JPH09506720A - 陽子交換導波路デバイスの偏光消光比を改善するための空間フィルタ - Google Patents

陽子交換導波路デバイスの偏光消光比を改善するための空間フィルタ

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JPH09506720A JP8501203A JP50120395A JPH09506720A JP H09506720 A JPH09506720 A JP H09506720A JP 8501203 A JP8501203 A JP 8501203A JP 50120395 A JP50120395 A JP 50120395A JP H09506720 A JPH09506720 A JP H09506720A
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Abstract

(57)【要約】 ガイドされない放射のクロスカップリングを低減させる位置に配置された空間フィルタを有する陽子交換偏光子。LiNbO3またはLiTaO3で形成された光伝送性基板を使用する。該基板は、ガイドされないTMモード光が基板の出力端に到達するのを阻止するよう基板の底面上の一次反射点に配置された空間フィルタを有する。該空間フィルタは、基板表面のソー切削、ダイヤモンド機械加工、エッチング、ミクロ機械加工、レーザ機械加工または表面傷形成あるいはこれらを組み合わせた加工のような物理的方法または化学的方法によって形成される。ガイドされないTMモード光は、透過領域の遮断または遮光によって減衰させられる。

Description

【発明の詳細な説明】 陽子交換導波路デバイスの偏光率を改善するための空間フィルタ 本発明は、陽子交換偏光子に関し、特に空間フィルタを用いて反射光を遮断す るための陽子交換偏光子に関する。 発明の背景 陽子交換(PE)法を用いて作られた光導波路には、独特の性質がいくつかあ る。陽子交換のプロセスは、異常光軸だけでしか屈折率を増加させず、そのため に1つの偏光状態しかガイドしない。他の偏光状態はガイドされず、最終的には 除去される。このような性質があるため、陽子交換導波路デバイスは必然的に非 常に高性能の偏光子(60dB以上)として用いられることになる。さらに、こ の性質のため、陽子交換導波路デバイスは、光ファイバジャイロ(FOG)の製 造に使用される多機能チップ用として、非常に魅力的な存在になっている。 発明の概要 本発明は、不必要なモードの光のクロスカップリングを一体化された空間フィ ルタによって減少させる陽子交換偏光子を提供するものである。本発明の空間フ ィルタにおいては、LiNbO3またはLiTaO3で形成された基板のような光 透過性基板が、ガイドしないTMモードの光を反射する底面を有する。光は入力 ファイバから発する。入力ファイバは、基板の一端に接続されており、基板の他 端には、ガイドされたTEモードの光を受け取る出力ファイバが接続されている 。基板の底面は、ガイドされないTMモード光を出力ファイバに結合する。この 結合は、光ファイバジャイロのような各種の偏光子の用途においては好ましくな い。基板の消光比は、空間フィルタを組み込むことによって改善することができ る。空間フィルタは、偏光子の底面に関して光の一次反射位置に置く。他の実施 形態においては、消光比をさらに改善するために、空間フィルタを二次反射点に 設けることも可能である。空間フィルタは、ソー切削、エッチング、ダイヤモン ド機械加工、ミクロ機械加工、あるいはレーザ機械加工のような物理的方法また は化学的方法によってバリアができているかどうかにより、基板の内部またはま たは 底面に配置する。空間フィルタは、ガイドされないTMモードの光の伝播を阻止 するよう作用する。 本発明のその他の目的、特徴及び長所については、当業者であれば実施形態の 説明、特許請求の範囲及び添付図面より明らかになると考えられ、添付図面中同 じ参照符号は土曜の構成要素・部分を指示する。 図面の簡単な説明 以下、本発明を図面に示す一実施形態により例示説明する。 図1Aは、陽子交換偏光子の概略側面図で、クロストークの仕組みが示されて いる。 図1Bは、陽子交換偏光子の概略上面図で、クロストークの仕組みが示されて いる。 図2は、本発明の方法を用いることによって偏光消光比が改善されることを示 すグラフである。 図3は、本発明の一体化された空間フィルタにおける陽子交換偏光子クロスカ ップリング除去方法及び装置を示す概略図である。 図4Aは、ガイドされないTMモードの一次反射を示す概略図である。 図4Bは、ガイドされないTMモードの二次反射を示す概略図である。 図5Aは、ダイシングソーで基板底面にスロットを切ることによって得られる 空間フィルタを示す斜視図である。 図5Bは、ダイシングソーを用いて得られる空間フィルタの側面図である。 図6Aは、ミクロ機械加工またはダイヤモンド研削によって基板底面に穴を設 けることにより得られる空間フィルタの斜視図である。 図6Bは、ダイヤモンド研削またはミクロ機械加工によって得られる空間フィ ルタを示す側面図である。 図7Aは、溝を有する基板の概略底面図である。 図7Bは、ミクロ機械加工またはエッチングで形成された溝を有する基板の斜 視図である。 図8は、ガイドされないTM光を反射防止層に吸収するために用いられる基板 底面上の反射防止コーティングを示す斜視図である。 発明の実施形態の詳細な説明 まず、クロストークのある陽子交換偏光子の概略図を示す図1Aを参照して説 明する。陽子交換偏光子10は、LiNbO3またはLiTaO3材の光透過性基 板16よりなる。陽子交換偏光子10は、さらに、光ファイバ12用の入力カッ プリングであるガラスフェルール20及び出力ファイバに接続されたガラスフェ ルール22を有する。光ファイバ12は、TEモード24及びTMモード26を 共に含む光を受け取る。TEモード24は光波の電気成分からなり、TMモード 26は光波の磁気成分からなる。TEモード光34は、大部分が陽子交換導波路 18によって光透過性基板16中をガイドされる。光が光ファイバ12から出る 時には、TMモード26はガイドされないTMモード30になる。TEモード2 4は、陽子交換導波路導波によってガイドされたTEモード光32になる。 ガイドされないTMモード光30は、光透過性基板16中を伝播する。偏光子 中で反射するガイドされないTMモード光の一部は外に逃げる。反射角28は、 各特定実施形態の寸法、特にガラスフェルール20とガラスフェルール22との 間の距離によって決まる。 TMモード、すなわちガイドされない光は、破線で示すように、基板16の底 面17で反射し、光ファイバ14を通って基板の外に出る。この反射されたガイ ドされないTMモード光36は、光ファイバジャイロのような様々な用途におい て望ましくない。 陽子交換導波路デバイスの開発中に、一部の装置は、予期したような非常に高 い消光比(60dB以上)を持たないということが分かった。また、偏光子の消 光比は装置の長さと共に小さくなるということも明らかになった。いろいろな装 置について研究した結果、クロストークの仕組みは、導波路18によってガイド されずにウェーハ16の底面17で反射されるTM光30にあるという結論が得 られた。反射TM光36を、次に出力ファイバ14によって集光した。偏光子の 長さが大きいほど、反射角が小さくなって、この集光量が増大すると考えられた 。この理論を確認するために、長さの異なるいくつかの偏光子について測定を行 った。 次に、図2を参照すると、この図には、本発明の陽子交換偏光子における消光 比の改善効果をプロットしたグラフが示されている。一実施形態においては、消 光比は40dBから57dBに改善された。 次に、図3を参照する。この図には、一体化された空間フィルタ34を基板1 6aに配置した陽子交換偏光子11が示されている。基板16aは、図1に示す のと同様に、光ファイバ12とフェルール20で接続され、光ファイバ14とフ ェルール22で接続されている。基板16aは、陽子交換導波路18が組み込ま れている。ガイドされないTMモード光30は、図1の場合同様に、光透過性の 基板16a中を伝播するが、基板16aに組み込まれた空間フィルタ34によっ て阻止される。空間フィルタ34は、光波の伝播を阻止することによって、反射 光が出力ファイバ14に入る光に再度結合されるのを防ぐ。このバリア、すなわ ち空間フィルタ34は、たとえば空間フィルタ34を基板16a中に物理的に堆 積させるなど、いくつかのプロセスにより好適な方法で形成することができる。 基板16aは、ソー切削よってガイドされないTMモード光30の伝播を妨げる 溝を形成してもよい。また、底面は、ダイヤモンド研削、エッチング、ミクロ機 械加工あるいはレーザ機械加工等の加工を行うことができる。あるいは、表面を 単にスクラッチ加工または同様の加工によって傷を形成するだけで、ガイドされ ないTMモード光30の伝播路に空間フィルタを設けることも可能である。 このように、反射TMモード光30は、基板16aの底面17に空間フィルタ 34を形成することによって実質的に取り除くことができる。空間フィルタ34 すなわちバリアを基板16a中に組み込むと、反射TMモード光30はほぼ全て 遮断される。しかしながら、反射が起こり得る経路は多数ある。高性能を達成す るためには、一次反射及び二次反射をほぼ完全に除去しなければならない。実験 的には、一次及び二次反射を十分に取り除くためには、等間隔で配置した3つの 空間フィルタが必要なことが分かっている。 次に、ガイドされないTMモード光の一次反射及び二次反射を示す図4を参照 して説明する。ガイドされないTMモード光36aは、光ファイバケーブル12 から光透過性基板16を通って光ファイバケーブル14へ一次反射される。ガイ ドされないTMモード光36bは、光ファイバケーブル12から基板16を通っ て基板の上面及び底面で何回も反射を繰り返した後光ファイバケーブル14へ伝 送される。当業者ならば、一次反射及び二次反射を共に減衰させるには、空間フ ィルタを一次反射位置にも二次反射位置にも設けなければならないということは 理解できよう。 次に、図5を参照して、ダイシングソーによって形成される空間フィルタを具 備した本発明の装置について説明する。図5は、38a、38b及び38cの3 つのスロットを有する基板16の斜視図である。スロット38a及び38cは二 次反射を減衰させるために用いられ、38bは、一次反射を除去するためのスロ ットである。基板16の底面には、図示のように、全長を横切る方向に溝が切ら れている。側面図には、一次反射光路36a及び二次反射光路36bと共に、基 板16の底面に切られていて、一次反射及び二次反射を減衰させるスロット38 a、38b及び38cが示されている。 図6は、ダイヤモンドソーまたはその他の機械研削法を用いて基板16にほぼ 円形の穴を設ける本発明のもう一つの実施形態を示す。穴40a、40b、及び 40cは、ダイシングソーで溝を形成した図5の場合と同様に、一次及び二次反 射位置に設けられる。穴40a及び40は、二次反射36bを減衰させる。穴4 0bは、一次反射36aを減衰させる。 以上、空間フィルタを実装するためのいくつかの技術を開示し、説明した。ダ イシングソーでは、装置の裏面にスロットを切って、空間フィルタを形成する。 この方法は、長さ1.9インチの縦長の装置で使用した場合、偏光消光比が17 dB以上大きくなった。 次に、図7aを参照して説明する。図7aには、基板76にマイクロエッチン グされた溝42が示されている。これらのマイクロエッチングされた溝は、基板 76の裏面78に、入射光ビームに対して実質的に約45度の角度で形成されて いる。このようにして、反射光は、矢印80で示すように、入射ビームに対して 約90度の角度の方向にはねつけられる。 図8は、基板86の底面から反射が起こらないように基板86の底面に反射防 止吸光層を設けた本発明のもう一つの実施形態を示す。 実験結果によると、スロット式空間フィルタを適切な位置に設けた場合、反射 して出力側に結合されるTMモード光が0.01%から0.0005%以下に低 減されるということが実証されている。同時に、空間フィルタを有する偏光子の 偏光消光比は、17dB以上増加した。本発明のこの方法によれば、偏光子の性 能が最小限のコスト及び極めて簡単な構造によって大きく改善される。 以上、本発明を、特許法令の規定に合致するように、また当業者が本発明の新 規な原理を応用し、必要に応じて本発明の独特の構成要素を作製し、使用するの に必要な情報を提供するよう相当程度詳細に説明した。しかしながら、本発明は 、具体的に異なる装置及び手段によって実施することができ、装置の詳細につい ても使用要領についても、本発明の範囲を逸脱することなく、様々な順修正態様 を実施することができるものとする。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1996年5月31日 【補正内容】 補正明細書 陽子交換導波路デバイスの偏光消光比を改善するための空間フィルタ 本発明は、陽子交換偏光子に関し、特に空間フィルタを用いて反射光を遮断す るための陽子交換偏光子に関する。 発明の背景 陽子交換(PE)法を用いて作られた光導波路には、独特の性質がいくつかあ る。陽子交換のプロセスは、異常光軸だけでしか屈折率を増加させず、そのため に1つの偏光状態しかガイドしない。他の偏光状態はガイドされず、最終的には 除去される。このような性質があるため、陽子交換導波路デバイスは必然的に非 常に高性能の偏光子(60dB以上)として用いられることになる。さらに、こ の性質のため、陽子交換導波路デバイスは、光ファイバジャイロ(FOG)の製 造に使用される多機能チップ用として、非常に魅力的な存在になっている。 英国特許出願第GB 2 223 860A号には、Yジャンクション及び迷 走放射を捕捉し、吸収するための機構を有する集積光導波路が記載されている。 また、迷走放射を導波路の光回路に再結合し、変調し、復調して、検出回路から 迷走放射によって生じた誤差成分を除去するための機構も記載されている。オプ ティクスレターズ(Optics Letters)Vol.13,No.2収 載の「陽子交換法によりLiNbO3中に形成した低損失高消光比偏光子(Lo w−loss high−extinction polarizer fab ricated in LiNbO3 by proton exchange )」という名称の論文には、陽子交換法と共にチタン注入拡散法を用いて形成さ れた偏光子の特性が記載されている。 発明の概要 本発明は、不必要なモードの光のクロスカップリングを一体化された空間フィ ルタによって減少させる陽子交換偏光子を提供するものである。本発明の空間フ ィルタにおいては、LiNbO3またはLiTaO3で形成された基板のような光 透過性基板が、ガイドされないのTMモードの光を反射する底面を有する。光は 入力ファイバから発する。入力ファイバは、基板の一端に接続されており、基板 の他端には、ガイドされたTEモードの光を受け取る出力ファイバが接続されて いる。基板の底面は、ガイドされないのTMモード光を出力ファイバに結合する 。この結合は、光ファイバジャイロのような各種の偏光子の用途においては好ま しくない。基板の消光比は、空間フィルタを組み込むことによって改善すること ができる。空間フィルタは、偏光子の底面に関して光の一次反射位置に置く。他 の実施形態においては、消光比をさらに改善するため(平、空間フィルタを二次 反射点に設けることも可能である。空間フィルタは、ソー切削、エッチング、ダ イヤモンド機械加工、ミクロ機械加工、あるいはレーザ機械加工のような物理的 方法または化学的方法によってバリアができているかどうかにより、基板の内部 またはまたは底面に配置する。空間フィルタは、ガイドされないTMモードの光 の伝播を阻止するよう作用する。 補正請求の範囲 1. 第1の表面、及びその第1の表面とほぼ平行な第2の表面(17)を有す る光透過性基板(16)と; 一つの偏光状態のみをガイドするよう屈折率を高めた異常光軸を有し、かつ 第1の端部に入力カップリング、第2の端部に出力カップリングをそれぞれ有し て、前記光透過性基板(16)の第1の表面に形成された陽子交換導波路(18 )と; を具備した陽子交換偏光子において: 前記第2の表面に形成され、前記陽子交換導波路(18)の第1の端部と第 2の端部とを結ぶ方向に対して約45度の角度の方向を有する微小溝のアレイ( 42)よりなる空間フィルタを具備し; 前記入力カップリングに入る光がTEモードとTMモードを有し, そのTEモードを有する光が実質的に陽子交換導波路によってガイドされ; そのTMモードを有する光が実質的にガイドされない状態になり; TMモードを有する光の一部が光透過性基板(16)中を伝播し、 光透過性基板(16)の第2の表面(17)上の微小溝のアレイに当たるTMモ ードを有する光のほとんどの部分は、光透過性基板(16)の第2の表面(17 )に当たるTMモードを持つ光のほとんどの部分の方向に対して約90度偏向さ れる; ことを特徴とする陽子交換偏光子(10)。 2.LiNbO3材よりなる請求項1記載の陽子交換偏光子(10)。 3.LiTaO3材よりなる請求項1記載の陽子交換偏光子(10)。 4.第1の表面、及びその第1の表面とほぼ平行な第2の表面(17)を有し、 かつ第1の端部及び第2の端部を有する光透過性基板(16)と; 一つの偏光状態のみをガイドするよう屈折率を高めた異常光軸を有し、かつ 第1の端部に入力カップリング、第2の端部に出力カップリングをそれぞれ有す る前記光透過性基板(16)の第1の表面に形成された陽子交換導波路(18) と; を具備した陽子交換偏光子において: 前記第2の表面に形成され、各々他の変形部からほぼ等距離に配置された複 数の変形部(34,38,40)よりなる空間フィルタを具備し; 前記入力カップリングに入る光がTEモードとTMモードを有し; そのTEモードを有する光が実質的に陽子交換導波路によってガイドされ; そのTMモードを有する光が実質的にガイドされない状態になり; TMモードを有する光の一部が、光透過性基板中を伝播し、光透過性基板( 16)の第2の表面(17)上の複数の変形部のいずれかに当たり、TMモード を有する光の部分が減衰させられる; ことを特徴とする陽子交換偏光子(10)。 5.上記複数の変形部が複数のスロット(38)であり; 上記複数の各スロットが、他のスロットからほぼ等距離にあり; 複数の各スロットの長手方向が、陽子交換偏光子の異常光軸に対してほぼ直 交する; 請求項4記載の陽子交換偏光子(10)。 6.上記複数のスロット(38)が、第1、第2及び第3のスロットよりなり; 第2のスロットが、上記光透過性基板(16)の上記第1及び第2の端部か らほぼ等距離にあり; 第1のスロットが、第2のスロット及び光透過性基板の第1の端部からほぼ 等距離にあり; 第3のスロットが、第2のスロット及び光透過性基板の第2の端部からほぼ 等距離にある請求項5記載の陽子交換偏光子。 7.LiNbO3材よりなる請求項6記載の陽子交換偏光子(10)。 8.LiTaO3材よりなる請求項6記載の陽子交換偏光子(10)。 9.上記複数の変形部が複数の穴(40)であり; 上記複数の各穴が、複数の中の他の穴からほぼ等距離にあり; 複数の穴が、陽子交換偏光子の異常光軸にほぼ平行な方向に一列に整列さ れている; 請求項4記載の陽子交換偏光子。 10.上記複数の穴(40)が、第1、第2及び第3の穴よりなり; 第2の穴が、上記光透過性基板(16)の上記第1及び第2の端部からほぼ 等距離にあり; 第1の穴が、第2の穴と光透過性基板の第1の端部とからほぼ等距離にあり ; 第3の穴が、第2の穴と光透過性基板の第2の端部とからほぼ等距離にあり ; 第1、第2及び第3の穴が、上記入力カップリングから発し、第1、第2及 び第3の穴による減衰を受ける上記出力カップリングへ至る光路を有するTMモ ードの光の一次及び二次反射を減衰させるように整列されている; 請求項9記載の陽子交換偏光子。 11.LiNbO3材よりなる請求項10記載の陽子交換偏光子。 12.LiTaO3材よりなる請求項10記載の陽子交換偏光子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.第1の表面、及び該第1の表面とほぼ平行な第2の表面を有する光透過性基 板と; 一つの偏光状態のみを導波するよう屈折率を高めた異常光軸を有し、かつ第 1の端部に入力カップリング、第2の端部に出力カップリングをそれぞれ有する 該光透過性基板の 該第1の表面に形成された陽子交換導波路と; 該光透過性基板の該第2の表面に形成された反射防止コーティングと; を具備し、 該入力カップリングに入る光がTEモードとTMモードを有し; 該TEモードを有する光が実質的に該陽子交換導波路によってガイドされ; 該TMモードを有する光が実質的にガイドされない状態になり; 該TMモードを有する光の一部が該光透過性基板中を伝播し、該光透過性基 板の該第2の表面に当たる該TMモードを有する光の部分は、そのほとんど全部 が該反射防止コーティングがあるために反射されない; 陽子交換偏光子。 2.LiNbO3材よりなる請求項9記載の陽子交換偏光子。 3.LiTaO3材よりなる請求項9記載の陽子交換偏光子。 4 第1の表面、及び該第1の表面とほぼ平行な第2の表面を有する光透過性基 板と; 一つの偏光状態のみを導波するよう屈折率を高めた異常光軸を有し、かつ第 1の端部に入力カップリング、第2の端部に出力カップリングをそれぞれ有する 該光透過性基板の 該第1の表面に形成された陽子交換導波路と; 該第2の表面に形成された、該陽子交換導波路の該第1の端部と該第2の端 部とを結ぶ方向に対して約45度の角度の方向を有する微小溝のアレイと; を具備し、 該入力カップリングに入る光がTEモードとTMモードを有し; 該TEモードを有する光が実質的に該陽子交換導波路によってガイドされ; 該TMモードを有する光が実質的にガイドされない状態になり; 該TMモードを有する光の一部が該光透過性基板中を伝播し、該光透過性基 板の該第2の表面上の該微小溝のアレイに当たる該TMモードを有する光の部分 は、該光の部分が該微小溝のアレイに当たる方向に対して約90度偏向される; 陽子交換偏光子。 5.LiNbO3材よりなる請求項12記載の陽子交換偏光子。 6.LiTaO3材よりなる請求項12記載の陽子交換偏光子。 7.第1の表面、及び該第1の表面とほぼ平行な第2の表面を有し、かつ第1及 び第2の端部を有する光透過性基板と; 一つの偏光状態のみを導波するよう屈折率を高めた異常光軸を有し、かつ第 1の端部に入力カップリング、第2の端部に出力カップリングをそれぞれ有する 該光透過性基板の 該第1の表面に形成された陽子交換導波路と; 該第2の表面に形成された、各々他の変形部からほぼ等距離に配置された複 数の変形部と; を具備し、 該入力カップリングに入る光がTEモードとTMモードを有し; 該TEモードを有する光が実質的に該陽子交換導波路によってガイドされ; 該TMモードを有する光が実質的にガイドされない状態になり; 該TMモードを有する光の一部が該光透過性基板中を伝播し、該光透過性基 板の該第2の表面上の該複数の変形部のいずれかに当たる該TMモードを有する 光の部分は減衰させられる; 陽子交換偏光子。 8.上記複数の変形部が複数のスロットであり; 上記複数の各スロットが、該複数の他のスロットからほぼ等距離にあり; 該複数の各スロットの長手方向が、陽子交換偏光子の異常光軸に対してほぼ 直交する; 請求項15記載の陽子交換偏光子。 9.上記複数のスロットが、第1、第2及び第3のスロットよりなり; 該第2のスロットが、上記光透過性基板の上記第1及び第2の端部からほぼ 等距離にあり; 該第1のスロットが、該第2のスロット及び該光透過性基板の該第1の端部 からほぼ等距離にあり; 該第3のスロットが、該第2のスロット及び該光透過性基板の該第2の端部 からほぼ等距離にある請求項16記載の陽子交換偏光子。 10.LiNbO3材よりなる請求項17記載の陽子交換偏光子。 11.LiTaO3材よりなる請求項17記載の陽子交換偏光子。 12.上記複数の変形部が複数の穴であり; 上記複数の各穴が、該複数の中の他の穴からほぼ等距離にあり; 該複数の穴、陽子交換偏光子の異常光軸にほぼ平行な方向に一列に整列さ れている; 請求項15記載の陽子交換偏光子。 13.上記複数の穴が、第1、第2及び第3の穴よりなり; 該第2の穴が、上記光透過性基板の上記第1及び第2の端部からほぼ等距 離にあり; 該第1の穴が、該第2の穴及び該光透過性基板の該第1の端部からほぼ等 距離にあり; 該第3の穴が、該第2の穴及び該光透過性基板の該第2の端部からほぼ等 距離にあり; 該第1、第2及び第3の穴が、上記入力カップリングから発し、該第1、 第2及び第3の穴による減衰を受ける上記出力カップリングへ至る光路を有する TMモードの光の一次及び二次反射を減衰させるように整列されている; 請求項20記載の陽子交換偏光子。 14.LiNbO3材よりなる請求項21記載の陽子交換偏光子。 15.LiTaO3材よりなる請求項21記載の陽子交換偏光子。
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