JPH0863819A - 光学的情報記録再生装置 - Google Patents
光学的情報記録再生装置Info
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- JPH0863819A JPH0863819A JP6199479A JP19947994A JPH0863819A JP H0863819 A JPH0863819 A JP H0863819A JP 6199479 A JP6199479 A JP 6199479A JP 19947994 A JP19947994 A JP 19947994A JP H0863819 A JPH0863819 A JP H0863819A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】デフォーカスの方向によらず信号振幅などの特
性が対称に変化し、且つＣ／Ｎなどの特性が劣化せず光
効率が高い光学的情報記録再生装置を提供する。 【構成】半導体レーザと、半導体レーザからの光を平行
光にするコリメータレンズと、コリメータレンズからの
平行光を光磁気ディスク上に結像する対物レンズと、光
磁気ディスクからの反射光を往路から分離するビームス
プリッタと、分離された光を受光する光検出器とを有す
る光学的情報記録再生装置において、半導体レーザはそ
のアスの方向がビームスプリッタの分離面の法線と光の
光軸を含む面に対し垂直又は平行でないように配置さ
れ、更にビームスプリッタと半導体レーザとの間に１／
２波長板が配置され、その方位が光磁気ディスクのトラ
ック方向と対物レンズの出射光の偏光方向とが一致する
ように構成した。
性が対称に変化し、且つＣ／Ｎなどの特性が劣化せず光
効率が高い光学的情報記録再生装置を提供する。 【構成】半導体レーザと、半導体レーザからの光を平行
光にするコリメータレンズと、コリメータレンズからの
平行光を光磁気ディスク上に結像する対物レンズと、光
磁気ディスクからの反射光を往路から分離するビームス
プリッタと、分離された光を受光する光検出器とを有す
る光学的情報記録再生装置において、半導体レーザはそ
のアスの方向がビームスプリッタの分離面の法線と光の
光軸を含む面に対し垂直又は平行でないように配置さ
れ、更にビームスプリッタと半導体レーザとの間に１／
２波長板が配置され、その方位が光磁気ディスクのトラ
ック方向と対物レンズの出射光の偏光方向とが一致する
ように構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクを情報
記録媒体として、光学的に情報を記録あるいは再生する
光学的情報記録再生装置に関する。
記録媒体として、光学的に情報を記録あるいは再生する
光学的情報記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来技術】光学的情報記録再生装置では、光源として
半導体レーザ（以下、ＬＤと呼ぶ）を用いＬＤからの放
射光が光磁気ディスクに照射され、光磁気ディスクの反
射率とカー効果の影響で光磁気ディスク上の磁化の向き
により光の振動方向が異なる方向に回転された光を光検
出器で検出して情報の再生を行なう。
半導体レーザ（以下、ＬＤと呼ぶ）を用いＬＤからの放
射光が光磁気ディスクに照射され、光磁気ディスクの反
射率とカー効果の影響で光磁気ディスク上の磁化の向き
により光の振動方向が異なる方向に回転された光を光検
出器で検出して情報の再生を行なう。
【０００３】この装置の概要を図８を用いて説明する
と、ＬＤ５１から出射された光はコリメータレンズ５２
で平行光に変換され、さらにビームスプリッタ５３の偏
光膜５４を透過し、対物レンズ５５を透過して光磁気デ
ィスク５６へ到達する。光磁気ディスク５６で反射され
た光束は再び対物レンズ５５を経てビームスプリッタ５
３の偏光膜５４に達する。光束は偏光膜５４で光検出器
５７方向に反射され、検光子５８を透過した後に光検出
器５７に入射し光磁気信号が検出される。なお、偏光膜
５４の特性はＰ偏光反射率３０％、Ｓ偏光反射率１００
％、反射光の位相差０deg としている。
と、ＬＤ５１から出射された光はコリメータレンズ５２
で平行光に変換され、さらにビームスプリッタ５３の偏
光膜５４を透過し、対物レンズ５５を透過して光磁気デ
ィスク５６へ到達する。光磁気ディスク５６で反射され
た光束は再び対物レンズ５５を経てビームスプリッタ５
３の偏光膜５４に達する。光束は偏光膜５４で光検出器
５７方向に反射され、検光子５８を透過した後に光検出
器５７に入射し光磁気信号が検出される。なお、偏光膜
５４の特性はＰ偏光反射率３０％、Ｓ偏光反射率１００
％、反射光の位相差０deg としている。
【０００４】上記した光磁気ディスクの基板には一般的
にポリカーボネート樹脂等の射出成形プラスチックが用
いられており、光磁気ディスクの径方向またはトラック
方向に沿った方向に進相軸をもつ複屈折を有する事が知
られている（参考文献：ＰＯＬＹＭＥＲＳ ＩＮ ＩＮ
ＦＯＲＭＡＴＩＯＮ ＳＴＯＲＡＧＥ ＴＥＣＨＮＯＬ
ＯＧＹ Ｐａｇｅ２０７〜２１５、Ｅｄｉｔｅｄ ｂｙ
Ｋ．Ｌ．Ｍｌｔｔａｌ、Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒ：Ｐｌｅ
ｎｕｍ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎ、１９８９、Ａｍｅｒｉｃａ）。この場合、光磁気デ
ィスクへの入射光の偏光方向がトラックに対し平行又は
垂直でないと、光磁気ディスク基板の複屈折の影響によ
って光磁気ディスクからの反射光に楕円化が生じ、再生
信号のＣ／Ｎが悪化する。よって、光磁気ディスクに入
射する光の偏光方向はトラック方向に対し平行又は垂直
方向に選ばれる。しかしこの様に光磁気ディスクに入射
する光の偏光方向を設定すると、ＬＤの非点隔差（以
下、アスと呼ぶ）方向及び楕円状の光量分布の長軸方向
または短軸方向と、トラック方向が一致してしまう為、
光磁気ディスクと対物レンズレンズとが合焦状態から遠
ざかった状態（＋デフォーカス）と近付いた状態（−デ
フォーカス）時に、楕円化した光スポットの長軸方向が
トラックに対して平行または垂直となり、トラックエラ
ー信号振幅、ジッター、光磁気信号振幅等の各特性が＋
デフォーカス状態と−デフォーカス状態で非対称となっ
てしまう。
にポリカーボネート樹脂等の射出成形プラスチックが用
いられており、光磁気ディスクの径方向またはトラック
方向に沿った方向に進相軸をもつ複屈折を有する事が知
られている（参考文献：ＰＯＬＹＭＥＲＳ ＩＮ ＩＮ
ＦＯＲＭＡＴＩＯＮ ＳＴＯＲＡＧＥ ＴＥＣＨＮＯＬ
ＯＧＹ Ｐａｇｅ２０７〜２１５、Ｅｄｉｔｅｄ ｂｙ
Ｋ．Ｌ．Ｍｌｔｔａｌ、Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒ：Ｐｌｅ
ｎｕｍ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎ、１９８９、Ａｍｅｒｉｃａ）。この場合、光磁気デ
ィスクへの入射光の偏光方向がトラックに対し平行又は
垂直でないと、光磁気ディスク基板の複屈折の影響によ
って光磁気ディスクからの反射光に楕円化が生じ、再生
信号のＣ／Ｎが悪化する。よって、光磁気ディスクに入
射する光の偏光方向はトラック方向に対し平行又は垂直
方向に選ばれる。しかしこの様に光磁気ディスクに入射
する光の偏光方向を設定すると、ＬＤの非点隔差（以
下、アスと呼ぶ）方向及び楕円状の光量分布の長軸方向
または短軸方向と、トラック方向が一致してしまう為、
光磁気ディスクと対物レンズレンズとが合焦状態から遠
ざかった状態（＋デフォーカス）と近付いた状態（−デ
フォーカス）時に、楕円化した光スポットの長軸方向が
トラックに対して平行または垂直となり、トラックエラ
ー信号振幅、ジッター、光磁気信号振幅等の各特性が＋
デフォーカス状態と−デフォーカス状態で非対称となっ
てしまう。
【０００５】即ち＋デフォーカス、−デフォーカスのど
ちらかの状態で極端に前記特性が変化してしまう。この
ような現象によって、ディフェクトディスクや、周囲環
境の温度変化で光磁気ディスク上の光スポットがデフォ
ーカスした場合、サーボが外れ易くなり、また、情報信
号の読み誤りも増加する。又、デフォーカス時のトラッ
ク間干渉、符号間干渉の何れかが増大してしまう。
ちらかの状態で極端に前記特性が変化してしまう。この
ような現象によって、ディフェクトディスクや、周囲環
境の温度変化で光磁気ディスク上の光スポットがデフォ
ーカスした場合、サーボが外れ易くなり、また、情報信
号の読み誤りも増加する。又、デフォーカス時のトラッ
ク間干渉、符号間干渉の何れかが増大してしまう。
【０００６】更に、ＬＤのアスとコリメータレンズのＮ
Ａ、および伝搬する光波面の３次元ツェルニケアス収差
係数には、 伝搬波面の３次ツェルニケアス収差係数＝ＮＡ2 ／４λ
×ＬＤアス（λ：ＬＤ波長） に示すような関係式がある。ライトワンス（ＷＯＲＭ）
やリライタブル（ＭＯ）の光ディスクは、リードオンリ
ー（ＲＯＭ）の光ディスクに比べ、光ディスク上でのス
ポット径を絞る為や、光効率確保の為、前記ＮＡを大き
くする必要がある。従って、前記関係式より、伝搬する
光波面の３次元ツェルニケアス収差係数はＬＤのアスの
影響を受けやすい事がわかる。
Ａ、および伝搬する光波面の３次元ツェルニケアス収差
係数には、 伝搬波面の３次ツェルニケアス収差係数＝ＮＡ2 ／４λ
×ＬＤアス（λ：ＬＤ波長） に示すような関係式がある。ライトワンス（ＷＯＲＭ）
やリライタブル（ＭＯ）の光ディスクは、リードオンリ
ー（ＲＯＭ）の光ディスクに比べ、光ディスク上でのス
ポット径を絞る為や、光効率確保の為、前記ＮＡを大き
くする必要がある。従って、前記関係式より、伝搬する
光波面の３次元ツェルニケアス収差係数はＬＤのアスの
影響を受けやすい事がわかる。
【０００７】またＮａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏｌ．３５Ｎｏ．２ Ａｐｒ．１
９８９にトラッキングエラー信号をプッシュプル法を用
いた場合、プッシュプル信号の変調度が光磁気ディスク
のトラックへの入射直線偏光の方向によって影響を受け
やすいということが記載されている。プッシュプル信号
の変調度を大きくとるためには、入射直線偏光の方向を
トラック方向にする必要がある。
ｌ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏｌ．３５Ｎｏ．２ Ａｐｒ．１
９８９にトラッキングエラー信号をプッシュプル法を用
いた場合、プッシュプル信号の変調度が光磁気ディスク
のトラックへの入射直線偏光の方向によって影響を受け
やすいということが記載されている。プッシュプル信号
の変調度を大きくとるためには、入射直線偏光の方向を
トラック方向にする必要がある。
【０００８】このような課題を解決するために特開平３
−１０５７４８号公報（従来例１）では、対物レンズと
ビームスプリッタの間に１／２波長板を挿入してＬＤの
偏光方向だけを対物レンズの光軸まわりにＬＤのアス方
向とは独立に回転させるという方法を記載している。つ
まりＬＤのアスの方向をトラック方向に対し４５゜とな
るようにし、偏光方向のみをトラック方向とすることが
可能となり、＋デフォーカス状態、−デフォーカス状態
時の各特性の非対称さを無くしている。またプッシュプ
ル信号の変調度も減少しない。光磁気ディスクからの反
射光がビームスプリッタで反射した際に光磁気信号のＣ
／Ｎを劣化させないように、ビームスプリッタのＳまた
はＰ偏光反射率は略１００％に設定されている。こうす
ることで、ビームスプリッタから透過した偏光成分はＳ
またはＰ偏光成分のいずれかしか存在しないため、出射
光の偏光方向のみをトラック方向にすることを実現して
いる。
−１０５７４８号公報（従来例１）では、対物レンズと
ビームスプリッタの間に１／２波長板を挿入してＬＤの
偏光方向だけを対物レンズの光軸まわりにＬＤのアス方
向とは独立に回転させるという方法を記載している。つ
まりＬＤのアスの方向をトラック方向に対し４５゜とな
るようにし、偏光方向のみをトラック方向とすることが
可能となり、＋デフォーカス状態、−デフォーカス状態
時の各特性の非対称さを無くしている。またプッシュプ
ル信号の変調度も減少しない。光磁気ディスクからの反
射光がビームスプリッタで反射した際に光磁気信号のＣ
／Ｎを劣化させないように、ビームスプリッタのＳまた
はＰ偏光反射率は略１００％に設定されている。こうす
ることで、ビームスプリッタから透過した偏光成分はＳ
またはＰ偏光成分のいずれかしか存在しないため、出射
光の偏光方向のみをトラック方向にすることを実現して
いる。
【０００９】また特開平５−１２７４７号公報（従来例
２）では、ビームスプリッタのＳまたはＰ偏光反射率を
略１００％に設定し、ＬＤのアスの方向を光磁気ディス
クのトラック方向に対し４５゜に設定することで、偏光
方向のみをトラック方向にすることを実現している。
２）では、ビームスプリッタのＳまたはＰ偏光反射率を
略１００％に設定し、ＬＤのアスの方向を光磁気ディス
クのトラック方向に対し４５゜に設定することで、偏光
方向のみをトラック方向にすることを実現している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
例１及び従来例２の構成によれば、ＬＤから光磁気ディ
スクまでの光効率を考えた場合、略直線偏光したＬＤか
らの光量のうちビームスプリッタを透過する光量は、Ｌ
Ｄのアスの方向をトラック方向に対し４５°に設定して
おり、かつ、ビームスプリッタのＳまたはＰ偏光反射率
が略１００％に設定されているため、最大半分しか透過
できず、光の利用効率が低いため、光磁気ディスク上で
の記録、消去に大きな光量が必要な場合などは、光源で
あるＬＤの最大定格をあげることにつながり、コストア
ップにつながる。
例１及び従来例２の構成によれば、ＬＤから光磁気ディ
スクまでの光効率を考えた場合、略直線偏光したＬＤか
らの光量のうちビームスプリッタを透過する光量は、Ｌ
Ｄのアスの方向をトラック方向に対し４５°に設定して
おり、かつ、ビームスプリッタのＳまたはＰ偏光反射率
が略１００％に設定されているため、最大半分しか透過
できず、光の利用効率が低いため、光磁気ディスク上で
の記録、消去に大きな光量が必要な場合などは、光源で
あるＬＤの最大定格をあげることにつながり、コストア
ップにつながる。
【００１１】本発明は、上記不具合を解決すべく提案さ
れるもので、簡単な構成で、デフォーカス状態の方向に
よらず各特性が対称に変化し、且つＣ／Ｎ等の特性が劣
化せず光効率が高い光学的情報記録再生装置を提供する
ことを目的とする。
れるもので、簡単な構成で、デフォーカス状態の方向に
よらず各特性が対称に変化し、且つＣ／Ｎ等の特性が劣
化せず光効率が高い光学的情報記録再生装置を提供する
ことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決する手段】本発明は上記目的を達成するた
めに、 １．光源である半導体レーザと、前記半導体レーザから
出射される放射光を平行光にするコリメータレンズと、
前記コリメータレンズからの平行光を光磁気ディスク上
に結像する対物レンズと、前記光磁気ディスクからの反
射光を前記コリメータレンズと前記対物レンズの光路か
ら分離するビームスプリッタと、分離された光を受光す
る光検出手段とを有する光学的情報記録再生装置におい
て、前記半導体レーザはその非点隔差の方向が前記ビー
ムスプリッタの光分離面の法線と前記平行光の光軸を含
む面に対し垂直または平行でないように配置され、さら
に前記ビームスプリッタと前記半導体レーザとの間に１
／２波長板が配置され、その方位が前記光磁気ディスク
のトラック方向と前記対物レンズの出射光の偏光方向と
が一致するように構成された光学的情報記録再生装置で
ある。 ２．前記第１項記載の光学的情報記録再生装置におい
て、前記半導体レーザはその非点隔差の方向が前記光磁
気ディスクのトラック方向に対し略４５°をなすように
する。 ３．前記第１項記載の光学的情報記録再生装置におい
て、前記１／２波長板に偏光膜を施してビームスプリッ
タ機能を設ける。 ４．前記第１項記載の光学的情報記録再生装置におい
て、前記１／２波長板が前記コリメータレンズと前記ビ
ームスプリッタの間に配置される。
めに、 １．光源である半導体レーザと、前記半導体レーザから
出射される放射光を平行光にするコリメータレンズと、
前記コリメータレンズからの平行光を光磁気ディスク上
に結像する対物レンズと、前記光磁気ディスクからの反
射光を前記コリメータレンズと前記対物レンズの光路か
ら分離するビームスプリッタと、分離された光を受光す
る光検出手段とを有する光学的情報記録再生装置におい
て、前記半導体レーザはその非点隔差の方向が前記ビー
ムスプリッタの光分離面の法線と前記平行光の光軸を含
む面に対し垂直または平行でないように配置され、さら
に前記ビームスプリッタと前記半導体レーザとの間に１
／２波長板が配置され、その方位が前記光磁気ディスク
のトラック方向と前記対物レンズの出射光の偏光方向と
が一致するように構成された光学的情報記録再生装置で
ある。 ２．前記第１項記載の光学的情報記録再生装置におい
て、前記半導体レーザはその非点隔差の方向が前記光磁
気ディスクのトラック方向に対し略４５°をなすように
する。 ３．前記第１項記載の光学的情報記録再生装置におい
て、前記１／２波長板に偏光膜を施してビームスプリッ
タ機能を設ける。 ４．前記第１項記載の光学的情報記録再生装置におい
て、前記１／２波長板が前記コリメータレンズと前記ビ
ームスプリッタの間に配置される。
【００１３】
【作用】このように構成することにより、構成を複雑化
することなく、光磁気ディスク上のビームスポットが楕
円化してもデフォーカスの方向にかかわらずトラックエ
ラー信号振幅の各特性が対称に変化し、かつ光効率を低
減することなくＣ／Ｎ等の特性が悪化しない情報信号の
記録、再生ができる。
することなく、光磁気ディスク上のビームスポットが楕
円化してもデフォーカスの方向にかかわらずトラックエ
ラー信号振幅の各特性が対称に変化し、かつ光効率を低
減することなくＣ／Ｎ等の特性が悪化しない情報信号の
記録、再生ができる。
【００１４】
【実施例】図１乃至図４を参照して本発明の第１実施例
を説明する。図１において、ＬＤ１から放射された光は
コリメ−タレンズ２で平行光に変換され１／２波長板１
１に入射する。平行光は１／２波長板１１で旋光されて
出射され、ビームスプリッタ３の偏光膜４を透過し、対
物レンズ５を経て光磁気ディスク６へ達する。偏光膜４
を反射した光は、光検出器１２により受光される。この
光検出器１２の出力は対物レンズからの出射光量を一定
に保つために利用される。光磁気ディスク６で反射され
た光束は、再び対物レンズ５を経て該ビームスプリッタ
３の偏光膜４に達する。偏光膜４を反射した光は集光レ
ンズ７により集光され、ビームスプリッタ８により２光
束に分離され、それぞれ検出器９、１０に入射し光磁気
信号が検出される。前記偏光膜４の特性は、Ｐ偏光透過
率５０〜８０％、Ｓ偏光反射率１００％、反射光の位相
差０又は、±１８０°である。ビームスプリッタ８の偏
光膜の特性は、Ｐ偏光透過率略１００％、Ｓ偏光反射率
略１００％であり、図１の座標のＸ−Ｙ平面において
Ｘ軸に対し４５°の方位で配置されている。またＬＤ１
の偏光方向（ＬＤチップの接合方向）は図１の座標の
Ｘ−Ｙ平面において、Ｘ軸に対し４５°をなしており
（図２（ａ））、１／２波長板の方位は座標のＸ−Ｙ
平面において、Ｘ軸に対し２２．５°をなしている（図
２（ｂ））。
を説明する。図１において、ＬＤ１から放射された光は
コリメ−タレンズ２で平行光に変換され１／２波長板１
１に入射する。平行光は１／２波長板１１で旋光されて
出射され、ビームスプリッタ３の偏光膜４を透過し、対
物レンズ５を経て光磁気ディスク６へ達する。偏光膜４
を反射した光は、光検出器１２により受光される。この
光検出器１２の出力は対物レンズからの出射光量を一定
に保つために利用される。光磁気ディスク６で反射され
た光束は、再び対物レンズ５を経て該ビームスプリッタ
３の偏光膜４に達する。偏光膜４を反射した光は集光レ
ンズ７により集光され、ビームスプリッタ８により２光
束に分離され、それぞれ検出器９、１０に入射し光磁気
信号が検出される。前記偏光膜４の特性は、Ｐ偏光透過
率５０〜８０％、Ｓ偏光反射率１００％、反射光の位相
差０又は、±１８０°である。ビームスプリッタ８の偏
光膜の特性は、Ｐ偏光透過率略１００％、Ｓ偏光反射率
略１００％であり、図１の座標のＸ−Ｙ平面において
Ｘ軸に対し４５°の方位で配置されている。またＬＤ１
の偏光方向（ＬＤチップの接合方向）は図１の座標の
Ｘ−Ｙ平面において、Ｘ軸に対し４５°をなしており
（図２（ａ））、１／２波長板の方位は座標のＸ−Ｙ
平面において、Ｘ軸に対し２２．５°をなしている（図
２（ｂ））。
【００１５】次に各偏光状態を順を追って説明する。光
ビームがＬＤ１から出射されて光磁気ディスク６に照射
されるまでの光の偏光状態を図１の座標を用いて説明
する。ＬＤ１から出射される光の偏光方向は図２（ａ）
に図示するようにＸ軸と４５°をなしている。１／２波
長板透過後は図２（ｂ）に図示するように、４５°旋光
され、光の偏光方向はＸ軸と一致するため（即ちＰ偏光
となるので）、ビームスプリッタ３の偏光膜４を５０〜
８０％の光が透過する。光磁気ディスク上のスポットは
図２（ｃ）に図示するように光の偏光方向が光磁気ディ
スクのトラック方向と一致し、楕円状のスポットの長軸
がトラック方向に対し４５°の角度を成す。
ビームがＬＤ１から出射されて光磁気ディスク６に照射
されるまでの光の偏光状態を図１の座標を用いて説明
する。ＬＤ１から出射される光の偏光方向は図２（ａ）
に図示するようにＸ軸と４５°をなしている。１／２波
長板透過後は図２（ｂ）に図示するように、４５°旋光
され、光の偏光方向はＸ軸と一致するため（即ちＰ偏光
となるので）、ビームスプリッタ３の偏光膜４を５０〜
８０％の光が透過する。光磁気ディスク上のスポットは
図２（ｃ）に図示するように光の偏光方向が光磁気ディ
スクのトラック方向と一致し、楕円状のスポットの長軸
がトラック方向に対し４５°の角度を成す。
【００１６】次に光磁気ディスク６で反射された後、ビ
ームスプリッタ３の偏光膜４を反射するまでの光の偏光
状態を図１の座標を用いて説明する。光磁気ディスク
６の反射率とカー効果の影響で光磁気ディスク６上の磁
化の向きによりθk あるいは−θk の方向に旋光され図
２（ｄ）に図示するような偏光状態となる。ビームスプ
リッタ３の偏光膜４を反射した後の光の偏光状態は図１
の座標を用いて説明する。偏光膜４で光磁気信号成分
（情報信号）はＳ偏光成分（Ｙ軸成分）であるので、図
２（ｅ）に図示するように、偏光膜４でほぼ１００％反
射し、光磁気信号成分を失うことなくビームスプリッタ
８で分離後、光検出器９、１０で差動検出される。
ームスプリッタ３の偏光膜４を反射するまでの光の偏光
状態を図１の座標を用いて説明する。光磁気ディスク
６の反射率とカー効果の影響で光磁気ディスク６上の磁
化の向きによりθk あるいは−θk の方向に旋光され図
２（ｄ）に図示するような偏光状態となる。ビームスプ
リッタ３の偏光膜４を反射した後の光の偏光状態は図１
の座標を用いて説明する。偏光膜４で光磁気信号成分
（情報信号）はＳ偏光成分（Ｙ軸成分）であるので、図
２（ｅ）に図示するように、偏光膜４でほぼ１００％反
射し、光磁気信号成分を失うことなくビームスプリッタ
８で分離後、光検出器９、１０で差動検出される。
【００１７】次に図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて
光磁気ディスク上でのスポット像を説明する。現在、光
磁気ディスクに使用されているＬＤにはアスが存在し、
光放射角が、ＬＤチップ結晶の接合方向と垂直方向とで
異なる事は周知の事実である（図４参照）。従って、対
物レンズ又はコリメータレンズで開口制限を行った場
合、光放射角の影響で実質的に開口数（ＮＡ）が大きい
垂直方向は接合方向に比べ、合焦状態で絞られたスポッ
トとなる（図３（ａ）参照）。また、ＬＤ１からの放射
光の偏光方向は図１の座標のＸ軸に対して４５゜を成
しているので、アスの影響で光磁気ディスクと対物レン
ズが＋デフォーカス状態と−デフォーカス状態とではス
ポットの楕円化の長軸の方向がトラック方向と４５°を
成す。尚、図３（ｂ）は−デフォーカス状態、図３
（ｃ）は＋デフォーカス状態である。これは、前記した
ようにＬＤ１の偏光方向（ＬＤチップ結晶の接合方向）
が図１の座標でＸ軸に対し４５°を成しているためで
ある。
光磁気ディスク上でのスポット像を説明する。現在、光
磁気ディスクに使用されているＬＤにはアスが存在し、
光放射角が、ＬＤチップ結晶の接合方向と垂直方向とで
異なる事は周知の事実である（図４参照）。従って、対
物レンズ又はコリメータレンズで開口制限を行った場
合、光放射角の影響で実質的に開口数（ＮＡ）が大きい
垂直方向は接合方向に比べ、合焦状態で絞られたスポッ
トとなる（図３（ａ）参照）。また、ＬＤ１からの放射
光の偏光方向は図１の座標のＸ軸に対して４５゜を成
しているので、アスの影響で光磁気ディスクと対物レン
ズが＋デフォーカス状態と−デフォーカス状態とではス
ポットの楕円化の長軸の方向がトラック方向と４５°を
成す。尚、図３（ｂ）は−デフォーカス状態、図３
（ｃ）は＋デフォーカス状態である。これは、前記した
ようにＬＤ１の偏光方向（ＬＤチップ結晶の接合方向）
が図１の座標でＸ軸に対し４５°を成しているためで
ある。
【００１８】上記した実施例１の効果として、次の事項
があげられる。 １．＋−デフォーカス状態に対しディスク上のスポット
楕円化の方向がトラックに対し４５°方向にあるため、
各特性の変化量が対称になる。即ち＋−デフォーカスの
いずれかの方向で極端に特性が変化することなく、ディ
フェクトディスクや、周囲環境の温度変化でディスク上
のスポットがデフォーカスした場合でもサーボが外れ難
くなり、また、情報信号の読み誤りも減少する。
があげられる。 １．＋−デフォーカス状態に対しディスク上のスポット
楕円化の方向がトラックに対し４５°方向にあるため、
各特性の変化量が対称になる。即ち＋−デフォーカスの
いずれかの方向で極端に特性が変化することなく、ディ
フェクトディスクや、周囲環境の温度変化でディスク上
のスポットがデフォーカスした場合でもサーボが外れ難
くなり、また、情報信号の読み誤りも減少する。
【００１９】２．光磁気信号を低減させることなく検光
子及び光検出器に導くことが出来、従ってＣ／Ｎ等の特
性を悪化させることがない。 ３．ビームスプリッタ３での光利用効率を５０％以上と
ることができる。本実施例では、従来例の約１．３倍光
効率が良くなる。 ４．一般的に、スポット光量分布の長軸方向がトラック
方向に近づくほど、符号間干渉による特性劣化が大きく
なる。この劣化の影響を防ぐには、（ａ）光効率を犠牲
にしてコリメータレンズの焦点距離をのばし、対物レン
ズへの入射光をガウス分布から平面波に近づけるか、
（ｂ）対物レンズのＮＡを高めるかが考えられる。しか
し、（ａ）は、最大定格の大きい、より高価なＬＤを使
用することになり、コストアップとなる。（ｂ）もＮＡ
の高い対物レンズは、光学特性が出にくいため、高価で
あり結果的にコストアップとなる。また、スポット光量
分布の長軸方向がトラックに垂直な方向に近づくほど、
トラック間干渉による特性劣化及び対物レンズのトラッ
ク方向へのシフト時に生じる直流オフセット量が増大す
る。本実施例では、光磁気ディスク上のスポットの光量
分布の長軸方向が、トラックに対し４５°に設定されて
いるため、トラックに垂直に設定した場合に比べ対物レ
ンズのトラック方向シフト時に生じる直流オフセット量
が軽減でき、且つトラックに平行に設定した場合よりス
ポット径が小さくなるため、符号間干渉による特性劣化
の影響も受けにくい。更に、トラックピッチの異なるデ
ィスクに対しては、最もトラックピッチの狭いディスク
において、トラックサーボ系が成り立つようなトラック
エラー信号を得られるようにトラック方向スポット径を
設定しておけば、それ以上広いトラックピッチのディス
クに対しても十分なトラックエラー信号を得ることがで
きる。即ち、トラックピッチの異なるディスクに対して
もグレーティング等の特別な部材を必要とせずに、光効
率も減じることなく対物レンズのトラック方向シフト時
に発生するトラッキング誤差信号の直流変動を軽減でき
る。
子及び光検出器に導くことが出来、従ってＣ／Ｎ等の特
性を悪化させることがない。 ３．ビームスプリッタ３での光利用効率を５０％以上と
ることができる。本実施例では、従来例の約１．３倍光
効率が良くなる。 ４．一般的に、スポット光量分布の長軸方向がトラック
方向に近づくほど、符号間干渉による特性劣化が大きく
なる。この劣化の影響を防ぐには、（ａ）光効率を犠牲
にしてコリメータレンズの焦点距離をのばし、対物レン
ズへの入射光をガウス分布から平面波に近づけるか、
（ｂ）対物レンズのＮＡを高めるかが考えられる。しか
し、（ａ）は、最大定格の大きい、より高価なＬＤを使
用することになり、コストアップとなる。（ｂ）もＮＡ
の高い対物レンズは、光学特性が出にくいため、高価で
あり結果的にコストアップとなる。また、スポット光量
分布の長軸方向がトラックに垂直な方向に近づくほど、
トラック間干渉による特性劣化及び対物レンズのトラッ
ク方向へのシフト時に生じる直流オフセット量が増大す
る。本実施例では、光磁気ディスク上のスポットの光量
分布の長軸方向が、トラックに対し４５°に設定されて
いるため、トラックに垂直に設定した場合に比べ対物レ
ンズのトラック方向シフト時に生じる直流オフセット量
が軽減でき、且つトラックに平行に設定した場合よりス
ポット径が小さくなるため、符号間干渉による特性劣化
の影響も受けにくい。更に、トラックピッチの異なるデ
ィスクに対しては、最もトラックピッチの狭いディスク
において、トラックサーボ系が成り立つようなトラック
エラー信号を得られるようにトラック方向スポット径を
設定しておけば、それ以上広いトラックピッチのディス
クに対しても十分なトラックエラー信号を得ることがで
きる。即ち、トラックピッチの異なるディスクに対して
もグレーティング等の特別な部材を必要とせずに、光効
率も減じることなく対物レンズのトラック方向シフト時
に発生するトラッキング誤差信号の直流変動を軽減でき
る。
【００２０】５．光磁気ディスクへの入射光の偏光方向
が、トラック方向であるため、プッシュプル信号の変調
度を減じることなくトラックエラー信号検出ができる。
本実施例において、１／２波長板をコリメータレンズと
ビームスプリッタの間に挿入しているが、ＬＤとコリメ
ータレンズ間に挿入しても良い。この場合は、角度依存
性の小さい１／２波長板が必要となる。
が、トラック方向であるため、プッシュプル信号の変調
度を減じることなくトラックエラー信号検出ができる。
本実施例において、１／２波長板をコリメータレンズと
ビームスプリッタの間に挿入しているが、ＬＤとコリメ
ータレンズ間に挿入しても良い。この場合は、角度依存
性の小さい１／２波長板が必要となる。
【００２１】次に本発明の第２実施例を図５（ａ）、
（ｂ）を参照して説明する。本実施例が第１実施例と異
なる点はビームスプリッタと１／２波長板が一体化され
ている点である。具体的には、１／２波長板１１の出射
側に偏光膜４を施している。１／２波長板１１は、実施
例１とは異なり角度依存性の小さいものを使用するか、
水晶の光学軸を光軸方向に対し略１３°傾け、１／２波
長板内の光軸Ｚ’回りに２２．５°回転し、且つ、ＬＤ
の波長にあわせて厚みを調節する事により得られる（図
５（ｂ）参照）。
（ｂ）を参照して説明する。本実施例が第１実施例と異
なる点はビームスプリッタと１／２波長板が一体化され
ている点である。具体的には、１／２波長板１１の出射
側に偏光膜４を施している。１／２波長板１１は、実施
例１とは異なり角度依存性の小さいものを使用するか、
水晶の光学軸を光軸方向に対し略１３°傾け、１／２波
長板内の光軸Ｚ’回りに２２．５°回転し、且つ、ＬＤ
の波長にあわせて厚みを調節する事により得られる（図
５（ｂ）参照）。
【００２２】第２実施例の効果は第１実施例の効果に加
え、次の事項があげられる。１、ビームスプリッタを廃
止し、１／２波長板に直接偏光膜をコートすることによ
り、コストの低減化に寄与することができる。次に本発
明の第３実施例を図６、図７（ａ）、（ｂ）を参照して
説明する。尚、本実施例は第１実施例および第２実施例
との相違点のみを説明する。
え、次の事項があげられる。１、ビームスプリッタを廃
止し、１／２波長板に直接偏光膜をコートすることによ
り、コストの低減化に寄与することができる。次に本発
明の第３実施例を図６、図７（ａ）、（ｂ）を参照して
説明する。尚、本実施例は第１実施例および第２実施例
との相違点のみを説明する。
【００２３】本実施例は集光レンズ７の前に１／４波長
板１３が方位４５°で挿入されている点と、偏光膜４の
特性がＰ偏光透過率５０〜８０％、Ｓ偏光反射率１００
％で、反射光の位相差±９０°の点と、ビームスプリッ
タ８が平行平板で構成され、方位が０°で設定されてい
る点が実施例１、２と異なる。次に各偏光状態の違いを
順を追って説明する。ＬＤ１から光が出射され光磁気デ
ィスク６で反射し、偏光膜４に入射までは第１実施例お
よび第２実施例と同様であり、偏光膜４で反射の際、位
相差が９０°生じ、±θk に旋光された光は、図７
（ａ）に示すように、それぞれの旋光方向に応じ振幅の
等しい左右回りの楕円偏光となる。１／４波長板１３を
透過すると図７（ｂ）に示すように、それぞれの長軸方
向が図６の座標のＸ、Ｙに一致する楕円偏光に変換さ
れた後、集光レンズ７により集光され、ビームスプリッ
タ８で分離後、光検出器９、１０で差動検出される。
板１３が方位４５°で挿入されている点と、偏光膜４の
特性がＰ偏光透過率５０〜８０％、Ｓ偏光反射率１００
％で、反射光の位相差±９０°の点と、ビームスプリッ
タ８が平行平板で構成され、方位が０°で設定されてい
る点が実施例１、２と異なる。次に各偏光状態の違いを
順を追って説明する。ＬＤ１から光が出射され光磁気デ
ィスク６で反射し、偏光膜４に入射までは第１実施例お
よび第２実施例と同様であり、偏光膜４で反射の際、位
相差が９０°生じ、±θk に旋光された光は、図７
（ａ）に示すように、それぞれの旋光方向に応じ振幅の
等しい左右回りの楕円偏光となる。１／４波長板１３を
透過すると図７（ｂ）に示すように、それぞれの長軸方
向が図６の座標のＸ、Ｙに一致する楕円偏光に変換さ
れた後、集光レンズ７により集光され、ビームスプリッ
タ８で分離後、光検出器９、１０で差動検出される。
【００２４】第３実施例の効果として第１実施例および
第２実施例の効果に加え、次の事項があげられる。 １．第１実施例および第２実施例に対し、ビームスプリ
ッタ８の方位設定精度が、１／２程度緩和できる。 ２．ビームスプリッタ８を平板化したことにより、コス
ト低減に寄与することができる。
第２実施例の効果に加え、次の事項があげられる。 １．第１実施例および第２実施例に対し、ビームスプリ
ッタ８の方位設定精度が、１／２程度緩和できる。 ２．ビームスプリッタ８を平板化したことにより、コス
ト低減に寄与することができる。
【００２５】３．ビームスプリッタ８の方位が０°であ
るため、第１実施例および第２実施例のように光軸回り
に回転する必要がなく、設計、加工上の自由度がひろが
る。
るため、第１実施例および第２実施例のように光軸回り
に回転する必要がなく、設計、加工上の自由度がひろが
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の構成によれ
ば以下の効果があげられる。 １．プッシュプル信号の変調度を減じることなく、デフ
ォーカスの方向によらず各特性が対称に変化する。 ２．Ｃ／Ｎの特性が悪化しない。 ３．高光効率である。 ４．低コストな装置を提供できる。 ５．トラックピッチの異なるディスクにおいても、グレ
ーティング等の特別な部材を必要とせず、光量ロスもな
く、対物レンズトラック方向シフト時に発生するトラッ
キング誤差信号の直流変動を軽減できる。
ば以下の効果があげられる。 １．プッシュプル信号の変調度を減じることなく、デフ
ォーカスの方向によらず各特性が対称に変化する。 ２．Ｃ／Ｎの特性が悪化しない。 ３．高光効率である。 ４．低コストな装置を提供できる。 ５．トラックピッチの異なるディスクにおいても、グレ
ーティング等の特別な部材を必要とせず、光量ロスもな
く、対物レンズトラック方向シフト時に発生するトラッ
キング誤差信号の直流変動を軽減できる。
【図１】本発明の第１実施例にかかる装置の概略図であ
る。
る。
【図２】第１実施例にかかる装置における偏光状態の説
明図である。
明図である。
【図３】上記装置における光磁気ディスク上のビームス
ポット形状の説明図である。
ポット形状の説明図である。
【図４】ＬＤの光量分布を示す説明図である。
【図５】本発明の第２実施例にかかる装置の概略図であ
る。
る。
【図６】本発明の第３実施例にかかる装置の概略図であ
る。
る。
【図７】第３実施例にかかる装置における偏光状態の説
明図である。
明図である。
【図８】従来例にかかる装置の概略図である。
１ 半導体レーザ ２ コリメータレンズ ３ ビームスプリッタ ４ 偏光膜 ５ 対物レンズ ６ 光磁気ディスク ７ 集光レンズ ８ ビームスプリッタ ９ 光検出器 １０ 光検出器 １１ １／２波長板 １２ 光検出器 １３ １／４波長板
Claims (4)
- 【請求項１】 光源である半導体レーザと、前記半導体
レーザから出射される放射光を平行光にするコリメータ
レンズと、前記コリメータレンズからの平行光を光磁気
ディスク上に結像する対物レンズと、前記光磁気ディス
クからの反射光を前記コリメータレンズと前記対物レン
ズの光路から分離するビームスプリッタと、分離された
光を受光する光検出手段とを有する光学的情報記録再生
装置において、 前記半導体レーザはその非点隔差の方向が前記ビームス
プリッタの光分離面の法線と前記平行光の光軸を含む面
に対し垂直または平行でないように配置され、さらに前
記ビームスプリッタと前記半導体レーザとの間に１／２
波長板が配置され、その方位が前記光磁気ディスクのト
ラック方向と前記対物レンズの出射光の偏光方向とが一
致するように構成したことを特徴とする光学的情報記録
再生装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光学的情報記録再生装置
において、前記半導体レーザはその非点隔差の方向が前
記光磁気ディスクのトラック方向に対し略４５°をなす
ことを特徴とする光学的情報記録再生装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の光学的情報記録再生装置
において、前記１／２波長板に偏光膜を施してビームス
プリッタ機能を設けることを特徴とする光学的情報記録
再生装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の光学的情報記録再生装置
において、前記１／２波長板が前記コリメータレンズと
前記ビームスプリッタの間に配置されることを特徴とす
る光学的情報記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6199479A JPH0863819A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 光学的情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6199479A JPH0863819A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 光学的情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0863819A true JPH0863819A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16408494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6199479A Withdrawn JPH0863819A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 光学的情報記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0863819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073173A (ja) * | 2005-09-03 | 2007-03-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 互換型光ピックアップ、及びこれを採用した光記録及び／または再生機器 |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP6199479A patent/JPH0863819A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073173A (ja) * | 2005-09-03 | 2007-03-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 互換型光ピックアップ、及びこれを採用した光記録及び／または再生機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |