JPH10189242A - Wave length conversion type luminescent device - Google Patents

Wave length conversion type luminescent device

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JPH10189242A
JPH10189242A JP34097996A JP34097996A JPH10189242A JP H10189242 A JPH10189242 A JP H10189242A JP 34097996 A JP34097996 A JP 34097996A JP 34097996 A JP34097996 A JP 34097996A JP H10189242 A JPH10189242 A JP H10189242A
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JP
Japan
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light
wavelength
light emitting
emitting device
wavelength conversion
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Application number
JP34097996A
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Japanese (ja)
Inventor
Sukeyuki Fujii
Yasuhiro Ueda
康博 上田
祐行 藤井
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wave length conversion type luminescent device which efficiently absorbs and converts ultraviolet rays and emits fluorescence with high brightness by arranging a wave length conversion part whose cross section is made gradually thin from the central part to the circumferential part in a light transmitting base material which is formed on the outgoing side of a light irradiating body.
SOLUTION: In a wave length conversion type luminescent device, a light emitting diode 2 which emits ultraviolet rays is arranged on the one surface of a square light transmitting base material 1 formed with sapphire. Wave length conversion parts 3R, 3G, 3B which emit lights of red, green, blue are arrange in order in a line on the opposite side of the light transmitting base material 1, and the cross section of each of the wave length conversion parts 3R, 3G, 3B is formed in a dome shape whose thickness is made thin from the central part to the circumferential part. When DC voltage is applied to between an n-side electrode 26 and a p-side electrode 27, ultraviolet rays are emitted from a luminescent layer 23, introduced into the wave length conversion parts 3R, 3G, 3B, and since the wave length conversion parts 3R, 3G, 3B have the dome shape, fluorescence with high brightness is efficiently obtained from the ultraviolet rays.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】この発明は波長変換型発光装置に係り、様々な光照射体から出射された光の波長を変換させて、様々な色彩の光が得られるようにする波長変換型発光装置に関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wavelength conversion-type light emitting device, by converting the wavelength of light emitted from different light irradiator, wavelength converted light emission to light is obtained in various colors to an apparatus.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来より、フルカラーの表示を行なう等の目的で、様々な色彩の光を得る方法が種々検討されており、一般には、白色光をカラーフィルターに通して赤、緑、青の光を得ることが行なわれていた。 BACKGROUND ART Conventionally, for the purpose of performing full color display, are methods studied to obtain a light of various colors, generally red through the white light to the color filter, green, and blue to obtain a light has been carried out.

【0003】しかし、このように白色光をカラーフィルターに通して赤、緑、青の光を得るようにした場合、カラーフィルターにおける光の吸収により得られる光の輝度が低下するという問題があった。 However, red through this way the white light to the color filter, green, when to obtain a light blue, the luminance of light obtained by the absorption of light in the color filter is lowered .

【0004】このため、近年においては、発光ダイオード素子や、有機及び無機エレクトロルミネッセンス素子等の自己発光素子を用い、これらの自己発光素子から様々な色彩の光が得られるようにすることについて検討が行なわれるようになった。 [0004] Therefore, in recent years, and light-emitting diode element, is considered to use a self-luminous element such as an organic and inorganic electroluminescent device, so that light of various colors from these self-luminous element is obtained It came to be carried out.

【0005】しかし、上記のような自己発光素子において、様々な色彩について高輝度の発光を得ることは困難であり、例えば、発光ダイオード素子の場合には、青色や緑色等の高輝度な発光が得られなかったり、また有機エレクトロルミネッセンス素子の場合には、赤色の高輝度な発光が得られない等の問題があった。 However, in the self light emitting element as described above, it is difficult to obtain light emission of high brightness for various colors, for example, in the case of the light emitting diode element, a high-luminance light emission of blue or green, etc. can not be obtained, in the case of an organic electroluminescent device, a problem such as the red high brightness light emission can not be obtained.

【0006】また、有機エレクトロルミネッセンス素子の場合、微細化が困難であるために、発光部分の寸法が大きくなり、繊細なカラー表示が行なえない等の問題もあった。 Further, when the organic electroluminescent device, since miniaturization is difficult, the dimensions of the light emitting portion becomes large, delicate color display has a problem of not like performed.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、フルカラーの表示を行なう等の目的で、様々な色彩の光を得る場合における上記のような問題を解決することを課題とするものであり、様々な色彩について高輝度の光を得られるようにすると共に、微細な部分においても様々な色彩の光が得られ、繊細なカラー表示が行なえるようにすることを課題とするものである。 [Problems that the Invention is to Solve The invention has the purpose of performing full color display, which is an object to solve the above problems in the case of obtaining light of various colors, various such as to be obtained a high luminance of light for color, light of various colors can be obtained even in minute details, it is an object of the delicate color display is for perform.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】この発明においては、上記のような課題を解決するため、光照射体の出射面側に光透過性基材が設けられると共に、この光透過性基材に上記の光照射体から出射された光の波長を変換する波長変換材料で構成された波長変換部が設けられ、この波長変換部の断面形状が中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなるように形成された波長変換型発光装置を開発したのである。 In Means for Solving the Problems] The present invention, in order to solve the problems as described above, the light-transmitting substrate on the exit surface side of the light irradiator is provided, above the light-transmitting substrate wavelength conversion section comprising a wavelength conversion material that converts a wavelength of light emitted from the light irradiator is provided with, as the thickness cross section of the wavelength conversion portion toward the peripheral portion from the central portion is thinner the formed wavelength conversion-type light emitting device is to that developed.

【0009】そして、この発明における波長変換型発光装置においては、上記の光照射体から出射された光が光透過性基材に設けられた波長変換部に導かれ、この波長変換部を構成する波長変換材料によって光照射体から出射された光の波長が変換されて、この波長変換部から特定の色彩の光が得られるようになる。 [0009] Then, in the wavelength conversion-type light emitting device in the present invention, light emitted from the light irradiator is guided to the wavelength conversion unit provided in the optical transmitting substrate, constituting the wavelength converting portion and the wavelength of the light emitted from the light irradiator is converted by the wavelength converting material, the light of a particular color from the wavelength converting portion can be obtained.

【0010】このように、光照射体から出射された光の波長を波長変換部を構成する波長変換材料により変換させて異なった色彩の光を得るようにすると、白色光をカラーフィルターに通して特定の色彩の光を得る場合に比べて、得られる光の輝度が低下するということが少なく、特定の色彩の高輝度な光が得られるようになる。 [0010] Thus, when the wavelength of light emitted from the light irradiator is converted by the wavelength converting material constituting the wavelength converting portion so as to obtain the light of different colors, the through white light to the color filter as compared with the case of obtaining light of a particular color, less that the luminance of light obtained is reduced, so that high brightness light of a particular color is obtained.

【0011】また、この発明における波長変換型発光装置においては、波長変換部を構成する波長変換材料を適当に選択することにより、前記の自己発光素子においては得られなかった様々な色彩についても高輝度の光が得られるようになり、また波長変換材料を用いて波長変換部を形成する場合に、波長変換部を微細なパターンに加工することができ、自己発光素子を用いた場合に比べて繊細なカラー表示が行なえるようになる。 Further, in the wavelength conversion-type light emitting device in the present invention, by appropriately selecting the wavelength converting material constituting the wavelength converting part, the high even for different colors which can not be obtained in the self light emitting element become light luminance can be obtained, also in the case of forming the wavelength converting portion using the wavelength conversion material, it is possible to process the wavelength conversion unit into a fine pattern, as compared with the case of using a self-luminous element delicate color display is so performed.

【0012】さらに、この発明における波長変換型発光装置においては、上記の波長変換部の断面形状が中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなるように形成しているため、光照射体から出射された光がこの波長変換部に閉じ込められ、この波長変換部を構成する波長変換材料に上記の光が十分に吸収されて波長の変換が効率良く行なわれ、この波長変換部から特定の色彩になった高輝度な光が得られるようになる。 Furthermore, in the wavelength conversion-type light emitting device in the present invention, since the cross-sectional shape of the wavelength converting portion described above is formed such that the thickness toward the peripheral portion from the central portion becomes thinner, emitted from the light irradiator light is confined to the wavelength converting portion, said light wavelength converting material constituting the wavelength converting portion is sufficiently absorbed conversion wavelength is performed efficiently, the specific color from the wavelength converting portion become high intensity light was can be obtained.

【0013】また、前記のように光透過性基材に波長変換部を設けるにあたって、光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数の波長変換部を設け、例えば、赤色の光に変換する波長変換部と、緑色の光に変換する波長変換部と、青色の光に変換する波長変換部とを設けると、高輝度で繊細なフルカラーの表示が行えるようになる。 Further, when providing the wavelength converting portion on the light transmitting substrate as described above, a plurality of wavelength converting portions for converting light emitted from the light irradiation to light of the respective different wavelengths, for example, a wavelength converter which converts the red light, and a wavelength converter that converts the green light, providing a wavelength converter for converting the blue light, so enabling the display of delicate full color high brightness.

【0014】ここで、上記の光照射体としては、光源からの光を導光板を用いて導くようにしたものを用いることもできるが、上記の波長変換部において光の波長の変換が効率良く行なえるようにすると共に、その駆動の制御も容易に行なえるようにするため、一定範囲の波長の光を出射する発光ダイオード素子や有機及び無機エレクトロルミネッセンス素子等の自己発光素子を用いることが好ましく、特に、1種類の自己発光素子から発光された光を、上記の波長変換部において高輝度な様々な色彩の光に変換させるにあたっては、波長が400nm以下の紫外線を照射する発光ダイオードを用いることが好ましい。 [0014] Here, the light irradiation of the above, it is also possible to use a material obtained by the light from the light source to guide with the light guide plate, the conversion of the wavelength of light in the wavelength converting portion described above efficiently while the so performed, in order to control also easily so that the drive, it is preferable to use a self-luminous element such as a light emitting diode and organic and inorganic electroluminescent device that emits light of a range of wavelengths in particular, one of the light emitted from the self light emitting element, the wavelength converting portion of the carrying is converted to high brightness various colors of light, using the light emitting diode having a wavelength irradiates UV light below 400nm It is preferred.

【0015】また、光照射体に上記のような自己発光素子を複数設けるようにすると、各自己発光素子の駆動を適切に走査させて、適当な位置における波長変換部を発光させることができ、これによって右目用と左目用の映像を表示させることができるようになり、カラー液晶パネル等と組み合わせることにより、フルカラーの立体映像システムの表示装置としても利用できるようになる。 Further, when so providing a plurality of self-emitting elements as described above in the light irradiator, the self-luminous properly by scanning the driving element, it is possible to emit light converter at an appropriate position, This makes it possible to display the image for the left eye and the right eye, by combining the color liquid crystal panel or the like, also made available as a display device of the stereoscopic video system full color.

【0016】一方、波長変換部において光照射体から出射された光の波長を変換させる波長変換材料としては、 [0016] On the other hand, as the wavelength conversion material for converting the wavelength of light emitted from the light irradiator in the wavelength converting portion,
光照射体から出射された光を吸収して励起され、蛍光や遅延蛍光や燐光や高調波光等の光を発する材料を用いるようにし、光照射体から出射された光の波長や、波長変換部において波長変換させて出射する色彩の波長等に応じて適当な材料を選択して用いるようにする。 It is excited by absorbing light emitted from the light irradiator, to use a fluorescent or delayed fluorescence and phosphorescence or material that emits light, such as harmonic light, and the wavelength of the light emitted from the light irradiator, the wavelength conversion unit so as to select and use suitable materials depending on the wavelength of the color or the like to emit by the wavelength conversion in the.

【0017】ここで、この波長変換部における波長変換材料に、光照射体から出射された光を吸収して遅延蛍光や燐光を発する材料を使用した場合、一般的特性として、蛍光に比べて発光寿命が長くなり、光照射体から出射された光が短時間のパルス光の場合においても、この波長変換部からはパルス幅の長い光が得られるようになる。 [0017] Here, the wavelength converting material in the wavelength converting portion, when absorbs light emitted from the light irradiator using a material that emits delayed fluorescence and phosphorescence, as general characteristics, light emission in comparison with the fluorescence life is long, when the light emitted from the light irradiator is a short pulsed light also becomes pulse width is long light obtained from the wavelength converting portion.

【0018】 [0018]

【実施例】以下、この発明の実施例に係る波長変換型発光装置を添付図面に基づいて具体的に説明する。 EXAMPLES The following specifically described on the basis of the wavelength conversion-type light emitting device according to an embodiment of the present invention in the accompanying drawings. なお、 It should be noted that,
この発明における波長変換型発光装置は、特に下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施できるものである。 Wavelength converted light emitting device in the present invention is not particularly limited to those shown in the following examples, in which can be carried out appropriately modified within a scope not changing the gist thereof.

【0019】(実施例1)この実施例における波長変換型発光装置においては、図1に示すように、サファイア即ちα−アルミナ結晶で構成され一辺が16mmの正方形状になった光透過性基材1の片面に、光照射体2として370nm付近に発光ピーク波長を有する紫外線を照射する発光ダイオード素子2を設けている。 [0019] In the wavelength conversion-type light emitting device in Example 1 This example, as shown in FIG. 1, the light transmissive substrate side is composed of a sapphire i.e. α- alumina crystal becomes square 16mm the single-sided, and a light emitting diode element 2 is irradiated with ultraviolet rays having an emission peak wavelength around 370nm as the light irradiator 2 is provided.

【0020】一方、上記の光透過性基材1の反対側の面には、図1及び図2に示すように、上記の発光ダイオード素子2から出射された光の波長を変換させて、赤色の光を発するライン状の波長変換部3Rと、緑色の光を発するライン状の波長変換部3Gと、青色の光を発するライン状の波長変換部3Bとを順々に設けている。 Meanwhile, the surface on the opposite side of the light transmitting substrate 1, as shown in FIGS. 1 and 2, by converting the wavelength of light emitted from the light emitting diode element 2 above, red of the wavelength converting portion 3R linear emitting light, and a wavelength converter 3G linear emitting green light, are provided one after the other and line-shaped wavelength converting part 3B that emits blue light.

【0021】また、上記の各波長変換部3R,3G,3 Further, the wavelength converting portion 3R of the, 3G, 3
Bはそれぞれ幅が0.8mm、長さが12mmの長方形状になっており、また各波長変換部3R,3G,3Bの断面形状はそれぞれ中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなったドーム状になっている。 Each width is 0.8 mm B, it has become the length to 12mm rectangular, and each wavelength converter 3R, 3G, thickness towards the periphery than the respective cross-sectional shape at the center portion of the 3B thinned dome It has become to Jo.

【0022】ここで、上記のように光透過性基材1の片面に設けられる発光ダイオード素子2は、上記の光透過性基材1の片面に層厚が約110ÅのAlx Ga1-x N [0022] Here, the light emitting diode element 2 provided on one surface of the light transmitting substrate 1 as described above, the layer thickness to one surface of the light transmitting substrate 1 is about 110Å Alx Ga1-x N
(x=0.5)からなるバッファ層21と、層厚が約0.2μmのn型GaNからなる下地層22と、層厚が約1.4μmでSiがドープされたn型GaNからなる発光層23と、層厚が約0.15μmでMgがドープされたp型Alz Ga1-zN(z=0.2)からなるクラッド層24と、層厚が約0.3μmでMgがドープされたp型GaNからなるコンタクト層25とが積層されると共に、上記のn型GaNからなる発光層23にAlからなるn側電極26が設けられる一方、上記のp型Ga And (x = 0.5) buffer layer 21 composed of a base layer 22 the layer thickness is made of n-type GaN of about 0.2 [mu] m, made of n-type GaN layer thickness Si of about 1.4μm doped a light-emitting layer 23, a cladding layer 24 of p-type Alz layer thickness is Mg at about 0.15μm doped Ga1-zN (z = 0.2), Mg is doped layer thickness of about 0.3μm and with a contact layer 25 of p-type GaN are stacked, while the n-side electrode 26 made of Al in the light emitting layer 23 made of the n-type GaN is provided, the p-type Ga
Nからなるコンタクト層25にAuからなるp側電極2 p-side electrode 2 made of Au in the contact layer 25 made of N
7と、このp側電極27を保護するAl膜28とが積層された構造になっている。 7, and the Al film 28 to protect the p-side electrode 27 is in the laminated structure.

【0023】そして、上記の発光ダイオード素子2を製造するにあたっては、有機金属化学気相成長法(MOC [0023] Then, in manufacturing the light emitting diode element 2 above, a metal organic chemical vapor deposition (MOC
VD法)によって上記の光透過性基材1の片面に上記の各層を形成することができる。 The VD method) can form the respective layers on one surface of the light transmitting substrate 1.

【0024】まず、化学気相成長装置内に上記の光透過性基材1を設置し、この光透過性基材1を、非単結晶成長温度、例えば600℃の成長温度に保持した状態で、 Firstly, the above light-transmitting substrate 1 was placed in a chemical vapor deposition in the apparatus, the light transmitting substrate 1, a non-single crystal growth temperature, while maintaining the growth temperature of, for example 600 ° C. ,
キャリアガスに水素を、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウム(TMG)とトリメチルアルミニウム(T The hydrogen carrier gas, ammonia as a raw material gas and trimethylgallium (TMG) and trimethyl aluminum (T
MA)を用いて、光透過性基材1上に非単結晶のAlG With MA), AlGaAs non-single-crystal on the light transmitting substrate 1
aNからなるバッファ層21を成長させる。 Growing a buffer layer 21 made of aN.

【0025】そして、このバッファ層21上に、単結晶成長温度、好ましくは1100〜1200℃の範囲、例えば1150℃の成長温度に保持した状態で、キャリアガスに水素を、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウム(TMG)を用いて、単結晶のn型GaNからなる下地層22を成長させる。 [0025] Then, on the buffer layer 21, a single crystal growth temperature, preferably in the range of 1100 to 1200 ° C., while maintaining the growth temperature of, for example 1150 ° C., the hydrogen carrier gas, ammonia and trimethyl material gas using gallium (TMG), growing a base layer 22 made of n-type GaN single crystal.

【0026】次いで、この下地層22上に、単結晶成長温度、好ましくは1000〜1200℃の範囲、例えば1150℃の成長温度に保持した状態で、キャリアガスに水素を、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウム(TMG)を、ドーパントガスにSiH4 を用いて、単結晶でSiがドープされたn型GaNからなる発光層2 [0026] Then, on the undercoat layer 22, a single crystal growth temperature, preferably in the range of 1000 to 1200 ° C., while maintaining the growth temperature of, for example 1150 ° C., the hydrogen carrier gas, ammonia and trimethyl material gas gallium (TMG), using SiH4 as the dopant gas, the light-emitting layer 2 Si single crystal made of n-type GaN doped
3を成長させる。 3 to the growth.

【0027】その後、この発光層23上に、単結晶成長温度、好ましくは1000〜1200℃の範囲、例えば1150℃の成長温度に保持した状態で、キャリアガスに水素を、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウム(TMG)とトリメチルアルミニウム(TMA)を、ドーパントガスにCp 2 Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を用いて、単結晶でMgがドープされたp型AlGaNからなるクラッド層24を成長させる。 [0027] Then, on the light-emitting layer 23, a single crystal growth temperature, preferably in the range of 1000 to 1200 ° C., while maintaining the growth temperature of, for example 1150 ° C., the hydrogen carrier gas, ammonia and trimethyl material gas gallium (TMG) and trimethylaluminum (TMA), a dopant gas with Cp 2 Mg (cyclopentadienyl magnesium), Mg single crystal is grown cladding layer 24 of doped p-type AlGaN.

【0028】さらに、このp型クラッド層24上に、単結晶成長温度、好ましくは1000〜1200℃の範囲、例えば1150℃の成長温度に保持した状態で、キャリアガスに水素を、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウム(TMG)を、ドーパントガスにCp2 Mg Furthermore, on the p-type cladding layer 24, a single crystal growth temperature, preferably in the range of 1000 to 1200 ° C., while maintaining the growth temperature of, for example 1150 ° C., ammonia hydrogen carrier gas, the raw material gas Cp2 Mg and a trimethyl gallium (TMG), a dopant gas
(シクロペンタジエニルマグネシウム)を用いて、Mg Using (cyclopentadienyl magnesium), Mg
がドープされたp型GaNからなるコンタクト層25を成長させる。 There is grown the contact layer 25 of doped p-type GaN.

【0029】また、上記のようにして光透過性基材1に各層を成長させた後、この光透過性基材1を上記の化学気相成長装置から取り出し、反応性イオンビームエッチング法(RIE法)によるエッチングによって上記のn Further, after growing the layers to the light transmitting substrate 1 as described above, taking out the light transmitting substrate 1 from the above chemical vapor deposition apparatus, a reactive ion beam etching (RIE Additional n by etching by law)
型の発光層23の一部を露出させる。 Exposing a portion of the mold of the light emitting layer 23.

【0030】その後、上記のp型コンタクト層25上に蒸着法等によりAuからなるp側電極27とこのp側電極27を保護するAl膜28とを設ける一方、上記のように露出されたn型の発光層23の部分に蒸着法等によりAlからなるn側電極26を設けて発光ダイオード2 [0030] After that, while providing the Al film 28 for protecting the p-side electrode 27 of the p-side electrode 27 Toko of Au by vapor deposition or the like on the p-type contact layer 25, it is exposed as the n the n-side electrode 26 made of Al in the part of the mold of the light-emitting layer 23 by vapor deposition or the like provided the light emitting diode 2
を形成する。 To form.

【0031】一方、上記の発光ダイオード素子2が設けられた面と反対側における光透過性基材1の面に、上記の各波長変換部3R,3G,3Bを設けるにあたっては、図3及び図4に示すように、真空チャンバー31内の上部に、上記の赤色の光を発する波長変換部3Rを構成する波長変換材料を格納したクヌーセンセル型蒸着源32Rと、緑色の光を発する波長変換部3Gを構成する波長変換材料を格納したクヌーセンセル型蒸着源32G On the other hand, the surface of the light transmitting substrate 1 on the side opposite to the light emitting diode element 2 above is provided faces, each wavelength converter 3R above, 3G, when provided. 3B, FIG. 3 and FIG. as shown in 4, in an upper portion of the vacuum chamber 31, the wavelength converting part for emitting a Knudsen cell type evaporation source 32R for storing the wavelength converting material constituting the wavelength converting portion 3R for emitting said red light, green light Knudsen cell type evaporation source 32G for storing the wavelength converting material forming the 3G
と、青色の光を発する波長変換部3Bを構成する波長変換材料を格納したクヌーセンセル型蒸着源32Bを設け、上記の光透過性基材1をこの真空チャンバー31内にセットすると共に、この光透過性基材1と0.7mm When the Knudsen-type evaporation source 32B that stores a wavelength conversion material constituting the wavelength converting part 3B that emits blue light is provided, the light transmitting substrate 1 of the above as well as set in the vacuum chamber 31, the light transmitting substrate 1 and 0.7mm
の間隔を介してその上方に厚さ約0.8mmのステンレス鋼板で構成されて、幅0.65mm、長さ12mmの長方形のスリット33aが中心の間隔3.3mm毎に複数設けられたメタルマスク33を配し、この真空チャンバー31内の圧力を10 -6 Torr以下にする。 Consists of a stainless steel plate having a thickness of about 0.8mm thereabove via a spacing, width 0.65 mm, more provided with a metal mask for each interval 3.3mm rectangular slit 33a is the center of the length 12mm 33 arranged, the pressure in the vacuum chamber 31 below 10 -6 Torr.

【0032】そして、上記の各クヌーセンセル型蒸着源32R,32G,32Bから各波長変換材料を、順々に上記のメタルマスク32のスリット32aを通して上記の光透過性基材1上に蒸着させて、光透過性基材1上にライン状になった各波長変換部3R,3G,3Bを設けるようにする。 [0032] Then, each of the above Knudsen-type evaporation source 32R, 32G, each wavelength converting material from 32B, and one after the other is deposited through the slit 32a of the metal mask 32 on the light transmitting substrate 1 of the above each wavelength converter 3R becomes linearly on the light transmitting substrate 1, to be provided 3G, and 3B. なお、このようにしてライン状になった各波長変換部3R,3G,3Bを設けると、その断面形状がそれぞれ中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなったドーム状になる。 Incidentally, when such each wavelength converter 3R becomes linear with, 3G, providing 3B, thickness is thinned domed toward the peripheral portion than its cross-sectional shape of each of the central portion.

【0033】また、このようにして各波長変換部3R, Further, in this way the wavelength converter 3R,
3G,3Bを設けるにあたっては、その中央部の厚みが50nm以上で200μm以下にすることが好ましく、 3G, when the provision of 3B, it is preferable that the thickness of a central portion thereof to 200μm or less 50nm or more,
特に1μmないし10μmにすることが好ましい。 Particularly preferably to not 1μm to 10 [mu] m.

【0034】ここで、赤色の光を発する波長変換部3R [0034] Here, the wavelength conversion portion 3R for emitting red light
を構成する波長変換材料としては、下記の化1に示す亜鉛ポリフィリンZnPrや、下記の化2に示す亜鉛錯体ZnAc 2を用いることができる。 As the wavelength converting material forming can be used, zinc porphyrin ZnPr shown in Chemical formula 1 below, the zinc complex ZnAc 2 shown in 2 of the following. なお、亜鉛ポリフィリンZnPrから生じる蛍光のピーク波長は640nm The peak wavelength of the fluorescence generated from zinc porphyrin ZnPr is 640nm
付近にあり、また亜鉛錯体ZnAc 2から生じる蛍光のピーク波長は660nm付近にある。 Located near and a peak wavelength of the fluorescence arising from the zinc complex ZnAc 2 is in the vicinity of 660 nm.

【0035】 [0035]

【化1】 [Formula 1]

【0036】 [0036]

【化2】 ## STR2 ##

【0037】また、緑色の光を発する波長変換部3Gを構成する波長変換材料としては、下記の化3に示すベリリウム錯体BeBq 2や、下記の化4に示すアルミニウム錯体Alq 3を用いることができる。 Further, as the wavelength conversion material constituting the wavelength converting portion 3G that emits green light can be used and beryllium complexes BeBq 2 shown in chemical formula 3 below, the aluminum complex Alq 3 shown in chemical formula 4 below . なお、ベリリウム錯体BeBq 2から生じる蛍光のピーク波長は515 The peak wavelength of the fluorescence arising from beryllium BeBq 2 515
nm付近にあり、またアルミニウム錯体Alq 3から生じる蛍光のピーク波長は525nm付近にある。 located near nm, also the peak wavelength of the fluorescence arising from the aluminum complex Alq 3 is in the vicinity of 525 nm.

【0038】 [0038]

【化3】 [Formula 3]

【0039】 [0039]

【化4】 [Of 4]

【0040】また、青色の光を発する波長変換部3Bを構成する波長変換材料としては、下記の化5に示すオキサジアゾール誘導体OXDや、下記の化6に示す亜鉛アゾメチン錯体AZMや、下記の化7に示すピラゾリン誘導体PYR−D1や、下記の化8に示すピラゾリン誘導体PYR−D3を用いることができる。 Further, as the wavelength conversion material constituting the wavelength converting part 3B that emits blue light, and oxadiazole derivatives OXD shown in Chemical formula 5 below, and zinc azomethine complexes AZM shown in the formula 6 below, the following and pyrazoline derivatives PYR-D1 shown in Formula 7, it is possible to use a pyrazoline derivative PYR-D3 shown in the formula 8 below. なお、オキサジアゾール誘導体OXDから生じる蛍光のピーク波長は4 The peak wavelength of the fluorescence arising from the oxadiazole derivatives OXD 4
82nm付近にあり、また亜鉛アゾメチン錯体から生じる蛍光のピーク波長は450nm付近にあり、またピラゾリン誘導体PYR−D1から生じる蛍光スペクトルは図5に示す通りで蛍光のピーク波長は490nm付近にあり、またピラゾリン誘導体PYR−D3から生じる蛍光スペクトルは図6に示す通りで蛍光のピーク波長は4 Located near 82 nm, also the peak wavelength of the fluorescence generated from the zinc azomethine complex is near 450 nm, also the peak wavelength of the fluorescence fluorescence spectra resulting from a pyrazoline derivative PYR-D1 is as shown in FIG. 5 is in the vicinity of 490 nm, also pyrazoline fluorescence spectra 4 peak wavelength of the fluorescence is as shown in FIG. 6 arising from derivatives PYR-D3
60nm付近にある。 In the vicinity of 60nm.

【0041】 [0041]

【化5】 [Of 5]

【0042】 [0042]

【化6】 [Omitted]

【0043】 [0043]

【化7】 [Omitted]

【0044】 [0044]

【化8】 [Of 8]

【0045】そして、この実施例における波長変換型発光装置において、上記の発光ダイオード2に設けたn側電極26とp側電極27との間に約3.5V以上の直流電圧を印加すると、上記の発光層23から370nm付近の波長においてピークを有する紫外線が出射され、このように出射された紫外線が光透過性基材1を通して上記の各波長変換部3R,3G,3Bに導かれ、この紫外線が各波長変換部3R,3G,3Bにおける各波長変換材料に吸収されて各波長変換材料が励起され、波長変換部3Rからは赤色の蛍光Rが、波長変換部3Gからは緑色の蛍光Gが、波長変換部3Bからは青色の蛍光Bが出射されるようになる。 [0045] Then, in the wavelength conversion-type light emitting device in this embodiment, the application of the approximately 3.5V or more DC voltage between the n-side electrode 26 and the p-side electrode 27 provided on the light emitting diode 2 above, the ultraviolet radiation having a peak from the light-emitting layer 23 at a wavelength of around 370nm is emitted, and thus the emitted ultraviolet light transmitting substrate 1 through the above respective wavelength converter 3R, guided 3G, to 3B, ultraviolet There each wavelength converter 3R, 3G, each wavelength converting material is absorbed in the wavelength converting material in the 3B is excited, from the wavelength converting portion 3R red fluorescence R is a green fluorescent G from the wavelength conversion unit 3G , so that the blue fluorescent B is emitted from the wavelength conversion unit 3B.

【0046】ここで、各波長変換部3R,3G,3Bは上記のように断面形状がそれぞれ中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなったドーム状になっているため、各波長変換部3R,3G,3Bに導かれた上記の紫外線が各波長変換部3R,3G,3Bの内部に閉じ込められ、 [0046] Here, each of the wavelength converter 3R, 3G, since 3B is in a dome cross-sectional shape as described above becomes small thickness toward the peripheral portion from the respective central portion, each of the wavelength converting portion 3R , 3G, said UV guided to 3B each wavelength converter 3R, 3G, trapped inside the 3B,
各波長変換部3R,3G,3Bにおける各波長変換材料に紫外線が効率よく吸収されて変換され、各波長変換部3R,3G,3Bからそれぞれ高輝度な蛍光R,G,B Each wavelength converter 3R, 3G, ultraviolet each wavelength converting material in the 3B is converted is absorbed efficiently, the wavelength converter 3R, 3G, respectively, from 3B high luminance fluorescent R, G, B
が得られる。 It is obtained.

【0047】また、各波長変換部3R,3G,3Bは中央部の厚みは、発光ダイオード素子2の発光ピーク波長である370nm付近での光透過率が40%以下になるように形成することが望ましい。 Further, each of the wavelength converter 3R, 3G, 3B the thickness of the central portion, the light transmittance in the vicinity of the emission peak wavelength of the light emitting diode element 2 370 nm is to be formed to be less than 40% desirable. さらに望ましくは、蛍光R,G,Bの発光ピーク波長における光透過率が50 More preferably, the fluorescent R, G, light transmittance at the emission peak wavelength of B is 50
%以上になるように、各波長変換部3R,3G,3Bにおける光吸収スペクトルの形状を考慮して形成することが好ましい。 % So that the above, the wavelength conversion unit 3R, 3G, is preferably formed in consideration of the shape of the light absorption spectrum in 3B.

【0048】(実施例2)この実施例における波長変換型発光装置においては、図7に示すように、サファイアで構成された光透過性基材1の片面に、光照射体2として、370nm付近に発光ピーク波長を有する紫外線を照射する発光ダイオード素子2のチップを複数設けている。 [0048] (Example 2) in the wavelength conversion-type light emitting device in this embodiment, as shown in FIG. 7, on one side of the light transmitting substrate 1 made of sapphire, as the light irradiation member 2, around 370nm and plurality of chip light emitting diode element 2 is irradiated with ultraviolet rays having an emission peak wavelength.

【0049】ここで、この実施例において使用する発光ダイオード素子2のチップは、図8に示すように、サファイアで構成された基板20の上に、上記の実施例1の場合と同様にして、層厚が約110ÅのAlx Ga1-x [0049] Here, the chip is a light emitting diode element 2 used in this embodiment, as shown in FIG. 8, on a substrate 20 composed of sapphire, in the same manner as in Example 1 above, layer thickness of about 110Å Alx Ga1-x
N(x=0.5)からなるバッファ層21と、層厚が約0.2μmのn型GaNからなる下地層22と、層厚が約1.4μmでSiがドープされたn型GaNからなる発光層23と、層厚が約0.15μmでMgがドープされたp型Alz Ga1-z N(z=0.2)からなるクラッド層24と、層厚が約0.3μmでMgがドープされたp型GaNからなるコンタクト層25が積層され、上記のn型GaNからなる発光層23に、Alからなるn A buffer layer 21 made of N (x = 0.5), a base layer 22 the layer thickness is made of n-type GaN of about 0.2 [mu] m, from n-type GaN layer thickness is doped with Si at about 1.4μm a light-emitting layer 23 made of a clad layer 24 of Mg at about 0.15μm is layer thickness consisting of doped p-type Alz Ga1-z N (z = 0.2), the Mg layer thickness of about 0.3μm a contact layer 25 of doped p-type GaN are laminated, the light-emitting layer 23 made of the n-type GaN, consisting Al n
側電極26が設けられる一方、上記のp型GaNからなるコンタクト層25に、Auからなるp側電極27が設けられた構造になっている。 While side electrode 26 is provided, the contact layer 25 made of the p-type GaN, which is a p-side electrode 27 made of Au is provided structure.

【0050】そして、上記の発光ダイオード素子2からなるチップを、図9に示すように、所定パターンの電極41,42が設けられた基板40上に順々に配列させ、 [0050] Then, the chip comprising a light emitting diode element 2 described above, as shown in FIG. 9, are arranged in sequence on the substrate 40 on which the electrode 41 having a predetermined pattern is provided,
各発光ダイオード素子2におけるn側電極26を電極4 The n-side electrode 26 of each light-emitting diode element 2 electrode 4
1に、p側電極27を電極42に接続させると共に、各発光ダイオード素子2の周囲に、それぞれの発光ダイオード素子2から出射された紫外線を反射させる反射体4 1, along with connecting the p-side electrode 27 to the electrode 42, around each light emitting diode element 2, the reflector reflects the ultraviolet rays emitted from the respective light emitting diode element 2 4
3を設けている。 A is provided 3.

【0051】一方、サファイアで構成された上記の光透過性基材1の片面には、図7に示すように、上記の実施例1の場合と同様にして、発光ダイオード素子2から出射された光の波長を変換させて、赤色の光を発するライン状の波長変換部3Rと、緑色の光を発するライン状の波長変換部3Gと、青色の光を発するライン状の波長変換部3Bとを順々に設け、各波長変換部3R,3G,3 Meanwhile, the one side of the the above optical transmitting substrate 1 composed of sapphire, as shown in FIG. 7, in the same manner as in Example 1 above, emitted from the light emitting diode element 2 by converting the wavelength of light, red wavelength conversion portion 3R linear that emits light, a green and a wavelength converting portion 3G linear emitting light, and a line-shaped wavelength converting part 3B that emits blue light one after the other provided, each wavelength converter 3R, 3G, 3
Bの断面形状が、それぞれ中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなったドーム状になるように形成している。 Sectional shape and B, are formed such that a dome shape in which the thickness toward the peripheral portion is thinner than the respective central portion.

【0052】そして、このようにライン状になった各波長変換部3R,3G,3Bが設けられた光透過性基材1 [0052] Then, each of the wavelength converter 3R became thus linear, 3G, light 3B is provided transmitting substrate 1
を、図7に示すように、上記の発光ダイオード素子2のチップが配列された基板40上にスペーサー44を介して設け、光透過性基材1に設けられた各波長変換部3 The, as shown in FIG. 7, it is provided via a spacer 44 on the substrate 40 in which chips are arranged in the light emitting diode element 2 above, each wavelength converter 3 provided in the optical transmitting substrate 1
R,3G,3Bが上記の発光ダイオード素子2と反対側に位置するようにしている。 R, 3G, 3B are to be located on the opposite side of the light emitting diode element 2 above.

【0053】ここで、この実施例における波長変換型発光装置において、上記の電極41,42を介して発光ダイオード2に設けたn側電極26とp側電極27との間に約3.5V以上の直流電圧を印加すると、上記の実施例1の場合と同様に、電圧が印加された発光ダイオード2における発光層23から370nm付近の波長においてピークを有する紫外線が出射され、このように出射された紫外線が光透過性基材1を通して上記の波長変換部3R,3G,3Bに導かれ、この紫外線が波長変換部3 [0053] Here, in the wavelength conversion-type light emitting device in this embodiment, about 3.5V or more between the n-side electrode 26 and the p-side electrode 27 provided on the light emitting diode 2 through the electrodes 41, 42 the application of a DC voltage, as in example 1 above, ultraviolet radiation having a peak at a wavelength around 370nm from the light-emitting layer 23 is emitted in the light emitting diode 2 to which a voltage is applied, emitted in this way ultraviolet above wavelength converting portion through the light transmitting substrate 1 3R, 3G, is guided to 3B, the ultraviolet light converter 3
R,3G,3Bの波長変換材料に吸収されて波長変換材料が励起され、波長変換部3Rからは赤色の蛍光Rが、 R, 3G, 3B are absorbed in the wavelength converting material is excited wavelength conversion material is, a red fluorescent R from the wavelength converting portion 3R,
波長変換部3Gからは緑色の蛍光Gが、波長変換部3B Green fluorescent G from the wavelength conversion unit 3G is, the wavelength conversion unit 3B
からは青色の蛍光Bが出射されるようになる。 So blue fluorescent B is emitted from.

【0054】なお、この実施例における波長変換型発光装置においては、上記の各発光ダイオード2の駆動を適切に走査し、適当な位置における波長変換部3R,3 [0054] Incidentally, in the wavelength conversion-type light emitting device in this embodiment is suitably scanned the driving of the light emitting diodes 2 of the wavelength conversion in an appropriate position unit 3R, 3
G,3Bを発光させて右目用と左目用の映像を表示させ、これをカラー液晶パネル等を通して右目と左目とにそれぞれの映像を与えることができ、立体映像の表示装置として利用できるようになる。 G, 3B and emit light to display an image for the left eye and the right eye, which can give a respective image on the right eye and the left eye through color liquid crystal panel or the like, will be available as a display device for stereoscopic video .

【0055】(実施例3)この実施例における波長変換型発光装置においては、図10に示すように、ガラスで構成された光透過性基材1の片面に、光照射体2として有機エレクトロルミネッセンス素子2を設ける一方、この光透過性基材1の反対側の面に、上記の有機エレクトロルミネッセンス素子2から出射された光の波長を変換させて、赤色の光を発するライン状の波長変換部3Rを複数列設け、各波長変換部3Rの断面形状がそれぞれ中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなったドーム状になるようにしている。 [0055] (Example 3) in the wavelength conversion-type light emitting device in this embodiment, as shown in FIG. 10, on one surface of the light transmitting substrate 1 made of glass, an organic electroluminescence as a light irradiator 2 while providing the element 2, on the opposite side of the light transmitting substrate 1, by converting the wavelength of light emitted from the organic electroluminescence device 2 above, line-shaped wavelength converting part for emitting red light the 3R provided a plurality of rows, the cross-sectional shape of the wavelength converting portion 3R is set to be in a dome shape having a thickness thinner toward the peripheral portion from the respective central portion. なお、赤色の光を発する波長変換部3Rを構成する波長変換材料には前記の化1に示した亜鉛ポリフィリンZnPrや、化2に示した亜鉛錯体Z Note that the wavelength converting material constituting the wavelength converting portion 3R for emitting red light and a zinc porphyrin ZnPr shown in the chemical formula 1, zinc complex represented by Chemical Formula 2 Z
nAc 2を用いるようにする。 to make use of the nAc 2.

【0056】ここで、上記のように光透過性基材1の片面に設ける上記の有機エレクトロルミネッセンス素子2 [0056] Here, the organic EL element 2 provided on one of the light transmitting substrate 1 as described above
は、図9に示すように、ガラスで構成された上記の光透過性基材1に、インジウム・錫酸化物で構成された透明なホール注入電極201と、下記の化9に示すトリフェニルアミン誘導体MTDATAで構成されたホール輸送層202と、下記の化10に示すN,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−メチルフェニル)−1,1'− As shown in FIG. 9, the light-transmitting substrate 1 of the above made of glass, a transparent hole injection electrode 201 comprised of indium tin oxide, triphenylamine shown in chemical formula 9 below a hole transport layer 202 composed of a derivative MTDATA, N shown in chemical formula 10 below, N'- diphenyl -N, N'- bis (3-methylphenyl) -1,1'
ビフェニル−4,4'−ジアミンTPDからなるホスト材料に下記の化11に示すルブレンが5重量%ドープされて構成された発光層203と、前記の化3に示したB A light-emitting layer 203 rubrene is constituted by 5 wt% doping shown in a host material composed of biphenyl-4,4'-diamine TPD to the Formula 11 below, shown in the foregoing chemical formula 3 B
eBq 2で構成された電子輸送層204と、マグネシウム・インジウム合金で構成された電子注入電極205が積層された構造になっている。 an electron transport layer 204 composed of a eBq 2, the electron injection electrode 205 composed of a magnesium-indium alloy is in the laminated structure.

【0057】 [0057]

【化9】 [Omitted]

【0058】 [0058]

【化10】 [Of 10]

【0059】 [0059]

【化11】 [Of 11]

【0060】そして、この実施例における波長変換型発光装置において、上記のホール注入電極201と、電子注入電極205との間に電圧を印加すると、上記の発光層203におけるルブレンが発光し、上記の有機エレクトロルミネッセンス素子2から図11に示すような発光スペクトルを有し、562nm付近の波長にピークを有する黄色の光が出射され、この黄色の光が光透過性基材1を通して上記の各波長変換部3Rに導かれ、各波長変換部3Rにおける波長変換材料に吸収されてこの波長変換材料が励起され、各波長変換部3Rから高輝度な赤色の蛍光Rが出射されるようになる。 [0060] Then, in the wavelength conversion-type light emitting device in this embodiment, the above hole injection electrode 201, when a voltage is applied between the electron injecting electrode 205, and the light emitting rubrene in the light-emitting layer 203, the from the organic electroluminescent element 2 has an emission spectrum as shown in Figure 11, the yellow light is emitted having a peak wavelength near 562 nm, the yellow light above wavelength conversion through the light transmitting substrate 1 is led to section 3R, the wavelength conversion material is excited is absorbed in the wavelength converting material in the wavelength converting portion 3R, high brightness red fluorescence R is to be emitted from the wavelength converting portion 3R.

【0061】 [0061]

【発明の効果】以上詳述したように、この発明における波長変換型発光装置においては、光照射体から出射された光を光透過性基材に設けられた波長変換部に導き、この波長変換部を構成する波長変換材料により光照射体から出射された光の波長を変換させて、特定の色彩の光を得るようにしたため、白色光をカラーフィルターに通して特定の色彩の光を得る場合に比べて、得られる光の輝度が低下するという問題がなく、特定の色彩の高輝度な光が得られるようになった。 As described in detail above, in the wavelength conversion-type light emitting device in the present invention guides the light emitted from the light irradiator in the wavelength conversion portion provided on the light transmitting substrate, the wavelength conversion parts by converting the wavelength of light emitted from the light irradiating body by the wavelength converting material constituting the order in which to obtain light of a particular color, a case of obtaining light of a specific color through the white light to the color filter compared to, there is no problem that brightness of the resulting light is decreased, it became the high brightness light of a particular color is obtained.

【0062】また、この発明における波長変換型発光装置においては、上記の波長変換部の断面形状が中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなるように形成したため、光照射体から出射された光がこの波長変換部に閉じ込められて、この波長変換部を構成する波長変換材料に上記の光が十分に吸収されて波長の変換が効率良く行なわれ、この波長変換部から特定の色彩になった高輝度な光が得られるようになった。 [0062] Further, in the wavelength conversion-type light emitting device in this invention, since formed to a thickness cross-sectional shape of the wavelength converting portion described above toward the peripheral portion from the center portion becomes thin, light emitted from the light irradiator There is confined to the wavelength converting portion, said light wavelength converting material constituting the wavelength converting portion is sufficiently absorbed conversion wavelength is performed efficiently, became a particular color from the wavelength converting portion high intensity light is now obtained.

【0063】また、この発明における波長変換型発光装置において、波長変換部を構成する波長変換材料を適当に選択すると、従来の自己発光素子においては得られなかった様々な色彩についても高輝度の光が得られるようになり、また波長変換材料を用いて波長変換部を形成する場合に、波長変換部を微細なパターンに加工することができ、自己発光素子を用いた場合に比べて繊細なカラー表示が行なえるようになった。 [0063] Further, in the wavelength conversion-type light emitting device in the present invention, when appropriately selecting the wavelength converting material constituting the wavelength converting portion, light is also high brightness for various colors which can not be obtained in a conventional self-luminous element now can be obtained, also in the case of forming the wavelength converting portion using the wavelength conversion material, it is possible to process the wavelength conversion unit into a fine pattern, delicate color as compared with the case of using a self-luminous element display has become so carried out.

【0064】また、この発明における波長変換型発光装置において、光透過性基材に波長変換部を設けるにあたり、光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数の波長変換部を設け、例えば、赤色の光に変換する波長変換部と、緑色の光に変換する波長変換部と、青色の光に変換する波長変換部とを設けると、高輝度で繊細なフルカラーの表示が行えるようになった。 [0064] Further, in the wavelength conversion-type light emitting device in the present invention, when provided with a wavelength conversion unit into light transmitting substrate, a plurality of wavelength conversion for converting the light emitted from the light irradiation to light of the respective different wavelengths the provided parts, for example, a wavelength converter that converts the red light, and a wavelength converter that converts the green light, providing a wavelength converter for converting the blue light, the display of delicate full color high brightness I was able to perform.

【0065】また、この発明における波長変換型発光装置において、上記の光照射体に、発光ダイオード素子や有機及び無機エレクトロルミネッセンス素子等の自己発光素子を用いると、上記の波長変換部において光の波長の変換が効率良く行なえるようになると共に、その駆動の制御も容易に行なえるようになり、特に、波長が40 [0065] Further, in the wavelength conversion-type light emitting device in the present invention, the light irradiation of the above, when using a self-luminous element such as a light emitting diode and organic and inorganic electroluminescent device, the wavelength of light in the wavelength converting portion of the with conversion is efficiently performed so, control of the driving also becomes easily so, in particular, wavelength 40
0nm以下の紫外光線を照射する発光ダイオードを用いた場合には、この紫外光線の波長を上記の波長変換部において変換させて、高輝度な様々な色彩の光が得られるようになった。 When using light-emitting diodes for emitting in the ultraviolet ray 0nm is the wavelength of the ultraviolet light by converting the wavelength converting portion of the came to the high brightness various colors of light are obtained.

【0066】さらに、この発明における波長変換型発光装置において、光照射体として、複数の自己発光素子を用いると、各自己発光素子の駆動を適切に走査させて、 [0066] Further, in the wavelength conversion-type light emitting device in the present invention, a light irradiator, the use of multiple self light-emitting device, suitably by scanning the driving of the self-luminous element,
適当な位置における波長変換部を発光させることにより、右目用と左目用の映像を表示させることができるようになり、カラー液晶パネル等と組み合わせて使用することにより、フルカラーの立体映像システムの表示装置として利用できるようになった。 By emitting a wavelength conversion portion in the proper position, it becomes possible to display the image for the right eye and the left eye, by using in combination with a color liquid crystal panel or the like, the display device of the stereoscopic video system full-color It became available as.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明の実施例1における波長変換型発光装置の概略側面図である。 1 is a schematic side view of the wavelength conversion-type light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

【図2】上記の実施例1における波長変換型発光装置の概略平面図である。 2 is a schematic plan view of the wavelength conversion-type light emitting device in Example 1 above.

【図3】上記の実施例1における波長変換型発光装置において、発光ダイオード素子が設けられた面と反対側の光透過性基材の面に、各波長変換部を設ける状態を示した拡大説明図である。 [3] in the wavelength conversion-type light emitting device in Example 1 above, the surface of the light transmitting substrate opposite to the light emitting diode element is provided faces, showing a state of providing a respective wavelength converter enlarged explanatory it is a diagram.

【図4】上記の実施例1における波長変換型発光装置において、発光ダイオード素子が設けられた光透過性基材を真空チャンバー内にセットして各波長変換部を設ける状態を示した概略説明図である。 [4] In the wavelength conversion-type light emitting device in Example 1 above, schematic explanatory view showing a state in which is set a light transmissive substrate to the light emitting diode element is provided in a vacuum chamber provided with a respective wavelength converter it is.

【図5】上記の実施例1における波長変換型発光装置において、青色の光を発する波長変換部に用いるピラゾリン誘導体PYR−D1の蛍光スペクトルを示した図である。 [5] In the wavelength conversion-type light emitting device in Example 1 above, it is a diagram showing the fluorescence spectrum of pyrazoline derivatives PYR-D1 used in the wavelength converting portion that emits blue light.

【図6】上記の実施例1における波長変換型発光装置において、青色の光を発する波長変換部に用いるピラゾリン誘導体PYR−D3の蛍光スペクトルを示した図である。 [6] in the wavelength conversion-type light emitting device in Example 1 above, it is a diagram showing the fluorescence spectrum of pyrazoline derivatives PYR-D3 used in the wavelength converting portion that emits blue light.

【図7】この発明の実施例2における波長変換型発光装置の概略側面図である。 7 is a schematic side view of the wavelength conversion-type light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】上記の実施例2における波長変換型発光装置において、光照射体として使用する発光ダイオード素子のチップの構成を示した概略説明図である。 [8] in the wavelength conversion-type light emitting device in Example 2 above, it is a schematic illustration showing a chip configuration of the light emitting diode element used as the light irradiator.

【図9】上記の実施例2における波長変換型発光装置において、発光ダイオード素子のチップを所定パターンの電極が設けられた基板上に取り付ける状態を示した部分説明図である。 [9] in the wavelength conversion-type light emitting device in Example 2 above, it is a partial explanatory view showing a state of attaching the tip of the light emitting diode elements on a substrate having electrodes provided in a predetermined pattern.

【図10】この発明の実施例3における波長変換型発光装置の概略側面図である。 10 is a schematic side view of the wavelength conversion-type light emitting device in the third embodiment of the present invention.

【図11】上記の実施例3における波長変換型発光装置において、発光層に用いたルブレンからの発光スペクトルを示した図である。 [11] In the wavelength conversion-type light emitting device in Example 3 above, it is a diagram showing an emission spectrum of rubrene used in the light emitting layer.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 光透過性基材 2 光照射体,発光ダイオード素子,有機エレクトロルミネッセンス素子 3R,3G,3B 波長変換部 1 optically-transparent substrate 2 light irradiator, the light emitting diode device, an organic electroluminescent element 3R, 3G, 3B wavelength converter

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 光照射体の出射面側に光透過性基材が設けられると共に、この光透過性基材に上記の光照射体から出射された光の波長を変換する波長変換材料で構成された波長変換部が設けられ、この波長変換部の断面形状が中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなるように形成されたことを特徴とする波長変換型発光装置。 1. A with light-transmitting substrate on the exit surface side of the light irradiator is provided, composed of a wavelength-converting material for converting the wavelength of light emitted from the light irradiator in the light-transmitting substrate wavelength converting part is provided, the wavelength conversion-type light emitting device, wherein the cross-sectional shape of the wavelength converting portion is formed such that the thickness toward the peripheral portion from the central portion becomes thinner.
  2. 【請求項2】 請求項1に記載した波長変換型発光装置において、上記の光照射体が自己発光素子で構成されていることを特徴とする波長変換型発光装置。 2. A wavelength converted light emitting device according to claim 1, a wavelength conversion-type light emitting device, characterized in that said light irradiator is composed of a self-luminous element.
  3. 【請求項3】 請求項2に記載した波長変換型発光装置において、上記の光照射体を構成する自己発光素子が複数に分割されて構成されていることを特徴とする波長変換型発光装置。 In the wavelength conversion-type light emitting device according to 3. The method of claim 2, the wavelength conversion-type light emitting device self-luminous element, characterized in that it is constituted by being divided into a plurality of constituting the light irradiation of the.
  4. 【請求項4】 請求項1〜3の何れか1項に記載した波長変換型発光装置において、上記の光照射体が紫外線を照射する発光ダイオードで構成されていることを特徴とする波長変換型発光装置。 4. A wavelength converted light emitting device according to any one of claims 1 to 3, the wavelength conversion type, characterized in that said light irradiator is composed of a light-emitting diodes for emitting ultraviolet light the light-emitting device.
  5. 【請求項5】 請求項1〜4の何れか1項に記載した波長変換型発光装置において、前記の光透過性基材に、光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数の波長変換部が設けられていることを特徴とする波長変換型発光装置。 5. A wavelength converted light emitting device according to any one of claims 1 to 4, the light transmitting substrate, a light emitted from the light irradiation to light of the respective different wavelengths wavelength converted light emitting device, wherein a plurality of wavelength converter for converting is provided.
  6. 【請求項6】 紫外線を照射する発光ダイオードで構成された光照射体の出射面側に、この光照射体から出射された光の波長を変換する波長変換材料で構成された波長変換部が設けられてなることを特徴とする波長変換型発光装置。 On the exit surface side of 6. ultraviolet light irradiator constituted by a light emitting diode for irradiating the wavelength conversion unit constituted by a wavelength conversion material that converts a wavelength of light emitted from the light irradiator is provided wavelength converted light emitting apparatus characterized by being composed.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259687A (en) * 2004-02-13 2005-09-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd Color conversion filter and organic el display using it
WO2008123294A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-16 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Composition for color filter and color filter
JP2009099306A (en) * 2007-10-15 2009-05-07 Rohm Co Ltd Light emitting device
US8142051B2 (en) * 1999-11-18 2012-03-27 Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. Systems and methods for converting illumination
JP2012064982A (en) * 2004-08-13 2012-03-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2012064986A (en) * 2004-02-23 2012-03-29 Philips Lumileds Lightng Co Llc Wavelength conversion type semiconductor light emitting element

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8142051B2 (en) * 1999-11-18 2012-03-27 Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. Systems and methods for converting illumination
JP2005259687A (en) * 2004-02-13 2005-09-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd Color conversion filter and organic el display using it
JP2012064986A (en) * 2004-02-23 2012-03-29 Philips Lumileds Lightng Co Llc Wavelength conversion type semiconductor light emitting element
US9188880B2 (en) 2004-08-13 2015-11-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US9268242B2 (en) 2004-08-13 2016-02-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater and a temperature sensor
JP2012064982A (en) * 2004-08-13 2012-03-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10254663B2 (en) 2004-08-13 2019-04-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
JP5015238B2 (en) * 2007-03-29 2012-08-29 新日鐵化学株式会社 The composition for a color filter and a color filter
WO2008123294A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-16 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Composition for color filter and color filter
JP2009099306A (en) * 2007-10-15 2009-05-07 Rohm Co Ltd Light emitting device

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