JPH10243647A - Power unit - Google Patents

Power unit

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JPH10243647A
JPH10243647A JP9043868A JP4386897A JPH10243647A JP H10243647 A JPH10243647 A JP H10243647A JP 9043868 A JP9043868 A JP 9043868A JP 4386897 A JP4386897 A JP 4386897A JP H10243647 A JPH10243647 A JP H10243647A
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JP
Japan
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voltage
mos
circuit
power supply
fet
Prior art date
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Pending
Application number
JP9043868A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuo Ogura
伸郎 小倉
Nobuhiko Shikai
信彦 鹿井
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH10243647A publication Critical patent/JPH10243647A/en
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To drive a switching element, with a small number of parts, by driving the switching element, using the circuit of a transistor connected to a totem pole. SOLUTION: When the voltage gets over the output voltage, being induced by the secondary coil 5B of a voltage, currents ld1 and ld2 flow to a capacitor 21 through the parasitic diodes 40A and 50A of MOS-FETs 40 and 50. The currents ld1 and ld2 flow in the primary coils 41A and 51A of the transformer, and induce the voltage geared to the currents. Npn transistors 43 and 53 and pnp transistors 44 and 54 are turned on and off and supply the gate of the MOSFETs 40 and 50 with drive signals, by supplying the bases of the npn transistors 43 and 53 and the pnp transistors 44 and 54 connected to the totem pole each through resistors 42 and 52 with this induced voltage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばAC入力を
整流したDCで駆動されるパーソナルコンピュータの電
源等に使用して好適な電源装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply device suitable for use as, for example, a power supply of a personal computer driven by DC obtained by rectifying an AC input.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばAC入力を整流したDCで駆動さ
れるパーソナルコンピュータの電源においては、内部で
必要な駆動電圧を得るために、いわゆるDC−DCコン
バータ等の電源装置が用いられている。すなわち図2に
は、そのような電源装置の一例の構成を示す。
2. Description of the Related Art For example, in a power supply of a personal computer driven by DC in which an AC input is rectified, a power supply device such as a so-called DC-DC converter is used in order to obtain a necessary driving voltage internally. That is, FIG. 2 shows a configuration of an example of such a power supply device.

【0003】この図2において、DC70の+端が、直
列に接続された2石のスイッチングトランジスタ71、
72のコレクタ・エミッタ間を通じてDC70の−端に
接続される。これらのトランジスタ71、72の中点が
過飽和リアクタトランス73のコイル3A、共振コンデ
ンサ74を通じて電圧変換トランス75の1次側コイル
5Aの一端に接続される。またこの1次側コイル5Aの
他端がDC70の−端に接続される。さらにトランジス
タ71、72の中点がコンデンサ76を通じてDC70
の−端に接続される。
In FIG. 2, a positive terminal of a DC 70 has two switching transistors 71 connected in series,
It is connected to the negative terminal of the DC 70 through the collector-emitter 72. The midpoint between these transistors 71 and 72 is connected to one end of the primary coil 5A of the voltage conversion transformer 75 through the coil 3A of the saturable reactor transformer 73 and the resonance capacitor 74. The other end of the primary coil 5A is connected to the negative end of DC 70. Further, the midpoint between the transistors 71 and 72 is
Is connected to the negative end of

【0004】また、トランジスタ71のコレクタが抵抗
器77を通じてトランジスタ71のベースに接続され、
このトランジスタ71のベースが順方向のツェナーダイ
オード78と逆方向のダイオード79の直列回路を通じ
てトランジスタ71のエミッタに接続される。さらにト
ランジスタ71のベースが抵抗器80、コンデンサ81
と、過飽和リアクタトランス73のコイル3B及びコン
デンサ82の並列回路との直列回路を通じてトランジス
タ71のエミッタに接続される。
Further, the collector of the transistor 71 is connected to the base of the transistor 71 through a resistor 77,
The base of the transistor 71 is connected to the emitter of the transistor 71 through a series circuit of a zener diode 78 in the forward direction and a diode 79 in the reverse direction. Further, the base of the transistor 71 is a resistor 80, a capacitor 81
Is connected to the emitter of the transistor 71 through a series circuit of a coil 3B of the saturable reactor transformer 73 and a parallel circuit of the capacitor 82.

【0005】さらにトランジスタ72のコレクタが抵抗
器83を通じてトランジスタ72のベースに接続され、
このトランジスタ72のベースが順方向のツェナーダイ
オード84と逆方向のダイオード85の直列回路を通じ
てトランジスタ72のエミッタに接続される。さらにト
ランジスタ72のベースが抵抗器86、コンデンサ87
と、過飽和リアクタトランス73のコイル3C及びコン
デンサ88の並列回路との直列回路を通じてトランジス
タ72のエミッタに接続される。
Further, the collector of the transistor 72 is connected to the base of the transistor 72 through a resistor 83,
The base of the transistor 72 is connected to the emitter of the transistor 72 through a series circuit of a zener diode 84 in the forward direction and a diode 85 in the reverse direction. Further, the base of the transistor 72 includes a resistor 86 and a capacitor 87.
Is connected to the emitter of the transistor 72 through a series circuit of a parallel circuit of the coil 3C of the saturable reactor transformer 73 and the capacitor 88.

【0006】また、上述の電圧変換トランス75の2次
側コイル5Bの一端及び他端が、それぞれ整流用の順方
向のダイオード89、90を通じて互いに接続される。
さらにこの接続点と2次側コイル5Bの中間タップとの
間に平滑用のコンデンサ91が接続される。そしてこの
コンデンサ91の両端から出力端子92の+端及び−端
が導出される。さらにこの出力端子92の+端がエラー
アンプ93を通じて過飽和リアクタトランス73の制御
コイル3Dに接続される。
[0006] One end and the other end of the secondary coil 5B of the voltage conversion transformer 75 are connected to each other through forward diodes 89 and 90 for rectification.
Further, a smoothing capacitor 91 is connected between the connection point and the intermediate tap of the secondary coil 5B. The positive terminal and the negative terminal of the output terminal 92 are led out from both ends of the capacitor 91. Further, the positive terminal of the output terminal 92 is connected to the control coil 3D of the saturable reactor transformer 73 through the error amplifier 93.

【0007】そしてこの装置において、上述のスイッチ
ングトランジスタ71、72が自励発振によって交互に
オンオフされることによって、電圧変換トランス75の
1次側コイル5Aには略正弦波の電流が流され、2次側
コイル5Bには所望の電圧が取り出される。さらにこの
取り出された電圧がダイオード89、90を通じて両波
整流され、整流された電圧がコンデンサ91で平滑され
て出力端子92に取り出される。
In this device, the switching transistors 71 and 72 are turned on and off alternately by self-excited oscillation, so that a substantially sine-wave current flows through the primary coil 5A of the voltage conversion transformer 75. A desired voltage is extracted from the secondary coil 5B. Further, the extracted voltage is subjected to double-wave rectification through diodes 89 and 90, and the rectified voltage is smoothed by a capacitor 91 and extracted to an output terminal 92.

【0008】また、出力端子92の+端に取り出された
電圧の、所望の電圧からの変動分がエラーアンプ93で
検出され、この変動分が過飽和リアクタトランス73の
制御コイル3Dに供給される。これによってこの過飽和
リアクタトランス73のコイル3A〜3Cに取り出され
る信号の波形が変化され、トランジスタ71、72のス
イッチング周波数が変化されて、出力端子92の+端に
取り出される電圧が所望の電圧に等しくなるように制御
が行われる。
[0008] Further, a variation from a desired voltage of the voltage taken out at the + terminal of the output terminal 92 is detected by the error amplifier 93, and the variation is supplied to the control coil 3 D of the saturable reactor transformer 73. As a result, the waveforms of the signals extracted to the coils 3A to 3C of the saturable reactor transformer 73 are changed, the switching frequencies of the transistors 71 and 72 are changed, and the voltage extracted to the positive terminal of the output terminal 92 is equal to the desired voltage. Control is performed so that

【0009】このようにして、上述の装置において、安
定化された所望の電圧を出力端子92に取り出すことが
できる。そしてこの取り出された電圧は、例えばDCで
駆動されるパーソナルコンピュータの電源として使用さ
れるものである。
Thus, in the above-described device, a stabilized desired voltage can be taken out to the output terminal 92. The extracted voltage is used as, for example, a power source of a personal computer driven by DC.

【0010】ところが上述の電源装置において、電圧変
換トランス75の2次側整流用のダイオード89、90
の順方向降下電圧Vf によって損失が発生する。すなわ
ちこのようなダイオードの順方向降下電圧Vf は、一般
的0.45V程度であるが、この順方向降下電圧Vf に
よって上述の装置では、 1.11×Io ×Vf 〔W〕 (但し、Io は出力電流〔A〕) の損失が発生する。
However, in the above-described power supply device, diodes 89 and 90 for rectifying the secondary side of the voltage conversion transformer 75 are used.
Loss occurs due to the forward drop voltage Vf. That is, the forward drop voltage Vf of such a diode is generally about 0.45 V, and the forward drop voltage Vf causes the above-described device to be 1.11 × Io × Vf [W] (where Io is Output current [A]) is lost.

【0011】そしてこのような2次側整流用のダイオー
ド89、90による損失が、例えば出力電流Io が10
〔A〕では5〔W〕、20〔A〕では10〔W〕にもな
ってしまい、特にパーソナルコンピュータのように低電
圧、大電流が要求される電源では、出力に対する損失の
割合が大きくなってしまうものである。
The loss due to the secondary side rectifying diodes 89 and 90 is, for example, when the output current Io is 10
In [A], it becomes 5 [W], and in 20 [A], it becomes as much as 10 [W]. In particular, in a power supply requiring a low voltage and a large current such as a personal computer, the ratio of loss to output becomes large. It will be.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】このような従来の問題
点に対して、本願出願人は先に、電圧変換用トランスの
2次側整流としてMOS−FETを用いて同期整流を行
うようにしたものであって、これによれば、特に低オン
抵抗のMOS−FETを用いることで、2次側整流での
損失を大幅に減少させることができるようにした電源装
置を提案(特願平8−315049号:以下先願と称す
る)した。
In order to solve such a conventional problem, the applicant of the present invention has previously performed synchronous rectification using a MOS-FET as secondary rectification of a voltage conversion transformer. According to this, a power supply device capable of greatly reducing the loss due to rectification on the secondary side by using a MOS-FET having a low on-resistance is proposed (Japanese Patent Application No. Hei 8 (1996) -19764). No.-315049: hereinafter referred to as prior application).

【0013】すなわち、図3は上記の先願を適用した電
源装置の一例の構成を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of an example of a power supply device to which the above-mentioned prior application is applied.

【0014】この図3において、AC入力を整流したD
C100の+端が、直列に接続された2石のスイッチン
グトランジスタ1、2のコレクタ・エミッタ間を通じて
DC100の−端に接続される。これらのトランジスタ
1、2の中点が過飽和リアクタトランス3のコイル3
A、共振コンデンサ4を通じて電圧変換トランス5の1
次側コイル5Aの一端に接続される。またこの1次側コ
イル5Aの他端がDC100の−端に接続される。さら
にトランジスタ1、2の中点がコンデンサ6を通じてD
C100の−端に接続される。
In FIG. 3, D is obtained by rectifying the AC input.
The positive terminal of C100 is connected to the negative terminal of DC100 through the collector and emitter of two switching transistors 1, 2 connected in series. The middle point of these transistors 1 and 2 is the coil 3 of the supersaturated reactor transformer 3.
A, one of the voltage conversion transformers 5 through the resonance capacitor 4
It is connected to one end of the secondary coil 5A. The other end of the primary coil 5A is connected to the negative end of DC100. Further, the midpoint between the transistors 1 and 2 is
Connected to the minus end of C100.

【0015】また、トランジスタ1のコレクタが抵抗器
7を通じてトランジスタ1のベースに接続され、このト
ランジスタ1のベースが順方向のツェナーダイオード8
と逆方向のダイオード9の直列回路を通じてトランジス
タ1のエミッタに接続される。さらにトランジスタ1の
ベースが抵抗器10、コンデンサ11と、過飽和リアク
タトランス3のコイル3B及びコンデンサ12の並列回
路との直列回路を通じてトランジスタ1のエミッタに接
続される。
The collector of the transistor 1 is connected to the base of the transistor 1 through a resistor 7, and the base of the transistor 1 is connected to a zener diode 8 in the forward direction.
Is connected to the emitter of the transistor 1 through a series circuit of a diode 9 in the opposite direction. Further, the base of the transistor 1 is connected to the emitter of the transistor 1 through a series circuit of a resistor 10, a capacitor 11, and a parallel circuit of a coil 3B of the saturable reactor transformer 3 and a capacitor 12.

【0016】さらにトランジスタ2のコレクタが抵抗器
13を通じてトランジスタ2のベースに接続され、この
トランジスタ2のベースが順方向のツェナーダイオード
14と逆方向のダイオード15の直列回路を通じてトラ
ンジスタ2のエミッタに接続される。さらにトランジス
タ2のベースが抵抗器16、コンデンサ17と、過飽和
リアクタトランス3のコイル3C及びコンデンサ18の
並列回路との直列回路を通じてトランジスタ2のエミッ
タに接続される。
Further, the collector of the transistor 2 is connected to the base of the transistor 2 through a resistor 13, and the base of the transistor 2 is connected to the emitter of the transistor 2 through a series circuit of a forward Zener diode 14 and a reverse diode 15. You. Further, the base of the transistor 2 is connected to the emitter of the transistor 2 through a series circuit of the resistor 16 and the capacitor 17 and the parallel circuit of the coil 3C of the saturable reactor transformer 3 and the capacitor 18.

【0017】また、上述の電圧変換トランス5の2次側
コイル5Bの一端及び他端が、それぞれNチャンネルの
MOS−FET19、20のソース・ドレイン間を通じ
て互いに接続される。さらにこの接続点と2次側コイル
5Bの中間タップとの間に平滑用のコンデンサ21が接
続される。そしてこのコンデンサ21の両端から出力端
子22の+端及び−端が導出される。さらにこの出力端
子22の+端が制御回路23を通じて過飽和リアクタト
ランス3の制御コイル3Dに接続される。
One end and the other end of the secondary coil 5B of the voltage conversion transformer 5 are connected to each other through the source and drain of N-channel MOS-FETs 19 and 20, respectively. Further, a smoothing capacitor 21 is connected between the connection point and an intermediate tap of the secondary coil 5B. The positive terminal and the negative terminal of the output terminal 22 are led out from both ends of the capacitor 21. Further, the positive terminal of the output terminal 22 is connected to the control coil 3D of the saturable reactor transformer 3 through the control circuit 23.

【0018】そしてこの装置において、上述のスイッチ
ングトランジスタ1、2が自励発振によって交互にオン
オフされることによって、電圧変換トランス5の1次側
コイル5Aには略正弦波の電流が流され、2次側コイル
5Bには所望の電圧が取り出される。さらにこの取り出
された電圧が、MOS−FET19、20を通じて互い
に接続される。
In this device, when the switching transistors 1 and 2 are alternately turned on and off by self-oscillation, a substantially sinusoidal current flows through the primary coil 5A of the voltage conversion transformer 5, and A desired voltage is extracted from the secondary coil 5B. Further, the extracted voltages are connected to each other through MOS-FETs 19 and 20.

【0019】ここでこれらのMOS−FET19、20
はそれぞれ駆動回路24、25によってオンオフが制御
され、例えば図示の例ではコンデンサ21側からコイル
5Bに向かって電流が流れている期間にのみオンされる
ように同期制御される。これによって2次側コイル5B
に取り出された電圧が両波整流され、整流された電圧が
コンデンサ21で平滑されて出力端子22に取り出され
る。
Here, these MOS-FETs 19 and 20
Are turned on and off by drive circuits 24 and 25, respectively. For example, in the example shown in the drawing, synchronous control is performed such that the transistor is turned on only during a period in which a current flows from the capacitor 21 toward the coil 5B. Thereby, the secondary coil 5B
Is rectified in both directions, and the rectified voltage is smoothed by the capacitor 21 and output to the output terminal 22.

【0020】また、出力端子22の+端に取り出された
電圧の、所望の電圧からの変動分が制御回路23で検出
され、この変動分が過飽和リアクタトランス3の制御コ
イル3Dに供給される。これによってこの過飽和リアク
タトランス3のコイル3A〜3Cに取り出される信号の
波形が変化され、トランジスタ1、2のスイッチング周
波数が変化されて、出力端子22の+端に取り出される
電圧が所望の電圧に等しくなるように制御が行われる。
The control circuit 23 detects a variation of the voltage taken out from the + terminal of the output terminal 22 from the desired voltage, and supplies the variation to the control coil 3D of the supersaturated reactor transformer 3. As a result, the waveforms of the signals taken out to the coils 3A to 3C of the saturable reactor transformer 3 are changed, the switching frequency of the transistors 1 and 2 is changed, and the voltage taken out at the positive terminal of the output terminal 22 is equal to the desired voltage. Control is performed so that

【0021】このようにして、上述の装置において、安
定化された所望の電圧を出力端子22に取り出すことが
できる。さらにこの取り出された電圧は、例えばDCで
駆動されるパーソナルコンピュータの電源として使用さ
れるものである。
Thus, in the above-described device, a stabilized desired voltage can be taken out to the output terminal 22. Further, the extracted voltage is used as a power source of a personal computer driven by, for example, DC.

【0022】そして上述の装置において、電圧変換トラ
ンス5の2次側の整流が、MOS−FET19、20の
それぞれ同期制御による同期整流によって行われてい
る。従ってこの場合には、2次側整流用のMOS−FE
T19、20のオン抵抗Ronによって損失が発生する。
In the above-described device, rectification on the secondary side of the voltage conversion transformer 5 is performed by synchronous rectification by synchronous control of the MOS-FETs 19 and 20, respectively. Therefore, in this case, the MOS-FE for secondary side rectification is used.
Loss occurs due to the on-resistance Ron of T19 and T20.

【0023】すなわちこのようなオン抵抗Ronは、例え
ば低オン抵抗のMOS−FETでは7mΩ程度である。
そしてこのオン抵抗Ronによって上述の装置では、 1.11×Io ×1.11×Io ×Ron〔W〕 の損失が発生する。
That is, such an on-resistance Ron is, for example, about 7 mΩ in a low on-resistance MOS-FET.
In the device described above, a loss of 1.11 × Io × 1.11 × Io × Ron [W] occurs due to the on-resistance Ron.

【0024】そしてこのような2次側整流用のMOS−
FET19、20による損失は、例えば出力電流Io が
10〔A〕では約0.86〔W〕、20〔A〕では約
3.45〔W〕に留めることができ、特にパーソナルコ
ンピュータのように低電圧、大電流が要求される電源
で、出力に対する損失の割合を大幅に削減することがで
きるものである。
Then, the MOS-
The loss caused by the FETs 19 and 20 can be kept at about 0.86 [W] when the output current Io is 10 [A] and about 3.45 [W] when the output current Io is 20 [A], and particularly low as in a personal computer. It is a power supply that requires a large voltage and a large current, and can greatly reduce the ratio of loss to output.

【0025】すなわち図4において、直線Aは、従来の
2次側整流用の素子に例えば順方向降下電圧Vf =0.
45Vのダイオードを用いた場合の、電流〔A〕に対す
る損失〔W〕の発生の状況を示す。また、曲線Bは、2
次側整流用の素子に例えばオン抵抗Ron=7mΩのMO
S−FETを用いた場合の、電流〔A〕に対する損失
〔W〕の発生の状況を示している。
That is, in FIG. 4, a straight line A represents, for example, a forward drop voltage Vf = 0.
The situation in which a loss [W] with respect to a current [A] occurs when a 45 V diode is used is shown. Curve B is 2
For the element for rectification on the secondary side, for example, an MO having an on-resistance Ron = 7 mΩ
This shows a situation in which a loss [W] with respect to a current [A] occurs when an S-FET is used.

【0026】従ってこの装置において、電圧変換用トラ
ンスの2次側整流としてMOS−FETを用いて同期整
流を行うことによって、特に低オン抵抗のMOS−FE
Tを用いることで、2次側整流での損失を大幅に減少さ
せることができる。
Therefore, in this device, synchronous rectification is performed by using a MOS-FET as a secondary rectifier of the voltage conversion transformer, so that a MOS-FE having a low on-resistance is obtained.
By using T, the loss in the secondary side rectification can be greatly reduced.

【0027】これによって、従来の装置では、2次側整
流用ダイオードの順方向降下電圧によって、出力に対す
る損失の割合が大きくなっていたものを、上述の先願に
よれば、特にパーソナルコンピュータのように低電圧、
大電流の電源が要求される場合に、2次側整流での損失
を大幅に減少させ、効率の良いスイッチング電源を実現
することができるものである。
As a result, in the conventional device, the ratio of the loss to the output is increased due to the forward drop voltage of the secondary-side rectifying diode. Low voltage,
When a power supply with a large current is required, the loss in the secondary side rectification can be greatly reduced, and an efficient switching power supply can be realized.

【0028】ところで上述の装置において、2次側整流
素子は、本来は電圧変換用トランス5の2次側コイル5
Bから平滑用コンデンサ21を充電する方向のみに電流
を流さなければならない。ところが上述の装置におい
て、MOS−FETは、ゲートにオン電圧が印加される
とドレイン・ソース間は抵抗体と同等になるため、電流
は双方向に流れることができる。
By the way, in the above-mentioned device, the secondary side rectifying element is originally a secondary side coil 5 of the voltage converting transformer 5.
A current must flow only in the direction from B to charge the smoothing capacitor 21. However, in the above-described device, when an ON-voltage is applied to the gate of the MOS-FET, the current between the drain and the source becomes equivalent to that of a resistor, so that current can flow in both directions.

【0029】従って上述の装置において、MOS−FE
Tのゲートにオン電圧を印加するタイミングを悪くする
と、コンデンサ21から2次側コイル5Bへ放電電流が
流れ、負荷側にエネルギーを有効に伝達できないばかり
か、逆電流によるMOS−FETの発熱やノイズの発
生、1次側スイッチング損失の増大にもつながる恐れが
ある。
Therefore, in the above device, the MOS-FE
If the timing of applying the on-voltage to the gate of T is deteriorated, a discharge current flows from the capacitor 21 to the secondary coil 5B, so that not only energy cannot be effectively transmitted to the load side, but also heat generation and noise of the MOS-FET due to the reverse current. This may lead to an increase in primary-side switching loss.

【0030】そこで、このようなMOS−FETのゲー
トにオン電圧を印加するタイミングを正確に制御するた
めに、例えば図5に示すような回路が用いられる。なお
以下の説明では、2次側整流用のMOS−FET19、
20の下側の片方の回路についてのみ示すが、上下両方
のMOS−FETについての回路構成、及びその作用動
作は同じである。
Therefore, in order to accurately control the timing of applying the ON voltage to the gate of such a MOS-FET, for example, a circuit as shown in FIG. 5 is used. In the following description, the MOS-FET 19 for secondary rectification,
Although only one of the lower circuits 20 is shown, the circuit configuration and the operation of the upper and lower MOS-FETs are the same.

【0031】この図5において、MOS−FET20に
直列に電流検出用トランス31の1次側コイル31Aが
設けられる。そしてこの電流検出用トランス31の2次
側コイル31Bの両端間に検出用の抵抗器32が接続さ
れ、この抵抗器32の電圧がリミッタ用のダイオード3
3、34を通じてコンパレータ回路35で検出される。
In FIG. 5, a primary coil 31A of a current detecting transformer 31 is provided in series with the MOS-FET 20. A resistor 32 for detection is connected between both ends of a secondary coil 31B of the transformer 31 for current detection, and a voltage of the resistor 32 is connected to a diode 3 for a limiter.
The signals are detected by the comparator circuit 35 through the circuits 3 and 34.

【0032】すなわち上述の抵抗器32の一端がダイオ
ード33、34を通じて基準電圧源36に接続され、こ
の基準電圧源36の電圧と抵抗器32の他端の電圧がコ
ンパレータ回路35で比較されて、他端の電圧が所定値
以上になったときに検出が行われる。そしてこの検出信
号がバッファ回路37を通じてMOS−FET20のゲ
ートに供給される。
That is, one end of the resistor 32 is connected to a reference voltage source 36 via diodes 33 and 34, and the voltage of the reference voltage source 36 and the voltage of the other end of the resistor 32 are compared by a comparator circuit 35. Detection is performed when the voltage at the other end becomes equal to or more than a predetermined value. This detection signal is supplied to the gate of the MOS-FET 20 through the buffer circuit 37.

【0033】従ってこの回路において、例えば上述の1
次側のトランジスタ1のコレクタ電流IC が、図6のA
に示すようであった場合には、電圧変換用トランス5の
2次側コイル5Bには図6のBの電圧が誘起される。そ
してこの電圧がコンデンサ21の充電電圧より大きくな
ると、MOS−FET20の寄生ダイオード20Aを通
じてコンデンサ21に充電電流が流される。
Therefore, in this circuit, for example,
The collector current I C of the transistor 1 on the next side is A
6, the voltage B in FIG. 6 is induced in the secondary coil 5 </ b> B of the voltage conversion transformer 5. When this voltage becomes higher than the charging voltage of the capacitor 21, a charging current flows to the capacitor 21 through the parasitic diode 20A of the MOS-FET 20.

【0034】さらにこの充電電流が電流検出用トランス
31の1次側コイル31Aを流れることによって、2次
側コイル31Bには電圧が誘起される。そしてこの出力
電圧がコンパレータ回路35で検出され、この出力電圧
が所定値以上になると、即座にバッファ回路37を通じ
て例えば図6のCに示すようなゲート電圧VgsがMOS
−FET20に印加される。
Further, when the charging current flows through the primary coil 31A of the current detecting transformer 31, a voltage is induced in the secondary coil 31B. The output voltage is detected by the comparator circuit 35, and when the output voltage exceeds a predetermined value, the gate voltage Vgs as shown in FIG.
Applied to FET 20;

【0035】また、上述の充電電流が減少すると、コン
パレータ回路35の出力が反転され、バッファ回路37
を通じてMOS−FET20のゲート容量が放電され
て、MOS−FET20がオフされる。なおこの時点で
コンデンサ21の充電電流はゼロにはなっていないが、
この電流はMOS−FET20の寄生ダイオード20A
を通じて流される。
When the charging current decreases, the output of the comparator circuit 35 is inverted and the buffer circuit 37
, The gate capacitance of the MOS-FET 20 is discharged, and the MOS-FET 20 is turned off. At this time, the charging current of the capacitor 21 is not zero,
This current is supplied to the parasitic diode 20A of the MOS-FET 20.
Flowed through.

【0036】これによって、MOS−FET20には、
例えば図6のDに示すようなドレイン電流ID が流され
る。すなわちこのMOS−FET20は、コンデンサ2
1への充電電流が流れ始めた後でオンされ、充電電流が
ゼロになる前にオフされる。そしてこのMOS−FET
20がオンされている期間に、低オン抵抗を介して損失
の少ない充電が行われるものである。
Thus, the MOS-FET 20 has
For example the drain current I D as shown in D of FIG. 6 is flowed. That is, this MOS-FET 20 is
It is turned on after the charging current to 1 starts flowing, and turned off before the charging current becomes zero. And this MOS-FET
During the period when the switch 20 is turned on, charging with low loss is performed via the low on-resistance.

【0037】なお、上述のMOS−FET19において
も作用動作は全く同じに行われる。すなわち例えば図7
のA、Bに示すMOS−FET20の動作に反転した形
で、図7のC、Dに示すようにMOS−FET19の動
作が行われる。そしてこの場合も、MOS−FET19
は、コンデンサ21への充電電流が流れ始めた後でオン
され、充電電流がゼロになる前にオフされるものであ
る。
The operation of the MOS-FET 19 is exactly the same. That is, for example, FIG.
The operation of the MOS-FET 19 is performed as shown in FIGS. 7C and 7D in a manner inverted to the operation of the MOS-FET 20 shown in FIGS. Also in this case, the MOS-FET 19
Is turned on after the charging current to the capacitor 21 starts flowing, and turned off before the charging current becomes zero.

【0038】従ってこの回路において、MOS−FET
は充電電流がゼロになる前にオフされるので、例えばタ
ーンオフのタイミングが遅れて逆電流が流されるような
ことがない。これにより、いかなる動作条件でもMOS
−FETのオン期間が充電電流の方向のみの電流だけ流
せるようにでき、逆電流の発生による不具合を解消する
ことができる。
Therefore, in this circuit, the MOS-FET
Is turned off before the charging current becomes zero, so that, for example, the turn-off timing is delayed and a reverse current does not flow. This allows the MOS to operate under any operating conditions.
-The ON period of the FET can flow only the current in the direction of the charging current, and the problem caused by the generation of the reverse current can be solved.

【0039】すなわちこの先願の装置においては、電圧
変換用トランスの2次側整流としてMOS−FETを用
いて同期整流を行うことによって、特に低オン抵抗のM
OS−FETを用いることで、2次側整流での損失を大
幅に減少させることができる。
That is, in the device of the prior application, synchronous rectification is performed by using a MOS-FET as the secondary rectification of the voltage conversion transformer, so that a low on-resistance M
By using the OS-FET, the loss due to the secondary rectification can be significantly reduced.

【0040】これによって、従来の装置では、2次側整
流用ダイオードの順方向降下電圧によって、出力に対す
る損失の割合が大きくなっていたものを、先願の装置に
よれば、特にパーソナルコンピュータのように低電圧、
大電流の電源が要求される場合に、2次側整流での損失
を大幅に減少させ、効率の良いスイッチング電源を実現
することができるものである。
As a result, in the conventional device, the ratio of the loss to the output is increased due to the forward drop voltage of the secondary-side rectifying diode. Low voltage,
When a power supply with a large current is required, the loss in the secondary side rectification can be greatly reduced, and an efficient switching power supply can be realized.

【0041】ところが上述の装置において、例えば図5
に示した駆動回路では、基準電圧源36を形成する電源
回路、コンパレータ回路35、バッファ回路37等の回
路が必要であり、さらに両波整流とした場合にはこれら
の回路が2組必要とされることになり、従来のダイオー
ド整流回路に比べて回路規模が格段に大きくなってしま
う。
However, in the above-described apparatus, for example, FIG.
The drive circuit shown in FIG. 1 requires a power supply circuit for forming the reference voltage source 36, a comparator circuit 35, a buffer circuit 37, and other circuits. In the case of dual-wave rectification, two sets of these circuits are required. As a result, the circuit scale becomes much larger than that of the conventional diode rectifier circuit.

【0042】このためこのような電源装置の搭載される
機器の小型化や、軽量化、低コスト化等の妨げになって
しまうものである。
For this reason, it is difficult to reduce the size, weight, and cost of the device on which such a power supply device is mounted.

【0043】この出願はこのような点に鑑みて成された
ものであって、解決しようとする問題点は、従来の装置
では、スイッチング素子の駆動に、電源回路、コンパレ
ータ回路、バッファ回路等の回路が必要であり、回路規
模が大きく、搭載される機器の小型化や、軽量化、低コ
スト化等の妨げになってしまうというものである。
The present application has been made in view of such a point, and the problem to be solved is that in the conventional device, the driving of the switching element requires the use of a power supply circuit, a comparator circuit, a buffer circuit and the like. A circuit is required, the circuit scale is large, and it hinders downsizing, weight reduction, cost reduction, and the like of equipment to be mounted.

【0044】[0044]

【課題を解決するための手段】このため本発明において
は、スイッチング素子の駆動をトーテムポール接続され
たトランジスタの回路を用いて行うようにしたものであ
って、これによれば、スイッチング素子の駆動を少ない
部品点数で行うことができ、搭載される機器の小型化
や、軽量化、低コスト化等を実現することができる。
Therefore, in the present invention, the driving of the switching element is performed by using a circuit of a transistor connected with a totem pole. According to this, the driving of the switching element is performed. Can be performed with a small number of components, and downsizing, weight reduction, cost reduction, and the like of a device to be mounted can be realized.

【0045】[0045]

【発明の実施の形態】すなわち本発明は、スイッチング
素子を2石用いたハーフブリッジ構成を有し、2石のス
イッチング素子の中点に共振コンデンサと電圧変換用ト
ランスが設けられると共に、電圧変換用トランスの2次
側整流としてスイッチング素子を用いて同期整流を行う
電源装置において、2次側同期整流の駆動信号としてス
イッチング素子を流れる電流を検出した信号を用いると
共に、検出信号をトーテムポール接続されたトランジス
タの回路を用いてスイッチング素子に供給してなるもの
である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS That is, the present invention has a half-bridge configuration using two switching elements, a resonance capacitor and a voltage conversion transformer are provided at the midpoint between the two switching elements, and a voltage conversion transformer is provided. In a power supply device that performs synchronous rectification using a switching element as a secondary side rectification of a transformer, a signal obtained by detecting a current flowing through a switching element is used as a drive signal of the secondary side synchronous rectification, and the detection signal is connected to a totem pole. It is supplied to a switching element using a transistor circuit.

【0046】以下、図面を参照して本発明を説明する
に、図1は本発明を適用した電源装置の一例の要部の構
成を示すブロック図である。なお図1では、電圧変換ト
ランス5の2次側の回路のみについて示すが、電圧変換
トランス5の1次側の回路は上述の図3と同等である。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a main part of an example of a power supply device to which the present invention is applied. Although FIG. 1 shows only the circuit on the secondary side of the voltage conversion transformer 5, the circuit on the primary side of the voltage conversion transformer 5 is the same as that in FIG.

【0047】この図1において、上述の電圧変換トラン
ス5の2次側コイル5Bの一端及び他端が、それぞれN
チャンネルのMOS−FET40、50のソース・ドレ
イン間を通じて互いに接続される。さらにこの接続点と
2次側コイル5Bの中間タップとの間に平滑用のコンデ
ンサ21が接続される。そしてこのコンデンサ21の両
端から出力端子22の+端及び−端が導出される。
In FIG. 1, one end and the other end of the secondary coil 5B of the voltage conversion transformer 5 are N
The channels are connected to each other through the source-drain of the MOS-FETs 40 and 50. Further, a smoothing capacitor 21 is connected between the connection point and an intermediate tap of the secondary coil 5B. The positive terminal and the negative terminal of the output terminal 22 are led out from both ends of the capacitor 21.

【0048】すなわちこの装置において、例えば上述の
スイッチングトランジスタ1、2が自励発振によって交
互にオンオフされることによって、電圧変換トランス5
の1次側コイル5Aには略正弦波の電流が流され、2次
側コイル5Bには所望の電圧が取り出される。さらにこ
の取り出された電圧がMOS−FET40、50を通じ
て互いに接続されている。
That is, in this device, for example, the above-mentioned switching transistors 1 and 2 are turned on and off alternately by self-oscillation, so that the voltage conversion transformer 5
A substantially sine-wave current flows through the primary coil 5A, and a desired voltage is extracted from the secondary coil 5B. Further, the extracted voltages are connected to each other through MOS-FETs 40 and 50.

【0049】そしてこの装置において、上述のMOS−
FET40、50に直列に、それぞれ電流検出用トラン
ス41、51の1次側コイル41A、51Aが設けられ
る。さらにこの電流検出用トランス41、51の2次側
コイル41B、51Bの一端がそれぞれ抵抗器42、5
2を通じてトーテムポール接続されたnpnトランジス
タ43、53と、pnpトランジスタ44、54のベー
スに接続される。
In this device, the MOS-
Primary coils 41A and 51A of current detecting transformers 41 and 51 are provided in series with the FETs 40 and 50, respectively. Further, one ends of secondary coils 41B and 51B of the current detecting transformers 41 and 51 are connected to resistors 42 and 5 respectively.
2 are connected to the bases of npn transistors 43 and 53 and pnp transistors 44 and 54 which are totem-pole connected through tompole connection.

【0050】すなわちこれらのトランジスタ43、4
4、53、54は、それぞれトランジスタ43、44の
エミッタが互いに接続され、トランジスタ53、54の
エミッタが互いに接続される。そしてこれらのエミッタ
の接続点が、それぞれMOS−FET40、50のゲー
トに接続される。
That is, these transistors 43, 4
The emitters of transistors 53 and 54 are connected to each other, and the emitters of transistors 53 and 54 are connected to each other. The connection points of these emitters are connected to the gates of the MOS-FETs 40 and 50, respectively.

【0051】さらにトランジスタ44、54のコレクタ
が、それぞれ電流検出用トランス41、51の2次側コ
イル41B、51Bの他端に接続される。またトランジ
スタ43、53のコレクタが、それぞれ電源電圧Vcc
の端子45、55に接続される。なお電源電圧Vcc
は、例えばトランス41、51の2次側コイル41B、
51Bに巻き上げて生成することができるものである。
Further, the collectors of the transistors 44 and 54 are connected to the other ends of the secondary coils 41B and 51B of the current detecting transformers 41 and 51, respectively. The collectors of transistors 43 and 53 are connected to power supply voltage Vcc, respectively.
Are connected to the terminals 45 and 55. The power supply voltage Vcc
Are the secondary coils 41B of the transformers 41 and 51, for example.
51B.

【0052】そしてこの回路において、電圧変換トラン
ス5の2次側コイル5Bに電圧が誘起され、この電圧が
出力電圧V0 より高くなると、例えばMOS−FET4
0、50の寄生ダイオード40A、50Aを介してコン
デンサ21に、それぞれ充電電流Id1、Id2が流され
る。
In this circuit, when a voltage is induced in the secondary coil 5B of the voltage conversion transformer 5 and this voltage becomes higher than the output voltage V0, for example, the MOS-FET 4
The charging currents Id1 and Id2 flow through the capacitor 21 via the 0 and 50 parasitic diodes 40A and 50A, respectively.

【0053】一方、この電流Id1、Id2は、それぞれト
ランス41、51の1次側コイル41A、51Aを流れ
ており、その電流に応じた電圧がトランス41、51の
2次側コイル41B51Bに誘起される。そしてこれら
の誘起された電圧が、それぞれ抵抗器42、52を介し
てトランジスタ43、44、53、54のベースに供給
されることにより、トランジスタ43、44、53、5
4が交互にオン・オフされて、MOS−FET40、5
0のゲートに駆動信号が供給される。
On the other hand, the currents Id1 and Id2 flow through the primary coils 41A and 51A of the transformers 41 and 51, respectively, and a voltage corresponding to the current is induced in the secondary coils 41B and 51B of the transformers 41 and 51. You. These induced voltages are supplied to the bases of the transistors 43, 44, 53, 54 via the resistors 42, 52, respectively, so that the transistors 43, 44, 53, 5
4 are turned on and off alternately, and the MOS-FETs 40, 5
A drive signal is supplied to the 0 gate.

【0054】従ってこの装置において、電圧変換用トラ
ンスの2次側整流としてMOS−FETを用いて同期整
流を行うことによって、特に低オン抵抗のMOS−FE
Tを用いることで、2次側整流での損失を大幅に減少さ
せることができる。
Therefore, in this device, by performing synchronous rectification using a MOS-FET as a secondary rectifier of the voltage conversion transformer, a MOS-FE having a particularly low on-resistance is obtained.
By using T, the loss in the secondary side rectification can be greatly reduced.

【0055】そしてこの場合に上述の回路によれば、M
OS−FETの駆動を少数のトランジスタと抵抗器だけ
で行うことができ、部品点数を減少させて、搭載される
機器の小型化や、軽量化、低コスト化等を実現すること
ができる。
In this case, according to the circuit described above, M
The OS-FET can be driven only by a small number of transistors and resistors, and the number of components can be reduced, so that the mounted device can be reduced in size, weight, cost, and the like.

【0056】これによって従来の装置では、電源回路、
コンパレータ回路、バッファ回路等の回路が必要で回路
規模が大きくなっていたものを、本発明によれば、部品
点数を減少させて、搭載される機器の小型化や、軽量
化、低コスト化等を実現することができるものである。
Thus, in the conventional device, the power supply circuit,
According to the present invention, the number of components is reduced to reduce the size, weight, and cost of equipment to be mounted. Can be realized.

【0057】こうして上述の電源装置によれば、スイッ
チング素子を2石用いたハーフブリッジ構成を有し、2
石のスイッチング素子の中点に共振コンデンサと電圧変
換用トランスが設けられると共に、電圧変換用トランス
の2次側整流としてスイッチング素子を用いて同期整流
を行う電源装置において、2次側同期整流の駆動信号と
してスイッチング素子を流れる電流を検出した信号を用
いると共に、検出信号をトーテムポール接続されたトラ
ンジスタの回路を用いてスイッチング素子に供給するこ
とにより、2次側整流での損失を大幅に減少させ、効率
の良いスイッチング電源を実現することができると共
に、部品点数を大幅に減少させて、搭載される機器の小
型化や、軽量化、低コスト化等を実現することができ
る。
As described above, according to the power supply device described above, a half bridge configuration using two switching elements is provided.
A resonance capacitor and a voltage conversion transformer are provided at the middle point of the stone switching element, and a secondary side synchronous rectification drive is performed in a power supply device that performs synchronous rectification using a switching element as secondary rectification of the voltage conversion transformer. By using a signal that detects the current flowing through the switching element as a signal and supplying the detection signal to the switching element using a totem-pole-connected transistor circuit, the loss in the secondary-side rectification is significantly reduced, An efficient switching power supply can be realized, and the number of components can be significantly reduced, so that the mounted device can be reduced in size, weight, cost, and the like.

【0058】[0058]

【発明の効果】この発明によれば、電圧変換用トランス
の2次側整流としてMOS−FETを用いて同期整流を
行うことによって、特に低オン抵抗のMOS−FETを
用いることで、2次側整流での損失を大幅に減少させる
ことができるようになった。
According to the present invention, synchronous rectification is performed by using a MOS-FET as a secondary rectifier of a voltage conversion transformer, and in particular, by using a low on-resistance MOS-FET, a secondary rectifier is used. The rectification loss can be greatly reduced.

【0059】そしてこの場合に、本発明の回路によれ
ば、MOS−FETの駆動を少数のトランジスタと抵抗
器だけで行うことができ、部品点数を減少させて、搭載
される機器の小型化や、軽量化、低コスト化等を実現す
ることができるものである。
In this case, according to the circuit of the present invention, the MOS-FET can be driven only by a small number of transistors and resistors, and the number of parts can be reduced, and the size of the mounted equipment can be reduced. It is possible to realize a reduction in weight, cost, and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の適用される電源装置の一例の構成図で
ある。
FIG. 1 is a configuration diagram of an example of a power supply device to which the present invention is applied.

【図2】従来の電源装置の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional power supply device.

【図3】先願の電源装置の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a power supply device of the prior application.

【図4】その説明のための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining this.

【図5】先願の電源装置の要部の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a main part of the power supply device of the prior application.

【図6】その動作の説明のための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the operation.

【図7】その動作の説明のための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the operation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 電圧変換トランス、21 コンデンサ、22 出力
端子、40,50 MOS−FET、41,51 電流
検出用トランス、42,52 ベース抵抗器、43,4
4,53,54 トーテムポール接続されたトランジス
タ、45,55電源端子
5 voltage conversion transformer, 21 capacitor, 22 output terminal, 40, 50 MOS-FET, 41, 51 current detection transformer, 42, 52 base resistor, 43, 4
4,53,54 Totem pole connected transistors, 45,55 power supply terminals

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 スイッチング素子を2石用いたハーフブ
リッジ構成を有し、 上記2石のスイッチング素子の中点に共振コンデンサと
電圧変換用トランスが設けられると共に、 上記電圧変換用トランスの2次側整流としてスイッチン
グ素子を用いて同期整流を行う電源装置において、 上記2次側同期整流の駆動信号として上記スイッチング
素子を流れる電流を検出した信号を用いると共に、 上記検出信号をトーテムポール接続されたトランジスタ
の回路を用いて上記スイッチング素子に供給することを
特徴とする電源装置。
1. A half-bridge configuration using two switching elements, wherein a resonance capacitor and a voltage conversion transformer are provided at a midpoint of the two switching elements, and a secondary side of the voltage conversion transformer. In a power supply device that performs synchronous rectification using a switching element as rectification, a signal that detects a current flowing through the switching element is used as a drive signal of the secondary-side synchronous rectification, and the detection signal is a signal of a totem-pole-connected transistor. A power supply device, wherein the power is supplied to the switching element using a circuit.
【請求項2】 請求項1記載の電源装置において、 上記スイッチング素子に直列に電流検出トランスを接続
して上記スイッチング素子を流れる電流を検出すること
を特徴とする電源装置。
2. The power supply device according to claim 1, wherein a current detection transformer is connected in series with said switching element to detect a current flowing through said switching element.
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