JPH10178132A - 電子部品アセンブリの製造方法 - Google Patents

電子部品アセンブリの製造方法

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JPH10178132A
JPH10178132A JP9290081A JP29008197A JPH10178132A JP H10178132 A JPH10178132 A JP H10178132A JP 9290081 A JP9290081 A JP 9290081A JP 29008197 A JP29008197 A JP 29008197A JP H10178132 A JPH10178132 A JP H10178132A
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Lance L Andrus
エル． アンドルス ランス
Jeffrey A Curhan
エイ． カーハン ジェフリー
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Abstract

(57)【要約】 包埋体の中に発熱部品が包埋される。この包埋体に窓が
形成されて部品の熱放散面が露出し、この熱発生部品の
熱放散面に熱吸収素子が付着する。この窓はレーザを用
いて形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】本発明は、モールドされた電子部品アセン
ブリをレーザマシーニング（machining)する技術に関す
る。
【０００２】
【背景技術】電子部品のヒートシンク媒体の温度に対す
る動作温度は、当該電子部品によって生成される熱量及
び当該電子部品とヒートシンク媒体との間の経路の熱伝
導性に依存している。例えば、図１は、DC-DCコンバー
タモジュールすなわちモジュラーパワーコンバータ100
を示す展開図である。このＤＣ−ＤＣモジュラーパワー
コンバータは、オーバモールディング（overmolding)さ
れた制御アセンブリ44を含んでいる。この制御アセンブ
リについては、例えば、"Power Coverter Configuratio
n, Control and Construction"と題する米国特許出願第
08/077,011号（1993年6月17日出願）"Packaging Electr
ical Components"と題する米国特許第5,365,403号を参
照されたい。かかる制御アセンブリにおいては、メタリ
ックベースプレート52が当該アセンブリから熱を除去す
るために設けられている。このベースプレート５２に熱
的に強固に結合するものの電気的には絶縁されたメタル
シールド２７が、熱放射部品６６とベースプレートとの
間の熱抵抗を小さくしている（例えば、"Packaging El
ectrical Components"と題する米国特許出願第08/337,
269号（1994年11月10日出願）を参照のこと）。組立工
程の後で、モジュールの内部は、包埋（encapsulatin
g）材料によって充填され、これによって、別の内部部
品から生じた熱がベースプレートに伝わるのを助けるの
である。かかる組立体すなわちアセンブリにおいて、制
御アセンブリ44内の熱放散部品の動作温度は、当該部品
とベースプレートとの間の熱伝導経路の熱伝導性に依存
している。
【０００３】熱吸収（ヒートシンク）表面と熱放散素子
との間の温度差を小さくする1つの方法は、当該素子と
ヒートシンクとの間に熱伝導性の金属経路を設けること
である。
【０００４】
【発明の概要】本発明の1つの特徴によれば、包囲体あ
るいは包埋体（encapsulant）の中に熱発生部品を包囲
しあるいは包埋（以下単に包埋という）し、当該包埋体
に窓を設けて、当該部品の熱放散表面を露出せしめ、当
該部品の熱放散面に熱吸収（ヒートシンク）素子を付着
させるのである。
【０００５】本発明の実施例においては、次のような特
徴がある。すなわち、所定パターンに沿って包埋体にレ
ーザカッティングが施され、このレーザカッティング
は、除去されるべき包埋体の輪郭を定める周辺カット、
該包埋体のストリップ（strip）を除去する平行ストロ
ークパターン及び熱発生部品の表面をきれいにする平行
ストロークパターンを含んでいる。また、当該レーザ
は、Nd：YAGストロークマーキングレーザであり得る。
また、当該窓のエッジに沿って面取りも行われ得る。
【０００６】ヒートシンク素子は、銅の如き金属からな
り、更に、包埋体内の窓と同様な大きさのディンプルを
有することもあり得る。該ヒートシンク素子は、金属被
覆エポキシ樹脂あるいはハンダを用いて付着せしめられ
る。ヒートシンク素子の自由端は、グランドにハンダ付
けされる。
【０００７】本発明は、熱発生部品の包埋体に窓をレー
ザカッティングによって設けることを特徴としている。
本発明の他の特徴によれば、モールドリリース（離型）
材料（例えばPTFE）によって熱発生部品をコーティング
し、当該熱発生部品を包埋材料にて包埋し、得られる包
埋体に窓を設けて熱発生部品の熱放散面を露出せしめ
る、のである。
【０００８】本発明の実施例においては、当該包埋体の
表面に圧縮空気を供給することによって、当該包埋体の
輪郭付けされた領域を除去する。本発明の他の特徴によ
れば、熱発生部品の熱放散面を包埋体の露出面の近傍に
あるように該熱発生部品を包埋材料にて包埋し、得られ
る包埋体の表面において層を除去して、該包埋体の新し
い表面に結合した熱放散面を露出せしめるのである。
【０００９】本発明の実施例においては、該包埋体の新
しい表面が、該熱放散面より低く凹んでいる。ヒートシ
ンク（熱吸収）素子は、該新しい表面に結合し、該ヒー
トシンク素子は、該熱放散面に接触している。本発明の
他の特徴によれば、包埋された回路モジュールを用いる
方法が提供される。この方法は、レーサ゛を用いて該モ
ジュールの表面をトリミング（trimming）するステップ
を含んでいる。
【００１０】本発明の実施例においては、次のようなこ
とが含まれる。すなわち、該包埋回路は、モールドによ
り形成され、該トリミングステップは、該モジュールか
らモールドされた被覆を除去することを含んでいる。該
トリミングは、モールドされた被覆に平行な面におい
て、包埋回路モジュールの１部を除去することを含み得
る。また、該トリミングステップは、該モジュールの対
向平行面をトリミンク゛して所定の寸法公差を得ること
を含み得る。該包埋回路モジュールは、回路基板上に形
成され得、本発明による方法においては、該トリミング
の後に、該回路基板モジュールを打ち抜く（punching)
ステップを含み得る。該包埋回路モジュールは、回路基
板上に形成された複数の包埋回路モジュールであり得、
本発明による方法は、レーザを用いて別の包埋回路モジ
ュールをトリミングするステップと、該別の包埋回路モ
ジュールのトリミングの後、該回路基板から該包埋回路
モジュールを打ち抜くステップを含み得る。
【００１１】本発明の他の特徴によれば、回路基板上に
形成された包埋回路モジュールに用いる方法が提供され
る。この方法は、回路基板の一部を介してレーザを用い
て切断するステップを含んでいる。本発明の実施例にお
いては、次のことが含まれる。当該切断ステップは、当
該包埋回路モジュールを当該回路基板の非包埋部分から
分離するステップを含み得る。
【００１２】本発明の利点は次の通りである。レーザに
よる剥離工程が、包埋体における窓を形成する素早いか
つ正確な方法を提供する事である。熱発生部品の熱放散
面の近傍から包埋体を除去して該熱放散面の上に窓を形
成し、当該表面に直接熱伝導性ドレインを結合すること
によって当該部品から当該ドレインの熱伝導をよくす
る。当該窓のサイズの大きさと同じような大きさの熱伝
導性ドレインにおけるディンプルはヒートシンクの表面
をして熱発生部品の表面に付着せしめるのである。熱伝
導性エポキシ樹脂が熱発生部品の表面にドレインを付着
せしめる。該ドレインの自由端は、ベースプレートや同
様な熱除去表面又は媒体に熱的に結合せしめられて、該
部品から熱を奪うのである。
【００１３】レーザカッティングによって該包埋体に窓
を形成することはモールドバリ（flash）の発生問題を
回避できる。なんとなれば、レーザは、レーザの集光ゾ
ーンにおける部分のサイズや位置についての特別な公差
の要請が無いからである。種々のレーザパターンが該包
埋部品の用途や幾何学的な形状に応じて用いられ得る。
最初の周辺カッティングにおいては、レーザが除去さる
べき包埋体の領域の輪郭付けをなし、該包埋体の残りか
らその領域を熱的にアイソレーションする。この熱的ア
イソレーションはレーザ剥離工程において周辺カッティ
ング内の該包埋体の部分の膨張によって該包埋体の残り
が影響されることを防止する。また、この熱的アイソレ
ーションは、この周辺カッティングの外側の包埋体につ
いてのレーザの影響を少なくし、この周辺カッティング
に含まれる包埋体に対するレーザの影響を強くする。
【００１４】包埋材料を供給する前にモールドリリース
材料によって熱発生部品をコーティングすることによっ
て、該包埋体に窓を形成する為に必要なレーザパターン
の数を減少させる事が出来る。そして、一旦、周辺カッ
ティングがレーザによってなされたならば、該周辺カッ
ティング内の包埋体は熱発生部品の表面から剥される事
が出来る。なんとなれば、このモールドリリース材料は
該包埋体が該熱発生部品の表面に結合することを防止す
るからである。
【００１５】より安いモールディングが用いられ得る。
仕上げ部分の交差は正確に制御され得る。本発明の他の
特徴及び利点は以下の詳細な説明及び請求項の記載から
明らかである。
【００１６】
【発明の実施の形態】図２及び図３において、例えば、
充填材を含むノバラック（Novalac）樹脂からなるモー
ルディング部材１０のパターンが制御回路アセンブリの
対１３ａ，１３ｂ；１４ａ，１４ｂ；及び１５ａ，１５
ｂからなるマルチ回路アセンブリ２４上にオーバモール
ディングされる。また制御回路アセンブリはプリント配
線基板（PCB）150の上に設けられている。かかる構成は
例えば、上記した米国特許出願第08/077,011 号に示さ
れたものである。各制御回路アセンブリは1以上の熱発
生部品12を含んでいる。オーバモールディング後におい
て、オーバモールディングされた回路アセンブリ（すな
わち図３の２３ａ，２３ｂの対）はオーバモールディン
グされたアセンブリ２６から切り離され、これらの対２
３ａ，２３ｂは組合わされて完全な制御アセンブリ４４
（図１)を形成する。
【００１７】図４は制御アセンブリ４４内の熱発生部品
12をベースプレート５２に係合したメタルシールド２７
に熱的に結合させる1つの方法を示している。図示した
如く、熱伝導性ヒートドレイン１４（例えば銅からなっ
ている）はオーバモールディングされた回路アセンブリ
２３ａの側面１５に付着せしめられ、かつ、例えば、マ
サチューセッチュ州ビレーリカ市のエポキシテクノロジ
ー社によって製造されたアルミナ充填930−４エポキシ
樹脂からなる熱伝導性エポキシ樹脂２0を用いてメタル
シールド２７にハンダ付け又は結合されている。部品１
２によって生成された熱すなわち半導体チップ123によ
って生成された熱は、部品１２の熱拡散もしくは熱伝導
プレート６７の表面２１から部品１２を囲むモールディ
ング部材１０を経てドレイン１４によって放散せしめら
れる。典型的なモールディング部材の熱伝導性は銅の伝
導性よりも非常に低い（例えば、日東（Nitto)Mp190モ
ールディング部材の熱伝導性は0.7ワット／メートル＊
Ｋであり、銅の熱伝導性は400ワット／メータ＊Ｋであ
る）。オーバモールディング部材の断面が薄くても熱伝
導経路に於ける熱抵抗に加わって部品123の温度上昇を
生ずる。例えば、典型的なモジュール100において制御
アセンブリ４４の外径が0.89インチ長さ×0.30インチ幅
×0.34インチ高さのものにおいて、１ワットの電力が0.
22インチ×0.35インチの広さの表面積を有する部品１２
において放散され、日東ＭＰ190部材の0.020インチを熱
が通過するのである。その結果、部品内の温度上昇が、
モールディング部材１０のみによって約１５℃となる。
【００１８】制御アセンブリ４４内の部品１２とドレイ
ン１４との間の熱結合を改善する１つの方法が図５に示
されている。すなわち、レーザを用いて、部品１２の上
の表面領域２１から包埋体１０の一部を除去して窓１６
を形成している。ドレイン１４内において形成されたデ
ィンプル１８は窓１６の大きさと同様な大きさを有し、
ドレイン１４の表面１９が金属被覆エポキシ樹脂２０に
よって熱発生部品１２の表面２１に結合せしめられてい
る。ドレイン１４の一端２２は熱吸収伝導性シールド２
７にハンダ付けまたは接着せしめられている。
【００１９】図６において、包埋体１０内の窓１６は例
えば、マサチューセッツ州アクトンのＡＢレーザ社によ
って製造されたモデル６０ワットＮｄ：ＹＡＧ ＬＭＥ
6000のストロークマーキングレーザ装置によってレーザ
カッティングされ得る。この場合、連続する所定のレー
ザパターン２８が用いられる。空間的パターン２９,３
２及び３３は材料を剥離するためにレーザビームが取る
経路を画定している。かかるレーザ剥離の用意において
熱発生部品１２を含むオーバモールディングされたアセ
ンブリ２６がレーザステーションにおける芯合わせ固定
部（図示せず）に載置される。
【００２０】図７に示すように、最初のレーザカッティ
ングは、レーザによって剥離さるべき包埋体１０の領域
３０の輪郭づけをなし領域３０を包埋体１０の残りの部
分から熱的にアイソレーションする周辺カッティング２
９である。１つの例においては、周辺カッティング２９
は、0.1ないし0.2ミリメートルの幅（Ｔ１）であり、セ
ラミック部品の上の包埋体の厚さと同じ深さすなわち約
0.2ないし0.3ミリメートルの深さ（Ｔ２）である。かか
る周辺カッティング２９をなす為の典型的なレーザ設定
においては、切断経路を150ミリメートル／秒の速さ、
６KHz、及び19.0アンペアにて切断経路を２回通過す
る。（2.8ミリメートルアパーチャ；３Xアップコリメー
ション；100ミリメートルレンズ）周辺カッティング２
９の外側エッジ３１は面取りされ得（図示せず）、カッ
ティングエッジの応力を緩和する。この面取りは速度を
400ミリメートル／秒に増やすこと以外は同じ設定を用
いてなされ、経路位置は１回の通過の為の周辺カットの
外側エッジに設定される。
【００２１】周辺カッティング２９の後、包埋体１０の
領域３０は所定のレーザパターン（典型的には２つ）３
２及び３３（図６）の１以上の繰り返しによってレーザ
剥離され得、図８のような仕上げ窓を得る事が出来る。
レーザパターン３２は0.1ミリメートル（Ｔ３）の経路
ピッチの一連の平行ストロークからなり、順に包埋体１
０のストリップを取り除くのである。かかるレーザパタ
ーン３２の為の典型的なレーザ設定は1000ミリメーター
／秒、２０KHz及び19.0アンペアの２回通過によってな
され得る。
【００２２】レーザパターン２９及び３２によって露出
せしめられる、熱発生部品１２の熱放散面２１は最終的
なレーザパターン３３を与えることによって包埋体１０
の残りのトレースを除去すべく清掃され得る。このパタ
ーン３３は0.1ミリメートル（Ｔ４）の経路ピッチの一
連の平行ストロークである。この目的の為に、レーザ装
置が設定され、熱放散面２１の露出部を2000ミリメート
ル／秒、50KHz及び19.0アンペアのレーザパターンが一
度だけ通過する。この場合、同じスピードでかつ同じ電
力レベルでの連続波（CW)モードであってもよい。
【００２３】図９において、上記した如く、熱伝導性熱
ドレイン１４が金属被覆エポキシ樹脂２０を用いて熱放
散面２１の露出面に付着せしめられ得る。図１１ないし
１４に示した如く、レーザ剥離の為のみならず、レーザ
が例えばアセンブリ２３aの如きオーバモールディング
される回路アセンブリの各々の周辺からモールディング
部分を正確に除去またはトリミングする為に用いられ
る。このトリミングの為に、レーザビームはパターン16
8を追従して、モールディングバリ（フラッシング）163
を除去し、更に他のパターン164及び166を追従して仕上
げ部の最終的な外側部分を設定する（即ち、トリミング
後の回路アセンブリ２３a)。もしレーザがこの目的の為
に用いられる場合、モールドキャビティの大きさの公差
は緩和され、低コストのモールド及び長寿命のモールド
を得る事が出来る。即ちより多くのモールド摩耗が許容
されてより多くの部品を製造することが出来、モールド
のメインテナンスを減らすことができる。モールディン
グバリ163が除去され、その部分の大きさが設定された
ならば、レーザビームが別のパターン170及び172を追従
してPCB150の部分からアセンブリ２３aを切り取って除
去する。
【００２４】回路アセンブリ２３aをトリミングする為
に、レーザはモールディング部材のみならずPCB150の部
分もカッティングする。回路アセンブリ２３aはその３
つの面151，182及び186近傍のPCB150に結合している。
回路アセンブリ２３aは残りのPCB150からアイソレーシ
ョンされている。モールディングフラッシング（flashi
ng)160 （モールディングフラッシング163の一部）は2
つの回路アセンブリ２３a及び２３bを伸長する。トリミ
ングの為に用いられるレーザによって発射されるビーム
はPCB150の平面にほぼ垂直であり、回路アセンブリ２３
aの表面を切断して垂直な面162を形成する。このレーザ
によって形成される垂直面162は、モールディングプロ
セスによって形成される傾斜面161（ドラフト角度エッ
ジと称される）を除去される。パターン164ないし172の
為の典型的なレーザ設定は1000ミリメートル／秒、６KH
z及び２０アンペアである。レーザによるカッティング
工程中においてモールディング部材１０が冷えるのを防
止する目的で、レーザはパターン164ないし172を繰り返
す。よって、パターンの終わりに達した時レーザがその
終端から追従を開始する。
【００２５】回路アセンブリ２３aからモールディング
フラッシング163を除去する目的で、レーザは回路アセ
ンブリ２３aの周辺183をトレースするパターン168を追
従する。レーザはパターン168を６回繰り返すのであ
る。周辺183はモールディングフラッシング163が形成さ
れたアセンブリ２３aの周辺の部分を含み、モールドフ
ラッシング163の無い回路アセンブリ２３aからの伸長す
る回路基板152のエッジ151を除いている。
【００２６】２つの平行面180及び184の間で測定した仕
上げ部分の大きさを正確になすために、回路アセンブリ
２３aの１つの面180が直線レーザパターン164を用いて
トリミングされる。この場合、レーザは２０回だけパタ
ーン164を通過する。回路アセンブリ２３aの公差は別の
直線状レーザパターン166を用いて表面184をトリミング
して表面180及び184が所定の距離Ａだけ離れるまでトリ
ミングすることによって設定される。表面184に沿った
トリミングは2つの回路アセンブリ２３a及び２３bの間
に存在するモールドフラッシング160から回路アセンブ
リ２３aを分離する。この場合、レーザはレーザパター
ン166を３０回追従する。
【００２７】レーザによりトリミングを完了する為に、
直線状パターン172及び170を用いて表面182及び186の近
傍のPCB150をレーザカッティングする。この時のレーザ
はパターン170及び172の各々を２０回通過する。次い
で、回路アセンブリ２３aが当該セクション（そのエッ
ジ151において）をPCB150から分離する打ち抜きによっ
てPCB150から除去される。他のオーバモールディング回
路アセンブリは同様な対応にてレーザによるトリミング
がなされる。
【００２８】他の実施例は請求項の範囲内にある。例え
ば、包埋体１０の窓は熱発生部品１２の表面２１をモー
ルドリリース材料或いは同等な非付着材料によって包埋
材料１０によって包埋する前に予めコーティングするこ
とによって生成され得る。このモールドリリース材料と
しては例えば、コネチカット州ダンベリのミラー−ステ
ファンソンケミカル社によって製造されるPTFEリリース
材料乾燥潤滑材（図示せず）であってもよい。このモー
ルドリリース材料は包埋材料が部品１２の熱放散面２１
に付着することを防止するのである。周辺カッティング
２９（図７）が次いで包埋体１０において行われ（上記
したように）領域３０が輪郭付けされる。包埋体１０の
この領域３０はオーバモールディングされた回路アセン
ブリ２３aの表面に圧縮空気を供給することによって除
去され得、こうして部品１２の表面２１の上に窓１６が
形成される。
【００２９】熱導伝プレート６７(図５）はアルミナセ
ラミックの如きハンダ可能材料が結合し得る（例えば表
面に銅メッキすることによりあるいは銅の直接結合プロ
セスにより）表面を有する材料からなる場合、ドレイン
１４は表面が剥離処理された後の部品１２の露出面２１
にハンダ付けされ得る。図１０に示したような別のアプ
ローチにおいてはレーザが、単一の小さい矩形窓ではな
くオーバモールディングされた回路アセンブリ207（例
えばオーバモールディングされた回路アセンブリ２３a)
の全体表面202と同様な形状のマーキングパターンを用
いて操作される。このパターンはセラミック熱発生部品
206の頂面204の全体を露出せしめる。このホワイトセラ
ミックは包埋材料208とは異なる反射特性を有する故、
レーザは包埋材料を剥離してホワイトセラミックだけを
残すように形成され得る。こうして得られた剥離表面
（図１０の下半分212によって示されている）は包埋体
の頂部すなわち新鮮な表面214からわずかに突出するホ
ワイトセラミック表面を有する。この技術を用いて、セ
ラミック表面は包埋工程におけるモールドの内部表面に
極めて近くすることができる。すなわち、厚さＴが0.00
1乃至0.003インチであるほど小さい。
【００３０】このアプローチの利点は次の通りである。
表面202の全体が清掃されるので、窓の正確な位置付け
の必要性がなくなる。また、熱導伝ドレインが材料の平
坦な部分から容易に形成され得る。また、ディンプルの
深さ及び大きさについての許容誤差の条件が除かれる。
包埋体からセラミックが突出する距離に等しいギャップ
220がそれを埋めるように付着するドレインアタッチメ
ントの為に自動的に得られるのである。厚い付着ジョイ
ント（例えば0.001乃至0.03インチ）か゛ドレインのま
わりからセラミックインターフェースまで形成されるこ
とを許すことによって付着層が余りにも薄いことによっ
て生じ得る付着ジョイントの剪断応力の可能性を除去す
ることができる。
【００３１】他のレーザカッティング技術が用いられ
得、マスクマーカーCO2レーザを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 モジュラーパワーコンバータの展開斜視図で
ある。
【図２】 マルチ回路アセンブリの平面図である。
【図３】 オーバモールディング処理後の図２のマルチ
回路アセンブリの一部の斜視図である。
【図４】 オーバモールディングされたアセンブリの側
部に結合した熱伝導性ドレーンの断面側面図である。
【図５】 オーバモールディングされたアセンブリ内に
含まれる部品の表面に結合した熱伝導性ドレインの断面
側面図である。
【図６】 窓が包埋体の中に形成された後の図３のオー
バモールディングされた回路アセンブリの一部の斜視図
である。
【図７】 ２段階のプロセスにおける図３のオーバモー
ルディングされた回路アセンブリの一部の断面斜視図で
ある。
【図８】 ２段階プロセスにおける図３のオーバモール
ディング回路アセンブリの一部の断面斜視図である。
【図９】 熱伝導性ヒートドレインが付着した図２の基
盤の一部の断面斜視図である。
【図10】 処理の前後におけるオーバモールディングさ
れたアセンブリの一部の断面側面図である。
【図11】 オーバモールディング処理後のマルチ回路ア
センブリの平面図である。
【図12】 図１１の線１２−１２に沿ったマルチ回路
アセンブリの断面図である。
【図13】 図１１の線１３−１３に沿った図１１のマ
ルチ回路アセンブリの断面図である。
【図14】 マルチ回路アセンブリをトリミングする為
に用いられるレーザパターンの斜視図である。

Claims (45)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子部品アセンブリの製造方法であっ
    て、 発熱部品を包埋体によって包埋するステップと、 前記包埋体の中に窓を設けて前記発熱部品の熱放散面を
    露出せしめるステップと、 前記発熱部品の前記熱放散面に熱吸収素子を付着するス
    テップと、からなることを特徴とする電子部品アセンブ
    リの製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の方法であって、前記包埋
    体に窓を設けるステップは、前記包埋体において所定の
    パターンを形成するステップを含むことを特徴とする方
    法。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の方法であって、前記所定
    のパターンは、前記包埋体の除去さるべき領域を輪郭付
    けする周辺カッティングを含むことを特徴とする方法。
  4. 【請求項４】 請求項２記載の方法であって、前記所定
    のパターンは、前記包埋体のストリップを除去する為の
    平行ラインのパターンを含むことを特徴とする方法。
  5. 【請求項５】 請求項２記載の方法であって、前記所定
    パターンは、前記発熱部品の表面をきれいにする為の平
    行ラインのパターンを含むことを特徴とする方法。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の方法であって、前記包埋
    体に窓を形成するステップは、前記包埋体を除去するレ
    ーザを用いるステップを含むことを特徴とする方法。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の方法であって、前記レー
    ザはNd：YAGストロークマーキングレーザであることを
    特徴とする方法。
  8. 【請求項８】 請求項６記載の方法であって、前記包埋
    体を除去するステップは、所定のレーザパターンを用い
    るステップを含むことを特徴とする方法。
  9. 【請求項９】 請求項６記載の方法であって、前記包埋
    体を除去するステップは、周辺カッティングパターン及
    び平行ストロークパターンを用いるステップを含むこと
    を特徴とする方法。
  10. 【請求項10】 請求項１記載の方法であって、前記窓の
    エッジに沿って面取りをなすステップを更に含むことを
    特徴とする方法。
  11. 【請求項11】 請求項１記載の方法であって、前記熱吸
    収素子は金属からなることを特徴とする方法。
  12. 【請求項12】 請求項１記載の方法であって、前記熱吸
    収素子は銅からなることを特徴とする方法。
  13. 【請求項13】 請求項１記載の方法であって、前記熱吸
    収素子は、前記包埋体の中に形成された窓の大きさと同
    様な大きさのディンプルを含むことを特徴とする方法。
  14. 【請求項14】 請求項１記載の方法であって、前記熱吸
    収素子を付着するステップは、エポキシ樹脂を用いるス
    テップを含むことを特徴とする方法。
  15. 【請求項15】 請求項14記載の方法であって、前記エポ
    キシ樹脂は金属被覆エポキシ樹脂であることを特徴とす
    る方法。
  16. 【請求項16】 請求項１記載の方法であって、前記熱吸
    収素子を付着するステップは、ハンダを用いるステップ
    を含むことを特徴とする方法。
  17. 【請求項17】 電子部品アセンブリの製造方法であっ
    て、 包埋された発熱部品の包埋体に窓をレーザカッティング
    によって形成するステップを含むことを特徴とする方
    法。
  18. 【請求項18】 請求項17記載の方法であって、前記レー
    ザカッティングステップは前記包埋体の除去さるべき領
    域を輪郭付けする周辺カッティングをなすステップを含
    むことを特徴とする方法。
  19. 【請求項19】 請求項17記載の方法であって、前記レー
    ザカッティングステップは、前記包埋体のストリップを
    除去する為の一連の平行ストロークをなすステップを含
    むことを特徴とする方法。
  20. 【請求項20】 請求項17記載の方法であって、前記レー
    ザカッティングステップは、周辺カッティングパターン
    及び平行ストロークパターンを含むことを特徴とする方
    法。
  21. 【請求項21】 請求項20記載の方法であって、前記レー
    ザパターンは、周辺カッティングパターン及び平行スト
    ロークパターンを含むことを特徴とする方法。
  22. 【請求項22】 電子部品アセンブリの製造方法であっ
    て、 包埋された発熱部品に対し、包埋処理後の包埋体に形成
    された窓を通して熱吸収素子を付着するステップを含む
    ことを特徴とする方法。
  23. 【請求項23】 請求項22記載の方法であって、前記熱吸
    収素子は金属を含むことを特徴とする方法。
  24. 【請求項24】 請求項22記載の方法であって、前記熱吸
    収素子は銅を含むことを特徴とする方法。
  25. 【請求項25】 請求項22記載の方法であって、前記熱吸
    収素子は前記窓の大きさと同様な大きさのディンプルを
    含むことを特徴とする方法。
  26. 【請求項26】 請求項25記載の方法であって、前記熱吸
    収素子を付着するステップは、エポキシ樹脂を用いるス
    テップを含むことを特徴とする方法。
  27. 【請求項27】 請求項26記載の方法であって、前記エポ
    キシ樹脂は金属被覆エポキシ樹脂からなることを特徴と
    する方法。
  28. 【請求項28】 電子部品アセンブリの製造方法であっ
    て、 発熱部品をモールドリリース材料によってコーティング
    するステップと、 得られた発熱部品を包埋体に包埋するステップと、 前記包埋体に窓を形成して前記発熱部品の熱放散面を露
    出せしめるステップと、からなることを特徴とする方
    法。
  29. 【請求項29】 請求項28記載の方法であって、前記モー
    ルドリリース材料はPTFEからなることを特徴とする方
    法。
  30. 【請求項30】 請求項28記載の方法であって、前記包埋
    体に窓を形成するステップは、前記包埋体の除去さるべ
    き領域を輪郭付けする為にレーザによって周辺カッティ
    ングをなすステップと、前記包埋体の輪郭つけられた領
    域を除去するステップと、からなることを特徴とする方
    法。
  31. 【請求項31】 請求項30記載の方法であって、前記包埋
    体の輪郭付けされた領域を除去するステップは、前記発
    熱部品の表面から前記包埋体を剥離するステップを含む
    ことを特徴とする方法。
  32. 【請求項32】 請求項31記載の方法であって、前記包埋
    体を剥離するステップは、圧縮空気を前記包埋体の表面
    に供給して前記発熱部品から前記包埋体を移動せしめる
    ステップを含むことを特徴とする方法。
  33. 【請求項33】 電子部品アセンブリの製造方法であっ
    て、 発熱部品をモールドリリース材料によってコーティング
    するステップと、 得られた発熱部品を包埋体によって包埋するステップ
    と、 前記包埋体の除去さるべき領域を輪郭付けする為にレー
    ザを用いて前記包埋体において周辺カッティングを施す
    ステップと、 前記包埋体の表面に圧縮空気を供給することによって前
    記発熱部品の表面から前記包埋体を除去するステップ
    と、からなることを特徴とする方法。
  34. 【請求項34】 電子部品アセンブリの製造方法であっ
    て、 発熱部品を包埋体によって包埋するステップと、 前記包埋体の中に窓を形成するレーザカッティングステ
    ップと、 前記発熱部品の熱放散面にエポキシ樹脂を用いて銅製熱
    吸収素子を付着するステップと、からなることを特徴と
    する方法。
  35. 【請求項35】 電子部品アセンブリの製造方法であっ
    て、 部品の熱放散面が包埋体の露出面の近傍にあるように、
    前記部品を包埋するステップと、 前記包埋体の表面の層を除去して、前記包埋体の新しい
    表面に結合した前記熱放散面を露出せしめるステップ
    と、からなることを特徴とする方法。
  36. 【請求項36】 請求項35記載の方法であって、前記包埋
    体の新しい表面は、前記熱放散面の直下において窪みと
    して形成されていることを特徴とする方法。
  37. 【請求項37】 請求項35記載の方法であって、前記熱放
    散面に熱吸収素子を接触させるように前記新しい面に前
    記熱吸収素子を結合するステップを更に含むことを特徴
    とする方法。
  38. 【請求項38】 包埋回路モジュールに用いる方法であっ
    て、 前記モジュールの表面をレーザを用いてトリミングする
    ステップを含むことを特徴とする方法。
  39. 【請求項39】 請求項38記載の方法であって、前記包埋
    回路モジュールはモールドによって形成され、前記トリ
    ミングは前記モジュールからモールドフラッシングを除
    去するステップを含むことを特徴とする方法。
  40. 【請求項40】 請求項39記載の方法であって、前記トリ
    ミングをなすステップは、該モールドフラッシングに平
    行な平面において前記包埋回路モジュールの一部を除去
    するステップを含むことを特徴とする方法。
  41. 【請求項41】 請求項38記載の方法であって、前記トリ
    ミングを施すステップは、前記モジュールの相対する平
    行面をトリミングして所定の寸法公差を達成するステッ
    プを含むことを特徴とする方法。
  42. 【請求項42】 請求項38記載の方法であって、前記包埋
    回路モジュールは回路基板上に形成され、前記方法は更
    に、 前記トリミングを施すステップの後に前記回路基板から
    前記回路モジュールを打ち抜くステップを含むことを特
    徴とする方法。
  43. 【請求項43】 請求項38記載の方法であって、前記包埋
    回路モジュールは、１つの回路基板上に形成された複数
    の包埋回路モジュールの１つであって、前記方法は更
    に、 レーザを用いて他の包埋回路モジュールをトリミングす
    るステップと、 前記他の包埋回路モジュールをトリミングした後に前記
    回路基板から前記包埋回路モジュールを打ち抜くステッ
    プを含むことを特徴とする方法。
  44. 【請求項44】 回路基板上に形成された包埋回路モジュ
    ールを用いる方法であって、 レーザを用いて前記回路基板の一部を切り抜くステップ
    を含むことを特徴とする方法。
  45. 【請求項45】 請求項44記載の方法であって、前記切り
    抜くステップは、前記回路基板の非包埋部から前記包埋
    回路モジュールを分離するステップを含むことを特徴と
    する方法。
JP9290081A 1996-10-22 1997-10-22 電子部品アセンブリの製造方法 Pending JPH10178132A (ja)

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