JPH09153646A - Optical semiconductor device and manufacture of the same - Google Patents

Optical semiconductor device and manufacture of the same

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JPH09153646A
JPH09153646A JP25625196A JP25625196A JPH09153646A JP H09153646 A JPH09153646 A JP H09153646A JP 25625196 A JP25625196 A JP 25625196A JP 25625196 A JP25625196 A JP 25625196A JP H09153646 A JPH09153646 A JP H09153646A
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optical semiconductor
semiconductor device
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manufacturing
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JP25625196A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Ishikawa
Iwao Matsumoto
Yutaka Nagasawa
Koichi Nitta
Tsuguo Uchino
嗣男 内野
康一 新田
岩夫 松本
裕 永澤
正行 石川
Original Assignee
Toshiba Corp
株式会社東芝
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make luminance high without raising cost, to improve yield and to stabilize quality in a surface-mount optical semiconductor device with a protruding dome-like lens. SOLUTION: A light emitting element 13 is fixed to the mounting part on the surface of a printed board 11 through silver paste 12, for example. The light-emitting element 13 and wiring 14 on the printed board 11 are electrically connected by a metallic line 16. Then, the periphery of the light-emitting element 13 on the printed board 11 is sealed with the dome-like lens part 17a and a flange 17b, which are made by using liquid epoxy resin 17, by containing the metallic line 16.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば表面実装型の光半導体装置およびその製造方法に関するもので、特に、突出型ドーム状レンズを有する表面実装型の光半導体装置に用いられるものである。 TECHNICAL FIELD The present invention is, for example, relates to an optical semiconductor device and a manufacturing method thereof of the surface mount type, in particular, is used for a surface mounted type optical semiconductor device having a protruding domed lens.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、表面実装型の光半導体装置としては、フラットタイプ構造のものが製品化されている。 Conventionally, as a surface-mounted optical semiconductor device, as a flat type structure is commercialized. 図8は、フラットタイプ構造の表面実装型光半導体装置の概略構成を示すものである。 Figure 8 shows a schematic configuration of a surface-mounted optical semiconductor device of a flat type structure.

【0003】この種の光半導体装置は、たとえば、プリント基板101の表面のマウント部に、銀ペースト10 [0003] This type of optical semiconductor device, for example, the mounting portion of the surface of the printed circuit board 101, silver paste 10
2を介して発光素子103が固着されている。 Emitting element 103 is fixed via a 2. プリント基板101には、配線104と外部リード部105とが形成されている。 The printed circuit board 101, the wiring 104 and the external lead portion 105 is formed. この外部リード部105の一端は、上記プリント基板101の表面の一部(他の断面)において、上記配線104と接続されている。 One end of the external lead portion 105, the portion of the surface of the printed circuit board 101 (other cross-section), and is connected to the wiring 104. 外部リード部1 The external lead section 1
05の他端は、上記プリント基板101の側面を介して、プリント基板101の裏面の端部に引き出されている。 The other end 05 through the side surface of the printed circuit board 101 is drawn out to an end portion of the back surface of the printed circuit board 101.

【0004】そして、上記発光素子103と上記配線1 [0004] Then, the light emitting element 103 and the wiring 1
04とが、金線106により電気的に結線されている。 04 and it has been electrically connected by gold wire 106.
また、この金線106を含んで、上記プリント基板10 Also, including the gold wire 106, the printed circuit board 10
1上の上記発光素子103の周囲が、上面が平坦(フラット)とされたエポキシ樹脂107によって封止されてなる構成とされている。 Around the 1 on the light emitting element 103, the upper surface is configured to become sealed by epoxy resin 107 which is a flat (flat).

【0005】しかし、このフラットタイプ構造の表面実装型光半導体装置の場合、発光素子103の周囲を単にエポキシ樹脂107によって封止している構造のため、 However, when the surface-mounted optical semiconductor device of the flat type structure, the structure which seals by simply epoxy resin 107 around the light emitting element 103,
発光輝度が非常に低いという欠点があった。 Emission luminance has a drawback that very low.

【0006】そこで、このような光半導体装置の特性の向上(高輝度化)を図るために、装置の表面にインナーレンズを形成してなる構造の表面実装型光半導体装置が開発されている。 Accordingly, in order to improve the characteristics of such an optical semiconductor device (high brightness), a surface mounted type optical semiconductor device having a structure obtained by forming an inner lens surface of the device have been developed.

【0007】図9は、インナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の概略構成を示すものである。 [0007] Figure 9 shows a schematic configuration of a surface-mounted optical semiconductor device with the inner lens. なお、同図(a)はインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の外観斜視図、同図(b)は同じく断面図である。 Incidentally, FIG. (A) is an external perspective view of a surface mount type optical semiconductor device with the inner lens, FIG. (B) is a cross-sectional view.

【0008】この種の光半導体装置は、たとえば、プリント基板201の表面のマウント部に、銀ペースト20 [0008] This type of optical semiconductor device, for example, the mounting portion of the surface of the printed circuit board 201, silver paste 20
2を介して発光素子203が固着されている。 Emitting element 203 is fixed via a 2. プリント基板201には、配線204と外部リード部205とが設けられている。 The printed circuit board 201, the wiring 204 and the external lead portion 205 is provided. この外部リード部205の一端は、上記プリント基板201の表面の一部(他の断面)において、上記配線204と接続されている。 One end of the external lead portion 205, the portion of the surface of the printed circuit board 201 (other cross-section), and is connected to the wiring 204. 外部リード部2 External lead part 2
05の他端は、上記プリント基板201の側面を介して、プリント基板201の裏面の端部に引き出されている。 The other end 05 through the side surface of the printed circuit board 201 is drawn out to an end portion of the back surface of the printed circuit board 201.

【0009】そして、上記発光素子203と上記配線2 [0009] Then, the light emitting element 203 and the wiring 2
04とが、金線206により電気的に結線されている。 04 and it has been electrically connected by gold wire 206.
また、この金線206を含んで、上記プリント基板20 Also, including the gold wire 206, the printed circuit board 20
1上の上記発光素子203の周囲がエポキシ樹脂207 Surrounding epoxy resin 207 of 1 on the light emitting device 203
によって封止されるとともに、その発光素子203の上部にインナーレンズ207aが設けられてなる構成とされている。 We are together sealed, a structure formed by inner lens 207a is provided on top of the light emitting element 203 by.

【0010】さて、このような構成のインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置は、一般的に、次のような方法により製造されている。 [0010] Now, a surface mount type optical semiconductor device with the inner lens having such a configuration, generally, are manufactured by the following method. 図10を参照して、上記したインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の製造方法について説明する。 Referring to FIG. 10, a method for manufacturing the surface-mounted optical semiconductor device with a inner lens described above.

【0011】たとえば、絶縁板体211に複数の開口2 [0011] For example, a plurality of insulating plates 211 opening 2
11aが並列して設けられて、その開口211aの相互間に、それぞれ複数個分のプリント基板201が列状に形成されてなるものを用意する。 11a is provided in parallel, between each other the opening 211a, respectively PCB 201 a plurality fraction is prepared made formed in rows.

【0012】また、その絶縁板体211の各列のプリント基板201のそれぞれには、あらかじめ上記配線20 [0012] Each printed circuit board 201 in each column of the insulating plate 211, advance the wiring 20
4や外部リード部205を形成しておく。 Previously forming a 4 or the external lead portion 205. このような絶縁板体211に対して、まず、各プリント基板201上に、それぞれ銀ペースト202を介して発光素子203 For such insulating plate 211, first, on the printed circuit board 201, the light emitting element 203, respectively, via the silver paste 202
を個々に固着する。 The sticking to the individual. そして、各プリント基板201上において、その発光素子203と配線204との間を金線206によりそれぞれボンディングする。 Then, on each printed circuit board 201 is bonded respectively by gold wires 206 between the light-emitting elements 203 and the wiring 204.

【0013】この後、絶縁板体211の上面にモールド金型(図示していない)を密着させ、その金型内にエポキシ系の樹脂を注入する。 [0013] Thereafter, the molding die on the upper surface of the insulating plate 211 (not shown) is adhered to, injecting epoxy resin into the mold. この場合、モールド金型は、 In this case, the mold is,
各発光素子203に対応して、上記エポキシ樹脂207 Corresponding to each light-emitting element 203, the epoxy resin 207
および上記インナーレンズ207aの形成に必要な形状を有してなるとともに、各列ごとにプリント基板201 And together comprising a shape necessary for formation of the inner lens 207a, a printed circuit board 201 for each column
のそれぞれに連続してエポキシ系の樹脂を供給できるようになっている(スルーゲート構造のトランスファモールド)。 It has become a can be supplied to epoxy resin in succession respectively (transfer mold through gate structure).

【0014】また、注入用のエポキシ系の樹脂としては、たとえば、タブレット状のエポキシ樹脂を溶融したものが用いられる。 [0014] As the epoxy resin for injection, for example, it is used as the molten tablet-like epoxy resin. そして、上記エポキシ系の樹脂を加熱して硬化させた後、モールド金型から絶縁板体211 Then, after curing by heating the epoxy resin, insulating plate body from the molding die 211
を取り外す(図10には、モールド金型から絶縁板体2 Detach (figure 10, the insulating plate 2 from mold
11を取り外した状態を示している)。 Shows a state in which removal of the 11).

【0015】こうして、各列のプリント基板201上の発光素子203のそれぞれが、インナーレンズ207a [0015] Thus, each of the light emitting elements 203 on the printed circuit board 201 in each row, the inner lens 207a
を有するエポキシ樹脂207によって一括して封止された後、各列のプリント基板201をダイシングによって個々に切り離すことで、図9に示した、インナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置が製造される。 After being sealed together by epoxy resin 207 having, by disconnecting the printed circuit board 201 in each row individually by dicing, as shown in FIG. 9, a surface mount type optical semiconductor device with the inner lens is manufactured .

【0016】このようにして製造されるインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の場合、そのレンズ効果により、上記したフラットタイプ構造の表面実装型光半導体装置に比べ、約2倍の高輝度化が可能となっている。 [0016] In this way, the surface-mounted type optical semiconductor device with the inner lens to be produced by the lens effect, compared with surface-mounted optical semiconductor device of a flat type structure described above, a high luminance of about twice It has become possible.

【0017】しかしながら、インナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置であっても、たかだかフラットタイプ構造の表面実装型光半導体装置の2倍程度の高輝度化では市場の要求に対しては十分とはいえず、高輝度化の要求は依然として高いものがある。 [0017] However, even surface-mounted optical semiconductor device with the inner lens, and sufficient for market demands for high luminance of about 2 times the surface-mounted optical semiconductor device of the most flat type structure Iezu, the high luminance requested is still high.

【0018】さらなる高輝度化を図るには、レンズの径を大きくすればよいが、インナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の場合、レンズ径の大型化には限界がある。 [0018] achieve further higher brightness, it is sufficient to increase the diameter of the lens, but if the surface-mounted optical semiconductor device with the inner lens, the size of the lens diameter is limited. すなわち、上述のスルーゲート構造のトランスファモールドでは、連続的に樹脂の供給を行うようになっている。 That is, in the transfer mold through the gate structure described above, are continuously adapted to supply the resin. このため、レンズの部分に気泡が発生しやすく、 Therefore, bubbles are likely to occur in the portion of the lens,
レンズ径の大型化は製品化をますます困難にする。 Increase in the size of the lens diameter is more and more difficult to commercialize.

【0019】この気泡の発生は、たとえば、各列のプリント基板のそれぞれに対応させて樹脂の供給口を設け、 The generation of the bubble, for example, the supply port of the resin provided corresponding to each of the printed circuit board of each column,
個別にエポキシ系の樹脂の供給を行うようにする、いわゆるモールド金型の個別ゲート構造化によって解決できる。 So as to supply the individual epoxy resins, it can be solved by a separate gate structures of the so-called mold.

【0020】しかし、この方法では、プリント基板内にランナーゲートを配置する必要が生じるなど、プリント基板の利用効率が著しく低下し、結果として製品のコストアップにつながる。 [0020] However, in this method, such as necessary to place the runner gate on the printed substrate occurs, reduced efficiency of the printed circuit board is considerably, as a result leads to the product cost of the.

【0021】また、トランスファモールドで用いられるタブレット状のエポキシ系の樹脂は、一般に、溶融粘度が樹脂の注入中に高くなる。 Further, the tablet form of the epoxy resin used in the transfer molding generally, the melt viscosity becomes high during the injection of the resin. このため、樹脂注入時の圧力や注入速度および材料のロット差によって金線の変形を招くなどの問題があり、注入の方法や条件が製品の品質および歩留まりに大きく影響するという欠点があった。 Therefore, there are problems such as causing the deformation of gold wires by lot difference in pressure and injection rate and material during resin injection, injection methods and conditions has a drawback that greatly affect the quality and yield of products.

【0022】 [0022]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来においては、高輝度化を図ろうとすると製品のコストアップを招き、また、製品の品質および歩留まりが安定しないなどの不具合があった。 As described above [0008] In the prior art, leads to product cost of When attempt is made higher brightness, also the quality and yield of the product was a problem such as not stable.

【0023】そこで、この発明は、製品のコストアップなしに高輝度化を実現でき、歩留まりの向上および品質の安定化を図ることが可能な光半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。 [0023] Therefore, the present invention is for the purpose of providing high luminance and can be realized, improved and stable quality optical semiconductor device capable of achieving a yield and a manufacturing method thereof without increasing the cost of the product there.

【0024】 [0024]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するために、この発明の光半導体装置にあっては、光半導体素子を基板に実装し、前記光半導体素子上に突出型のドーム状レンズを有してなる構成とされている。 To achieve the above object, according to the Invention The, in the optical semiconductor device of the present invention, an optical semiconductor element mounted on the substrate, the protruding type domed lens on the optical semiconductor element there is a has composed configure.

【0025】また、この発明の光半導体装置の製造方法にあっては、光半導体素子が実装された絶縁基板の主面に封止型を密着させ、その封止型内に液状樹脂を注入して硬化させることにより、前記光半導体素子上に突出型のドーム状レンズを形成するようになっている。 Further, in the method for manufacturing the optical semiconductor device of the present invention, an optical semiconductor element is brought into close contact with sealed type in the main surface of the insulating substrate, which is implemented, the liquid resin is injected into the sealed type by curing Te, thereby forming a protruding type domed lens on the optical semiconductor element.

【0026】また、この発明の光半導体装置の製造方法にあっては、複数の光半導体素子がそれぞれ実装された各絶縁基板の上面に封止型を密着させ、その封止型内に液状樹脂を連続的に注入して硬化させることにより、前記各光半導体素子上にそれぞれ突出型のドーム状レンズを一括して形成するようになっている。 Further, in the method for manufacturing the optical semiconductor device of the present invention, a plurality of optical semiconductor elements are brought into close contact with sealed on the upper surface of each insulating board mounted respectively, a liquid resin into the sealed type the then cured by continuously injected, so as to form collectively the domed lens for each projected type on the optical semiconductor elements.

【0027】さらに、この発明の光半導体装置の製造方法にあっては、各絶縁基板上にそれぞれ光半導体素子を実装する工程と、前記各絶縁基板の上面に、ドーム形状部がそれぞれ形成されてなる封止型を密着させる工程と、前記封止型の各ドーム形状部内に液状樹脂を連続して注入する工程と、前記液状樹脂を硬化させて、前記各光半導体素子上にそれぞれ突出型のドーム状レンズを形成する工程と、前記封止型を取り外した後、前記各絶縁基板を光半導体素子ごとに分離する工程とからなっている。 Furthermore, in the manufacturing method of the optical semiconductor device of the present invention, the step of mounting each optical semiconductor element on each insulating substrate, wherein the upper surface of the insulating substrate, a dome-shaped portion is formed respectively a step of adhering the sealing type comprising the steps of injecting sequentially a liquid resin into the sealed type the dome-shaped portion of the curing the liquid resin, respectively protrusive on said respective optical semiconductor elements forming a dome-shaped lens, after removal of the sealed type, it consists in the step of separating the respective insulating substrates each optical semiconductor element.

【0028】この発明の光半導体装置およびその製造方法によれば、液状樹脂の採用により、樹脂の注入の方法や条件を容易に最適化できるようになるため、レンズ部分での気泡の発生を大幅に低減することが可能となる。 According to the optical semiconductor device and a manufacturing method thereof of the present invention, by adopting a liquid resin, order to be able to readily optimize methods and conditions for injection of the resin, the generation of bubbles at the lens portion considerably it is possible to reduce to.
これにより、スルーゲート構造のトランスファモールドによって径の大きなレンズを短時間に形成することが可能となるなど、高輝度化を安価に達成できるようになるものである。 Thus, such can be formed in a short time a large lens diameter by transfer mold through the gate structure, it is made so inexpensively achieve high brightness.

【0029】また、液状樹脂の採用は、樹脂注入時の圧力や注入速度などによらず、金線が変形するのを抑えることが可能となるため、高輝度化に加えて、製品の品質および歩留まりの低下を改善できるようになるものである。 Further, adoption of the liquid resin, irrespective like pressure and injection rate at the time of resin injection, it becomes possible to suppress the gold wire deformation, in addition to high brightness, quality of the product and in which it becomes possible to improve the reduction in yield.

【0030】 [0030]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be explained with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. 図1は、本発明の実施の一形態にかかる、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置(突出型レンズタイプ)の概略構成を示すものである。 Figure 1 shows a schematic configuration of according to an embodiment of the present invention, the projecting type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device (projecting lens type).

【0031】この突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置は、たとえば、BT(Bismaleimide and [0031] The protrusive domed lens with surface-mounted optical semiconductor device, for example, BT (Bismaleimide and
Triazine )レジンからなるプリント基板(絶縁基板) PCB consisting Triazine) resin (insulating substrate)
11の表面のマウント部に、銀ペースト12を介して、 The mounting portion of the surface of 11, via the silver paste 12,
発光素子(光半導体素子)13が固着されている。 Emitting element (optical semiconductor element) 13 is fixed.

【0032】プリント基板11には、配線14と外部リード部(外部導出端子)15とが設けられている。 [0032] printed circuit board 11 includes a wiring 14 and the external lead portion (externally leading terminal) 15 is provided. この外部リード部15はメッキなどにより形成され、その一端は上記プリント基板11の表面の一部(他の断面)において、上記配線14と接続されている。 The outer lead portion 15 is formed by plating, one end of the portion of the surface of the printed circuit board 11 (other cross-section), and is connected to the wiring 14. 外部リード部15の他端は、上記プリント基板11の側面を介して、 The other end of the external lead 15, through the side of the printed circuit board 11,
プリント基板11の裏面の端部に引き出されている。 They are drawn out to an end portion of the back surface of the printed circuit board 11.

【0033】そして、上記発光素子13と上記配線14 [0033] Then, the light emitting element 13 and the wiring 14
とが、金線16により電気的に結線されている。 Bets have been electrically connected by gold wire 16. また、 Also,
この金線16を含んで、上記プリント基板11上の上記発光素子13の周囲が、液状エポキシ樹脂17を用いてなる、ドーム状レンズ部(突出型レンズ)17aおよびフランジ17bによって封止されてなる構成とされている。 Include the gold wire 16, around the light emitting element 13 on the printed circuit board 11, formed by using a liquid epoxy resin 17 becomes sealed by the dome-shaped lens portion (projecting lens) 17a and a flange 17b It has the structure.

【0034】上記ドーム状レンズ部17aとしては、少なくとも0.5mm以上の高さを有して形成するのが望ましい。 [0034] Examples of the dome-shaped lens portion 17a, to form with at least 0.5mm or more in height is desirable. さて、このような構成の、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置を、たとえば、上記プリント基板11の厚さを0.5mm、上記発光素子13 Well, in this configuration, the protrusive domed lens with surface-mounted optical semiconductor device, for example, 0.5 mm thickness of the printed circuit board 11, the light emitting element 13
のサイズを0.3mm角、上記フランジ17bの厚さを0.5mmとし、その上に、上記ドーム状レンズ部17 0.3mm angle size, the thickness of the flange 17b and 0.5 mm, thereon, the dome-shaped lens portion 17
aを1.52mmの高さ(R=1.0mm)で形成した。 The a is formed at a height of 1.52mm (R = 1.0mm).

【0035】その結果、発光素子の光出力を同一とした場合において、上記ドーム状レンズ部17aのレンズ効果により、従来のフラットタイプ構造の表面実装型光半導体装置に比して約5倍の高輝度化が、また、従来のインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置に比して約2.5倍の高輝度化が、それぞれ達成できた。 [0035] In result, if the light output of the light emitting element were the same, by the lens effect of the dome-shaped lens portion 17a, about 5 times higher than the surface-mounted optical semiconductor device of the conventional flat-type structure brightness is also about 2.5 times higher luminance as compared with the conventional surface mount type optical semiconductor device with the inner lens, respectively achieved.

【0036】次に、図2を参照して、上記した構成の、 Next, with reference to FIG. 2, with the above arrangement,
突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の製造方法について説明する。 Method of manufacturing a projecting type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device will be described. なお、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の製造に際しては、従来のインナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の場合と同様に、たとえば、複数の開口21aが並列して設けられて、その開口21aの相互間に、それぞれ複数個分のプリント基板11が列状に形成されてなる絶縁板体21が用いられる。 When producing the protrusive domed lens with surface-mounted optical semiconductor device, as in the case of conventional surface-mounted optical semiconductor device with the inner lens, for example, a plurality of openings 21a are provided in parallel Te, therebetween of the opening 21a, the insulating plate member 21, each printed circuit board 11 of the plurality component is formed in a column shape is used.

【0037】また、その絶縁板体21の各列のプリント基板11のそれぞれには、上記配線14および上記外部リード部15があらかじめ形成されているものとする。 Further, each of the printed circuit board 11 in each column of the insulating plate member 21, it is assumed that the wiring 14 and the outer lead portions 15 are preformed.
まず、従来(たとえば、インナーレンズ付きの表面実装型光半導体装置の場合)と同一仕様の絶縁板体21の、 First, the conventional (e.g., if the surface-mounted optical semiconductor device with inner lens) and the same specification of the insulating plate member 21,
各列のプリント基板11上に、それぞれ銀ペースト12 On the printed circuit board 11 in each row, silver respectively paste 12
を介して、発光素子13を個々に固着する。 Through to secure the light emitting element 13 individually.

【0038】そして、各プリント基板11上において、 [0038] Then, on each printed circuit board 11,
発光素子13と配線14との間を金線16によりそれぞれボンディングする。 Between the light emitting element 13 and the wiring 14 are bonded respectively by gold wire 16. この後、絶縁板体21の主面(素子実装面側)に、その素子実装面を下側にして、加圧により封止型31を密着させる。 Thereafter, the main surface (element mounting surface side) of the insulating plate member 21, the element mounting surface facing downward, adhering the sealing mold 31 by pressure.

【0039】封止型31は、各発光素子13に対応して、上記ドーム状レンズ部17aおよび上記フランジ1 The sealing die 31, corresponding to each light emitting element 13, the dome-shaped lens portion 17a and the flange 1
7bの形成に必要な形状(キャビティ)を有してなる構成とされている。 7b has a configuration comprising a shape (cavity) required for the formation of.

【0040】また、封止型31は、たとえば、金属または非晶質ポリオレフィンなどの樹脂によって形成され、 Further, the sealing mold 31, for example, formed of a resin such as a metal or amorphous polyolefin,
各列ごとに、プリント基板11のそれぞれに連続して液状エポキシ樹脂17を供給することが可能な形状となっている(スルーゲート構造のトランスファモールド)。 For each row, it has become possible shape to supply a liquid epoxy resin 17 in succession in each of the printed circuit board 11 (transfer mold through gate structure).

【0041】さらに、封止型31は、液状エポキシ樹脂17の注入時に、樹脂17の逆流を防止するためのブッシュ32を備えて構成されている。 [0041] Further, the sealing mold 31, at the time of injection of the liquid epoxy resin 17 is configured to include a bushing 32 for preventing the backflow of resin 17. さて、絶縁板体21 Well, the insulating plate body 21
の主面に、ブッシュ32の組み込まれた封止型31が密着されると、続いて、絶縁板体21の他主面に、プリント基板11などの厚さのばらつきによる樹脂漏れを防止するためのシリコーンラバー33を装着する。 The main surface, the sealing mold 31 incorporated in the bushing 32 is in close contact, subsequently, the other main surface of the insulating plate member 21, in order to prevent resin leakage due to variations in the thickness of such printed circuit board 11 mounting the silicone rubber 33.

【0042】さらに、そのシリコーンラバー33を介して、絶縁板体21を型締治具41,42により挾み込み、7×10 6 Pa程度の圧力で型締めする。 [0042] Furthermore, through the silicone rubber 33, the insulating plate 21 narrowing sandwiched by the clamping jig 41, to clamping at a pressure of about 7 × 10 6 Pa. この状態において、たとえば、50〜60℃に加熱され、100 In this state, for example, it is heated to 50-60 ° C., 100
〜200Pa・s程度の粘度を有する液状エポキシ樹脂17を、ディスペンサー51を用いて上記封止型31内に注入する。 The liquid epoxy resin 17 having a viscosity of about ~200Pa · s, is injected into the sealing mold 31 with a dispenser 51.

【0043】このとき、液状エポキシ樹脂17は、各列ごとにプリント基板11のそれぞれに連続して供給され、その途中においてほとんど粘度が変わることなく、 [0043] At this time, liquid epoxy resin 17 is fed continuously to each of the printed circuit board 11 for each column, with almost no viscosity change in the middle,
封止型31のそれぞれのレンズ部分へ充分に供給される。 It is sufficiently supplied to the respective lens portions of the sealing mold 31.

【0044】樹脂注入後、120℃程度の温度で、2時間ほど加熱して、上記液状エポキシ樹脂17を硬化させる。 [0044] After the resin injection, at a temperature of about 120 ° C., and heated for about two hours, curing the liquid epoxy resin 17. そして、型締めをといて封止型31などを取り外した後、液状エポキシ樹脂17によってそれぞれ一括して封止されて、各発光素子13上にドーム状レンズ部17 Then, after removing the like sealed type 31 Toi clamping, sealed collectively respectively by the liquid epoxy resin 17, a dome-shaped lens on to the light emitting element 13 17
aが形成された各列のプリント基板11をダイシングによって個々に切り離すことで、図1に示した、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置が製造される。 a Decoupling individually by dicing the printed circuit board 11 of each column is formed, as shown in FIG. 1, the projecting type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device is manufactured.

【0045】このようにして製造される、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置によれば、そのレンズ効果により、さほどのコストアップを招くことなしに、格段の高輝度化を達成できる。 [0045] In this manner are prepared, according to the projecting type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device, by its lens effect, without incurring much cost increase, achieving a remarkably high luminance it can.

【0046】すなわち、液状エポキシ樹脂17は従来のエポキシ系の樹脂(タブレット状)に比べて硬化の速度が遅い。 [0046] That is, the liquid epoxy resin 17 is slow speed of curing as compared with the conventional epoxy resin (like tablets). したがって、スルーゲート構造でも、樹脂17 Therefore, even through the gate structure, a resin 17
が硬化し始める前に、樹脂17をレンズ部分へ充分に流し込むことが可能となるため、レンズ部分での気泡の発生を大幅に低減することが可能となる。 There before beginning to cure, since it is possible to sufficiently pouring the resin 17 into the lens portion, it is possible to greatly reduce the occurrence of bubbles in the lens portion.

【0047】しかも、本例の場合、封止型31のレンズ部分を下側に向けることによって、樹脂注入時のレンズ部分への樹脂17の流れ込みがさらに良くなるようにしている。 [0047] Moreover, in this example, by directing the lens portion of the sealing die 31 to the lower, so that flow of the resin 17 to the lens portion during resin injection is better.

【0048】図3は、かかる突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の製造方法の要部を断面にして示すものである。 [0048] Figure 3 is a main part of a method of manufacturing a projecting type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device illustrates in the cross section. すなわち、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置を製造する場合、液状エポキシ樹脂17が、封止型31のレンズ部分を下側に向けた状態で、該封止型31のキャビティ31a内に注入されるようにしている。 That is, when manufacturing a projecting type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device, a liquid epoxy resin 17, the lens portion of the sealing mold 31 in a state of facing downward, cavity 31a of the sealing mold 31 It is to be injected within.

【0049】これにより、レンズ部分への樹脂17の効果的な供給が可能となって、気泡の発生率を大幅に減少できるとともに、短時間での樹脂17の注入が可能となる。 [0049] Thus, making it possible to effectively supply the resin 17 into the lens portion, it is possible to greatly reduce the incidence of air bubbles, it is possible to injection of the resin 17 in a short time. また、注入の途中で樹脂17が硬化するのを遅らせることが可能となるため、樹脂注入時の圧力や注入速度の制御が容易となり、金線16が樹脂17によって変形されるといった問題も解消される。 Further, since the middle resin 17 of the injection it is possible to delay the curing will facilitate control of the pressure and injection rate at the time of resin injection, also eliminates problems such as gold wire 16 is deformed by the resin 17 that.

【0050】したがって、金線16の細線化とともに、 [0050] Thus, along with the thinning of the gold wire 16,
樹脂17の注入にともなう金線16の変形による製品の品質や歩留まりの低下を改善できる。 It can improve the deterioration of the quality and yield of the product due to the deformation of the gold wires 16 due to the injection of the resin 17. 上記したように、 As described above,
液状エポキシ樹脂の採用により、樹脂の注入の方法や条件を最適化できるようにしている。 The adoption of a liquid epoxy resin, so that optimize the method and conditions of injection of the resin.

【0051】すなわち、従来のタブレット状のエポキシ系の樹脂よりも硬化の速度が遅い、液状エポキシ樹脂を用いて発光素子上に突出型レンズを形成するようにしている。 [0051] That is, as the speed of cure than conventional resin tablet-like epoxy is slow to form a projecting lens onto the light-emitting element using a liquid epoxy resin. これにより、スルーゲート構造のトランスファモールドでの、レンズ部分での気泡の発生を低減することが可能となり、径の大きなレンズを短時間で形成できるようになる。 Thus, in the transfer mold through the gate structure, it is possible to reduce the occurrence of bubbles in the lens portion, it is possible to form in a short time a large lens diameter. したがって、製品のコストアップを招くことなしに、安価に高輝度化を実現することが可能となるものである。 Therefore, without incurring the cost of a product, in which it is possible to realize a low cost high luminance.

【0052】また、液状エポキシ樹脂の注入によって金線が変形などされるのを抑制できるため、製造の歩留まりの向上および製品の品質の安定化を図ることが可能となるものである。 [0052] Further, since it prevent the gold wire by injection of the liquid epoxy resin is deformation, in which it is possible to stabilize the quality improvement and product manufacturing yield.

【0053】なお、上記した本発明の実施の一形態(本例)においては、光半導体素子として発光素子を用いた場合を例に説明したが、これに限らず、たとえば受光素子を実装してなる光半導体装置や発光素子と受光素子の両方を実装してなる反射型センサなどの光半導体装置にも適用可能である。 [0053] Note that in one embodiment (the present embodiment) of the present invention described above, a case where the optical semiconductor device using a light emitting element has been described as an example, not limited to this, for example, by mounting a light-receiving element to an optical semiconductor device such as a reflective type sensor and optical semiconductor devices and light emitting device comprising comprising implements both of the light receiving element can be applied.

【0054】特に、反射型センサの場合、発光素子上および受光素子上にそれぞれドーム状レンズを別個に形成するようにすることで、誤動作を軽減でき、高信頼性を達成できる。 [0054] Particularly, in the case of a reflection type sensor, respectively on the light emitting element and the light receiving element by the so formed separately domed lens, it can reduce malfunctions, thereby ensuring higher reliability.

【0055】また、二種類以上の電極が同一面方向に形成されてなる光半導体素子を実装してなる光半導体装置にも同様に適用できる。 [0055] Also, it is equally applicable to an optical semiconductor device formed by mounting an optical semiconductor element two or more electrodes are formed on the same plane direction. 図4〜図7は、いずれも本発明の実施の他の形態にかかる、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置を、たとえば、In(x)A 4-7 are all according to another embodiment of the present invention, the protrusive domed lens with surface-mounted optical semiconductor device, for example, an In (x) A
l(y)Ga(1−x−y)N(0≦x,y≦1,x+ l (y) Ga (1-x-y) N (0 ≦ x, y ≦ 1, x +
y≦1)からなる窒化ガリウム系化合物半導体を有し、 y ≦ 1) has a gallium nitride-based compound semiconductor made of,
素子の同一面方向にp型とn型の両電極が形成されてなる発光素子13aを実装してなる場合を例に示すものである。 The case where formed by mounting the light emitting element 13a which is both electrodes of p-type and n-type in the same plane direction formed by the formation of the element is as shown in Examples.

【0056】図4に示す突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置は、たとえば、プリント基板11 [0056] Figure 4 protrusive domed lens with surface-mounted optical semiconductor device shown in, for example, printed circuit board 11
の表面のマウント部に、ペースト12aを介して、上記発光素子13aが固着され、該発光素子13aの各電極と配線14a,14bとが、それぞれ金線16a,16 The mounting portion of the surface of the via paste 12a, the light emitting element 13a is secured, the electrodes and the wiring 14a of the light emitting element 13a, and a 14b, respectively gold wires 16a, 16
bにより電気的に結線されている。 It is electrically connected by b.

【0057】そして、この金線16a,16bを含んで、上記プリント基板11上の上記発光素子13aの周囲が、液状エポキシ樹脂17を用いてなる、ドーム状レンズ部17aおよびフランジ17bによって封止されてなる構成とされている。 [0057] Then, the gold wire 16a, comprise 16b, around the light-emitting element 13a on the printed circuit board 11, formed by using a liquid epoxy resin 17 is sealed by a dome-shaped lens portion 17a and the flange 17b It becomes Te configuration to have been.

【0058】この場合、上記発光素子13aには、通常、絶縁性基板が用いられる。 [0058] In this case, the light emitting element 13a, usually, the insulating substrate is used. このため、上記ペースト12aとしては、導電性のものまたは絶縁性のもののどちらを用いてもよい。 Therefore, as the paste 12a, either one of the conductive or insulating ones may be used.

【0059】図5に示す突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置は、たとえば、反射板11aが設けられたプリント基板11の表面のマウント部に、ペースト12aを介して、上記発光素子13aが固着され、 [0059] Figure 5 protrusive domed lens with surface-mounted optical semiconductor device shown in, for example, the mounting portion of the surface of the printed circuit board 11 reflector 11a is provided, through the paste 12a, the light emitting element 13a is fixed,
該発光素子13aの各電極と配線14a,14bとが、 Each electrode wiring 14a of the light emitting element 13a, and a 14b,
それぞれ金線16a,16bにより電気的に結線されている。 Each gold wire 16a, and is electrically connected by 16b.

【0060】そして、この金線16a,16bを含んで、上記プリント基板11上の上記発光素子13aの周囲が、液状エポキシ樹脂17を用いてなる、ドーム状レンズ部17aおよびフランジ17bによって封止されてなる構成とされている。 [0060] Then, the gold wire 16a, comprise 16b, around the light-emitting element 13a on the printed circuit board 11, formed by using a liquid epoxy resin 17 is sealed by a dome-shaped lens portion 17a and the flange 17b It becomes Te configuration to have been.

【0061】この場合、反射板11aによって発光素子13aの発光をより有効にドーム状レンズ部17aに結合させることが可能となる。 [0061] In this case, it is possible to bond the light emission of the light emitting element 13a to more effectively domed lens portion 17a by the reflecting plate 11a. このため、発光素子13a Therefore, the light emitting element 13a
を30〜100μm厚程度に薄型化することで、結合効率のさらなる向上が図れる。 The By thinned to about 30~100μm thickness, thereby further improving the coupling efficiency.

【0062】図6に示す突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置は、たとえば、プリント基板11 [0062] Figure 6 protrusive domed lens with surface-mounted optical semiconductor device shown in, for example, printed circuit board 11
の凹部11b内に、ペースト12aを介して、上記発光素子13aが固着され、該発光素子13aの各電極と配線14a,14bとが、それぞれ金線16a,16bにより電気的に結線されている。 The recess 11b in the via paste 12a, the light emitting element 13a is secured, the electrodes and the wiring 14a of the light emitting element 13a, and a 14b, respectively gold 16a, are electrically connected by 16b.

【0063】そして、この金線16a,16bを含んで、上記プリント基板11上の上記発光素子13aの周囲が、液状エポキシ樹脂17を用いてなる、ドーム状レンズ部17aおよびフランジ17bによって封止されてなる構成とされている。 [0063] Then, the gold wire 16a, comprise 16b, around the light-emitting element 13a on the printed circuit board 11, formed by using a liquid epoxy resin 17 is sealed by a dome-shaped lens portion 17a and the flange 17b It becomes Te configuration to have been.

【0064】この場合、たとえば、プリント基板11に凹部11bを形成し、その凹部11bの傾斜壁面に反射膜を蒸着したり、反射材を埋め込むことで、発光素子1 [0064] In this case, for example, a recess 11b on the printed circuit board 11, or by depositing a reflective film on the inclined wall surface of the recess 11b, by embedding a reflective material, the light-emitting element 1
3aを薄型化せずに、上記の図5に示した突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置と同様の効果が期待できる。 3a and without thinning, the same effect as protrusive domed lens with surface-mounted optical semiconductor device shown in FIG. 5 above can be expected.

【0065】図7に示す突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置は、たとえば、上記発光素子13 [0065] Figure 7 protrusive domed lens with surface-mounted optical semiconductor device shown in, for example, the light emitting element 13
aの各電極とプリント基板11上の各配線14a,14 Each wire 14a on the electrode and the printed circuit board 11 of a, 14
bとが直に接続され、かつ、その接続部を含んで、上記プリント基板11上の上記発光素子13aの周囲が、液状エポキシ樹脂17を用いてなる、ドーム状レンズ部1 b and is directly connected, and includes the connection portion, the periphery of the light emitting device 13a on the printed circuit board 11, formed by using a liquid epoxy resin 17, a dome-shaped lens portion 1
7aおよびフランジ17bによって封止されてなる構成とされている。 Has a configuration comprising sealed by 7a and the flange 17b.

【0066】この場合、ペーストや金線が不要となる分、低廉化が図れるとともに、フェイスダウンによるワイヤレスボンディングにより品質の向上が可能となる。 [0066] In this case, amount that paste or gold wire is not required, with attained is cost reduction, it is possible to improve the quality by wireless bonding by face-down.
さらには、上記したいずれの形態においても、プリント基板11とドーム状レンズ部17aとの密着性を高めるとともに、表面実装時のピックアップ性の向上を図るなどの目的で、ドーム状レンズ部17aの下方にフランジ17bを設けるようにしたが、フランジ17bの形成は必ずしも必要としない。 Further, in any of the embodiments described above, to increase the adhesion between the printed circuit board 11 and the dome-shaped lens portion 17a, the purpose of improving the pickup at the time of surface mounting, the lower domed lens portion 17a It was to provide a flange 17b, the formation of the flange 17b is not necessarily required. その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。 Other, within a scope not changing the gist of the present invention, it is of course that various modifications can be implemented.

【0067】 [0067]

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれば、コストアップなしに高輝度化を実現でき、歩留まりの向上および品質の安定化を図ることが可能な光半導体装置およびその製造方法を提供できる。 Effect of the Invention] According to the present invention as described in detail, it can achieve high brightness without increasing the cost, improve and method capable optical semiconductor device and a manufacturing possible to stabilize the quality of the yield It can provide.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明の実施の一形態にかかる、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の概略構成を示す断面図。 Figure 1 is a cross-sectional view according to an embodiment, showing the schematic configuration of the projection type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device of the present invention.

【図2】同じく、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の製造プロセスを説明するために示す概略斜視図。 [Figure 2] Similarly, a schematic perspective view for explaining the manufacturing process of the protrusive domed lens with surface-mounted optical semiconductor device.

【図3】同じく、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の製造プロセスを説明するために示す概略断面図。 [Figure 3] Similarly, a schematic cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a projecting type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device.

【図4】この発明の実施の他の形態にかかる、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の概略構成を示す断面図。 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a according to another embodiment of the present invention, protruding type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device.

【図5】同じく、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の他の構成を示す概略断面図。 [5] Similarly, a schematic sectional view showing another configuration of the projection type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device.

【図6】同じく、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の他の構成を示す概略断面図。 [6] Similarly, a schematic sectional view showing another configuration of the projection type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device.

【図7】同じく、突出型のドーム状レンズ付き表面実装型光半導体装置の他の構成を示す概略断面図。 [7] Similarly, a schematic sectional view showing another configuration of the projection type domed lens with surface-mounted optical semiconductor device.

【図8】従来技術とその問題点を説明するために示す、 8 shows for explaining a conventional art and its problems,
フラットタイプ構造の表面実装型光半導体装置の概略断面図。 Schematic cross-sectional view of a surface mount type optical semiconductor device of a flat type structure.

【図9】同じく、従来のインナーレンズ付き表面実装型光半導体装置の概略構成を示す断面図。 [9] Also, cross-sectional view showing a schematic configuration of a conventional inner lens with surface-mounted optical semiconductor device.

【図10】同じく、従来のインナーレンズ付き表面実装型光半導体装置の製造方法を説明するために示す概略斜視図。 [10] Similarly, a schematic perspective view for explaining a manufacturing method of the conventional inner lens with surface-mounted optical semiconductor device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11…プリント基板 11a…反射板 11b…凹部 12…銀ペースト 12a…ペースト 13,13a…発光素子 14,14a,14b…配線 15…外部リード部 16,16a,16b…金線 17…液状エポキシ樹脂 17a…ドーム状レンズ部 17b…フランジ 21…絶縁板体 31…封止型 31a…キャビティ 32…ブッシュ 33…シリコーンラバー 41,42…型締治具 51…ディスペンサー 11 ... printed circuit board 11a ... reflector 11b ... recess 12 ... silver paste 12a ... paste 13, 13a ... emitting element 14, 14a, 14b ... wire 15 ... outer lead portions 16, 16a, 16b ... gold wire 17 ... liquid epoxy resin 17a ... dome lens portion 17b ... flange 21 ... insulating plate 31 ... sealed 31a ... cavity 32 ... bush 33 ... silicone rubber 41 ... clamping jig 51 ... dispenser

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 岩夫 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 (72)発明者 永澤 裕 福岡県北九州市小倉北区下到津1丁目10番 1号 株式会社東芝北九州工場内 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Iwao Matsumoto Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Saiwai-ku Horikawa-cho, 72 address stock company Toshiba Kawasaki workplace (72) inventor Hiroshi Nagasawa Kitakyushu, Fukuoka Prefecture Kokura-ku Shimoitozu 1-chome No. 10 No. 1 Toshiba Corporation Kitakyushu in the factory

Claims (21)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 光半導体素子を基板に実装し、前記光半導体素子上に突出型のドーム状レンズを有してなることを特徴とする光半導体装置。 [Claim 1] The optical semiconductor element mounted on the substrate, an optical semiconductor device characterized by comprising a projecting type domed lens on the optical semiconductor element.
  2. 【請求項2】 少なくとも1個以上の光半導体素子が実装されていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。 2. An optical semiconductor device according to claim 1, characterized in that at least one or more optical semiconductor element is mounted.
  3. 【請求項3】 前記光半導体素子は、発光素子、受光素子、または、その両者のいずれかであることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の光半導体装置。 Wherein the optical semiconductor element, the light-emitting element, light receiving element, or an optical semiconductor device according to claim 1 or 2, characterized in that either both.
  4. 【請求項4】 光半導体素子が実装された絶縁基板の主面に封止型を密着させ、その封止型内に液状樹脂を注入して硬化させることにより、前記光半導体素子上に突出型のドーム状レンズを形成するようにしたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。 4. brought into close contact with sealed type in the main surface of the insulating substrate optical semiconductor element is mounted, by curing the liquid resin injected to within the sealed type, protruding type on the optical semiconductor element method of manufacturing an optical semiconductor device being characterized in that so as to form a dome-shaped lens.
  5. 【請求項5】 前記絶縁基板は、その主面に、前記光半導体素子が電気的に接続される配線が、また、その裏面に、前記配線につながる外部導出端子が、それぞれ配設されてなることを特徴とする請求項4に記載の光半導体装置の製造方法。 Wherein said insulating substrate is provided at its main surface, a wiring the optical semiconductor element is electrically connected, also on the back surface, an external lead-out terminal connected to the wire and are disposed respectively the method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 4, characterized in that.
  6. 【請求項6】 前記光半導体素子は、発光素子、受光素子、または、その両者のいずれかであることを特徴とする請求項4に記載の光半導体装置の製造方法。 Wherein said optical semiconductor element, the light-emitting element, light receiving element, or the method for manufacturing the optical semiconductor device according to claim 4, characterized in that either both.
  7. 【請求項7】 前記封止型は、前記絶縁基板上の光半導体素子に対応して、ドーム形状部が形成されてなることを特徴とする請求項4に記載の光半導体装置の製造方法。 Wherein said sealing type, the corresponds to the optical semiconductor element on the insulating substrate, the method for manufacturing the optical semiconductor device according to claim 4, characterized by comprising a dome-shaped portion is formed.
  8. 【請求項8】 前記液状樹脂の注入は、前記封止型のドーム形状部を下方に向けた状態で行われることを特徴とする請求項4に記載の光半導体装置の製造方法。 Injection wherein said liquid resin, the method for manufacturing the optical semiconductor device according to claim 4, characterized in that it is performed in a state where the dome-shaped portion of the sealing mold facing downward.
  9. 【請求項9】 前記液状樹脂は、0.1〜1000Pa Wherein said liquid resin, 0.1~1000Pa
    ・s程度の溶融粘度を有することを特徴とする請求項4 - claim 4, characterized in that it has a melt viscosity of about s
    に記載の光半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing an optical semiconductor device according to.
  10. 【請求項10】 複数の光半導体素子がそれぞれ実装された各絶縁基板の上面に封止型を密着させ、その封止型内に液状樹脂を連続的に注入して硬化させることにより、前記各光半導体素子上にそれぞれ突出型のドーム状レンズを一括して形成するようにしたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。 10. brought into close contact with a plurality of sealed type on the upper surface of each insulating substrate optical semiconductor element is mounted, respectively, by hardening the liquid resin is continuously injected into the sealed type, each method of manufacturing an optical semiconductor device being characterized in that so as to collectively form the respective protrusive domed lens on the optical semiconductor element.
  11. 【請求項11】 前記絶縁基板は、絶縁板体に形成された複数の開口の相互に列状に設けられ、各基板の表面には、前記光半導体素子が電気的に接続される配線が、また、各基板の裏面には、前記開口の側面を介して前記配線につながる外部導出端子が、それぞれ配設されてなることを特徴とする請求項10に記載の光半導体装置の製造方法。 Wherein said insulating substrate is provided in rows mutually a plurality of openings formed in the insulating plate member, the surface of each substrate, wiring of the optical semiconductor element are electrically connected, Further, on the back surface of the substrate, the method for manufacturing the optical semiconductor device according to claim 10, external lead terminals connected to the wiring through a side surface of said opening, characterized by comprising respectively disposed.
  12. 【請求項12】 前記光半導体素子は、発光素子、受光素子、または、その両者のいずれかであることを特徴とする請求項10に記載の光半導体装置の製造方法。 12. The optical semiconductor element, the light-emitting element, light receiving element, or the method for manufacturing the optical semiconductor device according to claim 10, characterized in that either both.
  13. 【請求項13】 前記封止型は、前記各絶縁基板上の各光半導体素子に対応して、ドーム形状部がそれぞれ形成されてなることを特徴とする請求項10に記載の光半導体装置の製造方法。 Wherein said sealing type, the corresponding to each optical semiconductor element on the insulating substrate, the optical semiconductor device according to claim 10, characterized in that the dome-shaped portion is formed respectively Production method.
  14. 【請求項14】 前記液状樹脂の注入は、前記封止型の各ドーム形状部を下方に向けた状態で行われることを特徴とする請求項10に記載の光半導体装置の製造方法。 Infusion according to claim 12, wherein the liquid resin, the method for manufacturing the optical semiconductor device according to claim 10, characterized in that it is performed in a state where the respective dome-shaped portion of the sealing mold facing downward.
  15. 【請求項15】 前記液状樹脂は、0.1〜1000P 15. The liquid resin, 0.1~1000P
    a・s程度の溶融粘度を有することを特徴とする請求項10に記載の光半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 10, characterized in that it has a melt viscosity of about a · s.
  16. 【請求項16】 各絶縁基板上にそれぞれ光半導体素子を実装する工程と、 前記各絶縁基板の上面に、ドーム形状部がそれぞれ形成されてなる封止型を密着させる工程と、 前記封止型の各ドーム形状部内に液状樹脂を連続して注入する工程と、 前記液状樹脂を硬化させて、前記各光半導体素子上にそれぞれ突出型のドーム状レンズを形成する工程と、 前記封止型を取り外した後、前記各絶縁基板を光半導体素子ごとに分離する工程とからなることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 A step of 16. The mounting each optical semiconductor element on each insulating substrate, wherein the upper surface of the insulating substrate, a step of adhering the sealed type dome shaped portion is formed respectively, wherein the sealed type implanting liquid resin successively into each dome-shaped portion of, by curing the liquid resin, and forming the domed lens for each projected type on the optical semiconductor elements, the sealed type after removal, a method of manufacturing an optical semiconductor device characterized by comprising a step of separating each insulating substrate for each optical semiconductor element.
  17. 【請求項17】 前記絶縁基板は、絶縁板体に形成された複数の開口の相互に列状に設けられ、各基板の表面には、前記光半導体素子が電気的に接続される配線が、また、各基板の裏面には、前記開口の側面を介して前記配線につながる外部導出端子が、それぞれ配設されてなることを特徴とする請求項16に記載の光半導体装置の製造方法。 17. The insulating substrate is provided in rows mutually a plurality of openings formed in the insulating plate member, the surface of each substrate, wiring of the optical semiconductor element are electrically connected, Further, on the back surface of the substrate, the method for manufacturing the optical semiconductor device according to claim 16, external lead terminals connected to the wiring through a side surface of said opening, characterized by comprising respectively disposed.
  18. 【請求項18】 前記光半導体素子は、発光素子、受光素子、または、その両者のいずれかであることを特徴とする請求項16に記載の光半導体装置の製造方法。 18. The optical semiconductor element, the light-emitting element, light receiving element, or the method for manufacturing the optical semiconductor device according to claim 16, characterized in that either both.
  19. 【請求項19】 前記封止型は、金属または樹脂によって形成されてなることを特徴とする請求項16に記載の光半導体装置の製造方法。 19. the sealing type, a method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 16, characterized by being formed of a metal or resin.
  20. 【請求項20】 前記液状樹脂を注入する工程は、前記封止型の各ドーム形状部を下方に向けた状態で行われることを特徴とする請求項16に記載の光半導体装置の製造方法。 20. A process for injecting the liquid resin, the method for manufacturing the optical semiconductor device according to claim 16, characterized in that it is performed in a state where the respective dome-shaped portion of the sealing mold facing downward.
  21. 【請求項21】 前記液状樹脂は、0.1〜1000P 21. The liquid resin, 0.1~1000P
    a・s程度の溶融粘度を有することを特徴とする請求項16に記載の光半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 16, characterized in that it has a melt viscosity of about a · s.
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