JPH09502920A - ナノ構造材料を製造するための方法及び装置 - Google Patents

ナノ構造材料を製造するための方法及び装置

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Abstract

(57)【要約】 ナノ結晶性材料を合成するための方法及び装置。この装置は、チャンバー(14)と、酸化性気体は含まないが不活性気体を含む作用気体によって化学反応に対して遮蔽されている非消費性カソード(20)と、該カソードとの間に形成されるアークによって気化可能な消費性アノード(12)と、該アークの境界内に急冷及び反応気体の少なくとも一種を注入するためのノズル(35)とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】ナノ構造材料の製造方法 本発明は、一般にナノ構造材料の製造方法に関する。より詳細には、本発明は 、プラズマアーク装置において作用気体組成を制御することによって各種の化学 量論的ナノ構造材料を製造する方法に関する。ナノ構造材料の製造速度は、N2 又はH2気体とAr作用気体とを組み合わせることによって実質的に高めること もできる。 最近、ナノ構造材料が典型的な多結晶性材料と比べて高い又は特異な特性を示 すことが示されている。例えば、金属性ナノ構造材料は低温で焼結されうるが、 多結晶性金属材料よりも高い硬度及び降伏強さを示す。セラミックス系ナノ構造 材料は、低温において常用のセラミックス材料よりもはるかに高い延性を示す。 このようなナノ構造材料を製造するためには、粒径と化学量論性を制御する必要 がある。しかしながら、こうしたナノ構造材料を商業用に大量生産するには、化 学量論性と粒径を制御しながら迅速に製造する方法がなければならない。現在の 製造方法では、多少の粒径制御はできても、化学量論性を信頼性よく制御し、或 いは大量の材料を迅速に製造すると同時に、粒径や化学量論性をも制御すること はできない。 それゆえ、本発明の目的は、ナノ構造材料を製造するための改良された方法及 びその製品を提供することにある。 また、本発明の目的は、化学量論性を制御したナノ構造材料を製造するための 新規な方法を提供することにもある。 本発明の別の目的は、粒径と化学量論性を十分に制御したナノ構造材料を大量 生産するための改良された方法を提供することである。 本発明のさらなる目的は、粒径が十分に画定され非常に小さいナ ノ構造材料の新規製品を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、ナノ構造のガンマ−フェライトを製造するための 改良された方法及びその製品を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、アルゴン並びに窒素及び/又は水素及び/又は炭 素含有気体の作用気体混合物を用いて、粒径を制御したナノ構造材料を製造する ための新規方法を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、プラズマアーク装置の反応帯域内に注入される急 冷気体の量及び種類を制御することによって、ナノ構造粒子の大きさを制御する ための改良された方法を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、プラズマアーク装置の反応帯域、カソード帯域及 びアノード帯域から出力される光の色及び強度を制御することによって、ナノ構 造材料の製造を制御するための新規な方法を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、化学量論的にAl23、ZrO2、TiO2及びF e23であり且つナノ構造である材料を製造するための改良された方法を提供す ることにある。 本発明のさらに別の目的は、プラズマアーク装置における作用気体及び急冷気 体の注入位置を制御しなから調整することによって、ナノ構造材料の製造を制御 するための新規な方法を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、ナノ構造材料の細孔分布及び細孔間隔を制御する ための新規な方法を提供することにある。 本発明のこれらの及びその他の目的は、以下に説明する図面をはじめとする下 記の説明から明らかになる。図面の簡単な説明 第1A図は、本発明により構築されたブラズマアーク装置の一態 様であり、また第1B図は該装置の別の態様であり、 第2A図は、該プラズマアーク装置の気体注入ノズルの一態様であり、また第 2A図は別の気体注入ノズルの態様であり、 第3A図は、TiNナノ構造材料のX線回折プロットを示し、また第3B図は 、TiO2ナノ構造材料のX線回折プロットを示し、 第4A図は、作用アークに酸素を存在させずに製造した酸化チタンのエネルギ ー分散X線分析出力であり、また第4B図は、作用気体に酸素を用いて製造した 酸化チタンのものであり、 第5A図は、接線方向注入気体を用いてナノ結晶エアロゾルを乱流混合するた めのノズルの上面図を示し、第5B図は、半径方向注入気体を用いた混合ノズル を示し、 第6図は、ナノ結晶性エアロゾルを複数のソースから受容するための混合ノズ ルであり、 第7図は、ナノ結晶性粒子径に対する混合ノズル内への急冷/反応気体流速の グラフであり、 第8A図は、プラズマ尾炎部内への急冷気体流速に対するナノ結晶性粒子の大 きさのグラフであり、第8B図は、溶融アノード位置を基準とした急冷/反応気 体注入地点に対するナノ結晶性粒子の大きさのグラフであり、そして第8C図は 、チタニアの製造速度であり、そして 第9A図は、従来技法と比較した場合の本発明により製造されたナノ結晶性材 料の粒径分布を示し、第9B図は、従来技法と比較した場合の本発明により製造 されたナノ結晶性材料の細孔径に対する細孔体積を示し、第9C図は、本発明に より製造されたナノ結晶性材料の細孔の大きさの間隔の分布を示し、また第9D 図は、間隔を制御した細孔配列を形成するための処理前後のナノ結晶性材料に特 徴的な小角中性子散乱を示す。好ましい実施態様の詳細な説明 本発明により構築されたプラズマアーク装置を第1図〜第10図に概略的に示 す。ナノ構造材料又はナノ結晶性材料の製造は、チャンバー14内で、高純度前 駆体物質12を、例えば、電源18によって作動する水冷式TIG(タングステ ン不活性ガス)トーチ16により発生させたアークによって、気化させることか ら始まる。チャンバー14の内部は、相対圧力で約20水銀柱インチ(約6.8 ×104Pa)の減圧から最大で+3psi(約2.07×104Pa)の陽圧の 範囲(絶対圧250torr〜1000torr)(約3.3×104Pa〜約 1.3×105Pa)で維持することが好ましい。 前駆体物質12は、非消費性電極、例えば、2%の酸化トリウムを含むタング ステン電極20からのアークエネルギーの移動によって溶融して気化する。この 非消費性タングステン電極20は溜25からの不活性作用気体22の流れによっ て遮蔽されており、アークを発生させる。作用気体22は非消費性タングステン 電極20を酸化性環境から遮蔽するように作用した後、アークを発生させるに十 分な濃度にまでイオン化すると作用プラズマガスになる。不活性作用気体22は 好ましくはアルゴンを含有し、そしてトーチ16に結合している水冷式ノズル2 4によって導かれる。 消費性の前駆体物質12は、例えば、直径が0.0625〜2インチ(約1. 59〜50.8mm)のロッド状であり、そして非消費性タングステン電極20 に対して水平に(第1A図参照)又は垂直に(第1B図参照)供給される。供給 用ロッド状前駆体物質12は連続供給され、安定なアーク及びナノ結晶性材料の 連続製造が可能になる。連続製造は、より一貫した基準で工程を運転できるので バッチ運転よりも好ましい。前駆体物質12は、銅アノード28に よって電気的に接地され且つ冷却され、また前駆体物質12には並進運動と回転 運動の両方が与えられる。 非消費性タングステン電極20は、細長いアークプラズマ尾炎部30を発生さ せるような角度に傾斜させることが好ましい。電流レベルによってプラズマ尾炎 部30は約1〜数インチ(約2.54〜数cm)の長さになりうる。プラズマ尾 炎部30は高温の勾配炉として作用し、その中に気化した前駆体物質12が急冷 及び/又は反応気体32(以降、「急冷/反応気体」)と一緒に、所望によりノ ズル35から注入される。プラズマ尾炎部30に注入される急冷/反応気体32 の量は、作用気体溜25の場合と同様に調節器31を有する流量計36によって 制御される。プラズマ尾炎部30の周囲には同心気体注入形状が確立され、急冷 /反応気体32の均質な挿入が可能になる。好ましくは、ノズル35は、第2図 に示したようなノズル37の配置の一つである。急冷/反応気体ノズル37は、 第1図に示したようなプラズマ尾炎部30の長さ方向におけるいずれの地点に位 置することもできる。急冷/反応気体32の挿入位置は、プラズマ尾炎部30の 長さを切断するように作用し且つ製造工程を制御することができる。急冷及び反 応気体の組成は、酸素、窒素、ヘリウム、空気又はこれらの気体の組合せのうち の一つであることが好ましい。 プラズマアーク装置10を用いて様々なナノ構造材料を製造することができる 。例えば、プラズマ尾炎部30の中で金属チタン蒸気を気体窒素と反応させて8 〜25nmのTiNナノ結晶を形成させることができる。金属チタンを気体酸素 と反応させて5〜40nmのTiO2ナノ結晶を形成させることもできる(実施 例を参照されたい)。これら2種のTi系セラミックス材料TiN(第3A図) 及びTiO2(第3B図)のX線回折データは、異なる2種の材料 がプラズマ尾炎部30を反応帯域として使用することで形成されたことを示して いる。透過型電子顕微鏡もまた、これら2種の材料の明らかに異なる形態を示し ている。 ブラズマ尾炎部30における温度勾配を増加させ且つその長さを伸ばすために 、非消費性タングステン電極20を遮蔽する作用気体22に解離可能な不活性気 体(例、窒素、水素、又はこれら両方)を混合(1〜70%)してもよい。プラ ズマ尾炎部30における温度が高いほど、前駆体物質12と反応気体32との反 応の完全性が高くなる。また、注入地点を制御することにより、前駆体物質12 の反応の完全性を制御することができる。大きな温度勾配は、ナノ結晶の形成( 大きさや分布)及びナノ結晶の凝集度を制御することができる。従来技術(例、 米国特許第4,732,369号明細書)とは異なり、作用気体(米国特許第4 ,732,369号明細書での名称は「ピンチガス」)には解離可能な気体酸素 を使用しないことが最も好ましい。というのは、気体酸素は非消費性タングステ ン電極20の腐食の原因となり、また最終製品にタングステンの不純物を発生さ せるからである。第4図は、作用気体22中に酸素を存在させない場合(第4A 図)及び0.5%存在させた場合(第4B図)で作られた材料のエネルギー分散 X線分析を示す。作用気体22中に少量(>0.5%)の酸素が含まれる場合で さえも、最終製品に含まれるタングステン不純物濃度は約0.2%になりうるこ とが明らかである。誘導結合プラズママススペクトロメトリーによる不純物分析 は、この方法で作用気体22に酸素を使用しないで製造された材料の純度が非常 に高いことを示している。表1は、この好ましい方法で製造された材料中に存在 する典型的な不純物を示すものである。 急冷/反応気体32によってナノ結晶エアロゾル40(第2図参照)が形成さ れると、ナノ結晶の凝集が起こる。この点において、そのエアロゾル40を、径 違い円錐形ノズル42の中で乱流混合してさらなる凝集を防止する。再循環気体 又は室内空気44を送風機46により円錐形ノズル42の中に導入する。この再 循環気体44は、気体導入ヘッド48によって半径方向(第5B図参照)又は接 線方向(第5A図参照)においてノズル42に注入することができ る。円錐形ノズル42において発生した気体44の渦運動によって、エアロゾル 40が低温再循環気体44と混合され且つこれにより希釈されて、ナノ結晶のさ らなる凝集が防止される。第6図に示したように一つ以上のソース43によって 発生したナノ結晶エアロゾル40を配合し且つ均質化するために、円錐形ノズル 42を使用することもできる。ソース43は、製造速度を高めるために同じ材料 のものであってもよいし、また複合材の形成を可能にする異なる材料を発生させ る別個のソースであってもよい。 第1図で最もよくわかるように、円錐形ノズル42を出た後は、混合されたエ アロゾル45は送風機46の作用により大容積の集積ハウジング50の中に急速 に膨張する。この気体の膨張によりエアロゾル45はさらに冷却される。気体の 膨張後には数百度の温度低下が測定されている。大容積の集積ハウジング50は 濾過媒体54を含有する。この濾過媒体54が凝集の弱いナノ結晶を捕捉し、そ して気体は送風機46により濾過媒体54を介して分離される。ナノ結晶は、気 体注入源56からの気体パルスにより解放されるまで濾過媒体54表面に残留す る。濾過媒体54は、耐熱コーティングを有する布繊維又は多孔質焼結金属であ ることができる。凝集したナノ結晶は一般的な粉末として挙動し、そして濾過媒 体54から遊離すると、粉末は弁60を介して保存容器58の中に重力作用で集 められる。 ナノ構造材料の品質(平均粒径、粒径分布、純度及び凝集度)は急冷/反応気 体32を注入する地点によって制御することができ、そしてナノ結晶エアロゾル 40の希釈は粒子形成直後に行うことができる。第7図に、円錐形ノズル42の 中に半径方向で又は接線方向で注入される急冷/反応気体32の量に対する凝集 粒子の大きさを示す。多くの場合、急冷/反応気体32は、アーク電流及び前駆 体物質によって同じ地点で注入することができる。急冷/反応気体32は、核生 成と凝縮が開始するような温度の地点においてプラズマ尾炎部30に注入するこ とが好ましい。プラズマ尾炎部30におけるいずれの地点にも、胚種性微結晶の 凝縮と蒸発の間にはバランスが存在する。分析的には、この臨界粒径は以下の温 度と物性との関係で表される。 ここで、dcは臨界粒径であり、γは表面張力(N/m)であり、Vaは原子容( m3)であり、kはボルツマン定数(1.38×10-23J/K)であり、Tは温 度(K)であり、そしてpv及びpoは実測蒸気圧及び平衡蒸気圧(N/m2)で ある。特許請求の範囲を制限するものではないが、これらの粒子は、他のモノマ ー又は小粒子との融合によって大きな粒子へと成長するためのモノマーとして作 用すると考えられる。融合成長の量はモノマーが経験する衝突の数に依存する。 プラズマ尾炎部30における温度勾配は非常に大きいので、蒸気と形成されつつ ある粒子は高速度で運動する。プラズマ尾炎部30における速度はアークの特性 に強く依存する。 ここで、vは速度(m/s)であり、Iはアーク電流(A)であり、Jは電流 密度(A/m2)であり、μoは自由空間透過率(1.256×10-8N/A2) であり、そしてρは蒸気密度(kg/m-3)である。臨界粒子は、モノマーが形 成される適当な位置において急冷/反応気体32を注入することによって急速に 冷却されることができ、そしてモノマーの衝突数は最適量の急冷/反 応気体32で希釈することにより減らすことができる。この制御の度合いによっ て所望の小さい粒径を実現することができる。速度成分はr-1/2に比例して変動 するので、急冷/反応気体32の注入量が気体の注入地点よりも重要となる。し かしながら、製造速度が増加する(すなわち、蒸気密度が増加する)につれて、 急冷/反応気体32の注入の量及び位置が重要になる。第8A図に、プラズマ尾 炎部30に注入される急冷/反応気体32の量を関数にした平均粒径を示し、ま た第8B図に、ナノ結晶性粒子の直径に与える急冷/反応気体32の注入位置の 効果を示す。 金属性又は半導体性の前駆体物質から酸化物、炭化物又は窒化物を形成するた め(例、前駆体Siを用いてSiO2、Si34もしくはSiCを形成すること ができる)、反応気体を急冷気体と一緒に又は別々に導入することができる。反 応気体を急冷気体と一緒にプラズマ尾炎部30の中に導入することにより、急冷 過程を高め且つ小さなナノ結晶粒子の形成を増進する融点のより高い材料の形成 が可能となる。また、作用気体22において解離可能な気体、例えばH2又はN2 を使用することにより、プラズマ尾炎部30の到達温度をより高くすることがで き、前駆体蒸気の反応をより完全なものとすることができる。 作用気体22として高純度アルゴンを用い、そして反応気体32として酸素を 用いてプラズマ尾炎部30に注入すると、二次化学量論的(酸素欠乏)金属酸化 物ナノ結晶生成物が形成される。この二次化学量論性はラマン分光光度分析放射 線写真、X線回折法又は熱重量分析法によって検出することができる。この二次 化学量論的材料は完全酸化を達成するために後処理を必要とする。この後処理に は、粉末を空気中、高温でアニール工程が通常は含まれる。この工程は往々にし て凝集度を増大させ、粒子の大きさを成長させてしま う。作用気体22(特にArガス)に5〜50%の水素を添加すると、形成され るナノ結晶生成物は完全に化学量論的にすることができ、その生成物は後処理を まったく必要としない。この気体混合物は、ナノ構造材料の製造コストを削減し 、凝集の弱い材料の形成を可能にする。このことが粒径に及ぼす効果は相当なも のである。合成時に物質を完全に反応させることによりナノ結晶は凝集が弱く且 つ粒径範囲が15〜20ナノメートルとなるのに対し、後反応を要する粒子は一 般に粒径が30〜50ナノメートルになってしまう。 本明細書中に記載した方法で形成されたナノ結晶は、ナノ構造材料を形成する ことができる能力について試験することができる。ナノメートル寸法の極微細粒 子を製造するための技法は各種あるが、バルクのナノ構造体又はナノメートル分 散体が望まれる場合には凝集度が重要である。凝集が強すぎると、実用の機械力 では凝集体を一次粒子又は近一次粒子へと破壊するには十分ではない。こうした 粒子を破壊するため、ボールミル微粉砕法のような高エネルギー方法を使用する ことはできる。しかしながら、ボールミル微粉砕法によると、材料に汚染物が混 入して純度が低下することがしばしば起こる。 ナノメートル領域の粒径測定には、通常2種類の技法、すなわち透過型電子顕 微鏡法(TEM)とBET表面積測定法が用いられる。TEMは、凝集して粒子 になる個々の微結晶の目視検査であり、またBETは、下式を用いて表面積測定 値から平均粒径を求めるものである。 ここで、dは平均粒径であり、ρは物質の比重(kg/m3)であり、そしてS は比表面積測定値(m2/gm)である。微結晶が弱 く凝集し、微結晶間に小さな首部を形成し、そしてその微結晶の形状が等軸でほ ぼ球形である場合には、TEMとBETの平均粒径はほぼ等しくなるはずである 。平均TEM微結晶寸法と平均BET粒径は、ナノ構造材料を形成するのに十分 に弱い凝集を示すためには互いに30%以内になければならない。この方法で得 られるナノ結晶は、ナノ結晶性材料を製造するための他の従来技術の方法(すな わち、米国特許第4,642,207号明細書)よりもはるかに小さい平均粒径 及び狭い粒径分布を示す。 表2は、本発明の方法と米国特許第4,642,207号明細書に記載の方法 とによって得られた酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムの比較を示すものであ る。どちらの方法もアークエネルギーを利用して前駆体蒸気を発生させるもので あるが、本発明の方法による変更によって、粒径がより小さく且つ粒径分布がよ り狭い良好なナノ結晶性材料が得られる。また、米国特許第4,732,369 号明細書で用いられているような高周波誘導プラズマを付加しなくても粒径分布 がより狭くなったことにも着目すべきである。 ナノ構造材料における凝集度は、ナノ結晶のバルク団結によってもナノ結晶の 分散によっても測定することができる。ナノ結晶粉末の団結試験は、適量のナノ 結晶性粉末をダイパンチ装置に装填し、そのパンチに1000〜40,000p si(約6.9×106〜約2.8×108Pa)の圧力をかけることによって行 われる。得られたペレットは、その細孔粒径分布が粒径分布と同等である場合に はナノ構造体である。バルクの単結晶状態において光学的に透明である物質はナ ノ構造材料としてもまた透明である。というのは、その材料の粒子及び細孔は可 視光の波長よりもはるかに小さい(すなわち、50nm未満)からである。BE TとTEMによる平均粒径をその平均細孔寸法及び分布幅と共に表3に示す。凝 集度の弱いナノ結晶を団結することにより透明な試料を得ることができる。凝集 のより強い(硬い)ナノ結晶から調製すると不透明試料が得られ、粒子は小さい が細孔の大きな材料が形成される。凝集は、チャンバー14の中の注入位置、急 冷/反応気体32の注入量、及び円錐形混合ノズル42の中へ注入される気体の 量によって制御される。この種の細孔は、常用の焼結法で取り除くことが困難な 場合がある。 団結試験は、ナノ結晶の凝集が、団結の際に発生する機械的エネルギーによっ て凝集体が破壊されうるに十分に弱いことを確立するものである。ナノ結晶材料 を合成する他の発明に対する本発明の改良点は、酸化チタンの細孔寸法分布、粒 径分布及び細孔間隔規則性 を示す第9図を参照すると最もよく理解できる。「別法」を付したデータは米国 特許第5,128,081号明細書に記載されている方法で得られた酸化チタン のものである。未標識データは本発明の方法で得られた酸化チタンのものである 。第9A図からわかるように、本発明の方法を採用した場合のTEM粒径分布は はるかに小さく且つ狭くなっている。第9B図には、ナノ結晶を団結すると、本 発明の装置によって得られた酸化チタンの細孔分布は、米国特許第5,128, 081号明細書に記載されている方法で得られたものよりもはるかに小さいこと が示されている。第9C図では、細孔間隔の規則性がナノ構造材料の製造方法の 信頼性及び再現性をさらに例示している。また、本発明による方法の製造速度は 、米国特許第5,128,081号明細書に記載されている方法の製造速度より も100倍以上高く、本発明の方法が商業的に成功しうる方法であることにも着 目すべきである。 凝集のさらに別の試験は、ナノ結晶を5〜50重量%含有する液体(水又はエ チレングリコール)に超音波プローブから超音波エネルギー(0.2〜1ワット )を印加することによって達成される、未処理のナノ結晶粉末の分散である。こ の超音波エネルギーによりコロイド分散体が形成され、これは最低でも5ヵ月間 は分散した懸濁状態のままにある。この液体をさらに別の液体で処理することに よって、ナノ結晶はさらに長期間にわたり懸濁状態のままにあることができる。 この分散試験によって、本発明の方法で得られたナノ結晶粉末の凝集が弱いか、 また純度が高く且つ粒子表面が清浄であるかどうかがわかる。 以下の非限定的実施例は、ナノ構造材料の製造方法を例示するものである。 実施例 実施例1 移動した(transferred)アークにおけるアノードとして出発純度が既知(純度 99〜99.99%)である直径1/8〜3インチ(0.32〜7.62cm) のTi、Al、Zr、Y、Fe、Cr、V、Cu、Si、Sn又はZnの金属ロ ッドを使用した。カソードは2%トリウム化−W電極とし、5〜100%窒素及 び/又は5〜50%水素と組み合わせたアルゴン作用気体25〜100cfhで 遮蔽した。アークの電流は100〜750アンペアの範囲とした。このアークに より長さ1〜4インチ(2.54〜10.16cm)のプラズマ尾炎が発生し、 アノード金属前駆体が蒸発した。移動したアークによって発生したプラズマ尾炎 の中に1〜200g/時の金属蒸気を注入した。ブラズマ尾炎の内部では粒子核 生成が進行し、そしてその尾炎に10〜1000cfhの酸素を注入し、出発物 質の二次酸化物種を形成させた。作用気体中に存在する水素により水蒸気が形成 され、完全に酸化された材料が得られた。さらに冷却し、酸素の存在と高温によ って金属酸化物セラミックス粒子を形成させた。後に、急冷気体(1〜1000 cfm)を空気又は空気の個別成分(O2、N2、H2、H2O、CO2)の形態で 添加し、粒子をさらに冷却し且つ硬い凝集を防止した。ナノ結晶性粉末を集める と、一次凝結体の大きさは典型的には1〜50nmであり、また凝集体の大きさ は典型的には10〜100nmであった。 実施例2 移動したアークにおけるアノードとして出発純度が既知である直径1/8〜3 インチ(0.32〜7.62cm)のTi又はA1の金属ロッドを使用した。カ ソードは2%トリウム化−W電極とし、5〜100%窒素又は5〜50%水素と 組み合わせたアルゴン作用気体25〜100cfhで遮蔽した。アーク電流は1 00〜750 アンペアの範囲とした。このアークによって、長さ1〜4インチ(2.54〜1 0.16cm)のプラズマ尾炎が発生し、アノード金属前駆体が蒸発した。移動 したアークによって発生したプラズマ尾炎の中に1〜200g/時の金属蒸気を 注入した。プラズマ尾炎の内部では粒子核生成が進行し、その尾炎に10〜40 0cfhの窒素を注入し、出発物質の窒化物種を形成させた。さらに冷却し、窒 素の存在と高温によって窒化物セラミックス粒子を形成させた。後に、急冷気体 (1〜1000cfm)をN2、Ar又はHeの形態で添加し、該粒子をさらに 冷却し且つ硬い凝集を防止した。ナノ結晶性粉末を集めると、一次凝結体の大き さは典型的には1〜50nmであり、また凝集体の大きさは典型的には10〜1 00nmであった。 実施例3 金属粉末を配合量15〜50重量%で金属酸化物粉末と混合した。次いで、そ の粉末を加圧及び焼結によって直径1/2〜3インチ(1.27〜7.62cm )のロッドにした。このロッドは導電性であり、移動アークにおけるアノードと して使用した。カソードは2%トリウム化−W電極とし、5〜100%窒素又は 5〜50%水素と組み合わせたアルゴン作用気体25〜100cfhで遮蔽した 。アーク電流は100〜750アンペアの範囲とした。このアークによってアノ ードが蒸発し、移動アークによって発生した長さ1〜4インチ(2.54〜10 .16cm)のプラズマ尾炎の中にアノード蒸気1〜200g/時を注入した。 プラズマ尾炎の内部では粒子核生成が進行し、その尾炎に10〜1000cfh の酸素を注入して冷却し、金属酸化物セラミックス粒子を形成させた。後に急冷 気体(1〜1000cfm)を空気又は空気の個別成分(O2、N2、H2、H2O 、CO2)の形態で添加し、該粒子をさらに冷却し且 つ硬い凝集を防止した。ナノ結晶性粉末を集めると、一次凝結体の大きさは典型 的には1〜50nmであり、また凝集体の大きさは典型的には10〜100nm であった。 実施例4 実施例1と同様にナノ結晶性粉末を製造し、これをダイパンチ装置で5〜50 kpsi(約3.4×107〜3.4×108Pa)の圧力をかけて一軸方向に団 結させた。得られたバルク試料はそのバルク理論値の40〜50%の密度を示し た。その圧縮体の多孔性は細孔が1〜50nmの範囲にある狭い大きさ分布を示 した。団結した試料を900℃付近の温度に加熱すると、その多孔性は、狭い分 布を残したまま、細孔分離間隔が試料全体にわたり一定となるように秩序化した 。この秩序化は、第9D図に示したように、小角中性子散乱(SANS)を利用 することにより検出することができた。第9C図に示したように、この秩序化に より、良好に画定された細孔間隔分布が得られる。 本発明の好ましい実施態様を示して説明したが、添付の請求の範囲に記載され たより広い態様にある本発明から逸脱することなく当業者であれば様々な変更や 修正を実施できることは明白である。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年1月13日 【補正内容】 1)明細書(国際出願明細書全文)ナノ構造材料を製造するための方法及び装置 本発明は、一般にナノ構造材料の製造方法に関する。より詳細には、本発明は 、プラズマアーク装置において作用気体組成を制御することによって各種の化学 量論的ナノ構造材料を製造する方法に関する。ナノ構造材料の製造速度は、N2 又はH2気体とAr作用気体とを組み合わせることによって実質的に高めること もできる。 最近、ナノ構造材料が典型的な多結晶性材料と比べて高い又は特異な特性を示 すことが示されている。例えば、金属性ナノ構造材料は低温で焼結されうるが、 多結晶性金属材料よりも高い硬度及び降伏強さを示す。セラミックス系ナノ構造 材料は、低温において常用のセラミックス材料よりもはるかに高い延性を示す。 このようなナノ構造材料を製造するためには、粒径と化学量論性を制御する必要 がある。しかしながら、こうしたナノ構造材料を商業用に大量生産するには、化 学量論性と粒径を制御しながら迅速に製造する方法がなければならない。現在の 製造方法では、多少の粒径制御はできても、化学量論性を信頼性よく制御し、或 いは大量の材料を迅速に製造すると同時に、粒径や化学量論性をも制御すること はできない。 それゆえ、本発明の目的は、ナノ構造材料を製造するための改良された方法及 びその製品を提供することにある。 また、本発明の目的は、化学量論性を制御したナノ構造材料を製造するための 新規な方法を提供することにもある。 本発明の別の目的は、粒径と化学量論性を十分に制御したナノ構造材料を大量 生産するための改良された方法を提供することである。 本発明のさらなる目的は、粒径が十分に画定され非常に小さいナ ノ構造材料の新規製品を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、ナノ構造のガンマ−フェライトを製造するための 改良された方法及びその製品を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、アルゴン並びに窒素及び/又は水素及び/又は炭 素含有気体の作用気体混合物を用いて、粒径を制御したナノ構造材料を製造する ための新規方法を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、プラズマアーク装置の反応帯域内に注入される急 冷気体の量及び種類を制御することによって、ナノ構造粒子の大きさを制御する ための改良された方法を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、プラズマアーク装置の反応帯域、カソード帯域及 びアノード帯域から出力される光の色及び強度を制御することによって、ナノ構 造材料の製造を制御するための新規な方法を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、化学量論的にAl23、ZrO2、TiO2及びF e23であり且つナノ構造である材料を製造するための改良された方法を提供す ることにある。 本発明のさらに別の目的は、プラズマアーク装置における作用気体及び急冷気 体の注入位置を制御しながら調整することによって、ナノ構造材料の製造を制御 するための新規な方法を提供することにある。 本発明のさらに別の目的は、ナノ構造材料の細孔分布及び細孔間隔を制御する ための新規な方法を提供することにある。 本発明のこれらの及びその他の目的は、以下に説明する図面をはじめとする下 記の説明から明らかになる。図面の簡単な説明 第1図は、本発明により構築されたプラズマアーク装置の一態様 であり、 第2図は該装置の別の態様であり、 第3図は、該プラズマアーク装置の気体注入ノズルの一態様であり、 第4図は別の気体注入ノズルの態様であり、 第5A図は、TiNナノ構造材料のX線回折プロットを示し、また第5B図は 、TiO2ナノ構造材料のX線回折プロットを示し、 第6A図は、作用アークに酸素を存在させずに製造した酸化チタンのエネルギ ー分散X線分析出力であり、また第6B図は、作用気体に酸素を用いて製造した 酸化チタンのものであり、 第7図は、接線方向注入気体を用いてナノ結晶エアロゾルを乱流混合するため のノズルの上面図を示し、 第8図は、半径方向注入気体を用いた混合ノズルを示し、 第9図は、ナノ結晶性エアロゾルを複数のソースから受容するための混合ノズ ルであり、 第10図は、ナノ結晶性粒子径に対する混合ノズル内への急冷/反応気体流速 のグラフであり、 第11A図は、プラズマ尾炎部内への急冷気体流速に対するナノ結晶性粒子の 大きさのグラフであり、第11B図は、溶融アノード位置を基準とした急冷/反 応気体注入地点に対するナノ結晶性粒子の大きさのグラフであり、そして第11 C図は、チタニアの製造速度であり、そして 第12A図は、従来技法と比較した場合の本発明により製造されたナノ結晶性 材料の粒径分布を示し、第12B図は、従来技法と比較した場合の本発明により 製造されたナノ結晶性材料の細孔径に対する細孔体積を示し、第12C図は、本 発明により製造されたナノ結晶性材料の細孔の大きさの間隔の分布を示し、また 第12D図は、 間隔を制御した細孔配列を形成するための処理前後のナノ結晶性材料に特徴的な 小角中性子散乱を示す。好ましい実施態様の詳細な説明 本発明により構築されたプラズマアーク装置を第1図に10で概略的に示す。 ナノ構造材料又はナノ結晶性材料の製造は、チャンバー14内で、高純度前駆体 物質12を、例えば、電源18によって作動する水冷式TIG(タングステン不 活性ガス)トーチ16により発生させたアークによって、気化させることから始 まる。チャンバー14の内部は、相対圧力で約20水銀柱インチ(約6.8×1 04Pa)の減圧から最大で+3psi(約2.07×104Pa)の陽圧の範囲 (絶対圧250torr〜1000torr)(約3.3×104Pa〜約1. 3×105Pa)で維持することが好ましい。 前駆体物質12は、非消費性電極、例えば、2%の酸化トリウムを含むタング ステン電極20からのアークエネルギーの移動によって溶融して気化する。この 非消費性タングステン電極20は溜25からの不活性作用気体22の流れによっ て遮蔽されており、アークを発生させる。作用気体22は非消費性タングステン 電極20を酸化性環境から遮蔽するように作用した後、アークを発生させるに十 分な濃度にまでイオン化すると作用プラズマガスになる。不活性作用気体22は 好ましくはアルゴンを含有し、そしてトーチ16に結合している水冷式ノズル2 4によって導かれる。 消費性の前駆体物質12は、例えば、直径か0.0625〜2インチ(約1. 59〜50.8mm)のロッド状であり、そして非消費性タングステン電極20 に対して水平に(第1図参照)又は垂直に(第2図参照)供給される。供給用ロ ッド状前駆体物質12は連続供給され、安定なアーク及びナノ結晶性材料の連続 製造が可能に なる。連続製造は、より一貫した基準で工程を運転できるのでバッチ運転よりも 好ましい。前駆体物質12は、銅アノード28によって電気的に接地され且つ冷 却され、また前駆体物質12には並進運動と回転運動の両方が与えられる。 非消費性タングステン電極20は、細長いアークプラズマ尾炎部30を発生さ せるような角度に傾斜させることが好ましい。電流レベルによってプラズマ尾炎 部30は約1〜数インチ(約2.54〜数cm)の長さになりうる。プラズマ尾 炎部30は高温の勾配炉として作用し、その中に気化した前駆体物質12が急冷 及び/又は反応気体32(以降、「急冷/反応気体」)と一緒に、所望によりノ ズル35から注入される。プラズマ尾炎部30に注入される急冷/反応気体32 の量は、作用気体溜25の場合と同様に調節器31を有する流量計36によって 制御される。プラズマ尾炎部30の周囲には同心気体注入形状が確立され、急冷 /反応気体32の均質な挿入が可能になる。好ましくは、ノズル35は、第3図 又は第4図に示したようなノズル37の配置の一つである。急冷/反応気体ノズ ル37は、第1図又は第2図に示したようなプラズマ尾炎部30の長さ方向にお けるいずれの地点に位置することもできる。急冷/反応気体32の挿入位置は、 プラズマ尾炎部30の長さを切断するように作用し且つ製造工程を制御すること ができる。急冷及び反応気体の組成は、酸素、窒素、ヘリウム、空気又はこれら の気体の組合せのうちの一つであることが好ましい。 アノード20とカソード28の長手方向軸の交点付近に、第一の特性色を示す 反応帯域が形成される。さらに、カソード28の付近に第一の電離アークが形成 され、これが第二の特性色を示す。さらに、カソード28の付近に第一の電離ア ークが形成され、これが第二の特性色を示す。さらに、アノード20の付近に別 のアークが形 成され、これが第三の特性色を示す。ナノ結晶性材料を合成する方法は、第一、 第二及び第三の特性色の中で最大の色分解を発生させることにより製造速度につ いて最適化することができる。形成されるナノ結晶性材料が酸化鉄である場合、 反応帯域は黄色の特性色を示し、カソード28付近のアークは赤色の特性色を示 し、そしてアノード20付近のアークは緑色の特性色を示す。 プラズマアーク装置10を用いて様々なナノ構造材料を製造することができる 。例えば、プラズマ尾炎部30の中で金属チタン蒸気を気体窒素と反応させて8 〜25nmのTiNナノ結晶を形成させることができる。金属チタンを気体酸素 と反応させて5〜40nmのTiO2ナノ結晶を形成させることもできる(実施 例を参照されたい)。これら2種のTi系セラミックス材料TiN(第5A図) 及びTiO2(第5B図)のX線回折データは、異なる2種の材料がプラズマ尾 炎部30を反応帯域として使用することで形成されたことを示している。透過型 電子顕微鏡もまた、これら2種の材料の明らかに異なる形態を示している。 プラズマ尾炎部30における温度勾配を増加させ且つその長さを伸ばすために 、非消費性タングステン電極20を遮蔽する作用気体22に解離可能な不活性気 体(例、窒素、水素、又はこれら両方)を混合(1〜70%)してもよい。プラ ズマ尾炎部30における温度が高いほど、前駆体物質12と反応気体32との反 応の完全性が高くなる。また、注入地点を制御することにより、前駆体物質12 の反応の完全性を制御することができる。大きな温度勾配は、ナノ結晶の形成( 大きさや分布)及びナノ結晶の凝集度を制御することができる。従来技術(例、 米国特許第4,732,369号明細書)とは異なり、作用気体(米国特許第4 ,732,369号明細書での名称は「ピンチガス」)には解離可能な気体酸素 を使用しな いことが最も好ましい。というのは、気体酸素は非消費性タングステン電極20 の腐食の原因となり、また最終製品にタングステンの不純物を発生させるからで ある。第6図は、作用気体22中に酸素を存在させない場合(第6A図)及び0 .5%存在させた場合(第6B図)で作られた材料のエネルギー分散X線分析を 示す。作用気体22中に少量(>0.5%)の酸素が含まれる場合でさえも、最 終製品に含まれるタングステン不純物濃度は約0.2%になりうることが明らか である。誘導結合ブラズママススペクトロメトリーによる不純物分析は、この方 法で作用気体22に酸素を使用しないで製造された材料の純度が非常に高いこと を示している。表1は、この好ましい方法で製造された材料中に存在する典型的 な不純物を示すものである。 急冷/反応気体32によってナノ結晶エアロゾル40(第3図又は第4図参照 )が形成されると、ナノ結晶の凝集が起こる。この点において、そのエアロゾル 40を、径違い円錐形ノズル42の中で乱流混合してさらなる凝集を防止する。 再循環気体または室内空気44を送風機46により円錐形ノズル42の中に導入 する。この再循環気体44は、気体導入ヘッド48によって半径方向(第8図参 照)又は接線方向(第7図参照)においてノズル42に注入するこ とができる。円錐形ノズル42において発生した気体44の渦運動によって、エ アロゾル40が低温再循環気体44と混合され且つこれにより希釈されて、ナノ 結晶のさらなる凝集が防止される。第9図に示したように一つ以上のソース43 によって発生したナノ結晶エアロゾル40を配合し且つ均質化するために、円錐 形ノズル42を使用することもできる。ソース43は、製造速度を高めるために 同じ材料のものであってもよいし、また複合材の形成を可能にする異なる材料を 発生させる別個のソースであってもよい。 第1図又は第2図で最もよくわかるように、円錐形ノズル42を出た後は、混 合されたエアロゾル45は送風機46の作用により大容積の集積ハウジング50 の中に急速に膨張する。この気体の膨張によりエアロゾル45はさらに冷却され る。気体の膨張後には数百度の温度低下が測定されている。大容積の集積ハウジ ング50は濾過媒体54を含有する。この濾過媒体54が凝集の弱いナノ結晶を 捕捉し、そして気体は送風機46により濾過媒体54を介して分離される。ナノ 結晶は、気体注入源56からの気体パルスにより解放されるまで濾過媒体54表 面に残留する。濾過媒体54は、耐熱コーティングを有する布繊維又は多孔質焼 結金属であることができる。凝集したナノ結晶は一般的な粉末として挙動し、そ して濾過媒体54から遊離すると、粉末は弁60を介して保存容器58の中に重 力作用で集められる。 ナノ構造材料の品質(平均粒径、粒径分布、純度及び凝集度)は急冷/反応気 体32を注入する地点によって制御することができ、そしてナノ結晶エアロゾル 40の希釈は粒子形成直後に行うことができる。第10図に、円錐形ノズル42 の中に半径方向で又は接線方向で注入される急冷/反応気体32の流量に対する 凝集粒子の大きさを示す。多くの場合、急冷/反応気体32は、アーク電流及び 前駆体物質によって同じ地点で注入することができる。急冷/反応気体32は、 核生成と凝縮が開始するような温度の地点においてプラズマ尾炎部30に注入す ることが好ましい。プラズマ尾炎部30におけるいずれの地点にも、胚種性微結 晶の凝縮と蒸発の間にはバランスが存在する。分析的には、この臨界粒径は以下 の温度と物性との関係で表される。 ここで、dcは臨界粒径であり、γは表面張力(N/m)であり、Vaは原子容( m3)であり、kはボルツマン定数(1.38×10-23J/K)であり、Tは温 度(K)であり、そしてpv及びpoは実測蒸気圧及び平衡蒸気圧(N/m2)で ある。特許請求の範囲を制限するものではないが、これらの粒子は、他のモノマ ー又は小粒子との融合によって大きな粒子へと成長するためのモノマーとして作 用すると考えられる。融合成長の量はモノマーが経験する衝突の数に依存する。 プラズマ尾炎部30における温度勾配は非常に大きいので、蒸気と形成されつつ ある粒子は高速度で運動する。プラズマ尾炎部30における速度はアークの特性 に強く依存する。 ここで、vは速度(m/s)であり、Iはアーク電流(A)であり、Jは電流 密度(A/m2)であり、μoは自由空間透過率(1.256×10-8N/A2) であり、そしてρは蒸気密度(kg/m-3)である。臨界粒子は、モノマーが形 成される適当な位置において急冷/反応気体32を注入することによって急速に 冷却されることができ、そしてモノマーの衝突数は最適量の急冷/反 応気体32で希釈することにより減らすことができる。この制御の度合いによっ て所望の小さい粒径を実現することができる。速度成分はr-1/2に比例して変動 するので、急冷/反応気体32の注入量が気体の注入地点よりも重要となる。し かしながら、製造速度が増加する(すなわち、蒸気密度が増加する)につれて、 急冷/反応気体32の注入の量及び位置が重要になる。第11A図に、プラズマ 尾炎部30に注入される急冷/反応気体32の量を関数にした平均粒径を示し、 また第11B図に、ナノ結晶性粒子の直径に与える急冷/反応気体32の注入位 置の効果を示す。 金属性又は半導体性の前駆体物質から酸化物、炭化物又は窒化物を形成するた め(例、前駆体Siを用いてSiO2、Si34もしくはSiCを形成すること ができる)、反応気体を急冷気体と一緒に又は別々に導入することができる。反 応気体を急冷気体と一緒にプラズマ尾炎部30の中に導入することにより、急冷 過程を高め且つ小さなナノ結晶粒子の形成を増進する融点のより高い材料の形成 が可能となる。また、作用気体22において解離可能な気体、例えばH2又はN2 を使用することにより、プラズマ尾炎部30の到達温度をより高くすることがで き、前駆体蒸気の反応をより完全なものとすることができる。 作用気体22として高純度アルゴンを用い、そして反応気体32として酸素を 用いてプラズマ尾炎部30に注入すると、二次化学量論的(酸素欠乏)金属酸化 物ナノ結晶生成物が形成される。この二次化学量論性はラマン分光光度分析放射 線写真、X線回折法又は熱重量分析法によって検出することができる。この二次 化学量論的材料は完全酸化を達成するために後処理を必要とする。この後処理に は、粉末を空気中、高温でアニール工程が通常は含まれる。この工程は往々にし て凝集度を増大させ、粒子の大きさを成長させてしま う。作用気体22(特にArガス)に5〜50%の水素を添加すると、形成され るナノ結晶生成物は完全に化学量論的にすることができ、その生成物は後処理を まったく必要としない。この気体混合物は、ナノ構造材料の製造コストを削減し 、凝集の弱い材料の形成を可能にする。このことが粒径に及ぼす効果は相当なも のである。合成時に物質を完全に反応させることによりナノ結晶は凝集が弱く且 つ粒径範囲が15〜20ナノメートルとなるのに対し、、後反応を要する粒子は 一般に粒径か30〜50ナノメートルになってしまう。 本明細書中に記載した方法で形成されたナノ結晶は、ナノ構造材料を形成する ことができる能力について試験することができる。ナノメートル寸法の極微細粒 子を製造するための技法は各種あるが、バルクのナノ構造体又はナノメートル分 散体が望まれる場合には凝集度が重要である。凝集が強すぎると、実用の機械力 では凝集体を一次粒子又は近一次粒子へと破壊するには十分ではない。こうした 粒子を破壊するため、ボールミル微粉砕法のような高エネルギー方法を使用する ことはできる。しかしながら、ボールミル微粉砕法によると、材料に汚染物が混 入して純度が低下することがしばしば起こる。 ナノメートル領域の粒径測定には、通常2種類の技法、すなわち透過型電子顕 微鏡法(TEM)とBET表面積測定法が用いられる。TEMは、凝集して粒子 になる個々の微結晶の目視検査であり、またBETは、下式を用いて表面積測定 値から平均粒径を求めるものである。 ここで、dは平均粒径であり、ρは物質の比重(kg/m3)であり、そしてS は比表面積測定値(m2/gm)である。微結晶が弱 く凝集し、微結晶間に小さな首部を形成し、そしてその微結晶の形状が等軸でほ ぼ球形である場合には、TEMとBETの平均粒径はほぼ等しくなるはずである 。平均TEM微結晶寸法と平均BET粒径は、ナノ構造材料を形成するのに十分 に弱い凝集を示すためには互いに30%以内になければならない。この方法で得 られるナノ結晶は、ナノ結晶性材料を製造するための他の従来技術の方法(すな わち、米国特許第4,642,207号明細書)よりもはるかに小さい平均粒径 及び狭い粒径分布を示す。 表2は、本発明の方法と米国特許第4,642,207号明細書に記載の方法 とによって得られた酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムの比較を示すものであ る。どちらの方法もアークエネルギーを利用して前駆体蒸気を発生させるもので あるが、本発明の方法による変更によって、粒径がより小さく且つ粒径分布がよ り狭い良好なナノ結晶性材料が得られる。また、米国特許第4,732,369 号明細書で用いられているような高周波誘導プラズマを付加しなくても粒径分布 がより狭くなったことにも着目すべきである。 ナノ構造材料における凝集度は、ナノ結晶のバルク団結によってもナノ結晶の 分散によっても測定することができる。ナノ結晶粉末の団結試験は、適量のナノ 結晶性粉末をダイパンチ装置に装填し、そのパンチに1000〜40,000p si(約6.9×106〜約2.8×108Pa)の圧力をかけることによって行 われる。得られたペレットは、その細孔粒径分布が粒径分布と同等である場合に はナノ構造体である。バルクの単結晶状態において光学的に透明である物質はナ ノ構造材料としてもまた透明である。というのは、その材料の粒子及び細孔は可 視光の波長よりもはるかに小さい(すなわち、50nm未満)からである。BE TとTEMによる平均粒径をその平均細孔寸法及び分布幅と共に表3に示す。凝 集度の弱いナノ結晶を団結することにより透明な試料を得ることができる。凝集 のより強い(硬い)ナノ結晶から調製すると不透明試料が得られ、粒子は小さい が細孔の大きな材料が形成される。凝集は、チャンバー14の中の注入位置、急 冷/反応気体32の注入量、及び円錐形混合ノズル42の中へ注入される気体の 量によって制御される。この種の細孔は、常用の焼結法で取り除くことが困難な 場合がある。 団結試験は、ナノ結晶の凝集が、団結の際に発生する機械的エネルギーによっ て凝集体が破壊されうるに十分に弱いことを確立するものである。ナノ結晶材料 を合成する他の発明に対する本発明の改良点は、酸化チタンの細孔寸法分布、粒 径分布及び細孔間隔規則性 を示す第12図を参照すると最もよく理解できる。「別法」を付したデータは米 国特許第5,128,081号明細書に記載されている方法で得られた酸化チタ ンのものである。未標識データは本発明の方法で得られた酸化チタンのものであ る。第12A図からわかるように、本発明の方法を採用した場合のTEM粒径分 布ははるかに小さく且つ狭くなっている。第12B図には、ナノ結晶を団結する と、本発明の装置によって得られた酸化チタンの細孔分布は、米国特許第5,1 28,081号明細書に記載されている方法で得られたものよりもはるかに小さ いことが示されている。第12C図では、細孔間隔の規則性がナノ構造材料の製 造方法の信頼性及び再現性をさらに例示している。また、本発明による方法の製 造速度は、米国特許第5,128,081号明細書に記載されている方法の製造 速度よりも100倍以上高く、本発明の方法が商業的に成功しうる方法であるこ とにも着目すべきである。 凝集のさらに別の試験は、ナノ結晶を5〜50重量%含有する液体(水又はエ チレングリコール)に超音波プローブから超音波エネルギー(0.2〜1ワット )を印加することによって達成される、未処理のナノ結晶粉末の分散である。こ の超音波エネルギーによりコロイド分散体が形成され、これは最低でも5ヵ月間 は分散した懸濁状態のままにある。この液体をさらに別の液体で処理することに よって、ナノ結晶はさらに長期間にわたり懸濁状態のままにあることができる。 この分散試験によって、本発明の方法で得られたナノ結晶粉末の凝集が弱いか、 また純度が高く且つ粒子表面が清浄であるかどうかがわかる。 以下の非限定的実施例は、ナノ構造材料の製造方法を例示するものである。 実施例 実施例1 移動した(transferred)アークにおけるアノードとして出発純度が既知(純度 99〜99.99%)である直径1/8〜3インチ(0.32〜7.62cm) のTi、Al、Zr、Y、Fe、Cr、V、Cu、Si、Sn又はZnの金属ロ ッドを使用した。カソードは2%トリウム化−W電極とし、5〜100%窒素及 び/又は5〜50%水素と組み合わせたアルゴン作用気体25〜100cfhで 遮蔽した。アークの電流は100〜750アンペアの範囲とした。このアークに より長さ1〜4インチ(2.54〜10.16cm)のプラズマ尾炎が発生し、 アノード金属前駆体が蒸発した。移動したアークによって発生したプラズマ尾炎 の中に1〜200g/時の金属蒸気を注入した。ブラズマ尾炎の内部では粒子核 生成が進行し、そしてその尾炎に10〜1000cfhの酸素を注入し、出発物 質の二次酸化物種を形成させた。作用気体中に存在する水素により水蒸気が形成 され、完全に酸化された材料が得られた。さらに冷却し、酸素の存在と高温によ って金属酸化物セラミックス粒子を形成させた。後に、急冷気体(1〜1000 cfm)を空気又は空気の個別成分(O2、N2、H2、H2O、CO2)の形態で 添加し、粒子をさらに冷却し且つ硬い凝集を防止した。ナノ結晶性粉末を集める と、一次凝結体の大きさは典型的には1〜50nmであり、また凝集体の大きさ は典型的には10〜100nmであった。 実施例2 移動したアークにおけるアノードとして出発純度が既知である直径1/8〜3 インチ(0.32〜7.62cm)のTi又はAlの金属ロッドを使用した。カ ソードは2%トリウム化−W電極とし、5〜100%窒素又は5〜50%水素と 組み合わせたアルゴン作用気体25〜100cfhで遮蔽した。アーク電流は1 00〜750 アンペアの範囲とした。このアークによって、長さ1〜4インチ(2.54〜1 0.16cm)のプラズマ尾炎が発生し、アノード金属前駆体が蒸発した。移動 したアークによって発生したプラズマ尾炎の中に1〜200g/時の金属蒸気を 注入した。プラズマ尾炎の内部では粒子核生成が進行し、その尾炎に10〜40 0cfhの窒素を注入し、出発物質の窒化物種を形成させた。さらに冷却し、窒 素の存在と高温によって窒化物セラミックス粒子を形成させた。後に、急冷気体 (1〜1000cfm)をN2、Ar又はHeの形態で添加し、該粒子をさらに 冷却し且つ硬い凝集を防止した。ナノ結晶性粉末を集めると、一次凝結体の大き さは典型的には1〜50nmであり、また凝集体の大きさは典型的には10〜1 00nmであった。 実施例3 金属粉末を配合量15〜50重量%で金属酸化物粉末と混合した。次いで、そ の粉末を加圧及び焼結によって直径1/2〜3インチ(1.27〜7.62cm )のロッドにした。このロッドは導電性であり、移動アークにおけるアノードと して使用した。カソードは2%トリウム化−W電極とし、5〜100%窒素又は 5〜50%水素と組み合わせたアルゴン作用気体25〜100cfhで遮蔽した 。アーク電流は100〜750アンペアの範囲とした。このアークによってアノ ードが蒸発し、移動アークによって発生した長さ1〜4インチ(2.54〜10 .16cm)のプラズマ尾炎の中にアノード蒸気1〜200g/時を注入した。 プラズマ尾炎の内部では粒子核生成が進行し、その尾炎に10〜1000cfh の酸素を注入して冷却し、金属酸化物セラミックス粒子を形成させた。後に急冷 気体(1〜1000cfm)を空気又は空気の個別成分(O2、N2、H2、H2O 、CO2)の形態で添加し、該粒子をさらに冷却し且 つ硬い凝集を防止した。ナノ結晶性粉末を集めると、一次凝結体の大きさは典型 的には1〜50nmであり、また凝集体の大きさは典型的には10〜100nm であった。 実施例4 実施例1と同様にナノ結晶性粉末を製造し、これをダイパンチ装置で5〜50 kpsi(約3.4×107〜3.4×108Pa)の圧力をかけて一軸方向に団 結させた。得られたバルク試料はそのバルク理論値の40〜50%の密度を示し た。その圧縮体の多孔性は細孔が1〜50nmの範囲にある狭い大きさ分布を示 した。団結した試料を900℃付近の温度に加熱すると、その多孔性は、狭い分 布を残したまま、細孔分離間隔が試料全体にわたり一定となるように秩序化した 。この秩序化は、第12D図に示したように、小角中性子散乱(SANS)を利 用することにより検出することができた。第12C図に示したように、この秩序 化により、良好に画定された細孔間隔分布が得られる。 本発明の好ましい実施態様を示して説明したが、添付の請求の範囲に記載され たより広い態様にある本発明から逸脱することなく当業者であれば様々な変更や 修正を実施できることは明白である。 2)請求の範囲(請求の範囲翻訳文第18頁〜第22頁) 1.金属、半導体及びセラミックスから成る群より選ばれたナノ結晶性エアロゾ ルを発生させるための手段を保持するためのチャンバーを提供する工程と、 さらに、長手方向軸を有し、細長い電離アークを発生させる作用気体流によっ て化学反応から遮蔽されている非消費性カソードを提供する工程であって、前記 作用気体流が気体水素及び気体窒素の少なくとも一方と不活性気体とを含む非酸 化性気体から本質的に成る工程と、 さらに、前記細長い電離アークによって気化可能な物質を提供するための、前 記カソードの長手方向軸に対してある角度で傾斜された消費性アノードを提供す る工程と、 前記細長い電離アークの境界内部への急冷気体及び反応気体の少なくとも一方 の注入を開始し、前記アークをいずれかの注入地点において切断させる工程と、 前記作用気体と前記急冷及び/又は反応気体を前記チャンバーへ注入すること により前記カソードと前記アノードとの間で前記アークを維持して、ナノ結晶性 エアロゾルを形成させる工程と、 前記アークの領域外の下流の地点において前記ナノ結晶性エアロゾル中に冷却 気体流を注入して、ナノ結晶性材料を形成させる工程とを含む、ナノ結晶性材料 を合成する方法。 2.前記消費性アノードがクロム、アルミニウム、ジルコニウム、イットリウム 、珪素、チタン及び鉄から成る群より選ばれ、そしてそれらから得られたナノ結 晶性材料が、前記アノードと前記反応気体との化学量論的化合物から本質的に成 る、請求の範囲1に記載の方法。 3.前記反応気体が酸素含有気体を含む、請求の範囲2に記載の方法。 4.前記反応気体が窒素含有気体を含む、請求の範囲2に記載の方法。 5.金属、半導体及びセラミックスから成る群より選ばれたナノ結晶性エアロゾ ルを発生させるための手段を保持するためのチャンバーを提供する工程と、 さらに、長手方向軸を有し、細長い電離アークを発生させる作用気体流によっ て化学反応から遮蔽されている非消費性カソードを提供する工程であって、前記 作用気体流が気体水素及び気体窒素の少なくとも一方と不活性気体とを含む非酸 化性気体から本質的に成る工程と、 さらに、前記細長い電離アークによって気化可能な物質を提供するための、前 記カソードの長手方向軸に対してある角度で傾斜された消費性アノードを提供す る工程と、 前記細長い電離アークの境界内部へ急冷気体及び反応気体の少なくとも一方を 注入し、前記アークをいずれかの注入地点において切断させ、また気体流速を制 御して合成されるナノ結晶性材料の粒径範囲の制御を可能する工程と、 前記作用気体と前記急冷及び/又は反応気体を前記チャンバーへ注入すること により前記カソードと前記アノードとの間で前記アークを維持して、ナノ結晶性 エアロゾルを形成させる工程と、 前記ナノ結晶性エアロゾルを冷却して、ナノ結晶性材料を形成させる工程とを 含む、粒径範囲を制御したナノ結晶性材料を合成する方法。 6.前記アークの領域外の下流の地点において前記ナノ結晶性エアロゾル中に冷 却気体流を注入してナノ結晶性材料を形成させること により、粒径を制御する工程をさらに含む、請求の範囲5に記載の方法。 7.(a)前記アーク中に注入される気体の流速、(b)前記アークの領域外の 下流の地点において注入される気体の流速及び(c)前記アノードの位置に対す る前記急冷気体の注入位置の少なくとも一つを制御することにより、前記ナノ結 晶性材料の粒径を制御する工程をさらに含む、請求の範囲5に記載の方法。 8.前記反応気体が酸素含有気体を含む、請求の範囲5に記載の方法。 9.前記作用気体流並びに前記急冷及び反応気体を前記チャンバーへオープンル ープ気体流系の一部として導入する、請求の範囲5に記載の方法。 10.第一の特性反応帯域色を示す反応帯域が前記アノード及びカソードの長手方 向軸の交点付近に形成され、前記カソード付近に配置された第一の電離アークが 第二の特性色を示し且つ前記アノード付近の前記アークが第三の特性色を示し、 ナノ結晶性材料を合成する前記方法は、これを実施する際に形成される第一、第 二及び第三の特性色の中で最大の色分解を発生させることにより製造速度につい て最適化される、請求の範囲1に記載の方法。 11.形成されるナノ結晶性材料が本質的に酸化鉄から成り、前記反応帯域が黄色 の特性色を示し、前記カソード付近の前記アークが赤色の特性色を示し、そして 前記アノード付近の前記アークが緑色の特性色を示す、請求の範囲10に記載の方 法。 12.ナノ結晶性材料の平均粒径分布がZrO2及びAl23についてそれぞれ約 8ナノメートル及び18ナノメートルである、請求の範囲1に記載の方法。 13.前記ナノ結晶性材料から団結材料を形成する工程をさらに含み、 該団結材料は中実ナノ結晶性粒子間に配置された細孔を含み、該細孔は該団結材 料に関連した特性細孔径分布を示し、前記細孔径分布は約20ナノメートル未満 の平均径を示し、そして前記ナノ結晶性粒子は平均径が約50ナノメートル未満 の粒径分布を示す、請求の範囲1に記載の方法。 14.前記作用気体の流速を制御すること、前記急冷及び/又は反応気体の流速を 制御すること、並びに前記アノードに対する急冷/反応気体注入の位置を制御す ることの少なくとも一つで、前記ナノ結晶性材料の粒子径を変更させる、請求の 範囲1に記載の方法。 15.前記反応帯域において得られた前記ナノ結晶性エアロゾルの凝集を防止する ために乱流混合用のサイクロンを提供する工程と、 前記サイクロンにより混合されたナノ結晶性材料を大容積チャンバー内に膨張 させて該ナノ結晶性材料を冷却する工程と、 前記冷却後のナノ結晶性材料を濾過媒体を通過させて該ナノ結晶性材料と気体 とを分離する工程とをさらに含む、請求の範囲1に記載の方法。 16.前記作用気体流が、He、Ar、Ne、Kr及びXeから成る群より選ばれ た不活性気体を含む、請求の範囲1に記載の方法。 17.前記作用気体流が、窒素、水素及びこれらの混合物から成る群より選ばれた 解離可能な気体をさらに含む、請求の範囲16に記載の方法。 18.前記解離可能な気体が、前記作用気体流に添加された5〜50体積%の気体 水素から本質的に成る、請求の範囲17に記載の方法。 19.前記急冷及び反応気体の少なくとも一種を同心気体注入形状で注入すること により、前記細長い電離アークへの均質注入を可能にする、請求の範囲1に記載 の方法。 20.前記急冷及び/又は反応気体が、酸素、窒素、ヘリウム、空気 及びこれらの混合物の少なくとも一種を含む、請求の範囲1に記載の方法。 21.金属、半導体及びセラミックスから成る群より選はれたナノ結晶性エアロゾ ルを発生させるための手段を含有するためのチャンバーと、 前記チャンバー内に配置され、前記カソードを化学反応から遮蔽しさらに細長 い電離アークを発生させる作用気体流を提供するための手段を有する非消費性カ ソードと、 前記チャンバー内に配置され、前記細長い電離アークによって気化可能な物質 を提供するための、前記カソードに対してある角度で傾斜された消費性アノード と、 前記細長い電離アークを画定する境界の少なくとも一つの点内に急冷及び反応 気体の少なくとも一方を注入するための手段と、 前記アノードと前記カソードに電力を供給して反応帯域の形成、前記非結晶性 エアロゾルの発生及び前記ナノ結晶性材料の合成を可能にするための手段とを含 む、ナノ結晶性材料を合成するための装置。 22.前記作用気体、急冷気体及び反応気体の少なくとも一種の流速を制御する手 段をさらに含む、請求の範囲21に記載の装置。 23.前記反応気体が、窒素、酸素、炭素含有気体及びこれらの混合物から成る群 より選ばれた、請求の範囲21に記載の装置。 24.前記作用気体が、窒素、水素及びこれらの混合物から成る群より選ばれた、 請求の範囲21に記載の装置。 25.前記作用気体が5〜50体積%の気体水素と不活性気体とから本質的に成る 、請求の範囲24に記載の装置。 26.前記エアロゾルを冷却するために前記反応帯域において生成した前記エアロ ゾルを乱流混合するためのサイクロン式混合器と、 前記アノードと前記カソードに電力を供給するための手段と、 前記装置内を流れる気体からナノ結晶性材料を濾過するための手段とをさらに 含む、請求の範囲21に記載の装置。 27.前記濾過手段からナノ結晶性材料を移動させるための逆エアジェットパルス 装置をさらに含む、請求の範囲26に記載の装置。 28.前記注入手段が、前記細長いアークの位置に沿って配置可能な同心気体注入 装置を含む、請求の範囲21に記載の装置。 29.得られたナノ結晶性材料をさらに水溶液中に分散させ、該非結晶性材料の凝 結体の大きさが1〜50nmである、請求の範囲1に記載の方法。 30.前記合成工程によりナノ結晶性材料1キログラム当たり35キロワット時以 上の効率でナノ結晶性材料が得られる、請求の範囲1に記載の方法。 31.前記反応気体が酸素を含み、前記ナノ結晶性材料がTiO2、ZrO2、Si O2、Si34、SiC及びY23から成る群より選ばれる、請求の範囲1に記 載の方法。 32.前記反応気体が気体酸素を含み、そして前記ナノ結晶性材料が本質的に化学 量論的Al23から成る、請求の範囲1に記載の方法。 33.前記反応気体が気体酸素を含み、そして前記ナノ結晶性材料が本質的にFe23から成る、請求の範囲1に記載の方法。 34.前記反応気体が酸素含有気体を含み、前記ナノ結晶性材料が、TiO2、Z rO2、Si34、SiC、SiO2、Y23、Al23及びFe23から成る群 より選ばれる、請求の範囲5に記載の方法。 35.液体溶液中にナノ結晶性材料を分散させてコロイド懸濁液を形成する工程を さらに含む、請求の範囲5に記載の方法。 36.第一の特性反応帯域色を示す反応帯域が前記アノード及びカソードの長手方 向軸の交点付近に形成され、前記カソード付近に配置された第一の電離アークが 第二の特性色を示し且つ前記アノード付近の前記アークが第三の特性色を示し、 ナノ結晶性材料を合成する前記方法は、これを実施する際に形成される第一、第 二及び第三の特性色の中で最大の色分解を発生させることにより製造速度につい て最適化される、請求の範囲5に記載の方法。 37.前記ナノ結晶性材料から団結材料を形成する工程をさらに含み、該団結材料 は中実ナノ結晶性粒子間に配置された細孔を含み、該細孔は該団結材料に関連し た特性細孔径分布を示し、前記細孔径分布は約20ナノメートル未満の平均径を 示し、そして前記ナノ結晶性粒子は平均径が約50ナノメートル未満の粒径分布 を示す、請求の範囲5に記載の方法。 38.前記作用気体の流速を制御すること、前記急冷及び/又は反応気体の流速を 制御すること、並びに前記アノードに対する急冷/反応気体注入の位置を制御す ることの少なくとも一つで、前記ナノ結晶性材料の粒子径を変更させる、請求の 範囲5に記載の方法。 39.前記反応帯域において得られた前記ナノ結晶性エアロゾルの凝集を防止する ために乱流混合用のサイクロンを提供する工程と、 前記サイクロンにより混合されたナノ結晶性材料を大容積チャンバー内に膨張 させて該ナノ結晶性材料を冷却する工程と、 前記冷却後のナノ結晶性材料を濾過媒体を通過させて該ナノ結晶性材料と気体 とを分離する工程とをさらに含む、請求の範囲5に記載の方法。 【図1】 【図2】 【図3】 【図4】 【図5】 【図6】 【図7】 【図8】 【図9】 【図10】 【図11】 【図11】 【図12】 【図12】 【手続補正書】 【提出日】1996年3月13日 【補正内容】 請求の範囲 1.金属、半導体及びセラミックスから成る群より選ばれたナノ結晶性エアロ ゾルを発生させるための手段を保持するためのチャンバーを提供する工程と、 さらに、長手方向軸を有し、細長い電離アークを発生させる作用気体流によっ て化学反応から遮蔽されている非消費性カソードを提供する工程であって、前記 作用気体流が気体水素及び気体窒素の少なくとも一方と不活性気体とを含む非酸 化性気体から本質的に成る工程と、 さらに、前記細長い電離アークによって気化可能な物質を提供するための、前 記カソードの長手方向軸に対してある角度で傾斜された消費性アノードを提供す る工程と、 前記細長い電離アークの境界内部への急冷気体及び反応気体の少なくとも一方 の注入を開始し、前記アークをいずれかの注入地点において切断させる工程と、 前記作用気体と前記急冷及び/又は反応気体を前記チャンバーへ注入すること により前記カソードと前記アノードとの間で前記アークを維持して、ナノ結晶性 エアロゾルを形成させる工程と、 前記アークの領域外の下流の地点において前記ナノ結晶性エアロゾル中に冷却 気体流を注入して、ナノ結晶性材料を形成させる工程とを含む、ナノ結晶性材料 を合成する方法。 2.前記消費性アノードがクロム、アルミニウム、ジルコニウム、イットリウ ム、珪素、チタン及び鉄から成る群より選ばれ、そしてそれらから得られたナノ 結晶性材料が、前記アノードと前記反応気体との化学量論的化合物から本質的に 成る、請求の範囲1に記載の方法。 3.前記反応気体が酸素含有気体を含む、請求の範囲2に記載の方法。 4.前記反応気体が窒素含有気体を含む、請求の範囲2に記載の方法。 5.金属、半導体及びセラミックスから成る群より選ばれたナノ結晶性エアロ ゾルを発生させるための手段を保持するためのチャンバーを提供する工程と、 さらに、長手方向軸を有し、細長い電離アークを発生させる作用気体流によっ て化学反応から遮蔽されている非消費性カソードを提供する工程であって、前記 作用気体流が気体水素及び気体窒素の少なくとも一方と不活性気体とを含む非酸 化性気体から本質的に成る工程と、 さらに、前記細長い電離アークによって気化可能な物質を提供するための、前 記カソードの長手方向軸に対してある角度で傾斜された消費性アノードを提供す る工程と、 前記細長い電離アークの境界内部へ急冷気体及び反応気体の少なくとも一方を 注入し、前記アークをいずれかの注入地点において切断させ、また気体流速を制 御して合成されるナノ結晶性材料の粒径範囲の制御を可能する工程と、 前記作用気体と前記急冷及び/又は反応気体を前記チャンバーへ注入すること により前記カソードと前記アノードとの間で前記アークを維持して、ナノ結晶性 エアロゾルを形成させる工程と、 前記ナノ結晶性エアロゾルを冷却して、ナノ結晶性材料を形成させる工程とを 含む、粒径範囲を制御したナノ結晶性材料を合成する方法。 6.前記アークの領域外の下流の地点において前記ナノ結晶性エアロゾル中に 冷却気体流を注入してナノ結晶性材料を形成させることにより、粒径を制御する 工程をさらに含む、請求の範囲5に記載の方法。 7.(a)前記アーク中に注入される気体の流速、(b)前記アークの領域外 の下流の地点において注入される気体の流速及び(c)前記アノードの位置に対 する前記急冷気体の注入位置の少なくとも一つを制御することにより、前記ナノ 結晶性材料の粒径を制御する工程をさらに含む、請求の範囲5に記載の方法。 8.前記反応気体が酸素含有気体を含む、請求の範囲5に記載の方法。 9.前記作用気体流並びに前記急冷及び反応気体を前記チャンバーへオープン ループ気体流系の一部として導入する、請求の範囲5に記載の方法。 10.第一の特性反応帯域色を示す反応帯域が前記アノード及びカソードの長手 方向軸の交点付近に形成され、前記カソード付近に配置された第一の電離アーク が第二の特性色を示し且つ前記アノード付近の前記アークが第三の特性色を示し 、ナノ結晶性材料を合成する前記方法は、これを実施する際に形成される第一、 第二及び第三の特性色の中で最大の色分解を発生させることにより製造速度につ いて最適化される、請求の範囲1に記載の方法。 11.形成されるナノ結晶性材料が本質的に酸化鉄から成り、前記反応帯域が黄 色の特性色を示し、前記カソード付近の前記アークが赤色の特性色を示し、そし て前記アノード付近の前記アークが緑色の特性色を示す、請求の範囲10に記載の 方法。 12.ナノ結晶性材料の平均粒径分布がZrO2及びAl23についてそれぞれ 8ナノメートル及び18ナノメートルである、請求の範囲1に記載の方法。 13.前記ナノ結晶性材料から団結材料を形成する工程をさらに含み、該団結材 料は中実ナノ結晶性粒子間に配置された細孔を含み、該細孔は該団結材料に関連 した特性細孔径分布を示し、前記細孔径分布は20ナノメートル未満の平均径を 示し、そして前記ナノ結晶性粒子は平均径が50ナノメートル未満の粒径分布を 示す、請求の範囲1に記載の方法。 14.前記作用気体の流速を制御すること、前記急冷及び/又は反応気体の流速 を制御すること、並びに前記アノードに対する急冷/反応気体注入の位置を制御 することの少なくとも一つで、前記ナノ結晶性材料の粒子径を変更させる、請求 の範囲1に記載の方法。 15.前記反応帯域において得られた前記ナノ結晶性エアロゾルの凝集を防止す るために乱流混合用のサイクロンを提供する工程と、 前記サイクロンにより混合されたナノ結晶性材料を大容積チャンバー内に膨張 させて該ナノ結晶性材料を冷却する工程と、 前記冷却後のナノ結晶性材料を濾過媒体を通過させて該ナノ結晶性材料と気体 とを分離する工程とをさらに含む、請求の範囲1に記載の方法。 16.前記作用気体流が、He、Ar、Ne、Kr及びXeから成る群より選ば れた不活性気体を含む、請求の範囲1に記載の方法。 17.前記作用気体流が、窒素、水素及びこれらの混合物から成る群より選ばれ た解離可能な気体をさらに含む、請求の範囲16に記載の方法。 18.前記解離可能な気体が、前記作用気体流に添加された5〜50体積%の気 体水素から本質的に成る、請求の範囲17に記載の方法 19.前記急冷及び反応気体の少なくとも一種を同心気体注入形状で注入するこ とにより、前記細長い電離アークへの均質注入を可能にする、請求の範囲1に記 載の方法。 20.前記急冷及び/又は反応気体が、酸素、窒素、ヘリウム、空気及びこれら の混合物の少なくとも一種を含む、請求の範囲1に記載の方法。 21.金属、半導体及びセラミックスから成る群より選ばれたナノ結晶性エアロ ゾルを発生させるための手段を含有するためのチャンバーと、 前記チャンバー内に配置され、前記カソードを化学反応から遮蔽しさらに細長 い電離アークを発生させる作用気体流を提供するための手段を有する非消費性カ ソードと、 前記チャンバー内に配置され、前記細長い電離アークによって気化可能な物質 を提供するための、前記カソードに対してある角度で傾斜された消費性アノード と、 前記細長い電離アークを画定する境界の少なくとも一つの点内に急冷及び反応 気体の少なくとも一方を注入するための手段と、 前記アノードと前記カソードに電力を供給して反応帯域の形成、前記非結晶性 エアロゾルの発生及び前記ナノ結晶性材料の合成を可能にするための手段とを含 む、ナノ結晶性材料を合成するための装置。 22.前記作用気体、急冷気体及び反応気体の少なくとも一種の流速を制御する 手段をさらに含む、請求の範囲21に記載の装置。 23.前記反応気体が、窒素、酸素、炭素含有気体及びこれらの混合物から成る 群より選ばれた、請求の範囲21に記載の装置。 24.前記作用気体が、窒素、水素及びこれらの混合物から成る群より選ばれた 、請求の範囲21に記載の装置。 25.前記作用気体が5〜50体積%の気体水素と不活性気体とから本質的に成 る、請求の範囲24に記載の装置。 26.前記エアロゾルを冷却するために前記反応帯域において生成した前記エア ロゾルを乱流混合するためのサイクロン式混合器と、 前記アノードと前記カソードに電力を供給するための手段と、 前記装置内を流れる気体からナノ結晶性材料を濾過するための手段とをさらに 含む、請求の範囲21に記載の装置。 27.前記濾過手段からナノ結晶性材料を移動させるための逆エアジェットパル ス装置をさらに含む、請求の範囲26に記載の装置。 28.前記注入手段が、前記細長いアークの位置に沿って配置可能な同心気体注 入装置を含む、請求の範囲21に記載の装置。 29.得られたナノ結晶性材料をさらに水溶液中に分散させ、該非結晶性材料の 凝結体の大きさが1〜50nmである、請求の範囲1に記載の方法。 30.前記合成工程によりナノ結晶性材料1キログラム当たり35キロワット時 以上の効率でナノ結晶性材料が得られる、請求の範囲1に記載の方法。 31.前記反応気体が酸素を含み、前記ナノ結晶性材料がTiO2、ZrO2、S iO2、Si34、SiC及びY23から成る群より選ばれる、請求の範囲1に 記載の方法。 32.前記反応気体が気体酸素を含み、そして前記ナノ結晶性材料が本質的に化 学量論的Al23から成る、請求の範囲1に記載の方法。 33.前記反応気体が気体酸素を含み、そして前記ナノ結晶性材料が本質的にF e23から成る、請求の範囲1に記載の方法。 34.前記反応気体が酸素含有気体を含み、前記ナノ結晶性材料が、TiO2、 ZrO2、Si34、SiC、SiO2、Y23、Al23及びFe23から成る 群より選ばれる、請求の範囲5に記載の方法。 35.液体溶液中にナノ結晶性材料を分散させてコロイド懸濁液を形成する工程 をさらに含む、請求の範囲5に記載の方法。 36.第一の特性反応帯域色を示す反応帯域が前記アノード及びカソードの長手 方向軸の交点付近に形成され、前記カソード付近に配置された第一の電離アーク が第二の特性色を示し且つ前記アノード付近の前記アークが第三の特性色を示し 、ナノ結晶性材料を合成する前記方法は、これを実施する際に形成される第一、 第二及び第三の特性色の中で最大の色分解を発生させることにより製造速度につ いて最適化される、請求の範囲5に記載の方法。 37.前記ナノ結晶性材料から団結材料を形成する工程をさらに含み、該団結材 料は中実ナノ結晶性粒子間に配置された細孔を含み、該細孔は該団結材料に関連 した特性細孔径分布を示し、前記細孔径分布は20ナノメートル未満の平均径を 示し、そして前記ナノ結晶性粒子は平均径が50ナノメートル未満の粒径分布を 示す、請求の範囲5に記載の方法。 38.前記作用気体の流速を制御すること、前記急冷及び/又は反応気体の流速 を制御すること、並びに前記アノードに対する急冷/反応気体注入の位置を制御 することの少なくとも一つで、前記ナノ結晶性材料の粒子径を変更させる、請求 の範囲5に記載の方法。 39.前記反応帯域において得られた前記ナノ結晶性エアロゾルの凝集を防止す るために乱流混合用のサイクロンを提供する工程と、 前記サイクロンにより混合されたナノ結晶性材料を大容積チャンバー内に膨張 させて該ナノ結晶性材料を冷却する工程と、 前記冷却後のナノ結晶性材料を濾過媒体を通過させて該ナノ結晶性材料と気体 とを分離する工程とをさらに含む、請求の範囲5に記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リンパニー,バイロン ビー. アメリカ合衆国,イリノイ 60514,ウィ ローブルック,#823,スチュアート ド ライブ 5961

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.金属、半導体及びセラミックスから成る群より選ばれたナノ結晶性エアロゾ ルを発生させるための手段を保持するためのチャンバーを提供する工程と、 さらに、長手方向軸を有し、細長い電離アークを発生させる作用気体流によっ て化学反応から遮蔽されている非消費性カソードを提供する工程であって、前記 作用気体流が気体水素及び気体窒素の少なくとも一方と不活性気体とを含む非酸 化性気体から本質的に成る工程と、 さらに、前記細長い電離アークによって気化可能な物質を提供するための、前 記カソードの長手方向軸に対してある角度で傾斜された消費性アノードを提供す る工程と、 前記細長い電離アークの境界内部への急冷気体及び反応気体の少なくとも一方 の注入を開始し、前記アークをいずれかの注入地点において切断させる工程と、 前記作用気体と前記急冷及び/又は反応気体を注入することにより前記カソー ドと前記アノードとの間で前記アークを維持し、よって化学量論的なナノ結晶性 材料を形成させる工程とを含む、化学量論的ナノ結晶性材料を合成する方法。 2.前記消費性アノードがアルミニウム、ジルコニウム、イットリウム、珪素、 チタン及び鉄から成る群より選ばれ、そして前記方法で得られたナノ結晶性材料 が前記反応気体の化学量論的珪素化合物、前記反応気体の化学量論的チタン化合 物及び前記反応気体の化学量論的鉄化合物からそれぞれ成る群より選ばれる、請 求の範囲1に記載の方法。 3.前記反応気体が酸素を含み、そして前記ナノ結晶性材料が化学 量論的形態にある二酸化チタンから本質的に成る、請求の範囲2に記載の方法。 4.前記反応気体が窒素を含み、そして前記ナノ結晶性材料が化学量論的形態に ある窒化チタンから本質的に成る、請求の範囲2に記載の方法。 5.前記反応気体が酸素含有気体を含み、そして前記ナノ結晶性材料が化学量論 的形態にある酸化イットリウムから本質的に成る、請求の範囲2に記載の方法。 6.前記反応気体が酸素を含み、そして前記ナノ結晶性材料が化学量論的形態に あるZrO2から本質的に成る、請求の範囲2に記載の方法。 7.前記反応気体が気体酸素を含み、そして前記ナノ結晶性材料が化学量論的A l23から本質的に成る、請求の範囲2に記載の方法。 8.前記反応気体が気体酸素を含み、そして前記ナノ結晶性材料が化学量論的ガ ンマ相Fe23から本質的に成る、請求の範囲2に記載の方法。 9.前記作用気体流並びに前記急冷及び反応気体を前記チャンバーへオープンル ープ気体流系の一部として導入する、請求の範囲1に記載の方法。 10.特性反応帯域色を示す反応帯域が前記アノード及び前記カソードの長手方向 軸の交点付近に形成され、前記カソード付近の第一の電離アークが特性色を示し 且つ前記アノード付近の前記アークが特性色を示し、ナノ結晶性材料を合成する 前記方法は、これを実施する際に形成される三色の中での最大色分離性を発生さ せることにより製造速度について最適化される、請求の範囲1に記載の方法。 11.形成されるナノ結晶性材料が本質的に酸化鉄から成り、前記反 応帯域が黄色の特性色を示し、前記カソード付近の前記アークが赤色の特性色を 示し、そして前記アノード付近の前記アークが緑色の特性色を示す、請求の範囲 10に記載の方法。 12.ナノ結晶性材料の平均粒径分布がZrO2及びAl23についてそれぞれ約 8ナノメートル及び18ナノメートルである、請求の範囲1に記載の方法。 13.特性細孔寸法が、約20ナノメートル未満の平均直径を有する前記細孔寸法 を示すナノ結晶性材料と関連している、請求の範囲1に記載の方法。 14.前記作用気体流量の少なくとも一種を制御し、前記急冷及び/又は反応気体 の量を制御し、そして前記アノードを基準とした急冷及び/又は反応気体注入の 位置を制御することで、前記ナノ結晶性材料の粒子径を変更させる、請求の範囲 1に記載の方法。 15.前記反応帯域において発生した前記ナノ結晶性エアロゾルの乱流混合のため のサイクロンを提供する工程と、 前記サイクロンにより混合されたナノ結晶性材料を大容積チャンバー内に膨張 させて該ナノ結晶性材料をさらに冷却する工程と、 前記冷却後のナノ結晶性材料を濾過媒体を通過させて該ナノ結晶性材料と気体 とを分離する工程とをさらに含む、請求の範囲1に記載の方法。 16.前記作用気体流が、He、Ar、Ne、Kr及びXeから成る群より選ばれ た不活性気体を含む、請求の範囲1に記載の方法。 17.前記作用気体が、窒素、水素及びこれらの混合物から成る群より選ばれた解 離可能な気体を含む、請求の範囲16に記載の方法。 18.前記解離可能な気体が、前記作用気体に添加された5〜50体積%の気体水 素から本質的に成る、請求の範囲17に記載の方法。 19.前記急冷及び反応気体の少なくとも1種を同心気体注入形状で 注入することにより、前記細長い電離アークへの均質注入を可能にする、請求の 範囲1に記載の方法。 20.前記急冷及び/又は反応気体が、酸素、窒素、ヘリウム、空気及びこれらの 混合物の少なくとも一種を含む、請求の範囲1に記載の方法。 21.金属、半導体及びセラミックスから成る群より選ばれたナノ結晶性エアロゾ ルを発生させるための手段を含有するためのチャンバーと、 前記チャンバー内に配置され、前記カソードを化学反応から遮蔽しさらに細長 い電離アークを発生させる作用気体流を提供するための手段を有する非消費性カ ソードと、 前記チャンバー内に配置され、前記細長い電離アークによって気化可能な物質 を提供するための、前記カソードに対してある角度で傾斜された消費性アノード と、 前記細長い電離アークを画定する境界の少なくとも一つの点内に急冷及び反応 気体の少なくとも一方を注入するための手段と、 前記アノードと前記カソードに電力を供給して反応帯域の形成、前記非結晶性 エアロゾルの発生及び前記ナノ結晶性材料の合成を可能にするための手段とを含 む、ナノ結晶性材料を合成するための装置。 22.前記作用気体、急冷気体及び反応気体の少なくとも一種の流速を制御する手 段をさらに含む、請求の範囲21に記載の装置。 23.前記反応気体が、窒素、酸素、炭素含有気体及びこれらの混合物から成る群 より選ばれた、請求の範囲21に記載の装置。 24.前記作用気体が、窒素、水素及びこれらの混合物から成る群より選ばれた、 請求の範囲21に記載の装置。 25.前記作用気体が5〜50体積%の気体水素と不活性気体とから 本質的に成る、請求の範囲24に記載の装置。 26.前記エアロゾルを冷却するために前記反応帯域において生成した前記エアロ ゾルを乱流混合するためのサイクロン式混合器と、 前記アノードと前記カソードに電力を供給するための手段と、 前記装置内を流れる気体からナノ結晶性材料を濾過するための手段とをさらに 含む、請求の範囲21に記載の装置。 27.前記濾過手段からナノ結晶性材料を移動させるための逆エアジェットパルス 装置をさらに含む、請求の範囲26に記載の装置。 28.前記注入手段が、前記細長いアークの位置に沿って配置可能な同心気体注入 装置を含む、請求の範囲21に記載の装置。
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