JPH09232551A - Photoelectric conversion device - Google Patents

Photoelectric conversion device

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JPH09232551A
JPH09232551A JP8037922A JP3792296A JPH09232551A JP H09232551 A JPH09232551 A JP H09232551A JP 8037922 A JP8037922 A JP 8037922A JP 3792296 A JP3792296 A JP 3792296A JP H09232551 A JPH09232551 A JP H09232551A
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JP
Japan
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image area
microlenses
microlens
conductive paste
image sensor
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP8037922A
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Japanese (ja)
Inventor
Masao Segawa
雅雄 瀬川
Yakushi Kuma
躍芝 熊
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH09232551A publication Critical patent/JPH09232551A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve mechanical strength of an anisotropic conductive paste, a conductive paste and a package and prevent generation of a defective image, by changing the layout of microlenses formed on a color filter and partly removing a microlens array. SOLUTION: A part of microlenses 5b which are located outside an image area 3c of a CCD chip 3 are removed in such a manner as to surround the image area 3c, thus forming a lens removed portion 11. A color filer 5a and the microlenses 5b located outside the image area 3c are provided for the purpose of maintaining manufacturing stability. Therefore, partly removing the microlenses causes no problem in characteristics. Since an anisotropic conductive paste 4 which is to enter the CCD chip has its diffusion direction dispersed to the outer periphery of the image area on the microlenses 5b intermittently formed before the image area, the quantity of the anisotropic conductive paste entering the image area 3c may be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、CCD(固体撮
像素子)を用いた光電変換装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric conversion device using a CCD (solid-state image sensor).

【0002】[0002]

【従来の技術】電気素子を小型パッケージ内に収納した
電子部品は産業用に幅広く使用されている。就中、CC
Dはカメラ等の応用範囲が広い。このようなCCDは、
産業用として小型化の要求が特に強く、軽薄短小化の開
発に各社が凌ぎを削っている。このCCDの実装方法に
関しては、特開平7-099214号、特開平7-153796号が知ら
れている。
2. Description of the Related Art Electronic parts in which electric elements are housed in a small package are widely used for industrial purposes. Above all, CC
D has a wide range of applications such as cameras. Such a CCD is
The demand for miniaturization is particularly strong for industrial use, and each company is struggling to develop light, thin, short, and small products. Regarding the mounting method of this CCD, JP-A-7-099214 and JP-A-7-153796 are known.

【0003】以下、従来の光電変換装置について図面を
参照して説明する。図9はパッケージを構成する部材と
製造プロセスを示す。配線基板1、光学ガラス2それに
CCDチップ3とから構成される。まず、図9(a)
で、光学ガラス2と配線基板1とを接着する。配線基板
1は絶縁性基材1aと電極パターン1bからなり中央開
口部1cを有する。接着剤は、例えば紫外線硬化性接着
剤を用いて絶縁性基材1aの裏面に塗布する。次に、図
9(b)にて電極パターン1bの周囲に、異方性導電ペ
ースト4や導電接着剤を形成する。図9(c)におい
て、CCDチップ3を異方性導電ペースト4上から熱圧
着により電極パターン1bに電気的に接続する。
A conventional photoelectric conversion device will be described below with reference to the drawings. FIG. 9 shows the members constituting the package and the manufacturing process. It is composed of a wiring board 1, an optical glass 2, and a CCD chip 3. First, FIG. 9 (a)
Then, the optical glass 2 and the wiring board 1 are bonded. The wiring board 1 is composed of an insulating base material 1a and an electrode pattern 1b, and has a central opening 1c. The adhesive is applied to the back surface of the insulating base material 1a using, for example, an ultraviolet curable adhesive. Next, in FIG. 9B, an anisotropic conductive paste 4 and a conductive adhesive are formed around the electrode pattern 1b. In FIG. 9C, the CCD chip 3 is electrically connected to the electrode pattern 1b by thermocompression bonding from above the anisotropic conductive paste 4.

【0004】図10は、完成したパッケージを断面構造
で示したものである。このとき、CCDチップ3の画素
に相当するパッケージ内は、中空構造(キャビティp)
であり、CCDチップ3の表面に形成されたマイクロレ
ンズ5による集光効果を生かす構造にしてある。
FIG. 10 is a sectional view showing a completed package. At this time, the inside of the package corresponding to the pixels of the CCD chip 3 has a hollow structure (cavity p).
The structure is such that the condensing effect of the microlens 5 formed on the surface of the CCD chip 3 is utilized.

【0005】また、異方性導電ペースト4は、CCDチ
ップ3と配線基板1の間に完全に充填されており、CC
Dチップ3の外周は全て外気から遮断、すなわち気密封
止構造が図られている。
Further, the anisotropic conductive paste 4 is completely filled between the CCD chip 3 and the wiring substrate 1, and CC
The entire outer periphery of the D chip 3 is shielded from the outside air, that is, a hermetically sealed structure is achieved.

【0006】以上説明した構造により、簡単な製造プロ
セスで、超小形化の実現を可能とするCCDパッケージ
を得ることができる。
With the structure described above, it is possible to obtain a CCD package which can be miniaturized by a simple manufacturing process.

【0007】ところで、CCDチップ3の表面には、図
11(a)に示すように、ボンディングパッド3aが両
サイドに形成され、光電変換部には、カラーフィルタ5
aとマイクロレンズ5bとの形成エリヤ3bがある。カ
ラーフィルタ5aはシアン・マゼンダ・イエローの補色
構成の4層で厚みは5μm程度、またマイクロレンズ5
aは、径2μm〜3μmで高さ1.5μm〜2.0μm
である。それらは、共にアクリル樹脂で構成される。ま
た、製造クリアランスの確保のため、図11(b)のよ
うに、イメージエリヤ3cに対し、カラーフィルタ5a
とマイクロレンズ5bの形成エリヤ3bが、50μm〜
200μm程度大きく設計してある。
By the way, as shown in FIG. 11A, bonding pads 3a are formed on both sides of the surface of the CCD chip 3, and a color filter 5 is formed in the photoelectric conversion portion.
There is an area 3b for forming a and a microlens 5b. The color filter 5a has four layers of complementary colors of cyan, magenta, and yellow and has a thickness of about 5 μm.
a has a diameter of 2 μm to 3 μm and a height of 1.5 μm to 2.0 μm
It is. Both of them are made of acrylic resin. Further, in order to secure the manufacturing clearance, as shown in FIG. 11B, the color filter 5a is attached to the image area 3c.
And the formation of microlens 5b Area 3b is 50 μm
It is designed to be about 200 μm larger.

【0008】ここで、図12を用いて、現行の実装方法
における問題点を説明する。図12(a)にて、CCD
チップ3と配線基板1を異方性導電ペースト4を介して
接合するときに、異方性導電ペースト4の一部が、CC
Dチップ3のイメージエリア3c内に侵入し、図12
(b)のように、異方性導電ペースト4の滲みだし不良
(画像不良)Eが発生する。これは異方性導電ペースト
4は粘性のあるペースト状のため、異方性導電ペースト
4の一部の成分が熱圧着のときに、CCDチップ3のカ
ラーフィルタ5aやマイクロレンズ5b上に流れ出して
にじむ現象である。以下、この不良を「滲みだし不良」
という。
Here, the problems in the current mounting method will be described with reference to FIG. In FIG. 12 (a), the CCD
When the chip 3 and the wiring board 1 are bonded via the anisotropic conductive paste 4, a part of the anisotropic conductive paste 4 is CC
Intruding into the image area 3c of the D chip 3,
As shown in (b), bleeding defect (image defect) E of the anisotropic conductive paste 4 occurs. Since the anisotropic conductive paste 4 is a viscous paste, some components of the anisotropic conductive paste 4 flow out onto the color filter 5a and the microlens 5b of the CCD chip 3 when thermocompression bonding is performed. It is a phenomenon of bleeding. Hereinafter, this defect is called "bleeding defect"
That.

【0009】この「滲みだし不良」について調査した結
果、隣り合う半球上のマイクロレンズ間にできた1μm
程度の隙間に同上の異方性導電ペーストが侵入し、異方
性導電ペースト4中の低粘度成分が、イメージエリヤ3
c内に毛細管現象的に侵入して「滲みだし不良」が発生
すると推定される。
As a result of investigating this "bleeding defect", 1 μm formed between microlenses on adjacent hemispheres.
The anisotropic conductive paste of the same as above penetrates into the gap of about a certain degree, and the low-viscosity component in the anisotropic conductive paste 4 becomes
It is presumed that "blurring failure" occurs due to the capillary invasion into c.

【0010】通常は、イメージエリヤ3cに侵入しない
マージンをもって配線基板の設計を行っているが、異方
性導電ペースト4のロットばらつきや、粘度の掲示変化
により「滲みだし不良」となるのが発生していた。
Normally, the wiring board is designed with a margin that does not penetrate into the image area 3c. However, the "bleeding failure" may occur due to the lot variation of the anisotropic conductive paste 4 and the change in the posting of the viscosity. Was.

【0011】さらに実験した結果によると、異方性導電
ペースト4は、CCDチップ3上では、カラーフィルタ
5a層よりマイクロレンズ5b形成層で異方性導電ペー
スト4の滲みだしが加速することがわかっている。
According to the results of further experiments, it is found that the anisotropic conductive paste 4 on the CCD chip 3 accelerates the seepage of the anisotropic conductive paste 4 from the color filter 5a layer to the microlens 5b forming layer. ing.

【0012】図13を用い、イメージエリヤ外のマイク
ロレンズのスペースマージンSMを狭くした場合の滲み
だしについて説明する。ボンディングパッド3aからイ
メージエリヤ3cまでの距離Lは、100μm程度であ
る。チップ接合用には異方性導電ペースト4が塗布さ
れ、一部の異方性導電ペースト4がイメージエリヤ3c
に向かって侵入する。異方性導電ペースト4の侵入方向
はFから開始し、DおよびEの方向にイメージエリヤ3
c内に扇上に拡散していく。Fはカラーフィルタ5a上
の拡散で、このときの拡散速度は、VF0であり比較的低
速である。また、異方性導電ペーストがマイクロレンズ
に接触すると、隣接するマイクロレンズ間の谷間で毛細
管現象的に拡散作用は加速し、VF0の拡散速度は、Dお
よびEではそれぞれVD0およびVE0の拡散速度に変化す
る。拡散速度VF0に対し、拡散速度VD0およびVE0はそ
れぞれ数倍の速度が早い。その拡散スピード差は10倍
程度になる。従って、異方性導電ペーストが加熱硬化す
る迄に、イメージエリヤ内に到達する時間は短くなる。
Exudation when the space margin SM of the microlenses outside the image area is narrowed will be described with reference to FIG. The distance L from the bonding pad 3a to the image area 3c is about 100 μm. The anisotropic conductive paste 4 is applied for chip bonding, and a part of the anisotropic conductive paste 4 is applied to the image area 3c.
Invade towards. The penetration direction of the anisotropic conductive paste 4 starts from F, and the image area 3 moves in the D and E directions.
It spreads on the fan in c. F is the diffusion on the color filter 5a, and the diffusion speed at this time is VF0, which is relatively low. Further, when the anisotropic conductive paste comes into contact with the microlenses, the diffusion action is accelerated in the valley between the adjacent microlenses by a capillary phenomenon, and the diffusion speed of VF0 becomes equal to that of VD0 and VE0 in D and E, respectively. Change. The diffusion speeds VD0 and VE0 are several times faster than the diffusion speed VF0. The difference in diffusion speed is about 10 times. Therefore, it takes less time to reach the inside of the image area before the anisotropic conductive paste is heated and hardened.

【0013】そこで、同一出願人は特願平7-155865号に
て、マイクロレンズ5bの形成位置に関して、配線基板
1の開口部1cの内側にマイクロレンズ5bを配置する
構造を提案している。
Therefore, the same applicant proposes, in Japanese Patent Application No. 7-155865, a structure in which the microlens 5b is arranged inside the opening 1c of the wiring board 1 with respect to the formation position of the microlens 5b.

【0014】これは、図14に示すように、配線基板1
の端部より内側にカラーフィルタ5aを含むマイクロレ
ンズ5bを配置するもので、これにより、異方性導電ペ
ースト4の滲みだし不良が飛躍的に回避できることがわ
かった。
This is as shown in FIG.
It was found that the microlens 5b including the color filter 5a is arranged on the inner side of the end portion of 1., whereby the oozing defect of the anisotropic conductive paste 4 can be dramatically avoided.

【0015】しかし、この不良は完全に回避することは
できず、さらなる不良防止対策が望まれていた。また、
図14の現行法では、カラーフィルタ5aとマイクロレ
ンズ5bの形成端から、ボンディングパッド3aまで1
00μm〜200μm程度の大きい距離をとる必要があ
り、CCDチップ3の小型化には限界がある。
However, this defect cannot be completely avoided, and further preventive measures have been demanded. Also,
In the current method of FIG. 14, from the formation end of the color filter 5a and the microlens 5b to the bonding pad 3a, 1
It is necessary to set a large distance of about 00 μm to 200 μm, and there is a limit to miniaturization of the CCD chip 3.

【0016】さらに変形例として、異方性導電ペースト
4の滲みだしを防止する「ダム枠形成」についても同一
出願人が先に出願している。これは、図15(a),
(b)に示したように、CCDチップ3若しくは配線基
板1の少なくとも何れか一方の、ボンディングパッド3
aとイメージエリヤ3cの間に、ダム枠6a,6bを形
成する手段である。これは、構造的に異方性導電ペース
ト4の侵入する膜厚より高い土手を設けるのが主眼であ
った。これにより、異方性導電ペースト4がダム枠を越
えてイメージエリヤ3c内に侵入し、画像不良になるこ
とを阻止できる効果が期待できた。
Further, as a modification, the same applicant previously applied for "dam frame formation" for preventing the seepage of the anisotropic conductive paste 4. This is shown in FIG.
As shown in (b), the bonding pad 3 on at least one of the CCD chip 3 and the wiring substrate 1.
It is a means for forming dam frames 6a and 6b between a and the image area 3c. The main purpose of this is to provide a bank which is structurally thicker than the film thickness of the anisotropic conductive paste 4. As a result, the effect of preventing the anisotropic conductive paste 4 from penetrating into the image area 3c beyond the dam frame and causing an image defect can be expected.

【0017】しかしながら、図15のダム枠形成技術で
は、別材料と別工程の付与が必要となり形成が極めて繁
雑となる点である。また、ダム枠6a,6bの形成は、
フォトレジスト形成法等の微小幅で形成した、数10μ
m〜100μm程度の形成スペースが必要となり、その
形成幅を含んだチップサイズの増大は、デバイスサイズ
の小型化を著しく疎外することになる。さらに、先に説
明したバンプ接続によるフェイスダウン実装に影響を与
える可能性がある。そのために、ダム枠の高さ制御が重
要であるが、バンプ高さとダム枠の高さ管理は極めて困
難で、接続の信頼性低下を引起こす懸念がある。
However, in the dam frame forming technique of FIG. 15, it is necessary to add another material and another process, which makes the formation extremely complicated. The formation of the dam frames 6a and 6b is
A few tens of μ formed with a very small width such as a photoresist formation method
A formation space of about m to 100 μm is required, and an increase in chip size including the formation width makes it extremely difficult to reduce the device size. Furthermore, it may affect the face-down mounting by bump connection described above. Therefore, it is important to control the height of the dam frame, but it is extremely difficult to control the height of the bump and the height of the dam frame, and there is a concern that the reliability of the connection may be deteriorated.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の光電変
換装置では、フィルタとマイクロレンズの形成端から、
ボンディングパッドまでの距離をとる方法の場合、この
距離を大きくとる必要があり、CCDチップの小型化に
は限界がある。また、ダム枠を設ける場合、バンプ高さ
とダム枠の高さ管理が極めて困難で、接続の信頼性低下
を引起こす懸念がある。
In the above-mentioned conventional photoelectric conversion device, from the formation end of the filter and the microlens,
In the case of the method of increasing the distance to the bonding pad, it is necessary to increase this distance, which limits the miniaturization of the CCD chip. Further, when the dam frame is provided, it is extremely difficult to control the height of the bump and the height of the dam frame, which may cause a decrease in reliability of connection.

【0019】この発明は、異方性導電ペーストや導電ペ
ースト、さらにはパッケージの機械的強度の向上と封止
性を増すための樹脂封止剤が、イメージエリヤに流れ込
んで、画像不良を発生しない方策を提供する。
According to the present invention, the anisotropic conductive paste and the conductive paste, and further the resin sealant for improving the mechanical strength and the sealing property of the package, flow into the image area to prevent image defects. Provide a strategy.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、この発明の光電変換装置は、カラーフィルタ上
に形成されるマイクロレンズの配置構造を変更し、一部
のマイクロレンズ列を除去したものである。
In order to solve the above-mentioned problems, in the photoelectric conversion device of the present invention, the arrangement structure of the microlenses formed on the color filter is changed to remove some microlens rows. It was done.

【0021】これより、CCDチップ内に侵入しようと
する異方性導電ペーストは、イメージエリヤの手前で分
断形成されたマイクロレンズ上で、拡散方向がイメージ
エリヤの外周囲に分散されるために、イメージエリヤに
侵入する拡散量を少なくすることができる。
As a result, the anisotropic conductive paste, which is about to enter the CCD chip, is dispersed in the diffusion direction around the outer periphery of the image area on the microlens formed by dividing in front of the image area. The amount of diffusion that enters the image area can be reduced.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、こ
の発明の第1の実施の形態を説明するための説明図であ
る。この実施の形態と従来の同一の構成部分には同一の
符号を付して説明する。図1(a)は、CCDチップ3
のカラーフィルタ5a上に、配置されたマイクロレンズ
5bの配置を説明するための正面図、図1(b)は図1
(a)のA−A´断面のCCDチップ3と配線基板1と
を、異方性導電ペースト4を介して電気的に接続する状
態を説明するための断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining a first embodiment of the present invention. The same components as those of this embodiment will be described with the same reference numerals. FIG. 1A shows the CCD chip 3.
1B is a front view for explaining the arrangement of the microlenses 5b arranged on the color filter 5a of FIG.
FIG. 4A is a cross-sectional view for explaining a state in which the CCD chip 3 and the wiring substrate 1 in the AA ′ cross section of (a) are electrically connected via the anisotropic conductive paste 4.

【0023】すなわち、この実施の形態は、図1(a)
に示すように、マイクロレンズ5bのCCDチップ3の
イメージエリヤ3cの外に配置された一部を、イメージ
エリヤ3cを取り囲むように除去してレンズ除去部11
を形成したものである。このとき、ボンディングパッド
3aとマイクロレンズ5bとの間隔は、従来の場合の間
隔より狭く設定してある。
That is, this embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a part of the microlens 5b arranged outside the image area 3c of the CCD chip 3 is removed so as to surround the image area 3c, and the lens removing unit 11
Is formed. At this time, the distance between the bonding pad 3a and the microlens 5b is set to be narrower than the distance in the conventional case.

【0024】ところで、イメージエリヤ3c外のカラー
フィルタ5aやマイクロレンズ5bは、製造上の安定性
を持たせるためのものである。従って、一部を除去して
も特性的に問題とはならない。
By the way, the color filters 5a and the microlenses 5b outside the image area 3c are provided for stability in manufacturing. Therefore, even if a part is removed, there is no problem in characteristics.

【0025】図2を用い、レンズ除去部11の形成例に
ついてさらに説明する。イメージエリヤ3c外のマイク
ロレンズ5の形成された部分であるダミーレンズ形成域
31は、50μm程度が必要で、画素数では6〜10画
素分である。この実施の形態でのレンズ除去部11は、
ダミーレンズ形成域31の1〜3列分を除去、すなわち
1〜3画素分の除去幅5〜20μm程度とする。
An example of forming the lens removing portion 11 will be further described with reference to FIG. The dummy lens formation area 31, which is the portion where the microlens 5 is formed outside the image area 3c, requires about 50 μm, and the number of pixels is 6 to 10 pixels. The lens removing unit 11 in this embodiment is
1 to 3 columns of the dummy lens formation region 31 are removed, that is, the removal width of 1 to 3 pixels is set to about 5 to 20 μm.

【0026】次に、図3を用いてレンズ除去部11の作
用について説明する。CCDチップ3は、サイズが2m
m角程度で、10〜15万画素程度の極めて小型のCC
Dチップを想定している。マイクロレンズ5bは、図3
(a)に示すように、ボンディングパッド3aに接近し
て形成してある。従って、図3(b)に示すように、異
方性導電ペースト4が、イメージエリヤ3c外にレンズ
除去部11を介して島状に分離形成されているマイクロ
レンズ5bに、到達する時間は短いものとなる。
Next, the operation of the lens removing section 11 will be described with reference to FIG. The CCD chip 3 has a size of 2 m.
Extremely small CC with m-square and 10 to 150,000 pixels
A D chip is assumed. The microlens 5b is shown in FIG.
As shown in (a), it is formed close to the bonding pad 3a. Therefore, as shown in FIG. 3B, the anisotropic conductive paste 4 reaches the microlenses 5b that are separated and formed in an island shape outside the image area 3c through the lens removing portion 11 in a short time. Will be things.

【0027】しかし、マイクロレンズ5bに到達以降
は、大部分の異方性導電ペースト4が、イメージエリヤ
3cの外周部に沿って、図中D方向に拡散する速度VD0
やE方向に拡散する速度VE0に比べて、イメージエリヤ
3cに向かうF方向に侵入する拡散速度VF1は、レンズ
除去部11により遅くなる。すなわち、この拡散速度V
F1と図13に示す拡散速度VF0は、VF1<<VF0の関係と
なる。
However, after reaching the microlens 5b, the speed VD0 at which most of the anisotropic conductive paste 4 diffuses in the direction D in the figure along the outer peripheral portion of the image area 3c.
The diffusion speed VF1 penetrating in the F direction toward the image area 3c is slowed by the lens removing unit 11 as compared with the diffusion speed VE0 in the E direction. That is, this diffusion speed V
F1 and the diffusion speed VF0 shown in FIG. 13 have a relationship of VF1 << VF0.

【0028】もし、レンズ除去部11を介して拡散速度
VF1で、イメージエリヤ3cの直前のマイクロレンズ5
b群に到達し、d,e方向にそれぞれ流れたとして、異
方性導電ペースト4の拡散量はさらに減少しているた
め、イメージエリヤ3cに侵入して画像不良となる確立
はかなり低下する。このとき、d,e方向の拡散速度を
それぞれVd1,Ve1とすると、VD0>>Vd1(またはVE0
>>Ve1)の関係となる。
If the microlens 5 immediately before the image area 3c is passed through the lens removing unit 11 at the diffusion speed VF1.
Assuming that the anisotropic conductive paste 4 has reached the group b and has flowed in the directions d and e, respectively, the diffusion amount of the anisotropic conductive paste 4 is further reduced, so that the probability of penetrating the image area 3c and causing an image defect is considerably lowered. At this time, if the diffusion rates in the d and e directions are Vd1 and Ve1, respectively, VD0 >> Vd1 (or VE0
>> Ve1).

【0029】この実施の形態では、CCDチップ3の製
造プロセスや材料を変更することなく、単に、マイクロ
レンズ5bを配置しないレンズ除去部11を設けたこと
により、異方性導電ペースト4のイメージエリヤ3cへ
の侵入による、滲みだし不良の回避に寄与でき、製造歩
留りが向上する。
In this embodiment, the image area of the anisotropic conductive paste 4 is obtained by simply providing the lens removing portion 11 in which the microlenses 5b are not arranged without changing the manufacturing process or material of the CCD chip 3. It is possible to contribute to the avoidance of the bleeding defect due to the invasion into the 3c, and the manufacturing yield is improved.

【0030】図4〜図6を用い、この発明の第2〜第4
の実施の形態について説明する。図4〜図6は主要部の
正面図である。
Second to fourth aspects of the present invention will be described with reference to FIGS.
An embodiment will be described. 4 to 6 are front views of the main part.

【0031】まず、図4について説明する。イメージエ
リヤ3c外に形成したマイクロレンズの形状を、イメー
ジエリヤ3cと同一形状とした。ただし、マイクロレン
ズ5b間の間隙を変えてある。すなわち、イメージエリ
ヤ3cに向かう方向のマイクロレンズ5b間の間隙Ga
>イメージエリヤ3cの周囲に沿って配置されたマイク
ロレンズ5b間の間隙Gbとし、Ga<Gbと設計し
た。
First, FIG. 4 will be described. The shape of the microlens formed outside the image area 3c is the same as that of the image area 3c. However, the gap between the microlenses 5b is changed. That is, the gap Ga between the microlenses 5b in the direction toward the image area 3c.
> Ga <Gb is set as a gap Gb between the microlenses 5b arranged along the periphery of the image area 3c.

【0032】この実施の形態では、毛細管効果をイメー
ジエリヤ3cに異方性導電ペースト4が侵入するのを垂
直方向に方向を変換させ、異方性導電ペースト4のイメ
ージエリヤ3cへの侵入を防止でき、滲みだし不良を回
避できる。
In this embodiment, the capillary effect is changed to the vertical direction in which the anisotropic conductive paste 4 penetrates the image area 3c to prevent the anisotropic conductive paste 4 from entering the image area 3c. It is possible to avoid bleeding defects.

【0033】また、図5の実施の形態では、マイクロレ
ンズ5bをイメージエリヤ3c内のような整列配置と異
なり、千鳥配置とした。これにより、イメージエリヤ3
cに異方性導電ペースト4が侵入する方向に、マイクロ
レンズ5bを防御壁として配置し、物理的な侵入防止を
併用できる。
Further, in the embodiment shown in FIG. 5, the microlenses 5b are arranged in a staggered manner, unlike the arrangement arranged in the image area 3c. As a result, the image area 3
The microlenses 5b are arranged as a defense wall in the direction in which the anisotropic conductive paste 4 enters c, so that physical intrusion prevention can be performed together.

【0034】さらに、図6の実施の形態では、マイクロ
レンズ5bの形状を楕円状にし、隣接するマイクロレン
ズ5bの長手方向がイメージエリヤ3cの周囲に沿って
接触し易い配置とした。これでも、毛細管効果をイメー
ジエリヤに異方性導電ペーストが侵入するのと垂直方向
に方向を変える効果がある。
Further, in the embodiment shown in FIG. 6, the shape of the microlenses 5b is made elliptical, and the longitudinal direction of the adjacent microlenses 5b is arranged so as to easily come into contact with the periphery of the image area 3c. Even with this, the capillary effect has the effect of changing the direction perpendicular to the intrusion of the anisotropic conductive paste into the image area.

【0035】マイクロレンズ5bの形状については、図
4〜図6の各実施の形態で説明した以外にも種々考えら
れる。例えば、マイクロレンズ5bの異形状の複合化し
てもよいし、また、マイクロレンズ5bをボンディング
パッド3aの周囲や、CCDチップ3の外形などにも配
置する変形例も考えられる。
There are various conceivable shapes of the microlens 5b other than those described in each of the embodiments shown in FIGS. For example, the microlens 5b may be formed in a complex shape, or a modification in which the microlens 5b is arranged around the bonding pad 3a or the outer shape of the CCD chip 3 is also conceivable.

【0036】また、イメージエリヤ3cの外周部にドー
ナツ状に全て閉路構造にするのが望ましいが、図7のこ
の発明の第5の実施の形態に示すように、イメージエリ
ヤ3cの外に位置するマイクロレンズ5bを一部を破線
で示すように除去しても同様の効果を得ることができ
る。
Further, it is desirable that the outer peripheral portion of the image area 3c has a donut-like all-closed structure, but as shown in the fifth embodiment of the present invention in FIG. 7, it is located outside the image area 3c. The same effect can be obtained by removing a part of the microlens 5b as shown by the broken line.

【0037】さらに、図8はこの発明の第6の実施の形
態である。この実施の形態は、マイクロレンズ5bが形
成されないレンズ除去部11と同位置に、カラーフィル
タ5aを形成しないフィルタ除去部12を形成したもの
である。この場合は、フィルタ除去部12によりイメー
ジエリヤ3cが結果的に高くなり、異方性導電ペースト
4の侵入防止の向上が図れる。
Further, FIG. 8 shows a sixth embodiment of the present invention. In this embodiment, the filter removing portion 12 not forming the color filter 5a is formed at the same position as the lens removing portion 11 in which the microlens 5b is not formed. In this case, the image removal area 12c is increased by the filter removing section 12 as a result, and the prevention of the anisotropic conductive paste 4 from entering can be improved.

【0038】この発明は、上記した実施の形態に限定さ
れるものではなく、CCDチップ3と配線基板1とを接
続する接続部材は異方性導電ペースト4だけではなく、
導電ペーストや接着剤等でもよい。また、パッケージの
機械的強度の向上と封止性を増すための樹脂封止剤が、
イメージエリヤに流れ込んで画像不良を発生しないため
の方策にも適用が可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and the connecting member for connecting the CCD chip 3 and the wiring board 1 is not limited to the anisotropic conductive paste 4.
A conductive paste or an adhesive may be used. In addition, the resin sealant for improving the mechanical strength of the package and increasing the sealing property,
It can also be applied to measures to prevent image defects from flowing into the image area.

【0039】さらに、紫外線消去型メモリーにも有効で
ある。また、電気素子が、中空構造を必要とする他の素
子、例えば表面弾性波素子であるSAWデバイスや水晶
発振子、さらにはLEDや光ピックアップといった特殊
パッケージにも応用展開が容易であることは言うまでも
ない。
Further, it is also effective for an ultraviolet erasable memory. It is needless to say that the electric element can be easily applied to other elements requiring a hollow structure, for example, SAW devices which are surface acoustic wave elements, crystal oscillators, and special packages such as LEDs and optical pickups. Yes.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように、この発明の光電変
換装置によれば、ペースト状である接続部材が、光電変
換素子のイメージエリヤ内に侵入して画像不良を発生さ
れることなく形成することができる。
As described above, according to the photoelectric conversion device of the present invention, the connection member in the form of paste is formed without penetrating into the image area of the photoelectric conversion element to cause an image defect. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施の形態を説明するための
説明図。
FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の要部を拡大して説明するための断面
図。
FIG. 2 is a sectional view for enlarging and explaining a main part of the present invention.

【図3】図1の実施の形態の作用について説明するため
の説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining an operation of the embodiment of FIG.

【図4】この発明の第2の実施の形態を説明するための
平面図。
FIG. 4 is a plan view for explaining the second embodiment of the present invention.

【図5】この発明の第3の実施の形態を説明するための
平面図。
FIG. 5 is a plan view for explaining the third embodiment of the present invention.

【図6】この発明の第4の実施の形態を説明するための
平面図。
FIG. 6 is a plan view for explaining the fourth embodiment of the present invention.

【図7】この発明の第5の実施の形態を説明するための
平面図。
FIG. 7 is a plan view for explaining a fifth embodiment of the present invention.

【図8】この発明の第6の実施の形態を説明するための
断面図。
FIG. 8 is a sectional view for explaining a sixth embodiment of the present invention.

【図9】従来のCCDチップの実装について説明するた
め説明図。
FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining mounting of a conventional CCD chip.

【図10】図9で製造された状態の断面図。10 is a cross-sectional view of the state manufactured in FIG.

【図11】図9で用いるCCDチップについて説明する
ための説明図。
11 is an explanatory diagram for explaining a CCD chip used in FIG. 9. FIG.

【図12】図9の問題点について説明するための説明
図。
FIG. 12 is an explanatory diagram for explaining the problem of FIG. 9;

【図13】図9の問題の現象について説明するための説
明図。
FIG. 13 is an explanatory diagram for explaining the problem phenomenon of FIG. 9;

【図14】他の従来のCCDチップの実装について説明
するための説明図。
FIG. 14 is an explanatory diagram for explaining mounting of another conventional CCD chip.

【図15】もう一つの他の従来のCCDチップの実装に
ついて説明するための説明図。
FIG. 15 is an explanatory diagram for explaining mounting of another conventional CCD chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…配線基板、3…CCDチップ、3a…ボンディング
パッド、3b…カラーフィルタ5aとマイクロレンズ5
bの形成エリヤ、3c…イメージエリア、4…異方性導
電ペースト、5a…カラーフィルム、5b…マイクロレ
ンズ、11…レンズ除去部、12…フィルタ除去部。
1 ... Wiring board, 3 ... CCD chip, 3a ... Bonding pad, 3b ... Color filter 5a and microlens 5
Area for forming b, 3c ... Image area, 4 ... Anisotropic conductive paste, 5a ... Color film, 5b ... Microlens, 11 ... Lens removing section, 12 ... Filter removing section.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 イメージセンサと、 前記イメージセンサの周辺部に固着し、該イメージセン
サに電気的に接続したボンディングパッドと、 前記イメージセンサのイメージエリヤ(撮像部)内とイ
メージエリヤ外に形成した集光用マイクロレンズとを備
え、 イメージエリヤ外に位置する前記マイクロレンズの配置
と形状のうち、少なくともいずれか一方を変えてなるこ
とを特徴とした光電変換装置。
1. An image sensor, a bonding pad fixed to a peripheral portion of the image sensor and electrically connected to the image sensor, and formed inside and outside the image area (imaging section) of the image sensor. A photoelectric conversion device comprising: a condensing microlens, wherein at least one of the arrangement and shape of the microlens located outside the image area is changed.
【請求項2】 前記イメージセンサのイメージエリヤ外
に形成した前記マイクロレンズは、イメージエリヤ内に
形成した前記マイクロレンズと間隙を置いて配置してな
ることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
2. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the microlens formed outside the image area of the image sensor is arranged with a gap from the microlens formed inside the image area. apparatus.
【請求項3】 前記イメージセンサのイメージエリヤ外
に形成した前記マイクロレンズは、イメージエリヤの外
周部に沿って環状に配置してなることを特徴とする請求
項2記載の光電変換装置。
3. The photoelectric conversion device according to claim 2, wherein the microlenses formed outside the image area of the image sensor are annularly arranged along an outer peripheral portion of the image area.
【請求項4】 前記イメージセンサのイメージエリヤ外
に形成した前記マイクロレンズは、イメージエリヤの中
心部に向かって隣接するマイクロレンズ間の間隔が他の
部分より広く配置してなることを特徴とする請求項1記
載の光電変換装置。
4. The microlenses formed outside the image area of the image sensor are arranged such that the distance between the microlenses adjacent to the center of the image area is wider than that of other portions. The photoelectric conversion device according to claim 1.
【請求項5】 前記イメージセンサのイメージエリヤ外
に形成した前記マイクロレンズは、イメージエリヤの中
心部に向かって千鳥配置してなることを特徴とする請求
項1記載の光電変換装置。
5. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the microlenses formed outside the image area of the image sensor are arranged in a staggered pattern toward the center of the image area.
【請求項6】 前記マイクロレンズと前記イメージセン
サとの間にカラーフィルタを形成してなることを特徴と
する請求項1記載の光電変換装置。
6. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein a color filter is formed between the microlens and the image sensor.
【請求項7】 イメージセンサと、 前記イメージセンサのイメージエリヤ(撮像部)内とイ
メージエリヤ外に形成した集光用のマイクロレンズと、 前記イメージエリヤ内に少なくとも対向配置したカラー
フィルタと、 前記マイクロレンズの配置と形状の少なくともいずれか
一方を変形した変形部と、 前記イメージセンサの周辺部に固着し、該イメージセン
サに電気的に接続したボンディングパッドと、から光電
変換素子を構成し、 前記光電変換素子をフェイスダウンにより配線基板に接
続してなることを特徴とする光電変換装置。
7. An image sensor, a condensing microlens formed inside and outside the image area (imaging section) of the image sensor, a color filter disposed at least opposite to the inside of the image area, and the microlens. A photoelectric conversion element is configured from a deformable portion obtained by deforming at least one of the arrangement and shape of the lens, and a bonding pad fixed to the peripheral portion of the image sensor and electrically connected to the image sensor, A photoelectric conversion device comprising a conversion element connected face down to a wiring board.
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