JPH10133356A - Photomask and pattern formation - Google Patents

Photomask and pattern formation

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JPH10133356A
JPH10133356A JP24065397A JP24065397A JPH10133356A JP H10133356 A JPH10133356 A JP H10133356A JP 24065397 A JP24065397 A JP 24065397A JP 24065397 A JP24065397 A JP 24065397A JP H10133356 A JPH10133356 A JP H10133356A
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Koji Matsuoka
晃次 松岡
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the error in dimensional accuracy based on a difference between pattern intervals in pattern formation using a phase shift mask.
SOLUTION: At the time of forming rest patterns by using the phase shift mask 4 varying in the phases of the transmissive regions on both sides of light shielding regions by 180°, the widths of the light shielding regions 5A and light shielding regions 5B of the mask 4 are changed according to the intervals with the adjacent patterns at the time of the exposure of the positive resist 1, by which the fine patterns of the same line width are formed with the good dimensional accuracy.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の製造におけるリソグラフィプロセスでの微細パターンの形成に関する。 The present invention relates to relates to formation of a fine pattern in the lithography process in the manufacture of semiconductor integrated circuits.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、半導体の設計ルールは微細化の一途をたどり、すでに0.25μmレベルの半導体チップが市場に出はじめている。 In recent years, semiconductor design rule follows the ever finer, already 0.25μm level of the semiconductor chip is beginning on the market. このような微細化の流れに伴い、リソグラフィにおける露光波長も短波長化されg線(436nm)からi線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)へと移り変わってきた。 With the flow of such miniaturization, have Utsurikawa' been shorter wavelength even exposure wavelength in the lithography g-line from (436 nm) i-ray (365 nm), to the KrF excimer laser (248 nm). 次世代のリソグラフィとしてArFエキシマレーザ(193n The next generation of ArF excimer laser as lithography (193n
m)を露光光として用いるステッパの開発が進められているが、レンズ材がArFエキシマレーザ光等の超短波長光を吸収してしまう問題などからその開発が遅れている。 Although the development of stepper using m) as the exposure light has been promoted, the lens material is that developed from such problem of absorbing the ultra-short-wavelength light such as ArF excimer laser beam is delayed. そこで、KrFエキシマレーザを利用したリソグラフィ技術に対して、様々な超解像技術の検討が行われてきている。 Therefore, with respect to a lithography technique using a KrF excimer laser, it has been carried out to consider the various super-resolution technique.

【0003】一般に、縮小投影露光法による光リソグラフィの限界解像度は、露光波長に比例し、投影レンズの開口数に反比例する。 [0003] In general, the resolution limit of optical lithography by reduction projection exposure method is proportional to the exposure wavelength and is inversely proportional to the numerical aperture of the projection lens. 従来、KrFエキシマレーザ(波長248nm)と開口数0.4〜0.5の投影レンズを用いて0.3μm程度のパターンの形成が達成されている。 Conventionally, formation of 0.3μm order of pattern using a KrF excimer laser (wavelength 248 nm) and a projection lens with a numerical aperture of 0.4 and 0.5 is achieved.

【0004】縮小投影露光法における解像限界を向上する超解像技術のなかで、優れた解像性を示す技術のひとつにレベンソン位相シフトマスクを用いた方法がある。 [0004] Among the super-resolution technique for improving the resolution limit in the reduction projection exposure method, a method using a Levenson phase shift mask in one of the technologies that exhibits excellent resolution.
従来のレベンソン位相シフトマスクを用いたパターン形成の一例について以下に説明する。 An example of a pattern formed using a conventional Levenson phase shift mask will be described below.

【0005】図8(a)−(c)は従来の位相シフトマスクを用いたパターン形成方法の工程断面図を示すものである。 [0007] FIG. 8 (a) - (c) shows a process cross-sectional view of the pattern forming method using the conventional phase shifting mask. これらの図において、21はポジレジスト、2 In these figures, 21 is a positive resist, 2
2は基板、23Aおよび23Bは露光光、24は位相シフトマスクである。 2 substrate, 23A and 23B are exposure light, 24 is a phase shift mask. 25は遮光領域、26Aおよび26 25 the light-shielding regions, 26A and 26
Bは透過領域であり、透過領域26Bは透過領域26A B is a transmission region, the transmission region 26B transmissive region 26A
に対して露光光23Aの位相が180度異なるように設定されている。 Phase of the exposure light 23A is set to be different from 180 degrees relative. 露光光23Aはマスク24を照明し、マスクの透過領域を通過した露光光23Bはレジスト21 Exposure light 23A illuminates the mask 24, exposure light 23B passing through the transmissive areas of the mask resist 21
に結像する。 To form an image on.

【0006】図8(a)においてまず基板22上にポジレジスト21を塗布する。 [0006] first applied the positive resist 21 on the substrate 22 in FIG. 8 (a). ポジレジスト21はKrFエキシマレーザ用の化学増幅型レジストで0.5ミクロンの膜厚で塗布した。 Positive resist 21 was coated in a thickness of 0.5 microns in the chemically amplified resist for KrF excimer laser. 次に位相シフトマスク24を通してポジレジスト21を露光した。 Was then exposed positive resist 21 through the phase shift mask 24.

【0007】露光装置(ステッパ)の露光条件は露光波長λ=248nm、開口数NA=0.48、コヒーレントファクタσ=0.30である。 [0007] exposure conditions of the exposure apparatus (stepper) of the exposure wavelength lambda = 248 nm, numerical aperture NA = 0.48, a coherent factor sigma = 0.30. レベンソン位相シフトマスクは、図8(b)に示されるように、透過領域26 Levenson phase shift masks, as shown in FIG. 8 (b), transmissive regions 26
Bの石英を掘り込んであり、ここを透過する光の位相を透過領域26Aを透過する光に対して180度位相を反転させている。 And the engraved quartz of B, and by inverting the 180 degrees phase relative to light passing through the transmissive region 26A of the phase of light transmitted through here.

【0008】まず露光光23Aはマスク24を照明し、 [0008] First, the exposure light 23A illuminates the mask 24,
パターン密度に応じて光が回折される。 Light is diffracted in accordance with the pattern density. レベンソン位相シフトマスクの場合、遮光領域を介して両側の透過領域の位相が180度異なるため、周期パターンでは0次および偶数次光は打ち消される。 For Levenson phase shift mask, since through the light shielding region different phases on both sides of the transmissive region 180, a periodic pattern 0-order and even order light is canceled. また、±1,3,5等の奇数次光は通常マスクの半分の角度で回折される。 Also, the odd-order light, such as ± 1, 3, 5 is diffracted at half the angle of the normal mask. 一般に投影レンズを通過できる光の角度は有限であるため、 Since the angle of generally light projection lens can pass is limited,
パターンの解像度はレンズを通過できるパターン周期であると言うことができる。 It can be said that the resolution of the pattern is a pattern period can pass through the lens. レベンソン位相シフトマスクは通常マスクの半分の角度で光が回折されるため、理想的には通常マスクの2倍の高解像度を得ることが可能となる。 Since the Levenson phase shift mask is diffracted light at half the angle of the normal mask, it is possible to ideally obtain a duplicate of the high-resolution normal mask.

【0009】レベンソン位相シフトマスクによって高解像度を実現するためには空間的な光の位相を揃える(コヒーレンシーを高める)必要がある。 [0009] In order to achieve high resolution by Levenson phase shift mask align the spatial light phase (increasing the coherency) is necessary. コヒーレンシーの度合を表す単位として投影レンズのNAと照明系のNA NA of the illumination system and the NA of the projection lens as a unit indicating the degree of coherency
の比σ(コヒーレントファクタ)が用いられる。 The ratio of the sigma (coherent factor) is used. このσ This σ
の値が小さいほど光のコヒーレンシーが高くなる。 Coherency of the light, the higher the value is small. 一般にステッパで通常マスクを照明する場合は光学系のコヒーレントファクタはσ=0.5〜0.8程度で行われるが、レベンソン位相シフトマスクを用いる場合にはσ= It is generally the case for illuminating a normal mask stepper coherent factor of the optical system is performed in the order sigma = 0.5 to 0.8, in the case of using a Levenson phase shift mask sigma =
0.2〜0.4程度にする必要がある。 There needs to be about 0.2 to 0.4.

【0010】上記の図8(b)のパターン露光の後、P [0010] After the pattern exposure of the above FIG. 8 (b), P
EB(Post Exposure Baking:露光後ベーク処理)を行い通常のアルカリ水溶液で60秒現像を行いレジストパターンを形成した(図8(c))。 EB: to form a resist pattern for 60 seconds development in conventional alkaline aqueous performed (Post Exposure number Baking post exposure bake) (FIG. 8 (c)). このパターン形成方法によれば、露光波長248nm(0.248μm)よりもはるかに微細な0.16μmのラインアンドスペースパターンを解像することができた。 According to the pattern forming method, it was possible to resolve a line and space pattern of much finer 0.16μm than the exposure wavelength 248 nm (0.248 .mu.m).

【0011】 [0011]

【発明が解決しようとする課題】一般的にレベンソン位相シフトマスクは微細な周期パターンで効果が得られるために、周期パターンを多く含むDRAMデバイスへの適用が検討されてきた。 BRIEF Problems to be Solved] Generally Levenson phase shift mask to the effect obtained by the fine periodic pattern, it applied to DRAM devices containing more periodic patterns have been studied. しかしながら、レベンソン位相シフトマスクでは、同一線幅でも隣り合うパターンとの間隔が異なれば、ウエハ上に転写されるレジスト寸法が変化するという問題点があった。 However, in the Levenson phase shift mask, different spacing between patterns adjacent in the same line width, resist dimension to be transferred onto the wafer is disadvantageously changed. このため、ロジックデバイスのゲートパターンの線幅の寸法制御が非常に重要となるものの、ロジックデバイスはランダムパターンを多く含むことから、ロジックデバイスへの適用はあまり検討されていなかった。 Accordingly, although the dimensional control of the line width of the gate pattern of a logic device is very important, logic devices because it contains a large amount of random patterns, application to a logic device has not been well studied.

【0012】図8(c)においてパターン21Xは0. [0012] The pattern 21X in Fig. 8 (c) 0.
16μmのラインアンドスペースパターン、21Yは0.16μmライン/0.48μmスペースとなるように設計されたマスクパターンを転写したレジストパターンである。 Line and space pattern of 16 [mu] m, 21Y is a resist pattern to transfer the mask pattern that is designed to be 0.16μm line /0.48μm space. このとき、それぞれのウエハ上に転写されたレジストパターンの実際の寸法はパターン21Xは0. At this time, the actual dimensions pattern 21X of the resist pattern transferred onto each wafer 0.
16μmに形成されたが、パターン21Yは0.20μ Was formed in 16 [mu] m, the pattern 21Y is 0.20μ
mとなり、両者の寸法差は0.04μmとなった。 m, and the size difference between the two became 0.04 .mu.m. 通常のトランジスタゲートを形成する場合、その寸法変動の目安は線幅の±10%であるので、0.16μmの線幅では約0.03μm以内に抑えなければならない。 When forming a normal transistor gate, because the measure of dimensional variation is ± 10% of the line width, the line width of 0.16μm must be kept to within about 0.03 .mu.m. よって、従来の位相シフトマスクによるパターン形成方法は、高い寸法精度を要求するトランジスタゲートのパターン形成に用いることができなかった。 Accordingly, the pattern forming method according to the conventional phase shift mask, can not be used in the pattern formation of a transistor gate that require high dimensional accuracy.

【0013】上記問題点を解決するために、本発明は位相シフトマスクを用い、線幅のバラツキの少ない微細パターンの形成方法およびそれに用いる位相シフトマスクを提供するものである。 [0013] In order to solve the above problems, the present invention using a phase shift mask provides a forming method and a phase shift mask used therefor less fine pattern of variations in line width.

【0014】 [0014]

【課題を解決するための手段】レベンソン位相シフトマスクを用いたパターン形成において、同一線幅でも隣り合うパターンとの間隔が異なればウエハ上に転写されるレジストパターンの寸法が変化する現象が光近接効果によるものであることが見出された。 In pattern formation using the Levenson phase shift mask SUMMARY OF THE INVENTION The phenomenon is optical proximity to the dimensions of the resist pattern changes the distance between the patterns adjacent in the same line width is transferred onto a wafer Different it has been found is due to the effect. とくに、隣接するパターンとの間隔が規格化された値で1.0λ/NA以下の領域で顕著となることを発見した。 In particular, we found that the distance between adjacent patterns becomes significant in the following areas 1.0λ / NA in normalized value.

【0015】本発明のフォトマスクは、遮光領域の両側の透過領域の位相が互いに180度異なるフォトマスクを用いてレジストを露光し、前記遮光領域に対応したレジストパターンを形成するフォトマスクであって、前記遮光領域の線幅が隣接するパターンの間隔に応じて補正されることを特徴とする。 [0015] The photomask of the present invention is a photomask phase on both sides of the transmissive area of ​​the light shielding region is exposed resist using a 180-degree different photomask from each other, to form a resist pattern corresponding to the light shielding region characterized in that the line width of the light shielding region is corrected in accordance with the spacing of adjacent patterns.

【0016】また、本発明のフォトマスクは、遮光領域の両側の透過領域の位相が互いに180度異なるフォトマスクを用いてポジレジストを露光し、同一幅のラインパターンを形成するフォトマスクであって、隣接するパターンとの間隔が所定距離以上である2つの前記遮光領域の間に新たに遮光領域を設けたことを特徴とする。 Further, the photomask of the present invention, a positive resist is exposed using a bilateral photomask having a phase different by 180 degrees from each other in the transmission area of ​​the shaded portion, a photomask for forming a line pattern having the same width characterized in that the spacing between adjacent patterns is provided a new light-shielding region between two of the light-shielding region is the predetermined distance or more.

【0017】このように、本発明のパターン形成方法は、上記のフォトマスクを用いることにより、フォトマスクを通過した光強度、光プロファイルが変化し、あるいは特定のパターン間隔をなくすことによって、異なる間隔のラインパターンにおいても、それぞれの光強度分布のしきい値での幅の分布が狭まり、ほぼ同一線幅のレジストパターンを形成することができる。 [0017] Thus, the pattern forming method of the present invention, by using the photomask, by eliminating the light intensity passing through the photomask, the light profile changes, or a specific pattern interval, different intervals also in the line pattern, narrowing the distribution width of each of the light intensity distribution of the threshold, it is possible to form a resist pattern having substantially the same line width.

【0018】 [0018]

【発明の実施の形態】以下本発明の一実施の形態のパターン形成方法について、図面を参照しながら説明する。 Pattern formation method of one embodiment of the DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter the present invention will be described with reference to the drawings.

【0019】まず、レベンソン位相シフトマスクを用いたパターン形成において、光近接効果によって線幅変動が大きくなることについて説明する。 Firstly, in the pattern formation using the Levenson phase shift mask will be described the line width variation by the optical proximity effect becomes greater.

【0020】レベンソン位相シフトマスクを使った周期パターン形成では、解像限界付近では±1次光だけの結像となる。 [0020] In Levenson phase shift mask with a periodic pattern formed, the imaging of only ± 1-order light in the vicinity of the resolution limit. この光強度分布は正弦波で表される。 The light intensity distribution is represented by a sine wave. とりわけ、すべての1次光が入射してから3次光が入射するまでのパターン周波数では、光強度が一定のままで(正弦波の振幅が変わらず)、パターンピッチ(正弦波の周期)が広がるため、パターン線幅が大きく変化する。 Especially, the pattern frequency until all 3 primary light from the primary light enters incident light intensity remains constant (unchanged amplitude of the sine wave), the pattern pitch (period of the sine wave) It spreads for the pattern line width changes greatly. これが図5(b)の正規化されたパターン間隔の1.0以下の部分の傾きが急な領域に相当する。 This inclination of 1.0 parts of normalized pattern interval in FIG. 5 (b) corresponds to the steep region. これはレベンソン位相マスクに特有の光近接効果であり、通常マスクに比べて非常に短い範囲内で寸法が大きく変化する。 This is a unique optical proximity effect Levenson phase mask, dimensional changes significantly within a very short range in comparison with the normal mask. 我々はこの現象を発見し、正規化されたパターン間隔の1. We discovered this phenomenon, first normalized pattern interval.
0以下の部分に補正を行うことで、パターン線幅のバラツキを小さくすることを達成した。 0 By performing the correction in the following section were achieved to reduce variations in the pattern line width.

【0021】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の形態1におけるパターン形成方法の工程断面図を示したものである。 [0021] (Embodiment 1) FIG. 1 is a diagram illustrating a process sectional view of the pattern forming method in the first embodiment of the present invention. 図2は、図1に示された本実施の形態の位相シフトマスクの一部をウエハ側から見たマスク構成図である。 Figure 2 is a mask diagram viewed part of a phase shift mask of the present embodiment shown in FIG. 1 from the wafer side. また、図3はレジスト上に結像する光強度の分布を示したものである。 Further, FIG. 3 shows the distribution of light intensity imaged on the resist.

【0022】図1、図2において、1はポジレジストであり、2は基板、3A,3Bは露光光である。 [0022] In FIGS. 1 and 2, 1 is a positive resist, 2 substrate, 3A, 3B is exposure light. 露光光3 Exposure light 3
Aはマスクを照明する光であり、露光光3Bはマスクを通過して、レジストに結像する光である。 A is a light illuminating the mask, exposure light 3B passes through the mask, an imaging light into the resist. 4はフォトマスクで、5,5A,5Bは遮光領域、6A,6Bは透過領域であって、透過領域6Bは透過領域6Aに対して露光光の位相を180度反転させている。 4 is a photomask, 5, 5A, 5B the light-shielding region, 6A, 6B is a transmissive region, the transparent region 6B are 180 degrees to invert the phase of exposure light to the transmission region 6A. 以下、図面を用いて本発明のパターン形成方法を説明する。 Hereinafter, the pattern forming method of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0023】まず、図1(a)においてポジレジスト1 [0023] First, positive resist 1 in FIGS. 1 (a)
を基板2上に塗布した。 It was coated on the substrate 2. レジストはKrF用化学増幅型ポジレジストであり、膜厚は0.5μmとなるように設定した。 Resist is KrF chemically amplified positive resist, the film thickness was set to be 0.5 [mu] m. 次に図1(b)において露光光3Aは位相シフトマスク4を照明し、マスクを通過した露光光3Bでポジレジスト1を露光する。 Then the exposure light 3A in FIG. 1 (b) to illuminate a phase-shift mask 4, to expose the positive resist 1 with exposure light 3B passing through the mask. なお、ステッパの露光条件は、露光波長λ=248nm、開口数NA=0.48、 The exposure condition of the stepper, the exposure wavelength lambda = 248 nm, numerical aperture NA = 0.48,
コヒーレントファクタσ=0.40であり、5:1の縮小タイプの投影露光装置を用いた。 A coherent factor σ = 0.40, 5: using a projection exposure apparatus 1 of the reduced type. 位相シフトマスク4 Phase shift mask 4
は石英基板を掘り込むことによって位相を180度変える掘り込みタイプのものを用いた。 Used was a type of engraving changing 180 degrees phase by recessing the quartz substrate.

【0024】上記した図1(b)の位相シフトマスクの詳細について図2を用いて説明する。 [0024] For details of the phase shift mask of FIG. 1 (b) above will be described with reference to FIG. 図2の遮光領域5 Shielding region in FIG. 2 5
A,5Bはウエハ上で微細なレジストパターンが形成される箇所であり、xa,xbはそれぞれの幅を示している。 A, 5B is a portion where a fine resist pattern on the wafer is formed, xa, xb denotes the respective widths. 遮光領域5Aはウエハ上で0.16μmラインアンドスペースパターンが形成される領域で、遮光領域5B Shielding region 5A in the region where 0.16μm line and space pattern is formed on the wafer, the light-shielding region 5B
は0.16μmライン/0.48μmスペース間隔のパターン領域であり同一のマスク上に存在する。 Is present is on the same mask pattern region of 0.16μm line /0.48μm space intervals. 露光は5 Exposure 5
分の1の縮小のステッパで行なったので、マスクパターンはウエハ上に5分の1に縮小して転写される。 Since was carried out at minute 1 reduction of the stepper, the mask pattern is transferred by reducing on the wafer by a factor of 5. よって、図1(b)のマスク寸法は実際に転写されるレジストパターン寸法の5倍の大きさとなる。 Therefore, the mask dimension in FIG. 1 (b) is 5 times the size of the resist pattern dimension is actually transcribed. 本実施の形態で用いた遮光領域5Aの幅xaは0.80μm、遮光領域5Bの幅xbは0.50μmとした。 Width xa of the light shielding region 5A used in this embodiment is 0.80 .mu.m, the width xb of the light shielding region 5B was 0.50 .mu.m.

【0025】図3(a)は図2の寸法補正を施されたマスクを通過したときのウエハ上で空間光強度を示したものであり、図3(b)はマスク補正を行なわずにパターン寸法通りにマスクの遮光領域を0.80μmにしたときの空間光強度を示したものである。 [0025] 3 (a) is an illustration of the spatial light intensity on the wafer when it passes through the mask that has been subjected to size correction in FIG. 2, the pattern without FIG. 3 (b) mask correction It shows the spatial light intensity when the light shielding region of the mask to 0.80μm to scale.

【0026】図3において、露光量を調整することで0.16μmのラインアンドスペースが1:1に形成される光強度が破線である。 [0026] In FIG. 3, line and space of 0.16μm by adjusting the exposure amount is 1: light intensity is formed 1 is a broken line. レジストはポジレジストなので、破線より下の部分にレジストパターンが形成される。 Since the resist is a positive resist, a resist pattern is formed on the portion below the broken line. よって形成されるレジストパターンの線幅は破線できられた光強度分布の幅に相当する。 Thus line width of the resist pattern to be formed corresponds to the width of the light intensity distribution which is able dashed. 図3(a)では0.16μmライン/0.48μmスペースのパターンでは0.171μmのレジストパターンが形成されるが、図3(b)の補正を行なわないマスクでは0.19 Although FIGS. 3 (a) in the resist pattern 0.171μm is a pattern of 0.16μm line /0.48μm space is formed, 0.19 with a mask not corrected shown in FIG. 3 (b)
0μmにもなってしまう。 It will also become a 0μm. このように位相シフトマスクの遮光領域の幅を調整することによってウエハ上の光強度を変化させ寸法を調整することができる。 Thus it is possible to adjust the dimensions to change the light intensity on the wafer by adjusting the width of the light shielding region of the phase shift mask.

【0027】その後、図1(c)でこのような光強度で露光されたレジストをPEB(露光後ベーク処理)後にアルカリ水溶液で60秒間現像してレジストパターン1 [0027] Thereafter, the resist pattern 1 and developed for 60 seconds with an aqueous alkaline solution the resist exposed with such light intensity in FIG. 1 (c) after PEB (post exposure baking)
xを形成する。 To form a x. 本実施の形態によれば、0.16μm線幅のレジストパターンが寸法精度±10%以内で精度良く形成することができる。 According to this embodiment, it is possible to resist pattern of 0.16μm line width is accurately formed at 10% dimensional accuracy ±.

【0028】以上のように本発明の形態によれば、位相シフトマスクの遮光領域の幅を変えることによってパターン間隔の異なる同一の線幅を設計寸法通りに精度良く形成することができる。 According to the form of [0028] As described above, the present invention, it is possible to accurately formed on the same line width design dimension as the having different pattern interval by changing the width of the light shielding region of the phase shift mask.

【0029】(実施の形態2)以下、本発明の実施の形態2におけるパターン形成方法について図面を参照しながら説明する。 [0029] (Embodiment 2) Hereinafter, the pattern forming method in the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 図4は、細長い遮光領域の両側の透過領域の位相が180度異なる位相シフトマスクをポジレジストに用いたときの0.16μm線幅とパターン間隔の関係を光強度シミュレーションを用いて求めたものである。 4, in which both sides of the phase of the transmitting area of ​​the elongate light shielding region is determined by using a light intensity simulating the relationship between 0.16μm line width and pattern interval when used in 180-degree different phase shift mask and a positive resist is there. シミュレーションの条件は露光波長λ=248n Conditions of the simulation is the exposure wavelength λ = 248n
m、開口数NA=0.60、コヒーレントファクタσ= m, the numerical aperture NA = 0.60, a coherent factor sigma =
0.3で、しきい値の光強度は0.16μmラインアンドスペースパターンが1:1となる値に設定している。 0.3, light intensity threshold is 0.16μm line-and-space pattern of 1: is set to 1 and becomes a value.

【0030】図4において、曲線a(黒丸)はマスク補正を行なわないものを示し、すべてのパターンのマスク上の遮光領域の幅はウエハ上の値に換算して(遮光領域幅×縮小率)でレジストパターンと同様の0.16μm [0030] In FIG. 4, curve a (solid circles) shows that not performed mask correction, the width of the light blocking region on the mask for all patterns in terms of the value on the wafer (light blocking region width × reduction ratio) in the resist pattern and the same 0.16μm
である。 It is. 一方、曲線b(白三角)は設計上の隣接するパターン間隔が規格化された値0.67λ/NA以上のパターンにおいて、マスク上の遮光領域幅をウエハ上に換算して0.10μmに設定したものである。 On the other hand, in the curve b (white triangles) pattern interval adjacent design is more normalized value 0.67λ / NA pattern, set to 0.10μm in terms of light shielding region width on the mask onto the wafer one in which the. マスクの遮光領域の幅を補正することによって線幅の最大値と最小値の差がほぼ半分に低減することがわかる。 Difference between the maximum value and the minimum value of the line width by correcting the width of the light blocking regions of the mask is understood to be reduced by approximately half.

【0031】上記のように、隣接するパターンの間隔が0.67λ/NA以上のパターンにおいてマスク補正を行う理由について以下に説明する。 [0031] As described above, will be described below why the spacing between adjacent patterns a mask is correct in the above patterns 0.67λ / NA.

【0032】マスク補正を隣接するパターンの間隔が0.67λ/NA以下のパターンに対して行うと、図4 [0032] interval pattern adjacent the mask correction performed for the following pattern 0.67λ / NA, 4
の曲線b(白三角)の傾向からも明らかなように、実際のパターンの線幅は0.16μmよりも小さくなってしまう。 Curve b as is apparent from the trend of the (open triangles), the line width of the actual pattern becomes smaller than 0.16 [mu] m. すなわち、隣接するパターンの間隔が0.67λ That is, the spacing between adjacent patterns is 0.67λ
/NA以下のパターンに対してはマスク補正を行なわない場合の方が設計寸法の0.16μmに近いと考えられる。 / NA For the following patterns towards the case of not performing the mask correction is considered to be close to 0.16μm design dimensions. したがって、隣接するパターンの間隔が0.67λ Thus, the spacing between adjacent patterns is 0.67λ
/NA以上のパターンに対してだけマスク補正を行うことが望ましいと考えられる。 Be performed only mask correction on / NA or more patterns may be desirable.

【0033】このように本実施の形態の形態では設計上のパターン間隔が0.67λ/NA以上のパターンのマスクの遮光領域をウエハ上の換算値で0.10μmとし、それ以下の間隔のパターンを0.16μmとしてマスク上に2つの遮光領域の幅を設けた。 The pattern of such a pattern interval on the design in the form of this embodiment and 0.10μm light shielding region of the mask of the above pattern 0.67λ / NA in terms of value on the wafer, less space It provided the width of the two light shielding regions on the mask as 0.16 [mu] m. これによって、 by this,
レジストパターンの線幅のバラツキを従来の半分に低減できる。 The variation of the line width of the resist pattern can be reduced to half of the conventional.

【0034】なお、本実施の形態では、パターン間隔が0.67λ/NAを境としてマスクパターンの遮光領域の幅を変化させたが、少なくともパターン間隔が0.5 [0034] Incidentally, in the present embodiment, the pattern interval has changed the width of the light shielding region of the mask pattern as a boundary of 0.67λ / NA, at least the pattern interval is 0.5
λ/NA以下の領域とパターン間隔が0.7λ/NA以上の領域のマスクパターンの遮光領域の幅を異ならしめることにより同様の効果を得ることができる。 lambda / NA or less in the region and the pattern spacing can be obtained the same effect by caulking different widths of the light shielding region of the mask pattern of 0.7λ / NA or more regions.

【0035】(実施の形態3)以下、本発明の実施の形態3におけるパターン形成方法について図面を参照しながら説明する。 [0035] (Embodiment 3) Hereinafter, the pattern forming method according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 図5は細長い遮光領域の両側の透過領域の位相が180度異なる位相シフトマスクをポジレジストに用いたときの線幅とパターン間隔との関係を光強度シミュレーションと実験によって求めたものである。 Figure 5 is one in which the phase of the transmission region on both sides of the elongate light shielding region is determined by the relationship of light intensity simulation of the experiments with the line width and the pattern interval when using the 180-degree different phase shift mask in positive resist. 図5(b)は線幅とパターン間隔をλ/NAで規格化したものである。 FIG. 5 (b) is obtained by normalizing the line width and pattern interval lambda / NA. 図5(b)において、曲線aはNA=0. In FIG. 5 (b), the curve a NA = 0.
60、bはNA=0.55、cはNA=0.48の場合をそれぞれ示す。 60, b is NA = 0.55, c denotes a case of NA = 0.48. コヒーレントファクタはいずれの場合も、σ=0.30である。 Coherent factor in each case, a sigma = 0.30.

【0036】図5から明らかなように、すべての線幅においてパターン間隔が規格値0.5−1.0までの間に線幅は急激に太くなり、規格値1.0付近で最もレジスト線幅は大きくなる。 [0036] As apparent from FIG. 5, line width between the pattern interval in all of the line width up to the standard value 0.5-1.0 is abruptly thick, most resist lines near the standard value 1.0 width is increased. その後、線幅は緩やかに小さくなる。 After that, the line width is gradually reduced.

【0037】例えば、図5(b)における曲線a,b, [0037] For example, the curve in FIG. 5 (b) a, b,
cについて考えると、パターン間隔が0.4λ/NA付近で規格化された線幅が最小となり、パターン間隔が1.0λ/NA付近で規格化された線幅が最大となる。 Considering c, the pattern interval is normalized line width in the vicinity of 0.4λ / NA is minimized, the line width of the pattern interval is normalized around 1.0λ / NA is maximized.
その後、パターン間隔の増大とともに線幅は緩やかに減少している。 Thereafter, the line width with increasing pattern interval is reduced slowly. したがって、線幅のバラツキを抑制するためには、隣接するパターンとの間隔が規格値0.65λ Therefore, in order to suppress variations in line width, spacing standard value between adjacent patterns 0.65λ
/NA以下の領域を使わないようにすればよいことがわかる。 / NA It can be seen that it is sufficient to not use the following areas.

【0038】実際に、規格値0.7以下のパターン間隔がないように設計ルールを定め、露光波長λ=248n [0038] Indeed, it defines design rule so that there is no pattern interval following specifications 0.7, the exposure wavelength λ = 248n
m、開口数NA=0.48、コヒーレントファクタσ= m, the numerical aperture NA = 0.48, a coherent factor sigma =
0.40で、5:1の縮小タイプの投影露光装置を用いて0.16μm線幅のレジストパターンを露光した。 0.40, 5: exposing a resist pattern of 0.16μm line width using the projection exposure apparatus 1 of the reduced type. このような位相シフトマスクによって得られた寸法バラツキは0.16μm±10%に抑えることができた。 Dimensional variations obtained by such a phase shift mask can be suppressed to 0.16 [mu] m ± 10%.

【0039】以上のようにウエハ上に存在するパターンの隣接するパターンとの間隔を0.65λ/NA以上に制限することによって寸法バラツキを制限することができた。 [0039] it was possible to limit the dimensional variations by limiting the spacing between adjacent patterns of the patterns present on the wafer as described above in more 0.65λ / NA.

【0040】(実施の形態4)以下、本発明の実施の形態4におけるパターン形成方法を図を参照しながら説明する。 [0040] (Embodiment 4) Hereinafter, a pattern forming method according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 図6(a)は本実施の形態を示すマスクの一部をウエハ側から見たマスク構成図であり、図6(b)は二回目の露光に用いるマスク構成図であり、図6(c)は2度の露光で転写されたレジストパターンを示している。 6 (a) is a mask diagram viewed part of the mask according to the present exemplary embodiment from the wafer side, FIG. 6 (b) is a mask diagram for the exposure of the second time, FIG. 6 (c ) shows a resist pattern transferred twice with exposure.

【0041】図9(a)は、従来の位相シフトマスクの一部のウエハ側から見たマスク構成図であり、図9 FIG. 9 (a) is a mask diagram as viewed from a part of the wafer side of the conventional phase shifting mask, Fig. 9
(b)は従来の2回目の露光に用いるマスク構成図であり、図9(c)は転写されたレジストパターンを示している。 (B) is a mask diagram for use in conventional second exposure, FIG. 9 (c) shows a resist pattern transferred. これらの図において、15は遮光領域、16,1 In these figures, 15 is the light blocking region, 16,1
6A,16Bは透過領域であって、透過領域16Bは透過領域16Aに対して露光光の位相を180度反転させている。 6A, 16B is a transmissive region, the transparent region 16B is 180 degrees to invert the phase of exposure light with respect to the transmissive region 16A. 1Aは形成されたレジストパターンである。 1A is a resist pattern formed. また、図7は本発明の位相シフトマスクの透過領域の幅を変化させた場合の光強度分布の傾きを示す図である。 Further, FIG. 7 is a diagram showing the inclination of the light intensity distribution in the case of changing the width of the transmission region of the phase shift mask of the present invention.

【0042】本実施の形態4の位相シフトマスクを用いたパターン形成方法を従来例と比較しながら説明する。 [0042] The pattern forming method using a phase shift mask according to the fourth embodiment will be described in comparison with a conventional example.
図6(a)および図9(a)においてウエハ上において微細ラインパターンは隣接するパターン間隔が線幅の6 FIGS. 6 (a) and the pattern interval fine line patterns on the wafer is adjacent in FIG. 9 (a) is a line width 6
倍以上離れている。 Fold away or more. 本実施の形態では、隣接するパターン間隔が所定距離(線幅の6倍)以上離れている領域において、図6(a)に示すように、透過領域16Aと1 In this embodiment, in the region where the pattern interval adjacent are separated by more than (six times the line width) a predetermined distance, as shown in FIG. 6 (a), the transparent region 16A 1
6Bに特定の制限幅xを設定している。 It has set a specific limit width x to 6B. すなわち、位相が180度異なる領域を対にして形成し、透過領域が広くならないようにしている。 That is, the phase is formed by a pair of 180 degrees different areas, so that the transmission region is not widely.

【0043】これに対して、図9(a)の従来例のマスクではそのような特定の幅がないために、隣接するパターンとの間がすべて透過領域16Aと16Bになる。 [0043] On the other hand, since there is no such specific width in the conventional example mask of FIG. 9 (a), it becomes all between adjacent patterns transmissive region 16A and 16B. このため広い間隔を有するパターンにおいてはパターン間隔によって透過領域が異なるために、線幅が変化しやすい。 For transmission area by the pattern interval in a pattern having a wider interval for this are different, the line width is likely to vary.

【0044】図6(a)に示される位相シフトマスクでは、孤立パターンの両側に透過領域を形成するため、中央部分に遮光領域が形成されることになる。 [0044] In the phase shift mask shown in FIG. 6 (a), to form a transparent region on each side of the isolated pattern, so that the light-shielding region in the central portion is formed. このため、 For this reason,
本来光を透過させるべき部分に光が照射されないことになるが、その後の微細パターンの上下の部分を取り除くための2度目の露光工程でこの部分に光を照射すればよい。 While light in the portion should be originally transmit light will not be irradiated may be irradiated with light in this part second time exposure step for removing the upper and lower portions of the subsequent fine pattern. 本実施の形態に用いる2度目の露光に用いるマスク(図6(b))は従来のマスク(図9(b))と比較すると、位相シフトマスクの孤立パターン間の遮光領域に対応する位置が透過領域とされていることがわかる。 Mask used for the second time exposure used in the embodiment (FIG. 6 (b)) is when compared with the conventional mask (FIG. 9 (b)), corresponding to the light shielding regions between the isolated pattern of the phase shift mask position it can be seen that there is a transmission area.

【0045】図6(a)に示した位相シフトマスクのように特定の透過領域の幅xを定めれば、パターン間隔が異なっても透過領域を通過する光強度は変化せず、寸法精度良くレジストパターンを形成することができる。 [0045] be determined width x for a specific transmission area as of the phase shift mask shown in FIG. 6 (a), the intensity of light passing through the transmissive region different pattern interval is not changed, good dimensional accuracy it is possible to form a resist pattern. また、図9(a)に示されるような従来の位相シフトマスクでは1つの透過領域を2つのパターンが共有するために、パターン配置を設計するときに常に位相を考慮する必要がある。 Further, in the conventional phase shift mask as shown in FIG. 9 (a) to one of the transmission area are two patterns sharing, it is necessary always to consider the phase when designing a pattern configuration. しかし、1つのパターンで左右1対の透過領域を有する図6(a)の場合は、遮光領域の周囲の透過領域の位相にかかわらず自由にマスクを設計できる長所がある。 However, in the case of FIG. 6 having a transmission area of ​​the right-and-left in a pattern (a), there is an advantage that can be designed freely mask regardless of the phase of the transmitting area surrounding the light shielding region.

【0046】図7は0.16μmの孤立パターンにおいて位相シフトマスクの透過領域幅xを変化させた場合の光強度分布の傾きをシミュレーションを用いた調べたものである。 [0046] FIG. 7 is intended examined using simulated gradient of the light intensity distribution in the case of changing the transmission area W x of the phase shift mask in isolated pattern of 0.16 [mu] m. グラフのy軸は0.16μm線幅を形成する光強度での光強度分布の傾きを、x軸はマスクの透過領域xをウエハ上に換算(x×投影露光装置の縮小率)した値をさらにλ/NAに規格化している。 The inclination of the light intensity distribution in the y-axis of the graph in the light intensity for forming a 0.16μm line width, x-axis is the value was (reduction ratio x × projection exposure apparatus) converts the transmission area x of the mask on the wafer It has been normalized to further λ / NA.

【0047】シミュレーション条件は露光波長λ=24 The simulation conditions are exposure wavelength λ = 24
8nm、コヒーレントファクタσ=0.3で、図中曲線a(黒丸)は開口数NA=0.48で、曲線b(白丸) 8 nm, coherent factor sigma = 0.3, figure curve a (solid circles) in the numerical aperture NA = 0.48, the curve b (open circles)
は開口数NA=0.60の条件で行なったものである。 Are those conducted under the condition of numerical aperture NA = 0.60.
特定のマスク上の透過領域幅で光強度分布の傾きはピーク値をもつことがわかる。 Slope of the light intensity distribution in the transmissive region width on a particular mask is seen to have a peak value. 一般に、光強度分布の傾きは大きいほど寸法に対する露光量のマージンが大きくなる。 In general, the exposure amount of margin to as the slope of the light intensity distribution is larger dimension increases. このことはパターン照射領域内で露光量のバラツキが存在しても、光強度分布の傾きが大きければ寸法のバラツキが小さくなることと同義である。 This is even if there is variation in the exposure amount in the pattern exposure area is synonymous with the larger the inclination of the optical intensity distribution variations of dimensions is reduced. よって、この図から寸法精度を向上させるためには、透過領域の幅xは0.50λ/NA≦(x×投影光学系の縮小率)≦0. Therefore, in order to improve the dimensional accuracy from the figure, the width x of the transmission area is 0.50λ / NA ≦ (x × reduction ratio of the projection optical system) ≦ 0.
80λ/NAの範囲が好ましい。 Range of 80λ / NA is preferable.

【0048】実際に、本発明の位相シフトマスクの透過領域幅xはウエハ上の寸法換算で0.65λ/NAに設定し、露光波長λ=248nm、開口数NA=0.4 [0048] In fact, the transmissive region width x of the phase shift mask of the present invention is set to 0.65λ / NA dimensions in terms of the wafer, an exposure wavelength lambda = 248 nm, numerical aperture NA = 0.4
8、コヒーレントファクタσ=0.30のステッパを用いて露光した。 8, were exposed using a stepper coherent factor sigma = 0.30. 形成されたレジスト寸法を測定した結果、パターン間隔が広い0.16μmラインパターンに対しては0.16μm±10%の寸法精度を得ることができた。 The results using the formed resist dimensions were measured for a wide 0.16 [mu] m line pattern pattern interval could be obtained, the dimensional accuracy of 0.16μm ± 10%.

【0049】以上のように、位相シフトマスクの透過領域に特定の幅を設けることにより、パターン間隔に依存しない高精度のパターン形成ができる。 [0049] As described above, by providing a certain width in the transmissive region of the phase shift mask, a pattern can be formed with high accuracy which does not depend on the pattern interval.

【0050】なお、本発明の実施の形態においては位相シフトマスクは掘り込みタイプとしたが、透過膜積層タイプでもよい。 [0050] Although in the embodiment of the present invention was phase shift mask types dug, or a permeable membrane laminated type.

【0051】 [0051]

【発明の効果】以上のように本発明は、線幅の間隔に応じて、位相シフトマスクの遮光領域の幅を変化させる、 The present invention as described above, according to the present invention, depending on the distance of the line width to change the width of the light shielding region of the phase shift mask,
または一定以上のパターン間隔とする、または透過領域の間隔を常に一定に保つというマスク構成とすることにより、位相シフトマスクを用いるときに生じる光近接効果による寸法バラツキを低減することができる。 Or a certain level of the pattern interval, or by a mask construction of keeping the distance between the transmissive region always constant, it is possible to reduce the dimensional variation due to the optical proximity effect that occurs when using phase-shift masks.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態1におけるパターン形成方法の工程断面図 Sectional views of the pattern forming method according to the first embodiment of the present invention; FIG

【図2】本発明の実施の形態1におけるパターン形成方法に用いるマスクの構成図 Diagram of a mask used in the pattern forming method according to the first embodiment of the invention; FIG

【図3】本発明の実施の形態1におけるパターン形成方法の光強度分布を示す図 Graph showing the light intensity distribution of a pattern forming method according to the first embodiment of the present invention; FIG

【図4】本発明の実施の形態2におけるパターン形成方法の線幅とパターン間隔との関係を示す図 Diagram showing the relationship between the line width and the pattern interval of the pattern forming method according to the second embodiment of the present invention; FIG

【図5】本発明の実施の形態3におけるパターン形成方法の線幅とパターン間隔との関係を示す図 Diagram showing the relationship between the line width and the pattern interval of the pattern forming method according to the third embodiment of the present invention; FIG

【図6】本発明の実施の形態4におけるパターン形成方法を説明する図 Diagram for explaining a pattern forming method according to the fourth embodiment of the invention; FIG

【図7】本発明の実施の形態4におけるパターン形成方法の透過領域と光強度分布の傾きの関係を示す図 7 is a diagram showing the relationship between the transmission region and the slope of the light intensity distribution of the pattern forming method according to the fourth embodiment of the present invention

【図8】従来のパターン形成方法の工程断面図 [8] a process sectional view of a conventional pattern formation method

【図9】従来のパターン形成方法を説明する図 9 is a diagram illustrating a conventional pattern formation method

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ポジレジスト 2,22 基板 3A,3B,23A,23B 露光光 4 マスク 5,5A,5B,15,25 マスクの遮光領域 6,6A,6B,16A,16B,26A,26B マスクの透過領域 1 positive resist 2,22 substrate 3A, 3B, 23A, 23B exposing light 4 mask 5, 5A, 5B, 15, 25 masked light shielding region 6,6A, 6B, 16A, 16B, 26A, transmissive areas of 26B mask

Claims (14)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】遮光領域の両側の透過領域の位相が互いに180度異なるフォトマスクを用いてレジストを露光し、前記遮光領域に対応したレジストパターンを形成するフォトマスクであって、前記遮光領域の線幅が隣接するパターンの間隔に応じて補正されることを特徴とするフォトマスク。 1. A exposing the resist using a bilateral photomask having a phase different by 180 degrees from each other in the transmission area of ​​the shaded portion, a photomask for forming a resist pattern corresponding to the light shielding region, the light shielding region photomask wherein the line width is corrected in accordance with the spacing of adjacent patterns.
  2. 【請求項2】レジストパターンが任意の間隔を有する同一幅のパターンであることを特徴とする請求項1記載のフォトマスク。 2. A photomask according to claim 1, wherein the resist pattern is the pattern of the same width with an arbitrary interval.
  3. 【請求項3】隣接するレジストパターンの間隔が0.7 Wherein the spacing between adjacent photoresist patterns is 0.7
    λ/NA以上のパターンを形成するマスク上の遮光領域と、隣接するレジストパターンの間隔が0.5λ/NA And a light shielding region on the mask to form a lambda / NA or more patterns, the spacing between adjacent photoresist patterns is 0.5 [lambda / NA
    以下のパターンを形成するマスク上の遮光領域とで、遮光領域の幅を異ならせることを特徴とする請求項2記載のフォトマスク。 The photomask according to claim 2, characterized in that between the light-shielding region on the mask for forming the following patterns, different widths of the light shielding region.
  4. 【請求項4】遮光領域の両側の透過領域の位相が互いに180度異なるフォトマスクを用いてポジレジストを露光し、同一幅のラインパターンを形成するフォトマスクであって、隣接するパターンの間隔が所定距離以上である2つの前記遮光領域の間に新たに遮光領域を設けたことを特徴とするフォトマスク。 4. exposing the positive resist using a bilateral photomask having a phase different by 180 degrees from each other in the transmission area of ​​the shaded portion, a photomask for forming a line pattern of the same width, the spacing between adjacent patterns photomask characterized by providing a new light-shielding region between two of the light-shielding region is the predetermined distance or more.
  5. 【請求項5】遮光領域と新たに設けた遮光領域の間の透過領域の幅xを、 0.5λ/NA≦(透過領域の幅x)×(投影光学系の縮小率)≦0.8λ/NAとすることを特徴とする請求項4記載のフォトマスク。 5. The width x of the transmission area between the light shielding region and a light shielding region newly provided, 0.5λ / NA ≦ (width x of the transmission region) × (reduction ratio of the projection optical system) ≦ 0.8λ the photomask according to claim 4, characterized in that the / NA.
  6. 【請求項6】隣接するパターンとの間隔がパターン線幅の6倍以上であることを特徴とする請求項4記載のフォトマスク。 6. A photomask according to claim 4, wherein the spacing between adjacent patterns is not less than 6 times the pattern line width.
  7. 【請求項7】遮光領域の両側の透過領域の位相が互いに180度異なるフォトマスクを用いてレジストを露光し、前記遮光領域に対応したレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、前記遮光領域の線幅が隣接するパターンの間隔に応じて補正されたフォトマスクを用いたことを特徴とするパターン形成方法。 7. exposing the resist using a bilateral photomask having a phase different by 180 degrees from each other in the transmission area of ​​the light shielding region, a pattern forming method for forming a resist pattern corresponding to the light shielding region, the light shielding region patterning process line width is characterized by using a photomask that is corrected in accordance with the spacing of adjacent patterns.
  8. 【請求項8】レジストパターンが任意の間隔を有する同一幅のパターンであることを特徴とする請求項7記載のパターン形成方法。 8. The pattern formation method of claim 7, wherein the resist pattern is the pattern of the same width with an arbitrary interval.
  9. 【請求項9】隣接するレジストパターンの間隔が0.7 9. spacing between adjacent resist patterns 0.7
    λ/NA以上のパターンを形成するマスク上の遮光領域と、隣接するレジストパターンの間隔が0.5λ/NA And a light shielding region on the mask to form a lambda / NA or more patterns, the spacing between adjacent photoresist patterns is 0.5 [lambda / NA
    以下のパターンを形成するマスク上の遮光領域とで、遮光領域の幅を異ならせたフォトマスクを用いることを特徴とする請求項8記載のパターン形成方法。 In the light-shielding region on the mask for forming the following patterns, a pattern forming method according to claim 8, wherein the using a photo mask having different widths of the light shielding region.
  10. 【請求項10】遮光領域の両側の透過領域の位相が互いに180度異なるフォトマスクを用いてポジレジストを露光し、同一幅のラインパターンを形成するパターン形成方法であって、隣接するパターンの間隔が所定距離以上である2つの前記遮光領域の間に新たに遮光領域を設けたフォトマスクを用いたことを特徴とするパターン形成方法。 10. A use of a bilateral photomask having a phase different by 180 degrees from each other in the transmission area of ​​the shaded portion exposing the positive resist, a pattern forming method for forming a line pattern of the same width, the adjacent pattern interval pattern forming method but characterized by using a photomask having a new light-shielding region between two of the light-shielding region is the predetermined distance or more.
  11. 【請求項11】遮光領域と新たに設けた遮光領域の間の透過領域の幅xを 0.5λ/NA≦(透過領域の幅x)×(投影光学系の縮小率)≦0.8λ/NAとされたフォトマスクを用いたことを特徴とする請求項10記載のパターン形成方法。 11. (width x of the transmission region) × (reduction ratio of the projection optical system) 0.5λ / NA ≦ the width x of the transmission area between the light shielding region and a light shielding region newly provided ≦ 0.8λ / the pattern forming method according to claim 10, wherein the using a photomask which is an NA.
  12. 【請求項12】遮光領域の両側の透過領域の位相が互いに180度異なるフォトマスクを用いてレジストを露光し、前記遮光領域に対応したレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、すべての隣接するパターン間隔が少なくとも0.65λ/NA以上離れていることを特徴とするパターン形成方法。 12. exposing the resist using a bilateral photomask having a phase different by 180 degrees from each other in the transmission area of ​​the light shielding region, a pattern forming method for forming a resist pattern corresponding to the light shielding region, all adjacent patterning process pattern interval is characterized in that a separation of at least 0.65λ / NA or more.
  13. 【請求項13】半導体基板上にポジレジストを塗布する工程と、回路パターンを形成する遮光領域の両側の透過領域の位相が互いに180度異なり、遮光領域の線幅が隣接するパターンの間隔に応じて補正されたフォトマスクを用いてレジストを露光する工程と、回路パターンに必要な部分を遮光した第2露光用のマスクを用いて露光することで、不要レジストパターンを除去する工程を含む半導体装置の製造方法。 A step of applying a 13. The positive resist on a semiconductor substrate, different phase 180 degrees from each other on either side of the transmissive region of the light-shielding region for forming a circuit pattern, according to the interval of the pattern line width of the light shielding region is adjacent a step of exposing the resist using the corrected photomask Te, by exposure using a mask for the second exposure light-shielded portions necessary for the circuit pattern, a semiconductor device including a step of removing the unnecessary resist pattern the method of production.
  14. 【請求項14】半導体基板上にポジレジストを塗布する工程と、回路パターンを形成する遮光領域の両側の透過領域の位相が互いに180度異なり、隣接するパターンの間隔が所定距離以上である2つの前記遮光領域の間に新たに遮光領域を設けたフォトマスクを用いてレジストを露光する工程と、回路パターンに必要な部分を遮光した第2露光用のマスクを用いて露光することで新たに設けられた遮光領域に対応するレジストパターンを含んだ不要レジストパターンを除去する工程を含む半導体装置の製造方法。 A step of applying a 14. The positive resist on a semiconductor substrate, different phase 180 degrees from each other on either side of the transmissive region of the light-shielding region for forming a circuit pattern, the spacing between adjacent patterns two is more than a predetermined distance newly a step of exposing the resist using a photomask having a light-shielding region is provided newly by exposure using a mask for the second exposure light-shielded parts necessary for the circuit pattern between said light shielding region the method of manufacturing a semiconductor device including a step of removing the unnecessary resist pattern including a resist pattern corresponding to the light shielding region that is.
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