JPH10140301A - 低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板 - Google Patents
低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板Info
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- JPH10140301A JPH10140301A JP30995796A JP30995796A JPH10140301A JP H10140301 A JPH10140301 A JP H10140301A JP 30995796 A JP30995796 A JP 30995796A JP 30995796 A JP30995796 A JP 30995796A JP H10140301 A JPH10140301 A JP H10140301A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】機器の大型化やコスト増大等をもたらすことな
く偏磁による突入電流を防止することができ、かつ磁歪
による騒音の問題が生じない、低残留磁束密度で低騒音
の方向性けい素鋼板を提供すること。 【解決手段】板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表層Ｓ
ｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より高く、表層の
Ｓｉ濃度と板厚中心近傍の最低のＳｉ濃度との差が０．
５ｗｔ％以上であり、表層のＳｉ濃度が５．５〜６．５
ｗｔ％の範囲である低残留磁束密度で低騒音の方向性け
い素鋼板。
く偏磁による突入電流を防止することができ、かつ磁歪
による騒音の問題が生じない、低残留磁束密度で低騒音
の方向性けい素鋼板を提供すること。 【解決手段】板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表層Ｓ
ｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より高く、表層の
Ｓｉ濃度と板厚中心近傍の最低のＳｉ濃度との差が０．
５ｗｔ％以上であり、表層のＳｉ濃度が５．５〜６．５
ｗｔ％の範囲である低残留磁束密度で低騒音の方向性け
い素鋼板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、偏磁による突入電
流が問題となるトランスに使用する方向性けい素鋼板に
関し、特に低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板
に関する。
流が問題となるトランスに使用する方向性けい素鋼板に
関し、特に低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、トランスには、小型化および高効
率化のため、いわゆるＧｏｓｓ方位を有する一方向性け
い素鋼板が使用されている。方向性けい素鋼板は、磁束
密度が高く、低鉄損であるため、小型化および高効率化
には適した材料である。しかしながら、方向性けい素鋼
板は残留磁束密度が高いため、トランスに偏磁が生じ、
トランスの再起動時に定格電流の数十倍もの突入電流が
発生し、ブレーカーが作動してトランスの起動が不可能
となることがある。
率化のため、いわゆるＧｏｓｓ方位を有する一方向性け
い素鋼板が使用されている。方向性けい素鋼板は、磁束
密度が高く、低鉄損であるため、小型化および高効率化
には適した材料である。しかしながら、方向性けい素鋼
板は残留磁束密度が高いため、トランスに偏磁が生じ、
トランスの再起動時に定格電流の数十倍もの突入電流が
発生し、ブレーカーが作動してトランスの起動が不可能
となることがある。
【０００３】このような突入電流を防止するため、トラ
ンスの設計動作磁束密度を下げるか、または磁路にギャ
ップを設けることが行われている。しかし、前者の場合
はトランスが大型化し、後者の場合は組立コストが増大
するという問題が生じる。
ンスの設計動作磁束密度を下げるか、または磁路にギャ
ップを設けることが行われている。しかし、前者の場合
はトランスが大型化し、後者の場合は組立コストが増大
するという問題が生じる。
【０００４】したがって、突入電流を避けるためには、
残留磁束密度の低い材料が求められる。このように残留
磁束密度の低い材料を使用すれば、突入電流を避けるこ
とが可能なため、設計磁束密度を低くしていたトランス
の設計磁束密度を高くすることができる。
残留磁束密度の低い材料が求められる。このように残留
磁束密度の低い材料を使用すれば、突入電流を避けるこ
とが可能なため、設計磁束密度を低くしていたトランス
の設計磁束密度を高くすることができる。
【０００５】しかし、このことにより新たな問題が発生
する。すなわち、磁束密度が高くなることにより騒音が
増大することである。この騒音の原因の一つは磁歪であ
り、この磁歪による振動を小さくして騒音を小さくする
ことが必要となる。
する。すなわち、磁束密度が高くなることにより騒音が
増大することである。この騒音の原因の一つは磁歪であ
り、この磁歪による振動を小さくして騒音を小さくする
ことが必要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、機器の大型化やコスト増
大等をもたらすことなく偏磁による突入電流を防止する
ことができ、かつ磁歪による騒音の問題が生じない、低
残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板を提供するこ
とを目的とする。
鑑みてなされたものであって、機器の大型化やコスト増
大等をもたらすことなく偏磁による突入電流を防止する
ことができ、かつ磁歪による騒音の問題が生じない、低
残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく検討を重ねた結果、以下の２つの知見を得
るに至った。１つは、方向性けい素鋼板において、厚さ
方向にＳｉの濃度勾配を形成することにより残留磁束密
度を著しく低下させることができることである。２つ目
は、濃度勾配のある状態で、鋼板表面のＳｉ濃度が＜１
００＞結晶方位の磁歪の小さい組成、具体的には６．０
ｗｔ％付近であれば、鋼板内部が磁歪の小さくない組成
であっても騒音が低下することである。
を解決すべく検討を重ねた結果、以下の２つの知見を得
るに至った。１つは、方向性けい素鋼板において、厚さ
方向にＳｉの濃度勾配を形成することにより残留磁束密
度を著しく低下させることができることである。２つ目
は、濃度勾配のある状態で、鋼板表面のＳｉ濃度が＜１
００＞結晶方位の磁歪の小さい組成、具体的には６．０
ｗｔ％付近であれば、鋼板内部が磁歪の小さくない組成
であっても騒音が低下することである。
【０００８】本発明は、このような知見に基づいて完成
されたものであって、第１に、板厚方向にＳｉの濃度勾
配を有し、表層Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度
より高く、表層のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最低のＳｉ
濃度との差が０．５ｗｔ％以上であり、表層のＳｉ濃度
が５．５〜６．５ｗｔ％の範囲であることを特徴とする
低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板を提供する
ものである。
されたものであって、第１に、板厚方向にＳｉの濃度勾
配を有し、表層Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度
より高く、表層のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最低のＳｉ
濃度との差が０．５ｗｔ％以上であり、表層のＳｉ濃度
が５．５〜６．５ｗｔ％の範囲であることを特徴とする
低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板を提供する
ものである。
【０００９】第２に、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有
し、表層Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より高
く、表層のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最低のＳｉ濃度と
の差が０．５ｗｔ％以上であり、表層のＳｉ濃度が５．
５〜６．５ｗｔ％の範囲であり、Ｓｉ濃度の板厚方向全
体の平均値が３〜６ｗｔ％であることを特徴とする低残
留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板を提供するもの
である。
し、表層Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より高
く、表層のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最低のＳｉ濃度と
の差が０．５ｗｔ％以上であり、表層のＳｉ濃度が５．
５〜６．５ｗｔ％の範囲であり、Ｓｉ濃度の板厚方向全
体の平均値が３〜６ｗｔ％であることを特徴とする低残
留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板を提供するもの
である。
【００１０】第３に、上記方向性けい素鋼板において、
Ｓｉ濃度の板厚方向全体の平均値が３〜４．７ｗｔ％で
あることを特徴とする低残留磁束密度で低騒音の方向性
けい素鋼板を提供するものである。
Ｓｉ濃度の板厚方向全体の平均値が３〜４．７ｗｔ％で
あることを特徴とする低残留磁束密度で低騒音の方向性
けい素鋼板を提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。まず、低残留磁束密度について説明する。方向性
けい素鋼板において、板厚方向にＳｉの濃度勾配をつけ
た場合の残留磁束密度（Ｂｒ）の変化を図１に示す。サ
ンプルとしては、０．３ｍｍ板厚の３．１ｗｔ％Ｓｉの
一方向性けい素鋼板を浸珪処理して作製したものを用い
た。浸珪処理においては、１２００℃に加熱した鋼板
と、２０ｖｏｌ％のＳｉＣｌ4 と８０ｖｏｌ％のＮ2 と
の混合ガスとを反応させ、鋼板表面からＳｉを浸透さ
せ、その後Ｎ2 中で均熱してＳｉを板中心部へ拡散浸透
させた。ここでは、Ｓｉ浸透時間と拡散時間とを変化さ
せ、種々に濃度勾配を有するサンプルを作製し、磁気特
性を測定した。
する。まず、低残留磁束密度について説明する。方向性
けい素鋼板において、板厚方向にＳｉの濃度勾配をつけ
た場合の残留磁束密度（Ｂｒ）の変化を図１に示す。サ
ンプルとしては、０．３ｍｍ板厚の３．１ｗｔ％Ｓｉの
一方向性けい素鋼板を浸珪処理して作製したものを用い
た。浸珪処理においては、１２００℃に加熱した鋼板
と、２０ｖｏｌ％のＳｉＣｌ4 と８０ｖｏｌ％のＮ2 と
の混合ガスとを反応させ、鋼板表面からＳｉを浸透さ
せ、その後Ｎ2 中で均熱してＳｉを板中心部へ拡散浸透
させた。ここでは、Ｓｉ浸透時間と拡散時間とを変化さ
せ、種々に濃度勾配を有するサンプルを作製し、磁気特
性を測定した。
【００１２】図１は５０Ｈｚで１．４Ｔまで磁化した時
の残留磁束密度を測定した結果を示すものであり、横軸
は、サンプルの断面についてＸ線マイクロアナライザー
でＳｉを定量分析し、その最高値と最低値との差（ΔＳ
ｉ）をとったものである。
の残留磁束密度を測定した結果を示すものであり、横軸
は、サンプルの断面についてＸ線マイクロアナライザー
でＳｉを定量分析し、その最高値と最低値との差（ΔＳ
ｉ）をとったものである。
【００１３】この図に示すように、Ｓｉの濃度勾配を形
成し、ΔＳｉが増加すると、残留磁束密度は単調に低下
する。また、図より、残留磁束密度を１０％以上低下さ
せるためにはΔＳｉを０．５％以上とすることが必要で
あることがわかる。ΔＳｉを増加させると残留磁束密度
が低下する原因は完全には解明されていないが、Ｓｉの
添加とともに格子定数が小さくなることから、Ｓｉの濃
度勾配を形成することにより板内に張力が発生するため
と推定される。したがって、本発明では、表層Ｓｉ濃度
のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より高く、表層のＳｉ濃
度と板厚中心近傍の最低のＳｉ濃度との差が０．５ｗｔ
％以上であることを要件としている。なお、この場合に
おいて、板厚方向のＳｉ濃度を測定する方法は特に限定
されないが、Ｘ線マイクロアナライザーで測定すること
が好適である。
成し、ΔＳｉが増加すると、残留磁束密度は単調に低下
する。また、図より、残留磁束密度を１０％以上低下さ
せるためにはΔＳｉを０．５％以上とすることが必要で
あることがわかる。ΔＳｉを増加させると残留磁束密度
が低下する原因は完全には解明されていないが、Ｓｉの
添加とともに格子定数が小さくなることから、Ｓｉの濃
度勾配を形成することにより板内に張力が発生するため
と推定される。したがって、本発明では、表層Ｓｉ濃度
のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より高く、表層のＳｉ濃
度と板厚中心近傍の最低のＳｉ濃度との差が０．５ｗｔ
％以上であることを要件としている。なお、この場合に
おいて、板厚方向のＳｉ濃度を測定する方法は特に限定
されないが、Ｘ線マイクロアナライザーで測定すること
が好適である。
【００１４】このように鋼板の厚さ方向にＳｉの濃度勾
配をつけること自体は、特開昭６２−２２７０３３号か
ら２２７０３６号まで、特開昭６２−２２７０７７号、
および特開平４−２４６１５７号の各公報に開示されて
いる。しかし、これらの目的は、浸珪処理法で高けい素
鋼板を製造する際に、拡散処理時間を短くするため、途
中で拡散処理を中断することにあり、その結果としてＳ
ｉの濃度勾配が形成されるのであり積極的にＳｉの濃度
勾配を形成するという思想は含まれていない。これらに
おいて拡散処理を中断する時間は鉄損が劣化しない範囲
で決められている。鉄損は種々の要因で決定されるが、
これを低下させるためには残留磁束密度を高くすること
が必要であり、上記各公報の技術は残留磁束密度があま
り低下しない範囲で、Ｓｉの濃度勾配の許容値を求めた
ものであるといえる。これに対して本発明は残留磁束密
度を低下させるために積極的にＳｉの濃度勾配を形成し
たものであり、上記各公報の技術とはＳｉの濃度勾配の
意味合いが全く異なる。
配をつけること自体は、特開昭６２−２２７０３３号か
ら２２７０３６号まで、特開昭６２−２２７０７７号、
および特開平４−２４６１５７号の各公報に開示されて
いる。しかし、これらの目的は、浸珪処理法で高けい素
鋼板を製造する際に、拡散処理時間を短くするため、途
中で拡散処理を中断することにあり、その結果としてＳ
ｉの濃度勾配が形成されるのであり積極的にＳｉの濃度
勾配を形成するという思想は含まれていない。これらに
おいて拡散処理を中断する時間は鉄損が劣化しない範囲
で決められている。鉄損は種々の要因で決定されるが、
これを低下させるためには残留磁束密度を高くすること
が必要であり、上記各公報の技術は残留磁束密度があま
り低下しない範囲で、Ｓｉの濃度勾配の許容値を求めた
ものであるといえる。これに対して本発明は残留磁束密
度を低下させるために積極的にＳｉの濃度勾配を形成し
たものであり、上記各公報の技術とはＳｉの濃度勾配の
意味合いが全く異なる。
【００１５】次に、騒音低下について説明する。トラン
スのコアから発生する騒音を低下させるにはコア材料と
して磁歪の低い材料を使用することが有効である。Ｆｅ
−Ｓｉ系合金では＜１００＞方位の磁歪は、Ｓｉが約
６．０％の時に磁歪がゼロとなる。しかし、本発明が対
象とするＳｉの濃度勾配を形成した材料では、当然のこ
とであるが、厚さ方向全てに６．０ｗｔ％Ｓｉとするこ
とは不可能である。
スのコアから発生する騒音を低下させるにはコア材料と
して磁歪の低い材料を使用することが有効である。Ｆｅ
−Ｓｉ系合金では＜１００＞方位の磁歪は、Ｓｉが約
６．０％の時に磁歪がゼロとなる。しかし、本発明が対
象とするＳｉの濃度勾配を形成した材料では、当然のこ
とであるが、厚さ方向全てに６．０ｗｔ％Ｓｉとするこ
とは不可能である。
【００１６】そこで、本発明者らが低残留磁束密度と低
騒音とを両立させるべく検討を重ねた結果、鋼板表層の
Ｓｉ濃度が６．０ｗｔ％近傍にあれば内部のＳｉ濃度に
かかわらず騒音が低下することを知見した。
騒音とを両立させるべく検討を重ねた結果、鋼板表層の
Ｓｉ濃度が６．０ｗｔ％近傍にあれば内部のＳｉ濃度に
かかわらず騒音が低下することを知見した。
【００１７】図２は、浸珪処理法を用いて作製した上記
サンプルの表層Ｓｉ濃度とトランスでの騒音の測定値と
の関係を示す図である。ここでトランスとして容量１ｋ
ＶＡで単相のものを用い、５０Ｈｚで１．４Ｔに励磁し
た時の騒音を測定した。サンプルの表層部のＳｉ濃度と
板厚中心近傍の最低のＳｉ濃度との差は０．５ｗｔ％以
上である。
サンプルの表層Ｓｉ濃度とトランスでの騒音の測定値と
の関係を示す図である。ここでトランスとして容量１ｋ
ＶＡで単相のものを用い、５０Ｈｚで１．４Ｔに励磁し
た時の騒音を測定した。サンプルの表層部のＳｉ濃度と
板厚中心近傍の最低のＳｉ濃度との差は０．５ｗｔ％以
上である。
【００１８】図から明らかなように、表層のＳｉ濃度が
６．０±０．５ｗｔ％の範囲であれば、全体のＳｉ濃度
が磁歪が０となる６．０ｗｔ％の場合の騒音値の＋１０
％以内の低い騒音値が達成される。これは、騒音は表面
から伝搬されるため表面の磁歪振動が小さければ低騒音
となるためか、または、上記した板内張力が関係してい
るものと推定される。したがって、本発明では低騒音を
達成するために、上記低残留磁束密度を得るための要件
に加えて、表層のＳｉ濃度が５．５〜６．５ｗｔ％であ
ることを要件とする。
６．０±０．５ｗｔ％の範囲であれば、全体のＳｉ濃度
が磁歪が０となる６．０ｗｔ％の場合の騒音値の＋１０
％以内の低い騒音値が達成される。これは、騒音は表面
から伝搬されるため表面の磁歪振動が小さければ低騒音
となるためか、または、上記した板内張力が関係してい
るものと推定される。したがって、本発明では低騒音を
達成するために、上記低残留磁束密度を得るための要件
に加えて、表層のＳｉ濃度が５．５〜６．５ｗｔ％であ
ることを要件とする。
【００１９】上述した特開平４−２４６１５７号には、
濃度勾配を持つ材料の磁歪についての記載があるが、こ
こでは板厚方向全体として低磁歪とするためＳｉの最高
値と最低値との差を一定値以下にすることを規定してお
り、本発明とは技術思想が全く異なる。
濃度勾配を持つ材料の磁歪についての記載があるが、こ
こでは板厚方向全体として低磁歪とするためＳｉの最高
値と最低値との差を一定値以下にすることを規定してお
り、本発明とは技術思想が全く異なる。
【００２０】次に、全板厚方向の平均値Ｓｉについて説
明する。本発明では、方向性けい素鋼板を素材とし、こ
れを浸珪処理することにより所定のＳｉ濃度および濃度
勾配を有するけい素鋼板を製造する。ここで、本発明で
対象とする方向性けい素鋼板は、典型的には一方向性で
あり、その例としてはＧｏｓｓ方位を有するものが挙げ
られるが、これに限るものではない。
明する。本発明では、方向性けい素鋼板を素材とし、こ
れを浸珪処理することにより所定のＳｉ濃度および濃度
勾配を有するけい素鋼板を製造する。ここで、本発明で
対象とする方向性けい素鋼板は、典型的には一方向性で
あり、その例としてはＧｏｓｓ方位を有するものが挙げ
られるが、これに限るものではない。
【００２１】素材の方向性けい素鋼板のＳｉ量が３ｗｔ
％以下であると、Ｇｏｓｓ方位の形成が困難となるた
め、３ｗｔ％以上であることが好ましい。一方、平均値
Ｓｉ濃度が高くなると、これに伴って表層Ｓｉも高くな
り、騒音特性が劣化する。このような観点からは、表層
Ｓｉ濃度が６．５ｗｔ％以下であることが好ましく、そ
の結果、平均値Ｓｉ濃度は６ｗｔ％以下とすることが好
ましい。さらに、平均値Ｓｉが増加すると、磁束密度が
低下してくる。現行の一方向性けい素鋼板と同等の磁束
密度とするためには、平均値Ｓｉを４．７ｗｔ％以下と
することが好ましい。
％以下であると、Ｇｏｓｓ方位の形成が困難となるた
め、３ｗｔ％以上であることが好ましい。一方、平均値
Ｓｉ濃度が高くなると、これに伴って表層Ｓｉも高くな
り、騒音特性が劣化する。このような観点からは、表層
Ｓｉ濃度が６．５ｗｔ％以下であることが好ましく、そ
の結果、平均値Ｓｉ濃度は６ｗｔ％以下とすることが好
ましい。さらに、平均値Ｓｉが増加すると、磁束密度が
低下してくる。現行の一方向性けい素鋼板と同等の磁束
密度とするためには、平均値Ｓｉを４．７ｗｔ％以下と
することが好ましい。
【００２２】したがって、本発明では、好ましいＳｉの
平均値濃度として、３〜６ｗｔ％を規定しており、さら
に好ましい範囲として、３〜４．７ｗｔ％を規定してい
る。なお、本発明において、Ｓｉ以外の元素は特に規定
されず、他の元素は通常の方向性けい素鋼板に含有され
る量であれば許容される。
平均値濃度として、３〜６ｗｔ％を規定しており、さら
に好ましい範囲として、３〜４．７ｗｔ％を規定してい
る。なお、本発明において、Ｓｉ以外の元素は特に規定
されず、他の元素は通常の方向性けい素鋼板に含有され
る量であれば許容される。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。表
１に示す組成の０．２３ｍｍ厚のＧｏｓｓ方位を持つ方
向性けい素鋼板を連続浸珪処理ラインで浸珪・拡散処理
して板厚方向にＳｉの濃度勾配を形成した。浸珪処理ラ
インとしては、加熱・浸珪・拡散・冷却帯および絶縁皮
膜コーティング装置からなるものを用いた。浸珪ライン
では、１２００℃まで加熱後、ＳｉＣｌ4ガスと鋼板と
を反応させ鋼板表面にＦｅ3Ｓｉを形成し、その後拡散
均熱してＳｉを板中心部に拡散させ、Ｓｉの濃度勾配を
形成した。この際に、ＳｉＣｌ4ガス濃度と均熱時間を
変えて種々のＳｉプロファイルを有する鋼板を製造し
た。なお、この鋼板の浸珪前後でのＳｉ以外の成分量は
ほぼ同一であった。
１に示す組成の０．２３ｍｍ厚のＧｏｓｓ方位を持つ方
向性けい素鋼板を連続浸珪処理ラインで浸珪・拡散処理
して板厚方向にＳｉの濃度勾配を形成した。浸珪処理ラ
インとしては、加熱・浸珪・拡散・冷却帯および絶縁皮
膜コーティング装置からなるものを用いた。浸珪ライン
では、１２００℃まで加熱後、ＳｉＣｌ4ガスと鋼板と
を反応させ鋼板表面にＦｅ3Ｓｉを形成し、その後拡散
均熱してＳｉを板中心部に拡散させ、Ｓｉの濃度勾配を
形成した。この際に、ＳｉＣｌ4ガス濃度と均熱時間を
変えて種々のＳｉプロファイルを有する鋼板を製造し
た。なお、この鋼板の浸珪前後でのＳｉ以外の成分量は
ほぼ同一であった。
【００２４】
【表１】
【００２５】このようにして得られた鋼板を用い、単相
５０Ｈｚ、１ｋＶＡのトランスを作製し、位相制御のも
とで突入電流の測定と騒音の測定を実施した。その際の
残留磁束密度、磁束密度Ｂ８、突入電流比および騒音の
値を表２に示す。残留磁束密度は、５０Ｈｚで１．４Ｔ
まで磁化したときの値である。また、突入電流はトラン
スを１．４Ｔまで磁化したときの値であり、定格電流と
の比で評価した。同じく騒音は、１．４Ｔ励磁したとき
の値である。ΔＳｉ、表層Ｓｉ濃度、平均Ｓｉ濃度、残
留磁束密度、磁束密度Ｂ８、突入電流比、および騒音値
を表２に示す。
５０Ｈｚ、１ｋＶＡのトランスを作製し、位相制御のも
とで突入電流の測定と騒音の測定を実施した。その際の
残留磁束密度、磁束密度Ｂ８、突入電流比および騒音の
値を表２に示す。残留磁束密度は、５０Ｈｚで１．４Ｔ
まで磁化したときの値である。また、突入電流はトラン
スを１．４Ｔまで磁化したときの値であり、定格電流と
の比で評価した。同じく騒音は、１．４Ｔ励磁したとき
の値である。ΔＳｉ、表層Ｓｉ濃度、平均Ｓｉ濃度、残
留磁束密度、磁束密度Ｂ８、突入電流比、および騒音値
を表２に示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】この表に示すように、本発明の範囲内であ
れば、残留磁束密度が低いため突入電流特性に優れてお
り、また、騒音特性にも優れていることが明らかとなっ
た。このことから、本発明により、突入電流がの低い低
騒音のトランス用方向性けい素鋼板が得られることが確
認された。
れば、残留磁束密度が低いため突入電流特性に優れてお
り、また、騒音特性にも優れていることが明らかとなっ
た。このことから、本発明により、突入電流がの低い低
騒音のトランス用方向性けい素鋼板が得られることが確
認された。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表層Ｓｉ濃度のほう
が板厚中心部のＳｉ濃度より高く、表層のＳｉ濃度と板
厚中心近傍の最低のＳｉ濃度との差が０．５ｗｔ％以上
であり、表層のＳｉ濃度が５．５〜６．５ｗｔ％の範囲
としたので、低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼
板を得ることができる。したがって、機器の大型化やコ
スト増大等をもたらすことなく偏磁による突入電流を防
止することができ、かつ磁歪による騒音の問題が生じな
い。
板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表層Ｓｉ濃度のほう
が板厚中心部のＳｉ濃度より高く、表層のＳｉ濃度と板
厚中心近傍の最低のＳｉ濃度との差が０．５ｗｔ％以上
であり、表層のＳｉ濃度が５．５〜６．５ｗｔ％の範囲
としたので、低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼
板を得ることができる。したがって、機器の大型化やコ
スト増大等をもたらすことなく偏磁による突入電流を防
止することができ、かつ磁歪による騒音の問題が生じな
い。
【図１】鋼板のΔＳｉと残留磁束密度との関係を示す
図。
図。
【図２】表層Ｓｉ濃度と騒音値との関係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平谷 多津彦 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表層
Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より高く、表層
のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最低のＳｉ濃度との差が
０．５ｗｔ％以上であり、表層のＳｉ濃度が５．５〜
６．５ｗｔ％の範囲であることを特徴とする低残留磁束
密度で低騒音の方向性けい素鋼板。 - 【請求項２】 板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表層
Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より高く、表層
のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最低のＳｉ濃度との差が
０．５ｗｔ％以上であり、表層のＳｉ濃度が５．５〜
６．５ｗｔ％の範囲であり、Ｓｉ濃度の板厚方向全体の
平均値が３〜６ｗｔ％であることを特徴とする低残留磁
束密度で低騒音の方向性けい素鋼板。 - 【請求項３】 Ｓｉ濃度の板厚方向全体の平均値が３〜
４．７ｗｔ％であることを特徴とする請求項２に記載の
低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30995796A JPH10140301A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30995796A JPH10140301A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10140301A true JPH10140301A (ja) | 1998-05-26 |
Family
ID=17999401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30995796A Pending JPH10140301A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 低残留磁束密度で低騒音の方向性けい素鋼板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10140301A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100900662B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2009-06-01 | 주식회사 포스코 | 침규확산용 분말도포제 및 이를 이용한 고규소 방향성전기강판 제조방법 |
| JP2009263782A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Jfe Steel Corp | 方向性電磁鋼板およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-07 JP JP30995796A patent/JPH10140301A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100900662B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2009-06-01 | 주식회사 포스코 | 침규확산용 분말도포제 및 이를 이용한 고규소 방향성전기강판 제조방법 |
| JP2009263782A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Jfe Steel Corp | 方向性電磁鋼板およびその製造方法 |
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