JPH1010753A - 画像形成方法 - Google Patents
画像形成方法Info
- Publication number
- JPH1010753A JPH1010753A JP16395396A JP16395396A JPH1010753A JP H1010753 A JPH1010753 A JP H1010753A JP 16395396 A JP16395396 A JP 16395396A JP 16395396 A JP16395396 A JP 16395396A JP H1010753 A JPH1010753 A JP H1010753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- conductive surface
- exposed
- drying
- conventional method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サイドエッジ部の露出がなく、しかも密着性
に優れるレジストパターンを形成することができるネガ
型電着レジストを用いた画像の形成方法を提供するこ
と。 【解決手段】 ネガ型電着レジストを用いた画像の形成
方法であって、導電性表面を被覆した電着レジストをマ
スクパターンを介して露光する工程と該露光されたレジ
ストを現像することによって該表面上に所望のレジスト
パターンを得る現像工程の間に強制乾燥工程を設けたこ
とを特徴とする。
に優れるレジストパターンを形成することができるネガ
型電着レジストを用いた画像の形成方法を提供するこ
と。 【解決手段】 ネガ型電着レジストを用いた画像の形成
方法であって、導電性表面を被覆した電着レジストをマ
スクパターンを介して露光する工程と該露光されたレジ
ストを現像することによって該表面上に所望のレジスト
パターンを得る現像工程の間に強制乾燥工程を設けたこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ネガ型電着レジス
トを用いた画像の形成方法に関し、特に、リードフレー
ムやプリント基板等の製造における画像の形成方法に関
する。
トを用いた画像の形成方法に関し、特に、リードフレー
ムやプリント基板等の製造における画像の形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームやプリント基板等の製造
における画像の形成においてネガ型電着レジストが用い
られる場合がある。
における画像の形成においてネガ型電着レジストが用い
られる場合がある。
【０００３】具体的方法としては、リードフレームやプ
リント基板等の導電性表面を電着レジストにて被覆した
後、マスクパターンを介して紫外線等の活性光線を該レ
ジスト皮膜に照射し、次いで現像することによって該表
面上に所望のレジストパターンを得、次いで、該レジス
トパターンを保護膜として該表面に選択的にメッキを施
したり、該表面を選択的にエッチングした後、該レジス
トを剥がすことによって該表面上に所望の画像を形成す
る。
リント基板等の導電性表面を電着レジストにて被覆した
後、マスクパターンを介して紫外線等の活性光線を該レ
ジスト皮膜に照射し、次いで現像することによって該表
面上に所望のレジストパターンを得、次いで、該レジス
トパターンを保護膜として該表面に選択的にメッキを施
したり、該表面を選択的にエッチングした後、該レジス
トを剥がすことによって該表面上に所望の画像を形成す
る。
【０００４】この方法（詳細は、図２参照）において
は、露光に先立ち、電着させたレジストを強制乾燥させ
る工程（以下、「プリベイク工程」という）を設けるこ
とが一般に行われている（特開平１−２６１８５２号公
報）。
は、露光に先立ち、電着させたレジストを強制乾燥させ
る工程（以下、「プリベイク工程」という）を設けるこ
とが一般に行われている（特開平１−２６１８５２号公
報）。
【０００５】ところで、導電性表面の選択的メッキ又は
エッチング、特に微細パターンや端子部分にそれらを施
す場合には、それらを精度よく行い得ることが要求され
る。そのためには、該表面とレジストパターンとの密着
性が確保されなければならない。密着性の確保には、前
記のプリベイク工程が深く係っており、乾燥が不充分で
あると密着性が低下し、メッキ液やエッチング液が該表
面とレジストパターンとの間に滲み込んでいくことにな
る（滲み込み量が大きくなる）。一方、乾燥が過ぎると
膜質流動変化を起こしコーナー部等において保護すべき
導電性表面の露出が発生する。
エッチング、特に微細パターンや端子部分にそれらを施
す場合には、それらを精度よく行い得ることが要求され
る。そのためには、該表面とレジストパターンとの密着
性が確保されなければならない。密着性の確保には、前
記のプリベイク工程が深く係っており、乾燥が不充分で
あると密着性が低下し、メッキ液やエッチング液が該表
面とレジストパターンとの間に滲み込んでいくことにな
る（滲み込み量が大きくなる）。一方、乾燥が過ぎると
膜質流動変化を起こしコーナー部等において保護すべき
導電性表面の露出が発生する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる不具
合を克服し得る画像形成方法を提供することを目的とす
る。
合を克服し得る画像形成方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明の方法
は、ネガ型電着レジストを用いた画像の形成方法であっ
て、導電性表面を被覆した電着レジストをマスクパター
ンを介して露光する工程と該露光されたレジストを現像
することによって該表面上に所望のレジストパターンを
得る現像工程の間に強制乾燥工程を設けたことを特徴と
する。
は、ネガ型電着レジストを用いた画像の形成方法であっ
て、導電性表面を被覆した電着レジストをマスクパター
ンを介して露光する工程と該露光されたレジストを現像
することによって該表面上に所望のレジストパターンを
得る現像工程の間に強制乾燥工程を設けたことを特徴と
する。
【０００８】具体的には、以下に示す順序にて画像が形
成される（詳細は、図１参照）。
成される（詳細は、図１参照）。
【０００９】工程：リードフレームやプリント基板等
の導電性表面をネガ型電着レジストにて電着・被覆す
る。具体的な被覆方法としては公知の手段を用いればよ
い。尚、ネガ型電着レジストは、特に限定はしない。
の導電性表面をネガ型電着レジストにて電着・被覆す
る。具体的な被覆方法としては公知の手段を用いればよ
い。尚、ネガ型電着レジストは、特に限定はしない。
【００１０】工程：前記の導電性表面を被覆したレジ
ストを常法に従って乾燥させる（図示せず。通常は、エ
アナイフを使用）。電着後に水洗されたレジストに付着
している水分を除去するためである。尚、乾燥に代えて
穏やかなプリ・ベイキング（５０〜６０℃×８０〜６０
秒。以下、予備乾燥という。図１における「乾燥Ａ」が
それである）を行ってもよい。
ストを常法に従って乾燥させる（図示せず。通常は、エ
アナイフを使用）。電着後に水洗されたレジストに付着
している水分を除去するためである。尚、乾燥に代えて
穏やかなプリ・ベイキング（５０〜６０℃×８０〜６０
秒。以下、予備乾燥という。図１における「乾燥Ａ」が
それである）を行ってもよい。
【００１１】工程：前記の乾燥された又は予備乾燥さ
れたレジストを常法に従って露光する。
れたレジストを常法に従って露光する。
【００１２】工程：前記の露光されたレジストを強制
乾燥する。その条件としては、９０〜１２０℃で３分以
上が好ましい。９０℃以下では、導電性表面とレジスト
との充分な密着性が得られずメッキ液やエッチング液の
滲み込み量が大きくなるし、１２０℃以上では、レジス
ト自体が変成するばかりかメッキ後のレジスト剥離が困
難になるからである。尚、強制乾燥のための装置として
は、循環式の温風乾燥機等被乾燥物を極力均一に加熱で
きるものであれば特に限定はしない。
乾燥する。その条件としては、９０〜１２０℃で３分以
上が好ましい。９０℃以下では、導電性表面とレジスト
との充分な密着性が得られずメッキ液やエッチング液の
滲み込み量が大きくなるし、１２０℃以上では、レジス
ト自体が変成するばかりかメッキ後のレジスト剥離が困
難になるからである。尚、強制乾燥のための装置として
は、循環式の温風乾燥機等被乾燥物を極力均一に加熱で
きるものであれば特に限定はしない。
【００１３】以下の工程：前記の強制乾燥されたレジス
トを常法に従い現像し、前記の導電性表面上に所望のレ
ジストパターンを得る。その後、露出した該導電性表面
に選択的メッキとかエッチングが施される。尚、選択的
メッキとかエッチングが施された後、該レジストは通
常、剥離除去される。
トを常法に従い現像し、前記の導電性表面上に所望のレ
ジストパターンを得る。その後、露出した該導電性表面
に選択的メッキとかエッチングが施される。尚、選択的
メッキとかエッチングが施された後、該レジストは通
常、剥離除去される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、実施例に基づき、本発明を
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【００１５】実施例１〜４：その表面に０．３μm の厚
みの銅の皮膜を有するリードフレーム（１６０mm×３５
mm）上に膜厚が８μm となるようにレジスト（ネガ型レ
ジストとしてシプレイ・ファーイースト社製ＥＡＧＬＥ
２１００を容量比で２：１になるよう純水に混合・調整
したものを用いた）を電着させた。該レジストが電着さ
れたリードフレームを水洗後該レジストをエア−ナイフ
にて乾燥させ（室温×５分）、次いでテストパターンマ
スクを介して露光した（ハイテック社製ＨＴＥ−１０２
Ｓを使用）。その後、露光された該電着レジストを表１
に示す条件にて強制乾燥し（温風乾燥機を使用。図１に
おける「乾燥Ｂ」がそれである）、次いで露光された該
電着レジストで被覆されたリードフレームを現像液（シ
プレイ・ファーイースト社製ＥＡＧＬＥ２００５の５％
溶液を使用）中に１２０秒間浸漬することにより該電着
レジストの未露光部を除去し、リードフレーム上（正確
には、リードフレームの導電性表面上）にレジストパタ
ーンを形成した。次いで、露出したリードフレームの導
電性表面に厚みが３μm の銀メッキを施した後、該電着
レジストの露光部も剥離液（シプレイ・ファーイースト
社製ＥＡＧＬＥ ＲＥＭＯＶＥＲを使用）にて除去し
た。該リードフレームの端子部分におけるサイドエッジ
部の露出の有無を光学顕微鏡（倍率：１０００）にて観
察すると共に銀メッキの側面への滲み込みの深さを計測
した。結果を表１に示す。
みの銅の皮膜を有するリードフレーム（１６０mm×３５
mm）上に膜厚が８μm となるようにレジスト（ネガ型レ
ジストとしてシプレイ・ファーイースト社製ＥＡＧＬＥ
２１００を容量比で２：１になるよう純水に混合・調整
したものを用いた）を電着させた。該レジストが電着さ
れたリードフレームを水洗後該レジストをエア−ナイフ
にて乾燥させ（室温×５分）、次いでテストパターンマ
スクを介して露光した（ハイテック社製ＨＴＥ−１０２
Ｓを使用）。その後、露光された該電着レジストを表１
に示す条件にて強制乾燥し（温風乾燥機を使用。図１に
おける「乾燥Ｂ」がそれである）、次いで露光された該
電着レジストで被覆されたリードフレームを現像液（シ
プレイ・ファーイースト社製ＥＡＧＬＥ２００５の５％
溶液を使用）中に１２０秒間浸漬することにより該電着
レジストの未露光部を除去し、リードフレーム上（正確
には、リードフレームの導電性表面上）にレジストパタ
ーンを形成した。次いで、露出したリードフレームの導
電性表面に厚みが３μm の銀メッキを施した後、該電着
レジストの露光部も剥離液（シプレイ・ファーイースト
社製ＥＡＧＬＥ ＲＥＭＯＶＥＲを使用）にて除去し
た。該リードフレームの端子部分におけるサイドエッジ
部の露出の有無を光学顕微鏡（倍率：１０００）にて観
察すると共に銀メッキの側面への滲み込みの深さを計測
した。結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】実施例５〜８：エア−ナイフによる乾燥に
代えて予備乾燥（５５℃×７０秒）を行った他は実施例
１〜４と同様にして銀メッキを施したリードフレームを
作製した。結果を表１に示す。
代えて予備乾燥（５５℃×７０秒）を行った他は実施例
１〜４と同様にして銀メッキを施したリードフレームを
作製した。結果を表１に示す。
【００１８】実施例９〜１２：リードフレームをハルセ
ル銅板（１００mm×６６mm）に代えた他は実施例１〜４
と同様にして銀メッキを施したハルセル銅板を作製し
た。但し、テストパターンは、ＳＴＯＵＦＦＥＲ Ｇｒ
ａｐｈｉｃ Ａｒｔｓ Ｔ２１１５を使用した。結果を
表１に示す。
ル銅板（１００mm×６６mm）に代えた他は実施例１〜４
と同様にして銀メッキを施したハルセル銅板を作製し
た。但し、テストパターンは、ＳＴＯＵＦＦＥＲ Ｇｒ
ａｐｈｉｃ Ａｒｔｓ Ｔ２１１５を使用した。結果を
表１に示す。
【００１９】比較例１及び２：プリ・ベイキングを行っ
たこと（条件は表１参照）及び、露光後、強制乾燥を行
わず直ちに現像に供したことを除き実施例１〜４と同様
にして銀メッキを施したリードフレームを作製した。結
果を表１に示す。
たこと（条件は表１参照）及び、露光後、強制乾燥を行
わず直ちに現像に供したことを除き実施例１〜４と同様
にして銀メッキを施したリードフレームを作製した。結
果を表１に示す。
【００２０】比較例３及び４：プリ・ベイキングを行っ
たこと（条件は表１参照）及び、露光後、強制乾燥を行
わず直ちに現像に供したことを除き実施例９〜１２と同
様にして銀メッキを施したハルセル銅板を作製した。結
果を表１に示す。
たこと（条件は表１参照）及び、露光後、強制乾燥を行
わず直ちに現像に供したことを除き実施例９〜１２と同
様にして銀メッキを施したハルセル銅板を作製した。結
果を表１に示す。
【００２１】尚、表１において、密着性は、ＳＴＯＵＦ
ＦＥＲテストパターンの方法、すなわち、目視にて、良
好な密着性を示し始める部分に対応する該テストパター
ンのステップＮｏ．を読み取ること、にて評価した（ス
テップＮｏ．が大きくなるほど密着性が良好であること
を示している）。尚、実施例９〜１２及び比較例３〜４
における「サイドエッジ部の露出」の有無は電子顕微鏡
での観察によった。
ＦＥＲテストパターンの方法、すなわち、目視にて、良
好な密着性を示し始める部分に対応する該テストパター
ンのステップＮｏ．を読み取ること、にて評価した（ス
テップＮｏ．が大きくなるほど密着性が良好であること
を示している）。尚、実施例９〜１２及び比較例３〜４
における「サイドエッジ部の露出」の有無は電子顕微鏡
での観察によった。
【００２２】
【発明の効果】上記の通り、本発明によれば、サイドエ
ッジ部の露出がなく、しかも密着性に優れるレジストパ
ターンを形成することができる。
ッジ部の露出がなく、しかも密着性に優れるレジストパ
ターンを形成することができる。
【図１】本発明の方法の一実施例を工程チャートにて示
したもの。
したもの。
【図２】従来の方法の一実施例を工程チャートにて示し
たもの。
たもの。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６８
Claims (4)
- 【請求項１】 ネガ型電着レジストを用いた画像の形成
方法において、導電性表面を被覆した電着レジストをマ
スクパターンを介して露光する工程と該露光されたレジ
ストを現像することによって該表面上に所望のレジスト
パターンを得る現像工程の間に強制乾燥工程を設けたこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記の強制乾燥が９０〜１２０℃×３分
以上の条件にて行われる請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記の露光工程に先立ち導電性表面を被
覆した電着レジストの予備乾燥を行う請求項２に記載の
方法。 - 【請求項４】 前記の予備乾燥が５０〜６０℃×８０〜
６０秒の条件にて行われる請求項３に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16395396A JPH1010753A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16395396A JPH1010753A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010753A true JPH1010753A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15783967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16395396A Pending JPH1010753A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1010753A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019069781A1 (ja) * | 2017-10-06 | 2019-04-11 | Ｎｅｃエナジーデバイス株式会社 | 電極の製造方法 |
-
1996
- 1996-06-25 JP JP16395396A patent/JPH1010753A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019069781A1 (ja) * | 2017-10-06 | 2019-04-11 | Ｎｅｃエナジーデバイス株式会社 | 電極の製造方法 |
| JPWO2019069781A1 (ja) * | 2017-10-06 | 2020-10-22 | 株式会社エンビジョンＡｅｓｃエナジーデバイス | 電極の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050304 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050502 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050526 |