JPH10213666A - α線センサー - Google Patents
α線センサーInfo
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- JPH10213666A JPH10213666A JP9017181A JP1718197A JPH10213666A JP H10213666 A JPH10213666 A JP H10213666A JP 9017181 A JP9017181 A JP 9017181A JP 1718197 A JP1718197 A JP 1718197A JP H10213666 A JPH10213666 A JP H10213666A
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- aluminized mylar
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- ray sensor
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Links
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 229920000134 Metallised film Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium(0) Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価でかつ正確な測定ができる半導体式
α線センサーを提供する。 【解決手段】 ＰＩＮフォトダイオードの検出部の入
射側にアルミナイズドマイラーを配し、かつ該アルミナ
イズドマイラーが接地可能となっているα線センサー。
α線センサーを提供する。 【解決手段】 ＰＩＮフォトダイオードの検出部の入
射側にアルミナイズドマイラーを配し、かつ該アルミナ
イズドマイラーが接地可能となっているα線センサー。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はα線センサーに関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】α線の測定には、ＺｎＳ（Ａｇ）シンチ
レータと光電子増倍管とを組み合わせた、いわゆるシン
チレーション式と、シリコン半導体を用いた半導体式の
２種の方法が知られている。このうちシンチレーション
式では光電子増倍管の特性から、磁場の影響を受けやす
く、高磁場での使用はできなかった。一方、半導体式で
はセンサーの製造において、チップの上に光遮蔽膜を蒸
着する工程が複雑で、リード線を保護するためのマスキ
ング工程や真空チェンバーへの挿入固定作業が必要で、
手間が掛かる上歩留まりが悪く、代替品が求められてい
た。
レータと光電子増倍管とを組み合わせた、いわゆるシン
チレーション式と、シリコン半導体を用いた半導体式の
２種の方法が知られている。このうちシンチレーション
式では光電子増倍管の特性から、磁場の影響を受けやす
く、高磁場での使用はできなかった。一方、半導体式で
はセンサーの製造において、チップの上に光遮蔽膜を蒸
着する工程が複雑で、リード線を保護するためのマスキ
ング工程や真空チェンバーへの挿入固定作業が必要で、
手間が掛かる上歩留まりが悪く、代替品が求められてい
た。
【０００３】ここでこのような半導体式α線センサーに
ついて図２を用いて説明する。パッケージの中に半導体
からなるチップがあり、このチップがα線を検出する。
図中検出部上側に、α線以外の電磁波の入射を防止する
目的としてアルミニウムあるいはベリリウムなどの薄膜
が遮光膜（この例では遮光用アルミ蒸着膜）として、Ｃ
ＶＤやスパッタリングなどの真空応用技術により形成さ
れている。この真空応用技術による遮光膜の存在がセン
サー全体の価格を高いものとしていた。
ついて図２を用いて説明する。パッケージの中に半導体
からなるチップがあり、このチップがα線を検出する。
図中検出部上側に、α線以外の電磁波の入射を防止する
目的としてアルミニウムあるいはベリリウムなどの薄膜
が遮光膜（この例では遮光用アルミ蒸着膜）として、Ｃ
ＶＤやスパッタリングなどの真空応用技術により形成さ
れている。この真空応用技術による遮光膜の存在がセン
サー全体の価格を高いものとしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、安価でかつ
正確な測定ができる半導体式α線センサーを提供するこ
とを目的とする。
正確な測定ができる半導体式α線センサーを提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】ここで本発明者等は上記
従来の半導体式α線センサーに代替するものとして、Ｐ
ＩＮフォトダイオードに注目した。そこで、試みとして
α線センサーとしてＰＩＮフォトダイオード（図３参
照）を用いたところ正確な検出が不可能であると云う結
果が得られた。本発明者等は種々検討した結果、上記結
果は電磁ノイズによるものであることが判り、この電磁
ノイズの除去を効果的かつ低コストで行う手段を求めて
本発明に至った。
従来の半導体式α線センサーに代替するものとして、Ｐ
ＩＮフォトダイオードに注目した。そこで、試みとして
α線センサーとしてＰＩＮフォトダイオード（図３参
照）を用いたところ正確な検出が不可能であると云う結
果が得られた。本発明者等は種々検討した結果、上記結
果は電磁ノイズによるものであることが判り、この電磁
ノイズの除去を効果的かつ低コストで行う手段を求めて
本発明に至った。
【０００６】すなわち本発明は請求項１に記載の通り、
ＰＩＮフォトダイオードの検出部にアルミナイズドマイ
ラー層を設け、かつ該アルミナイズドマイラー層が接地
可能となっているα線センサーである。
ＰＩＮフォトダイオードの検出部にアルミナイズドマイ
ラー層を設け、かつ該アルミナイズドマイラー層が接地
可能となっているα線センサーである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明において、ＰＩＮフォトダ
イオードの検出部に配するのは、アルミナイズドマイラ
ーであることが必要である。このアルミナイズドマイラ
ーによってα線のみを検出部へ透過させ、その他の電磁
ノイズを排除することができる。ここでアルミナイズド
マイラーとはポリオレフィンなどの高分子材料製のフィ
ルムにアルミニウム薄膜を形成したものであって、社等
などにより広く生産されていて容易かつ安価に入手でき
る。このようなアルミナイズドマイラー層を用いること
で本発明の目的を達成できる。
イオードの検出部に配するのは、アルミナイズドマイラ
ーであることが必要である。このアルミナイズドマイラ
ーによってα線のみを検出部へ透過させ、その他の電磁
ノイズを排除することができる。ここでアルミナイズド
マイラーとはポリオレフィンなどの高分子材料製のフィ
ルムにアルミニウム薄膜を形成したものであって、社等
などにより広く生産されていて容易かつ安価に入手でき
る。このようなアルミナイズドマイラー層を用いること
で本発明の目的を達成できる。
【０００８】アルミナイズドマイラーにおけるアルミニ
ウムの目付は０．５ｍｇ／ｃｍ2以上２ｍｇ／ｃｍ2以下
であることが望ましい。０．５ｍｇ／ｃｍ2未満である
と、ノイズが大きくなってしまい実用的でなくなる。す
なわち０．５ｍｇ／ｃｍ2のアルミニウム目付を有する
アルミナイズドマイラーの光の透過量は１／１０００程
度であり、ＪＩＳ・Ｚ−４３２９の規格を満足する。一
方２ｍｇ／ｃｍ2超であると検出レベルが低くなって、
やはりＳ／Ｎ比が低下する。すなわち、アルミニウムの
目付が２ｍｇ／ｃｍ2のアルミナイズドマイラーのα線
に対する透過量は５０％となる。
ウムの目付は０．５ｍｇ／ｃｍ2以上２ｍｇ／ｃｍ2以下
であることが望ましい。０．５ｍｇ／ｃｍ2未満である
と、ノイズが大きくなってしまい実用的でなくなる。す
なわち０．５ｍｇ／ｃｍ2のアルミニウム目付を有する
アルミナイズドマイラーの光の透過量は１／１０００程
度であり、ＪＩＳ・Ｚ−４３２９の規格を満足する。一
方２ｍｇ／ｃｍ2超であると検出レベルが低くなって、
やはりＳ／Ｎ比が低下する。すなわち、アルミニウムの
目付が２ｍｇ／ｃｍ2のアルミナイズドマイラーのα線
に対する透過量は５０％となる。
【０００９】アルミナイズドマイラーのアルミニウム層
はＰＩＮフォトダイオードの検出部と直接あるいは間接
的に電気的に接続していることが必要である。間接的に
接続するとは、例えば導電性接着剤等による接着などを
指す。
はＰＩＮフォトダイオードの検出部と直接あるいは間接
的に電気的に接続していることが必要である。間接的に
接続するとは、例えば導電性接着剤等による接着などを
指す。
【００１０】なお、上記アルミナイズドマイラーのアル
ミニウム層は測定時に接地されることが必要である。接
地されていないとＳ／Ｎ比が低下し、正確な測定を行う
ことができない。また、センサー取り付け位置からアン
プ部までの電気回路は適当な電磁シール材で保護する。
ここで、電磁シール材としては、アルミまたは銅板を加
工して作られるアルミケースや銅ケースなどが挙げられ
る。
ミニウム層は測定時に接地されることが必要である。接
地されていないとＳ／Ｎ比が低下し、正確な測定を行う
ことができない。また、センサー取り付け位置からアン
プ部までの電気回路は適当な電磁シール材で保護する。
ここで、電磁シール材としては、アルミまたは銅板を加
工して作られるアルミケースや銅ケースなどが挙げられ
る。
【００１１】ここで本発明のα線測定センサーについて
図を用いて具体的に説明する。図１は本発明に係るα線
測定センサーの断面モデル図である。図中符号１はベア
チップであり、２はパッケージ、３はリード線であり検
出されたデータをアンプ等の電気回路（図示せず）へ伝
達する。符号４はアルミナイズドマイラーであって、導
電性接着剤によってセンサー本体に接着されている。符
号５は導電性銅テープでありセンサー側面を覆い、か
つ、接地されている。このような構成により、正確なα
線測定が可能となる。
図を用いて具体的に説明する。図１は本発明に係るα線
測定センサーの断面モデル図である。図中符号１はベア
チップであり、２はパッケージ、３はリード線であり検
出されたデータをアンプ等の電気回路（図示せず）へ伝
達する。符号４はアルミナイズドマイラーであって、導
電性接着剤によってセンサー本体に接着されている。符
号５は導電性銅テープでありセンサー側面を覆い、か
つ、接地されている。このような構成により、正確なα
線測定が可能となる。
【００１２】
【発明の効果】本発明の構成により、安価なＰＩＮフォ
トダイオードをセンサー主部として用いながら、センサ
ー前面からの電磁ノイズを遮断することができるため、
正確なα線測定が可能となった。
トダイオードをセンサー主部として用いながら、センサ
ー前面からの電磁ノイズを遮断することができるため、
正確なα線測定が可能となった。
【図１】本発明のα線センサーの断面モデル図である。
【図２】従来の半導体式α線センサーの断面モデル図で
ある。
ある。
【図３】一般的なＰＩＮフォトダイオードの断面モデル
図である。
図である。
１ ベアチップ ２ パッケージ ３ リード線 ４ アルミナイズドマイラー ５ 導電性銅テープ
Claims (2)
- 【請求項１】 ＰＩＮフォトダイオードの検出部の入射
側にアルミナイズドマイラーを配し、かつ該アルミナイ
ズドマイラーが接地可能となっていることを特徴とする
α線センサー。 - 【請求項２】 上記アルミナイズドマイラーのアルミニ
ウムの目付が０．５ｍｇ／ｃｍ2以上２ｍｇ／ｃｍ2以下
であることを特徴とする請求項１に記載のα線センサ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9017181A JPH10213666A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | α線センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9017181A JPH10213666A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | α線センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10213666A true JPH10213666A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11936787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9017181A Withdrawn JPH10213666A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | α線センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10213666A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7161153B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-01-09 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for detecting α-ray |
| WO2008062670A1 (fr) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Système de rayonnement de faisceau d'électrons |
| JP2011252873A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 放射線測定装置 |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP9017181A patent/JPH10213666A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7161153B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-01-09 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for detecting α-ray |
| WO2008062670A1 (fr) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Système de rayonnement de faisceau d'électrons |
| JP2008128972A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子線照射システム |
| JP4567652B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2010-10-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子線照射システム |
| JP2011252873A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 放射線測定装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040406 |