JPH09152625A - Transmission type liquid crystal display device and its production - Google Patents

Transmission type liquid crystal display device and its production

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JPH09152625A
JPH09152625A JP21177996A JP21177996A JPH09152625A JP H09152625 A JPH09152625 A JP H09152625A JP 21177996 A JP21177996 A JP 21177996A JP 21177996 A JP21177996 A JP 21177996A JP H09152625 A JPH09152625 A JP H09152625A
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liquid crystal
display device
crystal display
interlayer insulating
electrode
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JP21177996A
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Masaru Kajitani
Mikio Katayama
Naofumi Kondo
Yukinobu Nakada
Hirohiko Nishiki
Masaya Okamoto
Yoshikazu Sakihana
Naoyuki Shimada
Yoshihiro Shimada
Akihiro Yamamoto
幸伸 中田
由和 咲花
明弘 山本
昌也 岡本
尚幸 島田
吉祐 嶋田
優 梶谷
幹雄 片山
直文 近藤
博彦 錦
Original Assignee
Sharp Corp
シャープ株式会社
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To overlap pixel electrodes and respective wirings for improving an opening rate and to lessen the influence that the capacitances between respective wirings and the pixel electrodes exert on display. SOLUTION: Interlayer insulating films 38 are formed on the upper parts of TFTs 24, gate wirings and source wirings 23. The pixel electrodes 21 are formed thereon. The pixel electrodes 21 are connected to the drain electrode 36b of the TFT 24 by connecting electrodes 25 via contact holes 26 penetrating these interlayer insulating films 38. The interlayer insulating films 38 consist of org. thin films consisting of acrylic photosensitive resins, etc., and have the lower dielectric constant than the dielectric constant of inorg. thin films consisting of silicon nitride, etc. The interlayer insulating films 38 are easily formable to a larger film thickness. The capacitances between the respective wirings and the pixel electrodes 21 are, therefore, decreased. Transparent conductive films are used for the connecting electrodes 25 for connecting the drain electrodes 36b of the TFTs 24 and pixel electrodes 21.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンピュータやテレビジョン装置などのディスプレイに利用され、 The present invention relates to, for example, is used to display such as a computer or a television set,
アドレス素子として薄膜トランジスタ(以下TFTという)などのスイッチング素子を備えた透過型液晶表示装置およびその製造方法に関する。 It relates to a transmission type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof with a switching element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) as address devices.

【0002】 [0002]

【従来の技術】図16は、アクティブマトリクス基板を備えた従来の透過型液晶表示装置の構成を示す回路図である。 BACKGROUND ART FIG. 16 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional transmission type liquid crystal display device including the active matrix substrate.

【0003】図16において、このアクティブマトリクス基板には、複数の画素電極1がマトリクス状に形成されており、この画素電極1には、スイッチング素子であるTFT2が接続されて設けられている。 [0003] In FIG. 16, the active matrix substrate, a plurality of pixel electrodes 1 are formed in a matrix, the pixel electrode 1, TFT 2 is a switching element is provided connected. このTFT2 The TFT2
のゲート電極には走査信号を供給するためのゲート配線3が接続され、ゲート電極に入力されるゲート信号によってTFT2が駆動制御される。 The gate electrode of which is connected to the gate lines 3 for supplying a scanning signal, TFT 2 by a gate signal input to the gate electrode is driven and controlled. また、TFT2のソース電極には表示信号(データ信号)を供給するためソース配線4が接続され、TFT2の駆動時に、TFT2を介してデータ(表示)信号が画素電極1に入力される。 Further, the TFT2 of the source electrode is connected to source lines 4 for supplying a display signal (data signal), the time of TFT2 drive, data (display) signal is input to the pixel electrode 1 via the TFT2.
各ゲート配線3とソース配線4とは、マトリクス状に配列された画素電極1の周囲を通り、互いに直交差するように設けられている。 The gate lines 3 and the source line 4, through the periphery of the pixel electrodes 1 arranged in a matrix, is provided so as to directly intersect one another. さらに、TFT2のドレイン電極は画素電極1および付加容量5に接続されており、この付加容量5の対向電極はそれぞれ共通配線6に接続されている。 Furthermore, TFT 2 of the drain electrode is connected to the pixel electrode 1 and the additional capacitor 5, the counter electrode of the additional capacitor 5 is connected to the common line 6, respectively. 付加容量5は液晶層に印加される電圧を保持するために用いられる。 Additional capacitor 5 is used for holding the voltage applied to the liquid crystal layer. 付加容量は、アクティブマトリクス基板に形成された画素電極と対向基板に形成された対向電極とに狭持された液晶層を含む液晶容量と、並列に設けられる。 Additional capacitance includes a liquid crystal capacitor which includes a liquid crystal layer interposed a counter electrode formed on the pixel electrode and the counter substrate which is formed on an active matrix substrate provided in parallel.

【0004】図17は従来の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のTFT部分の断面図である。 [0004] Figure 17 is a sectional view of a TFT portion of the active matrix substrate in a conventional liquid crystal display device.

【0005】図17において、透明絶縁性基板11上に、図16のゲート配線3に接続されたゲート電極12 [0005] In FIG. 17, on a transparent insulating substrate 11, a gate electrode 12 connected to the gate line 3 in FIG. 16
が形成され、その上を覆ってゲート絶縁膜13が形成されている。 There is formed, the gate insulating film 13 overlying the is formed. さらにその上にはゲート電極12と重畳するように半導体層14が形成され、その中央部上にチャネル保護層15が形成されている。 As the semiconductor layer 14 is formed so as to overlap with the gate electrode 12 is formed on the channel protective layer 15 is formed on its central portion further. このチャネル保護層1 The channel protective layer 1
5の両端部および半導体層14の一部を覆い、チャネル保護層15上で分断された状態で、ソース電極16aおよびドレイン電極16bとなるn + Si層が形成されている。 Both end portions of the 5 and covering a portion of the semiconductor layer 14, while being separated on the channel protection layer 15, n + Si layer serving as a source electrode 16a and drain electrode 16b are formed. 一方のn + Si層であるソース電極16a上には、図16のソースソース配線4となる金属層17aが形成され、他方のn + Si層であるドレイン電極16b On the source electrode 16a is one of n + Si layer, a metal layer 17a is formed as a source the source line 4 in FIG. 16, the drain electrode 16b as the other n + Si layer
上には、ドレイン電極16bと画素電極1とを接続する金属層17bが形成されている。 The upper metal layer 17b for connecting the drain electrode 16b and the pixel electrode 1 is formed. さらに、これらのTF In addition, these TF
T2、ゲート配線3およびソース配線4上部を覆って層間絶縁膜18が形成されている。 T2, the interlayer insulating film 18 covering the gate lines 3 and the source line 4 the upper is formed.

【0006】この層間絶縁膜18の上には、画素電極1 [0006] On the interlayer insulating film 18, the pixel electrode 1
となる透明導電膜が形成され、この透明導電膜は、層間絶縁膜18を貫くコンタクトホール19を介して、TF Is formed a transparent conductive film to be the, the transparent conductive film through a contact hole 19 penetrating the interlayer insulating film 18, TF
T2のドレイン電極16bと接続した金属層17bと接続されている。 It is connected to the metal layer 17b which is connected to the drain electrode 16b of T2.

【0007】このように、ゲート配線3およびソース配線4と、画素電極1となる透明導電膜との間に層間絶縁膜18が形成されているので、各配線3,4に対して画素電極1をオーバーラップさせることができる。 [0007] Thus, the gate line 3 and the source line 4, since the interlayer insulating film 18 is formed between the transparent conductive film to be the pixel electrode 1, the pixel electrode 1 with respect to the wires 3 and 4 it is possible to overlap. このような構造は、例えば特開昭58−172685号公報に開示されており、これによって液晶表示装置の開口率を向上させることができると共に、各配線3,4に起因する電界をシールドしてディスクリネーションを抑制することができる。 Such structures are, for example JP 58-172685 is disclosed in JP, whereby it is possible to improve the aperture ratio of the liquid crystal display device, an electric field due to the wirings 3 and 4 and the shield it is possible to suppress disclination.

【0008】上記層間絶縁膜18としては、従来、窒化シリコン(SiN)などの無機膜をCVD法を用いて膜厚500nm程度に形成していた。 [0008] As the interlayer insulating film 18 is conventionally been formed in a thickness of about 500nm by CVD an inorganic film such as silicon nitride (SiN).

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この層間絶縁膜18上に透明絶縁膜であるSiN x ,SiO 2 [SUMMARY OF THE INVENTION However, SiN x, SiO 2 which is a transparent insulating film on the interlayer insulating film 18,
TaO xなどをCVD法またはスパッタ法により成膜した場合、その下地膜の膜厚による凹凸を反映するので、 If TaO x and was deposited by a CVD method or a sputtering method, reflect the unevenness due to thickness of the base film,
画素電極1をこの上に形成したときに下地膜の段差により段差が形成されて液晶分子の配向不良を引き起こすという問題があった。 There is a problem that a step is formed causing poor orientation of liquid crystal molecules by the step of the base film at the time of forming the pixel electrode 1 thereon.

【0010】また、画素部を平坦化するためにポリイミドなどの有機膜の塗布により成膜した場合、画素電極とドレイン電極を電気的に接続させるためのコンタクトホールを形成するために、マスク材を用いてフォトパターニングを行い、エッチングにより、コンタクトホールの加工を行って、最後に不要となったフォトレジストを剥離する工程を必要としていた。 Further, when formed by coating an organic film such as polyimide to flatten the pixel portion, in order to form a contact hole for electrically connecting the pixel electrode and the drain electrode, a mask material the photo-patterning was carried out, etching using, it performs processing of contact holes, have required a step of peeling the last photoresist which is unnecessary. また、このエッチングおよび剥離工程を短縮化するために感光性ポリイミド膜を使用する方法も考えられるが、この場合、層間絶縁膜を形成した後の樹脂が着色して見えるために、高い光透過性および透明性が要求される液晶表示装置の層間絶縁膜には適さないという問題があった。 Further, a method of using a photosensitive polyimide film is also conceivable to shorten the etching and stripping steps, in this case, because the resin after forming an interlayer insulating film appears colored, high light transmittance and transparency is disadvantageously unsuitable for an interlayer insulating film of a liquid crystal display device is required.

【0011】また、上記従来の液晶表示装置のように、 [0011] In addition, as in the above conventional liquid crystal display device,
ゲート配線3およびソース配線4と、画素電極1との間に層間絶縁膜18を形成すると、各配線3,4に対して画素電極1をオーバーラップさせることができ、液晶表示装置の開口率向上させることができる。 The gate line 3 and the source line 4, forming an interlayer insulating film 18 between the pixel electrode 1, it is possible to overlap the pixel electrode 1 for each line 3,4, improving the aperture ratio of the liquid crystal display device it can be. ところが、このように、各配線3,4と画素電極1とをオーバーラップさせる構造とした場合、各配線3,4と画素電極1との間の容量が増加するという問題を有していた。 However, in this way, when a structure to overlap each wirings 3 and 4 and the pixel electrode 1, has a problem that the capacitance between the wires 3, 4 and the pixel electrode 1 is increased. 特に、 Especially,
窒化シリコン膜などの無機膜は比誘電率が8と高く、C Inorganic film such as a silicon nitride film has a high relative dielectric constant is 8, C
VD法を用いて成膜しており、500nm程度の膜厚となる。 It has been formed by using the VD method, a thickness of about 500nm. この程度の膜厚では各配線3,4と画素電極1との間の容量の増加が大きくなり、以下の(1),(2) This degree film increased capacity is increased between the wires 3, 4 and the pixel electrode 1 in thickness, the following (1), (2)
に示すような問題があった。 There has been a problem such as that shown in. なお、窒化シリコン膜などの無機膜をそれ以上の膜厚に成膜しようとすると、製造プロセス上、時間がかかりすぎるという問題を有していた。 Incidentally, when an inorganic film such as a silicon nitride film films are to be formed in more thickness, the manufacturing process has a problem that it takes too long.

【0012】(1)ソース配線4と画素電極1とをオーバーラップさせる構造とした場合、ソース配線4と画素電極1との間の容量が大きくなって信号透過率が大きくなり、保持期間の間に画素電極1に保持されているデータ信号は、データ信号の電位によって揺動を受けることになる。 [0012] (1) When the structure to overlap the source wiring 4 and the pixel electrode 1, the signal transmission is increased becomes larger capacitance between the source line 4 and the pixel electrode 1 during a holding period data signal held in the pixel electrode 1 in will be subject to swing by the potential of the data signal. このため、その画素の液晶に印加される実効電圧が変動し、実際の表示において特に縦方向の隣の画素に対して縦クロストークが観察されるという問題があった。 Therefore, the effective voltage varies applied to the liquid crystal of the pixel, there is a problem that vertical cross talk is observed, particularly for the longitudinal direction of the adjacent pixels in the actual display.

【0013】このようなソース配線4と画素電極1との間の容量が表示に与える影響を減らす方法の1つとして、例えば特開平6−230422号公報には、1ソースライン毎に対応する画素に与えるデータ信号の極性を反転させる駆動方法が提案されている。 [0013] One way of reducing capacity is given to the display effect between such source line 4 and the pixel electrode 1, the example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-230422, pixels corresponding to each source line the driving method of inverting the polarity of the data signal supplied to have been proposed. この駆動方法では、隣接する画素の表示に相関が高い白黒表示のパネルに対しては有効であったが、通常のノートブック型バーソナルコンピューターなどのように、画素電極を縦ストライプ状に配列した場合(カラー表示の場合、画素電極の形状は、例えば正方形の画素をR,G,Bで3等分した縦長の長方形状である縦ストライプ状をしている)には、ソース配線4に対する隣接画素は、表示色がそれぞれ異なっている。 In this driving method, a correlation display of adjacent pixels were effective for high monochrome display panels, such as conventional notebook bar coarsely braided computer, an array of pixel electrodes in a vertical stripe shape If (in the case of color display, the shape of the pixel electrode, for example a square pixel R, G, 3 and the equally divided vertical stripes are vertically long rectangular shape are in B) in the adjacent to the source line 4 pixels, display color is different. このため、上記1ソースライン毎の極性反転駆動方法は、白黒表示の場合には縦クロストーク低減に効果があったものの、一般的なカラー表示の場合にはクロストーク低減に効果が不十分であった。 Therefore, the polarity inversion driving method of the first source for each line, although in the case of black and white display was effective in reducing the vertical cross-talk, when the general color display effect is insufficient to reduce crosstalk there were.

【0014】(2)画素電極1と、その画素を駆動するゲート配線3とをオーバーラップさせる構造とした場合、ゲート配線3と画素電極1との間の容量が大きくなって、TFT2を制御するスイッチング信号に起因して、画素への書き込み電圧のフィードスルーが大きくなるという問題があった。 [0014] (2) a pixel electrode 1, when a structure to overlap the gate line 3 for driving the pixel, the capacitance between the gate line 3 and the pixel electrode 1 is increased, and controls the TFT2 due to the switching signal, there is a problem that the feedthrough of the write voltage to the pixel is increased.

【0015】本発明は、上記従来の問題を解決するもので、平坦な画素電極と各配線をオーバーラップさせて液晶表示の開口率の向上および液晶の配向不良の抑制を図ることができるとともに製造工程が簡略化でき、かつ各配線と画素電極との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減して良好な表示を得ることができる透過型液晶表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 [0015] The present invention is the one that solves the prior art problems, production it is possible to improve and liquid crystal alignment defects in the suppression of by overlapping a flat pixel electrode and the wiring liquid crystal display aperture ratio of step can be simplified, and the transmission type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof can be reduced more effects such as crosstalk obtain a good indication that the capacitance component has on the display between each line and the pixel electrode an object of the present invention is to provide.

【0016】 [0016]

【課題を解決するための手段】本発明の透過型液晶表示装置は、ゲート配線と、ソース配線と、ゲート配線とソース配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子とを有し、該スイッチング素子は該ゲート配線に接続されたゲート電極と、該ソース配線に接続されたソース電極と、液晶層に電圧を印加するための画素電極に接続されたドレイン電極とを有する透過型液晶表示装置であって、該スイッチング素子、該ゲート配線および該ソース配線の上部に、透明度の高い有機膜からなる層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上に透明導電材料からなる該画素電極が設けられており、そのことによって上記目的が達成される。 Transmissive liquid crystal display device of the present invention, in order to solve the problem] has a gate wiring, a source wiring, and a switching element provided in the vicinity of the intersection between the gate and source lines, the switching elements and a gate electrode connected to the gate line, a transmission type liquid crystal display device having a source electrode connected to the source wiring, and a drain electrode connected to a pixel electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer a is, the switching element, the upper part of the gate wiring and the source wiring, the interlayer insulating film made of high transparency organic film is provided, the pixel electrodes are provided made of a transparent conductive material on the interlayer insulating film and, the above-mentioned object can be achieved by it.

【0017】前記画素電極と前記ドレイン電極とを接続する接続配線を更に有し、前記スイッチング素子、前記ゲート配線、前記ソース配線および該接続電極の上部に、前記層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上に、前記画素電極が、少なくとも該ゲート配線および該ソース配線のうち少なくともいずれかと、少なくとも一部が重なるように設けられ、該接続電極と該画素電極とは、該層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続されているのが好ましい。 [0017] further comprising a connection line which connects the drain electrode and the pixel electrode, the switching element, the gate line, the upper part of the source wiring and the connection electrode, the interlayer insulating film is provided between said layer on the insulating film, the pixel electrode, and at least either of at least the gate wiring and the source wiring provided so as to at least partly overlap, and the connecting electrode and the pixel electrode, penetrating the interlayer insulating film preferably connected through a contact hole.

【0018】前記層間絶縁膜はアクリル系の感光性樹脂からなるのが好ましい。 [0018] The interlayer insulating film is preferably made of acrylic photosensitive resin.

【0019】前記層間絶縁膜は、光学的または化学的な脱色処理が施された樹脂からなるのが好ましい。 [0019] The interlayer insulating film, consist optical or chemical decoloring treatment is applied resin.

【0020】前記画素電極と、前記ソース配線および前記ゲート配線のうち少なくともいずれかとが、配線幅方向に1μm以上重なって設けられていることが好ましい。 [0020] and the pixel electrode, wherein at least one of the source wiring and the gate wiring, it is preferably provided to overlap more than 1μm in the wiring width direction.

【0021】前記層間絶縁膜の膜厚が1.5μm以上であることが好ましい。 [0021] It is preferable that the thickness of the said interlayer insulating film is 1.5μm or more.

【0022】前記接続電極が透明導電材料からなるのが好ましい。 [0022] Preferably, the connection electrode is formed of a transparent conductive material.

【0023】前記液晶層に印加される電圧を保持するための付加容量をさらに有し、前記コンタクトホールが、 [0023] further includes an additional capacitor for holding a voltage applied to the liquid crystal layer, the contact hole,
該付加容量の一方の電極または前記ゲート配線の上部に設けられていることが好ましい。 It is preferably provided on the top of one of the electrodes or the gate line of the additional capacitor.

【0024】前記コンタクトホールの下部に、前記接続電極と画素電極とを接続する金属窒化物層が設けられているのが好ましい。 [0024] the bottom of the contact hole, preferably a metal nitride layer for connecting the connection electrodes and the pixel electrodes are provided.

【0025】前記液晶層に印加される電圧を保持するための付加容量をさらに有し、下記式(1)で表される容量比が、10%以下であることが好ましい。 [0025] have the further additional capacitor for holding a voltage applied to the liquid crystal layer, the capacitance ratio represented by the following formula (1) is preferably 10% or less.

【0026】 容量比=Csd/(Csd+Cls+Cs) ・・・(1) 但し、Csdは画素電極とソース配線との間の容量値を示し、Clsは各画素を構成する液晶の中間調表示における容量値を示し、Csは各画素を構成する付加容量の容量値を示す。 The volume ratio = Csd / (Csd + Cls + Cs) ··· (1) where, Csd denotes the capacitance value between the pixel electrode and the source line, Cls capacitance value in the halftone display of the liquid crystal constituting each pixel are shown, Cs denotes the capacitance value of the additional capacitance constituting each pixel.

【0027】前記画素電極の形状が、前記ゲート配線に平行な辺に比べてソース配線に平行な辺の方が長い長方形状であってもよい。 The shape of the pixel electrode may be a long rectangular shape is towards the side parallel to the source line as compared to the sides parallel to the gate wiring.

【0028】一水平期間毎に極性が反転したデータ信号を、前記ソース配線に出力し前記スイッチング素子を介して前記画素電極に供給して表示駆動する表示駆動手段が設けられてもよい。 [0028] The data signal whose polarity is inverted every one horizontal period, a display driving means for displaying driving is supplied to the pixel electrode via the switching element to output to the source lines may be provided.

【0029】前記液晶層に印加される電圧を保持するための付加容量をさらに有し、該付加容量は、付加容量電極と、付加容量対向電極と、それらの間に狭持された絶縁膜とを有し、該付加容量電極は、前記ソース配線または前記接続配線と同じ層に形成されているのが好ましい。 [0029] further includes an additional capacitor for holding a voltage applied to the liquid crystal layer, the additional capacity, the additional capacitance electrode, and a storage capacitor counter electrode, and is sandwiched between them the insulating film has, the additional capacitance electrode is preferably formed in the same layer as the source wiring or the connection wiring.

【0030】前記付加容量対向電極は、前記ゲート線の一部から形成されてもよい。 [0030] The storage capacitor counter electrode may be formed from a portion of the gate line.

【0031】前記画素電極と前記付加容量電極とは、前記付加容量電極上の前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されているのが好ましい。 [0031] and the pixel electrode and the additional capacitance electrode is preferably connected through a contact hole formed in said interlayer insulating film on said additional capacitance electrode.

【0032】前記コンタクトホールは、付加容量対向電極またはゲート配線の上部に形成されているのが好ましい。 [0032] The contact hole is preferably formed on top of the storage capacitor counter electrode or the gate wiring.

【0033】前記層間絶縁膜は、i線(365nm)に感光波長のピークを有する感光性樹脂からなるのが好ましい。 [0033] The interlayer insulating film, i-rays consist of a photosensitive resin having a peak of sensitive wavelengths (365 nm) preferred.

【0034】本発明の透過型液晶表示装置の製造方法は、基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成し、かつ該スイッチング素子のドレイン電極に接続された透明電極よりなる接続電極を形成する工程と、 The method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device of the present invention, on a substrate, a plurality of switching elements so as to form a matrix, gate wiring and connected to the gate electrode of the switching element, of the switching element forming a connection electrode to form a source connected wire to the source electrode so as to intersect each other, and made of connected transparent electrodes to the drain electrode of the switching element,
該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線および該接続電極の上部に、塗布法により透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該接続電極に達するコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、透明導電材料からなる画素電極を、少なくともゲート配線およびソース配線のうち少なくともいずれかと少なくとも一部が重なるように形成する工程とを含み、そのことによって上記目的が達成される。 The switching element, the gate line, the upper portion of the source wiring and the connection electrode, after forming the high organic film transparency by a coating method, thereby forming an interlayer insulating film by patterning the organic film, between the layer insulation forming a contact hole reaching to the connecting electrode through the film, the insulating film and in the contact holes between the layers, the pixel electrode formed of a transparent conductive material, at least first and at least one of at least the gate wiring and the source wiring and forming such parts overlap, the above-mentioned object can be achieved by it.

【0035】前記有機膜のパターニングは、前記有機膜を露光し、該露光された有機膜を現像する工程、または、該有機膜上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層をエッチングする工程のいずれかの工程を包含することが好ましい。 The patterning of the organic film, the organic film is exposed to the steps of developing the exposed organic film, or a photoresist layer is formed on the organic film is etched using the photoresist layer step it is preferable to include any of the steps of.

【0036】前記有機膜をパターニングする工程は、前記有機膜上にシリコンを含有するフォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジスト層をパターニングする工程と、パターン形成された該フォトレジスト層をマスクとして、該有機膜をエッチングする工程とを包含することが好ましい。 [0036] patterning the organic film, a mask forming a photoresist layer containing silicon on the organic film, a step of patterning the photoresist layer, the photoresist layer patterned as it is preferred to include a step of etching the organic film.

【0037】前記有機膜をパターニングする工程は、前記有機膜上にフォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジスト層上にシランカップリング剤を塗布し、該シランカップリング剤を酸化する工程と、該フォトレジスト層をパターニングする工程と、該酸化されたシランカップリング剤で覆われたパターン形成された該フォトレジスト層をマスクとして、該有機膜をエッチングする工程と、を包含してもよい。 [0037] patterning the organic film, forming a photoresist layer on the organic film, a step of applying a silane coupling agent on the photoresist layer to oxidize the silane coupling agent a step of patterning the photoresist layer, the oxide silane coupling said photoresist layer which covered patterned with agents as a mask, etching the organic film may encompass .

【0038】前記エッチング工程は、CF 4 、CF 3 H及びSF 6のうちの少なくとも1つを含むガスを用いてドライエッチングする工程であることが好ましい。 [0038] The etching step is preferably a step of dry etching using CF 4, CF 3 H and the gas containing at least one of SF 6.

【0039】前記有機膜は、感光部分が現像液に溶解する感光性透明アクリル樹脂を用いて形成され、前記層間絶縁膜および前記コンタクトホールは、該感光性透明アクリル樹脂を露光および現像することによって形成されるのが好ましい。 [0039] The organic film, the photosensitive portions is formed by using a photosensitive transparent acrylic resin which dissolves in a developing solution, the interlayer insulating film and the contact holes, by exposing and developing the photosensitive transparent acrylic resin preferably formed.

【0040】前記有機膜膜の露光および現像後、前記感光性透明アクリル樹脂に使用する感光剤を反応させるために基板全面に露光を行う工程をさらに包含し、そのことによって該感光性透明アクリル樹脂が脱色されてもよい。 [0040] The organic after exposure and development of the film layer, and the use in the photosensitive transparent acrylic resin sensitizer further include the step of performing exposure on the entire surface of the substrate in order to react, the photosensitive transparent acrylic resin by its There may be bleaching.

【0041】前記感光性透明アクリル樹脂のベースポリマーは、メタクリル酸とグリシジルメタクリレートのポリマーであり、感光剤としてナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を含むのが好ましい。 The base polymer of the photosensitive transparent acrylic resin is a polymer of methacrylic acid and glycidyl methacrylate, preferably includes a naphthoquinone diazide positive-type photosensitive agent as a photosensitive agent.

【0042】波長400から800nmの光に対する透過率が90パーセント以上である前記感光性透明アクリル樹脂を用いて前記層間絶縁膜を形成するのが好ましい。 The transmittance for the wavelength 400 800nm ​​light is preferable to form the interlayer insulating film by using the photosensitive transparent acrylic resin is 90% or more.

【0043】前記有機膜の膜厚は1.5μm以上であることが好ましい。 [0043] It is preferable that the film thickness of the organic film is 1.5μm or more.

【0044】前記有機膜を形成する前に、該有機膜が形成される前記基板の表面に紫外線を照射する工程を、更に包含してもよい。 [0044] Before forming the organic film, a step of irradiating ultraviolet rays to the surface of the substrate to the organic film is formed, it may be further included.

【0045】前記有機膜を形成する前に、該有機膜が形成される前記基板の表面にシランカップリング剤を塗布する工程を、更に包含してもよい。 [0045] Before forming the organic film, the step of applying a silane coupling agent to the surface of the substrate to the organic film is formed, it may be further included.

【0046】前記有機膜を形成する材料がシランカップリング剤を含んでもよい。 The material for forming the organic film may contain a silane coupling agent.

【0047】前記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザンと、ジメチルジメトキシシランと、n−ブチルトリメトキシシランのうちの少なくとも1つを含むことが好ましい。 [0047] The silane coupling agent includes hexamethyldisilazane, dimethyl dimethoxy silane, it is preferable to include at least one of n- butyl trimethoxysilane.

【0048】前記画素電極を形成する前に、前記層間絶縁膜の表面に対して酸素プラズマによる灰化処理を行う工程を更に包含することが好ましい。 [0048] Before forming the pixel electrode, it is preferable to further include a step of performing ashing treatment using oxygen plasma to the surface of the interlayer insulating film.

【0049】前記灰化処理工程は、前記層間絶縁膜に前記コンタクトホールを形成した後で行われるのが好ましい。 [0049] The ashing step is preferably performed after forming the contact hole in the interlayer insulating film.

【0050】前記層間絶縁膜は加熱によって架橋する材料を含んでおり、前記灰化処理工程の前に、該層間絶縁膜を架橋させる工程をさらに包含してもよい。 [0050] The interlayer insulating film includes a material that crosslinks by heat, before the ashing step may further comprise the step of crosslinking the interlayer insulating film.

【0051】前記酸素プラズマによる前記灰化処理によって、前記層間絶縁膜の表面から100nmから500 [0051] by the ashing treatment by the oxygen plasma, from 100nm from the surface of the interlayer insulating film 500
nmの厚さが灰化されるのが好ましい。 Preferably, the thickness of nm is ashed.

【0052】前記画素電極の膜厚を50nm以上に形成するのが好ましい。 [0052] preferable to form the film thickness of the pixel electrode than 50nm.

【0053】前記感光性透明アクリル樹脂を、その濃度が0.1から1.0mol%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド現像液により現像して層間絶縁膜を形成するのが好ましい。 [0053] The photosensitive transparent acrylic resin, its concentration preferably formed an interlayer insulating film is developed by 1.0 mol% of tetramethylammonium hydroxide developing solution from 0.1.

【0054】前記層間絶縁膜に前記コンタクトホールを形成した後、該層間絶縁膜に紫外線を照射する脱色工程を更に包含してもよい。 [0054] After forming the contact hole in the interlayer insulating film may further include a bleaching step of irradiating ultraviolet rays in the interlayer insulating film.

【0055】前記有機膜を形成する前に、該有機膜が形成される前記基板の表面に窒化シリコン膜を形成する工程をさらに包含してもよい。 [0055] Before forming the organic layer may further include forming a silicon nitride film on a surface of the substrate to the organic film is formed.

【0056】以下に、本発明の作用を説明する。 [0056] In the following, a description will be given of the operation of the present invention.

【0057】本発明においては、スイッチング素子、ゲート配線およびソース配線の上部に層間絶縁膜が設けられ、その上に画素電極が設けられて、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続電極によりTFTのドレイン電極と接続されている。 [0057] In the present invention, the switching element, an interlayer insulating film is provided above the gate wiring and the source wiring, and on the pixel electrode is provided on the, TFT by the connection electrode through a contact hole penetrating the interlayer insulating film It is connected to the drain electrode of. このように、層間絶縁膜が設けられることにより、各配線と画素電極とをオーバーラップさせることができて、開口率を向上することが可能となると共に液晶の配向不良が抑制可能となる。 Thus, by the interlayer insulating film is provided, it can be overlapped with each line and the pixel electrode, the liquid crystal alignment defects becomes possible to suppress it becomes possible to improve the aperture ratio. しかも、この層間絶縁膜は、アクリル系感光性樹脂などの有機材料からなっているので、従来用いられていた窒化シリコンなどの無機薄膜に比べて比誘電率が低く、透明度が高い良質な膜を生産性よく得られるので、膜厚を厚くすることが可能となって、各配線と画素電極との間の容量分が低減されて信号透過率も抑制され、これにより、 Moreover, the interlayer insulating film, since made of organic material such as acrylic photosensitive resin, the ratio in comparison with the inorganic thin film such as silicon nitride which has been conventionally used a low dielectric constant, a high transparency quality film since the resulting high productivity, it is possible to increase the film thickness, volume content is reduced signal transmission between each line and the pixel electrode is suppressed, thereby,
各配線と画素電極との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減してより良好な表示が得られる。 Better display more reduce the influence of such crosstalk capacitance component has on the display between each line and the pixel electrode can be obtained. また、スイッチング素子のドレイン電極に接続電極を介して画素電極を接続するようにすれば、TF Further, if to connect the pixel electrode through the connection electrode to the drain electrode of the switching element, TF
Tが小さくなった場合であっても、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールなどによる接続部を容易に取ることが可能となる。 Even when T is reduced, it is possible to take facilitate connection portion due contact hole penetrating the interlayer insulating film.

【0058】この層間絶縁膜は、アクリル系樹脂などの感光性の有機材料を塗布法により塗布し、露光およびアルカリ現像によりパターニングして、数μmという膜厚の有機薄膜が生産性よく得られる。 [0058] The interlayer insulating film, a photosensitive organic material such as an acrylic resin is coated by a coating method and patterned by exposure and alkali development, organic thin film having a film thickness of several μm is obtained with good productivity. また、有機薄膜を積層し、その上にフォトレジストを形成後、エッチングプロセスによりパターニングして形成することもできる。 Further, an organic thin film is laminated, it is also possible that after top forming a photoresist, and patterning by etching process.

【0059】また、層間絶縁膜の材料である樹脂が着色している場合には、パターニング後に光学的または化学的な脱色処理により樹脂を透明化することが可能である。 [0059] When the resin is a material of the interlayer insulating film is colored, it is possible to clear the resin by optical or chemical decoloring treatment after patterning.

【0060】さらに、画素電極と各配線とを1μm以上オーバーラップさせると、開口率を最大限にすることができると共に、画素電極の各配線に対する加工精度が粗くても良い。 [0060] Further, when the overlap over 1μm a pixel electrode and the wiring, with the aperture ratio can be maximized, it may be rough machining accuracy for the wiring of the pixel electrode. つまり、加工精度が粗くても画素電極と各配線が重なっていれば、重なった各配線によって光漏れは遮断される。 That is, if the overlap pixel electrodes and the wiring even rough machining accuracy is blocked light leakage by each wiring overlaps.

【0061】さらに、層間絶縁膜の膜厚を1.5μm以上にすると、画素電極と各配線とを1μm以上オーバーラップさせても、各配線と画素電極との間の容量は十分小さくなって時定数も小さくなり、容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減してより良好な表示が得られる。 [0061] Further, a time when the thickness of the interlayer insulating film above 1.5 [mu] m, even when the pixel electrodes and the wirings are overlapped above 1 [mu] m, the capacitance between the wiring and the pixel electrode is small enough constant becomes small, better display more reduce the influence of such crosstalk capacitance component has on the display.

【0062】TFTのドレイン電極と画素電極とを接続する接続電極に、透明導電膜を用いれば、開口率はさらに向上する。 [0062] the connection electrode for connecting the drain electrode and the pixel electrodes of the TFT, by using the transparent conductive film, the aperture ratio is further improved.

【0063】さらに、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールが、遮光性の付加容量配線またはゲート配線の上部に設けられていると、液晶の配向乱れによる光漏れが開口部以外の遮光部で発生することになり、コントラストの低下が生じない。 [0063] Further, a contact hole penetrating the interlayer insulating film and is provided above the light-shielding of the additional capacitance wiring or the gate wiring, the light leakage due to alignment disorder of the liquid crystal is generated by the light shielding portion other than the opening portion to become, it does not cause a decrease in contrast.

【0064】さらに、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールの下部に金属窒化物層を形成すると、層間絶縁膜と下地との密着性が増す。 [0064] Further, when forming a metal nitride layer at the bottom of the contact hole penetrating the interlayer insulating film increases the adhesion between the interlayer insulating film and the base.

【0065】さらに、上記式(1)で表される容量比を10%以下とすると、ソース電極と画素電極との間の容量が十分小さいので、良好な表示が得られる。 [0065] Further, when the capacitance ratio represented by the above formula (1) is 10% or less, since the capacitance between the source electrode and the pixel electrode is sufficiently small, a good display is obtained.

【0066】さらに、上記本発明を適用すれば、各画素電極の形状が、走査ソース配線に平行な辺に比べてソース配線に平行な辺が長い長方形であっても、縦クロストークなどの容量成分による表示への影響をなくして良好な表示が得られる。 [0066] Further, by applying the above present invention, the shape of each pixel electrode, even parallel sides is longer rectangle to the source line as compared to the sides parallel to the scanning source wiring capacity such as vertical crosstalk good display is obtained by eliminating the influence of the display by the component.

【0067】また、ソース配線から供給されるデータ信号の極性を1走査ソース配線毎に反転させると、ソース配線と画素電極との間の容量の影響をさらに小さくすることが可能となる。 [0067] Further, when reversing the polarity of the data signal supplied from the source line to each scan source wiring, it is possible to further reduce the influence of the capacitance between the source line and the pixel electrode.

【0068】また、層間絶縁膜と比較して格段に薄い絶縁膜を形成することにより、小さい面積で大きい容量を有する付加容量を形成することが可能となり、高開口率化が図れる。 [0068] Further, by forming a remarkably thin insulating film as compared to the interlayer insulating film, it is possible to form an additional capacitor having a large capacity in a small area, high aperture ratio can be achieved. また、付加容量電極をソース配線とを同時に形成すれば、製造工程の増加を抑制することができる。 Also, the additional capacitance electrode be formed simultaneously with the source line, it is possible to suppress an increase in manufacturing steps.

【0069】また、ソース配線材料として遮光性を有する導電材料を用いることによって、コンタクト部が遮光され配向乱れを隠すことができるので、表示品位の向上を図ることができる。 [0069] Further, by using a conductive material having a light shielding property as a source wiring material, because the contact portion can be hidden alignment disorder is blocked, it is possible to improve the display quality. また、新たに遮光膜を設けることなく、配線を遮光膜として用いるので、表示品位の向上とともに開口率の向上も図ることができる。 Further, without providing a new light-shielding film, so use of interconnection as a light shielding film, it is possible to also improve the aperture ratio with improved display quality.

【0070】また、紫外線に感光する感光性樹脂を用いて層間絶縁膜を形成する場合、i線に吸収波長のピークを有する材料(感光剤)を用いると、コンタクトホールの加工精度が向上するとともに、感光性樹脂の着色を抑制することができる。 [0070] In the case of forming the interlayer insulating film using a photosensitive resin sensitive to ultraviolet light, the use of material (photosensitive agent) having a peak absorption wavelength in the i-line, together with the machining accuracy of the contact hole is improved , it is possible to suppress the coloration of the photosensitive resin. i線に波長(365nm)は、露光工程の光源として用いられる水銀灯の輝線のなかで最も短波長で、可視光の波長領域から離れているからである。 Wavelength i-line (365 nm) is the shortest wavelength among emission lines of a mercury lamp used as a light source of the exposure process, because apart from the wavelength region of visible light. 着色のない層間絶縁膜を用いることによって、透過型液晶表示装置の透過率を高めることができる。 By using the non-colored interlayer insulating film, it is possible to increase the transmittance of the transmissive liquid crystal display device. 従って、液晶表示装置の高輝度化やバックライトからの光量を押さえることによって低消費電力化を図ることができる。 Therefore, it is possible to reduce power consumption by pressing the light amount from the high brightness and the backlight of a liquid crystal display device.

【0071】さらに、本発明に用いた比較的膜厚の厚い層間絶縁膜によって平坦化が可能になって、従来、その下層の配線などによる段差部で起こっていた画素電極のドレイン側における断線など、段差による影響がなくなり、また、段差による配向不良が防止される。 [0071] Further, it becomes possible flattened by a relatively large thickness interlayer insulating film used in the present invention, conventional, such as disconnection on the drain side of the pixel electrode that has occurred in the step portion due to its lower wiring , there is no influence due to the step, also, the orientation defect is prevented by the step. また、ソース配線と画素電極間の層間絶縁膜で絶縁されており、 Moreover, it is insulated by an interlayer insulating film between the source line and the pixel electrode,
ソース配線と画素電極間の電気的リークによる欠陥絵素が極めて少なくなり、製造歩留の向上が可能になり、製造コストの減少も可能になる。 Electrical leakage due to a defect picture elements between the source line and the pixel electrode is very small, it becomes possible to improve the manufacturing yield also allows reduction in manufacturing cost. さらに、従来、層間絶縁膜を形成するために必要であった成膜、フォトレジストによるパターン形成工程、エッチング、レジスト剥離、 Further, conventionally, the film formation, patterning process by a photoresist was necessary to form an interlayer insulating film, etching, resist stripping,
洗浄工程が、本発明では樹脂形成工程のみで形成可能であるため、製造工程の短縮化および簡素化を図ることが可能となり、製造コストの減少をも図ることが可能となる。 Washing step, because the present invention can be formed only by the resin formation step, it is possible to shorten and simplify the manufacturing process, it is possible to achieve also a reduction in manufacturing cost.

【0072】さらに、層間絶縁膜の露光および現像後、 [0072] Further, after exposure and development of the interlayer insulating film,
前記感光性透明アクリル樹脂に使用する感光剤に対して、基板全面に露光を行い、不要な感光剤を完全に反応させることで、より透明度の高い層間絶縁膜とすることが可能となる。 Wherein the photosensitive agent used in the photosensitive transparent acrylic resin, exposure on the entire surface of the substrate, by complete reaction the unnecessary photosensitive agent, it is possible to a higher degree of transparency interlayer insulating film.

【0073】さらに、層間絶縁膜を形成する前の基板表面に紫外光を照射することで、層間絶縁膜とその下地膜との間の密着性が向上し、プロセス中の処理に対して安定なデバイスが実現する。 [0073] Further, by irradiating ultraviolet light to the front of the substrate surface to form an interlayer insulating film, improved adhesion between the interlayer insulating film and an underlying film, stable to processing in the process the device can be realized.

【0074】さらに、層間絶縁膜上に画素電極材料を成膜する前に酸素プラズマによりその表面を灰化することで、この層間絶縁膜とその上に成膜される画素電極材料との間の密着性が向上し、プロセス中の処理に対してより安定なデバイスが実現する。 [0074] Further, by ashing the surface by oxygen plasma before forming pixel electrode material on the interlayer insulating film, between the interlayer insulating film and the pixel electrode material to be deposited thereon adhesion is improved, more stable device is realized for processing during the process.

【0075】さらに、画素電極の膜厚が50nm以上であれば、膜表面隙間からの薬液の侵入が防止可能となり、剥離液に使用する薬液によって生ずる樹脂の膨潤が抑制される。 [0075] Further, if the film thickness of the pixel electrode 50nm or more, penetration of the chemical liquid from the film surface gap becomes possible to prevent the swelling of the resin caused by liquid chemical used for stripping solution is inhibited.

【0076】さらに、可視光に比べてエネルギーの最も高いi線(365nm)を用いることにより、短時間の光照射によって効率よく脱色することができる。 [0076] Further, by using the highest i-ray energy as compared with visible light (365 nm), it can be decolorized efficiently by brief irradiation.

【0077】さらに、本発明においては、画素電極と各配線との間に従来設けていたマージンを無くすことで、 [0077] Further, in the present invention, by eliminating the margin which has been provided conventionally between the pixel electrodes and the wires,
画素電極が大きくなり、表示開口率が向上してその明るさも向上し、コントラストが非常に良くなって、コントラストが悪化することなくリタデーションを小さくして視野角を広くすることが可能となり、多大なる広視野角化が図られる。 Pixel electrodes is increased, also increased its brightness improved display aperture ratio, the contrast is very good, it is possible to widen the viewing angle by reducing the retardation without contrast is degraded, become significant wide viewing angle is achieved.

【0078】 [0078]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter will be described an embodiment of the present invention.

【0079】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態1の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素部分の構成を示す平面図である。 [0079] (Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view showing the configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of Embodiment 1 of the present invention.

【0080】図1において、アクティブマトリクス基板には、複数の画素電極21がマトリクス状に設けられており、これらの画素電極21の周囲を通り、互いに直交差するように、走査信号を供給するための各ゲート配線22と表示信号を供給するためのソース配線23が設けられている。 [0080] In FIG. 1, the active matrix substrate, a plurality of pixel electrodes 21 are provided in a matrix, through the periphery of the pixel electrodes 21, so as to directly cross each other, for supplying a scanning signal source wiring 23 for supplying provided a display signal to each gate line 22 of. これらのゲート配線22とソース配線23 These gate wiring 22 and the source wiring 23
はその一部が画素電極21の外周部分とオーバーラップしている。 Part is an outer peripheral portion and overlaps the pixel electrode 21. また、これらのゲート配線22とソース配線23の交差部分において、画素電極21に接続されるスイッチング素子としてのTFT24が設けられている。 Further, at the intersection of these gate lines 22 and source lines 23, TFT 24 is provided as a switching element connected to the pixel electrode 21.
このTFT24のゲート電極にはゲート配線22が接続され、ゲート電極に入力される信号によってTFT24 The gate electrode of the TFT 24 is connected a gate line 22, TFT 24 by a signal input to the gate electrode
が駆動制御される。 There is driven and controlled. また、TFT24のソース電極にはソース配線23が接続され、TFT24のソース電極にデータ信号が入力される。 Further, the source wiring 23 is connected to the source electrode of the TFT 24, the data signal is inputted to the source electrode of the TFT 24. さらに、TFT24のドレイン電極は、接続電極25さらにコンタクトホール26を介して画素電極21と接続されるとともに、接続電極2 Furthermore, the drain electrode of the TFT24 is connected to the pixel electrode 21 connecting electrode 25 further through the contact hole 26, the connection electrode 2
5を介して付加容量の一方の電極である付加容量電極2 5 which is one electrode of the additional capacitor via an additional capacitance electrode 2
5aと接続されている。 And it is connected to the 5a. この付加容量の他方の電極である付加容量対向電極27は共通配線(図16の6)に接続されている。 Storage capacitor counter electrode 27 as the other electrode of the additional capacitor is connected to a common line (6 in Fig. 16).

【0081】図2は図1の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のA−A'断面図である。 [0081] FIG 2 is an A-A 'cross-sectional view of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of FIG.

【0082】図2において、透明絶縁性基板31上に、 [0082] In FIG. 2, on a transparent insulating substrate 31,
図1のゲート配線22に接続されたゲート電極32が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜33が設けられている。 A gate electrode 32 connected to the gate line 22 of FIG. 1 are provided, the gate insulating film 33 is provided over the top thereof. その上にはゲート電極32と重畳するように半導体層34が設けられ、その中央部上にチャネル保護層3 Semiconductor layer 34 is provided so as to overlap with the gate electrode 32 thereon, the channel protective layer 3 on the center thereof
5が設けられている。 5 is provided. このチャネル保護層35の両端部および半導体層34の一部を覆い、チャネル保護層35 Both end portions of the channel protection layer 35 and covers a portion of the semiconductor layer 34, the channel protection layer 35
上で分断された状態で、ソース電極36aおよびドレイン電極36bとなるn + Si層が設けられている。 In a state of being separated above, n + Si layer is formed as a source electrode 36a and drain electrode 36b. 一方のn + Si層であるソース電極36aの端部上には、透明導電膜37cと金属層37bとが設けられて2層構造のソース配線23となっている。 On end portions of the source electrode 36a is one of n + Si layer, and the transparent conductive film 37c and a metal layer 37b is in the source wiring 23 of the two-layer structure is provided. また、他方のn + Si In addition, the other of the n + Si
層であるドレイン電極36bの端部上には、透明導電膜37a'と金属層37b'とが設けられ、透明導電膜3 On an end portion of the drain electrode 36b is a layer, a transparent conductive film 37a 'and the metal layer 37b' and is provided, the transparent conductive film 3
7a'は延長されて、ドレイン電極36bと画素電極2 7a 'is extended, the drain electrode 36b and the pixel electrode 2
1とを接続するとともに付加容量の一方の電極である付加容量電極25aに接続される接続電極25となっている。 And it has a connecting electrode 25 which is connected to the additional capacitance electrode 25a, which is one electrode of the additional capacitor with connecting 1 and. さらに、TFT24、ゲート配線22およびソース配線23、接続電極25の上部を覆って層間絶縁膜38 Furthermore, TFT 24, the gate wiring 22 and the source wiring 23, an interlayer over the top of the connection electrode 25 insulating film 38
が設けられている。 It is provided.

【0083】この層間絶縁膜38上には、画素電極21 [0083] On the interlayer insulating film 38, the pixel electrode 21
となる透明導電膜が設けられ、層間絶縁膜38を貫くコンタクトホール26を介して、接続電極25である透明導電膜37a'によりTFT24のドレイン電極36b A transparent conductive film is provided comprising, via a contact hole 26 penetrating the interlayer insulating film 38, the drain electrode 36b of TFT24 by the transparent conductive film 37a 'is connected electrode 25
と接続されている。 And it is connected to the.

【0084】以上のように本実施形態1のアクティブマトリクス基板が構成され、以下のようにして製造することができる。 [0084] configured active matrix substrate of Embodiment 1 As described above, can be prepared as follows.

【0085】まず、ガラス基板などの透明絶縁性基板3 [0085] First, a transparent insulating substrate 3 such as a glass substrate
1上に、ゲート電極32、ゲート絶縁膜33、半導体層34、チャネル保護層35、ソース電極36aおよびドレイン電極36bとなるn + Si層を順次成膜して形成する。 On 1, the gate electrode 32, the gate insulating film 33, semiconductor layer 34, the channel protective layer 35 is formed by sequentially forming an n + Si layer serving as a source electrode 36a and drain electrode 36b. ここまでの作製プロセスは、従来のアクティブマトリクス基板の製造方法と同様にして行うことができる。 Manufacturing process up to this point, can be carried out in the same manner as the manufacturing method of the conventional active matrix substrate.

【0086】次に、ソース配線23および接続電極25 [0086] Next, the source wiring 23 and the connection electrodes 25
を構成する透明導電膜37a,37a'および金属層3 Transparent conductive film 37a constituting the, 37a 'and the metal layer 3
7b,37b'を、スパッタ法により順次成膜して所定形状にパターニングする。 7b, the 37b ', patterned into a predetermined shape by sequentially formed by sputtering.

【0087】さらに、その上に、層間絶縁膜38として感光性のアクリル樹脂をスピン塗布法により例えば3μ [0087] Further, on which, for example 3μ the interlayer spin coating a photosensitive acrylic resin as the insulating film 38
mの膜厚で形成する。 It is formed in a thickness of m. この樹脂に対して、所望のパターンに従って露光し、アルカリ性の溶液によって現像処理する。 For this resin was exposed according to a desired pattern, developing with an alkaline solution. これにより露光された部分のみがアルカリ性の溶液によってエッチングされ、層間絶縁膜38を貫通するコンタクトホール26が形成されることになる。 Only portions exposed by this is etched with an alkaline solution, so that the contact hole 26 penetrating the interlayer insulating film 38 is formed.

【0088】その後、画素電極21となる透明導電膜をスパッタ法により形成し、パターニングする。 [0088] Then, a transparent conductive film to be the pixel electrode 21 is formed by sputtering and patterned. これにより画素電極21は、層間絶縁膜38を貫くコンタクトホール26を介して、TFT24のドレイン電極36bと接続されている透明導電膜37a'と接続されることになる。 Thus the pixel electrode 21 via a contact hole 26 penetrating the interlayer insulating film 38, to be connected with the transparent conductive film 37a 'which is connected to the drain electrode 36b of the TFT 24. このようにして、本実施形態1のアクティブマトリクス基板を製造することができる。 In this way, it is possible to manufacture the active matrix substrate of Embodiment 1.

【0089】したがって、このようにして得られたアクティブマトリクス基板は、ゲート配線22、ソース配線23およびTFT24と、画素電極21との間に厚い膜厚の層間絶縁膜38が形成されているので、各配線2 [0089] Thus, the active matrix substrate obtained in this manner, the gate wiring 22, a source wiring 23 and the TFT 24, since the interlayer insulating film 38 of large thickness between the pixel electrode 21 is formed, each wiring 2
2,23およびTFT24に対して画素電極21をオーバーラップさせることができるとともにその表面を平坦化させることができる。 The surface can be flattened it is possible to overlap the pixel electrode 21 with respect to 2 and 23 and TFT 24. このため、アクティブマトリクス基板と対向基板の間に液晶を介在させた透過型液晶表示装置の構成とした時に、開口率を向上させることができると共に、各配線22,23に起因する電界を画素電極21でシールドしてディスクリネーションを抑制することができる。 Therefore, when the structure of the transmission type liquid crystal display device which is interposed a liquid crystal between the active matrix substrate and the counter substrate, it is possible to improve the aperture ratio, the pixel electrode an electric field caused by the wiring 22 and 23 it is possible to suppress disclination be shielded with 21.

【0090】また、層間絶縁膜38を構成するアクリル系樹脂は、比誘電率が3.4から3.8と無機膜(窒化シリコンの比誘電率8)に比べて低く、また、その透明度も高くスピン塗布法により容易に3μmという厚い膜厚にすることができるので、ゲート配線22と画素電極21との間の容量および、ソース配線23と画素電極2 [0090] Further, the acrylic resin constituting the interlayer insulating film 38, the dielectric constant is lower than 3.8 and an inorganic film from 3.4 (the ratio of the silicon nitride dielectric 8), also its transparency since higher can be thick film that easily 3μm by spin coating, the capacitance between the gate wiring 22 and the pixel electrode 21 and the source wiring 23 and the pixel electrode 2
1との間の容量を低くすることができて時定数が低くなり、各配線22,23と画素電極21との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減することができて良好で明るい表示を得ることができる。 Time constant is lowered to be able to reduce the capacitance between one may capacitance component between the wires 22 and 23 and the pixel electrode 21 is to further reduce the influence of crosstalk given to the display it is possible to obtain a bright display excellent Te. また、露光およびアルカリ現像によってパターニングを行うことにより、コンタクトホール26のテーパ形状を良好にすることができ、画素電極21と接続電極37a' Further, by performing patterning by exposure and alkali development, the tapered shape of the contact hole 26 can be improved, the pixel electrode 21 and the connection electrode 37a '
との接続を良好にすることができる。 The connection to the can be improved. さらに、感光性のアクリル樹脂を用いることにより、スピン塗布法を用いて薄膜が形成できるので、数μmという膜厚の薄膜を容易に形成でき、しかも、パターニングにフォトレジスト工程も不要であるので、生産性の点で有利である。 Further, by using a photosensitive acrylic resin, can be formed a thin film by using a spin coating method, a thin film having a thickness of several μm can be easily formed, moreover, since the photoresist process for patterning is not necessary, it is advantageous in terms of productivity. ここで、層間絶縁膜38として用いたアクリル系樹脂は、塗布前に着色しているものであるが、パターニング後に全面露光処理を施してより透明化することができる。 Here, the acrylic resin used as the interlayer insulating film 38 is one in which are colored before the coating, can be more transparent by applying overall exposure treatment after patterning. このように、樹脂の透明化処理は、光学的に行うことができるだけではなくて、化学的にも行うことが可能である。 Thus, transparency processing of the resin, not only can be carried out optically, it can also be carried out chemically.

【0091】本実施形態で層間絶縁膜38として用いた感光性樹脂の露光には、i線(波長365nm)、h線(波長405nm)及びg線(波長436nm)の輝線を含む水銀灯の光線を用いるのが一般的である。 [0091] The exposure of the photosensitive resin used as the interlayer insulating film 38 in the present embodiment, i-line (wavelength 365 nm), h-line (wavelength 405 nm) and g-line light of a mercury lamp including the emission line (wavelength 436 nm) it is generally used. 感光性樹脂としては、これらの輝線のなかで最もエネルギーの高い(波長の最も短い)i線に感光性(吸収ピーク)を有する感光性樹脂を用いることが好ましい。 As the photosensitive resin, it is preferable to use a photosensitive resin having the highest energy among these emission lines (shortest wavelength) i line photosensitive (absorption peak). コンタクトホールの加工精度を高くするとともに、感光剤に起因する着色を最小限に抑制することができる。 With high processing accuracy of the contact hole, it is possible to minimize the coloration caused by the photosensitive agent.

【0092】また、エキシマーレーザからの短波長の紫外線を用いてもよい。 [0092] It is also possible to use a UV short wavelength from an excimer laser.

【0093】このようにして、着色のない層間絶縁膜を用いることによって、透過型液晶表示装置の透過率を高めることができる。 [0093] In this manner, by using a non-colored interlayer insulating film, it is possible to increase the transmittance of the transmissive liquid crystal display device. 従って、液晶表示装置の高輝度化やバックライトからの光量を押さえることによって低消費電力化を図ることができる。 Therefore, it is possible to reduce power consumption by pressing the light amount from the high brightness and the backlight of a liquid crystal display device.

【0094】また、層間絶縁膜38を、従来の層間絶縁膜と比べて厚く、数μmの厚さに形成するので、層間絶縁膜の透過率はできるだけ高い方が好ましい。 [0094] Further, an interlayer insulating film 38 thicker than conventional interlayer insulating film, since a thickness of a few [mu] m, the transmittance of the interlayer insulating film is as high as possible are preferable. 但し、人間の目の視感度は、緑や赤に比べて青に対しては若干低いので、層間絶縁膜の分光透過率は青色光に対する透過率が若干低くても、表示品位の低下は少ない。 However, the visibility of the human eye, so slightly lower for blue than green or red, the spectral transmittance of the interlayer insulating film is also low transmittance for blue light slightly, less deterioration of display quality . なお、本実施例では、層間絶縁膜38の膜厚を3μmとしたが、 In the present embodiment, the thickness of the interlayer insulating film 38 was set to 3 [mu] m,
これに限られる分けでなく、光透過率や誘電率を考慮し適宜設定することができる。 This not limited classification can be appropriately set in consideration of light transmittance and the dielectric constant. なお、容量を十分に小さくするためには、層間絶縁膜の膜厚は約1.5μm以上が好ましく、約2.0μm以上が更に好ましい。 In order to sufficiently reduce the capacitance, the thickness is preferably at least about 1.5μm of the interlayer insulating film, or from about 2.0μm is more preferable.

【0095】さらに、TFT24のドレイン電極36b [0095] In addition, the drain of the TFT24 electrode 36b
と画素電極21とを接続する接続電極25として透明導電膜37a'を形成することにより、以下のような利点を有する。 By forming the transparent conductive film 37a 'as a connection electrode 25 for connecting the pixel electrode 21 and has the following advantages. 即ち、従来のアクティブマトリクス基板においては、この接続電極を金属層によって形成していたため、接続電極が開口部に存在すると開口率の低下の原因となっていた。 That is, in the conventional active matrix substrate, the connecting electrode because it was formed by a metal layer, a connection electrode has been a cause for lowering of the present opening ratio to the opening. これを防ぐため、従来は、TFTまたはTFTのドレイン電極上に接続電極を形成し、その上に層間絶縁膜のコンタクトホールを形成してTFTのドレイン電極と画素電極とを接続するという方法が用いられてきた。 To prevent this, conventionally, to form the connection electrode on the TFT or TFT drain electrode, a method is used that thereon to form a contact hole of the interlayer insulating film to connect the drain electrode of the TFT and the pixel electrode It is to have. しかし、この従来の方法では、特に、開口率を向上させるためにTFTを小型化した場合に、コンタクトホールを完全にTFTの上に設けることができず、開口率の低下を招いていた。 However, this conventional method, in particular, when the TFT is miniaturized in order to improve the aperture ratio, can not be provided on the complete TFT contact holes, resulting in decrease in aperture ratio. また、層間絶縁膜を数μmという厚い膜厚に形成した場合、画素電極が下層の接続電極とコンタクトするためには、コンタクトホールをテーパ形状にする必要があり、さらにTFT上の接続電極領域を大きく取ることが必要であった。 Also, when forming an interlayer insulating film in the large thickness of several [mu] m, for the pixel electrode is in contact with the lower layer of the connection electrode, it is necessary to contact holes in a tapered shape, a further connection electrode region on the TFT it was necessary to take large. 例えば、そのコンタクトホールの径を5μmとした場合、コンタクトホールのテーパ領域およびアラインメント精度を考慮すると、接続電極の大きさとしては14μm程度が必要であり、従来のアクティブマトリクス基板では、これよりも小さいサイズのTFTを形成すると接続電極に起因する開口率の低下を招いていた。 For example, when the diameter of the contact hole and 5 [mu] m, in consideration of the tapered region and alignment accuracy of the contact hole, as the size of the connecting electrode is required to be about 14 [mu] m, in the conventional active matrix substrate, smaller than this resulting in decrease in aperture ratio due to the connection electrode to form a size of the TFT. これに対して、本実施形態1のアクティブマトリクス基板では、接続電極25が透明導電膜37a'により形成されているので、開口率の低下が生じない。 In contrast, in the active matrix substrate of the present embodiment 1, since the connecting electrode 25 is formed by a transparent conductive film 37a ', reduction in the aperture ratio does not occur. また、この接続電極25は延長されて、TFTのドレイン電極36bと、透明導電膜37 Further, the connection electrode 25 is extended, and the drain electrode 36b of the TFT, a transparent conductive film 37
a'により形成された付加容量の一方の電極である付加容量電極25aとを接続する役割も担っており、この延長部分も透明導電膜37a'により形成されているので、この配線による開口率の低下も生じない。 a 'and also serves to connect the additional capacitor electrode 25a, which is one electrode of the additional capacitance formed by this extension also the transparent conductive film 37a' because it is formed by, the aperture ratio due to the wiring decrease does not occur.

【0096】さらには、ソース配線23を2層構造とすることにより、ソース配線23を構成する金属層37b [0096] Further, by the source wiring 23 has a two-layer structure, the metal layer 37b constituting the source wiring 23
の一部に膜の欠損があったとしても、ITOなどの透明導電膜37aにより電気的に接続されるので、ソース配線23の断線を少なくできるという利点がある。 Even if loss of film on a part of, the electrically connected to the transparent conductive film 37a, such as ITO, can be advantageously reduced disconnection of the source line 23.

【0097】(実施形態2)本実施形態2では、層間絶縁膜38の作製プロセスについて、他の方法を説明する。 [0097] In Embodiment 2 Embodiment 2, a manufacturing process of the interlayer insulating film 38, illustrating another way.

【0098】まず、感光性でない有機薄膜をスピン塗布法により形成する。 [0098] First, an organic thin film is not photosensitive is formed by a spin coating method. その上にフォトレジストを形成してパターニングした後、エッチング処理を施して層間絶縁膜38を貫通するコンタクトホール26を形成すると共に層間絶縁膜38のパターニングを行う。 After patterning by a photoresist thereon, patterning the interlayer insulating film 38 to form a contact hole 26 penetrating the interlayer insulating film 38 by etching.

【0099】または、感光性でない有機薄膜を積層し、 [0099] Alternatively, an organic thin film is not a photosensitive laminated,
その上にフォトレジストを形成してパターニングした後、エッチング処理を施して層間絶縁膜38のパターニングを行ってもよい。 After patterning by a photoresist thereon, it may be subjected to patterning of the interlayer insulating film 38 by etching.

【0100】感光性を有さない有機薄膜の材料としては、例えば、熱硬化性アクリル系樹脂を用いることができる。 [0100] As a material of the organic thin film having no photosensitivity can be used, for example a thermosetting acrylic resin. 具体的には、日本合成ゴム社製のJSS-924(2液タイプ)やJSS-925(1液タイプ)を用いることができる。 Specifically, it is possible to use Japan Synthetic Rubber Co. JSS-924 (2-component type) and JSS-925 (1-component type). これらの樹脂も概ね280℃以上の耐熱性を有している。 These resins also have a generally 280 ° C. or higher heat resistance. また、感光性を有さない樹脂を用いて層間絶縁膜を形成することによって、樹脂の設計の自由度が上がり、例えば、ポリイミド樹脂を用いることもできる。 Further, by forming an interlayer insulating film of a resin having no photosensitive, increases the flexibility of the resin design, for example, it can also be used polyimide resin. 無色透明なポリイミド樹脂としては、2,2−ビス(ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロピレン酸二無水物、オキシジフタル酸無水物、及びビフェニルテトラカルボン酸無水物などの酸二無水物と、スルホン基及び/ The colorless transparent polyimide resin, 2,2-bis (dicarboxyphenyl) hexafluoropropylene acid dianhydride, and an acid dianhydride such as oxydiphthalic anhydride, and biphenyl tetracarboxylic acid anhydride, sulfonic group and /
またはエーテル基を有するメタ位置換芳香族ジアミン、 Or meta position substituted aromatic diamines having an ether group,
ヘキサフルオロプロピレン基を有するジアミンとも組み合わせから得られるポリイミドを挙げることができる。 It may be mentioned polyimide obtained from the combination with diamines having a hexafluoropropylene group.
これらのポリイミド樹脂については、例えば、藤田ら、 These polyimide resins, e.g., Fujita et al.,
日東技報、第29巻、第1号、第20〜28頁(199 Nitto Technical Report, Vol. 29, No. 1, pp. 20-28 (199
1)に開示されている。 Disclosed in 1). また、これらの無色透明ポリイミド樹脂のなかでも、酸二無水物及びジアミンの両方がヘキサフルオロプロピレン基を有する樹脂の透明性が高い。 Further, among these colorless and transparent polyimide resin, both acid dianhydride and diamine is highly transparent resin having a hexafluoropropylene group. これらフッ素系のポリイミド以外のフッ素系の樹脂を用いることもできる。 It is also possible to use a fluorocarbon resin other than polyimide these fluorine-based. フッ素系の材料は無色透明性に優れるとともに、低誘電率および高耐熱性という特徴を有している。 With fluorine-based material is excellent in colorless transparency, it has a feature of low dielectric constant and high heat resistance.

【0101】また、感光性を有さない有機材料からなる層間絶縁膜をパターニングするために用いるフォトレジストの材料としては、シリコン元素を含有するフォトレジストを用いることが好ましい。 [0102] Further, as the material of the photoresist used to pattern the interlayer insulating film comprising an organic material having no photosensitivity, it is preferable to use a photo-resist containing silicon element. 上記有機薄膜のエッチングは、CF 4 、CF 3 HやSF 6等を含有するエッチングガスを用いたドライエッチング法で行うのが一般的である。 Etching of the organic thin film is performed by dry etching using an etching gas containing CF 4, CF 3 H and SF 6 or the like is generally used. エッチングされる層間絶縁膜もエッチングレジストとして機能するフォトレジストもともに有機材料からなるので、上記方法でエッチングを行うと選択比を大きくすることが困難である。 Since the interlayer insulating film to be etched is also made of both an organic material is also a photoresist which functions as an etching resist, it is difficult to increase the selection ratio to perform the etching in the above method. 特に、本実施形態のように、 In particular, as in this embodiment,
1.5μm以上の膜厚の層間絶縁膜をエッチングする場合、層間絶縁膜の厚さとレジスト層の膜厚とがほぼ同程度なので、材料自身のエッチング速度に十分な差(選択比)があることが好ましい。 When etching 1.5μm or more thickness of the interlayer insulating film, since almost the same degree thickness and the thickness of the resist layer is an interlayer insulating film, that there is sufficient difference (selection ratio) in the etch rate of the material itself It is preferred. 例えば、本実施形態の感光性アクリル系樹脂と通常のフォトレジスト(例えば、東京応化工業社製OFPR−800)との選択比は、約1.5である。 For example, selectivity to the photosensitive acrylic resin and conventional photoresists of the embodiment (e.g., Tokyo Ohka Kogyo Co. OFPR-800) is about 1.5. これに対し、本実施形態で用いたシリコン元素含有のフォトレジストと感光性アクリル系樹脂との選択比は、約2.0以上であり、高精度のパターニングが可能である。 In contrast, selectivity of the silicon element content of photoresist used in the present embodiment and the photosensitive acrylic resin is from about 2.0 or more, it is possible to highly accurate patterning.

【0102】さらに、他の方法として、シリコン元素を含有しない通常のフォトレジスト層を形成した後、フォトレジスト層の表面にシランカップリング剤(例えば、 [0102] Further, as another method, after forming the conventional photoresist layer which does not contain silicon element, the surface of the photoresist layer a silane coupling agent (e.g.,
ヘキサメチルジシラザン)を塗布し、このシランカップリング剤層を酸素プラズマ処理することによって、フォトレジスト層のエッチング速度を小さくすることができる。 Applying a hexamethyldisilazane), by the silane coupling agent layer to oxygen plasma treatment, it is possible to reduce the etch rate of the photoresist layer. これは、シランカップリング剤層が酸素プラズマ処理によって、酸化シリコン層となり、フォトレジスト層の保護層として機能するからである。 This silane coupling agent layer by oxygen plasma treatment, becomes silicon oxide layer, because it functions as a protective layer of a photoresist layer. この方法法は、シリコン元素を含むフォトレジスト材料と組み合わせて用いることもできる。 The method method can also be used in combination with a photoresist material containing silicon element.

【0103】上述したシリコン元素を利用して選択比を向上する方法は、CF 4 、CF 3 HまたはSF 6を含有するエッチングガスを用いたドライエッチング法において特に顕著な効果が得られる。 [0103] How to improve the selection ratio by using the above silicon element is especially remarkable effects in the dry etching method using an etching gas containing CF 4, CF 3 H, or SF 6 can be obtained.

【0104】このようにして層間絶縁膜38を形成したアクティブマトリクス基板においても、上記実施形態1 [0104] In the active matrix substrate formed with the interlayer insulating film 38 in this manner, the first embodiment
のアクティブマトリクス基板と同様に、開口率の高い透過型液晶表示装置を実現することができる。 The Like the active matrix substrate, it is possible to realize a high aperture ratio transmission type liquid crystal display device.

【0105】また、層間絶縁膜38として感光性でない有機薄膜を用いても、その比誘電率が低く、また、透明度も高いので3μmという厚い膜厚にすることができる。 [0105] Further, even when using an organic thin film is not photosensitive as the interlayer insulating film 38, the dielectric constant is low and, since transparency is high can be thick film of 3 [mu] m. よって、ゲート配線22と画素電極21との間の容量およびソース配線23と画素電極21との間の容量を、その低い比誘電率と容量の電極間距離が離れる分、 Therefore, capacity, frequency distance between the electrodes of the low dielectric constant and capacity leaves between the capacitor and the source wiring 23 and the pixel electrode 21 between the gate wiring 22 and the pixel electrode 21,
低くすることができる。 It can be lowered.

【0106】(実施形態3)図3は、本発明の実施形態3の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素部分の構成を示す平面図であり、図4は図3の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のB−B'断面図である。 [0106] (Embodiment 3) FIG. 3 is a plan view showing the configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of Embodiment 3 of the present invention, a transmissive liquid crystal of Figure 4 Figure 3 is a B-B 'sectional view of an active matrix substrate in a display device. なお、図1および図2と同様の作用効果を奏する部材には同一の符号を付けてその説明を省略する。 Incidentally, members the same effects as in FIG. 1 and FIG. 2 the description thereof is omitted with the same reference numerals.

【0107】本実施形態3のアクティブマトリクス基板では、TFT24のドレイン電極36bに接続される接続電極25の先端部である、画素の付加容量の一方の電極である付加容量電極25aに対向する付加容量対向電極27が、図16の付加容量共通配線6を通じて対向基板上に形成された対向電極に接続される構成となっているが、層間絶縁膜38を貫くコンタクトホール26aの形成位置を、この付加容量共通配線6の一端である付加容量対向電極27および付加容量電極25aの上部に形成している。 [0107] In the active matrix substrate of the present embodiment 3 is the distal end portion of the connection electrode 25 connected to the drain electrode 36b of the TFT 24, the additional capacitance facing the additional capacitance electrode 25a, which is one electrode of the additional capacitance of the pixel the counter electrode 27 has a configuration that is connected to a counter electrode formed on the counter substrate through the additional capacitor common line 6 of FIG. 16, the formation position of the contact hole 26a penetrating the interlayer insulating film 38, the additional it is formed on top of the storage capacitor counter electrode 27 and the additional capacitor electrode 25a which is one end of a capacitor common line 6. つまり、このコンタクトホール26aは、 In other words, the contact hole 26a is,
遮光性の金属膜で構成されている付加容量配線上部に設けられている。 It is provided in the additional capacitance wiring upper that consists of light-shielding metal film.

【0108】これにより、以下のような利点を有する。 [0108] As a result, it has the following advantages.

【0109】例えば、層間絶縁膜38の膜厚を3μmにすると、液晶セルの厚みである4.5μmと比較しても無視できない厚みであるので、コンタクトホール26a [0109] For example, when the thickness of the interlayer insulating film 38 is 3 [mu] m, since a thickness which can not be ignored as compared to 4.5μm and a thickness of the liquid crystal cell, a contact hole 26a
の周辺に液晶の配向乱れによる光漏れが発生する。 Light leakage occurs due to the alignment disorder of the liquid crystal in the vicinity of. したがって、透過型液晶表示装置の開口部にこのようなコンタクトホール26aを形成した場合には、この光漏れによるコントラストの低下が生じる。 Therefore, when the opening of the transmission type liquid crystal display device to form such a contact hole 26a, a reduction in contrast caused by the light leakage. これに対して、本実施形態3のアクティブマトリクス基板では、付加容量共通配線6の一端である付加容量対向電極27および付加容量電極25aの遮光性の金属膜上部にコンタクトホール26aが形成されているので、このような問題は生じない。 In contrast, in the active matrix substrate of this example 3, the light-shielding metal film top the contact hole 26a of which is one end of the additional capacitor common line 6 storage capacitor counter electrode 27 and the additional capacitor electrode 25a is formed because, such a problem does not occur. つまり、このコンタクトホール26aが、遮光性の金属膜である付加容量配線上部に設けられていると、 In other words, the contact hole 26a is the provided on the additional capacitance line top is a light-shielding metal film,
液晶の配向乱れによる光漏れが発生しても、開口部以外の遮光部であってコントラストの低下は生じない。 Be light leakage due to the orientation disorder of liquid crystal is generated, no decrease in contrast a shielding portion other than the opening portion. これは、隣接するゲート配線22の一部を付加容量電極として付加容量を形成する場合にも同様であり、この場合には、隣接するゲート配線22上にコンタクトホール26 This is the same in the case of forming an additional capacitance portion of the adjacent gate lines 22 as additional capacitor electrodes, in this case, the contact hole 26 on the adjacent gate lines 22
aを形成することにより、ゲート配線22で遮光してコントラストの低下を防ぐことができる。 By forming the a, it is possible to prevent deterioration of contrast by shielded by the gate line 22.

【0110】また、このアクティブマトリクス基板は、 [0110] In addition, the active matrix substrate,
TFT24のドレイン電極36bと、コンタクトホール26aとを接続する接続電極25として透明導電膜37 And the drain electrode 36b of the TFT 24, the transparent conductive film 37 as a connection electrode 25 for connecting the contact hole 26a
a'を形成しているので、コンタクトホール26aを付加容量上に形成しても開口率の低下は生じない。 Since forming the a ', even when a contact hole 26a on the additional capacitance does not occur decrease in aperture ratio.

【0111】したがって、ホール下部においては付加容量対向電極27で遮光しているのでその部分で液晶の配向が乱れたとしても表示には影響無く、コンタクトホール26aの形成には、その寸法精度を重視する必要がなく、大きくしかも滑らかに形成することができて、層間絶縁膜38上に形成される画素電極21がコンタクトホール26aで切れることなく、よりうまくつながって、 [0111] Thus, without any effect on the display as in that part alignment of the liquid crystal was disturbed since the light shielding by the storage capacitor counter electrode 27 is in the lower hole, the formation of the contact hole 26a is emphasized that dimensional accuracy there is no need to, and can be increased yet smoothly formed without pixel electrode 21 formed on the interlayer insulating film 38 is cut in the contact hole 26a, connected better,
歩留まりも向上する。 Yield is also improved.

【0112】(実施形態4)図5は、本発明の実施形態4の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構成を示す一部断面図である。 [0112] (Embodiment 4) FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing the arrangement of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of Embodiment 4 of the present invention.

【0113】本実施形態4のアクティブマトリクス基板では、層間絶縁膜38を貫くコンタクトホール26bが付加容量共通配線6の上部に形成されており、このコンタクトホール26bの下部に形成された透明導電膜37 [0113] In the active matrix substrate of this example 4, the contact hole 26b is formed in the upper portion of the additional capacitor common line 6, the transparent conductive film 37 formed on the bottom of the contact hole 26b penetrating the interlayer insulating film 38
a'の上に金属窒化物層41が形成されている。 Metal nitride layer 41 is formed on the a '.

【0114】これにより、以下のような利点を有する。 [0114] As a result, it has the following advantages.

【0115】層間絶縁膜38を構成する樹脂と、透明導電膜であるITOなど、または金属であるTa、Alなどとの密着性には問題がある。 [0115] and the resin constituting the interlayer insulating film 38, the adhesion of the Ta, Al, etc. to be ITO, etc., or a metal which is a transparent conductive film has a problem. 例えば、コンタクトホール26bの開口後の洗浄工程において、コンタクトホール26bの開口部から、その樹脂と下地との間の界面に洗浄液が侵入し、樹脂の膜剥がれが生じるという問題があった。 For example, in the cleaning process after the opening of the contact hole 26b, the opening of the contact hole 26b, the the interface between the resin and the underlying cleaning solution penetrates, there is a problem that the film of resin peeling occurs. これに対して、本実施形態4のアクティブマトリクス基板では、その樹脂との密着性が良好なTaNやAlNなどの金属窒化物層41を形成するので、膜剥がれなどの密着性に関する問題は生じない。 In contrast, in the active matrix substrate of the present embodiment 4, since the adhesion between the resin to form a metal nitride layer 41, such as a good TaN or AlN, no problem occurs regarding adhesion such as peeling film .

【0116】この金属窒化物層41は、層間絶縁膜38 [0116] The metal nitride layer 41, an interlayer insulating film 38
を構成する樹脂や、透明導電膜である接続電極37a' And the resin constituting the, which is a transparent conductive film connection electrode 37a '
およびTa、Alなどの金属などと密着性のよいものであればいずれを用いてもよいが、接続電極37a'と画素電極21とを電気的に接続する必要があるので、良好な導電性を有している必要がある。 And Ta, may be used so long as good, such as an adhesion metal such as Al, but the connection electrode 37a 'and the pixel electrode 21 must be electrically connected, good electrical conductivity there is a need to have.

【0117】(実施形態5)本実施形態5では、透過型液晶表示装置の駆動方法について説明する。 [0117] In Embodiment 5 The present embodiment 5, the driving method of the transmission type liquid crystal display device will be described.

【0118】本発明の透過型液晶表示装置においては、 [0118] In the transmission type liquid crystal display device of the present invention,
層間絶縁膜を形成することにより各配線と画素電極とをオーバーラップさせている。 And the respective line and the pixel electrode are overlapped by forming an interlayer insulating film. 画素電極と各配線とがオーバーラップせずに、その間に間隔が開いていると液晶に電界の印加されない領域が発生するが、このように画素電極を各配線にオーバーラップさせることにより、この領域をなくすことができる。 The pixel electrodes and the wiring do not overlap, but the applied region where no electric field is generated in the liquid crystal when the interval is open therebetween By thus overlap the pixel electrodes in the wiring, the area it can be eliminated. また、隣接する画素電極の間の液晶にも電界が印加されないが、それによる光漏れを各配線により遮断することができる。 Although the electric field to a liquid crystal between the adjacent pixel electrodes is not applied, it can be blocked by the wires light leakage caused thereby. このため、対向基板上に、両基板の貼り合わせずれを見込んだ形でブラックマスクを形成する必要がなくなり、開口率を向上させることができる。 Therefore, on the counter substrate, it is not necessary to form a black mask with bonding form in anticipation of displacement of the two substrates, thereby improving the aperture ratio. また、各配線に起因する電界をシールドすることもできるので、液晶の配向不良の抑制を図ることができるという利点もある。 Further, since the electric field caused by the wiring can be shielded, there is an advantage that it is possible to suppress the liquid crystal orientation defect.

【0119】但し、このオーバーラップ幅は、実際の製造工程でのばらつきを見込んで設定する必要があり、例えば1.0μm程度以上に設定されることが望ましい。 [0119] However, the overlap width should be set in anticipation of variation in the actual manufacturing process, for example, it is desirably set to not less than about 1.0 .mu.m.

【0120】上述のように、ソース配線と画素電極とをオーバーラップさせる構造とした場合には、ソース配線と画素電極との間の容量に起因してクロストークが発生し、表示品位を低下させるという問題があった。 [0120] As described above, in the case of a structure to overlap the source wiring and the pixel electrode, crosstalk occurs due to the capacitance between the source line and the pixel electrode, lowering the display quality there is a problem in that. 特に、 Especially,
ノートブック型バーソナルコンピューターに用いられる液晶パネルにおいては、一般的に画素を縦ストライプに配列するため、ソース配線と画素電極との間の容量の表示に対する影響が大きい。 In the liquid crystal panel used for a notebook-type bar coarsely braided computer, generally for arranging the pixels in a vertical stripe, a large influence on the display of the capacitance between the source line and the pixel electrode. この理由として、この配列では画素電極の形状がソース信号と隣接する部分を長辺とする長方形となるので、画素電極とソース配線との間の容量が相対的に大きくなること、また、隣接するソース配線の表示の色が異なっているため、信号の相関性が少なく、容量の影響をキャンセルさせることができないことなどが考えられる。 The reason, since the shape of the pixel electrode in this sequence a rectangle a portion adjacent to the source signal and the long side, the capacity between the pixel electrode and the source line is relatively large, also, the adjacent because the different colors displayed for the source wiring, less correlation signal, is considered such that it is impossible to cancel the effect of capacitance.

【0121】本発明の透過型液晶表示装置においては、 [0121] In the transmission type liquid crystal display device of the present invention,
層間絶縁膜が有機薄膜からなるので比誘電率が小さく、 Since the interlayer insulating film composed of an organic thin film dielectric constant is small,
また、膜厚を容易に厚くできるので、画素電極と各配線との間の容量を小さくすることができる。 Further, since the film thickness can be easily increased, it is possible to reduce the capacitance between the pixel electrodes and the wirings. さらにこれに加えて、ソース配線と画素電極との間の容量の影響を小さくして、ノートブック型バーソナルコンピューターにおいても縦クロストークを十分低減させるためには、以下のような駆動方法を用いてることができる。 In addition to this, by reducing the influence of the capacitance between the source line and the pixel electrode, in order to sufficiently reduce the vertical crosstalk in notebook bar coarsely braided computer, using the driving method described below it can be shining.

【0122】本実施形態5の透過型液晶表示装置の駆動方法は、ソース配線と画素電極との間の容量の表示に対する影響を低減させるために、データ信号の極性を一水平期間毎に反転させる駆動方法(以下1H反転という) [0122] The driving method of the liquid crystal display device of this fifth embodiment, in order to reduce the influence on the display of the capacitance between the source line and the pixel electrode, to reverse the polarity of the data signals for each horizontal period The driving method (hereinafter referred to as 1H inversion)
を用いて駆動する。 Driven using the.

【0123】図6に、1H反転の場合(図7a)と、データ信号の極性をフィールド毎に反転させる駆動方法(以下フィールド反転という)の場合(図7b)とについて、ソース配線と画素電極との間の容量が画素の充電率に与える影響を示している。 [0123] Figure 6, when the 1H inversion (FIG. 7a), when the driving method which inverts the polarity of data signals for each field (hereinafter referred to as field inversion) for a (FIG. 7b), the source wiring and the pixel electrode capacitance between indicates the effect on the charging rate of the pixel.

【0124】図6において、縦軸の充電率差とは、中間調の一様表示の場合と、中間調表示の中に縦方向の占有率が33%である黒のウィンドーパターンを表示させた場合とにおいて、中間調表示部の液晶に印加される電圧の実効値差の割合を示している。 [0124] In FIG. 6, the charging rate difference of the vertical axis, in the case of uniform halftone display, vertical occupancy in the halftone display is to display a black window pattern is 33% in the case were, it shows the percentage of effective value difference between the voltages applied to the liquid crystal of the halftone display unit. また、横軸の容量比とは、ソース配線と画素電極との間の容量に起因する画素電極の電圧変動に比例し、下記式(1)で定義される。 In addition, the horizontal axis the volume ratio of, proportional to the voltage variation of the pixel electrode caused by the capacitance between the source line and the pixel electrode is defined by the following formula (1).

【0125】 容量比=Csd/(Csd+Cls+Cs) ・・・(1) 但し、Csdは画素電極とソース配線との間の容量値を示し、Clsは各画素を構成する液晶の中間調表示における容量値を示し、Csは各画素を構成する付加容量の容量値を示している。 [0125] volume ratio = Csd / (Csd + Cls + Cs) ··· (1) where, Csd denotes the capacitance value between the pixel electrode and the source line, Cls capacitance value in the halftone display of the liquid crystal constituting each pixel are shown, Cs represents the capacitance value of the additional capacitance constituting each pixel. なお、中間調表示とは、透過率が50 Note that the gray scale display, the transmittance 50
%の場合を示している。 % Of shows the case.

【0126】図6から明かなように、本実施形態5による1H反転の駆動方法は、フィールド反転による駆動方法に比べて、ソース配線と画素電極との間の容量が同じであっても、実際の液晶に印加される実効電圧への影響を1/5〜1/10に低減することができることが解る。 [0126] As is clear from FIG. 6, the driving method of the 1H inversion according to the present embodiment 5, compared to the driving method according to the field inversion, even capacitance between the source line and the pixel electrode are the same, the actual it is understood that it is possible to reduce influence on the effective voltage applied to the liquid crystal of the 1 / 5-1 / 10. この理由は、1H反転駆動の場合には、1フィールドの間に1フィールドの時間に対して十分に短い周期で、データ信号の極性が反転されるので、+極性の信号と−極性の信号とが表示に与える影響がキャンセルされるためである。 This is because, in the case of the 1H inversion driving is a sufficiently short period with respect to time of one field during one field, the polarity of the data signal is inverted, positive polarity signal and - polarity of the signal and There is because the impact on the display is canceled.

【0127】ところで、対角26cmのVGAパネルで表示実験を行ったところ、中間調において充電率差が0.6%以上になるとクロストークが顕著になって、表示品位に問題が生じることが解った。 [0127] Incidentally, was subjected to display experiments VGA panel diagonal 26cm, is remarkable crosstalk when charging rate difference in halftone becomes 0.6% or more, it found that the problem in the display quality caused It was. このスペックを図6の図中に点線で示している。 It is shown with a dotted line the specification in view of FIG. 図6によれば、充電率差を0.6%以下にするためには、容量比を10%以下にすればよいことが解る。 According to FIG. 6, to the charging rate difference than 0.6 percent, it is found that it is sufficient capacity ratio to 10% or less.

【0128】図8に、対角26cmのVGAパネルにおいて、層間絶縁膜の膜厚をパラメーターとして計算した場合の、画素電極とソース配線とのオーバーラップ量と、画素電極とソース配線との間の容量との関係を示している。 [0128] Figure 8, in VGA panel diagonal 26cm, in the case of calculating the thickness of the interlayer insulating film as a parameter, and the amount of overlap between the pixel electrode and the source line, between the pixel electrode and the source wiring It shows the relationship between the capacity. ここで、層間絶縁膜は、上記実施態様1で用いたアクリル系感光性樹脂(比誘電率3.4)とした。 Here, the interlayer insulating film was acrylic photosensitive resin used in the above embodiment 1 (dielectric constant 3.4). また、このとき、加工精度を考慮すると、画素電極とソース配線との間のオーバーラップ幅は少なくとも1μmは必要である。 At this time, considering the processing precision, the overlap width between the pixel electrode and the source line is at least 1μm necessary. 図6および図8によれば、オーバーラップ幅を1μmとして充電率差を0.6%以下とするためには、層間絶縁膜の膜厚が2.0μm以上であればよいことが解る。 According to FIG. 6 and 8, to the charging rate difference of 0.6% or less overlap width as 1μm, the film thickness of the interlayer insulating film can be seen that it is sufficient 2.0μm or more.

【0129】このように、画素電極をソース配線に対してオーバーラップさせた場合、1水平期間毎に信号の極性を反転させる1H反転駆動を行うことにより、隣接するソース配線の信号の極性を反転させるソースライン反転駆動を行わななくても縦クロストークが認められない良好な表示を得ることができ、ノートブック型パーソナルコンピュータにも十分対応することができる。 [0129] Thus, when the overlapped pixel electrode to the source line, by performing the 1H inversion driving for inverting the polarity of a signal for each horizontal period, reversing the polarity of the signal of the adjacent source lines is without such perform source line inversion drive can obtain a good display without vertical crosstalk was observed even cause, it can sufficiently cope with a notebook personal computer.

【0130】また、1H反転駆動において横方向に隣接する画素電極に入力する信号の極性を反転する、ドット反転駆動を用いても、上記1H反転駆動と同様な効果が得られる。 [0130] Also, reversing the polarity of the signal input to the pixel electrodes adjacent in the lateral direction in the 1H inversion driving, even using a dot inversion driving, the 1H inversion driving and the same effect can be obtained. また、ソースライン反転駆動においても、画素電極とソース配線との間の容量が十分小さい場合には、効果的である。 Also in the source line inversion driving, when the capacity between the pixel electrode and the source line is sufficiently small, it is effective. さらに、本願発明によると画素電極とソース配線との間の容量が十分小さいので、隣接する画素電極に供給される信号に相関が低いカラー表示を行う場合においても、クロストークの発生を抑制することができる。 Furthermore, since the capacitance between the According to the present invention the pixel electrode and the source line is sufficiently small, when the correlation to the signal supplied to the adjacent pixel electrodes to perform low color display also possible to suppress the occurrence of crosstalk can.

【0131】(実施形態6)本実施形態6では、液晶に印加される電圧の極性を1ゲート配線毎に反転させると共に、対向電極に印加される信号をソース信号の極性の反転と同期させて、交流駆動する駆動方法について説明する。 [0131] In Embodiment 6 The present embodiment 6, the polarity of the voltage applied to the liquid crystal causes inverted every one gate line, and a signal applied to the counter electrode in synchronization with the inversion of the polarity of the source signal , it described driving method of AC driving.

【0132】このように対向電極を駆動することにより、ソース信号の振幅を小さく抑えることができる。 [0132] By driving in this way the counter electrode, it is possible to reduce the amplitude of the source signal.

【0133】上記図6に、対向電極を振幅5Vで交流駆動した場合について、同時に示している。 [0133] in FIG. 6, the case where the counter electrode is AC driven with an amplitude 5V, shows at the same time. 図6によれば、対向電極を交流駆動することにより約1割程度、充電率差が大きくなるものの、1H反転駆動を行っているためにフィールド反転駆動に比べて十分充電率差を小さくできる。 According to FIG. 6, about 10% about by AC driving a counter electrode, although the charging rate difference increases, it is possible to reduce the sufficient charging rate difference as compared with field inversion drive for doing 1H inversion driving. したがって、この駆動方法でも、縦クロストークが見られない良好な表示を実現することができる。 Thus, in this driving method, it is possible to realize a good display without is seen vertical crosstalk.

【0134】(実施形態7)本実施形態7は、平坦な画素電極と各配線をオーバーラップさせて液晶表示の開口率の向上および液晶の配向不良の抑制を図ることができるとともに製造工程が簡略化でき、かつ各配線と画素電極との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減して良好な表示を得る場合であり、これに加えて、層間絶縁膜の露光および現像後、前記感光性透明アクリル樹脂に使用する感光剤に対して、基板全面に露光を行い、不要な感光剤を完全に反応させることで、透明度の高い層間絶縁膜とする場合である。 [0134] (Embodiment 7) Embodiment 7, the manufacturing process it is possible to improve and liquid crystal alignment defects in the suppression of by overlapping a flat pixel electrode and the wiring liquid crystal display aperture ratio of concise reduction can, and a case of obtaining a more reduced by good display effects such as crosstalk capacitance component has on the display between each line and the pixel electrode, in addition, the exposure of the interlayer insulating film and development after, the photosensitive agent used in the photosensitive transparent acrylic resin, exposure on the entire surface of the substrate, by complete reaction of the unwanted photosensitizer, a case where a highly transparent interlayer insulating film.

【0135】図9は、本発明の実施形態7の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素部分の構成を示す平面図である。 [0135] Figure 9 is a plan view showing the configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of Embodiment 7 of the present invention.

【0136】図9において、アクティブマトリクス基板には、複数の画素電極51がマトリクス状に設けられており、これらの画素電極51の周囲を通り、互いに直交差するように、各ゲート配線52とソース配線53が設けられている。 [0136] In FIG. 9, the active matrix substrate, a plurality of pixel electrodes 51 are provided in a matrix, through the periphery of the pixel electrodes 51, so as to directly cross each other, the gate lines 52 and the source wiring 53 is provided. これらのゲート配線52とソース配線5 The gate lines 52 and source lines 5
3はその一部が画素電極51の外周部分とオーバーラップしている。 3 part is an outer peripheral portion and overlaps the pixel electrode 51. また、これらのゲート配線52とソース配線53の交差部分において、画素電極51に接続されるスイッチング素子としてのTFT54が設けられている。 Further, at the intersection of these gate lines 52 and source lines 53, TFT 54 as a switching element is provided which is connected to the pixel electrode 51. このTFT54のゲート電極にはゲート配線52が接続され、ゲート電極に入力される信号によってTFT The gate electrode of the TFT54 is connected to the gate line 52, TFT by a signal input to the gate electrode
54が駆動制御される。 54 is driven and controlled. また、TFT54のソース電極にはソース配線53が接続され、TFT54のソース電極にデータ信号が入力される。 Further, the source wiring 53 is connected to the source electrode of the TFT 54, the data signal is input to the source electrode of the TFT 54. さらに、TFT54のドレイン電極は、接続電極55さらにコンタクトホール5 Furthermore, the drain electrode of the TFT54 is connected electrode 55 further contact hole 5
6を介して画素電極51と接続されるとともに、接続電極55を介して付加容量の一方の電極である付加容量電極55aと接続されている。 It is connected to the pixel electrode 51 through 6 are connected to the additional capacitance electrode 55a, which is one electrode of the additional capacitor via the connecting electrode 55. この付加容量の他方の電極である付加容量対向電極57は共通配線に接続されている。 Storage capacitor counter electrode 57 as the other electrode of the additional capacitor is connected to the common wiring.

【0137】図10は図9の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のC−C'断面図である。 [0137] FIG 10 is a C-C 'cross sectional view of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of FIG.

【0138】図10において、透明絶縁性基板61上に、図9のゲート配線52に接続されたゲート電極62 [0138] In FIG. 10, a transparent on the insulating substrate 61, a gate electrode connected to the gate line 52 of FIG. 9 62
が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜63が設けられている。 Is provided, the gate insulating film 63 is formed overlying it. その上にはゲート電極62と重畳するように半導体層64が設けられ、その中央部上にチャネル保護層65が設けられている。 As the semiconductor layer 64 so as to overlap with the gate electrode 62 is provided on the channel protective layer 65 is provided on its center portion. このチャネル保護層65の両端部および半導体層64の一部を覆い、チャネル保護層65上で分断された状態で、ソース電極66aおよびドレイン電極66bとなるn + Si層が設けられている。 It covers part of both end portions and the semiconductor layer 64 of the channel protective layer 65, in a state of being divided over the channel protective layer 65, n + Si layer is formed as a source electrode 66a and drain electrode 66b.
一方のn + Si層であるソース電極66aの端部上には、透明導電膜67aと金属層67bとが設けられて2 On end portions of the source electrode 66a is one of n + Si layer, provided the transparent conductive film 67a and the metal layer 67b is 2
層構造のソース配線53となっている。 It has become a source wiring 53 of the layer structure. また、他方のn In addition, the other n
+ Si層であるドレイン電極66bの端部上には、透明導電膜67a'と金属層67b'とが設けられ、透明導電膜67a'は延長されて、ドレイン電極66bと画素電極51とを接続するとともに付加容量の一方の電極である付加容量電極55aに接続される接続電極55となっている。 At the end of the drain electrode 66b on a + Si layer, the transparent conductive film 67a 'and the metal layer 67b' and is provided, the transparent conductive film 67a 'is extended, connecting the drain electrode 66b and the pixel electrode 51 and it has a connecting electrode 55 which is connected to the additional capacitor electrode 55a, which is one electrode of the additional capacitor while. さらに、TFT54、ゲート配線52およびソース配線53、接続電極55の上部を覆って、感光部分が現像液に溶解する透明度の高い透明アクリル樹脂(感光性透明アクリル樹脂)からなる層間絶縁膜68が設けられている。 Furthermore, TFT 54, the gate wiring 52 and the source line 53, over the top of the connection electrode 55, the photosensitive moiety is provided an interlayer insulating film 68 made of transparent acrylic resin with high transparency which dissolves in a developing solution (photosensitive transparent acrylic resin) It is.

【0139】この層間絶縁膜68上には、画素電極51 [0139] On the interlayer insulating film 68, the pixel electrode 51
となる透明導電膜が設けられ、層間絶縁膜68を貫くコンタクトホール66を介して、接続電極55である透明導電膜67a'によりTFT54のドレイン電極66b A transparent conductive film is provided comprising, via a contact hole 66 penetrating the interlayer insulating film 68, the drain electrode 66b of TFT54 by the transparent conductive film 67a 'is connected electrode 55
と接続されている。 And it is connected to the.

【0140】以上のように本実施形態7のアクティブマトリクス基板が構成され、以下のようにして製造することができる。 [0140] is an active matrix substrate of the present embodiment 7 is configured as described above, it can be prepared as follows.

【0141】まず、ガラス基板などの透明絶縁性基板6 [0141] First, a transparent insulating such as a glass substrate substrate 6
1上に、Ta,Al,Mo,W,Crなどよりなるゲート電極62、SiN x ,SiO 2 ,Ta 25などよりなるゲート絶縁膜63、半導体膜(i−Si)64、SiN On 1, Ta, Al, Mo, W, a gate electrode 62 made of such as Cr, SiN x, SiO 2, Ta 2 O 5 formed of a gate insulating film 63, a semiconductor film (i-Si) 64, SiN
x ,Ta 25などよりなるチャネル保護膜65、ソース電極66aおよびドレイン電極66bとなるn + Si層を順次成膜して形成する。 x, Ta 2 O 5 channel protective film 65 including, for example, be formed by sequentially forming an n + Si layer serving as a source electrode 66a and drain electrode 66b. さらに、ソース配線53および接続電極55を構成する透明導電膜67a,67a' Further, the transparent conductive film 67a constituting the source wiring 53 and the connection electrodes 55, 67a '
および、Ta,Al,MoW,Crなどよりなる金属膜67b,67b'を、スパッタ法により順次成膜して所定形状にパターニングする。 And, Ta, Al, MoW, metal film 67b made of such as Cr, the 67b ', patterned into a predetermined shape by sequentially formed by sputtering. 本実施形態7においても、 In the present embodiment 7,
ソース配線53を構成する金属膜67b,67b'と透明導電膜67a,67a'であるITO膜の2層構造とした。 Metal film 67b constituting the source line 53, 67b 'and the transparent conductive film 67a, 67a' has a two-layer structure of ITO film is. この構成には、仮にソース配線53を構成する金属膜67b,67b'に欠損があったとしても、ITO This arrangement, if the metal film 67b constituting the source line 53, even if there is defect in 67b ', ITO
膜によって電気的に接続されるためにソース配線53の断線を少なくすることができるという利点がある。 There is an advantage that it is possible to reduce the disconnection of the source line 53 to be electrically connected by a membrane.

【0142】さらに、その上に、層間絶縁膜68として感光性のアクリル樹脂をスピン塗布法により例えば2μ [0142] Further, on which, for example, 2μ by spin coating a photosensitive acrylic resin as the interlayer insulating film 68
mの膜厚で形成する。 It is formed in a thickness of m. この感光性のアクリル樹脂に対して、所望のパターンに従って露光し、アルカリ性の溶液によって現像処理する。 For this photosensitive acrylic resin is exposed to light according to a desired pattern, developing with an alkaline solution. これにより露光された部分のみがアルカリ性の溶液によってエッチングされ、層間絶縁膜68を貫通するコンタクトホール56などが形成される。 Only portions exposed by this is etched with an alkaline solution, such as a contact hole 56 penetrating the interlayer insulating film 68 is formed.

【0143】その後、これら層間絶縁膜68およびコンタクトホール56上に、画素電極51となる透明導電膜をスパッタ法により形成し、これをパターニングする。 [0143] Then, on these interlayer insulating film 68 and the contact hole 56, the transparent conductive film to be the pixel electrode 51 is formed by sputtering, and patterning the same.
これにより、画素電極51は、層間絶縁膜68を貫くコンタクトホール56を介して、TFT54のドレイン電極66bと接続されている透明導電膜67a'と接続されることになる。 Thus, the pixel electrode 51 via a contact hole 56 penetrating the interlayer insulating film 68, to be connected with the transparent conductive film 67a 'which is connected to the drain electrode 66b of the TFT 54. このようにして、本実施形態7のアクティブマトリクス基板を製造することができる。 In this way, it is possible to manufacture the active matrix substrate of this example 7.

【0144】本実施形態7では、層間絶縁膜68を形成する材料として、感光部分が現像液に溶解する透明度の高い感光性透明アクリル樹脂(ポジ型感光性アクリル系樹脂)を用いる。 [0144] In the present embodiment 7, as a material for forming the interlayer insulating film 68, the photosensitive portions having a high transparency which dissolves in a developing solution photosensitive transparent acrylic resin (positive photosensitive acrylic resin).

【0145】ポジ型感光性アクリル系樹脂としては、例えば、メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料が好ましい。 [0145] As the positive type photosensitive acrylic resin, for example, a base polymer consisting of a copolymer of methacrylic acid and glycidyl methacrylate, a material obtained by mixing naphthoquinonediazide positive photosensitive agent is preferred. この樹脂はグリシジル基を含むので、加熱によって架橋(硬化) This resin comprises a glycidyl group, cross-linked by heating (curing)
することができる。 can do. 硬化後の物性として、誘電率:約3.4程度、400nm〜800nmの波長範囲の光に対する透過率:90%以上が得られる。 As physical properties after curing, dielectric constant: about 3.4, the transmittance for light with a wavelength range of 400 nm to 800 nm: 90% or more is obtained. また、i線(3 In addition, i-line (3
65nm)の紫外線を照射することより、短時間で脱色することができる。 From irradiation of ultraviolet light of 65 nm), it can be decolorized in a short time. また、パターニングには、i線以外の紫外線を用いることができる。 Further, the patterning may be performed using ultraviolet light other than the i-line. 本実施形態で使用した、感光性アクリル系樹脂の耐熱温度は概ね280℃なので、約250℃〜280℃以下の温度条件で、層間絶縁膜形成後の画素電極の形成等のプロセスを行うことによって、層間絶縁膜の劣化は抑制できる。 Used in this embodiment, the heat resistance temperature of the photosensitive acrylic resin so generally 280 ° C., at a temperature below about 250 ° C. to 280 ° C., by performing a process such as the formation of the pixel electrode after forming an interlayer insulating film , deterioration of the interlayer insulating film can be suppressed.

【0146】上述の透明度の高い感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜68の形成工程を、以下にさらに詳しく説明する。 [0146] The step of forming the interlayer insulating film 68 due to the high transparency of the above photosensitive transparent acrylic resin, described in more detail below.

【0147】この層間絶縁膜68の形成工程は、まず、 [0147] step of forming the interlayer insulating film 68, first,
感光性透明アクリル樹脂材料を含んだ溶液を基板上にスピン塗布し、プリベーキング、パターン露光、アルカリ現像、純水洗浄の順に一連の通常のフォトパターニング工程と同様に行う。 The containing photosensitive transparent acrylic resin material solution was spin-coated on a substrate, prebaking, pattern exposure, alkaline development is carried out similarly to the series of normal photo-patterning process in the order of pure water washing.

【0148】即ち、層間絶縁膜68を感光性透明アクリル樹脂を含んだ溶液をスピン塗布法により、3μmの膜厚に形成する。 [0148] That is, by the solution spin coating method including the photosensitive transparent acrylic resin interlayer insulating film 68 is formed to a thickness of 3 [mu] m. この場合、粘度29.0cpのアクリル樹脂をスピン回転数900〜1100rpmで塗布する。 In this case, applying the acrylic resin viscosity 29.0cp at spinning speed 900~1100Rpm. そうすることにより、画素電極が平坦化されて従来のような段差が無くなって液晶の配向不良が抑制され、 By doing so, the liquid crystal orientation defect gone a step like the conventional pixel electrode is flattened is suppressed,
表示品位が向上する。 Display quality is improved. 続いて、基板を約100℃に加熱して感光性透明アクリル樹脂の溶媒(乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど) Subsequently, the substrate was heated to about 100 ° C. of the photosensitive transparent acrylic resin solvent (ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate)
の乾燥を行った。 It was dry. 続いて、この感光性透明アクリル樹脂に対して所望のパターンに従って露光を行い、アルカリ性の溶液(テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド;以下TMAHという)などにより現像処理を行った。 Subsequently, exposure according to a desired pattern with respect to the photosensitive transparent acrylic resin, alkaline solution; after development processing or the like (tetramethylammonium hydroxide hereinafter TMAH). このアルカリ性の溶液により、露光された部分がエッチングされ、層間絶縁膜68を貫通するコンタクトホール56を形成することができた。 This alkaline solution, the exposed portion is etched, it was possible to form a contact hole 56 penetrating the interlayer insulating film 68. 現像液(TMAHの場合)の濃度は0.1〜1.0mol%が好ましい。 The concentration of the developing solution (for TMAH) is preferably 0.1 to 1.0 mol%. その濃度が1.0mol%以上であると、露光しない部分の感光性透明アクリル樹脂の膜厚の減少量が大きく、膜厚の制御が難しくなる。 When the concentration is more than 1.0 mol%, the decrease of the film thickness of the photosensitive transparent acrylic resin of the portion not exposed is large, the control of film thickness is difficult. 現像液の濃度が2.4mol% The concentration of the developing solution is 2.4mol%
と高濃度で使用すると、現像のヌキの部分にアクリル樹脂の変質物が残さとして残り、コンタクト不良が生じる。 And when used at high concentrations, the remaining, contact failure occurs in a portion of the Nuqui developed as left with alteration of acrylic resin. また、濃度が0.1mol%より低いと、現像液を循環して繰り返し使用する方式の現像装置では濃度の変動が大きいために濃度制御が難しくなる。 Further, when the concentration is lower than 0.1 mol%, density control is difficult due to the large variation in the concentration of a developing apparatus of a type to be used repeatedly circulated developer.

【0149】さらに、純水により基板表面に残った現像液を洗浄する。 [0149] In addition, cleaning the developer remaining on the substrate surface with pure water. このように感光性透明アクリル樹脂はスピン塗布法により形成できるので、数μmの膜厚であってもスピンコーターの回転速度と感光性透明アクリル樹脂の粘度を適度に選ぶことにより容易に膜厚を均一に形成することが可能である。 Since the photosensitive transparent acrylic resin may be formed by a spin coating method, a readily film thickness by choosing the viscosity of the rotational speed and the photosensitive transparent acrylic resin spin coater be a thickness of several μm moderately it is possible to uniformly form. また、コンタクトホール部のテーパ形状は、パターン露光時の露光量と現像液濃度、 Further, the tapered shape of the contact hole portion, a developing solution concentration and exposure amount at the time of pattern exposure,
現像時間を適度に選ぶことにより緩やかな形状を得ることができる。 It can be obtained a gentle shape by choosing the development time reasonably.

【0150】現像後、感光性透明アクリル樹脂に使用する感光剤の種類(例えばナフトキノンジアジト系感光剤、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤)や量によっては、樹脂が着色して見えることがある。 [0150] After development, the type of photosensitive agent used in the photosensitive transparent acrylic resin (e.g., naphthoquinone diazide-based photosensitive agent, naphthoquinonediazide positive photosensitive agent) and the amount may be resin appears colored. そのため、基板全面に露光を行い、樹脂に含まれる着色している不要な感光剤を完全に反応させて、可視領域での光吸収をなくし、アクリル樹脂の透明化を図る。 Therefore, exposure on the entire surface of the substrate, the unnecessary photosensitive agent is colored in the resin and completely reacted, eliminating the optical absorption in the visible region, achieving transparency of the acrylic resin. 感光剤としてナフトキシジアジド系ポジ型感光剤または/およびナフトキノンジアジド系感光剤などを含む。 Including naphthoquinone Siji azide positive photosensitive agent or / and naphthoquinonediazide photosensitive agent as a photosensitive agent. ここで、アクリル樹脂の膜厚を3μm塗布した後、透過光の波長(nm)に対する、表面を露光した場合の露光前後の透過率の変化を図11に示している。 Here, after coating 3μm thickness of the acrylic resin, with respect to the wavelength of the transmitted light (nm), it shows a change in transmittance before and after exposure in the case of exposing the surface in FIG. 図11からも解るように、例えば透過光の波長400nmにおいて、紫外光などの光を照射しなかった場合、その透過率が65パーセントであったものが、光照射後にはその透過率が90パーセント以上に改善されている。 As can be seen from FIG. 11, for example at a wavelength 400nm of the transmitted light, when not irradiated with light such as ultraviolet light, those that transmittance was 65 percent, after irradiation with light transmittance thereof is 90% It has been improved to more. この場合、露光は基板の前面から行うが、裏面からの露光を併用することにより短時間でこの処理を完了することができ、装置スループットの向上に寄与することができる。 In this case, the exposure is performed from the front surface of the substrate, it is possible to complete this process in a short time by a combination of exposure from the back side, it is possible to contribute to the improvement of device throughput.

【0151】最後に、基板の加熱を行い、架橋反応により樹脂を硬化させる。 [0151] Finally, subjected to a heat of the substrate, the resin is cured by a crosslinking reaction. つまり、樹脂を硬化させるために基板をホットプレート上またはクリーンオーブン内に設置し、約200℃で加熱を行う。 That is, the substrate was placed on a hot plate or a clean oven to cure the resin, heat at about 200 ° C..

【0152】このように、透明感光性樹脂を用いることにより、従来のようなエッチング、レジスト剥離工程を経ずにフォト工程のみで、層間絶縁膜68および、この層間絶縁膜68上に形成された画素電極とスイッチング素子のドレイン電極とを接続するための層間絶縁膜68 [0152] Thus, by using a transparent photosensitive resin, as in the prior art etching, photolithography process only without passing through the resist stripping step, an interlayer insulating film 68 and formed on the interlayer insulating film 68 an interlayer insulating film 68 for connecting the drain electrode of the pixel electrode and the switching element
を貫くコンタクトホール56を形成することができて製造工程が簡略化される。 Manufacturing process it is possible to form a contact hole 56 penetrating the can be simplified. このときの感光性透明アクリル樹脂の膜厚は、樹脂溶液の粘度とスピン塗布時のスピンコーターの回転速度を適当に選ぶことにより、0.05 The film thickness of the photosensitive transparent acrylic resin in this case, by selecting the rotational speed of the spin coater at a viscosity of the resin solution and spin-coated appropriately, 0.05
μmから10μmまでの必要とされる膜厚(本実施形態7の場合には3μm、膜厚が厚くなればその分だけ光透過率が低下して着色してくる)に均一に形成することができる。 (3 [mu] m in the case of the present embodiment 7, that much light transmittance thicker the film thickness comes colored drops) thickness required from μm to 10μm be uniformly formed on the it can.

【0153】さらに、ITOをスパッタリングによりこの感光性透明アクリル樹脂上に50〜150nmの膜厚に成膜し、パターニングを行い画素電極51を形成する。 [0153] Further, ITO was formed on the photosensitive transparent acrylic on resin to a thickness of 50~150nm by sputtering, to form the pixel electrode 51 and patterned. この画素電極51であるITO膜の膜厚が50nm The film thickness of the ITO film is the pixel electrode 51 is 50nm
以上であれば、このITO膜の表面隙間からの薬液の侵入を防ぐことができ、剥離液に使用する薬液(ジメチルスルホキシド等)によって生ずる樹脂の膨潤を抑制するのに効果が得られた。 If more, the chemical solution from entering from the surface gap of the ITO film can be prevented, the effect is obtained to suppress the swelling of the resin caused by a chemical solution used in the stripping solution (dimethyl sulfoxide). 以上の製造方法により、本実施形態7のアクティブマトリクス基板を作製することができる。 More by the manufacturing method, it is possible to produce an active matrix substrate of the present embodiment 7.

【0154】したがって、本実施形態7においても、層間絶縁膜68の存在により、ソース配線およびゲート配線部分以外は画素開口部分となる高光透過率の高開口率の明るい液晶表示装置を実現することができる。 [0154] Therefore, in the present embodiment 7, the presence of the interlayer insulating film 68, except partial source wiring and gate wiring is possible to realize a bright liquid crystal display device having a high aperture ratio of the high light transmittance as a pixel aperture portion it can.

【0155】また、層間絶縁膜68の存在により平坦化が可能になり、下層の配線およびスイッチング素子による段差の影響をなくすることができ、従来、段差部で起こっていた画素電極のドレイン側の断線をなくすることができ、欠陥画素を減少させることができる。 [0155] Further, allows planarized by the presence of the interlayer insulating film 68, it is possible to eliminate the influence of the step due to the lower wiring and the switching element, conventionally, the pixel electrode which has occurred in the step portion of the drain-side can be eliminated disconnection, it can be reduced defective pixel. また、この段差による液晶の配向不良をも防止することができる。 Further, it is possible to prevent the liquid crystal orientation defect due to the step. さらに、ソース配線53と画素電極51の間は層間絶縁膜68を間に挟んで絶縁されているために、従来生じていたソース配線53と画素電極51の間の電気的リークによる欠陥絵素も減少することになる。 Further, since the between the source wiring 53 and the pixel electrode 51 that is insulated in between the interlayer insulating film 68, even defective pixels due to electrical leakage between the source lines 53 and the pixel electrode 51 that occurs prior It will be reduced.

【0156】さらに、従来、層間絶縁膜68を形成するのに必要であった成膜、フォトレジストによるパターン形成工程、エッチング工程、レジスト剥離工程、洗浄工程が、本実施形態7においては樹脂形成工程のみで形成することができ、製造工程が簡略化される。 [0156] Further, conventionally, the interlayer insulating film 68 deposited were required to form a photoresist by pattern forming process, an etching process, resist stripping step, a washing step, the resin-forming step in the present embodiment 7 only can be formed, the manufacturing process is simplified.

【0157】(実施形態8)本実施形態8は、上記実施形態7における層間絶縁膜68とその下地膜との間の密着性を向上させる場合である。 [0157] (Embodiment 8) In this embodiment 8 is the case for improving the adhesion between the interlayer insulating film 68 in the above embodiments 7 and its underlying film.

【0158】下地膜の材料によっては、層間絶縁膜68 [0158] Depending on the material of the base film, the interlayer insulating film 68
として用いる感光性透明アクリル樹脂との密着性が良くない場合があるが、この場合に、図9の上記実施形態7 Although it may have poor adhesion to the photosensitive transparent acrylic resin to be used as, in this case, the embodiment 7 of Fig. 9
における感光性透明アクリル樹脂の塗布前の基板表面の下地膜として、ゲート絶縁膜63、チャネル保護膜6 As a base film of the substrate surface prior to application of the photosensitive transparent acrylic resin in the gate insulating film 63, the channel protection film 6
5、ソース電極66a、ドレイン電極66b、透明導電膜67a,67a'および金属膜67b,67b'の表面に、M型水銀ランプ(860W)を使用して酸素雰囲気中で紫外光の照射を行ってその表面を荒らし、その後、その荒れた表面上に感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜68を形成する。 5, the source electrode 66a, drain electrode 66b, the transparent conductive film 67a, 67a 'and the metal film 67b, 67b' on the surface of, by performing irradiation of ultraviolet light in an oxygen atmosphere by using M type mercury lamp (860W) roughened surface thereof, thereafter, an interlayer insulating film 68 due to the rough photosensitive transparent acrylic resin on the surface. その他の形成工程は上記実施形態7と同様な方法によりアクティブマトリクス基板を作製する。 Other formation processes of manufacturing an active matrix substrate by the same method as in Embodiment 7. この形成方法により、表面が荒れた下地膜と感光性透明アクリル樹脂との間の密着性が向上するために、下地膜と感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜68との界面に、例えばある種の薬品、例えばITO This forming process, in order to adhesion improvement between the base film and the photosensitive transparent acrylic resin whose surface is rough, the interface between the interlayer insulating film 68 by the base film and the photosensitive transparent acrylic resin, for example, certain of chemicals, for example, ITO
をエッチングする塩酸と塩化鉄との混合液などが侵入することによってこれらの膜間で膜剥がれが起こるという従来の問題はなくなる。 Not the conventional problem that film peeling occurs between these films by a to a mixed solution penetration of hydrochloric acid and iron chloride for etching.

【0159】このように、層間絶縁膜68を形成する前の基板表面に紫外光を照射することにより、層間絶縁膜68とその下地膜との間の密着性が向上し、プロセス中の処理に対して安定なデバイスを実現することができる。 [0159] In this manner, by irradiating ultraviolet light on the substrate surface before the formation of the interlayer insulating film 68 improves the adhesion between the interlayer insulating film 68 and the underlying film, the processing in the process it is possible to realize a stable device against.

【0160】また、本発明において、層間絶縁膜68とその下地膜との間の密着性を向上する方法として、層間絶縁膜68を形成するための樹脂を塗布する前に、下地膜の表面をシランカップリング剤で表面処理を行う方法がある。 [0160] In the present invention, as a method for improving the adhesion between the interlayer insulating film 68 and the underlying film, prior to application of the resin for forming the interlayer insulating film 68, the surface of the base film a method of performing a surface treatment with a silane coupling agent. シランカップリング剤のなかでも、ヘキサメチルジシラザン、ジメチルジエトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン等が、特に密着性の改善効果が著しい。 Among the silane coupling agent, hexamethyldisilazane, dimethyl diethoxy silane, n- butyl trimethoxysilane, effect of improving particularly the adhesion significant. 例えば、下地膜として、窒化シリコン膜を用いた場合、シランカップリング剤処理を行うことによって、無処理の場合と比較して、約10%密着強度が向上した。 For example, as the base film, when using a silicon nitride film, by performing silane coupling agent treatment, as compared with the non-treated, it was improved by about 10% adhesion strength.
また、樹脂と下地膜との密着性が低い場合に起こる、樹脂の架橋反応に伴う内部応力によって樹脂のパターンがずれるという現象が、シランカップリング剤処理を行うことによって完全に防止することができた。 Further, occurs when adhesion between the resin and the base film is low, a phenomenon that the resin pattern by the internal stress caused by the crosslinking reaction of the resin shifts are can be completely prevented by performing silane coupling agent treatment It was.

【0161】なお、シランカップリング剤は、上述のように下地膜に塗布してもよいし、層間絶縁膜を形成する樹脂材料中にブレンドしてもよいし、これらを併用してもよい。 [0161] Incidentally, the silane coupling agent may be applied to the base film as described above, may be blended in a resin material for forming the interlayer insulating film, it may be used in combination thereof. 例えば、感光性アクリル系樹脂にジメチルエトキシシランを1wt%添加することによって、シリコン窒化膜との密着強度が70%向上した。 For example, by adding 1 wt% of dimethyl ethoxy silane photosensitive acrylic resin, the adhesion strength between the silicon nitride film was improved to 70%.

【0162】(実施形態9)本実施形態9は、上記実施形態7における層間絶縁膜68とその上に成膜される画素電極材料との間の密着性を向上させる場合である。 [0162] (Embodiment 9) In this embodiment 9 is the case for improving the adhesion between the pixel electrode material is deposited on the interlayer insulating film 68 in the embodiment 7.

【0163】図9の上記実施形態7において、感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜68を形成した後、ドライエッチング装置を用いて酸素プラズマにより、層間絶縁膜68の表面から100〜500nmの膜厚まで灰化処理を行った。 [0163] In the seventh embodiment of FIG. 9, after forming an interlayer insulating film 68 by the photosensitive transparent acrylic resin, by oxygen plasma using a dry etching apparatus, the thickness of 100~500nm from the surface of the interlayer insulating film 68 the ashing treatment was carried out up to. この灰化処理においては、平行平板型プラズマエッチング装置が使用され、RFパワー1.2 In this ashing process, parallel plate-type plasma etching apparatus is used, RF power 1.2
KW、圧力800mTorr、酸素流量300scc KW, pressure 800mTorr, oxygen flow rate 300scc
m、温度70℃、RF印加時間120secの条件で、 m, temperature 70 ° C., under the conditions of RF applying time 120 sec,
アクリル樹脂の表面を灰化させる。 Thereby ashing the surface of the acrylic resin. このとき、酸素プラズマ中で行ってその表面は有機物の酸化分解で水と二酸化炭素が抜けて出て行き、荒れた状態となる。 At this time, the surface performed in an oxygen plasma exits with water and carbon dioxide exits the oxidation decomposition of organic matter, a state of rough.

【0164】その後、画素電極51となるITO膜をスパッタリングにより、この灰化処理を行って表面が荒れた感光性透明アクリル樹脂上に50〜150nmの膜厚に成膜し、パターニングを行って画素電極51を形成することで、アクティブマトリクス基板を作製する。 [0164] Thereafter, by sputtering an ITO film serving as the pixel electrode 51, is deposited on the ashing a on the photosensitive transparent acrylic resin whose surface is rough to go to a film thickness of 50 to 150 nm, pixel by patterning by forming the electrodes 51, of manufacturing an active matrix substrate. この灰化処理を行うことにより、画素電極68と、その下層膜として表面が荒れた感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜68との密着性が大きく向上し、基板洗浄時に超音波を印加してもこれらの膜の間で膜剥がれが無くなった。 By performing this ashing, the pixel electrode 68, the adhesion is greatly improved with the interlayer insulating film 68 by the photosensitive transparent acrylic resin whose surface is roughened as the underlying film, by applying ultrasonic waves during substrate cleaning also lost film peeling between these films. 上記灰化処理膜厚であるが、100nmより薄い場合には効果が得られず、また、500nmよりも厚い場合には、感光性透明アクリル樹脂の膜減りが大きすぎるために、基板内での感光性透明アクリル樹脂の膜厚にばらつきが大きくなりすぎて、表示上問題となる。 Although the above-mentioned ashing thickness, effect can not be obtained if less than 100 nm, also in the case thicker than 500nm, because film reduction of the photosensitive transparent acrylic resin is too large, in the substrate variations in the thickness of the photosensitive transparent acrylic resin is too large, a display problem. 上記のドライエッチング装置はバレル方式、RIE方式などその方式によらず密着性改善効果が得られた。 The above dry etching apparatus barrel method, adhesion improving effect regardless of the method such as RIE method is obtained.

【0165】このように、層間絶縁膜68上に画素電極材料を成膜する前に酸素プラズマによりその表面を灰化することにより、この層間絶縁膜68とその上に成膜される画素電極材料との間の密着性が向上し、プロセス中の処理に対してより安定なデバイスを実現することができる。 [0165] Thus, by ashing the surface by oxygen plasma before forming pixel electrode material on the interlayer insulating film 68, the pixel electrode material is deposited as the interlayer insulating film 68 thereon adhesion is improved between, it is possible to realize a more stable device to treatment during the process. さらに、この灰化処理を行うことにより、コンタクトホール部の残留物を除去することができるので、コンタクトホール部における接続不良の発生を抑制する効果もある。 Further, by performing the ashing process, it is possible to remove residues of the contact hole portion, there is also the effect of suppressing the occurrence of connection failure at the contact hole portion.

【0166】本実施形態において、層間絶縁膜を形成する樹脂の架橋処理の後で灰化処理を行った。 [0166] In the present embodiment was subjected to ashing treatment after the crosslinking treatment of the resin for forming the interlayer insulating film. 樹脂の架橋反応はガスの発生を伴うので、樹脂の架橋処理を行う前に灰化処理を行うよりも、架橋処理後に灰化処理を行うことによって、灰化処理が安定するという効果がある。 Since the crosslinking reaction of the resin is accompanied by the generation of gas, than doing ashing before performing the crosslinking treatment of the resin, by performing the ashing process after the crosslinking treatment, ashing treatment is the effect of stably.

【0167】(実施形態10)本発明の実施形態10による透過型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の1画素部分の構成を図14に示す。 [0167] The configuration of one pixel portion of an active matrix substrate of the transmission type liquid crystal display device according to an embodiment 10 of (Embodiment 10) The present invention is shown in FIG. 14. また、図14のアクティブマトリクス基板のD−D'に沿った断面図を図1 Further, FIG. 1 a cross-sectional view taken along the D-D 'of the active matrix substrate of FIG. 14
5に示す。 5 to show. なお、図1及び図2と同様の機能を有する部材には同じ参照符号を付し、説明を省略する。 Incidentally, the same reference numerals to members having the same functions as those in FIG. 1 and FIG. 2, the description thereof is omitted.

【0168】本実施形態のアクティブマトリクス基板では、TFT24と画素電極21とのコンタクトと、付加容量電極25aと画素電極21とのコンタクトとを、それぞれコンタクトホール26aと26bを介して取っている。 [0168] In the active matrix substrate of the present embodiment, the contact between the TFT24 and the pixel electrode 21, and a contact between the additional capacitance electrode 25a and the pixel electrode 21, taking respectively through contact holes 26a and 26b. また、ソース配線23を金属からなる単層で形成した。 Further, to form a single layer made of the source wiring 23 of metal. 勿論、2層以上の多層構造としてもよい。 Of course, it may be a multilayer structure of two or more layers. 付加容量電極25aは、これまでの実施形態と同様に、ソース配線23と同じ材料を用い、同一の工程で形成した。 Additional capacitance electrode 25a, as in the previous embodiments, the same material as the source wiring 23 was formed in the same step. 層間絶縁膜38を貫くコンタクトホール26a及び26b Contact holes 26a and 26b through the interlayer insulating film 38
の形成位置は、それぞれ、ドレイン電極36bに一部が重なるように形成された金属電極23b上部および付加容量電極25a上とした。 Formation position of, respectively, a partially overlap so formed metal electrodes 23b upper and the additional capacitance electrode 25a on the drain electrode 36b. すなわち、コンタクトホール26a及び26bは、何れも遮光性を有する金属電極上に形成されている。 That is, the contact holes 26a and 26b are all are also formed on the metal electrodes having a light shielding property.

【0169】本実施形態による透過型液晶表示装置は、 [0169] transmission type liquid crystal display device according to the present embodiment,
以下の利点を有する。 It has the following advantages. 本発明で用いられる層間絶縁膜3 An interlayer insulating film 3 used in the present invention
8の膜厚は従来に比べて非常に厚く、例えば、3μmである。 8 of thickness is very thick compared to the conventional, for example, 3 [mu] m. この厚さは、典型的な液晶層の厚さ(セルギャップ)4.5μmと同等であるので、コンタクトホール2 This thickness is the thickness of a typical liquid crystal layer (cell gap) is equivalent to 4.5 [mu] m, the contact hole 2
6aおよび26bの周辺に液晶分子の配向乱れによる光漏れが生じる。 Light leakage due to the orientation disorder of liquid crystal molecules occurs around the 6a and 26b. 従って、コンタクトホール26aおよび26bを透過型液晶表示装置の開口部に形成すると、光漏れによってコントラストの低下が生じる。 Therefore, when forming the contact holes 26a and 26b to the opening of the transmission type liquid crystal display device, reduction of contrast is caused by light leakage. これに対し、本実施形態のアクティブマトリクス基板では、付加容量を形成する一方の電極である付加容量電極25aでコンタクトホール26bの近傍を遮光するとともに、金属電極23bでコンタクトホール26aの近傍を遮光しているので、コンタクトホール25a及び25bによるコントラストの低下の問題を防止できる。 In contrast, in the active matrix substrate of the present embodiment, the shielding in the vicinity of the contact hole 26b in the additional capacitor electrode 25a, which is one electrode forming the additional capacitor, and shielding the vicinity of the contact hole 26a by the metal electrode 23b since it is possible to prevent the problem of reduction in contrast due the contact holes 25a and 25b. また、付加容量対向電極27を付加容量電極25aからはみ出さないように形成することによって、更に開口率を向上することができる。 Further, by forming so as not to protrude the storage capacitor counter electrode 27 from the additional capacitance electrode 25a, it is possible to further improve the aperture ratio.

【0170】なお、本実施形態ではCs−Common [0170] In the present embodiment Cs-Common
方式について説明したが、Cs−on−Gate方式でも同様の効果が得られる。 Has been described manner, the same effect can be obtained by Cs-on-Gate system.

【0171】以上の各実施形態1〜10においては、画素電極と各配線をオーバーラップさせて液晶表示の開口率の向上および液晶の配向不良の抑制を図ることができるとともに製造工程が簡略化でき、かつ各配線と画素電極との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減して良好な表示を得ることができる。 [0171] In each of the embodiments 1 to 10 described above, can be simplified manufacturing process it is possible to be overlapped pixel electrodes and the wirings achieve a liquid crystal display improves the aperture ratio and of the liquid crystal orientation defect suppression and it is possible to obtain a good display by further reducing the effects of such crosstalk capacitance component has on the display between each line and the pixel electrode. また、これに加えて、広視野角化を図ることができる。 In addition to this, it is possible to achieve a wide viewing angle.

【0172】この広視野角化が図られる理由としては、 [0172] The reason for this wide viewing angle can be achieved is,
画素電極の表面が平坦なために液晶の配向乱れが無くなったこと、また、配線電界によるディスクリネーションラインがなくなったこと、また、隣接する開口部の間隔が約数μmから十数μmであるのに対し、層間絶縁膜を数μmの厚膜に形成することによって、バックライトからの斜め光を有効に利用できること、さらには、コントラストが大きくなったこと(10.4インチのSVGA That the surface of the pixel electrode has disappeared alignment disorder of the liquid crystal for flat, and it disclination line by line field has disappeared, also the spacing between adjacent apertures is a dozen μm to about several μm whereas, by forming an interlayer insulating film on the thick film of a few [mu] m, it can be effectively utilized oblique light from the backlight, and further, the contrast is increased (6.5-inch SVGA
で1:300以上)などが挙げられる。 In 1: 300 or more), and the like. そのために、液晶の屈折率異方性(△n)×セル厚(d)であるリタデーションの値を小さくすることが可能になった。 Therefore, it has become possible to reduce the value of the retardation is a liquid crystal refractive index anisotropy (△ n) × cell thickness (d). ここでは主にセル厚dを変えている。 Here is changing mainly the cell thickness d. 一般に、△n×dを小さくすると視野角が広くなるが、コントラストが悪くなってしまう。 Generally, △ Although the viewing angle when the n × d smaller widens, the contrast is deteriorated. ところが、本発明においては、画素電極と各配線との間に従来設けていたマージンを無くすことで、 However, in the present invention, by eliminating the margin which has been provided conventionally between the pixel electrodes and the wires,
画素電極が大きくなり、例えば、10.4インチVGA Pixel electrodes is increased, for example, 10.4 inches VGA
では、開口率が65パーセントから85パーセントとなって20ポイント(約30%)増え、その明るさも1. In, 20 points (30%) of aperture ratio becomes 85% from 65% increase, also the brightness 1.
5倍以上となった。 It was more than five times. また、12.1インチXGAでは、 In addition, the 12.1 inches XGA,
開口率が55%から80%に大幅に改善される。 The aperture ratio is greatly improved from 55% to 80%. これは、例えば、従来の構成において、ソース配線幅が6μ This, for example, in the conventional structure, the source wire width 6μ
m、ソース配線と絵素電極との間隔が3μm、貼り合わせ精度が5μmとすると、隣接する開口部の間隔として22μm以上必要であったのに対し、ソース配線に絵素電極を重ねる構成を用いれば、隣接する開口部の間隔はソース配線の幅6μmとすることがで、表示に寄与しない領域の面積を大幅に減少できるので、開口率を大幅に向上できる。 m, the distance between the source line and the pixel electrode is 3 [mu] m, the bonding accuracy and 5 [mu] m, whereas it was necessary than 22μm as the interval between adjacent openings, it is using the configuration overlaying the pixel electrode to the source line if the spacing between adjacent openings out to the width 6μm of the source wiring, it is possible to greatly reduce the area of ​​the region that does not contribute to display, the aperture ratio can be greatly improved.

【0173】なお、上記実施形態3,4では、付加容量の一方の電極(付加容量電極)が付加容量共通配線を通じて対向電極に接続される構造の透過型液晶表示装置について説明したが、付加容量電極が、隣接する画素のゲート配線22である構造としても同様の効果が得られる。 [0173] In the above embodiments 3 and 4, although one electrode of the additional capacitance (additional capacitor electrode) has been described a transmissive liquid crystal display device of the structure connected to the counter electrode through the additional capacitor common line, the additional capacitance electrodes, the same effect as the structure is a gate wiring 22 of the adjacent pixels is obtained. この場合を図12および図13のCs−on−Ga Cs-on-Ga 12 and 13 of this case
te方式の液晶表示装置に示している。 It shows the liquid crystal display device of te type. このCs−on The Cs-on
−Gate方式とは、直前または次のゲート配線22と画素電極21とを重ねて付加容量Csを形成する方式である。 The -Gate method is a method of forming the additional capacitor Cs immediately before or overlapping the next gate line 22 and the pixel electrode 21. このとき、画素電極21は自段ゲートには少ししかのせず、直前または次のゲートに大きくのせるのが望ましい。 At this time, the pixel electrode 21 is not put little in current stage gate, the place largely immediately before or next gate is desired.

【0174】また、上記各実施形態1〜10では、スピン塗布法により透明度の高い感光性透明アクリル樹脂を塗布した後、これをパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、この層間絶縁膜を貫いて該接続電極に達するコンタクトホールを形成したものを用いているが、スピン塗布法に限らず他の塗布法、例えばロールコート法(凹凸の付いたロールとベルトの間に、塗布面をロール側にして基板部を通す。この凹凸の程度で塗布する厚さが決定される。)およびスロットコート法(吐出口の下に基板部を通す。この吐出口の幅で塗布する厚さが決定される。)であっても本発明の効果を奏することができる。 [0174] Further, the in the embodiment 10, after applying the high transparency photosensitive transparent acrylic resin by spin coating, thereby forming an interlayer insulating film is patterned to penetrate the interlayer insulating film Te is used a material obtained by forming a contact hole reaching to the connecting electrode, the other coating method is not limited to spin coating, between the roll and belt with example roll coating of (uneven roll side coated surface to pass the substrate portion. the thickness of coating on the order of this unevenness is determined.) and passed through a substrate portion under the slot coating method (discharge port. thickness of coating in the width of the discharge opening is determined that.) even it can achieve the effect of the present invention.

【0175】さらに、上記各実施形態7,8では、一般に露光プロセスで用いられる紫外線の輝線であるi線(波長365nm)、h線(波長405nm)、g線(波長436nm)のうちで、最も波長の短いi線(波長365nm)を用いる。 [0175] Further, in the above embodiments 7 and 8, generally at i-line is a bright line of ultraviolet used in the exposure process (wavelength 365 nm), h-line (wavelength 405 nm), among the g-line (wavelength 436 nm), most short i-line wavelength used (wavelength 365 nm). これにより、光照射時間を短くすることができ、実施形態7の脱色効率も高く、また、実施形態8の表面を荒らす効率も高い。 Thus, it is possible to shorten the light exposure time, bleaching efficiency of Embodiment 7 is high, also, high efficiency roughening the surface of the eighth embodiment.

【0176】 [0176]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、層間絶縁膜を設けることにより、各配線と画素電極とをオーバーラップさせることができ、開口率を向上すると共に液晶の配向不良を抑制できる。 According to the present invention as described above, according to the present invention, by providing the interlayer insulating film, can be overlapped with each line and the pixel electrode, can be suppressed liquid crystal alignment defects with higher aperture ratio . この層間絶縁膜は有機薄膜からなるため、比誘電率が無機薄膜に比べて低く、膜厚も容易に厚くできるので、各配線と画素電極との間の容量を低減することができる。 Since the interlayer insulating film composed of an organic thin film, the dielectric constant is lower than that of inorganic thin, since the film thickness can be easily increased, it is possible to reduce the capacitance between the wiring and the pixel electrode. よって、ソース配線と画素電極との間の容量に起因する縦クロストークを低減でき、 Therefore, it is possible to reduce the vertical crosstalk caused by the capacitance between the source line and the pixel electrode,
また、画素電極とゲート配線との間の容量に起因する絵素への書き込み電圧のフィードスルーや製造工程のばらつきを低減できる。 Further, it is possible to reduce the variation in the write voltage feedthrough and manufacturing process into the pixel due to the capacitance between the pixel electrode and the gate line.

【0177】また、この層間絶縁膜は、アクリル系樹脂などの感光性の有機薄膜を塗布法により塗布し、露光および現像によりパターニングして、数μmという膜厚の有機薄膜を生産性よく得ることができる。 [0177] Further, the interlayer insulating film, a photosensitive organic thin film such as an acrylic resin is coated by a coating method and patterned by exposure and development, it is obtained with good productivity organic thin film having a film thickness of several μm can. このため、生産コストを大幅に増大することなく開口率の高い透過型液晶表示装置を実現することができる。 Therefore, it is possible to realize a high transmission type liquid crystal display device aperture ratio without increasing significantly the production costs. また、有機薄膜を積層してその上にフォトレジストを形成後、エッチングプロセスによりパターニングして形成しても、同様に開口率の高い透過型液晶表示装置を得ることができる。 Further, after forming the photoresist thereon by laminating an organic thin film, even if formed is patterned by the etching process, it is possible to obtain the same high aperture ratio transmission type liquid crystal display device.
層間絶縁膜の材料である樹脂が着色している場合には、 If the resin is colored, which is the material of the interlayer insulating film,
パターニング後に光学的または化学的な脱色処理により樹脂を透明化することにより、表示色についても良好な透過型液晶表示装置とすることができる。 By clearing the resin by optical or chemical decoloring treatment after patterning, it can also be a good transmission type liquid crystal display device for displaying color.

【0178】さらに、TFTのドレイン電極と画素電極とを接続する接続電極は、透明導電膜を用いて形成することにより、開口率をさらに向上できる。 [0178] Furthermore, the connection electrode for connecting the drain electrode and the pixel electrode of the TFT by forming a transparent conductive film, can further improve the aperture ratio. この透明導電膜は、ソース配線を2層構造として同時に形成することができ、ソース配線を2層構造にするとソース配線の断線を防ぐことができる。 The transparent conductive film can be formed at the same time the source wiring a two-layer structure, when the source line a two-layer structure can prevent disconnection of the source line.

【0179】さらに、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールは、付加容量配線またはゲート配線の上部に形成することにより、光漏れが付加容量部分で遮光されてコントラスト比を向上できる。 [0179] Further, the contact holes penetrating the interlayer insulating film, by forming the upper portion of the additional capacitance wiring or the gate wiring, the light leakage is blocked by the additional capacitance portion can improve the contrast ratio.

【0180】さらに、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールの下部に金属窒化物層を形成すると、層間絶縁膜とその下地との密着性を良好にでき、製造プロセス中の処理に対して安定な透過型液晶表示装置とすることができる。 [0180] Further, when forming a metal nitride layer at the bottom of the contact hole penetrating the interlayer insulating film, can the adhesion of the interlayer insulating film and an underlying good, stable transmission to the processing during the manufacturing process It may be a liquid crystal display device.

【0181】さらに、画素電極とソース配線とを1μm [0181] In addition, 1 [mu] m and a pixel electrode and a source wiring
以上オーバーラップさせると、開口率を向上できると共に、その加工精度も良好である。 When the overlap above, it is possible to improve the aperture ratio, the processing accuracy is good. また、層間絶縁膜の膜厚を1.5μm(好ましくは2.0μm)以上にすると、画素電極とソース配線とを1μm以上オーバーラップさせても、ソース配線と画素電極との間の容量を十分小さくすることができ、良好な表示を得ることができる。 Further, the (preferably 2.0 .mu.m) of 1.5μm thickness of the interlayer insulating film above, even if the pixel electrode and the source wiring are overlapped more than 1 [mu] m, the capacitance between the source line and the pixel electrode sufficient can be reduced, it is possible to obtain a good display.

【0182】さらに、上記式(1)で表される容量比を10%以下とすると、ソース電極と画素電極との間の容量が十分小さいので、さらに縦クロストークの低減の効果がある。 [0182] Further, when the capacitance ratio represented by the above formula (1) and 10% or less, since the capacitance between the source electrode and the pixel electrode is sufficiently small, there is a reduction of the effect of further vertical cross-talk.

【0183】さらに、ソース配線から供給されるデータ信号の極性を、1ゲート配線毎に反転させて駆動を行うと、さらに縦クロストークの発生を抑制できる。 [0183] Further, the polarity of the data signal supplied from the source line, when the driving by inverting every gate wiring may further suppress the occurrence of vertical crosstalk.

【0184】さらに、各画素電極の形状が正方形に近いもののみならず、各画素電極を縦ストライプに配列し、 [0184] Further, the shape of each pixel electrode is not only close to a square, arranged each pixel electrode in a vertical stripe,
各画素電極の形状をゲート配線に平行な辺に比べてソース配線に平行な辺が長い長方形にした場合でも、良好な表示が得られる。 Even if the sides parallel to the source wiring than the shape of each pixel electrode in the sides parallel to the gate wiring is long rectangle, a good display is obtained. 従って、ノートブック型パーソナルコンピューターなどに用いられる大型液晶表示装置においても、縦クロストークが無く開口率が高い透過型液晶表示装置を実現することができる。 Accordingly, even in a large-sized liquid crystal display device used such as notebook personal computers, it can be vertical crosstalk without opening ratio to achieve a high transmission type liquid crystal display device.

【0185】さらに、本発明に用いた比較的膜厚の厚い層間絶縁膜によって平坦化が可能になるため、従来、その下層の配線などによる段差部で起こっていた画素電極のドレイン側における断線など、段差による影響をなくすることができ、また、段差による配向不良を防止することができる。 [0185] Further, since it is possible to flatten the relatively large thickness interlayer insulating film used in the present invention, conventional, such as disconnection on the drain side of the pixel electrode that has occurred in the step portion due to its lower wiring can be eliminated the influence of the step, also, it is possible to prevent the alignment defect due to the step. また、ソース配線と画素電極間には層間絶縁膜を挟んで絶縁されるために、ソース配線と画素電極間の電気的リークによる欠陥絵素が極めて少なくなり、製造歩留の向上が可能になり、製造コストの減少も可能になる。 Also, between the source line and the pixel electrode to be insulated across the interlayer insulating film, defects pixels due to electrical leakage between the source line and the pixel electrode is very small, it becomes possible to improve the manufacturing yield , it becomes possible reduction of production cost. さらに、従来、層間絶縁膜を形成するために必要であった成膜、フォトレジストによるパターン形成工程、エッチング、レジスト剥離、洗浄工程が、本発明では樹脂形成工程のみで形成可能であるため、製造工程の短縮化および簡素化を図ることができて、製造コストの減少をも図ることができる。 Furthermore, since the conventional film forming was necessary to form an interlayer insulating film, patterning process by a photoresist, etching, resist removal, cleaning process, the present invention can be formed only by the resin formation step, producing to be able to shorten and simplify the process, it is possible to achieve also a reduction in manufacturing cost.

【0186】さらに、層間絶縁膜の露光および現像後、 [0186] Further, after exposure and development of the interlayer insulating film,
前記感光性透明アクリル樹脂に使用する感光剤に対して、基板全面に露光を行い、不要な感光剤を完全に反応させることで、より透明度の高い層間絶縁膜とすることができる。 Wherein the photosensitive transparent acrylic resin to use photosensitive agent, exposure of the substrate whole surface, by complete reaction the unnecessary photosensitive agent may be a higher degree of transparency interlayer insulating film.

【0187】さらに、層間絶縁膜を形成する前の基板表面に紫外光を照射することにより、層間絶縁膜とその下地膜との間の密着性を向上させることができ、プロセス中の処理に対して安定なデバイスを実現することができる。 [0187] Further, by irradiating ultraviolet light on the substrate surface before the formation of the interlayer insulating film, it is possible to improve the adhesion between the interlayer insulating film and an underlying film, with respect to the processing in the process it is possible to realize a stable device Te.

【0188】さらに、層間絶縁膜上に画素電極材料を成膜する前に酸素プラズマによりその表面を灰化することにより、この層間絶縁膜とその上に成膜される画素電極材料との間の密着性を向上させることができ、プロセス中の処理に対してより安定なデバイスを実現することができる。 [0188] Further, by ashing the surface by oxygen plasma before forming pixel electrode material on the interlayer insulating film, between the interlayer insulating film and the pixel electrode material to be deposited thereon it is possible to improve the adhesion, it is possible to realize a more stable device to treatment during the process.

【0189】さらに、画素電極の膜厚が50nm以上であれば、膜表面隙間からの薬液の侵入を防ぐことができ、剥離液に使用する薬液によって生ずる樹脂の膨潤を抑制することができる。 [0189] Further, if the film thickness of the pixel electrode 50nm or more, it is possible to prevent the intrusion of chemical from the film surface gap, it is possible to suppress the swelling of the resin caused by a chemical solution used in the stripping solution.

【0190】さらには、表示の開口率を向上させることができるため、その明るさも向上させることができ、コントラストを悪化させることなくリタデーションを小さくして視野角を広くすることができて、多大なる広視野角化を図ることができる。 [0190] Further, since it is possible to improve the aperture ratio of the display, the brightness also can be improved, and it is possible to widen the viewing angle by reducing the retardation without degrading the contrast becomes great it is possible to achieve a wide viewing angle.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施形態1の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素部分の構成を示す平面図である。 1 is a plan view showing the configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of Embodiment 1 of the present invention.

【図2】図1の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のA−A'断面図である。 2 is an A-A 'sectional view of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of FIG.

【図3】本発明の実施形態3の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素部分の構成を示す平面図である。 3 is a plan view showing the configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of Embodiment 3 of the present invention.

【図4】図3の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のB−B'断面図である。 4 is a B-B 'sectional view of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of FIG.

【図5】本発明の実施態様4の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の一部断面図である。 5 is a partial cross-sectional view of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of embodiment 4 of the present invention.

【図6】本発明の実施態様5,6の透過型液晶表示装置と従来の液晶表示装置とにおける液晶の充電率差と容量比との関係を示す図である。 6 is a diagram showing the relationship between the transmission type liquid crystal display device and a liquid crystal charging rate difference and the capacitance ratio of the conventional liquid crystal display device of embodiment 5, 6 of the present invention.

【図7】(a)は本発明の実施態様5,6の1H反転の場合のデータ信号の波形図、(b)は従来のフィールド反転の場合のデータ信号の波形図である。 7 (a) is a waveform diagram of 1H inversion data signal in the case of the embodiment 5 and 6 of the present invention, is a waveform diagram of (b) a data signal for a conventional field inversion.

【図8】本発明の実施態様5の透過型液晶表示装置における液晶の容量比とオーバーラップ幅との関係を示す図である。 It is a diagram showing the relationship between the volume ratio and the overlap width of the liquid crystal in the transmissive type liquid crystal display device of the embodiment 5 of the present invention; FIG.

【図9】本発明の実施形態7の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素部分の構成を示す平面図である。 9 is a plan view showing the configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of Embodiment 7 of the present invention.

【図10】図9の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のC−C'断面図である。 10 is a C-C 'cross sectional view of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of FIG.

【図11】本発明の実施形態7の透過型液晶表示装置において、アクリル樹脂の透過光の波長(nm)に対する露光前後の透過率の変化を示す図である。 In the transmission type liquid crystal display device of Embodiment 7 of the 11 present invention, it is a graph showing a change in transmittance before and after exposure to the wavelength of the transmitted light of the acrylic resin (nm).

【図12】Cs−on−Gate方式の液晶表示装置の構成を示す回路図である。 Is a circuit diagram showing a configuration of a liquid crystal display device of FIG. 12 Cs-on-Gate system.

【図13】本発明の実施形態3の構成を図12の液晶表示装置に適用した場合のアクティブマトリクス基板の1 [13] 1 of the active matrix substrate in the case of applying the configuration of an embodiment 3 in the liquid crystal display device of FIG. 12 of the present invention
画素部分の構成を示す平面図である。 Is a plan view showing a configuration of a pixel portion.

【図14】本発明の実施形態10の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素部分の構成を示す平面図である。 14 is a plan view showing the configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device of Embodiment 10 of the present invention.

【図15】図14の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のD−D'断面図である。 15 is a D-D 'cross sectional view of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device in FIG 14.

【図16】アクティブマトリクス基板を備えた従来の液晶表示装置の構成を示す回路図である。 16 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional liquid crystal display device including the active matrix substrate.

【図17】従来の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のTFT部分の断面図である。 17 is a cross-sectional view of a TFT portion of the active matrix substrate in a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

6 付加容量用共通配線 21,51 画素電極 22,52 ゲート配線 23,53 ソース配線 24,54 TFT 25,55 接続電極 26,26a,26b,56 コンタクトホール 31,61 透明絶縁性基板 32,62 ゲート電極 36a,66a ソース電極 36b,66b ドレイン電極 37a,37a',67a,67a' 透明導電膜 37b,37b',67b,67b' 金属層 38,68 層間絶縁膜 41 窒化チタン層 6 additional capacitor common line 21, 51 pixel electrodes 22 and 52 the gate wirings 23 and 53 a source wire 24, 54 TFT 25, 55 connecting electrodes 26, 26a, 26b, 56 a contact hole 31, 61 a transparent insulating substrate 32, 62 gate electrodes 36a, 66a source electrode 36b, 66b drain electrode 37a, 37a ', 67a, 67a' transparent conductive film 37b, 37b ', 67b, 67b' metal layers 38, 68 interlayer insulating film 41 of titanium nitride layer

フロントページの続き (72)発明者 近藤 直文 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 片山 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 咲花 由和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 山本 明弘 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 中田 幸伸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 錦 博彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 嶋田 吉祐 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Of the front page Continued (72) inventor Naofumi Kondo Osaka Abeno-ku, Osaka Nagaike-cho, No. 22 No. 22 Shi Sharp within Co., Ltd. (72) inventor Mikio Katayama Osaka Abeno-ku, Osaka Nagaike-cho, No. 22 No. 22 Shi Sharp within Co., Ltd. (72) inventor Sakka YukariKazu Osaka Abeno-ku, Osaka Nagaike-cho, No. 22 No. 22 shi Sharp within Co., Ltd. (72) inventor Akihiro Yamamoto Osaka Abeno-ku, Osaka Nagaike-cho, No. 22 No. 22 shi Sharp within Co., Ltd. (72) inventor Yukinobu Nakata Osaka Abeno-ku, Osaka Nagaike-cho, No. 22 No. 22 shi Sharp within Co., Ltd. (72) inventor Nishiki Hirohiko Osaka Abeno-ku, Osaka Nagaike-cho, No. 22 No. 22 shi Sharp within Co., Ltd. (72) inventor Shimada Gil Yu Osaka Abeno-ku, Osaka Nagaike-cho, No. 22 No. 22 shi Sharp within Co., Ltd.

Claims (39)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 ゲート配線と、ソース配線と、ゲート配線とソース配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子とを有し、該スイッチング素子は該ゲート配線に接続されたゲート電極と、該ソース配線に接続されたソース電極と、液晶層に電圧を印加するための画素電極に接続されたドレイン電極とを有する透過型液晶表示装置であって、 該スイッチング素子、該ゲート配線および該ソース配線の上部に、透明度の高い有機膜からなる層間絶縁膜が設けられ、 該層間絶縁膜上に透明導電材料からなる該画素電極が設けられた透過型液晶表示装置。 And 1. A gate wiring and a source wiring, and a switching element provided in the vicinity of the intersection between the gate and source lines, and a gate electrode the switching element is connected to the gate line, a transmission type liquid crystal display device having a source electrode connected to the source wiring, and a drain electrode connected to a pixel electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer, the switching element, the gate wiring and the source on top of the wiring, an interlayer insulating film is provided comprising a highly transparent organic film, liquid crystal display device the pixel electrodes are provided made of a transparent conductive material on the interlayer insulating film.
  2. 【請求項2】 前記画素電極と前記ドレイン電極とを接続する接続電極を更に有し、 前記スイッチング素子、前記ゲート配線、前記ソース配線および該接続電極の上部に、前記層間絶縁膜が設けられ、 該層間絶縁膜上に、前記画素電極が、少なくとも該ゲート配線および該ソース配線のうち少なくともいずれかと、少なくとも一部が重なるように設けられ、 該接続電極と該画素電極とは、該層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続された請求項1に記載の透過型液晶表示装置。 Wherein further comprising a connecting electrode for connecting the drain electrode and the pixel electrode, the switching element, the gate line, the upper part of the source wiring and the connection electrode, the interlayer insulating film is provided, on the interlayer insulating film, the pixel electrode, and at least either of at least the gate wiring and the source wiring provided so as to at least partly overlap, and the connecting electrode and the pixel electrode, the interlayer insulating film transmissive liquid crystal display device according to claim 1 which is connected through a contact hole penetrating the.
  3. 【請求項3】 前記層間絶縁膜はアクリル系の感光性樹脂からなる請求項1または2記載の透過型液晶表示装置。 Wherein the interlayer insulating film, the transmission type liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein a photosensitive resin acrylic.
  4. 【請求項4】 前記層間絶縁膜は、光学的または化学的な脱色処理が施された樹脂からなる請求項1から3のうちいずれかに記載の透過型液晶表示装置。 Wherein said interlayer insulating film, the transmission type liquid crystal display device according to any one of claims 1 consisting of an optical or chemical decoloring treatment is performed resin 3.
  5. 【請求項5】 前記画素電極と、前記ソース配線および前記ゲート配線のうち少なくともいずれかとが、配線幅方向に1μm以上重なって設けられている請求項1または2記載の透過型液晶表示装置。 And wherein said pixel electrode, wherein at least one of the source wiring and the gate wiring, but a transmission type liquid crystal display device according to claim 1 or 2 wherein is provided to overlap more than 1μm in the wiring width direction.
  6. 【請求項6】 前記層間絶縁膜の膜厚が1.5μm以上である請求項1から4のうちいずれかに記載の透過型液晶表示装置。 6. A transmission type liquid crystal display device according to any one of the four from the claim 1 thickness of the interlayer insulating film is 1.5μm or more.
  7. 【請求項7】 前記接続電極が透明導電材料からなる請求項2記載の透過型液晶表示装置。 7. A transmission type liquid crystal display device according to claim 2, wherein the connection electrode is formed of a transparent conductive material.
  8. 【請求項8】 前記液晶層に印加される電圧を保持するための付加容量をさらに有し、前記コンタクトホールは、該付加容量の一方の電極または前記ゲート配線の上部に設けられている請求項2記載の透過型液晶表示装置。 8. further comprising an additional capacitor for holding a voltage applied to the liquid crystal layer, the contact hole, the claims are provided in the upper portion of one of the electrode or the gate wiring of the additional capacitance 2 transmission-type liquid crystal display device according.
  9. 【請求項9】 前記コンタクトホールの下部に、前記接続電極と画素電極とを接続する金属窒化物層が設けられた請求項2または8記載の透過型液晶表示装置。 The bottom of wherein said contact hole, a transmission type liquid crystal display device of the connection electrode and the claim 2 or 8 wherein the metal nitride layer for connecting the pixel electrodes are provided.
  10. 【請求項10】 前記液晶層に印加される電圧を保持するための付加容量をさらに有し、下記式(1)で表される容量比が、10%以下である請求項1または2記載の透過型液晶表示装置; 容量比=Csd/(Csd+Cls+Cs) ・・・(1) 但し、Csdは画素電極とソース配線との間の容量値を示し、Clsは各画素を構成する液晶の中間調表示における容量値を示し、Csは各画素を構成する付加容量の容量値を示す。 A 10. A further additional capacitor for holding a voltage applied to the liquid crystal layer, the capacitance ratio represented by the following formula (1) is, according to claim 1 or 2, wherein 10% or less transmissive liquid crystal display device; volume ratio = Csd / (Csd + Cls + Cs) ··· (1) where, Csd denotes the capacitance value between the pixel electrode and the source line, Cls halftone liquid crystal display constituting each pixel denotes the capacitance value of, Cs denotes the capacitance value of the additional capacitance constituting each pixel.
  11. 【請求項11】 前記画素電極の形状が、前記ゲート配線に平行な辺に比べてソース配線に平行な辺の方が長い長方形状である請求項1または2、5、6、10のうちいずれかに記載の透過型液晶表示装置。 The shape of claim 11, wherein the pixel electrode is any one of claim 1 or 2,5,6,10 towards the sides parallel to the source line as compared to the sides parallel to the gate line is a long rectangular shape transmissive liquid crystal display device of the crab according.
  12. 【請求項12】 一水平期間毎に極性が反転したデータ信号を、前記ソース配線に出力し前記スイッチング素子を介して前記画素電極に供給して表示駆動する表示駆動手段が設けられた請求項1または2記載の透過型液晶表示装置。 12. One horizontal period a data signal whose polarity is inverted every, claim display drive means is provided which is outputted to the source line through the switching element for display driving and supplies the pixel electrode 1 or 2 transmissive type liquid crystal display device according.
  13. 【請求項13】 前記液晶層に印加される電圧を保持するための付加容量をさらに有し、 該付加容量は、付加容量電極と、付加容量対向電極と、 13. further comprising an additional capacitor for holding a voltage applied to the liquid crystal layer, the additional capacity, the additional capacitance electrode, and a storage capacitor counter electrode,
    それらの間に狭持された絶縁膜とを有し、 該付加容量電極は、前記ソース配線または前記接続配線と同じ層に形成されている請求項1に記載の透過型液晶表示装置。 And a is sandwiched therebetween insulating film, the additional capacitor electrode, the transmissive liquid crystal display device according to claim 1 which is formed in the same layer as the source wiring or the connection wiring.
  14. 【請求項14】 前記付加容量対向電極は、前記ゲート線の一部から形成されている請求項13に記載の透過型液晶表示装置。 14. The storage capacitor counter electrode is a transmissive liquid crystal display device according to claim 13, which is formed from a portion of the gate line.
  15. 【請求項15】 前記画素電極と前記付加容量電極とは、前記付加容量電極上の前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されている請求項13に記載の透過型液晶表示装置。 15. and the pixel electrode and the additional capacitance electrode is a transmissive liquid crystal display device according to claim 13, which is connected through a contact hole formed in said interlayer insulating film on said additional capacitance electrode .
  16. 【請求項16】 前記コンタクトホールは、付加容量対向電極またはゲート配線の上部に形成されている請求項13から15のいずれかに記載の透過型液晶表示装置。 16. The contact hole is, transmission type liquid crystal display device according to any one of claims 13 to 15 which is formed on top of the storage capacitor counter electrode or the gate wiring.
  17. 【請求項17】 前記層間絶縁膜は、i線(365n 17. The interlayer insulating film, i-ray (365N
    m)に感光波長のピークを有する感光性樹脂からなる請求項1に記載の透過型液晶表示装置。 Transmissive liquid crystal display device according to claim 1 consisting of a photosensitive resin having a peak of sensitive wavelengths m).
  18. 【請求項18】 基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成し、かつ該スイッチング素子のドレイン電極に接続された透明電極よりなる接続電極を形成する工程と、 該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線および該接続電極の上部に、塗布法により透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該接続電極に達するコンタクトホールを形成する工程と、 該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、透明導電材料からなる画素電極を、少なくともゲート配線およびソース配線の To 18. on a substrate, crossing the plurality of switching elements so as to form a matrix, gate wiring and connected to the gate electrode of the switching element, the connected source line to the source electrode of the switching element to each other to so formed, and forming a transparent electrode made of the connection electrode connected to the drain electrode of the switching element, the switching element, the gate line, the upper portion of the source wiring and the connection electrode, a coating method after forming the high organic film transparency by, by patterning the organic film to thereby form an interlayer insulating film, forming a contact hole reaching to the connecting electrode through the interlayer insulating film, the interlayer insulating film above and in the contact hole, a pixel electrode formed of a transparent conductive material, at least the gate wiring and the source wiring ち少なくともいずれかと少なくとも一部が重なるように形成する工程と、 を含む透過型液晶表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a liquid crystal display device comprising the steps of forming such that at least a portion of at least one Chi overlap, the.
  19. 【請求項19】 前記有機膜のパターニングは、 前記有機膜を露光し、該露光された有機膜を現像する工程、または、 該有機膜上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層をエッチングする工程のいずれかの工程を包含する請求項18記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 19. patterning of the organic film, the organic film is exposed to the steps of developing the organic film is the exposure, or a photoresist layer is formed on the organic film, etching the photoresist layer method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device of claim 18 including any of the steps of the process of.
  20. 【請求項20】 前記有機膜をパターニングする工程は、 前記有機膜上にシリコンを含有するフォトレジスト層を形成する工程と、 該フォトレジスト層をパターニングする工程と、 パターン形成された該フォトレジスト層をマスクとして、該有機膜をエッチングする工程と、 を包含する請求項19に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 20. A patterning the organic film includes the steps of forming a photoresist layer containing silicon on the organic film, a step of patterning the photoresist layer, the photoresist layer patterned method of manufacturing a as a mask, a transmissive liquid crystal display device according to encompass claim 19 the organic film and etching, the.
  21. 【請求項21】 前記有機膜をパターニングする工程は、 前記有機膜上にフォトレジスト層を形成する工程と、 該フォトレジスト層上にシランカップリング剤を塗布し、該シランカップリング剤を酸化する工程と、 該フォトレジスト層をパターニングする工程と、 該酸化されたシランカップリング剤で覆われたパターン形成された該フォトレジスト層をマスクとして、該有機膜をエッチングする工程と、 を包含する請求項19に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 21. patterning the organic film, forming a photoresist layer on the organic film, applying a silane coupling agent on the photoresist layer to oxidize the silane coupling agent a step, a step of patterning the photoresist layer, the oxide silane coupling said photoresist layer which covered patterned with agents as a mask, said claim etching the organic film, the method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device according to claim 19.
  22. 【請求項22】 前記エッチング工程は、CF 4 、CF 3 22. The etching process, CF 4, CF 3
    HおよびSF 6のうちの少なくとも1つを含むガスを用いてドライエッチングする工程である請求項20または21に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device according to claim 20 or 21 which is a step of dry etching using a gas containing at least one of H and SF 6.
  23. 【請求項23】 前記有機膜は、感光部分が現像液に溶解する感光性透明アクリル樹脂を用いて形成され、前記層間絶縁膜および前記コンタクトホールは、該感光性透明アクリル樹脂を露光および現像することによって形成される請求項18に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 23. The organic film, the photosensitive portions is formed by using a photosensitive transparent acrylic resin which dissolves in a developing solution, the interlayer insulating film and the contact hole is exposed and developed photosensitive transparent acrylic resin method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device according to claim 18, which is formed by.
  24. 【請求項24】 前記有機膜の露光および現像後、前記感光性透明アクリル樹脂に使用する感光剤を反応させるために基板全面に露光を行う工程をさらに包含し、そのことによって該感光性透明アクリル樹脂が脱色される請求項23に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 After exposure and development according to claim 24, wherein the organic layer, the use in the photosensitive transparent acrylic resin sensitizer further include the step of performing exposure on the entire surface of the substrate in order to react, the photosensitive transparent acrylic by its method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device according to claim 23 in which the resin is bleached.
  25. 【請求項25】 前記感光性透明アクリル樹脂のベースポリマーは、メタクリル酸とグリシジルメタクリレートのポリマーであり、感光剤としてナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を含む請求項23または24に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 25. The base polymer of the photosensitive transparent acrylic resin is a polymer of methacrylic acid and glycidyl methacrylate, a transmissive liquid crystal display according to claim 23 or 24 comprising a naphthoquinone diazide positive-type photosensitive agent as a photosensitive agent manufacturing method of the device.
  26. 【請求項26】 波長400から800nmの光に対する透過率が90パーセント以上である前記感光性透明アクリル樹脂を用いて前記層間絶縁膜を形成する請求項2 26. Claim transmittance from for 800nm ​​optical wavelength 400 to form the interlayer insulating film by using the photosensitive transparent acrylic resin is 90% or more 2
    3から25のうちいずれかに記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device according to any one of 3 to 25.
  27. 【請求項27】 前記有機膜の厚さが1.5μm以上である請求項18から26のうちいずれかに記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 27. The method of transmission type liquid crystal display device according to any one of the thickness of 1.5μm or more is claim 18 to 26 of the organic film.
  28. 【請求項28】 前記有機膜を形成する前に、 該有機膜が形成される前記基板の表面に紫外線を照射する工程を、 更に包含する請求項18から27のうちいずれかに記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 28. Before forming the organic film, the transmission type according to any one of the step of irradiating ultraviolet rays to the surface of the substrate to the organic film is formed, further from the containing Claim 18 27 method of manufacturing a liquid crystal display device.
  29. 【請求項29】 前記有機膜を形成する前に、 該有機膜が形成される前記基板の表面にシランカップリング剤を塗布する工程を、 更に包含する請求項18から27に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 29. Before forming the organic film, the step of applying a silane coupling agent to the surface of the substrate to the organic film is formed, a transmissive liquid crystal according to further from the containing Claim 18 27 method for manufacturing a display device.
  30. 【請求項30】 前記有機膜を形成する材料がシランカップリング剤を含む請求項18から27に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 30. A method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device according to 27 claim 18 material forming the organic film contains a silane coupling agent.
  31. 【請求項31】 前記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザンと、ジメチルジメトキシシランと、n 31. The silane coupling agent includes hexamethyldisilazane, dimethyl dimethoxy silane, n
    −ブチルトリメトキシシランのうちの少なくとも1つを含む請求項29または30に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 - method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device according to claim 29 or 30 comprising at least one of butyl trimethoxy silane.
  32. 【請求項32】 前記画素電極を形成する前に、前記層間絶縁膜の表面に対して酸素プラズマによる灰化処理を行う工程を更に包含する請求項18から31のうちいずれかに記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 To 32. Prior to forming the pixel electrode, the transmissive type according to any one of the interlayer insulation further comprising claim 18 to 31 the step of performing ashing treatment using oxygen plasma to the surface of the film method of manufacturing a liquid crystal display device.
  33. 【請求項33】 前記灰化処理工程は、前記層間絶縁膜に前記コンタクトホールを形成した後で行われる請求項32に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 33. The ashing step method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device according to claim 32 which is performed after forming the contact hole in the interlayer insulating film.
  34. 【請求項34】 前記層間絶縁膜は加熱によって架橋する材料を含んでおり、前記灰化処理工程の前に、該層間絶縁膜を架橋させる工程をさらに包含する請求項32に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 34. The interlayer insulating film includes a material crosslinked by heating, the prior ashing process, the transmission type liquid crystal according to further comprising claim 32 the step of crosslinking the interlayer insulating film method for manufacturing a display device.
  35. 【請求項35】 前記酸素プラズマによる前記灰化処理によって、前記層間絶縁膜の表面から100nmから5 By 35. The ashing treatment by the oxygen plasma, from 100nm from the surface of the interlayer insulating film 5
    00nmの厚さが灰化される請求項32から34のいずれかに記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a transmission type liquid crystal display device according to any one of claims 32 34 in which the thickness of 00nm is ashed.
  36. 【請求項36】 前記画素電極の膜厚を50nm以上に形成する請求項18から35のいずれかに記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 36. The method of transmission type liquid crystal display device according to any one of 35 claims 18 to form more than 50nm thickness of the pixel electrode.
  37. 【請求項37】 前記感光性透明アクリル樹脂を、その濃度が0.1から1.0mol%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド現像液により現像して層間絶縁膜を形成する請求項25に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 37. The photosensitive transparent acrylic resin, transmission of claim 25 in which the concentration of the interlayer insulating film is developed by 1.0 mol% of tetramethylammonium hydroxide developing solution from 0.1 method of manufacturing a liquid crystal display device.
  38. 【請求項38】 前記層間絶縁膜に前記コンタクトホールを形成した後、該層間絶縁膜に紫外線を照射する脱色工程を更に包含する請求項23に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 38. After forming the contact hole in the interlayer insulating film, a manufacturing method of a transmission type liquid crystal display device of claim 23 further comprising a bleaching step of irradiating ultraviolet rays in the interlayer insulating film.
  39. 【請求項39】 前記有機膜を形成する前に、該有機膜が形成される前記基板の表面に窒化シリコン膜を形成する工程をさらに包含する請求項18から37に記載の透過型液晶表示装置の製造方法。 39. Before forming the organic film, the transmission type liquid crystal display device according to further comprising claim 18 the step of forming a silicon nitride film on a surface of the substrate to the organic film is formed on the 37 the method of production.
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