JPH085584A - 蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析装置Info
- Publication number
- JPH085584A JPH085584A JP16460294A JP16460294A JPH085584A JP H085584 A JPH085584 A JP H085584A JP 16460294 A JP16460294 A JP 16460294A JP 16460294 A JP16460294 A JP 16460294A JP H085584 A JPH085584 A JP H085584A
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- Japan
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- rays
- ray
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- fluorescent
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料から発生する２次Ｘ線を分析のために有
効に活用できる蛍光Ｘ線分析装置を提供する。 【構成】 試料４の照射面８に対して斜め方向に１次Ｘ
線９を照射するＸ線源１と、試料４から発生する２次Ｘ
線を検出する検出器５とを備え、前記検出器５は、試料
４の照射面８における１次Ｘ線９の入射方向に沿った照
射長手軸１０と平行な直線上に配列された複数の検出素
子６を有してなる蛍光Ｘ線分析装置。
効に活用できる蛍光Ｘ線分析装置を提供する。 【構成】 試料４の照射面８に対して斜め方向に１次Ｘ
線９を照射するＸ線源１と、試料４から発生する２次Ｘ
線を検出する検出器５とを備え、前記検出器５は、試料
４の照射面８における１次Ｘ線９の入射方向に沿った照
射長手軸１０と平行な直線上に配列された複数の検出素
子６を有してなる蛍光Ｘ線分析装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２次Ｘ線の検出を改善
した蛍光Ｘ線分析装置に関するものである。
した蛍光Ｘ線分析装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、たとえば全反射型蛍光Ｘ線分析装
置では単素子の半導体検出器が、Ｘ線吸収分析装置では
多素子の半導体検出器が用いられている。
置では単素子の半導体検出器が、Ｘ線吸収分析装置では
多素子の半導体検出器が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】全反射型蛍光Ｘ線分析
では、試料に照射された１次Ｘ線は照射された面上で照
射方向に長い矩形状に広がるため２次Ｘ線もその矩形状
の面から発生するが、従来の蛍光Ｘ線分析装置の単素子
の半導体検出器ではその一部しか検出できず、２次Ｘ線
が分析のために有効に活用されていない。また、Ｘ線吸
収分析装置に用いられる多素子の半導体検出器は、試料
から離れた位置で円錐状に広がった２次Ｘ線を有効に活
用するため、複数の検出素子の検出面が検出器の検出面
上の円内に稠密になるよう配置されており、前記矩形状
の面から発生する２次Ｘ線を有効に活用するには適して
いない。
では、試料に照射された１次Ｘ線は照射された面上で照
射方向に長い矩形状に広がるため２次Ｘ線もその矩形状
の面から発生するが、従来の蛍光Ｘ線分析装置の単素子
の半導体検出器ではその一部しか検出できず、２次Ｘ線
が分析のために有効に活用されていない。また、Ｘ線吸
収分析装置に用いられる多素子の半導体検出器は、試料
から離れた位置で円錐状に広がった２次Ｘ線を有効に活
用するため、複数の検出素子の検出面が検出器の検出面
上の円内に稠密になるよう配置されており、前記矩形状
の面から発生する２次Ｘ線を有効に活用するには適して
いない。
【０００４】本発明は前記従来の問題に鑑みてなされた
もので、試料から発生する２次Ｘ線を分析のために有効
に活用できる蛍光Ｘ線分析装置を提供することを目的と
する。
もので、試料から発生する２次Ｘ線を分析のために有効
に活用できる蛍光Ｘ線分析装置を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の装置は、試料に１次Ｘ線を照射するＸ線源
と、試料から発生する２次Ｘ線を検出する検出器とを備
え、前記検出器は、試料の照射面における１次Ｘ線の入
射方向に沿った照射長手軸と平行な直線上に配列された
複数の検出素子を有している。
に、本発明の装置は、試料に１次Ｘ線を照射するＸ線源
と、試料から発生する２次Ｘ線を検出する検出器とを備
え、前記検出器は、試料の照射面における１次Ｘ線の入
射方向に沿った照射長手軸と平行な直線上に配列された
複数の検出素子を有している。
【０００６】
【作用】本発明によれば、１次Ｘ線は、試料における照
射長手軸の方向を長手方向とする矩形の照射面に照射さ
れるのであるが、この照射面の形状に対応して複数の検
出素子が配置されている。したがって、試料から発生し
た２次Ｘ線の大部分が、複数の検出素子により検出さ
れ、検出されない２次Ｘ線の量が減少する。つまり、試
料から発生する２次Ｘ線を分析のために有効に活用でき
る。
射長手軸の方向を長手方向とする矩形の照射面に照射さ
れるのであるが、この照射面の形状に対応して複数の検
出素子が配置されている。したがって、試料から発生し
た２次Ｘ線の大部分が、複数の検出素子により検出さ
れ、検出されない２次Ｘ線の量が減少する。つまり、試
料から発生する２次Ｘ線を分析のために有効に活用でき
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面にしたがって説
明する。図１は全反射型の蛍光Ｘ線分析装置を示し、同
図において、１次Ｘ線９を発生するＸ線源１、１次Ｘ線
９を分光して単色化する分光結晶２、単色化された１次
Ｘ線９を光学的に絞るスリット３、試料４から発生する
２次Ｘ線を検出する検出器５とを備えている。前記分光
結晶２からの１次Ｘ線９は、図５に示すように、試料４
の照射面８に斜めに照射され、照射面８で全反射され
る。この照射面８は入射方向に沿った照射長手軸１０を
長手方向とする矩形になる。前記検出器５は、試料４の
照射面８における１次Ｘ線９の入射方向に沿った照射長
手軸１０と平行な直線上に配列された複数の、たとえば
３つの検出素子６（図１）を有している。
明する。図１は全反射型の蛍光Ｘ線分析装置を示し、同
図において、１次Ｘ線９を発生するＸ線源１、１次Ｘ線
９を分光して単色化する分光結晶２、単色化された１次
Ｘ線９を光学的に絞るスリット３、試料４から発生する
２次Ｘ線を検出する検出器５とを備えている。前記分光
結晶２からの１次Ｘ線９は、図５に示すように、試料４
の照射面８に斜めに照射され、照射面８で全反射され
る。この照射面８は入射方向に沿った照射長手軸１０を
長手方向とする矩形になる。前記検出器５は、試料４の
照射面８における１次Ｘ線９の入射方向に沿った照射長
手軸１０と平行な直線上に配列された複数の、たとえば
３つの検出素子６（図１）を有している。
【０００８】ここで、図１に示すように、検出器５の下
面には、試料４から発生する２次Ｘ線を透過させるベリ
リウム膜や高分子膜を材料とする窓１１が設けられる
が、その窓１１を固定する窓枠１２から発生する２次Ｘ
線で誤観測が生じないように、窓枠１２は、検出対象に
ならない物質たとえばシリコンを材料として、図２に示
すような形状に形成されている。図２（ａ）はベリリウ
ム膜製の窓１１に使用される窓枠１２、図２（ｂ）は高
分子膜製の窓１１に使用される窓枠１２をそれぞれ示
す。
面には、試料４から発生する２次Ｘ線を透過させるベリ
リウム膜や高分子膜を材料とする窓１１が設けられる
が、その窓１１を固定する窓枠１２から発生する２次Ｘ
線で誤観測が生じないように、窓枠１２は、検出対象に
ならない物質たとえばシリコンを材料として、図２に示
すような形状に形成されている。図２（ａ）はベリリウ
ム膜製の窓１１に使用される窓枠１２、図２（ｂ）は高
分子膜製の窓１１に使用される窓枠１２をそれぞれ示
す。
【０００９】次に、本発明の作用について説明する。全
反射型蛍光Ｘ線分析においては、図５における１次Ｘ線
９の試料４への入射角度φは非常に小さく、たとえば
０．１度の場合、スリット３の穴７がたとえば隙間Ｌ０
が０．５mmで幅Ｗ０が１５mmとしても、試料４上での１
次Ｘ線９の照射面８はほぼ長さＬ１が５７mmで幅Ｗ１が
２０mmの矩形に広がってしまう。
反射型蛍光Ｘ線分析においては、図５における１次Ｘ線
９の試料４への入射角度φは非常に小さく、たとえば
０．１度の場合、スリット３の穴７がたとえば隙間Ｌ０
が０．５mmで幅Ｗ０が１５mmとしても、試料４上での１
次Ｘ線９の照射面８はほぼ長さＬ１が５７mmで幅Ｗ１が
２０mmの矩形に広がってしまう。
【００１０】よって試料４から発生する２次Ｘ線もその
矩形状の照射面８から発生するが、従来の蛍光Ｘ線分析
装置の半導体検出器はひとつの検出素子６しかもってお
らず、その検出面は図４（ａ）に示すように直径約１８
mmの円になっており、前記２次Ｘ線の一部しか検出でき
ないので、２次Ｘ線が分析のために有効に活用されてい
ない。また、Ｘ線吸収分析装置に用いられる多素子たと
えば３素子の半導体検出器は、試料から離れた位置で円
錐状に広がった２次Ｘ線を有効に活用するため、図４
（ｂ）に示すように３つの検出素子６の検出面が検出器
の検出面上の円内に稠密になるよう配置されており、前
記矩形状の照射面８（図５）から発生する２次Ｘ線を有
効に活用するには適していない。
矩形状の照射面８から発生するが、従来の蛍光Ｘ線分析
装置の半導体検出器はひとつの検出素子６しかもってお
らず、その検出面は図４（ａ）に示すように直径約１８
mmの円になっており、前記２次Ｘ線の一部しか検出でき
ないので、２次Ｘ線が分析のために有効に活用されてい
ない。また、Ｘ線吸収分析装置に用いられる多素子たと
えば３素子の半導体検出器は、試料から離れた位置で円
錐状に広がった２次Ｘ線を有効に活用するため、図４
（ｂ）に示すように３つの検出素子６の検出面が検出器
の検出面上の円内に稠密になるよう配置されており、前
記矩形状の照射面８（図５）から発生する２次Ｘ線を有
効に活用するには適していない。
【００１１】これらに対し、本実施例の半導体検出器５
（図１）では、図３に示すように、長さＬ２が２０mmで
幅Ｗ２が２０mmの矩形の検出面をもつ検出素子６を長さ
方向に（図５における試料４の照射面８における１次Ｘ
線９の入射方向に沿った照射長手軸１０と平行な直線上
に）３つ並べ、全体としての検出面が長さＬ３が６０mm
で幅Ｗ３が２０mmの矩形となるようにした。この結果、
前記矩形状の照射面８（図５）から発生する２次Ｘ線の
大部分を検出し、分析のために有効に活用できる。
（図１）では、図３に示すように、長さＬ２が２０mmで
幅Ｗ２が２０mmの矩形の検出面をもつ検出素子６を長さ
方向に（図５における試料４の照射面８における１次Ｘ
線９の入射方向に沿った照射長手軸１０と平行な直線上
に）３つ並べ、全体としての検出面が長さＬ３が６０mm
で幅Ｗ３が２０mmの矩形となるようにした。この結果、
前記矩形状の照射面８（図５）から発生する２次Ｘ線の
大部分を検出し、分析のために有効に活用できる。
【００１２】なお、本実施例では検出素子６を３つ用い
たが、それ以外にもたとえば、長さＬ２が１５mmで幅Ｗ
２が２０mmの矩形の検出面をもつ検出素子６を４つ用い
て、全体としての検出面が長さＬ３が６０mmで幅Ｗ３が
２０mmの矩形となるようにしてもよいし、長さＬ２が１
０mmで幅Ｗ２が２０mmの矩形の検出面をもつ検出素子６
を６つ用いて、全体としての検出面が長さＬ３が６０mm
で幅Ｗ３が２０mmの矩形となるようにしてもよい。ま
た、本実施例では全反射型蛍光Ｘ線分析装置を例にとっ
て説明したが、本発明の蛍光Ｘ線分析装置は、全反射型
に限定されるものではない。
たが、それ以外にもたとえば、長さＬ２が１５mmで幅Ｗ
２が２０mmの矩形の検出面をもつ検出素子６を４つ用い
て、全体としての検出面が長さＬ３が６０mmで幅Ｗ３が
２０mmの矩形となるようにしてもよいし、長さＬ２が１
０mmで幅Ｗ２が２０mmの矩形の検出面をもつ検出素子６
を６つ用いて、全体としての検出面が長さＬ３が６０mm
で幅Ｗ３が２０mmの矩形となるようにしてもよい。ま
た、本実施例では全反射型蛍光Ｘ線分析装置を例にとっ
て説明したが、本発明の蛍光Ｘ線分析装置は、全反射型
に限定されるものではない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
試料から発生する２次Ｘ線の大部分をを分析のために有
効に活用できる。また、複数の検出素子に入射する２次
Ｘ線を個別に検出すれば試料の１次Ｘ線の照射面上での
分布特性を測定することもできる。よって、従来より正
確でかつ精密な分析が可能となる。
試料から発生する２次Ｘ線の大部分をを分析のために有
効に活用できる。また、複数の検出素子に入射する２次
Ｘ線を個別に検出すれば試料の１次Ｘ線の照射面上での
分布特性を測定することもできる。よって、従来より正
確でかつ精密な分析が可能となる。
【図１】本発明の構成を示す概略側面図である。
【図２】本発明における検出器の窓枠を示す平面図であ
る。
る。
【図３】本発明における検出器の検出面を示す平面図で
ある。
ある。
【図４】従来の半導体検出器の検出面を示す平面図であ
る。
る。
【図５】全反射型蛍光Ｘ線分析における試料の照射面を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
１…Ｘ線源、４…試料、５…検出器、６…検出素子、８
…照射面、９…１次Ｘ線。
…照射面、９…１次Ｘ線。
Claims (1)
- 【請求項１】 試料の照射面に対して斜め方向に１次Ｘ
線を照射するＸ線源と、試料から発生する２次Ｘ線を検
出する検出器とを備え、前記検出器は、試料の照射面に
おける１次Ｘ線の入射方向に沿った照射長手軸と平行な
直線上に配列された複数の検出素子を有してなる蛍光Ｘ
線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16460294A JPH085584A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16460294A JPH085584A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH085584A true JPH085584A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15796304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16460294A Pending JPH085584A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11108861A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Technos Kenkyusho:Kk | 蛍光ｘ線分析装置および蛍光ｘ線検出器 |
| WO2022118585A1 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 株式会社リガク | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03282243A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Toshiba Corp | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP16460294A patent/JPH085584A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03282243A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Toshiba Corp | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH11108861A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Technos Kenkyusho:Kk | 蛍光ｘ線分析装置および蛍光ｘ線検出器 |
| WO2022118585A1 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 株式会社リガク | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
| JP2022087438A (ja) * | 2020-12-01 | 2022-06-13 | 株式会社リガク | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
| KR20230065351A (ko) * | 2020-12-01 | 2023-05-11 | 가부시키가이샤 리가쿠 | 전반사 형광 x선 분석 장치 |
| CN116868048A (zh) * | 2020-12-01 | 2023-10-10 | 株式会社理学 | 全反射荧光x射线分析装置 |
| EP4257961A4 (en) * | 2020-12-01 | 2023-12-06 | Rigaku Corporation | FLUORESCENCE X-RAY ANALYZER WITH TOTAL INTERNAL REFLECTION |
| US11867646B2 (en) | 2020-12-01 | 2024-01-09 | Rigaku Corporation | Total reflection x-ray fluorescence spectrometer |
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