JPH096749A - デジタル信号処理プロセッサ - Google Patents

デジタル信号処理プロセッサ

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JPH096749A
JPH096749A JP7147969A JP14796995A JPH096749A JP H096749 A JPH096749 A JP H096749A JP 7147969 A JP7147969 A JP 7147969A JP 14796995 A JP14796995 A JP 14796995A JP H096749 A JPH096749 A JP H096749A
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JP7147969A
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Yuji Hatano
雄治 波多野
Atsushi Kiuchi
淳 木内
Hideya Suzuki
秀哉 鈴木
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電源遮断後のレジスタのイニシャライズ処理
に要する時間を軽減したデジタル信号処理プロセッサ
(DSP)を得る。 【構成】 DSP20は、データレジスタ104のデー
タに演算処理を加えてデータレジスタに戻す演算ユニッ
ト101、データメモリ103や演算ユニットの各ブロ
ックの状態を監視して各ブロックに制御信号を供給する
アドレスレジスタ105や演算制御レジスタ321等を
含む制御ユニット102、X,Yアドレスバス311,
312、X,Yデータバス313,314、バス制御ユ
ニット301等からなる。制御ユニットの一部のレジス
タは、フラッシュEEPROMで構成する。フラッシュ
セルの書込みに必要な多サイクルの間、他の処理を停止
させるためのストール信号を発行するように、バス制御
ユニットに対してストール強制発行信号を出力するフラ
ッシュレジスタ書込検出回路330を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はデジタル信号処理プロセ
ッサに係り、特に少なくとも1つのレジスタが、電気的
に書替えできると共に電源を落としても内容を保持可能
なフラッシュEEPROMで構成されたデジタル信号処
理プロセッサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の代表的なデジタル信号処理プロセ
ッサの構成を図1に示す。図1は、デジタル信号処理プ
ロセッサの要部を示すブロック回路図である。図1にお
いて参照符号10はデジタル信号処理プロセッサを示
し、このデジタル信号処理プロセッサ10は、データレ
ジスタ104及び演算器106などからなる演算ユニッ
ト101と、アドレスレジスタ105、演算制御レジス
タ121、エラーマスクレジスタ122、エラーステー
タスレジスタ123などの制御レジスタからなる制御ユ
ニット102と、データメモリ103と、アドレスバス
111と、データバス113とから少なくとも構成され
る。
【0003】このような構成のデジタル信号処理プロセ
ッサ10の各部は、次のように動作する。アドレスレジ
スタ105からアドレスバス111にアドレスデータが
書き込まれると、これに対応してデータメモリ103は
アドレスバス111によりアクセスされたアドレスの内
容をデータバス113に書き出すか、またはデータバス
113からアクセスされたアドレスにデータを読み込
む。これと同期してデータレジスタ104にはデータバ
ス113の内容が書き込まれるか、またはデータバス1
13にデータレジスタ104の内容が書き出される。演
算ユニット101は、データレジスタ104のデータを
演算器106で演算処理してデータレジスタ104に戻
す。制御ユニット102は、データメモリ103と演算
ユニット101の各ブロックの状態を観測しながら各ブ
ロックに制御信号を供給する。尚、制御ユニット102
には、図示していないが、アドレスレジスタ105以外
にも多くの制御レジスタが含まれ、プログラム制御によ
る処理の融通性を実現している。この種のデジタル信号
処理プロセッサについては、例えば、電子情報通信学会
誌Vol.72,No.7の第757〜765頁(19
89年7月)等に開示されている。
【0004】上記構成の中でレジスタ104,105,
121等は電気的に書替える要求が発生するので、通常
図2に示すようなSRAMセルで構成されている。SR
AMセルは入力ゲート201と、出力ゲート202と、
4個のMOSトランジスタからなるデータを保持するた
めのフリップフロップ203とで構成されている。
【0005】SRAMセルは電気的に高速に書替え可能
であるため、CMOSLSI内では幅広く使用されてい
るが、SRAMセルは電源を落とすと記憶内容が消失す
る。従って、電源遮断後に処理を再開する場合、処理を
再開する前にレジスタのイニシャライズ処理、すなわち
各レジスタに必要なデータを一語づつ再設定する処理が
必要である。
【0006】一方、電気的に書替え可能な不揮発性の記
憶素子として、フラッシュEEPROMが知られてい
る。このフラッシュEEPROMを用いてレジスタを構
成できれば、電源が落ちてもレジスタのイニシャライズ
処理を行なうことなく、電源復旧後直ちに処理が再開可
能なデジタル信号処理プロセッサを実現することができ
る。更に、フラッシュEEPROMはデータ保持部分を
1トランジスタ/1セルで構成できるため、データ保持
部分に4トランジスタ/1セルを必要とするSRAMセ
ルよりも高集積度のレジスタを実現できることになる。
【0007】しかしながら、フラッシュEEPROM
は、読み出しはSRAMセルと同程度に高速に実現でき
るものの、書替えに際して、以前に書かれていたデータ
を消去する動作が必要であるため、この消去及び再書込
み動作に多くの時間を必要とする難点がある。通常、レ
ジスタはプログラムの1実行サイクル内に読み出しまた
は書き込みを行わなくてはならない。このため、フラッ
シュEEPROMをレジスタに用いることはできなかっ
た。
【0008】現在、フラッシュEEPROMをLSI上
に集積化したマイクロコンピュータとしては、例えば1
994年7月発行の日立評論(Vol.76,No.
7)の第13〜16頁に記載されたものがある。しか
し、このマイクロコンピュータにおいては、メモリの一
部の領域をフラッシュEEPROMで構成しているだけ
で、レジスタをフラッシュEEPROMで構成してはい
ない。また、フラッシュEEPROMの消去及び再書込
みは、マイクロコンピュータ本来のプログラム処理の中
で行うのではなく、一旦プログラム処理を終了して、マ
イクロコンピュータ外部からの設定に基づき、消去及び
再書込みのみを専従で実行している。これは、フラッシ
ュEEPROMの消去及び再書込みに、プログラムの1
実行サイクルとは桁違いの長い時間が必要となっている
ためである。
【0009】ところで、先に述べた従来のデジタル信号
処理プロセッサ10におけるレジスタに関し、データレ
ジスタ104、アドレスレジスタ105、演算制御レジ
スタ121等の全てのレジスタが信号処理プログラムの
1実行サイクル内に書き込みを行わなくてはならないわ
けではない。データレジスタ、アドレスレジスタ、およ
び制御レジスタの一部はプログラムの1実行サイクル内
に読み出しまたは書き込みを完了することが必須である
が、制御レジスタの中には消去及び再書込みをプログラ
ムの1実行サイクル内に完了することが必須ではないも
のも含まれている。
【0010】例えば、図1における演算制御レジスタ1
21は、演算ユニット101内の演算器106に対する
オーバーフロープロテクション等の実行の有無を制御す
る。また、エラーマスクレジスタ122は、演算ユニッ
ト101内の演算器106においてオーバーフロー等の
エラーが発生した場合に、エラーステータスレジスタ1
23の対応するビットにその発生を登録するのをビット
対応で制御する。これらのレジスタは書替えが頻繁では
ないため、適当なプログラムの実行制御手段を提供でき
れば、書替えに多サイクルを充当することが可能であ
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、一部のレジスタを不揮発性のフラッシュEEPRO
Mで構成すると共に、電源遮断後のレジスタのイニシャ
ライズ処理に要する時間を軽減するために、フラッシュ
EEPROMの消去及び再書込みに必要な多サイクルの
充当を可能にする適当なプログラムの実行制御手段を有
したデジタル信号処理プロセッサを提供することにあ
る。
【0012】また、本発明の別の目的は、一部のレジス
タをフラッシュEEPROMで構成することにより、レ
ジスタの集積度を上げたデジタル信号処理プロセッサを
提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るデジタル信号処理プロセッサは、演算
部と制御部とメモリとこれらを接続するバスとを含むデ
ジタル信号処理プロセッサにおいて、制御部内の複数の
レジスタの少なくとも1つのレジスタを、フラッシュE
EPROMで構成すると共に、該フラッシュEEPRO
Mで構成されたレジスタの書込み実行中は、該レジスタ
のデータ書込み動作以外の信号処理動作を停止させるプ
ログラム実行制御手段を備えたことを特徴とするもので
ある。
【0014】ここで、前記プログラム実行制御手段は、
前記複数のレジスタから前記バスを介してアクセスされ
るアドレスが競合した際にレジスタのアクセスの動作順
序を整理するための動作停止信号であるストール信号を
発行するストール信号発行回路と、前記フラッシュEE
PROMで構成されたレジスタの書込みアクセス及び終
了を検出するフラッシュレジスタ書込検出回路とから構
成され、前記書込み動作中にフラッシュレジスタ書込検
出回路が、前記ストール信号発行回路に対してストール
信号を発行するようにストール強制発行信号を出力する
ものである。
【0015】或いは、前記メモリが複数の領域に分割さ
れていて前記バスが複数本から成る場合、すなわち図3
に示すようにデータメモリ103が複数のページに分割
されてXアドレスバスとYアドレスバスの複数本のバス
から成る場合、前記プログラム実行制御手段は、複数本
のバスが指し示すアドレスが競合した際に競合したバス
からのアクセスの動作順序を整理するための動作停止信
号であるストール信号を発行するバス制御ユニット30
1と、前記フラッシュEEPROMで構成されたレジス
タの書込みアクセス及び終了を検出するフラッシュレジ
スタ書込検出回路330とから構成され、前記書込み動
作中にフラッシュレジスタ書込検出回路330が、前記
バス制御ユニット301に対してストール信号を発行す
るようにストール強制発行信号331を出力するもので
ある。
【0016】また、前記フラッシュレジスタ書込検出回
路は、データ書込み指定された制御部内のレジスタに対
する内部アドレスが、前記フラッシュEEPROMで構
成されたレジスタの内部アドレスと一致した際にその書
込みデータを取り込むと共に前記ストール強制発行信号
を出力し、所定時間経過後に前記フラッシュEEPRO
Mで構成されたレジスタの書込み検証を行い、検証成功
の場合に前記ストール強制発行信号を停止し、検証不成
功の場合に取り込まれた書込みデータを用いて該レジス
タに対して再度書込みを行なうと共に前記ストール強制
発行信号を送出し続けるように構成すれば好適である。
【0017】更に、前記フラッシュEEPROMで構成
するレジスタは、書込みが頻繁ではない演算制御レジス
タ、エラーマスクレジスタ、エラーステータスレジスタ
の少なくともいずれか1つとすれば好適である。
【0018】
【作用】本発明に係るデジタル信号処理プロセッサによ
れば、制御部内の複数のレジスタの少なくとも1つのレ
ジスタを、フラッシュEEPROMで構成すると共に、
該フラッシュEEPROMで構成されたレジスタの書込
み実行中は、該レジスタのデータ書込み動作以外の信号
処理動作を停止させるプログラム実行制御手段を備えた
ことにより、電源遮断時のイニシャライズ処理に要する
時間を軽減できると共に、通常動作時にはフラッシュE
EPROMで構成するレジスタの書込み時にプログラム
を一旦終了させること無く一時停止させた状態で書込む
ことが可能となる。
【0019】前記プログラム実行制御手段のストール信
号発行回路は、通常動作時には、前記複数のレジスタか
ら前記バスを介してアクセスされるアドレスが競合した
際にレジスタのアクセスの動作順序を整理するための動
作停止信号であるストール信号を発行し、前記フラッシ
ュEEPROMで構成されたレジスタの書込み時には、
フラッシュレジスタ書込検出回路からのストール強制発
行信号により、ストール信号を発行して前記フラッシュ
EEPROMで構成されたレジスタの書込み動作以外の
信号処理を停止させる。
【0020】或いは、前記メモリが複数の領域に分割さ
れていて前記バスが複数本から成る場合、すなわち図3
に示すようにデータメモリ103が複数のページに分割
されてXアドレスバスとYアドレスバスの複数本のバス
から成る場合、前記プログラム実行制御手段のストール
信号発行回路は、複数本のバスが指し示すアドレスが競
合した際に競合したバスからのアクセスの動作順序を整
理するバス制御ユニットを兼用することができる。
【0021】また、前記フラッシュレジスタ書込検出回
路は、制御部内のデータ書込み指定されたレジスタに対
する内部アドレスを監視し、指定された内部アドレス
が、前記フラッシュEEPROMで構成されたレジスタ
に割り当てられた内部アドレスと一致した際には、その
書込みデータを取り込むと共に前記ストール強制発行信
号をストール信号発行回路またはバス制御ユニットへ送
出して、前記フラッシュEEPROMで構成されたレジ
スタの書込み動作以外のプログラム信号処理を一時停止
させる。そして、所定時間経過後すなわちフラッシュE
EPROMの1回の書込みサイクル(消去−書き込み)
に要する時間経過後に前記フラッシュEEPROMで構
成されたレジスタの書込み検証を行い、検証成功の場合
には前記ストール強制発行信号を停止して他の信号処理
動作を再開させ、検証不成功の場合には前記ストール強
制発行信号を送出し続けて他の信号処理動作を停止させ
たままにすると共に、取り込んだ前記書込みデータを用
いて該レジスタに対して再度書込みを行なうように動作
する。
【0022】更に、前記フラッシュEEPROMで構成
するレジスタを、書込みが頻繁ではない演算制御レジス
タ、エラーマスクレジスタ、エラーステータスレジスタ
の少なくともいずれか1つとすることにより、フラッシ
ュEEPROMの書込みに必要な多サイクルを充当する
ことができ、プログラムを一旦終了させて書込みせず
に、プログラムの一時停止だけで書込みを行うことがで
きる。
【0023】尚、デジタル信号処理プロセッサにおい
て、ストール信号は、複数のアドレスバスの指し示すア
ドレスが競合した場合に、それらの動作順序を整理する
働きを有するものである。例えば、デジタル信号処理プ
ロセッサが演算器の有効活用のためX,Yという2つの
バスを保有する場合、データメモリはX,Y両アドレス
バスからのアクセスを許容するために複数の領域(ペー
ジ)に分割されるのが一般的であり、X,Y両アドレス
バスが同一のページ内のアドレスを指し示した場合に、
第1サイクルにおいてXアドレスバスの指し示すデータ
の転送を行い、第2サイクルにおいてYアドレスバスの
指し示すデータの転送を行うようにデジタル信号処理プ
ロセッサ各構成要素の制御がなされる。すなわち、この
場合第1サイクルの途中から第2サイクルの途中までの
間、ストール信号が発行され、各ブロックがこのストー
ル信号を検出して第2サイクルにおいて上記データ転送
以外の動作が停止される。
【0024】
【実施例】次に、本発明に係るデジタル信号処理プロセ
ッサの実施例につき、添付図面を参照しながら以下詳細
に説明する。
【0025】図3は、本発明に係るデジタル信号処理プ
ロセッサの一実施例を示す要部ブロック図である。尚、
同図において図1に示した従来の構成部分と同一の構成
部分については、同一の参照符号を付して説明する。本
実施例のデジタル信号処理プロセッサ20は、データレ
ジスタ104及び演算器106などからなる演算ユニッ
ト101と、アドレスレジスタ105、演算制御レジス
タ321、エラーマスクレジスタ322、エラーステー
タスレジスタ323などの制御レジスタ及びフラッシュ
レジスタ書込検出回路330からなる制御ユニット10
2と、バス制御ユニット301と、データメモリ103
と、Xアドレスバス311と、Yアドレスバス312
と、Xデータバス313と、Yデータバス314とから
少なくとも構成される。なお、データメモリ103は、
Xアドレスバス311とYアドレスバス312の両アド
レスバスからのアクセスを許容するために、複数のペー
ジに分割されている。
【0026】このように構成されるデジタル信号処理プ
ロセッサ20の各部は、次のように動作する。アドレス
レジスタ105からXアドレスバス311,Yアドレス
バス312にアドレスデータが書き込まれると、これに
対応してデータメモリ103は、Xアドレスバス311
によりアクセスされたアドレスの内容をXデータバス3
13に、Yアドレスバス312によりアクセスされたア
ドレスの内容をYデータバス314にそれぞれ書き出す
か、またはXデータバス313,Yデータバス314か
らアクセスされたアドレスにデータを読み込む。これと
同期してデータレジスタ104にはXデータバス31
3,Yデータバス314の内容が書き込まれるか、また
はXデータバス313,Yデータバス314にデータレ
ジスタ104の内容が書き出される。演算ユニット10
1は、データレジスタ104のデータを演算器106で
演算処理してデータレジスタ104に戻す。制御ユニッ
ト102は、データメモリ103と演算ユニット101
の各ブロックの状態を観測しながら各ブロックに制御信
号を供給する。
【0027】また、フラッシュレジスタ書込検出回路3
30は、制御回路内のフラッシュEEPROMで構成さ
れたレジスタの内部アドレスバスを常に監視し、書込み
アクセスされた内部アドレスがフラッシュEEPROM
で構成されたレジスタに割り当てられた内部アドレスと
一致した場合、すなわちフラッシュEEPROMで構成
されたレジスタが書込み駆動された場合に、書込みデー
タを取り込むと共にバス制御ユニット301に対してス
トール強制発行信号331を送信する。そして、フラッ
シュEEPROMの消去−書込みに必要な一定時間経過
後、検証動作を行い、書込みが終了していればストール
強制発行信号331の出力を停止し、検証不成功の場合
にはストール強制発行信号331を出力し続けると共
に、取り込んだ書込みデータを用いてそのレジスタの再
書込みを行うように動作する。
【0028】なお、制御ユニット102にはアドレスレ
ジスタ105以外にも下記の制御レジスタが含まれ、プ
ログラム制御による処理の融通性を実現している。演算
制御レジスタ321は、演算ユニット101内の演算器
106に対するオーバーフロープロテクション等の実行
の有無を制御する。エラーマスクレジスタ322は、演
算ユニット101内の演算器106においてオーバーフ
ロー等のエラーが発生した場合に、エラーステータスレ
ジスタ323の対応するビットにその発生を登録するの
をビット対応で制御する。本実施例では、演算制御レジ
スタ321及びエラーマスクレジスタ322にフラッシ
ュEEPROMが適用されている。
【0029】ここで、図4にフラッシュEEPROMが
適用されているレジスタの一構成例を示す。同図におい
て参照符号401はフラッシュセルを示し、各フラッシ
ュセル401のドレイン端子402はそれぞれPMOS
403を介して各ビット線404に接続されると共に、
ソース端子405はそれぞれNMOS406を介して共
通ソース端子407に接続されている。また、各PMO
S403のゲート端子同士、各フラッシュセル401の
ゲート端子同士、及び各NMOS406のゲート端子同
士はそれぞれ共通に接続され、それぞれのゲート端子同
士には制御入力SG1、ワード入力W、制御入力SG2
が加えられる。これらの入力は、それぞれワード毎に共
通に印加されている。各ビット線404の入出力値Di
(ここでは、一例としてi=0〜15)は、ビット線毎
に異なる。また、各共通ソース端子407には共通ソー
ス信号Sが印加されている。更に、各フラッシュセル4
01の基板端子409同士は基板電源電極408に共通
接続され、この基板電源電極408には基板入力Vwが
印加されている。
【0030】レジスタを構成するフラッシュセル401
の動作は、(i)消去、(ii)書き込み、(iii)読み出しの3
つの動作モードからなる。ここで、これらの各動作に対
する制御入力SG1、ワード入力W、制御入力SG2、
ビット選出力値Di、共通ソース入力S、および基板入
力Vwの各電圧変化の状態を、図5に示す。
【0031】(i) 消去:消去は、共通ソース入力S及び
基板入力Vwを負電位(図5の例では−4V)とした状
態で、制御入力SG1,SG2を正電位(図5の例では
3V)にしてPMOS403をオフし、NMOSをオン
することにより、フラッシュセル401のソース端子4
05を負電位に、ドレイン端子402を開放状態とし、
更にワード入力Wに正電位(図5の例では12V)を印
加することにより行なう。この時ワード入力Wが0電位
であれば消去は行なわれない。
【0032】(ii)書き込み:書き込みは、ワード入力W
を負電位(図5の例では−10V)、基板入力Vwを0
電位、ビット線Diに“1”/“0”入力(図5の例で
はそれぞれ4V/0Vに対応)を設定した状態で、制御
入力SG1を0電位にしてPMOSをオン、制御入力S
G2を0電位にしてNMOSをオフすることにより、フ
ラッシュセル401のソース端子405を開放状態と
し、ドレイン端子402にビット線設定電位Diを印加
することにより行う。この時、ビット線入力Diが正電
位(図5の例では4V)であれば“1”が書き込まれ、
0電位であれば“0”が書き込まれる。
【0033】(iii) 読み出し:読み出しは、ワード入力
Wを正電位(図5の例では3V)、基板入力Vwを0電
位、共通ソース入力Sを0電位とし、ビット線Diに正
電圧(図5の例では1V)を印加した状態で、制御入力
SG1を0電位にしてPMOSをオン、制御入力SG2
を正電位(図5の例では3V)にしてNMOSをオンと
することにより、フラッシュセル401のソース端子4
05を0電位とし、ドレイン端子402にビット線正電
位Diを印加することにより行う。この時、フラッシュ
セル401に“1”が書き込まれていればビット線40
4から共通ソース端子407に電流が流れるが、“0”
が書き込まれていれば電流が流れない。
【0034】尚、フラッシュセルで構成したレジスタに
データを書き込む場合には、先ず書き込みに先だって
(i)の消去動作を行い、次いで(ii)の書き込み動作を行
ってから、(iii)の読み出し動作を行って書き込みデー
タと一致しているか検証し、一致していなければ(ii)の
書き込み動作を再び行い、(iii)の読み出し動作により
再度検証するという消去−書き込み−検証の一連の動作
を行う必要がある。
【0035】一方、図3においてバス制御ユニット30
1は、Xアドレスバス311とYアドレスバス312の
指し示すアドレスが競合した場合に、それらの動作順序
を整理する働きを有する。データメモリ103は、X,
Y両アドレスバス311,312からのアクセスを許容
するために複数の領域(ページ)に分割されている。
X,Y両アドレスバス311,312が同一のページ内
のアドレスを指し示した場合、すなわち競合した場合、
プログラム実行サイクルの第1サイクルにおいてXアド
レスバス311の指し示すデータの転送を行い、第2サ
イクルにおいてYアドレスバス312の指し示すデータ
の転送をそれぞれ行う。この間バス制御ユニット301
は第1サイクルの途中から第2サイクルの途中にかけて
ストール信号を発行し、演算ユニット101、制御ユニ
ット102、およびデータメモリ103の各ブロックは
このストール信号を検出して第2サイクルにおいて上記
データ転送以外の動作を停止させる。これにより、演算
ユニット101、制御ユニット102、およびデータメ
モリ103の各ブロックの動作とバスにおけるデータ転
送の進行との同期が保たれる。
【0036】本実施例のデジタル信号処理プロセッサ2
0では、このバス制御ユニット301を、フラッシュセ
ルを使用する制御レジスタの消去/書き込み期間に対し
てもストール信号を発行するようにし、フラッシュセル
で構成されたレジスタの消去/書き込みのためのデータ
転送以外の動作を停止するようにしている。
【0037】図6に、本実施例のデジタル信号処理プロ
セッサ20におけるデータメモリ103、レジスタ10
4,105及びこれらを接続するバス311〜314の
動作タイミング図を示す。1クロックサイクル内をt
0,t1,t2,t3の4区間に分割するとすると、X
アドレスバス311またはYアドレスバス312の内容
はバス制御ユニット301によりt3タイミングで変更
される。これに伴い、データメモリ103はアクセスさ
れたアドレスの内容をXデータバス313またはYデー
タバス314にt1タイミングにおいて出力する。Xデ
ータバス313またはYデータバス314はt0〜t1
タイミングにおいてプリチャージされており、t1タイ
ミングにて目的値に変化した後、次のサイクルのt0タ
イミングまでその値を保持する。同様にデータレジスタ
104とアドレスレジスタ105の内容はt2タイミン
グで変更される。
【0038】ここで、Xアドレスバス311とYアドレ
スバス312のそれぞれ指し示すページが第1サイクル
において競合した場合の、各バスの動作タイミング図を
図7に示す。この場合、第1サイクルのt1タイミング
から第2サイクルのt1タイミングまでストール信号が
持続し、第1サイクルにおいてXデータバス313を介
したデータ転送が、第2サイクルにおいてYデータバス
314を介したデータ転送が連続して行われる。このス
トール信号を各ブロックが検出することにより、第2サ
イクルにおいて上記データ転送に関わる動作以外は全て
停止される。尚、このストール信号は、バス制御ユニッ
ト301がXアドレスバス311とYアドレスバス31
2のアドレスの競合を検出することにより発行される。
【0039】次に、本実施例のデジタル信号処理プロセ
ッサ20の、フラッシュEEPROMにより構成された
レジスタがアクセスされた場合の動作タイミング図を、
図8に示す。同図において、参照符号801で示した期
間は、フラッシュEEPROM以外で構成された通常の
レジスタがアクセスされているサイクルである。また、
参照符号802で示した期間はフラッシュEEPROM
で構成されたレジスタが書き込みアクセスされているサ
イクルであり、803で示した期間はフラッシュEEP
ROMで構成されたレジスタが読み出しアクセスされて
いるサイクルである。
【0040】フラッシュEEPROMで構成されたレジ
スタが書き込みアクセスされると、前述したように先
ず、レジスタの内容が消去される。続いて、レジスタに
必要なデータが書き込まれる。更に続いて、レジスタの
内容が読み出され、書き込まれているべき値と一致する
か検証が行われる。検証の結果、両者が一致すれば書き
込み動作は完了する。以上の消去−書き込み−検証の一
連の処理サイクルの間、ストール信号804が発行され
ており、上記フラッシュEEPROMで構成されたレジ
スタの消去、書き込み、検証以外のデジタル信号処理プ
ロセッサ20内の全動作は停止する。なお、フラッシュ
EEPROMで構成されたレジスタが、読み出しのみの
アクセスがなされているサイクルにおいては、フラッシ
ュEEPROM以外の通常のレジスタがアクセスされて
いるサイクルと全く動作は同様である。
【0041】次に、第1回目の消去−書き込み−検証の
一連のサイクルにおいて、検証時に読み出された値が書
き込まれているべき値と一致しない場合の動作タイミン
グを、図9に示す。第1回目の検証不成功後、引き続い
て第2回目の消去−書き込み−検証の一連の処理が行わ
れるが、この時、消去−書き込みには第1回目よりも長
い時間がかけられる。この間、バス制御ユニット301
はストール信号を継続して発行し続ける。このストール
信号の継続は、フラッシュEEPROMで構成された演
算制御レジスタ321またはエラーマスクレジスタ32
2が書き込みアクセスされると、フラッシュレジスタ書
込検出回路330がこれを検出し、バス制御ユニット3
01に対してストール強制発行信号331を出力するこ
とにより、行うことができる。
【0042】ここで、図10に、本実施例のデジタル信
号処理プロセッサ20で使用可能なフラッシュEEPR
OMを用いた制御レジスタの別の構成例を示す。同図に
おいて、図4に示したレジスタの構成部分と同一構成部
分には同一の参照符号を付して、その詳細な説明は省略
する。すなわち、図10の制御レジスタは、フラッシュ
セル401がnワードあり、ワード入力Wj(j=0〜
n−1)により第jワードを選択できる構成となってい
いる点が図4に示したレジスタの構成と相違する。この
ように構成される制御レジスタは、動作モード、使用中
のタスクに基づき異なるワードを選択できる。この選択
切り替えは瞬時に実行可能であるため、レジスタの退
避、再書き込みといった手間をかけずに動作モードの変
更が可能になるという利点がある。
【0043】以上、本発明の好適な実施例について説明
したが、本発明は前記実施例に限定されることなく、例
えば、実施例では複数本のバスによりアクセスされるア
ドレスが競合した際にアクセスの動作順序を整理するア
ドレス制御ユニットの発行するストール信号を用いる場
合ついて示したが、1つのバスを介して複数のレジスタ
からアクセスされるアドレスが競合した際にレジスタの
アクセスの動作順序を整理するための動作停止信号を出
力する回路の信号を用いても同様に実行でき、本発明の
精神を逸脱しない範囲内において種々の設計変更をなし
得ることは勿論である。
【0044】
【発明の効果】前述した実施例から明らかなように、本
発明によれば、フラッシュEEPROMを適用したレジ
スタの消去及び再書込みに必要な多サイクルの間、プロ
グラムの進行を停止させるプログラム実行制御手段とし
て、複数のアドレスバスがデータメモリの同一のページ
内のアドレスを差し示した場合に各バスからのアクセス
を順序付けて制御するために、バス制御ユニットが発行
するストール信号を用いるように構成したことにより、
デジタル信号処理プロセサの一部のレジスタを不揮発性
のフラッシュEEPROMで構成しても、ハードウェア
の増加を最小限に抑えることができる。
【0045】また、デジタル信号処理プロセッサの一部
のレジスタを不揮発性のフラッシュEEPROMで構成
することにより、電源遮断後のレジスタのイニシャライ
ズ処理に要する時間を軽減することが可能になる。
【0046】更に、デジタル信号処理プロセッサの一部
のレジスタをフラッシュEEPROMで構成することに
より、その分、より集積度を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の代表的なデジタル信号処理プロセッサの
構成を示す要部ブロック回路図である。
【図2】SRAMセルを用いた従来のレジスタの構成図
である。
【図3】本発明に係るデジタル信号処理プロセッサの構
成の一実施例を示す要部ブロック回路図である。
【図4】図3に示したデジタル信号処理プロセッサのフ
ラッシュEEPROMで構成したレジスタの一例を示す
要部回路図である。
【図5】図4に示したフラッシュEEPROMで構成し
たレジスタの消去、書き込み、読み出し動作時の各端子
の印加電圧状態を示す電圧波形図である。
【図6】図3に示したデジタル信号処理プロセッサにお
けるデータメモリ、レジスタ及びこれらを接続するバス
の動作タイミングを示す図である。
【図7】図3に示したデジタル信号処理プロセッサにお
けるXアドレスバスとYアドレスバスの指し示すページ
が競合した場合の各バスの動作タイミングを示す図であ
る。
【図8】図3に示したデジタル信号処理プロセッサのフ
ラッシュEEPROMで構成したレジスタが書込みアク
セスされた場合の動作タイミングを示す図である。
【図9】図8に示した書込みアクセスの検証動作で検証
不成功の場合の再書込み動作の動作タイミングを示す図
である。
【図10】図3に示したデジタル信号処理プロセッサの
フラッシュEEPROMで構成したレジスタの別の例を
示す要部回路図である。
【符号の説明】
20…デジタル信号処理プロセッサ、 101…演算ユニット、 102…制御ユニット、 103…データメモリ、 104…データレジスタ、 105…アドレスレジスタ、 106…演算器、 301…バス制御ユニット、 311…Xアドレスバス、 312…Yアドレスバス、 313…Xデータバス、 314…Yデータバス、 321…演算制御レジスタ、 322…エラーマスクレジスタ、 323…エラーステータスレジスタ、 330…フラッシュレジスタ書込検出回路、 331…ストール強制発行信号、 401…フラッシュセル、 402…フラッシュセルのドレイン端子、 403…PMOS、 404…ビット線、 405…フラッシュセルのソース端子、 406…NMOS、 407…共通ソース端子、 408…基板電極端子、 409…フラッシュセルの基板端子、 804…ストール信号。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】演算部と制御部とメモリとこれらを接続す
    るバスとを含むデジタル信号処理プロセッサにおいて、
    制御部内の複数のレジスタの少なくとも1つのレジスタ
    を、フラッシュEEPROMで構成すると共に、該フラ
    ッシュEEPROMで構成されたレジスタの書込み実行
    中は、該レジスタのデータ書込み動作以外の信号処理動
    作を停止させるプログラム実行制御手段を備えたことを
    特徴とするデジタル信号処理プロセッサ。
  2. 【請求項2】前記プログラム実行制御手段は、前記複数
    のレジスタから前記バスを介してアクセスされるアドレ
    スが競合した際にレジスタのアクセスの動作順序を整理
    するための動作停止信号であるストール信号を発行する
    ストール信号発行回路と、前記フラッシュEEPROM
    で構成されたレジスタの書込みアクセス及び終了を検出
    するフラッシュレジスタ書込検出回路とから構成され、
    前記書込み動作中にフラッシュレジスタ書込検出回路
    が、前記ストール信号発行回路に対してストール信号を
    発行するようにストール強制発行信号を出力して成る請
    求項1記載のデジタル信号処理プロセッサ。
  3. 【請求項3】前記メモリが複数の領域に分割されていて
    前記バスが複数本から成る場合、前記プログラム実行制
    御手段は、複数本のバスが指し示すアドレスが競合した
    際に競合したバスからのアクセスの動作順序を整理する
    ための動作停止信号であるストール信号を発行するバス
    制御ユニットと、前記フラッシュEEPROMで構成さ
    れたレジスタの書込みアクセス及び終了を検出するフラ
    ッシュレジスタ書込検出回路とから構成され、前記書込
    み動作中にフラッシュレジスタ書込検出回路が、前記バ
    ス制御ユニットに対してストール信号を発行するように
    ストール強制発行信号を出力して成る請求項1記載のデ
    ジタル信号処理プロセッサ。
  4. 【請求項4】前記フラッシュレジスタ書込検出回路は、
    データ書込み指定された制御部内のレジスタに対する内
    部アドレスが、前記フラッシュEEPROMで構成され
    たレジスタの内部アドレスと一致した際にその書込みデ
    ータを取り込むと共に前記ストール強制発行信号を出力
    し、所定時間経過後に前記フラッシュEEPROMで構
    成されたレジスタの書込み検証を行い、検証成功の場合
    に前記ストール強制発行信号を停止し、検証不成功の場
    合に取り込まれた書込みデータを用いて該レジスタに対
    して再度書込みを行なうと共に前記ストール強制発行信
    号を出力し続けるように構成されて成る請求項2または
    請求項3記載のデジタル信号処理プロセッサ。
  5. 【請求項5】前記フラッシュEEPROMで構成するレ
    ジスタは、書込みが頻繁ではない演算制御レジスタ、エ
    ラーマスクレジスタ、エラーステータスレジスタの少な
    くともいずれか1つである請求項1〜4のいずれか1項
    に記載のデジタル信号処理プロセッサ。
JP7147969A 1995-06-15 1995-06-15 デジタル信号処理プロセッサ Pending JPH096749A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010108253A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Hitachi Ltd 不揮発性メモリを主記憶に用いた装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010108253A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Hitachi Ltd 不揮発性メモリを主記憶に用いた装置

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