JPH09330970A

JPH09330970A - 半導体素子の製造方法

Info

Publication number: JPH09330970A
Application number: JP14700596A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Shimoda; 篤下田; Seiji Ishikawa; 誠二石川; Masataka Shiba; 正孝芝
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-06-10
Filing date: 1996-06-10
Publication date: 1997-12-22
Anticipated expiration: 2016-06-10
Also published as: JP3751680B2

Abstract

(57)【要約】【課題】中間工程検査の品質データと歩留まり低下に寄
与する割合の相関を明確とすることである。【解決手段】検査装置３で処理工程毎に検出した品質デ
ータと完成ウエハの歩留まりデータとを蓄積部４に蓄積
し、蓄積されたデータを歩留まり低下寄与率算出手段５
で統計処理する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
方法に係り、特に、半導体素子の製造工程および製品の
品質管理システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体素子の製造ラインでは、異
常を判定する基準値と、検査する工程と、検査を実施す
る頻度等の検査条件は、経験を基に決められていた。

【０００３】まず、半導体素子の製造工程を説明する。
半導体素子の製造工程は、導電性または絶縁性の薄膜を
形成する成膜工程、感光性のレジストを塗布して感光さ
せ、薬液により感光部を選択して溶解する露光工程、露
光工程で形成されたレジストのパターンをマスクとして
薄膜を削るエッチング工程等の処理工程が多数繰り返さ
れる。全ての処理が終了した段階で電子回路素子が完成
し、ここで初めて、電気的品質の良否が判定できる。

【０００４】次に、半導体素子の品質管理方法について
説明する。半導体素子は、処理を始めてから終了まで
に、数百もの工程を経る必要があり、期間は数カ月にも
及ぶ。電気的に品質の不良が判明した段階で、途中の工
程を改善しても、多数の不良素子を作り込んだ後である
ため、膨大な損失を生じる。つまり、処理工程の早い段
階で不良発生を検知し、その原因を究明して、改善操作
を実施する必要がある。ところが、処理工程の途中では
電子回路が未完成であるため、電気的な品質検査ができ
ない。このため、回路パターンの形状や明るさ等の不良
を検査して、ショートや断線等の電気的な不良に至る可
能性を推定している。

【０００５】品質管理方法に関して、特開平５−１３５
０６８号公報では、中間検査の結果と最終検査の結果と
の照合を行い、最終検査における歩留まりを予測する方
式が記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】半導体素子は、多くの
回路パターンが積層されて形成される。近年、回路パタ
ーンの多層化が進み、従来調査されてきた単一工程の品
質データと歩留まりとの相関は、明確でなくなりつつあ
る。このため、工程毎の品質データが歩留まり低下に寄
与する割合を算出する必要がある。また、量産ラインの
プロセスは不安定であり、発生する欠陥のモードは常に
変動している。このため、完成ウエハを利用した歩留ま
り低下への寄与率と現在進行中の処理工程における寄与
率とを関連付ける必要がある。しかし、従来は上記歩留
まり低下への寄与率を定量的に把握する手段がなかっ
た。このため、工程の異常を判定する基準値は、経験に
より決めらていた。

【０００７】一方、半導体素子はパターンの複雑化が進
み、製造プロセスの工数が増大している。製造プロセス
の工数が増大すると、途中の工程で発生した不良を見逃
した場合の損害が大きくなる。しかし、検査漏れを防止
するために、検査する工程の間隔を細かく設定すると、
検査工程数が増大し、単一工程での検査率が低下する問
題がある。また、検査に要する時間が長くなり、工程期
間が増加する問題がある。しかし、従来の半導体素子の
製造ラインでは、検査する工程と、検査を実施する頻度
等の検査条件は、経験を基に決められていた。

【０００８】本発明の第１の目的は、工程毎の品質デー
タが歩留まり低下に寄与する割合を算出する手段を提供
することにある。

【０００９】本発明の第２の目的は、完成ウエハのデー
タから算出した、上記歩留まり低下への寄与率を、現在
進行中の処理工程の寄与率と関連付ける手段を提供する
ことである。

【００１０】本発明の第３の目的は、上記歩留まり低下
への寄与率から、現在進行中の処理工程による歩留まり
を予測して、歩留まり低下の警報を発生する手段を提供
することである。

【００１１】本発明の第４の目的は、上記歩留まり予測
結果から、目標とする歩留まりを達成するために必要
な、品質管理値を提供することである。

【００１２】本発明の第５の目的は、歩留まり低下への
寄与率に応じて、検査頻度を変更して、効率的に検査を
実現する手段を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】図１を基に、本発明の実
現手段を説明する。

【００１４】１は製造装置である。例えば、導体または
絶縁体の薄膜を形成する成膜装置や、レジストを塗布す
る装置、回路パターンを転写する露光装置、露光レジス
トを溶解する現像装置、レジストパターンをマスクとし
て回路パターンを形成するエッチング装置、レジストを
除去するレジスト除去装置、洗浄を行う洗浄装置等であ
る。

【００１５】２はプローブ検査装置である。回路パター
ンが完成した段階で、各素子の電気的な良否を判定す
る。不良素子であっても、冗長回路に切り替えることで
良品となる場合は、回路の一部を切断して、救済する。
この救済装置も、同図２に含まれる。救済が終了した段
階で、最終的な素子の良否判定が行われ、判定結果から
歩留まりが判明する。

【００１６】３は品質データ検査手段である。検出する
品質データの種類が異なる、複数台の装置から構成され
る。本発明では、同一ウエハの全部または一部につい
て、１で処理される工程毎に３の検査装置により品質デ
ータを検出する。検出された品質データは、蓄積手段４
に蓄積すると同時に、不良解析部７に送られる。

【００１７】４は品質データの蓄積手段である。検査装
置３により検出された品質データおよび対応するウエハ
の歩留まりデータが蓄積される。

【００１８】５は処理工程毎の歩留まり低下への寄与率
を算出する手段である。あるウエハについて一時蓄積手
段４で蓄積された品質データと、同一ウエハの歩留まり
検査による検査データとを処理して、処理工程毎の欠陥
の歩留まり低下への寄与率を算出する。

【００１９】６は算出された歩留まり低下への寄与率の
データを蓄積する手段である。

【００２０】７は３で検出された品質データと、６で蓄
積された歩留まり低下への寄与率を用いて、現在進行中
の製品の不良状況を解析する手段である。具体的には、
現在進行中の製品の歩留まりを予測する。また、工程毎
の歩留まり低下寄与率と不良発生数を参照して、追加検
査の要否を判定し、検査頻度を算出する。

【００２１】８は７で算出された予測歩留まりを監視し
て、予め設定してある目標歩留まりを下回る場合に、警
告を発生する、歩留まり低下警告部である。

【００２２】９は７で判定された追加検査の要否および
検査頻度に従って、追加検査を行う品質データ検査手段
である。品質データ検査手段３と同じく、検出する品質
データの種類が異なる複数台の装置から構成される。た
だし、検査手段３と異なり、１で処理される工程毎に検
査する必要はなく、７で算出された検査頻度に従う。検
出された品質データは、７の不良解析部に送られる。こ
の結果、歩留まり低下の回復を歩留まり低下警報部８に
知らせたり、歩留まり低下寄与率が大きな工程の欠陥発
生頻度の増減を知らせて、検査頻度の設定にフィードバ
ックする。

【００２３】１０は製造ラインである。処理される半導
体ウエハの流れを示す。

【００２４】１１は７で判定された追加検査の頻度を伝
える情報の流れを示す。

【００２５】

【発明の実施の形態】図１を基に第１の具体的実施例を
説明する。

【００２６】本実施例では、品質データとして半導体ウ
エハに付着した異物数を用いる。特開昭５４−１０１３
９０号公報に開示されている技術によれば、半導体ウエ
ハに付着した異物を自動的に検査して、異物数が出力さ
れる。

【００２７】異物の上に配線が形成されると、ショート
や断線等の不良となる確率が高い。しかし、形成される
配線の寸法や機能により、不良になり易い場合と不良と
なり難い場合がある。従って、異物数と歩留まり低下へ
の寄与率との相関は一様でなく、従来は定量的に把握す
ることが困難であった。このため、以下に記す２つの問
題があった。

【００２８】第１の問題は、異常と判定すべき異物数を
定量的に定義する手段がないことであった。従来は、経
験的に異物数が決められていた。

【００２９】第２の問題は、同じ異物数が付着した場合
に、歩留まり低下への寄与率が大きな工程と寄与率がわ
ずかな工程が、明確に区別されていないことであった。
本来、歩留まり低下への寄与率が大きな工程は、重点的
に検査を実施するべきである。しかし、従来は検査する
工程や頻度を経験的に決定していた。

【００３０】本発明は、異物数と歩留まり低下への寄与
率を定量的に把握して、上記問題を解決する手段を提供
する。

【００３１】図１の１０は、製造ウエハの流れを示して
いる。製造ウエハは、複数の処理装置１で処理して完成
する。処理装置１とは、薄膜形成、レジスト塗布、感
光、現像、エッチング、レジスト除去等の処理装置を指
す。全ての処理が完了すると、プローブ検査装置２で、
電気的な品質が検査される。この結果、処理した素子数
に対する良品の素子数の割合である、「歩留まり」が判
明する。

【００３２】ところで、いずれかの工程で大量の異物が
発生することを考える。この場合、以後の工程で形成し
た配線はショートまたは断線となり、電気的な不良とな
る確立が高い。このような不良品の作り込みを未然に防
ぐためには、完成前の中間工程で異物の発生を検知し
て、異物の発生を未然に防ぐことが必要である。このた
め、自動検査装置３または９で、ウエハに付着した異物
数を検査する。

【００３３】自動検査装置３は異物数と歩留まり低下の
寄与率の相関を算出するための、品質データを収集する
ことを目的としている。前記目的を達成するために、予
め決められたウエハをサンプルとして、各工程毎に抜き
取り検査する。各処理の後に検査された異物数と、完成
品をプローブ検査した歩留まりとは、蓄積手段４に順次
蓄積される。

【００３４】図２はウエハｎが完成した段階での蓄積手
段４の内容を示す。蓄積手段４には、ウエハ１〜ｎの全
ての処理工程の異物数および歩留まりＹが蓄積されてい
る。また、未完成であるウエハｎ＋１〜ｎ＋ｍについて
は、処理が終了した工程の異物数のみが蓄積されてい
る。ただし、処理工程はｐ通りあり、Ｐ１〜Ｐｐは処理
工程の名称である。また、異物数は、次式による異物密
度として格納されているものとする。

【００３５】

【数１】Ｄ＝ｄ／Ｓ（数１）ただし、Ｄ：異物密度、ｄ：異物個数、Ｓ：検査面積、
である。

【００３６】蓄積手段４に蓄積されたウエハ１〜ｎの異
物密度Ｄと歩留まりＹは、歩留まり低下寄与率算出部５
において処理され、工程毎の歩留まり低下寄与率が算出
される。Ｓ.Ｍ.Ｓzeの著作「ＶＬＳＩＴＥＣＨＮＯＬ
ＯＧＹ」（ＭcＧraw−Ｈill社発行、第２版（１９８８
年）、６２１ページ）によれば、歩留まりモデルとして
以下の式が提案されている。

【００３７】

【数２】Ｙ＝exp(-ＤＡ）（数２）ただし、Ｙ：歩留まり、Ｄ：欠陥密度、Ａ：素子面積、
である。ここで各工程１〜ｐの歩留まり低下寄与率をＸ
１〜Ｘｐと定義すると、下式が定義できる。

【００３８】

【数３】Ｙ＝exp(-Ｄ１・Ａ・Ｘ１）・exp(-Ｄ２・Ａ・Ｘ２）・・・ exp(-Ｄp-１・Ａ・Ｘp-１）・exp(-Ｄp・Ａ・Ｘp）（数３）ただし、Ｙ：歩留まり、Ｄｉ：工程ｉ（ｉ＝１〜ｐ）の
欠陥密度、Ａ：素子面積、Ｘｉ：工程ｉの歩留まり低下
寄与率、である。上記式と図２の蓄積データを利用し
て、歩留まり低下寄与率Ｘｉを算出する方法は、例え
ば、本田、島田共著による「経営のための多変量解析」
（産業能率短期大学出版部発行、(１９７７年)、３４ペ
ージから４８ページ）に記載されている。

【００３９】図３は、歩留まり低下寄与率の算出事例を
示したものである。同図（ａ）は、歩留まり低下寄与率
Ｘｉを算出した結果である。同図の例では、ウエハ１〜
ｎのｎ枚のウエハの異物密度を評価に利用している。評
価対象となるウエハは、データが新しく蓄積される度
に、更新する必要がある。同図（ａ）のＸｉの値を数３
に代入することにより、歩留まり予測モデルが完成す
る。算出した、歩留まり低下寄与率は、蓄積手段６に蓄
積され、不良解析手段７で利用される。

【００４０】不良解析手段７では、蓄積手段６に蓄積さ
れて歩留まり低下寄与率と、現在処理が進行中のウエハ
ｎ以降の異物密度データとを利用する。この結果、不良
解析部７では、下記のことが実現できる。

【００４１】第１に、品質データの異常を定量的に判定
する手段を提供する。以下、図３において、工程数ｐを
１０とし、目標歩留まり０.９０以上とするための条件
を求める。１０工程の各工程歩留まり目標値を求める
と、０.９９となる。同図（ｂ）のＹＴｉ（ｉ＝１〜
ｐ）は各工程の目標歩留まりである。各工程の目標とす
べき異物密度ＤＴｉ（ｉ＝１〜ｐ）は次式を解くことに
より求まる。

【００４２】

【数４】ＹＴｉ＝exp(-ＤＴｉ・Ａ・Ｘｉ）（数４）ただし、Ｘｉ（ｉ＝１〜ｐ）は図３（ａ）で示す歩留ま
り低下の寄与率である。同図（ｃ）は、上記式を解いた
結果である。同図（ｃ）より、工程Ｐｐ−１の工程歩留
まりＹＴｐ−１（＝０.９９）を達成するためには、異
物密度ＤＴｐ−１を０.０１２５以下に抑える必要があ
ることがわかる。一方、現在処理が進行中の工程品質レ
ベルを調べることを考える。例えば、現在の各工程の異
物密度が同図（ｄ）となったとする。同図の値は、現在
処理が進行しているウエハの検査結果である。例えば、
工程ｐ１の異物密度は図２のウエハ（ｎ＋ｍ）の検査結
果であり、工程Ｐ２はウエハ（ｎ＋２）の検査結果であ
り、工程Ｐｐ−１とはＰｐはウエハ（ｎ＋１）の検査結
果である。同図（ｄ）と同図（ｃ）を比較すると、工程
Ｐｐ−１の異物密度が目標値の０.０１２５を越えてい
ることがわかる。同図（ｅ）は、同図（ｄ）の結果を基
に、予想歩留まりを算出した結果である。工程Ｐｐ−１
は、工程毎の目標歩留まりである０.９９を下回ってい
ることがわかる。このため、対策を実施することなく処
理を続行すると、最終的な製品歩留まりは、目標値の
０.９０を下回ることが予想される。このため、歩留ま
り低下警報部８で、工程Ｐｐ−１に対して製造装置の清
掃等の異物発生を防ぐ対策を実施する必要があることを
警告する。

【００４３】不良解析部７で実現できる、第２の点は、
重点的に検査数すべき工程と検査頻度の定量的な指標を
提供することである。図３（ｅ）より、工程Ｐｐ−１の
歩留まりが最も低いため、工程Ｐｐ−１を重点的に検査
する必要があることがわかる。工程Ｐｐ−１の不良率
は、１.０−０.９２３＝０.０７７であり、工程Ｐｐの
不良率は、１.０−０.９９５＝０.００５であることか
ら、工程Ｐｐ−１は工程Ｐｐの（０.０７７／０.００
５）＝１５.４倍の頻度で検査を実施することが望まし
いと言える。これら、検査頻度１１は検査手段９に送ら
れる。検査手段９では、検査頻度１１に従って、工程歩
留まりが低い工程を重点的に検査する。このことによ
り、歩留まり低下に寄与する割合が高い工程を効率よく
検査できる。

【００４４】以上、第１の実施例では、検査手段３で検
出した異物密度とプローブ検査装置で検出した歩留まり
データを基に、歩留まり低下寄与率を５で算出して、不
要解析部７で解析を行う。このことにより、従来困難で
あった、工程不良を判断する定量的手法を提供すると伴
に、歩留まり低下警報部８から警告を発し、さらに、重
要な工程の検査頻度を上げて効率的な検査を実現する手
段が提供できる。

【００４５】次に、図１を基に、第２の具体的実施例を
説明する。

【００４６】本実施例では、品質データとして、異物の
みならずパターンの形状異常や明るさむら等を含む。特
開昭６１−１５１４１０号公報、特開昭６２−４３５０
５号公報に開示指されている技術によれば、形成された
パターンの形状や明るさが異常な部位を自動的に検査し
て、欠陥の数が出力できる。さらに、欠陥部位を金属顕
微鏡で人間が見直し、欠陥の形状、明るさ、場所、分布
形状等の特徴を基に複数のカテゴリに分類することによ
り、より詳細な品質データが入手できる。前記自動検査
装置で検出される欠陥は、種類が多様であるため、歩留
まり低下への寄与率のばらつきも大きい。従って、第１
の実施例と同じく、歩留まり低下への寄与率を定量的に
は把握することが従来は困難であった。このため、異常
と判定すべき欠陥数の基準を定量的に定義する手段がな
く、従来は経験的に決められていた。また、歩留まり低
下への寄与率が大きな工程と寄与率がわずかな工程が、
明確に区別されておらず、検査する工程や頻度を経験的
に決定していた。本実施例では、第１の実施例の異物密
度を欠陥カテゴリ毎の欠陥密度に置き換えて、本発明を
適用する事例を説明する。

【００４７】図１の自動検査装置３または９で、ウエハ
表面で発生した形状不良や明るさむら等の欠陥を検査す
る。検出された欠陥は、欠陥部位を金属顕微鏡で人間が
見直し、欠陥の形状、明るさ、場所、分布形状等の特徴
を基に分類する。分類されたカテゴリをＡ，Ｂ，Ｃとす
る。例えば、Ａは異物であり、Ｂはパターンのショート
であり、Ｃはパターンの断線であるとする。

【００４８】自動検査装置３は、カテゴリ毎の欠陥密度
と歩留まり低下の寄与率の相関を算出するための、品質
データを収集することを目的としている。前記目的を達
成するために、予め決められたウエハをサンプルとし
て、各工程毎に抜き取り検査することは、第１の実施例
と同じである。検査されたカテゴリ毎の欠陥密度と、完
成品をプローブ検査した歩留まりとは、蓄積手段４に順
次蓄積される。

【００４９】図４は、ウエハｎが完成した段階での蓄積
手段４の内容を示す。蓄積手段４には、ウエハ１〜ｎの
全ての処理工程のカテゴリＡ，Ｂ，Ｃ毎の欠陥密度およ
び歩留まりＹが蓄積されている。また、未完成であるウ
エハ（ｎ＋１）〜（ｎ＋ｍ）については、処理が終了し
た工程の欠陥密度のみが蓄積されている。

【００５０】蓄積手段４に蓄積されたウエハ１〜ｎの欠
陥密度Ｄと歩留まりＹは、歩留まり低下寄与率算出部５
において処理され、工程と欠陥カテゴリ毎に歩留まり低
下寄与率が算出される。数３に対応する歩留まりモデル
は、次式で表される。

【００５１】

【数５】Ｙ＝exp(-Ｄ１・Ａ・Ｘ１Ａ)・exp(-Ｄ１・Ａ・Ｘ１Ｂ)・exp(-Ｄ１・Ａ・ＸＩＣ）・・・ exp(-Ｄp・Ａ・ＸpＡ)・exp(-Ｄp・Ａ・ＸpＢ)・exp(-Ｄp・Ａ・ＸpＣ）（数５）ただし、Ｙ：歩留まり、Ｄｉ：工程ｉ（ｉ＝１〜ｐ）の
欠陥密度、Ａ：素子面積、ＸｉＡ：工程ｉのカテゴリＡ
の歩留まり低下寄与率、等である。

【００５２】図５は、歩留まり低下寄与率の算出事例を
示したものである。同図（ａ）は、歩留まり低下寄与率
ＸｉＡ，ＸｉＢ，ＸｉＣ（ｉ＝１〜ｐ）を算出した結果
である。同図の例では、ウエハ１〜ｎのｎ枚のウエハの
欠陥密度を計算に利用している。同図（ａ）のＸｉＡ，
ＸｉＢ，ＸｉＣ、の値を数５に代入することにより、歩
留まり予測モデルが完成する。算出した、歩留まり低下
寄与率は、蓄積手段６に蓄積され、不良解析手段７で利
用される。

【００５３】不良解析手段７では、蓄積手段６に蓄積さ
れた歩留まり低下寄与率と、現在処理が進行中のウエハ
ｎ以降を欠陥密度データとを利用する。

【００５４】ここで、第２の実施例の大きな特徴は、欠
陥カテゴリ毎に歩留まり低下への寄与率を算出できるこ
とにある。歩留まり低下寄与率を算出したウエハ１〜ｎ
の検査時点と、現在処理中のウエハ（ｎ＋１）〜（ｎ＋
ｍ）の間では時間的なずれが大きい。このため、欠陥の
内容が変化している恐れがある。欠陥の大きさや材質が
変化すると歩留まり低下への寄与率が変化するため、過
去のウエハ１〜ｎの情報を利用して、現在処理中のウエ
ハ（ｎ＋１）〜（ｎ＋ｍ）の歩留まり低下寄与率を評価
すると、誤差が生じる恐れがある。しかし、欠陥のカテ
ゴリ毎のデータでは、欠陥の大きさや材質が一致してい
るため、より精度の高い評価が可能である。

【００５５】図５（ｂ）は、現在処理中のウエハの欠陥
密度を示している。例えば、工程ｐ１の欠陥密度は図４
のウエハ（ｎ＋ｍ）の検査結果であり、工程Ｐ２はウエ
ハｎ＋２の検査結果であり、工程Ｐｐはウエハ（ｎ＋
１）の検査結果である。同図（ｂ）の欠陥密度の中で
は、工程ＰｐのカテゴリＡの欠陥密度ＤｐＡを最も精度
良く管理する必要がある。なぜなら、同図（ａ）にしめ
す歩留まり低下寄与率が最大であるからである。そこ
で、ＤｐＡを未知数として、同図（ｂ）のデータと数５
を用いて、工程およびカテゴリ毎の予想歩留まりを算出
する。結果を同図（ｃ）に示す。目標とする製品歩留ま
りを０.９０と仮定すると、同図（ｃ）の未知数ｙがｙ
＝０.９２と算出される。この値は、他のカテゴリの予
想歩留まりと比べると低い値であるが、目標歩留まりを
達成するための十分条件であり、合理的な値である。つ
まり、歩留まり低下寄与率が特に大きい工程Ｐｐ−１の
管理値を合理的に決定することが可能であり、製造工程
を実用的なレベルで管理することができる。工程Ｐｐの
管理基準値は、数４を利用してｘ＝０.０１２５と算出
することができる。

【００５６】以上、第２の実施例では、欠陥のカテゴリ
毎の欠陥密度を管理することにより、欠陥の大きさや材
質等が歩留まり低下寄与率算出時から変化しても、精度
良く品質管理ができる。このことにより、工程不良を判
断する定量的手法を提供すること、歩留まり低下警報部
８から警告を発すること、および、重要な工程の検査頻
度を上げて効率的な検査を実現すること等を、精度良く
実現する手段が提供でき、合理的な工程品質管理が可能
となる。

【００５７】

【発明の効果】本発明によれば、従来困難であった、工
程不良を判断する定量的手法を提供すること、歩留まり
低下を警報すること、および、重要な工程の検査頻度を
上げて効率的な検査を実現することを、精度良く実現す
る手段が提供でき、合理的な工程品質管理が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の概念図および実施例のブロック図。

【図２】本発明の第１の実施例で利用する異物密度およ
び歩留まりデータの説明図。

【図３】本発明の第１の実施例による歩留まり低下寄与
率の計算例及び利用例の説明図。

【図４】本発明の第２の実施例で利用する欠陥密度およ
び歩留まりデータの説明図。

【図５】本発明の第２の実施例による歩留まり低下寄与
率の計算例及び利用例の説明図。

【符号の説明】

１…製造装置、２…プローブ検査装置、３…品質データ検出手段、４…品質データおよび歩留まりデータ蓄積部、５…歩留まり低下寄与率算出部、６…歩留まり低下寄与率蓄積部、７…不良解析部、８…歩留まり低下警告部、９…品質データ検出手段、１０…製造ライン、１１…検査頻度データ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の処理工程からなる半導体素子の製造
プロセスにおいて、処理工程毎に品質データが検出可能
な一つ以上の検査装置を備え、(イ)同一ウェハの全部ま
たは一部の品質データを処理工程毎に検出して、上記品
質データを蓄積する手段と、(ロ)（イ）の被検査部の歩
留まりが判明した後に、蓄積してある上記品質データを
基に、処理工程毎の歩留まり低下寄与率を算出して、上
記歩留まり低下寄与率を蓄積する手段とを有し、(ハ)
（ロ）で蓄積された歩留まり低下寄与率と、（イ）で検
出された品質データを用いることにより、現在進行中の
処理工程ならびに製品に関する品質情報を加工し、上記
品質情報を利用することを特徴とする半導体素子の製造
方法。
【請求項２】請求項１において、処理工程毎の歩留まり
低下寄与率を算出する手段として、統計処理、特に多変
量解析による予測モデルを利用する半導体素子の製造方
法。
【請求項３】請求項１において、(イ)で検出した品質デ
ータの不良部位の特徴、すなわち形状、明るさ、場所、
分布形状等の特徴により複数のカテゴリに分類して、
(ロ)で上記カテゴリ毎に歩留まり低下寄与率を算出し
て、(ハ)でカテゴリが同一である、（イ）の品質データ
と（ロ）の歩留まり低下寄与率とを利用して、品質情報
を加工する半導体素子の製造方法。
【請求項４】請求項１において、加工された品質情報を
基に予測歩留まりを算出して、歩留まり低下を警告する
半導体素子の製造方法。
【請求項５】請求項１において、加工された品質情報を
基に予測歩留まりを算出して、予め設定した目標歩留ま
りを達成するための品質管理値を算出し、活用する半導
体素子の製造方法。
【請求項６】請求項１において、加工された品質情報を
検査頻度にフィードバックして、処理工程毎の検査頻度
を決定する半導体素子の製造方法。