JPH09301738A - 分散シフト光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
分散シフト光ファイバ母材の製造方法Info
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- JPH09301738A JPH09301738A JP8146623A JP14662396A JPH09301738A JP H09301738 A JPH09301738 A JP H09301738A JP 8146623 A JP8146623 A JP 8146623A JP 14662396 A JP14662396 A JP 14662396A JP H09301738 A JPH09301738 A JP H09301738A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘導ブリルアン散乱発生しきい値が大きく入
力限界パワーの大きい分散シフト光ファイバ母材の製造
方法を提供する。 【解決手段】 ＶＡＤ法を用いて、コア層３の外周側に
クラッド層４を同時合成して成るスート５を形成し、こ
のスート５のコア層３の中心部に、コア層３と同心円状
でコア層３の内径よりも小さいコア中心穴６を設ける
（ａ）。このスート５をガラス化してコア層３をコア８
に、クラッド層４をクラッド９にすると共に、ガラス化
においてコア８およびクラッド９にドープするＦドーパ
ント濃度をコア８とクラッド９の長手方向に連続して変
化させる。ガラス化工程においてコア中心穴６を塞ぎ
（ｂ）、コア８の内径Ａ′をコア層３の内径Ａよりも小
さくし、クラッド９の内径Ｂ′をクラッド層４の内径Ｂ
よりも小さくしてコア８の体積を減少させ、Ｆドーパン
ト濃度の長手方向の変化量を大きくする。
力限界パワーの大きい分散シフト光ファイバ母材の製造
方法を提供する。 【解決手段】 ＶＡＤ法を用いて、コア層３の外周側に
クラッド層４を同時合成して成るスート５を形成し、こ
のスート５のコア層３の中心部に、コア層３と同心円状
でコア層３の内径よりも小さいコア中心穴６を設ける
（ａ）。このスート５をガラス化してコア層３をコア８
に、クラッド層４をクラッド９にすると共に、ガラス化
においてコア８およびクラッド９にドープするＦドーパ
ント濃度をコア８とクラッド９の長手方向に連続して変
化させる。ガラス化工程においてコア中心穴６を塞ぎ
（ｂ）、コア８の内径Ａ′をコア層３の内径Ａよりも小
さくし、クラッド９の内径Ｂ′をクラッド層４の内径Ｂ
よりも小さくしてコア８の体積を減少させ、Ｆドーパン
ト濃度の長手方向の変化量を大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘導ブリルアン散
乱抑圧型の分散シフト光ファイバ母材の製造方法に関す
るものである。
乱抑圧型の分散シフト光ファイバ母材の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ中の誘導ブリルアン散乱（Ｓ
ＢＳ）は、非線形現象の１つであり、入射光とファイバ
中の音響フォノンとの間の非弾性散乱によって生じる。
誘導ブリルアン散乱により光信号は後方に散乱され、そ
の程度はしきい値を越えると急激に増加する。そして、
この誘導ブリルアン散乱の増加に起因し、しきい値を越
えて入射光パワーを増加させても透過光パワーは殆ど変
化しなくなるため、誘導ブリルアン散乱は光通信にとっ
て大きな障害となる。近年ではエルビウムドープ光ファ
イバ増幅器の発展により光の高出力が可能になってきた
ため、この高出力の光を入力して、その強い入射光パワ
ーをあまり減少させることなく透過させることができる
光ファイバの開発が求められており、このような光の入
力限界パワーの大きい光ファイバを形成するために、誘
導ブリルアン散乱を抑圧することは非常に重要となって
きている。
ＢＳ）は、非線形現象の１つであり、入射光とファイバ
中の音響フォノンとの間の非弾性散乱によって生じる。
誘導ブリルアン散乱により光信号は後方に散乱され、そ
の程度はしきい値を越えると急激に増加する。そして、
この誘導ブリルアン散乱の増加に起因し、しきい値を越
えて入射光パワーを増加させても透過光パワーは殆ど変
化しなくなるため、誘導ブリルアン散乱は光通信にとっ
て大きな障害となる。近年ではエルビウムドープ光ファ
イバ増幅器の発展により光の高出力が可能になってきた
ため、この高出力の光を入力して、その強い入射光パワ
ーをあまり減少させることなく透過させることができる
光ファイバの開発が求められており、このような光の入
力限界パワーの大きい光ファイバを形成するために、誘
導ブリルアン散乱を抑圧することは非常に重要となって
きている。
【０００３】ところで、誘導ブリルアン散乱は、光ファ
イバの屈折率等のファイバ特性が均一であるほど起こり
易いことが知られており、したがって、誘導ブリルアン
散乱を抑圧するためには光ファイバの長手方向に何らか
の変化を与えて光ファイバの特性を長手方向に不均一化
すればよいことになる。
イバの屈折率等のファイバ特性が均一であるほど起こり
易いことが知られており、したがって、誘導ブリルアン
散乱を抑圧するためには光ファイバの長手方向に何らか
の変化を与えて光ファイバの特性を長手方向に不均一化
すればよいことになる。
【０００４】そこで、特開平５−２４９３２９号公報に
示されているように、ＧｅＯ2 （酸化ゲルマニウム）ド
ープ石英を主成分とするコアと、純粋石英を主成分とす
るクラッドを有する光ファイバにおいて、これらのコア
とクラッドにはＦ（フッ素）がドープされており、この
Ｆドーパント濃度がコアおよびクラッドの長手方向に連
続して変化することによりコアの屈折率とクラッドの屈
折率がそれぞれコアおよびクラッドの長手方向に連続し
て変化した誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光フ
ァイバが提案されている。なお、この分散シフト光ファ
イバはコアの屈折率に対するクラッドの相対屈折率（比
屈折率差）がコアおよびクラッドの全長にわたって等し
く形成されており、この分散シフト光ファイバの屈折率
分布は図４に示すようになっている。
示されているように、ＧｅＯ2 （酸化ゲルマニウム）ド
ープ石英を主成分とするコアと、純粋石英を主成分とす
るクラッドを有する光ファイバにおいて、これらのコア
とクラッドにはＦ（フッ素）がドープされており、この
Ｆドーパント濃度がコアおよびクラッドの長手方向に連
続して変化することによりコアの屈折率とクラッドの屈
折率がそれぞれコアおよびクラッドの長手方向に連続し
て変化した誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光フ
ァイバが提案されている。なお、この分散シフト光ファ
イバはコアの屈折率に対するクラッドの相対屈折率（比
屈折率差）がコアおよびクラッドの全長にわたって等し
く形成されており、この分散シフト光ファイバの屈折率
分布は図４に示すようになっている。
【０００５】すなわち、光ファイバの入射側から出射側
に向かうに連れて、Ｆドーパント濃度が徐々に増加して
おり、それに伴い、コアおよびクラッドの屈折率はそれ
ぞれ、光ファイバの入射側から出射側に向かうに連れて
徐々に低下しているが、コアの長手方向に対するＦドー
パント濃度変化とクラッドの長手方向に対するＦドーパ
ント濃度変化とは等しいために、コアの屈折率に対する
クラッドの相対屈折率（図４のＮ）の大きさは光ファイ
バの長手方向のどの位置においても等しい大きさとなっ
ている。
に向かうに連れて、Ｆドーパント濃度が徐々に増加して
おり、それに伴い、コアおよびクラッドの屈折率はそれ
ぞれ、光ファイバの入射側から出射側に向かうに連れて
徐々に低下しているが、コアの長手方向に対するＦドー
パント濃度変化とクラッドの長手方向に対するＦドーパ
ント濃度変化とは等しいために、コアの屈折率に対する
クラッドの相対屈折率（図４のＮ）の大きさは光ファイ
バの長手方向のどの位置においても等しい大きさとなっ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光ファイバ
を形成する光ファイバ母材の製造方法として、コアを形
成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とを、Ｖ
ＡＤ（Vapor-phase Axial Deposition）法を用いて同時
合成してスートを形成し、このスートをガラス化する方
法が広く用いられている。前記ＶＡＤ法を用いてスート
を形成するときには、コアおよびクラッドの原材料を気
相化し、図５に示すように、棒状の基板10の先端側に、
コア層３となるＧｅＯ2 ドープ石英ガラス粒子体を気相
反応により合成して基板10の軸方向に堆積させていき、
このコア層３の外周側にクラッド層４の石英ガラス粒子
体を堆積させていく。なお、同図に示すように、基板10
を上側に引き上げながらコア層３およびクラッド層４を
堆積させていくことにより、コア層３およびクラッド層
４が基板10の軸方向に堆積される。
を形成する光ファイバ母材の製造方法として、コアを形
成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とを、Ｖ
ＡＤ（Vapor-phase Axial Deposition）法を用いて同時
合成してスートを形成し、このスートをガラス化する方
法が広く用いられている。前記ＶＡＤ法を用いてスート
を形成するときには、コアおよびクラッドの原材料を気
相化し、図５に示すように、棒状の基板10の先端側に、
コア層３となるＧｅＯ2 ドープ石英ガラス粒子体を気相
反応により合成して基板10の軸方向に堆積させていき、
このコア層３の外周側にクラッド層４の石英ガラス粒子
体を堆積させていく。なお、同図に示すように、基板10
を上側に引き上げながらコア層３およびクラッド層４を
堆積させていくことにより、コア層３およびクラッド層
４が基板10の軸方向に堆積される。
【０００７】スート５は白色体であり、このスート５を
例えばゾーン炉内に通して高温で反応させることによ
り、ガラス化が行われ、このガラス化によって透明な光
ファイバ母材が形成される。なお、光ファイバ母材をそ
の端部から高周波加熱炉、電気炉、酸素・水素炎等で20
00℃程度に加熱しながら紡糸することにより、細い光フ
ァイバが形成される。
例えばゾーン炉内に通して高温で反応させることによ
り、ガラス化が行われ、このガラス化によって透明な光
ファイバ母材が形成される。なお、光ファイバ母材をそ
の端部から高周波加熱炉、電気炉、酸素・水素炎等で20
00℃程度に加熱しながら紡糸することにより、細い光フ
ァイバが形成される。
【０００８】図４に示したような屈折率分布を有する前
記誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイバ母
材を形成するときには、前記の如く、スート５をゾーン
炉内に通すときに、このゾーン炉内のＦ分圧を時間変化
させながらスート５を長手方向に通していくことによ
り、Ｆドーパント濃度をコアおよびクラッドの長手方向
に連続して変化させることができる。すなわち、Ｆ雰囲
気のゾーン炉内にスート５の一端側から通していってガ
ラス化すると、このガラス化においてＦがコアおよびク
ラッドにドープされるが、このとき、ゾーン炉内のＦ分
圧を時間がたつに連れて徐々に大きくしていくと、コア
およびクラッドにドープされるＦドーパント濃度が、コ
アおよびクラッドの長手方向に連続して徐々に増加する
ことになるため、スート５の一端側を入射側とし、他端
側を出射側とすれば、図４に示したような屈折率分布を
有する分散シフト光ファイバが形成される。
記誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイバ母
材を形成するときには、前記の如く、スート５をゾーン
炉内に通すときに、このゾーン炉内のＦ分圧を時間変化
させながらスート５を長手方向に通していくことによ
り、Ｆドーパント濃度をコアおよびクラッドの長手方向
に連続して変化させることができる。すなわち、Ｆ雰囲
気のゾーン炉内にスート５の一端側から通していってガ
ラス化すると、このガラス化においてＦがコアおよびク
ラッドにドープされるが、このとき、ゾーン炉内のＦ分
圧を時間がたつに連れて徐々に大きくしていくと、コア
およびクラッドにドープされるＦドーパント濃度が、コ
アおよびクラッドの長手方向に連続して徐々に増加する
ことになるため、スート５の一端側を入射側とし、他端
側を出射側とすれば、図４に示したような屈折率分布を
有する分散シフト光ファイバが形成される。
【０００９】しかしながら、このようなゾーン炉内での
Ｆ分圧変化を時間がたつに連れて急激に変化させること
は難しく、エルビウムドープ光ファイバ増幅器からの高
出力の光を強いパワーのまま透過させることができるよ
うに、誘導ブリルアン散乱発生のしきい値を十分に高く
できるほど、Ｆ分圧の変化によってＦドーパント濃度変
化を急激にすることはできなかった。
Ｆ分圧変化を時間がたつに連れて急激に変化させること
は難しく、エルビウムドープ光ファイバ増幅器からの高
出力の光を強いパワーのまま透過させることができるよ
うに、誘導ブリルアン散乱発生のしきい値を十分に高く
できるほど、Ｆ分圧の変化によってＦドーパント濃度変
化を急激にすることはできなかった。
【００１０】そこで、例えば分散シフト光ファイバ母材
におけるコアの体積を減少させることにより、光ファイ
バ長手方向に対するＦドーパント濃度変化量を大きくす
ることも考えられる。それというのは、前記の如く、光
ファイバは光ファイバ母材の紡糸によって形成されるこ
とから、同じコア径の光ファイバを形成するにあたり、
光ファイバ母材のコアの体積が大きいと、形成される光
ファイバの長さが長くなり、結果的に光ファイバ長手方
向に対するＦドーパント濃度変化量が小さくなってしま
う。その逆に、光ファイバ母材におけるコアの体積が小
さいと、光ファイバ長手方向に対するＦドーパント濃度
変化量を大きくすることができるのである。
におけるコアの体積を減少させることにより、光ファイ
バ長手方向に対するＦドーパント濃度変化量を大きくす
ることも考えられる。それというのは、前記の如く、光
ファイバは光ファイバ母材の紡糸によって形成されるこ
とから、同じコア径の光ファイバを形成するにあたり、
光ファイバ母材のコアの体積が大きいと、形成される光
ファイバの長さが長くなり、結果的に光ファイバ長手方
向に対するＦドーパント濃度変化量が小さくなってしま
う。その逆に、光ファイバ母材におけるコアの体積が小
さいと、光ファイバ長手方向に対するＦドーパント濃度
変化量を大きくすることができるのである。
【００１１】しかしながら、コアを形成するためのコア
層３をＶＡＤ法によって形成させる際に、コア層３を細
径に堆積させると不安定となり、コア層３およびクラッ
ド層４を基板10の軸方向に均一に堆積成長させることが
できなくなってしまうために、スート５を作製するとき
にコア層３の体積を減少させて光ファイバ母材を形成す
ることは困難だった。
層３をＶＡＤ法によって形成させる際に、コア層３を細
径に堆積させると不安定となり、コア層３およびクラッ
ド層４を基板10の軸方向に均一に堆積成長させることが
できなくなってしまうために、スート５を作製するとき
にコア層３の体積を減少させて光ファイバ母材を形成す
ることは困難だった。
【００１２】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的は、分散シフト光ファイバにド
ープされるＦドーパント濃度の光ファイバ長手方向に対
する変化量を大きくすることが可能であり、それによ
り、光ファイバの誘導ブリルアン散乱発生のしきい値を
高くして誘導ブリルアン散乱を抑圧し、光ファイバへの
入力限界パワーを大きくすることができる分散シフト光
ファイバ母材の製造方法を提供することにある。
たものであり、その目的は、分散シフト光ファイバにド
ープされるＦドーパント濃度の光ファイバ長手方向に対
する変化量を大きくすることが可能であり、それによ
り、光ファイバの誘導ブリルアン散乱発生のしきい値を
高くして誘導ブリルアン散乱を抑圧し、光ファイバへの
入力限界パワーを大きくすることができる分散シフト光
ファイバ母材の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成により課題を解決するため
の手段としている。すなわち、本発明は、ＧｅＯ2 ドー
プ石英を主成分とするコアと純粋石英を主成分とするク
ラッドを有し、該コアとクラッドにはＦがドープされて
該Ｆドーパント濃度がコアおよびクラッドの長手方向に
連続して変化することによりコアの屈折率とクラッドの
屈折率がそれぞれコアおよびクラッドの長手方向に連続
して変化しており、かつ、コアの屈折率に対するクラッ
ドの相対屈折率がコアおよびクラッドの全長にわたって
等しい誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイ
バ母材の製造方法であって、コアの中心部に該コアと同
心円状で該コアの内径よりも小さいコア中心穴を形成し
た後、このコア中心穴を塞いでコアおよびクラッドを縮
径させるコラプス処理を施すことを特徴として構成され
ている。
に、本発明は次のような構成により課題を解決するため
の手段としている。すなわち、本発明は、ＧｅＯ2 ドー
プ石英を主成分とするコアと純粋石英を主成分とするク
ラッドを有し、該コアとクラッドにはＦがドープされて
該Ｆドーパント濃度がコアおよびクラッドの長手方向に
連続して変化することによりコアの屈折率とクラッドの
屈折率がそれぞれコアおよびクラッドの長手方向に連続
して変化しており、かつ、コアの屈折率に対するクラッ
ドの相対屈折率がコアおよびクラッドの全長にわたって
等しい誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイ
バ母材の製造方法であって、コアの中心部に該コアと同
心円状で該コアの内径よりも小さいコア中心穴を形成し
た後、このコア中心穴を塞いでコアおよびクラッドを縮
径させるコラプス処理を施すことを特徴として構成され
ている。
【００１４】また、前記コア中心穴は、コアを形成する
コア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成
るスートをガラス化した後に形成すること、前記コア中
心穴は、コアを形成するコア層とクラッドを形成するク
ラッド層とを合成して成るスートをガラス化する前のコ
ア層に形成することも本発明の特徴的な構成とされてい
る。
コア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成
るスートをガラス化した後に形成すること、前記コア中
心穴は、コアを形成するコア層とクラッドを形成するク
ラッド層とを合成して成るスートをガラス化する前のコ
ア層に形成することも本発明の特徴的な構成とされてい
る。
【００１５】さらに、前記コア中心穴は、コアを形成す
るコア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して
成るスートをガラス化した後に形成し、然る後に該コア
中心穴内壁をエッチングすることにより該コア中心穴内
壁に界面処理を施した後コラプス処理することも本発明
の特徴的な構成とされている。
るコア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して
成るスートをガラス化した後に形成し、然る後に該コア
中心穴内壁をエッチングすることにより該コア中心穴内
壁に界面処理を施した後コラプス処理することも本発明
の特徴的な構成とされている。
【００１６】さらに、前記コアを形成するコア層とクラ
ッドを形成するクラッド層とをＶＡＤ法によって合成し
て成るスートのコア層の直径の大きさをスート端部にお
いてクラッド層端面よりも突出したコア層端部の大きさ
に基づいて推定し、該コア層の中心部を削ってコア層の
推定直径よりも小さいコア中心穴を形成し、然る後に前
記スートをガラス化するときにコラプス処理を施すこ
と、前記コアを形成するコア層とクラッドを形成するク
ラッド層とをＶＡＤ法によって合成して成るスートのコ
ア層の直径の大きさをスート端部においてクラッド層端
面よりも突出したコア層端部の大きさに基づいて推定
し、該コア層の中心部を削ってコア層の推定直径よりも
小さいコア中心穴を形成した後ガラス化し、然る後に該
コア中心穴の内壁に機械研削とエッチングの一方又は両
方を行って界面処理を施し、然る後にコラプス処理を施
すことも本発明の特徴的な構成とされている。
ッドを形成するクラッド層とをＶＡＤ法によって合成し
て成るスートのコア層の直径の大きさをスート端部にお
いてクラッド層端面よりも突出したコア層端部の大きさ
に基づいて推定し、該コア層の中心部を削ってコア層の
推定直径よりも小さいコア中心穴を形成し、然る後に前
記スートをガラス化するときにコラプス処理を施すこ
と、前記コアを形成するコア層とクラッドを形成するク
ラッド層とをＶＡＤ法によって合成して成るスートのコ
ア層の直径の大きさをスート端部においてクラッド層端
面よりも突出したコア層端部の大きさに基づいて推定
し、該コア層の中心部を削ってコア層の推定直径よりも
小さいコア中心穴を形成した後ガラス化し、然る後に該
コア中心穴の内壁に機械研削とエッチングの一方又は両
方を行って界面処理を施し、然る後にコラプス処理を施
すことも本発明の特徴的な構成とされている。
【００１７】上記構成の本発明において、コアの中心部
に、コアと同心円状でコアの内径よりも小さいコア中心
穴が形成された後、このコア中心穴がコラプス処理によ
って塞がれ、コアおよびクラッドが縮径される。また、
コアが縮径することにより、コアの外周側のクラッドも
縮径することにはなるが、この縮径によってクラッドの
体積が変化することはないため、コアの体積のみがコア
中心穴を形成した分だけ、コア中心穴を形成する前に比
べて減少し、分散シフト光ファイバに対するコアの体積
の割合が小さくなる。
に、コアと同心円状でコアの内径よりも小さいコア中心
穴が形成された後、このコア中心穴がコラプス処理によ
って塞がれ、コアおよびクラッドが縮径される。また、
コアが縮径することにより、コアの外周側のクラッドも
縮径することにはなるが、この縮径によってクラッドの
体積が変化することはないため、コアの体積のみがコア
中心穴を形成した分だけ、コア中心穴を形成する前に比
べて減少し、分散シフト光ファイバに対するコアの体積
の割合が小さくなる。
【００１８】なお、一般に、スートをガラス化する際
に、若干はコアおよびクラッドの縮径が生じるが、本発
明において行われるコラプス処理によるコアおよびクラ
ッドの縮径は、コア中心穴を塞いでコアを縮径させ、そ
れに伴いクラッドも縮径させるものであるから、コア中
心穴を形成しない状態でガラス化するときに比べ、コア
およびクラッドの縮径の割合は大きいものとなる。
に、若干はコアおよびクラッドの縮径が生じるが、本発
明において行われるコラプス処理によるコアおよびクラ
ッドの縮径は、コア中心穴を塞いでコアを縮径させ、そ
れに伴いクラッドも縮径させるものであるから、コア中
心穴を形成しない状態でガラス化するときに比べ、コア
およびクラッドの縮径の割合は大きいものとなる。
【００１９】そして、以上のようにして光ファイバ母材
のコアの体積を減少させることにより、本発明において
は、従来の分散シフト光ファイバ母材の製造と同様のＦ
分圧変化によって分散シフト光ファイバ母材を製造して
も、光ファイバ母材の紡糸（線引き）によって形成され
る光ファイバの長手方向に対するＦドーパント濃度変化
量が従来よりも増加し、光ファイバの長手方向での屈折
率分布等の構造変化率が増加するために、誘導ブリルア
ン散乱発生のしきい値が高くなり、光ファイバの入力限
界パワーが高くなり、上記課題が解決される。
のコアの体積を減少させることにより、本発明において
は、従来の分散シフト光ファイバ母材の製造と同様のＦ
分圧変化によって分散シフト光ファイバ母材を製造して
も、光ファイバ母材の紡糸（線引き）によって形成され
る光ファイバの長手方向に対するＦドーパント濃度変化
量が従来よりも増加し、光ファイバの長手方向での屈折
率分布等の構造変化率が増加するために、誘導ブリルア
ン散乱発生のしきい値が高くなり、光ファイバの入力限
界パワーが高くなり、上記課題が解決される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図１〜図３には、本発明に係る分散
シフト光ファイバ母材の製造方法の第１〜第３実施形態
例の要部構成がそれぞれ示されている。第１〜第３本実
施形態例が従来の分散シフト光ファイバ母材の製造方法
と異なる特徴的なことは、コアの中心部にコアと同心円
状でコアの内径よりも小さいコア中心穴６を形成した
後、このコア中心穴６を塞いでコアおよびクラッドを縮
径させるコラプス処理を施すようにしたことである。
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図１〜図３には、本発明に係る分散
シフト光ファイバ母材の製造方法の第１〜第３実施形態
例の要部構成がそれぞれ示されている。第１〜第３本実
施形態例が従来の分散シフト光ファイバ母材の製造方法
と異なる特徴的なことは、コアの中心部にコアと同心円
状でコアの内径よりも小さいコア中心穴６を形成した
後、このコア中心穴６を塞いでコアおよびクラッドを縮
径させるコラプス処理を施すようにしたことである。
【００２１】具体的には、本実施形態例でも、まず、従
来例と同様に、図５に示したようにしてＶＡＤ法によ
り、ＧｅＯ2 ドープ石英を主成分とするコア層３と純粋
石英を主成分とするクラッド層４とを同時合成してスー
ト５を形成する。なお、本実施形態例では、コア８のク
ラッド９に対する比屈折率差Δ＋が1.0 ％で、屈折率形
状がａ乗プロファイル（ａ＝８）となるように、すなわ
ち、屈折率形状がコア８の中心部を中心としたＹ＝Ｘa
の曲線形状を呈するようにＧｅ（ゲルマニウム）をドー
プしたコア層３（コアスート）の外周側に、純シリカス
ートを堆積させてクラッド層４とした。
来例と同様に、図５に示したようにしてＶＡＤ法によ
り、ＧｅＯ2 ドープ石英を主成分とするコア層３と純粋
石英を主成分とするクラッド層４とを同時合成してスー
ト５を形成する。なお、本実施形態例では、コア８のク
ラッド９に対する比屈折率差Δ＋が1.0 ％で、屈折率形
状がａ乗プロファイル（ａ＝８）となるように、すなわ
ち、屈折率形状がコア８の中心部を中心としたＹ＝Ｘa
の曲線形状を呈するようにＧｅ（ゲルマニウム）をドー
プしたコア層３（コアスート）の外周側に、純シリカス
ートを堆積させてクラッド層４とした。
【００２２】そして、本第１実施形態例では、図１の
（ａ）に示すように、このスート５をガラス化する前
に、コア層３の中心部を機械研削等により、経比にして
60％削り出し、スート状態でコア層３の体積が64％にな
るようにコア中心穴６を形成する（コア中心穴６の直
径：コア層３の直径＝６：10となる）。そして、この状
態で、スート５をゾーン炉内で加熱し、コア層３および
クラッド層４にＦをドープし、かつ、そのＦドーパント
濃度をコア層３およびクラッド層４の長手方向に連続し
て変化させながらガラス化し、同図の（ｂ）に示すよう
にコア（コア部）８およびクラッド（クラッド部）９を
形成する。また、このガラス化によってコア中心穴６を
塞いで、コア層３よりもコア８を、クラッド層４よりも
クラッド９を縮径させるコラプス処理を施し、Ａ′＜
Ａ，Ｂ′＜Ｂとする。
（ａ）に示すように、このスート５をガラス化する前
に、コア層３の中心部を機械研削等により、経比にして
60％削り出し、スート状態でコア層３の体積が64％にな
るようにコア中心穴６を形成する（コア中心穴６の直
径：コア層３の直径＝６：10となる）。そして、この状
態で、スート５をゾーン炉内で加熱し、コア層３および
クラッド層４にＦをドープし、かつ、そのＦドーパント
濃度をコア層３およびクラッド層４の長手方向に連続し
て変化させながらガラス化し、同図の（ｂ）に示すよう
にコア（コア部）８およびクラッド（クラッド部）９を
形成する。また、このガラス化によってコア中心穴６を
塞いで、コア層３よりもコア８を、クラッド層４よりも
クラッド９を縮径させるコラプス処理を施し、Ａ′＜
Ａ，Ｂ′＜Ｂとする。
【００２３】なお、スート５は、前記の如く、白色体で
あり、スート状態ではコア層３とクラッド層４との区別
がつかないが、ＶＡＤ法によってコア層３とクラッド層
４とを合成してスート５を形成すると、図５に示したよ
うに、クラッド層４の下部側にコア層３が突出すること
になり、スート５の端部においてクラッド層４の端面よ
りもコア層３の端部が突出するために、このコア層３の
端部の大きさに基づいてコア層３の直径の大きさを推定
し、このコア層３の推定直径よりも小さいコア中心穴６
を形成するようにする。
あり、スート状態ではコア層３とクラッド層４との区別
がつかないが、ＶＡＤ法によってコア層３とクラッド層
４とを合成してスート５を形成すると、図５に示したよ
うに、クラッド層４の下部側にコア層３が突出すること
になり、スート５の端部においてクラッド層４の端面よ
りもコア層３の端部が突出するために、このコア層３の
端部の大きさに基づいてコア層３の直径の大きさを推定
し、このコア層３の推定直径よりも小さいコア中心穴６
を形成するようにする。
【００２４】一方、第２実施形態例においては、従来例
と同様にして、図２の（ａ）に示すようなスート５を形
成した後、このスート５をゾーン炉内でＦ雰囲気下で加
熱してガラス化およびＦドープを行って、同図の（ｂ）
に示すようにコア８とクラッド９とを形成する。そし
て、同図の（ｃ）に示すように、コア８の中心部と径比
にして80％削り出してコア中心穴６を形成し（コア中心
穴径：コア径＝８：10）、機械研削およびフッ酸による
エッチングによりコア中心穴６の内壁に界面処理を施
し、然る後に減圧等によりコラプス処理を施して同図の
（ｄ）に示すように、コア８とクラッド９を縮径させ
て、Ａ′＜Ａ，Ｂ′＜Ｂとする。
と同様にして、図２の（ａ）に示すようなスート５を形
成した後、このスート５をゾーン炉内でＦ雰囲気下で加
熱してガラス化およびＦドープを行って、同図の（ｂ）
に示すようにコア８とクラッド９とを形成する。そし
て、同図の（ｃ）に示すように、コア８の中心部と径比
にして80％削り出してコア中心穴６を形成し（コア中心
穴径：コア径＝８：10）、機械研削およびフッ酸による
エッチングによりコア中心穴６の内壁に界面処理を施
し、然る後に減圧等によりコラプス処理を施して同図の
（ｄ）に示すように、コア８とクラッド９を縮径させ
て、Ａ′＜Ａ，Ｂ′＜Ｂとする。
【００２５】また、本第３実施形態例においては、上記
第１、第２実施形態例と同様にスート５を形成した後、
図３の（ａ）に示すように、コア層３の中心部を径比に
して80％削り出して（コア中心穴径：コア層径＝８：1
0）、スート状態でコア層３の体積が36％となるように
する。そして、このスート５をゾーン炉内でＦ雰囲気下
で加熱することにより、ガラス化し、かつ、コア８およ
びクラッド９の長手方向にＦドーパント濃度を変化さ
せ、同図の（ｂ）に示すように、コア層３の内径Ａより
もコア８の内径Ａ′を小さくし、クラッド層４の内径Ｂ
よりもクラッド９の内径Ｂ′を小さくする。なお、この
ガラス化工程において、コア中心穴６はスート状態のと
きよりも小さくなり、少し塞がれた状態となるが、スー
ト状態で形成したコア中心穴６の大きさが大きいため
に、完全には塞がれずに小さめの穴として残る。
第１、第２実施形態例と同様にスート５を形成した後、
図３の（ａ）に示すように、コア層３の中心部を径比に
して80％削り出して（コア中心穴径：コア層径＝８：1
0）、スート状態でコア層３の体積が36％となるように
する。そして、このスート５をゾーン炉内でＦ雰囲気下
で加熱することにより、ガラス化し、かつ、コア８およ
びクラッド９の長手方向にＦドーパント濃度を変化さ
せ、同図の（ｂ）に示すように、コア層３の内径Ａより
もコア８の内径Ａ′を小さくし、クラッド層４の内径Ｂ
よりもクラッド９の内径Ｂ′を小さくする。なお、この
ガラス化工程において、コア中心穴６はスート状態のと
きよりも小さくなり、少し塞がれた状態となるが、スー
ト状態で形成したコア中心穴６の大きさが大きいため
に、完全には塞がれずに小さめの穴として残る。
【００２６】次に、このコア中心穴６の内壁を上記第２
実施形態例と同様に、機械研削した後フッ酸エッチング
して界面処理し、然る後に、減圧等によってコラプス処
理を施して、同図の（ｃ）に示すように、コア８および
クラッド９の内径を縮径させ、Ａ″＜Ａ′，Ｂ″＜Ｂ′
とする。
実施形態例と同様に、機械研削した後フッ酸エッチング
して界面処理し、然る後に、減圧等によってコラプス処
理を施して、同図の（ｃ）に示すように、コア８および
クラッド９の内径を縮径させ、Ａ″＜Ａ′，Ｂ″＜Ｂ′
とする。
【００２７】本第１から第３実施形態例の分散シフト光
ファイバ母材の製造方法は以上のような方法であり、ス
ート５をガラス化する前あるいはガラス化した後にコア
中心穴６を形成し、このコア中心穴６をコラプス処理に
よって塞いだものであるから、コア８およびクラッド９
をそれぞれ、コア層３およびクラッド層４に比べて縮径
し、しかも、コア８の体積をコア層３の体積に比べて大
幅に減少させることが可能となり、それにより、この光
ファイバ母材を用いて形成される光ファイバの長手方向
に対するＦドーパント濃度の変化量を、コア中心穴６の
形成およびコラプス処理を施さずに形成される光ファイ
バに比べて非常に大きくすることができる。
ファイバ母材の製造方法は以上のような方法であり、ス
ート５をガラス化する前あるいはガラス化した後にコア
中心穴６を形成し、このコア中心穴６をコラプス処理に
よって塞いだものであるから、コア８およびクラッド９
をそれぞれ、コア層３およびクラッド層４に比べて縮径
し、しかも、コア８の体積をコア層３の体積に比べて大
幅に減少させることが可能となり、それにより、この光
ファイバ母材を用いて形成される光ファイバの長手方向
に対するＦドーパント濃度の変化量を、コア中心穴６の
形成およびコラプス処理を施さずに形成される光ファイ
バに比べて非常に大きくすることができる。
【００２８】また、上記第２、第３の実施形態例におい
ては、スート５のガラス化後にコラプス処理する際に、
コア中心穴６の内壁に界面処理を施しているために、コ
ラプス処理を行い易くすることができ、コラプス処理後
に形成される光ファイバ母材の品質の均一化を図ること
ができる。
ては、スート５のガラス化後にコラプス処理する際に、
コア中心穴６の内壁に界面処理を施しているために、コ
ラプス処理を行い易くすることができ、コラプス処理後
に形成される光ファイバ母材の品質の均一化を図ること
ができる。
【００２９】実際に、本第１から第３実施形態例の方法
によって製造した分散シフト光ファイバ母材を用いて形
成した光ファイバについて、Ｆドープを行わないときの
コア８およびクラッド９の屈折率を基準とし、コア８お
よびクラッド９にＦドープを行うことにより変化する比
屈折率差Δ［Ｆ］を、光ファイバの入射側ＩＮおよび出
射側ＥＸについてそれぞれ求め、また、この比屈折率差
Δ［Ｆ］の光ファイバ全長での変化量と、光ファイバ単
位長さ当たりの変化量とを求めたところ、表１に示す結
果が得られた。なお、比屈折率差Δ［Ｆ］は、Ｆドーパ
ント濃度に対応して変化するものである。また、表１に
は、比較例として、従来のように、スート５にコア中心
穴６を設けずにそのままスート５をガラス化して形成し
た光ファイバについて、前記各比屈折率差Δ［Ｆ］の値
を求めた結果も共に示してある。
によって製造した分散シフト光ファイバ母材を用いて形
成した光ファイバについて、Ｆドープを行わないときの
コア８およびクラッド９の屈折率を基準とし、コア８お
よびクラッド９にＦドープを行うことにより変化する比
屈折率差Δ［Ｆ］を、光ファイバの入射側ＩＮおよび出
射側ＥＸについてそれぞれ求め、また、この比屈折率差
Δ［Ｆ］の光ファイバ全長での変化量と、光ファイバ単
位長さ当たりの変化量とを求めたところ、表１に示す結
果が得られた。なお、比屈折率差Δ［Ｆ］は、Ｆドーパ
ント濃度に対応して変化するものである。また、表１に
は、比較例として、従来のように、スート５にコア中心
穴６を設けずにそのままスート５をガラス化して形成し
た光ファイバについて、前記各比屈折率差Δ［Ｆ］の値
を求めた結果も共に示してある。
【００３０】
【表１】
【００３１】この表１から明らかなように、光ファイバ
単位長さ当りの比屈折率差Δ［Ｆ］の変化量は、比較例
が0.007 ％／kmであるのに対し、第１、第２、第３実施
形態例においては、それぞれ、0.011 ％／km，0.020 ％
／km，0.021 ％／kmとなり、いずれも比較例よりも大き
くなることが確認された。
単位長さ当りの比屈折率差Δ［Ｆ］の変化量は、比較例
が0.007 ％／kmであるのに対し、第１、第２、第３実施
形態例においては、それぞれ、0.011 ％／km，0.020 ％
／km，0.021 ％／kmとなり、いずれも比較例よりも大き
くなることが確認された。
【００３２】また、表１には、光ファイバ単位長さ当り
の損失、波長1550nmでの光ファイバ単位長さ当りの分
散、誘導ブリルアン散乱発生しきい値、光ファイバの入
力限界パワーを、第１から第３実施形態例および比較例
の方法により形成した光ファイバについて求めた結果も
示してあるが、この結果から明らかなように、誘導ブリ
ルアン散乱発生しきい値が、比較例においては9.0 ｄＢ
ｍであるのに対し、第１、第２、第３実施形態例におい
ては、それぞれ、12.0ｄＢｍ，17.0ｄＢｍ，17.0ｄＢｍ
となり、本実施形態例においては、誘導ブリルアン散乱
発生しきい値も比較例より大幅に大きくなっていること
が分かる。
の損失、波長1550nmでの光ファイバ単位長さ当りの分
散、誘導ブリルアン散乱発生しきい値、光ファイバの入
力限界パワーを、第１から第３実施形態例および比較例
の方法により形成した光ファイバについて求めた結果も
示してあるが、この結果から明らかなように、誘導ブリ
ルアン散乱発生しきい値が、比較例においては9.0 ｄＢ
ｍであるのに対し、第１、第２、第３実施形態例におい
ては、それぞれ、12.0ｄＢｍ，17.0ｄＢｍ，17.0ｄＢｍ
となり、本実施形態例においては、誘導ブリルアン散乱
発生しきい値も比較例より大幅に大きくなっていること
が分かる。
【００３３】なお、Ｆドープを行わない一般的な分散シ
フト光ファイバにおいては、誘導ブリルアン散乱発生し
きい値は7.0 ｄＢｍである。また、入力限界パワーは、
この一般の分散シフト光ファイバにおいては５ｍＷであ
り、比較例においても８ｍＷであるのに対し、本第１、
第２、第３実施形態例においては、それぞれ、16ｍＷ，
40ｍＷ，40ｍＷとなり、入力限界パワーが格段に増加
し、特に、第２、第３実施形態例においては、入力限界
パワーを比較例に比べて約５倍増加できることが確認さ
れた。
フト光ファイバにおいては、誘導ブリルアン散乱発生し
きい値は7.0 ｄＢｍである。また、入力限界パワーは、
この一般の分散シフト光ファイバにおいては５ｍＷであ
り、比較例においても８ｍＷであるのに対し、本第１、
第２、第３実施形態例においては、それぞれ、16ｍＷ，
40ｍＷ，40ｍＷとなり、入力限界パワーが格段に増加
し、特に、第２、第３実施形態例においては、入力限界
パワーを比較例に比べて約５倍増加できることが確認さ
れた。
【００３４】本実施形態例によれば、前記のように、Ｖ
ＡＤ法によってスート５を形成した後に、スート５をガ
ラス化する前、あるいはガラス化した後にコア中心穴６
を形成し、コラプス処理によってコア８およびクラッド
９をコア層３およびクラッド層４よりも縮径させて光フ
ァイバ母材を製造することにより、光ファイバのコア８
の体積を容易に減少させ、光ファイバの長手方向の構造
変化率を大きくし、Ｆドーパント濃度の光ファイバ長手
方向に対する変化量を大きくすることができるために、
Ｆドーパント濃度変化量が大きくなるに連れて高くなる
誘導ブリルアン散乱発生のしきい値を高くすることが可
能となり、光ファイバの入力限界パワーを増加させるこ
とができる。
ＡＤ法によってスート５を形成した後に、スート５をガ
ラス化する前、あるいはガラス化した後にコア中心穴６
を形成し、コラプス処理によってコア８およびクラッド
９をコア層３およびクラッド層４よりも縮径させて光フ
ァイバ母材を製造することにより、光ファイバのコア８
の体積を容易に減少させ、光ファイバの長手方向の構造
変化率を大きくし、Ｆドーパント濃度の光ファイバ長手
方向に対する変化量を大きくすることができるために、
Ｆドーパント濃度変化量が大きくなるに連れて高くなる
誘導ブリルアン散乱発生のしきい値を高くすることが可
能となり、光ファイバの入力限界パワーを増加させるこ
とができる。
【００３５】特に、本第２、第３実施形態例のように、
コア中心穴６を大きく形成すると、それにより、光ファ
イバ長手方向に対するＦドーパント濃度の変化量も大き
くすることができるために、誘導ブリルアン散乱発生し
きい値もその分だけ高くすることが可能となり、入力限
界パワーを例えば５倍といった非常に大きな値に増加さ
せることができる。
コア中心穴６を大きく形成すると、それにより、光ファ
イバ長手方向に対するＦドーパント濃度の変化量も大き
くすることができるために、誘導ブリルアン散乱発生し
きい値もその分だけ高くすることが可能となり、入力限
界パワーを例えば５倍といった非常に大きな値に増加さ
せることができる。
【００３６】なお、本発明は上記実施形態例に限定され
ることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、
上記第１実施形態例では、コア中心穴６は、コア層３の
中心部を径比にして60％削り出して形成し、上記第２、
第３実施形態例では、コア中心穴６は、コア層３又はコ
ア８を径比にして80％削り出して形成したが、コア中心
穴６の大きさは特に限定されることはなく、適宜設定さ
れるものである。なお、表１から明らかなように、上記
第１実施形態例に比べ大きなコア中心穴６を形成してコ
ア８の体積を小さくした第２、第３実施形態例の方が、
第１実施形態例よりも誘導ブリルアン散乱発生しきい値
を高くして、入力限界パワーをより一層増加させること
が可能であり、このように、コア中心穴６を大きく形成
することにより、光ファイバの入力限界パワーをより一
層高めることができる。
ることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、
上記第１実施形態例では、コア中心穴６は、コア層３の
中心部を径比にして60％削り出して形成し、上記第２、
第３実施形態例では、コア中心穴６は、コア層３又はコ
ア８を径比にして80％削り出して形成したが、コア中心
穴６の大きさは特に限定されることはなく、適宜設定さ
れるものである。なお、表１から明らかなように、上記
第１実施形態例に比べ大きなコア中心穴６を形成してコ
ア８の体積を小さくした第２、第３実施形態例の方が、
第１実施形態例よりも誘導ブリルアン散乱発生しきい値
を高くして、入力限界パワーをより一層増加させること
が可能であり、このように、コア中心穴６を大きく形成
することにより、光ファイバの入力限界パワーをより一
層高めることができる。
【００３７】また、上記第３実施形態例のように、スー
ト５にコア中心穴６を形成し、ガラス化工程においてコ
ア中心穴６を小さくするものの、コア中心穴６を完全に
塞いでしまわずに、ガラス化後にコア中心穴６の内壁に
界面処理を施してコラプス処理を行うようにするときに
は、スート５をガラス化する際にコア中心穴６が完全に
塞がれないように、大きめのコア中心穴６を形成するこ
とが望ましい。
ト５にコア中心穴６を形成し、ガラス化工程においてコ
ア中心穴６を小さくするものの、コア中心穴６を完全に
塞いでしまわずに、ガラス化後にコア中心穴６の内壁に
界面処理を施してコラプス処理を行うようにするときに
は、スート５をガラス化する際にコア中心穴６が完全に
塞がれないように、大きめのコア中心穴６を形成するこ
とが望ましい。
【００３８】さらに、上記実施形態例では、コア中心穴
６は機械研削によって形成したが、コア中心穴６の形成
方法は特に限定されるものではなく、適宜設定されるも
のであり、例えばエッチング等によって形成してもよ
い。
６は機械研削によって形成したが、コア中心穴６の形成
方法は特に限定されるものではなく、適宜設定されるも
のであり、例えばエッチング等によって形成してもよ
い。
【００３９】さらに、上記第２、第３実施形態例では、
ガラス化後のコア中心穴６に機械研削とフッ酸エッチン
グの両方を施してコア中心穴６の内壁に界面処理を施し
たが、この界面処理の方法は、機械研削又はエッチング
のいずれか一方によって行ってもよい。また、エッチン
グは必ずしもフッ酸により行うとは限らず、フッ酸以外
のエッチング液によって行ってもよい。
ガラス化後のコア中心穴６に機械研削とフッ酸エッチン
グの両方を施してコア中心穴６の内壁に界面処理を施し
たが、この界面処理の方法は、機械研削又はエッチング
のいずれか一方によって行ってもよい。また、エッチン
グは必ずしもフッ酸により行うとは限らず、フッ酸以外
のエッチング液によって行ってもよい。
【００４０】また、コア中心穴６をガラス化後に形成し
た際にも、機械研削やエッチングによる界面処理は省略
することもできる。ただし、コア中心穴６の内壁に界面
処理を施すことにより、コア中心穴６の内壁を凹凸のな
い滑らかな形状とすることが可能となり、コラプス処理
も行い易くなるし、コラプス処理後に形成される光ファ
イバ母材を均一化して良好なものとすることができる。
た際にも、機械研削やエッチングによる界面処理は省略
することもできる。ただし、コア中心穴６の内壁に界面
処理を施すことにより、コア中心穴６の内壁を凹凸のな
い滑らかな形状とすることが可能となり、コラプス処理
も行い易くなるし、コラプス処理後に形成される光ファ
イバ母材を均一化して良好なものとすることができる。
【００４１】さらに、上記実施形態例では、コア８のク
ラッド９に対する比屈折率差Δ＋が1.0 ％で、屈折率形
状がａ乗プロファイル（ａ＝８）にＧｅ（ゲルマニウ
ム）がドープされたコア層３（コアスート）の周りにク
ラッド層４を堆積させたスート５を用いて光ファイバ母
材を形成したが、コア８のクラッド９に対する比屈折率
差Δ＋の大きさや、屈折率形状は特に限定されるもので
はなく、適宜設定されるものである。
ラッド９に対する比屈折率差Δ＋が1.0 ％で、屈折率形
状がａ乗プロファイル（ａ＝８）にＧｅ（ゲルマニウ
ム）がドープされたコア層３（コアスート）の周りにク
ラッド層４を堆積させたスート５を用いて光ファイバ母
材を形成したが、コア８のクラッド９に対する比屈折率
差Δ＋の大きさや、屈折率形状は特に限定されるもので
はなく、適宜設定されるものである。
【００４２】さらに、分散シフト光ファイバ母材にドー
プするＦドーパント濃度は特に限定されるものではな
く、適宜設定されるものである。
プするＦドーパント濃度は特に限定されるものではな
く、適宜設定されるものである。
【００４３】さらに、上記実施形態例では、スート５を
ガラス化するときに、ゾーン炉内での加熱によってガラ
ス化を行ったが、ガラス化は必ずしもゾーン炉内で行う
とは限らず、適宜の方法により行われるものである。
ガラス化するときに、ゾーン炉内での加熱によってガラ
ス化を行ったが、ガラス化は必ずしもゾーン炉内で行う
とは限らず、適宜の方法により行われるものである。
【００４４】さらに、上記実施形態例では、スート５を
ＶＡＤ法によって形成し、このスート５をガラス化する
前又はガラス化した後にコア中心穴６を形成し、然る後
にコラプス処理を施して分散シフト光ファイバ母材を製
造したが、例えばＶＡＤ法以外のＣＶＤ（Chemical Vap
or Deposition ）法等によって形成したスート５をガラ
ス化する前又はガラス化した後に、コア中心穴６を形成
するようにしてもよい。
ＶＡＤ法によって形成し、このスート５をガラス化する
前又はガラス化した後にコア中心穴６を形成し、然る後
にコラプス処理を施して分散シフト光ファイバ母材を製
造したが、例えばＶＡＤ法以外のＣＶＤ（Chemical Vap
or Deposition ）法等によって形成したスート５をガラ
ス化する前又はガラス化した後に、コア中心穴６を形成
するようにしてもよい。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、コアおよびクラッドに
ドープされたＦドーパント濃度がコアおよびクラッドの
長手方向に連続して変化した誘導ブリルアン散乱抑圧型
の分散シフト光ファイバ母材を製造するときに、コアの
中心部にコアと同心円状でコアの内径よりも小さいコア
中心穴を形成した後、このコア中心穴を塞いでコアおよ
びクラッドを縮径させるコラプス処理を施すようにした
ものであるから、容易にコアの体積を減少させて、Ｆド
ーパント濃度の長手方向の変化量を大きくすることがで
きる。そのため、このＦドーパント濃度の変化量に伴い
変化するコアおよびクラッドの屈折率の変化量を大きく
することができ、このように光ファイバの長手方向の構
造変化率を増加させることにより、誘導ブリルアン散乱
発生しきい値を高め、光ファイバの入力限界パワーを増
大させることができる。
ドープされたＦドーパント濃度がコアおよびクラッドの
長手方向に連続して変化した誘導ブリルアン散乱抑圧型
の分散シフト光ファイバ母材を製造するときに、コアの
中心部にコアと同心円状でコアの内径よりも小さいコア
中心穴を形成した後、このコア中心穴を塞いでコアおよ
びクラッドを縮径させるコラプス処理を施すようにした
ものであるから、容易にコアの体積を減少させて、Ｆド
ーパント濃度の長手方向の変化量を大きくすることがで
きる。そのため、このＦドーパント濃度の変化量に伴い
変化するコアおよびクラッドの屈折率の変化量を大きく
することができ、このように光ファイバの長手方向の構
造変化率を増加させることにより、誘導ブリルアン散乱
発生しきい値を高め、光ファイバの入力限界パワーを増
大させることができる。
【００４６】また、コア中心穴は、コアを形成するコア
層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成るス
ートをガラス化した後に形成したり、ガラス化する前に
形成したりして容易に形成することが可能であり、ガラ
ス化後に形成したコア中心穴内壁をエッチングや機械研
削によって界面処理を施した後にコラプス処理を行え
ば、コラプス処理を行い易くすることができるし、コラ
プス処理後に形成される光ファイバ母材の品質の均一化
を図ることができる。
層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成るス
ートをガラス化した後に形成したり、ガラス化する前に
形成したりして容易に形成することが可能であり、ガラ
ス化後に形成したコア中心穴内壁をエッチングや機械研
削によって界面処理を施した後にコラプス処理を行え
ば、コラプス処理を行い易くすることができるし、コラ
プス処理後に形成される光ファイバ母材の品質の均一化
を図ることができる。
【００４７】さらに、ＶＡＤ法によって合成して成るス
ートのコア層の直径の大きさをスート端部においてクラ
ッド層端面よりも突出したコア層端部の大きさに基づい
て推定すれば、コア層の大きさを容易に推定することが
可能となり、このコア層の推定直径よりも小さいコア中
心穴を形成することにより、コア中心穴形成操作を容易
に行え、入力限界パワーの大きさ分散シフト光ファイバ
の製造を容易に行うことができる。
ートのコア層の直径の大きさをスート端部においてクラ
ッド層端面よりも突出したコア層端部の大きさに基づい
て推定すれば、コア層の大きさを容易に推定することが
可能となり、このコア層の推定直径よりも小さいコア中
心穴を形成することにより、コア中心穴形成操作を容易
に行え、入力限界パワーの大きさ分散シフト光ファイバ
の製造を容易に行うことができる。
【図１】本発明に係る分散シフト光ファイバ母材の製造
方法の第１実施形態例の要部構成を示す説明図である。
方法の第１実施形態例の要部構成を示す説明図である。
【図２】本発明に係る分散シフト光ファイバ母材の製造
方法の第２実施形態例の要部構成を示す説明図である。
方法の第２実施形態例の要部構成を示す説明図である。
【図３】本発明に係る分散シフト光ファイバ母材の製造
方法の第３実施形態例の要部構成を示す説明図である。
方法の第３実施形態例の要部構成を示す説明図である。
【図４】誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファ
イバの屈折率分布構造の一例を示す説明図である。
イバの屈折率分布構造の一例を示す説明図である。
【図５】ＶＡＤ法によるスートの形成方法を示す説明図
である。
である。
３ コア層 ４ クラッド層 ５ スート ６ コア中心穴 ８ コア ９ クラッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白木 和之 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 大橋 正治 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 ＧｅＯ2 ドープ石英を主成分とするコア
と純粋石英を主成分とするクラッドを有し、該コアとク
ラッドにはＦがドープされて該Ｆドーパント濃度がコア
およびクラッドの長手方向に連続して変化することによ
りコアの屈折率とクラッドの屈折率がそれぞれコアおよ
びクラッドの長手方向に連続して変化しており、かつ、
コアの屈折率に対するクラッドの相対屈折率がコアおよ
びクラッドの全長にわたって等しい誘導ブリルアン散乱
抑圧型の分散シフト光ファイバ母材の製造方法であっ
て、コアの中心部に該コアと同心円状で該コアの内径よ
りも小さいコア中心穴を形成した後、このコア中心穴を
塞いでコアおよびクラッドを縮径させるコラプス処理を
施すことを特徴とする分散シフト光ファイバ母材の製造
方法。 - 【請求項２】 コア中心穴は、コアを形成するコア層と
クラッドを形成するクラッド層とを合成して成るスート
をガラス化した後に形成することを特徴とする請求項１
記載の分散シフト光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項３】 コア中心穴は、コアを形成するコア層と
クラッドを形成するクラッド層とを合成して成るスート
をガラス化する前のコア層に形成することを特徴とする
請求項１記載の分散シフト光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項４】 コア中心穴は、コアを形成するコア層と
クラッドを形成するクラッド層とを合成して成るスート
をガラス化した後に形成し、然る後に該コア中心穴内壁
をエッチングすることにより該コア中心穴内壁に界面処
理を施した後コラプス処理することを特徴とする請求項
１記載の分散シフト光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項５】 コアを形成するコア層とクラッドを形成
するクラッド層とをＶＡＤ法によって合成して成るスー
トのコア層の直径の大きさをスート端部においてクラッ
ド層端面よりも突出したコア層端部の大きさに基づいて
推定し、該コア層の中心部を削ってコア層の推定直径よ
りも小さいコア中心穴を形成し、然る後に前記スートを
ガラス化するときにコラプス処理を施すことを特徴とす
る請求項１記載の分散シフト光ファイバ母材の製造方
法。 - 【請求項６】 コアを形成するコア層とクラッドを形成
するクラッド層とをＶＡＤ法によって合成して成るスー
トのコア層の直径の大きさをスート端部においてクラッ
ド層端面よりも突出したコア層端部の大きさに基づいて
推定し、該コア層の中心部を削ってコア層の推定直径よ
りも小さいコア中心穴を形成した後ガラス化し、然る後
に該コア中心穴の内壁に機械研削とエッチングの一方又
は両方を行って界面処理を施し、然る後にコラプス処理
を施すことを特徴とする請求項１記載の分散シフト光フ
ァイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14662396A JP3580640B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 分散シフト光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14662396A JP3580640B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 分散シフト光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09301738A true JPH09301738A (ja) | 1997-11-25 |
| JP3580640B2 JP3580640B2 (ja) | 2004-10-27 |
Family
ID=15411929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14662396A Expired - Fee Related JP3580640B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 分散シフト光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3580640B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7574087B2 (en) | 2004-10-29 | 2009-08-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical fiber |
| US7693377B2 (en) | 2006-03-03 | 2010-04-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical fiber module and optical device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101389989B (zh) | 2006-06-30 | 2010-08-18 | 古河电气工业株式会社 | 光纤 |
| JP2009058876A (ja) | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ |
-
1996
- 1996-05-16 JP JP14662396A patent/JP3580640B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7574087B2 (en) | 2004-10-29 | 2009-08-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical fiber |
| US7693377B2 (en) | 2006-03-03 | 2010-04-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical fiber module and optical device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3580640B2 (ja) | 2004-10-27 |
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