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JPH10170933A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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Publication number
JPH10170933A
JPH10170933A JP32696396A JP32696396A JPH10170933A JP H10170933 A JPH10170933 A JP H10170933A JP 32696396 A JP32696396 A JP 32696396A JP 32696396 A JP32696396 A JP 32696396A JP H10170933 A JPH10170933 A JP H10170933A
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JP
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Patent type
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terminal
voltage
signal
electrode
external
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Granted
Application number
JP32696396A
Other languages
Japanese (ja)
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JP3484307B2 (en )
Inventor
Yoshiaki Nakayoshi
Kimitoshi Ougiichi
Nobuyuki Suzuki
良彰 仲吉
公俊 扇一
伸之 鈴木
Original Assignee
Hitachi Ltd
株式会社日立製作所
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Publication date

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the disconnection of the external terminal of a signal line, by providing a terminal (an electrolytic anticorrosion electrode) in which the voltage higher than the voltage of the signals being supplied to each external terminal, is applied and is electrically insulated from the external terminal and arranged side by side outside a display section between the external terminals.
SOLUTION: An electrolytic anticorrosion electrode 4A, which is an ITO film formed on the top surface of a video signal line terminal 3B while forming a pixel electrode, is laminated. Between the terminal 3B and other video signal line terminal 3B, an electric anticorrosion electrode 4C, which is the ITO film that is electrically insulated from the terminal 3B while the pixel electrodes are formed, is formed along the extended direction of the terminals 3B. A prescribed voltage is applied to each of the film through the wiring layer made of the material that is commonly connected inside a seal material, for example. Note that the voltage is larger than the signal (a voltage) supplied to the terminal 3B.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係り、たとえばアクティブ・マトリックス型の液晶表示装置に関する。 The present invention relates to relates to a liquid crystal display device, for example a liquid crystal display device of active matrix type.

【0002】 [0002]

【従来の技術】たとえばアクティブ・マトリックス型の液晶表示装置は、液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、x方向に延在され、かつ、y方向に並設された走査信号線とこれら走査信号線に絶縁されてy方向に延在され、かつ、x BACKGROUND ART For example the liquid crystal display device of active matrix type, the liquid-crystal-side surface of one transparent substrate of the transparent substrate facing each other via the liquid crystal, extending in the x direction, and, y It is insulated to the scanning signal lines and the scanning signal lines are arranged in parallel in a direction extending in the y direction, and, x
方向に並設された映像信号線とで囲まれた各領域にそれぞれ画素領域を構成するようになっている。 So as to constitute respective pixel regions with each region surrounded by the video signal lines are arranged in parallel in the direction.

【0003】そして、これら各画素領域において、走査信号線からの走査信号(電圧)の供給によってオンされる薄膜トランジスタTFTと、このオンされた薄膜トランジスタを介して映像信号線からの映像信号(電圧)が印加される透明な画素電極とが備えられている。 [0003] Then, in each of these pixel regions, and the thin film transistor TFT is turned on by a scan signal supplied from the scanning signal line (voltage), the video signal from the video signal line via the turned-on thin film transistor (voltage) a transparent pixel electrode to be applied is provided.

【0004】このような構成からなる液晶表示装置は、 [0004] The liquid crystal display device having such a configuration,
近年、その走査信号線あるいは映像信号線として、Cr Recently, as the scanning signal lines or video signal lines, Cr
あるいはその合金からなる導体層を用い、さらに、前記各信号線の端部であって信号を供給するための端子(外部端子)の表面にITO(Indium-Tin-Oxide)膜を積層する技術が知られるようになってきた。 Or of the conductor layer composed of the alloy, further, a technique for laminating the surface ITO (Indium-Tin-Oxide) film of terminals (external terminals) for supplying a end signal of each signal line It has come to be known.

【0005】各信号線と同一の材料からなる端子は、それが高温で湿度の高い環境に露呈されていると物理・化学反応を惹き越し、これら物理・化学反応は電気信号によって加速されて該外部端子に腐食をもたらすことから、比較的腐食に強い材料であるITO膜を覆う構造としている。 [0005] terminal made of the same material as the signal lines, it is the are exposed to humid environment at high temperatures come attract physical and chemical reactions, these physical and chemical reactions are accelerated by an electric signal the since the result of corrosion to the external terminal, it has a structure that covers the ITO film a strong material relatively corrosion.

【0006】なお、この明細書では、以下、端子の腐食を防止するために該端子に積層させて形成するITO膜のような導電層を耐腐食電極と称する場合がある。 [0006] In this specification, hereinafter, a conductive layer such as ITO film formed by stacking in the terminal in order to prevent corrosion of the terminal may be referred to as corrosion electrode.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような構成からなる液晶表示装置において、それを長時間にわたって駆動を行っていくうちに、等間隔に並設されている各端子(外部端子)のうち一つ置きに配置されている各端子に、Crあるいはその合金からなる導体層とITO膜との界面に発生する電食が原因となって断線する問題が指摘されるに到った。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the liquid crystal display device having such a structure, while is intended to make driving it for a long time, the terminals being arranged at equal intervals (external terminal) each pin out are arranged alternately, and led to Cr or problems electrolytic corrosion which occurs at the interface is disconnected causing the conductive layer and the ITO film made of the alloy is pointed out.

【0008】本発明者はこのような電食が発生する原因を追及した結果、各外部端子に印加される信号電圧の時間平均がそれぞれ一つ置きに異なっており、電圧が高い外部端子において断線が生じるという事実に基づき、隣接する外部端子の間に信号の電圧差による微小な漏洩電流が発生し、いわゆる電池作用によってCrあるいはその合金からなる導体層とITO膜との界面に電食が発生することが判明した。 [0008] The present inventors have results which investigated the cause of such electrolytic corrosion occurs, the time average is different in every other respective signal voltages applied to the respective external terminal, disconnection voltage at high external terminal on the basis of the fact that the results, small leakage current is generated due to a voltage difference signal between the adjacent external terminal, electrolytic corrosion at the interface between the Cr or conductive layer and the ITO film made of the alloy by the so-called cell action occurs it was found that.

【0009】本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、信号線の外部端子に電食が原因となって発生する断線を防止できる液晶表示装置を提供することにある。 [0009] The present invention has been made in view of such circumstances, that the aim is to provide a liquid crystal display device which can prevent breakage of the signal line to the external terminal electrolytic corrosion occurs caused It is in.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、 Among the inventions disclosed in the present application Means for Solving the Problems] To briefly explain the summary of typical,
以下のとおりである。 It is as follows.

【0011】すなわち、表示部内に形成される信号線のそれぞれに信号を供給するための外部端子が表示部外に並設されて形成され、これら各外部端子はCr層あるいはその合金層とITO膜(耐腐食電極)の順次積層体から構成されている液晶表示装置において、それぞれの外部端子の間に、該外部端子と電気的に絶縁されかつ各外部端子に供給される信号の電圧以上の電圧が印加される端子(以下、必要に応じて電食防止電極と称する場合がある)が備えられていることを特徴とするものである。 [0011] That is, the external terminals for supplying signals to the respective signal lines formed in the display portion are formed to be arranged in parallel in the display portion outer, respective external terminals Cr layer or an alloy layer and the ITO film in the liquid crystal display device and a sequential stack of (corrosion electrode), between each external terminal, the external terminal electrically insulated and a voltage equal to or higher than the voltage of the signal supplied to each external terminal there terminal applied (hereinafter, sometimes referred to by galvanic corrosion electrodes necessary) is characterized in that is provided.

【0012】このように構成した液晶表示装置は、新たに設けた端子も外部端子と同じ端子であるとして考えた場合、該端子とこの端子に隣接する外部端子との間に電圧差による微小な漏洩電流が発生することになる。 [0012] Such a liquid crystal display apparatus configured, when considered as the same terminal and also external terminal terminal newly provided, minute by a voltage difference between the external terminal adjacent to the terminal and the terminal so that the leakage current is generated.

【0013】しかしこの場合、電池作用によって起りえる電食は、電圧の高い端子(電食防止電極)側であって、電圧の低い外部端子側では全く発生しないことが確認される。 [0013] However, in this case, caused Riel electrolytic corrosion by the battery effect, a high terminal (electrolytic corrosion preventing electrode) side of voltage, it may not occur at all at low external terminal side of the voltage is checked.

【0014】このため、信号を供給するための外部端子には電食が発生しないことから、この電食が原因となる断線も生ぜず、信頼性に優れた液晶表示装置を得ることができるようになる。 [0014] Therefore, the signal from the the galvanic corrosion to an external terminal for supplying generates no, so that it is possible this electrolytic corrosion not occur even disconnection cause to obtain a liquid crystal display device having excellent reliability become.

【0015】しかも、電食防止電極として形成した端子においても、異種の金属の積層体でなく単層で形成することによって電食が発生し難い構造とすることができる。 [0015] Moreover, also in the formed terminals as galvanic corrosion electrode, diet conductive by forming a single layer rather than a laminate of different metals can be hardly structure occurs.

【0016】 [0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置の一実施例について図面を用いて説明をする。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a description with reference to the accompanying drawings, an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【0017】まず、図2は、液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の構成の概略を示した平面図である。 [0017] First, FIG. 2 is a plan view showing an outline of a liquid crystal-side configuration of the one transparent substrate of the pair of transparent substrates which are arranged to face each other via the liquid crystal.

【0018】同図において、透明基板1があり、この透明基板1の周辺を除く中央部は表示領域(図中一点鎖線Aで囲まれる領域)となっている。 [0018] In the figure, there is a transparent substrate 1, a central portion excluding the periphery of the transparent substrate 1 has a display area (area surrounded by a chain line A in the drawing).

【0019】なお、この表示領域は他の透明基板(図示せず)との間に液晶が介在される領域となっており、かつ、この液晶は図中一点鎖線Aに沿って形成されるシール材によって封入されるようになっている。 [0019] Incidentally, the display region is a region where the liquid crystal is interposed between the other transparent substrate (not illustrated), and sealing the liquid crystal is formed along the dashed line A in FIG. It is adapted to be enclosed by the timber.

【0020】そして、前記表示領域には、図中x方向に延在し、かつ、y方向に並設される走査信号線2が形成され、また、この走査信号線2と絶縁されてy方向に延在し、かつ、x方向に並設される映像信号線3が形成され、これら、走査信号線2と映像信号線3とで囲まれた各領域は、それぞれ画素領域を構成するようになっている。 [0020] Then, the display area extends in the x direction in the drawing, and the scanning signal line 2 is arranged in parallel in the y direction are formed, also, the y-direction is insulated from the scanning signal line 2 extends, and the video signal lines 3 are arranged in parallel in the x direction are formed, these respective regions surrounded by the scanning signal line 2 and the video signal line 3, respectively so as to constitute a pixel region going on.

【0021】すなわち、前記表示領域は、マトリックス状に配置された各画素領域の集合体によって形成されることになる。 [0021] That is, the display area will be formed by the assembly of pixel areas arranged in a matrix.

【0022】各画素領域は、その詳細を図3に示すように、該走査信号線2からの走査信号の供給によってオンされる薄膜トランジスタTFTと、このオンされた薄膜トランジスタTFTを介して前記映像信号線3からの映像信号が供給される画素電極4が形成されている。 [0022] Each pixel region, the details as shown in FIG. 3, the thin film transistor TFT is turned on by a scan signal supplied from the scanning signal line 2, the video signal line via the turned-on thin film transistor TFT pixel electrodes 4 video signal from the 3 is supplied is formed. また、これら薄膜トランジスタTFTおよび画素電極4の他に、前記薄膜トランジスタTFTを駆動させる走査信号線2とは異なる他の隣接する走査信号線2と前記画素電極4との間に付加容量素子Caddが形成されている。 In addition to these thin film transistors TFT and the pixel electrode 4, wherein the additional capacitor Cadd between the scanning signal lines 2 for driving the thin film transistor TFT and the scanning signal line 2 different other adjacent to the pixel electrode 4 is formed ing. この付加容量素子Caddは、薄膜トランジスタT This additional capacitor Cadd is a thin film transistor T
FTがオフしても、画素電極4に映像信号を長く蓄積させておくために備えられている。 FT is also turned off, which provided for allowed to accumulate long video signal to the pixel electrode 4.

【0023】そして、この画素領域の具体的な構成の一実施例として、その平面図を図4に、また、図4のV−V [0023] Then, as an example of a specific configuration of the pixel region, in Figure 4 a plan view thereof, also in FIG. 4 V-V
線における断面図を図5に、VI−VI線における断面図を図6に示している。 Figure 5 a cross-sectional view taken along the line shows a sectional view along line VI-VI in FIG.

【0024】図4に示すように、まず、透明基板1の表面において、図中x方向に延在しy方向に当間隔で並設される走査信号線2が形成されている。 As shown in FIG. 4, first, in the surface of the transparent substrate 1, the scanning signal line 2 to be arranged side by side at those intervals in the y-direction extend in the x direction in the drawing is formed. この走査信号線2はたとえばMoとCrとの合金層2Aによって形成されている。 The scanning signal line 2 is formed by an alloy layer 2A of, for example, Mo and Cr.

【0025】また、後述する映像信号線3が形成される部分において、該映像信号線3よりも幅広で、しかも、 Further, in the portion where the video signal line 3 to be described later is formed, wider and than the video signal line 3, moreover,
薄膜トランジスタTFTの形成領域(図中点線Bで囲まれる領域)を回避し前記走査信号線2と物理的に分離された状態で遮光膜5が形成されている。 Shielding film 5 in a state of formation region is avoided and the scanning signal lines 2 and the physically separate (area surrounded by dotted line in the figure B) of the thin film transistor TFT is formed. この遮光膜5は走査信号線2とともにいわゆるブラックマトリックス層となるもので、走査信号線2と同材料からなり該走査信号線2と同時に形成されるようになっている。 The light-shielding film 5 is adapted to the scanning signal line 2 together with those so-called black matrix layer, is the scanning signal line 2 simultaneously with the formation becomes scanning signal line 2 from the same material.

【0026】そして、このように走査信号線2および遮光膜5が形成された透明基板1の表面の全域には、該走査信号線2と後に詳述する映像信号線3との層間絶縁を図るための絶縁膜6がたとえばシリコン窒化膜によって形成されている(図4、図5参照)。 [0026] Then, the entire area of ​​the thus scanning signal lines 2 and the light shielding film 5 is formed a transparent substrate 1 of the surface, improve the interlayer insulation between the video signal line 3 to be described later and the scanning signal line 2 insulating film 6 is formed by a silicon nitride film, for example for (see FIGS. 4 and 5).

【0027】また、前記走査信号線2と後に詳述する映像信号線3とで囲まれる画素領域の一角(図中点線Bで囲まれる領域)における前記絶縁膜4の上面には薄膜トランジスタTFTが形成されるようになっている。 Further, the scanning signal line 2 the insulating layer 4 of the thin-film transistor TFT on the upper surface in the corner of the pixel region surrounded by the video signal line 3 to be described (the region surrounded by the dotted line in the figure B) after the formation It is adapted to be.

【0028】この薄膜トランジスタTFTの形成領域においては、ゲート絶縁膜として機能する前記絶縁膜2の下層において前記走査信号線2から一体になって延在されたゲート電極2Cが形成され、前記絶縁膜2の表面には該ゲート電極2Cを股がるようにしてアモルファスS [0028] In this forming region of the thin-film transistor TFT, the insulating film gate electrode 2C which extends in unison from the scanning signal line 2 at the second lower layer which functions as a gate insulating film is formed, the insulating film 2 amorphous S and extended over the gate electrode 2C to the surface of the
iからなる半導体層7が形成されている。 Semiconductor layer 7 is formed consisting of i.

【0029】そして、この半導体層7は、後に詳述する映像信号線3の形成領域において該映像信号線3と同一のパターンで延在されて形成されている。 [0029] Then, the semiconductor layer 7 is formed is extended in the same pattern and the video signal line 3 in a region of the video signal line 3 to be described later. この映像信号線3を半導体層7との積層構造とするのは、段切れ防止と交差する走査信号線2との間の容量を低減させるためである。 To the video signal line 3 and the stacked structure of the semiconductor layer 7 is to reduce the capacitance between the scanning signal line 2 to intersect the prevent disconnection.

【0030】薄膜トランジスタTFTの形成領域における半導体層7の表面にはドレイン電極3Dおよびソース電極3Sが形成され、これら各電極3D、3Sはそれを平面的に観た場合に前記ゲート電極2Cを間にして互いに対向して配置されている。 [0030] The surface of the semiconductor layer 7 in the formation region of the thin film transistor TFT drain electrode 3D and the source electrode 3S is formed, respective electrodes 3D, 3S is between the gate electrode 2C when watched it in a plane They are arranged opposite to each other Te.

【0031】なお、半導体層7の表面のドレイン電極3 [0031] The drain electrode 3 of the surface of the semiconductor layer 7
Dおよびソース電極3Sとの界面には前記半導体層7に高濃度の不純物がドープされたコンタクト層7Aが形成されている。 The interface between the D and source electrode 3S high concentration contact layer 7A doped with an impurity is formed on the semiconductor layer 7. この高濃度の不純物層は、半導体層7を形成した時点でその全面に形成されており、その後に形成する各電極3D、3Sをマスクとして前記各電極3D、 The high concentration impurity layer is formed on the entire surface at the time of forming the semiconductor layer 7, the electrode 3D, each electrode 3D The 3S as a mask for subsequently formed,
3Sから露呈された不純物層をエッチングすることによって形成されるようになっている。 And it is formed by etching the impurity layer which is exposed from 3S.

【0032】そして、ドレイン電極3Dとソース電極3 [0032] The drain electrode 3D and the source electrode 3
Sは映像信号線3と同一の工程で、かつ、同一の材料で形成されるようになっている。 S is in the same step and the video signal line 3, and is adapted to be formed of the same material.

【0033】すなわち、映像信号線3が、図中y方向に延在されx方向に等間隔に並設されて形成され、この際、映像信号線3から延在された延在部によってドレイン電極3Dが形成され、また、このドレイン電極3Dと離間された状態でソース電極3Sが形成されるようになっている。 [0033] That is, the video signal line 3 is formed are arranged side by side at equal intervals in the x-direction extending in the y direction in the drawing, this time, the drain electrode by extending portion which extends from the video signal line 3 3D is formed, also adapted to the source electrode 3S is formed in a state of being spaced apart from the drain electrode 3D.

【0034】また、ソース電極3Sは後に詳述する画素電極4の形成領域にまで延在されて形成され、この延在部において前記画素電極4とのコンタクトがとれるように構成されている。 Further, the source electrode 3S is formed is extended up to the formation region of the pixel electrode 4 to be described later, it is configured to contact with the pixel electrode 4 in the extending portion can be taken.

【0035】ここで、映像信号線3は走査信号線2と同一の材料から形成され、MoとCrとの合金層によって形成されている。 [0035] Here, the video signal line 3 is formed of the same material as the scanning signal line 2, it is formed by an alloy layer of Mo and Cr.

【0036】このように加工された透明基板1の表面の全域には、前記薄膜トランジスタTFTへの液晶の直接な接触を回避させるため、たとえばシリコン窒化膜からなる保護膜8が形成され、この保護膜8には前記ソース電極3Sの延在部の一部を露呈させるコンタクトホール8Aが形成されている。 [0036] The whole area of ​​the thus processed transparent substrate 1 of the surface, in order to avoid direct contact of the liquid crystal to the thin film transistor TFT, a protective film 8 made of, for example silicon nitride film is formed, the protective film contact holes 8A to expose a portion of the extending portion of the source electrode 3S is formed on 8.

【0037】そして、この保護膜8の上面における画素領域内にはたとえばITO(Indium-Tin-Oxide)膜からなる画素電極4が形成され、この画素電極4は前記コンタクトホール8Aを通して前記ソース電極3Sと電気的接続が図れるようになっている。 [0037] Then, this is the pixel area on the upper surface of the protective film 8 for example, the pixel electrode 4 made of ITO (Indium-Tin-Oxide) film is formed, the pixel electrode 4 and the source electrode 3S through the contact hole 8A electrical connection so that the attained with.

【0038】この場合、前記画素電極4の一部は、前記薄膜トランジスタTFTを駆動させるための走査信号線2とは異なる他の隣接する走査信号線2上にまで延在するように形成され、これにより、該画素電極4と走査信号線2との間に介在される前記絶縁膜6および保護膜8 [0038] In this case, a portion of the pixel electrode 4, the the scanning signal lines 2 for driving the thin film transistor TFT is formed to extend up to on the scanning signal line 2 different from the adjacent, this Accordingly, the insulating film is interposed between the pixel electrode 4 and the scanning signal line 2 6 and the protective film 8
の積層体を誘電体膜とする付加容量素子Caddが構成されるようになっている。 Additional capacitor Cadd to the laminate the dielectric film is adapted to be configured.

【0039】なお、図5に示すように、上記のように加工された透明基板1は、液晶LCを間にして他の透明基板1'が配置され、この透明基板1'の液晶LC側の面にはカラーフィルタ6'とともに各画素領域に共通な共通電極4'がたとえばITO膜によって形成されている。 [0039] Incidentally, as shown in FIG. 5, the processed transparent substrate 1 as described above, 'is disposed, the transparent substrate 1' other transparent substrate 1 and between the liquid crystal LC of the liquid crystal LC side the surface is formed by for example an ITO film 'common common electrode 4 in each pixel region with' color filter 6.

【0040】これにより、共通電極4'と各画素電極4 [0040] Thus, the common electrode 4 'and the respective pixel electrodes 4
との間に電圧差が生じることによって、その電圧差に応じてその間の液晶LCの光透過率が変化するようになっている。 By a voltage difference occurs, depending on the voltage difference between the light transmittance of the LC LC is adapted to change between.

【0041】また、図2に示すように、各走査信号線2 Further, as shown in FIG. 2, the scanning signal lines 2
の一端部は近接するシール材(図中一点鎖線Aに沿って形成される)の外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在された部分において走査信号端子部2Aを構成している。 One end of extends to the outside of the sealing material adjacent (formed along the dashed line in FIG. A), constitute the scanning signal terminal unit 2A in the extended portion to the outside of the sealing member ing.

【0042】同様に、たとえば奇数番目の各映像信号線3の一端部(図中上側の一端部)は近接するシール材の外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在された部分において映像信号端子部3Aを構成し、偶数番目の各映像信号線3の一端部(図中下側の一端部)は近接するシール材の外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在された部分において映像信号端子部3B [0042] Similarly, for example, one end portion of the odd-numbered respective video signal lines 3 (the upper side in the drawing of the end portion) is extended to the outside of the sealing material adjacent and extends to the outside of the sealing member up a video signal terminal portion 3A in the portion, (end portion of the lower side in the drawing) even-numbered one end of the respective video signal lines 3 are extended to the outside of the sealing member adjacent, to the outside of the sealing member video signal terminal unit 3B at the extended portion to
を構成している。 Constitute a.

【0043】このように、各映像信号線3における映像信号端子部3A、3Bを交互に異なる側から(図中上下の側から)取り出しているのは、たとえば、各映像信号線3におけるそれらの間隔が比較的狭く、仮に一方の側に全て各映像信号端子部を取り出した場合に、後述する駆動ICの配置に裕度がなくなるのを回避せんがためである。 [0043] Thus, the video signal terminal portion 3A of the respective video signal lines 3, 3B different from the side alternately (from the side in FIG vertical) What removed, for example, those in the respective video signal lines 3 spacing is relatively narrow, if tentatively taken out one respective video signal terminal portions of all the side, because it does not prevent the tolerance is eliminated in the arrangement of the driving IC to be described later.

【0044】この場合、各走査信号端子部2Aおよび各映像信号端子部3A、3Bのそれぞれは、透明基板1の周端にまで延在されることはなく、該周端までの間に充分なスペースを空けた状態でその手前まで延在されるように形成されている。 [0044] In this case, the scanning signal terminal portion 2A and the video signal terminal portion 3A, each 3B, not be extended to the peripheral edge of the transparent substrate 1, sufficient until the circumferential edge It is formed so as to extend to the front in a state of spaced-apart.

【0045】この理由は、図2に示す透明基板1のたとえば左下角部の詳細を示す図7に示すように、透明基板1の周辺部には走査信号端子部2Aに走査信号を供給するための駆動IC20A、および映像信号端子部3Bに映像信号を供給するための駆動IC20Bがボンデング搭載されるようになっているからである。 [0045] This is because, as shown in FIG. 7 showing the example of the details of the lower left corner transparent substrate 1 shown in FIG. 2, the peripheral portion of the transparent substrate 1 for supplying a scanning signal to the scan signal terminal unit 2A driving IC20B for supplying drive ICs 20a, and the video signal to the video signal terminal portion 3B of because is adapted to be mounted Bondengu.

【0046】これら各駆動IC20A、20Bはいわゆるテープキャリア方式で形成される回路からなり、フレキシブルな基板に半導体チップがフェースダウンされて搭載され、その半導体チップの各電極は該フレキシブル基板に形成された配線層を介し対向するそれぞれの辺部に形成された端子部にまで引き出されることによって構成されている。 [0046] Each of the drive ICs 20a, 20B comprises a circuit which is formed by a so-called tape carrier method, the semiconductor chip is mounted is mounted face-down on a flexible substrate, each electrode of the semiconductor chip formed on the flexible substrate It is constituted by drawn to the terminal portions formed on respective sides facing through the wiring layer.

【0047】この各駆動IC20A、20Bには、それぞれプリント基板21A、21Bに搭載された電源回路・CRT⇒TFT回路等からの信号等が供給されるようになっており、このため、図1に示すように、透明基板1の周端部付近の周辺部には、前記プリント基板側21A、2 [0047] Each drive ICs 20a, the 20B, printed circuit board 21A, respectively, are adapted to signals from the installed power circuit · CRT⇒TFT circuit or the like is supplied to 21B, Therefore, in FIG. 1 as shown, the peripheral portion near the circumferential edge portion of the transparent substrate 1, the printed circuit board side 21A, 2
1Bの各端子部に接続されるための端子部2T、3Tがそれぞれ形成されている。 Terminal portion 2T to be connected to the terminal portions of the 1B, 3T are formed, respectively.

【0048】なお、図7のVIII−VIII線における断面図を図8に示す。 [0048] Incidentally, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII of FIG. 図8に示すように、透明基板1上にボンディング搭載された駆動IC20Bおよび透明基板1に形成された端子部3Tに接続されたプリント基板21B As shown in FIG. 8, a printed circuit board 21B that is connected to the formed bonding onboard driving IC20B and the transparent substrate 1 on a transparent substrate 1 terminal portion 3T
の該接続部は、それぞれ合成樹脂22によって被われ湿気等を回避できるように構成されている。 The connection of the is configured to avoid covered is moisture and the like by each synthetic resin 22.

【0049】ここで、図1に示すように、走査信号線端子部2Aとこれに対向配置される端子部2T、映像信号線端子部3A、3Bとこれらに対向配置される端子部3 [0049] Here, as shown in FIG. 1, the scanning signal line terminal portions 2A and thereto disposed opposite the terminal portion 2T, the terminal unit 3 facing each video signal line terminal portions 3A, 3B and these
Tは、それぞれ同一の距離を保って並設されているように記載したものであるが、これは概略的に記載したもので、たとえば図2の点線Cで囲まれた領域の具体的な構成は図9に示すようになっている。 T is are those described as being arranged respectively keeping the same distance, this is the one described schematically, for example specific structure of the region surrounded by the dotted line C in FIG. 2 is as shown in FIG.

【0050】すなわち、図9において、ボンディング配置される一つの駆動IC20Bに対して、たとえば11 [0050] That is, in FIG. 9, for one driving IC20B being bonded arranged, for example, 11
本の映像信号線端子3Bがそれぞれ隣接され、また6本の端子部3Tがそれぞれ隣接されて配置されている。 Video signal line terminal 3B of the present are adjacent respectively, and six terminal portions 3T are arranged are respectively adjacent.

【0051】そして、この実施例では、各映像信号線端子3Bの上面には前記画素電極4の形成時に同時に形成されるITO膜(耐腐食電極4A)が積層されているとともに、各映像信号線端子3Bの隣接する他の映像信号線端子3Bとの間には、それら各映像信号線端子3Bと電気的に絶縁されて前記画素電極4の形成時に同時に形成されるITO膜(電食防止用電極4C)が各映像信号線端子3Bの延在方向に沿って形成され、これら各IT [0051] Then, in this embodiment, with the ITO film on the upper surface of each video signal line terminal 3B which is simultaneously formed during formation of the pixel electrode 4 (corrosion electrode 4A) are stacked, the respective video signal lines between the adjacent other video signal line terminal 3B of the terminal 3B, each of those video signal line terminal 3B electrically insulated with ITO film formed simultaneously with the formation of the pixel electrode 4 (electrolytic corrosion preventing electrode 4C) are formed along the extending direction of the video signal line terminal 3B, each of these iT
O膜はたとえばシール材(一点鎖線Aに沿って形成される)の内側において共通に接続された同材料からなる配線層4Pを介して所定の電圧が印加されるようになっている。 O film has a predetermined voltage through a wiring layer 4P formed of the same material which is connected to the common inside the example sealing material (formed along the dashed line A) is adapted to be applied. この場合の電圧としては、各映像信号線端子3B The voltage of this case, the video signal line terminal 3B
に供給される信号(電圧)以上の電圧が印加されるようになっている。 Signal supplied (voltage) more voltage is adapted to be applied to.

【0052】図9のI−I線における断面図は図1に示すようになっている。 [0052] sectional view of I-I line of FIG. 9 is as shown in FIG. 透明基板1の上面には前記絶縁膜6 The insulating layer on the upper surface of the transparent substrate 1 6
が形成され、この絶縁膜6の上面には映像信号線3をそのまま延在させた映像信号線端子3Bが形成され、さらにこの映像信号線端子3Bを被って保護膜8が形成されている。 There is formed, this is the upper surface of the insulating film 6 video signal line terminal 3B which has Zaisa as extending a video signal line 3 is formed, and further a protective film 8 suffered the video signal line terminal 3B is formed.

【0053】この保護膜には、映像信号線端子3Bを被う部分において該映像信号線端子3Bの周辺部を除く中央部を露呈させる開口部が形成されているとともに、隣接する映像信号線端子3Bの間の部分において絶縁膜6 [0053] The protective film, with openings for exposing the central portion excluding the peripheral portion of the video signal line terminal 3B at a portion covering the video signal line terminal 3B are formed, the adjacent video signal line terminal insulation in the portion between the 3B film 6
をも貫いて透明基板1の表面をも露呈させる開口部が形成されている。 Opening also exposing a surface of the transparent substrate 1 through also is formed.

【0054】そして、上述した開口部のそれぞれには画素電極4と同時に形成されるITO膜が形成され、これにより、映像信号線端子3Bに積層されたITO膜は該映像信号線端子3Bの腐食を防止する耐腐食電極4Aとして機能するとともに、各映像信号線端子3Bとの間に配置されるITO膜は電食防止用電極4Cとして機能するようになっている。 [0054] Then, ITO film is formed simultaneously with the pixel electrode 4 is formed in the respective openings described above, thereby, ITO film laminated to the video signal line terminal 3B corrosion of the video signal line terminal 3B functions as corrosion electrodes 4A to prevent, ITO film disposed between the video signal line terminal 3B is adapted to function as an electrode 4C for preventing electrolytic corrosion.

【0055】なお、このような構成は、図2において図中上側に配置される映像信号線端子3A側においても同様となっている。 [0055] Incidentally, such a configuration has the same also in the video signal line terminal 3A side, which is disposed on the upper side in FIG. 2.

【0056】このように構成することによって、新たに設けた電食防止用電極4Cも映像信号端子部3Bと同じ端子であるとして考えた場合、該電食防止用電極4Cとこの電食防止用電極4Cに隣接する映像信号線端子部3 [0056] By such a structure, when considered as a newly provided with galvanic corrosion electrode 4C is the same terminal as the video signal terminal unit 3B, for the galvanic corrosion and electrical corrosion prevention electrode 4C the video signal line terminal portions 3 adjacent to the electrode 4C
Bとの間に電圧差による微小な漏洩電流が発生することになる。 A minute leakage current due to the voltage difference will occur between the B.

【0057】しかしこの場合、電池作用によって起りえる電食は、電圧の高い電食防止電極4C側であって、電圧の低い映像信号線端子部3B側では全く発生しないことが確認される。 [0057] However, in this case, caused Riel electrolytic corrosion by the battery effect, a high electric corrosion preventing electrode 4C side of voltage, it may not occur at all at low video signal line terminal portions 3B side of the voltage is checked.

【0058】このため、信号を供給するための映像信号線端子部3Bには電食が発生しないことから、この電食が原因となる断線も生ぜず、信頼性に優れた液晶表示装置を得ることができるようになる。 [0058] Therefore, the signal from the the galvanic corrosion to the video signal line terminal portions 3B for supplying generates no, not occur even breaking this electrolytic corrosion causes, obtain a liquid crystal display device having excellent reliability it becomes possible.

【0059】しかも、電食防止電極4においても、それを異種の金属の積層体でなく単層で形成することによって電食が発生し難い構造とすることができる。 [0059] Moreover, also in electrolytic corrosion preventing electrode 4, it diet conductive by forming a single layer rather than a laminate of dissimilar metals can be hardly structure occurs.

【0060】同様に、走査信号線端子2Aにおいても、 [0060] Similarly, in the scanning signal line terminals 2A,
その断面図を図10において示すように、透明基板1の上面には走査信号線2をそのまま延在させた走査信号線端子2Aが形成され、さらにこの走査信号線端子2Aを被って絶縁膜6が形成されている。 The cross-sectional view as shown in FIG. 10, the upper surface of the transparent substrate 1 is a scanning signal line terminal 2A that has Zaisa as extending the scanning signal line 2 is formed, further suffer from the scanning signal line terminal 2A insulating film 6 There has been formed.

【0061】そして、この絶縁膜6の上面には保護膜8 [0061] Then, the protective on the upper surface of the insulating film 6 film 8
が形成されている。 There has been formed.

【0062】この保護膜8には、その下層の絶縁膜6をも貫いて、走査信号線端子2Aを被う部分において該走査信号線端子2Aの周辺部を除く中央部を露呈させる開口部が形成されているとともに、隣接する映像信号線端子3Bの間の部分において透明基板1の表面を露呈させる開口部が形成されている。 [0062] The protective film 8, through also an insulating film 6 of the lower layer, openings to expose a central portion excluding the peripheral portion of the scanning signal line terminal 2A is in a portion which covers the scanning signal line terminal 2A together they are formed, openings for exposing the surface of the transparent substrate 1 at a portion between the adjacent video signal line terminal 3B is formed.

【0063】そして、上述した開口部のそれぞれには画素電極4と同時に形成されるITO膜が形成され、これにより、走査信号線端子2Bに積層されたITO膜は該走査信号線端子2Aの腐食を防止する耐腐食電極4Aとして機能するとともに、各走査信号線端子2Aとの間に配置されるITO膜は電食防止用電極4Cとして機能するようになっている。 [0063] Then, the respective openings of the above-described ITO film is formed simultaneously with the pixel electrode 4 is formed, thereby, the ITO film laminated on the scanning signal line terminal 2B corrosion of the scanning signal line terminal 2A functions as corrosion electrodes 4A to prevent, ITO film disposed between the scanning signal line terminal 2A is adapted to function as an electrode 4C for preventing electrolytic corrosion.

【0064】なお、これら走査信号線端子2Bおよび電食防止用電極4Cの平面的パターンは図9に示したとほぼ同様となっており、該電食防止用電極4Cを互いに接続する同材料からなる配線層はシール材の内側に配置され、図9に示す配線層4Pと一体に形成されている。 [0064] It should be noted that these planar patterns of the scanning signal line terminal 2B and the electrolytic corrosion preventing electrode 4C is almost the same as that shown in FIG. 9, consists of the same material for connecting the electric corrosion preventing electrode 4C each other wiring layer is disposed on the inner side of the sealing material, it is integrally formed with the wiring layer 4P shown in Fig.

【0065】このように構成した場合、新たに設けた電食防止用電極4Cも走査信号端子部2Aと同じ端子であるとして考えた場合、該電食防止用電極4Cとこの電食防止用電極4Cに隣接する走査信号線端子部2Aとの間に電圧差による微小な漏洩電流が発生することになる。 [0065] With such a configuration, if the newly provided with galvanic corrosion electrode 4C was also considered as the same terminal as the scan signal terminal unit 2A, the electrolytic corrosion preventing electrode and the electric corrosion preventing electrode 4C 4C small leakage current due to the voltage difference between the scanning signal line terminal portions 2A adjacent is generated in the.

【0066】しかしこの場合、電池作用によって起りえる電食は、電圧の高い電食防止電極4C側であって、電圧の低い走査信号線端子部2A側では全く発生しないことが確認される。 [0066] However, in this case, caused Riel electrolytic corrosion by the battery effect, a high electric corrosion preventing electrode 4C side of voltage, it may not occur at all at low scan signal line terminal portions 2A side of the voltage is checked.

【0067】このため、信号を供給するための走査信号線端子部2Aには電食が発生しないことから、この電食が原因となる断線も生ぜず、信頼性に優れた液晶表示装置を得ることができるようになる。 [0067] Therefore, the signal from the the galvanic corrosion to the scanning signal line terminal portions 2A for supplying generates no, not occur even breaking this electrolytic corrosion causes, obtain a liquid crystal display device having excellent reliability it becomes possible.

【0068】しかも、電食防止電極4においても、それを異種の金属の積層体でなく単層で形成することによって電食が発生し難い構造とすることができる。 [0068] Moreover, also in electrolytic corrosion preventing electrode 4, it diet conductive by forming a single layer rather than a laminate of dissimilar metals can be hardly structure occurs.

【0069】次に、このように構成される液晶表示装置の製造方法の一実施例について図11ないし図15を用いて説明する。 [0069] Next, an embodiment of a manufacturing method of the thus configured liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. 11 to 15.

【0070】なお、各図において、その(a)は図1に対応する図で映像信号線端子3B側の部分を示し、 [0070] In each figure, the (a) the portion of the video signal line terminal 3B side view corresponding to FIG. 1,
(b)は図10に対応する図で走査信号線端子2A側の部分を示している。 (B) shows a portion of Figure the scanning signal line terminal 2A side corresponding to FIG. 10. また、(c)は製造プロセスを説明する図となっている。 Also a diagram explaining the (c) the manufacturing process.

【0071】 ステップ1. [0071] Step 1. (図11)透明基板1の主表面の全域にたとえばスパッタリング方法を用いてCrとMoの合金層を形成する。 Forming an alloy layer of Cr and Mo for example using a sputtering method on the entire main surface of (Fig. 11) transparent substrate 1. この合金層は走査信号線2、この走査信号線2と一体に形成される薄膜トランジスタTFTのゲート電極2C、該走査信号線2と一体に形成される走査信号線端子2A、端子部2 The alloy layer is the scanning signal line 2, gate electrode 2C of the scanning signal lines 2 and the thin film transistor TFT are integrally formed, the scanning signal line terminal 2A which is formed integrally with the scanning signal line 2, the terminal unit 2
T、および遮光膜5を形成するための金属層となるものである。 T, and it is made of a metal layer for forming the light shielding film 5.

【0072】 ステップ2. [0072] Step 2. (図11)前記合金層の上面の全域にフォトレジスト膜を塗布する。 (11) coating a photoresist film on the entire upper surface of the alloy layer. そして、走査信号線2、この走査信号線2と一体に形成される薄膜トランジスタTFTのゲート電極2C、 Then, the scanning signal line 2, gate electrode 2C of the thin film transistor TFT formed integrally with the scanning signal line 2,
該走査信号線2と一体に形成される走査信号線端子2 Scanning signals are formed in two integrally the scanning signal lines line terminals 2
A、端子部2T、および遮光膜5のパターンが形成されたフォトマスクを介して前記フォトレジスト膜を選択露光する。 A, selects exposing the photoresist film through a photomask terminal portion 2T, and the pattern of the light shielding film 5 is formed.

【0073】その後、前記フォトレジスト膜を現像することによって、前記走査信号線2、この走査信号線2と一体に形成される薄膜トランジスタTFTのゲート電極2C、該走査信号線2と一体に形成される走査信号線端子2A、端子部2T、および遮光膜5の形成領域以外の領域に相当するフォトレジスト膜を除去し、この除去された部分から前記合金層を露呈させる。 [0073] Then, by developing the photoresist film, the scanning signal line 2, gate electrode 2C of the thin film transistor TFT formed integrally with the scanning signal line 2, it is formed integrally with the scanning signal line 2 scanning signal line terminal 2A, the terminal portions 2T, and the photoresist film corresponding to a region other than the formation region of the light shielding film 5 is removed, exposing the alloy layer from the removed portion.

【0074】 ステップ3. [0074] Step 3. (図11)残存されたフォトレジスト膜をマスクとして、このマスクから露呈された前記合金層を選択エッチングする。 (11) the remaining photoresist film as a mask, selectively etching the alloy layer which is exposed through the mask.

【0075】これにより、残存された合金層によって、 [0075] Thus, the remaining reduced alloy layer,
走査信号線2、この走査信号線2と一体に形成される薄膜トランジスタTFTのゲート電極2C、該走査信号線2と一体に形成される走査信号線端子2A、端子部2 Scanning signal line 2, gate electrode 2C of the scanning signal lines 2 and the thin film transistor TFT are integrally formed, the scanning signal line terminal 2A which is formed integrally with the scanning signal line 2, the terminal unit 2
T、および遮光膜5が形成される。 T, and the light shielding film 5 is formed.

【0076】 ステップ4. [0076] Step 4. (図12)このように加工された透明基板1の主表面の全域にシリコン窒化膜からなる絶縁膜6、i型のアモルファスSi (Figure 12) amorphous Si of the thus processed silicon nitride film on the entire main surface of the transparent substrate 1 an insulating film 6, i-type
からなる半導体層7、およびn型の不純物がドーピングされたアモルファスSi半導体層7AをたとえばCVD Semiconductor layer 7, and the n-type impurity doped amorphous Si semiconductor layer 7A, for example CVD consisting
方法を用いて順次形成する。 Sequentially formed using the method.

【0077】この場合、同一のCVD装置を用いて、連続的に絶縁膜6、半導体層7、およびn型の不純物がドーピングされた半導体層7Aを順次形成することによって、それら工程の簡略化を達成させることができるようになる。 [0077] In this case, using the same CVD apparatus, continuously insulating film 6 by the semiconductor layer 7, and the n-type impurities are sequentially formed semiconductor layer 7A doped, the simplification of their steps it is possible to achieve.

【0078】 ステップ5. [0078] Step 5. (図12)前記n型の不純物がドーピングされた半導体層7Aの上面の全域にフォトレジスト膜を塗布する。 (12) the n-type impurity is a photoresist film on the entire upper surface of the semiconductor layer 7A doped. そして、薄膜トランジスタTFTおよび映像信号線3のパターンが形成されたフォトマスクを介して前記フォトレジスト膜を選択露光する。 Then, selective exposure of the photoresist film through a photomask pattern of the thin film transistor TFT and the video signal line 3 is formed.

【0079】その後、前記フォトレジスト膜を現像することによって、前記薄膜トランジスタTFTおよび映像信号線3の形成領域以外の領域に相当するフォトレジスト膜を除去し、この除去された部分から前記n型の不純物がドーピングされた半導体層7Aの上面を露呈させる。 [0079] Then, by developing the photoresist film, the photoresist film is removed, impurities from the removed portion of the n-type corresponding to the area other than the formation region of the thin film transistor TFT and the video signal line 3 There exposing the upper surface of the doped semiconductor layer 7A.

【0080】 ステップ6. [0080] Step 6. (図12)残存されたフォトレジスト膜をマスクとして、このマスクから露呈された前記n型の不純物がドーピングされた半導体層7Aおよびその下層の半導体層7を選択エッチングする。 (FIG. 12) masking the remaining photoresist film, the n-type impurity that is exposed from the mask is selectively etched semiconductor layer 7A and the lower semiconductor layer 7 thereof doped.

【0081】この場合、半導体層7の下層に位置づけられる絶縁膜6はエッチングすることなく残存させる。 [0081] In this case, the insulating film 6 positioned on the lower semiconductor layer 7 is left without etching.

【0082】これにより、薄膜トランジスタTFTの形成領域において、ゲート絶縁膜となるシリコン窒化膜、 [0082] Thus, in the formation region of the thin film transistor TFT, and a silicon nitride film serving as a gate insulating film,
i型のアモルファスSi半導体層、およびコンタクト層となるn型の不純物がドーピングされたアモルファスS i-type amorphous Si semiconductor layer, and amorphous S where n-type impurity serving as the contact layer is doped
i半導体層が順次形成されることになる。 i semiconductor layer is to be formed successively.

【0083】また、後に形成される映像信号線3は、その下層においてn型の不純物がドーピングされた半導体層7Aおよび半導体層7との積層構造として形成されるようになる。 [0083] Further, the video signal line 3 to be formed later is, n-type impurity is to be formed as a stacked structure of the semiconductor layer 7A and the semiconductor layer 7 doped in the underlying.

【0084】 ステップ7. [0084] Step 7. (図13)さらに、このように加工された透明基板の主表面1の全域にたとえばスパッタリング方法を用いてMoとCrとの合金層を形成する。 (13) Moreover, in this way using the processed entire main surface 1 of the transparent substrate, for example a sputtering method to form an alloy layer of Mo and Cr. この合金層は映像信号線3、この映像信号線3と一体に形成される薄膜トランジスタTF The alloy layer is the video signal line 3, a thin film transistor TF which is formed integrally with the video signal line 3
Tのソース電極3Sおよびドレイン電極3D、該映像信号線3と一体に形成される映像信号線端子3B、および端子部3Tを形成するための金属層となるものである。 T source electrode 3S and the drain electrode 3D of, and serves as a metal layer for forming the video signal line terminal 3B which is formed integrally with the video signal line 3, and a terminal portion 3T.

【0085】 ステップ8. [0085] Step 8. (図13)前記合金層の上面の全域にフォトレジスト膜を塗布する。 (13) coating a photoresist film on the entire upper surface of the alloy layer. そして、映像信号線3、この映像信号線3と一体に形成される薄膜トランジスタTFTのソース電極3Sおよびドレイン電極3D、該映像信号線3と一体に形成される映像信号線端子3B、および端子部3Tのパターンが形成されたフォトマスクを介して前記フォトレジスト膜を選択露光する。 Then, the video signal lines 3, the source electrode 3S and the drain electrode 3D of the thin film transistor TFT formed integrally with the video signal line 3, the video signal line terminal 3B which is formed integrally with the video signal lines 3, and the terminal portion 3T selecting exposing the photoresist film through a photomask pattern is formed.

【0086】その後、前記フォトレジスト膜を現像することによって、前記映像信号線3、この映像信号線3と一体に形成される薄膜トランジスタTFTのソース電極3Sおよびドレイン電極3D、該映像信号線3と一体に形成される映像信号線端子3B、および端子部3Tの形成領域以外の領域に相当するフォトレジスト膜を除去し、この除去された部分から前記合金層を露呈させる。 [0086] Then, by developing the photoresist film, the video signal line 3, the source electrode 3S and the drain electrode 3D of the thin film transistor TFT formed integrally with the video signal line 3, integral with the video signal line 3 video signal line terminal 3B to be formed, and the photoresist film corresponding to a region other than the formation area of ​​the terminal portion 3T is removed, exposing the alloy layer from the removed portion.

【0087】 ステップ9. [0087] Step 9. (図13)残存されたフォトレジスト膜をマスクとして、このマスクから露呈された前記合金層を選択エッチングする。 (13) the remaining photoresist film as a mask, selectively etching the alloy layer which is exposed through the mask.

【0088】これにより、残存された合金層によって、 [0088] Thus, the remaining reduced alloy layer,
前記映像信号線3、この映像信号線3と一体に形成される薄膜トランジスタTFTのソース電極3Sおよびドレイン電極3D、該映像信号線3と一体に形成される映像信号線端子3B、および端子部3Tが形成される。 The video signal line 3, the source electrode 3S and the drain electrode 3D of the thin film transistor TFT formed integrally with the video signal line 3, the video signal line terminal 3B which is formed integrally with the video signal line 3, and the terminal portion 3T It is formed.

【0089】さらに、前記薄膜トランジスタTFTの形成領域に形成された半導体層7の上層であってn型の不純物がドーピングされた半導体層7Aを前記ソース電極3Sおよびドレイン電極3Dをマスクとして選択エッチングする。 [0089] Further, the upper layer is a n-type impurity of the thin film transistor semiconductor layer 7 formed on the formation region of the TFT is selectively etching the source electrode 3S and the drain electrode 3D semiconductor layer 7A doped as a mask. これにより、残存された前記n型の不純物がドーピング半導体層7Aは半導体層7に対するソース電極3Sおよびドレイン3D電極との界面にのみ形成されコンタクト層7Aとして機能するようになる。 Thus, impurity doping semiconductor layer 7A of the remaining has been the n-type will function as a surfactant only is formed on the contact layer 7A of the source electrode 3S and the drain 3D electrode to the semiconductor layer 7.

【0090】 ステップ10. [0090] Step 10. (図14)このように加工された透明基板1の主表面の全域にシリコン窒化膜からなる保護膜8をたとえばプラズマCVD (Figure 14) thus processed protective film 8, for example plasma CVD of silicon nitride film on the entire main surface of the transparent substrate 1
方法により形成する。 Formed by a method.

【0091】 ステップ11. [0091] Step 11. (図14)この保護膜8にコンタクト孔8A(図6参照)を形成する。 (Figure 14) to form a contact hole 8A (see FIG. 6) in the protective film 8. この際に同時に映像信号線端子3Bの上面に形成されている保護膜8および走査信号線端子2Aの上面に形成されている保護膜3に開口を設ける。 In this case the provision of the opening in the protective film 3 formed on the upper surface of the protective film 8 and the scanning signal line terminal 2A is formed on the upper surface of the video signal line terminal 3B at the same time.

【0092】これにより、映像信号線端子3Bはその周辺を除く中央部が保護膜8から露呈されるが、走査信号線端子2Aはその下層の絶縁膜6の表面の一部が露呈されるだけに止まる。 [0092] Thus, only the video signal line terminal 3B is a central portion except the periphery thereof is exposed from the protective film 8, the scanning signal line terminal 2A is a part of the surface of the insulating film 6 of the lower layer is exposed it stops.

【0093】また、この保護膜8に、前記コンタクト孔8Aを形成する際に同時に、各映像信号線端子3Bの間の領域および各走査信号線端子2Aの間の領域に開口を設ける。 [0093] Further, the protective film 8, the contact hole 8A simultaneously with the formation of the, an opening in a region between the region and the respective scanning signal line terminal 2A during each video signal line terminal 3B. この場合においても、その下層の絶縁膜6の表面の一部が露呈されるだけに止まる。 Also in this case, it stops only a portion of the surface of the insulating film 6 of the lower layer is exposed.

【0094】 ステップ12. [0094] Step 12. (図14)ステップ11で用いたマスクをそのまま用いて、ドライエッチングを行う。 (Figure 14) as it is using the mask used in the step 11, dry etching is performed. これにより、絶縁膜6に穴開けがなされ、走査信号線端子2Aはその周辺を除く中央部が露呈されるとともに、この各走査信号線端子2Aの間の領域および映像信号線端子3Bの間の領域において透明基板1の表面が露呈されるまで開口が形成されることになる。 Thus, the insulating film 6 drilled holes are made, the scanning signal line terminal 2A along with the central portion is exposed except the periphery thereof, between the area and the video signal line terminal 3B between the scanning signal line terminals 2A the surface of the transparent substrate 1 so that the opening is formed to be exposed in the region.

【0095】 ステップ13. [0095] Step 13. (図15)このように加工された透明基板1の表面の全域にITO (Figure 15) ITO on the entire thus processed transparent substrate 1 of the surface
(Indium-Tin-Oxide)膜を形成する。 To form a (Indium-Tin-Oxide) film. このITO膜の厚さとしては70〜300nmが適当であり、この実施例では140nmとした。 As the thickness of the ITO film is suitably 70 to 300 nm, and a 140nm in this embodiment. このITO膜は、画素電極4、 The ITO film, the pixel electrode 4,
映像信号線端子3Bに積層される耐腐食電極4B、走査信号線端子2Aに積層される耐腐食電極4A、各映像信号線端子3Bの間に形成される電食防止用電極4C、各走査信号線端子2Aの間に形成される電食防止用電極4 Corrosion electrode 4B laminated on the video signal line terminal 3B, corrosion electrode 4A to be laminated on the scanning signal line terminals 2A, formed by electrolytic corrosion prevention electrode 4C during each video signal line terminal 3B, the scanning signal electrode electrolytic corrosion prevention is formed between the line terminals 2A 4
Cを形成するために形成されるようになっている。 It is adapted to be formed to form a C.

【0096】 ステップ14. [0096] Step 14. (図15)前記ITO膜の表面の全域にフォトレジスト膜を形成し、前記画素電極4、映像信号線端子3Bに積層される耐腐食電極4B、走査信号線端子2Aに積層される耐腐食電極4A、各映像信号線端子3Bの間に形成される電食防止用電極4C、各走査信号線端子2Aの間に形成される電食防止用電極4Cのパターンを有するフォトマスクを介して該フォトレジスト膜に選択露光を行う。 (15) the photoresist film is formed on the entire surface of the ITO film, the pixel electrode 4, the corrosion electrode 4B laminated on the video signal line terminal 3B, corrosion electrode laminated on the scanning signal line terminal 2A 4A, galvanic corrosion electrode 4C formed between the video signal line terminal 3B, the photo through a photomask having a pattern of electrical corrosion prevention electrode 4C formed between the scanning signal line terminals 2A make a selection exposure to the resist film.

【0097】そして、該フォトレジスト膜を現像することによって、前記画素電極4、映像信号線端子3Bに積層される耐腐食電極4B、走査信号線端子2Aに積層される耐腐食電極4A、各映像信号線端子3Bの間に形成される電食防止用電極4C、各走査信号線端子2Aの間に形成される電食防止用電極4Cの形成領域以外のフォトレジスト膜を除去する。 [0097] Then, by developing the photoresist film, the pixel electrode 4, the corrosion electrode 4B laminated on the video signal line terminal 3B, corrosion electrode 4A to be laminated on the scanning signal line terminals 2A, each video galvanic corrosion electrode 4C formed between the signal line terminals 3B, the photoresist film is removed except forming areas of electrolytic corrosion prevention electrode 4C formed between the scanning signal line terminal 2A.

【0098】 ステップ15. [0098] Step 15. (図15)残存されたフォトレジスト膜をマスクとし、このマスクから露呈された前記ITO膜を選択エッチングする。 (15) the remaining photoresist film as a mask, selectively etching the ITO film which is exposed from the mask.

【0099】これにより、残存されたITO膜によって画素電極4、映像信号線端子3Bに積層される耐腐食電極4B、走査信号線端子2Aに積層される耐腐食電極4 [0099] Accordingly, the pixel electrode 4 by the residual by the ITO film, corrosion electrode 4B laminated on the video signal line terminal 3B, corrosion electrode is laminated on the scanning signal line terminal 2A 4
A、各映像信号線端子3Bの間に形成される電食防止用電極4C、各走査信号線端子2Aの間に形成される電食防止用電極4Cが形成される。 A, electrolytic corrosion prevention electrode 4C formed between the video signal line terminal 3B, electrolytic corrosion prevention electrode 4C formed between the scanning signal line terminal 2A is formed.

【0100】このような製造方法から明らかとなるように、新たに設ける電食防止用電極4Cを画素電極4と同材料とし、かつ、該画素電極4の形成と同時に形成することによって、該電食防止用電極4Cを製造工数の増大をもたらすことなく形成できるという効果を有する。 [0100] As will be apparent from this manufacturing method, by the newly provide galvanic corrosion electrode 4C and the pixel electrode 4 and the same material, and formed simultaneously with the formation of the pixel electrode 4, the electrolyte an effect that can be formed without increasing the number of manufacturing steps of the food prevention electrode 4C.

【0101】上述した実施例では、映像信号線2および走査信号線2の材料として、CrとMoとの合金層を用いたものであるが、Crのみであってもよいことはもちろんである。 [0102] In the embodiment described above, as the material of the video signal lines 2 and the scanning signal line 2, but is obtained using an alloy layer of Cr and Mo, it may be Cr alone, as a matter of course. また、Cr以外であって、Al、Ti、 Also, it is other than Cr, Al, Ti,
W、Mo等であってもよいことはいうまでもない。 W, it is needless to say may be a Mo, or the like.

【0102】また、上述した実施例では、映像信号線端子3Bおよび走査信号線端子2Aのそれぞれにおいて、 [0102] Further, in the above embodiment, in each of the video signal line terminal 3B and the scanning signal line terminals 2A,
電食防止用電極4Cを形成したものであるが、走査信号線端子2A側に設けることなく、映像信号線端子3B側にのみ設けるようにしてもよいことはいうまでもない。 But is obtained by forming a galvanic corrosion electrode 4C, without providing the scanning signal line terminal 2A side, it goes without saying that may be provided only to the video signal line terminal 3B side.
映像信号線端子3Bは走査信号線端子2Aと比較すると長時間にわたって信号が供給されることから、走査信号線端子2Aよりも電食が発生しやすい状態にあるからである。 Video signal line terminal 3B is because since the signal is supplied for a long time when compared with the scanning signal line terminal 2A, in a state where electric corrosion is likely to occur than the scanning signal line terminal 2A.

【0103】また、上述した実施例では、映像信号線端子3Bあるいは走査信号線端子2Aの上層に形成する耐腐食電極はITO膜としたものであるが、この材料に限定されないことはもちろんである。 [0103] Further, in the embodiment described above, the corrosion electrode formed on the upper layer of the video signal line terminal 3B or the scanning signal line terminal 2A is is obtained by the ITO film, it is of course not limited to this material . その機能からして耐腐食性の導電体材料であればよいからである。 This is because as long corrosion resistant conductive material and function thereof.

【0104】 [0104]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、 [Effect of the Invention] As apparent from the above description,
本発明による液晶表示装置によれば、信号線の外部端子に電食が原因となって発生する断線を防止できるようになる。 According to the liquid crystal display device according to the present invention, the electrolytic corrosion external terminals of the signal lines will be able to prevent disconnection occurring caused.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明による液晶表示装置の要部構成図であり、図9のI−I線における断面図を示している。 Figure 1 is a block diagram illustrating the principal components of a liquid crystal display device according to the present invention, a cross sectional view taken along the plane I-I line of FIG.

【図2】本発明による液晶表示装置を構成する一方の透明基板の一実施例を示す平面図である。 It is a plan view showing one embodiment of one of the transparent substrates constituting the liquid crystal display device according to the invention, FIG.

【図3】本発明による液晶表示装置の各画素の一実施例を示す等価回路図である。 It is an equivalent circuit diagram showing one embodiment of each pixel of the liquid crystal display device according to the invention, FIG.

【図4】本発明による液晶表示装置の各画素の一実施例を示す平面図である。 Is a plan view showing one embodiment of each pixel of the liquid crystal display device according to the invention; FIG.

【図5】図4のV−V線における断面図である。 5 is a sectional view taken along line V-V in FIG.

【図6】図4のVI−VI線における断面図である。 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG.

【図7】本発明による液晶表示装置の一実施例の要部を示す平面図である。 Is a plan view showing a main portion of an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図8】図7のVIII−VIII線における断面図である。 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII of FIG.

【図9】本発明による液晶表示装置の要部平面図である。 It is a fragmentary plan view of a liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図10】本発明による液晶表示装置の要部を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing the main portion of a liquid crystal display device according to the invention; FIG.

【図11】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す図でステップ1からステップ3までを示している。 It shows a diagram showing an embodiment of the manufacturing method of the liquid crystal display device from Step 1 to Step 3 according to Figure 11 the present invention.

【図12】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す図でステップ4からステップ6までを示している。 It shows a diagram showing an embodiment of the manufacturing method of the liquid crystal display device from Step 4 to Step 6 according the present invention; FIG.

【図13】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す図でステップ7からステップ9までを示している。 It shows the steps 7 a diagram showing an embodiment of the manufacturing method of the liquid crystal display device to Step 9 according to Figure 13 the present invention.

【図14】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す図でステップ10からステップ12までを示している。 It shows the step 10 in view illustrating an embodiment of a manufacturing method of a liquid crystal display device to step 12 according to Figure 14 the present invention.

【図15】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す図でステップ13からステップ15までを示している。 It shows the steps 13 a diagram showing an embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display device to step 15 according to the present invention; FIG.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1……透明電極、6……絶縁膜、8……保護膜、2A… 1 ...... transparent electrode, 6 ...... insulating film, 8 ...... protective film, 2A ...
…走査信号線端子、3B……映像信号線端子、4A…… ... scanning signal line terminal, 3B ...... the video signal line terminal, 4A ......
耐腐食電極、4C……電食防止用電極。 Corrosion electrode, 4C ...... galvanic corrosion electrode.

Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 表示部内に形成される信号線のそれぞれに信号を供給するための外部端子が表示部外に並設されて形成され、これら各外部端子は異種の金属層の順次積層体から構成されている液晶表示装置において、 それぞれの外部端子の間に、該外部端子と電気的に絶縁されかつ各外部端子に供給される信号の電圧以上の電圧が印加される端子が備えられていることを特徴とする液晶表示装置。 1. A signal external terminal for supplying the formed are arranged in the display portion outer to the respective signal lines formed on the display portion, each of these external terminals from sequential stack of metal layers of different in the liquid crystal display device is configured, during each external terminal, the terminal voltage above the voltage of the external terminal and electrically insulated and the signal supplied to the respective external terminals is applied is provided the liquid crystal display device, characterized in that.
  2. 【請求項2】 異種の金属層の順次積層体から構成される前記外部端子はCr層あるいはその合金層とITO膜の順次積層体から構成されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 Wherein sequentially said external terminals comprised of a laminate of metal layers of dissimilar Cr layer or a liquid crystal according to claim 1, characterized in that it is formed of a sequentially-laminated body of the alloy layer and the ITO film display device.
  3. 【請求項3】 液晶を介して互いに対向配置される透明基板の一方の透明基板の液晶側の面に、x方向に延在されy方向に並設される走査信号線とこの走査信号線に絶縁されy方向に延在されx方向に並設される映像信号線とが形成され、これら各信号線で囲まれる各画素領域に、前記走査信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介して前記映像信号線からの映像信号が供給されるI The surface of 3. A liquid crystal side of one of the transparent substrates of the transparent substrate which are arranged to face each other through a liquid crystal, to the scanning signal lines and the scanning signal lines are arranged in parallel in the y direction extending in x-direction and the video signal lines which are arranged in parallel in the x-direction extending in the y direction is insulated is formed, a thin film transistor in each pixel region, which is turned on by a scanning signal from the scanning signal line which is surrounded by these signal lines, I a video signal is supplied from the video signal line via the turned-on thin film transistor
    TO膜からなる画素電極とを備える液晶表示装置であって、 前記走査信号線がその外部端子とともにCrあるいはその合金で構成され、前記外部端子の部分にて前記画像電極の形成と同時に形成されるITO膜が積層され、かつ、前記外部端子の間に該外部端子と電気的に絶縁されかつ前記各外部端子に供給される信号の電圧以上の電圧が印加される端子が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 A liquid crystal display device and a pixel electrode made of TO film, the scanning signal lines is composed of Cr or an alloy with its external terminals are formed simultaneously with the formation of the picture electrodes at portions of the external terminals ITO film is laminated, and that the terminal external terminal electrically insulated and the voltage over the voltage of the signal supplied to the external terminal between the external terminal is applied are provided the liquid crystal display device according to claim.
  4. 【請求項4】 液晶を介して互いに対向配置される透明基板の一方の透明基板の液晶側の面に、x方向に延在されy方向に並設される走査信号線とこの走査信号線に絶縁されy方向に延在されx方向に並設される映像信号線とが形成され、これら各信号線で囲まれる各画素領域に、前記走査信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介して前記映像信号線からの映像信号が供給されるI The surface of 4. A liquid crystal side of one of the transparent substrates of the transparent substrate which are arranged to face each other through a liquid crystal, to the scanning signal lines and the scanning signal lines are arranged in parallel in the y direction extending in x-direction and the video signal lines which are arranged in parallel in the x-direction extending in the y direction is insulated is formed, a thin film transistor in each pixel region, which is turned on by a scanning signal from the scanning signal line which is surrounded by these signal lines, I a video signal is supplied from the video signal line via the turned-on thin film transistor
    TO膜からなる画素電極とを備える液晶表示装置であって、 前記映像信号線がその外部端子とともにCrあるいはその合金で構成され、前記外部端子の部分にて前記画像電極の形成と同時に形成されるITO膜が積層され、かつ、前記外部端子の間に該外部端子と電気的に絶縁されかつ前記各外部端子に供給される信号の電圧以上の電圧が印加される端子が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 A liquid crystal display device and a pixel electrode made of TO film, the video signal line is composed of Cr or an alloy with its external terminals are formed simultaneously with the formation of the picture electrodes at portions of the external terminals ITO film is laminated, and that the terminal external terminal electrically insulated and the voltage over the voltage of the signal supplied to the external terminal between the external terminal is applied are provided the liquid crystal display device according to claim.
  5. 【請求項5】 液晶を介して互いに対向配置される透明基板の一方の透明基板の液晶側の面に、x方向に延在されy方向に並設される走査信号線とこの走査信号線に絶縁されy方向に延在されx方向に並設される映像信号線とが形成され、これら各信号線で囲まれる各画素領域に、前記走査信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介して前記映像信号線からの映像信号が供給されるI The surface of 5. A liquid crystal side of one of the transparent substrates of the transparent substrate which are arranged to face each other through a liquid crystal, to the scanning signal lines and the scanning signal lines are arranged in parallel in the y direction extending in x-direction and the video signal lines which are arranged in parallel in the x-direction extending in the y direction is insulated is formed, a thin film transistor in each pixel region, which is turned on by a scanning signal from the scanning signal line which is surrounded by these signal lines, I a video signal is supplied from the video signal line via the turned-on thin film transistor
    TO膜からなる画素電極とを備える液晶表示装置であって、 前記走査信号線および映像信号線がその外部端子とともにCrあるいはその合金で構成され、前記外部端子の部分にて前記画像電極の形成と同時に形成されるITO膜が積層されているともに、前記外部端子の間に該外部端子と電気的に絶縁されかつ前記各外部端子に供給される信号の電圧以上の電圧が印加される端子が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 A liquid crystal display device and a pixel electrode made of TO film, the scanning signal lines and the video signal line is composed of Cr or an alloy with its external terminal, the formation of the picture electrodes at portions of the external terminals both are stacked ITO film formed at the same time, terminal external terminal electrically insulated and the voltage over the voltage of the signal supplied to the external terminal between the external terminal is applied provided the liquid crystal display apparatus characterized by being.
  6. 【請求項6】 外部端子に供給される信号の電圧以上の電圧が印加される前記端子はITO膜によって形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のうちいずれか記載の液晶表示装置。 6. The liquid crystal according to any one of claims 1 to 5 wherein the terminal voltage above the voltage of the signal supplied to the external terminal is applied is characterized in that it is formed by the ITO film display device.
  7. 【請求項7】 Crの合金としてMoが含有されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のうちいずれか記載の液晶表示装置。 7. A liquid crystal display apparatus according to any one of claims 1 to 5, characterized in that Mo is contained as an alloy of Cr.
  8. 【請求項8】 外部端子に供給される信号の電圧以上の電圧が印加される前記端子のITO膜は画素電極の形成と同時に形成することを特徴とする請求項6記載の液晶表示装置の製造方法。 8. The ITO film of the terminal voltage above the voltage of the signal supplied to the external terminal is applied manufacturing a liquid crystal display device according to claim 6, wherein the formed simultaneously with the formation of the pixel electrode Method.
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