JPH10213666A - α線センサー - Google Patents

α線センサー

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Publication number
JPH10213666A
JPH10213666A JP9017181A JP1718197A JPH10213666A JP H10213666 A JPH10213666 A JP H10213666A JP 9017181 A JP9017181 A JP 9017181A JP 1718197 A JP1718197 A JP 1718197A JP H10213666 A JPH10213666 A JP H10213666A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminized mylar
grounded
sensor
ray sensor
ray
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9017181A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshifumi Iketani
敬文 池谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yazaki Corp
Original Assignee
Yazaki Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Yazaki Corp filed Critical Yazaki Corp
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Publication of JPH10213666A publication Critical patent/JPH10213666A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価でかつ正確な測定ができる半導体式
α線センサーを提供する。 【解決手段】 PINフォトダイオードの検出部の入
射側にアルミナイズドマイラーを配し、かつ該アルミナ
イズドマイラーが接地可能となっているα線センサー。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はα線センサーに関す
る。
【0002】
【従来の技術】α線の測定には、ZnS(Ag)シンチ
レータと光電子増倍管とを組み合わせた、いわゆるシン
チレーション式と、シリコン半導体を用いた半導体式の
2種の方法が知られている。このうちシンチレーション
式では光電子増倍管の特性から、磁場の影響を受けやす
く、高磁場での使用はできなかった。一方、半導体式で
はセンサーの製造において、チップの上に光遮蔽膜を蒸
着する工程が複雑で、リード線を保護するためのマスキ
ング工程や真空チェンバーへの挿入固定作業が必要で、
手間が掛かる上歩留まりが悪く、代替品が求められてい
た。
【0003】ここでこのような半導体式α線センサーに
ついて図2を用いて説明する。パッケージの中に半導体
からなるチップがあり、このチップがα線を検出する。
図中検出部上側に、α線以外の電磁波の入射を防止する
目的としてアルミニウムあるいはベリリウムなどの薄膜
が遮光膜(この例では遮光用アルミ蒸着膜)として、C
VDやスパッタリングなどの真空応用技術により形成さ
れている。この真空応用技術による遮光膜の存在がセン
サー全体の価格を高いものとしていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、安価でかつ
正確な測定ができる半導体式α線センサーを提供するこ
とを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】ここで本発明者等は上記
従来の半導体式α線センサーに代替するものとして、P
INフォトダイオードに注目した。そこで、試みとして
α線センサーとしてPINフォトダイオード(図3参
照)を用いたところ正確な検出が不可能であると云う結
果が得られた。本発明者等は種々検討した結果、上記結
果は電磁ノイズによるものであることが判り、この電磁
ノイズの除去を効果的かつ低コストで行う手段を求めて
本発明に至った。
【0006】すなわち本発明は請求項1に記載の通り、
PINフォトダイオードの検出部にアルミナイズドマイ
ラー層を設け、かつ該アルミナイズドマイラー層が接地
可能となっているα線センサーである。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明において、PINフォトダ
イオードの検出部に配するのは、アルミナイズドマイラ
ーであることが必要である。このアルミナイズドマイラ
ーによってα線のみを検出部へ透過させ、その他の電磁
ノイズを排除することができる。ここでアルミナイズド
マイラーとはポリオレフィンなどの高分子材料製のフィ
ルムにアルミニウム薄膜を形成したものであって、社等
などにより広く生産されていて容易かつ安価に入手でき
る。このようなアルミナイズドマイラー層を用いること
で本発明の目的を達成できる。
【0008】アルミナイズドマイラーにおけるアルミニ
ウムの目付は0.5mg/cm2以上2mg/cm2以下
であることが望ましい。0.5mg/cm2未満である
と、ノイズが大きくなってしまい実用的でなくなる。す
なわち0.5mg/cm2のアルミニウム目付を有する
アルミナイズドマイラーの光の透過量は1/1000程
度であり、JIS・Z−4329の規格を満足する。一
方2mg/cm2超であると検出レベルが低くなって、
やはりS/N比が低下する。すなわち、アルミニウムの
目付が2mg/cm2のアルミナイズドマイラーのα線
に対する透過量は50%となる。
【0009】アルミナイズドマイラーのアルミニウム層
はPINフォトダイオードの検出部と直接あるいは間接
的に電気的に接続していることが必要である。間接的に
接続するとは、例えば導電性接着剤等による接着などを
指す。
【0010】なお、上記アルミナイズドマイラーのアル
ミニウム層は測定時に接地されることが必要である。接
地されていないとS/N比が低下し、正確な測定を行う
ことができない。また、センサー取り付け位置からアン
プ部までの電気回路は適当な電磁シール材で保護する。
ここで、電磁シール材としては、アルミまたは銅板を加
工して作られるアルミケースや銅ケースなどが挙げられ
る。
【0011】ここで本発明のα線測定センサーについて
図を用いて具体的に説明する。図1は本発明に係るα線
測定センサーの断面モデル図である。図中符号1はベア
チップであり、2はパッケージ、3はリード線であり検
出されたデータをアンプ等の電気回路(図示せず)へ伝
達する。符号4はアルミナイズドマイラーであって、導
電性接着剤によってセンサー本体に接着されている。符
号5は導電性銅テープでありセンサー側面を覆い、か
つ、接地されている。このような構成により、正確なα
線測定が可能となる。
【0012】
【発明の効果】本発明の構成により、安価なPINフォ
トダイオードをセンサー主部として用いながら、センサ
ー前面からの電磁ノイズを遮断することができるため、
正確なα線測定が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のα線センサーの断面モデル図である。
【図2】従来の半導体式α線センサーの断面モデル図で
ある。
【図3】一般的なPINフォトダイオードの断面モデル
図である。
【符号の説明】
1 ベアチップ 2 パッケージ 3 リード線 4 アルミナイズドマイラー 5 導電性銅テープ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 PINフォトダイオードの検出部の入射
    側にアルミナイズドマイラーを配し、かつ該アルミナイ
    ズドマイラーが接地可能となっていることを特徴とする
    α線センサー。
  2. 【請求項2】 上記アルミナイズドマイラーのアルミニ
    ウムの目付が0.5mg/cm2以上2mg/cm2以下
    であることを特徴とする請求項1に記載のα線センサ
    ー。
JP9017181A 1997-01-30 1997-01-30 α線センサー Withdrawn JPH10213666A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7161153B2 (en) 2003-03-31 2007-01-09 Hitachi, Ltd. Apparatus and method for detecting α-ray
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