JPH10219456A - 超短パルスパワー電源方式プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
超短パルスパワー電源方式プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH10219456A JPH10219456A JP9021128A JP2112897A JPH10219456A JP H10219456 A JPH10219456 A JP H10219456A JP 9021128 A JP9021128 A JP 9021128A JP 2112897 A JP2112897 A JP 2112897A JP H10219456 A JPH10219456 A JP H10219456A
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- power supply
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な膜生成ができ且つ高速成膜ができるよ
うにする。 【解決手段】 真空反応容器７内には、電圧が印加され
ることによりプラズマ８を発生する電極５，１６と膜生
成がされる基板６が備えられる。そして原料ガスＧｉが
プラズマ８に作用して生成されたラジカルが、基板６に
達して膜生成がされる。超短パルスパワー電源装置１０
では、放電スイッチ１４がＯＦＦのときに高電圧充電器
１１により分布定数線路１３を充電し、充電電圧が所望
電圧に達したら放電スイッチ１４をＯＮし、給電線２，
３を介して超短パルス化したパルス高電圧を電極５，１
６に供給する。このように、電圧を超短パルス化するこ
とで、高速成膜，粉発生抑制ができる。
うにする。 【解決手段】 真空反応容器７内には、電圧が印加され
ることによりプラズマ８を発生する電極５，１６と膜生
成がされる基板６が備えられる。そして原料ガスＧｉが
プラズマ８に作用して生成されたラジカルが、基板６に
達して膜生成がされる。超短パルスパワー電源装置１０
では、放電スイッチ１４がＯＦＦのときに高電圧充電器
１１により分布定数線路１３を充電し、充電電圧が所望
電圧に達したら放電スイッチ１４をＯＮし、給電線２，
３を介して超短パルス化したパルス高電圧を電極５，１
６に供給する。このように、電圧を超短パルス化するこ
とで、高速成膜，粉発生抑制ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超短パルスパワー
電源方式プラズマＣＶＤ装置に関し、例えば太陽電池モ
ジュール用ａ−Ｓｉ膜成膜装置に適用して好適なもので
ある。また本発明は、大容量超短パルスパワー電源が必
要な液晶ＴＦＴディスプレイ、樹脂・ガラス・金属強化
及びコーティング膜等の成膜にも電源回路構成を変更す
ることによって適用可能である。
電源方式プラズマＣＶＤ装置に関し、例えば太陽電池モ
ジュール用ａ−Ｓｉ膜成膜装置に適用して好適なもので
ある。また本発明は、大容量超短パルスパワー電源が必
要な液晶ＴＦＴディスプレイ、樹脂・ガラス・金属強化
及びコーティング膜等の成膜にも電源回路構成を変更す
ることによって適用可能である。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマＣＶＤ装置の構造を図７
に示す。図７において、一般的に出力周波数が１３．５
６ＭＨｚとなっているＲＦ（radio frequency:無線周波
数）電源１より、給電線２及び給電線３を通して真空反
応容器７に電力を投入する。成膜用の平板電極４と平板
電極５には、それぞれガスが流れる穴が開いており、こ
の平板電極４と平板電極５を平行に対極させ、その間に
基板６を設置する構造になっている。
に示す。図７において、一般的に出力周波数が１３．５
６ＭＨｚとなっているＲＦ（radio frequency:無線周波
数）電源１より、給電線２及び給電線３を通して真空反
応容器７に電力を投入する。成膜用の平板電極４と平板
電極５には、それぞれガスが流れる穴が開いており、こ
の平板電極４と平板電極５を平行に対極させ、その間に
基板６を設置する構造になっている。
【０００３】真空反応容器７内の雰囲気はＳｉＨ4 気体
べースで約５０mTorr 程度であり、平板電極４側から基
板６側に向かう方向にガス流れ９が常に流れている。平
板電極４，５間に高周波を印加することで平板電極４，
５間にプラズマ８を発生させ、Ｈ，ＳｉＨ，ＳｉＨ2 ，
ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ4 ラジカルを生成し、これらラジカル
が基板６上に達し、Ｓｉ同士が結合し徐々に基板６上に
膜を生成している。なお図７において、Ｇｉは原料ガ
ス、Ｇｏは排ガスである。
べースで約５０mTorr 程度であり、平板電極４側から基
板６側に向かう方向にガス流れ９が常に流れている。平
板電極４，５間に高周波を印加することで平板電極４，
５間にプラズマ８を発生させ、Ｈ，ＳｉＨ，ＳｉＨ2 ，
ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ4 ラジカルを生成し、これらラジカル
が基板６上に達し、Ｓｉ同士が結合し徐々に基板６上に
膜を生成している。なお図７において、Ｇｉは原料ガ
ス、Ｇｏは排ガスである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来技
術では、高周波を用いているため常にプラズマ８が生成
されている。このため成膜速度を上げるためには、ガス
圧を上げ、投入電力を大きくする必要がある。このよう
に、ガス圧を上げ、投入電力を大きくすると、基板６以
外の場所、例えばプラズマ８中でＳｉ結合が成長し、粉
末状のＳｉ微粉粒子が発生し、このＳｉ微粉粒子が基板
６の膜上に達して、基板６の膜上にＳｉ微粉粒子が分布
した状態となり、膜質劣化につながっている。
術では、高周波を用いているため常にプラズマ８が生成
されている。このため成膜速度を上げるためには、ガス
圧を上げ、投入電力を大きくする必要がある。このよう
に、ガス圧を上げ、投入電力を大きくすると、基板６以
外の場所、例えばプラズマ８中でＳｉ結合が成長し、粉
末状のＳｉ微粉粒子が発生し、このＳｉ微粉粒子が基板
６の膜上に達して、基板６の膜上にＳｉ微粉粒子が分布
した状態となり、膜質劣化につながっている。
【０００５】本発明は、上記従来技術に鑑み、ガス圧を
上げ、投入電力を大きくしても粉末状のＳｉ微粉粒子を
生成することなく良質な膜生成ができ、かつ、高速成膜
ができる超短パルスパワー電源方式プラズマＣＶＤ装置
を提供することを目的とする。
上げ、投入電力を大きくしても粉末状のＳｉ微粉粒子を
生成することなく良質な膜生成ができ、かつ、高速成膜
ができる超短パルスパワー電源方式プラズマＣＶＤ装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の構成は、高電圧電源よりエネルギーが供給され、プ
ラズマを発生する電極を持つ反応容器を有し、この反応
容器中を薄膜生成の原料ガスを流して成膜するプラズマ
ＣＶＤ装置において、高電圧電源を超短パルス化するこ
とで高速成膜、粉発生抑制を図ることを特徴とする。
明の構成は、高電圧電源よりエネルギーが供給され、プ
ラズマを発生する電極を持つ反応容器を有し、この反応
容器中を薄膜生成の原料ガスを流して成膜するプラズマ
ＣＶＤ装置において、高電圧電源を超短パルス化するこ
とで高速成膜、粉発生抑制を図ることを特徴とする。
【０００７】また本発明の構成は、電圧が印加されるこ
とによりプラズマを発生する電極を内包するとともに基
板が設置され、更に膜生成用のガスを電極側から基板側
に流している真空反応容器と、前記電極に電圧を印加す
る電源装置とからなるプラズマＣＶＤ装置において、前
記電源装置は、分布定数線路と、この分布定数線路に電
圧を充電する充電器と、投入状態と開放状態を交互に繰
り返しており、分布定数線路の充電電圧が予め設定した
所望電圧に達していないときには開放状態となって分布
定数線路への充電状態を保持し、前記充電電圧が前記所
望電圧になったら投入状態となって分布定数線路から前
記電極に向けてパルス高電圧を送る放電スイッチと、を
有することを特徴とする。
とによりプラズマを発生する電極を内包するとともに基
板が設置され、更に膜生成用のガスを電極側から基板側
に流している真空反応容器と、前記電極に電圧を印加す
る電源装置とからなるプラズマＣＶＤ装置において、前
記電源装置は、分布定数線路と、この分布定数線路に電
圧を充電する充電器と、投入状態と開放状態を交互に繰
り返しており、分布定数線路の充電電圧が予め設定した
所望電圧に達していないときには開放状態となって分布
定数線路への充電状態を保持し、前記充電電圧が前記所
望電圧になったら投入状態となって分布定数線路から前
記電極に向けてパルス高電圧を送る放電スイッチと、を
有することを特徴とする。
【０００８】また本発明の構成は、前記分布定数線路
は、同軸ケーブルまたは平行平板であることを特徴とす
る。
は、同軸ケーブルまたは平行平板であることを特徴とす
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態では、プラズ
マ発生用の高周波電源を１マイクロ秒以下のパルス高電
圧を用い、デューティ比が非常に小さい間欠プラズマを
生成し、これを成膜に用いる。
マ発生用の高周波電源を１マイクロ秒以下のパルス高電
圧を用い、デューティ比が非常に小さい間欠プラズマを
生成し、これを成膜に用いる。
【００１０】このような間欠プラズマを用いることで電
圧印加時間でプラズマを生成、休止時間に膜を生成する
ことができ、同じ投入電力に対して膜生成に有効なラデ
ィカル密度を高くすることが可能となるため、ガス圧を
上げ、投入電力を増加してもＳｉ微粉粒子を生成するこ
となく膜生成が可能となり、かつ高速成膜化もあわせて
可能となる。
圧印加時間でプラズマを生成、休止時間に膜を生成する
ことができ、同じ投入電力に対して膜生成に有効なラデ
ィカル密度を高くすることが可能となるため、ガス圧を
上げ、投入電力を増加してもＳｉ微粉粒子を生成するこ
となく膜生成が可能となり、かつ高速成膜化もあわせて
可能となる。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の実施例を、図面に基づき詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】先ず初めに本発明の第１実施例を、図１及
び図２を参照して説明する。なお、図１は、本発明の第
１実施例である超短パルスパワー電源方式プラズマＣＶ
Ｄ装置を示す構成図、図２は、その平板電極と線電極を
示す斜視図である。
び図２を参照して説明する。なお、図１は、本発明の第
１実施例である超短パルスパワー電源方式プラズマＣＶ
Ｄ装置を示す構成図、図２は、その平板電極と線電極を
示す斜視図である。
【００１３】第１実施例にかかる超短パルスパワー電源
方式プラズマＣＶＤ装置は、大きく分けると、超短パル
スパワー電源装置１０（図１において破線で囲われた部
分）と、真空反応容器７内の製膜部から構成される。
方式プラズマＣＶＤ装置は、大きく分けると、超短パル
スパワー電源装置１０（図１において破線で囲われた部
分）と、真空反応容器７内の製膜部から構成される。
【００１４】このうち超短パルスパワー電源装置１０
は、同軸ケーブル等よりなる分布定数線路１３と、この
分布定数線路を充電する高電圧充電器１１と、充電抵抗
１２と、超短パルスパワー電源を供給する給電線２，３
と、給電線２，３にまたがるインダクタ１５と、放電ス
イッチ１４から構成される。
は、同軸ケーブル等よりなる分布定数線路１３と、この
分布定数線路を充電する高電圧充電器１１と、充電抵抗
１２と、超短パルスパワー電源を供給する給電線２，３
と、給電線２，３にまたがるインダクタ１５と、放電ス
イッチ１４から構成される。
【００１５】前記放電スイッチ１４は、投入状態と開放
状態を交互に繰り返すスイッチであり、分布定数線路１
３の充電電圧が予め設定した所望電圧（Ｖｏ）に達して
いないときには開放状態となって分布定数線路１３への
充電状態を保持し、前記充電電圧が前記所望電圧（Ｖ
ｏ）になったら投入状態となって分布定数線路１３から
電極５，１６に向けてパルス高電圧を送る機能を有して
いる。
状態を交互に繰り返すスイッチであり、分布定数線路１
３の充電電圧が予め設定した所望電圧（Ｖｏ）に達して
いないときには開放状態となって分布定数線路１３への
充電状態を保持し、前記充電電圧が前記所望電圧（Ｖ
ｏ）になったら投入状態となって分布定数線路１３から
電極５，１６に向けてパルス高電圧を送る機能を有して
いる。
【００１６】また、真空反応容器７内の製膜部は、平板
電極５と、線電極１６と、基板６より構成される。な
お、平板電極５と線電極１６は、図２に示すように複数
の平板電極５の間に線電極１６を配置した配置状態で設
置されている。また平板電極５の形状は平面の板状であ
り、線電極１６は線状の組み合わせであり、その組み合
わせ状態は実施例のものに限定されない。
電極５と、線電極１６と、基板６より構成される。な
お、平板電極５と線電極１６は、図２に示すように複数
の平板電極５の間に線電極１６を配置した配置状態で設
置されている。また平板電極５の形状は平面の板状であ
り、線電極１６は線状の組み合わせであり、その組み合
わせ状態は実施例のものに限定されない。
【００１７】なお図１において、８はプラズマ、９はガ
ス流れ、Ｇｉは原料ガス、Ｇｏは排ガスである。
ス流れ、Ｇｉは原料ガス、Ｇｏは排ガスである。
【００１８】ここで、上述した構成となっている第１実
施例の作用、効果を説明する。初期状態として放電スイ
ッチ１４がＯＦＦの状態（開放状態）で高電圧充電器１
１及び充電抵抗１２を通して同軸ケーブル等の分布定数
線路１３を充電する。充電電圧が所望の電圧Ｖｏに達す
ると放電スイッチ１４がＯＮ（投入状態）となるように
同期を取ると、図３に示すような超短パルスパワー電源
の動作原理で、インダクタ１５の間に極めてパルス幅の
短いナノ秒級のパルス高電圧が発生する。
施例の作用、効果を説明する。初期状態として放電スイ
ッチ１４がＯＦＦの状態（開放状態）で高電圧充電器１
１及び充電抵抗１２を通して同軸ケーブル等の分布定数
線路１３を充電する。充電電圧が所望の電圧Ｖｏに達す
ると放電スイッチ１４がＯＮ（投入状態）となるように
同期を取ると、図３に示すような超短パルスパワー電源
の動作原理で、インダクタ１５の間に極めてパルス幅の
短いナノ秒級のパルス高電圧が発生する。
【００１９】前記超短パルスパワー電源の動作原理は次
の通りである。図３において同軸ケーブル（分布定数線
路１３）に充電電圧Ｖｏで充電を完了した後の状態（図
３の（ａ）の状態）において、放電スイッチ１４を入れ
ると、同軸ケーブル内に電圧の伝搬が右方向と左方向に
同時に始まる（図３の（ｂ）の状態）。右方向に伝搬す
る電圧波は出力電圧Ｖｏ／２として得られ、左方向に伝
搬する電圧波は右側に反射される（図３の（ｃ）（ｄ）
の状態）。そのため電圧の出力時間は、図４に示すよう
に、電圧波の伝搬速度ｖと線路の長さＬの比２Ｌ／ｖで
決まる。伝搬速度ｖは導体間の比誘電率εr に依存し、
光速をＣとすると次式（１）となる。
の通りである。図３において同軸ケーブル（分布定数線
路１３）に充電電圧Ｖｏで充電を完了した後の状態（図
３の（ａ）の状態）において、放電スイッチ１４を入れ
ると、同軸ケーブル内に電圧の伝搬が右方向と左方向に
同時に始まる（図３の（ｂ）の状態）。右方向に伝搬す
る電圧波は出力電圧Ｖｏ／２として得られ、左方向に伝
搬する電圧波は右側に反射される（図３の（ｃ）（ｄ）
の状態）。そのため電圧の出力時間は、図４に示すよう
に、電圧波の伝搬速度ｖと線路の長さＬの比２Ｌ／ｖで
決まる。伝搬速度ｖは導体間の比誘電率εr に依存し、
光速をＣとすると次式（１）となる。
【００２０】
【数１】
【００２１】つまり同軸ケーブル（分布定数線路１３）
の長さ、誘電率及び充電電圧を変えることで、出力され
る電圧波のパルス幅、出力電圧をコントロールすること
ができる。
の長さ、誘電率及び充電電圧を変えることで、出力され
る電圧波のパルス幅、出力電圧をコントロールすること
ができる。
【００２２】なお、インダクタ１５に高周波電流が流れ
ず給電線２，３に電流が流れるようにするため、インダ
クタ１５としてはミリヘンリー程度の大きなインダクタ
ンスを有するものを使用する。
ず給電線２，３に電流が流れるようにするため、インダ
クタ１５としてはミリヘンリー程度の大きなインダクタ
ンスを有するものを使用する。
【００２３】上述した原理に基づき超短パルスパワー電
源装置１０にて生成されたパルス高電圧が、真空反応容
器７内に設置した（内包した）プラズマ生成用電極であ
る平板電極５と線電極１６に印加される。
源装置１０にて生成されたパルス高電圧が、真空反応容
器７内に設置した（内包した）プラズマ生成用電極であ
る平板電極５と線電極１６に印加される。
【００２４】なお、図１では、給電線２により線電極１
６に電圧印加をし、給電線３により平板電極５に電圧印
加をしているが、給電線と電極との接続関係を、逆の接
続とすることも可能である。
６に電圧印加をし、給電線３により平板電極５に電圧印
加をしているが、給電線と電極との接続関係を、逆の接
続とすることも可能である。
【００２５】プラズマ８を発生させるための線電極１６
と平板電極５の間に電圧が印加され、この電極５，１６
間に、図５に示すように従来法と比較して高エネルギー
電子密度が高い（ＳｉＨ4 解離エネルギー以上の電子）
の間欠プラズマ８が生成される。高エネルギー電子密度
が高いとそれだけＳｉ膜生成可能な粒子数が多くなるた
め成膜速度が大きくなる。
と平板電極５の間に電圧が印加され、この電極５，１６
間に、図５に示すように従来法と比較して高エネルギー
電子密度が高い（ＳｉＨ4 解離エネルギー以上の電子）
の間欠プラズマ８が生成される。高エネルギー電子密度
が高いとそれだけＳｉ膜生成可能な粒子数が多くなるた
め成膜速度が大きくなる。
【００２６】ガス流れ９は常に、電極５，１６側から基
板６側に向かう方向に流れているため、プラズマ８で生
成されたラディカルは基板６に到達する。このラディカ
ルが基板６上に堆積しＳｉ膜を効率よくかつ高速に生成
する。しかも、超短パルスパワー電源装置１０の出力電
圧、周波数を変えることでそれに適切なガス圧、ガス流
速に設定することが可能となり、さらに高速成膜化が可
能となる。
板６側に向かう方向に流れているため、プラズマ８で生
成されたラディカルは基板６に到達する。このラディカ
ルが基板６上に堆積しＳｉ膜を効率よくかつ高速に生成
する。しかも、超短パルスパワー電源装置１０の出力電
圧、周波数を変えることでそれに適切なガス圧、ガス流
速に設定することが可能となり、さらに高速成膜化が可
能となる。
【００２７】次に本発明の第２実施例である超短パルス
パワー電源方式プラズマＣＶＤ装置を図６を参照して説
明する。この第２実施例は、第１実施例における同軸ケ
ーブル等の分布定数線路１３に換えて、平行平板型分布
定数線路１７を用いた構成としたもので、その外の構成
は第１実施例と同じである。
パワー電源方式プラズマＣＶＤ装置を図６を参照して説
明する。この第２実施例は、第１実施例における同軸ケ
ーブル等の分布定数線路１３に換えて、平行平板型分布
定数線路１７を用いた構成としたもので、その外の構成
は第１実施例と同じである。
【００２８】上記構成の第２実施例では、平行平板型分
布定数線路１７を採用したことにより、発生電圧，出力
時間を同軸ケーブル等の分布定数線路のときと同じにし
ても、電流容量の大きい超短パルスパワー電源装置１０
を実現できる。このように第２実施例では、電流容量の
大きいパルス電圧を印加することができるので、第１実
施例に比べてプラズマ密度の高いプラズマ８を生成する
ことが可能となる。このことにより、基板６への製膜速
度も一段と向上する。
布定数線路１７を採用したことにより、発生電圧，出力
時間を同軸ケーブル等の分布定数線路のときと同じにし
ても、電流容量の大きい超短パルスパワー電源装置１０
を実現できる。このように第２実施例では、電流容量の
大きいパルス電圧を印加することができるので、第１実
施例に比べてプラズマ密度の高いプラズマ８を生成する
ことが可能となる。このことにより、基板６への製膜速
度も一段と向上する。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、１マイクロ秒以下のパ
ルス高電圧を用い、デューティ比が非常に小さい間欠プ
ラズマを生成しこれを成膜に用いることにより、電圧印
加時間でプラズマを生成し、休止時間に膜を生成するこ
とができ、同じ投入電力に対して膜生成に有効なラディ
カル密度を高くすることが可能となる。このため、ガス
圧を上げ、投入電力を増加しても、Ｓｉ微粉粒子を生成
することなく良好な膜生成が可能となり、かつ高速成膜
化もあわせて可能となる。
ルス高電圧を用い、デューティ比が非常に小さい間欠プ
ラズマを生成しこれを成膜に用いることにより、電圧印
加時間でプラズマを生成し、休止時間に膜を生成するこ
とができ、同じ投入電力に対して膜生成に有効なラディ
カル密度を高くすることが可能となる。このため、ガス
圧を上げ、投入電力を増加しても、Ｓｉ微粉粒子を生成
することなく良好な膜生成が可能となり、かつ高速成膜
化もあわせて可能となる。
【図１】本発明の第１実施例にかかる超短パルスパワー
電源方式プラズマＣＶＤ装置を示す構成図。
電源方式プラズマＣＶＤ装置を示す構成図。
【図２】第１実施例の平板電極と線電極を示す斜視図。
【図３】同軸ケーブル内の電圧波状態を示す波形図。
【図４】電源装置からの出力電圧波形を示す波形図。
【図５】従来法と本発明における電子密度を対比して示
す特性図。
す特性図。
【図６】本発明の第２実施例にかかる超短パルスパワー
電源方式プラズマＣＶＤ装置を示す構成図。
電源方式プラズマＣＶＤ装置を示す構成図。
【図７】従来技術を示す構成図。
１ ＲＦ電源 ２，３ 給電線 ４，５ 平板電極 ６ 基板 ７ 真空反応容器 ８ プラズマ ９ ガス流れ １０ 超短パルスパワー電源装置 １１ 高電圧充電器 １２ 充電抵抗 １３ 分布定数線路 １４ 放電スイッチ １５ インダクタ １６ 線電極 １７ 平行平板型分布定数線路 Ｇｉ 原料ガス Ｇｏ 排ガス
Claims (3)
- 【請求項１】 高電圧電源よりエネルギーが供給され、
プラズマを発生する電極を持つ反応容器を有し、この反
応容器中を薄膜生成の原料ガスを流して成膜するプラズ
マＣＶＤ装置において、 高電圧電源を超短パルス化することで高速成膜、粉発生
抑制を図ることを特徴とした超短パルスパワー電源方式
プラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 電圧が印加されることによりプラズマを
発生する電極を内包するとともに基板が設置され、更に
膜生成用のガスを電極側から基板側に流している真空反
応容器と、 前記電極に電圧を印加する電源装置とからなるプラズマ
ＣＶＤ装置において、 前記電源装置は、分布定数線路と、この分布定数線路に
電圧を充電する充電器と、投入状態と開放状態を交互に
繰り返しており、分布定数線路の充電電圧が予め設定し
た所望電圧に達していないときには開放状態となって分
布定数線路への充電状態を保持し、前記充電電圧が前記
所望電圧になったら投入状態となって分布定数線路から
前記電極に向けてパルス高電圧を送る放電スイッチと、
を有することを特徴とする超短パルスパワー電源方式プ
ラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記分布定数線路は、同軸ケーブルまた
は平行平板であることを特徴とする請求項１または請求
項２の超短パルスパワー電源方式プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9021128A JPH10219456A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 超短パルスパワー電源方式プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9021128A JPH10219456A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 超短パルスパワー電源方式プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10219456A true JPH10219456A (ja) | 1998-08-18 |
Family
ID=12046259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9021128A Withdrawn JPH10219456A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 超短パルスパワー電源方式プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10219456A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008026712A1 (fr) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Ngk Insulators, Ltd. | procédé de génération de plasma, procédé de gravure de film en matériau organique, procédé de génération ionique négatif et procédé de traitement par oxydation ou nitruration |
| JP2010541155A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-12-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 高圧電気接続線 |
-
1997
- 1997-02-04 JP JP9021128A patent/JPH10219456A/ja not_active Withdrawn
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