JPH0976087A - Laser beam machining method - Google Patents

Laser beam machining method

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JPH0976087A
JPH0976087A JP7236474A JP23647495A JPH0976087A JP H0976087 A JPH0976087 A JP H0976087A JP 7236474 A JP7236474 A JP 7236474A JP 23647495 A JP23647495 A JP 23647495A JP H0976087 A JPH0976087 A JP H0976087A
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JP
Japan
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mask
substrate
laser beam
work
pattern
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Withdrawn
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JP7236474A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiaki Sakamoto
義明 坂本
Fumio Yamagishi
文雄 山岸
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser beam machining method which prevents damage to the mask so as to prolong its service life, in the machining method with a substrate arranged between a pattern mask and an object to be machined. SOLUTION: The laser machining method is such that an object 2 to be machined is irradiated with an excimer laser beam through a mask 1 formed with a pattern, and its structure is such that a first substrate 3 formed with a laser beam transmissible material is arranged between the mask 1 and the object 2 to be machined.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光によって
被加工物を加工するレーザ加工方法に係り、特にパター
ンマスクと被加工物の間に基板を配置したレーザ加工方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing method for processing an object to be processed with laser light, and more particularly to a laser processing method in which a substrate is arranged between a pattern mask and the object to be processed.

【0002】近来、エキシマレーザ光をパターンマスク
を介して樹脂フィルム等に照射してアブレーションによ
り微小パターンを形成するレーザ加工方法が用いられて
いるが、加工によって発生する煤がマスクに付着し、そ
の除去作業によりマスクを損傷することがあり、また、
アブレーションにより発生するガスの噴射速度が高く、
マスクがガスにより被爆して損傷を受け易いので、マス
クを保護する方法が望まれている。
Recently, a laser processing method has been used in which a resin film or the like is irradiated with excimer laser light through a pattern mask to form a minute pattern by ablation. Soot generated by the processing adheres to the mask and Removal work may damage the mask, and
The injection speed of gas generated by ablation is high,
Since the mask is exposed to gas and is easily damaged, a method of protecting the mask is desired.

【0003】[0003]

【従来の技術】エキシマレーザによるアブレーションを
用いたマイクロ加工法において、従来より知られている
方法として、以下の3方法が挙げられる。
2. Description of the Related Art As microfabrication methods using ablation by excimer laser, the following three methods are known as conventionally known methods.

【0004】(a) コンタクトマスク法 加工パターンがエッチングされた金属板等のマスクを被
加工物の上に配置し、エキシマレーザを照射する。この
結果、マスクの開口したパターン部のみ光が通過して、
マスクと同寸法のパターンが形成せされる。この方法
は、加工位置精度が高く、大面積の一括処理に適してい
る。
(A) Contact Mask Method A mask such as a metal plate having a processed pattern etched is placed on a workpiece and irradiated with an excimer laser. As a result, light passes only through the open pattern part of the mask,
A pattern having the same dimensions as the mask is formed. This method has high processing position accuracy and is suitable for large-area batch processing.

【0005】(b) マスクイメージング法 加工パターンがエッチングされた金属板等のマスクを光
路の途中に配置し、このマスクを通したエキシマレーザ
光を投影レンズで縮小投影する。この方法での大面積の
加工においては、ステージを移動してパターンを配置す
るため、加工位置決めに高精度のステージを必要とす
る。
(B) Mask Imaging Method A mask such as a metal plate having a processed pattern etched is arranged in the middle of the optical path, and the excimer laser light passing through this mask is reduced and projected by a projection lens. In processing a large area by this method, since the stage is moved to arrange the pattern, a highly accurate stage is required for processing positioning.

【0006】(c)ビームスキャニング法 エキシマレーザをレンズで集光し、その焦点で加工す
る。レンズと焦点位置の間に配置した2枚の可動ミラー
によってレーザをスキャンし、パターンを描写する。こ
の方法は、パターンの位置精度が低く、大面積の加工で
は時間が掛かる。
(C) Beam scanning method An excimer laser is focused by a lens and processed at its focus. The laser is scanned by two movable mirrors arranged between the lens and the focal position, and the pattern is drawn. This method has a low pattern positional accuracy and takes a long time in processing a large area.

【0007】以上のエキシマレーザ加工方法のうち、単
純な工程で広い領域にパターン形成が可能で、パターン
の位置精度良く、量産加工に適しているのは、コンタク
トマスク法である。
Among the excimer laser processing methods described above, the contact mask method is capable of forming a pattern in a wide area in a simple process, has a high pattern position accuracy, and is suitable for mass production processing.

【0008】以下、コンタクトマスク法を説明する。例
えば、インクジェットプリンタのインクジェットヘッド
の複数の圧力室に使用される加圧板をワークとして、縦
横のスリットを入れて複数に分割する加工にこの方法を
用いた場合である。
The contact mask method will be described below. For example, there is a case where this method is used for processing in which vertical and horizontal slits are provided and divided into a plurality of pieces using a pressure plate used for a plurality of pressure chambers of an inkjet head of an inkjet printer as a work.

【0009】図4及び図5に示すように、ステージ5に
載置されたワーク2aにスペーサ4(例えば、厚さ0.2m
m)を介してマスク1aが位置し、その上にレーザ光透過
性を有する材料、例えば、石英ガラスで形成された基板
3a(例えば、厚さ0.5mm)を配置して、フレーム6で
押さえている。
As shown in FIG. 4 and FIG. 5, a spacer 4 (for example, a thickness of 0.2 m) is attached to the work 2a placed on the stage 5.
m) is located on the mask 1a, on which a substrate having a laser-transmissive material, for example, quartz glass is formed.
3a (for example, a thickness of 0.5 mm) is arranged and held by the frame 6.

【0010】マスク1aは、基板3aの面に蒸着した金属被
膜で、エッチングによってパターン(例えば、30μm
幅の複数のスリットライン)が形成された誘電体ミラー
マスク(波長248nmのエキシマレーザの反射率90
%以上)である。
The mask 1a is a metal film deposited on the surface of the substrate 3a, and is patterned by etching (for example, 30 μm).
Width of a plurality of slit lines) formed on a dielectric mirror mask (reflectance of excimer laser of wavelength 248 nm 90)
%).

【0011】ワーク2aは、PEN(ポリエチレンナフタ
レート)フィルム(例えば、厚さ75μm)で形成され
ている。そこで、上方向からコリメートされたエキシマ
レーザ光(例えば、波長248nm、エネルギー密度
0.8J/cm2)を照射すると、マスク1aのマスク部分で
はエキシマレーザ光が反射し、パターン部分からワーク
2aにエキシマレーザ光が到達して、アブレーションによ
って加工され、ワーク2aにパターン(図4では破線で示
す縦横のスリット)が形成される。
The work 2a is formed of a PEN (polyethylene naphthalate) film (for example, a thickness of 75 μm). Therefore, when the collimated excimer laser light (for example, wavelength 248 nm, energy density 0.8 J / cm 2 ) is irradiated from above, the excimer laser light is reflected at the mask portion of the mask 1a and the work is performed from the pattern portion.
The excimer laser beam reaches 2a and is processed by ablation, so that a pattern (vertical and horizontal slits shown by broken lines in FIG. 4) is formed on the work 2a.

【0012】このときワーク2aから発生する煤は、図4
に示すパイプ7から供給されてマスク1aとワーク2aの隙
間(200μm) を流れるアシストガス(例えば、O2)によ
って酸化され、図中矢印A方向に除去される。
At this time, the soot generated from the work 2a is as shown in FIG.
The oxygen is oxidized by the assist gas (for example, O 2 ) supplied from the pipe 7 and flowing in the gap (200 μm) between the mask 1a and the work 2a, and is removed in the direction of arrow A in the figure.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上記従来方法における
コンタクト加工方法では、 マスクが被加工物の加工面と接触、または間隔を持っ
ていても、向き合っているため、エキシマレーザによる
アブレーションによって生じる被加工物からの煤がマス
クに付着するのを避けることができない。
In the contact processing method in the above-mentioned conventional method, since the mask is in contact with the surface to be processed of the workpiece, or even if the mask faces each other, the mask is opposed to the surface to be processed. It is inevitable that soot from objects will adhere to the mask.

【0014】また、マスクと被加工物の間に酸素等の
ガスを流して、煤の酸化(CO2)及び排出を図っても、
マスクへの煤の付着を完全に抑えることができない。加
工後、この付着した煤の除去作業によってマスクを損傷
することがある。
Further, even if a gas such as oxygen is made to flow between the mask and the work to oxidize soot (CO 2 ) and discharge it,
Soot adhesion to the mask cannot be completely suppressed. After processing, the mask may be damaged by the work of removing the attached soot.

【0015】更に、アブレーションによって発生した
ガスの噴射速度は8km/Sにもなるため、直接このガスに
被爆するマスクは損傷を受け易い。従って、マスクの寿
命が短くなる。という問題点がある。
Further, since the injection speed of the gas generated by ablation is as high as 8 km / S, the mask directly exposed to this gas is easily damaged. Therefore, the life of the mask is shortened. There is a problem.

【0016】本発明は、マスクの損傷を防止することが
でき、長寿命化を図ることができるレーザ加工方法を提
供することを目的としている。
It is an object of the present invention to provide a laser processing method capable of preventing the mask from being damaged and extending the life.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。図において、2は被加工物、1はパターンが
形成されたマスク、3はマスク1及び被加工物2の間に
配置され、レーザ光透過性を有する材料で形成された第
1の基板である。
FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention. In the figure, 2 is a work piece, 1 is a mask on which a pattern is formed, 3 is a first substrate which is arranged between the mask 1 and the work piece 2, and which is formed of a material having a laser beam transmitting property. .

【0018】エキシマレーザ光をマスク1を介して被加
工物2に照射してアブレーション加工するように構成さ
れている。従って、マスク1と被加工物2の間に第1の
基板3が配置されているので、レーザ光によるアブレー
ション加工で被加工物2から発生する煤がマスク1に付
着するのを防止することができ、マスクの長寿命化を図
ることができる。
An excimer laser beam is applied to the workpiece 2 through the mask 1 to perform ablation. Therefore, since the first substrate 3 is arranged between the mask 1 and the workpiece 2, it is possible to prevent soot generated from the workpiece 2 from adhering to the mask 1 by the ablation process using the laser beam. Therefore, the life of the mask can be extended.

【0019】請求項2:マスク1のレーザ光照射側に、
レーザ光透過性を有する材料で形成された第2の基板を
配置した構成とする。従って、マスク1を第2の基板の
レーザ光照射側に対して反対側の面にパターン形成する
ことができ、また、マスク1のレーザ光照射側の面の埃
等の汚れを防止することができる。
Claim 2: On the laser light irradiation side of the mask 1,
A second substrate formed of a material having a laser light transmitting property is provided. Therefore, the mask 1 can be patterned on the surface of the second substrate opposite to the laser light irradiation side, and the surface of the mask 1 on the laser light irradiation side can be prevented from being contaminated with dust or the like. it can.

【0020】請求項3:第1の基板3は、マスク1に着
脱自在に装着されるように構成されている。従って、第
1の基板3に被加工物2から発生する煤が付着したり、
除去作業によって傷ができても、容易に交換することが
できる。
Claim 3: The first substrate 3 is configured to be detachably attached to the mask 1. Therefore, the soot generated from the workpiece 2 adheres to the first substrate 3,
Even if scratches are caused by the removal work, they can be easily replaced.

【0021】請求項4:第1の基板1及び/或いは第2
の基板は、石英ガラスで形成された構成とする。従っ
て、レーザ光の透過性を確保することができる。
Claim 4: First substrate 1 and / or second substrate
The substrate is made of quartz glass. Therefore, the transparency of the laser light can be ensured.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、図2及び図3により本発明
の実施例1及び実施例2を説明する。全図を通じて同一
符号は同一対象物を示す。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments 1 and 2 of the present invention will be described below with reference to FIGS. The same reference numerals denote the same objects throughout the drawings.

【0023】1)実施例1 図2の側断面図により実施例1を説明する。図に示すよ
うに、ステージ5に載置したワーク2a上のスペーサ4に
石英ガラスで形成された基板3b (例えば、厚さ0.5m
m)が重ねられ、基板3bの上側にマスク1bが位置し、そ
の上に基板3aを配置して、従来例と同様にフレーム6で
押さえている。
1) Example 1 Example 1 will be described with reference to the side sectional view of FIG. As shown in the figure, a substrate 3b made of quartz glass (for example, a thickness of 0.5 m is used for the spacer 4 on the work 2a placed on the stage 5).
m) are overlapped, the mask 1b is located on the upper side of the substrate 3b, the substrate 3a is arranged on the mask 1b, and the frame 6 holds the mask 1b as in the conventional example.

【0024】マスク1bは、基板3bの面に蒸着した金属被
膜で、従来例で説明したマスク1aと同様にパターンが形
成された誘電体ミラーマスクである。このような構成を
有しているので、マスク1bとワーク2aの距離は、0.7m
m(スペーサ4:0.2mm、基板3b:0.5mm)である
が、上方より矢印方向にエキシマレーザをコリメート光
に調整して照射することにより、パターンぼけを生じる
ことなく、マスク1bのパターン部分からワーク2aにエキ
シマレーザ光が到達してアブレーションによって加工さ
れ、ワーク2aに貫通したスリットが、望ましい寸法範囲
内(例えば、30±5μm)に形成される。
The mask 1b is a metal film deposited on the surface of the substrate 3b, and is a dielectric mirror mask in which a pattern is formed similarly to the mask 1a described in the conventional example. With this structure, the distance between the mask 1b and the work 2a is 0.7 m.
m (spacer 4: 0.2 mm, substrate 3b: 0.5 mm), but by adjusting the collimated light from the upper side in the direction of the arrow to adjust the collimated light and irradiating it, the pattern of the mask 1b does not occur. The excimer laser light reaches the work 2a from the portion and is processed by ablation, so that a slit penetrating the work 2a is formed within a desired size range (for example, 30 ± 5 μm).

【0025】このとき、ワーク2aから発生する煤は、ア
シストガスによって酸化、除去され、一部は基板3bには
付着するが、基板3bに遮られてマスク1bには付着しない
ので、マスク1bの汚染、損傷が防止され、寿命を延ばす
ことができる。基板3bに付着した煤は、加工効率が低下
しないように適時清掃される。
At this time, the soot generated from the work 2a is oxidized and removed by the assist gas, and part of it adheres to the substrate 3b, but it is blocked by the substrate 3b and does not adhere to the mask 1b. Contamination and damage are prevented and the life can be extended. Soot that adheres to the substrate 3b is cleaned at appropriate times so that the processing efficiency does not decrease.

【0026】2)実施例2 図3の側断面図により実施例2を説明する。実施例2が
上記実施例1と異なるのは、マスクの上側にも基板を配
置し、マスクの下側の基板を着脱自在としたことであ
る。
2) Second Embodiment A second embodiment will be described with reference to the side sectional view of FIG. The second embodiment differs from the first embodiment in that the substrate is arranged also on the upper side of the mask and the substrate on the lower side of the mask is detachable.

【0027】即ち、図3に示すように、ステージ5に載
置したワーク2a上にスペーサ4を介して基板3c (例え
ば、厚さ0.3mm)が重ねられ、その上に従来例と同様
に、下側にマスク1aを形成した基板3aが配置されてい
る。基板3cは着脱自在で交換可能である。
That is, as shown in FIG. 3, a substrate 3c (for example, a thickness of 0.3 mm) is overlaid on a work 2a placed on a stage 5 via a spacer 4, and the substrate 3c is overlaid thereon similarly to the conventional example. The substrate 3a on which the mask 1a is formed is arranged on the lower side. The substrate 3c is removable and replaceable.

【0028】このような構成を有するので、マスク1aと
ワーク2aの距離は、0.5mm(スペーサ4:0.2mm、
基板3c:0.3mm)であり、上記実施例1と同様に、上
方よりエキシマレーザをコリメート光に調整して照射す
ることにより、マスク1aのパターン部分からワーク2aに
エキシマレーザ光が到達して、アブレーションによって
加工され、ワーク2aに貫通したパターンが前記の寸法範
囲内に形成される。
With such a structure, the distance between the mask 1a and the work 2a is 0.5 mm (spacer 4: 0.2 mm,
Substrate 3c: 0.3 mm), and similarly to the first embodiment, the excimer laser light reaches the work 2a from the pattern portion of the mask 1a by adjusting the collimated light from above and irradiating the collimated light. , A pattern processed by ablation and penetrating the work 2a is formed within the above-mentioned size range.

【0029】このとき、ワーク2aから発生する煤は、基
板3cには付着するが、基板3cに遮られてマスク1aには付
着しないので、マスク1aの汚染、損傷が防止され、寿命
を延ばすことができる。基板3cに付着した煤は、適時清
掃されるが、基板3cの面が損傷され易く、傷が付くとレ
ーザ光の透過性が悪くなって加工効率が低下するので、
新品と交換する。
At this time, the soot generated from the work 2a adheres to the substrate 3c, but is blocked by the substrate 3c and does not adhere to the mask 1a, so that the mask 1a is prevented from being contaminated and damaged, and the life is extended. You can Soot adhering to the substrate 3c is cleaned in a timely manner, but the surface of the substrate 3c is easily damaged, and if scratched, the laser light transmittance deteriorates and the processing efficiency decreases,
Replace with a new one.

【0030】しかも、マスク1aの上側に基板3aがあるの
で、マスク1a面の埃等の汚れを防ぐことができ、基板3a
上に付着した埃等の汚れは、適時清掃により除去するこ
とができる。
Moreover, since the substrate 3a is on the upper side of the mask 1a, it is possible to prevent dirt such as dust on the surface of the mask 1a.
Dirt such as dust adhering to the top can be removed by timely cleaning.

【0031】このようにして、従来方法では、ワーク2a
の数で20〜30シートの加工でマスク1aが損傷していた
が、上記実施例1及び実施例2においては、基板3b,3c
は汚れても、基板3bは洗浄、基板3cは洗浄或いは交換す
ることができ、マスク1a,1b は損傷がなくなるので、寿
命が格段に延びて半永久的に使用することができる。
Thus, in the conventional method, the work 2a is
The mask 1a was damaged by processing 20 to 30 sheets, but in the above-mentioned Embodiments 1 and 2, the substrates 3b and 3c were
Even if it becomes dirty, the substrate 3b can be washed, the substrate 3c can be washed or replaced, and the masks 1a and 1b are not damaged, so that the life is remarkably extended and can be used semipermanently.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、 マスクと被加工物の間に第1の基板を配置したことに
より、レーザ光によるアブレーション加工で被加工物か
ら発生する煤がマスクに付着するのを防止することがで
き、マスクの長寿命化を図ることができる。
As described above, according to the present invention, by disposing the first substrate between the mask and the object to be processed, the soot generated from the object to be processed by the ablation processing by the laser light is applied to the mask. Adhesion can be prevented and the life of the mask can be extended.

【0033】マスクのレーザ光照射側に、レーザ光透
過性を有する材料で形成された第2の基板を配置したこ
とにより、マスクを第2の基板のレーザ光照射側に対し
て反対側の面にパターン形成することができ、また、マ
スクのレーザ光照射側の面の埃等の汚れを防止すること
ができる。
By disposing the second substrate formed of a material having a laser beam transmitting property on the laser beam irradiation side of the mask, the mask is provided on the surface opposite to the laser beam irradiation side of the second substrate. It is possible to form a pattern on the surface, and it is possible to prevent dirt such as dust on the surface of the mask on the laser light irradiation side.

【0034】第1の基板をマスクに着脱自在に装着さ
れるようにしたことにより、第1の基板に被加工物から
発生する煤が付着したり、除去作業によって傷が生じて
も、容易に交換することができる。
Since the first substrate is detachably attached to the mask, even if soot generated from the workpiece is attached to the first substrate or scratches are caused by the removal work, the first substrate can be easily attached. Can be exchanged.

【0035】第1の基板及び/或いは第2の基板を石
英ガラスで形成することにより、レーザ光の透過性を確
保することができる。という効果がある。
By forming the first substrate and / or the second substrate from quartz glass, it is possible to secure the transparency of the laser beam. This has the effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の原理説明図FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】 本発明の実施例1を示す側断面図FIG. 2 is a side sectional view showing the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施例2を示す側断面図FIG. 3 is a side sectional view showing a second embodiment of the present invention.

【図4】 コンタクトマスク法の概要を示す斜視図FIG. 4 is a perspective view showing an outline of a contact mask method.

【図5】 従来例の加工方法を説明する側断面図FIG. 5 is a side sectional view illustrating a processing method of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a,1bはマスク、 2は被加工物、 2a
はワーク、3は第1の基板、 3a〜3cは基板、
4はスペーサ、5はステージ、 6は
フレーム、 7はパイプ
1, 1a and 1b are masks, 2 is a workpiece, 2a
Is a work, 3 is a first substrate, 3a to 3c are substrates,
4 is a spacer, 5 is a stage, 6 is a frame, 7 is a pipe

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パターンが形成されたマスクを介してエ
キシマレーザ光を被加工物に照射してアブレーション加
工するレーザ加工方法であって、 前記マスク及び前記被加工物の間にレーザ光透過性を有
する材料で形成された第1の基板を配置したことを特徴
とするレーザ加工方法。
1. A laser processing method of irradiating an object to be processed with an excimer laser beam through a mask having a pattern formed thereon to perform ablation processing, wherein laser light transmissivity is provided between the mask and the object. A laser processing method, comprising disposing a first substrate formed of a material having the above.
【請求項2】 前記マスクの前記レーザ光照射側に、レ
ーザ光透過性を有する材料で形成された第2の基板を配
置したことを特徴とする請求項1のレーザ加工方法。
2. The laser processing method according to claim 1, wherein a second substrate made of a material having a laser beam transparency is disposed on the laser beam irradiation side of the mask.
【請求項3】 前記第1の基板は、前記マスクに着脱自
在に装着されることを特徴とする請求項2のレーザ加工
方法。
3. The laser processing method according to claim 2, wherein the first substrate is detachably attached to the mask.
【請求項4】 前記第1の基板及び/或いは前記第2の
基板は、石英ガラスで形成されることを特徴とする請求
項1或いは請求項2のレーザ加工方法。
4. The laser processing method according to claim 1, wherein the first substrate and / or the second substrate is made of quartz glass.
JP7236474A 1995-09-14 1995-09-14 Laser beam machining method Withdrawn JPH0976087A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283455A (en) * 2008-04-24 2009-12-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing evaporation donor substrate, and method of manufacturing light-emitting device

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JP2009283455A (en) * 2008-04-24 2009-12-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing evaporation donor substrate, and method of manufacturing light-emitting device

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