JPH0971637A - 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置

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JPH0971637A
JPH0971637A JP8037867A JP3786796A JPH0971637A JP H0971637 A JPH0971637 A JP H0971637A JP 8037867 A JP8037867 A JP 8037867A JP 3786796 A JP3786796 A JP 3786796A JP H0971637 A JPH0971637 A JP H0971637A
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photosensitive resin
insulating layer
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semiconductor device
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Keiko Natori
恵子 名取
Taketo Tsukamoto
健人 塚本
Hidekatsu Sekine
秀克 関根
Kiyotomo Nakamura
清智 中村
Utsukoku Uma
蔚国 馬
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Toppan Printing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】多層プリント配線板の絶縁層の材料で、特に解
像度、ガラス転移点が高く、少ない露光量で所望形状の
パターン形成が可能であり、また絶縁性、誘電率等の電
気特性にも優れ、さらに安価である感光性樹脂組成物及
び半導体装置を提供する。 【解決手段】絶縁層を構成しているエポキシ基の少なく
とも一つ以上がアクリル変性もしくはメタクリル変性し
たテトラグリシジルジアミノフェニルメタン、光重合性
モノマー、光重合開始剤、平均粒径５．０μｍから０．
１μｍの無機フィラー及び有機フィラーの少なくとも一
方からなるフィラー、硬化剤及び有機溶剤からなる感光
性樹脂組成物であって、前記アクリル変性もしくはメタ
クリル変性したテトラグリシジルジアミノフェニルメタ
ンは、テトラグリシジルジアミノフェニルメタン１．０
化学当量に対し、不飽和一塩基酸を０．３から０．８化
学当量の割合で混合し反応させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は感光性樹脂組成物及
び感光性樹脂組成物を絶縁層の材料として用いた半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信機器に代表されるように、高
速動作が求められる電子機器が広く使用されるようにな
ってきた。高速動作が求められるということは信号の高
速な伝搬が要求されることは言うまでもなく、高い周波
数の信号に対し、正確なスイッチングが可能であること
などの要求を含んでいる。これらの要求を満たすには、
半導体集積回路と外部回路との接続（配線）、あるい
は、半導体集積回路間の接続（配線）が重要となってく
る。すなわち、半導体集積回路を搭載する半導体装置の
配線部、あるいは、絶縁層を含めた回路基板、が重要と
なってくる。
【０００３】高速動作には、第一に、配線長を短くする
ことが要求される。配線の長さを短縮することにより信
号の遅延を抑えるためである。単一の半導体集積回路を
搭載する場合、外部回路との配線長を短くすることは、
半導体装置のボディサイズを小さくすることにもつなが
る。また、複数の半導体集積回路を搭載する半導体装置
では、その配線は複雑で、バイアホールを経由した多層
配線により配線長の短縮を最適化させる設計が重要とな
ってくる。
【０００４】第二に特性インピーダンスの整合が要求さ
れる。特性インピーダンスの異なった配線を行うと、信
号の反射による信号波形の乱れを生じ、半導体集積回路
の誤動作の原因となる。配線部の特性インピーダンスは
配線幅、配線厚、下地絶縁層厚、絶縁層の誘電率により
決定される。したがって、半導体装置を製造する際の配
線形成の精度、絶縁層形成の精度の制御が重要となる。
【０００５】第三として、絶縁層における誘電率の調整
が要求される。信号の伝搬速度は絶縁層の誘電率の平方
根の逆数に比例する。したがって、配線層直下の絶縁層
には低誘電率材料を選ぶことが重要となる。一方、半導
体集積回路の内部回路でスイッチングが行われると、電
源あるいは接地電位が変動し、これらの電位の変動に基
づいて配線層にノイズが混入する。時によってはこのノ
イズが誤動作を招く大きな原因となる。このため、電源
層と接地層の間でデカップリングコンデンサーを形成さ
せて電位の変動を抑制する必要がある。この場合、電源
層と接地層の間の絶縁層には、高誘電率の材料が要求さ
れる。
【０００６】このような高速動作に対応する半導体装置
の回路基板を作製する方法としてビルドアップ法が用い
られている。この方法は絶縁性基材もしくは金属基材上
に絶縁層を形成し、その上に配線パターンを形成し、さ
らに多層化する場合、順次絶縁層、配線パターンを形成
するという工程を繰り返して回路基板を作製する。ビル
ドアップ法を用いた半導体装置の回路基板の一例とし
て、特開平４−１４８５９０に提示されている多層プリ
ント配線板があげられる。
【０００７】さらに、マルチチップモジュールのよう
な、複数の半導体集積回路を搭載し、モジュール化して
半導体装置を完成させる方法があり、たとえば、次のよ
うな工程で行われる。まず、製造した回路基板に外部と
の接続手段を設ける。具体的には、リードフレーム上に
回路基板を搭載してもよいし、回路基板の裏面に半田バ
ンプを設けてもよい。あるいは、ピングリッドアレイ型
のパッケージに搭載してもよい。そして、回路基板上に
半導体集積回路を搭載し、ワイヤボンディングやバンプ
接続等の手段で接続し、樹脂封止を行ってモジュール化
する。このようにしてモジュール化した半導体装置は、
さらにプリント配線板に実装される等の工程を経て電子
機器に組み込まれる。
【０００８】このように、ビルドアップ法にて作製した
回路基板は薄膜めっきとフォトリソグラフィ法によって
配線パターンを形成するため、精度の高い細線パターン
の形成が可能となり、より高密度な配線層を形成するこ
とができる。また、微細なバイアホールを経由した多層
配線が可能となり、配線長の短縮化を図る設計の自由度
が大きくなる。
【０００９】また、コーティング条件により、絶縁層厚
を自由に設定できるため、絶縁層の誘電率に見合った特
性インピーダンスに調整することが可能となる。さら
に、絶縁層としてセラミック基板に比べ低誘電率材料で
ある樹脂系を用いることができるため、高速信号に対応
が可能となる。また、高誘電率材料を添加するだけで、
誘電率を調整することもできる。以上より、ビルドアッ
プ法にて作製した回路基板を用いた半導体装置は高速動
作が求められている電子機器に適していると言える。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ビルドアップ法に用い
られる回路基板の絶縁層の材料に要求される特性として
は、次のようなものがあげられる。 イ．ガラス転移温度が高いこと。 ロ．解像度が高いこと。 ハ．絶縁性が高いこと。 ニ．誘電率が低いこと。 ホ．耐薬品性が高いこと。
【００１１】このような特性が求められているのは次の
ような理由によるものである。まず、ガラス転移温度が
高いことについては、高温にさらされた場合に物性が変
化しないようにするためのものである。一般に熱分解等
の破壊現象が起きる温度はガラス転移温度よりかなり高
い（たとえば、エポキシ硬化物のそれは３００℃から３
５０℃）ため、耐熱性の面ではガラス転移温度が問題と
なる。ガラス転移温度を越えると、弾性率、膨張率等の
物性が変化するため、作製プロセス、半導体装置組み立
てプロセス、信頼性テスト等で各種の問題が発生する。
さらに、製品として使用される環境等の温度よりもガラ
ス転移温度がかなり低いという場合には様々な不都合を
生じ、好ましくない。
【００１２】たとえば、半導体装置組み立てプロセスの
うち、半導体集積回路を回路基板に実装する場合を考え
てみる。ワイヤボンディング接続では、ワイヤボンディ
ング部は、一時的ではあるが、１５０℃から２００℃程
度の温度になる。ガラス転移温度が低い材料を用いた場
合、弾性率の低下によって、ワイヤボンディング時に不
着が発生する。また、半田バンプ接続では、短時間に２
００℃から２５０℃程度の温度にさらされる。膨張率の
変化によっては、接続不良や導体層との層間剥離が発生
する。したがって、絶縁層のガラス転移温度の設定は重
要で、それが低いと、場合によっては半導体装置が組み
立て不可能になる事態を引き起こす。
【００１３】解像度が高いことについては、微細なバイ
アホールが寸法精度高く形成できるということである。
たとえば、バイアホールの上部より下部のほうが径が大
きくなったり、あるいは小さくなったりということは好
ましくない。微細なバイアホールが寸法精度高く形成で
きるということはランド径を小さくすることができると
いうことで、高密度配線が可能となる。したがって、配
線長の短縮化を図る設計の自由度が大きくなる。
【００１４】絶縁性が高いことについては、配線パター
ン間、あるいは、層間の電気的絶縁性を十分に確保する
ために必要なことは言うまでもない。特に、絶縁層の誘
電率が低くなると、特性インピーダンスを調整するため
に、絶縁層厚を薄くしなければならず、層間の高い電気
絶縁性が要求される。
【００１５】誘電率が低いことについては、前述のとお
りである。さらに、同じ樹脂系において、高誘電率材料
を添加することにより誘電率を任意に設定できる。
【００１６】耐薬品性が高いことについては、上述のビ
ルドアップ法の工程から明らかなように、絶縁層は製造
工程中にさまざまな薬液に接触する。絶縁層自身の現像
液はもちろん、めっき工程の前処理として、水酸化ナト
リウム等による脱脂工程、触媒の付着工程、還元工程、
無電解めっき浴への浸漬工程、さらに、電解めっき浴へ
の浸漬工程、配線層のエッチング工程、さらに、その間
にある水洗工程等がある。そのため、耐薬品性が高い材
料でなければ、薬品によって材料の変質が生じる等の影
響を受けてしまう。
【００１７】エポキシ樹脂は、電気絶縁性が高く、耐薬
品性に優れ、成形しやすいため、一般に、電気絶縁材料
として、さまざまな分野で使用されている。ビルドアッ
プ法に用いられる感光性樹脂組成物のベース樹脂として
も、同様の理由でエポキシ樹脂を用いるのが一般的であ
る。エポキシ樹脂にはそのエポキシ基の熱反応性と、光
重合性モノマーとの光反応によるパターン形成能を持た
せるために、一部のエポキシ基にアクリル変性もしくは
メタクリル変性を施している。エポキシ樹脂の種類とし
ては、一般にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂、あるいは、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂が用いられている。ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂をベースとした感光性樹脂組成
物の硬化物のガラス転移温度は１００℃から１２０℃と
非常に低い、これは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
には、両末端にしかエポキシ基が存在せず、硬化物の架
橋密度があがらないためである。これに対し、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、あるいは、クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂はその主鎖骨格により、あるい
は、エポキシ基の多官能性により、その硬化物のガラス
転移温度は高くなるが、一般には１３０℃から１５０℃
である。したがって、上述のような熱履歴を考えると２
００℃以上のガラス転移温度を有する絶縁樹脂が望まれ
る。
【００１８】先に述べたように、ビルドアップ法によっ
て作製された回路基板を用いた半導体装置は、高速動作
の半導体集積回路を搭載するのに適している。しかし、
その従来の回路基板に用いられている絶縁層はガラス転
移温度が低く耐熱性に問題があった。
【００１９】このような問題を解決するために、特開平
６−３１７９０５号公報の技術が開示された。これは下
式（ａ）に示される化合物（Ｒは炭素数１から３のアル
キル基）のエポキシ基の少なくとも一つ以上を、アクリ
ル変性もしくはメタクリル変性した光重合性化合物を用
いた感光性樹脂組成物及びプリント配線板に関するもの
である。
【００２０】
【化１】
【００２１】上記感光性樹脂組成物の硬化膜のガラス転
移温度はそのエポキシ樹脂の架橋反応性の高さのため、
２００℃程度となる。また、架橋密度が高いため、良好
な耐薬品性を示す。したがって、前記公報にて開示され
た感光性樹脂組成物は、ビルドアップ法に適用され、耐
熱性、耐薬品性の面において、高速動作対応の半導体装
置の回路基板の絶縁層の要求を充分に満たすものであ
る。
【００２２】ところが、前記公報にて開示された感光性
樹脂組成物は、露光の際に、かなりの露光量が必要であ
るという問題があった。このような感光性樹脂組成物の
露光には、例えば超高圧水銀灯が多用されており、前記
公報にも、超高圧水銀灯を用いた例が開示されている。
超高圧水銀灯では、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波
長４０５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）の強度が強い
が、前記公報に記載された感光性樹脂組成物ではそれら
の波長での光透過率が極めて低い。例えば、波長が３６
５ｎｍでの透過率は、膜厚が５μｍの時、３％程度しか
ない。そのため、例えば、膜厚４０μｍの時、露光量が
少なくとも５０００ｍＪ／ｃｍ2 必要である。
【００２３】このことは、生産効率が非常に低下すると
いうことは言うまでもなく、露光、現像工程にて形成さ
れた、バイアホール形成孔の断面形状にも影響を与え
る。これは、上述したように、光透過率が極めて低いた
め、多量の露光量にもかかわらず、感光性樹脂組成物塗
布膜の表面層しか光反応が進行しない。このため、現像
工程において、露光量が不足しているバイアホール形成
孔部でアンダーカットが生じる。このアンダーカットは
次工程でのめっき工程にてめっき導体層の接着不良を起
こし、バイアホール導通の信頼性を低下させる原因とな
る。
【００２４】本発明は、従来の感光性樹脂組成物の耐熱
性、耐薬品性を有しつつ、特に解像度が高く、少ない露
光量で所望形状のパターン形成が可能であり、また、絶
縁性、誘電率等の電気特性にも優れた感光性樹脂組成物
及び半導体装置を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を達成するため、まず請求項１においては、絶縁性基材
もしくは金属基材の表面上に、絶縁層と配線層とが順次
積層された回路基板及び該回路基板の配線導体の始端が
半導体集積回路と接続され、終端が外部回路と接続され
てなる半導体装置において、前記絶縁層が化合物中のエ
ポキシ基の少なくとも一つ以上がアクリル変性もしくは
メタクリル変性したエポキシ樹脂化合物、光重合性モノ
マー、光重合開始剤、フィラー、硬化剤及び有機溶剤か
らなる感光性樹脂組成物で形成されており、前記アクリ
ル変性もしくはメタクリル変性したエポキシ樹脂化合物
はアクリル変性もしくはメタクリル変性したテトラグリ
シジルジアミノフェニルメタンからなるようにしたもの
である。
【００２６】ここで、テトラグリシジルジアミノフェニ
ルメタンは下式（ｂ）に示される化合物であり、下式
（ｂ）に含まれるエポキシ基の少なくとも一つ以上が、
アクリル変性もしくはメタクリル変性したものを用い
る。
【００２７】
【化２】
【００２８】また、請求項２においては、アクリル変性
もしくはメタクリル変性させる際の混合比について、技
術的に限定したものである。
【００２９】すなわち、前記アクリル変性もしくはメタ
クリル変性したテトラグリシジルジアミノフェニルメタ
ンは、テトラグリシジルジアミノフェニルメタン１．０
化学当量に対し、不飽和一塩基酸を０．３から０．８化
学当量の割合で混合し、反応させて得られるようにした
ものである。
【００３０】また、請求項３においては、前記感光性樹
脂組成物に添加する前記フィラーとして、平均粒径５．
０μｍから０．１μｍの無機フィラー及び有機フィラー
の少なくとも一方のフィラーを用いるようにしたもので
ある。
【００３１】さらにまた、請求項４においては、絶縁性
基材もしくは金属基材の表面上に、絶縁層と配線層とが
順次積層された回路基板及び該回路基板の配線導体の始
端が半導体集積回路と接続され、終端が外部回路と接続
されてなる半導体装置において、前記絶縁層が請求項１
または請求項３のいずれか一項記載の感光性樹脂組成物
から形成されていることを特徴とする半導体装置とした
ものである。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明の感光性樹脂組成物は、ア
クリル変性もしくはメタクリル変性したテトラグリシジ
ルジアミノフェニルメタンに加え、光重合性モノマー、
光重合開始剤、フィラー、硬化剤及び有機溶剤からな
る。まず、光重合性モノマーとしては、末端エチレン基
を少なくとも２個以上を有するアクリル系モノマーで、
１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジア
クリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート、トリス（２−ヒドロキシ
エチル）イソシアネート等があるが、好ましくは４以上
の官能基を有するアクリル系モノマーで、ジトリメチロ
ールプロパンテトラアクリレート等、特に好ましくは５
乃至６の官能基を有するアクリル系モノマーである、ジ
ペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート等をあげられ、東亜合
成化学工業（株）、共栄社化学（株）等から市販されて
いる。
【００３３】また、光重合開始剤としては、ジアゾ化合
物、アジド化合物、アセトフェノン、ベンジルジメチル
ケタール、ベンゾフェノン系化合物等があげられる。
【００３４】硬化剤としては、ベンジルジメチルアミ
ン、イミダゾール類は２−メチルイミダゾール、２−エ
チル−４−メチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６
−（２−ウンデシル−１−イミダゾリルエチル）−１，
３，５−トリアジン、１−シアノエチル−２−エチル−
４−メチルイミダゾールトリメリテート、１−シアノエ
チル−２−メチルイミダゾールトリメリテート、１−シ
アノエチル−２−フェニルイミダゾールトリメリテート
等、その他にジシアンジアミド、第三アミン塩、イミダ
ゾール塩、アミンイミド等を例示することができる。
【００３５】有機溶剤としては、ブチルセロソルブ、エ
チルセロソルブ、カルビトール、石油ソルベント、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン、ジグライム、トル
エン、キシレン、エチルセロソルブアセテート等をあげ
ることができる。また、これらを二種類以上混合した混
合溶媒を用いてもよい。
【００３６】また、感光性樹脂組成物にフィラーを添加
することはこれを用いて形成した絶縁層の物性と電気特
性に大きな影響を及ぼす。まず、感光性樹脂組成物に無
機フィラーを添加することは、樹脂の収縮を抑えたり、
絶縁層の高誘電率化を計るのに好ましい。樹脂が収縮す
ると、熱履歴により基板から剥離する恐れがある。無機
フィラーの例としては、シリカ、タルク、硫酸バリウム
等を例示することができる。この中で、硫酸バリウムを
単独で混合した系では、電源層と接地層間に用いる高誘
電率の絶縁層を得ることができる。
【００３７】一方、感光性樹脂組成物に有機フィラーを
添加することは絶縁層の低誘電率化を計るのに好まし
い。有機フィラーとしては、ポリメチルメタクリル酸微
粒子、シリコーン樹脂微粉末等を例示することができ、
エポスターＭ（商品名；日本触媒化学工業（株）製）、
ＭＸ−１５０（商品名；綜研化学（株）製）等が市販さ
れている。
【００３８】したがって、同じ感光性樹脂系において
も、有機フィラーを用いた低誘電率組成から、無機フィ
ラー、特に、硫酸バリウムを用いることによる高誘電率
組成まで、自由に選択することができる。
【００３９】このようにして用いられるフィラーの粒径
は解像度に影響を与える。フィラーを添加した感光性樹
脂組成物で形成した絶縁層をパターン加工しようとした
場合、たとえば、バイアホール付近に粒径サイズの大き
いフィラーが存在した場合、所望のバイアホール形状が
再現できないという問題があった。このため、平均粒径
が５．０μｍ以下であることが望ましい。また、平均粒
径が０．１μｍ以下になると、樹脂の収縮を押さえる効
果が低下してくるため、平均粒径が５．０μｍから０．
１μｍのフィラーを用いる。特に、好ましくは、平均粒
径が１．０μｍから０．３μｍのフィラーが良好な特性
を示す。
【００４０】本発明の感光性樹脂組成物において、エポ
キシ基の少なくとも一つ以上がアクリル変性もしくはメ
タクリル変性したテトラグリシジルジアミノフェニルメ
タンの、詳細な反応機構は明らかではないが、次のよう
なことが考えられる。
【００４１】第一は、露光により硬化する際の反応機構
であり、紫外線により光重合開始剤がラジカルを発生
し、そのラジカルで、次の（Ａ−１）乃至（Ａ−３）の
反応が開始されるものと推定される。すなわち、（Ａ−
１）テトラグリシジルジアミノフェニルメタンのアクリ
ル基同士もしくはメタクリル基同士が光重合反応する場
合、（Ａ−２）光重合性モノマーと、テトラグリシジル
ジアミノフェニルメタンのアクリル基もしくはメタクリ
ル基が光重合反応する場合、（Ａ−３）光重合性モノマ
ー同士が光重合反応する場合である。
【００４２】第二は、露光硬化、現像工程を行った後
の、ポストベーク工程で熱により硬化する際の反応機構
である。これは、（Ｂ−１）硬化剤によって、エポキシ
基同士が熱架橋反応する場合、（Ｂ−２）エポキシ基と
水酸基が熱架橋反応する場合、（Ｂ−３）テトラグリシ
ジルジアミノフェニルメタンのアクリル基同士もしくは
メタクリル基同士が熱架橋反応する場合があるものと推
定される。
【００４３】そのため、テトラグリシジルジアミノフェ
ニルメタンのエポキシ基を、どの程度アクリル変性もし
くはメタクリル変性させるかにより、硬化反応の過程が
異なるものと推定される。
【００４４】すなわち、アクリル変性もしくはメタクリ
ル変性している割合が少なくなるにつれ、露光した場合
に、硬化がそれほど進まず、したがって、所望の形状が
得られにくくなる。また、アクリル変性もしくはメタク
リル変性している割合が多くなるにつれ、露光による硬
化反応は進み、塗布された膜の表面層の硬化は進むが、
底部では露光による硬化反応は進みにくいため、小さい
径のバイアホールを形成する際には、所望の形状を得る
ことが困難になるといった問題がある。この状況は、膜
厚が厚くなるに従い、より顕著になる。
【００４５】これら問題に対応すべく検討した結果、テ
トラグリシジルジアミノフェニルメタン１．０化学当量
に対し、不飽和一塩基酸を０．３から０．８化学当量の
割合で混合し、反応させて得られたものを用いると、最
小の露光量で所望の形状を安定に得られることが明らか
になった。特に、好ましくは、テトラグリシジルジアミ
ノフェニルメタン１．０化学当量に対し、不飽和一塩基
酸を０．５化学当量の割合で混合し、反応させて得られ
たものを用いるのが良い。この時の露光量は１０００か
ら２０００ｍＪ／ｃｍ2 であり、かなり、露光量を抑え
ることができる。
【００４６】また、これらの硬化反応にて得られた硬化
膜のガラス転移温度は２００℃から２２０℃であり、耐
熱性の点においても問題はない。また、その高架橋密度
のため、耐薬品性も良好である。
【００４７】さらに、これらの硬化反応にて得られた硬
化膜のうち、フィラーを添加してない系の誘電率は低
く、３．５から３．７を示す。これに対し、たとえば、
クレゾールノボラック系の硬化膜では、誘電率は３．８
から４．０を示す。上述したように、フィラーの種類、
添加量を調整することにより、より低誘電率の絶縁層、
あるいは、より高誘電率の絶縁層を得ることができる。
【００４８】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路基
板及び半導体装置の具体例として、第一に、先に述べた
ようなマルチチップモジュールがあげられ、あるいは、
多層プリント配線板自体にも応用が可能である。第二
に、モノリシックＩＣパッケージとしての多層リードフ
レームや、ＢＧＡタイプの多層チップキャリアなどがあ
げられる。
【００４９】
【実施例】以下実施例に従い、本発明を詳細に説明す
る。
【００５０】〔実施例１〕まず、マルチチップモジュー
ルの実施例について説明する。下記のイの工程で感光性
樹脂組成物（Ｍ１）を作製し、前記感光性樹脂組成物
（Ｍ１）を用いて、ビルドアップ法により、ロの工程で
マルチチップモジュールを作製した。
【００５１】イ．感光性樹脂組成物（Ｍ１）の作製。 テトラグリシジルジアミノフェニルメタン１３３ｇ（１
化学等量）とハイドロキノン０．１ｇと３０ｇのカルビ
トールを四つ口フラスコに仕込んで攪拌しながら９０℃
まで加熱した。溶液が均一になってからトリエチルアミ
ン０．７ｇを３０分間かけて除々に滴下した後、アクリ
ル酸３６ｇ（０．５化学等量）を６０分かけて除々に滴
下した。さらに、１２０℃まで加熱し、５時間反応させ
て得られた樹脂を固形分が７０％になるようにカルビト
ールで希釈した。そして、この希釈樹脂１００ｇに対し
て、光重合性モノマーとしてＴＭＰ−Ａ（商品名；共栄
社化学（株）製）を８ｇ、光重合開始剤としてベンジル
ジメチルケタールを４ｇ加え、無機フィラーとして平均
粒径１．０μｍのシリカを８ｇ、平均粒径２．０μｍの
タルクを８ｇ、平均粒径０．３μｍの硫酸バリウム８ｇ
を加え、十分に攪拌して、感光性樹脂組成物（Ｍ１）を
作製した。
【００５２】ロ．マルチチップモジュール基板の作製。 図１にマルチチップモジュール基板の製造工程を示す。
まず、厚さ１ｍｍのガラス−ＢＴ（ビスマレイミド−ト
リアジン樹脂）を絶縁性基材１として、片面に厚さ１８
μｍの銅箔が貼着された片面銅張積層板を用い、ＰＭＥ
Ｒ（商品名；東京応化（株）製）をレジストとして用
い、露光、現像及びエッチングを行うことにより、配線
層２を形成した（図１（ａ）参照）。前記感光性樹脂組
成物（Ｍ１）に架橋剤としてベンジルメチルアミンを
０．５ｇ、２−エチル−４−メチルイミダゾールを１．
０ｇ加え、樹脂粘度が１５０ｐｓになるようにブチルセ
ロソルブで均一に調整し感光性樹脂組成物（Ｍ１ａ）を
作製し、スクリーン印刷法により２回塗布し、絶縁層を
形成した。９０℃で３０分間プリベークを行い、所望の
バイアホールのパターンを有するマスクを用いて、２０
００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光を行い、カルビトール
で現像処理し、バイアホール形成孔４を有するパターン
化された絶縁層３を形成した（図１（ｂ）参照）。ここ
で、バイアホール形成孔４の孔径は８０μｍであった。
水洗後、１８０℃、６０分間ポストベークを行いパター
ン化された絶縁層３を硬化した。そして、８００番から
２４００番程度の粗さのバフを順次用いて、研磨を行
い、配線層２の存在部位と非存在部位の凹凸によって生
じるパターン化された絶縁層の凹凸を平滑にするととも
に、表面を微細に粗化した。このようにして形成された
パターン化された絶縁層３の膜厚は約４０μｍであっ
た。そして、ＫＭｎＯ4 ７０ｇ／ｌ、ＮａＯＨ４０ｇ／
ｌの溶液に浸漬し、バイアホール形成孔４含めてさらに
表面粗化処理を行った。
【００５３】次に、パターン化された絶縁層３上及びバ
イアホール形成孔４に無電解銅めっき、電解銅めっきを
行い、厚さ１０μｍのめっき銅層を形成した。そして、
厚さ４０μｍのドライフィルムを貼着し、所望の配線パ
ターンを有するマスクを用い、露光及び現像を行い、レ
ジストパターンを作製した。なお、レジストは、ドライ
フィルムに限定されることはなく、電着レジスト等を用
いてもよい。その後、塩化銅のエッチング液にてエッチ
ングし、レジストパターンをアルカリ溶液で剥離処理
し、配線層６及びバイアホール５を形成した（図１
（ｃ）参照）。
【００５４】次に、前記感光性樹脂組成物（Ｍ１ａ）を
スクリーン印刷により塗布し、２層目の絶縁層を全面に
形成した。次に、所定のパターンで露光、現像、ポスト
ベークを行い、バイアホール形成孔８及びパターン化さ
れた絶縁層７を作製した（図１（ｄ）参照）。次に、８
００番から２４００番の粗さのバフを順次用いて、研磨
を行い、パターン化された絶縁層の凹凸を平滑にすると
ともに、表面を微細に粗化した。このようにして形成さ
れたパターン化された絶縁層７の膜厚は約４０μｍであ
った。そして、ＫＭｎＯ4 ７０ｇ／ｌ、ＮａＯＨ４０ｇ
／ｌの溶液に浸漬し、バイアホール形成孔８含めてさら
に表面粗化処理を行った。
【００５５】次に、パターン化された絶縁層７上及びバ
イアホール形成孔８に無電解銅めっき、電解銅めっきを
行い、厚さ１０μｍのめっき銅層を形成した。そして、
厚さ４０μｍのドライフィルムを貼着し、所望の配線パ
ターンを有するマスクを用い、露光及び現像を行い、レ
ジストパターンを作製した。その後、塩化銅のエッチン
グ液にてエッチングし、アルカリ溶液で剥膜処理して配
線層１０及びバイアホール９が形成された、マルチチッ
プモジュール基板１１０を作製した（図１（ｅ）参
照）。さらに、多層配線化する場合は上記の絶縁層、配
線層を必要回数繰り返すことにより所望の層数の多層配
線が得られる。
【００５６】次に、前記マルチチップモジュール基板１
１０をセラミック製のピングリッドアレイパッケージ２
１に搭載し、さらに、半導体集積回路２２を搭載、金線
２３にてワイヤボンディング接続を行い、ポッティング
樹脂２４にて樹脂封止をして、本発明のマルチチップモ
ジュールチップ半導体装置を作製した（図２参照）。
【００５７】〔実施例２〕次に、多層リードフレーム及
び多層リードフレームを用いた半導体装置の実施例につ
いて説明する。まず、下記のイの工程で、電源層と接地
層間の第１の絶縁層を形成する感光性樹脂組成物（Ｍ
２）を作製し、さらに、ロの工程で、配線層直下の第２
の絶縁層を形成する感光性樹脂組成物（Ｍ３）を作製
し、本発明における多層リードフレーム及び半導体装置
を作製した。
【００５８】イ．電源層と接地層間の第１の絶縁層を形
成する感光性樹脂組成物（Ｍ２）の作製。 テトラグリシジルジアミノフェニルメタン１３３ｇ（１
化学等量）とハイドロキノン０．１ｇと３０ｇのカルビ
トールを四つ口フラスコに仕込んで攪拌しながら９０℃
まで加熱した。溶液が均一になってからトリエチルアミ
ン０．７ｇを３０分間かけて除々に滴下した後、アクリ
ル酸５７．６ｇ（０．８化学等量）を６０分かけて滴下
した。さらに、１２０℃まで加熱し、５時間反応させて
得られた樹脂を固形分が７０％になるようにカルビトー
ルで希釈した。そして、この希釈樹脂１００ｇに対し
て、光重合性モノマーとしてＴＭＰ−Ａ（商品名；共栄
社化学（株）製）を８ｇ、光重合開始剤としてベンジル
ジメチルケタールを４ｇ加え、フィラーとして平均粒径
０．３μｍの硫酸バリウムを５０ｇを加え、十分に攪拌
して、第１の絶縁層を形成する感光性樹脂組成物（Ｍ
２）を作製した。
【００５９】ロ．配線層直下の第２の絶縁層を形成する
感光性樹脂組成物（Ｍ３）の作製。 テトラグリシジルジアミノフェニルメタン１３３ｇ（１
化学等量）とハイドロキノン０．１ｇと３０ｇのカルビ
トールを四つ口フラスコに仕込んで攪拌しながら９０℃
まで加熱した。溶液が均一になってからトリエチルアミ
ン０．７ｇを３０分間かけて序々に滴下した後、アクリ
ル酸５７．６ｇ（０．８化学等量）を６０分かけて滴下
した。さらに、１２０℃まで加熱し、５時間反応させて
得られた樹脂を固形分が７０％になるようにカルビトー
ルで希釈した。そして、この希釈樹脂１００ｇに対し
て、光重合性モノマーとしてＴＭＰ−Ａ（商品名；共栄
社化学（株）製）を８ｇ、光重合開始剤としてベンジル
ジメチルケタールを４ｇ加え、フィラーとして平均粒径
１．５μｍのポリメチルメタクリル酸粒子として、ＭＸ
−１５０（商品名；綜研化学（株）製）を７．５ｇを加
え、十分に攪拌して、第２の絶縁層を形成する感光性樹
脂組成物（Ｍ３）を作製した。
【００６０】ハ．多層リードフレームの作製。 厚さ０．２ｍｍ、３００×３００ｍｍ角の銅合金基板３
１（ＥＦＴＥＣ６４Ｔ（古河電工（株）製））に脱脂、
酸洗を加えて表面を洗浄した。前記感光製樹脂組成物
（Ｍ２）に２−エチル−４−メチルイミダゾールを１．
０ｇ加え、粘度調整した感光液（Ｍ２ａ）を作製し、前
記感光液（Ｍ２ａ）をロールコーターにて塗布し、９０
℃、３０分にてプリベークを行い、第１の絶縁層３２を
作製した（図３（ａ）参照）。このときの膜厚は５０μ
ｍであった。所望のパターンを有するフォトマスクを用
いて、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光を行いカル
ビトールにて現像を行い、水洗後、１８０℃１時間ポス
トベークを行って、バイアホール形成孔３４を有するパ
ターン化された絶縁層３３を作製した（図３（ｂ）参
照）。ここで、所望の基板サイズは２０×２０ｍｍであ
り、３００×３００ｍｍ角銅合金基板に１００面付けさ
れたパターンが形成された。（図では省略）。
【００６１】そして、８００番から２４００番の粗さの
バフを順次用いて、第１のパターン化された絶縁層３３
の表面をおよそ５μｍ研磨し、ＫＭｎＯ4 ５０ｇ／ｌ、
ＮａＯＨ２０ｇ／ｌの溶液に浸漬して、さらに、表面を
粗化させた。その後、無電解銅めっき、電解銅めっきを
行い、厚さ１５μｍのめっき銅層３５を形成した（図３
（ｃ）参照）。次に、ＰＭＥＲ（東京応化（株）製）を
レジストとして用い、露光、現像してレジストパターン
を形成し、塩化第二鉄液にてエッチングを行い、電源層
３６を有する配線パターンを形成した（図３（ｄ）参
照）。さらに、前記感光性樹脂組成物（Ｍ３）に２−エ
チル−４−メチルイミダゾールを加え、感光液（Ｍ３
ａ）を作製し、この感光液（Ｍ３ａ）を塗布、プリベー
クを行って絶縁層を形成し、所望のパターンで露光した
後、現像、ポストベークを行いバイアホール形成孔３８
を有するパターン化された第２の絶縁層３７を作製した
（図３（ｅ）参照）。さらに、バフ研磨、表面粗化した
後、無電解銅めっき、電解銅メッキをしてバイアホール
が形成されためっき銅層３９を形成した（図３（ｆ）参
照）。さらに、めっき銅層３９をパターニング加工して
最上層のインナーリード４０、インナーリードパッド部
４１を有する配線パターンを形成した（図３（ｇ）参
照）。その後、多面付けした基板を個々のサイズに断裁
し、２０×２０ｍｍ角の回路基板を作製した（図では省
略）。回路基板の外周部には、０．３５ｍｍピッチ、幅
０．２ｍｍで、１辺に５２個のインナーリードパッド部
４１が形成された。
【００６２】一方、２０８ピンリードフレーム（アウタ
−リード先端部のピッチが０．３５ｍｍ、リード幅が
０．１５ｍｍ）のアウターリード先端部３１１に３０μ
ｍ厚の錫パッド３１０を電気めっきにより形成した。前
記インナーリードパッド部４１とアウターリード先端部
の錫パッド３１０とが重なるように位置合わせし、アウ
ターリード上面から、２０８ピン全ピンが一括にて接合
できる一括加熱接合ツール３１２を用いて、３５０℃に
て接合を行った（図３（ｈ）参照）。以上により本発明
の感光性樹脂組成物を用いた多層リードフレームを作製
した。さらに、前記多層リードフレームに半導体集積回
路４３を搭載、金線４４によりワイヤボンディング接
続、モールド樹脂４２にて樹脂封止を行って、本発明の
半導体装置を作製した（図４参照）。
【００６３】前記多層リードフレームの第１の絶縁層３
３と第２の絶縁層３７の誘電率をＪＩＳ Ｃ ６４８１
に基づいて測定した。その結果、第１の絶縁層３３は
５．５、第２の絶縁層３７は３．５であった。
【００６４】〔実施例３〕次に、ＢＧＡタイプの多層チ
ップキャリアの実施例について説明する。まず、下記の
イの工程で感光性樹脂組成物（Ｍ４）の作製を行い、さ
らに、前記感光性樹脂組成物（Ｍ４）を用い、本発明に
おけるＢＧＡタイプの多層チップキャリアを作製した。
【００６５】イ．感光性樹脂組成物（Ｍ４）の作製。 テトラグリシジルジアミノフェニルメタン１３３ｇ（１
化学等量）とハイドロキノン０．１２ｇと３０ｇのカル
ビトールを四つ口フラスコに仕込んで攪拌しながら９０
℃まで加熱した。溶液が均一になってからトリエチルア
ミン０．１２ｇを３０分間かけて滴下した後、アクリル
酸５７．６ｇ（０．８化学等量）を６０分かけて滴下し
た。さらに、１２０℃まで加熱し、５時間反応させて得
られた樹脂を固形分が７０％になるようにカルビトール
で希釈した。そして、この希釈樹脂１００ｇに対して、
光重合性モノマーとしてＴＭＰ−Ａ（商品名；共栄社化
学（株）製）を８ｇ、光重合開始剤としてベンジルジメ
チルケタールを４ｇ加え、有機フィラーとして平均粒径
１〜２μｍのエポスターＭ（商品名；日本触媒化学工業
（株）製）を７．５ｇ、平均粒径１．５μｍのポリメチ
ルメタクリル酸微粒子として、ＭＸ−１５０（商品名；
綜研化学（株）製）を７．５ｇ加え、十分に攪拌して感
光性樹脂組成物（Ｍ４）を作製した。
【００６６】ロ．ＢＧＡタイプの多層チップキャリアの
作製。 厚さ０．８ｍｍのガラス−ＢＴ（ビスマレイミド−トリ
アジン）基板５１に脱脂、酸洗を加えて表面を洗浄した
（図５（ａ）参照）。あらかじめ、この基板には、所望
の位置に上面と下面の導通をとるためのスルーホール５
２及び銅層が形成されており、スルーホール孔内部は絶
縁樹脂５３にて埋められている。この基板の両面にＰＭ
ＥＲ（商品名；東京応化（株）製）をレジストとして用
い、露光、現像及びエッチングを行うことにより、上面
には配線層５４、下面には配線層と半田バンプパッド５
５を形成した（図５（ｂ）参照）。次に、前記感光性樹
脂組成物（Ｍ４）に２−エチル−４−メチルイミダゾー
ルを１．０ｇ加え、調整した感光液（Ｍ４ａ）を作製
し、前記感光液（Ｍ４ａ）をロールコータにて、上面に
のみコーティングし、９０℃、３０分でプリベークを行
い、絶縁層５６を形成した（図５（ｃ）参照）。このと
きの膜厚は５０μｍであった。所望のパターンを有する
フォトマスクを用いて、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量
で露光を行い、カルビトールにて現像を行った。水洗
後、１８０℃、１時間ポストベークを行い、バイアホー
ル形成孔５７を有する絶縁層５８を形成した（図５
（ｄ）参照）。
【００６７】次に、８００番から２４００番の粗さのバ
フを順次用いて、パターン化された絶縁層５８の表面を
およそ５μｍ研磨し、ＫＭｎＯ4 ５０ｇ／ｌ、ＮａＯＨ
２０ｇ／ｌの溶液に浸漬して、さらに、表面を粗化させ
た。その後、無電解銅めっき、電解銅めっきを行い、厚
さ１５μｍのめっき銅層５９を形成した（図５（ｅ）参
照）。次に、ＰＭＥＲ（東京応化（株）製）をロールコ
ーターにて塗布し感光性レジストを形成し、露光、現像
してレジストパターンを形成し、塩化銅液にてエッチン
グを行い、表面の配線層６０とボンディングパッド６１
を形成し、必要に応じて保護膜を形成し、チップキャリ
ア用回路基板を作製した（図５（ｆ）参照）。
【００６８】次に、前記チップキャリア用回路基板に半
導体集積回路７１を搭載し、金線７２にてワイヤーボン
ディング接続を行った後、半導体集積回路搭載面のみを
モールド樹脂７３にて封止した。さらに、下面の半田バ
ンプパッド５５に半田バンプ７４を形成してＢＧＡタイ
プの多層チップキャリアの半導体装置を完成させた（図
６参照）。
【００６９】また、上記の実施例に加え、好ましいアク
リル化率もしくはメタクリル化率の異なる樹脂及び異な
るフィラーを使った感光性樹脂組成物の事例として、次
の実施例をあげる。なお、溶剤や反応条件等の感光製樹
脂組成物の作製工程の他の部分、及び半導体装置の製造
工程については、実施例１乃至実施例３と同様である。
【００７０】〔実施例４〕テトラグリシジルジアミノフ
ェニルメタン１３３ｇ（１化学等量）とハイドロキノン
０．１ｇと３０ｇのカルビトールを四つ口フラスコに仕
込んで攪拌しながら９０℃まで加熱した。溶液が均一に
なってからトリエチルアミン０．７ｇを３０分間をかけ
て除々に滴下した後、アクリル酸２１．６ｇ（０．３化
学等量）を６０分間をかけて除々に滴下した。さらに、
１２０℃まで加熱し、５時間反応させて得られた樹脂を
固形分が７０％になるようにカルビトールで希釈した。
この希釈樹脂１００ｇに対して、光重合性モノマーとし
てＴＭＰ−Ａ（商品名；共栄社化学（株）製）を８ｇ、
光重合開始剤としてベンジルジメチルケタールを４ｇ加
え、有機フィラーとして、平均粒径０．５μｍのエポス
ターＭ（商品名；日本触媒化学工業（株）製）を１５ｇ
加え、十分に攪拌して感光性樹脂組成物（Ｍ５）を作製
した。
【００７１】〔実施例５〕テトラグリシジルジアミノフ
ェニルメタン１３３ｇ（１化学等量）とハイドロキノン
０．１ｇと３０ｇのカルビトールを四つ口フラスコに仕
込んで攪拌しながら９０℃まで加熱した。溶液が均一に
なってからトリエチルアミン０．７ｇを３０分間をかけ
て除々に滴下した後、アクリル酸３６ｇ（０．５化学等
量）を６０分間をかけて除々に滴下した。さらに、１２
０℃まで加熱し、５時間反応させて得られた樹脂を固形
分が７０％になるようにカルビトールで希釈した。この
希釈樹脂１００ｇに対して、光重合性モノマーとしてＴ
ＭＰ−Ａ（商品名；共栄社化学（株）製）を８ｇ、光重
合開始剤としてベンジルジメチルケタールを４ｇ加え、
無機フィラーとして平均粒径２．０μｍのタルク１０ｇ
を加え、有機フィラーとして、平均粒径１．５μｍのポ
リメチルメタクリル酸微粒子として、ＭＸ−１０（商品
名；綜研化学（株）製）を７．５ｇ加え、十分に攪拌し
て感光性樹脂組成物（Ｍ６）を作製した。
【００７２】これらの実施例１乃至５の方法により作製
された感光製樹脂組成物（Ｍ１〜Ｍ６）及び回路基板の
すべてに対し、以下のような特性の評価を行った。
【００７３】まず、感光性樹脂組成物を塗布し、２００
０ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光を行った。さらに、１８
０℃、６０分間ベーキングを行い硬化膜を作製した。そ
して、ＪＩＳ Ｃ６４８１に規定される方法により誘電
率を測定した。その結果、いずれも、３．５から５．５
の誘電率を示した。
【００７４】動的粘弾性測定法にしたがって、動的粘弾
性測定装置（機種名；ＲＨＥＯＬＯＧＲＡＰＨ ＳＯＬ
ＩＤ （株）東洋精機製作所）で当該樹脂のガラス転移
温度の測定を行った。サンプルの膜厚は５０μｍ、幅は
１．０ｃｍ、長さは２．５ｃｍで、測定条件としては、
１０Ｈｚにて行った。その結果、いずれも、２００℃か
ら２２０℃のガラス転移温度が確認された。
【００７５】また、製造したすべての回路基板に対し、
熱衝撃を与えた。熱衝撃の内容としては、２６０℃の油
に５秒間浸漬し、５秒間室温にさらした後、２０℃の
１，１，１−トリクロロエタンに２０秒間浸漬し、５秒
間室温にさらすという工程を１サイクルとして、５サイ
クル繰り返した。その結果、特に配線層の剥離や絶縁層
の膨れ等は観察されなかった。一方、層間絶縁抵抗を測
定した結果、いずれも、１．０×１０16Ω・ｃｍ以上の
体積抵抗率を示し、良好な絶縁性を示した。
【００７６】さらに、回路基板の半導体集積回路搭載部
に半導体集積回路を銀ペーストにて接着し、ワイヤーボ
ンディングを行ったところ、ベーキングを行わない際の
条件と同じ条件でワイヤーボンディングを良好に行うこ
とができた。また、回路基板を切断し、断面の観察を光
学顕微鏡にて行った。その結果、バイアホール部では、
７０μｍのバイアホールが良好な形状で形成されてお
り、解像度の点で問題ないことが確認された。また、層
間の剥離や、材料の変質、変色等も観察されず、耐薬品
性（ＫＭｎＯ4 ７０ｇ／ｌ、ＮａＯＨ４０ｇ／ｌの溶
液、８０℃で１０分間処理）の面でも膜質には問題がな
いことが確認された。
【００７７】
【発明の効果】以上のように、本発明の感光性樹脂組成
物を用いて形成された絶縁層は、従来の耐熱性、耐薬品
性、高絶縁性、高解像度維持しつつ、少ない露光量で、
安定して所望のバイアホールパターンを形成でき、さら
に、低誘電率性から高誘電率性まで選択調整ができる絶
縁層を有する多層の回路基板を得ることができる。これ
により、高速動作の半導体集積回路を搭載でき、かつ、
非常に信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる感光性樹脂組成物を用いたマル
チチップモジュール回路基板の製造工程を示す断面図で
ある。
【図２】本発明に係わるマルチチップモジュール回路基
板を用いたマルチチップモジュール半導体装置を示す断
面図である。
【図３】本発明に係わる感光性樹脂組成物を用いた多層
リードフレームの製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明に係る多層リードフレームを用いた半導
体装置を示す断面図である。
【図５】本発明に係わる感光性樹脂組成物を用いたＢＧ
Ａタイプの多層チップキャリアを示す断面図である。
【図６】本発明に係わるＢＧＡタイプの多層チップキャ
リアを用いた半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１、５１………絶縁性基材 ２、６、１０、５４、６０………配線層 ３、７、３３、３７、５８………パターン化された絶縁
層 ４、８、３４、３８、５７………バイアホール形成孔 ５、９………バイアホール ２１………セラミックピングリッドアレイパッケージ ２２、４３、７１………半導体集積回路 ２３、４４、７２………金線 ２４、４２、７３………封止樹脂 ３１………金属基材 ３２、５６………絶縁層 ３５、３９、５９………めっき銅層 ３６………電源層 ４０………インナーリード ４１………インナーリードパッド ４５………外部回路接続リード ５２………スルーホール ５３………スルーホール穴埋め絶縁樹脂 ５５………半田バンプ用パッド ６１………ボンディングパッド ７４………半田バンプ １１０………マルチチップモジュール基板 ３１０………錫パッド ３１１………アウターリード先端部 ３１２………一括加熱接合ツール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０８Ｇ 59/17 ＮＨＧ Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｓ (72)発明者 中村 清智 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 馬 蔚国 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁性基材もしくは金属基材の表面上に、
    絶縁層と配線層とが順次積層された回路基板及び該回路
    基板の配線導体の始端が半導体集積回路と接続され、終
    端が外部回路と接続されてなる半導体装置において、 前記絶縁層が化合物中のエポキシ基の少なくとも一つ以
    上がアクリル変性もしくはメタクリル変性したエポキシ
    樹脂化合物、光重合性モノマー、光重合開始剤、フィラ
    ー、硬化剤及び有機溶剤からなる感光性樹脂組成物で形
    成されており、 前記アクリル変性もしくはメタクリル変性したエポキシ
    樹脂化合物は、アクリル変性もしくはメタクリル変性し
    たテトラグリシジルジアミノフェニルメタンからなるこ
    とを特徴とする感光性樹脂組成物。
  2. 【請求項２】前記アクリル変性もしくはメタクリル変性
    したテトラグリシジルジアミノフェニルメタンは、テト
    ラグリシジルジアミノフェニルメタン１．０化学当量に
    対し、不飽和一塩基酸を０．３から０．８化学当量の割
    合で混合し、反応させて得られたものであることを特徴
    とする請求項１記載の感光性樹脂組成物。
  3. 【請求項３】前記フィラーとして、平均粒径５．０μｍ
    から０．１μｍの無機フィラー及び有機フィラーの少な
    くとも一方のフィラーを用いることを特徴とする請求項
    １または請求項２記載の感光性樹脂組成物。
  4. 【請求項４】絶縁性基材もしくは金属基材の表面上に、
    絶縁層と配線層とが順次積層された回路基板及び該回路
    基板の配線導体の始端が半導体集積回路と接続され、終
    端が外部回路と接続されてなる半導体装置において、 前記絶縁層が請求項１乃至請求項３のいずれか一項記載
    の感光性樹脂組成物から形成されていることを特徴とす
    る半導体装置。
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Cited By (4)

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