JPH10255976A - Light emission element and its manufacture - Google Patents

Light emission element and its manufacture

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JPH10255976A
JPH10255976A JP5639897A JP5639897A JPH10255976A JP H10255976 A JPH10255976 A JP H10255976A JP 5639897 A JP5639897 A JP 5639897A JP 5639897 A JP5639897 A JP 5639897A JP H10255976 A JPH10255976 A JP H10255976A
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JP
Japan
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substrate
light
light emitting
surface
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JP5639897A
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Japanese (ja)
Inventor
Masao Fukuyama
Yoshikazu Hori
Mutsumi Suzuki
義 和 堀
山 正 雄 福
木 睦 美 鈴
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
    • H01L51/0024Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof for forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination technique

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display element in which high-precision, highreliability, and colored display is possible.
SOLUTION: A negative electrode 2 comprising material of a low work function for injecting electrons is formed on a surface (upper surface) of a first substrate 1, and a light emitting layer 3 is formed further on a surface (upper surface) of it. In the meanwhile, a transparent electrode 5 for injecting holes is formed on a surface (lower surface) of a second substrate 4, and a carrier transport layer 6 is formed further on a surface (lover surface) of it. Surfaces of the light emitting layer 3 and the carrier transport layer 6 are tightly applied to each other to form an electric junction part 7 to compose a light emission element. The holes injected from the transparent electrode 5 are transported through the carrier tranpsport layer 6 to be injected to the light emitting layer 3. The electrons are directly injected from the negative electrode 2 to the light emitting layer 3, thereby light is emitted by recombination of the electrons and the holes inside the light emitting layer 3 or around an interface of the hole transport layer 6.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、平面型の発光素子に係わり、特に有機物を用いた電界発光素子に関し、従来の有機電界発光素子では実現が困難であった高信頼性の表示素子、並びに低価格、高画質のなカラー表示素子に関するものである。 The present invention relates to relates to a planar light-emitting device, in particular to electroluminescent device using an organic substance, highly reliable display device realized is difficult in the conventional organic electroluminescent device, and low price, the present invention relates to a color display device, such high image quality.

【0002】 [0002]

【従来の技術】高度情報化マルチメディア社会の発展に伴い、低消費電力・高画質の平板型表示素子の開発が活発化している。 BACKGROUND OF THE INVENTION With the development of advanced information multimedia society, the development of flat panel display device with low power consumption and high image quality has been activated. 非発光型の液晶表示素子は低消費電力を特長としてその位置を確立し、携帯情報端末等への応用とさらなる高性能化が進んでいる。 The liquid crystal display device of non-luminous established its position as a feature low power consumption, and Applications higher performance to portable information terminals and the like has progressed.

【0003】一方、自発光型の表示素子は、外光に影響されないことから、従来のCRTの代替えや、さらにはCRTでは実現困難な大画面表示や超高精細表示の実現に向けて、電界発光型ディスプレイの開発が活発化している。 On the other hand, self-luminous display elements, since it is not affected by external light, alternative and conventional CRT, further for the realization of large-screen display difficult realization in a CRT or super high definition display, an electric field development of light-emitting display has been activated.

【0004】タンらは基板上に正孔注入用電極層、有機正孔輸送層、有機発光層、電子注入用電極層を付着形成することにより、低電圧で発光する有機ELを提案し、 [0004] Tamra the hole injection electrode layer on a substrate, an organic hole transport layer, an organic light-emitting layer, by depositing the electron injection electrode layer, proposes an organic EL which emits light at a low voltage,
文字表示素子等これを用いたELDが試作されるに至っている。 Character display device such as ELD using the same is led to the prototype.

【0005】このタンらが提案した有機EL素子の概要を図10を用いて示す(参考文献:CWTang et al. Ap [0005] (Reference shows the outline of an organic EL device this Tan proposed by using FIG. 10:. CWTang et al Ap
pl. Phys. Lett. Vol.51, p.913 (1987))。 pl. Phys. Lett. Vol.51, p.913 (1987)). ガラス基板101の上に酸化インジウム層からなる透明電極(陽極)102を形成し、次にその表面に蒸着法で有機発光層103および正孔輸送層104を形成し、さらにその表面に銀マグネシウム合金層からなる金属電極(陰極) A transparent electrode (anode) 102 consisting of indium oxide layer on the glass substrate 101 is formed, then forming an organic light emitting layer 103 and the hole transport layer 104 by vapor deposition on the surface, further silver magnesium alloy on the surface thereof metal electrode made of a layer (cathode)
105を蒸着形成する。 105 to the deposition formation. 陽極102から正孔が注入され、また陰極105から電子が注入され、有機発光層1 Holes are injected from the anode 102, also electrons are injected from the cathode 105, the organic light-emitting layer 1
03中でこれらが再結合することにより光106を発する。 It emits light 106 by which they are re-combined in 03.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記した発光素子では、陰極105を蒸着法により形成するため、微細構造の電極を形成することは困難であり、高精細の表示素子を実現することが困難であった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the light emitting device described above, to form a cathode 105 deposition method, it is difficult to form the electrodes of the microstructure is possible to realize a display device of high definition It was difficult. すなわち、有機発光層103は、物理的化学的に不安定であり、その表面にフォトリソ等の手段を用いて微細形状を有する電極を形成することは困難であり、陰極の分離を行うためにはマスク蒸着法を用いざるを得ず、従って1 That is, the organic light emitting layer 103 is a physically and chemically unstable, it is difficult to form an electrode having a fine shape by means of a photolithography or the like on the surface thereof, in order to perform the separation of the cathode inevitably using a mask vapor deposition method, thus 1
00ミクロン以下の隣接間隔または微細形状を有する陰極形状を形成することはできなかった。 00 microns to form a cathode shape having the distance between the adjacent or fine shape was not.

【0007】また陰極形成方法が蒸着法に限定されるため、使用する陰極材料にも限定があった。 [0007] Since the cathode forming process is restricted to the vapor deposition method, there has been limited to the cathode material used. すなわち、使用できる陰極材料は、仕事関数が低くしかも比較的融点が低い材料に限定されていた。 That is, a cathode material that can be used, the work function was limited to low yet relatively low melting point materials. このような条件を満たす材料は、大気中では不安定な材料が多く、発光素子自体の信頼性にも悪影響を及ぼしていた。 Such materials satisfying the unstable material in the air is large and was also adversely affect the reliability of the light emitting device itself.

【0008】さらに、カラー表示を行うためには異なる有機材料を高密度に配置するか、白色または青色の発光材料と高密度のカライーフィルタまたは色変換素子と組み合わせる必要があった。 Furthermore, in order to perform color display it is necessary to combine with or to position different organic materials at a high density, white or blue light-emitting material and a high density of color E. filter or a color conversion element. これらを実現するためには複雑な工程を要するため、低価格の表示素子を実現することが困難であった。 It takes a complicated process in order to realize these, it is difficult to realize a display device of low cost.

【0009】本発明は、このような従来の有機発光素子の問題を解決し、高信頼性・高精細の表示素子、並びに低価格のカラー表示素子を実現するための発光素子およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 The present invention is to solve such problems of the conventional organic light emitting element, high reliability and high definition of the display device, and a light emitting device and a manufacturing method thereof for realizing a color display device with low price it is an object to provide.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達成するために、表面に第1の電極層と発光層を含む層が付着形成された第1の基板と、表面に第2の電極層が付着形成された第2の基板とを、第1の基板上に形成された層の表面と第2の基板上に形成された電極層の表面とが互いに接触するように接合し、第1の電極層と第2の電極層から電子または正孔のそれぞれ異なる種類のキャリアが発光層に注入されることにより、発光層内での再結合により発光が生じるようにしたものである。 The present invention SUMMARY OF], in order to achieve the above object, a first substrate on which a layer including a light emitting layer and the first electrode layer is deposited on the surface, a second on the surface a second substrate which the electrode layer is deposited, is bonded as a surface layer formed on the first substrate and the surface of the second electrode layer formed on the substrate are in contact with each other, by the first electrode layer and the different types of carriers of electrons or holes from the second electrode layer are injected into the light emitting layer is obtained by such light emission occurs by recombination within the emission layer. これにより、高信頼性・高精細の表示素子、並びに低価格のカラー表示素子を実現するための発光素子およびその製造方法を提供することができる。 Thus, it is possible to provide high reliability and high-definition display device, and a light emitting device and a manufacturing method thereof for realizing the color display device of low cost.

【0011】 [0011]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明は、表面に少なくとも第1の電極層と発光層を含む層が付着形成された第1の基板と、表面に第2の電極層が付着形成された第2の基板とを互いに対向させ、前記第1 The invention according to claim 1 of the embodiment of the present invention comprises a first substrate layer is deposited which comprises at least a first electrode layer and the light-emitting layer on the surface, a second electrode on the surface a second substrate layers are deposited so as to face each other, the first
の基板上に形成された層の表面と第2の基板上に形成された電極層の表面が互いに直接または導電層を介して密着接合して配置され、第1の電極層と第2の電極層から電子または正孔のそれぞれ異なる種類のキャリアが発光層に注入されることにより、前記発光層内で再結合することにより発光が生じることを特徴とする発光素子であり、高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 Surface of the substrate on the formed layer on the surface of the electrode layer formed on a second substrate are arranged closely bonded to directly or via a conductive layer to each other, the first electrode layer and the second electrode by the different kinds of carriers of electrons or holes from the layer it is injected into the light emitting layer, a light-emitting element, wherein a light emission occurs by recombination in the light emitting layer, high reliability and high It has the effect of realizing a light-emitting element of the definition.

【0012】本発明の請求項2に記載の発明は、第2の基板表面に第2の電極層と少なくともキャリア輸送層が付着形成され、前記第1の基板上に形成された発光層と第2の基板上に形成されたキャリア輸送層が互いに密着接合して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子であり、高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 [0012] The invention according to claim 2 of the present invention, the second at least the carrier transport layer and a second electrode layer on the substrate surface is deposited, the first light emitting layer formed on a substrate of a first that that carrier transport layer formed on the substrate 2 is disposed closely bonded to each other is a light emitting device according to claim 1, wherein, can realize highly reliable light emitting element and high definition It is having an effect.

【0013】本発明の請求項3に記載の発明は、第1の基板表面に第1の電極層と少なくとも発光層と第1のキャリア輸送層が順次形成され、前記第1の基板上に形成された第1のキャリア輸送層と第2の基板上に形成されたキャリア輸送層が互いに接触して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子であり、高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 [0013] The invention described in claim 3 of the present invention, at least a light-emitting layer and the first carrier transporting layer and the first electrode layer are sequentially formed on the first substrate surface, formed on said first substrate a light-emitting device according to claim 1, characterized in that the first carrier transporting layer and a carrier transport layer formed on a second substrate which is is placed in contact with each other, high reliability and It has an effect of the light-emitting device with high definition can be realized.

【0014】本発明の請求項4に記載の発明は、前記発光層またはキャリア輸送層のうちの少なくとも一方が有機化合物であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子であり、高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 [0014] The invention according to claim 4 of the present invention, at least one of the light emitting layer or carrier transporting layer is a light-emitting device according to claim 1, characterized in that the organic compound, high It has the effect of realizing a light-emitting element of sex and high definition.

【0015】本発明の請求項5に記載の発明は、第1の基板および第2の基板に形成された電極層がフォトリソ法で形成された微細形状を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子であり、高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 [0015] The invention described in claim 5 of the present invention, in claim 1 in which the electrode layer formed on the first substrate and the second substrate is characterized by having a fine shape formed by photolithography a light emitting device according has the effect of realizing a highly reliable light emitting element and high definition.

【0016】本発明の請求項6に記載の発明は、第1の基板または第2の基板のうち少なくとも一方の基板がフレキシブル基板であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子であり、高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 [0016] The invention described in claim 6 of the present invention is an light emitting device according to claim 1, wherein at least one substrate of the first substrate or the second substrate is characterized in that it is a flexible substrate has the effect of realizing a highly reliable light emitting element and high definition.

【0017】本発明の請求項7に記載の発明は、第1の基板と第2の基板、およびこれらの基板に形成された電極層が透明または半透明であり、非発光状態が透明または半透明であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子であり、高信頼性・高精細、かつ両基板の双方から光を観測でき、非発光状態では透明または半透明な発光素子を実現できるという作用を有する。 [0017] The invention according to claim 7 of the present invention, the first substrate and the second substrate, and an electrode layer formed on these substrates is transparent or translucent, non-emission state which is transparent or semi a light-emitting device according to claim 1, characterized in that a transparent, reliable and high definition, and can be observed the light from both of the substrates, achieve a transparent or semi-transparent light-emitting element in the non-emission state It has the effect that it can be.

【0018】本発明の請求項8に記載の発明は、それぞれ異なる色を発する複数の発光素子が面方向に互いに近接して配置されていることを特徴とする請求項7に記載の発光素子であり、高信頼性・高精細、かつ両基板の双方から光を観測でき、低価格のカラー表示素子を実現できるという作用を有する。 [0018] The invention according to claim 8 of the present invention, the light emitting device according to claim 7 in which a plurality of light emitting elements that emit different colors is characterized in that it is arranged close to one another in the surface direction There, high reliability and high definition, and can be observed the light from both of the substrates, an effect that can realize a color display device of low cost.

【0019】本発明の請求項9に記載の発明は、それぞれ異なる色を発する複数の発光素子が面方向に垂直な方向に互いに一定の距離を隔てて配置されていることを特徴とする請求項7に記載の発光素子であり、高信頼性・ [0019] The invention described in claim 9 of the present invention, claims a plurality of light emitting elements that emit different colors is characterized in that it is arranged at a mutually fixed distance in a direction perpendicular to the surface direction a light-emitting device according to 7, high reliability and
高精細、かつ両基板の双方から光を観測でき、低価格のカラー表示素子を実現できるという作用を有する。 High definition, and it can be observed the light from both of the substrates, an effect that can realize a color display device of low cost.

【0020】本発明の請求項10に記載の発明は、少なくとも第1の基板または第2の基板に形成される発光層およびキャリア輸送層が島状に分離されて導電層の表面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子であり、より高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 [0020] The invention according to claim 10 of the present invention is formed on a surface of at least the first substrate or the light-emitting layer and the carrier transporting layer is separated into an island shape conductive layer formed on the second substrate a light-emitting device according to claim 1, characterized in that there, has the effect of a light emitting device with more reliability and high resolution can be realized.

【0021】本発明の請求項11に記載の発明は、前記分離された島状の発光層およびキャリア輸送層の周辺部または近傍に、第1の基板と第2の基板の間隔を一定に保つ絶縁層が配置されていることを特徴とする請求項1 [0021] The invention according to claim 11 of the present invention, the peripheral portion or the vicinity of the separated island-shaped light-emitting layer and a carrier transport layer, keeping the distance between the first substrate and the second substrate constant claim 1, wherein an insulating layer is disposed
0に記載の発光素子であり、より高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 A light-emitting device according to 0, has the effect of more reliable and higher-definition light-emitting element can realize.

【0022】本発明の請求項12に記載の発明は、前記分離された島状の発光層およびキャリア輸送層の周辺部に絶縁層または低融点金属層が配置され、各島状に形成された前記発光層およびキャリア輸送層が互いに隔離されていることを特徴とする請求項11に記載の発光素子であり、より高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 [0022] The invention according to claim 12 of the present invention, the the peripheral portion of the separated island-shaped light-emitting layer and a carrier transport layer insulating layer or the low-melting-point metal layer is disposed, is formed on each island-shaped wherein a light emitting device according to claim 11, the light-emitting layer and a carrier transport layer, characterized in that it is isolated from each other, an effect that the light-emitting element of higher reliability and higher resolution can be realized.

【0023】本発明の請求項13に記載の発明は、第1 [0023] The invention according to claim 13 of the present invention, first
の基板または第2の基板上の前記島状に分離して形成される発光層およびキャリア輸送層の周辺部に絶縁層が形成され、かつ絶縁層の表面ともう一方の基板上の絶縁層が接触する部分に低融点金属膜が形成され、各島状に形成された前記発光層およびキャリア輸送層が互いに隔離されていることを特徴とする請求項11に記載の発光素子であり、より高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 Insulated layer in the peripheral portion of the light-emitting layer and a carrier transport layer to separate the island-like substrate or the second substrate is formed is formed, and an insulating layer on the other substrate and the surface of the insulating layer the portion contacting the low melting point metal film is formed, a light-emitting device according to claim 11, wherein the light-emitting layer and a carrier transport layer formed on each island is characterized in that it is isolated from each other, higher It has an effect of the light-emitting element of reliability and high definition can be realized.

【0024】本発明の請求項14に記載の発明は、第1 [0024] The invention according to claim 14 of the present invention, first
の基板表面に少なくとも電極層と発光層を含む複数の層を形成する工程と、第2の基板表面に少なくとも電極層を含む層を形成する工程と、第1および第2の基板を互いに対向して接触させかつ加熱処理することにより一体化する工程とを含む発光素子の製造方法であり、高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 At least a step of forming a layer containing an electrode layer, opposite the first and second substrates together in a step of forming a plurality of layers including at least the electrode layer and the light emitting layer, a second substrate surface on the substrate surface contacting Te and a method of fabricating a light emitting device including the step of integrating by heating, an effect that can realize a highly reliable light emitting element and high definition.

【0025】本発明の請求項15に記載の発明は、第1 [0025] The invention according to claim 15 of the present invention, first
の基板表面または第2の基板表面の一部に一定の厚さを有する絶縁層を形成する工程を含む請求項14に記載の発光素子の製造方法であり、より高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 A manufacturing method of a light emitting device according to claim 14, of a portion of the substrate surface or the second substrate surface comprising the step of forming an insulating layer having a constant thickness, more reliable, high-definition light emitting It has the effect that the device can be realized.

【0026】本発明の請求項16に記載の発明は、第1 [0026] The invention according to claim 16 of the present invention, first
の基板表面または第2の基板表面の一部に一定の厚さを有する絶縁層を形成する工程と、絶縁膜の形成されていない基板表面に発光層およびキャリア輸送層を形成する工程とを含む請求項14に記載の発光素子の製造方法であり、より高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 And forming an insulating layer having a constant thickness on a part of the substrate surface or the second substrate surface, and a step of forming a light-emitting layer and a carrier transport layer on the substrate surface which is not formed in the insulating film a manufacturing method of a light emitting device according to claim 14, having the effect of a light emitting device with more reliability and high resolution can be realized.

【0027】本発明の請求項17に記載の発明は、第1 [0027] The invention according to claim 17 of the present invention, first
の基板表面または第2の基板表面の一部に一定の厚さを有する絶縁層および低融点金属層を形成する工程と、絶縁膜の形成されていない基板表面に発光層およびキャリア輸送層を形成する工程と、絶縁層の形成されていない基板の表面で前記低融点金属が接触する部分に低融点金属層を形成する工程とを含む請求項15に記載の発光素子の製造方法であり、より高信頼性・高精細の発光素子を実現できるという作用を有する。 Forming a step of forming an insulating layer and a low melting point metal layer having a constant thickness on a part of the substrate surface or the second substrate surface, the light-emitting layer and a carrier transport layer on the substrate surface which is not formed in the insulating film a step of a manufacturing method of a light emitting device according to claim 15 including the step of forming the low melting point metal layer on the portion where the low-melting metal is in contact with the surface of the substrate not formed with the insulating layer, and more It has an effect of the light-emitting element can be realized with high reliability and high definition.

【0028】(実施の形態1)以下、本発明の第1の実施の形態における発光素子について図1を参照しながら説明する。 [0028] (Embodiment 1) will be described with reference to FIG. 1, the light-emitting device according to the first embodiment of the present invention. 図1において、1は第1の基板となるガラス基板であり、その表面(上面)には、電子を注入するために縦方向に複数に分割された陰極側の電極(行電極) In Figure 1, 1 is a glass substrate serving as the first substrate, the surface (upper surface) is vertically divided into a plurality cathodic side of the electrodes in order to inject electrons (row electrodes)
2が銀マグネシウム合金をマスク蒸着法により形成されている。 2 is formed by a mask deposition method silver magnesium alloy. さらにその表面(上面)には、アルミキノリノール錯体(Alq tris(8-hydroxyquino)aluminium ) More its surface (upper surface), aluminum quinolinol complex (Alq tris (8-hydroxyquino) aluminium)
の有機発光層3が付着形成されている。 The organic light-emitting layer 3 is deposited. 一方、第2の基板となるガラス基板4の表面(下面)には、正孔を注入するための陽極側の透明電極(列電極)5が横方向に複数に分割されて形成され、さらにその表面(下面)にトリフェニルジアミン(TPD N,N'-bis(3-methylpheny On the other hand, on the surface of the glass substrate 4 comprising a second substrate (lower surface), the anode side of the transparent electrode (column electrode) for injecting holes 5 are formed is divided into a plurality of laterally further that triphenyldiamine the surface (lower surface) (TPD N, N'-bis (3-methylpheny
l)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine )の有機キャリア(正孔)輸送層6が付着形成されている。 l) - (1,1'-biphenyl) organic carriers (holes) transporting layer 6-4,4'-diamine) are deposited. そして、有機発光層3およびキャリア(正孔)輸送層6の表面を互いに密着し、電気的な接合部7を形成することにより発光素子が構成されている。 Then, the surface of the organic light-emitting layer 3 and the carrier (hole) transport layer 6 in close contact with each other, the light emitting element is constituted by forming an electrical junction 7.

【0029】このような構造において、透明電極5から注入される正孔は、キャリア輸送層6を輸送されて発光層3に注入される。 [0029] In this structure, holes injected from the transparent electrode 5 is injected into the light-emitting layer 3 and the carrier transporting layer 6 is transported. そして、陰極電極2からは電子が発光層3に直接注入され、この発光層3の内部またはキャリア輸送層6との界面近傍で電子と正孔が再結合することにより発光する。 Then, electrons are injected directly into the light emitting layer 3 from the cathode electrode 2, an internal or electrons and holes in the vicinity of the interface between the carrier transport layer 6 of the luminescent layer 3 emits light by recombination. 陰極電極2は反射性の金属層であり、光8は透明電極5側のガラス基板側4から放射される。 Cathode electrode 2 is a reflective metal layer, the light 8 is emitted from the glass substrate side 4 of the transparent electrode 5 side.

【0030】このように、本実施の形態1によれば、大気中の湿度に対して不安定な銀マグネシウム合金や有機材料がガラス基板1、4の内面に密着形成されるので、 [0030] Thus, according to the first embodiment, since the unstable silver magnesium alloy and an organic material against atmospheric moisture is formed tightly adhered on the inner surface of the glass substrate 1 and 4,
大気にさらされることがなく、従って従来のような複雑な封止手段を必要とせず、簡単な素子構成で信頼性の高い表示素子を実現することが可能である。 Not exposed to the atmosphere, thus not requiring a complex sealing means, such as conventional, it is possible to realize a highly reliable display device with a simple device structure.

【0031】なお、本実施の形態では、発光層3とキャリア輸送層6を接合しているが、発光層3またはキャリア輸送層6と電極層が直接または低融点金属等を介して接合されていてもよい。 [0031] In the present embodiment, although bonding the light-emitting layer 3 and the carrier transporting layer 6, the light-emitting layer 3 or the carrier transporting layer 6 and the electrode layers are bonded directly or via the low melting point metal such as it may be. また、本実施の形態では、透明電極5上にキャリア輸送層6が形成されているが、目的や発光材料の選択によっては必ずしもキャリア輸送層6 Further, in the present embodiment, the carrier transport layer 6 on the transparent electrode 5 is formed, not necessarily the carrier transport layer by the selection of the object or a light-emitting material 6
を用いる必要はない。 There is no need to use the. また本実施の形態では、陰極電極2上に発光層3が直接形成されているが、目的や発光材料の種類によっては、電子輸送層を介して発光層3が形成されていてもよい。 Also in this embodiment, although the light emitting layer 3 is formed directly on the cathode electrode 2, depending on the type of object or a light emitting material, the light emitting layer 3 via the electron transport layer may be formed.

【0032】さらに、本実施の形態では、発光層3およびキャリア輸送層6に、それぞれAlqおよびTPDの有機材料を用いたが、必ずしもこれらの有機材料に限定されることはなく、また有機材料のみならず、無機材料で形成されていてもよい。 Furthermore, in this embodiment, the light-emitting layer 3 and the carrier transporting layer 6, an organic material of Alq and TPD, respectively, not necessarily limited to these organic materials, and only organic material Narazu, it may be formed of an inorganic material.

【0033】さらに、本実施の形態では、第1の基板にガラス基板1を用いているが、本発光素子においては使用する基板は必ずしもガラス基板に限定されることはなく、片方の基板にシリコンやガリウム砒素、或いはインジウム燐等の結晶基板を用いることも可能である。 Furthermore, in the present embodiment uses the glass substrate 1 to the first substrate, the substrate used in the present light-emitting element is not necessarily limited to a glass substrate, a silicon on one substrate or gallium arsenide, or it is also possible to use a crystal substrate indium phosphide and the like. また、片方または両方の基板にプラスチック等の有機基板を用いることも可能である。 It is also possible to use an organic substrate such as plastic on one or both of the substrate.

【0034】(実施の形態2)上記した第1の実施形態においては、発光層と正孔輸送層が直接接合されている場合を示したが、この構成においては性質の大きく異なる発光層とキャリア輸送層の2種類の層を接合することになるので、材料の組み合わせによっては接合状態や界面状態が不均一になり、均一な発光が得られないこともある。 [0034] In the first embodiment described above (Embodiment 2) shows the case where the light-emitting layer and the hole transport layer is directly bonded, and significantly different emission layer properties in this configuration carrier it means joining the two layers of the transport layer, depending on the combination of the material becomes uneven bonding state and interface states, sometimes not uniform light emission can be obtained. そこで、均一な発光を容易に実現することが可能な発光素子をについて説明する。 Therefore, a description will be given of the light-emitting device capable of easily realizing a uniform light emission.

【0035】以下、本発明の第2の実施の形態における発光素子について図2を参照しながら説明する。 [0035] Hereinafter, with reference to FIG. 2 for the light-emitting element in the second embodiment of the present invention. 図2において、21は第1の基板となるN型シリコン基板であり、その表面近傍には行電極分離のために縦方向に帯状に分割されたP型領域層22が形成されている。 2, 21 is an N-type silicon substrate as the first substrate, P-type region layer 22 which is divided in a strip shape in the longitudinal direction for the row electrode separation is formed in the vicinity of the surface thereof. さらに各P型領域層22の表面に沿って電子を注入するための低仕事関数材料でなる電極(陰極)23が形成されている。 Is further electrode (cathode) 23 made of a low work function material for injecting electrons along the surface of the P-type region layer 22 is formed. そして陰極電極23のほぼ全面に有機発光層(Al And almost entirely to the organic light emitting layer of the cathode electrode 23 (Al
q)24、および有機正孔輸送層(TPD)25が付着形成されている。 q) 24, and an organic hole transport layer (TPD) 25 is deposited. 一方、第2の基板となるガラス基板2 On the other hand, a glass substrate 2 serving as a second substrate
6の表面には、正孔を注入するための透明電極(陽極) The 6 surface of the transparent electrode for injecting holes (positive)
27が列電極となるように横方向に複数に分割されて形成され、さらにその表面に有機正孔輸送層(TPD)2 27 is formed is divided into a plurality of laterally so that the column electrodes, further organic hole-transporting layer on the surface (TPD) 2
8が付着形成されている。 8 is deposited. そして、シリコン基板21に形成された正孔輸送層25およびガラス基板26に形成された正孔輸送層28の表面を互いに密着し、電気的な接合部29を形成することにより発光素子が構成されている。 Then, the surface of the hole transport layer 28 formed on the hole transport layer 25 and the glass substrate 26 is formed on the silicon substrate 21 in close contact with each other, the light emitting element is constituted by forming an electrical junction 29 ing.

【0036】本実施の形態においては、透明電極27から注入される正孔は正孔輸送層28と25を輸送されて発光層24に注入される。 [0036] In this embodiment, holes injected from the transparent electrode 27 are injected are transported hole transport layer 28 and 25 to the light emitting layer 24. そして、陰極電極23からは電子が有機発光層24に直接注入され、この発光層24 Then, electrons are injected directly into the organic light-emitting layer 24 from the cathode electrode 23, the light-emitting layer 24
の内部または正孔輸送層25との界面近傍で電子と正孔が再結合することにより発光する。 Internal or electrons and holes in the vicinity of the interface between the hole transport layer 25 emits light by recombination. 発光する光30は、 The emitted light 30,
同様に透明電極27側のガラス基板26から放出される。 It is similarly released from the glass substrate 26 of the transparent electrode 27 side.

【0037】このように、本実施の形態2によれば、性質の大きく異なる第1基板側の発光層24と第2基板側のキャリア輸送層28とを直接接合することなく、性質の同じキャリア輸送層25と28を接合したので、接合状態や界面状態が不均一になり、均一な発光を得ることができる。 [0037] Thus, according to the second embodiment, without bonding the light-emitting layer 24 of very different side of the first substrate properties and a second substrate side of the carrier transporting layer 28 directly, the same carrier properties Having joined the transport layer 25 and 28 can be bonded state and the interface state becomes uneven, to obtain uniform light emission.

【0038】本実施の形態においては、第1の基板21 [0038] In this embodiment, the first substrate 21
および第2の基板26に同一のキャリア輸送層25、2 And the same carrier transport layer on the second substrate 26 25,2
8を用いたが、必ずしも同一材料である必要はなく、異なる材料であってもよく、また接合部近傍に接合を容易にするために異なる層が形成されていてもよい。 8 was used, not necessarily the same material, may be different materials and different layers to facilitate bonding to the vicinity of the junction may be formed. また、 Also,
本実施の形態においても、陰極電極23から供給される電子は、直接発光層24に注入されているが、発光層2 Also in this embodiment, electrons supplied from the cathode electrode 23 has been injected directly into the light emitting layer 24, light-emitting layer 2
と陰極電極23の間に電子輸送層を設置してもよいことは自明である。 And it is obvious that may be installed electron transporting layer between the cathode electrode 23. また発光層24が無機材料であってもかまわない。 The light-emitting layer 24 may be an inorganic material.

【0039】(実施の形態3)上記した第1および第2 [0039] (Embodiment 3) first and second mentioned above
の実施の形態では、複数の行電極(陰極層)を、従来のように銀マグネシウム合金等の低仕事関数の金属材料をマスク蒸着法により形成しているが、この方式では陰極(行電極)の微細化に限界があり、高精細な表示を実現することが困難である。 In the embodiment, a plurality of row electrodes (cathode layer) is formed by a conventional mask deposition method of the metal material having a low work function such as silver magnesium alloy as, but those approaches cathode (row electrode) There is a limit to miniaturization, it is difficult to realize a high-definition display. そこで、第1の基板上に炭化ジルコニウム、炭化ハーフニウム、硼化ランタン、窒化チタン等の物理的・化学的に比較的安定な低仕事関数材料を用い、これを基板上にスパッタリング法やCVD法で付着形成し、その後フォトリソ法により加工することにより、高密度の行電極を形成することが可能である。 Therefore, zirconium carbide on the first substrate, carbide half bromide, lanthanum boride, using physical and chemical relatively stable low work function material such as titanium nitride, a sputtering method, a CVD method which on a substrate in attached form, by processing by the subsequent photolithography, it is possible to form a high density row electrodes.

【0040】また、上記した炭化物や窒化物、硼素化物、或いは酸化イットリウム、酸化イットリビウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムといった酸化物は、比較的バンドギャップが大きく、これらを陰極材料に用いることにより、発光層から放射される光を陰極側からも観測できることに加えて、非発光状態では素子全体を光が透過するという新たな特徴を有する発光素子を実現することができる。 Further, carbides and nitrides described above, boron fluoride, or yttrium oxide, ytterbium oxide, strontium oxide such as barium oxide, relatively large band gap, by using these cathode materials, luminescent layer in addition to being able to observe from the cathode side the light emitted from the non-emission state can be realized a light emitting device having a new feature that light the entire device is transparent.

【0041】以下、本発明の第3の実施の形態における透過型でかつ高精細な発光素子について図3を参照しながら説明する。 [0041] Hereinafter, transmission, high-definition light-emitting device according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 図3において、31は第1の基板となるガラス基板であり、その表面には硼化ランタン層による陰極32が行電極となるように縦方向に複数に分割されて形成されている。 3, 31 is a glass substrate serving as the first substrate, the cathode 32 is formed to be divided into a plurality in the longitudinal direction such that the row electrode by lanthanum boride layer on the surface. 陰極32は可視光領域では透明である。 Cathode 32 is transparent in the visible light region. さらにその表面に有機発光層33および有機キャリア(正孔)輸送層34が付着形成されている。 The organic light-emitting layer 33 and the organic carrier (hole) transport layer 34 is deposited further thereon. 一方、第2の基板となるガラス基板35の表面には、正孔を注入するための透明電極(列電極)36が横方向に複数に分割されて形成され、さらにその表面に有機正孔輸送層3 On the other hand, on the surface of the glass substrate 35 serving as a second substrate, it is formed transparent electrodes (column electrodes) 36 for injecting holes is divided into a plurality of laterally further organic hole-transporting to the surface layer 3
7が付着形成されている。 7 is deposited. そして、ガラス基板31に形成されたキャリア(正孔)輸送層34とガラス基板35 Then, the carrier formed on the glass substrate 31 (hole) transport layer 34 and the glass substrate 35
に形成されたキャリア(正孔)輸送層37の表面を互いに密着し、電気的な接合部38を形成することにより発光素子が構成されている。 Emitting element is constituted by the formed carrier (hole) surface of the transport layer 37 in close contact with each other, to form an electrical junction 38 that the.

【0042】本実施の形態においては、透明電極36から注入される正孔は、キャリア(正孔)輸送層37と3 [0042] In this embodiment, holes injected from the transparent electrode 36, carriers (holes) transport layer 37 and the 3
4を輸送されて発光層33に注入される。 4 is transported is injected into the light emitting layer 33. そして、透明な陰極32からは電子が発光層33に直接注入され、この発光層33内または正孔輸送層34との界面近傍で電子と正孔が再結合することにより発光する。 Then, a transparent cathode 32 are injected electrons directly to the light-emitting layer 33, electrons and holes in the vicinity of the interface between the light emitting layer 33 or in the hole transport layer 34 emits light by recombination. 発光する光は、陽極基板側の光391と陰極基板側の光392の両面に放射される。 Light emitted is radiated on both surfaces of the anode substrate side of the light 391 and the cathode substrate side of the light 392. また非発光部は透明体であり、発光素子の対面を観測することが可能である。 The non-light emitting portion is a transparent body, it is possible to observe the face of the light emitting element.

【0043】このように、本実施の形態3によれば、陰極32と陽極36の双方を透明とすることにより、発光層33から放射される光を陰極側からでも陽極側からでも観測することができ、非発光状態では素子全体を光が透過する透明な発光素子を実現することが可能である。 [0043] Thus, according to the third embodiment, by a transparent both cathode 32 and anode 36, observing the light emitted from the light-emitting layer 33 even from the anode side even from the cathode side can be, it is possible to realize a transparent light emitting element for transmitting light to the entire device in a non-emission state.

【0044】(実施の形態4)以上説明した実施の形態では、発光層およびキャリア輸送層が基板の表面のほぼ全面に形成されているが、このように有機層が一様に形成されている場合には、基板に付着しているゴミや欠陥が核となって発生すると考えられる非発光部分が徐々に拡大し、短期間に表示特性を著しく劣化させるという状況も発生する。 [0044] In the embodiments described (Embodiment 4) Although the light-emitting layer and the carrier transport layer is formed over substantially the entire surface of the substrate, thus the organic layer is uniformly formed in this case, dust or defect adhering to the substrate is gradually expanded nonradiative portion is considered to be generated at the core, also occurs situation significantly degrade the display characteristics in a short period of time. そこで、有機発光層およびキャリア輸送層を微小な島状に分離形成することにより、非発光欠陥の拡大を抑制することを可能とし、素子の信頼性を著しく改善することのできる発光素子の例について説明する。 Accordingly, by separating an organic light-emitting layer and a carrier transporting layer small islands, possible to suppress the expansion of non-light emission defects, for example of a light emitting device capable of remarkably improving the reliability of the device explain.

【0045】以下、本発明の第4の実施の形態における発光層分離型の発光素子について、図4を参照しながら説明する。 [0045] Hereinafter, a light emitting layer separation type light-emitting device according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 図4において、41は第1の基板となるガラス基板であり、その表面には硼化ランタン層による透明な陰極42が数100ミクロンの幅を有する行電極となるように縦方向に複数に分割されて形成されている。 4, 41 is a glass substrate serving as the first substrate, divided into a plurality of longitudinally as the cathode 42 clear by lanthanum boride layer on the surface becomes a row electrode having a width of several hundred microns It is formed to be. さらにその表面に直径100ミクロン以下の島状の有機発光層43とキャリア(正孔)輸送層44が付着形成されている。 On the surface following islands of the organic light emitting layer 43 and the diameter of 100 microns carriers (holes) transport layer 44 are deposited further. 一方、第2の基板となるガラス基板45の表面には、正孔を注入するための約数100ミクロンの幅を有する透明電極(列電極)46が横方向に複数に分割されて形成され、さらに基板表面全体にキャリア(正孔) On the other hand, on the surface of the glass substrate 45 serving as a second substrate, it is formed about several hundred microns transparent electrode having a width of (column electrodes) 46 for injecting holes is divided into a plurality of laterally further the carrier over the entire surface of the substrate (holes)
輸送層47が形成されている。 Transport layer 47 is formed. そして、ガラス基板41 Then, the glass substrate 41
に形成されたキャリア(正孔)輸送層44とガラス基板45に形成されたキャリア(正孔)輸送層47の表面を互いに密着し、電気的な接合部48を形成することにより発光素子が構成されている。 The formed carrier (holes) formed in the transport layer 44 and the glass substrate 45 carriers (holes) surface of the transport layer 47 in close contact with each other, the light emitting element is constituted by forming an electrical junction 48 It is.

【0046】本実施の形態においては、透明電極46から注入される正孔はキャリア(正孔)輸送層47とび4 [0046] In this embodiment, holes injected from the transparent electrode 46 and the carrier (hole) transport layer 47 jump 4
4を輸送されて発光層43に注入される。 4 is transported is injected into the light emitting layer 43. そして、透明な陰極42からは電子が発光層43に直接注入され、この発光層43内またはキャリア(正孔)輸送層44との界面近傍で電子と正孔が再結合することにより発光する。 The electrons from transparent cathode 42 is injected directly into the light emitting layer 43 emits light by electrons and holes in the vicinity of the interface between the light emitting layer 43 or in a carrier (hole) transport layer 44 are recombined. 発光する光は、陽極基板側の光491と陰極基板側の492の両面に放射される。 Light emitted is radiated on both surfaces of the anode substrate side of the light 491 and the cathode substrate side 492. また非発光部は透明体であり、発光素子の対面を観測することが可能である。 The non-light emitting portion is a transparent body, it is possible to observe the face of the light emitting element.

【0047】このように、本実施の形態4によれば、有機発光層43およびキャリア輸送層44を微小な島状に分離形成することにより、非発光欠陥の拡大を抑制することを可能とし、発光素子の信頼性を著しく改善することができる。 [0047] Thus, according to the fourth embodiment, by separating an organic light-emitting layer 43 and carrier transporting layer 44 in the small islands, possible to suppress the expansion of non-light emission defects, it is possible to significantly improve the reliability of the light emitting element.

【0048】本実施の形態では、第2の基板45の表面にキャリア輸送層47が一様に形成されているが、これも第1の基板41側のキャリア輸送層44と同様に島状に形成されていてもよい。 [0048] In this embodiment, although the carrier transporting layer 47 on the surface of the second substrate 45 is uniformly formed, it also similarly island and carrier transporting layer 44 of the first substrate 41 side it may be formed.

【0049】(実施の形態5)上記した第4の実施の形態においては、発光層の周辺部が外気にふれる可能性があるが、その周辺部を絶縁層で覆うことによりさらに信頼性を高めることができる。 [0049] In (Embodiment 5) The fourth embodiment described above, the peripheral portion of the light emitting layer there is a possibility to touch the outside air, further enhancing the reliability by covering the periphery thereof with an insulating layer be able to. 以下、本発明の第5の実施の形態における発光素子について図5を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 5 a light-emitting element in the fifth embodiment of the present invention. 図5において、51は第1の基板となるガラス基板であり、その表面には硼化ランタン層による透明な陰極52が数100ミクロンの幅を有する行電極となるように縦方向に複数に分割されて形成されている。 5, 51 is a glass substrate serving as the first substrate, divided into a plurality of longitudinally as the cathode 52 clear by lanthanum boride layer on the surface becomes a row electrode having a width of several hundred microns It is formed to be. さらにその表面に直径100ミクロン以下の島状の有機発光層53とそれを覆うようにキャリア(正孔)輸送層54 Carriers (holes) transport layer 54 so as to cover it and the island-shaped organic light emitting layer 53 having a diameter of 100 microns or less on its surface
が付着形成されている。 There has been deposited. 一方、第2の基板となるガラス基板55の表面には、正孔を注入するための約数100 On the other hand, on the surface of the glass substrate 55 serving as a second substrate, divisor for injecting holes 100
ミクロンの幅を有する透明電極(列電極)56が横方向に複数に分割されて形成され、さらにその表面にキャリア輸送層54とほぼ同様の厚さを有し、しかもキャリア輸送層54を逃げるための直径100ミクロン以下の多数の孔を有する絶縁層(スペーサ)57が付着形成されている。 Transparent electrodes having a width of micron (column electrodes) 56 are formed is divided into a plurality of laterally further has substantially the same thickness as the carrier transporting layer 54 on the surface thereof, moreover to escape the carrier transporting layer 54 insulating layer (spacer) 57 having the following number of pore diameter 100 microns is deposited. そして、ガラス基板51に形成されたキャリア(正孔)輸送層54とガラス基板55に形成された透明電極層56の表面を互いに密着し、電気的な接合部58 Then, the surface of the glass substrate 51 to form carriers (holes) transport layer 54 and the glass substrate 55 transparent electrode layer 56 formed in close contact with each other, the electrical junction 58
を形成することにより発光素子が構成されている。 Emitting element is constituted by forming.

【0050】本実施の形態においては、透明電極56から注入される正孔は、正孔輸送層54を輸送されて発光層53に注入される。 [0050] In this embodiment, holes injected from the transparent electrode 56 is injected into the light-emitting layer 53 is transported hole transport layer 54. そして、透明な陰極52からは電子が発光層53に直接注入され、この発光層53内または正孔輸送層54との界面近傍で電子と正孔が再結合することにより発光する。 Then, a transparent cathode 52 are injected electrons directly to the light-emitting layer 53, electrons and holes in the vicinity of the interface between the inside light-emitting layer 53 or the hole transport layer 54 emits light by recombination. 発光する光は、陽極基板側の光591と陰極基板側の光592の両面に放射される。 Light emitted is radiated on both surfaces of the anode substrate side of the light 591 and the cathode substrate side of the light 592. また非発光部は透明体であり、発光素子の対面を観測することが可能である。 The non-light emitting portion is a transparent body, it is possible to observe the face of the light emitting element.

【0051】このように、本実施の形態5によれば、有機発光層53とこれを覆うキャリア輸送層54の周辺部を絶縁層57で覆うことにより、発光素子の信頼性をさらに高めることができる。 [0051] Thus, according to the fifth embodiment, by covering the periphery of the carrier transporting layer 54 and the organic light-emitting layer 53 covering this with an insulating layer 57, to further enhance the reliability of the light emitting element it can.

【0052】本実施の形態においては、第1の基板51 [0052] In this embodiment, the first substrate 51
の表面に形成されたキャリア輸送層54と第2の基板5 Carrier transporting layer 54 formed on the surface of the second substrate 5
5に形成された透明電極56が接合されているが、第2 5 is a transparent electrode 56 formed on are bonded, but the second
の基板55上にキャリア輸送層54と同様なキャリア輸送層を形成し、キャリア輸送層どおしを接合させることも可能である。 Forming a similar carrier transport layer and carrier transporting layer 54 on the substrate 55 on the, it is also possible to bond the carrier transport layer throat press.

【0053】また、より過酷な条件で素子が使用される場合には、絶縁層57が接触する面に低融点金属60を付着形成することにより、二枚の基板51、55がより強固に密着されるとともに、島状構造の有機物への大気の侵入を遮断することが可能となる。 [0053] When the device is used in a more severe condition, by depositing a low melting point metal 60 on the surface of the insulating layer 57 is in contact, more firmly close contact two substrates 51 and 55 while being, it is possible to block the air from entering into the organic material of island structure.

【0054】以上の第2から第5の実施の形態においては、基板としてガラス基板または結晶基板を用いたが、 [0054] From the above second In the fifth embodiment, although a glass substrate or a crystalline substrate as the substrate,
プラスチック基板等フレキシブルな基板を用いることも可能である。 It is also possible to use a plastic substrate such as a flexible substrate. ガラスや結晶基板のように硬質基板を用いる場合には、二枚の基板を互いに密着する場合に、基板表面の平滑度が一定以上であることが求められるが、フレキシブル基板を用いる場合には、これらの制約を受けることなく容易に本発光素子を形成することができる。 When using a rigid substrate such as glass and crystal substrate, in the case of close contact with each other the two substrates, but the smoothness of the substrate surface is required to be at certain level or higher, in the case of using a flexible substrate, it is possible to easily form the present light-emitting device without receiving these constraints.

【0055】(実施の形態6)上記した第3、4および5の実施の形態においては、透過型の発光素子を示したが、透過型の発光素子は、これを複数枚積層することにより、カラーディスプレイや立体ディスプレイ等の新たな特徴を有する表示素子を形成することが可能である。 [0055] In the embodiment of the 3, 4 and 5 described above (Embodiment 6) showed a transmission of the light emitting element, a transmission type light emitting element, by which the laminated plurality, it is possible to form a display device having a new feature such as a color display or a stereoscopic display.

【0056】以下、本発明の第6の実施形態におけるカラー表示素子用の発光素子について図6を参照しながら説明する。 [0056] Hereinafter, a sixth light-emitting device for color display device in Embodiment will be explained with reference to FIG. 6 of the present invention. 図6において、61は第1の透過型発光素子であり青色光を発する。 6, 61 emits blue light is a first transmission type light emitting device. 62は第2の透過型発光素子であり緑色光を発する。 62 emits green light is a second transmission type light emitting device. 63は第3の透過型発光素子であり赤色光を発する。 63 emits red light and the third transmissive light-emitting element. それぞれの透過型発光素子は、例えば実施例3に示した透過型の発光素子である。 Each transmission type light emitting element is, for example, a transmission type light emitting device shown in Example 3. 但しそれぞれの発光素子においては、それぞれ青色光、緑色光、 However, in each light emitting device, blue light, green light,
赤色光を発光するように発光層の材料が選択される。 Material of the luminescent layer is selected to emit red light. 或いは、図4または図5に示すような島状構造として、隣接する発光層をそれぞれ青色光、緑色光、赤色光を発光するように、同一平面内に周期的に配置するようにしてもよい。 Alternatively, as an island-like structure as shown in FIG. 4 or FIG. 5, respectively blue light emitting layer adjacent green light, to emit red light, it may be periodically disposed in the same plane .

【0057】本実施の形態においては、それぞれの素子で青色、緑色、および赤色の画像を表示することにより、それぞれの色と混合色を観測することが可能となり、カラー表示が実現される。 [0057] In this embodiment, blue in each element, by displaying green, and red image, can be observed mixed color with each color and become, color display is realized. それぞれの表示素子の基板の厚さは約200ミクロンであり、各表示素子を独立に動作させることにより、実質的な画素サイズが約40 The thickness of the substrate of each display element is approximately 200 microns, by operating the display elements independently substantial pixel size of about 40
0〜500ミクロンのカラーディスプレイが実現できる。 0 to 500 micron color display can be realized.

【0058】また、本実施の形態においては、カラーディスプレイに限定されず、さらに立体的に重ね合わせ、 [0058] Further, in the present embodiment is not limited to a color display, and further sterically overlapping,
各表示素子毎に順次表示を行うことにより、断層観察用表示素子等のように従来実現が困難であったディスプレイを実現することが可能である。 By performing successively displayed on each display element, it is possible to realize a conventionally implemented is difficult display as such a display device for tomographic observation.

【0059】(実施の形態7)次に、本発明の発光素子の製造方法について図7を参照しながら説明する。 [0059] (Embodiment 7) Next, manufacturing method of the light emitting device of the present invention will be described with reference to FIG. 7 for. まず、第1のガラス基板71の表面に酸化インジウム錫の透明電極72を形成する(a)。 First, a transparent electrode 72 of indium tin oxide on the surface of the first glass substrate 71 (a). 次に透明電極72をフォトリソにより微細形状に加工する(b)。 By then photolithography transparent electrode 72 is processed into a fine shape (b). その上にT T on the
PDのキャリア輸送層73を蒸着形成する(c)。 The carrier transport layer 73 PD is vapor deposited (c). 一方、第2のガラス基板74上にレジスト75を塗布して微細加工し、次いで基板表面全体に硼化ランタン76を蒸着する(d)。 On the other hand, the resist 75 is applied to microfabrication on the second glass substrate 74 and then depositing a lanthanum boride 76 across the substrate surface (d). 次にレジスト75をリフトオフすることにより硼化ランタンの微細形状76を形成する(e)。 Then to form the fine shape 76 of lanthanum boride by lifting off the resist 75 (e). 次にアルミキノリン等の発光層77を蒸着し、 Then depositing a light emitting layer 77 such as aluminum quinoline,
その上にTPDの正孔輸送層78を形成する(f)。 Thereon to form a hole transport layer 78 of TPD (f). そして、このように形成された第1の基板71および第2 Then, the first substrate 71 and a second thus formed
の基板74を不活性ガス中または真空中で対向して配置し、基板全体に均一に圧力を加えて密着させる(g)。 The substrate 74 is disposed to face in an inert gas or in a vacuum, it is brought into close contact uniformly applying pressure to the entire substrate (g).
さらにTPDのガラス転移点以下の温度で軟化させて、 Further softened glass transition temperature below the TPD,
キャリア(正孔)輸送層同士を一体化接合することにより発光素子が完成する。 Emitting device is completed by integrating joining the carrier (hole) transport layer together.

【0060】本実施の形態においては、発光層77およびキャリア輸送層78を蒸着法により形成しているが、 [0060] In this embodiment, although to form a light-emitting layer 77 and the carrier transporting layer 78 by vapor deposition,
高分子系の材料等、有機材料によってはスピンコートにより形成することも可能である。 Materials such polymeric, can be formed by spin coating an organic material.

【0061】(実施の形態8)上記した第7の実施の形態では、有機薄膜を形成した均一な層を直接接合したが、島状の有機層でなる発光層分離型の発光素子の形成方法を図8を参照しながら説明する。 [0061] In the seventh embodiment described above (Embodiment 8) have been joined a uniform layer to form an organic thin film directly, the method of forming the light emitting layer separation type light emitting device comprising an island-shaped organic layer It will be described with reference to FIG. まず第1のガラス基板81の表面に酸化インジウム錫の透明電極82を形成する(a)。 First formed a transparent electrode 82 of indium tin oxide on the surface of the first glass substrate 81 (a). 次に透明電極82をフォトリソにより微細形状に加工する(b)。 By then photolithography transparent electrode 82 is processed into a fine shape (b). その上にTPDのキャリア輸送層83を蒸着形成する(c)。 Its carrier transport layer 83 of TPD is deposited formed on (c). 一方、第2のガラス基板84の表面にレジスト86を塗布して微細加工し、その上に硼化ランタン85を蒸着する(d)。 On the other hand, by applying a resist 86 on the surface of the second glass substrate 84 microfabricated, depositing a lanthanum boride 85 thereon (d). 次にレジスト86をリフトオフすることにより硼化ランタンの微細形状85を形成する(e)。 Then to form the fine shape 85 of lanthanum boride by lifting off the resist 86 (e). 次にAlq等の発光層87 Next, the light-emitting layer 87 such as Alq
およびTPDのキャリア(正孔)輸送層88をマスク蒸着により島状に形成する(f)。 And TPD of carriers (holes) to form the transport layer 88 into an island shape by a mask vapor deposition (f). そして、このように形成された第1の基板81と第2の基板84を不活性ガス中または真空中で両者を対向して配置し、両基板全体に均一に圧力を加えて密着させる(g)。 And thus the first substrate 81 formed a second substrate 84 disposed opposite to each other in an inert gas or in a vacuum, is brought into close contact uniformly apply pressure to the entire two substrates (g ). さらにTPDのガラス転移点以下の温度で軟化させて、キャリア(正孔)輸送層83と88を接合部89を介して一体化接合することにより、発光層分離型の表示素子が完成する。 Further softened glass transition temperature below the TPD, by integrating joining the carrier (hole) transport layer 83 and 88 via the joint 89, the light emitting layer separation type display element is completed.

【0062】(実施の形態9)上記した第8の実施の形態では、発光層分離型の有機発光素子の製造方法について示したが、実施の形態5に示すような島状の有機層が絶縁層で包囲された構造の発光素子の形成方法を図9を参照しながら説明する。 [0062] In the eighth embodiment described above (Embodiment 9), the light emitting layer is shown a method for manufacturing a separation type organic light-emitting device, an island-shaped organic layer as shown in the fifth embodiment is insulated the formation method of the light-emitting element of enclosed structure layer will be described with reference to FIG. まず、第1のガラス基板91の表面に酸化インジウム錫の透明電極92を形成する(a) 。 First, a transparent electrode 92 of indium tin oxide on the surface of the first glass substrate 91 (a). 次に透明電極92をフォトリソにより微細形状に加工する(b) 。 By then photolithography transparent electrode 92 is processed into a fine shape (b). 次に酸化シリコン膜を基板表面に形成し、フォトリソにより島状の発光層を包囲するための絶縁層93を形成する(c) 。 Then a silicon oxide film is formed on the substrate surface to form an insulating layer 93 to surround the island-shaped light-emitting layer by photolithography (c). 一方、第2のガラス基板94上にレジスト95を塗布して微細加工し、その上に硼化ランタン96を蒸着する(d) 。 On the other hand, by applying a resist 95 on the second glass substrate 94 microfabricated, depositing a lanthanum boride 96 thereon (d). 次にレジスト95 Then resist 95
をリフトオフすることにより硼化ランタンの微細形状9 Fine lanthanum boride by lifting off the shape 9
6を形成する(e)。 6 to form (e). 次に島状のアルミキノリン等の発光層97およびTPDのキャリア(正孔)輸送層98をマスク蒸着法で形成する(f)。 Then island-shaped light-emitting layer 97 and the TPD such as an aluminum quinoline carriers (holes) of the transport layer 98 is formed by mask deposition method (f). そして、このようにして形成された第1の基板91と第2の基板94を不活性ガス中または真空中で両者を対向して配置し、両基板全体に均一に圧力を加えて密着させる(g)。 Then, such a first substrate 91 and second substrate 94 formed by the arranged opposite to each other in an inert gas or in a vacuum, is brought into close contact uniformly apply pressure to the entire two substrates ( g). さらにTP In addition TP
Dのガラス転移点以下の温度で軟化させて、キャリア輸送層98と透明電極92を接合部99を介して一体化接合することにより発光素子が完成する。 It is softened glass transition temperatures below and D, the light emitting device is completed by integrating joining the transparent electrode 92 and the carrier transporting layer 98 via the joint 99.

【0063】上記した実施の形態7、8、および9における製造方法においては、透明電極基板上に正孔輸送層を形成したが、目的や発光材料の選択によっては必ずしも正孔輸送層を形成する必要はない。 [0063] In the production method according to 7, 8, and 9 of the embodiment described above has formed the hole transport layer to the transparent electrode on the substrate, not necessarily to form the hole transport layer by the selection of the object or a light-emitting material You need not be. またこれらの実施の形態では、陰極基板状に発光層を直接形成しているが、目的や発光材料の種類によっては、異なるキャリア(電子)輸送層を介して発光層が形成することも可能である。 In these embodiments, although to form a light-emitting layer directly to the cathode substrate shape, depending on the type of object or a light emitting material, it can also be light-emitting layer through the different carriers (electrons) transport layer formation is there.

【0064】また、これらの実施の形態においては、発光層およびキャリア輸送層に、それぞれAlqおよびT [0064] Further, in these embodiments, the light-emitting layer and a carrier transport layer, respectively Alq and T
PDの有機材料を用いたが、必ずしもこれらの有機材料に限定されることはないことは自明である。 Using an organic material of the PD, but necessarily obvious not to be limited to these organic materials. また、発光層やキャリア輸送層に用いる材料は必ずしも有機材料に限定されず、無機材料で形成されていてもよい。 The material used for the light-emitting layer and the carrier transport layer is not necessarily limited to organic materials, or may be formed of an inorganic material.

【0065】さらに、これらの実施の形態では、第1の基板にガラス基板を用いているが、使用する基板は必ずしもガラス基板に限定されることはない。 [0065] Further, in these embodiments, a glass substrate is used in the first substrate, the substrate to be used is not necessarily limited to the glass substrate. 片方の基板にシリコンやガリウム砒素、或いはインジウム燐等の結晶基板を用いることも可能である。 It is also possible to use silicon or gallium arsenide on one substrate, or a crystalline substrate of indium phosphide and the like. また、片方または両方の基板にプラスチック等の有機基板を用いることも可能である。 It is also possible to use an organic substrate such as plastic on one or both of the substrate.

【0066】 [0066]

【発明の効果】以上の各実施の形態で示したように、本発明は、表面に第1の電極層と発光層を含む層が付着形成された第1の基板と、表面に第2の電極層が付着形成された第2の基板とを、第1の基板上に形成された層の表面と第2の基板上に形成された電極層の表面とが互いに接触するように接合し、第1の電極層と第2の電極層から電子または正孔のそれぞれ異なる種類のキャリアが発光層に注入されることにより、発光層内での再結合により発光が生じるようにしたものであり、これにより、 As shown in the above respective embodiments, according to the invention, the invention comprises a first substrate layer containing a light-emitting layer and the first electrode layer is deposited on the surface, a second on the surface a second substrate which the electrode layer is deposited, is bonded as a surface layer formed on the first substrate and the surface of the second electrode layer formed on the substrate are in contact with each other, by the first electrode layer and the different types of carriers of electrons or holes from the second electrode layer are injected into the light emitting layer is obtained by such light emission occurs by recombination within the emission layer, As a result,
高信頼性・高精細の表示素子、並びに低価格のカラー表示素子を実現するための自発光型の平板型表示素子を提供することができ、産業上極めて大きな効果が期待できる。 High reliability and high definition of the display device, as well as a self-luminous for realizing the color display device of low cost can be provided a flat panel display device, a very large effect on the industry can be expected.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の第1の実施の形態における発光素子の概略断面図 Schematic cross sectional view of a light emitting device according to the first embodiment of the invention; FIG

【図2】本発明の第2の実施の形態における発光素子の概略断面図 Schematic cross-sectional view of a light emitting device according to the second embodiment of the present invention; FIG

【図3】本発明の第3の実施の形態における発光素子の概略断面図 Schematic cross sectional view of a light emitting device according to the third embodiment of the present invention; FIG

【図4】本発明の第4の実施の形態における発光素子の概略断面図 Schematic cross sectional view of a light emitting device in the fourth embodiment of the present invention; FIG

【図5】本発明の第5の実施の形態における発光素子の概略断面図 Schematic cross sectional view of a light emitting device according to the fifth embodiment of the present invention; FIG

【図6】本発明の第6の実施の形態における発光素子の概略断面図 6 a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention; FIG

【図7】本発明の第7の実施の形態における発光素子の製造工程を示す概略断面図 [7] Seventh schematic sectional view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention

【図8】本発明の第8の実施の形態における発光素子の製造工程を示す概略断面図 8 a schematic sectional view showing a light emitting device according to an embodiment of of the present invention; FIG

【図9】本発明の第9の実施の形態における発光素子の製造工程を示す概略断面図 Schematic cross-sectional view showing a light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention; FIG

【図10】従来の有機ELの概略断面図 Figure 10 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic EL

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ガラス基板(第1の基板) 2 電極(陰極) 3 発光層 4 ガラス基板(第2の基板) 5 透明電極(陽極) 6 キャリア輸送層 7 接合部 1 glass substrate (first substrate) 2 electrode (cathode) 3 emitting layer 4 glass substrate (second substrate) 5 a transparent electrode (anode) 6 carrier transporting layer 7 junction

Claims (17)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 表面に少なくとも第1の電極層と発光層を含む層が付着形成された第1の基板と、表面に第2の電極層が付着形成された第2の基板とを互いに対向させ、前記第1の基板上に形成された層の表面と第2の基板上に形成された電極層の表面が互いに直接または導電層を介して密着接合して配置され、第1の電極層と第2 1. A least a first electrode layer and the first substrate layer containing a light-emitting layer is deposited, opposite the second substrate where the second electrode layer is deposited on the surface on the surface is allowed, the first and the surface of the layer formed on the substrate surface of the second electrode layer formed on the substrate is disposed in close contact bonded to directly or via a conductive layer to each other, the first electrode layer When the second
    の電極層から電子または正孔のそれぞれ異なる種類のキャリアが発光層に注入されることにより、前記発光層内で再結合することにより発光が生じることを特徴とする発光素子。 Emitting elements different types of carriers from the electrode layer of electrons or holes by being injected into the emitting layer, wherein the light emission occurs by recombination in the emitting layer.
  2. 【請求項2】 第2の基板表面に第2の電極層と少なくともキャリア輸送層が付着形成され、前記第1の基板上に形成された発光層と第2の基板上に形成されたキャリア輸送層が互いに密着接合して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 2. A second at least the carrier transport layer and a second electrode layer on the substrate surface is deposited, the first light emitting layer formed on the substrate and the carrier are formed on the second substrate transport the light emitting device of claim 1, wherein the layer is arranged closely bonded to each other.
  3. 【請求項3】 第1の基板表面に第1の電極層と少なくとも発光層と第1のキャリア輸送層が順次形成され、前記第1の基板上に形成された第1のキャリア輸送層と第2の基板上に形成されたキャリア輸送層が互いに接触して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 Wherein at least a light-emitting layer and the first carrier transporting layer and the first electrode layer are sequentially formed on the first substrate surface, the first carrier transporting layer formed on the first substrate and the second the light emitting device according to claim 1, characterized in that the carrier transport layer formed on the substrate 2 is placed in contact with each other.
  4. 【請求項4】 前記発光層またはキャリア輸送層のうちの少なくとも一方が有機化合物であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 4. A light emitting device according to claim 1, wherein at least one of said light-emitting layer or carrier transporting layer is characterized in that an organic compound.
  5. 【請求項5】 第1の基板および第2の基板に形成された電極層がフォトリソ法で形成された微細形状を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 5. The light emitting device according to claim 1 in which the first substrate and the second substrate to form an electrode layer and having a fine shape formed by photolithography.
  6. 【請求項6】 第1の基板または第2の基板のうち少なくとも一方の基板がフレキシブル基板であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 6. The light emitting device according to claim 1 wherein at least one substrate of the first substrate or the second substrate is characterized in that it is a flexible substrate.
  7. 【請求項7】 第1の基板と第2の基板、およびこれらの基板に形成された電極層が透明または半透明であり、 7. A first substrate and the second substrate, and electrode layers formed on these substrates is transparent or translucent,
    非発光状態が透明または半透明であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 The light emitting device of claim 1, the non-emission state is characterized in that it is a transparent or semi-transparent.
  8. 【請求項8】 それぞれ異なる色を発する複数の発光素子が面方向に互いに近接して配置されていることを特徴とする請求項7に記載の発光素子。 8. The light emitting device according to claim 7 in which a plurality of light emitting elements that emit different colors is characterized in that it is arranged close to one another in the surface direction.
  9. 【請求項9】 それぞれ異なる色を発する複数の発光素子が面方向に垂直な方向に互いに一定の距離を隔てて配置されていることを特徴とする請求項7に記載の発光素子。 9. The light emitting device according to claim 7 in which a plurality of light emitting elements that emit different colors is characterized in that it is arranged at a mutually fixed distance in a direction perpendicular to the surface direction.
  10. 【請求項10】 少なくとも第1の基板または第2の基板に形成される発光層およびキャリア輸送層が島状に分離されて導電層の表面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 10. A claim 1, characterized in that it is formed on the surface of at least the first substrate or the light-emitting layer and the carrier transporting layer is separated into an island shape conductive layer formed on the second substrate the light emitting device according.
  11. 【請求項11】 前記分離された島状の発光層およびキャリア輸送層の周辺部または近傍に、第1の基板と第2 11. The peripheral portion or the vicinity of the separated island-shaped light-emitting layer and a carrier transport layer, the first substrate and the second
    の基板の間隔を一定に保つ絶縁層が配置されていることを特徴とする請求項10に記載の発光素子。 The light emitting device of claim 10, wherein an insulating layer is arranged to maintain the spacing of the substrates constant.
  12. 【請求項12】 前記分離された島状の発光層およびキャリア輸送層の周辺部に絶縁層または低融点金属層が配置され、各島状に形成された前記発光層およびキャリア輸送層が互いに隔離されていることを特徴とする請求項11に記載の発光素子。 12. The insulating the peripheral portion of the separated island-shaped light-emitting layer and a carrier transport layer layer or a low-melting-point metal layer is disposed, isolating the light emitting layer and a carrier transport layer formed on each island with one another the light emitting device according to claim 11, characterized in that it is.
  13. 【請求項13】 第1の基板または第2の基板上の前記島状に分離して形成される発光層およびキャリア輸送層の周辺部に絶縁層が形成され、かつ絶縁層の表面ともう一方の基板上の絶縁層が接触する部分に低融点金属膜が形成され、各島状に形成された前記発光層およびキャリア輸送層が互いに隔離されていることを特徴とする請求項11に記載の発光素子。 13. The insulating layer is formed on the peripheral portion of the light-emitting layer and a carrier transporting layer formed by separating the first substrate or the second of said island on a substrate, and other one to the surface of the insulating layer is a low melting point metal film in the portion where the insulating layer is in contact on the substrate is formed, according to claim 11, wherein the light-emitting layer and a carrier transport layer formed on each island are isolated from each other the light-emitting element.
  14. 【請求項14】 第1の基板表面に少なくとも電極層と発光層を含む複数の層を形成する工程と、第2の基板表面に少なくとも電極層を含む層を形成する工程と、第1 And 14. At least the electrode layer on the first substrate surface and forming a plurality of layers including a light emitting layer, and forming a layer including at least the electrode layer on the second substrate surface, the first
    および第2の基板を互いに対向して接触させかつ加熱処理することにより一体化する工程とを含む発光素子の製造方法。 And method of manufacturing the light emitting device and a step of integrating by the second and the heat treatment is brought into contact opposite to each other the substrate.
  15. 【請求項15】 第1の基板表面または第2の基板表面の一部に一定の厚さを有する絶縁層を形成する工程を含む請求項14に記載の発光素子の製造方法。 15. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 14 including the step of forming an insulating layer having a portion at a constant thickness of the first substrate surface or the second substrate surface.
  16. 【請求項16】 第1の基板表面または第2の基板表面の一部に一定の厚さを有する絶縁層を形成する工程と、 Some of 16. The first substrate surface or the second substrate surface and forming an insulating layer having a constant thickness,
    絶縁膜の形成されていない基板表面に発光層およびキャリア輸送層を形成する工程とを含む請求項14に記載の発光素子の製造方法。 Manufacturing method of a light emitting device according to claim 14 including forming a light-emitting layer and a carrier transport layer on the substrate surface which is not formed in the insulating film.
  17. 【請求項17】 第1の基板表面または第2の基板表面の一部に一定の厚さを有する絶縁層および低融点金属層を形成する工程と、絶縁膜の形成されていない基板表面に発光層およびキャリア輸送層を形成する工程と、絶縁層の形成されていない基板の表面で前記低融点金属が接触する部分に低融点金属層を形成する工程とを含む請求項15に記載の発光素子の製造方法。 17. emitting the first substrate surface or a step in a portion forming the insulating layer and the low melting point metal layer having a constant thickness of the second substrate surface, the substrate surface which is not formed in the insulating film the light emitting device according to claim 15 including a step of forming a layer and a carrier transport layer, and forming a low-melting-point metal layer in the portion where the low-melting metal is in contact with the surface of the substrate not formed with the insulating layer the method of production.
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Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6341994B1 (en) 1999-01-13 2002-01-29 Nec Corporation Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same
EP1423991A1 (en) * 2001-07-27 2004-06-02 The Ohio State University Methods for fabricating polymer light emitting devices by lamination
WO2004049285A1 (en) * 2002-11-27 2004-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus and electronic device
WO2004055763A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co.,Ltd. Light-emitting device and electronic device
JP2004199033A (en) * 2002-12-06 2004-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its driving method, and electronic equipment
WO2004061806A1 (en) * 2002-12-27 2004-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display and electronic device
WO2004061807A1 (en) * 2002-12-27 2004-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2004077386A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display and folding mobile terminal
JP2005183006A (en) * 2003-12-15 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and electronic equipment
JP2005182005A (en) * 2003-11-27 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and electronic equipment
JP2005227697A (en) * 2004-02-16 2005-08-25 Seiko Epson Corp Mobile electronic equipment and its control method
JP2006163430A (en) * 2003-02-28 2006-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device, mobile terminal, and folding mobile terminal
JP2006289068A (en) * 2005-03-18 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Game machine
US7161185B2 (en) 2003-06-27 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US7176858B2 (en) 2002-12-26 2007-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic equipment
US7199520B2 (en) 2003-01-24 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting emitting device and electronic apparatus having the same
WO2008029683A1 (en) * 2006-09-04 2008-03-13 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element, method for manufacturing organic electroluminescence element, illuminating device and display device
WO2008102867A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element and method for manufacturing organic electroluminescence element
US7492095B2 (en) 2003-05-28 2009-02-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Double-sided light emitting device
WO2009033728A2 (en) * 2007-09-13 2009-03-19 Nanoident Technologies Ag Sensor matrix with semiconductor components
US7566902B2 (en) 2003-05-16 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US7622863B2 (en) 2003-06-30 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device including first and second light emitting elements
US7687988B2 (en) 2005-11-04 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7728928B2 (en) 2006-01-31 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having stacked polarizers arranged with transmission axes that deviate from parallel nicol state and wherein extinction coefficients of absorption axes are the same
JP2010525520A (en) * 2007-04-20 2010-07-22 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Fabrication of organic light-emitting diodes by vapor deposition combined with vacuum lamination
US7804244B2 (en) 2005-11-30 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7804559B2 (en) 2005-12-28 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7855770B2 (en) 2006-01-31 2010-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having a pair of electrodes over an inner side of a substrate of a liquid crystal element in which a stack of polarizers on the outer side of a substrate are provided and arranged between a pair of protective layers such that no protective layer is located between the stacked polarizers
US8242683B2 (en) 2003-04-07 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic display including a light-emitting element and a color filter sandwiched between two polarizers
JP2013101376A (en) * 2004-04-28 2013-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device
US8550907B2 (en) 2005-03-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Game machine
JP2014056242A (en) * 1999-03-02 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device

Cited By (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462470B1 (en) 1999-01-13 2002-10-08 Nec Corporation Organic electroluminescent display with three kinds of layer-stacked devices
US6341994B1 (en) 1999-01-13 2002-01-29 Nec Corporation Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same
US8847316B2 (en) 1999-03-02 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2014132574A (en) * 1999-03-02 2014-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9153604B2 (en) 1999-03-02 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2014056242A (en) * 1999-03-02 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
EP1423991A1 (en) * 2001-07-27 2004-06-02 The Ohio State University Methods for fabricating polymer light emitting devices by lamination
EP1423991A4 (en) * 2001-07-27 2009-06-17 Univ Ohio State Methods for fabricating polymer light emitting devices by lamination
US7592984B2 (en) 2002-11-27 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2004049285A1 (en) * 2002-11-27 2004-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus and electronic device
US7333077B2 (en) 2002-11-27 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN100370492C (en) * 2002-11-27 2008-02-20 株式会社半导体能源研究所 Display device and electronic device
JP2004199033A (en) * 2002-12-06 2004-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its driving method, and electronic equipment
US7265383B2 (en) 2002-12-13 2007-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8389997B2 (en) 2002-12-13 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
CN100390835C (en) * 2002-12-13 2008-05-28 株式会社半导体能源研究所 Light-emitting device and electronic device
WO2004055763A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co.,Ltd. Light-emitting device and electronic device
US7615785B2 (en) 2002-12-13 2009-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7176858B2 (en) 2002-12-26 2007-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic equipment
US7808457B2 (en) 2002-12-26 2010-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance
KR101255532B1 (en) * 2002-12-27 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Display device
US8947325B2 (en) 2002-12-27 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9111842B2 (en) 2002-12-27 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101245125B1 (en) * 2002-12-27 2013-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Display device
CN100385475C (en) * 2002-12-27 2008-04-30 株式会社半导体能源研究所 Display device and electronic appliance
JP4675430B2 (en) * 2002-12-27 2011-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2010224545A (en) * 2002-12-27 2010-10-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
US8242979B2 (en) 2002-12-27 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7355338B2 (en) 2002-12-27 2008-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device provided with multiple display panels including at least one dual electroluminescent light emission panel
US7221092B2 (en) 2002-12-27 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a double sided display panel
WO2004061807A1 (en) * 2002-12-27 2004-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2004061806A1 (en) * 2002-12-27 2004-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display and electronic device
US8860011B2 (en) 2003-01-24 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and electronic book including double-sided light emitting display panel
US8084081B2 (en) 2003-01-24 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting emitting device, manufacturing method of the same, electronic apparatus having the same
US7199520B2 (en) 2003-01-24 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting emitting device and electronic apparatus having the same
US9324773B2 (en) 2003-01-24 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel including a plurality of lighting emitting elements
EP1598796A4 (en) * 2003-02-28 2010-01-27 Semiconductor Energy Lab Display and folding mobile terminal
EP1598796A1 (en) * 2003-02-28 2005-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display and folding mobile terminal
US7532173B2 (en) 2003-02-28 2009-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and folding portable terminal
WO2004077386A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display and folding mobile terminal
JP4667248B2 (en) * 2003-02-28 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2006163430A (en) * 2003-02-28 2006-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device, mobile terminal, and folding mobile terminal
KR101061396B1 (en) * 2003-02-28 2011-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Display device, clamshell terminal
US8242683B2 (en) 2003-04-07 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic display including a light-emitting element and a color filter sandwiched between two polarizers
US7566902B2 (en) 2003-05-16 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US7915817B2 (en) 2003-05-28 2011-03-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Double-sided light emitting device
US7492095B2 (en) 2003-05-28 2009-02-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Double-sided light emitting device
US7876042B2 (en) 2003-05-28 2011-01-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Double-sided light emitting device
US7161185B2 (en) 2003-06-27 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8482484B2 (en) 2003-06-27 2013-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US7622863B2 (en) 2003-06-30 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device including first and second light emitting elements
JP2005182005A (en) * 2003-11-27 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and electronic equipment
JP2005183006A (en) * 2003-12-15 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and electronic equipment
US8188655B2 (en) 2003-12-15 2012-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic devices
US7750552B2 (en) 2003-12-15 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dual emission active matrix display
JP4485184B2 (en) * 2003-12-15 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device and electronic device
JP2005227697A (en) * 2004-02-16 2005-08-25 Seiko Epson Corp Mobile electronic equipment and its control method
US9997099B2 (en) 2004-04-28 2018-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9231001B2 (en) 2004-04-28 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2013101376A (en) * 2004-04-28 2013-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device
US8878754B2 (en) 2004-04-28 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8550907B2 (en) 2005-03-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Game machine
JP2006289068A (en) * 2005-03-18 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Game machine
US7687988B2 (en) 2005-11-04 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7804244B2 (en) 2005-11-30 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9310641B2 (en) 2005-12-28 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7804559B2 (en) 2005-12-28 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9164313B2 (en) 2006-01-31 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7855770B2 (en) 2006-01-31 2010-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having a pair of electrodes over an inner side of a substrate of a liquid crystal element in which a stack of polarizers on the outer side of a substrate are provided and arranged between a pair of protective layers such that no protective layer is located between the stacked polarizers
US7728928B2 (en) 2006-01-31 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having stacked polarizers arranged with transmission axes that deviate from parallel nicol state and wherein extinction coefficients of absorption axes are the same
WO2008029683A1 (en) * 2006-09-04 2008-03-13 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element, method for manufacturing organic electroluminescence element, illuminating device and display device
WO2008102867A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element and method for manufacturing organic electroluminescence element
JP2010525520A (en) * 2007-04-20 2010-07-22 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Fabrication of organic light-emitting diodes by vapor deposition combined with vacuum lamination
US8994137B2 (en) 2007-09-13 2015-03-31 Asmag-Holding Gmbh Sensor matrix with semiconductor components
WO2009033728A2 (en) * 2007-09-13 2009-03-19 Nanoident Technologies Ag Sensor matrix with semiconductor components
WO2009033728A3 (en) * 2007-09-13 2009-05-22 Nanoident Technologies Ag Sensor matrix with semiconductor components

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