JPH09230595A - Resist composition and its utilization - Google Patents

Resist composition and its utilization

Info

Publication number
JPH09230595A
JPH09230595A JP6377596A JP6377596A JPH09230595A JP H09230595 A JPH09230595 A JP H09230595A JP 6377596 A JP6377596 A JP 6377596A JP 6377596 A JP6377596 A JP 6377596A JP H09230595 A JPH09230595 A JP H09230595A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
resin
acid
group
resist composition
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6377596A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Sone
Shinichi Takahashi
篤 曽根
信一 高橋
Original Assignee
Nippon Zeon Co Ltd
日本ゼオン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a resist compsn. retaining high transparency by making polycylic polyolefin resin carry an acid-unstable structure.
SOLUTION: This resist compsn. contains at least one kind of resin repeatedly carrying at least one kind of acid-unstable structure on polycyclic polyolefin resin as a base resin and a photosensitive acid generating material as essential components. The acid-unstable structure has a group represented by an acid- unstable group, an acid-labile group, an acid-decomposable group, etc., known in the field of a chemical amplification type resist and the group is decomposed by an acid and increases the alkali solubility of the base resin. The polycyclic polyolefin resin is a known resin such as a polymer obtd. by ring opening polymn. of a monomer having a norbonane skeleton.
COPYRIGHT: (C)1997,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ICやLSI等の製造に用いるレジスト組成物及びその利用に関し、更に詳しくはArFエキシマレーザーなどの遠紫外線、X先、電子線などの荷電粒子線といった放射線を用いる半導体素子の超微細加工に有用なレジストとして好適なレジスト組成物及びその利用に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to a resist composition and its use used for the production of an IC and LSI, more particularly deep ultraviolet rays such as ArF excimer laser, X destination, radiation such as charged particle beams such as an electron beam of the preferred resist composition and its use as a useful resist ultrafine processing of semiconductor devices using.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体素子を製造する場合、シリコンウエハ表面にレジストを塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、ついでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成するリソグラフィー技術によって画像を得ている。 BACKGROUND ART When manufacturing a semiconductor device, a silicon wafer surface by applying a resist form a photosensitive film is irradiated with light to form a latent image, and then an image of developing the negative or positive it and obtaining an image by lithography to. ところで、IC、LSI、更にVLSIへと半導体の高集積化、高密度化、小型化、高速化が進むにつれ素子の微細加工に対する要求は高まり、現在では0.5μm以下の微細パターンを形成する技術が要求されている。 Incidentally, IC, LSI, further high integration of the semiconductor to VLSI, density, size reduction, demands for fine processing of the element as the speed progresses increased, now forms the following fine pattern 0.5μm technology There has been requested. しかしながら、近紫外線や可視光線を用いる従来のリソグラフィーではこのような微細パターンの形成がきわめて困難であり、歩留りの低下も著しい。 However, it is extremely difficult to form such a fine pattern by the conventional lithography using near ultraviolet and visible light, also remarkable decrease in the yield. このため、波長350〜450nmの近紫外線光を利用する従来のフォトリソグラフィーに代えて、露光の解像度を高めるために、波長の短い遠紫外線(短波長紫外線)、 Therefore, instead of the conventional photolithography utilizing near-ultraviolet light having a wavelength of 350 to 450 nm, in order to increase the resolution of the exposure, short deep ultraviolet (short-wavelength ultraviolet) wavelengths,
波長248nmのKrFエキシマレーザ、波長193n KrF excimer laser with a wavelength of 248nm, wavelength 193n
mのArFエキシマレーザなどを用いるリソグラフィー技術が研究されている。 Lithography technology using an ArF excimer laser of m has been studied.

【0003】近紫外線光を利用するリソグラフィーには、基材高分子としてノボラック樹脂が使用されているが、この樹脂は波長350〜450nmの紫外線光に対する透過性は良好なものの、それより短波長の遠紫外線やKrFまたはArFエキシマレーザのような波長の短い光に対しては透過率が極端に悪化するため、基体高分子としてノボラック樹脂を使用した場合には、十分な感度が得られない、パターン形状が悪いといった問題点が知られている。 [0003] lithography that utilizes near ultraviolet light, but a novolak resin is used as the substrate polymer, although the resin permeability good to ultraviolet light having a wavelength of 350 to 450 nm, it from the short wavelength for deep UV, KrF or the transmittance for the short wavelength light, such as ArF excimer laser is extremely deteriorated, when using novolac resin as the base polymer, sufficient sensitivity can not be obtained, the pattern shape such problems are known bad.

【0004】KrFエキシマレーザ露光用化学増幅型レジストの基体樹脂として、ポリビニルフェノール誘導体を用いることは周知の技術であり、より透過率を向上させることを目的とした水素添加ポリビニルフェノール誘導体を基体高分子として用いる方法(特開平5−249 As a KrF excimer laser exposure for a chemically amplified resist base resin, the use of polyvinyl phenol derivatives are well known in the art, the base polymer a hydrogenated polyvinyl phenol derivatives for the purpose of further improving the transmittance a method using a (JP-a-5-249
673号公報など)などが知られている。 673 No., such as Japanese), and the like are known. またArFエキシマレーザ露光など、更に波長の短い光を用いるリソグラフィーでは、短波長を吸収する芳香環が樹脂中に存在することは好ましくない。 Also an ArF excimer laser exposure, in yet lithography using short wavelength light, the aromatic ring that absorbs short wavelengths present in the resin is not preferable. このため芳香環を持たないメタクリル酸エステル系共重合樹脂を用いることが検討されている(特開平7−199467号公報)。 Therefore be used methacrylic acid ester copolymer resin having no aromatic ring have been studied (JP-A-7-199467). しかしながら、ArFエキシマレーザを用いるリソグラフィーについての研究は、まだ実用レベルに到達しておらず、 However, studies on lithography using ArF excimer laser is not yet reached a practical level,
レジスト特性のバランスの優れたものを得るために、新たなレジストの出現が望まれている段階である。 To obtain excellent balance of resist characteristics, a step that is the emergence of a new resist is desired.

【0005】ところで透明性の高い樹脂としては、成形材料に用いられるアモルファスの多環式ポリオレフィン系樹脂が知られている(特開平1−168725号公報、特開平1−311120号公報、特開平1−190 [0005] As the way highly transparent resin, polycyclic polyolefin resins amorphous used in the molding material is known (JP-A-1-168725, JP-A No. 1-311120, JP-A No. 1 -190
726号公報、特開平3−14882号公報、特開平3 726, JP-A No. 3-14882, JP-A No. 3
−122137号公報、特開平4−63807号公報)。 -122137 and JP Laid-Open No. 4-63807). しかしながら、これらの樹脂をレジスト用の基体樹脂として用いることは知られていなかった。 However, it was not known to use these resins as a base resin for a resist.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】かかる従来技術のもとで、発明者らは、新たな担波長露光可能なレジスト組成物を得るべく鋭意研究した結果、多環式のポリオレフィン樹脂に酸不安定性構造を担持させた樹脂を用いると、 THE INVENTION Problems to be Solved] according Under the prior art, the inventors new 担波 length results to the intensive study to obtain an exposable resist composition, polycyclic acid labile polyolefin resin with the structure was supported resin,
短波長、特に250nm以下の波長でも高い透明性を保持することを見い出し、本発明を完成するに到った。 Short wavelength, found to retain high transparency even in particular 250nm or less wavelength, and have completed the present invention.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】かくして本発明によれば、酸不安定性構造が基体樹脂に担持されている少なくとも1種類の樹脂(A)と、光感応性酸発生物質(B) According to the present invention thus SUMMARY OF THE INVENTION and at least one resin acid labile structure is supported on the base resin (A), the photoacid generator material (B)
とを必須成分とするレジスト組成物であって、樹脂(A)の基体樹脂が多環式ポリオレフィン樹脂であることを特徴とするレジスト組成物が提供される。 Preparative A resist composition as essential components, the resist composition, wherein the base resin of the resin (A) is polycyclic polyolefin resin is provided.

【0008】以下、本発明について詳述する。 [0008] In the following, the present invention will be described in detail. 本発明で用いられる樹脂(A)は、少なくとも1種類の酸不安定性構造が、基体樹脂である多環式ポリオレフィン樹脂に繰り返し担持されている樹脂である。 Resin (A) used in the present invention, at least one acid labile structure is a resin which is repeatedly carried polycyclic polyolefin resin which is a base resin. 本発明において酸不安定性構造とは、化学増幅レジストの分野で知られている酸不安定性基、酸レイビル基、酸分解性基などと表現されている基を有する構造であり、酸により分解され、基体樹脂のアルカリ可溶性を増加させる基を含む構造である。 The acid labile structure in the present invention, the chemically amplified resist acid labile group known in the field of a structure having an acid labile group, an acid-decomposable group such as a representation has been that group, is decomposed by an acid a structure including a group that increases the alkali solubility of the base resin. 具体的には、特公平2−27660号公報記載のt−ブチルエステル基、t−ブチルカルボナート、 Specifically, JP-B 2-27660 Patent Publication according t-butyl ester group, t- butyl carbonate,
特公平5−69420号公報に記載された3級アルキルオキシ基、t−アミルオキシ基、t−アミルオキシカルボニル基など3級アルキルオキシ基、3級アルキルオキシカルボニル基、3級アルキルオキシカルボニルオキシ基;特公平5−43451号公報記載のアセタール構造;特開平2−1641436号公報記載のケタール構造;特願平6−261054号明細書記載の1−アルキルシクロアルキルオキシ基、1−アルキルシクロアルキルオキシカルボニル基;特願7−284583号明細書記載の2以上の置換基を有する置換アリルオキシ基、置換アリルオキシカルボニル基、置換アリルオキシカルボニルオキシ基;などが例示される。 Kokoku tertiary alkyl group as described in 5-69420 JP, t-amyloxy group, a tertiary alkyl group such as t-amyloxycarbonyl group, tertiary alkyloxycarbonyl group, tertiary alkyloxycarbonyl group; JP acetal structure fair 5-43451 JP; of JP-a-2-1641436 JP ketal structure; Japanese Patent Application No. 6-261054 specification, wherein 1-alkylcycloalkyl group, 1-alkylcycloalkyl alkyloxycarbonyl group, substituted aryloxy group having 2 or more substituents No. 7-284583 Pat described, substituted allyloxycarbonyl group, a substituted allyloxycarbonyl group; etc. are exemplified. これらの基は、基体樹脂に直接結合していても、2価以上の有機基を介して結合していても良い。 These groups may be bonded directly to the base resin, it may be bonded via a divalent or higher organic group.

【0009】このような酸不安定性構造の中でも特に、 [0009] Among such acid-labile structure,
t−ブチル基を含有する構造(t−ブチルオキシカルボニル基、t−ブチルオキシ基、t−ブチルオキシカルボニルオキシ基およびこれらが基体樹脂と2価の有機基を介して結合しているもの)、t−アミル基を含有する構造(t−アミルオキシ基、t−アミルオキシカルボニル基およびこれらが基体樹脂と2価の有機基を介して結合しているもの)、1−アルキルシクロアルキルオキシ基を含有する構造(1−アルキルシクロアルキルオキシ基、1−アルキルシクロアルキルオキシカルボニル基およびこれらが基体樹脂と2価の有機基を介して結合しているもの)、2以上の置換基を有する置換アリルオキシ基を含有する構造(2以上の置換基を有する置換アリルオキシ基、置換アリルオキシカルボニル基、置換アリルオキシカルボニルオ Structures containing t-butyl group (t-butyloxycarbonyl group, t-butyloxy group, t- butyl those butyloxycarbonyl group and they are attached through the base resin and divalent organic group), t - structures containing amyl group (t-amyloxy group, those t-amyloxycarbonyl group and they are bonded through the base resin and divalent organic group), containing 1-alkyl cycloalkyl group structure (1-alkyl cycloalkyl group, which 1-alkyl cycloalkyl oxycarbonyl group and they are bonded through the base resin and divalent organic group), a substituted aryloxy group having 2 or more substituents substituted aryloxy group having the structure (2 or more substituent containing a substituted allyloxycarbonyl group, a substituted allyloxycarbonyl O シ基およびこれらが基体樹脂と2 Shea groups and these base resin and 2
価の有機基を介して結合しているもの)などが好ましい例である。 Which is attached via a valent organic group) it is preferred examples like.

【0010】本発明において基体樹脂となる多環式ポリオレフィン樹脂とは、特開平1−168725号公報、 [0010] The polycyclic polyolefin resin as a base resin in the present invention, JP-A 1-168725, JP-
特開平1−311120号公報、特開平1−19072 JP-1-311120, JP-A No. 1-19072
6号公報、特開平3−14882号公報、特開平3−1 6 JP, Hei 3-14882, JP-A No. 3-1
22137号公報、特開平4−63807号公報などで公知の樹脂であり、具体的にはノルボルネン骨格を有するモノマー(以下、ノルボルネン型モノマーという)の開環重合体、その水素添加物、またはノルボルネン型モノマーと他のオレフィン系モノマー類との付加重合物などであり、好ましくはノルボルネン型モノマーの開環重合体の水素添加物である。 22137 JP, a known resin such as JP-A 4-63807, JP-monomers specifically having a norbornene skeleton (hereinafter, referred to as norbornene-type monomers) ring-opened polymer, its hydrogenated product, or norbornene-type and the like addition polymers of monomers and other olefinic monomers, preferably hydrogenated product of ring-opening polymer of a norbornene-type monomer. また、ノルボルネン型モノマーの開環重合体の水素添加物の水素添加の割合は、好ましくは80%以上、より好ましくは90%以上である。 The ratio of hydrogenation of the hydrogenated product of ring-opening polymer of a norbornene-type monomer is preferably 80% or more, more preferably 90% or more.
ノルボルネン型モノマーとオレフィン系モノマー類との付加重合物の場合、他のオレフィン系モノマー類の使用量は、ノルボルネン型モノマーに対して50モル%以下、好ましくは30モル%以下、より好ましくは20モル%以下である。 For addition polymers of norbornene type monomers and olefinic monomers, the amount of other olefinic monomers, 50 mole% or less with respect to the norbornene-type monomer, preferably 30 mol% or less, more preferably 20 mol % or less.

【0011】本発明で用いる樹脂(A)の重量平均分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ)法で測定したポリスチレン換算値で、下限が通常5,000、好ましくは10,000であり、上限は通常100,000、好ましくは20,000である。 [0011] The weight average molecular weight of the resin (A) used in the present invention, in terms of polystyrene measured by GPC (gel permeation chromatography) method, the lower limit is usually 5,000, preferably 10,000, the upper limit is usually 100,000, preferably 20,000. この下限の範囲未満であると脆く、逆にこの上限を超えると解像性が低下することがある。 Brittle is less than the range of the lower limit, conversely resolution exceeds this upper limit may be lowered.

【0012】また、樹脂(A)中の酸不安定性構造の担持の割合は、基体樹脂中の全繰り返し構造単位を100 [0012] The proportion of carrier of acid labile structure in the resin (A) is a total repeating structural units in the base resin 100
としたとき、これらのうち酸不安定性構造が担持している構造単位が10〜100、好ましくは20〜80、より好ましくは30〜70であり、酸不安定性構造の割合が少ないと感度や解像性の低下がおこり、酸不安定性構造の割合が多すぎるとパターンが細ることがある。 When the structural unit an acid labile structures of these are supported from 10 to 100, preferably 20 to 80, more preferably 30 to 70, the proportion of acid labile structure is less sensitivity and resolution It causes reduction of an image property, sometimes the proportion of acid labile structure is too large pattern thinned.

【0013】上述してきた樹脂(A)の原料となるモノマーとしては、(1)ノルボルネン型モノマー、(2) [0013] As the monomer used as a raw material of the resin (A) which have been described above, (1) norbornene-type monomer, (2)
付加重合可能な他のオレフィン系モノマーが挙げられ、 Addition polymerizable other olefinic monomers may be mentioned,
これらを目的に応じて適宜混合して用いることができる。 These may be mixed appropriately depending on the purpose. 酸不安定性構造を有さないモノマーのみを原料とした場合や、酸不安定性構造を有するモノマーの使用量が少ない場合は、酸不安定性構造を後から導入する変性反応により、上述の範囲の割合で樹脂に酸不安定性構造を担持させることができ、原料となるモノマーに予め酸不安定性構造を導入したものを十分量用いる場合は、必要に応じて他のモノマー成分と常法により反応させる。 If only monomer having no acid-labile structure as a raw material and, if the amount of the monomer having an acid labile structure is small, the modification reaction to introduce later acid labile structure, the proportion of the above-described range in can be supported acid-labile structure in the resin, when using a sufficient amount of those introduced previously acid-labile structure in the monomer used as a raw material, optionally reacted with another monomer component with an ordinary method.

【0014】酸不安定性構造を有するノルボルネン型モノマー(1)の具体例としては、上記公報や特開平2− [0014] Specific examples of the norbornene-type monomer (1) having an acid labile structure, the publication and JP-2-
227424号公報、特開平2−276842号公報などで公知の単量体であって、例えば、ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、ジメタノオクタヒドロナフタレン、ジメタノシクロペンタジエノナフタレン、シクロペンタジエンの3〜4量体、シクロペンタジエンとテトラヒドロインデンとの付加物;これらのノルボルネン型モノマーのアルキル、アルキリデン、芳香族置換誘導体; 227424 JP, or known monomer, etc. JP-A 2-276842 discloses, for example, norbornene, dicyclopentadiene, dimethanooctahydronaphthalene, dimethyl fun black pentadienone Bruno naphthalene, cyclopentadiene 3-4 mer, adduct of cyclopentadiene and tetrahydroindene; alkyl of these norbornene-type monomers, alkylidene, aromatic-substituted derivatives thereof;
置換又は非置換のノルボルネン型モノマーにハロゲン、 Substituted or unsubstituted halogenated norbornene-type monomers,
水酸基、エステル基、アルコキシ基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基等の極性基が付加したモノマー等が挙げられる。 A hydroxyl group, an ester group, an alkoxy group, a cyano group, an amide group, an imide group, a monomer or the like polar groups are added, such as silyl groups.

【0015】このようなモノマーとして、より具体的には、例えば、2−ノルボルネン、5−メチル−2−ノルボルネン、5,5−ジメチル−2−ノルボルネン、5− [0015] As such monomers, and more specifically, for example, 2-norbornene, 5-methyl-2-norbornene, 5,5-dimethyl-2-norbornene, 5-
エチル−2−ノルボルネン、5−ブチル−2−ノルボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネン、5−メトキシカルボニル−2−ノルボルネン、5−シアノ−2−ノルボルネン、5−メチル−5−メトキシカルボニル−2 Ethyl-2-norbornene, 5-butyl-2-norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene, 5-methoxycarbonyl-2-norbornene, 5-cyano-2-norbornene, 5-methyl-5-methoxycarbonyl -2
−ノルボルネン、5−フェニル−2−ノルボルネン、5 - norbornene, 5-phenyl-2-norbornene, 5
−フェニル−5−メチル−2−ノルボルネン、5−ヘキシル−2−ノルボルネン、5−オクチル−2−ノルボルネン、5−オクタデシル−2−ノルボルネン等;ジシクロペンタジエン、2,3−ジヒドロジシクロペンタジエン当;ノルボルネンに一つ以上のシクロペンタジエンが付加した単量体、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、1,4:5,8−ジメタノ−2,3−シクロペンタジエノ−1−1,2,3,4,4a,5,8,8a− - phenyl-5-methyl-2-norbornene, 5-hexyl-2-norbornene, 5-octyl-2-norbornene, 5-octadecyl-2-norbornene; dicyclopentadiene, those 2,3-dihydro-dicyclopentadiene; monomers one or more cyclopentadiene were added to norbornene, similar derivatives and substitution products and the above, for example, 1,4: 5,8-dimethano-2,3-cyclopentadienyl Bruno -1-1, 2,3,4,4a, 5,8,8a-
オクタヒドロナフタレン、6−メチル−1,4:5,8 Octahydronaphthalene, 6-methyl-1,4: 5,8
−ジメタノ−1,4,4a,5,6,7,8,8a−オクタヒドロナフタレン、1,4:5,10:6,9−トリメタノ−2,3−シクロペンタジエノ−1,2,3, - dimethano -1,4,4a, 5,6,7,8,8a-octahydronaphthalene, 1,4: 5,10: 6,9 Torimetano 2,3 cyclopentadienide Roh-1,2, 3,
4,4a,5,5a,6,9,9a,10,10a−ドデカヒドロアントラセン等;シクロペンタジエンがディールス・アルダー反応によって多量化した多環構造の単量体、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、ジシクロペタジエン、2,3−ジヒドロジシクロペンタジエン等;シクロペンタジエンとテトラヒドロインデンなどとの付加物、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、1,4−メタノ−1,4,4a,4b,5,8,8 4,4a, 5,5a, 6,9,9a, 10,10a- dodeca hydro anthracene; monomers polycyclic structure cyclopentadiene in large amounts by Diels-Alder reaction, similar derivatives and its above substituents body, for example, di-cyclo peta diene, 2,3-dihydro-dicyclopentadiene and the like; adducts with such cyclopentadiene and tetrahydroindene, similar derivatives and substitution products and the above, for example, 1,4-methano-1, 4,4a, 4b, 5,8,8
a,9a−オクタヒドロフルオレン、5,8−メタノ− a, 9a- octahydro fluorene, 5,8-methano -
2,3−シクロペンタジエノ−1,2,3,4,4a, 2,3-cyclopentadienyl Roh -1,2,3,4,4a,
5,8,8a−オクタヒドロナフタレン等;などが挙げられる。 5,8,8a- octahydronaphthalene and the like; and the like. これらのなかでも6−メチル−1,4:5,8 Among these 6-methyl-1,4: 5,8
−ジメタノ−1,4,4a,5,6,7,8,8a−オクタヒドロナフタレン(MTD)などのジメタノオクタヒドロナフタレン類、ジシクロペンタジエン(DC - dimethano -1,4,4a, 5,6,7,8,8a-dimethanooctahydronaphthalene such as octahydronaphthalene (MTD), dicyclopentadiene (DC
P)、5−エチリデン−2−ノルボルネン(ENB)及びこれらの2種類の混合物が好ましい。 P), 5-ethylidene-2-norbornene (ENB) and two mixtures thereof are preferred.

【0016】付加重合可能な他のオレフィン系モノマー(2)の具体例としては、エチレン、プロピレン、1− [0016] Specific examples of the addition polymerizable other olefinic monomers (2) are ethylene, propylene, 1-
ブテン、3−メチル−1−ブテン、1−ペンテン、3− Butene, 3-methyl-1-butene, 1-pentene, 3-
メチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ペンテン、1 Methyl-1-pentene, 4-methyl-1-pentene, 1
−ヘキセン、1−オクテン等のα−オレフィン類;シクロペンテン、シクロヘキセン、3,4−ジメチルシクロペンテン、3−メチルシクロヘキセン、2−(2−メチルブチル)−1−シクロヘキセンなどの脂環式オレフィン;3a,5,6,7a−デトラヒドロ−4,7−メタノ−1H−インデン等の非ノルボルネン型式案式オレフィン;1,4−ヘキサジエン、1,6−オクタジエン、 - hexene, alpha-olefins such as 1-octene; cyclopentene, cyclohexene, 3,4-dimethyl cyclopentene, 3-methyl cyclohexene, 2- (2-methylbutyl) -1-alicyclic olefins such as cyclohexene; 3a, 5 , 6,7A- Detorahidoro 4,7 non norbornene type draft type olefins such as methano -1H- indene; 1,4-hexadiene, 1,6-octadiene,
2−メチル−1,5−ヘキサジエン、6−メチル−1, 2-methyl-1,5-hexadiene, 6-methyl-1,
5−ヘプタジエン、7−メチル−1,6−オクタジエン、シクロヘキサジエン、ジシクロペンタジエン、メチルテトラヒドロインデン、1,5−ヘキサジエン、ノルボルナジエンなどの非共役ジエン;2−プロペニル− 5-heptadiene, 7-methyl-1,6-octadiene, cyclohexadiene, dicyclopentadiene, methyl tetrahydroindene, 1,5-hexadiene, non-conjugated dienes such as norbornadiene; 2-propenyl -
2,5−ノルボルナジエン、1,3,5−オクタトリエン、1,4,9−デカトリエンなどのトリエン類など、 2,5-norbornadiene, 1,3,5-octatriene, such as trienes such as 1,4,9- decatriene,
芳香族性のオレフィン系モノマーが例示される。 Aromatic olefin monomers are exemplified.

【0017】これらの各モノマーに、常法によって酸不安定性構造を導入し、酸不安定性構造を導入したモノマーを用い、特開平1−168725号公報、特開平1− [0017] Each of these monomers, a conventional method by introducing acid labile structure, a monomer obtained by introducing acid labile structure, JP-A-1-168725, JP-A No. 1-
311120号公報、特開平1−190726号公報、 311120, JP-A No. 1-190726, JP-
特開平3−14882号公報、特開平3−122137 JP-3-14882, JP-A No. 3-122137
号公報、特開平4−63807号公報に記載された方法で樹脂を合成すれば、本発明で用いる樹脂(A)が得られる。 JP, if synthetic resin by the method described in JP-A-4-63807, resin (A) used in the present invention is obtained. 酸不安定性構造を導入したモノマーは、例えば2 Monomers were introduced acid labile structure, for example 2
−カルボニルオキシメチルプロペンを、常法に従って、 - carbonyloxy methylpropene, according to a conventional method,
エステル交換反応、酸ハライド化したのちアルコールと反応、または脱水縮合剤を用いてカルボキシル基をエステル化する反応によって、酸不安定性基(オキシカルボニル型)を導入することで得られ、更にこれをシクロペンタジエン等のノルボルネン型モノマーと反応させて多環化合物を合成すれば、酸不安定性構造が導入されたノルボルネン型モノマーが得られる。 Transesterification, by the reaction of esterifying the carboxyl group with an alcohol After acid halide reaction, or a dehydration condensation agent, obtained by introducing an acid-labile group (oxycarbonyl type), further cyclo this if reacted with norbornene-type monomers such as pentadiene synthesized polycyclic compounds, norbornene-type monomer acid labile structure is introduced is obtained.

【0018】本発明において用いられる光感応性酸発生物質(B)(以下、PAGという)は、活性化放射線に露光されるとブレンステッド酸またはルイス酸を発生する物質であれば特に制限はなく、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物、α,α'−ビス(スルホニル)ジアゾメタン系化合物、α−カルボニル−α'−スルホニルジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物など公知のものを用いることができる。 The photoacid generating material used in the present invention (B) (hereafter, referred to as PAG) is not particularly limited as long as it is a substance which generates a Bronsted acid or a Lewis acid upon exposure to activating radiation , onium salts, halogenated organic compounds, quinonediazide compounds, alpha,. alpha .'- bis (sulfonyl) diazomethane compounds, alpha-carbonyl -α'- sulfonyl diazomethane compounds, sulfone compounds, organic acid ester compounds, organic acid amide compounds, It may be a known organic acid imide compounds. オニウム塩としては、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ジフェニルヨードニウムトリフレートなどのヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウムトリフレートなどのスルホニウム塩、ホスホニウム塩、アルソニウム塩、オキソニウム塩などが挙げられる。 Examples of the onium salts, diazonium salts, ammonium salts, iodonium salts such as diphenyliodonium triflate, sulfonium salts such as triphenylsulfonium triflate, phosphonium salts, arsonium salts, such as oxonium salts.

【0019】ハロゲン化有機化合物としては、ハロゲン含有オキサジアゾール系化合物、ハロゲン含有トリアジン系化合物、ハロゲン含有アセトフェノン系化合物、ハロゲン含有ベンゾフェノン系化合物、ハロゲン含有スルホキサイド系化合物、ハロゲン含有スルホン系化合物、 [0019] halogenated organic compounds, halogen-containing oxadiazole compounds, halogen-containing triazine compounds, halogen-containing acetophenone compounds, halogen-containing benzophenone compounds, halogen-containing sulfoxide-based compounds, halogen-containing sulfone compounds,
ハロゲン含有チアゾール系化合物、ハロゲン含有オキサゾール系化合物、ハロゲン含有トリアゾール化合物、ハロゲン含有2−ピロン系化合物、その他ハロゲン含有ヘテロ環状化合物、ハロゲン含有脂肪族炭化水素化合物、 Halogen-containing thiazole compounds, halogen-containing oxazole compounds, halogen-containing triazole compounds, halogen-containing 2-pyrone compounds, other halogen-containing heterocyclic compounds, halogen-containing aliphatic hydrocarbon compounds,
ハロゲン含有芳香族炭化水素化合物、スルフェニルハライド化合物などが挙げられ、具体的には、トリス(2, Halogen-containing aromatic hydrocarbon compounds, such as sulfenyl halide compound and the like, specifically, tris (2,
3−ジブロモプロピル)ホスフェート、トリス(2,3 3-dibromopropyl) phosphate, tris (2,3
−ジブロモ−3−クロロプロピル)ホスフェート、テトラブロモクロロブタン、ヘキサクロロベンゼン、ヘキサブロモベンゼン、ヘキサブロモシクロドデカン、ヘキサブロモビフェニル、アリルトリブロモフェニルエーテル、テトラクロロビスフェノールA、テトラブロモビスフェノールA、テトラクロロビスフェノールAのビス(クロロエチル)エーテル、テトラブロモビスフェノールAのビス(ブロモエチル)エーテル、ビスフェノールAのビス(2,3−ジクロロプロピル)エーテル、ビスフェノールAのビス(2,3−ジブロモプロピル)エーテル、テトラクロロビスフェノールAのビス(2,3− - dibromo-3-chloropropyl) phosphate, tetrabromobisphenol-chloro butane, hexachlorobenzene, hexabromobenzene, hexabromocyclododecane, hexabromobiphenyl, triallyl bromophenyl ether, tetrachlorobisphenol A, tetrabromobisphenol A, tetrachlorobisphenol bis (chloroethyl) ether a, bis (bromoethyl) ether of tetrabromobisphenol a, bis (2,3-dichloro-propyl) bisphenol a ether, bis bisphenol a (2,3-dibromopropyl) ether, tetrachlorobisphenol a bis (2,3
ジクロロプロピル)エーテル、テトラブロモビスフェノールAのビス(2,3−ジブロモプロピル)エーテル、 Dichloropropyl) ether, bis tetrabromobisphenol A (2,3-dibromopropyl) ether,
テトラクロロビスフェノールS、テトラブロモビスフェノールS、テトラクロロビスフェノールSのビス(クロロエチル)エーテル、テトラブロモビスフェノールSのビス(ブロモエチル)エーテル、ビスフェノールSのビス(2,3−ジクロロプロピル)エーテル、ビスフェノールSのビス(2,3−ジブロモプロピル)エーテル、 Tetrachloro bisphenol S, tetrabromobisphenol S, bis (chloroethyl) ether of tetrachloro bisphenol S, bis (bromoethyl) ether of tetrabromobisphenol S, bis bisphenol S (2,3-dichloro-propyl) ether, bis bisphenol S (2,3-dibromopropyl) ether,
トリス(2,3−ジブロモプロピル)イソシアヌレート、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3,5−ジブロモフェニル)プロパンなどのハロゲン系難燃剤やジクロロジフェニルトリクロロエタン、ペンタクロロフェノール、2,4,6−トリクロロフェニル 4−ニトロフェニルエーテル、2,4 Tris (2,3-dibromopropyl) isocyanurate, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dibromophenyl) propane, 2,2-bis (4- (2-hydroxyethoxy) -3,5 halogen-based flame retardant and dichlorodiphenyl trichloroethane such dibromophenyl) propane, pentachlorophenol, 2,4,6-trichlorophenyl 4-nitrophenyl ether, 2,4
−ジクロロフェニル 3'−メトキシ−4'−ニトロフェニルエーテル、2,4−ジクロロフェノキシ酢酸、 - dichlorophenyl 3'-methoxy-4'-nitrophenyl ether, 2,4-dichlorophenoxyacetic acid,
4,5,6,7−テトラクロロフタリド、1,1−ビス(4−クロロフェニル)エタノール、1,1−ビス(4 4,5,6,7-tetrachlorophthalide, 1,1-bis (4-chlorophenyl) ethanol, 1,1-bis (4
−クロロフェニル)−2,2,2−トリクロロエタノール、2,4,4',5−テトラクロロジフェニルスルフィド、2,4,4',5−テトラクロロジフェニルスルホンなどの有機クロロ系農薬などが例示される。 - chlorophenyl) -2,2,2-trichloroethanol, 2,4,4 ', 5-tetrachloro diphenyl sulfide, 2,4,4', such as an organic chloro pesticides such as 5-tetrachloro diphenyl sulfone are exemplified that.

【0020】キノンジアジド化合物の具体例としては、 Specific examples of the quinonediazide compound,
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,1−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,1−ベンゾキノンジアジド−5− 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid esters, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid esters, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid esters, 2,1-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,1-benzoquinone diazide-5
スルホン酸エステルのようなキノンジアジド誘導体のスルホン酸エステルや1,2−ベンゾキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロライド、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロライド、1,2− Sulfonic acid esters and 1,2-benzoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid chloride of the quinonediazide derivatives such as sulfonic acid esters, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2
ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸クロライド、1,2−ナフトキノン−1−ジアジド−6−スルホン酸クロライド、1,2−ベンゾキノン−1−ジアジド−5−スルホン酸クロライド等のキノンジアジド誘導体のスルホン酸クロライドなどが挙げられる。 Naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone-1-diazide-6-sulfonic acid chloride, 1,2-benzoquinone-1-diazide-5-sulfonic acid quinonediazide derivatives such as sulfonic acid chloride chloride and the like.

【0021】α,α−ビス(スルホニル)ジアゾメタン系化合物としては、未置換、対称的にまたは非対称的に置換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、 [0021] alpha, as the α- bis (sulfonyl) diazomethane compounds, unsubstituted, symmetrically or asymmetrically substituted alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group,
芳香族基、またはヘテロ環状基を有するα,α−ビス(スルホニル)ジアゾメタンなどが挙げられる。 α having an aromatic group or a heterocyclic group, and α- bis (sulfonyl) diazomethane and the like. α−カルボニル−α−スルホニルジアゾメタン系化合物の具体例としては、未置換、対称的にまたは非対称的に置換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族基、またはヘテロ環状基を有するα−カルボニル−α− Specific examples of the alpha-carbonyl -α- sulfonyl diazomethane compounds, having an unsubstituted, symmetrically or asymmetrically substituted alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aromatic group or a heterocyclic group, alpha- carbonyl -α-
スルホニルジアゾメタンなどが挙げられる。 Such as diazomethane and the like. スルホン化合物の具体例としては、未置換、対称的にまたは非対称的に置換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族基、またはヘテロ環状基を有するスルホン化合物、ジスルホン化合物などが挙げられる。 Specific examples of the sulfone compounds, unsubstituted, symmetrically or asymmetrically substituted alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aromatic group or a sulfone compound having a heterocyclic group, and the like disulfone compounds. 有機酸エステルとしては、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル、リン酸エステルなどが挙げられ、有機酸アミドとしては、カルボン酸アミド、スルホン酸アミド、リン酸アミドなどが挙げられ、有機酸イミドとしては、カルボン酸イミド、スルホン酸イミド、リン酸イミドなどが挙げられる。 The organic acid esters, carboxylic acid esters, sulfonic acid esters, phosphoric acid esters, and examples of the organic acid amides, carboxylic acid amides, sulfonic acid amides, phosphoric acid amides, and examples of the organic acid imide, carboxylic acid imide, sulfonimide, and the like phosphoric acid imide.

【0022】上述したようなPAGは、KrFエキシマレーザ用レジストにも用いられるものであるが、なかでも、芳香環を有さず、ArFエキシマレーザの波長付近(185.5〜220nm)の光吸収が少ないもの、例えば特開平7−199467号公報の第9〜10欄に一般式(II)又は(III)で記載されたような化合物やその具体例、即ち、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジシクロヘキシル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、 [0022] PAG as described above, but is intended for use in KrF excimer laser resist, among others, has no aromatic ring, the light absorption near the wavelength of ArF excimer laser (185.5~220nm) having less, for example, the general formula to a 9-10 column of JP-a-7-199467 discloses (II) or a compound and specific examples thereof as described in (III), i.e., cyclohexylmethyl (2-oxo-cyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate,
ジシクロヘキシルスルホニルシクロヘキサノン、ジメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニルトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、N−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホナート等が挙げられる。 Dicyclohexyl sulfonyl cyclohexanone, dimethyl (2-oxo-cyclohexyl) sulfonyl trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, and the like N- hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate, and the like.

【0023】これらのPAGは、単独で使用しても2種類以上を混合して用いてもよい。 [0023] These PAG may be used as a mixture of two or more may be used alone. これらのPAGの配合量は、本発明で用いる樹脂100重量部に対して下限は通常0.01重量部、好ましくは0.2重量部であり、 The amount of the PAG, the lower limit is usually 0.01 parts by weight per 100 parts by weight of the resin used in the present invention is preferably 0.2 part by weight,
上限は通常50重量部、好ましくは30重量部である。 The upper limit is usually 50 parts by weight, preferably 30 parts by weight.
0.01重量部未満ではパターンの形成が不可能となり。 It is less than 0.01 part by weight makes it impossible to form a pattern. 50重量部を超えると現像残が発生し易くなったり、パターン形状が悪化するなどの問題が生じ、いずれの場合もレジストの性能上好ましくない。 May become liable to development residue occurs with greater than 50 parts by weight, there is a problem such as worsening the pattern shape, even performance unfavorable resist cases.

【0024】本発明に於て、前記樹脂とPAGとからなるレジスト組成物は、溶剤に溶解させて用いる。 [0024] At a present invention, a resist composition comprising said resin and PAG is used after dissolved in a solvent. 溶剤は、一般にレジスト組成物用の溶剤として使用されているものを用いることができ、具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類;n−プロパノール、i−プロパノール、n− Solvent, generally there can be used those which are used as a solvent for the resist composition, and specific examples include acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone; n-propanol , i- propanol, n-
ブタノール、i−ブタノール、t−ブタノール、シクロヘキサノールなどのアルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコールエーテル類;ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチルなどのエステル類;2− Butanol, i- butanol, t-butanol, alcohols such as cyclohexanol, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethers such as dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol mono alcohol ethers such as ethyl ether; propyl formate, butyl formate, propyl acetate, butyl acetate, esters such as methyl propionate, ethyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate; 2-
オキシプロピオン酸メチル、2−オキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチルなどのオキシカルボン酸エステル類;セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル類;プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコール類;ジエチレンギリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなどのジ Propionic acid methyl, 2-oxy-propionic acid ethyl, 2-methyl methoxypropionate, 2-oxy-carboxylic acid esters such as methoxy ethyl propionate; cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate cellosolve esters such as; propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol such as propylene glycol monomethyl ether; diethylene formate recall monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, etc. di チレングリコール類;トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどの極性溶媒などが例示され、これらは単独または2種類以上を混合して用いてもよい。 Halogenated hydrocarbons such as trichlorethylene; Ji glycols toluene, aromatic hydrocarbons such as xylene; N, N- dimethylformamide, N, N- dimethylacetamide, N- methylacetamide, polarity, such as N- methylpyrrolidone such solvents are exemplified, and these may be used alone or as a mixture of two or more.

【0025】本発明においては、添加剤としてレジスト組成物に一般に添加されているもの、例えばレジスト組成物に一般に添加されるシリコン系又はフッ素系の界面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止剤など相溶性のある添加剤を含有させることができる。 [0025] In the present invention, those generally added to the resist composition as an additive, for example, silicon is generally added to the resist composition or a fluorine-based surfactant, a storage stabilizer, sensitizer, strike It may contain additives having compatibility such reconciliation inhibitor.

【0026】本発明の組成物において、前記樹脂(A) [0026] In the compositions of the present invention, the resin (A)
は、放射線の照射により酸発生剤から制止する酸の作用を受けて、被照射部分の溶解度が変化する。 Receives the action of an acid to stop from the acid generator by irradiation of radiation, it changes the solubility of the irradiated portion. 本発明の組成物は、アルカリ現像液を用いることにより、ポジ型レジストとして作用する。 The compositions of the present invention, by using an alkali developing solution, positive-acting resist. 基体樹脂として多環式ポリオレフィン樹脂を用いることにより、耐ドライエッチング性、解像性、溶解抑止効果などのレジスト特性が向上する。 By using a polycyclic polyolefin resin as a base resin, dry etching resistance, resolution, resist properties such as solubility-suppressing effect is improved.

【0027】また、本発明のレジスト組成物のうち、特に光感応性酸発生物質(PAG)の量が3重量部である本発明のレジスト組成物を、膜厚7,000オングストロームに塗布したレジスト膜に波長193nmの光を照射したとき、光線透過率が20%以上、好ましくは30 Further, the resist of the resist composition of the present invention, the particular resist composition of the present invention the amount of photoacid generator material (PAG) is 3 parts by weight, was applied to a thickness of 7,000 Å when irradiated with light of wavelength 193nm to film, light transmittance of 20% or more, preferably 30
%以上、より好ましくは40%以上であるものが実用的である。 % Or more, those more preferably 40% or more practical. 尚、ここで測定される光線透過率は、厚さ1m Incidentally, the light transmittance measured here, the thickness 1m
mの石英板にレジストを膜厚7,000オングストロームに塗布し、193nmの遠紫外線を照射することにより測定される光線透過率(%)である。 A resist is applied to a thickness of 7,000 angstroms on a quartz plate of m, a light transmittance is measured by irradiating far ultraviolet rays 193 nm (%).

【0028】本発明のレジスト組成物は現像液として通常、アルカリ水溶液を用いるが、具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機アルカリの水溶液;エチルアミン、 The resist compositions of the invention usually as a developer, but using an alkaline aqueous solution, and specific examples include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, inorganic alkali such as aqueous ammonia solution; ethylamine,
プロピルアミンなどの第一アミン類の水溶液;ジエチルアミン、ジプロピルアミンなどの第二アミンの水溶液; Aqueous solution of the primary amine such as propylamine; diethylamine, an aqueous solution of a secondary amine such as dipropylamine;
トリメチルアミン、トリエチルアミンなどの第三アミンの水溶液;ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類の水溶液;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウムヒドロキシドの水溶液などが挙げられる。 Trimethylamine, the aqueous solution of a tertiary amine such as triethylamine; diethylethanolamine, aqueous solutions of alcohol amines such as triethanolamine; tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, trimethyl hydroxymethyl ammonium hydroxide, triethyl hydroxymethyl ammonium hydroxide , such as an aqueous solution of quaternary ammonium hydroxide, such as trimethyl hydroxyethyl ammonium hydroxide and the like. また、必要に応じて、上記アルカリ水溶液にメタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコールなどの水溶性有機溶媒、界面活性剤、樹脂の溶解抑止剤などを添加することができる。 If necessary, methanol to the aqueous alkaline solution, ethanol, propanol, water-soluble organic solvents such as ethylene glycol, surfactants, and the like can be added dissolution inhibiting agent in the resin.

【0029】本発明のパターン形成方法は、上述してきた本発明のレジスト組成物を基板上に回転塗布などの方法で塗布し、任意の膜厚(通常、乾燥膜厚で0.01μ The pattern forming method of the present invention, a resist composition of the present invention has been described above is applied by a method such as spin coating on a substrate, any film thickness (usually a dry film thickness of 0.01μ
m〜1μm程度)の膜を形成させ、これに波長190〜 Film is formed on the order m~1μm), which in the wavelength 190 to
250nmの波長光源を用いて露光するものである。 It is to exposure using a 250nm wavelength light source. また、膜を形成した後、露光前にレジストが熱により劣化しない範囲の温度、通常90〜190℃、好ましくは1 Further, after forming the film, the temperature range of the resist before exposure are not degraded by heat, usually 90 to 190 ° C., preferably 1
20〜170℃でベークするのがよい。 It is preferable to bake at 20~170 ℃. 温度がこの範囲を超えて低温であると表面難溶解層が発生し、逆に高温であると熱硬化や熱分解が起こる恐れがあるので好ましくない。 Temperature is not preferable because the range beyond the surface flame dissolution layer is generated and is cold, there is a fear that when the reverse is the high temperature thermosetting or thermal decomposition occurs. 露光光源として、マスクを介して露光できるA As an exposure light source, A which can be exposed through a mask
rFエキシマレーザ光を用いるとき、とりわけ本発明の効果が発揮される。 When using rF excimer laser beam, the effect of the present invention can be exhibited particularly. 更に露光後のベークを行うのが普通であるが、この露光後ベークは通常の温度、即ち70〜 Although it is common further perform baking after exposure, post exposure bake normal temperatures, i.e. 70
180℃である。 It is a 180 ℃. 現像は上述した現像液を用いればよい。 Development may be used a developing solution as described above.

【0030】 [0030]

【発明の効果】かくして本発明によれば、感度や解像度などレジスト諸特性に優れたレジスト組成物が得られ、 Effects of the Invention Thus, according to the present invention, excellent resist composition to the resist characteristics such as sensitivity and resolution are obtained,
更に本発明のレジスト組成物は遠紫外線光やArFエキシマレーザー光のような短波長光や電子線を充分に透過するので、微細加工された半導体素子を得ることができる。 Further the resist composition of the present invention is therefore sufficiently transparent to short wavelength light or an electron beam, such as deep ultraviolet light or ArF excimer laser beam, it is possible to obtain a semiconductor device which is microfabricated.

【0031】 [0031]

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。 EXAMPLES The present invention to Examples more specifically described below. なお、各例中の部及び%は、特に断りのない限り重量基準である。 Incidentally, parts and% in the examples are by weight unless otherwise specified. なお、光線透過率は、光感応性酸発生物質(PAG)の量を3重量部に調製したレジスト組成物を、膜厚7,000オングストロームに塗布したレジスト膜に波長193nmの光を照射したときの透過率(%)を測定した値である。 Incidentally, light transmittance, when the resist composition prepared amounts to 3 parts by weight of photoacid generator material (PAG), was irradiated with light having a wavelength of 193nm in the resist film coated in a thickness 7,000 Å transmittance (%) is a value measured.

【0032】(合成例)水素添加ポリ 8−メチル−8 [0032] (Synthesis Example) hydrogenated poly 8-methyl -8
−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4,4,0, -t- butoxycarbonyl tetracyclo [4,4,0,
2,5 ,1 7,10 ]−3−ドデセン t−ブチルアルコール1mol、乾燥ジメチルアニリン1molを乾燥エーテル200mlに溶解させ、氷冷攪拌下、メタクリル酸クロライド1molを滴下した。 1 2,5, 1 7,10] -3-dodecene t- butyl alcohol 1mol, dried dimethylaniline 1mol dissolved in dry ether 200 ml, with stirring under ice-cooling, was added dropwise methacrylic chloride 1mol. 滴下完了から更に2時間攪拌した後、水を加えて固体を溶解させ、次いでエーテルで抽出した。 After stirring for a further 2 hours the addition was complete, by adding water to dissolve the solid and then extracted with ether. 抽出後のエーテル層は10%硫酸水溶液で洗浄後、乾燥した。 After washing ether layer after extraction with 10% aqueous sulfuric acid, and dried. 溶媒を減圧留去し、残渣を蒸留し、t−ブチルメタクリレートを精製した。 The solvent was distilled off under reduced pressure, the residue is distilled and purified t- butyl methacrylate. このようにして得られたt−ブチルメタクリレート0.15molと、ジシクロペンタジエン0.15 Such a t- butyl methacrylate 0.15mol thus obtained, dicyclopentadiene 0.15
molとを混合し、−20℃で2時間攪拌し、5−ブトキシカルボニル−5−メトキシ−2−ノルボルネンを得た(収率96%)。 Mixing a mol, stirred for 2 hours at -20 ° C., to obtain 5-butoxycarbonyl-5-methoxy-2-norbornene (96% yield). 更に、得られた5−メトキシ−5− Furthermore, the resulting 5-methoxy-5-
t−ブトキシカルボニル−2−ノルボルネン0.1mo t- butoxycarbonyl-2-norbornene 0.1mo
lとジシクロペンタジエン0.05molとを混合し、 Mixing the l and dicyclopentadiene 0.05 mol,
重合禁止剤としてハイドロキノンWP0.005mol Hydroquinone WP0.005mol as a polymerization inhibitor
加え、200℃で3時間反応させて、8−メチル−8− In addition, by 3 hours at 200 ° C., 8- methyl-8-
t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4,4,0,1 t- butoxycarbonyl tetracyclo [4,4,0,1
2,5 ,1 7,10 ]−3−ドデセンを得た。 2,5, to obtain a 1 7,10] -3-dodecene.

【0033】重合容器内で、上述の方法により得られた8−メチル−8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4,4,0,1 2,5 ,1 7,10 ]−3−ドデセン100 [0033] In the polymerization vessel, 8-methyl -8-t-butoxide was obtained by the above method butoxycarbonyl tetracyclo [4,4,0,1 2,5, 1 7,10] -3-dodecene 100
molをトルエンに、モノマー濃度10重量%となるように溶解させ、ここに分子量調節剤として1−ヘキセン0.70mol、ジエチルアルミニウムクロライド0. The mol in toluene, dissolved at a monomer concentration of 10 wt%, herein as a molecular weight modifier hexene 0.70 mol, diethylaluminum chloride 0.
25mol、六塩化タングステン0.15molの順に加え、70℃で1時間反応させた。 25 mol, added in this order of tungsten hexachloride 0.15 mol, was allowed to react for one hour at 70 ° C.. 反応後、イソプロピルアルコールで凝固・乾燥させて、ポリ 8−メチル− After the reaction, solidifying and drying with isopropyl alcohol, poly 8-methyl -
8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4,4, 8-t-butoxycarbonyl-tetracyclo [4,4,
0,1 2,5 ,1 7,1 0 ]−3−ドデセンを得た。 0,1 2,5, to give the 1 7,1 0] -3-dodecene. 続いて得られたポリマー溶液の半量に、トリエタノールアミンの20重量%水溶液を加え、攪拌した後、水層を分離し、 Then the half of the resulting polymer solution was added 20 wt% aqueous solution of triethanolamine, after stirring, the aqueous layer was separated,
有機層を耐圧反応容器内に移し、触媒としてパラジウム−カーボン(活性炭担持パラジウム:Pd濃度5%)1 The organic layer was transferred to a pressure-resistant reaction vessel, palladium as a catalyst - carbon (palladium on charcoal: Pd concentration of 5%) 1
0重量部を加え、水素ガス圧10Kg/cm 2条件で、 0 parts by weight was added and a hydrogen gas pressure of 10 Kg / cm 2 condition,
150℃4時間反応させ、水素添加した。 0.99 ° C. for 4 hours, was hydrogenated. 得られた反応液は、冷却後、反応系より触媒を濾別し、濾液にメタノールを添加してポリマーを凝固・乾燥させた。 The resulting reaction solution, after cooling, the reaction the catalyst is filtered off from the system, and by the addition of methanol to coagulate and drying the polymer to the filtrate. 得られた水素添加ポリ 8−メチル−8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4,4,0,1 2,5 ,1 7,10 ]−3− The resulting hydrogenated poly 8-methyl -8-t-butoxycarbonyl-tetracyclo [4,4,0,1 2,5, 1 7,10] -3
ドデセンの水素添加率は、 1 H−NMRスペクトルから約95%であった。 Hydrogenation ratio of dodecene was from 1 H-NMR spectrum is about 95%.

【0034】残るポリマー溶液の半量に、トリエタノールアミンの20重量%水溶液を加え、攪拌した後、水層を分離し、有機層を耐圧反応容器内に移し、触媒としてパラジウム−カーボン(活性炭担持パラジウム:Pd濃度5%)10重量部を加え、水素ガス圧10Kg/cm [0034] Half of the remaining polymer solution was added 20 wt% aqueous solution of triethanolamine, after stirring, the aqueous layer was separated, transferred to the organic layer in the pressure-resistant reaction vessel, palladium as a catalyst - carbon (palladium on charcoal : Pd 5% concentration) 10 parts by weight of a hydrogen gas pressure of 10 Kg / cm
2条件で、110℃3時間反応させ、水素添加した。 In two conditions, reacted 110 ° C. 3 hours, was added hydrogen. 得られた反応液は、冷却後、反応系より触媒を濾別し、濾液にメタノールを添加してポリマーを凝固・乾燥させた。 The resulting reaction solution, after cooling, the reaction the catalyst is filtered off from the system, and by the addition of methanol to coagulate and drying the polymer to the filtrate. 得られた水素添加ポリ 8−メチル−8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4,4,0,1 2,5 ,1 The resulting hydrogenated poly 8-methyl -8-t-butoxycarbonyl-tetracyclo [4,4,0,1 2,5, 1
7,10 ]−3−ドデセンの水素添加率は、 1 H−NMRスペクトルから約80%であった。 7,10] -3-dodecene hydrogenation rate of was from 1 H-NMR spectrum at about 80%.

【0035】(実施例1〜5、比較例1〜3)樹脂濃度が14重量%となるように、表1記載の処方で樹脂および光感応性酸発生物質をシクロヘキサノンに溶解させた後、0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルター(ミリポア社製)で濾過してレジスト溶液を調製した。 [0035] (Examples 1-5, Comparative Examples 1-3) so that the resin concentration of 14 wt%, after dissolution of the resin and photoacid generating material in cyclohexanone with the formulation of Table 1, 0 the resist solution was prepared by filtration through .2μm polytetrafluoroethylene filter (manufactured by Millipore). このレジスト溶液をシリコンウエハー上にスピンコートした後、120℃で60秒間のベークを行うことにより膜厚7,000オングストロームのレジスト膜を形成した。 After spin coating the resist solution on a silicon wafer to form a resist film having a thickness of 7,000 angstroms by performing baking for 60 seconds at 120 ° C.. このウエハーをArFエキシマステッパー(N The wafer ArF excimer stepper (N
A=0.55)とテスト用レクチルを用いて露光を行った。 A = 0.55) and by using a test reticle was exposed. 続いて、各ウエハについてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で1分間の浸漬現象を行い、ポジ型パターンを得た。 Subsequently, it performs immersion phenomenon 1 minute tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for each wafer, to obtain a positive pattern. 得られたレジスト膜の透過率と解像度は表1に示す通りであった。 Transmittance and resolution of the resulting resist film was as shown in Table 1.

【0036】 [0036]

【表1】 [Table 1]

【0037】[樹脂の欄] ・実施例の樹脂は。 The resin of the resin column]-embodiment. 合成例にて得られた樹脂である。 A resin obtained in Synthesis Example. ・比較例1の樹脂は、4−ヒドロキシビニルフェノールとt−ブチルメタクリレートとの57:43(仕込みモル比)の共重合体である。 Resin of Comparative Example 1 is a copolymer of 57:43 (molar ratio) of 4-hydroxy-vinyl phenol and t- butyl methacrylate. ・比較例2の樹脂は、4−ヒドロキシビニルフェノールと3−メチル−2−ブテニル メタクリレートとの5 Resin of Comparative Example 2, 5 and 4-hydroxy-vinyl phenol and 3-methyl-2-butenyl methacrylate
4:46(仕込みモル比)の共重合体である。 A copolymer of 4:46 (molar ratio). ・比較例3の樹脂は、4−ヒドロキシビニルフェノールと4−(t−ブチルオキシカルボニルメチル)ビニルフェノールとの50:50(仕込みモル比)の共重合体である。 Resin of Comparative Example 3, a copolymer of 50:50 (molar ratio) of 4-hydroxy-vinylphenol and 4 (t-butyloxycarbonyl-methyl) vinyl phenol. [酸発生剤の欄] PAG1=トリフェニルスルホネート トリフレート PAG2=次式(1) [Column of the acid generator] PAG1 = triphenyl sulfonate triflate PAG2 = equation (1)

【化1】 [Formula 1] PAG3=次式(2) PAG3 = following equation (2)

【化2】 ## STR2 ##

【0038】この結果から、透過率が低いとArFエキシマレーザ露光ではパターンが十分得られないということが判る。 [0038] From this result, it is found that the pattern is not sufficiently obtained in a low transmittance ArF excimer laser exposure.

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 酸不安定性構造が基体樹脂に担持されている少なくとも1種類の樹脂(A)と、光感応性酸発生物質(B)とを必須成分とするレジスト組成物であって、樹脂(A)の基体樹脂が多環式ポリオレフィン樹脂であることを特徴とするレジスト組成物。 And 1. A least one acid labile structure is supported on the base resin of the resin (A), the a photoacid generating material (B) A resist composition as an essential component, the resin resist composition, wherein the base resin is polycyclic polyolefin resin (a).
  2. 【請求項2】 多環式ポリオレフィン樹脂がノルボルネン骨格を有するモノマーの開環重合体、その水素添加物、またはノルボルネン骨格を有するモノマーと他のオレフィン系モノマー類との付加重合物である請求項1記載のレジスト組成物。 2. A ring-opening polymer of a monomer polycyclic polyolefin resin having a norbornene skeleton, claim 1 is an addition polymer of monomers and other olefinic monomers having a hydrogenation product thereof or a norbornene skeleton, resist composition.
  3. 【請求項3】 レジスト組成物中の光感応性酸発生物質(B)が3重量部であるとき、厚さ7,000オングストロームとなるように基板に塗布したレジスト膜の波長193nmにおける光線透過率が40%以上となる請求項1または2記載のレジスト組成物。 3. When the resist composition of the photoacid generating material (B) is 3 parts by weight, the light transmittance at a wavelength of 193nm of the resist film coated on the substrate so that the 7,000 Angstroms thick There claim 1 or 2 resist composition according of 40% or more.
  4. 【請求項4】 請求項1から3のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程と、波長190〜2 4. A process for the resist composition according to any of claims 1 to 3 is applied onto a substrate, the wavelength 190-2
    50nmの波長光源を用いて露光する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 Pattern forming method which comprises a step of exposure using a 50nm wavelength light source.
JP6377596A 1996-02-26 1996-02-26 Resist composition and its utilization Pending JPH09230595A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6377596A JPH09230595A (en) 1996-02-26 1996-02-26 Resist composition and its utilization

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6377596A JPH09230595A (en) 1996-02-26 1996-02-26 Resist composition and its utilization

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09230595A true true JPH09230595A (en) 1997-09-05

Family

ID=13239093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6377596A Pending JPH09230595A (en) 1996-02-26 1996-02-26 Resist composition and its utilization

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09230595A (en)

Cited By (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6136499A (en) * 1996-03-07 2000-10-24 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
US6232417B1 (en) 1996-03-07 2001-05-15 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
US6333436B1 (en) 1999-10-13 2001-12-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Styrene derivatives
US6369279B1 (en) 1999-09-08 2002-04-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Styrene derivatives
US6436606B1 (en) 1999-08-30 2002-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6461791B1 (en) 1999-10-13 2002-10-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6461790B1 (en) 1999-09-08 2002-10-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6461789B1 (en) 1999-08-25 2002-10-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6511787B2 (en) 2000-09-07 2003-01-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6579658B2 (en) 2000-02-17 2003-06-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6582880B2 (en) 2000-09-07 2003-06-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6603037B2 (en) 2001-11-28 2003-08-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ester compounds
US6605408B2 (en) 2000-04-13 2003-08-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US6623909B2 (en) 2000-06-02 2003-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6660447B2 (en) 2000-09-07 2003-12-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6680389B2 (en) 2001-06-25 2004-01-20 Sihn-Etsu Chemical Co., Ltd. Ester compounds
US6710148B2 (en) 2001-02-09 2004-03-23 Shin Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6790586B2 (en) 2000-09-07 2004-09-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6790591B2 (en) * 2002-04-05 2004-09-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6824955B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6835524B2 (en) 2000-02-16 2004-12-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6855477B2 (en) 2001-09-27 2005-02-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified resist compositions and patterning process
US6861197B2 (en) 2001-02-28 2005-03-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6864037B2 (en) 2001-06-25 2005-03-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6866983B2 (en) * 2002-04-05 2005-03-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6872514B2 (en) 2002-03-25 2005-03-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6875556B2 (en) 2002-10-25 2005-04-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6878508B2 (en) 2001-07-13 2005-04-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist patterning process
US6878501B2 (en) 2000-04-27 2005-04-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, chemically amplified resist composition and patterning process
US6902772B2 (en) 2002-07-02 2005-06-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
US6916592B2 (en) 2002-03-25 2005-07-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Esters, polymers, resist compositions and patterning process
US6919161B2 (en) 2002-07-02 2005-07-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
US6933095B2 (en) 2001-06-25 2005-08-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6946235B2 (en) 2002-08-09 2005-09-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6994945B2 (en) 2001-03-01 2006-02-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
US7001707B2 (en) 2003-08-26 2006-02-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US7005228B2 (en) 2001-06-25 2006-02-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
EP1652846A1 (en) 2004-10-28 2006-05-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable fluorinated compound, making method, polymer, resist composition and patterning process
US7060775B2 (en) 2003-10-02 2006-06-13 Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
US7067231B2 (en) 2003-10-23 2006-06-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7078147B2 (en) 2002-03-26 2006-07-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7125643B2 (en) 2003-10-23 2006-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7125641B2 (en) 2003-02-10 2006-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7125642B2 (en) 2003-02-10 2006-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonates, polymers, resist compositions and patterning process
US7135269B2 (en) 2003-01-30 2006-11-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7166418B2 (en) 2003-09-03 2007-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sulfonamide compound, polymer compound, resist material and pattern formation method
US7169530B2 (en) 2003-10-02 2007-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
US7189493B2 (en) 2003-10-08 2007-03-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, positive resist composition, and patterning process using the same
US7232641B2 (en) 2003-10-08 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable compound, polymer, positive-resist composition, and patterning process using the same
US7232638B2 (en) 2002-05-02 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US7241553B2 (en) 2004-01-30 2007-07-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition, and patterning process
US7255973B2 (en) 2004-04-09 2007-08-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7276623B2 (en) 2005-05-27 2007-10-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable ester compounds
US7368218B2 (en) 2004-04-09 2008-05-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7378216B2 (en) 2004-05-27 2008-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Resist material and pattern formation method
US7378218B2 (en) 2005-02-04 2008-05-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7449277B2 (en) 2005-09-21 2008-11-11 Shin-Etsu Chemical C., Ltd Positive resist compositions and patterning process
US7488567B2 (en) 2005-05-27 2009-02-10 Panasonic Corporation Polymer, resist composition and patterning process
US7491483B2 (en) 2006-03-06 2009-02-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, positive resist compositions and patterning process
US7588876B2 (en) 2004-05-25 2009-09-15 Panasonic Corporation Resist material and pattern formation method
US7629106B2 (en) 2005-11-16 2009-12-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7651829B2 (en) 2003-05-27 2010-01-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist material and pattern formation method using the same
US7666571B2 (en) 2005-10-31 2010-02-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7666967B2 (en) 2005-12-02 2010-02-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ester compound, polymer, resist composition, and patterning process
US7687222B2 (en) 2006-07-06 2010-03-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable ester compounds, polymers, resist compositions and patterning process
US7771913B2 (en) 2006-04-04 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US8716385B2 (en) 2008-12-15 2014-05-06 Central Glass Company, Limited Polymerizable fluoromonomer, fluoropolymer, resist material, and method of pattern formation

Cited By (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6232417B1 (en) 1996-03-07 2001-05-15 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
US6136499A (en) * 1996-03-07 2000-10-24 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
US6461789B1 (en) 1999-08-25 2002-10-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6436606B1 (en) 1999-08-30 2002-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6461790B1 (en) 1999-09-08 2002-10-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6369279B1 (en) 1999-09-08 2002-04-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Styrene derivatives
US6333436B1 (en) 1999-10-13 2001-12-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Styrene derivatives
US6461791B1 (en) 1999-10-13 2002-10-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6835524B2 (en) 2000-02-16 2004-12-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6579658B2 (en) 2000-02-17 2003-06-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6605408B2 (en) 2000-04-13 2003-08-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US6878501B2 (en) 2000-04-27 2005-04-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, chemically amplified resist composition and patterning process
US6623909B2 (en) 2000-06-02 2003-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6511787B2 (en) 2000-09-07 2003-01-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6660447B2 (en) 2000-09-07 2003-12-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6790586B2 (en) 2000-09-07 2004-09-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6582880B2 (en) 2000-09-07 2003-06-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6710148B2 (en) 2001-02-09 2004-03-23 Shin Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6861197B2 (en) 2001-02-28 2005-03-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6994945B2 (en) 2001-03-01 2006-02-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
US7005228B2 (en) 2001-06-25 2006-02-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6933095B2 (en) 2001-06-25 2005-08-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6680389B2 (en) 2001-06-25 2004-01-20 Sihn-Etsu Chemical Co., Ltd. Ester compounds
US6864037B2 (en) 2001-06-25 2005-03-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6878508B2 (en) 2001-07-13 2005-04-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist patterning process
US6855477B2 (en) 2001-09-27 2005-02-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified resist compositions and patterning process
US6603037B2 (en) 2001-11-28 2003-08-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ester compounds
US6824955B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6916592B2 (en) 2002-03-25 2005-07-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Esters, polymers, resist compositions and patterning process
US6872514B2 (en) 2002-03-25 2005-03-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7078147B2 (en) 2002-03-26 2006-07-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6866983B2 (en) * 2002-04-05 2005-03-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6790591B2 (en) * 2002-04-05 2004-09-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7232638B2 (en) 2002-05-02 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US6902772B2 (en) 2002-07-02 2005-06-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
US6919161B2 (en) 2002-07-02 2005-07-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
US6946235B2 (en) 2002-08-09 2005-09-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7169869B2 (en) 2002-08-09 2007-01-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6875556B2 (en) 2002-10-25 2005-04-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US7135269B2 (en) 2003-01-30 2006-11-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7125641B2 (en) 2003-02-10 2006-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7125642B2 (en) 2003-02-10 2006-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonates, polymers, resist compositions and patterning process
US7651829B2 (en) 2003-05-27 2010-01-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist material and pattern formation method using the same
US7001707B2 (en) 2003-08-26 2006-02-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US7166418B2 (en) 2003-09-03 2007-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sulfonamide compound, polymer compound, resist material and pattern formation method
US7413843B2 (en) 2003-09-03 2008-08-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sulfonamide compound, polymer compound, resist material and pattern formation method
US7169530B2 (en) 2003-10-02 2007-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
US7060775B2 (en) 2003-10-02 2006-06-13 Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
US7332616B2 (en) 2003-10-08 2008-02-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable compound, polymer, positive-resist composition, and patterning process using the same
US7189493B2 (en) 2003-10-08 2007-03-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, positive resist composition, and patterning process using the same
US7232641B2 (en) 2003-10-08 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable compound, polymer, positive-resist composition, and patterning process using the same
US7125643B2 (en) 2003-10-23 2006-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7067231B2 (en) 2003-10-23 2006-06-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7241553B2 (en) 2004-01-30 2007-07-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition, and patterning process
US7255973B2 (en) 2004-04-09 2007-08-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7368218B2 (en) 2004-04-09 2008-05-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7588876B2 (en) 2004-05-25 2009-09-15 Panasonic Corporation Resist material and pattern formation method
US7378216B2 (en) 2004-05-27 2008-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Resist material and pattern formation method
EP1652846A1 (en) 2004-10-28 2006-05-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable fluorinated compound, making method, polymer, resist composition and patterning process
US7592407B2 (en) 2004-10-28 2009-09-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable fluorinated compound, making method, polymer, resist composition and patterning process
US7378218B2 (en) 2005-02-04 2008-05-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7276623B2 (en) 2005-05-27 2007-10-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable ester compounds
US7488567B2 (en) 2005-05-27 2009-02-10 Panasonic Corporation Polymer, resist composition and patterning process
US7449277B2 (en) 2005-09-21 2008-11-11 Shin-Etsu Chemical C., Ltd Positive resist compositions and patterning process
US7666571B2 (en) 2005-10-31 2010-02-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7629106B2 (en) 2005-11-16 2009-12-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7666967B2 (en) 2005-12-02 2010-02-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ester compound, polymer, resist composition, and patterning process
US7491483B2 (en) 2006-03-06 2009-02-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, positive resist compositions and patterning process
US7771913B2 (en) 2006-04-04 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7687222B2 (en) 2006-07-06 2010-03-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable ester compounds, polymers, resist compositions and patterning process
US9678426B2 (en) 2008-12-15 2017-06-13 Central Glass Company, Limited Polymerizable fluoromonomer, fluoropolymer, resist material, and method of pattern formation
US8716385B2 (en) 2008-12-15 2014-05-06 Central Glass Company, Limited Polymerizable fluoromonomer, fluoropolymer, resist material, and method of pattern formation
US9678425B2 (en) 2008-12-15 2017-06-13 Central Glass Company, Limited Polymerizable fluoromonomer, fluoropolymer, resist material, and method of pattern formation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5648196A (en) Water-soluble photoinitiators
US5612170A (en) Positive resist composition
US5665527A (en) Process for generating negative tone resist images utilizing carbon dioxide critical fluid
US5663035A (en) Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound
US5310619A (en) Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable
US6737215B2 (en) Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
US4983492A (en) Positive dye photoresist compositions with 2,4-bis(phenylazo)resorcinol
US6991888B2 (en) Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
US6277750B1 (en) Composition for bottom reflection preventive film and novel polymeric dye for use in the same
US6686429B2 (en) Polymer suitable for photoresist compositions
US5399462A (en) Method of forming sub-half micron patterns with optical lithography using bilayer resist compositions comprising a photosensitive polysilsesquioxane
US6235448B1 (en) Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same
US6437052B1 (en) Monomer having diol structure, polymer thereof, and negative photoresist composition and pattern forming method using the same
US5362607A (en) Method for making a patterned resist substrate composite
US5635332A (en) Alkylsulfonium salts and photoresist compositions containing the same
US20040234888A1 (en) Photoacid generators with perfluorinated multifunctional anions
US6159656A (en) Positive photosensitive resin
US6140010A (en) Negative type photoresist composition used for light beam with short wavelength and method of forming pattern using the same
JP2004531749A (en) Photoacid generator and a photoresist containing them
JPH0954432A (en) Photoresist composition
US20040229155A1 (en) Photoactive compounds
US6268106B1 (en) Chemically amplified positive photoresist composition
US6352813B2 (en) Photosensitive resin composition and patterning method using the same
JPH05197151A (en) Radiation-sensitive resin composition
US5227276A (en) Negative-working radiation-sensitive mixture, and radiation-sensitive recording material produced with this mixture

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20040519

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20041208

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02