JPH09295895A - Single crystal sapphire material containing metallic wire therein, its production and liquid level sensor for metallic melt using the same - Google Patents
Single crystal sapphire material containing metallic wire therein, its production and liquid level sensor for metallic melt using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、金属線を内蔵した
単結晶サファイア体及びその製造方法に関し、さらにこ
れを用いた金属溶湯の液面検知器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single crystal sapphire body containing a metal wire and a method for manufacturing the same, and further to a liquid level detector for molten metal using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、金属鋳造の分野では用途によって
各種の合金が開発され、その鋳造方法も各種鋳造合金に
適した方法が開発されている。例えばダイカスト鋳造法
等もそのひとつであり、今日ではそのほとんどの機構が
電気的制御による鋳造サイクルを構成している。この鋳
造サイクルでは、各工程が電気的、機械的に連続操作す
る全自動装置やロボット作業も広く行われている。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of metal casting, various alloys have been developed depending on the application, and a casting method suitable for various casting alloys has been developed. For example, the die casting method is one of them, and most of the mechanisms today constitute a casting cycle by electric control. In this casting cycle, a fully automatic device in which each process is continuously operated electrically and mechanically and a robot work are also widely used.
【０００３】これらの工程で使用されるものに自動ラド
ルまたは鋳造ロボットがある。これは、溶湯を正確に汲
み出して鋳型に給湯し、鋳造製品の品質向上、材料ロス
低減に寄与するものである。Automatic ladle or casting robots are used in these processes. This contributes to improving the quality of cast products and reducing material loss by accurately pumping the molten metal and supplying it to the mold.
【０００４】具体的な自動ラドルの構造は、図６に示す
ように、溶湯槽３１と、この上部に配置されたラドル３
３及び液面検知器１０を取り付けたアーム３４と、溶湯
３２の温度を検知する熱電対を内蔵した保護管３５から
構成される。このラドル３３で溶湯３２を汲み出す場合
は、アーム３４を下降させることによって、ラドル３３
及び液面検知器１０を下降させ、この液面検知器１０の
先端が溶湯３２の液面に接触した時点でアーム３４の下
降を停止し、ラドル３３を駆動して所定量の溶湯３２を
汲み出し、給湯工程に運ぶようになっている。As shown in FIG. 6, the concrete structure of the automatic ladle is a molten metal tank 31 and a ladle 3 arranged above the molten metal tank 31.
3 and an arm 34 to which the liquid level detector 10 is attached, and a protective tube 35 containing a thermocouple for detecting the temperature of the molten metal 32. When the molten metal 32 is pumped out by the ladle 33, the arm 34 is lowered to move the ladle 33
Also, the liquid level detector 10 is lowered, and when the tip of the liquid level detector 10 comes into contact with the liquid level of the molten metal 32, the lowering of the arm 34 is stopped and the ladle 33 is driven to pump out a predetermined amount of molten metal 32. It is designed to be transported to the hot water supply process.
【０００５】ここで、液面検知器１０は導電材からな
り、後端部を不図示の信号電源に接続しており、溶湯３
２との間の電気的導通を検知することで、液面との接触
を検知するようになっている。なお液面検知器１０を成
す導電材としては、タングステンカーバイドやステンレ
ススチール等の耐食性に優れた金属が使われている。Here, the liquid level detector 10 is made of a conductive material and has its rear end connected to a signal power source (not shown).
The contact with the liquid surface is detected by detecting the electrical continuity between the two. As the conductive material forming the liquid level detector 10, a metal having excellent corrosion resistance such as tungsten carbide or stainless steel is used.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記液面検
知器１０は、高温の溶湯３２と接触する際に浸食されや
すいことから、長期使用中には液面の検出が不正確とな
るため寿命が短く、しかも浸食された金属成分が溶湯３
２内に混入して不純物となり、溶湯３２の品質を損なう
などの不都合があった。However, since the liquid level detector 10 is easily corroded when it comes into contact with the high temperature molten metal 32, the liquid level detection becomes inaccurate during long-term use, so that the life of the liquid level detector 10 is shortened. Is short, and the eroded metal component is molten metal 3
There is a problem that it mixes into the inside of 2 and becomes an impurity, and the quality of the molten metal 32 is impaired.
【０００７】また、液面検知器１０として、導電性サイ
アロンなどのセラミックスを用いたものも開発されてい
るが、導電性が低いため感度が悪くコンピュータ制御に
不適当であり、また衝撃に弱いため大型形状とする必要
があるなど、取扱いが不便なものであった。As the liquid level detector 10, a device using ceramics such as conductive sialon has been developed. However, its low conductivity makes it unsuitable for computer control and weak against shock. It was inconvenient to handle because it needed to be made into a large shape.
【０００８】このように液面検知器１０には、 金属溶湯に浸食されにくいこと 鋳造合金の品質を損なわないこと 衝撃に強く、簡単に破損しないこと 導電性が高く、良好な感度を得られること が求められているが、これらを全て満足するようなもの
は得られていなかった。As described above, the liquid level detector 10 is unlikely to be eroded by the molten metal, does not impair the quality of the cast alloy, is resistant to impact, and is not easily damaged. It has high conductivity and good sensitivity. However, no product satisfying all of them has been obtained.
【０００９】一方、耐食性、耐熱性に優れた材質として
単結晶サファイアがさまざまな分野で使用されている
が、単結晶サファイア自体は導電性を有しておらず、ま
た導電材と組み合わせることも困難であることから、上
記の液面検知器に利用することはできなかった。On the other hand, although single crystal sapphire is used in various fields as a material having excellent corrosion resistance and heat resistance, the single crystal sapphire itself has no conductivity and is difficult to combine with a conductive material. Therefore, it could not be used for the above liquid level detector.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、単結晶サファ
イア体内に金属線を一体的に備えてなる金属線を内蔵し
た単結晶サファイア体を特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention features a single crystal sapphire body containing a metal wire integrally formed with a metal wire in the single crystal sapphire body.
【００１１】また、本発明は、アルミナ融液より単結晶
サファイアを引き上げる際に、金型に金属線を装填して
おき、単結晶サファイアの引き上げと同じ速度で金属線
を引き上げる工程からなる金属線を内蔵した単結晶サフ
ァイア体の製造方法を特徴とする。Further, according to the present invention, when pulling the single crystal sapphire from the alumina melt, a metal wire is loaded in a mold and the metal wire is pulled at the same speed as pulling the single crystal sapphire. And a method of manufacturing a single crystal sapphire body containing a.
【００１２】さらに本発明は、単結晶サファイアの筒状
体に金属線を挿通した後、この筒状体をアルミナ融液に
浸漬し、金属線との隙間を封止する工程からなる金属線
を内蔵した単結晶サファイア体の製造方法を特徴とす
る。Furthermore, the present invention provides a metal wire comprising a step of inserting a metal wire into a tubular body of single crystal sapphire, immersing the tubular body in an alumina melt, and sealing a gap between the tubular body and the metal wire. The method of manufacturing a built-in single crystal sapphire body is characterized.
【００１３】また本発明は、金属線を内蔵した単結晶サ
ファイア体を棒状体とし、該棒状体の先端に金属線を露
出させて液面検知部とするとともに、後端部に露出させ
た上記金属線に信号電源を接続して金属溶湯用液面検知
器を構成したことを特徴とする。Further, according to the present invention, a single crystal sapphire body containing a metal wire is formed into a rod-like body, and the metal wire is exposed at the tip of the rod-like body to serve as a liquid level detecting section and exposed at the rear end. The liquid level detector for molten metal is configured by connecting a signal power source to the metal wire.
【００１４】[0014]
【作用】本発明によれば、単結晶サファイアを引き上げ
て製造する際に同じ速度で高融点の金属線を引き上げる
ことによって、金属線を内蔵する単結晶サファイア体を
得ることができる。According to the present invention, a single crystal sapphire body containing a metal wire can be obtained by pulling a metal wire having a high melting point at the same rate when the single crystal sapphire is pulled and manufactured.
【００１５】あるいは、単結晶サファイアの筒状体に金
属線を挿通した後、この筒状体をアルミナ融液に浸漬
し、金属線との隙間を封止することによって、金属線を
内蔵する単結晶サファイア体を得ることができる。Alternatively, after inserting a metal wire into a cylindrical body of single crystal sapphire, the cylindrical body is dipped in an alumina melt to seal a gap between the cylindrical body and the metal wire, so that the metal wire containing the metal wire is incorporated. A crystalline sapphire body can be obtained.
【００１６】そのため、この金属線を内蔵する単結晶サ
ファイア体を用いて液面検知器を構成すれば、側面部が
単結晶サファイアからなるため耐食性に優れ、また内蔵
した金属線によって導通をとれることから導電性を高く
することができる。Therefore, when the liquid level detector is constructed by using the single crystal sapphire body containing the metal wire, the side surface portion is made of single crystal sapphire, which is excellent in corrosion resistance, and the built-in metal wire can conduct electricity. Therefore, the conductivity can be increased.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態を図によっ
て説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１８】図１に示す単結晶サファイア体１は、単結
晶サファイアの筒状体１１の内部に軸方向の金属線１２
を一体的に内蔵したものである。ここで、単結晶サファ
イアとはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の単結晶体であり、透
明で、耐熱性、耐食性、耐磨耗性に優れた材質である。
また、金属線１２を一体的に内蔵するとは、金属線１２
と筒状体１１との間に隙間や他の物質が存在することな
く完全に密着した状態であることを言う。The single crystal sapphire body 1 shown in FIG. 1 has an axial metal wire 12 inside a cylindrical body 11 of single crystal sapphire.
It is one that is integrated. Here, the single crystal sapphire is a single crystal body of alumina (Al 2 O 3 ), which is transparent and has excellent heat resistance, corrosion resistance, and abrasion resistance.
In addition, to integrally incorporate the metal wire 12 means that the metal wire 12
It means that there is no gap or other substance between the cylindrical body 11 and the cylindrical body 11 and the state is completely adhered.
【００１９】このような金属線１２を内蔵する単結晶サ
ファイア体１は、内蔵した金属線１２が導電性を有し、
かつ側面部分は耐食性に優れた単結晶サファイアの筒状
体１１からなるため、後述する金属溶湯用液面検知器に
限らず、腐食性の大きい雰囲気中で使用したり、高信頼
性の必要な各種センサーや通電端子等として各種機器に
使用することができる。In the single crystal sapphire body 1 containing such a metal wire 12, the built-in metal wire 12 has conductivity,
Moreover, since the side surface portion is composed of the single-crystal sapphire tubular body 11 having excellent corrosion resistance, it is not limited to the liquid level detector for molten metal described below, and it can be used in a highly corrosive atmosphere or requires high reliability. It can be used for various devices as various sensors and energizing terminals.
【００２０】なお、上記単結晶サファイア体１の製造方
法は以下の通りである。The method of manufacturing the single crystal sapphire body 1 is as follows.
【００２１】一般に単結晶サファイアを製造する場合
は、ＥＦＧ法等によりアルミナ融液から引き上げること
が一般的であるが、図２に示すように、周囲に不図示の
加熱手段を有するルツボ２１内のアルミナ融液２２を、
金型（結晶成長用ダイ）２３のスリット２４を介して上
部に供給し、種子結晶２５を矢印方向に引き上げること
によって、金型２３の形状に応じた単結晶サファイアを
得ることができる。Generally, in the case of producing single crystal sapphire, it is general to pull out from the alumina melt by the EFG method or the like. However, as shown in FIG. 2, the inside of the crucible 21 having a heating means (not shown) around it. Alumina melt 22
The single crystal sapphire according to the shape of the mold 23 can be obtained by supplying the seed crystal 25 in the upper direction through the slit 24 of the mold (crystal growth die) 23 and pulling up the seed crystal 25 in the arrow direction.
【００２２】このとき、金型２３の形状によって単結晶
サファイアの断面形状を決めることができるが、筒状の
単結晶サファイアを引き上げるような金型２３を用意
し、このルツボ２１内に予め金属線１２を装填しておい
て、種子結晶２５を引き上げる際に同じ速度で金属線１
２を引き上げ、筒状の単結晶サファイアの中央部に金属
線１２が入り込むようにすれば良い。このようにすれ
ば、図１に示すような金属線１２を一体的に内蔵した単
結晶サファイア体１を得ることができる。At this time, although the cross-sectional shape of the single crystal sapphire can be determined by the shape of the die 23, the die 23 for pulling up the tubular single crystal sapphire is prepared, and the metal wire is previously set in the crucible 21. 12 is loaded and the metal wire 1 is pulled at the same speed when pulling up the seed crystal 25.
2 may be pulled up so that the metal wire 12 enters the central portion of the cylindrical single crystal sapphire. By doing so, it is possible to obtain the single crystal sapphire body 1 integrally incorporating the metal wire 12 as shown in FIG.
【００２３】なお、上記製造方法を行うためには、金属
線１２は、アルミナの融点である２０５０℃で溶融しな
い材質を用いる必要がある。したがって、金属線１２と
しては、融点が２０５０℃以上であるタングステン
（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、プ
ラチナ（Ｐｔ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）等
の高融点金属を用いる。In order to carry out the above manufacturing method, the metal wire 12 must be made of a material that does not melt at 2050 ° C., which is the melting point of alumina. Therefore, as the metal wire 12, a high melting point metal such as tungsten (W), molybdenum (Mo), iridium (Ir), platinum (Pt), niobium (Nb), tantalum (Ta) having a melting point of 2050 ° C. or higher is used. To use.
【００２４】次に、本発明の単結晶サファイア体１の他
の製造方法を説明する。Next, another method for manufacturing the single crystal sapphire body 1 of the present invention will be described.
【００２５】まず、図３（Ａ）に示すように、上記のＥ
ＦＧ法等によって単結晶サファイアの筒状体１１を作製
し、この貫通孔に上記の高融点金属からなる金属線１２
を挿通する。その後、図３（Ｂ）に示すように、この筒
状体１１をアルミナ融液２２に浸漬して、金属線１２と
の隙間にアルミナ融液２２を含浸させる。First, as shown in FIG.
A single crystal sapphire tubular body 11 is produced by the FG method or the like, and a metal wire 12 made of the above-mentioned refractory metal is formed in the through hole.
Through. Then, as shown in FIG. 3B, the tubular body 11 is immersed in the alumina melt 22 to impregnate the gap between the cylindrical body 11 and the metal wire 12 with the alumina melt 22.
【００２６】その後、筒状体１１を取り出せば、上記隙
間のアルミナ融液が結晶化して隙間を封止し、図３
（Ｃ）のように先端部１１ａで金属線１２が一体的に内
蔵された単結晶サファイア体１を得ることができる。な
お、図３では筒状体１１の先端部１１ａのみを金属線１
２と一体化したが、全体を一体化することも可能であ
る。After that, when the tubular body 11 is taken out, the alumina melt in the gap is crystallized and the gap is sealed, as shown in FIG.
As shown in (C), it is possible to obtain the single crystal sapphire body 1 in which the metal wire 12 is integrally incorporated at the tip portion 11a. In addition, in FIG. 3, only the tip portion 11 a of the tubular body 11 is connected to the metal wire 1
Although it is integrated with 2, it is also possible to integrate the whole.
【００２７】また、本発明の単結晶サファイア体１は円
柱状、角柱状、あるいは板状等さまざまな形状とするこ
とができる。さらに、図１では単結晶サファイア体１の
端面にて金属線１２を露出させているが、金属線１２の
端面を単結晶サファイアで覆うこともできる。Further, the single crystal sapphire body 1 of the present invention can have various shapes such as a cylindrical shape, a prismatic shape, or a plate shape. Furthermore, in FIG. 1, the metal wire 12 is exposed at the end surface of the single crystal sapphire body 1, but the end surface of the metal wire 12 can be covered with single crystal sapphire.
【００２８】なお、上記の例では一本の金属線１２を内
蔵したものを示したが、複数の金属線１２を内蔵した単
結晶サファイア体１を得ることもできる。複数の金属線
１２を内蔵することによって、各金属線１２間で放電さ
せてオゾン発生装置としたり、各金属線１２間の静電容
量の変化を検知するセンサーとして利用することができ
る。In the above example, one metal wire 12 is incorporated, but a single crystal sapphire body 1 containing a plurality of metal wires 12 may be obtained. By incorporating a plurality of metal wires 12, it can be used as an ozone generator by discharging between the metal wires 12 or as a sensor for detecting a change in capacitance between the metal wires 12.
【００２９】次に、この金属線１２を内蔵する単結晶サ
ファイア体１を液面検知器に応用した実施形態を説明す
る。Next, an embodiment in which the single crystal sapphire body 1 containing the metal wire 12 is applied to a liquid level detector will be described.
【００３０】図４に示す液面検知器１０は、金属線１２
を単結晶サファイアの筒状体１１に一体的に内蔵した単
結晶サファイア体１を用い、この単結晶サファイア体１
の先端面１０ａは、金属線１２を露出させて液面検知部
としてある。一方、単結晶サファイア体１の後端部は、
ステンレス等からなるコネクタ１３に挿入して止め具１
４で保持してあり、コネクタ１３のネジ孔１３ａにネジ
を螺着して不図示の信号電源と金属線１２を接続するよ
うになっている。The liquid level detector 10 shown in FIG.
1. A single crystal sapphire body 1 in which a cylindrical body 11 of single crystal sapphire is integrally incorporated is used.
The front end surface 10a of the is exposed as the metal wire 12 and serves as a liquid surface detection unit. On the other hand, the rear end of the single crystal sapphire body 1
Insert into the connector 13 made of stainless steel, etc.
4 and holds a screw in the screw hole 13a of the connector 13 to connect a signal power source (not shown) to the metal wire 12.
【００３１】したがって、この液面検知器１０を図６に
示すような自動ラドルに用いれば、先端面１０ａで液面
を検知することができる。このとき、金属線１２は導電
性に優れることから、感度を高くし、低電圧で使用でき
る。また、先端面１０ａ以外の側面はすべて耐食性に優
れた単結晶サファイアの筒状体１１からなるため、浸食
される恐れはなく溶湯３２に悪影響を及ぼすこともな
い。しかも、金属線１２は単結晶サファイアの筒状体１
１と一体的に形成されているため、両者間に溶湯３２が
侵入することもない。Therefore, if this liquid level detector 10 is used in an automatic ladle as shown in FIG. 6, the liquid level can be detected by the tip surface 10a. At this time, since the metal wire 12 has excellent conductivity, it has high sensitivity and can be used at a low voltage. Further, since all the side surfaces other than the tip surface 10a are made of the single-crystal sapphire tubular body 11 having excellent corrosion resistance, there is no risk of erosion and no adverse effect on the molten metal 32. Moreover, the metal wire 12 is the cylindrical body 1 of single crystal sapphire.
Since it is formed integrally with No. 1, the molten metal 32 does not invade between the two.
【００３２】ちなみに、単結晶サファイアを筒状に形成
して金属線を挿入しただけで液面検知器を作製した場合
は、筒状体と金属線の間に隙間が存在することを避けら
れず、この隙間に溶湯３２が侵入して金属線１２が短時
間で浸食されてしまう。これに対し、本発明では、上述
した製造方法により金属線１２が単結晶サファイアの筒
状体１１に一体的に内蔵され、両者間には隙間や他の物
質が存在していないため、金属線１２の浸食を防止でき
るのである。By the way, when a liquid level detector is manufactured by simply forming a single crystal sapphire into a cylindrical shape and inserting a metal wire, it is unavoidable that there is a gap between the cylindrical body and the metal wire. The molten metal 32 penetrates into this gap and the metal wire 12 is eroded in a short time. On the other hand, in the present invention, the metal wire 12 is integrally incorporated in the single-crystal sapphire tubular body 11 by the above-described manufacturing method, and there is no gap or other substance between them, so that the metal wire 12 is not present. The erosion of 12 can be prevented.
【００３３】また、この液面検知器１０の先端面１０ａ
は、図４に示すような平坦面に限らず、図５に示すよう
な凸面としたり、あるいは球面、円錐面等とすることが
できる。さらに、この先端面１０ａは中心線平均粗さ
（Ｒａ）１．０μｍ以上の面としておくことによって、
溶湯３２を濡れやすくしておくことが好ましい。このよ
うにすれば、先端面１０ａに付着した溶湯３２が保護膜
となってさらに長寿命化を図ることができる。The tip surface 10a of the liquid level detector 10
Is not limited to the flat surface as shown in FIG. 4, but may be a convex surface as shown in FIG. 5, or may be a spherical surface, a conical surface, or the like. Further, by making the tip surface 10a a surface having a center line average roughness (Ra) of 1.0 μm or more,
It is preferable to make the molten metal 32 wet easily. By doing so, the molten metal 32 attached to the tip surface 10a serves as a protective film, and the life can be further extended.
【００３４】なお、単結晶サファイア体１の直径ｄは、
十分な強度を有するために３ｍｍ以上必要であり、一方
取扱い上の問題から３０ｍｍ以下とすることが好まし
い。The diameter d of the single crystal sapphire body 1 is
In order to have sufficient strength, it is required to be 3 mm or more, while it is preferably 30 mm or less because of handling problems.
【００３５】また、金属線１２は、上述したようにモリ
ブデン、タングステン、イリジウム等の融点が２０５０
℃以上の高融点金属からなるものであり、その線径は自
由に設定すれば良いが、最終的な液面検知器１０におけ
る両端面間の抵抗値が１０００Ω以下となるようにする
ことが好ましい。As described above, the metal wire 12 has a melting point of molybdenum, tungsten, iridium or the like of 2050.
It is made of a refractory metal having a temperature of ℃ or more, and its wire diameter may be freely set, but it is preferable that the final resistance value between both end surfaces of the liquid level detector 10 is 1000Ω or less. .
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、金属線を
単結晶サファイア体に一体的に内蔵することによって、
腐食性雰囲気中での各種センサーや通電部材等に好適に
使用することができる。As described above, according to the present invention, by integrally incorporating the metal wire into the single crystal sapphire body,
It can be suitably used for various sensors and current-carrying members in a corrosive atmosphere.
【００３７】また本発明によれば、アルミナ融液より単
結晶サファイアを引き上げる際に、金型に金属線を装填
しておき、単結晶サファイアの引き上げと同じ速度で金
属線を引き上げることにより、金属線を内蔵した単結晶
サファイア体を容易に製造することができる。Further, according to the present invention, when the single crystal sapphire is pulled from the alumina melt, the metal wire is loaded in the mold and the metal wire is pulled at the same speed as the pulling of the single crystal sapphire. A single crystal sapphire body containing a wire can be easily manufactured.
【００３８】さらに本発明によれば、単結晶サファイア
の筒状体に金属線を挿通した後、この筒状体をアルミナ
融液に浸漬し、金属線との隙間を封止することによっ
て、金属線を内蔵する単結晶サファイア体を容易に製造
することができる。Further, according to the present invention, a metal wire is inserted through a tubular body of single crystal sapphire, and the tubular body is immersed in an alumina melt to seal the gap between the metallic wire and the metal wire. A single crystal sapphire body containing a wire can be easily manufactured.
【００３９】また本発明によれば、金属線を内蔵する単
結晶サファイア体を棒状体とし、該棒状体の先端の金属
線を露出させて液面検知部とするとともに、後端部に露
出した上記金属線に信号電源を接続して金属溶湯用液面
検知器を構成したことによって、側面が単結晶サファイ
アからなるため耐食性に優れ、長期間良好に使用できる
とともに、金属溶湯中に不純物を混入させることがな
い。しかも、金属線を内蔵しているため導電性に優れて
いることから、感度が高く、低電圧で使用でき、コンピ
ュータ制御に好適であるなど、さまざまな特長をもった
金属溶湯用液面検知器を提供できる。Further, according to the present invention, the single crystal sapphire body containing the metal wire is made into a rod-like body, and the metal wire at the tip of the rod-like body is exposed to serve as the liquid level detecting portion and is exposed at the rear end portion. By configuring a liquid level detector for molten metal by connecting a signal power source to the above metal wire, the side surface is made of single crystal sapphire, so it has excellent corrosion resistance and can be used satisfactorily for a long time, and impurities are mixed into the molten metal. There is nothing to do. Moreover, because it has excellent conductivity because it has a built-in metal wire, it has high sensitivity, can be used at low voltage, and is suitable for computer control. Can be provided.
【図１】本発明の金属線を内蔵した単結晶サファイア体
を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a single crystal sapphire body incorporating a metal wire of the present invention.
【図２】図１の単結晶サファイア体の製造方法を説明す
るための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a method of manufacturing the single crystal sapphire body of FIG.
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の単結晶サファイア体
の他の製造方法を説明するための図である。3A to 3C are views for explaining another method for manufacturing the single crystal sapphire body of the present invention.
【図４】本発明の金属溶湯用液面検知器を示す概略断面
図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a liquid level detector for molten metal of the present invention.
【図５】図４の液面検知器の先端面の他の実施形態を示
す断面図である。5 is a cross-sectional view showing another embodiment of the front end surface of the liquid surface detector shown in FIG.
【図６】金属溶湯用液面検知器を用いた自動ラドルを示
す概略図である。FIG. 6 is a schematic view showing an automatic ladle using a liquid level detector for molten metal.
１：単結晶サファイア体 １０：液面検知器 １１：筒状体 １２：金属線 １３：コネクタ １４：止め具 ２１：ルツボ ２２：アルミナ融液 ２３：金型 ２４：スリット ２５：種子結晶 ３１：溶湯槽 ３２：溶湯 ３３：ラドル ３４：アーム 1: Single crystal sapphire body 10: Liquid level detector 11: Cylindrical body 12: Metal wire 13: Connector 14: Stopper 21: Crucible 22: Alumina melt 23: Mold 24: Slit 25: Seed crystal 31: Molten metal Tank 32: Molten metal 33: Ladle 34: Arm
Claims (4)
備えてなる金属線を内蔵した単結晶サファイア体。1. A single crystal sapphire body having a metal wire integrally formed with a metal wire in the single crystal sapphire body.
上げる際に、金型に金属線を装填しておき、単結晶サフ
ァイアの引き上げと同じ速度で金属線を引き上げる工程
からなる金属線を内蔵した単結晶サファイア体の製造方
法。2. When pulling a single crystal sapphire from an alumina melt, a metal wire is loaded in a mold and a single metal wire is built in, which comprises a step of pulling the metal wire at the same speed as pulling the single crystal sapphire. Method for manufacturing crystalline sapphire body.
した後、この筒状体をアルミナ融液に浸漬し、金属線と
の隙間を封止する工程からなる金属線を内蔵した単結晶
サファイア体の製造方法。3. A single crystal sapphire tubular body is inserted, and then the tubular body is immersed in an alumina melt to seal a gap between the tubular body and the metal wire. Method for manufacturing crystalline sapphire body.
状体とし、該棒状体の先端に金属線を露出させて液面検
知部とするとともに、後端部に露出させた上記金属線に
信号電源を接続してなる金属溶湯用液面検知器。4. A single crystal sapphire body containing a metal wire is formed into a rod-like body, and the metal wire is exposed at the tip of the rod-like body to serve as a liquid level detecting section, and the metal wire exposed at the rear end is formed. Liquid level detector for molten metal that is connected to a signal power supply.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10711196A JPH09295895A (en) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | Single crystal sapphire material containing metallic wire therein, its production and liquid level sensor for metallic melt using the same |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP10711196A JPH09295895A (en) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | Single crystal sapphire material containing metallic wire therein, its production and liquid level sensor for metallic melt using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09295895A true JPH09295895A (en) | 1997-11-18 |
Family
ID=14450757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10711196A Pending JPH09295895A (en) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | Single crystal sapphire material containing metallic wire therein, its production and liquid level sensor for metallic melt using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09295895A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009072746A3 (en) * | 2007-12-03 | 2009-07-23 | Pusan Nat University Ind Unive | Manufacturing method of single crystal terminal for electric connector and the single crystal terminal |
| US9692113B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-06-27 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| CN107142516A (en) * | 2017-06-16 | 2017-09-08 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | It is used for liquid level positioner during pulling of crystals in a kind of hot stove |
| US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
| US10324496B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-18 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP10711196A patent/JPH09295895A/en active Pending
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