JPH09266352A - Semiconductor light emitting element - Google Patents

Semiconductor light emitting element

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JPH09266352A
JPH09266352A JP7422196A JP7422196A JPH09266352A JP H09266352 A JPH09266352 A JP H09266352A JP 7422196 A JP7422196 A JP 7422196A JP 7422196 A JP7422196 A JP 7422196A JP H09266352 A JPH09266352 A JP H09266352A
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JP
Japan
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layer
gan
cap layer
formed
type
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JP7422196A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiro Hayakawa
利郎 早川
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
富士写真フイルム株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45Ohmic electrodes
    • H01L29/452Ohmic electrodes on AIII-BV compounds

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor element which has a reduced impedance.
SOLUTION: Sequentially formed on a sapphire substrate 1 are an n-GaN low-temperature buffer layer 2, an n-GaN buffer layer 3, an n-InGaN buffer layer 4, an n-AlGaN cladding layer 5, an n-GaN light guiding layer 6, an active layer 7, a p-GaN light guiding layer 8, a p-AlGaN cladding layer 9 partially having a ridge stripe part, and a p-GaN lower cap layer 10 of a ridge stripe shape, Formed on an area of the p-AlGaN cladding layer 9 other than the ridge stripe part is an SiN film 11. A p-GaN upper can layer 12 is grown on the SiN film 11 and p-GaN lower cap layer 10. The structure is then subjected to a reactive ion beam etching(RIBE) process using chlorine ions to remove an epitaxial layers other than a light emitting region until the n-GaN buffer layer 3 is exposed. Thereafter, a Ti/Al/Ti/Au n-side electrode 14 is formed on the n-GaN buffer layer 3, and an Ni/Au p-side ohmic electrode 13 is formed on the upper cap layer 12 by deposition and annealing processes in a nitrogen atmosphere.
COPYRIGHT: (C)1997,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子の構造関し、特に詳しくは、発光ダイオード(LED)および半導体レーザを含む半導体発光素子にに関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates the structure of the semiconductor light emitting element, in particular detail, it relates to a semiconductor light emitting device including a light emitting diode (LED) and semiconductor lasers.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来より、500nm を切る短波長光源としてAlInGaN系のLEDおよび半導体レーザが注目されている。 Hitherto, LED and semiconductor laser AlInGaN system has attracted attention as short wavelength light source off 500 nm. 本材料は青・緑の波長領域の高輝度LEDとして極めて優れた特性を有し(文献(1)Jpn.J.Appl.Phys. This material has extremely excellent characteristics as a high brightness LED for blue and green wavelength region (Reference (1) Jpn.J.Appl.Phys.
vol.34,No.7A,pp.L797-799(1995))、信号機や屋外表示装置の光源として実用化が進められている。 vol.34, No.7A, pp.L797-799 (1995)), practical application has been promoted as a light source of the traffic and outdoor display. また、半導体レーザとしては、最近室温で417nm のパルス発振が報告された(文献(2)Jpn.J.App1.Phys.vol35, No.1B,p Further, as the semiconductor laser, the pulse oscillation of 417nm was reported recently RT (Reference (2) Jpn.J.App1.Phys.vol35, No.1B, p
p.L74-76(1996))。 p.L74-76 (1996)).

【0003】上記文献(2)記載のAlInGaN 系半導体レーザでは、p型半導体層と電極との接触抵抗が非常に高いため、パルス駆動時の動作電圧が数十ボルトと高くなり、発振時に素子に投入される電力は通常の素子より10 [0003] In the AlInGaN system semiconductor laser, supra (2) wherein, since the contact resistance between the p-type semiconductor layer and the electrode is very high, the operating voltage at the time of pulse driving becomes high as several tens of volts, the element during oscillation power applied than the normal element 10
倍程度高くなるため、素子の発熱や、変調時の歪みが大きくなるという欠点がある。 For about twice higher, heat generation and the elements, there is a disadvantage that distortion during modulation becomes larger. そこで、素子のインピーダンスの低減が課題とされている。 Therefore, reduction of the impedance of the element is a problem.

【0004】また、上記AlInGaN 系半導体レーザの応用としては短波長化により現在実現されている630nm 半導体レーザより格段に小さい径の光スポットが得られることから、光ディスクメモリの高密度化への応用が最も期待される。 Further, since the AlInGaN system semiconductor laser much smaller diameter of the light spot from the 630nm laser diode currently being implemented by the shorter wavelengths as the application is obtained, application to high density of the optical disk memory is most are expected. このためには、安定な光ビームが得られる単一モードレーザの実現が必須であり、AlInGaN 系で期待される360-500nm の短波長域では横モード安定化のための作りつけの光導波路のストライプ幅は2μm程度かそれ以下の狭ストライプであることが必要となる。 For this purpose, the realization of single-mode laser stable light beam is obtained is essential, of making put the optical waveguide for the transverse mode stabilization in the short wavelength region of 360-500nm expected in AlInGaN system stripe width is required to be a 2μm about or less of a narrow stripe.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記文献に示される従来構造の素子においては、基板上にn型半導体層を先に積層した後にp型半導体層を積層して作製する構成をとっており、狭ストライプを設ける場合、 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the device of the prior art structure shown in above references, taking the configuration of making by stacking p-type semiconductor layer after laminating the n-type semiconductor layer above the substrate cage, in the case of providing a narrow stripe,
p型半導体層とp側電極との接触面積が狭められ、さらにインピーダンスを増加させることとなる。 Contact area is narrowed between the p-type semiconductor layer and the p-side electrode, and thus further increase the impedance.

【0006】このように、p型半導体層の抵抗率が大きく、p側電極との接触抵抗が大きい半導体発光素子において、素子のインピーダンスを低減することが望まれている。 [0006] Thus, the resistivity of the p-type semiconductor layer is large, in the semiconductor light emitting device contact resistance is large between the p-side electrode, it is desirable to reduce the impedance of the element.

【0007】本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、インピーダンスを低減した半導体発光素子を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, it is an object to provide a semiconductor light-emitting device with reduced impedance.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子は、基板上に、少なくともn型クラッド層、活性層、p The semiconductor light-emitting device of the present invention In order to achieve the above object, according to the substrate, at least n-type cladding layer, active layer, p
型クラッド層の各半導体層がこの順に積層され、前記p Each semiconductor layer type cladding layer are stacked in this order, the p
型クラッド層の一部に発光領域を定めるストライプ部が形成され、前記ストライプ部上にp型キャップ層を形成され、該p型キャップ層上にp側電極が形成されている半導体発光素子において、前記p型キャップ層が、前記ストライプ部上に積層されたストライプ状の下部キャップ層と、前記下部キャップ層上に形成された該下部キャップ層よりも広い面積を有する上部キャップ層とからなり、前記p側電極と前記p型上部キャップ層との接触面積が、下部キャップ層と上部キャップ層との接触面積よりも広いことを特徴とするものである。 Type stripe portion partially defining a light emitting region of the cladding layer is formed, is formed a p-type cap layer on the stripe portion, in the semiconductor light emitting element p-side electrode is formed on the p-type cap layer, the p-type cap layer is composed of a lower cap layer stripe-shaped laminated on the stripe portion, and the upper cap layer having a wider area than the formed lower cap layer on the lower cap layer, wherein the contact area between the p-side electrode p-type upper cap layer is characterized in that wider than the contact area between the lower cap layer and the upper cap layer.

【0009】すなわち、本発明は、電極との接触抵抗の大きいp型半導体層とp側電極との接触面積を広くとることにより、素子のインピーダンスを低減するものである。 Accordingly, the present invention is to provide a wider contact area between the larger p-type semiconductor layer and the p-side electrode of the contact resistance with the electrode, thereby reducing the impedance of the element.

【0010】前記上部キャップ層が、前記下部キャップ層上に積層されている部分と前記下部キャップ層上から張り出した張出部とからなっていてもよい。 [0010] The upper cap layer may consist overhanging projecting portion and the portion which is stacked on the lower cap layer from said lower cap layer.

【0011】また、前記張出部が、前記p型クラッド層上の前記ストライプ部を除いた部分上に形成された絶縁膜上に形成されていてもよい。 Further, the projecting portion may be formed on the p-type cladding layer of the stripe portion remaining after removing an insulating film formed on the upper portion.

【0012】上記構造は、Al x In y Ga 1-xy N(0≦x、y≦ [0012] The above structure, Al x In y Ga 1- xy N (0 ≦ x, y ≦
1)系の半導体発光素子に用いることができる。 1) it can be used in a semiconductor light-emitting device of the system.

【0013】 [0013]

【発明の効果】本発明の半導体発光素子は、p型半導体層とp側電極との接触面積を広くとることにより、従来の素子構造の場合と比較してインピーダンスを低減することができ、この結果、動作電圧を低減でき、横モードの安定した半導体発光素子を提供することができる。 The semiconductor light-emitting device of the present invention exhibits, by a wider contact area between the p-type semiconductor layer and the p-side electrode, can be compared with the conventional device structure to reduce the impedance, the result, it is possible to reduce the operating voltage, it is possible to provide a stable semiconductor light-emitting device of the transverse mode.

【0014】従って、これらの光源を用いた印刷・写真・医療画像などのハードコピー出力システムの高速化・ [0014] Therefore, high speed and hard copy output system such as printing, photographs, medical images using these light sources
高品位化、あるいは高密度の光メモリの高性能化を実現することができる。 Higher quality, or to realize the performance of the high-density optical memory.

【0015】 [0015]

【発明の実施の形態】以下に図面を用いて本発明の半導体発光素子の実施の形態を説明する。 Illustrating an embodiment of a semiconductor light-emitting device of the present invention using DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION drawings.

【0016】図1は本発明に係る第一の実施の形態の半導体レーザ断面模式図を示す。 [0016] Figure 1 shows a semiconductor laser sectional schematic view of a first embodiment according to the present invention. サファイアc面基板1上にMOCVD法を用いて、n-GaN低温バッファ層2、nG By MOCVD on the sapphire c-plane substrate 1, n-GaN low temperature buffer layer 2, nG
aNバッファ層3(Siドープ、5μm )、n-In 0.1 Ga 0.9 N aN buffer layer 3 (Si-doped, 5μm), n-In 0.1 Ga 0.9 N
バッファ層4(Siドープ、0.1μm )、n-Al 0.15 Ga 0.85 N Buffer layer 4 (Si doped, 0.1μm), n-Al 0.15 Ga 0.85 N
クラッド層5(Siドープ、0.5μm)、n-GaN光ガイド層6(Siドープ、0.1μm)、アンドープ活性層7、p-GaN Cladding layer 5 (Si-doped, 0.5μm), n-GaN optical guide layer 6 (Si-doped, 0.1 [mu] m), an undoped active layer 7, p-GaN
光ガイド層8(Mgドープ、0.1μm )、p-Al 0.15 Ga 0.85 N Optical guide layer 8 (Mg doped, 0.1μm), p-Al 0.15 Ga 0.85 N
クラッド層9(Mgドープ、0.5μm)およびp-GaN下部キャップ層10(Mgドープ、0.2μm)を成長する。 Cladding layer 9 (Mg-doped, 0.5 [mu] m) and p-GaN lower cap layer 10 (Mg-doped, 0.2 [mu] m) is grown. 活性層7 The active layer 7
は、アンドープAl 0.04 Ga 0.96 N 障壁層(0.01μm)、アンドープIn 0.2 Ga 0.8 N量子井戸層(3nm)およびアンドープAl 0.04 Ga 0.96 N障壁層(0.01μm)の3層構造とする。 Is a three-layer structure of undoped Al 0.04 Ga 0.96 N barrier layers (0.01 [mu] m), an undoped In 0.2 Ga 0.8 N quantum well layer (3 nm) and undoped Al 0.04 Ga 0.96 N barrier layers (0.01 [mu] m).

【0017】次にフォトリソグラフィとエッチングにより幅2.2μm程度のリッジストライプをp-Al 0.15 Ga 0.85 N [0017] By then photolithography and etching the ridge stripe width of about 2.2μm p-Al 0.15 Ga 0.85 N
クラッド層9の残し厚が0.1μmとなるようにして形成する。 Remaining thickness of the cladding layer 9 is deposited to a 0.1 [mu] m.

【0018】次にSiN 膜11をプラズマCVDで全面に製膜した後、フォトリソグラフィとエッチングによりリッジ上の不要部分を除去する。 [0018] Then after it is deposited on the entire surface of the SiN film 11 by plasma CVD, to remove an unnecessary portion on the ridge by photolithography and etching.

【0019】この後、2回目のMOCVD成長によりp- [0019] This after, the second of the MOCVD growth p-
GaN上部キャップ層12(Mgドープ)を成長する。 Growing a GaN upper cap layer 12 (Mg-doped). その後、窒素ガス雰囲気中で熱処理によりp型不純物を活性化する。 Then, to activate the p-type impurity by heat treatment in a nitrogen gas atmosphere.

【0020】この後、塩素イオンを用いたRIBE(rea [0020] After this, RIBE using a chlorine ion (rea
ctive ion beam etching )により発光領域を含む部分以外のエピタキシャル層をn-GaN バッファ層3が露出するまでエッチング除去する。 ctive ion beam etching) the epitaxial layer except a portion including the light emitting region n-GaN buffer layer 3 is removed by etching to expose the. この際にレーザの共振器端面をエッチングにより形成することが可能であるが、その場合は端面に相当する部分でリッジ幅を10μm 程度以上に広げてリッジ部形状の端面の平坦性へ及ぼす悪影響を低減することが望ましい(J.Quantum Electronics vol. While the resonator end face of the laser when the can be formed by etching, the adverse effect to the flatness of the end face of the ridge portion shape to expand the ridge width than about 10μm in portions that case corresponds to the end face reduction it is desirable to (J. Quantum Electronics vol.
27,pp.1319-1331(1991))。 27, pp.1319-1331 (1991)). 劈開により共振器端面を形成する場合は端面のリッジ幅を拡げる必要はない。 It is not necessary to extend the ridge width of the end face when forming the resonator end face by cleavage.

【0021】この後、n-GaN バッファ層3上にn側電極 [0021] Thereafter, n-side electrode on the n-GaN buffer layer 3
14としてTi/Al/Ti/Auを、また、上部キャップ層12上にp側電極13としてNi/Auを真空蒸着・窒素中アニールしてオーミック電極を形成する。 The Ti / Al / Ti / Au as 14, also the Ni / Au by vacuum deposition anneal in nitrogen to form the ohmic electrode as a p-side electrode 13 on the upper cap layer 12.

【0022】上記実施の形態では基板として絶縁性物質であるサファイアを用いているが、SiC のような導電性の基板101 を用いて図2に示す第二の実施形態に係る半導体レーザを作成することも可能である。 [0022] Although in the above embodiment is used sapphire is an insulating material as a substrate, to create a semiconductor laser according to the second embodiment shown in FIG. 2 by using a conductive substrate 101, such as SiC it is also possible. この場合、n- In this case, n-
GaN バッファ層3をエッチングにより露出させる必要はなく、基板101 下面にn側電極を形成する。 A GaN buffer layer 3 need not be exposed by etching to form the n-side electrode on the lower surface substrate 101.

【0023】本発明に係る第三の実施の形態の半導体レーザ断面模式図を図3に示す。 [0023] The semiconductor laser sectional schematic view of a third embodiment according to the present invention shown in FIG. 基板の種類を含む活性層以下の構造は種々の構造が採用できるため、図1に示す前記第一の実施の形態と同様の構成とし、p-GaN 光ガイド層8より上部の構造のみを示す。 Since the structure of the following active layer including the type of substrate that can be employed various structures, the same structure as the first embodiment shown in FIG. 1 shows only the upper portion of the structure from p-GaN optical guide layer 8 . 本実施の形態では、 In this embodiment,
2回目のMOCVD成長において、絶縁膜211 上に積層しにくい選択成長を用いてp-GaN下部キャップ層10上にp In the second MOCVD growth, p on the p-GaN lower cap layer 10 by using a laminated hard selectively grown on the insulating film 211
-GaN上部キャップ層212 を選択的に成長してp側電極21 p-side electrode 21 a -GaN upper cap layer 212 is selectively grown
3 との接触面積を大きくとった。 The contact area between the 3 took large.

【0024】本発明の第四の実施の形態の半導体レーザ断面模式図を図4に示す。 [0024] The semiconductor laser sectional schematic view of a fourth embodiment of the present invention shown in FIG. リッジ導波路型の横モード制御は前記の実施の形態と同様であるが、リッジの両側を5μm 程度の幅の溝形状314 にエッチングして、SiO 2絶縁膜311 は塗布型の影両のスピンコートと熱処理を用いて形成し、溝部314 を埋め込む形とした。 Although the transverse mode control of the ridge waveguide type is similar to the embodiment described above, by etching both sides of the ridge in the groove shape 314 having a width of about 5 [mu] m, SiO 2 insulating film 311 is spin both shadow coating type It formed using a heat treatment and coating, and the form to embed the groove 314. この上に図1、図2の実施の形態と同様にp-GaN 上部キャップ層31 Figure 1, p-GaN upper cap layer 31 as with the embodiment of FIG. 2 on the
2 を成長してp側電極313 との接触面積を大きくとった。 It took increase the contact area between the p-side electrode 313 to grow the 2. 図4の実施の形態の構造について、SiO 2絶縁膜を超音波を加えながらのウエットエッチングにより除去して、この際に結晶性のよくないGaN 下部キャップ層310 Figure the structure of embodiment 4, the SiO 2 insulating film is removed by wet etching while applying ultrasonic, GaN lower cap layer poorly crystalline during this 310
上近傍のエピタキシャル層以外の部分をリフトオフ除去して図5に示す第五の実施の形態の半導体レーザを作成してもよい。 The portions other than the epitaxial layer above the neighborhood is lifted off removed may be created semiconductor laser of the fifth embodiment shown in FIG.

【0025】本発明の効果はリッジ形成、絶縁膜層形成および2回目のGaN 上部キャップ層の成長により得られるものである。 The effect of the present invention is obtained by the growth of the ridge formation, the insulating film layer formed and the second GaN upper cap layer. 従って、半導体レーザの層構造としては上記実施の形態以外に多重井戸構造や量子井戸を用いないダブルヘテロ構造など一般に考えられる種々の構造を採用することが可能である。 Therefore, as the layer structure of the semiconductor laser is possible to employ various structures are generally considered such as a double heterostructure using no multi-quantum well structure or a quantum well in addition to the above-described embodiment. 基板としてサファイアやSi Sapphire as the substrate and Si
C 以外にスピネル構造を有す物質(例えば、AlMg 2 O 4 Substance having a spinel structure other than C (e.g., AlMg 2 O 4)
等任意のものを用いることができる。 It can be used etc. Any ones.

【0026】前記実施例においては、レーザ端面を塩素イオンを用いたRlBEにより形成したが、通常の劈開や光学研磨法などを用いて形成してもかまわない。 [0026] In the embodiment, although the laser facets were formed by RlBE using chlorine ions, it may be formed by using a normal cleavage and optical polishing.

【0027】以上半導体レーザ素子として述べたが、同様の構造で端面発光型LEDとして用いる場合にも効果があることは言うまでもない。 The above has been described as a semiconductor laser element, there are also the effects even when used as edge-emitting LED in the same structure.

【0028】また、本発明の構造は、基板上にn型半導体層から形成し、電流注入窓側がp型半導体層とした半導体発光素子であって、p型半導体層の抵抗率および電極との接触抵抗率の高い物質の場合にはいかなる組成の半導体発光素子においても有効である。 Further, the structure of the present invention forms an n-type semiconductor layer on a substrate, a current injection window side is a semiconductor light emitting element is a p-type semiconductor layer, the resistivity and the electrodes of the p-type semiconductor layer in the case of high contact resistivity material is also effective in the semiconductor light-emitting device of any composition.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の第一の実施の形態に係る半導体レーザの断面模式図 [1] The semiconductor laser sectional schematic view of a according to the first embodiment of the present invention

【図2】本発明の第二の実施の形態に係る半導体レーザの断面模式図 [2] Second cross-sectional schematic view of a semiconductor laser according to the embodiment of the present invention

【図3】本発明の第三の実施の形態に係る半導体レーザの断面模式図 [3] Third schematic cross-sectional view of a semiconductor laser according to the embodiment of the present invention

【図4】本発明の第四の実施の形態に係る半導体レーザの断面模式図 Fourth schematic sectional view of a semiconductor laser according to the embodiment of the present invention; FIG

【図5】本発明の第五の実施の形態に係る半導体レーザの断面模式図 [5] The semiconductor laser sectional schematic view of a according to the fifth embodiment of the present invention

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 サファイアc面基板 2 n-GaN低温バッファ層 3 n-GaNバッファ層 4 n-In 0.1 Ga 0.9 Nバッファ層 5 n-Al 0.15 Ga 0.85 Nクラッド層 6 n-GaN光ガイド層 7 アンドープ活性層 8 p-GaN光ガイド層 9 p-Al 0.15 Ga 0.85 Nクラッド層 10 p-GaN下部キャップ層 11 SiN膜 12 p-GaN光ガイド層 13,14 電極 1 sapphire c-plane substrate 2 n-GaN low temperature buffer layer 3 n-GaN buffer layer 4 n-In 0.1 Ga 0.9 N buffer layer 5 n-Al 0.15 Ga 0.85 N cladding layer 6 n-GaN optical guide layer 7 undoped active layer 8 p-GaN optical guide layer 9 p-Al 0.15 Ga 0.85 N clad layer 10 p-GaN lower cap layer 11 SiN film 12 p-GaN optical guide layer 13, 14 electrodes

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 基板上に、少なくともn型クラッド層、 1. A on a substrate, at least n-type cladding layer,
    活性層、p型クラッド層の各半導体層がこの順に積層され、前記p型クラッド層の一部に発光領域を定めるストライプ部が形成され、前記ストライプ部上にp型キャップ層を形成され、該p型キャップ層上にp側電極が形成されている半導体発光素子において、 前記p型キャップ層が、前記ストライプ部上に積層されたストライプ状の下部キャップ層と、前記下部キャップ層上に形成された該下部キャップ層よりも広い面積を有する上部キャップ層とからなり、前記p側電極と前記p Active layer, the semiconductor layers of the p-type cladding layer are laminated in this order, wherein the p-type stripe portion partially defining a light emitting region of the cladding layer is formed, is formed a p-type cap layer on the stripe portion, the in the semiconductor light emitting element p-side electrode is formed on the p-type cap layer, the p-type cap layer, and a lower cap layer stripe-shaped laminated on the stripe portion is formed in the lower cap layer It consists of a top cap layer having a larger area than said lower cap layer, wherein said p-side electrode p
    型上部キャップ層との接触面積が、下部キャップ層と上部キャップ層との接触面積よりも広いことを特徴とする半導体発光素子。 The semiconductor light emitting element the contact area between the mold upper cap layer, and wherein the wider than the contact area between the lower cap layer and the upper cap layer.
  2. 【請求項2】 前記上部キャップ層が、前記下部キャップ層上に積層されている部分と前記下部キャップ層上から張り出した張出部とからなることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 Wherein said upper cap layer, the semiconductor light-emitting device according to claim 1, characterized by comprising the said protruding and a portion that is laminated on the lower cap layer protruding from the lower cap layer portion .
  3. 【請求項3】 前記張出部が、前記p型クラッド層の前記ストライプ部を除いた部分上に形成された絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光素子。 Wherein the protruding portion is claim 1 or 2, wherein the semiconductor is characterized in that it is formed on the p-type cladding layer of the stripe portion remaining after removing an insulating film formed on the upper portion the light-emitting element.
  4. 【請求項4】 前記n型クラッド層、活性層、p型クラッド層およびp型キャップ層がAl x In y Ga 1-xy N(0≦x、 Wherein said n-type cladding layer, active layer, p-type cladding layer and p-type cap layer Al x In y Ga 1-xy N (0 ≦ x,
    y≦1)系の半導体層であることを特徴とする請求項1から3いずれか記載の半導体発光素子。 y ≦ 1) based semiconductor light-emitting device of claims 1 to 3, wherein any one, which is a semiconductor layer of.
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