JPH0848969A - 研磨材 - Google Patents

研磨材

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JPH0848969A
JPH0848969A JP18716894A JP18716894A JPH0848969A JP H0848969 A JPH0848969 A JP H0848969A JP 18716894 A JP18716894 A JP 18716894A JP 18716894 A JP18716894 A JP 18716894A JP H0848969 A JPH0848969 A JP H0848969A
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JP
Japan
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abrasive
fluoride
particle size
fine particles
average particle
Prior art date
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Pending
Application number
JP18716894A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Ueda
成生 植田
Kenzo Hanawa
健三 塙
Shigenao Nitta
茂直 新田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
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Publication date
Application filed by Mitsui Mining and Smelting Co Ltd filed Critical Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 アルカリ土類金属及び希土類金属のフッ化物
からなる群から選ばれたフッ化化合物微粒子からなる研
磨材。 【効果】 本発明の研磨材を用いることにより、極めて
良好な研磨速度と極めて良好な表面状態とを同時に達成
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は研磨材に関し、より詳し
くは、石英を始め、SiO2を主成分とする各種ガラス
の研磨、Siウエハー等の半導体材料の研磨、半導体デ
バイス工程におけるSiO2層間絶縁膜の研磨加工、L
N、LT、YAG等の酸化物結晶の光学グレードの研磨
加工等に用いるのに特に適した研磨材に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ガラス用の研磨材としては一般的
には酸化セリウム(CeO2)系研磨材が用いられてい
る。このCeO2系研磨材はCeO2とSiO2との固相
反応を利用したメカノケミカル研磨材であり、極めて良
好な研磨速度とかなり良好な表面状態(表面粗さ、スク
ラッチ、潜傷の状態)とを同時に達成できる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、研磨後
の表面状態に関する要求はフォトマスクを始め、光学に
関係する部材においては、STM(走査型トンネル顕微
鏡)、AMF(原子間力顕微鏡)の測定限界(Rmax
10nm)にまで及ぼうとしている。このような値はC
eO2系研磨材における加工限界に近いものである。そ
れで代替研磨材としてSiO2研磨材(コロイダルシリ
カ)が主として用いられているが、石英を始め、SiO
2を主成分とする各種ガラスの研磨に関しては研磨速度
が不十分であるという欠点がある。
【0004】本発明の目的は、CeO2系研磨材の達成
できる研磨速度とSiO2研磨材の達成できる表面状態
とを同時に達成できる、即ち、極めて良好な研磨速度と
極めて良好な表面状態とを同時に達成できる研磨材を提
供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の目
的を達成するために鋭意検討した結果、特定のフッ化化
合物微粒子を用いることにより、所望の研磨材が得られ
ることを見出し、本発明を完成した。即ち、本発明の研
磨材は、アルカリ土類金属及び希土類金属のフッ化物か
らなる群から選ばれたフッ化化合物微粒子からなること
を特徴とする。
【0006】以下に本発明について具体的に説明する。
本発明の研磨材を構成するフッ化化合物はアルカリ土類
金属及び希土類金属のフッ化物であり、例えばCa
2、MgF2、BaF2、SrF2、LaF3、PrF3
NdF3、CeF3等であり、好ましくはCaF2、Nd
3、CeF3等である。
【0007】本発明の研磨材においてはフッ化化合物の
平均粒径は被研磨物表面との反応速度,従って研磨速度
に影響を及ぼす。従って、SiO2研磨材よりも研磨速
度を速くするためにはフッ化化合物の平均粒径が0.7
μm以下、好ましくは0.3μm以下、より好ましくは
0.2μm以下であることが望ましい。なお、ここで言
う粒子径はSEM(走査型電子顕微鏡)で測定した一次
粒子径である。
【0008】本発明の研磨材を用いてSiO2を主成分
とするガラスを研磨する場合には、フッ化化合物の微粒
子、例えばCaF2の微粒子とSiO2とが固相反応する
メカノケミカル研磨材として機能する。即ち、CaF2
微粒子表面の活性FイオンがSiO2粒子とクラスター
を形成して固相反応を起こすことになる。本発明の研磨
材においては、上記の如き特定のフッ化化合物微粒子を
単味で用いても、或いは他の公知の研磨材と併用するこ
ともできる。
【0009】
【実施例】被研磨物として、#2000ダイヤペレット
で前加工した125mm×125mm×1.5mmの石
英ガラス板を用い、研磨材としてそれぞれ平均粒径0.
2μmのNdF3、平均粒径0.2μmのCaF2、平均
粒径2μmのCaF2、平均粒径2μmのセリウム系研
磨材(商品名ミレーク、三井金属鉱業製)及び平均粒径
0.08μmのSiO2(コロイダルシリカ)を用い、図
1に示す装置を用いて下記の条件下で研磨加工した: 加工圧力 120g/cm2 回転数 25rpm 砥粒濃度 14% 砥粒添加方法 滴下方式 研磨加工時間 合計で12分間 なお、図1において1は発砲ポリウレタン製の研磨パッ
ド(布)であり、2は被研磨物である石英ガラス板であ
り、3は加圧シリンダーであり、4は研磨プレートであ
り、5は研磨材(スラリ−)である。
【0010】各研磨材について研磨加工時間1分後、2
分後、4分後、8分後及び12分後の累積研磨量(μ
m)を求めた。その結果を図2に示す。図2のグラフか
ら明らかなように、平均粒径0.2μmのNdF3及び平
均粒径0.2μmのCaF2の研磨材を用いた場合にはセ
リウム系研磨材と同等の研磨速度が達成されており、S
iO2研磨材の場合よりも研磨速度の点で優れている。
【0011】平均粒径0.2μmのCaF2、平均粒径2
μmのCaF2、平均粒径2μmのセリウム系研磨材及
び平均粒径0.08μmのSiO2を用いた場合について
研磨加工時間12分後の表面粗さ状態を、触針式の表面
粗さ計(東京精密製サーフコム575B)を用いて縦倍
率10,000倍にして求めた。その結果はそれぞれ図
3〜図6に示す通りであった。図3〜図6の比較から明
らかなように、平均粒径0.2μmのCaF2の研磨材を
用いた場合にはSiO2研磨材と同等以上の良好な表面
粗さ状態を示しており、セリウム系研磨材の場合よりも
表面粗さ状態の点で優れている。
【0012】
【発明の効果】本発明の研磨材を用いることにより、極
めて良好な研磨速度と極めて良好な表面状態とを同時に
達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例で用いた研磨加工装置の概略断面図であ
る。
【図2】実施例で得られた研磨加工時間と累積研摩量と
の関係を示すグラフである。
【図3】平均粒径0.2μmのCaF2を用いた場合の表
面粗さ状態を示すグラフである。
【図4】平均粒径2μmのCaF2を用いた場合の表面
粗さ状態を示すグラフである。
【図5】平均粒径2μmのセリウム系研磨材を用いた場
合の表面粗さ状態を示すグラフである。
【図6】平均粒径0.08μmのSiO2を用いた場合の
表面粗さ状態を示すグラフである。
【符号の説明】
1 研磨パッド 2 被研磨物 3 加圧シリンダー 4 研磨プレート 5 研磨材(スラリ−)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルカリ土類金属及び希土類金属のフッ
    化物からなる群から選ばれたフッ化化合物微粒子からな
    ることを特徴とする研磨材。
  2. 【請求項2】 フッ化化合物がフッ化カルシウム、フッ
    化ネオジム又はフッ化セリウムである請求項1記載の研
    磨材。
  3. 【請求項3】 フッ化化合物微粒子の平均粒径が0.7
    μm以下である請求項1又は2記載の研磨材。
  4. 【請求項4】 フッ化化合物微粒子の平均粒径が0.3
    μm以下である請求項3記載の研磨材。
JP18716894A 1994-08-09 1994-08-09 研磨材 Pending JPH0848969A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002044300A3 (en) * 2000-11-30 2002-08-29 Showa Denko Kk Cerium-based abrasive and production process thereof
CN1099449C (zh) * 1996-12-25 2003-01-22 清美化学股份有限公司 铈系研磨材料的制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1099449C (zh) * 1996-12-25 2003-01-22 清美化学股份有限公司 铈系研磨材料的制造方法
WO2002044300A3 (en) * 2000-11-30 2002-08-29 Showa Denko Kk Cerium-based abrasive and production process thereof
US7470297B2 (en) 2000-11-30 2008-12-30 Showa Denko K.K. Cerium-based abrasive and production process thereof

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