JPH10265207A - フラーレン含有構造体およびその製造方法 - Google Patents
フラーレン含有構造体およびその製造方法Info
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- JPH10265207A JPH10265207A JP9069426A JP6942697A JPH10265207A JP H10265207 A JPH10265207 A JP H10265207A JP 9069426 A JP9069426 A JP 9069426A JP 6942697 A JP6942697 A JP 6942697A JP H10265207 A JPH10265207 A JP H10265207A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的簡易な工程で、巨大フラーレンの形状
や形成位置、さらには連結構造等の形成状態の制御を可
能にすると共に、生成した巨大フラーレン自体を安定な
物質で保護することを可能にする。 【解決手段】 積層された第１の非晶質炭素層１と第２
の非晶質炭素層２とを有する非晶質炭素基材４と、この
非晶質炭素基材４の少なくとも第１および第２の非晶質
炭素層１、２の積層界面近傍に、これら双方にまたがっ
て形成された巨大フラーレン６とを具備するフラーレン
含有構造体９である。積層界面近傍に形成した複数の巨
大フラーレン６は、相互に連結させて膜状構造（膜状巨
大フラーレン７）等の連続構造体とすることができる。
や形成位置、さらには連結構造等の形成状態の制御を可
能にすると共に、生成した巨大フラーレン自体を安定な
物質で保護することを可能にする。 【解決手段】 積層された第１の非晶質炭素層１と第２
の非晶質炭素層２とを有する非晶質炭素基材４と、この
非晶質炭素基材４の少なくとも第１および第２の非晶質
炭素層１、２の積層界面近傍に、これら双方にまたがっ
て形成された巨大フラーレン６とを具備するフラーレン
含有構造体９である。積層界面近傍に形成した複数の巨
大フラーレン６は、相互に連結させて膜状構造（膜状巨
大フラーレン７）等の連続構造体とすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非晶質炭素基材内
にフラーレンを形成したフラーレン含有構造体およびそ
の製造方法に関する。
にフラーレンを形成したフラーレン含有構造体およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｃ60に代表されるフラーレンは分子間力
によって結合しており、高い対称性を持ったサッカーボ
ール型の分子である。分子中の全てのカーボン原子は等
価であって、互いに共有結合しており、非常に安定な結
晶体である。Ｃ60等のフラーレンは、結晶構造的には f
cc構造をとると見なすことができ、塑性変形能や加工硬
化性等の金属的な力学特性を示すことから、新しい炭素
系材料として各種用途への応用が期待されている。また
フラーレン自体の特性に基いて、超伝導材料、触媒材
料、潤滑剤材料、生体材料、非線形光学材料等への応用
も研究されている。従来、Ｃ60等のフラーレンは、炭素
棒や粒状炭素を電極としたアーク放電法や紫外レーザを
グラファイト表面に照射するレーザーアブレーション法
等によって作製されている。フラーレンはスス中に混在
した状態で生成されるため、フィルタやベンゼン等を用
いた捕集装置により抽出している。
によって結合しており、高い対称性を持ったサッカーボ
ール型の分子である。分子中の全てのカーボン原子は等
価であって、互いに共有結合しており、非常に安定な結
晶体である。Ｃ60等のフラーレンは、結晶構造的には f
cc構造をとると見なすことができ、塑性変形能や加工硬
化性等の金属的な力学特性を示すことから、新しい炭素
系材料として各種用途への応用が期待されている。また
フラーレン自体の特性に基いて、超伝導材料、触媒材
料、潤滑剤材料、生体材料、非線形光学材料等への応用
も研究されている。従来、Ｃ60等のフラーレンは、炭素
棒や粒状炭素を電極としたアーク放電法や紫外レーザを
グラファイト表面に照射するレーザーアブレーション法
等によって作製されている。フラーレンはスス中に混在
した状態で生成されるため、フィルタやベンゼン等を用
いた捕集装置により抽出している。
【０００３】また、上述したアーク放電時に陰極側に堆
積した物質中には、カーボンナノカプセルやカーボンナ
ノチューブと呼ばれる高次フラーレン（巨大フラーレ
ン）が含まれており、陰極側の堆積物を粉砕した後にエ
タノール等の有機溶媒を用いて精製することにより、上
述したカーボンナノカプセルやカーボンナノチューブが
得られる。カーボンナノカプセルやカーボンナノチュー
ブは、いずれも中空形状を有することから、それらの中
空部内に他の金属原子や微細結晶等を閉じ込めることに
よって、新物質の合成や新機能の探索等が行われてい
る。
積した物質中には、カーボンナノカプセルやカーボンナ
ノチューブと呼ばれる高次フラーレン（巨大フラーレ
ン）が含まれており、陰極側の堆積物を粉砕した後にエ
タノール等の有機溶媒を用いて精製することにより、上
述したカーボンナノカプセルやカーボンナノチューブが
得られる。カーボンナノカプセルやカーボンナノチュー
ブは、いずれも中空形状を有することから、それらの中
空部内に他の金属原子や微細結晶等を閉じ込めることに
よって、新物質の合成や新機能の探索等が行われてい
る。
【０００４】カーボンナノカプセルやカーボンナノチュ
ーブの中空部内に他の金属原子や微細結晶等を閉じ込め
た巨大フラーレン（以下、内包巨大フラーレンと記す）
としては、従来、ＬａやＹ等の希土類金属の炭化物微粒
子や、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の金属微粒子を内包させたも
のが報告されている。これらは、金属や酸化物等の粉を
仕込んだ炭素電極を用いてアーク放電等を行い、その陰
極堆積物中に含まれる内包巨大フラーレンを精製するこ
とにより得ている。
ーブの中空部内に他の金属原子や微細結晶等を閉じ込め
た巨大フラーレン（以下、内包巨大フラーレンと記す）
としては、従来、ＬａやＹ等の希土類金属の炭化物微粒
子や、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の金属微粒子を内包させたも
のが報告されている。これらは、金属や酸化物等の粉を
仕込んだ炭素電極を用いてアーク放電等を行い、その陰
極堆積物中に含まれる内包巨大フラーレンを精製するこ
とにより得ている。
【０００５】また、巨大フラーレンの一種としてＣ60等
からなるコアの外殻にさらに大きな分子量を持つフラー
レンが同心円状に重なりあった、たまねぎ状グラファイ
トと呼ばれる物質も発見されている。このようなたまね
ぎ状グラファイトを用いて、内包巨大フラーレンを作製
することも検討されている。内包巨大フラーレンはそれ
自体の特性に基いて、電子素子材料、センサー材料、フ
ィルター材料等のデバイス材料、超伝導材料、生体材
料、医療材料等の新機能材料等への応用が期待されてい
る。
からなるコアの外殻にさらに大きな分子量を持つフラー
レンが同心円状に重なりあった、たまねぎ状グラファイ
トと呼ばれる物質も発見されている。このようなたまね
ぎ状グラファイトを用いて、内包巨大フラーレンを作製
することも検討されている。内包巨大フラーレンはそれ
自体の特性に基いて、電子素子材料、センサー材料、フ
ィルター材料等のデバイス材料、超伝導材料、生体材
料、医療材料等の新機能材料等への応用が期待されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
巨大フラーレンや内包巨大フラーレンは、上述したよう
にアーク放電法により生成される堆積物中に含まれるも
のであるため、黒鉛状物質やアモルファスカーボン等の
不純物との分離自体が困難であるという難点を有してい
る。また、内包巨大フラーレンについては、形状や内包
状態の制御等を容易に行うことはできず、また巨大フラ
ーレンに内包させる微粒子についても、現状では特定の
金属微粒子や化合物微粒子に限られている。
巨大フラーレンや内包巨大フラーレンは、上述したよう
にアーク放電法により生成される堆積物中に含まれるも
のであるため、黒鉛状物質やアモルファスカーボン等の
不純物との分離自体が困難であるという難点を有してい
る。また、内包巨大フラーレンについては、形状や内包
状態の制御等を容易に行うことはできず、また巨大フラ
ーレンに内包させる微粒子についても、現状では特定の
金属微粒子や化合物微粒子に限られている。
【０００７】特に、巨大フラーレンや内包巨大フラーレ
ンをデバイスや新機能材料等に応用することを考えた場
合、巨大フラーレンの形成状態、すなわち巨大フラーレ
ン単体の大きさやそれ自体の形成箇所、さらには巨大フ
ラーレン間の連結状態やその構造の制御等を可能にする
ことが重要と考えられるが、従来の巨大フラーレンの製
造方法ではそのような制御を容易に行うことはできな
い。加えて、巨大フラーレンは不安定な物質であるた
め、何らかの手段を講じて生成した巨大フラーレンを保
護する必要があるが、現状ではそのような技術は見出さ
れていない。
ンをデバイスや新機能材料等に応用することを考えた場
合、巨大フラーレンの形成状態、すなわち巨大フラーレ
ン単体の大きさやそれ自体の形成箇所、さらには巨大フ
ラーレン間の連結状態やその構造の制御等を可能にする
ことが重要と考えられるが、従来の巨大フラーレンの製
造方法ではそのような制御を容易に行うことはできな
い。加えて、巨大フラーレンは不安定な物質であるた
め、何らかの手段を講じて生成した巨大フラーレンを保
護する必要があるが、現状ではそのような技術は見出さ
れていない。
【０００８】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、比較的簡易な工程で形状や形成位
置、さらには連結構造等の形成状態の制御を可能にする
と共に、生成したフラーレン自体を安定な物質で保護し
たフラーレン含有構造体およびその製造方法を提供する
ことを目的としている。
になされたもので、比較的簡易な工程で形状や形成位
置、さらには連結構造等の形成状態の制御を可能にする
と共に、生成したフラーレン自体を安定な物質で保護し
たフラーレン含有構造体およびその製造方法を提供する
ことを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフラーレン含有
構造体は、請求項１に記載したように、積層された第１
の非晶質炭素層と第２の非晶質炭素層とを有する非晶質
炭素基材と、前記非晶質炭素基材の少なくとも前記第１
および第２の非晶質炭素層の積層界面近傍に、前記第１
および第２の非晶質炭素層にまたがって形成されたフラ
ーレンとを具備することを特徴としている。
構造体は、請求項１に記載したように、積層された第１
の非晶質炭素層と第２の非晶質炭素層とを有する非晶質
炭素基材と、前記非晶質炭素基材の少なくとも前記第１
および第２の非晶質炭素層の積層界面近傍に、前記第１
および第２の非晶質炭素層にまたがって形成されたフラ
ーレンとを具備することを特徴としている。
【００１０】本発明の他のフラーレン含有構造体は、請
求項２に記載したように、積層された第１の非晶質炭素
層と第２の非晶質炭素層とを有する非晶質炭素基材と、
前記非晶質炭素基材の少なくとも前記第１および第２の
非晶質炭素層の積層界面近傍に、前記第１および第２の
非晶質炭素層にまたがって形成された複数のフラーレン
とを具備し、前記複数のフラーレンは相互に連結された
連続構造を有していることを特徴としている。
求項２に記載したように、積層された第１の非晶質炭素
層と第２の非晶質炭素層とを有する非晶質炭素基材と、
前記非晶質炭素基材の少なくとも前記第１および第２の
非晶質炭素層の積層界面近傍に、前記第１および第２の
非晶質炭素層にまたがって形成された複数のフラーレン
とを具備し、前記複数のフラーレンは相互に連結された
連続構造を有していることを特徴としている。
【００１１】本発明のフラーレンの製造方法は、請求項
６に記載したように、第１の非晶質炭素層上に超微粒子
を配置する工程と、前記超微粒子が配置された前記第１
の非晶質炭素層上に、少なくとも前記超微粒子を覆うよ
うに、第２の非晶質炭素層を積層形成する工程と、積層
界面に前記超微粒子が存在する前記第１の非晶質炭素層
と第２の非晶質炭素層との積層体に高エネルギービーム
を照射し、前記超微粒子を核生成物質として、少なくと
も前記第１および第２の非晶質炭素層の積層界面近傍
に、前記第１および第２の非晶質炭素層にまたがるフラ
ーレンを生成する工程とを具備することを特徴としてい
る。
６に記載したように、第１の非晶質炭素層上に超微粒子
を配置する工程と、前記超微粒子が配置された前記第１
の非晶質炭素層上に、少なくとも前記超微粒子を覆うよ
うに、第２の非晶質炭素層を積層形成する工程と、積層
界面に前記超微粒子が存在する前記第１の非晶質炭素層
と第２の非晶質炭素層との積層体に高エネルギービーム
を照射し、前記超微粒子を核生成物質として、少なくと
も前記第１および第２の非晶質炭素層の積層界面近傍
に、前記第１および第２の非晶質炭素層にまたがるフラ
ーレンを生成する工程とを具備することを特徴としてい
る。
【００１２】本発明の他のフラーレン含有構造体の製造
方法は、請求項７に記載したように、第１の非晶質炭素
層上に複数の超微粒子を配置する工程と、前記複数の超
微粒子が配置された前記第１の非晶質炭素層上に、前記
複数の超微粒子を覆うように、第２の非晶質炭素層を積
層形成する工程と、積層界面に前記複数の超微粒子が存
在する前記第１の非晶質炭素層と第２の非晶質炭素層と
の積層体に高エネルギービームを照射し、前記複数の超
微粒子をそれぞれ核生成物質として、前記第１および第
２の非晶質炭素層にまたがる複数のフラーレンを生成す
る工程と、生成した前記複数のフラーレンにさらに高エ
ネルギービームを照射し、前記複数のフラーレンを成長
させると共に相互に連結させて連続構造とする工程とを
具備することを特徴としている。
方法は、請求項７に記載したように、第１の非晶質炭素
層上に複数の超微粒子を配置する工程と、前記複数の超
微粒子が配置された前記第１の非晶質炭素層上に、前記
複数の超微粒子を覆うように、第２の非晶質炭素層を積
層形成する工程と、積層界面に前記複数の超微粒子が存
在する前記第１の非晶質炭素層と第２の非晶質炭素層と
の積層体に高エネルギービームを照射し、前記複数の超
微粒子をそれぞれ核生成物質として、前記第１および第
２の非晶質炭素層にまたがる複数のフラーレンを生成す
る工程と、生成した前記複数のフラーレンにさらに高エ
ネルギービームを照射し、前記複数のフラーレンを成長
させると共に相互に連結させて連続構造とする工程とを
具備することを特徴としている。
【００１３】すなわち本発明は、積層界面に超微粒子を
存在させた積層構造の非晶質炭素基材に高エネルギービ
ームを照射することによって、超微粒子を核生成物質と
して積層界面を構成する各非晶質炭素層にまたがる超微
粒子内包巨大フラーレン等のフラーレンを再現性よく形
成し得ること、および生成したフラーレンにさらに高エ
ネルギービームを照射することによって、得られたフラ
ーレンが成長して相互に連結した連続構造とすることが
可能であることを見出したことに基いて成されたもので
ある。
存在させた積層構造の非晶質炭素基材に高エネルギービ
ームを照射することによって、超微粒子を核生成物質と
して積層界面を構成する各非晶質炭素層にまたがる超微
粒子内包巨大フラーレン等のフラーレンを再現性よく形
成し得ること、および生成したフラーレンにさらに高エ
ネルギービームを照射することによって、得られたフラ
ーレンが成長して相互に連結した連続構造とすることが
可能であることを見出したことに基いて成されたもので
ある。
【００１４】上述したように、本発明のフラーレン含有
構造体は、積層構造の非晶質炭素基材内にフラーレン
（連続構造のフラーレンを含む）を形成したものであ
り、非晶質炭素基材を例えば保護材として機能させるこ
とができる。また、非晶質炭素基材内のフラーレンは当
初の超微粒子の配置位置に応じて形成されるため、その
形成位置や単体形状等を制御し得るだけでなく、連続構
造のフラーレンを得ることもできる。例えば、膜状構造
や所望のパターン形状を有する連続構造のフラーレンが
得られる。このように、本発明によればフラーレンの各
種制御や操作等が実現可能となる。
構造体は、積層構造の非晶質炭素基材内にフラーレン
（連続構造のフラーレンを含む）を形成したものであ
り、非晶質炭素基材を例えば保護材として機能させるこ
とができる。また、非晶質炭素基材内のフラーレンは当
初の超微粒子の配置位置に応じて形成されるため、その
形成位置や単体形状等を制御し得るだけでなく、連続構
造のフラーレンを得ることもできる。例えば、膜状構造
や所望のパターン形状を有する連続構造のフラーレンが
得られる。このように、本発明によればフラーレンの各
種制御や操作等が実現可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。
態について説明する。
【００１６】図１は、本発明によるフラーレン含有構造
体（巨大フラーレン含有構造体）の製造過程の一実施形
態を模式的に示す断面図である。同図において、１は第
１の非晶質炭素層としての非晶質炭素支持膜であり、こ
れを構成する非晶質炭素としては例えばi-カーボン等が
用いられる。非晶質炭素支持膜１の厚さは特に限定され
るものではないが、例えば 5〜 100nm程度の薄膜状基
体、さらに望ましくは10〜50nm程度の薄膜状基体が用い
られる。
体（巨大フラーレン含有構造体）の製造過程の一実施形
態を模式的に示す断面図である。同図において、１は第
１の非晶質炭素層としての非晶質炭素支持膜であり、こ
れを構成する非晶質炭素としては例えばi-カーボン等が
用いられる。非晶質炭素支持膜１の厚さは特に限定され
るものではないが、例えば 5〜 100nm程度の薄膜状基
体、さらに望ましくは10〜50nm程度の薄膜状基体が用い
られる。
【００１７】上述したような非晶質炭素支持膜１上に、
例えば図１（ａ）に示すように、巨大フラーレンを生成
する際の核生成物質となる複数の超微粒子２を配置す
る。なお図１では超微粒子２を非晶質炭素支持膜１上に
複数配置した状態を示したが、これは得ようとする巨大
フラーレン含有構造体の形状に応じて配置すればよく、
超微粒子２の配置数に特に限定されるものではない。
例えば図１（ａ）に示すように、巨大フラーレンを生成
する際の核生成物質となる複数の超微粒子２を配置す
る。なお図１では超微粒子２を非晶質炭素支持膜１上に
複数配置した状態を示したが、これは得ようとする巨大
フラーレン含有構造体の形状に応じて配置すればよく、
超微粒子２の配置数に特に限定されるものではない。
【００１８】核生成物質となる超微粒子２としては、金
属超微粒子、半導体超微粒子、化合物超微粒子等、各種
固体材料からなる超微粒子を使用することができる。言
い換えると、各種の固体物質からなる超微粒子２を核生
成物質（核生成点）として、後述するように巨大フラー
レンを誘起および成長させることができる。
属超微粒子、半導体超微粒子、化合物超微粒子等、各種
固体材料からなる超微粒子を使用することができる。言
い換えると、各種の固体物質からなる超微粒子２を核生
成物質（核生成点）として、後述するように巨大フラー
レンを誘起および成長させることができる。
【００１９】超微粒子２の具体例としては、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｗ等の各種単体金属や合
金等からなる金属超微粒子、Ｓｉ、ＧａＡｓ等からなる
半導体超微粒子、ＬａＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｐｂ
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 （ＰＺＴ）、（Ｐｂ，Ｌａ)(Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ3 （ＰＬＺＴ）等の金属酸化物超微粒子、さら
には金属塩化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等の各種
金属化合物超微粒子等が挙げられる。超微粒子２を複数
配置する場合、異なる 2種以上の金属超微粒子や金属超
微粒子と化合物超微粒子というように、材質が異なる複
数種の超微粒子を使用してもよい。
ｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｗ等の各種単体金属や合
金等からなる金属超微粒子、Ｓｉ、ＧａＡｓ等からなる
半導体超微粒子、ＬａＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｐｂ
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 （ＰＺＴ）、（Ｐｂ，Ｌａ)(Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ3 （ＰＬＺＴ）等の金属酸化物超微粒子、さら
には金属塩化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等の各種
金属化合物超微粒子等が挙げられる。超微粒子２を複数
配置する場合、異なる 2種以上の金属超微粒子や金属超
微粒子と化合物超微粒子というように、材質が異なる複
数種の超微粒子を使用してもよい。
【００２０】超微粒子２の大きさは、巨大フラーレンを
生成する際に核生成点を提供し得るような大きさであれ
ばよく、具体的には直径が 1〜 100nm程度の超微粒子２
を使用することが好ましい。なお、直径 1nm未満の超微
粒子２は存在および作製自体が困難であると共に、巨大
フラーレンの核生成点としての機能を十分に発揮させる
ことができないおそれがある。超微粒子２のより好まし
い直径は 1〜40nmの範囲である。
生成する際に核生成点を提供し得るような大きさであれ
ばよく、具体的には直径が 1〜 100nm程度の超微粒子２
を使用することが好ましい。なお、直径 1nm未満の超微
粒子２は存在および作製自体が困難であると共に、巨大
フラーレンの核生成点としての機能を十分に発揮させる
ことができないおそれがある。超微粒子２のより好まし
い直径は 1〜40nmの範囲である。
【００２１】このような超微粒子２の作製方法は特に限
定されるものではなく、非晶質炭素支持膜１上に分離し
た状態で配置することが可能であれば、種々の方法で作
製した超微粒子２を使用することができる。
定されるものではなく、非晶質炭素支持膜１上に分離し
た状態で配置することが可能であれば、種々の方法で作
製した超微粒子２を使用することができる。
【００２２】例えば、非晶質炭素支持膜１上に複数の細
孔やスリットを設けたターゲットを配置して、このター
ゲットの細孔内壁もしくはスリット内壁に対してＡｒイ
オンビーム等の高エネルギービームを斜め方向から照射
し、ターゲットの構成原子や構成分子を離脱させること
によって、ターゲットの構成材料からなる超微粒子を得
ることができる。このような方法（以下、転写法と記
す）によれば、ターゲットに形成する細孔やスリットの
形状によって、超微粒子の大きさや配置形状等を制御す
ることができる。
孔やスリットを設けたターゲットを配置して、このター
ゲットの細孔内壁もしくはスリット内壁に対してＡｒイ
オンビーム等の高エネルギービームを斜め方向から照射
し、ターゲットの構成原子や構成分子を離脱させること
によって、ターゲットの構成材料からなる超微粒子を得
ることができる。このような方法（以下、転写法と記
す）によれば、ターゲットに形成する細孔やスリットの
形状によって、超微粒子の大きさや配置形状等を制御す
ることができる。
【００２３】また、非晶質炭素支持膜１上に配置したθ
−Ａｌ2 Ｏ3 粒子等の準安定化合物粒子に、電子線等の
高エネルギービームを照射することによって、安定相で
あるα−Ａｌ2 Ｏ3 粒子やＡｌ2 Ｏ3 の構成金属である
Ａｌ超微粒子等を得ることができる。この方法（以下、
化合物分解法と記す）は、化合物特に酸化物が分解しや
すいＷ、Ｍｏ、Ｃｕ等に対しても有効である。
−Ａｌ2 Ｏ3 粒子等の準安定化合物粒子に、電子線等の
高エネルギービームを照射することによって、安定相で
あるα−Ａｌ2 Ｏ3 粒子やＡｌ2 Ｏ3 の構成金属である
Ａｌ超微粒子等を得ることができる。この方法（以下、
化合物分解法と記す）は、化合物特に酸化物が分解しや
すいＷ、Ｍｏ、Ｃｕ等に対しても有効である。
【００２４】超微粒子２の配置形状は、目的とする巨大
フラーレン含有構造体に応じて設定するものとする。単
体構造の巨大フラーレンを生成する場合には、超微粒子
２の配置形状は特に限定されないが、複数の巨大フラー
レンを生成する場合や生成した複数の巨大フラーレンを
相互に連結して連続構造とする場合には、目的とする形
状に応じて超微粒子２を配置する。
フラーレン含有構造体に応じて設定するものとする。単
体構造の巨大フラーレンを生成する場合には、超微粒子
２の配置形状は特に限定されないが、複数の巨大フラー
レンを生成する場合や生成した複数の巨大フラーレンを
相互に連結して連続構造とする場合には、目的とする形
状に応じて超微粒子２を配置する。
【００２５】例えば、複数の巨大フラーレンを相互に連
結して膜状構造とする場合には、図１（ａ）に示したよ
うに、非晶質炭素支持膜１の表面全面あるいは所定の領
域に、複数の超微粒子２を分散配置する。また、複数の
巨大フラーレンを相互に連結して所望のパターン形状と
する場合には、例えば図２（ａ）に示すように、非晶質
炭素支持膜１の表面に、複数の巨大フラーレンを連結し
て形成するパターン形状Ｐに応じて、複数の超微粒子２
を配置する。複数の超微粒子２の配置間隔は、巨大フラ
ーレンの成長状態等を考慮して設定するものとする。
結して膜状構造とする場合には、図１（ａ）に示したよ
うに、非晶質炭素支持膜１の表面全面あるいは所定の領
域に、複数の超微粒子２を分散配置する。また、複数の
巨大フラーレンを相互に連結して所望のパターン形状と
する場合には、例えば図２（ａ）に示すように、非晶質
炭素支持膜１の表面に、複数の巨大フラーレンを連結し
て形成するパターン形状Ｐに応じて、複数の超微粒子２
を配置する。複数の超微粒子２の配置間隔は、巨大フラ
ーレンの成長状態等を考慮して設定するものとする。
【００２６】次に、図１（ｂ）および図２（ｂ）に示す
ように、複数の超微粒子２を配置した非晶質炭素支持膜
１上に、少なくとも各超微粒子２を覆うように、非晶質
炭素支持膜１と同様なi-カーボン等からなる非晶質炭素
被膜３を、第２の非晶質炭素層として積層形成する。す
なわち、第１の非晶質炭素層としての非晶質炭素支持膜
１と第２の非晶質炭素層として非晶質炭素被膜３とで、
これらの積層界面に複数の超微粒子２を存在させた積層
構造の非晶質炭素基材（積層非晶質炭素基材）４を形成
する。
ように、複数の超微粒子２を配置した非晶質炭素支持膜
１上に、少なくとも各超微粒子２を覆うように、非晶質
炭素支持膜１と同様なi-カーボン等からなる非晶質炭素
被膜３を、第２の非晶質炭素層として積層形成する。す
なわち、第１の非晶質炭素層としての非晶質炭素支持膜
１と第２の非晶質炭素層として非晶質炭素被膜３とで、
これらの積層界面に複数の超微粒子２を存在させた積層
構造の非晶質炭素基材（積層非晶質炭素基材）４を形成
する。
【００２７】非晶質炭素被膜３の厚さは、超微粒子２の
周囲に巨大フラーレンの形成原料となる炭素を十分に提
供し得ると共に、その上部から高エネルギー線を照射し
た際に、超微粒子２の周囲に位置する非晶質炭素を活性
化して巨大フラーレンを誘起および成長させることが可
能な厚さであればよい。具体的には、非晶質炭素被膜３
の厚さは 5〜 100nm程度とすることが好ましい。
周囲に巨大フラーレンの形成原料となる炭素を十分に提
供し得ると共に、その上部から高エネルギー線を照射し
た際に、超微粒子２の周囲に位置する非晶質炭素を活性
化して巨大フラーレンを誘起および成長させることが可
能な厚さであればよい。具体的には、非晶質炭素被膜３
の厚さは 5〜 100nm程度とすることが好ましい。
【００２８】非晶質炭素被膜３の厚さが 5nm未満である
と、巨大フラーレンの成長に必要な炭素量を十分に提供
できないおそれがあり、一方 100nmを超えるとその上部
から照射した高エネルギー線が非晶質炭素被膜３内で減
衰し、超微粒子２の周囲の炭素を十分に活性化できない
おそれがある。特に、誘起した複数の巨大フラーレンを
相互に連結して連続構造とする場合には、複数の超微粒
子２の配置間隔等にもよるが、積層非晶質炭素基材４内
で巨大フラーレンを連結可能な程度に成長させることが
できるように、非晶質炭素被膜３の厚さは 5nm以上とす
ることが好ましい。
と、巨大フラーレンの成長に必要な炭素量を十分に提供
できないおそれがあり、一方 100nmを超えるとその上部
から照射した高エネルギー線が非晶質炭素被膜３内で減
衰し、超微粒子２の周囲の炭素を十分に活性化できない
おそれがある。特に、誘起した複数の巨大フラーレンを
相互に連結して連続構造とする場合には、複数の超微粒
子２の配置間隔等にもよるが、積層非晶質炭素基材４内
で巨大フラーレンを連結可能な程度に成長させることが
できるように、非晶質炭素被膜３の厚さは 5nm以上とす
ることが好ましい。
【００２９】非晶質炭素被膜３の形成方法は、非晶質炭
素支持膜１に対して十分な密着状態が得られるような膜
形成法であればよく、例えば蒸着法、レーザーアブレー
ション法、スパッタ法、ＣＶＤ法等の一般的な薄膜形成
方法を適用することができる。特に、超微粒子２を真空
雰囲気中等で形成した場合には、その雰囲気を壊すこと
なく連続して非晶質炭素被膜３の形成することが可能な
膜形成法を適用することが好ましい。これにより、超微
粒子２を状態変化させることなく、積層非晶質炭素基材
４の積層界面に閉じ込めることができる。
素支持膜１に対して十分な密着状態が得られるような膜
形成法であればよく、例えば蒸着法、レーザーアブレー
ション法、スパッタ法、ＣＶＤ法等の一般的な薄膜形成
方法を適用することができる。特に、超微粒子２を真空
雰囲気中等で形成した場合には、その雰囲気を壊すこと
なく連続して非晶質炭素被膜３の形成することが可能な
膜形成法を適用することが好ましい。これにより、超微
粒子２を状態変化させることなく、積層非晶質炭素基材
４の積層界面に閉じ込めることができる。
【００３０】次に、図１（ｃ）に示すように、積層界面
に超微粒子２を存在させた（閉じ込めた）積層非晶質炭
素基材４に対して、非晶質炭素被膜３の上方から高エネ
ルギービーム５を照射する。照射する高エネルギービー
ム５は特に限定されるものではなく、超微粒子２の周囲
に存在する非晶質炭素を活性化して巨大フラーレンを誘
起し得るエネルギーを有していればよい。例えば、強度
が 1×1019e/cm2 ・sec 以上の電子線、この電子線と同
等の強度を有するイオンビームのような粒子線、レーザ
ーのようなフォトン、Ｘ線、γ線、中性子線等が挙げら
れる。
に超微粒子２を存在させた（閉じ込めた）積層非晶質炭
素基材４に対して、非晶質炭素被膜３の上方から高エネ
ルギービーム５を照射する。照射する高エネルギービー
ム５は特に限定されるものではなく、超微粒子２の周囲
に存在する非晶質炭素を活性化して巨大フラーレンを誘
起し得るエネルギーを有していればよい。例えば、強度
が 1×1019e/cm2 ・sec 以上の電子線、この電子線と同
等の強度を有するイオンビームのような粒子線、レーザ
ーのようなフォトン、Ｘ線、γ線、中性子線等が挙げら
れる。
【００３１】高エネルギービーム５として電子線を用い
る場合、照射強度が 1×1019e/cm2・sec 未満である
と、積層非晶質炭素基材４内に存在する超微粒子２の周
囲の非晶質炭素を、巨大フラーレンを生成し得るほどに
活性化できないおそれがある。言い換えると、 1×1019
e/cm2 ・sec 以上の強度を有する電子線は、非晶質炭素
被膜３の厚さにもよるが、超微粒子２およびその周囲の
非晶質炭素の活性化効果や局所加熱効果等をもたらし、
これらによって巨大フラーレンの生成が可能となる。高
エネルギービーム５として粒子線、フォトン、Ｘ線、γ
線、中性子線等を用いる場合についても同様である。
る場合、照射強度が 1×1019e/cm2・sec 未満である
と、積層非晶質炭素基材４内に存在する超微粒子２の周
囲の非晶質炭素を、巨大フラーレンを生成し得るほどに
活性化できないおそれがある。言い換えると、 1×1019
e/cm2 ・sec 以上の強度を有する電子線は、非晶質炭素
被膜３の厚さにもよるが、超微粒子２およびその周囲の
非晶質炭素の活性化効果や局所加熱効果等をもたらし、
これらによって巨大フラーレンの生成が可能となる。高
エネルギービーム５として粒子線、フォトン、Ｘ線、γ
線、中性子線等を用いる場合についても同様である。
【００３２】高エネルギービーム５の照射雰囲気は、使
用ビームに応じて設定すればよく、例えば真空雰囲気、
アルゴン雰囲気のような不活性雰囲気等が挙げられる。
例えば、電子線照射を適用する場合の雰囲気は 1×10-5
Pa以下の真空雰囲気とすることが好ましく、これによっ
て残留ガス原子の吸着等を防ぐことができることから、
巨大フラーレンの生成が促進される。
用ビームに応じて設定すればよく、例えば真空雰囲気、
アルゴン雰囲気のような不活性雰囲気等が挙げられる。
例えば、電子線照射を適用する場合の雰囲気は 1×10-5
Pa以下の真空雰囲気とすることが好ましく、これによっ
て残留ガス原子の吸着等を防ぐことができることから、
巨大フラーレンの生成が促進される。
【００３３】上述したような高エネルギービーム５を、
超微粒子２が存在する領域に非晶質炭素被膜３の上方か
ら照射すると、高エネルギービーム５の照射領域内の非
晶質炭素が活性化されて、図１（ｃ）に示したように、
積層界面に存在する超微粒子２を核生成物質として巨大
フラーレン６が誘起される。この巨大フラーレン６は、
超微粒子２が核生成点として有効に作用すると共に、照
射した高エネルギービーム５が超微粒子２の周囲に存在
する非晶質炭素の活性化効果や局所加熱効果等をもたら
すことによって誘起されるものである。
超微粒子２が存在する領域に非晶質炭素被膜３の上方か
ら照射すると、高エネルギービーム５の照射領域内の非
晶質炭素が活性化されて、図１（ｃ）に示したように、
積層界面に存在する超微粒子２を核生成物質として巨大
フラーレン６が誘起される。この巨大フラーレン６は、
超微粒子２が核生成点として有効に作用すると共に、照
射した高エネルギービーム５が超微粒子２の周囲に存在
する非晶質炭素の活性化効果や局所加熱効果等をもたら
すことによって誘起されるものである。
【００３４】このように、積層界面に超微粒子２を存在
させた積層非晶質炭素基材４に高エネルギービーム５を
照射することによって、非晶質炭素支持膜１および非晶
質炭素被膜３にまたがって形成された巨大フラーレン６
が得られる。すなわち、積層非晶質炭素基材４内に巨大
フラーレン６を誘起することができる。誘起される巨大
フラーレン６としては、たまねぎ状グラファイトが挙げ
られる。また、核生成物質として使用した超微粒子２
は、基本的には巨大フラーレン６のコア中空部に内包さ
れるため、得られる巨大フラーレン６は超微粒子内包巨
大フラーレンということができる。
させた積層非晶質炭素基材４に高エネルギービーム５を
照射することによって、非晶質炭素支持膜１および非晶
質炭素被膜３にまたがって形成された巨大フラーレン６
が得られる。すなわち、積層非晶質炭素基材４内に巨大
フラーレン６を誘起することができる。誘起される巨大
フラーレン６としては、たまねぎ状グラファイトが挙げ
られる。また、核生成物質として使用した超微粒子２
は、基本的には巨大フラーレン６のコア中空部に内包さ
れるため、得られる巨大フラーレン６は超微粒子内包巨
大フラーレンということができる。
【００３５】上述したように、積層界面に超微粒子２を
存在させた積層非晶質炭素基材４に高エネルギービーム
５を照射し、その照射時間等を制御することによって、
積層非晶質炭素基材４の内部の所定位置に、すなわち当
初の超微粒子２の配置位置に対応させた所定の位置に、
単数もしくは個々に独立した複数の巨大フラーレン６を
得ることができる。得られる巨大フラーレン６の大きさ
等は、高エネルギービーム５の強度や照射時間により制
御することができる。
存在させた積層非晶質炭素基材４に高エネルギービーム
５を照射し、その照射時間等を制御することによって、
積層非晶質炭素基材４の内部の所定位置に、すなわち当
初の超微粒子２の配置位置に対応させた所定の位置に、
単数もしくは個々に独立した複数の巨大フラーレン６を
得ることができる。得られる巨大フラーレン６の大きさ
等は、高エネルギービーム５の強度や照射時間により制
御することができる。
【００３６】従って、超微粒子内包巨大フラーレンのよ
うな巨大フラーレン６の形成位置や大きさ等の制御や操
作が実現可能となるだけでなく、積層非晶質炭素基材４
を生成した巨大フラーレン６の例えば保護材として機能
させることができる。これは巨大フラーレン６の安定化
という点で多大な効果をもたらすものである。また、核
生成物質として使用する超微粒子２としては、前述した
ように種々の固体物質を用いることが可能であることか
ら、各種材料からなる超微粒子２を内包させた巨大フラ
ーレン６、すなわち超微粒子内包巨大フラーレンを得る
ことができる。なお、高エネルギービーム５を照射する
際の積層非晶質炭素基材４は、室温に保持した状態でよ
く、制御が可能な室温ステージ上で巨大フラーレン６を
形成することができる。
うな巨大フラーレン６の形成位置や大きさ等の制御や操
作が実現可能となるだけでなく、積層非晶質炭素基材４
を生成した巨大フラーレン６の例えば保護材として機能
させることができる。これは巨大フラーレン６の安定化
という点で多大な効果をもたらすものである。また、核
生成物質として使用する超微粒子２としては、前述した
ように種々の固体物質を用いることが可能であることか
ら、各種材料からなる超微粒子２を内包させた巨大フラ
ーレン６、すなわち超微粒子内包巨大フラーレンを得る
ことができる。なお、高エネルギービーム５を照射する
際の積層非晶質炭素基材４は、室温に保持した状態でよ
く、制御が可能な室温ステージ上で巨大フラーレン６を
形成することができる。
【００３７】ここまでの工程は単数もしくは個々に独立
した複数の巨大フラーレン６を形成する工程であり、巨
大フラーレン６を誘起した積層非晶質炭素基材４に対し
て高エネルギービーム５をさらに継続して照射すること
によって、巨大フラーレン６を成長させることができ
る。この際、複数の巨大フラーレン６を同時に成長させ
ることによって、それらを相互に連結させて連続構造と
することができる。
した複数の巨大フラーレン６を形成する工程であり、巨
大フラーレン６を誘起した積層非晶質炭素基材４に対し
て高エネルギービーム５をさらに継続して照射すること
によって、巨大フラーレン６を成長させることができ
る。この際、複数の巨大フラーレン６を同時に成長させ
ることによって、それらを相互に連結させて連続構造と
することができる。
【００３８】例えば、図１（ｄ）に示すように、非晶質
炭素支持膜１上に分散配置した超微粒子２に基いて誘起
した複数の巨大フラーレン６に、さらに高エネルギービ
ーム５を照射することによって、各巨大フラーレン６の
周囲の非晶質炭素が活性化して巨大フラーレン６が成長
し続け、隣接する巨大フラーレン６同士が連結、言い換
えると融合する。すなわち、隣接する複数の巨大フラー
レン６の外殻側の炭素原子が共通化された巨大フラーレ
ンの融合体が得られる。
炭素支持膜１上に分散配置した超微粒子２に基いて誘起
した複数の巨大フラーレン６に、さらに高エネルギービ
ーム５を照射することによって、各巨大フラーレン６の
周囲の非晶質炭素が活性化して巨大フラーレン６が成長
し続け、隣接する巨大フラーレン６同士が連結、言い換
えると融合する。すなわち、隣接する複数の巨大フラー
レン６の外殻側の炭素原子が共通化された巨大フラーレ
ンの融合体が得られる。
【００３９】このように、高エネルギービーム５の照射
を一定時間以上行うことによって、例えば図１（ｄ）に
示すように、積層非晶質炭素基材４の内部に巨大フラー
レンを相互に連結した膜状体、すなわち膜状巨大フラー
レン７を形成することができる。得られる膜状巨大フラ
ーレン７は、上述したように基本的には超微粒子内包巨
大フラーレンに基くものであるため、超微粒子内包巨大
フラーレンの膜状体ということができる。
を一定時間以上行うことによって、例えば図１（ｄ）に
示すように、積層非晶質炭素基材４の内部に巨大フラー
レンを相互に連結した膜状体、すなわち膜状巨大フラー
レン７を形成することができる。得られる膜状巨大フラ
ーレン７は、上述したように基本的には超微粒子内包巨
大フラーレンに基くものであるため、超微粒子内包巨大
フラーレンの膜状体ということができる。
【００４０】膜状巨大フラーレン７の形成位置は、図１
（ｄ）に示したように積層非晶質炭素基材４の積層界面
近傍のみに限らず、高エネルギービーム５の照射をさら
に継続することによって、図１（ｅ）に示すように、非
晶質炭素支持膜１および非晶質炭素被覆膜３のほぼ全体
に膜状巨大フラーレン７を成長させることも可能であ
る。すなわち、非晶質炭素支持膜１および非晶質炭素被
覆膜３のほぼ全体がフラーレン化した膜状巨大フラーレ
ン７を得ることができる。
（ｄ）に示したように積層非晶質炭素基材４の積層界面
近傍のみに限らず、高エネルギービーム５の照射をさら
に継続することによって、図１（ｅ）に示すように、非
晶質炭素支持膜１および非晶質炭素被覆膜３のほぼ全体
に膜状巨大フラーレン７を成長させることも可能であ
る。すなわち、非晶質炭素支持膜１および非晶質炭素被
覆膜３のほぼ全体がフラーレン化した膜状巨大フラーレ
ン７を得ることができる。
【００４１】また図２に示すように、予め所望のパター
ン形状Ｐに応じて配置した超微粒子２に基いて複数の巨
大フラーレンを誘起し、これら複数の巨大フラーレンに
さらに高エネルギービームを照射した場合には、図２
（ｃ）に示すように、複数のフラーレン６を所望のパタ
ーン形状Ｐに応じて連結（融合）させることができる。
すなわち、所望のパターン形状Ｐを有する巨大フラーレ
ン連続体８を、積層非晶質炭素基材４の内部に形成する
ことができる。
ン形状Ｐに応じて配置した超微粒子２に基いて複数の巨
大フラーレンを誘起し、これら複数の巨大フラーレンに
さらに高エネルギービームを照射した場合には、図２
（ｃ）に示すように、複数のフラーレン６を所望のパタ
ーン形状Ｐに応じて連結（融合）させることができる。
すなわち、所望のパターン形状Ｐを有する巨大フラーレ
ン連続体８を、積層非晶質炭素基材４の内部に形成する
ことができる。
【００４２】上述したような膜状巨大フラーレン（巨大
フラーレンの膜状連続体）７やパターン化した巨大フラ
ーレン連続体８を、積層非晶質炭素基材４の内部に形成
した巨大フラーレン含有構造体９は、巨大フラーレン特
に超微粒子内包巨大フラーレンの性質を利用して応用展
開を図る上で極めて有効である。すなわち、巨大フラー
レン含有構造体９を用いることによって、巨大フラーレ
ン（超微粒子内包巨大フラーレン）の物性掌握、各種操
作や制御、各種の応用展開等を実現することが可能とな
る。
フラーレンの膜状連続体）７やパターン化した巨大フラ
ーレン連続体８を、積層非晶質炭素基材４の内部に形成
した巨大フラーレン含有構造体９は、巨大フラーレン特
に超微粒子内包巨大フラーレンの性質を利用して応用展
開を図る上で極めて有効である。すなわち、巨大フラー
レン含有構造体９を用いることによって、巨大フラーレ
ン（超微粒子内包巨大フラーレン）の物性掌握、各種操
作や制御、各種の応用展開等を実現することが可能とな
る。
【００４３】そして、本発明においては、高エネルギー
ビーム５の照射時間、照射強度、照射雰囲気、また超微
粒子２の大きさ、配置位置、種類等によって、得られる
巨大フラーレン連続体の性質、形状や形成位置、また積
層非晶質炭素基材４内における状態等を制御することが
できるため、その応用範囲は極めて広範囲に及ぶもので
ある。例えば、上記した巨大フラーレン含有構造体９
は、巨大フラーレンもしくは超微粒子の接合特性や量子
力学的効果（量子井戸、ミニバンド等）等を利用した電
子素子材料、センサー材料、フィルター材料等のデバイ
ス材料、超伝導材料、生体材料、医療材料等の新機能材
料等への応用可能性を有している。
ビーム５の照射時間、照射強度、照射雰囲気、また超微
粒子２の大きさ、配置位置、種類等によって、得られる
巨大フラーレン連続体の性質、形状や形成位置、また積
層非晶質炭素基材４内における状態等を制御することが
できるため、その応用範囲は極めて広範囲に及ぶもので
ある。例えば、上記した巨大フラーレン含有構造体９
は、巨大フラーレンもしくは超微粒子の接合特性や量子
力学的効果（量子井戸、ミニバンド等）等を利用した電
子素子材料、センサー材料、フィルター材料等のデバイ
ス材料、超伝導材料、生体材料、医療材料等の新機能材
料等への応用可能性を有している。
【００４４】
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について述べ
る。
る。
【００４５】実施例１ まず、i-カーボンからなる非晶質炭素支持膜上に、複数
のＰｔ超微粒子を配置した。このＰｔ超微粒子は、Ｐｔ
メッシュを用いた転写法により形成したものである。具
体的には、非晶質炭素支持膜上に多数の細孔を有するＰ
ｔメッシュを配置し、これを真空室内の室温ステージ上
にセットした後、Ｐｔメッシュの細孔内壁に加速電圧
3.0kV、ビーム電流0.25mAのＡｒイオンビームを斜め方
向から照射した。Ａｒイオンビームの入射角は40°、Ａ
ｒイオンビーム照射時の雰囲気は1×10-3Pa程度の真空
（Ａｒを含む）とした。このＰｔメッシュへのＡｒイオ
ンビームの斜め照射によって、複数のＰｔ超微粒子を非
晶質炭素支持膜上に配置した。Ｐｔ超微粒子の平均直径
は約 3nmであった。
のＰｔ超微粒子を配置した。このＰｔ超微粒子は、Ｐｔ
メッシュを用いた転写法により形成したものである。具
体的には、非晶質炭素支持膜上に多数の細孔を有するＰ
ｔメッシュを配置し、これを真空室内の室温ステージ上
にセットした後、Ｐｔメッシュの細孔内壁に加速電圧
3.0kV、ビーム電流0.25mAのＡｒイオンビームを斜め方
向から照射した。Ａｒイオンビームの入射角は40°、Ａ
ｒイオンビーム照射時の雰囲気は1×10-3Pa程度の真空
（Ａｒを含む）とした。このＰｔメッシュへのＡｒイオ
ンビームの斜め照射によって、複数のＰｔ超微粒子を非
晶質炭素支持膜上に配置した。Ｐｔ超微粒子の平均直径
は約 3nmであった。
【００４６】次いで、複数のＰｔ超微粒子が配置された
非晶質炭素支持膜上に、これら複数のＰｔ超微粒子を覆
うように、抵抗加熱を利用した蒸着法で厚さ10nmの非晶
質炭素被膜を積層形成した。すなわち、非晶質炭素支持
膜と非晶質炭素被膜とで積層非晶質炭素基材を形成し、
この積層非晶質炭素基材の積層界面に複数のＰｔ超微粒
子を閉じ込めた。
非晶質炭素支持膜上に、これら複数のＰｔ超微粒子を覆
うように、抵抗加熱を利用した蒸着法で厚さ10nmの非晶
質炭素被膜を積層形成した。すなわち、非晶質炭素支持
膜と非晶質炭素被膜とで積層非晶質炭素基材を形成し、
この積層非晶質炭素基材の積層界面に複数のＰｔ超微粒
子を閉じ込めた。
【００４７】上記した積層非晶質炭素基材を、 200kVＴ
ＥＭ装置（日本電子社製、JEM-2010（商品名））の真空
室内の室温ステージ上にセットし、 1×10-5Paの真空雰
囲気中で 1×1020e/cm2 ・sec の電子線を非晶質炭素被
膜の上方から照射した。電子線の照射後に、積層非晶質
炭素基材の状態をＴＥＭ観察したところ、複数のＰｔ超
微粒子をそれぞれ核生成物質として複数の同心円状のカ
ーボン組織が誘起しており、また各Ｐｔ超微粒子はそれ
ぞれ誘起した同心円状のカーボン組織に内包されてい
た。
ＥＭ装置（日本電子社製、JEM-2010（商品名））の真空
室内の室温ステージ上にセットし、 1×10-5Paの真空雰
囲気中で 1×1020e/cm2 ・sec の電子線を非晶質炭素被
膜の上方から照射した。電子線の照射後に、積層非晶質
炭素基材の状態をＴＥＭ観察したところ、複数のＰｔ超
微粒子をそれぞれ核生成物質として複数の同心円状のカ
ーボン組織が誘起しており、また各Ｐｔ超微粒子はそれ
ぞれ誘起した同心円状のカーボン組織に内包されてい
た。
【００４８】得られた同心円状のカーボン組織は、非晶
質炭素支持膜と非晶質炭素被膜との積層界面近傍に、こ
れら双方にまたがって形成されていた。これら同心円状
のカーボン組織は層間隔が約0.35nmであることから、巨
大フラーレンの一種であるたまねぎ状グラファイトであ
ることが確認された。なお、たまねぎ状グラファイトの
周囲は非晶質炭素の状態を維持していた。このように、
積層非晶質炭素基材の内部に超微粒子内包巨大フラーレ
ンが形成された巨大フラーレン含有構造体が得られた。
質炭素支持膜と非晶質炭素被膜との積層界面近傍に、こ
れら双方にまたがって形成されていた。これら同心円状
のカーボン組織は層間隔が約0.35nmであることから、巨
大フラーレンの一種であるたまねぎ状グラファイトであ
ることが確認された。なお、たまねぎ状グラファイトの
周囲は非晶質炭素の状態を維持していた。このように、
積層非晶質炭素基材の内部に超微粒子内包巨大フラーレ
ンが形成された巨大フラーレン含有構造体が得られた。
【００４９】続いて、積層非晶質炭素基材に対して電子
線をさらに照射し、電子線の照射時間が延べ 400秒とな
ったところで、再度ＴＥＭ観察を実施した。その結果、
各たまねぎ状グラファイトの成長に伴って、隣接するた
まねぎ状グラファイト同士が連結して膜状構造を成して
いることが確認された。このように、積層界面近傍に複
数のＰｔ超微粒子を配置した積層非晶質炭素基材に対し
て電子線を照射することによって、その内部に膜状巨大
フラーレンを形成することができた。すなわち、積層非
晶質炭素基材の内部に膜状巨大フラーレンが形成された
巨大フラーレン含有構造体が得られた。
線をさらに照射し、電子線の照射時間が延べ 400秒とな
ったところで、再度ＴＥＭ観察を実施した。その結果、
各たまねぎ状グラファイトの成長に伴って、隣接するた
まねぎ状グラファイト同士が連結して膜状構造を成して
いることが確認された。このように、積層界面近傍に複
数のＰｔ超微粒子を配置した積層非晶質炭素基材に対し
て電子線を照射することによって、その内部に膜状巨大
フラーレンを形成することができた。すなわち、積層非
晶質炭素基材の内部に膜状巨大フラーレンが形成された
巨大フラーレン含有構造体が得られた。
【００５０】さらに、上記した積層非晶質炭素基材に対
して、 1×10-5Paの真空雰囲気中で1×1020e/cm2 ・sec
の電子線を照射し、電子線の照射時間が延べ4000秒と
なったところで、再度ＴＥＭ観察を実施した。その結
果、非晶質炭素被膜のほぼ全体に膜状巨大フラーレンが
成長していることが確認された。
して、 1×10-5Paの真空雰囲気中で1×1020e/cm2 ・sec
の電子線を照射し、電子線の照射時間が延べ4000秒と
なったところで、再度ＴＥＭ観察を実施した。その結
果、非晶質炭素被膜のほぼ全体に膜状巨大フラーレンが
成長していることが確認された。
【００５１】なお、上記実施例１において、積層界面に
配置する超微粒子として、Ｐｔ超微粒子に代えて、Ａｕ
超微粒子、Ａｌ超微粒子、Ａｌ2 Ｏ3 超微粒子等をそれ
ぞれ用いて、同一条件で積層非晶質炭素基材に電子線を
照射したところ、同様な超微粒子内包巨大フラーレン、
さらには膜状巨大フラーレンを得ることができた。
配置する超微粒子として、Ｐｔ超微粒子に代えて、Ａｕ
超微粒子、Ａｌ超微粒子、Ａｌ2 Ｏ3 超微粒子等をそれ
ぞれ用いて、同一条件で積層非晶質炭素基材に電子線を
照射したところ、同様な超微粒子内包巨大フラーレン、
さらには膜状巨大フラーレンを得ることができた。
【００５２】一方、本発明との比較例として、Ｐｔ超微
粒子等の超微粒子を積層配置していない積層非晶質炭素
基材に、上記実施例１と同一条件で電子線を照射したと
ころ、巨大フラーレンは生成しなかった。
粒子等の超微粒子を積層配置していない積層非晶質炭素
基材に、上記実施例１と同一条件で電子線を照射したと
ころ、巨大フラーレンは生成しなかった。
【００５３】実施例２ 上記した実施例１において、非晶質炭素支持膜上に転写
法で超微粒子を配置する際のターゲットとして、図２に
示したようなパターン形状のスリットを有するＣｕター
ゲットを用いる以外は、同様にして非晶質炭素支持膜上
にＣｕ超微粒子を配置した。これらＣｕ超微粒子はスリ
ット形状に応じて配置されていることを確認した。
法で超微粒子を配置する際のターゲットとして、図２に
示したようなパターン形状のスリットを有するＣｕター
ゲットを用いる以外は、同様にして非晶質炭素支持膜上
にＣｕ超微粒子を配置した。これらＣｕ超微粒子はスリ
ット形状に応じて配置されていることを確認した。
【００５４】次に、複数のＣｕ超微粒子をパターン形状
に応じて配置した非晶質炭素支持膜上に、実施例１と同
様にして非晶質炭素被膜を積層形成した後、実施例１と
同一条件で電子線を非晶質炭素被膜の上方から照射し
た。電子線を 400秒間照射した後にＴＥＭ観察を実施し
たところ、複数のたまねぎ状グラファイトがパターン形
状に応じて形成されていると共に、これら複数のたまね
ぎ状グラファイトが相互に連結していることが確認され
た。すなわち、パターン化した巨大フラーレン連続体が
積層非晶質炭素基材の内部に形成されていた。
に応じて配置した非晶質炭素支持膜上に、実施例１と同
様にして非晶質炭素被膜を積層形成した後、実施例１と
同一条件で電子線を非晶質炭素被膜の上方から照射し
た。電子線を 400秒間照射した後にＴＥＭ観察を実施し
たところ、複数のたまねぎ状グラファイトがパターン形
状に応じて形成されていると共に、これら複数のたまね
ぎ状グラファイトが相互に連結していることが確認され
た。すなわち、パターン化した巨大フラーレン連続体が
積層非晶質炭素基材の内部に形成されていた。
【００５５】このように、当初の超微粒子の配置位置を
制御することによって、各種形状の巨大フラーレン連続
体を積層非晶質炭素基材の内部に形成することができ
る。
制御することによって、各種形状の巨大フラーレン連続
体を積層非晶質炭素基材の内部に形成することができ
る。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば非
晶質炭素基材の内部にフラーレンを形成したフラーレン
含有構造体を得ることができ、さらには形成したフラー
レンの形状や形成位置、さらには連結構造等の形成状態
を制御することができる。従って、このような本発明の
フラーレン含有構造体は、フラーレンの応用展開や保護
等に大きく寄与するものである。
晶質炭素基材の内部にフラーレンを形成したフラーレン
含有構造体を得ることができ、さらには形成したフラー
レンの形状や形成位置、さらには連結構造等の形成状態
を制御することができる。従って、このような本発明の
フラーレン含有構造体は、フラーレンの応用展開や保護
等に大きく寄与するものである。
【図１】 本発明のフラーレン含有構造体の一実施形態
による製造工程を模式的に示す断面図である。
による製造工程を模式的に示す断面図である。
【図２】 本発明のフラーレン含有構造体の他の実施形
態による製造工程を模式的に示す断面図である。
態による製造工程を模式的に示す断面図である。
１……非晶質炭素支持膜 ２……超微粒子 ３……非晶質炭素被膜 ４……積層非晶質炭素基材 ５……高エネルギービーム ６……巨大フラーレン ７……膜状巨大フラーレン ８……パターン化した巨大フラーレン連続体 ９……巨大フラーレン含有構造体
Claims (10)
- 【請求項１】 積層された第１の非晶質炭素層と第２の
非晶質炭素層とを有する非晶質炭素基材と、 前記非晶質炭素基材の少なくとも前記第１および第２の
非晶質炭素層の積層界面近傍に、前記第１および第２の
非晶質炭素層にまたがって形成されたフラーレンとを具
備することを特徴とするフラーレン含有構造体。 - 【請求項２】 積層された第１の非晶質炭素層と第２の
非晶質炭素層とを有する非晶質炭素基材と、 前記非晶質炭素基材の少なくとも前記第１および第２の
非晶質炭素層の積層界面近傍に、前記第１および第２の
非晶質炭素層にまたがって形成された複数のフラーレン
とを具備し、 前記複数のフラーレンは相互に連結された連続構造を有
していることを特徴とするフラーレン含有構造体。 - 【請求項３】 請求項２記載のフラーレン含有構造体に
おいて、 前記複数のフラーレンは相互に連結されて膜状構造を形
成していることを特徴とするフラーレン含有構造体。 - 【請求項４】 請求項２記載のフラーレン含有構造体に
おいて、 前記複数のフラーレンは相互に連結されて所望のパター
ン形状を形成していることを特徴とするフラーレン含有
構造体。 - 【請求項５】 請求項１または請求項２記載のフラーレ
ン含有構造体において、 前記フラーレンは超微粒子内包巨大フラーレンであるこ
とを特徴とするフラーレン含有構造体。 - 【請求項６】 第１の非晶質炭素層上に超微粒子を配置
する工程と、 前記超微粒子が配置された前記第１の非晶質炭素層上
に、少なくとも前記超微粒子を覆うように、第２の非晶
質炭素層を積層形成する工程と、 積層界面に前記超微粒子が存在する前記第１の非晶質炭
素層と第２の非晶質炭素層との積層体に高エネルギービ
ームを照射し、前記超微粒子を核生成物質として、少な
くとも前記第１および第２の非晶質炭素層の積層界面近
傍に、前記第１および第２の非晶質炭素層にまたがるフ
ラーレンを生成する工程とを具備することを特徴とする
フラーレン含有構造体の製造方法。 - 【請求項７】 第１の非晶質炭素層上に複数の超微粒子
を配置する工程と、 前記複数の超微粒子が配置された前記第１の非晶質炭素
層上に、前記複数の超微粒子を覆うように、第２の非晶
質炭素層を積層形成する工程と、 積層界面に前記複数の超微粒子が存在する前記第１の非
晶質炭素層と第２の非晶質炭素層との積層体に高エネル
ギービームを照射し、前記複数の超微粒子をそれぞれ核
生成物質として、前記第１および第２の非晶質炭素層に
またがる複数のフラーレンを生成する工程と、 生成した前記複数のフラーレンにさらに高エネルギービ
ームを照射し、前記複数のフラーレンを成長させると共
に相互に連結させて連続構造とする工程とを具備するこ
とを特徴とするフラーレン含有構造体の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載のフラーレン含有構造体の
製造方法において、 前記第１の非晶質炭素層の表面に、前記複数の超微粒子
を分散配置することを特徴とするフラーレン含有構造体
の製造方法。 - 【請求項９】 請求項７記載のフラーレン含有構造体の
製造方法において、 前記第１の非晶質炭素層の表面に、前記複数の超微粒子
を所望のパターン形状に応じて配置することを特徴とす
るフラーレン含有構造体の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項６または請求項７記載のフラー
レン含有構造体の製造方法において、 生成する前記フラーレンは超微粒子内包巨大フラーレン
であることを特徴とするフラーレン含有構造体の製造方
法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069426A JPH10265207A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | フラーレン含有構造体およびその製造方法 |
| EP98909786A EP1018487B1 (en) | 1997-03-24 | 1998-03-20 | Fullerene-containing structure and process for producing the same |
| CN98805377A CN1099374C (zh) | 1997-03-24 | 1998-03-20 | 含富勒烯结构体及其制造方法 |
| PCT/JP1998/001206 WO1998042619A1 (fr) | 1997-03-24 | 1998-03-20 | Structure contenant du fullerene et son procede de production |
| KR1019997008627A KR100356426B1 (ko) | 1997-03-24 | 1998-03-20 | 플러렌 함유 구조체 및 그 제조방법 |
| DE69810948T DE69810948T2 (de) | 1997-03-24 | 1998-03-20 | Fulleren enthaltende struktur und verfahren zu deren herstellung |
| US09/381,736 US6251522B1 (en) | 1997-03-24 | 1998-03-20 | Fullerene-containing structure and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069426A JPH10265207A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | フラーレン含有構造体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10265207A true JPH10265207A (ja) | 1998-10-06 |
Family
ID=13402293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9069426A Pending JPH10265207A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | フラーレン含有構造体およびその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6251522B1 (ja) |
| EP (1) | EP1018487B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10265207A (ja) |
| KR (1) | KR100356426B1 (ja) |
| CN (1) | CN1099374C (ja) |
| DE (1) | DE69810948T2 (ja) |
| WO (1) | WO1998042619A1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002105623A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Kobe Steel Ltd | カーボンオニオン薄膜およびその製造方法 |
| KR100385867B1 (ko) * | 1999-06-15 | 2003-06-02 | 일진나노텍 주식회사 | 고순도의 탄소나노튜브를 합성하는 방법 |
| KR100449358B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-09-21 | 닛폰 덴키 가부시끼 가이샤 | 초전도 물질 및 이의 제조방법 |
| JP2004284915A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Japan Science & Technology Agency | 非晶質炭素膜成形体及びその製造方法 |
| KR100466159B1 (ko) * | 2001-11-21 | 2005-01-14 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 탄소 나노튜브의 밴드 갭 변형방법과 이를 이용한 나노양자소자 및 그의 제조방법 |
| JP2010030854A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Toyota Central R&D Labs Inc | カーボンオニオン粒子分散膜及びその製造方法 |
| JP2010083756A (ja) * | 2005-01-12 | 2010-04-15 | Japan Science & Technology Agency | 炭素系薄膜の製造方法 |
| KR101103470B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2012-01-09 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 탄소계 박막 및 그 제조 방법, 및 이 박막을 이용한 부재 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6793967B1 (en) * | 1999-06-25 | 2004-09-21 | Sony Corporation | Carbonaceous complex structure and manufacturing method therefor |
| US6599961B1 (en) * | 2000-02-01 | 2003-07-29 | University Of Kentucky Research Foundation | Polymethylmethacrylate augmented with carbon nanotubes |
| WO2003029137A2 (en) * | 2001-10-01 | 2003-04-10 | Tda Research, Inc. | Derivatization and solubilization of insoluble classes of fullerenes |
| KR100519418B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2005-10-07 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 신규한 구조와 물성을 보유한 탄소 미세 입자 |
| JP3829789B2 (ja) * | 2002-10-22 | 2006-10-04 | トヨタ自動車株式会社 | 多重管カーボンナノチューブ製造方法 |
| US7097906B2 (en) | 2003-06-05 | 2006-08-29 | Lockheed Martin Corporation | Pure carbon isotropic alloy of allotropic forms of carbon including single-walled carbon nanotubes and diamond-like carbon |
| WO2006025869A2 (en) * | 2004-03-26 | 2006-03-09 | Luna Innovations Incorporated | A(3-n)XnN@C80 ENDOHEDRAL METALLOFULLERENES AS LUBRICANT OF ADDITIVE, CORROSION-RESISTANT COATING, AND THERMALLY-CONDUCTIVE MATERIALS. |
| US20060275564A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Michael Grah | Method of activating the shrink characteristic of a film |
| US20070025918A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | General Electric Company | Magnetic resonance imaging (MRI) agents: water soluble carbon-13 enriched fullerene and carbon nanotubes for use with dynamic nuclear polarization |
| US7678841B2 (en) | 2005-08-19 | 2010-03-16 | Cryovac, Inc. | Increasing the gas transmission rate of a film comprising fullerenes |
| US8377419B2 (en) * | 2005-09-28 | 2013-02-19 | The President And Fellows Of Harvard College | Hyperpolarized solid materials with long spin relaxation times for use as imaging agents in magnetic resonance imaging |
| JP2009518440A (ja) * | 2005-12-10 | 2009-05-07 | プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ | 造影剤のインサイチュ過分極 |
| US20090252686A1 (en) * | 2006-01-11 | 2009-10-08 | President And Fellows Of Harvard College | Ex Vivo Hyperpolarization of Imaging Agents |
| US8759811B2 (en) * | 2006-02-14 | 2014-06-24 | Raytheon Company | Particle encapsulated nanoswitch |
| JP5205672B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-06-05 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | フラーレン細線付き基盤とその製造方法 |
| CN101553084B (zh) * | 2008-04-01 | 2010-12-08 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 线路基板及线路基板的制作方法 |
| US20100092390A1 (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | President And Fellows Of Harvard College | Methods for Making Particles Having Long Spin-Lattice Relaxation Times |
| CN102001646B (zh) * | 2010-12-16 | 2012-06-27 | 中国科学院高能物理研究所 | 碳纳米材料合成装置及方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543378A (en) * | 1993-10-13 | 1996-08-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Carbon nanostructures encapsulating palladium |
| JP3544237B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2004-07-21 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 巨大フラーレンの製造方法 |
| JP3434926B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2003-08-11 | 科学技術振興事業団 | 巨大フラーレンの製造方法 |
| US6017630A (en) * | 1996-05-22 | 2000-01-25 | Research Development Corporation | Ultrafine particle and production method thereof, production method of ultrafine particle bonded body, and fullerene and production method thereof |
| JP3544267B2 (ja) * | 1996-05-22 | 2004-07-21 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 巨大フラーレンの製造方法 |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP9069426A patent/JPH10265207A/ja active Pending
-
1998
- 1998-03-20 CN CN98805377A patent/CN1099374C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-20 EP EP98909786A patent/EP1018487B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-20 DE DE69810948T patent/DE69810948T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-20 KR KR1019997008627A patent/KR100356426B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 1998-03-20 US US09/381,736 patent/US6251522B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385867B1 (ko) * | 1999-06-15 | 2003-06-02 | 일진나노텍 주식회사 | 고순도의 탄소나노튜브를 합성하는 방법 |
| JP2002105623A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Kobe Steel Ltd | カーボンオニオン薄膜およびその製造方法 |
| KR100449358B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-09-21 | 닛폰 덴키 가부시끼 가이샤 | 초전도 물질 및 이의 제조방법 |
| KR100466159B1 (ko) * | 2001-11-21 | 2005-01-14 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 탄소 나노튜브의 밴드 갭 변형방법과 이를 이용한 나노양자소자 및 그의 제조방법 |
| JP2004284915A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Japan Science & Technology Agency | 非晶質炭素膜成形体及びその製造方法 |
| KR101103470B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2012-01-09 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 탄소계 박막 및 그 제조 방법, 및 이 박막을 이용한 부재 |
| JP2010083756A (ja) * | 2005-01-12 | 2010-04-15 | Japan Science & Technology Agency | 炭素系薄膜の製造方法 |
| JP2010030854A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Toyota Central R&D Labs Inc | カーボンオニオン粒子分散膜及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030225 |