JPH10130468A - Epoxy resin composition for sealing semiconductor - Google Patents

Epoxy resin composition for sealing semiconductor

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JPH10130468A
JPH10130468A JP28680496A JP28680496A JPH10130468A JP H10130468 A JPH10130468 A JP H10130468A JP 28680496 A JP28680496 A JP 28680496A JP 28680496 A JP28680496 A JP 28680496A JP H10130468 A JPH10130468 A JP H10130468A
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silane coupling
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斉藤  潔
秋久 黒柳
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Nitto Denko Corp
日東電工株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epoxy resin composition used for sealing a semiconductor and excellent in both resistance to soldering heat and moldability.
SOLUTION: This composition contains an epoxy resin, a phenolic resin, an inorganic filler, and a silane coupling agent mixture comprising an epoxysilane coupling agent and at least one of a mercaptosilane coupling agent and an aminosilane coupling agent.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、信頼性、特に半田実装時の耐半田性に優れ、かつ生産性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is reliable, and in particular excellent solder resistance during soldering, and semiconductor encapsulating epoxy resin composition excellent in productivity.

【0002】 [0002]

【従来の技術】トランジスター、IC、LSI等の半導体素子は、従来から、セラミックパッケージ等によって封止され、半導体装置化されていたが、最近では、コスト、量産性の観点から、プラスチックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっている。 BACKGROUND ART transistors, IC, semiconductor devices such as LSI, conventionally, sealed by a ceramic package or the like, it had been a semiconductor device of, recently, use cost, in terms of mass productivity, the plastic package There was resin sealing has become the mainstream. この種の樹脂封止には、従来から、エポキシ樹脂が使用されており良好な成績を収めている。 This type of resin sealing, conventionally, epoxy resin is achieved good results have been used. しかしながら、半導体分野の技術革新によって集積度の向上とともに素子サイズの大形化、配線の微細化が進み、パッケージも小形化、薄形化する傾向にあり、これに伴って封止材料に対してより以上の信頼性(得られる半導体装置の熱応力の低減、耐湿信頼性、耐熱衝撃試験に対する信頼性等)の向上が要望されている。 However, large reduction of the element size with increased density by innovations semiconductor field proceeds miniaturization of the wiring, packages miniaturization tend to thinning, against the sealing material along with this more over reliability of is desired (reduction of thermal stress of the resulting semiconductor device, moisture resistance reliability, reliability and the like for the thermal shock test). 特に、近年、電子装置の小形で高機能にする要求から、実装の高密度化が進んでいる。 In particular, in recent years, from the request for higher functionality in small electronic devices, it progressed densification of mounting. このような観点から従来のピン挿入型パッケージから表面実装型パッケージが主流になってきている。 This viewpoint surface mount package from a conventional pin insertion type package from has become the mainstream.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のような表面実装型パッケージでは、実装前にパッケージが吸湿した状態で用いられると、半田実装時に水分の蒸気圧により、各部材との剥離やパッケージにクラックや膨れが発生する問題がある。 However [0006] In the surface-mount package, such as described above, when used in a state where the package has absorbed moisture prior to mounting, the vapor pressure of water at the time of soldering, peeling and packaging of each member there is a problem that cracks and swelling occurs.

【0004】また、より高密度化のためにパッケージの薄形化、大形化が進み、その成形もより緻密になり、ボイドの発生、金線ワイヤーの流れ、半導体チップを搭載するダイのシフト等問題が多く発生している。 Further, the package of thinned, the large reduction proceeds for higher density, the forming becomes denser, generation of voids, a shift of the die to be mounted in the gold wire sweep, the semiconductor chip and the like problem is more likely to occur.

【0005】このような問題に対する解決策として、例えば、下記の一般式(1)で表されるような、より低粘度で低吸湿性のエポキシ樹脂を用い、さらに無機フィラーを多く含有させた封止用樹脂組成物が提案されているが、半田耐熱性および成形性の両者を充分満足させるものではない。 [0005] As a solution to this problem, for example, sealed to as represented by the following general formula (1), using a low moisture absorption epoxy resins at lower viscosity and is contained more inorganic filler Although sealing resin compositions have been proposed, but not to sufficiently satisfy both of the soldering heat resistance and moldability.

【0006】 [0006]

【化3】 [Formula 3]

【0007】本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、半田耐熱性および成形性の双方に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の提供をその目的とする。 [0007] The present invention is directed to such made in view of the circumstances, the provision of solder heat resistance and moldability both excellent semiconductor encapsulating epoxy resin composition that purpose.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、下記の(A)〜(D)成分を含有するという構成をとる。 To achieve the above object, according to an aspect of the semiconductor encapsulating epoxy resin composition of the present invention has a configuration that contains (A) ~ (D) the following components. (A)エポキシ樹脂。 (A) an epoxy resin. (B)フェノール樹脂。 (B) a phenolic resin. (C)無機質充填剤。 (C) inorganic filler. (D)下記の(d1)および(d2)からなる混合シラン系カップリング剤。 (D) mixing a silane coupling agent consisting of the following (d1) and (d2). (d1)エポキシシラン系カップリング剤。 (D1) an epoxy silane coupling agent. (d2)メルカプトシラン系カップリング剤およびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方。 (D2) at least one mercaptosilane-based coupling agent and aminosilane coupling agent.

【0009】すなわち、本発明者らは、成形性に優れ、 Accordingly, the present inventors have found that excellent moldability,
かつ半田耐熱性にも優れた封止用樹脂組成物を得るために一連の研究を重ねた。 And he superimposed a series of studies in order to obtain a sealing resin composition excellent in solder heat resistance. その結果、封止用樹脂組成物の構成成分として、上記のように、エポキシシラン系カップリング剤(d1)を必須成分とし、これにメルカプトシラン系カップリング剤およびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方(d2)を配合した混合シラン系カップリング剤を用いると、上記エポキシシラン系カップリング剤使用によるリードフレームに対する接着力が向上するという作用効果と、上記メルカプトシラン系カップリング剤およびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方を用いることによる封止樹脂の高温強度および高温伸びが向上するという作用効果との相乗効果により、著しい半田耐熱性の向上が実現することを見出し本発明に到達した。 As a result, as a constituent of the sealing resin composition, as described above, an epoxy silane coupling agent (d1) as essential components, at least one of which the mercapto silane coupling agent and aminosilane coupling agent When a mixed silane coupling agent containing a combination of (d2), the effect that adhesion to a lead frame by using the epoxy silane coupling agent is improved, the mercapto silane coupling agent and aminosilane coupling the synergistic effect of the effect that high-temperature strength and high-temperature elongation of the sealing resin by using at least one of the agent is improved, reaching a significant solder heat resistance improving headings that realizes the present invention.

【0010】そして、上記封止用樹脂組成物において、 [0010] Then, in the sealing resin composition,
エポキシ樹脂として前記一般式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を、また、フェノール樹脂としてフェノールアラルキル樹脂を用いることにより、封止用樹脂組成物の低粘度化が図られ、その結果、無機質充填剤の高充填化が実現してより一層半田耐熱性と成形性が向上する。 Formula as epoxy resins biphenyl type epoxy resin represented by (1), also by using a phenol aralkyl resin as the phenolic resin, low viscosity of the sealing resin composition is achieved, as a result, inorganic formability more solder heat resistance high filling of the realized filler is improved.

【0011】 [0011]

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態について説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, an embodiment of the present invention is explained.

【0012】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A成分)と、フェノール樹脂(B成分)と、無機質充填剤(C成分)と、複数種類のシラン系カップリング剤からなる混合シラン系カップリング剤(D成分)を用いて得られるものであり、通常、粉末状あるいはこれを打錠したタブレット状になっている。 [0012] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the epoxy resin (A component), and a phenol resin (B component), an inorganic filler and (C component), a plurality of kinds of silane coupling agent comprising mixing a silane coupling agent are those obtained by using the component (D), generally has a powder form or it to tableting was tableted.

【0013】上記エポキシ樹脂(A成分)としては、特に限定するものではなく、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ノボラックビスA型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂等従来公知の各種エポキシ樹脂が用いられる。 [0013] Examples of the epoxy resin (A component), not particularly limited, cresol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, Noborakkubisu A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resins, dicyclopentadiene-based epoxy resins conventionally known various epoxy resins may be used. なかでも、低粘度で低吸湿性を備えているという点から、下記の一般式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。 Among them, from the viewpoint and a low moisture absorption at a low viscosity, it is preferable to use a biphenyl type epoxy resin represented by the following general formula (1).

【0014】 [0014]

【化4】 [Of 4]

【0015】上記式(1)において、R 1 〜R 4が、水素原子、メチル基を有するものが好ましく、特にそのなかでも、水素原子が70重量%以下で、残りがメチル基であるものが、低吸湿性および反応性の点から好ましい。 In the above formula (1), R 1 ~R 4 is a hydrogen atom, preferably one having a methyl group, particularly Among them, a hydrogen atom is 70 wt% or less, those remaining are methyl , from the viewpoint low hygroscopicity and reactivity.

【0016】上記エポキシ樹脂(A成分)とともに用いられるフェノール樹脂(B成分)としては、特に限定するものではなく従来からエポキシ樹脂の硬化剤として作用する各種フェノール樹脂が用いられる。 [0016] As the phenol resin (B component) to be used together with the epoxy resin (A component), various phenolic resin is used which acts as a curing agent for epoxy resins conventionally not particularly limited. なかでも、フェノールアラルキル樹脂を用いることが好ましく、具体的には下記の一般式(2)で表されるフェノールアラルキル樹脂を用いることが特に好ましい。 Among them, it is preferable to use a phenol aralkyl resin, it is particularly preferable that the specific use of the phenol aralkyl resin represented by the following general formula (2).

【0017】 [0017]

【化5】 [Of 5]

【0018】上記式(2)において、繰り返し数n,m In the above formula (2), the repeating number n, m
とも、好適には各上限値が20に設定される。 Both, preferably each upper limit value is set to 20. そして、 And,
繰り返し数nは1〜9、繰り返し数mは1〜9の範囲が好ましく、特に好ましくは、繰り返し数nは1〜5、繰り返し数mは1〜5の範囲である。 The repetition number n 1-9, the repetition number m is preferably in the range of 1-9, particularly preferably, the repeating number n 1-5, the repetition number m in the range of 1-5. さらに好ましくは、 More preferably,
繰り返し数nが1〜5、繰り返し数mが1〜5において、n+m=2〜5となる範囲である。 Repetition number n is 1 to 5, in the repetition number m is 1-5, a range of the n + m = 2 to 5. また、上記式(2)中、繰り返し単位nと繰り返し単位mとはランダム結合であってもよいし、ブロック結合であってもよい。 Further, in the above formula (2) may be a random bond and repeating units n repeating units m, it may be a block bond.

【0019】上記一般式(2)で表されるフェノール樹脂(B成分)は、水酸基当量150〜220、軟化点4 The phenolic resin of formula (2) (B component) having a hydroxyl equivalent of 150 to 220, a softening point 4
0〜110℃が好ましく、より好ましくは水酸基当量1 Preferably 0 to 110 ° C., more preferably hydroxyl equivalent 1
50〜200、軟化点50〜90℃である。 50-200, a softening point of 50 to 90 ° C..

【0020】上記エポキシ樹脂(A成分)とフェノール樹脂(B成分)との配合割合は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.8〜1.2当量となるように配合することが好適である。 The mixing ratio between the epoxy resin (A component) and the phenolic resin (B component), such that the hydroxyl group of the epoxy groups per equivalent of phenol resin in the epoxy resin component becomes 0.8 to 1.2 equivalent it is preferable to blend in. より好適なのは0.9〜1.1当量である。 More preferred is from 0.9 to 1.1 equivalents.

【0021】上記エポキシ樹脂(A成分)およびフェノール樹脂(B成分)とともに用いられる無機質充填剤(C成分)としては、特に限定するものではなく従来公知のものが用いられる。 [0021] The epoxy resin (A component) and the inorganic filler to be used together with the phenolic resin (B component) as component (C) is conventionally known and not used particularly limited. 例えば、石英ガラス、タルク、 For example, quartz glass, talc,
シリカ粉末およびアルミナ粉末等があげられる。 Silica powder and alumina powder and the like. なかでも、シリカ粉末、特に溶融シリカ粉末を用いることが好適である。 Among them, silica powder, to be particularly used fused silica powder is preferred.

【0022】さらに詳しく述べると、シリカ粉末のなかでも、下記の(a)〜(d)に示す粒度分布に設定されたものを用いることが、より高度な封止用樹脂組成物の低粘度化が図られ、その結果、より一層の無機質充填剤の高充填化の実現が図られる。 [0022] More particularly, among the silica powder, low viscosity of be those set in the particle size distribution shown in the following (a) ~ (d), more sophisticated sealing resin composition It is achieved, as a result, realization of even higher filling of the inorganic filler is achieved.

【0023】(a)平均粒径20〜60μmの球状シリカ粉末がシリカ粉末全体の40〜80重量%。 [0023] (a) 40 to 80 wt% of spherical silica powder is overall silica powder having an average particle size of 20 to 60 [mu] m. (b)平均粒径1〜10μmの球状シリカ粉末がシリカ粉末全体の5〜50重量%。 (B) a spherical silica powder having an average particle size of 1~10μm 5-50 wt% of the total silica powder. (c)平均粒径0.1〜1μmの球状シリカ粉末がシリカ粉末全体の5〜20重量%。 (C) 5 to 20 wt% of spherical silica powder is overall silica powder having an average particle diameter of 0.1 to 1 [mu] m. (d)平均粒径1〜20μmの破砕シリカ粉末がシリカ粉末全体の0〜20重量%。 (D) 0 to 20 wt% of crushed silica powder overall silica powder having an average particle size of 1 to 20 [mu] m.

【0024】このような無機質充填剤(C成分)の含有量は、例えば、上記のように、シリカ粉末〔上記(a) The content of such inorganic filler component (C) is, for example, as described above, silica powder [(a) above
〜(d)の粒度分布に設定されたシリカ粉末等を含む〕 ~ Containing silica powder or the like which is set in the particle size distribution (d)]
を用いる場合、エポキシ樹脂組成物全体の75重量%以上となるように設定することが好ましい。 When using a, it is preferable to set so that the epoxy resin composition of the entire 75% by weight or more. 特に好適なのは80〜93重量%の範囲である。 Particularly preferred is in the range of 80 to 93 wt%. すなわち、無機質充填剤(C成分)の含有量が75重量%未満では、半田耐熱性が大幅に低下する傾向がみられるからである。 That is, in the content of the inorganic filler (C component) is less than 75 wt%, the tendency to solder heat resistance is greatly reduced seen.

【0025】つぎに、上記A〜C成分とともに用いる特定の混合シラン系カップリング剤(D成分)は、エポキシシラン系カップリング剤(d1)を必須成分とし、これに、メルカプトシラン系カップリング剤およびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方(d2)を配合したものである。 Next, specific mixing silane coupling agent used together with the A~C component (D component), an epoxy silane coupling agent (d1) as essential components, to which, mercapto silane coupling agent and it is obtained by blending at least one of (d2) of the aminosilane coupling agent. このように、上記エポキシシラン系カップリング剤を必須成分として用いることにより、リードフレームに対する接着力の向上効果が得られ、さらに、上記メルカプトシラン系カップリング剤およびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方を用いることにより、封止樹脂の高温強度および高温伸びの向上効果が得られ、結果、上記d1成分とd2成分との併用により、良好な成形性とともに優れた耐半田性の実現という相乗効果が得られるようになる。 Thus, by using an epoxy silane coupling agent as an essential component, the effect of improving the adhesion to a lead frame is obtained, further, at least one of said mercapto silane coupling agent and aminosilane coupling agent by using, obtained effect of improving the high temperature strength and high-temperature elongation of the sealing resin, results, combined with the d1 component and d2 component, a synergistic effect of good solder resistance realized with good moldability to give It is as to become.

【0026】上記エポキシシラン系カップリング剤(d [0026] The epoxy silane coupling agent (d
1)としては、例えば、下記の式(a)で表されるものがあげられる。 The 1), for example, include those represented by the following formula (a).

【0027】 [0027]

【化6】 [Omitted]

【0028】また、上記メルカプトシラン系カップリング剤としては、例えば、下記の式(b)で表されるものがあげられる。 Further, as the mercapto silane coupling agent, for example, include those represented by the following formula (b).

【0029】 [0029]

【化7】 [Omitted]

【0030】さらに、上記アミノシラン系カップリング剤としては、例えば、下記の式(c)で表されるジアミノシラン系カップリング剤、下記の式(d)で表されるモノアミノシラン系カップリング剤があげられる。 Furthermore, as the aminosilane-based coupling agent, for example, diaminosilanes based coupling agent represented by the following formula (c), mono amino silane coupling agent represented by the following formula (d) can give.

【0031】 [0031]

【化8】 [Of 8]

【0032】 [0032]

【化9】 [Omitted]

【0033】そして、D成分である混合シラン系カップリング剤の好ましい組み合わせとしては、封止樹脂の高温強度および高温伸びの向上という観点から、必須成分であるエポキシシラン系カップリング剤(d1)と、アミノシラン系カップリング剤(d2)とを併用する組み合わせがあげられる。 [0033] Then, as a preferred combination of the mixed silane coupling agent is a D component, from the viewpoint of improving the high temperature strength and high-temperature elongation of the sealing resin, which is an essential component epoxy silane coupling agent (d1) , the combination used in combination with aminosilane coupling agent (d2) and the like.

【0034】上記必須成分であるエポキシシラン系カップリング剤(d1)と、メルカプトシラン系カップリング剤およびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方(d2)との両者の混合割合(d1/d2)は、全体を100とした場合、重量比で、d1/d2=80/ [0034] The essential component a is an epoxy silane coupling agent (d1), the mixing ratio of both the at least one mercaptosilane-based coupling agent and aminosilane coupling agent (d2) (d1 / d2) is If whole was 100, the weight ratio, d1 / d2 = 80 /
20〜20/80の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくはd1/d2=60/40〜40/60である。 It is preferably set in a range of 20 to 20/80, particularly preferably d1 / d2 = 60 / 40~40 / 60. すなわち、エポキシシラン系カップリング剤(d That is, an epoxy silane coupling agent (d
1)の混合比が20未満(d2が80を超える)では、 In the mixing ratio of 1) is less than 20 (d2 exceeds 80),
リードフレームに対する接着力が低下するため、成形性および耐半田性に悪影響が生じ、また保存性も低下する傾向がみられる。 Since the adhesion to the lead frame is reduced, adverse effect on formability and solder resistance occurs, also tend to be conservative decreases observed. 逆にエポキシシラン系カップリング剤(d2)の混合比が80を超える(d2が20未満) Conversely the mixing ratio of the epoxy silane coupling agent (d2) is greater than 80 (d2 is less than 20)
と、高温強度および高温伸びが低下するために耐半田性が低下する傾向がみられるからである。 If, because solder resistance tends to decrease for high-temperature strength and high-temperature elongation is decreased.

【0035】さらに、上記エポキシシラン系カップリング剤(d1)と、メルカプトシラン系カップリング剤およびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方(d2)とからなる混合シラン系カップリング剤(D成分)の含有量は、エポキシ樹脂組成物中0.10〜1. Furthermore, the epoxy silane coupling agent (d1), containing at least one (d2) from become mixed silane coupling agent of the mercapto silane coupling agent and aminosilane coupling agent (D component) amounts, the epoxy resin composition from 0.10 to 1.
50重量%の範囲となるように設定することが好ましく、特に好ましくは0.2〜1.0重量%である。 Preferably set to be in the range of 50 wt%, particularly preferably 0.2 to 1.0 wt%. すなわち、混合シラン系カップリング剤(D成分)の含有量が0.10重量%未満では、耐半田性に対する物性(高温強度および高温伸び)の充分な向上効果が得られず、 When the content is less than 0.10% by weight of a mixed silane coupling agent (D component), not obtained sufficient effect of improving physical properties (high-temperature strength and high-temperature elongation) for solder resistance,
また1.50重量%を超えると、樹脂が高粘度となり、 When it exceeds 1.50 wt%, the resin becomes highly viscous,
成形性(ワイヤー流れ、ダイシフト)に悪影響が生じる恐れがあるからである。 Moldability (wire sweep, die shift) there is a possibility that adversely affect.

【0036】また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、上記A〜D成分に加えて、硬化促進剤を用いてもよい。 Further, the semiconductor encapsulating epoxy resin composition of the present invention, in addition to the above A~D components, may be used a curing accelerator. 上記硬化促進剤としては、例えば、1,8 As the curing accelerator, for example, 1,8
−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の三級アミン類、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール類、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、 - diaza - bicyclo (5,4,0) undecene-7, triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl) tertiary amines such as phenol, 2-methylimidazole, 2 - ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, imidazoles such as 2-heptadecyl imidazole, tributylphosphine, methyl diphenylphosphine, triphenyl phosphine,
ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、N−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン類等(リン系硬化促進剤)があげられる。 Diphenylphosphine, organic phosphines such as triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate, N- methylmorpholine tetraphenylborate tetraphenyl boron such as such as (phosphorus-based curing accelerator ), and the like. これらは単独でもしくは併せて用いられる。 These are used solely or in combination. なかでも、特に、その硬化性、耐湿信頼性という点から、上記各種リン系硬化促進剤を用いることが好ましい。 Among them, in particular, its curability, from the viewpoint moisture resistance reliability, it is preferable to use the various phosphorus-based curing accelerator.

【0037】そして、上記硬化促進剤、例えば、リン系硬化促進剤は、他の成分と同様に単に配合するだけでもよいが、予め、上記フェノール樹脂(B成分)の一部または全部に溶融混合して用いると、成形性および耐半田性に関してより一層良好な結果が得られる。 [0037] Then, the curing accelerator, for example, phosphorus-based curing accelerator, may be any simply blended as well as other ingredients, previously, melt mixed in a part or all of the phenolic resin (B component) When to use, more favorable results are obtained with respect to moldability and solder resistance.

【0038】さらに、内部応力の低減化のために、シリコーン化合物を用いてもよい。 [0038] Further, in order to reduce the internal stress, it may be used a silicone compound. 上記シリコーン化合物としては、例えば、下記の一般式(4)および一般式(5)で表されるシリコーン化合物があげられる。 Examples of the silicone compounds include silicone compounds represented by the following general formula (4) and the general formula (5). これらは単独でもしくは併用して用いられる。 These may be used alone or in combination.

【0039】 [0039]

【化10】 [Of 10]

【0040】上記シリコーン化合物のなかでも、下記の式(6)および式(7)で表されるものが好ましい。 [0040] Among the above-mentioned silicone compounds, it is preferably one represented by the following formula (6) and (7). そして、上記式(7)のなかでも、特に好ましいものとして具体的には、式(8)のものがあげられる。 Then, among the above-mentioned formula (7), specifically as being particularly preferred, those of the formula (8) below.

【0041】 [0041]

【化11】 [Of 11]

【0042】 [0042]

【化12】 [Of 12]

【0043】 [0043]

【化13】 [Of 13]

【0044】上記シリコーン化合物の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体の5重量%以下となるよう設定することが好ましい。 The amount of the silicone compound is preferably set to be less than 5% by weight of the total epoxy resin composition. 特に好ましくは0.1〜3重量%の範囲内である。 Particularly preferably in the range of 0.1 to 3 wt%.

【0045】なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、樹脂硬化物と成形用金型との離型性を向上させ、成形作業性を良好にするために、各種離型剤を配合してもよい。 [0045] Note that the semiconductor encapsulating epoxy resin composition of the present invention improves the releasability of the cured resin and mold, in order to improve the molding workability, various release agents it may be blended. 上記離型剤としては、ポリエチレン系ワックス、カルナバワックス、モンタン酸、ステアリン酸等の公知のものがあげられる。 As the release agent, polyethylene wax, carnauba wax, montanic acid, known ones such as stearic acid. なかでも、離型性と接着性(信頼性)という観点からポリエチレン系ワックスを用いることが好ましい。 It is preferable to use the polyethylene-based wax from the viewpoint of releasability and adhesion (reliability). さらに、上記ポリエチレン系ワックスのなかでも、酸化ポリエチレンワックスを用いることが好ましく、上記酸化ポリエチレンワックスとしては、酸価10〜30で、滴点(溶融して液滴状になる温度)90〜130℃のものを用いることが好ましい。 Furthermore, among the above polyethylene-based wax, it is preferable to use an oxidized polyethylene wax, as the oxidized polyethylene wax, acid value 10-30, dropping point (temperature becomes melted and droplets) 90 to 130 ° C. it is preferable to use those.

【0046】上記離型剤の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の0.1〜2.0重量%の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは0.1〜1.0重量%である。 The content of the releasing agent is preferably set in the range of 0.1 to 2.0% by weight of the total epoxy resin composition, more preferably from 0.1 to 1.0 wt% .

【0047】そして、上記離型剤、例えば、ポリエチレン系ワックスは、他の成分と同様に単に配合するだけでもよいが、予め、前記フェノール樹脂(B成分)の一部または全部に溶融混合して用いると、離型性と接着性(信頼性)に関してより一層良好な結果が得られる。 [0047] Then, the release agent, for example, polyethylene-based wax, may be any simply blended as well as other ingredients, previously molten mixed and some or all of the phenolic resin (B component) with more better results are obtained with respect to releasability and adhesion (reliability).

【0048】さらに、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、上記A〜D成分、硬化促進剤、シリコーン化合物、離型剤以外に、必要に応じて、他の添加剤として、三酸化アンチモン、リン系化合物等の難燃剤や、 [0048] Further, the semiconductor encapsulating epoxy resin composition of the present invention, the A~D component, curing accelerator, a silicone compound, in addition to the release agent, if necessary, as other additives, the three antimony oxide, and flame retardants such as phosphorus compounds,
顔料、シランカップリング剤等のカップリング剤、イオントラップ剤等を適宜に配合することができる。 Pigments, coupling agents such as a silane coupling agent, can be appropriately compounded ion trapping agent.

【0049】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。 The semiconductor encapsulating epoxy resin composition of the present invention, for example, can be produced as follows.
すなわち、まず、上記A〜D成分、硬化促進剤、シリコーン化合物、離型剤、および、必要に応じて上記他の添加剤を所定の割合で配合する。 That is, first, the A~D component, curing accelerator, a silicone compound, a releasing agent, and blending the other additives in a predetermined ratio as required. ついで、これら配合物をミキシングロール機等の混練機にかけ、加熱状態で溶融混練してこれを室温に冷却した後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程を経ることによって目的とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造することができる。 Then, over these formulations in a mixing roll mill or the like kneading machine, after cooling it to room temperature and melt-kneaded in a heated state, and pulverized by a known means, it undergoes a series of processes that tableted as needed it is possible to manufacture a semiconductor encapsulating epoxy resin composition of interest by. なお、D成分である混合シラン系カップリング剤は、上記のように、他の成分とともに単に配合するだけでもよいが、予め、上記フェノール樹脂(B成分)の一部または全部に溶融混合して用いてもよい。 The mixing a silane coupling agent is a component D, as described above, but may simply be blended with other ingredients, previously, by melt mixing some or all of the phenolic resin (B component) it may be used.

【0050】また、上記各成分の配合に先立って、前述のシリコーン化合物を用いて上記A成分およびB成分の少なくとも一方を変性し、この変性樹脂と残りの成分とを配合してもよい。 [0050] Further, prior to blending the above ingredients by modifying at least one of the A and B components using the aforementioned silicone compound, it may be mixed with the modified resin and the remaining ingredients.

【0051】このような半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止等は特に限定するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法によって行うことができる。 The sealing of the semiconductor device using such a semiconductor encapsulating epoxy resin composition is not particularly limited, and may be carried out by a known molding method such as normal transfer molding.

【0052】このようにして得られる半導体装置は、特定の混合シラン系カップリング剤(D成分)を用いるため、優れた半田耐熱性と、低粘度化の実現による流動性向上の結果から優れた成形性とを備えている。 [0052] The semiconductor device obtained in this way, since the use of specific mixing a silane coupling agent (D component), and excellent soldering heat resistance, excellent results of flow improver according to the realization of a low viscosity and a moldability.

【0053】つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。 Next, it will be described in conjunction with comparative examples.

【0054】まず、実施例に先立って、下記に示す各成分を準備した。 [0054] First, prior to the Examples, components were prepared as shown below.

【0055】〔エポキシ樹脂A〕下記の式(A)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量195、 [0055] Epoxy Resin A] biphenyl type epoxy resin represented by the following formula (A) (epoxy equivalent 195,
軟化点107℃) A softening point of 107 ℃)

【化14】 [Of 14]

【0056】〔エポキシ樹脂B〕下記の式(B)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量175、 [0056] Epoxy Resin B] biphenyl type epoxy resin represented by the following formula (B) (epoxy equivalent 175,
軟化点125℃) Softening point 125 ° C.)

【化15】 [Of 15]

【0057】〔エポキシ樹脂C〕下記の式(C)で表されるエポキシ樹脂(エポキシ当量195、軟化点85 [0057] Epoxy Resin C] an epoxy resin represented by the following formula (C) (epoxy equivalent 195, softening point 85
℃) ℃)

【化16】 [Of 16]

【0058】〔フェノール樹脂D〕下記の式(D)で表されるフェノール樹脂(水酸基当量163、軟化点73 [0058] [phenol resin D] phenol resin represented by the following formula (D) (hydroxyl equivalent 163, softening point 73
℃) ℃)

【化17】 [Of 17]

【0059】〔フェノール樹脂E〕下記の式(E)で表されるフェノールアラルキル樹脂(水酸基当量173、 [0059] [phenol resin E] phenol aralkyl resin represented by the following formula (E) (hydroxyl equivalent 173,
軟化点70℃) A softening point of 70 ℃)

【化18】 [Of 18]

【0060】〔フェノール樹脂F〕下記の式(F)で表されるフェノール樹脂(水酸基当量110、軟化点80 [0060] [phenolic resin F] phenol resin represented by the following formula (F) (hydroxyl equivalent 110, softening point 80
℃) ℃)

【化19】 [Of 19]

【0061】〔無機質充填剤〕下記に示す球状シリカ粉末a〜c、および、破砕シリカ粉末dを用いた。 [0061] [Inorganic Filler] Spherical silica powder a~c shown below, and, using crushed silica powder d. (a)平均粒径20〜60μmの球状シリカ粉末。 (A) spherical silica powder having an average particle diameter of 20 to 60 [mu] m. (b)平均粒径1〜10μmの球状シリカ粉末。 (B) an average particle size 1~10μm spherical silica powder. (c)平均粒径0.1〜1μmの球状シリカ粉末。 (C) a spherical silica powder having an average particle diameter of 0.1 to 1 [mu] m. (d)平均粒径1〜20μmの破砕シリカ粉末。 (D) crushing the silica powder having an average particle size of 1 to 20 [mu] m.

【0062】〔硬化促進剤〕テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート(4P4B) [0062] Curing accelerator] tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (4P4B)

【0063】〔ポリエチレン系ワックス〕酸化ポリエチレンワックス(酸価18、滴点105℃) [0063] [polyethylene wax] oxidized polyethylene wax (acid value 18, dropping point 105 ° C.)

【0064】〔シリコーン化合物G〕下記の式(G)で表されるシリコーン化合物 [0064] [silicone compound G] silicone compound represented by the following formula (G)

【化20】 [Of 20]

【0065】〔シリコーン化合物H〕下記の式(H)で表されるシリコーン化合物 [0065] [Silicone Compound H] silicone compound represented by the following formula (H)

【化21】 [Of 21]

【0066】〔イオントラップ剤〕ハイドロタルサイト類化合物 [0066] [ion trapping agent] hydrotalcite compound

【0067】〔シラン系カップリング剤a〕下記の式(a)で表されるエポキシシラン系カップリング剤 [0067] [silane coupling agent a] epoxysilane coupling agent represented by the following formula (a)

【化22】 [Of 22]

【0068】〔シラン系カップリング剤b〕下記の式(b)で表されるメルカプトシラン系カップリング剤 [0068] [silane coupling agent b] mercapto silane coupling agent represented by the following formula (b)

【化23】 [Of 23]

【0069】〔シラン系カップリング剤c〕下記の式(c)で表されるジアミノシラン系カップリング剤 [0069] [silane coupling agent c] diaminosilane based coupling agent represented by the following formula (c)

【化24】 [Of 24]

【0070】〔シラン系カップリング剤d〕下記の式(d)で表されるモノアミノシラン系カップリング剤 [0070] [silane coupling agent d] monoamino silane coupling agent represented by the following formula (d)

【化25】 [Of 25]

【0071】 [0071]

【実施例1〜21、比較例1〜5】下記の表1〜表4に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロール機(温度100℃)で3分間溶融混練を行い、冷却固化後粉砕して目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。 [Examples 1-21, Comparative Examples 1-5] The components shown in Table 1 to Table 4 below were blended in proportions shown in the same table, for 3 minutes melt-kneaded in a mixing roll mill (temperature 100 ° C.), to obtain a powdered epoxy resin composition of interest by grinding after cooling and solidifying. なお、上記各成分の配合に際して、実施例1では、各成分の配合に先立って、予め、上記フェノール樹脂Dと触媒とを溶融混合した。 Note that when compounding the above components, in the first embodiment, prior to the blending of the components, previously, were melt mixed with the phenolic resin D and the catalyst. また、実施例5では、各成分の配合に先立って、予め、上記フェノール樹脂Dと酸化ポリエチレンワックスとを溶融混合した。 In Example 5, prior to formulation of the components, previously, it was melted and mixed and oxidized polyethylene wax as the phenolic resin D.

【0072】 [0072]

【表1】 [Table 1]

【0073】 [0073]

【表2】 [Table 2]

【0074】 [0074]

【表3】 [Table 3]

【0075】 [0075]

【表4】 [Table 4]

【0076】このようにして得られた各実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用い、まず、このエポキシ樹脂組成物硬化体の高温曲げ強度、高温曲げ弾性率および高温曲げ伸びを測定した。 [0076] Thus using the epoxy resin composition of Examples and Comparative Examples thus obtained, first, the high-temperature flexural strength of the epoxy resin composition cured product was measured hot flexural modulus and high temperature bending elongation. また、上記各エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形にて半導体装置を作製した。 Further, a semiconductor device was produced by transfer molding using the above epoxy resin composition. さらに、この半導体装置を用い、半田耐熱性について、下記の方法に従って測定・評価した。 Further, using the semiconductor device, the solder heat resistance, were measured and evaluated according to the following methods. これらの結果を下記の表5〜表8に示す。 The results are shown in Tables 5 to 8 below.

【0077】〔高温曲げ強度・高温曲げ弾性率・高温曲げ伸び〕エポキシ樹脂組成物を用いて、硬化条件:17 [0077] [high temperature flexural strength and high temperature flexural modulus and high temperature bending elongation] with an epoxy resin composition, curing conditions: 17
5℃×2分間(成形)+175℃×5時間(ポストキュア)にて、測定評価用硬化体を作製し、これを121℃ 5 ° C. × 2 minutes (molding) + 175 ° C. × 5 hours (post-curing), to prepare a measurement evaluation cured product, which 121 ° C.
×100%×96時間の吸湿後、250℃にて、曲げ強度、曲げ弾性率、曲げ伸びを測定した(JIS K 6 After moisture absorption × 100% × 96 hours, at 250 ° C., flexural strength, flexural modulus was measured elongation bending (JIS K 6
911に準拠)。 Compliance with the 911).

【0078】〔半田耐熱性〕まず、半導体装置(QFP [0078] First [Solder heat resistance] A semiconductor device (QFP
−80:14×20×厚み2.7mm)をつぎの条件で製造(TOWA社製自動成形機)した。 -80: 14 × 20 × thickness 2.7 mm) production in the following conditions (TOWA Corporation automatic molding machine) was.

【0079】・リードフレーム:42アロイ製 ・ダイパッドの大きさ:8×8mm ・成形条件:温度100℃、注入時間10秒、注入圧力100kg/mm 2 、成形時間120秒、エポキシ樹脂組成物製タブレットの圧縮比93% [0079] Leadframe 42-alloy, die pad size: 8 × 8 mm, molding conditions: temperature 100 ° C., injection time 10 seconds, injection pressure 100 kg / mm 2, the molding time of 120 seconds, an epoxy resin composition made tablet a compression ratio of 93%

【0080】このようにして製造された半導体装置について、85℃/85%RHの相対湿度に設定された恒温槽中に、168時間放置して吸湿させた後、IRリフロー(240℃×10秒)の熱処理を行った。 [0080] For such semiconductor device manufactured in the, in a constant temperature bath set to a relative humidity of RH 85 ℃ / 85%, after moisture absorption was left for 168 hours, IR reflow (240 ° C. × 10 seconds a heat treatment) was carried out. このときの熱衝撃により発生したパッケージクラックの有無、剥離の有無を目視により観察し評価した。 The presence or absence of package cracks generated by thermal shock at this time, was observed and visually evaluated whether a peeling. パッケージクラックの発生および剥離の発生の双方とも確認されなかったものを◎、パッケージクラックは発生しなかったが、剥離が発生したものを○、パッケージクラックおよび剥離の双方とも発生したものを×として表示した。 Occurrence of package cracks and peeling of generating both those not confirmed ◎, package cracking did not occur, display what peeling occurs ○, as × those generated both of package cracks and peeling did.

【0081】 [0081]

【表5】 [Table 5]

【0082】 [0082]

【表6】 [Table 6]

【0083】 [0083]

【表7】 [Table 7]

【0084】 [0084]

【表8】 [Table 8]

【0085】上記表5〜表8の結果から、全ての実施例品は高温特性(高温曲げ強度、高温曲げ弾性率、高温曲げ伸び)に優れ、さらに、半田耐熱性にも優れていることがわかる。 [0085] From the results shown in Table 5 Table 8, all of the Example product is high temperature characteristics (high-temperature flexural strength, hot flexural modulus, hot flexural elongation) excellent, further, to be excellent in solder heat resistance Recognize. これに対して、比較例品は、高温特性および半田耐熱性の少なくともいずれか一つに劣っている。 In contrast, comparative examples are inferior in at least one of the high-temperature properties and solder heat resistance.
このように、全実施例品は、高温特性および半田耐熱性おいて優れた特性を有することがわかる。 Thus, all the examples product is found to have excellent properties at high temperature characteristics and solder heat resistance.

【0086】 [0086]

【発明の効果】以上のように、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A成分)とフェノール樹脂(B成分)と無機質充填剤(C成分)とともに、エポキシシラン系カップリング剤(d1)を必須成分とし、これにメルカプトシラン系カップリング剤およびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方(d As described above, according to the present invention, a semiconductor encapsulating epoxy resin composition of the present invention, the epoxy resin (A component) and the phenolic resin (B component) and the inorganic filler together with the component (C), an epoxy silane coupling ring agent (d1) as essential components, at least one (d of this mercaptosilane-based coupling agent and aminosilane coupling agent
2)を配合した混合シラン系カップリング剤(D成分) 2) mixing a silane coupling agent blended with the component (D)
を含有するため、半田耐熱性と成形性の双方とも優れたものとなる。 For containing, it becomes excellent with both the moldability and solder heat resistance. このことから、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、高密度化によるパッケージの薄形化に充分対応できるものである。 Therefore, a semiconductor encapsulating epoxy resin composition of the present invention are for example those which can sufficiently correspond to the thinning of the package according to densification.

【0087】そして、上記エポキシ樹脂(A成分)として前記一般式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を、また、上記フェノール樹脂(B成分)としてフェノールアラルキル樹脂、特に前記一般式(2)で表されるフェノールアラルキル樹脂を用いることにより、封止用樹脂組成物の低粘度化が図られ、その結果、無機質充填剤の高充填化が実現してより一層半田耐熱性と成形性が向上する。 [0087] Then, a biphenyl type epoxy resin represented by the above epoxy resin (A component) as the general formula (1), also the phenolic resin (B component) phenol aralkyl resin, particularly the general formula (2) by using in phenolic aralkyl resins represented, low viscosity of the sealing resin composition is achieved, as a result, the moldability and further solder heat resistance to achieve a high filling of the inorganic filler improved to.

フロントページの続き (51)Int.Cl. 6識別記号 FI C08L 61/06 C08L 61/06 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 Front page continued (51) Int.Cl. 6 identifications FI C08L 61/06 C08L 61/06 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 下記の(A)〜(D)成分を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 [Claim 1] below (A) ~ (D) a semiconductor encapsulating epoxy resin composition characterized by containing the component. (A)エポキシ樹脂。 (A) an epoxy resin. (B)フェノール樹脂。 (B) a phenolic resin. (C)無機質充填剤。 (C) inorganic filler. (D)下記の(d1)および(d2)からなる混合シラン系カップリング剤。 (D) mixing a silane coupling agent consisting of the following (d1) and (d2). (d1)エポキシシラン系カップリング剤。 (D1) an epoxy silane coupling agent. (d2)メルカプトシラン系カップリング剤およびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方。 (D2) at least one mercaptosilane-based coupling agent and aminosilane coupling agent.
  2. 【請求項2】 上記(A)成分であるエポキシ樹脂が、 Wherein the epoxy resin is a component (A) is,
    下記の一般式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂である請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 Following general formula (1) is a biphenyl type epoxy resin represented by claim 1 semiconductor encapsulating epoxy resin composition. 【化1】 [Formula 1]
  3. 【請求項3】 上記(B)成分であるフェノール樹脂が、フェノールアラルキル樹脂である請求項1または2 Wherein said phenol resin (B) is a component, according to claim 1 or 2 is a phenol aralkyl resin
    記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according.
  4. 【請求項4】 上記フェノールアラルキル樹脂が、下記の一般式(2)で表されるフェノールアラルキル樹脂である請求項3記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 Wherein said phenol aralkyl resin, an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of claim 3, wherein the phenolic aralkyl resin represented by the following general formula (2). 【化2】 ## STR2 ##
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001240726A (en) * 2000-02-28 2001-09-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2001240725A (en) * 2000-02-28 2001-09-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2002327104A (en) * 2001-05-02 2002-11-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor apparatus
WO2004037880A1 (en) * 2002-10-28 2004-05-06 Nikko Materials Co., Ltd. Solid silane coupling agent composition, process for producing the same, and resin composition containing the same
US7098276B1 (en) 1998-10-21 2006-08-29 Nec Corporation Flame-retardant epoxy resin composition and semiconductor device made using the same
KR100729468B1 (en) 1999-12-31 2007-06-15 주식회사 케이씨씨 A epoxy resin composition for sealing of semiconductor
JP2010018737A (en) * 2008-07-11 2010-01-28 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for sealing semiconductor, tablet of the same, production process of the same and semiconductor device produced using the same
WO2015146764A1 (en) * 2014-03-24 2015-10-01 住友ベークライト株式会社 Resin composition for sealing and semiconductor device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7799852B2 (en) 1998-10-21 2010-09-21 Nec Corporation Composition of biphenyl epoxy resin, phenolbiphenylaralkyl resin and filler
US7098276B1 (en) 1998-10-21 2006-08-29 Nec Corporation Flame-retardant epoxy resin composition and semiconductor device made using the same
KR100729468B1 (en) 1999-12-31 2007-06-15 주식회사 케이씨씨 A epoxy resin composition for sealing of semiconductor
JP2001240725A (en) * 2000-02-28 2001-09-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2001240726A (en) * 2000-02-28 2001-09-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2002327104A (en) * 2001-05-02 2002-11-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor apparatus
US7109273B2 (en) 2002-10-28 2006-09-19 Nikko Materials Co., Ltd. Solid silane coupling agent composition, process for producing the same, and resin composition containing the same
CN100357333C (en) * 2002-10-28 2007-12-26 日矿金属株式会社 Solid silane coupling agent compsn., method for mfg. the same, and resin compsn. contg the same
WO2004037880A1 (en) * 2002-10-28 2004-05-06 Nikko Materials Co., Ltd. Solid silane coupling agent composition, process for producing the same, and resin composition containing the same
JP2010018737A (en) * 2008-07-11 2010-01-28 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for sealing semiconductor, tablet of the same, production process of the same and semiconductor device produced using the same
WO2015146764A1 (en) * 2014-03-24 2015-10-01 住友ベークライト株式会社 Resin composition for sealing and semiconductor device
JP2015183077A (en) * 2014-03-24 2015-10-22 住友ベークライト株式会社 Resin composition for sealing, and semiconductor device

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