２】（実施例８）実施例１と同様な蛍光体ペー
スト充填済みのワーク基板（障壁の間隔：１４０μｍ）
を複数用意し、開口幅５０μｍのマスクを使用して障壁
頂部とマスクとのギャップを変えて露光を行い、実施例
１と同様にそれぞれ現像してから乾燥を行った。具体的
には、０μｍ、２０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、７０μ
ｍ、９０μｍ、１００μｍのギャップで露光を行った。
露光装置は実施例７の場合と同じものを使用し、露光量
も同じとした。そして、実施例７の場合と同じ評価項目
でチェックを行った。その評価結果を表３に示す。
スト充填済みのワーク基板（障壁の間隔：１４０μｍ）
を複数用意し、開口幅５０μｍのマスクを使用して障壁
頂部とマスクとのギャップを変えて露光を行い、実施例
１と同様にそれぞれ現像してから乾燥を行った。具体的
には、０μｍ、２０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、７０μ
ｍ、９０μｍ、１００μｍのギャップで露光を行った。
露光装置は実施例７の場合と同じものを使用し、露光量
も同じとした。そして、実施例７の場合と同じ評価項目
でチェックを行った。その評価結果を表３に示す。
【００３３】
【表３】
【００３４】この結果から分かるように、障壁間隔とマ
スク開口幅の差の半分より大きなギャップでは障壁頂部
の上に蛍光面が形成されたが、それに満たないギャップ
では障壁頂部の上に蛍光面が形成されなかった。
スク開口幅の差の半分より大きなギャップでは障壁頂部
の上に蛍光面が形成されたが、それに満たないギャップ
では障壁頂部の上に蛍光面が形成されなかった。
【００３５】なお、以上の各実施例では単色のみの蛍光
面形成を例にして説明したが、実際には蛍光体の種類を
変化させて、さらに２色の蛍光面を形成することによ
り、Ｒ，Ｇ，Ｂ３色の蛍光面を形成できる。
面形成を例にして説明したが、実際には蛍光体の種類を
変化させて、さらに２色の蛍光面を形成することによ
り、Ｒ，Ｇ，Ｂ３色の蛍光面を形成できる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光装置
によれば、露光時に発散光或いは拡散光が照射されるの
で、障壁の間に突き出た形のマスクの裏側にも光が回り
込み、マスクの影の部分が発生しないことから、平行光
を使用する場合に比べて少ない露光量で所望の形状の蛍
光面を形成することができる。また、従来の平行光を形
成する露光装置に比べて構造が簡単になるため、装置自
体が低価格で済み、コストダウンが図られる。
によれば、露光時に発散光或いは拡散光が照射されるの
で、障壁の間に突き出た形のマスクの裏側にも光が回り
込み、マスクの影の部分が発生しないことから、平行光
を使用する場合に比べて少ない露光量で所望の形状の蛍
光面を形成することができる。また、従来の平行光を形
成する露光装置に比べて構造が簡単になるため、装置自
体が低価格で済み、コストダウンが図られる。
【図１】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの一構成例
をその前面板と背面板を離間した状態で示す構造図であ
る。
をその前面板と背面板を離間した状態で示す構造図であ
る。
【図２】平行光を照射する露光装置の光学系を示す説明
図である。
図である。
【図３】フォトリソグラフィ法で蛍光面を形成する際の
露光工程を説明するための断面図である。
露光工程を説明するための断面図である。
【図４】ワーク基板が伸びてマスクがずれた状態での露
光工程を説明するための断面図である。
光工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に示す状態での露光工程を経て形成された
蛍光面を示す断面図である。
蛍光面を示す断面図である。
【図６】ワーク基板の伸びを考慮したマスクを使用した
露光工程を説明するための断面図である。
露光工程を説明するための断面図である。
【図７】発散光を照射する露光光源の説明図である。
【図８】拡散光を照射する露光光源の説明図である。
【図９】障壁の間隔とマスクの開口幅の説明図である。
【図１０】障壁頂部とマスクとのギャップの説明図であ
る。
る。
１，２ ガラス基板 ３ 障壁リブ ４ 維持電極 ５ バス電極 ６ 誘電体層 ７ 保護層（ＭｇＯ層） ８ アドレス電極 ９ 蛍光体層 １０ 光源 １１ ワーク基板 １２ 反射レンズ １３ コリメートレンズ ２１ 障壁 ２２ 蛍光面形成層 ２３ マスク ３０ 光源 ３１ 反射板 ３２ 拡散板 ａ 障壁の間隔 ｂ マスクの開口幅 ｃ 障壁頂部とマスクのギャップ ｄ 障壁のピッチ
Claims (11)
- 【請求項１】 ワーク基板上に設けられた障壁の少なく
ともその間に感光性の蛍光面形成層を形成し、ワーク基
板とマスクのアライメントをしてから、マスクを介して
露光を行い、現像、焼成して蛍光面を形成するプラズマ
ディスプレイパネルの蛍光面形成工程にて使用される露
光装置であって、マスクの上方から発散光或いは拡散光
を照射する露光光源を配設したことを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】 複数の光源で発散光の露光光源を構成し
た請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 複数の光源とそれら光源とワーク基板と
の間に配した拡散板とで拡散光の露光光源を構成した請
求項１に記載の露光装置。 - 【請求項４】 アライメントしたマスクとワーク基板に
対して露光光源が揺動する機構を備えた請求項１，２又
は３に記載の露光装置。 - 【請求項５】 アライメントしたマスクとワーク基板が
露光光源に対して揺動する機構を備えた請求項１，２又
は３に記載の露光装置。 - 【請求項６】 アライメントしたマスクとワーク基板に
対して露光光源が移動する機構を備えた請求項１，２，
３，４又は５に記載の露光装置。 - 【請求項７】 アライメントしたマスクとワーク基板が
露光光源の下を通過する機構を備えた請求項１，２，
３，４又は５に記載の露光装置。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の露光装
置を使用してプラズマディスプレイパネルの蛍光面を形
成する方法であって、ワーク基板上に設けられた障壁の
少なくともその間に感光性の蛍光面形成層を形成し、ワ
ーク基板とマスクのアライメントをしてから、マスクを
介して前記露光装置により露光を行い、現像、焼成して
蛍光面を形成することを特徴とする蛍光面形成方法。 - 【請求項９】 障壁の間隔をａ、マスクの開口幅をｂと
した時に、ａ＞２×ｂの条件を満たすマスクを使用して
コンタクト露光を行うようにした請求項８に記載の蛍光
面形成方法。 - 【請求項１０】 障壁の間隔をａ、マスクの開口幅を
ｂ、障壁頂部とマスクのギャップをｃとした時に、ａ＞
２×ｂの条件を満たすマスクを使用し、ｃ＜（ａ−ｂ）
／２の条件でギャップ露光を行うようにした請求項８に
記載の蛍光面形成方法。 - 【請求項１１】 障壁のピッチをｄとした時に、ｃ＞
（ｄ−ｂ）の条件でギャップ露光を行うようにした請求
項１０に記載の蛍光面形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31057297A JP4036507B2 (ja) | 1997-02-12 | 1997-11-12 | プラズマディスプレイパネルの蛍光面形成方法 |
| KR1019970071227A KR19980070186A (ko) | 1997-02-12 | 1997-12-20 | 노광장치 및 형광면 형성방법 |
| KR1019980003901A KR19980071242A (ko) | 1997-02-12 | 1998-02-10 | 노광장치 및 형광면 형성방법 |
| US09/021,899 US6055038A (en) | 1997-02-12 | 1998-02-11 | Exposure system and method of forming fluorescent surface using same |
| US09/458,265 US6141083A (en) | 1997-02-12 | 1999-12-09 | Exposure system and method of forming fluorescent surface using same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2759597 | 1997-02-12 | ||
| JP9-27595 | 1997-02-12 | ||
| JP31057297A JP4036507B2 (ja) | 1997-02-12 | 1997-11-12 | プラズマディスプレイパネルの蛍光面形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10288842A true JPH10288842A (ja) | 1998-10-27 |
| JP4036507B2 JP4036507B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=26365538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31057297A Expired - Fee Related JP4036507B2 (ja) | 1997-02-12 | 1997-11-12 | プラズマディスプレイパネルの蛍光面形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6055038A (ja) |
| JP (1) | JP4036507B2 (ja) |
| KR (2) | KR19980070186A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008283196A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Erich Thallner | マスクに与えられている構造を基板上に転写するための装置 |
| WO2014006942A1 (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7405516B1 (en) * | 2004-04-26 | 2008-07-29 | Imaging Systems Technology | Plasma-shell PDP with organic luminescent substance |
| US8129906B1 (en) | 2004-04-26 | 2012-03-06 | Imaging Systems Technology, Inc. | Lumino-shells |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910003693B1 (en) * | 1988-09-14 | 1991-06-08 | Samsung Electronic Devices | Pdp barrack manufacturing method |
| JPH04109536A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマデイスプレイの製造方法 |
| JP3116398B2 (ja) * | 1991-03-13 | 2000-12-11 | ソニー株式会社 | 平面型電子放出素子の製造方法及び平面型電子放出素子 |
| US5601468A (en) * | 1991-10-14 | 1997-02-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Plasma display panel and method for forming fluorescent screens of the same |
| US5482803A (en) * | 1992-02-07 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing filter |
| JPH06160850A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US5654553A (en) * | 1993-06-10 | 1997-08-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an alignment sensor for aligning a mask image with a substrate |
| JP3275575B2 (ja) * | 1993-10-27 | 2002-04-15 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
| JPH086023A (ja) * | 1994-04-22 | 1996-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置および液晶投写型装置 |
| JP3624992B2 (ja) * | 1996-04-22 | 2005-03-02 | 富士通株式会社 | 表示パネルの隔壁形成方法 |
| JP3229555B2 (ja) * | 1996-10-15 | 2001-11-19 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-11-12 JP JP31057297A patent/JP4036507B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-20 KR KR1019970071227A patent/KR19980070186A/ko not_active Application Discontinuation
-
1998
- 1998-02-10 KR KR1019980003901A patent/KR19980071242A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-02-11 US US09/021,899 patent/US6055038A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-09 US US09/458,265 patent/US6141083A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| JP2013219381A (ja) * | 2007-05-14 | 2013-10-24 | Erich Thallner | マスクに与えられている構造を基板上に転写するための装置 |
| WO2014006942A1 (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
| JP2014013277A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-23 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
| CN104395831A (zh) * | 2012-07-03 | 2015-03-04 | 株式会社V技术 | 曝光装置 |
| KR20150035789A (ko) * | 2012-07-03 | 2015-04-07 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 노광장치 |
| TWI588619B (zh) * | 2012-07-03 | 2017-06-21 | V Technology Co Ltd | Exposure device |
| CN104395831B (zh) * | 2012-07-03 | 2018-07-06 | 株式会社V技术 | 曝光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6141083A (en) | 2000-10-31 |
| KR19980070186A (ko) | 1998-10-26 |
| KR19980071242A (ko) | 1998-10-26 |
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| US6055038A (en) | 2000-04-25 |
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