JPH10209257A - Electrostatic chuck device and its manufacture - Google Patents

Electrostatic chuck device and its manufacture

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JPH10209257A
JPH10209257A JP2319397A JP2319397A JPH10209257A JP H10209257 A JPH10209257 A JP H10209257A JP 2319397 A JP2319397 A JP 2319397A JP 2319397 A JP2319397 A JP 2319397A JP H10209257 A JPH10209257 A JP H10209257A
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Tadao Matsunaga
忠生 松永
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the thermal conductivity of an electrostatic chuck device and, at the same time, to improve the replaceability of an insulating film having an adsorbing surface, by forming the insulating film on a ceramic insulating plate in which electrode layers are buried with a second adhesive layer in between.
SOLUTION: In an electrostatic chuck device, a highly insulating first adhesive layer 2a, a ceramic insulating plate 7 in which electrode layers 3 are buried, a second adhesive layer 2b, and an insulting film 4 are successively provided on a metallic substrate 1. The electrode layers 3 are provided for generating polarized charges on the adsorbing surface of the film 4 and formed by burying a conductive material in wiring pattern grooves on the surface of the ceramic insulating plate 7. The adhesive layers 2a and 2b are made of a thermosetting or thermoplastic adhesive, because the layers 2a and 2b must have strong adhesive strengths and electrical characteristics against the insulating plate 7 and metallic substrate 1 and excellent heat resistances.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路製造装置等、ウエハ等の導電性物質を真空中で保持できる静電チャック装置に関し、特に吸着力、熱伝導性に優れ、吸着面(ウエハ接着面)を有する絶縁性フィルムの交換が容易な静電チャック装置およびその作製方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor integrated circuit manufacturing apparatus, relates an electrostatic chuck device with a conductive material such as a wafer can be held in a vacuum, particularly good suction force, the thermal conductivity, the suction surface (wafer replacement easy electrostatic chucking device of the insulating film having an adhesive surface) and a method for manufacturing.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体ウエハを加工する工程においては、半導体ウエハを加工機の所定部位に固定保持することが必要となる。 BACKGROUND OF THE INVENTION step of processing the semiconductor wafer, it is necessary to fix and hold the semiconductor wafer at a predetermined position of the machine. 特に半導体ウエハ上に微細なパターンを描画し、多数の半導体素子を形成する集積回路の作成においては、半導体ウエハを平坦な面に確実に保持させる必要がある。 Especially draw a fine pattern on a semiconductor wafer, in the creation of the integrated circuits forming a plurality of semiconductor elements, it is necessary to reliably hold the semiconductor wafer on a flat surface. 従来、半導体ウエハを保持させる手段としては、機械式、真空式(流体の圧力差を利用したもの)および電気式のチャック装置が用いられている。 Conventionally, as a means for holding a semiconductor wafer, mechanical, vacuum (those utilizing a pressure difference of the fluid) and electrical chuck apparatus is used. これらの中で電気式のチャック装置、すなわち静電チャック装置は平坦でない半導体ウエハであっても、密着性よく固定できるとともに、取扱が簡単で真空中でも使用が容易であるなどの利点を有している。 Chuck device of the electric Among these, i.e., the electrostatic chucking device to a semiconductor wafer is not flat, with good adhesion can be secured, has advantages such as handling is easy to use even simple vacuo there. ところで、半導体ウエハの加工中にビーム粒子等が射出衝打された場合、 Incidentally, if the beam particles, etc. is injected striking during processing of the semiconductor wafer,
半導体ウエハ上には熱エネルギーが発生するが、この発生熱エネルギーを容易に放出し得ない場合には、半導体ウエハの局部的膨張および変形を引き起こす。 Thermal energy is generated on a semiconductor wafer, but if not be easily released the heat generated energy, causing local expansion and deformation of the semiconductor wafer. したがって、加工中に発生した熱を金属基盤側に逃がし、半導体ウエハ上の温度分布を均一にする必要がある。 Therefore, the generated during processing heat released to the metal base side, it is necessary to make uniform the temperature distribution on the semiconductor wafer. そのため、これらの用途に使用される静電チャック装置には、 Therefore, the electrostatic chuck apparatus for use in these applications,
所定部位に確実に保持すると同時に熱伝導性の高いことが機能として望まれる。 It is desirable as a function high simultaneously thermal conductivity when securely held at a predetermined position.

【0003】従来の静電チャック装置の一例、例えば、 [0003] One example of a conventional electrostatic chuck device, for example,
特公平5−87177号に開示されている図2は従来の静電チャック装置の一例の模式的断面図であって、金属基盤1には恒温水等を通して温度調節するための温度調節用空間6が設けられている。 Figure 2 disclosed in KOKOKU No. 5-87177 is a schematic cross-sectional view of an example of a conventional electrostatic chuck device, temperature control space 6 for temperature control through the constant-temperature water or the like to the metal base 1 It is provided. 金属基盤1の上には静電チャック機能を生じさせるための電極層3bと絶縁性フィルム4aが接着剤層2を介して設けられ、絶縁性フィルム4aには半導体ウエハ5が吸着される。 On the metal base 1 is the electrode layer 3b and the insulating film 4a for generating an electrostatic chuck function is provided via the adhesive layer 2, the semiconductor wafer 5 is attracted to the insulating film 4a. 該電極層3 The electrode layer 3
bと金属基盤1との電気的短絡が生じないようにするため、電極層と金属基盤との間に絶縁性フィルム4bが接着剤層2を介して設けられている。 Since the electrical short between the b and the metal base 1 is to prevent the occurrence, the insulating film 4b is provided with an adhesive layer 2 between the electrode layer and the metal base. また、図3は従来の静電チャック装置の一例、例えば、特開平8−1485 Further, FIG. 3 is an example of a conventional electrostatic chuck device, for example, JP-A-8-1485
49に開示されているものの模式的断面図である。 49 is a schematic cross-sectional view of what is disclosed. 金属基盤1には上記のような温度調節用空間6が設けられている。 Temperature control space 6 as described above is provided in the metal base 1. 金属基盤1の上には絶縁性の接着剤層2が形成され、その上に金属の蒸着膜またはメッキ膜からなる電極層3aが設けられ、その上に絶縁性フィルム4が設けられてなり、これに半導体ウエハ5が吸着される。 On the metal base 1 is formed the adhesive layer 2 of insulating, the electrode layer 3a made of deposited film or plated film of a metal is provided on, becomes an insulating film 4 is provided thereon, This semiconductor wafer 5 is attracted to. 上記の静電チャック装置において、電極層3aの電極材料として、銅、アルミニウム、錫等を膜厚500オングストローム〜10μmに蒸着またはメッキしたものが、電極層3bには、厚さ1/2oz(約18μm)、或いは1o In the above electrostatic chuck device, as an electrode material of the electrode layers 3a, copper, aluminum, those deposited or plated with tin to a thickness of 500 Å 10 .mu.m, the electrode layer 3b, the thickness of 1 / 2oz (about 18μm), or 1o
z(約35μm)の銅箔が使用されている。 Copper foil z (approximately 35 [mu] m) are used.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の図2の静電チャック装置においては、半導体ウエハ5、電極層3b、金属基盤1の相互間の絶縁を確保するため絶縁性フィルム4aおよび4bを介在させ、半導体ウエハ5に対する温度調整機能が悪かった。 In [0008] the electrostatic chucking device of the prior art of FIG. 2, the semiconductor wafer 5, the electrode layer 3b, is interposed an insulating film 4a and 4b to ensure the insulation between the mutual metal base 1 , temperature adjustment function for the semiconductor wafer 5 is poor. 要するに半導体ウエハに対する基盤の冷却機能が十分に働かないという問題があった。 In short the base for semiconductor wafer cooling function has a problem that does not work sufficiently.
また、図2の静電チャック装置については、その吸着面において電極が存在する部分と存在しない部分との間に、電極層の厚さに相当する程度の凹凸が生じ、凹部では半導体ウエハとの間に空間が生じ熱の伝導が局部的に悪くなる現象が生じた。 Further, the electrostatic chucking device of Figure 2, between the part that does not exist a portion where the electrode is present at the suction surface, the degree corresponding to the thickness of the electrode layer irregularities are produced in the recesses of the semiconductor wafer space occurs heat conduction has occurred worsen symptoms locally between. この現象は冷却用ガスが用いられない外周部で顕著となり、いわゆる絶縁幅の部分が浮いた状態となって、真空中での熱伝導性が悪くなるという問題があった。 This phenomenon becomes remarkable in an outer peripheral portion of the cooling gas is not used, in a state in which part of the so-called insulation width is floating, thermally conductive in a vacuum there is a problem that deteriorates. また、図3のものは図2のものに比較して、絶縁性フィルム、電極層および接着剤層の総厚が薄くなり、熱伝導性は改善されている。 Further, those of FIG. 3 compared to that of FIG. 2, the insulating film, the total thickness of the electrode layer and the adhesive layer becomes thin, the thermal conductivity is improved. しかしながら、 However,
十分な絶縁性を確保するためには、接着剤層が少なくとも40〜50μm以上必要であり、熱伝導性はまだ十分なものではなかった。 In order to ensure sufficient insulating properties, adhesive layer is required to be at least 40~50μm or more, thermal conductivity was not yet sufficient. また、図2および図3の静電チャック装置を多数回使用すると、吸着面を有する絶縁性フィルムが疲労するため交換の必要性を生じるが、該金属基盤より上部全体を貼り替えるために作業工程が多いことおよび熱硬化性接着剤を使用した場合は不溶化した接着剤層洗浄工程の簡略化が望まれていた。 Also use multiple electrostatic chucking device of FIGS. 2 and 3, but developing a need for replacement since the insulating film having a suction surface to fatigue, work processes in order to replace bond the entire structure from said metal base simplification of insolubilized adhesive layer cleaning step when using often and thermosetting adhesive has been desired.

【0005】したがって、本発明の目的は、静電チャック装置の熱伝導性を改善させると同時に、吸着面を有する絶縁性フィルムの交換性に優れた静電チャック装置およびその作製方法を提供することにある。 It is therefore an object of the present invention, at the same time improve the thermal conductivity of the electrostatic chucking device, to provide an electrostatic chucking device and a manufacturing method excellent in replacement of an insulating film having a suction surface It is in.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、金属基盤上に第1の接着剤層、電極層を埋没せしめたセラミックからなる絶縁板、第2の接着剤層、絶縁性フィルムを順次積層してなることを特徴とする静電チャック装置および電極層を埋没せしめたセラミックからなる絶縁板を作製する工程、セラミックからなる絶縁板の非電極層面を第1 The present invention SUMMARY OF THE INVENTION, the first adhesive layer on a metal base, a ceramic which allowed buried electrode layer insulating plate, a second adhesive layer, sequentially laminated an insulating film step of preparing an insulating plate made of ceramic was allowed bury electrostatic chucking device and the electrode layer, characterized by comprising Te, the non-electrode layer face of the insulating plate made of ceramic first
の接着剤層を介して金属基盤に接着する工程と、セラミックからなる絶縁板の電極層面と絶縁性フィルムとを第2の接着剤層を介して接着する工程からなることを特徴とする静電チャック装置の製造方法である。 Electrostatic be of the step of bonding the metal base through an adhesive layer, characterized by comprising an electrode layer surface of the insulating plate made of ceramic and the insulating film from the step of bonding via the second adhesive layer it is a manufacturing method of the chuck device.

【0007】以下、本発明について詳細に説明する。 [0007] In the following, the present invention will be described in detail. 図1は本発明の静電チャック装置の一例の模式的断面図である。 Figure 1 is a schematic cross-sectional view of an example of an electrostatic chuck device of the present invention. 本発明の静電チャック装置は、金属基盤1の上に絶縁性が優れた第1の接着剤層2aを形成し、その上に電極層3を埋没せしめたセラミックからなる絶縁板7が設けられ、その上に第2の接着剤層2bを形成し、その上に絶縁性フィルム4が設けられた構造を有している。 Electrostatic chucking device of the present invention is to form a first adhesive layer 2a having excellent insulation properties on the metal base 1, the insulating plate 7 is provided consisting of ceramic allowed buried electrode layer 3 thereon , the second adhesive layer 2b is formed thereon, and has a structure in which the insulating film 4 is provided thereon.
電極層は絶縁性フィルムの吸着面に分極電荷を発生するためのものであって、導電材をセラミックからなる絶縁板表面の配線パターン溝に埋没せしめたものである。 Electrode layer are those allowed buried wiring pattern grooves of an intended for generating a polarization charge, insulating plate surface made of conductive material from the ceramic on the attracting surface of the insulating film. なお、5は半導体ウエハ、6は温度調整用空間である。 Note that 5 denotes a semiconductor wafer, 6 is a temperature regulating space.

【0008】電極層に用いる金属としては、銀、白金、 [0008] As the metal used in the electrode layer, silver, platinum,
パラジウム、銅、アルミニウム、錫、ニッケル、モリブデン、マグネシウム、タングステン等でセラミックからなる絶縁板に厚さ0.05〜2mmの導電材層を形成しやすい材料であり、安定した導電性と加工性が得られれば如何なる金属でもよく、特に限定するものではない。 Palladium, copper, aluminum, tin, nickel, molybdenum, magnesium, a material susceptible to forming a conductive material layer having a thickness of 0.05~2mm the insulating plate made of ceramic in tungsten, workability and stable conductivity as long obtained may be any metal, not particularly limited.
特に銀、白金、パラジウム、モリブデン、マグネシウム、タングステンおよびこれらの合金は、ペースト状または粉末状で扱えるため加工性、印刷容易性に優れ好ましい。 In particular silver, platinum, palladium, molybdenum, magnesium, tungsten and alloys thereof, workability since handled in paste or powder form, excellent preferred printing ease. 電極層の厚さは、絶縁板の厚さすなわち熱伝導性にも影響を与えるため、好ましい厚さは0.05〜2m The thickness of the electrode layer, since also affect the thickness or thermal conductivity of the insulating plate, the preferred thickness is 0.05~2m
m、さらに好ましくは0.05〜1mmの範囲である。 m, more preferably in the range of 0.05 to 1 mm.
導電材を埋没せしめた絶縁板は電極層を有する面の平滑性が求められるため電極層を有する面を研磨等により、平滑にすることが好ましい。 The conductive material was allowed buried insulating plate by a surface having the electrode layer for the smoothness of the surface having the electrode layer is required such as polishing, it is preferable to smooth. なお、埋没した電極層は非常に薄層であるため、絶縁板表面に付着した状態もありえる。 Since buried electrode layer is extremely thin layer, there may be a state of adhering to the insulating plate surface.

【0009】絶縁性フィルムに使用されるフィルムはε、tanδ、耐電圧等の電気特性および耐熱性等を考慮して、150℃以上の耐熱性を有する絶縁性フィルムが好ましく、特にポリイミドフィルムが好ましい。 [0009] film used for the insulating film epsilon, tan [delta, in view of electric properties and heat resistance such as withstand voltage, preferably an insulating film having a 0.99 ° C. or higher heat resistance, particularly a polyimide film is preferable . 15 15
0℃以上の耐熱性を有する絶縁性フィルムとしては、例えば、フッ素樹脂(フロロエチレン−プロピレン共重合体等)、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルケトン、セルローストリアセテート、シリコーンゴム、ポリイミド等があげられる。 As the insulating film having 0 ℃ higher heat resistance, for example, fluorine resin (fluoroalkyl ethylene - propylene copolymer, etc.), polyether sulfone, polyether ketone, cellulose triacetate, silicone rubber, polyimide and the like. ポリイミドフィルムとしては、 As a polyimide film,
例えば、カプトン(東レ・デュポン社製)、アピカル(鐘淵化学工業社製)、ユーピレックス(宇部興産社製)等の商品名で上市されているものがあげられる。 For example, (manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.) Kapton, Apical (Kaneka Corporation), include those that are marketed under the trade names such as UPILEX (manufactured by Ube Industries, Ltd.). 絶縁性フィルムの厚さは20〜75μmの範囲が好ましい。 The thickness of the insulating film in the range of 20~75μm is preferred. 熱伝導性、吸着力を考慮すると薄い方が好ましいが、機械的強度、耐電圧および耐久性(耐疲労性)を考慮すると40〜60μmの範囲が特に好ましい。 Thermal conductivity, but it is preferable thinner Considering the suction force, mechanical strength, range of considering the withstand voltage and durability (fatigue resistance) 40 to 60 [mu] m is particularly preferred.

【0010】本発明には、金属基盤上に第1の接着剤層を介して電極層を埋没せしめたセラミックからなる絶縁板が積層される。 [0010] The present invention, an insulating plate is laminated consisting of ceramic allowed buried electrode layer through the first adhesive layer on the metal base. 該セラミックは、絶縁性および熱伝導性に優れ、耐溶剤性があることおよび加工性に優れることが必要で、具体的にはアルミナ、窒化アルミ、窒化珪素、炭化珪素、ジルコニア、ガラス等が好ましく、少なくとも電極層を構成しない面が平滑なものが使用される。 The ceramic insulation and excellent thermal conductivity, required to be excellent in that and workability has solvent resistance, in particular alumina, aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, glass and the like are preferable , those surfaces that do not comprise at least the electrode layer is smooth is used. また、該セラミックは被吸着面の熱を逃がすことおよび耐久性を考慮すると、厚さは0.5〜8mmの範囲が好ましく、更に好ましくは0.5〜4mmである。 Also, the ceramic Considering that and durability release heat of the suction surface, the thickness is preferably in the range of 0.5 to 8 mm, more preferably from 0.5 to 4 mm. また、本発明においては、セラミックの一面に前記電極層を埋没させることが必要で、電極層厚さによる段差があると半導体ウエハとの密着性が悪化するため、電極層を埋没させた面の凹凸を研磨等により平滑にすることが好ましい。 In the present invention, is necessary to bury the electrode layer on one surface of the ceramic, the adhesion between the semiconductor wafer when there is a step by the electrode layer thickness is deteriorated, the surface of which is buried electrode layer it is preferable to irregularities smoothed by polishing or the like. 静電チャック装置は、半導体ウエハにHeガスを流して冷却することが一般的である。 Electrostatic chucking device, it is common to cool by flowing He gas to the semiconductor wafer. したがって、該セラミックからなる絶縁板にはHeガス孔を設けることが好ましい。 Therefore, it is preferable that the insulating plate made of the ceramic is provided He gas holes.

【0011】次に、これらの材料を金属基盤に接着するための接着層としては、絶縁性フィルム、電極層を埋没せしめたセラミックからなる絶縁板および金属基盤の3 [0011] Next, as the adhesive layer for bonding these materials to the metal base, the insulating film, the third insulating plate and the metal base made of ceramic was allowed buried electrode layer
者に対する接着力と電気特性および耐熱性に優れていることが必要であり、熱硬化性接着剤および熱可塑性接着剤が使用される。 It is necessary to have excellent adhesion and electrical properties and heat resistance for persons, thermosetting adhesives and thermoplastic adhesives are used. 本発明に使用する接着剤を構成する樹脂の例としては、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、 Examples of the resin constituting the adhesive used in the present invention, for example, epoxy, polyimide,
変性ポリアミド系、ゴム系、ポリアミドイミド系、変性ポリエステル系等の接着剤が有効であり、それぞれ単独または混合物として用いることができる。 Modified polyamide, rubber-based, polyamide-imide, a glue of modified polyester or the like is enabled, can be used as alone or in mixtures.

【0012】本発明の静電チャック装置に使用される絶縁性フィルムおよび接着剤層の熱伝導率は従来と同様な材料を使用するため変わらないが、絶縁性および熱伝導性に優れたセラミックからなる絶縁板を使用することで図3に開示された技術に比較して絶縁性フィルムとセラミックからなる絶縁板とを接着する第2の接着剤層および第1の接着剤層を薄くすることが可能になったことにより、吸着面に受ける熱を素早くセラミックからなる絶縁板に、また絶縁板から金属基盤に逃がすことができる。 [0012] Thermal conductivity of the insulating film and the adhesive layer used in electrostatic chucking device of the present invention does not change for the use of conventional and similar materials, ceramic having excellent insulating properties and thermal conductivity It is possible to reduce the second adhesive layer and the first adhesive layer as compared to the technique disclosed in FIG. 3 bonding the insulating film and made of a ceramic insulating plate by using a composed insulating plate by enabled, the insulating plate made of quickly ceramic heat receiving the suction surface, and may be released to the metal base of an insulating plate. また、接着剤層が薄くなったため絶縁性フィルム交換作業時の接着剤層面洗浄工程が容易になり、交換作業性が改善された。 The adhesive layer surface cleaning step during insulating film replacement operation for the adhesive layer becomes thinner becomes easy replacement workability is improved.

【0013】次に、本発明の静電チャック装置の作製方法について説明する。 [0013] Next, a method for manufacturing the electrostatic chucking device of the present invention. 先ず、厚さ0.5〜8mmのセラミックからなる絶縁板の一面を所定のパターンに基づいて研削加工する。 First, grinding based on one surface of the insulating plate made of ceramic having a thickness of 0.5~8mm in a predetermined pattern. 次いで白金パラジウム、銀ペースト等の導電材を研削部にスクリーン印刷等で塗布した後、加熱硬化、必要に応じて数100℃での焼成を行い電極層を形成する。 Then platinum palladium, was applied by screen printing or the like to the grinding unit a conductive material such as silver paste, heat curing, to form the electrode layer and baked at a few 100 ° C., if necessary. この後、電極層を形成した面を研磨等により平滑にすることが好ましい。 After this, it is preferable that the surface on which an electrode layer was formed on the smoothed by polishing or the like. また、セラミック絶縁板を製造する際、焼成前のセラミック絶縁板に所定のパターン形状に凹部を形成し上記導電材を印刷あるいは塗布した後、焼成して製造してもよい。 Further, when manufacturing a ceramic insulating plate, after printing or applying the conductive material to form a recess in a predetermined pattern on the ceramic dielectric plate before baking, it may be prepared by firing.

【0014】次に、前記セラミックからなる絶縁板の非電極層面を第1の接着剤層を介して金属基盤に接着する。 [0014] Next, bonding the non-electrode layer face of the insulating plate made of the ceramic to the metal base through the first adhesive layer. 該接着剤層は、前記したものが好ましく使用され、 Adhesive layer, those described above are preferably used,
セラミックからなる絶縁板の熱を金属基盤に逃がしやすくするため薄くすることが好ましい。 It is preferable that the heat insulating plate made of ceramic thinner for easy escape to the metal base. この時、絶縁板および金属基盤は厚さ方向に貫通孔を有し、導電性部材が該セラミックからなる絶縁板に埋没した電極と該金属基盤間に該貫通孔を介して電圧を印加できるよう加工することが好ましい。 In this case, the insulating plate and the metal base has a through-hole in the thickness direction, so that the conductive member can apply a voltage via the through holes between the buried electrodes and the metal base in an insulating plate made of the ceramic processing it is preferable to. 次にセラミックからなる絶縁板の電極層面と絶縁性フィルムとを第2の接着剤層を介して接着する。 Then bonding the electrode layer surface of the insulating plate made of ceramic and the insulating film through the second adhesive layer. 熱硬化性接着剤を使用した場合は、必要に応じて適切な加熱、半硬化させる処理および硬化処理を行う。 When using a thermosetting adhesive, suitable heating, the process and hardening treatment to semi-cure when necessary.
上記のようにして本発明の静電チャック装置を作製することができる。 It can be manufactured an electrostatic chuck device of the present invention as described above. 吸着面の絶縁性フィルムが疲労した場合、疲労した絶縁性フィルム、電極層および第2の接着剤層を剥がし、新しい積層体シートを接着する。 If the insulating film of the suction surface is fatigued, tired insulating film, peeled off the electrode layer and the second adhesive layer to bond the new laminate sheet. 上記工程で、疲労した絶縁性フィルムは簡便に交換できる。 In the process, the fatigue and the insulation film can be easily exchanged.

【0015】以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明する。 [0015] Hereinafter, will be explained in more detail with reference to the present invention embodiment.

【実施例】 【Example】

実施例1 厚さ2mmのアルミナセラミック絶縁板(東芝セラミックス社製商品名:AL−16)の一面を所定のパターンに基づいて深さ0.1mmに研削加工した。 Alumina ceramic insulator plate of Example 1 thickness 2 mm (Toshiba Ceramics Co., Ltd. trade name: AL-16) was machined on depth 0.1mm based on one surface of a predetermined pattern. 次に下記組成の銀ペーストを作成し、絶縁板の研削部に塗布、加熱して電極層を硬化させた後、電極層面を研磨して平滑にした。 Then create a silver paste having the following composition, coating the grinding portion of the insulating plate, after curing the electrode layer by heating, and smoothed by polishing the electrode layer surface. なお、下記配合における部は重量部である。 All parts in the following composition are parts by weight. 次いで、該絶縁板の非電極面に下記組成の接着剤を乾燥後の厚さが20μmになるよう塗布を行い、150℃で5分間乾燥し、金属基盤と貼り合わせた。 Then, an adhesive of the following composition in the non-electrode side of the insulating plate was coated to a dry thickness of 20 [mu] m, and dried for 5 minutes at 0.99 ° C., it was bonded to the metal base. この時、該金属基盤および該絶縁板は厚さ方向に貫通孔を開け、該金属基盤はその貫通孔内に導電性部材を通して、電極層と該金属基盤間に電圧を印加できるようにした。 At this time, the metal base and the insulating plate are drilled through holes in the thickness direction, the metal foundation through conductive member in the through hole, and to be able to apply a voltage between the electrode layer and the metal base. 次いで、厚さ50μmの絶縁性ポリイミドフィルム(東レ・デュポン社製商品名:カプトン)の一面に該接着剤を乾燥後の厚さが20μmになるよう塗布を行い、15 Then, an insulating polyimide film having a thickness of 50 [mu] m (manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd. trade name: Kapton) was coated so that the thickness after drying the adhesive to one surface of becomes 20 [mu] m, 15
0℃で5分間乾燥して第2の接着剤層を形成した後、金属基盤と貼り合わせ、80℃〜150℃のステップキュアー処理を5時間行って接着し、本発明による直径8インチの静電チャック面を有する静電チャック装置を作製した。 After forming the second adhesive layer and dried for 5 minutes at 0 ° C., bonded to the metal base, the step cure process 80 ° C. to 150 DEG ° C. bonded performed 5 hours, static 8 inches in diameter according to the present invention to prepare an electrostatic chuck device with a chuck surface.

【0016】実施例2 実施例1で使用したアルミナセラミック絶縁板の代わりに、厚さ3mmの窒化珪素セラミック(東芝セラミックス社製商品名:TSN−03)を使用し、研削加工深さを0.3mmにし、電極層に銀−パラジウム合金を使用して電極層を焼成した以外は、実施例1と同様にして本発明による静電チャック装置を作製した。 [0016] Instead of alumina ceramic insulating plate used in Example 1, silicon nitride ceramic having a thickness of 3 mm (Toshiba Ceramics Co., Ltd. trade name: TSN-03) using a grinding depth 0. to 3 mm, silver electrode layer - except firing the electrode layer using a palladium alloy, was prepared electrostatic chuck device according to the present invention in the same manner as in example 1.

【0017】実施例3 実施例1で使用したアルミナセラミック絶縁板の代わりに、厚さ4mmの窒化アルミニウムセラミック(東芝セラミックス社製商品名:TAN−01)を使用し、研削加工深さを0.4mmにし、電極層に白金−パラジウム合金を使用して電極層を焼成した以外は、実施例1と同様にして本発明による静電チャック装置を作製した。 [0017] Instead of alumina ceramic insulating plate used in Example 3 Example 1, aluminum nitride ceramics having a thickness of 4 mm (Toshiba Ceramics Co., Ltd. trade name: TAN-01) using a grinding depth 0. to 4 mm, platinum electrode layers - except firing the electrode layer using a palladium alloy, was prepared electrostatic chuck device according to the present invention in the same manner as in example 1.

【0018】実施例4 実施例1で使用したアルミナセラミック絶縁板の代わりに、製造時に所定の電極パターン状に深さ0.08mm [0018] Instead of alumina ceramic insulating plate used in Example 4 Example 1, the depth 0.08mm to predetermined electrode pattern at the time of manufacture
の凹部を設け銀−パラジウム合金の電極層を形成して焼成・製造した厚さ2mmの炭化珪素セラミック(東芝セラミックス社製商品名:TSC−01)を使用した以外は、実施例1と同様にして本発明による静電チャック装置を作製した。 Silver a recess of - silicon carbide ceramic having a thickness of 2mm was fired and manufactured by forming an electrode layer of palladium alloy (Toshiba Ceramics Co., Ltd. trade name: TSC-01) was used instead is in the same manner as in Example 1 an electrostatic chucking device according to the present invention was fabricated Te.

【0019】実施例5 実施例1で使用したアルミナセラミック絶縁板の代わりに、製造時に所定の電極パターン状に深さ0.06mm [0019] Example 5 instead of the alumina ceramic insulating plate used in Example 1, the depth 0.06mm to predetermined electrode pattern at the time of manufacture
の凹部を設け銀−パラジウム合金の電極層を形成して焼成・製造した厚さ1.5mmのアルミナセラミック(東芝セラミックス社製商品名:AL−13)を使用した以外は、実施例1と同様にして本発明による静電チャック装置を作製した。 Silver a recess of - alumina ceramic having a thickness of 1.5mm was fired and manufactured by forming an electrode layer of palladium alloy (Toshiba Ceramics Co., Ltd. trade name: AL-13) was used instead, the same as in Example 1 It was manufactured an electrostatic chuck device according to the present invention.

【0020】比較例1 実施例1で使用した厚さ50μmの絶縁性ポリイミドフィルムに実施例1で使用した接着剤を用いて、接着剤層の乾燥後の厚さが10μmになるよう塗布を行い、15 [0020] using an adhesive used in Example 1 on an insulating polyimide film having a thickness of 50μm used in Comparative Example 1 Example 1, the thickness after drying the adhesive layer was coated so as to be 10μm , 15
0℃で5分間乾燥を行った後、厚さ23μmの銅箔を貼り合わせて80℃〜150℃のステップキュアー処理を行った。 After drying for 5 minutes at 0 ° C., it was subjected to step curing process by bonding copper foil having a thickness of 23μm 80 ℃ ~150 ℃. 該ポリイミドフィルムの銅箔面にネガ型感光フィルム(ヘキスト社製商品名:OZATEC−T53 Negative photosensitive film (Hoechst trade name copper foil surface of the polyimide film: OZATEC-T53
8)を使用して露光−現像−エッチング−洗浄−乾燥して所定形状の電極を形成した。 To exposure using 8) - developing - etching - washing - drying to form an electrode of predetermined shape. 一方、他の前記ポリイミドフィルムの一面に、該接着剤用塗料を接着剤層の乾燥後の厚さが10μmになるよう塗布を行い、150℃で5分間乾燥を行い接着剤層を形成した。 On the other hand, on one surface of the other of the polyimide film, it was coated so that the thickness after drying of the coating adhesive adhesive layer is 10 [mu] m, to form an adhesive layer for 5 minutes drying at 0.99 ° C.. 該接着剤層と前記電極を形成したポリイミドフィルムの電極面とを貼り合わせた。 Bonding the electrode surfaces of the polyimide film and the adhesive layer was formed the electrodes. 次いで、この積層したポリイミドフィルムの一面に乾燥後の厚さが20μmになるよう接着剤用塗料を塗布し、150℃で5分間乾燥を行った後、実施例1 Then, after the thickness after drying on one surface of the laminated polyimide film coated with the coating adhesive so as to be 20 [mu] m, it was subjected to 5 minutes Drying at 0.99 ° C., Example 1
で使用した金属基盤に貼り合わせ、80℃〜150℃のステップキュアー処理を行って直径8インチの静電チャック面を有し、図2に示す構造の静電チャック装置を作製した。 In bonding the metal base used, by performing the steps curing process of 80 ° C. to 150 DEG ° C. has an electrostatic chucking surface of a diameter of 8 inches was produced an electrostatic chuck device having the structure shown in FIG.

【0021】比較例2 比較例1の銅箔の代わりに、比較例1で使用した絶縁性ポリイミドフィルムにの一面に800オングストロームの厚さにアルミニウム蒸着層を形成した以外は比較例1 [0021] Instead of the copper foil of Comparative Example 2 Comparative Example 1, except that the formation of the vapor-deposited aluminum layer to a thickness of 800 Å on one surface of an insulating polyimide film used in Comparative Example 1 Comparative Example 1
と同様にして電極層を形成した。 To form an electrode layer in the same manner as. 該ポリイミドフィルムの電極層面に、乾燥後の厚さが20μmになるよう実施例1で使用した接着剤用塗料を塗布し、150℃で5分間乾燥を行った。 The electrode layer surface of the polyimide film, the thickness after drying the adhesive coating material used in Example 1 so as to be 20 [mu] m, was subjected to 5 minutes Drying at 0.99 ° C.. 更に、該接着剤層面に第2回目の塗布を行い膜厚40μmの接着剤層を形成した。 Further, to form an adhesive layer having a thickness of 40μm perform the second application to the adhesive layer surface. 次に、実施例1で使用した金属基盤と該電極層を形成したポリイミドフィルムの接着剤層面を貼り合わせた後、80℃〜1 Then, after attaching an adhesive layer surface of the polyimide film to form a metal base and the electrode layer used in Example 1, 80 ° C. to 1
50℃のステップキュアー処理を行って直径8インチの静電チャック面を有し、図3に示す構造の静電チャック装置を作製した。 Performing step curing process of 50 ° C. has an electrostatic chucking surface of a diameter of 8 inches was produced an electrostatic chuck device having the structure shown in FIG.

【0022】前記実施例および比較例によって得られた静電チャック装置を用い、半導体ウエハの表面温度を測定し、その結果を表1に示した。 [0022] using the examples and comparative examples obtained electrostatic chucking device, measuring the surface temperature of the semiconductor wafer, and the results are shown in Table 1. (測定方法)半導体ウエハ上に温度測定プレートを貼り付け、下記エッチング条件にて1分間放電し、ウエハ中心部、エッジ部、中間部の温度を測定した。 (Measurement Method) Paste the temperature measurement plate on a semiconductor wafer, and a discharge for 1 minute under the following etching conditions, the wafer center portion, the edge portion was measured the temperature of the intermediate portion. なお、静電吸着の印加電圧は2.0KVであった。 Incidentally, the applied voltage of the electrostatic adsorption was 2.0 KV. (エッチング条件)高周波出力=1400(W)、チャンバー真空度=40(mT)、チャンバー内充填ガス: (Etching conditions) RF power = 1400 (W), the chamber vacuum = 40 (mT), a chamber charged gas:
CHF 3 /CO=45/155(sccm)、ウエハと静電チャック面を接触させた際の隙間に流すHeガス= CHF 3 / CO = 45/155 (sccm), He gas to flow into the gap when contacting the wafer and the electrostatic chuck surface =
10(Torr)、チャンバー内温度(上部/側面/底部)=60/60/20(℃) 10 (Torr), chamber temperature (top / side / bottom) = 60/60/20 (℃)

【0023】 [0023]

【表1】 [Table 1]

【0024】表1の結果から明らかなように、本発明の静電チャック装置は半導体ウエハのエッジ部において面内温度が低く、放熱効果が大きいことが判る。 [0024] As apparent from the results in Table 1, the electrostatic chucking device of the present invention is the in-plane temperature is low at the edge portion of the semiconductor wafer, it can be seen that the heat dissipation effect is large. また、比較例1および比較例2の静電チャック装置は電極作製時にネガ型感光フィルムを貼り合わせて、露光−現像−エッチング−洗浄−乾燥工程で所定形状の電極層を形成する。 Further, the electrostatic chucking device of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 by laminating negative photosensitive film during electrode fabrication, exposure - development - etching - washed - forming an electrode layer of a predetermined shape in the drying step. 非吸着面の絶縁層が疲労した場合、該工程を行い金属基盤上部の各層を交換することになる。 If the insulating layer of the non-adsorbed surface is fatigued, it will replace the layers of metal base top perform the process. 本発明の静電チャック装置は、絶縁性が確保されるため比較例2よりも第1および第2の接着剤層を薄層化でき、放熱効果が大きいと同時に、絶縁性フィルム交換の際セラミック絶縁板上部の第2の接着剤層の洗浄が容易になるため、交換時の作業性が大幅に改善される。 Electrostatic chucking device of the present invention, than in Comparative Example 2 because the insulating property is ensured can thinned first and second adhesive layers, at the same time as the heat radiation effect is large, the ceramic when the insulating film exchange since it is easy to wash of the insulating plate second adhesive layer of the upper, workability at the time of replacement is significantly improved.

【0025】 [0025]

【発明の効果】本発明の静電チャック装置は、上記のよう電極層を埋没せしめたセラミックからなる絶縁板に第2の接着剤層を介して絶縁性フィルムが積層されてなるため、従来の静電チャック装置より薄層の接着剤層になる。 Electrostatic chucking device of the present invention exhibits, since the second insulating through an adhesive layer film is laminated to the insulating plate made of ceramic was allowed buried electrode layer as described above, the conventional than the electrostatic chucking device comprising the adhesive layer of the thin layer. したがって、熱伝導性を改善できると同時に、絶縁性フィルムが疲労した場合の交換作業性が大幅に改善される優れた効果を奏する。 Therefore, at the same time it can improve the thermal conductivity, an excellent effect that replacement of the case where the insulating film is fatigue is greatly improved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の静電チャック装置の一例の断面図である。 1 is a cross-sectional view of one example of an electrostatic chuck device of the present invention.

【図2】従来の静電チャック装置の一例の断面図である。 2 is a cross-sectional view of an example of a conventional electrostatic chuck device.

【図3】従来の静電チャック装置の一例の断面図である。 3 is a cross-sectional view of one example of a conventional electrostatic chuck device.

【符号の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE SYMBOLS

1・・金属基盤、 2・・接着剤層、 2a・・第1の接着剤層、2b・・第2の接着剤層、 3,3a,3b 1 ... metal base, 2 ... adhesive layer, 2a ... first adhesive layer, 2b ... second adhesive layer, 3, 3a, 3b
・・電極層、4,4a,4b・・絶縁性フィルム、 5 · Electrode layer, 4, 4a, 4b ... insulating film, 5
・・半導体ウエハ、6・・温度調整用空間、 7・・絶縁板 ... semiconductor wafer, 6 ... temperature adjusting space, 7 ... insulating plate

Claims (5)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 金属基盤上に第1の接着剤層、電極層を埋没せしめたセラミックからなる絶縁板、第2の接着剤層、絶縁性フィルムを順次積層してなることを特徴とする静電チャック装置。 The first adhesive layer 1. A on the metal base, an insulating plate made of ceramic was allowed buried electrode layer, a second adhesive layer, the electrostatic characterized by comprising sequentially stacking an insulating film chucking device.
  2. 【請求項2】 前記金属基盤およびセラミックからなる絶縁板は厚さ方向に貫通孔を有し、導電性部材が該セラミックからなる絶縁板に埋没した電極と該金属基盤間に該貫通孔を介して電圧を印加することを特徴とする請求項1記載の静電チャック装置。 Wherein having said metal base and the insulating plate through holes in the thickness direction of ceramic, through a through hole conductive member between buried electrodes and the metal base in an insulating plate made of the ceramic electrostatic chucking device of claim 1, wherein applying a voltage Te.
  3. 【請求項3】 前記絶縁板に埋没せしめた電極がパラジウム合金からなることを特徴とする請求項1記載の静電チャック装置。 3. An electrostatic chucking device according to claim 1, wherein the electrode was allowed buried in the insulating plate, characterized in that it consists of palladium alloy.
  4. 【請求項4】 前記絶縁性フィルムがポリイミドからなることを特徴とする請求項1記載の静電チャック装置。 4. The electrostatic chucking device of claim 1, wherein the insulating film is characterized by comprising the polyimide.
  5. 【請求項5】 電極層を埋没せしめたセラミックからなる絶縁板を作製する工程、セラミックからなる絶縁板の非電極層面を第1の接着剤層を介して金属基盤に接着する工程と、セラミックからなる絶縁板の電極層面と絶縁性フィルムとを第2の接着剤層を介して接着する工程からなることを特徴とする静電チャック装置の製造方法。 5. A process for manufacturing an insulating plate made of ceramic was allowed buried electrode layer, and the step of bonding the metal base of the non-electrode layer face of the insulating plate made of ceramic via the first adhesive layer, a ceramic method of manufacturing an electrostatic chuck device characterized by comprising an electrode layer side of the composed insulating plate and the insulating film from the step of bonding via the second adhesive layer.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002037541A2 (en) * 2000-11-01 2002-05-10 Applied Materials, Inc. Etch chamber for etching dielectric layer with expanded process window
US6716302B2 (en) 2000-11-01 2004-04-06 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
JP2006080509A (en) * 2004-09-08 2006-03-23 Alcatel Thin substrate support
US7436645B2 (en) 2004-10-07 2008-10-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US7648914B2 (en) 2004-10-07 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Method for etching having a controlled distribution of process results
TWI449124B (en) * 2010-03-24 2014-08-11 Toto Ltd
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002037541A2 (en) * 2000-11-01 2002-05-10 Applied Materials, Inc. Etch chamber for etching dielectric layer with expanded process window
WO2002037541A3 (en) * 2000-11-01 2002-10-10 Applied Materials Inc Etch chamber for etching dielectric layer with expanded process window
US6716302B2 (en) 2000-11-01 2004-04-06 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
US6797639B2 (en) 2000-11-01 2004-09-28 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
JP2006080509A (en) * 2004-09-08 2006-03-23 Alcatel Thin substrate support
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US7436645B2 (en) 2004-10-07 2008-10-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US7648914B2 (en) 2004-10-07 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Method for etching having a controlled distribution of process results
US8075729B2 (en) 2004-10-07 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US9883549B2 (en) 2006-07-20 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having rapid temperature control
US10257887B2 (en) 2006-07-20 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly
TWI449124B (en) * 2010-03-24 2014-08-11 Toto Ltd

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